WO2017094457A1 - 配線用孔の形成方法、及び電子デバイス - Google Patents

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翔 伊東
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Definitions

  • the present invention relates to a method for forming a wiring hole in an electronic device such as a liquid crystal panel, and an electronic device in which the wiring hole is formed.
  • a liquid crystal panel is composed of two glass substrates facing each other, a color filter substrate on which BM, RGB, photo spacers and transparent electrodes are patterned, and an array substrate on which thin film transistors and transparent electrodes are patterned.
  • a seal member made of resin for example, ultraviolet curable resin
  • a seal member is interposed between the two substrates along the peripheral edge of these substrates, and liquid crystal is sealed in the space surrounded by the seal member.
  • a wiring form of the liquid crystal panel As a wiring form of the liquid crystal panel, a wiring hole that penetrates both the substrates and the seal member in the thickness direction is formed, and the hole is plated, A form in which a conductive material is introduced into the hole, such as filling the hole with a conductive paste, is used.
  • This hole is formed by, for example, irradiating a liquid crystal panel with a laser and melting and removing the irradiated portion with the heat of the laser.
  • the inner peripheral surface of the hole becomes a flat surface with less unevenness. For example, it is introduced into the hole due to thermal expansion of the electronic device.
  • the conductive material is easily removed. Such a problem does not occur only when the wiring hole is formed for the liquid crystal panel.
  • the case of forming a wiring hole penetrating both substrates and the interposed resin for other electronic devices having a structure in which a resin is interposed between two glass substrates arranged opposite to each other This is a possible problem.
  • the present invention made in view of the above circumstances has a technical problem to firmly fix a wiring hole formed in an electronic device and a conductive material introduced into the wiring hole.
  • the method according to the present invention which was created to solve the above problems, includes a first glass substrate, a second glass substrate disposed opposite the first glass substrate, and a resin interposed between the two substrates.
  • a wiring hole is formed in an electronic device including an interposition member, and one substrate is formed by irradiating the electronic device with a pulse laser from one of the two substrates. And a wiring hole having a hole bottom that penetrates the interposition member in the thickness direction and is within the thickness of the other substrate.
  • the pulse laser irradiated to the electronic device is narrowed as it moves from the laser incident surface side to the emission surface (interface with the intervening member) side in one glass substrate. It will be.
  • the pulse laser focused in one substrate moves from the laser incident surface (interface with one substrate) side to the emission surface (interface with the other substrate) side. Will spread to the opposite.
  • the wiring hole is formed such that its diameter contracts as it moves to the hole bottom side in one of the substrates, and its diameter increases as it moves to the hole bottom side in the interposition member. .
  • the wiring hole is formed such that the one substrate side and the interposition member side have opposite tapers with the interface between the one substrate and the interposition member as a boundary. Therefore, when a conductive material is introduced into the wiring hole, the inner peripheral surface of the hole and the conductive material are easily caught, and both can be firmly fixed.
  • the wiring hole is formed so that the hole bottom is located within the thickness of the other substrate. In this way, during the formation of the wiring hole, a part of the laser beam of the pulse laser is reflected by the other substrate, and the reflected light interferes with the laser beam to be incident on the other substrate. It becomes.
  • the wiring hole When the wiring hole is formed under such a state, it is possible to form periodic unevenness according to the interference pattern along the thickness direction on the inner peripheral surface in the interposition member of the wiring hole. Become. For this reason, if a conductive material is introduced into the wiring hole, the inner peripheral surface of the hole and the conductive material are more easily caught due to the presence of periodic irregularities, so that both can be more firmly fixed. Furthermore, in this method, the following actions / effects can be obtained as secondary effects. That is, it is not necessary to form a through hole penetrating all the substrates and the interposition member as the wiring hole, and the time required for forming the wiring hole can be shortened, so that the wiring hole is formed. It becomes possible to improve the manufacturing efficiency of an electronic device. In addition, as compared with the case where the wiring hole is a through hole penetrating all the substrates and the interposition member, it is possible to suppress the occurrence of problems such as distortion in both substrates due to laser irradiation.
