JP2001022294A

JP2001022294A - 両面表示装置、及び該両面表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001022294A
Application number: JP19368299A
Authority: JP
Inventors: Etsuro Kishi; 悦朗貴志
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-07-07
Filing date: 1999-07-07
Publication date: 2001-01-26

Abstract

(57)【要約】【課題】低コストで高開口率の両面表示装置を提供す
る。【解決手段】電圧印加によって両面に表示を行う両面表
示装置において、表面の表示のためのＴＦＴ１５Ａや裏
面の表示のためのＴＦＴ１５Ｂ等を２枚のサブ基板１２
Ａ，１２Ｂの間に配置し、各サブ基板１２Ａ，１２Ｂの
外面にはそれぞれ表示電極４Ａ，４Ｂを形成する。この
ように全てのＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂをサブ基板１２Ａ，
１２Ｂの間に配置したため、表示電極４Ａ，４ＢはＴＦ
Ｔ１５Ａ，１５Ｂとの関係を考慮することなくその面積
を大きくでき、開口率を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、電圧
を印加することによって表裏両面に情報を表示する両面
表示装置及び該両面表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、情報を電気的に書き込むことがで
きる機能を有するものでありながら、維持電力が不要で
あって紙のように手軽に携帯可能なペーパーライクディ
スプレイの提案や開発がにわかに活気付いている。そし
て、このペーパーライクディスプレイは、将来的には現
在の情報供給手段として主流をなしている新聞や雑誌や
書籍等の紙媒体に置き換わるものとして、また超軽量な
ホームページプラウザを担う製品形態として期待されて
いる。

【０００３】ところで、このようなペーパーライクディ
スプレイには、少なくとも従来の紙媒体と同等の性能、
すなわち、紙媒体のように薄くて軽量であって携帯可能である
こと紙媒体と同様に、メモリ性があって維持電力が不要
であること紙媒体と同様に、安価であることが要求される。

【０００４】なお、紙媒体を用いた書籍は、複数の紙媒
体が閉じられて構成されているために、（従来のディス
プレイ装置のように、単一の表示画面を次々とスクロー
ルしながら情報を順次表示するような煩雑な作業を不要
として）ページをめくるといった簡単な動作によって他
の情報を短時間で容易に入手でき、必要に応じてページ
をめくりながら読み進め或は読み返すことによって、書
籍に記載されている内容の理解を容易にし、かつ、発想
を容易にするという特質を有する。ペーパーライクディ
スプレイでもこの特質を利用するには、ペーパーライク
ディスプレイを複数枚束ねて本のようにして用いること
が望ましい（以下、このような形態を“電子ブック”と
する）。この場合、各ペーパーライクディスプレイに
は、予めダウンロードしておいた大量の情報を表示して
おく。上述した〜の性能は、ペーパーライクディス
プレイによってこのような電子ブックを実現するために
も重要となる。

【０００５】このようなペーパーライクディスプレイに
関する提案は種々なされており、主な提案としては、＊マイクロカプセル型電気泳動表示（ＮＡＴＵＲＥ，
Ｖｏｌ３９４［１６］，ｐ２５３〜２５５，１９９８）
や、＊微小ボール回転型表示（Ｐｒｏｃ．ｏｆｔｈｅ
ＳＩＤ，Ｖｏｌ１１８，３／４，ｐ２８９〜２９３，１
９７７）や、＊コレステリック液晶表示（Ｊ．ｏｆＳＩＤ，Ｖｏ
ｌ５［３］，ｐ２６９〜２７４，１９９７）、に関するものがある。

【０００６】ところで、明確な閾値特性を持たない表示
媒体がこのペーパーライクディスプレイに使われる場
合、その駆動はアクティブマトリクス方式により行われ
るのが望ましい。なお、このアクティブマトリクス方式
は、ノートパソコン等の液晶表示ディスプレイにおいて
現在主流をなしている駆動方式であって、ＴＦＴ，ＭＩ
Ｍ等の半導体スイッチング素子を各画素毎に設けてお
き、各画素に印加される電圧をこれらのスイッチング素
子によって制御する駆動方式であり、単純マトリクス駆
動で問題となるクロストークを解消できるという利点を
有する。かかるスイッチング素子を形成する方法につい
ても、製造コストが高くなるアモルファスシリコンやポ
リシリコン等の無機半導体材料を用いずに、安価な印刷
法が利用できる有機半導体材料を用いてスイッチング素
子を形成するようにしたものが、＊ＮＡＴＵＲＥ，Ｖｏｌ３９４［１６］，ｐ２５３〜
２５５，１９９８、＊Ｊ．ｉｎＰｒｏｃ．ＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｓ
ｅａｒｃｈＳｏｃ．Ｂ８．２，１９９８、＊ＳＣＥＩＮＣＥ，Ｖｏｌ２７８［１７］，ｐ３８３
〜３８４，１９９７等において提案されている。

【０００７】また、情報の表示を、ディスプレイの片面
にのみ行うのではなく、両面に行うようにした両面表示
装置の提案もなされており、主なものとしては、＊２つの液晶パネルを貼り合わせたもの（特開平０２
−２６５９２３号公報）、＊中間電極が存在し表裏同様の表示を行う電気泳動表
示装置（特開平０１−１２６６３０号公報）、ペーパー
ライクディスプレイに関わる提案としては、＊中間支持基板の両面に独立した表示を行うようにし
た高分子分散液晶表示装置（特開平０５−０６１０２４
号公報）、がある。

【０００８】図１０は、ペーパーライクディスプレイの
従来構造の一例として特開平０５−０６１０２４号公報
に開示されたものを示す断面図であるが、このペーパー
ライクディスプレイＤ₄ は３枚の基板１，３２，３を備
えており、これらの基板１，３２，３は、ほぼ平行に所
定間隙を開けた状態に順に配置されている。また、真ん
中の基板３２（以下、“中間基板３２”とする）の上面
には表示電極４Ａとスイッチング素子１５Ａとが形成さ
れており、中間基板３２の下面には表示電極４Ｂとスイ
ッチング素子１５Ｂとが形成されている。さらに、上側
基板１及び下側基板３にも電極１１Ａ，１１Ｂがそれぞ
れ形成されている。そして、中間基板３２の両面にはそ
れぞれ制御系（不図示）が配置されていて、スイッチン
グ素子１５Ａ，１５Ｂを介して表示電極４Ａ，４Ｂに電
圧を印加することによって、表裏両面に別々の情報を表
示できるようになっている。

【０００９】図１０に示す構造のペーパーライクディス
プレイＤ₄ では、中間基板３２を共有できるため、２枚
のペーパーライクディスプレイで同じ情報量を表示する
場合に比べて厚さや重量を１／２〜３／４に減少させる
ことが可能となる。また、かかるペーパーライクディス
プレイを電子ブックにした場合には、見開きで２倍の大
きさの画面を一度に見ることができるという利点もあ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したペ
ーパーライクディスプレイＤ₄ では、表示電極４Ａ，４
Ｂは、スイッチング素子１５Ａ，１５Ｂが形成された面
に形成されているため、スイッチング素子１５Ａ，１５
Ｂの配置位置の影響を受けることとなって大きな面積で
設けるには限界があり、開口率が低下してしまうという
問題があった。

【００１１】また、スイッチング素子１５Ａ，１５Ｂは
別々の面（すなわち、中間基板３２の両面）に形成され
ているため、スイッチング素子を形成する工程を計２回
実施する必要があり、その分だけ製造コストが高くなっ
てしまうという問題があった。また、いずれか一方の面
のスイッチング素子（例えば、１５Ａ）は、他方の面に
スイッチング素子（例えば、１５Ｂ）が既に形成されて
いる状態で形成することとなり、既に形成されている方
のスイッチング素子がプロセスダメージ（熱等の影響）
を受けてしまうおそれがあった。

