WO2017090290A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、電流効率に優れた有機ＥＬ素子を提供することである。　本発明の有機ＥＬ素子（１）は、支持基板（２）上に、下部電極（４）と、少なくとも発光層を含む有機機能層（６）と、上部電極（８）とが順次積層され、下部電極（４）又は上部電極（８）のうちいずれかの電極が、透明導電層（４ａ）と、不透明な補助配線（４ｂ）とから構成され、平面視したときに、少なくとも、補助配線（４ｂ）と有機機能層（６）のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能が、変調されていることを特徴とする。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関し、より詳しくは、電流効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関する。

　近年、照明用途として、大面積の有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子が求められている。大面積の有機ＥＬ素子において、安定した発光を得るためには、低抵抗の電極が必要となる。

　低抵抗の電極としては、発光面に補助配線が設けられたものが知られている。しかし、補助配線は不透明であることから、有機ＥＬ素子の発光層からの発光が遮られ、結果として、電流効率の低下の要因となっていた。

　この解決方法として、補助配線と重複する領域をそもそも発光させないことが考えられる。
　例えば、特許文献１には、複数の電極膜が互いに間隔を取って配置され、当該電極膜間に補助電極膜が形成され、この補助電極膜を覆うようにして絶縁膜が形成された電極構成が開示されている。当該構成によれば、電極に通電しても補助電極膜から有機発光部（有機機能層）へ電気が流れることがないため、すなわち、補助電極膜と重複する有機発光部を発光させないことができるため、電流効率の低下を抑制することできる。
　しかしながら、電極膜及び補助電極膜に加えて、更に補助電極膜上のみに絶縁層を設けることは、製造プロセスを煩雑にし、コストアップにもつながってしまう。

国際公開第２０１２／０９０９０３号

　本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、より簡便な手法を用いて、電流効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することである。

　本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、平面視したときに、少なくとも、補助配線と有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能が変調されていることにより、電流効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供できることを見出し、本発明に至った。

　すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

　１．支持基板上に、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、上部電極とが順次積層された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
　前記下部電極又は前記上部電極のうちいずれかの電極が、透明導電層と、不透明な補助配線とから構成され、
　平面視したときに、少なくとも、前記補助配線と前記有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能が、変調されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

　２．支持基板上に、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、上部電極とが順次積層され、前記下部電極又は前記上部電極のうちいずれかの電極が、透明導電層と、不透明な補助配線とから構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
　少なくとも、
　前記透明導電層と前記補助配線とから構成される電極を形成する工程と、
　前記有機機能層を形成する工程と、
を有し、更に、
　平面視したときに、少なくとも、前記補助配線と前記有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能を変調する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

　３．前記発光機能を変調する工程では、紫外線照射により、少なくとも前記重複する領域の一部分の発光機能を変調することを特徴とする第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

　４．前記発光機能を変調する工程では、レーザー照射により、少なくとも前記重複する領域の一部分の発光機能を変調することを特徴とする第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

　本発明の上記手段により、電流効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することができる。

　本発明の効果の発現機構・作用機構については明確になっていないが、以下のように推察している。

　上記したように、低抵抗の電極として補助配線が設けられる場合、不透明な補助配線により有機ＥＬ素子の発光層からの発光が遮られ、これが電流効率の低下の要因となっていた。
　図６には、有機機能層の発光機能が変調されていない有機ＥＬ素子を示している。
　有機ＥＬ素子１００において、有機機能層（発光層）１０６からの発光光としては、補助配線１０４ｂ上の発光光Ｌ１と、補助配線１０４ｂとは重複していない有機機能層（発光層）１０６からの発光光Ｌ２とがある。図６に示すとおり、発光光Ｌ２は、補助配線１０４ｂに遮られることなく、外部に取り出すことが可能であるが、発光光Ｌ１は、補助配線１０４ｂが不透明であることから、当該補助配線１０４ｂで反射して、そのほとんどが外部へ取り出すことが困難となっている。

　そこで、本発明においては、少なくとも、補助配線と有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能を変調させることにより、補助電極と重複する発光層からの発光強度を低下させるため、電流効率に優れた有機ＥＬ素子を提供できるものと考えられる。

本発明の有機ＥＬ素子の一例としての概略構成を示す断面図 本発明の有機ＥＬ素子の他の一例としての概略構成を示す断面図 本発明の有機ＥＬ素子の他の一例としての概略構成を示す断面図 本発明に係る補助配線のパターン形状を示す平面模式図 本発明に係る補助配線のパターン形状を示す平面模式図 本発明に係る補助配線のパターン形状を示す平面模式図 本発明に係る補助配線のパターン形状を示す平面模式図 本発明に係る補助配線のパターン形状を示す平面模式図 本発明に係る補助配線のパターン形状を示す平面模式図 真空紫外線照射装置の概要を示す正面図 発光機能が変調されていない有機ＥＬ素子の概略断面図

　本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板上に、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、上部電極とが順次積層され、下部電極又は上部電極のうちいずれかの電極が、不透明な補助配線と、透明導電層とから構成され、平面視したときに、少なくとも、補助配線と有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能が、変調されていることを特徴とする。この特徴は、各請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。

　また、本発明は、支持基板上に、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、上部電極とが順次積層され、下部電極又は上部電極のうちいずれかの電極が、不透明な補助配線と、透明導電層とから構成されている有機ＥＬ素子の製造方法であって、少なくとも、補助配線と透明導電層とから構成される電極を形成する工程と、有機機能層を形成する工程と、を有し、更に、平面視したときに、少なくとも、補助配線と有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能を変調する工程と、を有する有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。

　本発明の実施態様としては、位置精度よく発光機能を変調できること、発光層を剥離させることなく変調できること、また、真空中でも変調させることができることから、紫外線照射又はレーザー照射により、少なくとも重複する領域の一部分の発光機能を変調することが好ましい。

　以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。

《有機ＥＬ素子の構成》
　本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板上に、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、上部電極とが順次積層されて構成されている。
　以下、図面を用いて詳細に説明する。

　図１に示すとおり、本発明の有機ＥＬ素子１は、支持基板２上に、下部電極４と、少なくとも発光層を含む有機機能層６と、上部電極８とが順次積層されて構成されている。
　下部電極４は、透明導電層４ａと、補助配線４ｂとから構成されている。
　有機機能層６は、少なくとも発光層を含んで構成され、その他、各種有機層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を有していてもよい。

　本発明の有機ＥＬ素子１においては、平面視したときに、少なくとも、補助配線４ｂと有機機能層６のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能が、変調されていることを特徴とする。ここで、一部分とは、補助配線４ｂと有機機能層６とが重複する領域内であれば、その位置、面積は特に限定されない。
　有機機能層６の発光機能は、補助配線４ｂと有機機能層６のうちの少なくとも１層とが重複する領域のすべてにおいて変調されていることが好ましい態様である。図１には、補助配線４ｂと有機機能層６のうちの少なくとも１層とが重複する領域のすべてが変調されている場合について示している。すなわち、重複領域Ｔにおいて、有機機能層６の発光機能が変調されている。
　ここで、発光機能が変調されているとは、有機機能層６を構成する正孔輸送材料等の機能が変化した状態のことをいい、具体的には、変調していない有機層と比較して、電荷輸送能力（移動度）や発光材料の量子収率が低下していることをいう。本発明においては、重複領域Ｔの電荷輸送能力等が完全に喪失していたり、発光材料の量子効率がほとんどないことが好ましい。
　電荷輸送能力（移動度）は、ＴＯＦ（ｔｉｍｅ　ｏｆ　ｆｌｉｇｈｔ）法やインピーダンス分光法により測定することができる。
　また、同一発光面内に変調された部分があると、サーモグラフィーにより変調された部分を特定することができる。
　発光材料の量子効率が低下している場合は、熱失活が多く、発熱が多くなり、その部分の温度が上昇する。一方、移動度が低下している場合は、その部分に電流が流れにくくなり、発熱が減り温度上昇は少なくなる。

　また、本発明の有機ＥＬ素子は、図２に示すように、支持基板２と補助配線４ｂとの密着性向上を目的として、支持基板２と補助配線４ｂ（下部電極４）との間に、樹脂層１０を設けてもよい。
　さらには、有機機能層の発光機能を変調する際の照射光を吸収するような材料を含有する吸収層を設けてもよい。例えば、図３に示すように、支持基板２の有機機能層６とは反対側の面に、赤外線吸収剤を含有する吸収層１２を設けてもよい。

　上記では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を例にとって説明したが、トップエミッション型の有機ＥＬ素子、すなわち、上部電極が透明導電層と補助配線とから構成される素子としてもよい。

　以下、図１に示す本発明の有機ＥＬ素子を構成する各部材について説明する。

〈支持基板（２）〉
　本発明に係る支持基板としては、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７（プラスチック－透明材料の全光線透過率の試験方法）に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が８０％以上の透明樹脂基板が好ましく用いられる。なお、透明とは、当該ＪＩＳ規格に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が５０％以上のものをいう。

　支持基板としては、フレキシブル性に優れ、誘電損失係数が十分小さく、マイクロ波の吸収が補助配線よりも小さい材質であることが好ましい。支持基板としては、例えば、生産性の観点や軽量性と柔軟性といった性能の観点から、透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。

　好ましく用いることができる透明樹脂フィルムとしては特に制限はなく、その材料、形状、構造、厚さ等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）又は変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム又は環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル又はポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂フィルム、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂フィルム、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂フィルム等を挙げることができる。

　全光線透過率が８０％以上である樹脂フィルムであれば、支持基板として好ましく用いることができる。特に、透明性、赤外線吸収特性、取扱いやすさ、強度及びコストの点から、ポリエステル系樹脂フィルムが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム及び二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムがより好ましい。

　また、支持基板には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層（下地層）を設けることができる。表面処理や易接着層については、従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理及びレーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。
　また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるために、２層以上の構成にしてもよい。
　支持基板の表面又は裏面には、好ましくは、無機物若しくは有機物の被膜からなるガスバリアー層、又は、無機物及び有機物のハイブリッド被膜からなるガスバリアー層を形成することが好ましい。

〈下部電極（４）〉
　本発明に係る下部電極は、透明導電層と不透明な補助配線とから構成されている。

（透明導電層（４ａ））
　本発明に係る下部電極は、補助配線を被覆するようにして透明導電層が設けられている。
　透明導電層は、補助配線の凹凸を被覆し、表面がなだらかになるように、又は平坦となるように形成されている。

　透明導電層は、少なくとも導電性を有する材料（導電性材料）を含んで構成されている。導電性材料としては、例えば、導電性透明材料、導電性ポリマー又はカーボンナノチューブを挙げることができる。なお、透明導電層及び導電性材料における「導電性」とは、電気が流れる状態を指し、ＪＩＳ　Ｋ　７１９４－１９９４の「導電電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に準拠した方法で測定したシート抵抗が１×１０^６Ω／ｓｑ．より低いことをいう。

　透明導電層の電気抵抗値としては、シート抵抗として１００００Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、２０００Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましい。
　透明導電層の乾燥層厚は、３０～２０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。導電性の点から、１００ｎｍ以上であることがより好ましく、電極の表面平滑性の点から、２００ｎｍ以上であることが更に好ましい。また、透明性の点から、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。

　導電性透明材料としては、透明導電性の金属酸化物が好ましく、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、ＩＧＺＯ等の導電性酸化物、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の非晶質の透明導電膜が挙げられる。

　透明導電層が導電性ポリマーにより形成される場合には、導電性ポリマーとともに、非導電性ポリマーとを含むことが好ましい。また、透明導電層が、導電性ポリマーと非導電性ポリマーを含有し、かつ非導電性ポリマーが、自己分散型ポリマー及び／又はヒドロキシ基含有ポリマーを含有することで、透明導電層の導電性を損なうことなく、導電性ポリマーの必要量を低減することができる。その結果、高い導電性と透明性とを両立した透明電極を得ることができる。

