WO2017061617A1 - パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a composition for forming a passivation layer, a semiconductor substrate with a passivation layer and a manufacturing method thereof, a solar cell element and a manufacturing method thereof, and a solar cell.
- a p-type silicon substrate having a textured structure is prepared so as to promote the light confinement effect and achieve high efficiency, and subsequently, in a mixed gas atmosphere of phosphorus oxychloride (POCl 3 ), nitrogen and oxygen, 800 ° C. to 900 ° C.
- An n-type diffusion layer is uniformly formed by performing several tens of minutes at a temperature.
- phosphorus is diffused using a mixed gas
- n-type diffusion layers are formed not only on the surface but also on the side surface and the back surface. Therefore, side etching is performed to remove the n-type diffusion layer formed on the side surface.
- the n-type diffusion layer formed on the back surface needs to be converted into a p + -type diffusion layer. For this reason, by applying an aluminum paste containing aluminum powder and a binder to the entire back surface and heat-treating (baking) it, the n-type diffusion layer is converted into a p + -type diffusion layer and an aluminum electrode is formed. Get ohmic contact.
- the aluminum electrode formed from the aluminum paste has low conductivity.
- the aluminum electrode formed on the entire back surface usually has to have a thickness of about 10 ⁇ m to 20 ⁇ m after heat treatment (firing).
- the thermal expansion coefficient differs greatly between silicon and aluminum, a large internal stress is generated in the silicon substrate during the heat treatment (firing) and cooling in the silicon substrate on which the aluminum electrode is formed, and the grain boundary Cause damage, crystal defect growth, and warping.
- a point contact technique has been proposed in which an aluminum paste is applied to a part of the surface of a silicon substrate to partially form a p + -type diffusion layer and an aluminum electrode (for example, see Patent Document 1). ).
- a solar cell having a point contact structure on the surface opposite to the light receiving surface hereinafter also referred to as “back surface”
- a SiO 2 film or the like has been proposed as a passivation layer for the back surface (see, for example, Patent Document 2).
- a passivation effect by forming such a SiO 2 film there is an effect of terminating the dangling bonds of silicon atoms in the back surface layer portion of the silicon substrate and reducing the surface state density causing recombination. .
- Such a passivation effect is generally called a field effect, and an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) film or the like has been proposed as a material having a negative fixed charge (see, for example, Patent Document 3).
- Such a passivation layer is generally formed by a method such as an ALD (Atomic Layer Deposition) method or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method (for example, see Non-Patent Document 1).
- ALD Atomic Layer Deposition
- CVD Chemical Vapor Deposition
- Non-Patent Document 1 Since the method described in Non-Patent Document 1 includes complicated manufacturing processes such as vapor deposition, it may be difficult to improve productivity. Moreover, in the composition for forming a passivation layer used in the methods described in Non-Patent Documents 2 and 3, since the spin coating method is included in the manufacturing process, it may be difficult to form a film in a target pattern in a short process. .
- an embodiment of the present invention has been made in view of the above-described conventional circumstances, and it is possible to form a passivation layer having a good film quality, excellent pattern formability, and excellent passivation effect by a simple technique. It is an object to provide a composition for forming a passivation layer.
- an embodiment of the present invention is a semiconductor substrate with a passivation layer having a passivation layer having good film quality, excellent pattern formation, and an excellent passivation effect, a manufacturing method thereof, and a solar cell having excellent conversion efficiency. It is an object to provide a solar cell having an element, a manufacturing method thereof, and excellent conversion efficiency.
- ⁇ 1> comprising a compound represented by the following general formula (I) and water, A composition for forming a passivation layer, which is applied to a semiconductor substrate by a printing method and becomes a passivation layer having an average thickness after heat treatment of 200 nm or less.
- M (OR 1 ) m (I)
- M represents at least one selected from the group consisting of Al, Nb, Ta, VO, Y, and Hf.
- R 1 independently represents an alkyl group or an aryl group.
- m represents an integer of 1 to 5.
- composition for forming a passivation layer according to ⁇ 1> comprising a hydrolyzate of the compound represented by the general formula (I).
- each R 2 independently represents an alkyl group.
- n represents an integer of 1 to 3.
- X 2 and X 3 each independently represent an oxygen atom or a methylene group.
- R 3 , R 4 and R 5 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
- ⁇ 4> a semiconductor substrate;
- a semiconductor substrate with a passivation layer A semiconductor substrate with a passivation layer.
- ⁇ 5> The semiconductor substrate with a passivation layer according to ⁇ 4>, wherein an average thickness of the passivation layer is 200 nm or less.
- ⁇ 6> forming a composition layer by applying the passivation layer forming composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3> to at least a part of at least one surface of the semiconductor substrate; Heat-treating the composition layer to form a passivation layer; The manufacturing method of the semiconductor substrate with a passivation layer which has this.
- ⁇ 7> The method for producing a semiconductor substrate with a passivation layer according to ⁇ 6>, wherein the step of forming the composition layer by applying the composition for forming a passivation layer includes a screen printing method.
- ⁇ 8> a semiconductor substrate having a pn junction part in which a p-type layer and an n-type layer are pn-junction;
- a passivation layer that is a heat treatment product of the composition for forming a passivation layer according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, provided on at least a part of at least one surface of the semiconductor substrate;
- An electrode disposed on at least one of the p-type layer and the n-type layer;
- a solar cell element having
- ⁇ 10> The passivation according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein at least part of at least one surface of a semiconductor substrate having a pn junction formed by pn junction of a p-type layer and an n-type layer is provided.
- the method for producing a solar cell element according to ⁇ 10>, wherein the step of forming the composition layer by applying the composition for forming a passivation layer includes a screen printing method.
- a solar cell having:
- a composition for forming a passivation layer capable of forming a passivation layer with good film quality, excellent pattern formability, and excellent passivation effect by a simple technique. Can do.
- the semiconductor substrate with a passivation layer including a passivation layer having a good film quality, excellent pattern formability, and an excellent passivation effect, its manufacturing method, and excellent conversion efficiency
- a solar cell element, a manufacturing method thereof, and a solar cell having excellent conversion efficiency can be provided.
- the composition for forming a passivation layer of the present invention a semiconductor substrate with a passivation layer and a method for producing the same, a solar cell element and a method for producing the same, and a mode for carrying out the solar cell will be described in detail.
- the present invention is not limited to the following embodiments.
- the constituent elements including element steps and the like) are not essential unless explicitly specified, unless otherwise clearly considered essential in principle.
- the term “process” is not limited to an independent process, and is included in this term if the purpose of the process is achieved even when it cannot be clearly distinguished from other processes.
- a numerical range indicated by using “to” indicates a range including the numerical values described before and after “to” as the minimum value and the maximum value, respectively.
- the content of each component in the composition means the total amount of the plurality of types of substances present in the composition unless there is a specific indication when there are a plurality of types of substances corresponding to the respective components in the composition.
- the term “layer” includes a configuration of a shape formed in part in addition to a configuration of a shape formed on the entire surface when observed as a plan view. Further, in this specification, “layer” may be referred to as “film”.
- composition for forming a passivation layer includes a compound represented by the following general formula (I) (hereinafter also referred to as “compound of formula (I)”) and water, and is applied to a semiconductor substrate by a printing method. It is a composition for forming a passivation layer that is applied and becomes a passivation layer having an average thickness after heat treatment of 200 nm or less.
- M represents at least one selected from the group consisting of Al, Nb, Ta, VO, Y, and Hf.
- R 1 independently represents an alkyl group or an aryl group.
- m represents an integer of 1 to 5.
- a passivation layer having an average thickness of 200 nm or less can be formed by a printing method, it is possible to form a passivation layer having excellent pattern forming properties and excellent passivation effect by a simple method.
- the composition for forming a passivation layer according to this embodiment contains the compound of formula (I) and water. Moreover, the composition for forming a passivation layer of this embodiment may contain a hydrolyzate of the compound of formula (I). The composition for forming a passivation layer of the present embodiment may further contain other components as necessary. When the composition for forming a passivation layer according to this embodiment contains the above-described components, it is possible to form a passivation layer having excellent pattern forming properties and excellent passivation effect by a simple method.
- the composition for forming a passivation layer of the present embodiment contains the compound of formula (I) and water, and the composition of the composition for forming a passivation layer is formed by allowing water to act on the compound of formula (I).