  • the depth of the wiring hole formed on the other substrate is preferably 50% or less with respect to the thickness of the other substrate.
  • the interface between the first glass substrate and the interposition member is partially peeled along the inner peripheral surface of the wiring hole.
  • the wiring device includes a wiring hole that penetrates one of the substrates and the interposition member in the thickness direction and has a hole bottom within the thickness of the other substrate.
  • the inclination angle at which the inner peripheral surface of the wiring hole is inclined with respect to the center line of the hole is 0.1 ° to 30 ° in one substrate.
  • the inner peripheral surface of the hole and the conductive material are easily caught. Therefore, both the inner peripheral surface of the hole and the conductive material are strengthened. It is possible to fix.
  • the method for forming a wiring hole according to the embodiment of the present invention forms a wiring hole by irradiating a liquid crystal panel 1 as an electronic device with a pulse laser 2. Is the method.
  • the liquid crystal panel 1 includes, as main constituent elements, a first glass substrate 3, a second glass substrate 4 disposed to face the first glass substrate 3, and an interposed member interposed between the substrates 3 and 4.
  • the sealing member 5 and the metal wiring 6 formed on the second glass substrate 4 are provided.
  • Each of the first glass substrate 3 and the second glass substrate 4 has a rectangular shape and a thickness of 1 ⁇ m to 400 ⁇ m.
  • the width of the gap (cell gap) formed between the substrates 3 and 4 is 0.5 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the first glass substrate 3 is a color filter substrate on which BM, RGB, photo spacers, and transparent electrodes (all not shown) are formed.
  • the second glass substrate 4 is an array substrate on which a thin film transistor and a transparent electrode (both not shown) are patterned.
  • the second glass substrate 4 is a substrate having a reflectivity of 5% or more with respect to light having a wavelength of 8.5 ⁇ m to 14 ⁇ m.
  • the sealing member 5 bonds the first glass substrate 3 and the second glass substrate 4 and is disposed along the peripheral edges of both the substrates 3 and 4. Liquid crystal 7 is sealed in the space surrounded by the seal member 5.
  • the resin constituting the seal member 5 is, for example, an ultraviolet curable resin.
  • the metal wiring 6 is a wiring for sending a driving signal to a driving circuit (not shown).
  • the metal constituting the metal wiring 6 is, for example, aluminum, and molybdenum, for example, is used as the barrier metal.
  • the above-mentioned liquid crystal panel 1 is irradiated with a pulse laser 2 from the first glass substrate 3 side.
  • irradiation is performed so that the optical axis 2 a of the pulse laser 2 extends in the thickness direction of the first glass substrate 3 and the second glass substrate 4.
  • the pulse laser 2 a CO 2 laser, a CO laser, a fiber laser, or the like can be used.
  • the wavelength of the pulse laser 2 is preferably 2.5 ⁇ m to 15 ⁇ m. In this embodiment, the wavelength is 8.5 ⁇ m to 14 ⁇ m.
  • the pulse width is more preferably 0.05 ⁇ s to 50 ⁇ s.
  • the frequency is preferably 100 Hz to 20 kHz.
  • the pulse energy is preferably 10 ⁇ J to 10 mJ.
  • the polarized light of the pulse laser 2 is circularly polarized, and the focal position of the pulse laser 2 is the surface of the first glass substrate 3 (an incident surface 3a described later). Further, the number of shots of the pulse laser 2 is not particularly limited, but in this embodiment, three shots are used.
  • the pulse laser 2 irradiated to the liquid crystal panel 1 moves from the laser incident surface 3 a side to the emission surface 3 b (interface with the seal member 5) side in the first glass substrate 3. It will be squeezed.
  • the pulse laser 2 focused in the first glass substrate 3 is irradiated from the laser incident surface 5a (interface with the first glass substrate 3) side to the emission surface 5b. As it moves to the (interface with the second glass substrate 4) side, it spreads in the opposite direction.
