WO2017090703A1 - Ge単結晶薄膜の製造方法及び光デバイス - Google Patents
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Abstract
Si基板上で貫通転位を低減させたGe単結晶薄膜を熱処理なく形成できるGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスを提供することを目的とする。 本発明に係るGe単結晶薄膜の製造方法は、薄い誘電体のLine&SpaceをSi基板上に形成し、その上にGeを成長させる。本製造方法で製造したGe単結晶薄膜の貫通転位は、ライン・アンド・スペースとGe膜厚を調整することで1×105cm-2の貫通転位密度を達成でき、貫通転位を大幅に削減することができる。このため、本光デバイスはキャリアの再結合欠陥が低減するため、レーザであれば閾値電流を下げることができる。
Description
本発明は、シリコン(Si)基板上にゲルマニウム(Ge)単結晶薄膜を形成するGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスに関する。
近年光半導体デバイスとしてGeを利用した光デバイスが開発されている。本明細書ではレーザのような光源、光変調器、及び受光器をまとめて「光デバイス」と称する。図1はGeを利用したレーザの構造を説明する図である。図1のレーザは、n型のSi基板上にn型のGe薄膜を形成し、さらにp型のSi薄膜を積層している。図2は図1のレーザの電気的特性(電流対出力)を説明する図である。図2のように、Geレーザの閾値電流Ithは280kA/cm2である。III-V族半導体レーザの閾値電流が10kA/cm2程度であるから、Geレーザの閾値電流Ithの低減が目下の課題である。さらに、Geを光変調器および受光器に応用する場合には、暗電流Iの低減が同様に課題となっている。
Geレーザの閾値電流Ithおよび光変調器・受光器の暗電流が大きい理由はGe薄膜に発生する結晶の転位である。転位は、半導体のヘテロエピタキシャル成長において異なる格子定数による歪が原因で発生する。例えば、SiとGeとの格子定数はそれぞれ5.430Åと5.658Åで、約4%の差があり、Si基板上に成長したGe単結晶には必ず転位が存在することになる。転位密度は、通常は約1×108cm-2程度であり、後述するように熱処理により1×106cm-2程度に低減されている。Ge光デバイスはSi基板上に成長したGeに製作されており、Ge内に上記密度の転位が存在している。結晶内の転位はキャリアの再結合欠陥や生成欠陥として働くため、Geレーザは既存のIII-V族レーザに比べて閾値電流が高くなり、また光変調器と受光器もIII-V 族系に比して暗電流が桁違いに高い。従って、Ge光デバイスの実用化には、Ge結晶内の転位の低減が不可欠である。
なお、Siとの界面からGe成長表面まで伸長した転位を「貫通転位」と呼び、GeとSiの界面に存在する転位を「界面転位」と呼ぶことがある。
Si基板上のGeに転位を完全に発生させないことは、格子定数の差が存在する限り、物理的に実現できない。Si基板上のGeの転位を低減する報告はあるが、これは10×10μm2の狭い領域でGeを選択成長し、かつ高温の熱処理によりその貫通転位をGeから除去したことを報告しているに過ぎない。これとても、転位密度に換算すると106cm-2に過ぎず、光デバイスのSi基板上での占有面積を2×500μm2程度と見積もると、その面積に一つ以下の転位が確率的に存在する転位密度は105cm-2となり、報告値の一桁あるいはそれ以上の低転位化が望まれる。さらに、Si上でレーザ等光デバイスが単体であれば、熱処理で転位低減を図ることも可能であるが、上記光デバイスは集積化のためSi基板の他の領域に他の回路が形成されており、高温の熱処理ができないため、上記転位密度はGe成長後に実現されていることが望ましい。
このため、Ge成長時点で転位を低減できる研究もなされている(例えば、非特許文献1及び2を参照。)。
Hyun-Yong Yu,etc.,"High quality single-crystal germanium-on-insulator on bulk Si substrates based on multistep lateral over-growth with hydrogen annealing", Applied Physics Letters 97, 063503 (2010)
K. Oda, etc.,"Crystallinity Improvement of Ge Waveguides Fabricated by Epitaxial Lateral Overgrowth and Chemical Mechanical Polishing", International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo, 2015,p612-613
図3は、非特許文献1で報告されたSi基板上に転位を低減して成長させたGe結晶の断面写真である。非特許文献1では、Si基板上に高さ約500nmのSiO2のマスクを配置する。ここにGeを成長させると、SiO2表面にはGeは成長せずSi基板上にGeが成長する。Ge成長中に発生した転位はGeの結晶方向へ進みSiO2との界面で終端する(このように薄膜表面でなく横方向へ伸びる転位も「貫通転位」と呼ぶ。)。非特許文献1では、SiO2との界面で貫通転位を終端させるため、SiO2のマスクの厚さが500nmほど必要なのである。非特許文献1では、Geに発生した転位をSiO2との界面で終端させた後もGeを成長させ、SiO2のマスクの相対する側から成長してきたGeとマスク上で接合させる。さらに厚くGeを成長させることでSiO2のマスクより高い部分(Si基板から500nm以上離れた部分)で一様で平坦なGe単結晶を得ることができるとしている。