- the viscosity ratio at the high shear rate and the low shear rate, that is, the thixo ratio is improved.
- the composition for forming a passivation layer of this embodiment is excellent in pattern formability.
- the composition for forming a passivation layer of the present embodiment is formed by applying water to the compound of formula (I) to improve its thixotropy and applying the composition for forming a passivation layer on a semiconductor substrate.
- the shape stability of the composition layer is further improved, and the passivation layer can be formed in a desired shape in the region where the composition layer is formed. Therefore, in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment, at least one of a thixotropic agent and a resin to be described later (hereinafter, at least one of the thixotropic agent and the resin is referred to as a thixotropic agent or the like) in order to express a desired thixotropic property.
- the amount of addition can be reduced as compared with the conventional passivation layer forming composition.
- the thixotropic agent is thermally decomposed and scattered from the passivation layer through a degreasing process.
- a thermal decomposition product such as a thixotropic agent may remain as an impurity in the passivation layer even after the degreasing step, and the remaining thermal decomposition product such as a thixotropic agent may cause deterioration of the characteristics of the passivation layer.
- the thixotropic agent when forming a passivation layer using a composition for forming a passivation layer containing a thixotropic agent composed of an inorganic substance, the thixotropic agent does not scatter and remains in the passivation layer even after a heat treatment (firing) step. The remaining thixotropic agent may cause deterioration of the characteristics of the passivation layer.
- water or a hydrolyzate of the compound of formula (I) behaves as a thixotropic agent when water acts on the compound of formula (I).
- Water is more likely to scatter from the passivation layer than a conventional thixotropic agent or the like in a heat treatment (firing) step or the like that is performed when the passivation layer is formed using the passivation layer forming composition. For this reason, it is difficult to cause a decrease in the passivation effect of the passivation layer due to the presence of the residue in the passivation layer. Moreover, since there are few residues, it is easy to achieve a desired average thickness of 200 nm or less.
- the following method may be mentioned.
- One is a method of reducing the content of components remaining after heat-treating (firing) the composition for forming a passivation layer. By having little residue, it is easy to achieve a desired average thickness of 200 nm or less.
- One is a method of reducing the amount of the passivation layer forming composition applied on the semiconductor substrate.
- the amount of the passivation layer forming composition to be applied By reducing the amount of the passivation layer forming composition to be applied, the amount of the substance remaining in the passivation layer is reduced, and a desired average thickness of 200 nm or less is easily achieved.
- the passivation effect of a semiconductor substrate is obtained by reflecting the effective lifetime of minority carriers in the semiconductor substrate on which the passivation layer is formed using a reflection microwave photoconductive decay method using a device such as WT-2000PVN manufactured by Nippon Semi-Lab. It can evaluate by measuring by.
- the effective lifetime ⁇ is expressed by the following equation (A) by the bulk lifetime ⁇ b inside the semiconductor substrate and the surface lifetime ⁇ s of the semiconductor substrate surface.
- ⁇ s becomes long, resulting in a long effective lifetime ⁇ .
- the bulk lifetime ⁇ b is increased and the effective lifetime ⁇ is increased. That is, by measuring the effective lifetime ⁇ , the interface characteristics between the passivation layer and the semiconductor substrate and the internal characteristics of the semiconductor substrate such as dangling bonds can be evaluated.
- composition for forming a passivation layer of this embodiment contains at least one compound of formula (I). Moreover, the composition for forming a passivation layer of this embodiment may contain at least one hydrolyzate of the compound of formula (I).
- a passivation layer having an excellent passivation effect can be formed. The reason can be considered as follows.
- the metal oxide formed by heat-treating (firing) the composition for forming a passivation layer containing the compound of formula (I) or a hydrolyzate thereof has defects of metal atoms or oxygen atoms, and generates a fixed charge. It will be easier. When this fixed charge generates charge near the interface of the semiconductor substrate, the concentration of minority carriers can be reduced. As a result, the carrier recombination rate at the interface is suppressed, and an excellent passivation effect is achieved. Conceivable.
- the cross section of the semiconductor substrate is subjected to electron energy loss spectroscopy (EELS, Electron Energy Loss Spectroscopy) using a scanning transmission electron microscope (STEM, Scanning Transmission Electron Microscope). It can be evaluated by examining the binding mode in the analysis of). Further, by measuring an X-ray diffraction spectrum (XRD, X-ray diffraction), the crystal phase near the interface of the passivation layer can be confirmed. Furthermore, the fixed charge of the passivation layer can be evaluated by a CV method (Capacitance Voltage measurement).
- M is at least one selected from the group consisting of Al, Nb, Ta, VO, Y, and Hf.
- the passivation effect, the pattern forming property of the composition for forming a passivation layer, and the passivation From the viewpoint of workability in preparing the layer forming composition, M is preferably at least one selected from the group consisting of Al, Nb, Ta, and Y, and thixo of the passivation layer forming composition. From the viewpoint of properties, Nb is more preferable.
- each R 1 independently represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Is more preferable, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is still more preferable.
- the alkyl group represented by R 1 may be linear or branched.
- alkyl group represented by R 1 examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, A hexyl group, an octyl group, an ethylhexyl group, etc. can be mentioned.
- Specific examples of the aryl group represented by R 1 include a phenyl group.
- the alkyl group and aryl group represented by R 1 may have a substituent. Examples of the substituent for the alkyl group include an amino group, a hydroxy group, a carboxy group, a sulfo group, and a nitro group.
- R 1 is preferably an unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, from the viewpoints of reactivity with water and a passivation effect. preferable.
- m represents an integer of 1 to 5.
- m is preferably 3 when M is Al, m is preferably 5 when M is Nb, and M is Ta.
- m is preferably 5
- m is preferably 3 when m is VO
- m is preferably 3 when M is Y
- M is Hf.
- m is preferably 4.
- M is at least one selected from the group consisting of Al, Nb, Ta and Y, R 1 is an unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and m is An integer of 1 to 5 is preferable.
- the state of the compound of formula (I) may be solid or liquid at 25 ° C.
- the compound of formula (I) is It is preferably liquid at 25 ° C.
- the compounds of formula (I) are specifically aluminum methoxide, aluminum ethoxide, aluminum i-propoxide, aluminum n-propoxide, aluminum n-butoxide, aluminum t-butoxide, aluminum i-butoxide, niobium methoxide.
- a prepared product or a commercially available product may be used as the compound of formula (I).
- commercially available products include pentamethoxyniobium, pentaethoxyniobium, penta-i-propoxyniobium, penta-n-propoxyniobium, penta-i-butoxyniobium and penta-n-butoxyniobium from High Purity Chemical Laboratory Co., Ltd.
- Penta-sec-butoxy niobium pentamethoxy tantalum, pentaethoxy tantalum, penta-i-propoxy tantalum, penta-n-propoxy tantalum, penta-i-butoxy tantalum, penta-n-butoxy tantalum, penta-sec-butoxy tantalum , Penta-t-butoxytantalum, vanadium (V) trimethoxide oxide, vanadium (V) triethoxy oxide, vanadium (V) tri-i-propoxide oxide, vanadium (V) tri-n-propoxide oxide, vanadium (V Tri-i-butoxide oxide, vanadium (V) tri-n-butoxide oxide, vanadium (V) tri-sec-butoxide oxide, vanadium (V) tri-t-butoxide oxide, tri-i-propoxy yttrium, tri-n -Butoxy yttrium, tetramethoxy
- the compound of formula (I) is prepared by reacting a specific metal (M) halide with an alcohol in the presence of an inert organic solvent, and further adding ammonia or amines to extract the halogen (specialty).
- a specific metal (M) halide with an alcohol in the presence of an inert organic solvent, and further adding ammonia or amines to extract the halogen (specialty).
- Known manufacturing methods such as Japanese Utility Model Laid-Open No. 63-227593 and Japanese Patent Laid-Open No. 3-291247) can be used.
- a part of the compound of the formula (I) may be contained in the passivation layer forming composition of the present embodiment as a compound having a chelate structure formed by mixing with a compound having a specific structure having two carbonyl groups described later. Good.
- the presence of the alkoxide structure in the compound of formula (I) can be confirmed by a commonly used analytical method. For example, it can be confirmed using an infrared spectrum, a nuclear magnetic resonance spectrum, a melting point, or the like.