  • the pulse laser 2 spread in the seal member 5 moves from the laser incident surface 4 a (interface with the seal member 5) side to the emission surface 4 b side. It will be squeezed again as you go.
  • the pulse laser 2 is irradiated with the wiring hole 8 penetrating the first glass substrate 3, the seal member 5, and the metal wiring 6, and the hole bottom 8 a of the second glass substrate 4. Continue until formed within the thickness of. At this time, the depth D of the wiring hole 8 formed in the second glass substrate 4 is set to 50% or less with respect to the thickness of the second glass substrate 4.
  • the liquid crystal panel 1 in which the wiring holes 8 are formed is obtained.
  • the wiring hole 8 is formed in a tapered shape whose diameter contracts as it moves to the hole bottom 8 a side in the first glass substrate 3, and the hole bottom 8 a side in the seal member 5. It is formed in the taper shape which a diameter expands as it transfers to. That is, the wiring hole 8 is formed so that the first glass substrate 3 side and the sealing member 5 side have opposite tapers with the interface between the first glass substrate 3 and the sealing member 5 as a boundary. Yes.
  • the inner peripheral surface of the wiring hole 8 in the first glass substrate 3 is inclined with respect to the center line 8b of the hole.
  • the inclined angle ⁇ 1 is 0.1 ° to 30 °.
  • the inclination angle ⁇ 2 at which the inner peripheral surface of the wiring hole 8 in the seal member 5 is inclined with respect to the center line 8b of the hole is 1 ° to 45 °.
  • periodic irregularities according to the interference pattern are formed along the thickness direction on the inner peripheral surface of the wiring hole 8 in the seal member 5.
  • the pitch P of the unevenness is 0.5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the height H of the convex portion in the unevenness is 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • this periodic unevenness may be formed in the whole area
  • the interface between the first glass substrate 3 and the sealing member 5 is partially peeled along the inner peripheral surface of the wiring hole 8.
  • the width Y of the peeled interface is 0.1 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the dimension Z at which the interface opens along the thickness direction by peeling is 0.1 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the wiring hole 8 is on the first glass substrate 3 side and the sealing member 5 side with the interface between the first glass substrate 3 and the sealing member 5 as a boundary. Are formed so as to be tapered in opposite directions. In addition to this, periodic irregularities are formed along the thickness direction on the inner peripheral surface of the sealing member 5 of the wiring hole 8. Therefore, if the conductive material is introduced into the wiring hole 8 by plating or filling the wiring hole 8 with a conductive paste, the inner peripheral surface of the wiring hole 8 and the conductive material are formed. It becomes easy to catch and it becomes possible to fix both firmly.
  • the method for forming a wiring hole according to the present invention is not limited to the aspect described in the above embodiment.
  • the pulse laser may be irradiated so that the optical axis of the pulse laser is inclined with respect to the thickness direction of the first glass substrate and the second glass substrate.
  • the polarized light of the pulse laser may be polarized light other than circularly polarized light, such as linearly polarized light, elliptically polarized light, azimuth polarized light, and radial polarized light.
  • the pulse laser that irradiates the liquid crystal panel from the first glass substrate side not only the pulse laser that irradiates the liquid crystal panel from the first glass substrate side, but also a new pulse laser that is irradiated from any direction in the seal member. You may make the pulse laser irradiated from the 1st glass substrate side interfere with the newly irradiated pulse laser. Even if it does in this way, it is possible to form the periodic unevenness
  • the wiring hole is formed in the liquid crystal panel.
  • an electronic device to which the wiring hole forming method according to the present invention can be applied is included in the liquid crystal panel. It is not limited. This method is also applicable to the case of forming wiring holes for other electronic devices having a structure in which an intervening member made of resin is interposed between two glass substrates arranged opposite to each other. can do. Examples of electronic devices to which the present invention can be applied include organic EL panels and touch panels.