（１）導電性ポリマー
　導電性ポリマーは、π共役系導電性高分子と、ポリアニオンとを含有する。導電性ポリマーは、後述するπ共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と後述のポリアニオンとの存在下で、化学酸化重合することによって容易に製造できる。

（２）π共役系導電性高分子
　π共役系導電性高分子としては、特に限定されず、ポリチオフェン（基本のポリチオフェンを含む、以下同様）類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類等の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、導電性、透明性、安定性等の観点からポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンが最も好ましい。

（３）ポリアニオン
　導電性ポリマーに用いられるポリアニオンは、置換又は無置換のポリアルキレン、置換又は無置換のポリアルケニレン、置換又は無置換のポリイミド、置換又は無置換のポリアミド、置換又は無置換のポリエステル、及び、これらの共重合体であって、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなる。
　このポリアニオンは、π共役系導電性高分子を溶媒に可溶化又は分散させる高分子である。また、ポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性と耐熱性を向上させる。

　ポリアニオンのアニオン基としては、π共役系導電性高分子への化学酸化ドープが起こり得る官能基であればよいが、中でも、製造の容易さ及び安定性の観点からは、一置換硫酸エステル基、一置換リン酸エステル基、リン酸基、カルボキシ基及びスルホ基等が好ましい。さらに、官能基のπ共役系導電性高分子へのドープ効果の観点より、スルホ基、一置換硫酸エステル基及びカルボキシ基がより好ましい。

　ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ－２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ－２－アクリルアミド－２－メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。さらに、これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
　また、化合物内に更にフッ素原子を有するポリアニオンであってもよい。具体的には、パーフルオロスルホン酸基を含有するナフィオン（Ｄｕｐｏｎｔ社製）、カルボン酸基を含有するパーフルオロ型ビニルエーテルからなるフレミオン（旭硝子社製）等を挙げることができる。さらに、これらフッ素化ポリアニオンは、非フッ素化ポリアニオンと併用することにより、正孔注入機能を付加した透明電極を一体形成することができ、素子効率及び生産性の観点から望ましい。
　ポリアニオンの重合度は、モノマー単位が１０～１０００００個の範囲内であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、５０～１００００個の範囲内がより好ましい。

　こうした導電性ポリマーは、市販の材料も好ましく利用できる。例えば、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと略す）が、Ｈｅｒａｅｕｓ社からＣｌｅｖｉｏｓシリーズとして、Ａｌｄｒｉｃｈ社からＰＥＤＯＴ－ＰＳＳの４８３０９５、５６０５９６として、Ｎａｇａｓｅ　Ｃｈｅｍｔｅｘ社からＤｅｎａｔｒｏｎシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からＯＲＭＥＣＯＮシリーズとして市販されている。

（補助配線（４ｂ））
　補助配線は、金属を主成分とし、導電性を得ることができる程度の金属の含有比率で形成されている。補助配線中の金属の比率は、好ましくは５０質量％以上である。

　補助配線は、支持基板上に開口部を有するようにパターン状に形成されている。開口部とは、透明な支持基板を用いた場合、補助配線を有さない部分であり、補助配線の透光性部分である。
　また、透明な支持基板を用いる場合、開口部が占める割合、すなわち、開口率は、透明性の観点から８０％以上であることが好ましい。例えば、線幅１００μｍ、線間隔１ｍｍのストライプ状パターンの開口率は、およそ９０％である。

　補助配線のパターン形状には特に制限はない。補助配線のパターン形状としては、例えば、ストライプ状のパターン（図４Ａ及びＢ参照。）、格子状のパターン（図４Ｃ及びＤ参照。）又は六角形のハニカム状のパターン（図４Ｅ参照。）や、ランダムな網目状（図４Ｆ参照。）等とすることが好ましい。特に、補助配線に欠点（断線）が生じても電極としての影響が少ないという点から、格子状のパターン、ハニカム状のパターン又はランダムな網目状が好ましく、格子状のパターンが最も好ましい。

　補助配線の線幅は、好ましくは１０～２００μｍの範囲内であり、更に好ましくは１０～１００μｍの範囲内である。補助配線の線幅が１０μｍ以上で所望の導電性が得られ、また、２００μｍ以下とすることで電極の透明性が向上する。
　ストライプ状、格子状のパターンにおいて、補助配線の間隔は、０．５～４ｍｍの範囲内であることが好ましい。

　補助配線の高さ（厚さ）は、０．１～５．０μｍの範囲内であることが好ましく、０．１～２．０μｍの範囲内であることがより好ましい。補助配線の高さが０．１μｍ以上で所望の導電性が得られ、また、５．０μｍ以下とすることで、支持基板上に樹脂層を形成した場合に、その凹凸差が機能層の層厚分布に与える影響を軽減できる。

　補助配線は、金属又は金属の形成材料が配合された補助配線形成用塗布液を調製し、当該塗布液を塗布した後、乾燥処理や焼成処理等の後処理を適宜選択して行い、補助配線を形成することができる。

　補助配線形成用塗布液に配合される金属（単体金属又は合金）としては、粒子状又は繊維状（チューブ状、ワイヤ状等）であることが好ましく、金属ナノ粒子であることがより好ましい。また、金属原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属を生じる、金属の形成材料から形成されていることが好ましい。補助配線形成用塗布液中の金属及び金属の形成材料は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

　金属ナノ粒子に使用される金属としては、例えば、金、銀、銅、白金等の金属あるいは、これらを主成分とした合金等が挙げられる。これらの中でも、光の反射率が優れ、得られる有機ＥＬ素子の効率をより一層向上できる観点から、金及び銀が好ましい。これらの金属又は合金は、いずれか１種を単独で又は２種以上を適宜組み合わせて用いることができる。

　補助配線形成用塗布液としては、金属ナノ粒子の表面を保護剤で被覆し、溶媒に安定して独立分散させた構成の金属コロイドや金属ナノ粒子分散液であることが好ましい。

　補助配線形成用塗布液における金属ナノ粒子の平均粒径としては、原子スケールから１０００ｎｍ以下のものが好ましく適用できる。特に、金属ナノ粒子は、平均粒径が３～３００ｎｍの範囲内であるものが好ましく、５～１００ｎｍの範囲内であるものがより好ましく用いられる。特に、平均粒径３～１００ｎｍの範囲内の銀ナノ粒子が好ましい。また、金属ナノワイヤとしては、幅が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１～１００ｎｍの範囲内である銀ワイヤが好ましい。

　ここで、金属ナノ粒子及び金属コロイドの平均粒子径、金属ナノワイヤの幅は、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）を用いて、上記分散体中の金属ナノ粒子の粒子径、金属ナノワイヤの幅を測定して求めることができる。例えば、ＴＥＭの画像で観察される粒子のうち、重なっていない独立した３００個の金属ナノ粒子の粒子径を計測して、平均粒子径を算出することができる。

　金属コロイドにおいて、金属ナノ粒子の表面を被覆する保護剤としては、有機π接合配位子が好ましい。金属ナノ粒子に有機π共役系配位子がπ接合することにより、金属コロイドに導電性が付与される。

　上記有機π接合配位子としては、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体及びポルフィリン誘導体からなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物が好ましい。
　また、上記有機π接合配位子としては、金属ナノ粒子への配位や、分散媒中での分散性を向上させるために、置換基としてアミノ基、アルキルアミノ基、メルカプト基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ホスフィン基、ホスホン酸基、スルホン酸基、ハロゲン基、セレノール基、スルフィド基、セレノエーテル基、アミド基、イミド基、シアノ基、ニトロ基、及び、これらの塩から選ばれる少なくとも１種の置換基を有することが好ましい。

　また、有機π接合配位子として、国際公開第２０１１／１１４７１３号パンフレットに記載の有機π共役系配位子を用いることができる。

　上記有機π接合配位子の具体的な化合物としては、下記のＯＴＡＮ、ＯＴＡＰ、及び、ＯＣＡＮから選ばれる１種又は２種以上が好ましい。

　ＯＴＡＮ：２，３，１１，１２，２０，２１，２９，３０－オクタキス［（２－Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル）チオ］ナフタロシアニン
　ＯＴＡＰ：２，３，９，１０，１６，１７，２３，２４－オクタキス［（２－Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル）チオ］フタロシアニン
　ＯＣＡＮ：２，３，１１，１２，２０，２１，２９，３０－ナフタロシアニンオクタカルボン酸

　有機π接合配位子を含有する金属ナノ粒子分散液の調製方法としては、液相還元法があげられる。また、有機π接合配位子の製造及び有機π接合配位子を含有する金属ナノ粒子分散液の調製は、国際公開第２０１１／１１４７１３号の段落［００３９］～［００６０］に記載の方法に準じて行うことができる。

　金属コロイドの平均粒子径は、通常は３～５００ｎｍの範囲内であり、好ましくは５～５０ｎｍの範囲内である。金属コロイドの平均粒子径が上記範囲内であると、粒子間の融着が起こりやすくなり、得られる補助配線の導電性を向上させることができる。

　金属ナノ粒子分散液において、金属ナノ粒子の表面を被覆する保護剤としては、２００℃以下の低い温度にて配位子がはずれる保護剤を用いることが好ましい。これにより、低温又は低エネルギーにより、保護剤がはずれ、金属ナノ粒子の融着が起き、導電性を付与できる。
　具体的には、特開２０１３－１４２１７３号公報、特開２０１２－１６２７６７号公報、特開２０１４－１３９３４３号公報、特許第５６０６４３９号などに記載の金属ナノ粒子分散液が例として挙げられる。

　金属の形成材料としては、例えば、金属塩、金属錯体、有機金属化合物（金属－炭素結合を有する化合物）等を挙げることができる。金属塩及び金属錯体は、有機基を有する金属化合物及び有機基を有しない金属化合物のいずれでもよい。補助配線形成用塗布液に金属の形成材料を用いることで、材料から金属が生じ、この金属を含む補助配線が形成される。

　金属銀の形成材料としては、「Ａｇ_ｎＸ」で表される銀化合物と、アンモニウムカルバメート系化合物とを反応させて作製された有機銀錯体化合物を用いることが好ましい。「Ａｇ_ｎＸ」において、ｎは１～４の整数であり、Ｘは酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート及びカルボキシレートからなる群より選択される置換基である。

　上記銀化合物としては、例えば、酸化銀、チオシアネート化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、燐酸銀、過塩素酸銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀等を挙げることができる。銀化合物としては、酸化銀や炭酸銀を使用することが反応性や後処理面で好ましい。

　アンモニウムカルバメート系化合物としては、例えば、アンモニウムカルバメート、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ－ブチルアンモニウムｎ－ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、ｔ－ブチルアンモニウムｔ－ブチルカルバメート、２－エチルヘキシルアンモニウム２－エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、２－メトキシエチルアンモニウム２－メトキシエチルカルバメート、２－シアノエチルアンモニウム２－シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリウムモルホリンカルバメート、ピリジニュムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメート等を挙げることができる。上記アンモニウムカルバメート系化合物のうち、１次アミン置換されたアルキルアンモニウムアルキルカルバメートは、反応性及び安定性面で２次又は３次アミンより優れるため好ましい。

　上記有機銀錯体化合物は、特開２０１１－４８７９５号公報に記載の方法により作製することができる。例えば、上記銀化合物の１種以上と、上記アンモニウムカルバメート系化合物の１種以上とを、窒素雰囲気の常圧又は加圧状態で、溶媒を使用せずに直接反応させることができる。また、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒等の溶媒を使用して反応させることができる。

　有機銀錯体化合物の構造は「Ａｇ［Ａ］_ｍ」で表すことができる。なお、「Ａｇ［Ａ］_ｍ」において、Ａは上記アンモニウムカルバメート系化合物であり、ｍは０．７～２．５である。

　上記有機銀錯体化合物は、メタノールのようなアルコール類、エチルアセテートのようなエステル類、テトラヒドロフランのようなエーテル類溶媒など、有機銀錯体化合物を製造する溶媒を含む多様な溶媒によく溶ける。このため、有機銀錯体化合物は、補助配線形成用塗布液として、塗布やプリンティング工程に容易に適用可能である。