【００１２】そこで、本発明は、低コストで開口率の高
い両面表示装置を提供することを目的とするものであ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、少なくとも一の基板と、該一
の基板の表裏にそれぞれ配置された第１表示媒体及び第
２表示媒体と、該第１表示媒体に沿って該基板上に配置
された第１表示電極と、該第１表示電極に電気的に接続
されてなる第１スイッチング素子と、前記第２表示媒体
に沿って該基板上に配置された第２表示電極と、該第２
表示電極に電気的に接続されてなる第２スイッチング素
子と、を備え、かつ、前記第１スイッチング素子を介し
て前記第１表示電極に適宜電圧を印加すると共に前記第
２スイッチング素子を介して前記第２表示電極に適宜電
圧を印加することによって前記第１表示媒体及び前記第
２表示媒体をそれぞれ駆動して両面表示を行う両面表示
装置において、前記一の基板は、第１サブ基板と第２サ
ブ基板とが積層されて構成され、かつ、少なくとも前記
第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は
これらのサブ基板の間に配置された、ことを特徴とす
る。

【００１４】また、本発明は、少なくとも一の基板を配
置する工程と、該一の基板の表裏にそれぞれ第１表示媒
体及び第２表示媒体を配置する工程と、該第１表示媒体
に沿うように第１表示電極を配置する工程と、前記第２
表示媒体に沿うように第２表示電極を配置する工程と、
該第１表示電極に第１スイッチング素子を電気的に接続
する工程と、該第２表示電極に第２スイッチング素子を
電気的に接続する工程と、からなる両面表示装置の製造
方法において、前記一の基板は、第１サブ基板と第２サ
ブ基板とを積層させて構成し、かつ、少なくとも前記第
１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子はこ
れらのサブ基板の間に配置した、ことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図１、図３及び図８等を参
照して、本発明の実施の形態について説明する。

【００１６】本発明に係る両面表示装置は、例えば図１
(a) に符号Ｄ₁ で示すように、少なくとも一の基板２
と、該一の基板の表裏にそれぞれ配置された第１表示媒
体（図２の符号１３Ａ，１４Ａ参照）及び第２表示媒体
（図２の符号１３Ｂ，１４Ｂ参照）と、該第１表示媒体
に沿って該基板上に配置された第１表示電極４Ａと、該
第１表示電極４Ａに電気的に接続されてなる第１スイッ
チング素子５Ａと、前記第２表示媒体に沿って該基板上
に配置された第２表示電極４Ｂと、該第２表示電極４Ｂ
に電気的に接続されてなる第２スイッチング素子５Ｂ
と、を備えている。

【００１７】そして、前記一の基板２は、第１サブ基板
２Ａと第２サブ基板２Ｂとが積層されて構成されてお
り、少なくとも前記第１スイッチング素子５Ａ及び前記
第２スイッチング素子５Ｂはこれらのサブ基板２Ａ，２
Ｂの間に配置されている。そして、この両面表示装置Ｄ
₁ は、前記第１スイッチング素子５Ａを介して前記第１
表示電極４Ａに適宜電圧を印加すると共に前記第２スイ
ッチング素子５Ｂを介して前記第２表示電極４Ｂに適宜
電圧を印加することによって前記第１表示媒体及び前記
第２表示媒体をそれぞれ駆動して両面表示を行うように
なっている。

【００１８】ここで、上述した第１表示媒体及び第２表
示媒体には、＊マイクロカプセル型電気泳動表示（ＮＡＴＵＲＥ，
Ｖｏｌ３９４［１６］，ｐ２５３〜２５５，１９９８）
や、＊微小ボール回転型表示（Ｐｒｏｃ．ｏｆｔｈｅ
ＳＩＤ，Ｖｏｌ１１８，３／４，ｐ２８９〜２９３，１
９７７）や、＊コレステリック液晶表示（Ｊ．ｏｆＳＩＤ，Ｖｏ
ｌ５［３］，ｐ２６９〜２７４，１９９７）、＊水平移動型電気泳動表示（特開昭４９−０２４６９
５号公報）、を用いれば良い。

【００１９】この場合、前記第１スイッチング素子５Ａ
及び前記第２スイッチング素子５Ｂは、前記第１サブ基
板２Ａ又は前記第２サブ基板２Ｂの同じ面（すなわち、
第１サブ基板２Ａにおける第２サブ基板２Ｂに対向する
側の面、又は第２サブ基板２Ｂにおける第１サブ基板２
Ａに対向する側の面）に形成すると良い。

【００２０】ここで、“基板の面に形成されている”と
は、基板の表面に接触するように形成されていることの
みを意味するものではなく、何らかの膜を介した状態で
基板の表面とは接触しないようにして形成されているこ
とをも意味するものとする（以下、同じ）。

【００２１】また、図３(a) に詳示するように、前記第
１スイッチング素子１５Ａ及び前記第２スイッチング素
子１５Ｂに複数の走査電極６を電気的に接続し、不図示
の走査電極制御回路からこれらの走査電極６を介して各
スイッチング素子１５Ａ，１５Ｂに電圧を印加し、各ス
イッチング素子１５Ａ，１５Ｂのオン／オフを制御する
と良い。なお、１本の走査電極６は、第１スイッチング
素子１５Ａだけ或は第２スイッチング素子１５Ｂだけに
接続されるものであっても良いが（不図示）、図３(a)
に示すように、いくつかの第１スイッチング素子１５Ａ
及び第２スイッチング素子１５Ｂ（すなわち、前記複数
の第１スイッチング素子１５Ａのうちの一部のスイッチ
ング素子並びに前記複数の第２スイッチング素子１５Ｂ
のうちの一部のスイッチング素子）に接続されるように
しても良い。また、これらの走査電極６は前記第１サブ
基板２Ａ及び第２サブ基板２Ｂ，１２Ｂの間に配置する
と良く、そのようにすることにより、表示面の平坦性が
損なわれることがない。走査電極６を両サブ基板の間に
配置した場合には、走査電極６の厚みを通常より厚く
０．５〜１０μｍ程度にでき、電極抵抗を小さくして駆
動電圧降下等を抑制できる。

【００２２】さらに、図３(a) に詳示するように、前記
第１スイッチング素子１５Ａに電気的に接続された第１
信号電極７Ａ、並びに、前記第２スイッチング素子１５
Ｂに電気的に接続された第２信号電極７Ｂを、備え、こ
れらの第１及び第２信号電極７Ａ，７Ｂに信号電極制御
回路（不図示）を接続して前記第１表示電極４Ａ及び前
記第２表示電極４Ｂに適宜電圧を印加するようにしても
良い。これらの信号電極７Ａ，７Ｂは、前記第１サブ基
板２Ａ及び第２サブ基板２Ｂ，１２Ｂの間に配置すると
良く、前記第１サブ基板２Ａ又は前記第２サブ基板２
Ｂ，１２Ｂの同じ面に形成すると良い。

【００２３】一方、前記第１表示電極４Ａは、図１(a)
〜(c) においては前記一の基板２，１２，２２における
上側の面に形成されているが、もちろんこれに限る必要
はない。例えば、不図示の第１表示媒体を前記一の基板
２と共に挟み込むように基板１を配置して、前記第１表
示電極４Ａを該基板１の表面に形成しても良い。同様
に、前記第２表示電極４Ｂは、図１(a) 〜(c) において
は前記一の基板２，１２，２２における下側の面に形成
されているが、もちろんこれに限る必要はない。例え
ば、不図示の第２表示媒体を前記一の基板２と共に挟み
込むように基板３を配置して、前記第２表示電極４Ｂを
該基板３の表面に形成しても良い。