しかし、上述したように、非特許文献1では、貫通転位のないGe単結晶を得るために500nmもの厚いSiO2マスク層が必要であり、そのマスクを越えてGeを積層しなければならず、時間とコストがかかることが課題となる。
しかし、上述したように、非特許文献1では、貫通転位のないGe単結晶を得るために500nmもの厚いSiO2マスク層が必要であり、そのマスクを越えてGeを積層しなければならず、時間とコストがかかることが課題となる。
図4は、非特許文献2で報告されたSi基板上に転位を低減して成長させたGe結晶の断面写真である。非特許文献2では、Si基板上に薄いSiO2薄膜を形成し、その一部を除去してSi基板を露出する。Si基板が露出する部分を「window」と称する。このような基板にGeを400℃で成長させると、SiO2表面にはGeは成長しないのでwindowからGe結晶が成長し始める。そして、成長するGe結晶の厚みがSiO2薄膜より大きくなると、Ge結晶は上方(Si基板と反対側)だけでなくSiO2薄膜に沿って横方向(Si基板に平行な方向)へも成長する。非特許文献2では、SiO2薄膜に沿って横方向へ成長したGe結晶は無転位となることを利用し、Geを成長し続けて片側に約5μmの幅で無転位なGe単結晶を得ている。
しかし、非特許文献2の方法は、大きなGe単結晶を得るためには有効であるが、window上方に高密度の貫通転位が発生していると記述があり、Si上に薄膜のGe単結晶を転位なく得ることはできない。また、SiO2上に無転位Geを5μm幅に成長するためには、長時間のエピ成長が必要となり、時間とコストがかかることが課題となる。
しかし、非特許文献2の方法は、大きなGe単結晶を得るためには有効であるが、window上方に高密度の貫通転位が発生していると記述があり、Si上に薄膜のGe単結晶を転位なく得ることはできない。また、SiO2上に無転位Geを5μm幅に成長するためには、長時間のエピ成長が必要となり、時間とコストがかかることが課題となる。
そこで、本発明は、上記課題を解決すべく、Si基板上で貫通転位を低減させたGe単結晶薄膜を熱処理なく形成できるGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本願発明に係るGe単結晶薄膜の製造方法は、Si基板上に短冊状にSi表面を露出させる短冊状の誘電体薄膜のマスクを形成し、その上にGeを成長させることとした。本方法は、Ge空孔の平衡濃度の歪依存性を用いており、上記非特許文献の製造方法と原理的に異なる。これについて以下に誘電体がSiO2の場合で説明する。
空孔の平衡濃度は一般に結晶に印加される歪の量により変化する。例えば、三次元的(静水圧型)の圧縮歪が加わると結晶中の空孔の平衡濃度は低下する。ここで、Si上に形成したSiO2薄膜(マスク)に短冊状の孔(ウインド)を形成し、その短冊状の孔領域に露出するSi上にGeを成長することを考える。
この場合のGeの成長過程を図18に示す。以下の説明で結晶表面のファセットを(000)のように記載している。Geは、非特許文献1に述べられている通り、SiO2上には成長しないため、図18(A)のように露出したSi上に成長する。Ge結晶の断面は台形状である。このときGe結晶の表面は(001)で側面は(311)となることはよく知られている。この成長を継続すると成長速度の大きい(001)は消失し、全体が(311)で覆われ、断面は三角形となる。
その後もGeは(311)面を保持した状態で成長し、図18(B)に示すようにSiO2マスクに接している部分のGe結晶の高さがSiO2マスクの厚さに達するまで、成長する。Ge結晶の断面は五角形となる。ここまでGe結晶は圧縮状態で成長し、圧縮歪が最も高まった状態となる。以下、図18(B)の状態を「臨界歪構造」と呼ぶことにする。
さらに成長が進むと、SiO2上にGeは成長しないため、図18(C)のようにSiO2マスクをさけるように、表面に(111)と(11-1)が現れる。Ge結晶の断面はソロバンの珠状となる。上部のソロバンの珠状の断面形状は応力開放に適した形であるため、成長時に蓄積された圧縮歪が開放され、Ge結晶は無歪となる(無圧縮状態)。但し、Si基板に近い部分(SiO2マスク厚と同じ高さを持ち、断面において長方形であるSi上のGe結晶)は依然として圧縮歪を有する。当該圧縮歪を有するGe結晶の上に成長したGe結晶が無歪となる。
まとめると、図18(B)に示す臨界歪構造の前には、結晶全てが歪んだ状態(圧縮状態)にあるのに対し、図18(B)を越えて成長した結晶は、SiO2マスク厚とSi露出層の幅からなる長方形の断面を持つ結晶を除き、歪みが開放され無圧縮の無歪Geとなる。
ここより、圧縮歪Geと無歪Geにおける貫通転位の挙動を説明する。図19にあるように、SiとGeの格子定数の相違に起因する貫通転位は、結晶表面に端を発するハーフループ(half dislocation loop)として成長の初期に結晶表面から発生し、歪みを開放する。その様子を図19(A)に示す。このハーフループはGeが欠損している転位で、空孔型のハーフループと呼ばれている。このハーフループは、空孔を取り込むことにより伸長し、最も歪んだSi/Geの界面にまで伸びて界面の歪を解消する。この部分を「界面転位」とよび、表面から界面にいたる部分を貫通転位と呼ぶことは先に述べたとおりである。