　また、金属銀の形成材料としては、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀が例示できる。カルボン酸銀は、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。

　カルボン酸銀としては、特開２０１５－６６６９５号公報に記載のβ－ケトカルボン酸銀及びカルボン酸銀からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。なお、金属銀の形成材料としては、β－ケトカルボン酸銀及びカルボン酸銀だけではなく、これらを包括する、式「－ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀を用いることができる。

　また、補助配線形成用塗布液に金属の形成材料として上記カルボン酸銀を含む場合、カルボン酸銀とともに、炭素数２５以下のアミン化合物及び第４級アンモニウム塩、アンモニア、並びにアミン化合物又はアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩からなる群から選択される１種以上の含窒素化合物が配合されていることが好ましい。

　アミン化合物としては、炭素数が１～２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、第４級アンモニウム塩は、炭素数が４～２５である。アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基「－ＮＨ_２」を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。

〈有機機能層（６）〉
　本発明に係る有機機能層の代表的な構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

（ｉ）（下部電極）／発光層／（上部電極）
（ii）（下部電極）／発光層／電子輸送層／（上部電極）
（iii）（下部電極）／正孔輸送層／発光層／（上部電極）
（iv）（下部電極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／（上部電極）
（ｖ）（下部電極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（上部電極）
（vi）（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／（上部電極）
（vii）（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／（上部電極）

　上記の中でも、（vii）の構成が好ましいが特に制限されない。

　本発明に係る発光層は、複数層で構成されていてもよく、この場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。

　以上の各層には、公知の材料をいずれも使用することができる。

（発光層）
　本発明に係る発光層は、電極、又は電子輸送層及び正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。
　発光層の厚さの総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧が印加されることを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、好ましくは２ｎｍ～５μｍの範囲内に調整され、更に好ましくは２～２００ｎｍの範囲内に調整され、特に好ましくは５～１００ｎｍの範囲内に調整される。
　また、個々の発光層の厚さとしては、２ｎｍ～１μｍの範囲内に調整することが好ましく、より好ましくは２～２００ｎｍの範囲内に調整され、更に好ましくは３～１５０ｎｍの範囲内に調整される。

　発光層には、発光ドーパント（発光性ドーパント化合物、ドーパント化合物、単にドーパントともいう。）と、ホスト化合物（マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。）とを含有することが好ましい。

　本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
　例えば、Ｎａｔｕｒｅ　３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ　２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２－０６９７３７号公報、特開２０１２－１９５５５４号公報、特開２００９－１１４０８６号公報、特開２００３－８１９８８号公報、特開２００２－３０２６７１号公報、特開２００２－３６３５５２号公報、特開２００９－２３１５１６号公報、国際公開第２０１２／１１２８５３号、特許第５１２４９４２号公報、特許第４７８４６００号公報、特開２０１０－４７７６４号公報等である。

　本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
　特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８－０７４９３９号公報、特開２００７－２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等である。

（正孔輸送層）
　本発明における正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
　正孔輸送層の総厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍの範囲内であり、より好ましくは２～５００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。

　正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料という）としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
　例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。
　トリアリールアミン誘導体としては、α－ＮＰＤに代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
　また、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
　さらに、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料やｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物を用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３に代表されるような中心金属にＩｒやＰｔを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
　正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。

　本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
　例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９，２１６０（１９９６）、Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．７２－７４，９８５（１９９７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，６７３（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．８７，１７１（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．９１，２０９（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１１１，４２１（２０００）、ＳＩＤ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　Ｄｉｇｅｓｔ，３７，９２３（２００６）、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．３，３１９（１９９３）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．６，６７７（１９９４）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１５，３１４８（２００３）、米国特許出願公開第２００３／０１６２０５３号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１５８２４２号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２４０２７９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２２０２６５号明細書、米国特許第５０６１５６９号明細書、国際公開第２００７／００２６８３号、国際公開第２００９／０１８００９号、欧州特許第６５０９５５号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１２４５７２号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７８９３８号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１０６１９０号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１８２２１号明細書、国際公開第２０１２／１１５０３４号、特表２００３－５１９４３２号公報、特開２００６－１３５１４５号公報、米国特許出願公開第２０１３／００４９５７６号明細書等である。

　正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。

（電子阻止層）
　電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
　また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、電子阻止層として用いることができる。
　電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
　電子阻止層の厚さとしては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５～３０ｎｍの範囲内である。
　電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も電子阻止層に好ましく用いられる。

（正孔注入層）
　正孔注入層（陽極バッファー層ともいう。）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。
　本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のように陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
　正孔注入層は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
　中でも、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
　前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。

（電子輸送層）
　本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
　本発明の電子輸送層の総厚については特に制限はないが、通常は２ｎｍ～５μｍの範囲内であり、より好ましくは２～５００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。
　一方で、電子輸送層の厚さを大きくすると電圧が上昇しやすくなるため、特に厚さが大きい場合においては、電子輸送層の電子移動度は１×１０^－５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であることが好ましい。

　電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という。）としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
　例えば、含窒素芳香族複素環誘導体（カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等）、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン等）等が挙げられる。
　また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。

　電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されたものが挙げられる。
　また、駆動電圧を下げるという点などから、金属フッ化物がドープされていることが好ましい。

　本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
　米国特許第６５２８１８７号明細書、米国特許第７２３０１０７号明細書、米国特許出願公開第２００５／００２５９９３号明細書、米国特許出願公開第２００４／００３６０７７号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１１５３１６号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０１８７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１７９５５４号明細書、国際公開第２００３／０６０９５６号、国際公開第２００８／１３２０８５号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５，４（１９９９）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，４４９（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，１５６（２００１）、米国特許第７９６４２９３号明細書、米国特許出願公開第２００９／０３０２０２号明細書、国際公開第２００４／０８０９７５号、国際公開第２００４／０６３１５９号、国際公開第２００５／０８５３８７号、国際公開第２００６／０６７９３１号、国際公開第２００７／０８６５５２号、国際公開第２００８／１１４６９０号、国際公開第２００９／０６９４４２号、国際公開第２００９／０６６７７９号、国際公開第２００９／０５４２５３号、国際公開第２０１１／０８６９３５号、国際公開第２０１０／１５０５９３号、国際公開第２０１０／０４７７０７号、欧州特許第２３１１８２６号明細書、特開２０１０－２５１６７５号公報、特開２００９－２０９１３３号公報、特開２００９－１２４１１４号公報、特開２００８－２７７８１０号公報、特開２００６－１５６４４５号公報、特開２００５－３４０１２２号公報、特開２００３－４５６６２号公報、特開２００３－３１３６７号公報、特開２００３－２８２２７０号公報、国際公開第２０１２／１１５０３４号等である。

　より好ましい電子輸送材料としては、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体及びベンズイミダゾール誘導体が挙げられる。

　電子輸送材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。

（正孔阻止層）
　正孔阻止層とは、広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
　また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。
　正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
　正孔阻止層の厚さとしては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５～３０ｎｍの範囲内である。

　正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。

（電子注入層）
　電子注入層（陰極バッファー層ともいう。）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。
　本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のように陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
　電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその厚さは０．１～５ｎｍの範囲内が好ましい。また、構成材料が断続的に存在する不均一な膜であってもよい。

　電子注入層は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、リチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。

　上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。

〈上部電極（８）〉
　上部電極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する。）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

　上部電極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることで作製することができる。また、上部電極としてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。厚さは、通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
　また、上部電極に上記金属を１～２０ｎｍの厚さで作製した後に、下部電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の上部電極を作製することができ、これを応用することで下部電極と上部電極との両方が透過性を有する素子を作製することができる。

〈樹脂層（１０）〉
　本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板と補助配線との間に樹脂層を設けてもよい。樹脂層を設けることにより、支持基板と補助配線との密着性を向上させて、下部電極を低抵抗化するとともに保存性を向上させることができる。
　樹脂層には、少なくとも硬化性樹脂が含有されていればよく、このような硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの一般的なものを用いることができる。

　ここで、硬化性樹脂とは、硬化処理を行うことにより硬化する化合物を含有する樹脂である。したがって、支持基板上に所定の方法により硬化性樹脂を設けた段階では、流動性がある状態である。
　硬化性樹脂は、加熱又は光照射により硬化性樹脂を硬化させる方法が簡便であるため、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂であることが好ましい。

　さらに、硬化性樹脂は、重合性樹脂であることが好ましい。
　重合反応としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合等が挙げられる。
　重合反応を起こす方法としては、加熱工程、光照射工程あるいはその両方の工程を経るといった方法等が挙げられ、用いた硬化性樹脂の種類、目的とする樹脂層の性能に応じて適宜選択することができる。

　重合性樹脂は、重合反応を引き起こしやすく、有機合成もしやすいという観点から、ビニル基を有する１種類のモノマーであることが好ましい。
　重合性樹脂は、ビニル基を有する２種類以上のモノマーからなる共重合性樹脂であることも好ましい。重合性樹脂が、１種類のモノマーでない場合であっても、同様に重合反応が進むことから、共重合性樹脂であることも好ましい。
　また、重合性樹脂は、ビニル基を有するモノマーとチオール基を有するモノマーとの共重合性樹脂であってもよい。

　ビニル基を有するモノマーとチオール基を有するモノマーとの共重合性樹脂は、ビニル基を有するモノマー又はチオール基を有するモノマーの含有比率を変化させることで、もたらされる効果の大きさも変化するが、リンス耐久性の向上や、共重合性樹脂とすることによりもたらされる高温・高湿下での長時間保存性の向上といった所望の目的に応じて適宜調整することができる。
　また、重合性樹脂は、より確実に重合反応を起こさせることができる点で、分子内に二つ以上のビニル基を有するモノマーを含有する樹脂であることも好ましい。

　また、樹脂層には、後述する窒素含有化合物又は硫黄含有化合物が含有されていることが好ましい。

　樹脂層を形成する際、その形成用塗布液には、ラジカル重合開始剤が含有されていることも好ましい。ラジカル重合開始剤を塗布液に含有させることで、重合反応がより起こりやすくなり、特定箇所による重合のムラが少なく、全体的にリンス耐久性に優れた樹脂層を形成することができる等、所望の目的に応じて、公知のラジカル重合開始剤を使用することができる。

　樹脂層は、支持基板の補助配線等が形成された面のうちの一部にのみに設けられているものとしてもよく、例えば、支持基板と補助配線との間にのみ設けてもよい。特に、樹脂層材料の使用量の低減や、光透過率の観点から、支持基板と補助配線との間にのみ設けることが好ましい。

　樹脂層の厚さは、樹脂層に含有される材料に応じて適宜設定されるものであるが、例えば１０ｎｍ～５μｍの範囲内であることが好ましく、２０ｎｍ～１μｍの範囲内であることがより好ましく、３０～５００ｎｍの範囲内であることが特に好ましい。

　樹脂層の形成方法は、樹脂層に含有される材料に応じて適宜選択されるが、支持基板と補助配線との間のみに形成する場合には、形成精度の観点から、インクジェット方式が好ましい。

（窒素含有化合物）
　樹脂層は、窒素原子を含む化合物（窒素含有化合物）を含有することが好ましい。
　窒素含有化合物としては、例えば、ヘキサンジアミン、イソシアネート、ポリアミド、ポリウレタン、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物、窒素原子を含有する低分子有機化合物、窒素原子を含有するポリマー等が挙げられる。中でも、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物が好ましい。

（１）芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物
　樹脂層は、硬化性樹脂を用いて形成され、当該硬化性樹脂が窒素含有化合物として、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有することが好ましい。
　これにより、樹脂層に隣接して補助配線を形成する際、補助配線を構成する主成分である金属原子が樹脂層に含有されている芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子と相互作用し、補助配線に対する密着性を向上させることができる。

　本発明において、「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」とは、非共有電子対を有する窒素原子であって、当該非共有電子対が不飽和環状化合物の芳香族性に必須要素として直接的に関与していない窒素原子のことをいう。すなわち、共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、非共有電子対が、化学構造式上、芳香性発現のために必須のものとして関与していない窒素原子をいう。