- the content of the compound of formula (I) contained in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment can be appropriately selected as necessary.
- the content of the compound of formula (I) can be 0.1% by mass to 80% by mass in the composition for forming a passivation layer from the viewpoint of reactivity with water and a passivation effect, and 0.5% by mass. It is preferably ⁇ 70% by mass, more preferably 1% by mass to 60% by mass, and still more preferably 1% by mass to 50% by mass.
- the content of the hydrolyzate of the compound of formula (I) that may be contained in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment can be appropriately selected as necessary. From the viewpoint of the passivation effect, the content of the hydrolyzate of the compound of formula (I) can be 0.1% by mass to 80% by mass in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment.
- the mass is preferably from 70% by mass to 70% by mass, more preferably from 1% by mass to 60% by mass, and still more preferably from 1% by mass to 50% by mass.
- the hydrolyzate of the compound of the formula (I) refers to a hydrolysis decomposition product of the compound of the formula (I) obtained by adding water to the compound of the formula (I).
- the composition for forming a passivation layer of the present embodiment contains water.
- the composition for forming a passivation layer of the present embodiment contains water, the composition for forming a passivation layer having excellent pattern forming properties is obtained. The reason can be considered as follows.
- the composition for forming a passivation layer of this embodiment at least a part of the compound of formula (I) reacts with at least a part of water.
- the hydrolyzate of the compound of formula (I), which is a metal compound formed by reacting water with the compound of formula (I) is considered to form a network with the metal compounds. Further, it is considered that this network is easily broken when the composition for forming a passivation layer is flowing, and is re-formed when the composition becomes stationary again. This network increases the viscosity when the composition for forming a passivation layer is stationary, and decreases the viscosity when the composition is flowing. As a result, it is considered that the composition for forming a passivation layer develops thixotropy necessary for pattern formation.
- a passivation layer having excellent pattern forming properties By using a composition for forming a passivation layer having excellent pattern forming properties, a passivation layer having a desired shape can be formed. This makes it possible to manufacture an excellent semiconductor substrate with a passivation layer, a solar cell element, and a solar cell.
- the water state may be solid or liquid. From the viewpoint of miscibility with the compound of formula (I), water is preferably a liquid.
- the content rate of the water contained in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment can be appropriately selected as necessary.
- the water content can be set to 0.01% by mass or more in the composition for forming a passivation layer of this embodiment. 0.03% by mass or more is preferable, 0.05% by mass or more is more preferable, and 0.1% by mass or more is still more preferable.
- the water content can be 0.01% by mass to 80% by mass in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment from the viewpoint of pattern formability and passivation effect, and 0.03% by mass. It is preferably ⁇ 70% by mass, more preferably 0.05% by mass to 60% by mass, and still more preferably 0.1% by mass to 50% by mass.
- the amount of water that has acted on the compound of formula (I) in the composition for forming a passivation layer can be calculated from the amount of alcohol liberated from the compound of formula (I).
- alcohol that is, R 1 OH is liberated from the compound of formula (I).
- the amount of this liberated alcohol is proportional to the number of functional groups of the compound of formula (I) on which water has acted. Therefore, by measuring the amount of this liberated alcohol, the amount of water acting on the compound of formula (I) can be calculated.
- the amount of the liberated alcohol can be confirmed using, for example, gas chromatography mass spectrometry (GC-MS).
- niobium ethoxide When niobium ethoxide is selected as the compound of formula (I), ethanol is liberated when water acts. Ethanol has low toxicity to the human body among alcohols. Therefore, by selecting niobium ethoxide as the compound of formula (I), the material becomes less harmful to the human body.
- the content of alcohol contained in the composition for forming a passivation layer, that is, free R 1 OH is preferably 0.5% by mass to 70% by mass, more preferably 1% by mass to 60% by mass, and more preferably 1% by mass to 50% by mass. More preferred is mass%.
- composition for forming a passivation layer of the present embodiment may contain at least one compound represented by the following general formula (II) (hereinafter referred to as “organoaluminum compound”).
- each R 2 independently represents an alkyl group.
- n represents an integer of 1 to 3.
- X 2 and X 3 each independently represent an oxygen atom or a methylene group.
- R 3 , R 4 and R 5 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
- the passivation effect can be further improved. This can be considered as follows.
- the organoaluminum compound includes compounds called aluminum alkoxide, aluminum chelate and the like, and preferably has an aluminum chelate structure in addition to the aluminum alkoxide structure. Also, Nippon Seramikkusu Kyokai Gakujutsu Ronbunshi, vol. 97, pp 369-399 (1989), the organoaluminum compound becomes aluminum oxide (Al 2 O 3 ) by heat treatment (firing). At this time, since the formed aluminum oxide is likely to be in an amorphous state, a four-coordinate aluminum oxide layer is easily formed in the vicinity of the interface with the semiconductor substrate, and may have a large negative fixed charge due to the four-coordinate aluminum oxide. It is considered possible. At this time, it is considered that a passivation layer having an excellent passivation effect can be formed as a result of compounding with the compound derived from the formula (I) having a fixed charge or an oxide derived from the hydrolyzate thereof.
- the passivation effect is further enhanced by the respective effects in the passivation layer.
- the composite metal alkoxide of metal (M) and aluminum (Al) contained in the compound of formula (I) is used. It is considered that physical properties such as reactivity and vapor pressure are improved, the denseness of the passivation layer as a heat-treated product (baked product) is improved, and as a result, the passivation effect is further enhanced.
- each R 2 independently represents an alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
- the alkyl group represented by R 2 may be linear or branched. Specific examples of the alkyl group represented by R 2 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, A hexyl group, an octyl group, an ethylhexyl group, etc. can be mentioned.
- the alkyl group represented by R 2 is preferably an unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms from the viewpoint of storage stability and a passivation effect, and is an unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. More preferably.
- n represents an integer of 1 to 3. n is preferably 1 or 3 from the viewpoint of storage stability, and more preferably 1 from the viewpoint of solubility.
- X 2 and X 3 each independently represent an oxygen atom or a methylene group. From the viewpoint of storage stability, at least one of X 2 and X 3 is preferably an oxygen atom.
- R 3 , R 4 and R 5 in the general formula (II) each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group represented by R 3 , R 4 and R 5 may be linear or branched.
- the alkyl group represented by R 3 , R 4 and R 5 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, hexyl group, octyl group, and ethylhexyl group. be able to.
- R 3 and R 4 are each independently preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and preferably a hydrogen atom or 1 to 4 carbon atoms.
- the unsubstituted alkyl group is more preferable.
- R 5 is preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms from the viewpoint of storage stability and a passivation effect, and is a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. More preferably.
- the organoaluminum compound is preferably a compound in which n is an integer of 1 to 3, and R 5 is independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
- the organoaluminum compound is such that n is an integer of 1 to 3, R 2 is each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and at least X 2 and X 3 A compound in which one is an oxygen atom, R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. It is preferable.
- n is an integer of 1 to 3
- R 2 is each independently an unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
- at least one of X 2 and X 3 is an oxygen atom
- R 3 or R 4 bonded to the oxygen atom is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
- X 2 or X 3 is a methylene group
- R 3 or R 4 bonded to the methylene group is a hydrogen atom
- More preferably, 5 is a hydrogen atom.
- organoaluminum compound represented by the general formula (II), where n is an integer of 1 to 3 include aluminum ethyl acetoacetate di-propylate and tris (ethyl acetoacetate) aluminum. .
- organoaluminum compound represented by the general formula (II) and n being an integer of 1 to 3 a prepared product or a commercially available product may be used.
- commercially available products include Kawaken Fine Chemical Co., Ltd. trade names, ALCH, ALCH-50F, ALCH-75, ALCH-TR, ALCH-TR-20, and the like.
- An organoaluminum compound represented by the general formula (II) and n is an integer of 1 to 3 is prepared by mixing an aluminum trialkoxide and a compound having a specific structure having two carbonyl groups described later. Can do.
- a commercially available aluminum chelate compound may also be used. When an aluminum trialkoxide and a compound having a specific structure having two carbonyl groups are mixed, at least a part of the alkoxide group of the aluminum trialkoxide is substituted with the compound having the specific structure to form an aluminum chelate structure. At this time, if necessary, a liquid medium may be present, and heat treatment, addition of a catalyst, and the like may be performed.