圧縮状態にあるGeでは、空孔平衡濃度が低下しているのに対し、歪みが開放されると空孔平衡濃度が無歪のGeの空孔平衡濃度に戻ることが系のエネルギーを低下する上で有効であるため、(311)の表面から空孔がGe内部に拡散して入ってくる。この空孔は空孔型ハーフループを拡大する(図19(B))。このとき、空孔濃度は(311)表面近傍ほど高いため、表面側ほど拡大幅は大きくなる。その結果、隣接するハーフループ同士が会合することで、表面から転位が消失する(図19(C))。
以上が、本発明で活用する無転位化のメカニズムである。具体的には、図18(B)のSiO2のマスク厚、および短冊状Siの幅(Wsi)をパラメターとして臨界歪構造の高さを計算すると、図20(C)のグラフが得られる。以下に述べるように、SiO2厚が20nmでSi短冊の幅が500nmの場合を“×”としてこの図に示す。Geの高さが100nm程度で臨界歪構造となり、そこからハーフループの会合が始まり、貫通転位が横方向へ移動して表面から貫通転位が消失することになる。これは実験結果と一致する。
具体的には、本願発明に係る製造方法は、
Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、
前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600℃以上900℃以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、
を行う。
Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、
前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600℃以上900℃以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、
を行う。
また、本願発明に係る光デバイスは、
Si基板と、
前記Si基板上に配置され、誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるマスクと、
前記マスクから露出する前記Si基板に接触し、前記マスクを覆うn型又はp型のGe単結晶薄膜と、
を備える。
Si基板と、
前記Si基板上に配置され、誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるマスクと、
前記マスクから露出する前記Si基板に接触し、前記マスクを覆うn型又はp型のGe単結晶薄膜と、
を備える。
本製造方法で製造したGe単結晶薄膜の貫通転位は、ライン・アンド・スペースとGe膜厚を調整することで1×105cm-2の貫通転位密度を達成でき、貫通転位を大幅に削減することができる。このため、本光デバイスはキャリアの再結合欠陥が低減するため、レーザであれば閾値電流を下げることができる。
従って、本発明は、Si基板上で貫通転位を低減させたGe単結晶薄膜を熱処理なく形成できるGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスを提供することができる。
本願発明に係る製造方法において、
前記誘電体薄膜の厚みが100nm以下、前記短冊状に除去されない前記誘電体薄膜の幅が500nm±10nmであり、前記短冊状で露出させる前記Si基板表面の幅Wsiが100nm以上1000nm以下となるように前記ライン・アンド・スペース形成工程で前記マスクを形成し、
前記マスク表面から前記Si基板と反対側の表面まで距離である厚みΤが200nm以上400nm以下となるように前記Ge積層工程で前記Ge単結晶薄膜を形成すること
を特徴とする。
前記誘電体薄膜の厚みが100nm以下、前記短冊状に除去されない前記誘電体薄膜の幅が500nm±10nmであり、前記短冊状で露出させる前記Si基板表面の幅Wsiが100nm以上1000nm以下となるように前記ライン・アンド・スペース形成工程で前記マスクを形成し、
前記マスク表面から前記Si基板と反対側の表面まで距離である厚みΤが200nm以上400nm以下となるように前記Ge積層工程で前記Ge単結晶薄膜を形成すること
を特徴とする。
また、本願発明に係る光デバイスの前記マスクは、図20(C)にあるように前記誘電体薄膜の厚みが100nm以下、前記短冊状に除去されない前記誘電体薄膜の幅が500nm±10nmであり、前記短冊状で露出させる前記Si基板表面の幅Wsiが100nm以上1000nm以下であり、前記Ge単結晶薄膜は、前記マスク表面から前記Si基板と反対側の表面までの距離である厚みΤが200nm以上400nm以下であることが好ましい。
前述のように、マスク層の厚さとSiの短冊の幅(Wsi)は図20(C)の関係を満たす。ここで、臨界歪構造の頂上となる五角形の結晶の厚さは薄いほど結晶の成長に要する時間を短く出来るため、Wsiは1μm以下およびSiO2マスク厚は100nm以下がよい。この厚みでは非特許文献1の転位がSiO2マスクに衝突することは期待できず、さらに非特許文献2ではSi上に成長したGeには高密度の転位があることとも異なる。このように本願発明は非特許文献1と2とは原理的に異なる方法であることを明瞭に示している。
本願発明に係る製造方法において、
図17に示すように、座標(Wsi,Τ)(単位はnm)としたとき、
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるように前記ライン・アンド・スペース形成工程で前記マスクを形成し、前記Ge積層工程で前記Ge単結晶薄膜を形成する。
図17に示すように、座標(Wsi,Τ)(単位はnm)としたとき、