　本発明で規定する「芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子」は、その非共有電子対を補助配線の主成分である金属原子と強い相互作用を発現するために重要である。そのような窒素原子としては、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。
　窒素原子と金属原子との間に働く相互作用の強さは、窒素原子の求核性の強さから推察できる。すなわち、求核性が強いほど、これらの金属原子への配位力も強く、相互作用も強い、というものである。

　芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物を含有する硬化性樹脂を用いた樹脂層の成膜方法としては、湿式法を用いる方法として塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等や、乾式法を用いる方法として蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等が挙げられる。湿式法で用いる有機溶媒としては、特に制限はないが、高い汎用性及び環境負荷の抑制という観点から、エタノール、ｎ－プロパノール、２－プロパノール、ＰＧＭＥ（１－メトキシ－２－プロパノール）、酢酸メチル、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）及び水のうちいずれかであることが好ましい。

　樹脂層は、硬化性樹脂を含有する塗布液を支持基板上に塗布し、その後、支持基板上の塗布液を加熱又は光照射等をすることで形成される。したがって、硬化前の段階で意図しない反応が起こることは好ましくなく、塗布液を高温加熱し、気化させて成膜する蒸着法等の乾式法よりも、温和な条件で成膜できる湿式法を用いる方が好ましい。

　以下に、樹脂層に含有される芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物の具体例（モノマーの状態）を示すが、これらに限定されるものではない。

（２）窒素原子を含有する低分子有機化合物
　窒素原子を含有する低分子有機化合物としては、融点が８０℃以上であり、かつ、分子量Ｍが１５０～１２００の範囲内にある化合物が好ましい。また、窒素原子を含有する低分子有機化合物は、銀等との相互作用が大きい方が好ましく、例えば、含窒素複素環化合物、フェニル基置換アミン化合物が挙げられる。

　窒素原子を含有する有機化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義すると、窒素原子を含有する低分子有機化合物とは、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０^－３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物であり、３．９×１０^－３≦［ｎ／Ｍ］であることが更に好ましい。

　ここでいう［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せず、かつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。

　ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造をいい、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」（ｎ＝０、又は自然数）個であることを条件としている。

　以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子が芳香族性に関与しない非共有電子対を有していれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。

　これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対の全てが芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。

　なお、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。

　窒素原子を有する有機化合物が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば、化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。

　以下に、樹脂層を構成する窒素原子を含有する低分子有機化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^－３≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物として、以下の例示化合物Ｎｏ．１～Ｎｏ．４３を示す。

　なお、下記に示す例示化合物Ｎｏ．３１の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち、銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。

　上記した化合物Ｎｏ．１～Ｎｏ．４３について、［有効非共有電子対］の個数（ｎ）、分子量（Ｍ）及び有効非共有電子対含有率（ｎ／Ｍ）を表１に示す。

　窒素原子を含有する低分子有機化合物として、更に上記した化合物Ｎｏ．１～Ｎｏ．４３の他に、下記化合物Ｎｏ．４４及びＮｏ．４５を挙げることができる。

（３）窒素原子を含有するポリマー
　また、本発明においては、樹脂層に適用する窒素原子を含有する有機化合物として、ポリマーを用いることができる。

　本発明に適用可能な窒素原子を含有するポリマーは、重量平均分子量が１０００～１００００００の範囲内にあるポリマーが好ましい。

　本発明に係るポリマーとしては、特に制限はないが、下記一般式（Ｐ１）で表される部分構造、又は下記一般式（Ｐ２）で表される部分構造を有するポリマーを含むことが好ましい。

　上記一般式（Ｐ１）において、Ａ^１は２価の窒素原子含有基を表し、Ｙ^１は、２価の有機基又は単結合手を表す。ｎ１は、重量平均分子量が１０００～１００００００の範囲内となる繰り返し数である。

　上記一般式（Ｐ２）において、Ａ^２は１価の窒素原子含有基を表す。ｎ２は、１以上の整数を表す。ｎ２は好ましくは１～３の整数であり、更に好ましくは合成容易性の点から１又は２である。ｎ２が２以上である場合、複数のＡ^２はそれぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、ポリマー中に複数のＡ^２が含まれる場合、Ａ^２はそれぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　上記一般式（Ｐ２）において、Ａ^３及びＡ^４は２価の窒素原子含有基を表す。Ａ^３及びＡ^４は同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｎ３及びｎ４は、それぞれ０又は１を表す。

　上記一般式（Ｐ２）において、Ｙ^２は（ｎ２＋２）価の有機基を表す。

　含窒素ポリマーとして、上記一般式（Ｐ１）又は（Ｐ２）で表される部分構造を有するポリマーは、上記一般式（Ｐ１）又は（Ｐ２）由来の単一の構成単位のみから構成される単独重合体（ホモポリマー）であってもよいし、上記一般式（Ｐ１）又は（Ｐ２）由来の２種以上の構成単位から構成される共重合体（コポリマー）であってもよい。

　また、上記一般式（Ｐ１）又は（Ｐ２）で示される構造単位に加えて、含窒素置換基を持たない他の構造単位（以下、単に「他の構造単位」とも称する。）を更に有し、共重合体（コポリマー）を形成していてもよい。

　本発明に適用する窒素原子含有のポリマーにおいて、窒素原子を有していない他の構造単位を有する場合、他の構造単位の含有量は窒素原子を有するポリマーによる効果を損なわない程度であれば特に制限されないが、他の構造単位由来の単量体の含有量が、全構造単位由来の単量体中、１０～７５ｍｏｌ％の範囲内であり、好ましくは２０～５０ｍｏｌ％の範囲内である。

　上記一般式（Ｐ１）又は（Ｐ２）で表される部分構造を有するポリマーの末端は、特に制限されず、使用される原料（単量体）の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。

　上記一般式（Ｐ２）において、Ａ^２で表される１価の窒素原子含有基は、窒素原子を含む有機基であれば特に制限されない。例えば、アミノ基、ジチオカルバメート基、チオアミド基、シアノ基（－ＣＮ）、イソニトリル基（－Ｎ^＋≡Ｃ－）、イソシアナート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）、チオイソシアナート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、又は、置換若しくは無置換の含窒素芳香族環を含む基が挙げられる。

　以下に、窒素原子を含有する下記のモノマー単位から構成されるポリマーの具体例を示すが、本発明においてはこれら例示するモノマーに限定されない。なお、本発明に係る窒素原子を含有するポリマーは、下記に示すモノマー単位を、重量平均分子量が１０００～１００００００となる範囲の繰り返し数で構成されている。

（硫黄含有化合物）
　樹脂層は、硫黄原子を含む化合物（硫黄含有化合物）を含有することが好ましい。

（１）硫黄原子を含有する有機化合物
　硫黄原子を含有する有機化合物としては、分子内にスルフィド結合（チオエーテル結合ともいう。）、ジスルフィド結合、メルカプト基、スルホン基、チオカルボニル結合等を有していればよく、特に、スルフィド結合、メルカプト基であることが好ましい。

　具体的には、下記一般式（１）～一般式（４）で表される含硫黄化合物を挙げることができる。

　上記一般式（１）において、Ｒ_１及びＲ_２は、それぞれ独立に、置換基を表す。

　Ｒ_１及びＲ_２で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

　上記一般式（２）において、Ｒ_３及びＲ_４は、置換基を表す。
　Ｒ_３及びＲ_４で表される置換基としては、Ｒ_１及びＲ_２と同様の置換基が挙げられる。

　上記一般式（３）において、Ｒ_５は、置換基を表す。
　Ｒ_５で表される置換基としては、Ｒ_１及びＲ_２と同様の置換基が挙げられる。

　上記一般式（４）において、Ｒ_６は、置換基を表す。
　Ｒ_６で表される置換基としては、Ｒ_１及びＲ_２と同様の置換基が挙げられる。

　以下に、樹脂層に適用可能な硫黄原子を含有する有機化合物の具体例を挙げる。

（２）硫黄原子を含有するポリマー
　また、樹脂層においては、硫黄原子を含有するポリマーを用いることができる。硫黄原子を含有するポリマーの重量平均分子量は、１０００～１００００００の範囲内であることが好ましい。

　本発明に適用可能な硫黄原子を含有するポリマーとしては、特に制限はなく、例えば、下記のモノマー単位から構成されるポリマーを挙げることができる。なお、カッコ外に付記した数値は、それぞれのモノマー単位の構成比率（モル比）を表す。

　上記した硫黄原子を含有するポリマーの重量平均分子量を、表２に示す。

　窒素原子を含有するポリマーあるいは硫黄原子を含有するポリマーの重量平均分子量は、室温環境下で、下記の測定条件に従って測定した値である。

（測定条件）
　装置：東ソー社製　高速ＧＰＣ装置　ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ
　カラム：ＴＯＳＯＨ　ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＭ－Ｍ
　検出器：ＲＩ及び／又はＵＶ
　溶出液流速：０．６ｍｌ／分
　温度：３０℃
　試料濃度：０．１質量％
　試料量：１００μｌ
　検量線：標準ポリスチレンにて作製：標準ポリスチレンＳＴＫ　ｓｔａｎｄａｒｄ　ポリスチレン（東ソー（株）製）Ｍｗ＝１００００００～５００までの１３サンプルを用いて検量線（校正曲線ともいう。）を作成し、分子量の算出に使用した。ここで、１３サンプルは、ほぼ等間隔にした。

〈吸収層（１２）〉
　本発明の有機ＥＬ素子においては、有機機能層の発光機能を変調する際の照射光を吸収するような材料、特に赤外線吸収剤を含有する吸収層を設けてもよい。これにより、赤外線吸収剤が発熱を促進し、有機機能層の発光機能の変調を加速させることができる。吸収層は、平面視したときに、補助配線と重複する部分にのみ設けてもよい。
　また、本発明においては、不透明な補助配線材料に赤外線吸収剤を混合し、赤外線を照射し、有機機能層の発光機能を変調させることもできる。

　赤外線吸収剤としては、公知の種々の赤外線吸収剤を用いることができ、例えば、シアニン化合物、メロシアニン化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジイモニウム化合物、アミニウム化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフタロシアニン系化合物などを用いることができる。
　具体的には、金属錯体系赤外線吸収剤（三井化学社製：ＳＩＲ－１３０、ＳＩＲ１３２）、ビス（ジチオベンジル）ニッケル（みどり化学社製：ＭＩＲ－１０１）、ビス［１，２－ビス（ｐ－メトキシフェニル）－１，２－エチレンジチオレート］ニッケル（みどり化学社製：ＭＩＲ－１０２）、テトラ－ｎ－ブチルアンモニウムビス（シス－１，２－ジフェニル－１，２－エチレンジチオレート）ニッケル（みどり化学社製：ＭＩＲ－１０１１）、テトラ－ｎ－ブチルアンモニウムビス［１，２－ビス（ｐ－メトキシフェニル）－１，２－エチレンジチオレート］ニッケル（みどり化学社製：ＭＩＲ－１０２１）、ビス（４－ｔｅｒｔ－１，２－ブチル－１，２－ジチオフェノレート）ニッケル－テトラ－ｎ－ブチルアンモニウム（住友精化社製：ＢＢＤＴ－ＮＩ）、シアニン系赤外線吸収剤（富士写真フィルム社製：ＩＲＦ－１０６、ＩＲＦ－１０７）、無機塩系赤外線吸収剤（帝国化学産業社製：ＮＩＲ－ＡＭ１）、イモニウム化合物（日本カーリット社製：ＣＩＲ－１０８０、ＣＩＲ－１０８１）、アミニウム化合物（日本カーリット社製：ＣＩＲ－９６０、ＣＩＲ－９６１）、アントラキノン系化合物（日本化薬社製：ＩＲ－７５０）、アミニウム系化合物（日本化薬社製：ＩＲＧ－００２、ＩＲＧ－００３、ナガセケムテックス社：ＩＲ－ＡＭ１）、ポリメチン系化合物（日本化薬社製：ＩＲ－８２０Ｂ）、ジイモニウム系化合物（日本化薬社製：ＩＲＧ－０２２、ＩＲＧ－０２３、ナガセケムテックス社：ＮＩＲ－ＩＭ１）、ジアニン化合物（日本化薬社製：ＣＹ－２、ＣＹ－４、ＣＹ－９）、可溶性フタロシアニン（日本触媒社製：ＴＸ－３０５Ａ）などを用いることができる。