【００２４】また一方、前記第１サブ基板２Ａ，１２
Ａ，２２Ａに貫通孔８Ａを形成すると共に該貫通孔８Ａ
に連結電極９Ａを配置し、前記第１スイッチング素子５
Ａ，１５Ａと前記第１表示電極４Ａとの電気的接続はこ
の連結電極９Ａを介して行うようにすると良い。同様
に、前記第２サブ基板２Ｂ，１２Ｂ，２２Ｂに貫通孔８
Ｂを形成すると共に該貫通孔８Ｂに連結電極９Ｂを配置
し、前記第２スイッチング素子５Ｂ，１５Ｂと前記第２
表示電極４Ｂとの電気的接続はこの連結電極９Ｂを介し
て行うようにすると良い。

【００２５】一方、基板１，３としては、ガラス基板
や、フレキシブルなポリマー基板を用いれば良い。

【００２６】また、前記第１サブ基板及び第２サブ基板
にはガラス基板や、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）
或はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のプラス
チックフィルム等を用いることができる。さらに、一方
のサブ基板をガラスやプラスチックにて形成すると共
に、他方のサブ基板を、アクリル樹脂、ポリシロキサン
樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料にて形成しても良い。
このような樹脂材料を用いる場合、樹脂モノマーと重合
開始剤とからなる２液混合タイプの樹脂ペーストを印刷
法等によって他方の基板の表面に平坦に塗布し、熱重合
・光重合等によって硬化して基板を形成すると良い。さ
らに、無機材料を蒸着させることによって形成しても良
い。なお、２液混合タイプの樹脂ペーストとしては、加
熱によってラジカルが発生し重合反応が促進されるタイ
プのものや、紫外線照射によってラジカルが発生し重合
反応が促進されるタイプのものを用いれば良い。なお、
これらの第１サブ基板及び第２サブ基板には平坦化層を
用いることができる。また、両方の基板は同じ面積であ
る必要はなく、一方のサブ基板が他方のサブ基板に部分
的に積層されていても良い。

【００２７】ところで、かかる一の基板２，１２，２２
は、不透光であることが好ましく、具体的には、第１サ
ブ基板２Ａ，１２Ａ，２２Ａ、第２サブ基板２Ｂ，１２
Ｂ，２２Ｂ、接着剤１２Ｃ（詳細は後述）、着色層のう
ち少なくとも１つを不透光性にすると良い。

【００２８】また、両サブ基板２Ａ及び２Ｂ、１２Ａ及
び２２Ａ、又は１２Ｂ及び２２Ｂは、積層させて用いる
ため、積層させた状態で所望の強度があれば良く、軽量
化のためには出来るかぎり薄い方が好ましい。

【００２９】さらに、第１及び第２スイッチング素子５
Ａ，１５Ａ，５Ｂ，１５Ｂとしては、ＴＦＴ等の薄膜ト
ランジスタ素子や、非線形ダイオード特性を発現するＭ
ＩＭ型スイッチング素子等を用いることができる。な
お、ポリマー膜の表面にスイッチング素子を形成する技
術に関する研究報告が、＊ “Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ７
０，Ｎｏ３，ｐ３４２−３４４，１９９７”や、＊ “ＳＣＥＩＥＮＣＥ，Ｖｏｌ２７８［１７］，ｐ３
８３〜３８４，１９９７”や、＊ “ＮＡＴＵＲＥ，Ｖｏｌ３９４［１６］，ｐ２５３
〜２５５，１９９８”や、＊ “Ｊ．ｉｎＰｒｏｃ．ＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅ
ｓｅａｒｃｈＳｏｃ．Ｂ８．２，１９９８”にてなさ
れており、＊レーザーアニール法などによってポリＳｉなどの無
機材料からなるスイッチング素子を低温でポリマー基板
上に形成する方法や、＊ポリイミドやポリアニリン等のポリマー材料を印刷
法等によって成膜しスイッチング素子をポリマー基板上
に形成する方法、を用いることによって、基板としてフレキシブルなポリ
マー基板を使用することが可能となり、フレキシブルな
両面表示装置を実現できる。

【００３０】なお、本実施の形態に係る両面表示装置に
おいて、図８(a) に示すように、第１表示電極４Ａに接
続される第１電荷蓄積容量１０Ａと、第２表示電極４Ｂ
に接続される第２電荷蓄積容量１０Ｂとを配置する場
合、これらの電荷蓄積容量１０Ａ，１０Ｂは、前記第１
サブ基板２２Ａと前記第２サブ基板２２Ｂとの間に配置
すると良く、前記第１サブ基板２２Ａ又は前記第２サブ
基板２２Ｂの同じ面に形成すると良い。

【００３１】なお、以上の説明においては、中間の支持
基板と、その両側に対向して配置される２枚の対向基板
からなるセルについて述べたが、本発明は、必ずしも基
板を３枚用いる構成に限定されるわけではない。一例と
して、１枚の支持基板上のどちらか一方の面に両面用の
スイッチング素子を、表裏両面に表示電極をそれぞれ配
置し、この表示電極上にマイクロカプセル型電気泳動表
示素子、高分子分散型液晶素子などのポリマーシート、
または有機ＥＬなどの固体積層薄膜からなる表示媒体層
を形成し、更にその上に駆動用透明電極膜、保護膜を順
次形成する構成が考えられる。また他の例としては、上
述した水平移動型電気泳動表示装置（特開昭４９−０２
４６９５号公報）において、泳動液体を封止する手段と
して、対向基板をスペーサーを介して貼り合わせるので
はなく、画素間の隔壁などが一体化されたシリコンゴム
などの樹脂性キャビティをレプリカ法などを用いて形成
する構成が考えられる。

【００３２】次に、本発明に係る両面表示装置の製造方
法について説明する。

【００３３】上述した両面表示装置（例えば、図１(a)
に示す両面表示装置Ｄ₁ ）を製造するに当たっては、＊少なくとも一の基板２を配置する工程と、＊該一の基板２の表裏にそれぞれ第１表示媒体及び第
２表示媒体を配置する工程と、＊該第１表示媒体に沿うように第１表示電極４Ａを配
置する工程と、＊前記第２表示媒体に沿うように第２表示電極４Ｂを
配置する工程と、＊該第１表示電極４Ａに第１スイッチング素子５Ａを
電気的に接続する工程と、＊該第２表示電極４Ｂに第２スイッチング素子５Ｂを
電気的に接続する工程と、を適宜実施する。なお、前記一の基板２は、第１サブ基
板２Ａと第２サブ基板２Ｂとを積層させて構成し、少な
くとも前記第１スイッチング素子５Ａ及び前記第２スイ
ッチング素子５Ｂはこれらのサブ基板２Ａ，２Ｂの間に
配置する。

【００３４】なお、上述したように前記第１サブ基板及
び第２サブ基板にガラス基板やプラスチックフィルム等
を用いる場合には、これらのサブ基板の積層は、＊前記第１サブ基板及び前記第２サブ基板のうちの一
方のサブ基板（図１(a) の符号２Ａ参照）を、加熱・軟
化させた状態で他方のサブ基板（同図の符号２Ｂ参照）
に密着させ、その後冷却することによって貼り合わせる
方法や、＊両方のサブ基板を接着剤１２Ｃ等で接着する方法
（図１(b) 参照）、等によって行えば良い。ここで、前
者の方法を用いる場合には、前記加熱・軟化させる方の
サブ基板に、前記加熱・軟化させない方のサブ基板より
も軟化温度の低い材料を用い、一方のサブ基板のみが軟
化する温度に加熱すると良い。さらに、一方のサブ基板
（図１(c) の符号２２Ｂ）にガラスやプラスチックを用
いると共に他方のサブ基板（図１(c) の符号２２Ｂ）に
樹脂材料を用いる場合には、該樹脂材料を軟化されたペ
ーストの状態で他方のサブ基板に密着させ、その後硬化
させることによってサブ基板の形成及びサブ基板の積層
を同時に行うようにすると良い。