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Abstract

第一ガラス基板３と、第一ガラス基板３に対向して配置された第二ガラス基板４と、両基板３，４の間に介在させたシール部材５とを備えた液晶パネル１に対し、配線用孔８を形成するにあたり、液晶パネル１に対して第一ガラス基板３側からパルスレーザー２を照射することで、第一ガラス基板３及びシール部材５を厚み方向に貫通し、且つ第二ガラス基板４の厚み内に孔底８ａを有する配線用孔８を形成した。

Description

配線用孔の形成方法、及び電子デバイス
　本発明は、液晶パネル等の電子デバイスに配線用孔を形成するための方法、及び、この配線用孔が形成された電子デバイスに関する。
　周知のように、液晶パネルは、ＢＭ、ＲＧＢ、フォトスペーサー、透明電極がパターン形成されたカラーフィルター基板と、薄膜トランジスタや透明電極がパターン形成されたアレイ基板との相互に対向する二枚のガラス基板を備えた電子デバイスである。両基板の間には、これらの基板の周縁部に沿って樹脂（例えば、紫外線硬化樹脂等）でなるシール部材が介在しており、シール部材で囲まれたスペースには、液晶が封入されている（特許文献１を参照）。
　ところで、近年、省スペース化やワイドバス化の観点から、液晶パネルの配線の形態として、両基板及びシール部材の全てを厚み方向に貫通する配線用孔を形成し、孔にメッキを施したり、孔を導電性ペーストで充填したりする等、孔に導電性材料を導入する形態が利用されている。この孔は、例えば、液晶パネルに対してレーザーを照射し、レーザーの熱によって照射部を溶融させて除去することで形成される。
特開２０１５－１６１８３７号公報
　しかしながら、上記のような態様で配線用孔を形成した場合には、孔の内周面が凹凸の少ない平坦な面となることから、例えば、電子デバイスの熱膨張に伴って、孔に導入された導電性材料が抜けやすい等、導電性材料と孔の内周面とが固定され難いという問題があった。なお、このような問題は、液晶パネルを対象として配線用孔を形成する場合にのみ生じているものではない。対向して配置された二枚のガラス基板の相互間に樹脂が介在した構造を有する他の電子デバイスを対象として、両基板及び介在した樹脂を貫通する配線用孔を形成する場合にも同様に生じ得る問題である。
　上記の事情に鑑みなされた本発明は、電子デバイスに形成される配線用孔と、この配線用孔に導入される導電性材料との固定を強固にすることを技術的な課題とする。
　上記の課題を解決するために創案された本発明に係る方法は、第一ガラス基板と、第一ガラス基板に対向して配置された第二ガラス基板と、両基板の間に介在させた樹脂でなる介在部材とを備えた電子デバイスに対し、配線用孔を形成する方法であって、電子デバイスに対して両基板のうちの一方の基板側からパルスレーザーを照射することで、一方の基板及び介在部材を厚み方向に貫通し、且つ他方の基板の厚み内に孔底を有する配線用孔を形成することに特徴付けられる。
　このような方法によれば、電子デバイスに対して照射したパルスレーザーが、ガラスでなる一方の基板中ではレーザーの入射面側から出射面（介在部材との界面）側に移行するに連れて絞られていく。一方、樹脂でなる介在部材中では、一方の基板中で絞られたパルスレーザーが、レーザーの入射面（一方の基板との界面）側から出射面（他方の基板との界面）側に移行するに連れて反対に広がっていく。これにより、配線用孔は、一方の基板中において孔底側に移行するに連れて径が収縮すると共に、介在部材中において孔底側に移行するに連れて径が拡大するように形成される。換言すれば、配線用孔は、一方の基板と介在部材との界面を境界として、一方の基板側と介在部材側とが相互に逆向きのテーパーとなるように形成される。そのため、この配線用孔に導電性材料を導入すれば、孔の内周面と導電性材料とが引っ掛かりやすくなり、両者を強固に固定することができる。