〈帯電防止層〉
　本発明の有機ＥＬ素子においては、支持基板の一方の面に帯電防止層を有していてもよい。帯電防止層は、帯電防止剤と、帯電防止剤を保持するためのバインダー樹脂から構成される。

　帯電防止層は、帯電防止剤として有機帯電防止剤を含有することが好ましい。
　有機帯電防止剤としては、共役系ポリマー及びイオン性ポリマーから選ばれる１種以上を含むことが好ましい。また、帯電防止層は、その他の導電性ポリマーや帯電防止剤を含んで構成されていてもよい。

　帯電防止層においては、積層時に脱着しやすい金属酸化物粒子を帯電防止剤として含有しないことが好ましい。このため、帯電防止層の全質量に対する金属酸化物粒子の含有量は、５質量％以下であることが好ましく、２質量％以下がより好ましく、金属酸化物粒子を含有しない構成が特に好ましい。帯電防止層に含有されないことが好ましい金属酸化物粒子としては、例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＭｏＯ_２、Ｖ_２Ｏ_５等、又はこれらの複合酸化物を挙げることができる。ただし、ＳｉＯ_２は帯電防止層に含有されないことが好ましい金属酸化物粒子の規定からは除外する。

（有機帯電防止剤）
　有機帯電防止剤とは、基本的には帯電防止能を有する有機材料から構成されている。有機帯電防止剤は、帯電防止層を形成する際に、帯電防止層の裏面側のシート抵抗値を１×１０^１１Ω／ｓｑ．以下、好ましくは１×１０^１０Ω／ｓｑ．以下、更に好ましくは１×１０^９Ω／ｓｑ．以下とすることができる材料である。
　有機帯電防止剤としては、従来公知の界面活性剤型帯電防止剤、シリコーン系帯電防止剤、有機ホウ酸系帯電防止剤、高分子系帯電防止剤、帯電防止ポリマー材料等を挙げることができる。特に、有機帯電防止剤として、イオン導電性物質等を用いることが帯電防止層の帯電防止の観点から好ましい。イオン導電性物質は、電気伝導性を示すイオンを含有する物質である。イオン導電性物質としては、例えば、共役系ポリマーやイオン性ポリマーを挙げることができる。

（共役系ポリマー）
　共役系ポリマーとしては、下記（１）～（８）を、接続基を介して側鎖に持つポリマーのπ電子導電性ポリマー複合体等を挙げることができる。
　（１）脂肪族共役系：ポリアセチレンのような炭素－炭素の共役系で交互に長く連なっているポリマーで、例えば、ポリアセチレン、ポリ（１，６－ヘプタジエン）等
　（２）芳香族共役系：ポリ（パラフェニレン）のような芳香族炭化水素が長く結合する共役が発達したポリマーで、例えば、ポリパラフェニレン、ポリナフタレン、ポリアントラセン等
　（３）複素環式共役系：ポリピロール、ポリチオフェンのような複素環式化合物が結合して共役系が発達したポリマーで、例えば、ポリピロールとその誘導体、ポリフランとその誘導体、ポリチオフェンとその誘導体、ポリイソチオナフテンとその誘導体、ポリセレノフェンとその誘導体等
　（４）含ヘテロ原子共役系：ポリアニリンのような脂肪族又は芳香族の共役系をヘテロ原子で結合したポリマーで、ポリアニリンとその誘導体等、ポリ（パラフェニレンスルフィド）とその誘導体、ポリ（パラフェニレンオキシド）とその誘導体、ポリ（パラフェニレンセレニド）とその誘導体、また、脂肪族系では、ポリ（ビニレンスルフィド）、ポリ（ビニレンオキシド）、ポリ（ビニレンセレニド）等
　（５）混合型共役系：ポリ（フェニレンビニレン）のような上記共役系の構成単位が交互に結合した構造を持つ共役系ポリマーで、例えば、ポリ（パラフェニレンビニレン）とその誘導体、ポリ（ピロールビニレン）とその誘導体、ポリ（チオフェンビニレン）とその誘導体、ポリ（フランビニレン）とその誘導体、ポリ（２，２′－チエニルピロール）とその誘導体等
　（６）複鎖型共役系：分子中に複数の共役鎖を持つ共役系で、芳香族共役系に近い構造を有しているポリマーで、例えば、ポリペリナフタレン等
　（７）金属フタロシアニン系：金属フタロシアニン類又はこれらの分子間をヘテロ原子や共役系で結合したポリマーで、例えば、金属フタロシアニン等
　（８）導電性複合体：上記共役系ポリマー鎖を飽和ポリマーにグラフト共重合したポリマー及び飽和ポリマー中で上記共役系ポリマーを重合することで得られる複合体で、例えば、３）のポリチオフェン（誘導体を含む。）、ポリピロール（誘導体を含む。）、４）のポリアニリン（誘導体を含む。）等を、また、５）のポリ（パラフェニレンビニレン）（その誘導体を含む。）、ポリ（チオフェンビニレン）（その誘導体を含む。）等

（イオン性ポリマー）
　イオン性ポリマーとしては、下記（１）～（３）等を挙げることができる。
　（１）特公昭４９－２３８２８号公報、特公昭４９－２３８２７号公報、特公昭４７－２８９３７号公報等に見られるようなアニオン性高分子化合物
　（２）特公昭５５－７３４号公報、特開昭５０－５４６７２号公報、特公昭５９－１４７３５号公報、特公昭５７－１８１７５号公報、特公昭５７－１８１７６号公報、特公昭５７－５６０５９号公報等に見られるような、主鎖中に解離基を持つアイオネン型ポリマー
　（３）特公昭５３－１３２２３号公報、特公昭５７－１５３７６号公報、特公昭５３－４５２３１号公報、特公昭５５－１４５７８３号公報、特公昭５５－６５９５０号公報、特公昭５５－６７７４６号公報、特公昭５７－１１３４２号公報、特公昭５７－１９７３５号公報、特公昭５８－５６８５８号公報、特開昭６１－２７８５３号公報、特公昭６２－９３４６号公報等に見られるような、側鎖中にカチオン性解離基を持つカチオン性ペンダント型ポリマー

（導電性ポリマー）
　帯電防止層を構成する導電性ポリマーとしては、特開平９－２０３８１０号公報に記載されているアイオネン導電性ポリマー又は分子間架橋を有する第４級アンモニウムカチオン導電性ポリマー等を挙げることができる。

（その他の帯電防止剤）
　帯電防止層を構成するその他の帯電防止剤としては、例えば、特開２００６－２６５２７１号公報、特開２００７－７０４５６号公報、特開２００９－６２４０６号公報等に記載されている帯電防止ハードコート剤を用いることができる。また、市販品としても入手可能な、例えば、アイカ工業社の帯電防止剤等も適宜選択して用いることができる。

（バインダー樹脂）
　帯電防止層において帯電防止剤を保持するためのバインダー樹脂としては、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートフタレート、又はセルロースナイトレート等のセルロース誘導体、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、又はコポリブチレン／テレ／イソフタレート等のポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザール等のポリビニルアルコール誘導体、ノルボルネン化合物を含有するノルボルネン系ポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリプロピルチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、アクリル樹脂と他の樹脂との共重合体を用いることができる。特に、セルロース誘導体、及び、アクリル樹脂が好ましく、更にアクリル樹脂が最も好ましく用いられる。

　帯電防止層に用いられるバインダー樹脂としては、重量平均分子量が４０万以上、ガラス転移温度が８０～１１０℃の範囲内にある熱可塑性樹脂が好ましい。ガラス転移温度は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１に記載の方法にて求めることができる。ここで使用するバインダー樹脂は、帯電防止剤層を構成する全樹脂質量の６０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上であり、必要に応じて活性線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を適用することもできる。

〈下地層〉
　本発明に係る支持基板には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや下地層を設けることができる。表面処理や下地層については、従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理及びレーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。
　また、下地層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。下地層は単層でもよいが、接着性を向上させるために、２層以上の構成にしてもよい。

〈ガスバリアー層〉
　有機ＥＬ素子は、素子内部に微量の水分や酸素が存在すると容易に性能劣化が生じてしまうことから、水分や酸素に対して高い遮蔽能を有するガスバリアー層を設けることが好ましい。

　ガスバリアー層を形成した支持基板は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％における水蒸気透過度が、１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下であることが好ましく、更には、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０^－３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）（ここで、１ａｔｍは、１．０１３２５×１０^５Ｐａである）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％における水蒸気透過度が、１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下であることがより好ましい。

　ガスバリアー層の組成や構造及びその形成方法には特に制限はなく、シリカ等の無機化合物による層を真空蒸着やＣＶＤ法により形成することができる。例えば、従来公知のケイ素含有ポリマー改質層やケイ素化合物層を、単独又は組み合わせてガスバリアー層を構成することができる。

　ガスバリアー層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法及びコーティング法などを用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものも好ましい。また、ポリシラザン含有液を湿式塗布方式により塗布及び乾燥し、形成された塗布膜に波長２００ｎｍ以下の真空紫外光（ＶＵＶ光）を照射して、形成した塗布膜に改質処理を施して、ガスバリアー層を形成する方法も好ましい。

《有機ＥＬ素子の製造方法》
　本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、少なくとも、透明導電層と補助配線とから構成される電極を形成する工程と、有機機能層を形成する工程と、を有し、更に、平面視したときに、少なくとも、補助配線と有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能を変調する工程と、を有することを特徴とする。
　以下、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の各工程について、説明する。

〈電極を形成する工程〉
　本発明に係る電極を形成する工程では、支持基板上に、補助配線を形成した後、当該補助配線を被覆するように透明導電層を形成する。

（補助配線形成用塗布液を塗布する工程）
　補助配線は、金属又は金属の形成材料が配合された補助配線形成用塗布液を支持基板上に塗布することにより形成される。補助配線の形成方法としては特に制限はなく、従来公知の方法が利用できる。補助配線の形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法、塗布法、印刷法を応用した方法等を利用できる。

　補助配線形成用塗布液は、後述の金属ナノ粒子と溶媒とを含有し、分散剤、粘度調整剤、バインダー等の添加剤が含有されてもよい。補助配線形成用塗布液に含有される溶媒としては特に制限はないが、中赤外線照射により効率的に溶媒を揮発できる点で、ＯＨ基を有する化合物であることが好ましく、水、アルコール、グリコールエーテルが好ましい。

　補助配線形成用塗布液に用いる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、プロパノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、テトラデカノール、ヘキサデカノール、ヘキサンジオール、ヘプタンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオール、ファルネソール、デデカジエノール、リナロール、ゲラニオール、ネロール、ヘプタジエノール、テトラデセノール、ヘキサデセネオール、フィトール、オレイルアルコール、デデセノール、デセノール、ウンデシレニルアルコール、ノネノール、シトロネロール、オクテノール、ヘプテノール、メチルシクロヘキサノール、メントール、ジメチルシクロヘキサノール、メチルシクロヘキセノール、テルピネオール、ジヒドロカルベオール、イソプレゴール、クレゾール、トリメチルシクロヘキセノール、グリセリン、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ヘキシレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘプタンジオール、プロパンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。