【００３５】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。

【００３６】本実施の形態によれば、少なくとも前記第
１スイッチング素子５Ａ，１５Ａ及び前記第２スイッチ
ング素子５Ｂ，１５Ｂが、互いに積層された第１サブ基
板２Ａと第２サブ基板２Ｂ，１２Ｂ，２２Ｂの間に配置
されている。したがって、上述のように第１表示媒体に
沿って配置される第１表示電極４Ａや、第２表示媒体に
沿って配置される第２表示電極４Ｂは、スイッチング素
子５Ａ，１５Ａ，５Ｂ，１５Ｂの配置位置の影響を受け
ずに大きな面積で設けることができ、１つ１つの画素面
積を大きくできて開口率を向上できる。

【００３７】また、第１及び第２スイッチング素子５
Ａ，５Ｂ（或は１５Ａ，１５Ｂ）を同じ面に形成した場
合には、スイッチング素子を形成する工程が１回で済む
ことから、該工程を２回以上実施する場合に比べて製造
コストを低減できる。さらに、２種類のスイッチング素
子５Ａ，５Ｂ（或は１５Ａ，１５Ｂ）の形成は同時に行
われることから、従来のようなプロセスダメージを回避
できる。

【００３８】また、第１及び第２電荷蓄積容量１０Ａ，
１０Ｂや、第１及び第２信号電極７Ａ，７Ｂや、走査電
極６等をそれぞれ同じ面に形成した場合には、製造コス
トを低減できる。

【００３９】さらに、走査電極６が、いくつかの第１ス
イッチング素子５Ａ，１５Ａ及び第２スイッチング素子
５Ｂ，１５Ｂに共通に接続されるようにした場合には、
第１スイッチング素子５Ａ，１５Ａ及び第２スイッチン
グ素子５Ｂ，１５Ｂに同じ走査電極制御回路を用いるこ
とができる。その結果、第１スイッチング素子５Ａ，１
５Ａ及び第２スイッチング素子５Ｂ，１５Ｂに別々に走
査電極制御回路を設ける場合に比べて該制御回路が１つ
で済み、その分、コストを低減できる。

【００４０】

【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。

【００４１】（実施例１）本実施例においては、図２乃
至図４に示す両面表示型ディスプレイ（上下電極型電気
泳動表示素子）Ｄ₂ を作成した。

【００４２】ここで、図２は、本発明に係る両面表示型
ディスプレイの構造の一例を示す断面図であり、図３
(a) は、図２のＥ₁ −Ｅ₁ 矢視図であり、同図(b) は、
同図(a) に示すＡ₁ −Ａ₁ 線に沿った断面図であり、同
図(c) は、同図(a) に示すＡ₂−Ａ₂ 線に沿った断面図
であり、図４(a) は、図２のＥ₂ −Ｅ₂ 矢視図であり、
図４(b) は、図２のＥ₃ −Ｅ₃ 矢視図である。

【００４３】すなわち、本実施例においては、一の基板
としての中間基板１２を挟み込むようにそれぞれ上側基
板１や下側基板３を配置し、上側基板１や下側基板３に
は透明なガラス基板を用い、中間基板１２は、ＴｉＯ₂
が分散された不透明な白色ガラス（第２サブ基板）１２
Ｂと、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）からなるプラ
スチックフィルム（第１サブ基板）１２Ａとを接着剤１
２Ｃによって貼り合わせて構成した。

【００４４】また、図３(a) に詳示するように、表面用
ＴＦＴ（第１スイッチング素子）１５Ａと裏面用ＴＦＴ
（第２スイッチング素子）１５Ｂと走査電極６と第１信
号電極７Ａと第２信号電極７Ｂとは、いずれも白色ガラ
ス１２Ｂの上面に形成した。なお、表面用ＴＦＴ１５Ａ
及び裏面用ＴＦＴ１５Ｂは、各画素の近傍に１つずつ配
置した。また、走査電極６は、画素と画素との間を通る
ように図３(a) に示す上下方向に画素列に相当する本数
配置し、第１信号電極７Ａ及び第２信号電極７Ｂは、画
素と画素との間を通るように図３(a) に示す左右方向に
画素行の２倍に相当する本数配置した。なお、本実施例
においては、説明の便宜上、画素の個数をｍ×ｎ個、走
査電極６の本数をｍ本、第１信号電極７Ａの本数をｎ
本、第２信号電極７Ｂの本数をｎ本とする。

【００４５】一方、第１表示電極４Ａは、図２及び図４
(a) に示すようにプラスチックフィルム１２Ａの表面に
画素毎に配置してマトリクス状の電極を構成させ、第２
表示電極４Ｂは、図２及び図４(b) に示すように白色ガ
ラス１２Ｂの表面に画素毎に配置してマトリクス状の電
極を構成させた。

【００４６】また、図３(b) に示すように、白色ガラス
１２Ｂに貫通孔８Ｂを形成すると共に該貫通孔８Ｂに連
結電極９Ｂを配置し、図３(c) に示すように、プラスチ
ックフィルム１２Ａに貫通孔８Ａを形成すると共に該貫
通孔８Ａに連結電極９Ａを配置した。なお、連結電極９
Ａ，９Ｂの径を２０μｍとし、連結電極用パッドは、連
結電極９Ａ，９Ｂよりもやや大きめの４０μｍ径の円形
パッドとした。

【００４７】そして、各表面用ＴＦＴ１５Ａは、そのド
レイン電極を連結電極９Ａを介して第１表示電極４Ａに
電気的に接続し、各裏面用ＴＦＴ１５Ｂは、そのドレイ
ン電極を連結電極９Ｂを介して第２表示電極４Ｂに電気
的に接続した。また、各表面用ＴＦＴ１５Ａのソース電
極は第１信号電極７Ａに電気的に接続し、ゲート電極は
走査電極６に電気的に接続した。さらに、各裏面用ＴＦ
Ｔ１５Ｂのソース電極は第２信号電極７Ｂに接続し、ゲ
ート電極は走査電極６に接続した。

【００４８】さらに、上側基板１及び下側基板３の表面
には、表示電極４Ａ，４Ｂに対向するようにそれぞれ第
１コモン電極１１Ａ及び第２コモン電極１１Ｂを形成し
た。なお、駆動時には、これらのコモン電極１１Ａ，１
１Ｂは基準電位に保持した。

【００４９】またさらに、上側基板１と中間基板１２と
の間には着色液体（第１表示媒体）１３Ａと帯電させた
着色泳動微粒子（第１表示媒体）１４Ａとを配置し、中
間基板１２と下側基板３との間には着色液体（第２表示
媒体）１３Ｂと帯電させた着色泳動微粒子（第２表示媒
体）１４Ｂとを配置し、これらの基板間隙は密閉部材１
５にて封止した。

【００５０】また、着色泳動微粒子１４Ａ，１４Ｂに
は、平均粒径５μｍの白色のＴｉＯ₂を用い、着色液体
１３Ａ，１３Ｂには、青色染料を分散させたシリコンオ
イルを用いた。

【００５１】次に、両面表示型ディスプレイＤ₂ の製造
方法について説明する。

【００５２】両面表示型ディスプレイＤ₂ の製造に際し
ては、まず、白色ガラス１２Ｂの表面にレジスト膜を形
成し、走査電極６や連結電極パッド等を形成する部分の
みをパターン露光して潜像を形成した。また、白色ガラ
ス１２Ｂの裏面にもレジスト膜を形成し、第２表示電極
４Ｂや連結電極パッド等を形成する部分のみをパターン
露光して潜像を形成した。