また、本方法においては、他方の基板の厚み内に孔底が位置するように配線用孔を形成している。このようにすれば、配線用孔の形成中に、パルスレーザーの一部のレーザー光が、他方の基板で反射し、この反射光と他方の基板に入射しようとするレーザー光とが干渉した状態となる。このような状態の下で配線用孔が形成されると、配線用孔の介在部材中における内周面に、厚み方向に沿って干渉パターンに従った周期的な凹凸を形成することが可能となる。このため、配線用孔に導電性材料を導入すれば、周期的な凹凸の存在によって孔の内周面と導電性材料とが更に引っ掛かりやすくなるため、両者をより強固に固定することができる。さらに、本方法では、以下のような作用・効果を副次的に得ることが可能である。すなわち、配線用孔として、両基板及び介在部材の全てを貫通した貫通孔を形成する必要がなく、配線用孔の形成に要する時間を短縮することができるため、この配線用孔が形成された電子デバイスの製造効率を向上させることが可能となる。また、配線用孔を両基板及び介在部材の全てを貫通した貫通孔とする場合と比較して、レーザーの照射に伴って両基板に歪が生じる等の不具合の発生を抑制することができる。
　上記の方法において、他方の基板に形成する配線用孔の深さを、他方の基板の厚みに対して５０％以下とすることが好ましい。また、パルスレーザーとして、波長８．５μｍ～１４μｍのレーザーを用いると共に、他方の基板として、波長８．５μｍ～１４μｍの光に対する反射率が５％以上の基板を用いることが好ましい。
　これらのようにすれば、パルスレーザーの一部のレーザー光を、他方の基板でより反射させやすくなる。このため、配線用孔の介在部材中における内周面に周期的な凹凸をより形成しやすくなる。その結果、配線用孔の内周面と導電性材料とを更に強固に固定することができる。
　上記の方法において、第一ガラス基板と介在部材との界面を、配線用孔の内周面に沿って部分的に剥離させることが好ましい。
　このようにすれば、配線用孔に導電性材料を導入した際に、第一ガラス基板と介在部材との相互間に導電性材料が入り込む。そのため、配線用孔の内周面と導電性材料とがより一層引っ掛かりやすくなり、両者をより強固に固定することが可能となる。
　上記の配線用孔の形成方法を実行すれば、第一ガラス基板と、第一ガラス基板に対向して配置された第二ガラス基板と、両基板の間に介在させた樹脂でなる介在部材とを備えた電子デバイスであって、両基板のうちの一方の基板及び介在部材を厚み方向に貫通し、且つ他方の基板の厚み内に孔底を有する配線用孔が形成され、配線用孔の径が、一方の基板中において孔底側に移行するに連れて収縮すると共に、介在部材中において孔底側に移行するに連れて拡大した電子デバイスが得られる。
　また、上記の配線用孔の形成方法を実行すれば、他方の基板に形成された配線用孔の深さが、他方の基板の厚みに対して５０％以下である電子デバイスを得ることができる。
　また、上記の配線用孔の形成方法を実行すれば、配線用孔の内周面が孔の中心線に対して傾斜した傾斜角度が、一方の基板中において０．１°～３０°であり、且つ介在部材中において１°～４５°である電子デバイスを得ることが可能である。
　また、上記の配線用孔の形成方法を実行すれば、配線用孔の介在部材中における内周面に、厚み方向に沿って周期的な凹凸が形成された電子デバイスを得ることができる。
　また、上記の配線用孔の形成方法を実行すれば、第一ガラス基板と介在部材との界面が、配線用孔の内周面に沿って部分的に剥離した電子デバイスを得ることが可能である。
　これらように構成された電子デバイスによれば、上記の配線用孔の形成方法で既に述べた作用・効果と同一の作用・効果を得ることが可能である。
　本発明によれば、配線用孔に導電性材料を導入した際に、孔の内周面と導電性材料とが引っ掛かりやすくなるため、孔の内周面と導電性材料との両者を強固に固定することが可能である。