- the stability of the organoaluminum compound to hydrolysis and polymerization reaction is improved, and the storage stability of the composition for forming a passivation layer containing this is further improved. To do.
- the compound having a specific structure having two carbonyl groups is preferably at least one selected from the group consisting of ⁇ -diketone compounds, ⁇ -ketoester compounds and malonic acid diesters from the viewpoint of reactivity and storage stability.
- Specific examples of the compound having a specific structure having two carbonyl groups include acetylacetone, 3-methyl-2,4-pentanedione, 2,3-pentanedione, 3-ethyl-2,4-pentanedione, and 3-butyl.
- ⁇ -diketone compound methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, n-propyl acetoacetate, i-propyl acetoacetate, i-butyl acetoacetate, n-butyl acetoacetate, t-butyl acetoacetate, n-pentyl acetoacetate, I-pentyl acetoacetate, n-hexyl acetoacetate, n-octyl acetoacetate, n-heptyl acetoacetate, 3-pentyl acetoacetate, 2-acetate Ethyl luheptanoate, ethyl 2-methylacetoacetate, ethyl 2-butylacetoacetate, ethyl hexylacetoacetate, ethyl 4,4-dimethyl-3-oxovalerate, ethyl 4-methyl-3-oxovalerate, eth
- the number of aluminum chelate structures can be controlled, for example, by appropriately adjusting the ratio of mixing aluminum trialkoxide and a compound having a specific structure having two carbonyl groups. Moreover, you may select suitably the compound which has a desired structure from a commercially available aluminum chelate compound.
- organoaluminum compounds from the viewpoint of the passivation effect and the compatibility with the solvent contained as necessary, specifically, at least selected from the group consisting of aluminum ethyl acetoacetate di i-propylate and tri i-propoxy aluminum One is preferably used, and aluminum ethyl acetoacetate di i-propylate is more preferably used.
- an aluminum chelate structure in the organoaluminum compound can be confirmed by a commonly used analysis method. For example, it can be confirmed using an infrared spectrum, a nuclear magnetic resonance spectrum, a melting point, or the like.
- the organoaluminum compound may be liquid or solid and is not particularly limited. From the viewpoint of the passivation effect and storage stability, the homogeneity of the formed passivation layer is further improved by using an organoaluminum compound having good stability at room temperature (25 ° C.) and solubility or dispersibility. A desired passivation effect can be stably obtained.
- the content of the organoaluminum compound is not particularly limited.
- the content of the organoaluminum compound when the total content of the compound of formula (I), the hydrolyzate of the compound of formula (I) contained as necessary, and the organoaluminum compound is 100% by mass is 0.5% to 80% by mass, preferably 1% to 75% by mass, more preferably 2% to 70% by mass, and further preferably 3% to 70% by mass. % Is particularly preferred.
- the passivation effect tends to be improved.
- the content of the organoaluminum compound in the composition for forming a passivation layer can be appropriately selected as necessary.
- the content of the organoaluminum compound may be 0.1% by mass to 60% by mass in the composition for forming a passivation layer, and 0.5% by mass to 55% by mass from the viewpoint of storage stability and a passivation effect. It is preferably 1% by mass to 50% by mass, more preferably 1% by mass to 45% by mass.
- the composition for forming a passivation layer of this embodiment may contain a liquid medium (solvent or dispersion medium).
- a liquid medium capable of dissolving the compound of formula (I) and the organoaluminum compound added as necessary to give a uniform solution is preferable, and more preferably containing at least one organic solvent.
- a liquid medium means a medium in a liquid state at room temperature (25 ° C.).
- liquid medium examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl i-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, Ketone solvents such as diethyl ketone, di-n-propyl ketone, di-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, cyclopentanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, diethyl ether, methyl ethyl ether, methyl -N-propyl ether, di-propyl ether, tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, dioxane, dimethyldioxane, ethylene glycol
- the liquid medium preferably contains at least one selected from the group consisting of a terpene solvent, an ester solvent, and an alcohol solvent, and is selected from the group consisting of a terpene solvent, from the viewpoint of impartability to a semiconductor substrate and pattern formation. More preferably, at least one kind is included.
- the content of the liquid medium is determined in consideration of the imparting property, pattern forming property, and storage stability.
- the content of the liquid medium is preferably 5% by mass to 98% by mass with respect to the total mass of the composition for forming a passivation layer, from the viewpoint of impartability of the composition and pattern formability, and is preferably 10% by mass to More preferably, it is 95 mass%.
- the composition for forming a passivation layer of the present embodiment may further contain at least one resin.
- the shape stability of the composition layer formed by applying the passivation layer forming composition of the present embodiment on the semiconductor substrate is further improved, and the passivation layer is formed in the region where the composition layer is formed. In addition, it can be formed in a desired shape.
- the type of resin is not particularly limited.
- the resin is preferably a resin whose viscosity can be adjusted within a range where a good pattern can be formed when the composition for forming a passivation layer of the present embodiment is applied on a semiconductor substrate.
- Specific examples of the resin include polyvinyl alcohol, polyacrylamide, polyacrylamide derivatives, polyvinylamide, polyvinylamide derivatives, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, polyethylene oxide derivatives, polysulfonic acid, polyacrylamide alkylsulfonic acid, cellulose, and cellulose derivatives (carboxymethylcellulose).
- Cellulose ethers such as hydroxyethyl cellulose and ethyl cellulose
- gelatin gelatin derivatives, starch, starch derivatives, sodium alginate, sodium alginate derivatives, xanthan, xanthan derivatives, guar gum, guar gum derivatives, scleroglucan, scleroglucan derivatives, tragacanth, Tragacanth derivative, dextrin, dextrin derivative, (meta)
- crylic acid resin (meth) acrylic acid ester resin (alkyl (meth) acrylate resin, dimethylaminoethyl (meth) acrylate resin, etc.), butadiene resin, styrene resin, siloxane resin, and copolymers thereof. . These resins are used alone or in combination of two or more.
- (meth) acryl represents acryl or methacryl
- (meth) acrylate represents acrylate or methacrylate.
- the molecular weight of these resins is not particularly limited, and it is preferable to adjust appropriately in view of the desired viscosity as the composition for forming a passivation layer.
- the weight average molecular weight of the resin is preferably from 1,000 to 10,000,000, more preferably from 1,000 to 5,000,000, from the viewpoints of storage stability and pattern formability.
- the weight average molecular weight of resin is calculated
- the content of the resin in the composition for forming a passivation layer can be appropriately selected as necessary.
- the resin content is preferably 0.1% by mass to 50% by mass in the total mass of the composition for forming a passivation layer.
- the resin content is more preferably 0.2% by mass to 25% by mass, and more preferably 0.5% by mass to 20% by mass. Is more preferable, and 0.5 to 15% by mass is particularly preferable.
- the composition for forming a passivation layer of this embodiment is excellent in thixotropy, it is not necessary to develop thixotropy with a resin.
- the content of the resin contained in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment is preferably 0.5% by mass or less, more preferably 0.2% by mass or less, still more preferably 0.1% by mass or less, It is particularly preferable that the resin is substantially not contained.
- the composition for forming a passivation layer of the present embodiment can further contain other components that are usually used in the field as necessary, in addition to the components described above.
- the composition for forming a passivation layer of this embodiment may contain an acidic compound or a basic compound.
- the content of the acidic compound or the basic compound is 1% by mass or less in the composition for forming a passivation layer, respectively. It is preferable that the content is 0.1% by mass or less.
- acidic compounds include Bronsted acid and Lewis acid.
- inorganic acids such as hydrochloric acid and nitric acid
- organic acids such as acetic acid
- basic compounds include Bronsted bases and Lewis bases.
- examples of the basic compound include inorganic bases such as alkali metal hydroxides and alkaline earth metal hydroxides, and organic bases such as trialkylamine and pyridine.
- examples of other components include plasticizers, dispersants, surfactants, thixotropic agents, other metal alkoxide compounds, and high-boiling materials.
- plasticizers dispersants, surfactants, thixotropic agents, other metal alkoxide compounds, and high-boiling materials.
- the shape stability of the composition layer formed by applying the composition for forming a passivation layer of the present embodiment on a semiconductor substrate is further improved, and the passivation layer is formed. It can be formed in a desired shape in the region where the composition layer is formed.
- thixotropic agents include fatty acid amides, polyalkylene glycol compounds, organic fillers, inorganic fillers, and the like.