【００５３】次に、両面のレジスト膜を現像し、露光部
分を除去してネガ像を形成した。

【００５４】その後、ＹＡＧレーザーを用いて、白色ガ
ラス１２Ｂの電極パッドを形成する部分に、径２０μｍ
の貫通孔８Ｂを形成した。

【００５５】さらに、白色ガラス１２Ｂの上下両面にＡ
ｌ膜をスパッタリング法にて形成した。これにより、レ
ジスト膜が除去された部分（走査電極６等が形成される
部分や貫通孔８Ｂの内面）にはＡｌ被膜が形成された。

【００５６】次に、樹脂ペースト（金属微粒子が分散さ
れた導電性ペースト）を印刷によって貫通孔８Ｂの部分
に塗布し、該塗布した樹脂ペーストをブレード等によっ
て貫通孔内に充填し、さらに、ブレードによって余分な
樹脂ペーストを除去した。このようにして貫通孔内に充
填した樹脂ペーストは、加熱によって硬化させた。

【００５７】なお、本実施例においては樹脂ペーストと
して、金属微粒子が分散された導電性ペーストを用いた
が、カーボン微粒子が分散された導電性ペーストを用い
ても良く、絶縁性ペーストを用いても良い。また、本実
施例においては樹脂ペーストを印刷によって塗布した
が、ノズルによって貫通孔内に加圧注入するようにして
も良く、金属メッキ法によって貫通孔内に電極材料を充
填するようにしてもよい。

【００５８】その後、白色ガラス１２Ｂに残っているレ
ジスト膜をＡｌ膜と共にリフトオフし、第２表示電極４
Ｂや走査電極６等を作成した。

【００５９】次に、共通走査電極６の表面であって、Ｔ
ＦＴ１５Ａ，１５Ｂを形成する部分や信号電極７Ａ，７
Ｂが交差する部分には、陽極酸化処理を施してＡｌ₂ Ｏ
₃ を形成した。

【００６０】その後、スパッタリング法を用いてＴａ₂
Ｏ₅ からなる絶縁層（不図示）を形成した。なお、本実
施例においてはスパッタリング法を用いたが、もちろん
これに限る必要はなく、他の方法（例えば、プラズマＣ
ＶＤ法）を用いても良い。また、絶縁層は、ＳｉＯ₂ 又
はＳｉＮ_X によって形成しても良い。

【００６１】次に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ａ−Ｓ
ｉとエッチング保護膜のＳｉＮ_X を連続積層し、エッチ
ング保護膜のパターン形成を行った。その後、ｎ⁺ ａ−
Ｓｉのオーミック層を形成し、ａ−Ｓｉの島を形成し
た。さらに、Ｃｒをスパッタリング法によって成膜する
と共にパターニング処理して、ドレイン電極、ソース電
極、第１信号電極７Ａ及び第２信号電極７Ｂを形成し
た。その後、パッシべーション膜としてＳｉＮ_X 膜を基
板全体に形成した。

【００６２】一方、プラスチックフィルム１２Ａの表面
全体にレジスト膜を形成し、第１表示電極４Ａや連結電
極パッド等を形成する部分のみをパターン露光して潜像
を形成した。その後、レジスト膜を現像し、露光部分を
除去してネガ像を形成した。

【００６３】次に、プラスチックフィルム１２Ａの裏面
全体に接着性樹脂ペースト１２Ｃを０．５〜５μｍの厚
みに塗布し、このプラスチックフィルム１２Ａと白色ガ
ラス１２Ｂとを、アライメントマークによって位置合わ
せを行いながら貼り合わせ、その後、接着性樹脂ペース
トの硬化処理を行った。これによって中間基板２が完成
した。なお、本実施例においては、接着性樹脂ペースト
として体積収縮の少ないエポキシ樹脂（商品名；アラル
ダイト）を用いた。

【００６４】その後、プラスチックフィルム１２Ａ及び
接着剤１２Ｃを貫通する貫通孔８Ａを、ＹＡＧレーザー
を用いて形成した。なお、この貫通孔８Ａは、白色ガラ
ス１２Ｂの電極パッドを形成する部分に、該電極パッド
が露出されるように形成した。次に、Ａｌを蒸着し、貫
通孔８Ａに樹脂ペーストを充填、レジストをリフトオフ
し、第１表示電極４Ａ、連結電極９Ａ及び連結電極用パ
ッドを作成した。

【００６５】一方、上側基板１の表面にはＩＴＯ（イン
ジウム・ティン・オキサイド）薄膜をスパッタリング法
にて形成し、これをパターニングしてコモン電極１１Ａ
を形成した。また、下側基板３についても同様の方法で
コモン電極１１Ｂを形成した。

【００６６】次に、これら３枚の基板１，１２，３を、
不図示のスペーサーを挟むようにして５０μｍの間隔で
貼り合わせ、それらの基板間隙には、着色泳動微粒子１
４Ａ，１４Ｂ及び着色液体１３Ａ，１３Ｂを注入した。
そして、基板間隙は密閉部材１５によって封止した。

【００６７】次に、両面表示型ディスプレイＤ₂ の駆動
方法について説明する。

【００６８】表側に表示する画像情報及び裏側に表示す
る画像情報は、画像情報処理回路（不図示）に送られ、
それぞれｍ×ｎ個の画素情報に分割される。

【００６９】そして、第１信号電極７Ａ及び第２信号電
極７Ｂの配置に対応して、表面用画素情報及び裏面用画
素情報が交互に配列された２ｎ個の画素情報からなる信
号情報が、各走査電極６について形成され、フレームメ
モリ（不図示）に記憶される。

【００７０】この状態で、タイミング回路（不図示）を
介して、走査電極制御回路から１本目の共通走査電極６
には選択信号パルス電圧が印加され、残りの（ｍ−１）
本の共通走査電極６には非選択信号パルス電圧が印加さ
れる。これにより、選択された共通走査電極６に沿った
ＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂは全てオンされ、他の共通走査電
極６に沿ったＴＦＴ１５Ａ，１５Ｂは全てオフされる。

【００７１】そして、選択期間に同期するように、フレ
ームメモリより第１列目の共通走査電極６に対応する信
号情報が信号電極制御回路に送られ、全ての第１信号電
極７Ａ及び第２信号電極７Ｂに対して画素情報が送られ
る。第１列目の共通走査電極６に沿った画素では、表示
電極４Ａ，４Ｂ及びコモン電極１１Ａ，１１Ｂに印加さ
れた電圧に応じて泳動微粒子１４Ａ，１４Ｂが移動し、
表示が行われる。

【００７２】このような駆動を他の共通走査電極６に対
しても行うことにより、両面表示が可能となる。

【００７３】次に、本実施例の効果について説明する。

【００７４】本実施例によれば、プラスチックフィルム
１２Ａの上面及び白色ガラス１２Ｂの下面には第１表示
電極４Ａ及び第２表示電極４Ｂを形成するだけで、ＴＦ
Ｔ１５Ａ，１５Ｂや走査電極６や信号電極７Ａ，７Ｂを
形成しなかった。その結果、表示電極４Ａ，４Ｂは、Ｔ
ＦＴ１５Ａ，１５Ｂ等の配置位置の影響を受けずに大き
な面積で設けることができ、１つ１つの画素面積を大き
くできて開口率を向上できる。

【００７５】また、本実施例によれば、表面用ＴＦＴ１
５Ａと裏面用ＴＦＴ１５Ｂとを同じ面（白色ガラス１２
Ｂの上面）に形成したため、それらのＴＦＴ１５Ａ，１
５Ｂを１回の製造工程で形成することができ、その結
果、製造コストを低減できると共に従来のようなプロセ
スダメージを回避できる。