本発明の実施形態に係る配線用孔の形成方法を示す縦断側面図である。 本発明の実施形態に係る配線用孔の形成方法を示す縦断側面図である。 本発明の実施形態に係る配線用孔の形成方法を示す縦断側面図である。 本発明の実施形態に係る電子デバイスを示す縦断側面図である。 図４におけるＡ部を拡大して示す拡大図である。 図４におけるＢ部を拡大して示す拡大図である。
　以下、本発明の実施形態に係る配線用孔の形成方法、及び、この方法を実行することで得られる電子デバイスについて、添付の図面を参照して説明する。
　図１～図３に示すように、本発明の実施形態に係る配線用孔の形成方法は、電子デバイスとしての液晶パネル１に対してパルスレーザー２を照射することにより、配線用孔を形成する方法である。
　液晶パネル１は、主たる構成要素として、第一ガラス基板３と、第一ガラス基板３に対向して配置された第二ガラス基板４と、両基板３，４の間に介在させた介在部材としてのシール部材５と、第二ガラス基板４上に形成された金属配線６とを備えている。
　第一ガラス基板３と第二ガラス基板４との各々は、矩形の形状を有すると共に、厚みが１μｍ～４００μｍとされている。また、両基板３，４の間に形成される隙間（セルギャップ）の幅は０．５μｍ～１００μｍとされている。第一ガラス基板３は、ＢＭ、ＲＧＢ、フォトスペーサー、透明電極（いずれも図示省略）がパターン形成されたカラーフィルター基板である。一方、第二ガラス基板４は、薄膜トランジスタや透明電極（いずれも図示省略）がパターン形成されたアレイ基板である。なお、両基板３，４のうち、第二ガラス基板４としては、波長８．５μｍ～１４μｍの光に対する反射率が５％以上の基板を用いている。
　シール部材５は、第一ガラス基板３と第二ガラス基板４とを貼り合せると共に、両基板３，４の周縁部に沿って配置されている。シール部材５により囲まれたスペースには、液晶７が封入されている。このシール部材５を構成する樹脂は、例えば紫外線硬化樹脂である。金属配線６は、駆動回路（図示省略）に駆動用の信号を送るための配線である。この金属配線６を構成する金属は、例えばアルミニウムであり、バリアメタルとしては、例えばモリブデンが採用される。
　この配線用孔の形成方法では、上記の液晶パネル１に対して第一ガラス基板３側からパルスレーザー２を照射する。なお、本実施形態においては、パルスレーザー２の光軸２ａが、第一ガラス基板３及び第二ガラス基板４の厚み方向に延びるように照射を行う。
　ここで、パルスレーザー２としては、ＣＯ２レーザー、ＣＯレーザー、ファイバーレーザー等を使用することができる。パルスレーザー２の波長としては、２．５μｍ～１５μｍとすることが好ましく、本実施形態では、８．５μｍ～１４μｍとしている。また、パルス幅は、０．０５μｓ～５０μｓとすることがより好ましい。さらに、周波数としては、１００Ｈｚ～２０ｋＨｚとすることが好ましい。加えて、パルスエネルギーとしては、１０μＪ～１０ｍＪとすることが好ましい。なお、パルスレーザー２の偏光は円偏光であり、パルスレーザー２の焦点の位置は、第一ガラス基板３の表面（後述の入射面３ａ）としている。また、パルスレーザー２のショット数は特に限定されるものではないが、本実施形態では３ショットとしている。
　図１に示すように、液晶パネル１に対して照射したパルスレーザー２は、第一ガラス基板３中ではレーザーの入射面３ａ側から出射面３ｂ（シール部材５との界面）側に移行するに連れて絞られていく。一方、図２に示すように、シール部材５中では、第一ガラス基板３中で絞られたパルスレーザー２が、レーザーの入射面５ａ（第一ガラス基板３との界面）側から出射面５ｂ（第二ガラス基板４との界面）側に移行するに連れて反対に広がっていく。さらに、図３に示すように、第二ガラス基板４中では、シール部材５中で広がったパルスレーザー２が、レーザーの入射面４ａ（シール部材５との界面）側から出射面４ｂ側に移行するに連れて再び絞られていく。