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるように前記ライン・アンド・スペース形成工程で前記マスクを形成し、前記Ge積層工程で前記Ge単結晶薄膜を形成する。
また、本願発明に係る光デバイスは、
座標(Wsi,Τ)(単位はnm)としたとき、
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるような前記マスクと前記Ge単結晶薄膜を備えることが好ましい。
座標(Wsi,Τ)(単位はnm)としたとき、
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるような前記マスクと前記Ge単結晶薄膜を備えることが好ましい。
ライン・アンド・スペースとGe膜厚を上記範囲に調整してGe単結晶薄膜を得ることで、単一モードで発光し、伝搬するレーザや光変調器の光デバイスを提供することができる。
本発明は、Si基板上で貫通転位を低減させたGe単結晶薄膜を熱処理なく形成できるGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスを提供することができる。
添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施例であり、本発明は、以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。また、本明細書では、Si基板表面に対してGeを積層させる方向を「上」として説明している。
[実施形態1]
本実施形態で説明するGe単結晶薄膜の製造方法は、Si基板上に薄いSiO2層でLine&Spaceを形成し、そのSi基板のSiO2のラインをマスクとしてスペース部分のSi表面からGeを成長させる。スペース部分のSi表面のことをウインド(Window)と呼ぶこともある。
具体的には、本製造方法は、
Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、
前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600℃以上900℃以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、
を行う。
本実施形態で説明するGe単結晶薄膜の製造方法は、Si基板上に薄いSiO2層でLine&Spaceを形成し、そのSi基板のSiO2のラインをマスクとしてスペース部分のSi表面からGeを成長させる。スペース部分のSi表面のことをウインド(Window)と呼ぶこともある。
具体的には、本製造方法は、
Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、
前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600℃以上900℃以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、
を行う。
図5は、ライン・アンド・スペース形成工程で形成したSiO2薄膜のマスクを説明する図である。
以下で説明するマスクは次の通りである。
SiO2厚:20nm
SiO2マスク幅D:500nm
SiO2マスク間(スペース、ウインド)Wsi:600nm
SiO2マスク長:30μm
SiO2マスク数:26本
Si基板に20nm以下の酸化膜を形成し、リソグラフとエッチングで上記設計値のSiO2のマスクを形成する。なお、後述するように、上記値は一例であって、他の値であってもよい。なお、マスクや膜厚に関する数値は設計値であって、10%程度の製造誤差があっても以下で説明する内容に乖離しない。
以下で説明するマスクは次の通りである。
SiO2厚:20nm
SiO2マスク幅D:500nm
SiO2マスク間(スペース、ウインド)Wsi:600nm
SiO2マスク長:30μm
SiO2マスク数:26本
Si基板に20nm以下の酸化膜を形成し、リソグラフとエッチングで上記設計値のSiO2のマスクを形成する。なお、後述するように、上記値は一例であって、他の値であってもよい。なお、マスクや膜厚に関する数値は設計値であって、10%程度の製造誤差があっても以下で説明する内容に乖離しない。
そして、Ge積層工程で上記マスクを形成したSi基板にGeを積層する。Ge積層工程はGeH4ガスを用いた超高真空化学的気相成長(UHV/CVD)方法で行った。UHV/CVDでのGe成長温度は600℃から900℃である。Ge層の厚みはUHV/CVDの時間で調整することができる。例えば、Ge薄膜の膜厚Tは200nm以上400nm以下とすることができる。なお、膜厚Tとは、SiO2ラインの表面からGe薄膜表面までの厚みである。
本実施形態では、上記マスクを形成した位置と異なる位置に基板のSi面が広く露出した領域を設け、当該領域にもGeを積層している。当該領域に成長したGeを「Blanket Ge」と称する。
図6は、Ge積層工程におけるGeの成長を説明する断面図である。
図6(A)はGe積層工程の初期段階を説明する図である。Geは、Ge積層工程の初期段階ではSiO2のマスク上には全く堆積せず、ウインドのみに成長する。この段階では(001)ファセットが優先成長し、SiO2マスクとの境界部で(311)ファセットが出現する。
図6(A)はGe積層工程の初期段階を説明する図である。Geは、Ge積層工程の初期段階ではSiO2のマスク上には全く堆積せず、ウインドのみに成長する。この段階では(001)ファセットが優先成長し、SiO2マスクとの境界部で(311)ファセットが出現する。