【００７６】さらに、同じ走査電極６及び走査電極制御
回路にて表面用ＴＦＴ１５Ａ及び裏面用ＴＦＴ１５Ｂの
両方を駆動するようにしたため、別々に駆動する場合に
比べてコストを低減できる。

【００７７】（実施例２）本実施例においては、図５及
び図６に示す両面表示型ディスプレイ（微小ボール回転
型表示素子）Ｄ₁ を作成した。

【００７８】ここで、図５は、本発明に係る両面表示型
ディスプレイの構造の一例を示す断面図であり、図６
(a) は、図５のＥ₁ −Ｅ₁ 矢視図であり、同図(b) は、
同図(a) に示すＡ₁ −Ａ₁ 線に沿った断面図であり、同
図(c) は、同図(a) に示すＡ₂−Ａ₂ 線に沿った断面図
である。

【００７９】すなわち、中間基板２の構成部材である第
２サブ基板２Ｂには、実施例１と同様の白色ガラスを用
いたが、第１サブ基板２Ａには、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）からなる２００μｍ厚のプラスチック
フィルムを用い、白色ガラス２Ｂとプラスチックフィル
ム２Ａとの貼り合わせは、プラスチックフィルム２Ａを
加熱・軟化させて白色ガラス２Ｂに加圧・密着させるこ
とによって行った。また、第１及び第２スイッチング素
子５Ａ，５ＢにはＭＩＭ素子（以下、特に区別を要する
場合には“表面用ＭＩＭ素子５Ａ”“裏面用ＭＩＭ素子
５Ｂ”とする）を用いた。なお、走査電極６、第１表示
電極４Ａ及び第２表示電極４Ｂについては実施例１と同
様の構成とし、白色ガラス２Ｂ及びプラスチックフィル
ム２Ａには実施例１と同様に貫通孔８Ａ，８Ｂを形成す
ると共に該貫通孔８Ａ，８Ｂに連結電極９Ａ，９Ｂを配
置した。そして、表面用ＭＩＭ素子５Ａは実施例１のＴ
ＦＴ１５Ａと同様に走査電極６に重ねるように配置し、
表面用ＭＩＭ素子５Ａの上部電極は連結電極９Ａを介し
て第１表示電極４Ａに接続し、裏面用ＭＩＭ素子５Ｂも
実施例１のＴＦＴ１５Ｂと同様に走査電極６に重ねるよ
うに配置し、裏面用ＭＩＭ素子５Ｂの上部電極は連結電
極９Ｂを介して第２表示電極４Ｂに接続した。

【００８０】さらに、上側基板１及び下側基板３の表面
には、実施例１と同様に第１コモン電極１１Ａ及び第２
コモン電極１１Ｂをそれぞれ形成し、これらのコモン電
極１１Ａ，１１Ｂは不図示の信号電極によってそれぞれ
配線した。

【００８１】また、基板間隙には、キャビティを有する
シリコンゴム支持体（第１表示媒体、第２表示媒体）２
３Ａ，２３Ｂを配置し、各キャビティには２色ボール
（第１表示媒体、第２表示媒体）２４Ａ，２４Ｂを回転
自在に配置した。さらに、各キャビティと２色ボール２
４との間には、摩擦低減のためにシリコンオイルを潤滑
液として充填した。

【００８２】その他の構造は実施例１のものと同様とし
た。

【００８３】次に、両面表示型ディスプレイＤ₁ の製造
方法について説明する。

【００８４】まず、実施例１と同様に、白色ガラス２Ｂ
の上下両面にレジスト膜を形成し、パターン露光して潜
像を形成した。そして、両面のレジスト膜を現像してネ
ガ像を形成すると共に貫通孔８Ｂを形成した。

【００８５】その後、白色ガラス２Ｂの上下両面にタン
タル膜をスパッタリング形成した。なお、貫通孔８Ｂの
内部には、実施例１と同様の方法によって導電性ペース
トを充填した。

【００８６】次に、ＭＩＭ素子５Ａ，５Ｂを形成した。
すなわち、白色ガラス２Ｂの上面に再びレジスト膜を形
成し、共通走査電極６の表面の一部（後にＭＩＭ素子５
Ａ，５Ｂを形成する部分）のみをパターニングによって
除去し、該部分に陽極酸化処理を施して約６０ｎｍ厚の
Ｔａ₂ Ｏ_X 陽極酸化膜を形成した。次に、Ｃｒ薄膜をス
パッタリング法によって形成すると共にパターニングし
てＭＩＭ上部電極を形成した。これによって、ＭＩＭ素
子５Ａ，５Ｂが形成された。その後、実施例１と同様に
パッシベーション膜を形成した。

【００８７】次に、プラスチックフィルム２Ａを白色ガ
ラス２Ｂに貼り合わせた。すなわち、白色ガラス２Ｂを
ホットプレートにて１８０〜２２０℃の温度に加熱し、
その白色ガラス２Ｂの表面にプラスチックフィルム２Ａ
を密着させ、テフロンプレートを介して約１分間加圧し
たのち徐冷してテフロンプレートを除去した。これによ
り、プラスチックフィルム２Ａは、表面の平坦性を維持
しながら白色ガラス２Ｂに接着された。

【００８８】次に、プラスチックフィルム２Ａの表面に
レジスト膜を成膜して、第１表示電極４Ａ、及び連結電
極パッド等に相当する部分を露光・現像し、ネガパター
ンを形成した。その後、プラスチックフィルム２Ａを貫
通する貫通孔８Ａを、ＹＡＧレーザーを用いて形成し
た。なお、この貫通孔８Ａは、白色ガラス２Ｂの電極パ
ッドを形成する部分に、該電極パッドが露出されるよう
に形成した。次に、Ａｌを蒸着し、貫通孔８Ａに樹脂ペ
ーストを充填し、レジストをリフトオフし、第１表示電
極４Ａ、連結電極９Ａ及び連結電極用パッドを作成し
た。

【００８９】また、上側基板１及び下側基板３には、実
施例１と同様の方法によってコモン電極１１Ａ，１１Ｂ
を形成した。

【００９０】次に、Ｎ．Ｋ．Ｓｈｅｒｉｄｏｎらによっ
て提案されている方法（Ｐｒｏｃ．ｏｆｔｈｅＳＩ
Ｄ，Ｖｏｌ１１８，３／４，ｐ２８９〜２９３，１９７
７）によって微粒子回転型表示素子を形成した。すなわ
ち、平均粒径５０μｍの２色ボールが分散されたシリコ
ンゴムペーストを第１コモン電極１１Ａの表面及び第２
コモン電極１１Ｂの表面にそれぞれ１００μｍの厚さに
塗布・硬化し、シリコンオイル中に浸漬させた。シリコ
ンゴムペーストは、シリコンオイル中に浸漬されること
によって膨潤し、２色ボール２４とシリコンゴム２３と
が剥離して微小隙間が形成されると共に、それらの微小
隙間の間にシリコンオイルが充填される。最後に、これ
ら３枚の基板１，２，３を貼り合わせ、基板間隙は密閉
部材１５によって封止した。

【００９１】本実施例に係るディスプレイＤ₁ は、実施
例１と同様の方法によって駆動したが、各画素では、Ｍ
ＩＭ素子５Ａ，５Ｂの非線形双方向ダイオード特性を反
映した急峻な閾値特性が付与されており、閾値以上の電
圧が印加された１列目の選択画素のＭＩＭダイオードは
低抵抗なオン状態となり、一方、閾値以下の電圧が印加
される１列目及び２〜ｍ列の非選択画素のＭＩＭダイオ
ードは高抵抗なオフ状態を維持する。このようにして各
画素の微小ボール２４はクロストークすることなく画像
情報を反映した適正な状態に回転し所望の表示状態が実
現される。以下順番に共通走査電極６を順次選択しなが
ら、１走査電極６ずつ同様の表示書き込みを両面に対し
て同時に行い、両面の画像形成を完了する。