- polyalkylene glycol compound examples include compounds represented by the following general formula (III).
- R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, and R 8 represents an alkylene group.
- n is an arbitrary integer of 3 or more.
- R 8 in the presence of a plurality of (O-R 8) may or may not be the same.
- fatty acid amides examples include compounds represented by the following general formulas (1), (2), (3) and (4).
- R 9 CONH 2 (1) R 9 CONH-R 10 -NHCOR 9 (2) R 9 NHCO—R 10 —CONHR 9 (3) R 9 CONH—R 10 —N (R 11 ) 2 ... (4)
- R 9 and R 11 each independently represents an alkyl group or alkenyl group having 1 to 30 carbon atoms, and R 10 represents 1 to 10 carbon atoms. Represents an alkylene group. R 9 and R 11 may be the same or different.
- organic filler examples include acrylic resin, cellulose resin, and polystyrene resin.
- Examples of the inorganic filler include particles of silicon dioxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide, zirconium oxide, silicon carbide, glass, and the like.
- the volume average particle diameter of the organic filler or inorganic filler is preferably 0.01 ⁇ m to 50 ⁇ m.
- the volume average particle diameter of the filler can be measured by a laser diffraction scattering method.
- metal alkoxide compounds include titanium alkoxide, zirconium alkoxide, silicon alkoxide and the like.
- a high boiling point material may be used as a material together with or instead of the resin.
- the high boiling point material is preferably a compound that is easily vaporized when heated and does not need to be degreased.
- the high boiling point material is particularly preferably a high boiling point material having a high viscosity capable of maintaining a printed shape after printing and coating.
- An example of a material that satisfies these conditions is isobornylcyclohexanol.
- Isobornyl cyclohexanol is commercially available as “Telsolve MTPH” (Nippon Terpene Chemical Co., Ltd., trade name). Isobornyl cyclohexanol has a high boiling point of 308 ° C. to 318 ° C. When it is removed from the composition layer, it does not need to be degreased by heat treatment (firing) like a resin, but is vaporized by heating. Can be eliminated. For this reason, most of the solvent and isobornyl cyclohexanol contained in the composition for forming a passivation layer as necessary can be removed in the drying step after coating on the semiconductor substrate.
- the content of the high boiling point material is preferably 3% by mass to 95% by mass in the total mass of the passivation layer forming composition. It is more preferably 5% by mass to 90% by mass, and further preferably 7% by mass to 80% by mass.
- the composition for forming a passivation layer of the present embodiment contains at least one oxide selected from the group consisting of Al, Nb, Ta, V, Y, and Hf (hereinafter referred to as “specific oxide”). May be. Since the specific oxide is an oxide generated by heat-treating (sintering) the compound of formula (I), the passivation layer formed from the composition for forming a passivation layer containing the specific oxide has an excellent passivation effect. Is expected to be played.
- the viscosity of the composition for forming a passivation layer of the present embodiment is not particularly limited, and can be appropriately selected according to a method for applying to the semiconductor substrate.
- the viscosity of the composition for forming a passivation layer may be 0.01 Pa ⁇ s to 100,000 Pa ⁇ s.
- the viscosity of the composition for forming a passivation layer is preferably 0.1 Pa ⁇ s to 10,000 Pa ⁇ s.
- the viscosity is measured at 25 ° C. and a shear rate of 1.0 s ⁇ 1 using a rotary shear viscometer.
- the composition for passivation layer formation of this embodiment can be produced by mixing the compound of formula (I), water, and an organoaluminum compound, a liquid medium, a resin, and the like, which are included as necessary, by a commonly used mixing method.
- the components contained in the composition for forming a passivation layer of the present embodiment, and the content of each component include thermal analysis such as TG / DTA, spectral analysis such as NMR and IR, and chromatographic analysis such as HPLC and GPC. Can be used to confirm.
- the semiconductor substrate with a passivation layer of the present embodiment includes a semiconductor substrate and a passivation layer that is a heat treatment product of the composition for forming a passivation layer of the present embodiment provided on at least a part of at least one surface of the semiconductor substrate.
- the semiconductor substrate with a passivation layer of the present embodiment exhibits an excellent passivation effect by having a passivation layer that is a heat-treated product of the composition for forming a passivation layer of the present embodiment.
- the semiconductor substrate is not particularly limited, and can be appropriately selected from those usually used according to the purpose.
- Examples of the semiconductor substrate include those obtained by doping (diffusing) p-type impurities or n-type impurities into silicon, germanium, or the like. Of these, a silicon substrate is preferable.
- the semiconductor substrate may be a p-type semiconductor substrate or an n-type semiconductor substrate. Among these, from the viewpoint of the passivation effect, it is preferable that the surface on which the passivation layer is formed is a semiconductor substrate having a p-type layer.
- the p-type layer on the semiconductor substrate is a p-type layer derived from the p-type semiconductor substrate
- the p-type layer is formed on the n-type semiconductor substrate or the p-type semiconductor substrate as a p-type diffusion layer or a p + -type diffusion layer. It may be a thing.
- the thickness of the semiconductor substrate is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
- the thickness of the semiconductor substrate can be 50 ⁇ m to 1000 ⁇ m, preferably 75 ⁇ m to 750 ⁇ m.
- the average thickness of the passivation layer formed on the semiconductor substrate can be 200 nm or less.
- the difference in thermal stress between the semiconductor substrate and the passivation layer which occurs when the semiconductor substrate with a passivation layer is sintered, can be reduced.
- the average thickness of the passivation layer formed on the semiconductor substrate can be 200 nm or less, preferably 5 nm to 200 nm, more preferably 10 nm to 190 nm, and still more preferably 15 nm to 180 nm.
- the average thickness of the formed passivation layer is calculated as an arithmetic average value by measuring the thickness at 9 points by an ordinary method using an automatic ellipsometer (for example, MARY-102 manufactured by Fibrabo).
- the semiconductor substrate with a passivation layer of the present embodiment can be applied to a solar cell element, a light emitting diode element, or the like.
- the solar cell element excellent in conversion efficiency can be obtained by applying to a solar cell element.
- the method for manufacturing a semiconductor substrate with a passivation layer of the present embodiment includes a step of forming the composition layer by applying the passivation layer forming composition of the present embodiment to at least a part of at least one surface of the semiconductor substrate; Forming a passivation layer by heat-treating (sintering) the composition layer.
- the manufacturing method may further include other steps as necessary.
- the method for producing a semiconductor substrate with a passivation layer of this embodiment preferably further includes a step of applying an alkaline aqueous solution on the semiconductor substrate before the step of forming the composition layer. That is, it is preferable to wash the surface of the semiconductor substrate with an alkaline aqueous solution before applying the passivation layer forming composition of the present embodiment on the semiconductor substrate. By washing with an alkaline aqueous solution, organic substances, particles, and the like present on the surface of the semiconductor substrate can be removed, and the passivation effect is further improved.
- a cleaning method using an alkaline aqueous solution a generally known cleaning method using RCA cleaning or the like can be exemplified.
- the washing time is preferably 10 seconds to 10 minutes, and more preferably 30 seconds to 5 minutes.
- the step of forming the composition layer by applying the passivation layer forming composition of the present embodiment on the semiconductor substrate preferably includes a printing method.
- a printing method include a screen printing method, an ink jet method, a dispenser method, a spin coating method, a brush coating method, a spray method, a doctor blade method, and a roll coating method.
- the screen printing method and the ink jet method are preferable, and the screen printing method is more preferable.
- the application amount of the composition for forming a passivation layer of the present embodiment can be appropriately selected according to the purpose within the range where the average thickness of the passivation layer is 200 nm or less.
- the application amount of the composition for forming a passivation layer is small, a desired average thickness of 200 nm or less is easily achieved.
- a passivation layer is formed on a semiconductor substrate by heat-treating (baking) the composition layer formed by the composition for forming a passivation layer to form a heat-treated material layer (baked material layer) derived from the composition layer.
- the heat treatment (firing) conditions of the composition layer are the compound (I) contained in the composition layer and, if necessary, the organoaluminum compound, a metal oxide or composite oxide that is the heat treated product (firing product).
- the heat treatment (firing) temperature is preferably 300 ° C.
- the heat treatment (firing) time can be appropriately selected according to the heat treatment (firing) temperature and the like. For example, it can be 0.1 to 10 hours, and preferably 0.2 to 5 hours.