図6(B)は、ウインドに成長するGeの膜厚が大きくなり、SiO2のマスクの厚みを超えた段階を説明する図である。Geの(311)ファセットはさらに成長の遅い(111)と(11-1)ファセットとなる。(111)と(11-1)ファセットはSi基板方向ではなくSiO2のマスク上方へ向けて成長し、マスク上で隣のウインドから成長してきたGeの(111)と(11-1)ファセットと接触する。
図6(C)は、マスク上で積層Geが接触した後の段階を説明する図である。成長が進行すると、Geの(111)と(11-1)ファセットの接触部分は他の部分より低く、窪みとなっている。この窪みには成長の速いGeの(001)ファセットが現れ、窪みを埋めるように成長が進行する。一方、マスク上(前記窪みの下部分)はGeH4の供給がないため反応が起こらずGeが成長しない。このためマスク上にはドーム状の空間が残る。
図6(D)は、Ge積層工程終了時のGe薄膜の状態を説明する図である。また、図7は、Ge積層工程終了後のGe単結晶薄膜を説明する断面SEM写真である。マスク上の窪みは成長の速いGeの(001)ファセットで埋められ、平坦なGe薄膜が得られている。また、マスク上には空間があることがわかる。図6では2つの積層Ge(ウインドが2つ)で説明したが、ウインドが3つ以上でも同様である。
図8から図10は、Ge積層工程終了後のGe単結晶薄膜を説明する断面TEM写真である。本写真のマスクは、ライン厚みが15nm、ライン幅Dが500nm、ウインドWsiが600nmである。図9はSiO2のライン付近を拡大した写真、図10はウインドを拡大した写真である。特に図10から、Ge積層工程の初期段階ではGe結晶に転位が発生していることがわかる。しかし、発生した転位は上方へは成長せず、途中でSi基板方向へ進みSi基板との界面で終了、あるいは隣接する貫通転位と会合して終了している。このように、断面TEM写真では、本製造方法で製造したGe単結晶薄膜の転位は、マスク上に発生したドーム状の空間より低い位置(ドーム状の空間の高さよりSi基板側)には存在するが、ドーム状の空間より高い位置にはほとんど存在しないことがわかる。例えば、図10に示す貫通転位はSi基板表面から約100nmの高さでSi基板表面へ戻されている。
続いて、Geの貫通転位密度を確認するため、広範囲での欠陥評価を行った。図11と図12は、本製造方法で製造したGe単結晶薄膜の表面欠陥評価の結果を説明するAFM(原子間力顕微鏡)像写真である。薄膜表面の貫通転位はピットとして現れる。化学エッチングをするとピット部分は他の部分よりエッチング速度が速く、窪みとなりAFMで観察することができる。前述のように本実施形態ではマスク形成領域以外の領域にBlanket Geを成長させている。図11(A)はマスク形成のATM像(10μm×10μm)であり、図11(B)はBlanket GeのATM像(10μm×10μm)である。ATM像においてピットは黒点となって見える。図11(A)と(B)を比較すれば、Blanket Ge表面には多くのピット(貫通転位)が存在するが、マスク形成に成長させたGeにはピット(貫通転位)が存在しないことがわかる。なお、図11(A)の左側に黒く見える領域があるが、これはGeの膜厚が薄くなっている部分でピットではない。
図12は、観察領域を拡大させたATM像(30μm×30μm)である。ここまで観察領域を広げると1点のみピットを見つけることができた。この結果から次のことがわかる。
・Blanket Geには多数のピットが存在する。つまり貫通転位の密度は7×107cm-2である。
・マスク上に成長させたGeの貫通転位の密度は1×105cm-2である。
・本製造方法で製造したGe単結晶薄膜は、Blanket Geより貫通転位の密度を三桁近く減少させることができた。
・Blanket Geには多数のピットが存在する。つまり貫通転位の密度は7×107cm-2である。
・マスク上に成長させたGeの貫通転位の密度は1×105cm-2である。
・本製造方法で製造したGe単結晶薄膜は、Blanket Geより貫通転位の密度を三桁近く減少させることができた。
ここで、SiO2のマスクを形成したSi基板でGe結晶の貫通転位密度を低減できた理由を図13と図14を用いて以下に考察する。
図13はBlanket Geで貫通転位を撮影した断面SEM写真である。図14はSiO2のライン・アンド・スペース上に成長中のGeに発生した貫通転位の動向を説明する模式図である。
上述したようにBlanket Geでは貫通転位の密度は1×108cm-2であった。従って、図13のように1×1μm2の領域に貫通転位は一つあることになる。ここで、SiO2のマスクは、ライン幅が500nm、ウインド幅が600nmなので、ウインドのSi上に成長するGeには貫通転位が統計的に一本入ることになる。
このスペース部分にGeが成長する極めて初期に転位が発生し(図14(a))、マスク側面とGeとの界面に向かって生じる歪みによりこの転位はGe層内で曲げられるか、マスク側面との層界面へ移動することになる(図14(b))。そして、この貫通転位はGeの成長中にSi基板方向にもどされる(図10参照)、あるいはマスクの側面に到達しマスク側面とGeとの界面で固定された状態(図9参照)になる。つまり、ウインドの上方に成長する貫通転位は極めて少ない。この現象は、厚み100nm以下の薄マスクでのみ生じる。
図13はBlanket Geで貫通転位を撮影した断面SEM写真である。図14はSiO2のライン・アンド・スペース上に成長中のGeに発生した貫通転位の動向を説明する模式図である。