【００９２】本実施例によれば、実施例１と同様の効果
が得られた。

【００９３】（実施例３）本実施例においては、図７乃
至図９に示す両面表示型ディスプレイ（ネマチック液晶
表示素子）Ｄ₃ を作成した。

【００９４】ここで、図７は、本発明に係る両面表示型
ディスプレイの構造の一例を示す断面図であり、図８
(a) は、図７のＥ₁ −Ｅ₁ 矢視図であり、同図(b) は、
同図(a) に示すＡ₁ −Ａ₁ 線に沿った断面図であり、同
図(c) は、同図(a) に示すＡ₂−Ａ₂ 線に沿った断面図
である。

【００９５】すなわち、本実施例においては、中間基板
２２の構成部材である第２サブ基板２２Ｂには、ＴｉＯ
₂ が分散された不透明な白色ガラスを用い、第１サブ基
板２２Ａには、紫外線照射等によって硬化される平坦化
層を用い、白色ガラス２２Ｂと平坦化層２２Ａとの貼り
合わせは、白色ガラス２２Ｂに樹脂ペーストを直接塗布
した後硬化させることによって行った。また、白色ガラ
ス２２Ｂの表面には、実施例１と同様に、表面用ＴＦＴ
（第１スイッチング素子）１５Ａと裏面用ＴＦＴ（第２
スイッチング素子）１５Ｂと走査電極６と第１信号電極
７Ａと第２信号電極７Ｂとを形成した。また、第２表示
電極４Ｂや貫通孔８Ａ，８Ｂや連結電極９Ａ，９Ｂや第
１コモン電極１１Ａや第２コモン電極１１Ｂも、実施例
１と同様の形状・材料で形成した。さらに、第１表示電
極４Ａは、平坦化層２２Ａの表面に実施例１と同様の形
状に形成した。

【００９６】但し、白色ガラス２２Ｂの下面には、実施
例１と異なり、第２表示電極４Ｂの他に、第１電荷蓄積
容量１０Ａや第２電荷蓄積容量１０Ｂや電荷蓄積容量用
コモン電極１０Ｃを形成した。また、表示電極４Ａ，４
Ｂ及びコモン電極１１Ａ，１１Ｂの表面には、不図示の
配向膜を形成し、各配向膜にはラビング処理を施した。

【００９７】その後、上側基板１と中間基板２との間、
及び中間基板２と下側基板３との間にはネマチック液晶
（第１表示媒体、第２表示媒体）３３Ａ，３３Ｂをそれ
ぞれ配置した。なお、ネマチック液晶３３Ａ，３３Ｂは
一様にツイスト配向している。

【００９８】その他の構成は実施例１と同様とした。

【００９９】次に、両面表示型ディスプレイＤ₃ の製造
方法について説明する。

【０１００】実施例１と同様に、まず、白色ガラス２２
Ｂの上下両面にレジスト膜を形成し、パターン露光して
潜像を形成し、現像し露光部分を除去した。なお、白色
ガラス２２Ｂの下面には、電荷蓄積容量１０Ａ，１０Ｂ
や電荷蓄積容量用コモン電極１０Ｃ等が形成される部分
も除去した。次に、実施例１と同様の方法によって貫通
孔８Ｂを形成した。

【０１０１】さらに、実施例１と同様に、白色ガラス２
２Ｂの上下両面にＡｌ膜をスパッタリング形成し、貫通
孔８Ｂの内部に樹脂ペーストを充填した。

【０１０２】その後、実施例１と同様に、白色ガラス２
２Ｂに残っているレジスト膜をＡｌ膜と共にリフトオフ
し、第１表示電極４Ａや共通走査電極６や連結電極９Ｂ
や電極パッドや第２表示電極４Ｂ等を作成した。

【０１０３】次に、白色ガラス２２Ｂの下面には、フォ
トリソグラフィ法やスパッタリング法やプラズマＣＶＤ
法を用いて、電荷蓄積容量の中間絶縁層としてのＳｉＮ
_X や、上部電極及び連結電極パッドへの配線電極として
のＣｒ薄膜を形成しパターニングした。

【０１０４】その後、実施例１と同様の方法によってＴ
ＦＴ１５Ａ，１５Ｂやパッシベーション膜や信号電極７
Ａ，７Ｂを形成した。

【０１０５】次に、白色ガラス２２Ｂの表面全面に樹脂
ペーストを０．５〜５０μｍ程度の厚みに印刷し、これ
を硬化させて平坦化層２２Ａを形成した。

【０１０６】その後、平坦化層２２Ａの表面全体にレジ
スト膜を形成し、第１表示電極４Ａや貫通孔８Ａの電極
パッド等を形成する部分のみをパターン露光して潜像を
形成した。次に、レジスト膜を現像し、露光部分を除去
してネガ像を形成した。さらに、平坦化層２２Ａには、
実施例１と同様の方法によって貫通孔８Ａや連結電極９
Ａを形成した。その後、Ａｌを蒸着し、貫通孔８Ａに樹
脂ペーストを充填、レジストをリフトオフし、第１表示
電極４Ａ、連結電極９Ａ及び連結電極用パッドを作成し
た。

【０１０７】一方、上側基板１及び下側基板３の表面に
は、実施例１と同様の方法によってコモン電極１１Ａ，
１１Ｂを形成した。

【０１０８】その後、各コモン電極１１Ａ，１１Ｂの表
面、及び各表示電極４Ａ，４Ｂの表面にはポリイミド配
向膜（不図示）を形成し、互いに直交する方向にラビン
グ処理を施した。

【０１０９】そして、これら３枚の基板１，２２，３
を、不図示のスペーサーを挟むようにして１０μｍの間
隔で貼り合わせ、それらの基板間隙にはネマチック液晶
３３Ａ，３３Ｂを注入し、基板間隙は密閉部材１５によ
って封止した。

【０１１０】本実施例に係る両面表示型ディスプレイＤ
₃ は、実施例１と同様の方法によって駆動した。

【０１１１】次に、本実施例の効果について説明する。

【０１１２】本実施例によれば、実施例１と同様の効果
が得られた。

【０１１３】また、本実施例によれば、電荷蓄積容量１
０Ａ，１０Ｂの付加によって液晶３３と電荷蓄積容量１
０Ａ，１０Ｂとからなる回路の時定数が増加するため、
表示電極４Ａ，４Ｂに印加した電圧の減衰を遅くでき、
その結果、高いコントラストの表示が可能となった。

【０１１４】さらに、第１及び第２電荷蓄積容量１０
Ａ，１０Ｂを同じ面（白色ガラス２２Ｂの上面）に形成
したため、それらを１回の製造工程で形成することがで
きてコスト低減が図れた。

【０１１５】なお、上述した各実施例ではスイッチング
素子を配置したアクティブマトリクス構造としたが、図
９に示すように単純マトリクス構造としても良い。

【０１１６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
少なくとも前記第１スイッチング素子及び前記第２スイ
ッチング素子が、互いに積層された第１サブ基板と第２
サブ基板の間に配置されている。したがって、第１表示
媒体に沿うように配置される第１表示電極や、第２表示
媒体に沿うように配置される第２表示電極は、スイッチ
ング素子の配置位置の影響を受けずに大きな面積で設け
ることができ、１つ１つの画素面積を大きくできて開口
率を向上できる。