- the passivation layer is formed before the step of forming the passivation layer by heat treatment (firing).
- the step of drying the composition layer is capable of removing at least a part of water contained in the composition for forming a passivation layer and at least a part of a liquid medium that may be contained in the composition for forming a passivation layer.
- the drying treatment can be, for example, a heat treatment at 30 ° C. to 250 ° C. for 1 minute to 60 minutes, and is preferably a heat treatment at 40 ° C. to 220 ° C. for 3 minutes to 40 minutes.
- the drying treatment may be performed under normal pressure or under reduced pressure.
- the method for manufacturing a semiconductor substrate with a passivation layer is applied before the step of forming the passivation layer by heat treatment (firing) after applying the composition for forming a passivation layer.
- the step of degreasing the composition layer is not particularly limited as long as at least part of the resin that may be contained in the composition for forming a passivation layer can be removed.
- the degreasing treatment can be, for example, a heat treatment at 250 to 450 ° C. for 10 to 120 minutes, preferably a heat treatment at 300 to 400 ° C. for 3 to 60 minutes.
- the degreasing treatment is preferably performed in the presence of oxygen, and more preferably performed in the air.
- the solar cell element according to the present embodiment is provided on at least a part of a semiconductor substrate having a pn junction part in which a p-type layer and an n-type layer are pn-junction, and at least one surface of the semiconductor substrate.
- a passivation layer which is a heat treatment product of the passivation layer forming composition, and an electrode disposed on at least one of the p-type layer and the n-type layer.
- the solar cell element of this embodiment may further have other components as necessary.
- the solar cell element of this embodiment is excellent in conversion efficiency by having the passivation layer formed from the composition for forming a passivation layer of this embodiment.
- the semiconductor substrate to which the composition for forming a passivation layer of this embodiment is applied is not particularly limited, and can be appropriately selected from those usually used according to the purpose.
- the semiconductor substrate those described in the section of the semiconductor substrate with a passivation layer of this embodiment can be used, and those that can be suitably used are also the same.
- the surface of the semiconductor substrate on which the passivation layer of this embodiment is provided is preferably the back surface of the solar cell element.
- the average thickness of the passivation layer formed on the semiconductor substrate can be appropriately selected according to the purpose within a range of 200 nm or less.
- the average thickness of the passivation layer is preferably 5 nm to 200 nm, more preferably 10 nm to 190 nm, and still more preferably 15 nm to 180 nm.
- one side is a substantially square having a size of 125 mm to 156 mm.
- the passivation layer of the present embodiment is formed on at least a part of at least one surface of a semiconductor substrate having a pn junction formed by pn junction of a p-type layer and an n-type layer.
- the manufacturing method of the solar cell element of this embodiment may further have other processes as needed.
- a solar cell element excellent in conversion efficiency can be produced by a simple method.
- an electrode can be manufactured by applying a paste for forming an electrode such as a silver paste or an aluminum paste to a desired region of a semiconductor substrate and performing a heat treatment (firing) as necessary.
- the surface of the semiconductor substrate on which the passivation layer of this embodiment is provided may be a p-type layer or an n-type layer. Among these, a p-type layer is preferable from the viewpoint of conversion efficiency.
- the details of the method for forming a passivation layer using the composition for forming a passivation layer of the present embodiment are the same as those of the method for manufacturing a semiconductor substrate with a passivation layer described above, and the preferred embodiments are also the same.
- FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for producing a solar cell element having a passivation layer according to the present embodiment.
- this process diagram does not limit the present invention at all.
- size of the member in each figure is notional, The relative relationship of the magnitude
- symbol is provided to the member which has a common function throughout all drawings, and the overlapping description may be abbreviate
- the p-type semiconductor substrate 1 is washed with an alkaline aqueous solution to remove organic substances, particles and the like on the surface of the p-type semiconductor substrate 1. Thereby, the passivation effect improves more.
- a cleaning method using an alkaline aqueous solution a method using generally known RCA cleaning and the like can be mentioned.
- the surface of the p-type semiconductor substrate 1 is subjected to alkali etching or the like to form irregularities (also referred to as texture) on the surface.
- alkali etching an etching solution composed of NaOH and IPA (i-propyl alcohol) can be used.
- an n + -type diffusion layer 2 is formed with a thickness on the order of submicrons, and p A pn junction is formed at the boundary with the mold bulk portion.
- a method for diffusing phosphorus for example, a method of performing several tens of minutes at 800 ° C. to 1000 ° C. in a mixed gas atmosphere of phosphorus oxychloride (POCl 3 ), nitrogen, and oxygen can be cited.
- the n + -type diffusion layer 2 is formed not only on the light receiving surface (front surface) but also on the back surface and side surfaces (not shown) as shown in FIG. Is formed.
- a PSG (phosphosilicate glass) layer 3 is formed on the n + -type diffusion layer 2. Therefore, side etching is performed to remove the side PSG layer 3 and the n + -type diffusion layer 2.
- the PSG layer 3 on the light receiving surface and the back surface is removed using an etching solution such as hydrofluoric acid. Further, as shown in FIG. 1 (5), the back surface is separately etched to remove the n + -type diffusion layer 2 on the back surface.
- an antireflection film 4 made of silicon nitride or the like is provided on the n + type diffusion layer 2 on the light receiving surface by a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method or the like with a thickness of about 90 nm. .
- PECVD Pulsma Enhanced Chemical Vapor Deposition
- the passivation layer forming composition of the present embodiment is applied to a part of the back surface by screen printing or the like, and after drying, heat treatment (baking at a temperature of 300 ° C. to 900 ° C. ) To form a passivation layer 5.
- FIG. 5 an example of the formation pattern of the passivation layer in the back surface is shown as a schematic plan view.
- FIG. 7 is an enlarged schematic plan view of a portion A in FIG.
- FIG. 8 is an enlarged schematic plan view of a portion B in FIG.
- the back surface passivation layer 5 is formed in a dot shape except for the portion where the back surface output extraction electrode 7 is formed in a later step.
- the pattern semiconductor substrate 1 is formed with an exposed pattern.
- the pattern of the dot-shaped openings is defined by the dot diameter (L a ) and the dot interval (L b ), and is preferably arranged regularly.
- the dot diameter (L a ) and the dot interval (L b ) can be set arbitrarily, but from the viewpoint of suppressing the passivation effect and minority carrier recombination, L a should be 5 ⁇ m to 2 mm and L b should be 10 ⁇ m to 3 mm. More preferably, L a is 10 ⁇ m to 1.5 mm and L b is 20 ⁇ m to 2.5 mm, and more preferably L a is 20 ⁇ m to 1.3 mm and L b is 30 ⁇ m to 2 mm.
- the dot diameter (L a ) and the dot interval (L b ) are more regularly arranged in this dot-like opening pattern. For this reason, a preferable dot-shaped opening pattern can be formed by suppressing minority carrier recombination, and the power generation efficiency of the solar cell element is improved.
- a passivation layer having a desired shape is formed by applying the passivation layer forming composition to a portion where the passivation layer is to be formed (portion other than the dot-shaped opening) and heat-treating (sintering).
- the passivation layer forming composition can be applied to the entire surface including the dot-shaped opening, and the passivation layer in the dot-shaped opening can be selectively removed by laser, photolithography, etc. after heat treatment (firing).
- the passivation layer forming composition can be selectively applied by previously masking a portion such as a dot-shaped opening where the passivation layer forming composition is not desired to be applied with a mask material.
- FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of the light receiving surface of the solar cell element.
- the light receiving surface electrode includes a light receiving surface current collecting electrode 8 and a light receiving surface output extraction electrode 9.
- the width of the light receiving surface current collecting electrode 8 is preferably 10 ⁇ m to 250 ⁇ m
- the width of the light receiving surface output extraction electrode 9 is preferably 100 ⁇ m to 2 mm.
- two light receiving surface output extraction electrodes 9 are provided.
- the number of light receiving surface output extraction electrodes 9 may be three or four. it can.
- FIG. 9 is a schematic plan view showing an example of the back surface of the solar cell element.
- the width of the back surface output extraction electrode 7 is not particularly limited, but the width of the back surface output extraction electrode 7 is preferably 100 ⁇ m to 10 mm from the viewpoint of the connectivity of the wiring material in the subsequent manufacturing process of the solar cell.