　印刷法により補助配線を形成する場合には、一般的に電極パターン形成に使われる方法が適用可能である。具体的な例として、グラビア印刷法については特開２００９－２９５９８０号公報、特開２００９－２５９８２６号公報、特開２００９－９６１８９号公報、特開２００９－９０６６２号公報記載の方法等が、フレキソ印刷法については特開２００４－２６８３１９号公報、特開２００３－１６８５６０号公報記載の方法等が、スクリーン印刷法については特開２０１０－３４１６１号公報、特開２０１０－１０２４５号公報、特開２００９－３０２３４５号公報記載の方法等が、インクジェット印刷法については特開２０１１－１８０５６２号公報、特開２０００－１２７４１０号公報、特開平８－２３８７７４号公報記載の方法等が例として挙げられる。

　フォトリソグラフィー法により補助配線を形成する場合には、具体的には、支持基板上の全面に、印刷又は塗布にて補助配線形成用塗布液を塗布し、後述する乾燥処理及び焼成処理を行った後、公知のフォトリソグラフィー法を用いてエッチングすることにより、所望のパターンに加工する。

（補助配線形成用塗布液を乾燥する工程）
　補助配線形成用塗布液を塗布した後、補助配線形成用塗布液の乾燥処理を行うことが好ましい。
　乾燥処理は、公知の乾燥法を用いて行うことができる。乾燥法としては、例えば、空冷乾燥、温風等を用いた対流伝熱乾燥、赤外線等を用いた輻射電熱乾燥、ホットプレート等を用いた伝導伝熱乾燥、真空乾燥、マイクロ波を用いた内部発熱乾燥、ＩＰＡ蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、ロタゴニ乾燥、凍結乾燥等を用いることができる。

　加熱乾燥では、５０～２００℃の温度範囲内で、支持基板の変形がない温度で行うことが好ましい。支持基板の表面温度が、５０～１５０℃の範囲内となる条件で加熱することがより好ましい。支持基板にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）支持基板を用いる場合は、１００℃以下で加熱することが特に好ましい。
　乾燥時間は、温度や使用する金属ナノ粒子の大きさにもよるが、１０秒～３０分の範囲内であることが好ましく、生産性の観点から、１０秒～１５分の範囲内であることがより好ましく、１０秒～５分の範囲内であることが特に好ましい。

　乾燥処理においては、赤外線照射による乾燥処理を行うことが好ましい。特に、波長制御赤外線ヒーター等により特定の波長領域を選択的に照射することが好ましい。特定の波長領域を選択的に用いることにより、支持基板の吸収領域のカットや、補助配線形成用塗布液の溶媒に有効な特定の波長を選択的に照射することができる。特に、光源のフィラメント温度が、１６００～３０００℃の範囲内にある赤外線ヒーターを用いることが好ましい。

（補助配線の焼成工程）
　次に、補助配線の焼成処理を行う。
　なお、補助配線形成用塗布液に含有される金属組成物の種類（例えば、後述の有機π接合配位子を有する銀コロイド等）によっては、乾燥処理を行えば十分に導電性が発現されるため、焼成工程を行わなくてもよい。

（フラッシュ光の照射による焼成）
　補助配線の焼成は、フラッシュランプを用いたパルス光の照射（フラッシュ焼成）により行うことが、電極の導電性向上のため好ましい。フラッシュ焼成で用いられるフラッシュランプの放電管としては、キセノン、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の放電管を用いることができるが、キセノンランプを用いることが好ましい。

　フラッシュランプの好ましいスペクトル帯域としては、２４０～２０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内であれば、フラッシュ焼成による支持基板の熱変形等のダメージが少ない。

　フラッシュランプの光照射条件は任意であるが、光照射エネルギーの総計が０．１～５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲内であることが好ましく、０．５～１０Ｊ／ｃｍ^２の範囲内であることがより好ましい。光照射時間は、１０μ秒～１００ｍ秒の範囲内が好ましく、１００μ秒～１０ｍ秒の範囲内がより好ましい。また、光照射回数は１回でも複数回でもよく、１～５０回の範囲内で行うのが好ましい。これらの好ましい条件範囲でフラッシュ光照射を行うことにより、支持基板にダメージを与えることなく補助配線を焼成することができる。

　支持基板に対するフラッシュランプ照射は、支持基板の補助配線が形成されている側から行うことが好ましい。支持基板が透明な場合には、支持基板の補助配線が形成されている側とは反対側から照射してもよく、また、支持基板の両面から照射してもよい。

　フラッシュ焼成の際の支持基板の表面温度は、支持基板の耐熱温度や補助配線形成用塗布液に含有される溶媒の分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、金属細線パターン形成用塗布液の分散性や酸化性等の熱的挙動などを考慮して決定すればよく、室温（２５℃）～２００℃の範囲内で行うことが好ましい。

　フラッシュランプの光照射装置は、上記の照射エネルギー、照射時間を満足するものであればよい。また、フラッシュ焼成は大気中で行ってもよいが、必要に応じ、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。

〈有機機能層を形成する工程〉
　有機機能層の形成方法としては、特に制限はなく、従来公知の、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう。）等による形成方法を用いることができる。
　湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア－ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。

　有機機能層材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。

　また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。

　成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０～４５０℃、真空度１×１０^－６～１×１０^－２Ｐａ、蒸着速度０．０１～５０ｎｍ／秒、支持基板温度－５０～３００℃、厚さ０．１ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。

　有機機能層の形成は、１回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。

〈発光機能を変調する工程〉
　補助配線と有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能を変調する方法としては、紫外線、マイクロ波、赤外線の照射、レーザー照射、高周波電流の印加等が挙げられ、中でも、紫外線照射又はレーザー照射により発光機能を変調することが好ましい。

　図５には、真空紫外線照射装置の一例を示している。
　図５に示すように、真空紫外線照射装置２０は、ステージ２４上に補助配線が形成された支持基板２を載せてチャンバー２２内を搬送する。チャンバー２２内は、排気によって水蒸気が除去され、不活性ガスの導入により酸素濃度が一定に調整されている。ステージ２４はヒーターを内蔵し、支持基板２を加熱することが可能である。
　チャンバー２２内は、遮蔽板２６によって支持基板２の搬送方向Ｖに沿って三つのゾーンに分けられ、中央のゾーンには複数のＸｅエキシマランプ２８が設置されている。
　Ｘｅエキシマランプ２８は、電源を内蔵するホルダー３０によって支持され、点灯制御される。支持基板２を、このＸｅエキシマランプ２８が設置されたゾーン内を通過させることにより、真空紫外線を照射することができる。

　レーザーとは、光を発振器を用いて増幅させることにより発生され、コヒーレント（可干渉）な光（電磁波）である。レーザーは、単色であり（波長の半値幅が小さい。）、指向性に優れているなどの特徴がある。単色性、指向性が強いので、小さい面積にエネルギーを集中しやすいなどの利点がある。

　レーザーは、媒質（誘導放出を起こす物質）により、気体レーザー、固体レーザー、半導体レーザーなどに分類される。
　気体レーザーは、単色性、指向性がよく、出力が高い。気体レーザーとしては、例えば、ＣＯ２レーザー（波長１０６００ｎｍ）、Ｈｅ－Ｎｅレーザー（６３２ｎｍ）、Ａｒレーザー（４８８ｎｍ、５１４ｎｍ）などがある。
　固体レーザーは、装置が小型にできるという利点があるほか、発信出力が大きいという特徴がある。固体レーザーとしては、例えば、Ｅｒ：ＹＡＧレーザー（２９６０ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（１０６４ｎｍ）があり、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第２高周波（５３０ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第３高周波（３５０ｎｍ）なども用いられている。
　半導体レーザーは、更に小型にでき、比較的安価に製造できるという特徴がある。半導体のｐｎ接合に正孔と電子とを注入することで発光させる。半導体レーザーとしては、例えば、ＡｌＧａＡｓ半導体のレーザーがあり、種々の発光波長のものがある。

　本発明で用いられるレーザーは、上記した気体レーザー、固体レーザー、半導体レーザーなどに特に制限されないが、真空中で使用しやすいことから、固体レーザーや半導体レーザーが好ましい。
　また、レーザー出力としては、電極や発光層などを剥離させることなく、発光機能を変調させるのに十分な出力に適宜設定して用いればよい。

　光照射による発光機能の変調は、有機機能層を形成してから行ってもよいし、上部電極を形成してから行ってもよいが、上部電極が反射性を有するため、有機機能層形成後、上部電極形成前に行うことが好ましい。
　また、トップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合（上部電極が透明導電層と補助配線から構成されている場合）には、上部電極が光透過性を有するため、有機機能層形成後、上部電極形成前に光照射を行ってもよいし、上部電極形成後に光照射を行ってもよい。

〈封止〉
　本発明の有機ＥＬ素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止基板と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止基板としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、電気絶縁性は特に限定されない。
　封止基板としては、具体的には、前述の支持基板に用いられるのと同様の材料を用いることができる。
　封止基板は、支持基板と同様に、ガスバリアー層を設けることが好ましい。また、封止基板には、帯電防止層を設けてもよい。

　本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^－３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が、１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

　接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（２液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
　なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温（２５℃）から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止基板への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

　また、有機機能層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機機能層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
　封止膜と接着剤との屈折率差は、透過率を高めるという点から、小さいほうが好ましい。

　さらに、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

　以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［実施例１］
《有機ＥＬ素子の作製》
〈有機ＥＬ素子１０１の作製〉
（１）支持基板の準備
　両面を表面活性化処理した、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製のルミラー（登録商標）Ｕ４８）の一方の面に、下記の方法で有機帯電防止剤を含む帯電防止層を形成した。

（１．１）帯電防止層（有機帯電防止剤）の形成
　下記の方法に従って、コロイダルシリカ含有単量体（Ａ）を調製し、このコロイダルシリカ含有単量体（Ａ）を用いて、有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤（Ａ）を調製した。そして、この有機帯電防止剤を用いて帯電防止層を形成した。

（コロイダルシリカ含有単量体（Ａ）の調製）
　溶媒として酢酸エチルを用いて分散したコロイダルシリカ（ＳｉＯ_２成分３０質量％、平均粒子径２０ｎｍ、日産化学（株）製）の１３０質量部に、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）（分子量１５５、昭和電工（株）製）の３０質量部と、触媒としてジラウリン酸ジ－ｎ－ブチルスズ（ＤＢＴＤＬ）を０．１質量部加えて、室温（２５℃）で２４時間撹拌した。赤外分光法によりイソシアネート基の反応の確認を行い、エバボレーターで溶媒である酢酸エチルを除去して、コロイダルシリカ含有単量体（Ａ）を得た。

（帯電防止ハードコート剤（Ａ）の調製）
　上記で製造したコロイダルシリカ含有単量体（Ａ）（不揮発分：３６質量％）の１００質量部に、Ｌｉ^＋／ＣＦ_３ＳＯ_３ ^－のメチルエチルケトン溶液（不揮発分：５０質量％、三光化学工業（株）製）の５質量部を混合して撹拌した。開始剤としては、Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７（ＢＡＳＦジャパン社製）を１質量部加え、有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤（Ａ）を調製した。

（帯電防止層の形成）
　次に、支持基板上に、調製した有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤（Ａ）を、硬化後の厚さが１０μｍとなる条件で、塗布及び乾燥した。この後、８０Ｗ／ｃｍの水銀灯を用い、３００ｍＪの条件で紫外線照射処理を行い、有機帯電防止剤からなる帯電防止層を形成した。

（１．２）下地層の形成
　次に、ＰＥＴフィルムのもう一方の面に厚さ２μｍの下地層を形成した。具体的には、ＵＶ硬化型樹脂オプスター（登録商標）Ｚ７５２７（ＪＳＲ社製）を、乾燥後の厚さが２μｍとなるように塗布した。塗膜を８０℃で乾燥した後、大気下で高圧水銀ランプを用いて照射エネルギー量が０．５Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射する硬化処理を施した。

（１．３）ガスバリアー層の形成
　下地層を形成したＰＥＴフィルムを１２０ｍｍ×１００ｍｍの大きさで切り出し、下地層上に、ケイ素含有ポリマー改質層を、以下のようにして形成した。