【０１１７】また、第１及び第２スイッチング素子を同
じ面に形成した場合には、スイッチング素子を形成する
工程が１回で済むことから、該工程を２回以上実施する
場合に比べて製造コストを低減できる。さらに、２種類
のスイッチング素子の形成は同時に行われることから、
従来のようなプロセスダメージを回避できる。

【０１１８】さらに、第１及び第２電荷蓄積容量や、第
１及び第２信号電極や、走査電極６等をそれぞれ同じ面
に形成した場合には、製造コストを低減できる。

【０１１９】またさらに、走査電極が、いくつかの第１
スイッチング素子及び第２スイッチング素子に共通に接
続されるようにした場合には、第１スイッチング素子及
び第２スイッチング素子に同じ走査電極制御回路を用い
ることができる。その結果、第１スイッチング素子及び
第２スイッチング素子に別々に走査電極制御回路を設け
る場合に比べて該制御回路が１つで済み、その分、コス
トを低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
断面図。

【図２】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
断面図。

【図３】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
図。

【図４】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
図。

【図５】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
断面図。

【図６】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
図。

【図７】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
断面図。

【図８】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
図。

【図９】本発明に係る両面表示装置の構造の一例を示す
図。

【図１０】ペーパーライクディスプレイの従来構造の一
例を示す断面図。

【符号の説明】１上側基板２中間基板（一の基板）３下側基板４Ａ第１表示電極４Ｂ第２表示電極５Ａ表面用ＭＩＭ素子（第１スイッチング素子）５Ｂ裏面用ＭＩＭ素子（第２スイッチング素子）６走査電極７Ａ第１信号電極７Ｂ第２信号電極８Ａ，８Ｂ貫通孔９Ａ，９Ｂ連結電極１０Ａ第１電荷蓄積容量１０Ｂ第２電荷蓄積容量１２中間基板（一の基板）１３Ａ着色液体（第１表示媒体）１３Ｂ着色液体（第２表示媒体）１４Ａ着色泳動微粒子（第１表示媒体）１４Ｂ着色泳動微粒子（第２表示媒体）１５ＡＴＦＴ（第１スイッチング素子）１５ＢＴＦＴ（第２スイッチング素子）２２中間基板（一の基板）２３Ａシリコンゴム支持体（第１表示媒体）２３Ｂシリコンゴム支持体（第２表示媒体）２４Ａ２色ボール（第１表示媒体）２４Ｂ２色ボール（第２表示媒体）３３Ａネマチック液晶（第１表示媒体）３３Ｂネマチック液晶（第２表示媒体）Ｄ₁ 両面表示装置Ｄ₂ 両面表示装置Ｄ₃ 両面表示装置Ｄ₄ 両面表示装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一の基板と、該一の基板の表
裏にそれぞれ配置された第１表示媒体及び第２表示媒体
と、該第１表示媒体に沿って該基板上に配置された第１
表示電極と、該第１表示電極に電気的に接続されてなる
第１スイッチング素子と、前記第２表示媒体に沿って該
基板上に配置された第２表示電極と、該第２表示電極に
電気的に接続されてなる第２スイッチング素子と、を備
え、かつ、前記第１スイッチング素子を介して前記第１
表示電極に適宜電圧を印加すると共に前記第２スイッチ
ング素子を介して前記第２表示電極に適宜電圧を印加す
ることによって前記第１表示媒体及び前記第２表示媒体
をそれぞれ駆動して両面表示を行う両面表示装置におい
て、前記一の基板は、第１サブ基板と第２サブ基板とが積層
されて構成され、かつ、少なくとも前記第１スイッチング素子及び前記第２スイ
ッチング素子はこれらのサブ基板の間に配置された、ことを特徴とする両面表示装置。
【請求項２】前記第１サブ基板に第１貫通孔を形成す
ると共に該貫通孔に第１連結電極を配置して、前記第１
スイッチング素子と前記第１表示電極との電気的接続は
この第１連結電極を介して行い、かつ、前記第２サブ基板に第２貫通孔を形成すると共に該貫通
孔に第２連結電極を配置して、前記第２スイッチング素
子と前記第２表示電極との電気的接続はこの第２連結電
極を介して行う、ことを特徴とする請求項１に記載の両面表示装置。
【請求項３】前記第１サブ基板と前記第２サブ基板と
の間に走査電極を配置し、かつ、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素
子に前記走査電極を介して電圧を印加し、各スイッチン
グ素子のオン／オフを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の両面表示装置。
【請求項４】前記第１スイッチング素子に電気的に接
続された第１信号電極、並びに、前記第２スイッチング
素子に電気的に接続された第２信号電極を、前記第１サ
ブ基板と前記第２サブ基板との間に配置し、これらの第１及び第２信号電極を介して前記第１表示電
極及び前記第２表示電極に適宜電圧を印加する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
の両面表示装置。
【請求項５】前記第１表示電極に接続される第１電荷
蓄積容量、並びに、前記第２表示電極に接続される第２
電荷蓄積容量を、前記第１サブ基板と前記第２サブ基板
との間に配置した、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の両面表示装置。
【請求項６】前記第１表示電極は、前記一の基板にお
ける前記第１表示媒体に対向する面に形成され、かつ、前記第２表示電極は、前記一の基板における前記第２表
示媒体に対向する面に形成された、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載
の両面表示装置。
【請求項７】前記第１及び第２スイッチング素子が、
前記第１サブ基板又は前記第２サブ基板の同じ面に形成
されてなる、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載
の両面表示装置。
【請求項８】前記第１及び第２信号電極が、前記第１
サブ基板又は前記第２サブ基板の同じ面に形成されてな
る、ことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載
の両面表示装置。
【請求項９】前記第１及び第２電荷蓄積容量が、前記
第１サブ基板又は前記第２サブ基板の同じ面に形成され
てなる、ことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載
の両面表示装置。
【請求項１０】前記第１サブ基板及び前記第２サブ基
板のうちいずれか一方の基板は平坦化層である、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載
の両面表示装置。
【請求項１１】少なくとも一の基板を配置する工程
と、該一の基板の表裏にそれぞれ第１表示媒体及び第２
表示媒体を配置する工程と、該第１表示媒体に沿うよう
に第１表示電極を配置する工程と、前記第２表示媒体に
沿うように第２表示電極を配置する工程と、該第１表示
電極に第１スイッチング素子を電気的に接続する工程
と、該第２表示電極に第２スイッチング素子を電気的に
接続する工程と、からなる両面表示装置の製造方法にお
いて、前記一の基板は、第１サブ基板と第２サブ基板とを積層
させて構成し、かつ、少なくとも前記第１スイッチング素子及び前記第２スイ
ッチング素子はこれらのサブ基板の間に配置した、ことを特徴とする両面表示装置の製造方法。
【請求項１２】前記第１サブ基板と前記第２サブ基板
とは接着剤にて貼り合わせてなる、ことを特徴とする請求項１１に記載の両面表示装置の製
造方法。
【請求項１３】前記第１サブ基板及び前記第２サブ基
板は、いずれか一方のサブ基板を、加熱・軟化させた状
態で他方のサブ基板に密着させ、その後冷却することに
よって、貼り合わせてなる、ことを特徴とする請求項１１に記載の両面表示装置の製
造方法。
【請求項１４】前記加熱・軟化させる方のサブ基板
に、前記加熱・軟化させない方のサブ基板よりも軟化温
度の低い材料を用いる、ことを特徴とする請求項１３に記載の両面表示装置の製
造方法。
【請求項１５】前記第１サブ基板及び前記第２サブ基
板のうちの一方のサブ基板を、軟化されたペーストの状
態で他方のサブ基板に密着させ、その後硬化させること
によって該他方のサブ基板に積層してなる、ことを特徴とする請求項１１に記載の両面表示装置の製
造方法。