上述したようにBlanket Geでは貫通転位の密度は1×108cm-2であった。従って、図13のように1×1μm2の領域に貫通転位は一つあることになる。ここで、SiO2のマスクは、ライン幅が500nm、ウインド幅が600nmなので、ウインドのSi上に成長するGeには貫通転位が統計的に一本入ることになる。
このスペース部分にGeが成長する極めて初期に転位が発生し(図14(a))、マスク側面とGeとの界面に向かって生じる歪みによりこの転位はGe層内で曲げられるか、マスク側面との層界面へ移動することになる(図14(b))。そして、この貫通転位はGeの成長中にSi基板方向にもどされる(図10参照)、あるいはマスクの側面に到達しマスク側面とGeとの界面で固定された状態(図9参照)になる。つまり、ウインドの上方に成長する貫通転位は極めて少ない。この現象は、厚み100nm以下の薄マスクでのみ生じる。
つまり、本製造方法は、薄SiO2ライン・アンド・スペースを使用する点で非特許文献1の製造方法と異なり、ウインドの上方の貫通転位が極めて少ない点で非特許文献2の製造方法とも異なる。
[実施形態2]
図15は、本実施形態の光デバイス301を説明する断面図である。光デバイス301は、
Si基板11と、
Si基板11上に配置され、誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるマスク12と、
マスク12から露出するSi基板11に接触し、マスク12を覆うn型又はp型のGe単結晶薄膜13と、
を備える。
符号14は、Ge単結晶薄膜13のSi基板11と反対側に形成した、Ge単結晶薄膜13と極性の異なるGe単結晶薄膜である。つまり、Ge単結晶薄膜13とGe単結晶薄膜14との間でpn接合が形成される。
符号15は電極である。
図15は、本実施形態の光デバイス301を説明する断面図である。光デバイス301は、
Si基板11と、
Si基板11上に配置され、誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるマスク12と、
マスク12から露出するSi基板11に接触し、マスク12を覆うn型又はp型のGe単結晶薄膜13と、
を備える。
符号14は、Ge単結晶薄膜13のSi基板11と反対側に形成した、Ge単結晶薄膜13と極性の異なるGe単結晶薄膜である。つまり、Ge単結晶薄膜13とGe単結晶薄膜14との間でpn接合が形成される。
符号15は電極である。
光デバイス301のマスク12は、誘電体薄膜の厚みが100nm以下、前記短冊状に除去されない誘電体薄膜の幅が500nm±10nmであり、前記短冊状で露出させるSi基板11表面の幅Wsiが100nm以上1000nm以下であり、
Ge単結晶薄膜13は、マスク12表面から前記Si基板と反対側の表面までの距離である厚みΤが200nm以上400nm以下であることが好ましい。
Ge単結晶薄膜13は、マスク12表面から前記Si基板と反対側の表面までの距離である厚みΤが200nm以上400nm以下であることが好ましい。
光デバイス301は、実施形態1で説明した製造方法のライン・アンド・スペース形成工程形成したSiO2薄膜のマスク12が並列するSi基板11にGe積層工程で積層したGe単結晶薄膜13を備える。実施形態1で説明したように、Ge単結晶薄膜13はSi基板11との界面やSiO2マスク12との界面に転位が存在し、光が伝搬する領域及びGeのpn接合部分には転位の存在が極めて少ない。このため、半導体レーザを光デバイス301で製造すればキャリアの再結合欠陥を低減でき、閾値電流を下げることができる(Si基板とGe結晶との界面に転位が存在してもn型同士あるいはp型同士の接合なので影響がない。)。
光デバイス301を単一モードの光変調器として利用する場合、座標(Wsi,Τ)(単位はnm)としたとき、
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるようなマスク12とGe単結晶薄膜13を備える。
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるようなマスク12とGe単結晶薄膜13を備える。
図16は、ウインド(Wsi)とGe結晶の厚み(Τ)を変えて光デバイスを作成し、伝搬する光のモードの状態を観察した結果である。なお、Τはマスク表面からの厚みである。図16において、“S”は光がシングルモードで伝搬できる範囲、“M”は光がマルチモードで伝搬する範囲、無表記は光が伝搬できない範囲である。このうち、光がシングルモードで伝搬できる範囲を特定した図を図17に示す。
以上のように、本製造方法で製造する際にウインド(Wsi)とGe結晶の厚み(Τ)を調整することで光源、光変調器、受光器として使用できる光デバイスを製造することができる。
本発明に係る光デバイスは図15のような構造に限定されない。例えば、図22と図23に説明する光デバイスの構造であってもよい。光デバイス302は、Ge単結晶薄膜13の側面にGe単結晶薄膜14が形成される構造である。また光デバイス303は、Ge単結晶薄膜13の上面の一部にイオン注入を行い極性を変更させた構造である。
なお、本実施形態ではSi基板11の極性とGe単結晶薄膜13の極性が同じである場合で説明したが、本発明に係る光デバイスはSi基板11の極性とGe単結晶薄膜13の極性が異なる構造を排除するものではない。
[実施形態3]