　両基板３，４及びシール部材５において、パルスレーザー２が照射された領域は、レーザーの熱によって溶融する。これにより、液晶パネル１に、第一ガラス基板３側から第二ガラス基板４側へと漸次に配線用孔が形成されていく。なお、配線用孔の形成中には、パルスレーザー２の一部のレーザー光が、第二ガラス基板４で反射し、この反射光と第二ガラス基板４に入射しようとするレーザー光とが干渉する。
　パルスレーザー２の照射は、図４に示すように、配線用孔８が、第一ガラス基板３、シール部材５、及び金属配線６を貫通し、且つ、その孔底８ａが第二ガラス基板４の厚み内に形成されるまで継続する。このとき、第二ガラス基板４に形成される配線用孔８の深さＤが、第二ガラス基板４の厚みに対して５０％以下となるようにする。
　以上により、配線用孔８が形成された液晶パネル１が得られる。この液晶パネル１では、配線用孔８が、第一ガラス基板３中において孔底８ａ側に移行するに連れて径が収縮するテーパー状に形成されると共に、シール部材５中において孔底８ａ側に移行するに連れて径が拡大するテーパー状に形成されている。つまり、配線用孔８は、第一ガラス基板３とシール部材５との界面を境界として、第一ガラス基板３側とシール部材５側とが相互に逆向きのテーパーとなるように形成されている。
　ここで、上述の条件で照射したパルスレーザー２により配線用孔８を形成した場合には、配線用孔８の第一ガラス基板３中における内周面が、孔の中心線８ｂに対して傾斜した傾斜角度θ１が、０．１°～３０°となる。一方、配線用孔８のシール部材５中における内周面が、孔の中心線８ｂに対して傾斜した傾斜角度θ２が、１°～４５°となる。さらに、図５に示すように、配線用孔８のシール部材５中における内周面に、厚み方向に沿って干渉パターンに従った周期的な凹凸が形成される。この凹凸のピッチＰは、０．５μｍ～２０μｍとなる。また、凹凸において凸となった部位の高さＨは、０．５μｍ～５μｍとなる。なお、この周期的な凹凸は、配線用孔８のシール部材５中における内周面の全領域に形成される場合もあるし、一部の領域にのみ形成される場合もある。加えて、図６に示すように、第一ガラス基板３とシール部材５との界面が、配線用孔８の内周面に沿って部分的に剥離した状態となる。この剥離した界面の幅Ｙは、０．１μｍ～５０μｍとなる。また、剥離によって界面が厚み方向に沿って開口した寸法Ｚは、０．１μｍ～２０μｍとなる。
　以下、上記の配線用孔の形成方法による主たる作用・効果について説明する。
　上記の配線用孔の形成方法により得られた液晶パネル１では、配線用孔８が、第一ガラス基板３とシール部材５との界面を境界として、第一ガラス基板３側とシール部材５側とが相互に逆向きのテーパーとなるように形成されている。これに加えて、配線用孔８のシール部材５中における内周面に、厚み方向に沿って周期的な凹凸が形成されている。そのため、この配線用孔８にメッキを施す、導電性ペーストを充填する等して、導電性材料を配線用孔８に導入すれば、当該配線用孔８の内周面と導電性材料とが引っ掛かりやすくなり、両者を強固に固定することが可能となる。
　ここで、本発明に係る配線用孔の形成方法は、上記の実施形態で説明した態様に限定されるものではない。上記の実施形態の変形例として、パルスレーザーの光軸が、第一ガラス基板及び第二ガラス基板の厚み方向に対して傾斜するようにパルスレーザーの照射を行ってもよい。また、パルスレーザーの偏光は、直線偏光、楕円偏光、アジマス偏光、ラジアル偏光等、円偏光以外の偏光としてもよい。
　また、上記の実施形態の変形例として、液晶パネルに対して第一ガラス基板側から照射するパルスレーザーのみでなく、新たに別のパルスレーザーを任意の方向から照射することで、シール部材中において第一ガラス基板側から照射したパルスレーザーと、新たに照射したパルスレーザーとを干渉させてもよい。このようにした場合でも、配線用孔のシール部材中における内周面に、干渉パターンに従った周期的な凹凸を形成することが可能である。