　無触媒のパーヒドロポリシラザンの２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＮ１２０－２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラメチル－１，６－ジアミノヘキサン）を固形分の５質量％含有するパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＡＸ１２０－２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）とを、４：１の割合で混合し、更に厚さの調整のためにジブチルエーテルで適宜希釈して、塗布液を調製した。

　下地層上に調製した塗布液をダイコーターで乾燥後の厚さが１００ｎｍとなるように塗布し、８０℃で２分間乾燥した。図５に示す真空紫外線照射装置に波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用いて、この真空紫外線照射装置により、乾燥後の塗膜に、２．５ｍＪ／ｃｍ^２の真空紫外線を照射する改質処理を施して、ケイ素含有ポリマー改質層を形成した。真空紫外線の照射時、酸素濃度が０．１体積％の雰囲気となるように、窒素による置換を行った。また、ＰＥＴフィルムを設置するステージの温度を８０℃とし、ステージの搬送速度を０．５ｍ／ｍｉｎとした。

　続いて、厚さ３００ｎｍのケイ素化合物層をプラズマＣＶＤ法によりそれぞれ形成し、ガスバリアー層付き支持基板を得た。
　ケイ素化合物層の成膜条件は、以下のとおりである。

　原料ガス（ヘキサメチルジシロキサン：ＨＭＤＳＯ）の供給量：５０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｃｕｂｉｃ　Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ　ｐｅｒ　Ｍｉｎｕｔｅ）
　酸素ガス（Ｏ_２）の供給量：５００ｓｃｃｍ
　真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
　プラズマ発生用電源からの印加電力：１．２ｋＷ
　プラズマ発生用電源の周波数：８０ｋＨｚ
　フィルムの搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ

　さらに、ケイ素含有ポリマー改質層を上記と同様にして、３００ｎｍの膜厚となるように塗布し、紫外線硬化した。

（２）樹脂層の形成
（２．１）樹脂層形成用塗布液の塗布
　ガスバリアー層まで形成した基板を７０ｍｍ×７０ｍｍに裁断し、アクリル樹脂として、日立化成製ヒタロイド７９７５Ｄをスピンコーターにて塗布した。膜厚は、乾燥後の厚さが１μｍになるように調整した。不要な部分は、拭き取り、除去した。
　続いて、７０℃のホットプレートで３分間乾燥させ、更に、赤外線（ＩＲ）ヒーターを用いた輻射伝熱乾燥を５分間行った。

（２．２）樹脂層形成用塗布液の硬化
　次に、図５に示す真空紫外線照射装置に波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用いて、この真空紫外線照射装置により、乾燥後の塗膜に２．５ｍＪ／ｃｍ^２の真空紫外線を照射し重合させた。

（３）下部電極（陽極）の形成
（３．１）不透明な補助配線のパターン形成
　樹脂層まで形成した支持基板上（樹脂層側）に、インクジェット装置を用いて、銀ナノインク（ハリマ化成製　ＮＰＳ－ＪＬ）を、９０ｍｍ×５０μｍ幅、１ｍｍピッチのストライプパターンにて、補助配線を形成した。この際、十分な高さが得られるように３回重ね塗りを行った。
　インクジェット装置は、コニカミノルタ（株）製インクジェットヘッドＫＭ５１２ＳＨＸを取り付けた卓上型ロボット　Ｓｈｏｔｍａｓｔｅｒ－３００（武蔵エンジニアリング社製）を用い、インクジェット評価装置ＥＢ１５０（コニカミノルタ（株）製）にて制御した。
　続いて、７０℃のホットプレートで３分間乾燥させ、更に、赤外線（ＩＲ）ヒーターを用いた輻射伝熱乾燥を５分間行った。
　補助配線のストライプパターンは、発光面積が５０ｍｍ×５０ｍｍになるように形成した。

（３．２）不透明な補助配線の焼成
　補助配線を描画した支持基板に対して、Ｎｏｖａｃｅｎｔｒｉｘ社製ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１３００を用いてキセノン光を照射し、焼成を行った。
　キセノン光は、５００μｓ周期で、２５０μｓのパルス発光とし、１５００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーを与えられるように調整し、照射した。

（３．３）透明導電層の形成
　市販のスパッタ装置に、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ（９０質量％：１０質量％）のターゲットを取り付け、以下の条件にて、厚さ２５０ｎｍのＩＺＯからなる透明導電層を形成した。

　全圧：０．４ＭＰａ
　アルゴン流量：９９ｓｃｃｍ
　酸素流量：１ｓｃｃｍ
　出力：５Ｗ／ｃｍ^２

（４）有機機能層の形成
　作製した下部電極上に、以下のようにして、各種有機層を形成した。

　真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、それぞれ素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。

　真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、下記化合物Ｍ－４の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で下部電極上に蒸着し、厚さ１５ｎｍの正孔注入層を形成した。

　次いで、下記化合物Ｍ－２の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で陽極上に蒸着し、厚さ５０ｍの正孔輸送層を形成した。

　次いで、下記化合物ＢＤ－１及び下記化合物Ｈ－１を、化合物ＢＤ－１が５質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、厚さ１５ｎｍの青色発光を呈する蛍光発光層を形成した。

　次いで、下記化合物ＧＤ－１、下記化合物ＲＤ－１及び下記化合物Ｈ－２を、化合物ＧＤ－１が１７質量％、化合物ＲＤ－１が０．８質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、厚さ１５ｎｍの黄色を呈するリン光発光層を形成した。

　その後、下記化合物ＥＴ－１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。

　さらに、ＬｉＦを厚さ１．５ｎｍにて電子注入層を形成した。

（５）上部電極（陰極）の形成
　続いて、アルミニウムを１００ｎｍ蒸着し、上部電極とした。

（６）封止膜の形成
　以下の条件で、窒化ケイ素膜をデポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置によって成膜し、封止膜を形成した。窒化ケイ素膜の膜厚は、３００ｎｍとした。

　窒化ケイ素膜は、基材に対面するように設けられた電極と、この電極にプラズマ励起電力を供給する高周波電源と、基材を保持する保持部材に対してバイアス電力を供給するバイアス電源と、電極に向けてキャリアガスや原料ガスを供給するガス供給手段と、を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置で成膜した。
　成膜ガスは、シランガス（ＳｉＨ_４）、アンモニアガス（ＮＨ_３）、窒素ガス（Ｎ_２）及び水素ガス（Ｈ_２）を用いた。これらのガスの供給量は、シランガスが１００ｓｃｃｍ、アンモニアガスが２００ｓｃｃｍ、窒素ガスが５００ｓｃｃｍ、水素ガスが５００ｓｃｃｍとした。
　また、成膜圧力は、５０Ｐａとした。
　電極には、高周波電源から周波数１３．５ＭＨｚで３０００Ｗのプラズマ励起電力を供給した。さらに、保持部材には、バイアス電源から５００Ｗのバイアス電力を供給した。

（７）封止
（７．１）接着剤組成物の調製
　ポリイソブチレン系樹脂（Ａ）として「オパノールＢ５０（ＢＡＳＦ製、Ｍｗ：３４万）」１００質量部、ポリブテン樹脂（Ｂ）として「日石ポリブテン　グレードＨＶ－１９００（新日本石油社製、Ｍｗ：１９００）」３０質量部、ヒンダードアミン系光安定剤（Ｃ）として「ＴＩＮＵＶＩＮ７６５（ＢＡＳＦジャパン製、３級のヒンダードアミン基を有する。）」０．５質量部、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（Ｄ）として「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦジャパン製、ヒンダードフェノール基のβ位が二つともターシャリーブチル基を有する。）」０．５質量部、及び環状オレフィン系重合体（Ｅ）として「Ｅａｓｔｏｔａｃ　Ｈ－１００Ｌ　Ｒｅｓｉｎ（イーストマンケミカル．Ｃｏ．製）」５０質量部を、トルエンに溶解し、固形分濃度約２５質量％の接着剤組成物を調製した。

（７．２）封止基板の作製
　上記で作製したガスバリアー層付き支持基板を用意し、これをそのまま封止基板とした。次に、調製した上記接着剤組成物の溶液を乾燥後に形成される接着層の厚さが２０μｍとなるように封止基板の（上部電極側となる）ガスバリアー層側の表面に塗工し、１２０℃で２分間乾燥させて接着層を形成した。次に、形成した接着層面に対して、剥離シートとして、厚さ３８μｍの剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルムの剥離処理面を貼付して、封止基板を作製した。

　上述の方法で作製した封止基板を、窒素雰囲気下２４時間以上放置した。
　放置後、剥離シートを除去し、８０℃に加熱した真空ラミネーターで有機ＥＬ素子の上部電極を覆う形でラミネートした。さらに、１２０℃で３０分加熱し封止し、有機ＥＬ素子１０１を作製した。

（紫外線照射効果の確認）
　紫外線照射の効果を確認した。
　具体的には、有機ＥＬ素子１０１の作製において、電子注入層（ＬｉＦ）まで成膜した素子全面に、真空中にて、紫外線吸収フィルター（五鈴精工硝子株式会社製）を配置し、ＵＶテスター（岩崎電気株式会社製、ＳＵＶ－Ｗ１５１：１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて、成膜面側から紫外線を３０分間照射した。
　紫外線吸収フィルターは、３２０ｎｍ以下の波長成分の光透過率が５０％以下のもの（カット波長：３２０ｎｍ）を用いた。
　紫外線照射後に、有機ＥＬ素子１０１の作製と同様に、上部電極を成膜し、膜封止、封止を行った。
　同様に、６０分間、１２０分間、紫外線照射した素子を用意した。
　それぞれに５０Ａ／ｍ^２の電流を流し、電流－電圧特性を評価すると、表３に示すように電圧が上昇した。

　表３から、紫外線照射により電荷輸送層の機能が一部失われたことが確認された。

〈有機ＥＬ素子１０２の作製〉
　有機ＥＬ素子１０１の作製において、電子注入層（ＬｉＦ）まで成膜した素子全面に、真空中にて、パターンマスク及び紫外線吸収フィルター（五鈴精工硝子株式会社製）を配置し、ＵＶテスター（岩崎電気株式会社製、ＳＵＶ－Ｗ１５１：１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて、成膜面側から紫外線を３０分間照射した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０２を作製した。

　パターンマスクは、不透明な補助配線のみに紫外線があたるようなマスクとした。
　紫外線吸収フィルターは、３２０ｎｍ以下の波長成分の光透過率が５０％以下のもの（カット波長：３２０ｎｍ）を用いた。

〈有機ＥＬ素子１０３の作製〉
　有機ＥＬ素子１０２の作製において、紫外線照射時間を６０分間とした以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０３を作製した。

〈有機ＥＬ素子１０４の作製〉
　有機ＥＬ素子１０２の作製において、紫外線照射時間を１２０分間とした以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０４を作製した。

〈有機ＥＬ素子１０５の作製〉
　有機ＥＬ素子１０１の作製において、電子注入層（ＬｉＦ）まで成膜した素子全面に、真空中にて、パターンマスク及び紫外線吸収フィルター（五鈴精工硝子株式会社製）を配置し、ＵＶテスター（岩崎電気株式会社製、ＳＵＶ－Ｗ１５１：１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて、成膜面側から紫外線を３０分間照射した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０５を作製した。

　パターンマスクは、不透明な補助配線及びその周囲３０μｍのみに紫外線があたるようなマスクとした。
　紫外線吸収フィルターは、３２０ｎｍ以下の波長成分の光透過率が５０％以下のもの（カット波長：３２０ｎｍ）を用いた。

《評価》
〈電流効率の測定〉
　作製した有機ＥＬ素子１０１～１０４に５０Ａ／ｍ^２の電流を流し、コニカミノルタ社製二次元色彩輝度計（ＣＡ－２０００）にて発光面全体の輝度を測定した。測定した輝度から、電流効率（ｃｄ／Ａ）を求めた。
　ここで、印加する電流密度の値は、不透明な補助配線部分も含めた面積とした。本実施例では、発光面積を５０ｍｍ×５０ｍｍとしているので、有機ＥＬ素子１０１～１０４に対して、０．１２５Ａの電流を流して測定を行った。
　評価結果を表４に示す。なお、電流効率は、有機ＥＬ素子１０１の電流効率を１００とする相対値で示している。