ウインド(Wsi)が1μm以上であるライン・アンド・スペースをSi基板に形成し、Ge成長させるGe単結晶薄膜の製造方法を説明する。マスク幅Dは実施形態1と同じである。実施形態1で説明したようにライン・アンド・スペース形成工程でSi基板上にライン・アンド・スペースを形成する。そして、実施形態1で説明したようにGe単結晶薄膜をGe積層工程でエピタキシャル成長させる。この場合の貫通転位が減少するメカニズムを図6、図18から図21を用いて説明する。なお、いずれの図もマスクに対して垂直な面でSi基板を切断した断面図である。
ウインド(Wsi)が1μm以上であるライン・アンド・スペースをSi基板に形成し、Ge成長させるGe単結晶薄膜の製造方法を説明する。マスク幅Dは実施形態1と同じである。実施形態1で説明したようにライン・アンド・スペース形成工程でSi基板上にライン・アンド・スペースを形成する。そして、実施形態1で説明したようにGe単結晶薄膜をGe積層工程でエピタキシャル成長させる。この場合の貫通転位が減少するメカニズムを図6、図18から図21を用いて説明する。なお、いずれの図もマスクに対して垂直な面でSi基板を切断した断面図である。
[ケース1]
まず、ウインド(Wsi)にSiO2が残存する場合を説明する。ライン・アンド・スペース形成工程のエッチングでウインドのSiO2を完全に除去できていない場合がある。この場合のGe積層工程でのGeエピタキシャル成長を図6を用いて説明する。
まず、ウインド(Wsi)にSiO2が残存する場合を説明する。ライン・アンド・スペース形成工程のエッチングでウインドのSiO2を完全に除去できていない場合がある。この場合のGe積層工程でのGeエピタキシャル成長を図6を用いて説明する。
この場合、図6に記載されるSiO2は残留SiO2である。図6(A)及び図(B)は実施形態1で説明した通りである。ただし、残留SiO2は線状ではない。そして、成長するGeの中にはソロバンの珠形状の結晶となるものが存在する。このようなソロバンの珠形状の結晶は、外周に転位が存在するが、成長が進み隣接するソロバンの珠形状の結晶と接触すると転位同士が反応して消滅する(図6(C))。図6(D)は、さらにGeの成長が進んだ状態であるが、図6(C)で転位が消滅した後(上方)の結晶には転位が存在しない。Ge積層工程の時間にもよるが、ソロバンの珠形状の結晶と接触する位置はGe単結晶薄膜表面から300~400nmの深さ(表面からSi基板方向)である。
[ケース2]
続いて、ウインド(Wsi)にSiO2が残存しない場合を図18で説明する。図18は、断面図である。
図18(A)は成長開始時のGe単結晶の状態である。スペースWsiにメサ状のGeが成長し、(100)と(311)ファセットができる。ファセットの線膨張係数の違いから、Ge単結晶内に圧縮歪が発生する。
(100)ファセット成長は(311)ファセット成長より速い。このため、図18(B)のようにGeメサは三角形となる。この三角形のGe単結晶のエッジはマスクと接しており最大の圧縮歪が発生している。
さらにGeが成長すると、図18(C)のように(311)ファセット面から(111)ファセット面が生じ、Ge単結晶はソロバンの珠状のようになる。このような形状になるとGe単結晶に発生した圧縮歪が減少する(仮に「無歪Ge」と呼ぶ。)。但し、単結晶両側のマスクとSi基板に接するGe層(長方形の部分)は依然として圧縮歪が残る(仮に「圧縮歪Ge」と呼ぶ。)。
図18(C)の無歪Geは、圧縮歪Geに比して空孔の平衡濃度が増加する。このため、圧縮歪Geから無歪Geへ変化することで空孔濃度は未飽和となり、これを平衡濃度に保とうとし、表面から空孔が拡散で入ってくる。
[V]eq (圧縮歪) << [V]eq (無歪)
続いて、ウインド(Wsi)にSiO2が残存しない場合を図18で説明する。図18は、断面図である。
図18(A)は成長開始時のGe単結晶の状態である。スペースWsiにメサ状のGeが成長し、(100)と(311)ファセットができる。ファセットの線膨張係数の違いから、Ge単結晶内に圧縮歪が発生する。
(100)ファセット成長は(311)ファセット成長より速い。このため、図18(B)のようにGeメサは三角形となる。この三角形のGe単結晶のエッジはマスクと接しており最大の圧縮歪が発生している。
さらにGeが成長すると、図18(C)のように(311)ファセット面から(111)ファセット面が生じ、Ge単結晶はソロバンの珠状のようになる。このような形状になるとGe単結晶に発生した圧縮歪が減少する(仮に「無歪Ge」と呼ぶ。)。但し、単結晶両側のマスクとSi基板に接するGe層(長方形の部分)は依然として圧縮歪が残る(仮に「圧縮歪Ge」と呼ぶ。)。
図18(C)の無歪Geは、圧縮歪Geに比して空孔の平衡濃度が増加する。このため、圧縮歪Geから無歪Geへ変化することで空孔濃度は未飽和となり、これを平衡濃度に保とうとし、表面から空孔が拡散で入ってくる。
[V]eq (圧縮歪) << [V]eq (無歪)
拡散で無歪Geに取り込まれた空孔の効果を図19を用いて説明する。
図19(A)は図18(B)の状態であって、発生している歪を追記した図である。図19(A)のように転位はSi基板からGe表面に到達し、貫通転位と界面転位となっている。
Ge結晶の無歪化により生じた空孔の未飽和を補うため、表面から拡散してくる空孔は、図19(B)のように貫通転位の上昇運動を誘起し、貫通転位を表面近傍で曲げる。
さらに、Geも成長し続けており、空孔の拡散流により近接する転位同士が反応する。この結果、図19(C)のように表面近傍は無転位となる。
図19(A)は図18(B)の状態であって、発生している歪を追記した図である。図19(A)のように転位はSi基板からGe表面に到達し、貫通転位と界面転位となっている。
Ge結晶の無歪化により生じた空孔の未飽和を補うため、表面から拡散してくる空孔は、図19(B)のように貫通転位の上昇運動を誘起し、貫通転位を表面近傍で曲げる。