　さらに、上記の実施形態においては、液晶パネルに配線用孔を形成する態様となっているが、本発明に係る配線用孔の形成方法を適用することが可能な電子デバイスは、液晶パネルには限定されない。本方法は、対向して配置された二枚のガラス基板の相互間に樹脂でなる介在部材が介在した構造を有する他の電子デバイスを対象として、配線用孔を形成する場合にも同様に適用することができる。本発明を適用することが可能な電子デバイスとしては、例えば、有機ＥＬパネル、タッチパネル等を挙げることが可能である。
　１　　　　　液晶パネル
　２　　　　　パルスレーザー
　３　　　　　第一ガラス基板
　４　　　　　第二ガラス基板
　５　　　　　シール部材
　８　　　　　配線用孔
　８ａ　　　　孔底
　８ｂ　　　　中心線
　Ｄ　　　　　深さ
　θ１　　　　傾斜角度
　θ２　　　　傾斜角度

Claims (9)

  1. 　第一ガラス基板と、該第一ガラス基板に対向して配置された第二ガラス基板と、両基板の間に介在させた樹脂でなる介在部材とを備えた電子デバイスに対し、配線用孔を形成する方法であって、
    　前記電子デバイスに対して両基板のうちの一方の基板側からパルスレーザーを照射することで、該一方の基板及び前記介在部材を厚み方向に貫通し、且つ他方の基板の厚み内に孔底を有する前記配線用孔を形成することを特徴とする配線用孔の形成方法。
  2. 　前記他方の基板に形成する前記配線用孔の深さを、該他方の基板の厚みに対して５０％以下とすることを特徴とする請求項１に記載の配線用孔の形成方法。
  3. 　前記パルスレーザーとして、波長８．５μｍ～１４μｍのレーザーを用いると共に、前記他方の基板として、波長８．５μｍ～１４μｍの光に対する反射率が５％以上の基板を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線用孔の形成方法。
  4. 　前記第一ガラス基板と前記介在部材との界面を、前記配線用孔の内周面に沿って部分的に剥離させることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の配線用孔の形成方法。
  5. 　第一ガラス基板と、該第一ガラス基板に対向して配置された第二ガラス基板と、両基板の間に介在させた樹脂でなる介在部材とを備えた電子デバイスであって、
    　両基板のうちの一方の基板及び前記介在部材を厚み方向に貫通し、且つ他方の基板の厚み内に孔底を有する配線用孔が形成され、
    　前記配線用孔の径が、前記一方の基板中において前記孔底側に移行するに連れて収縮すると共に、前記介在部材中において前記孔底側に移行するに連れて拡大していることを特徴とする電子デバイス。
  6. 　前記他方の基板に形成された前記配線用孔の深さが、該他方の基板の厚みに対して５０％以下であることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス。
  7. 　前記配線用孔の内周面が孔の中心線に対して傾斜した傾斜角度が、前記一方の基板中において０．１°～３０°であり、且つ前記介在部材中において１°～４５°であることを特徴とする請求項５又は６に記載の電子デバイス。
  8. 　前記配線用孔の前記介在部材中における内周面に、厚み方向に沿って周期的な凹凸が形成されていることを特徴とする請求項５～７のいずれかに記載の電子デバイス。
  9. 　前記第一ガラス基板と前記介在部材との界面が、前記配線用孔の内周面に沿って部分的に剥離していることを特徴とする請求項５～８のいずれかに記載の電子デバイス。
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