- the glass particles contained in the silver electrode paste forming the light receiving surface electrode react with the antireflection film 4 (fire through),
- the light-receiving surface electrode (light-receiving surface current collecting electrode 8, light-receiving surface output extraction electrode 9) and the n + -type diffusion layer 2 are electrically connected (ohmic contact).
- the aluminum in the aluminum electrode paste diffuses into the semiconductor substrate 1 by heat treatment (firing). , P + -type diffusion layer 10 is formed.
- FIG. 2 is a cross-sectional view showing another example of a method for manufacturing a solar cell element having a passivation layer according to this embodiment, and the n + -type diffusion layer 2 on the back surface is removed by an etching process. After that, the solar cell element can be manufactured in the same manner as in FIG. 1 except that the back surface is further flattened.
- a technique such as immersing the back surface of the semiconductor substrate in a mixed solution of nitric acid, hydrofluoric acid and acetic acid or a potassium hydroxide solution can be used.
- FIG. 3 is a cross-sectional view showing a process diagram illustrating another example of a method for manufacturing a solar cell element having a passivation layer according to the present embodiment. This method is the same as the method shown in FIG. 1 until the step of forming the texture structure, the n + -type diffusion layer 2 and the antireflection film 4 on the semiconductor substrate 1 (FIGS. 19 (19) to (24)).
- a passivation layer forming composition is applied, and after drying, heat treatment (baking) is performed at 300 ° C. to 900 ° C. to form the passivation layer 5.
- FIG. 6 an example of the formation pattern of the passivation layer in the back surface is shown as a schematic plan view.
- dot-like openings are arranged on the entire back surface, and dot-like openings are also arranged on the portion where the back-surface output extraction electrode is formed in a later step.
- p + -type diffusion layer 10 Form.
- a method of treating at a temperature around 1000 ° C. in a gas containing boron trichloride (BCl 3 ) can be used.
- the method of gas diffusion is the same as in the case of using phosphorus oxychloride, the p + -type diffusion layer 10 is formed on the light receiving surface, the back surface, and the side surface of the substrate. It is necessary to take measures such as masking the portions other than the openings to prevent boron from diffusing into unnecessary portions of the p-type semiconductor substrate 1.
- an aluminum paste is applied to the dot-shaped opening, and this is heat-treated (fired) at a temperature of 450 ° C. to 900 ° C.
- a method may be used in which aluminum is diffused from the portion to form the p + -type diffusion layer 10 and then the heat-treated product layer (baked product layer) made of aluminum paste on the p + -type diffusion layer 10 is etched with hydrochloric acid or the like. .
- the aluminum electrode 11 for backside current collection is formed by physically depositing aluminum on the entire backside.
- a silver electrode paste containing glass particles is applied to the light receiving surface by screen printing or the like, and a silver electrode paste containing glass particles is applied to the back surface by screen printing or the like.
- the silver electrode paste on the light receiving surface is applied in a pattern according to the shape of the light receiving surface electrode shown in FIG. 4, and the silver electrode paste on the back surface is applied in a pattern according to the shape of the back electrode shown in FIG.
- the light receiving surface and the back surface are both heat-treated (fired) at a temperature of about 450 ° C. to 900 ° C. in air, as shown in FIG.
- a light receiving surface collecting electrode 8 and a light receiving surface output extraction electrode 9 are formed on the light receiving surface, and a back surface output extraction electrode 7 is formed on the back surface.
- the light receiving surface electrode and the n + -type diffusion layer 2 are electrically connected on the light receiving surface, and the back surface collecting aluminum electrode 11 and the back surface output extraction electrode 7 formed by vapor deposition are electrically connected on the back surface. Is done.
- the solar cell of this embodiment includes at least one of the solar cell elements of this embodiment, and is configured by arranging a wiring material on the electrode of the solar cell element. That is, the solar cell of this embodiment has the solar cell element of this embodiment and the wiring material disposed on the electrode of the solar cell element.
- the solar cell of the present embodiment is further configured by connecting a plurality of solar cell elements via a wiring material and further sealing with a sealing material as necessary.
- the wiring material and the sealing material are not particularly limited, and can be appropriately selected from those usually used in the technical field.
- composition 1 for forming a passivation layer 3.6627 g of pentaethoxyniobium (Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2), aluminum ethyl acetoacetate di-i-propylate (Kawaken Fine Chemical Co., Ltd.) Name: ALCH) 3.6652 g, Terpineol (Nippon Terpene Chemical Co., Ltd., sometimes abbreviated as TPO) 11.1073 g, Isobornylcyclohexanol (Nippon Terpene Chemical Co., Ltd., sometimes abbreviated as Tersolve) 28.6389 g was mixed and kneaded for 5 minutes, and then 1.3497 g of pure water was added and further kneaded for 5 minutes to prepare a composition 1 for forming a passivation layer.
- pentaethoxyniobium Hokuko Chemical Co., Ltd.
- the prepared composition 1 for forming a passivation layer was printed on the entire surface using a screen printing method on a single crystal p-type silicon substrate (50 mm square, thickness 770 ⁇ m, hereinafter referred to as silicon substrate A) having a mirror surface. Thereafter, the silicon substrate A provided with the passivation layer forming composition 1 was heated at 150 ° C. for 5 minutes to dry the liquid medium by evaporating. Thereafter, another surface of the silicon substrate A was printed and dried. Next, the silicon substrate A was heat-treated (baked) for 10 minutes at a temperature of 700 ° C. and then allowed to cool at room temperature (25 ° C.). The heat treatment (firing) was performed using a diffusion furnace (ACCURON CQ-1200, Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd.) in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. and a holding time of 10 minutes.
- a diffusion furnace ACCURON CQ-1200, Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd.
- the evaluation substrate obtained above was randomly measured at 9 points from the region to which the composition for forming a passivation layer was applied, using an automatic ellipsometer (Mary-102 manufactured by Fibrabo). The average thickness of the nine passivation layers measured was 163 nm.
- the amount of the metal compound applied to the silicon substrate A was determined by calculation from the mass of the applied passivation layer forming composition, the concentration of the metal compound contained in the passivation layer forming composition, and the applied area.
- the “metal compound coating amount” refers to the mass occupied by the metal compound in the mass of the passivation layer forming composition applied to the unit area (100 cm 2 ) of the substrate.
- Silicon substrate B is a single crystal p-type silicon substrate (thickness: 180 ⁇ m) with a textured surface, and is used for 10 minutes with 30% NaOH at 80 ° C. using an automatic substrate cleaning machine (Sanmit Semiconductor Co., Ltd., PV-MECH type 1). After washing to make the surface faceted, it was washed with pure water for 10 minutes and dried by warm air.
- the prepared composition 1 for forming a passivation layer was printed on the entire surface of the silicon substrate B other than the dot-shaped or line-shaped openings by using the screen printing method with the pattern shown in FIG. Screen printing was performed using a screen printer (Neurong Seimitsu Kogyo KK, LZ-0913).
- the dot-shaped opening pattern used in the evaluation has a dot diameter (L a ) of 200 ⁇ m, a dot interval (L b ) of 0.886 mm, a dot diameter (L a ) of 150 ⁇ m, and a dot interval (L b ).
- a dot diameter (L a ) of 100 ⁇ m, and a dot interval (L b ) of 0.443 mm were prepared.
- the line-shaped opening pattern used in the evaluation has a line diameter (L a ) of 200 ⁇ m, a line interval (L b ) of 1.0 mm, a line diameter (L a ) of 150 ⁇ m, and a line interval (L b ) of Three types of 1.0 mm, a line diameter (L a ) of 100 ⁇ m, and a line interval (L b ) of 1.0 mm were prepared. Then, the silicon substrate provided with the composition 1 for forming a passivation layer was heated at 150 ° C.
- the silicon substrate B was heat-treated (fired) at a temperature of 700 ° C. for 10 minutes, and then allowed to cool at room temperature (25 ° C.).
- the heat treatment (firing) was performed using a diffusion furnace (ACCURON CQ-1200, Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd.) under atmospheric conditions under conditions of a maximum temperature of 700 ° C. and a holding time of 10 minutes.
- the evaluation substrate used for the evaluation of the pattern forming property was used as it was.
- the evaluation substrate was randomly selected from an area having a dot diameter (L a ) of 150 ⁇ m and a dot interval (L b ) of 0.664 mm at a magnification of 50 times. The point was measured.