さらに、Geも成長し続けており、空孔の拡散流により近接する転位同士が反応する。この結果、図19(C)のように表面近傍は無転位となる。
図18(B)の状態で圧縮歪Geが無歪Geへ転じるが、圧縮歪Geから無歪Geへ転じる変換点はマスクの厚みとウインド(Wsi)幅で定まる。図20は変換点、マスクの厚み、ウインド(Wsi)幅との関係を説明する図である。横軸はマスク厚み(μm)、縦軸は変換点(nm)とし、ウインド(Wsi)幅毎にプロットしている。
図20(A)はGe単結晶全体が圧縮歪Geの状態、図20(B)は変換点を経過し、Ge単結晶の上方が無歪Geとなった状態である。変換点はGe単結晶の最も高い部分の高さ(SiO2表面からの高さ)で表している。図20(C)はウインド(Wsi)幅毎に変換点とマスクの厚みとの関係を示した図である。例えば、マスク厚みが15nm、ウインド(Wsi)幅が500nmの時、変換点は100nmである。ウインド(Wsi)それぞれの曲線の右下は圧縮歪Geの状態(図20(A))であり、左上が無歪Geの状態(図20(A))である。図20(C)のようにウインド(Wsi)が狭いほど、マスクの厚みが薄いほど変換点が早いことがわかる。
図21は、図20(A)の状態から図20(B)の状態へ変換した時(変換点)の、断面における圧縮歪Geに対する無歪Geの面積比を説明する図である。横軸はマスクの厚み(μm)、縦軸は面積比(無歪Ge/圧縮歪Ge)であり、ウインド(Wsi)毎にプロットしている。
図21のようにマスクの厚みが小さいほど、ウインド(Wsi)幅が小さいほど無歪Geの面積比が大きくなることがわかる。
[他の実施形態]
上記実施形態では「誘電体」がSiO2の場合で説明した。しかし、誘電体はSiO2に限らず、SiN、SiON、TaO、又はTiOであってもよい。また、上記実施形態では「Ge単結晶薄膜」をSi基板上に成長させる場合を説明したが、SiGeやSiGeSn等のIV族結晶薄膜をSi基板上に成長させる場合も上記マスクを利用することができる。
上記実施形態では「誘電体」がSiO2の場合で説明した。しかし、誘電体はSiO2に限らず、SiN、SiON、TaO、又はTiOであってもよい。また、上記実施形態では「Ge単結晶薄膜」をSi基板上に成長させる場合を説明したが、SiGeやSiGeSn等のIV族結晶薄膜をSi基板上に成長させる場合も上記マスクを利用することができる。
本発明の製造方法はGe単結晶薄膜を利用する光デバイスの製造全般に適用することができる。
11:Si基板
12:SiO2マスク
13:Ge単結晶薄膜(n型)
14:Ge単結晶薄膜(p型)
15:電極
301、302、303:光デバイス
12:SiO2マスク
13:Ge単結晶薄膜(n型)
14:Ge単結晶薄膜(p型)
15:電極
301、302、303:光デバイス
Claims (6)
- Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、
前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600℃以上900℃以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、
を行うGe単結晶薄膜の製造方法。 - 前記誘電体薄膜の厚みが100nm以下、前記短冊状に除去されない前記誘電体薄膜の幅が500nm±10nmであり、前記短冊状で露出させる前記Si基板表面の幅Wsiが100nm以上1000nm以下となるように前記ライン・アンド・スペース形成工程で前記マスクを形成し、
前記マスク表面から前記Si基板と反対側の表面まで距離である厚みΤが200nm以上400nm以下となるように前記Ge積層工程で前記Ge単結晶薄膜を形成する
を特徴とする請求項1に記載のGe単結晶薄膜の製造方法。 - 座標(Wsi,Τ)(単位はnm)としたとき、
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるように前記ライン・アンド・スペース形成工程で前記マスクを形成し、前記Ge積層工程で前記Ge単結晶薄膜を形成すること
を特徴とする請求項2に記載のGe単結晶薄膜の製造方法。 - Si基板と、
前記Si基板上に配置され、誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるマスクと、
前記マスクから露出する前記Si基板に接触し、前記マスクを覆うn型又はp型のGe単結晶薄膜と、
を備える光デバイス。 - 前記マスクは、前記誘電体薄膜の厚みが100nm以下、前記短冊状に除去されない前記誘電体薄膜の幅が500nm±10nmであり、前記短冊状で露出させる前記Si基板表面の幅Wsiが100nm以上1000nm以下であり、
前記Ge単結晶薄膜は、前記マスク表面から前記Si基板と反対側の表面までの距離である厚みΤが200nm以上400nm以下であること
を特徴とする請求項4に記載の光デバイス。 - 座標(Wsi,Τ)(単位はnm)としたとき、
A(100,350)
B(400,200)
C(800,200)
D(600,250)
E(400,350)
F(200,350)
G(200,400)
の7点を頂点とする多角形で囲まれる、幅Wsiと厚みΤの領域にあるような前記マスクと前記Ge単結晶薄膜を備えることを特徴とする請求項5に記載の光デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
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