　また、有機ＥＬ素子１０５について、発光画像を市販のＣＣＤマイクロスコープで拡大観察したところ、不透明な補助配線の周囲３０μｍの発光はほとんど観察されなかった。
　さらに、ＤＣＧシステムズ合同会社製のロックインサーマルシステムを用いて、当該素子にパルス電圧を印加しながら観察を行ったところ、不透明な補助配線及びその周囲３０μｍの温度はその周囲の温度と比較して低くなっていた。
　このことから、光照射部分で発光層の機能が変調されていることがわかった。

　同様に、有機ＥＬ素子１０２～１０４について、ロックインサーマルシステムで観察したところ、不透明な補助配線の温度はその周囲の温度と比較して低くなっていた。
　このことから、光照射部分で発光層の機能が変調されていることがわかった。

　表４から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子と比較して、電流効率に優れていることが確認された。
　以上から、平面視したときに、少なくとも、補助配線と有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能が変調されていることが、電流効率に優れた有機ＥＬ素子を提供することに有用であることがわかる。

［実施例２］
《有機ＥＬ素子の作製》
〈有機ＥＬ素子２０１の作製〉
　実施例１の有機ＥＬ素子１０１の作製において、下部電極（陽極）及び上部電極（陰極）の発光面積が、２ｍｍ×２ｍｍとなるようにパターン形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０１を作製した。

（レーザー照射効果の確認）
　レーザー照射の効果を確認した。
　具体的には、有機ＥＬ素子２０１の作製において、電子注入層（ＬｉＦ）まで成膜した素子前面に、波長５３２ｎｍの出力１０ｍＷのレーザーを直径１００μｍに絞り、発光面を走査速度０．５０ｍｍ／ｓｅｃで走査し、全面に光があたるようにした。
　レーザー照射後に、有機ＥＬ素子２０１の作製と同様に、上部電極を成膜し、膜封止、封止を行った。
　同様に、走査速度を０．２５ｍｍ／ｓｅｃ、０．１７ｍｍ／ｓｅｃとした素子を用意した。
　走査速度を変えた各素子について、駆動電圧の変化を確認すると、表５に示すように、電圧が上昇した。

　表５から、レーザー照射により電荷輸送層の機能が一部失われたことが確認された。

〈有機ＥＬ素子２０２の作製〉
　実施例１の有機ＥＬ素子１０２の作製において、紫外線照射に代えて、補助配線に上記確認実験で用いたレーザーを照射した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０２を作製した。走査速度は、０．５０ｍｍ／ｓｅｃとした。

〈有機ＥＬ素子２０３の作製〉
　有機ＥＬ素子２０２の作製において、レーザーの走査速度を０．２５ｍｍ／ｓｅｃとした以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０３を作製した。

〈有機ＥＬ素子２０４の作製〉
　有機ＥＬ素子２０２の作製において、レーザーの走査速度を０．１７ｍｍ／ｓｅｃとした以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０４を作製した。

《評価》
　作製した各素子について、実施例１と同様にして、電流効率を評価した。
　評価結果を表６に示す。なお、電流効率は、有機ＥＬ素子２０１の電流効率を１００とする相対値で示している。

　また、実施例１同様に、有機ＥＬ素子２０１～２０４について、ロックインサーマルシステムで観察したところ、不透明な補助配線の温度はその周囲の温度と比較して低くなっていた。
　このことから、光照射部分で発光層の機能が変調されていることがわかった。

　表６から明らかなように、紫外線照射に代えて、レーザー照射した場合であっても、本発明の有機ＥＬ素子が、比較例の有機ＥＬ素子と比較して、電流効率に優れていることが確認された。

［実施例３］
《有機ＥＬ素子の作製》
〈赤外線照射効果の確認用素子の作製〉
　実施例１の有機ＥＬ素子１０１の作製において、支持基板として、下記のものを用いた以外は同様にして、赤外線照射効果の確認用素子を作製した。

（１）支持基板の準備
（１．１）下地層の形成
　両面を表面活性化処理した、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製のルミラー（登録商標）Ｕ４８）の一方の面に、厚さ２μｍの下地層を形成した。具体的には、ＵＶ硬化型樹脂オプスター（登録商標）Ｚ７５２７（ＪＳＲ社製）を、乾燥後の厚さが２μｍとなるように塗布した。塗膜を８０℃で乾燥した後、大気下で高圧水銀ランプを用いて照射エネルギー量が０．５Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射する硬化処理を施した。

（１．２）ガスバリアー層の形成
　下地層を形成したＰＥＴフィルムを１２０ｍｍ×１００ｍｍの大きさで切り出し、下地層上に、ケイ素含有ポリマー改質層を、以下のようにして形成した。

　無触媒のパーヒドロポリシラザンの２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＮ１２０－２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラメチル－１，６－ジアミノヘキサン）を固形分の５質量％含有するパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＡＸ１２０－２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）とを、４：１の割合で混合し、更に厚さの調整のためにジブチルエーテルで適宜希釈して、塗布液を調製した。

　下地層上に調製した塗布液をダイコーターで乾燥後の厚さが１００ｎｍとなるように塗布し、８０℃で２分間乾燥した。図５に示す真空紫外線照射装置に波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用いて、この真空紫外線照射装置により、乾燥後の塗膜に、２．５ｍＪ／ｃｍ^２の真空紫外線を照射する改質処理を施して、ケイ素含有ポリマー改質層を形成した。真空紫外線の照射時、酸素濃度が０．１体積％の雰囲気となるように、窒素による置換を行った。また、ＰＥＴフィルムを設置するステージの温度を８０℃とし、ステージの搬送速度を０．５ｍ／ｍｉｎとした。

　続いて、厚さ３００ｎｍのケイ素化合物層をプラズマＣＶＤ法によりそれぞれ形成し、ガスバリアー層付き支持基板を得た。
　ケイ素化合物層の成膜条件は、以下のとおりである。

　原料ガス（ヘキサメチルジシロキサン：ＨＭＤＳＯ）の供給量：５０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｃｕｂｉｃ　Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ　ｐｅｒ　Ｍｉｎｕｔｅ）
　酸素ガス（Ｏ_２）の供給量：５００ｓｃｃｍ
　真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
　プラズマ発生用電源からの印加電力：１．２ｋＷ
　プラズマ発生用電源の周波数：８０ｋＨｚ
　フィルムの搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ

　さらに、ケイ素含有ポリマー改質層を上記と同様にして、３００ｎｍの膜厚となるように塗布し、紫外線硬化した。

（１．３）赤外線吸収層の形成
　支持基板のもう一方の面に、アミニウム塩タイプの赤外線吸収剤として、ナガセケムテックス株式会社製のＮＩＲ－ＡＭ１を用い、ＮＩＲ－ＡＭ１を下記組成で溶解し、インクジェット装置にて赤外線吸収剤を塗布した（面全体に塗布を行った。）。

　ＮＩＲ－ＡＭ１　　　　　　　　　　　　１０質量部
　ジアセトンアルコール　　　　　　　　　４５質量部
　エチレングリコールモノブチルエーテル　４５質量部

　インクジェット装置は、有機ＥＬ素子１０１の下部電極の形成で用いた装置と同様のものを使用したが、インクジェットヘッドはコニカミノルタ（株）製ＫＭ５１２ＭＨＸとした。

　続いて、７０℃のホットプレートで３分間乾燥させ、更に、赤外線（ＩＲ）ヒーターを用いた輻射伝熱乾燥を５分間行った。

（１．４）樹脂層の形成
　赤外線吸収層まで形成した基板を７０ｍｍ×７０ｍｍに裁断し、ガスバリアー層上に、アクリル樹脂として、日立化成製ヒタロイド７９７５Ｄをスピンコーターにて塗布した。膜厚は、乾燥後の厚さが１μｍになるように調整した。不要な部分は、拭き取り、除去した。
　続いて、７０℃のホットプレートで３分間乾燥させ、更に、赤外線（ＩＲ）ヒーターを用いた輻射伝熱乾燥を５分間行った。

　次に、図５に示す真空紫外線照射装置に波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用いて、この真空紫外線照射装置により、乾燥後の塗膜に２．５ｍＪ／ｃｍ^２の真空紫外線を照射し重合させた。

（赤外線照射効果の確認）
　赤外線照射の効果を確認した。
　具体的には、確認用素子に、ヘレウス株式会社製近赤外線ランプＺＫＢ６００／８０Ｇを用いて、赤外線を１０分間照射した。
　同様に、２０分間、４０分間、赤外線照射した素子を用意した。
　それぞれに５０Ａ／ｍ^２の電流を流し、電流－電圧特性を評価すると、表７に示すように、電圧が上昇した。

　表７から、赤外線照射により電荷輸送層の機能が一部失われたことが確認された。

〈有機ＥＬ素子３０１の作製〉
　確認用素子の作製において、赤外線吸収層を補助配線と対向するように重複する部分にのみ設け、パターンマスクを重ねて赤外線を１０分間照射した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３０１を作製した。

〈有機ＥＬ素子３０２の作製〉
　有機ＥＬ素子３０１の作製において、赤外線を２０分間照射した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３０２を作製した。

〈有機ＥＬ素子３０３の作製〉
　有機ＥＬ素子３０１の作製において、赤外線を４０分間照射した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３０３を作製した。

《評価》
　作製した各素子について、実施例１と同様にして、電流効率を評価した。
　評価結果を表８に示す。なお、電流効率は、有機ＥＬ素子１０１の電流効率を１００とする相対値で示している。

　また、実施例１同様に、有機ＥＬ素子３０１～３０３について、ロックインサーマルシステムで観察したところ、不透明な補助配線の温度はその周囲の温度と比較して低くなっていた。
　このことから、光照射部分で発光層の機能が変調されていることがわかった。

　表８から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子と比較して、電流効率に優れていることが確認された。
　以上から、赤外線吸収層を設けた場合であっても、有機機能層の発光機能が変調され、電流効率に優れた有機ＥＬ素子を提供できることがわかる。

　本発明は、電流効率に優れた有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することに、特に好適に利用することができる。

１　有機ＥＬ素子
２　支持基板
４　下部電極
　４ａ　透明導電層
　４ｂ　補助配線
６　有機機能層
８　上部電極
１０　樹脂層
１２　吸収層
２０　真空紫外線照射装置
２２　チャンバー
２４　ステージ
２６　遮蔽板
２８　Ｘｅエキシマランプ
３０　ホルダー
１００　有機ＥＬ素子
１０２　支持基板
１０４　下部電極
　１０４ａ　透明導電層
　１０４ｂ　補助配線
１０６　有機機能層
１０８　上部電極
Ｌ１、Ｌ２　発光光
Ｔ　重複領域
Ｖ　搬送方向

Claims (4)

1. 　支持基板上に、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、上部電極とが順次積層された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
   　前記下部電極又は前記上部電極のうちいずれかの電極が、透明導電層と、不透明な補助配線とから構成され、
   　平面視したときに、少なくとも、前記補助配線と前記有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能が、変調されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 　支持基板上に、下部電極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、上部電極とが順次積層され、前記下部電極又は前記上部電極のうちいずれかの電極が、透明導電層と、不透明な補助配線とから構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
   　少なくとも、
   　前記透明導電層と前記補助配線とから構成される電極を形成する工程と、
   　前記有機機能層を形成する工程と、
   を有し、更に、
   　平面視したときに、少なくとも、前記補助配線と前記有機機能層のうちの少なくとも１層とが重複する領域の一部分の発光機能を変調する工程と、
   を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
3. 　前記発光機能を変調する工程では、紫外線照射により、少なくとも前記重複する領域の一部分の発光機能を変調することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
4. 　前記発光機能を変調する工程では、レーザー照射により、少なくとも前記重複する領域の一部分の発光機能を変調することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

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