- the case where cracks were observed in the range of the three measured points was evaluated as A, the case where cracks were observed such that the substrate surface was exposed as C, and the case other than the above as B. If evaluation is A or B, the pattern formability of the composition for forming a passivation layer is good.
- the evaluation substrate used for measuring the average thickness of the passivation layer was used as it was.
- the effective lifetime of the evaluation substrate obtained above was measured by a reflected microwave photoconductive decay method at room temperature (25 ° C.) using a lifetime measurement apparatus (Nippon Semi-Lab Co., Ltd., WT-2000PVN).
- the effective lifetime of the region to which the passivation layer forming composition was applied was 1004 ⁇ s.
- Example 2 In Example 1, the blending amount was changed. Specifically, the content of each component was changed to 3.7780 g of pentaethoxyniobium (Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2), and 8.9443 g of terpineol. In the same manner as in Example 1, except that 32.4268 g of isobornylcyclohexanol, 3.7807 g of aluminum ethyl acetoacetate di-i-propylate, and 1.3922 g of pure water were changed. Composition 2 was prepared. Thereafter, in the same manner as in Example 1, measurement of the average thickness of the passivation layer, evaluation of pattern formation, evaluation of cracks, and measurement of effective lifetime were performed.
- pentaethoxyniobium Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2
- Example 3 In Example 1, the blending amount was changed. Specifically, the content of each component is 2.5175 g of pentaethoxyniobium (Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2), and 12.2784 g of terpineol. In the same manner as in Example 1, except that 31.9857 g of isobornylcyclohexanol, 2.5192 g of aluminum ethylacetoacetate di-i-propylate, and 0.9277 g of pure water were changed. Composition 3 was prepared. Thereafter, in the same manner as in Example 1, measurement of the average thickness of the passivation layer, evaluation of pattern formation, evaluation of cracks, and measurement of effective lifetime of the composition 3 for forming a passivation layer were performed.
- pentaethoxyniobium Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight
- Example 4 In Example 1, the blending amount was changed. Specifically, the content of each component is 2.5184 g of pentaethoxyniobium (Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2), and 9.7742 g of terpineol. In the same manner as in Example 1, except that 34.1519 g of isobornylcyclohexanol, 2.5202 g of aluminum ethyl acetoacetate di-i-propylate, and 0.9281 g of pure water were changed. Composition 4 was prepared. Thereafter, in the same manner as in Example 1, measurement of the average thickness of the passivation layer, evaluation of pattern formation, evaluation of cracks, and measurement of effective lifetime of the composition 4 for forming a passivation layer were performed.
- pentaethoxyniobium Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular
- Example 5 In Example 1, no organoaluminum compound was used. Specifically, the content of each component was pent926 niobium (Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2) 4.8926 g and terpineol 10.8615 g.
- a composition 4 for forming a passivation layer was prepared in the same manner as in Example 1, except that 32.4981 g of isobornylcyclohexanol and 0.7934 g of pure water were changed. Thereafter, in the same manner as in Example 1, measurement of the average thickness of the passivation layer, evaluation of pattern formation, evaluation of cracks, and measurement of effective lifetime of the composition 5 for forming a passivation layer were performed.
- Example 1 In the preparation of the composition for forming a passivation layer in Example 1, a large amount of the compound represented by the general formula (I) and the organoaluminum compound were added. Specifically, the content of each component was changed to 10.6840 g of pentaethoxyniobium (Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2), and 7.2842 g of terpineol.
- pentaethoxyniobium Hokuko Chemical Co., Ltd., structural formula: Nb (OC 2 H 5 ) 5 , molecular weight: 318.2
- Example 1 In the same manner as in Example 1 except that 18.born of cyclohexanol was changed to 18.3024 g, aluminum ethyl acetoacetate di-i-propylate was changed to 10.5887 g, and pure water was changed to 3.7180 g. Composition R1 was prepared. Thereafter, in the same manner as in Example 1, evaluation of the thixotropy of the composition R1 for forming a passivation layer, evaluation of pattern formation, and evaluation of effective lifetime were performed.
- Table 1 shows the compositions of the passivation layer forming compositions carried out in Examples 1 to 5 and Reference Example 1.
- Table 2 shows the evaluation results of the average thickness of the passivation layer, the coating amount of the metal compound, the pattern formability, the cracks, and the effective lifetime of the composition for forming a passivation layer implemented in Examples 1 to 5 and Reference Example 1. It was found that the composition for forming a passivation layer produced in Examples 1 to 5 had good pattern forming properties, few cracks, and good film quality.
- the average thickness of the passivation layer for the composition for forming a passivation layer tended to be relatively high when the content of the compound of formula (I) and the organoaluminum compound contained in the composition for forming a passivation layer was large. . This is because the composition for forming a passivation layer contains a large amount of a sintered product of the compound of formula (I) and the organoaluminum compound.
- the effective lifetime tended to be relatively high when a composition for forming a passivation layer containing both the compound of formula (I) and an organoaluminum compound was used.
- a composition for forming a passivation layer containing both the compound of formula (I) and an organoaluminum compound was used.
- a composite oxide of metal and aluminum derived from the compound of formula (I) is formed by heat treatment (firing). It is considered that the passivation effect is further improved by forming a denser passivation layer having a large negative fixed charge.
- the silicon substrates A and B produced in Reference Example 1 had low pattern formation properties and effective lifetime although the passivation layer remained. This is because the average thickness of the passivation layer is larger than the desired thickness and cracks occur throughout, resulting in fewer surfaces with the passivation layer on the substrate, resulting in pattern collapse and a reduction in effective lifetime. It is considered a thing.
- 1 p-type semiconductor substrate
- 2 n + -type diffusion layer
- 3 PSG (phosphorus silicate glass) layer
- 4 antireflection film
- 5 passivation layer
- 6 aluminum electrode paste, or heat-treated (fired)
- 7 Back surface output extraction electrode paste, or back surface output extraction electrode obtained by heat treatment (baking)
- 8 Light receiving surface current collection electrode paste, or light receiving surface current collection obtained by heat treatment (firing) Electrode
- 9 Light receiving surface output extraction electrode paste, or light receiving surface output extraction electrode obtained by heat treatment (baking)
- 10 p + type diffusion layer
- 11 Aluminum electrode for backside current collection.
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Abstract
パッシベーション層形成用組成物は、M(OR1)m[式中、MはAl、Nb、Ta、VO、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種を表す。R1はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。]で表される化合物と、水と、を含み、半導体基板へ印刷法によって付与され、熱処理後の平均厚みが200nm以下のパッシベーション層となる。
Description
本発明は、パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池に関する。
従来のシリコン太陽電池素子の製造工程について説明する。
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、テクスチャー構造を形成したp型シリコン基板を準備し、続いてオキシ塩化リン(POCl3)、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気において800℃~900℃で数十分の処理を行って一様にn型拡散層を形成する。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、表面のみならず、側面及び裏面にもn型拡散層が形成される。そのため、側面に形成されたn型拡散層を除去するためのサイドエッチングを行っている。また、裏面に形成されたn型拡散層はp+型拡散層へ変換する必要がある。このため、裏面全体にアルミニウム粉末及びバインダを含むアルミニウムペーストを塗布し、これを熱処理(焼成)することで、n型拡散層をp+型拡散層に変換し、且つアルミニウム電極を形成することでオーミックコンタクトを得ている。
まず、光閉じ込め効果を促して高効率化を図るよう、テクスチャー構造を形成したp型シリコン基板を準備し、続いてオキシ塩化リン(POCl3)、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気において800℃~900℃で数十分の処理を行って一様にn型拡散層を形成する。この従来の方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、表面のみならず、側面及び裏面にもn型拡散層が形成される。そのため、側面に形成されたn型拡散層を除去するためのサイドエッチングを行っている。また、裏面に形成されたn型拡散層はp+型拡散層へ変換する必要がある。このため、裏面全体にアルミニウム粉末及びバインダを含むアルミニウムペーストを塗布し、これを熱処理(焼成)することで、n型拡散層をp+型拡散層に変換し、且つアルミニウム電極を形成することでオーミックコンタクトを得ている。
しかしながら、アルミニウムペーストから形成されるアルミニウム電極は導電率が低い。シート抵抗を下げるために、通常裏面全体に形成したアルミニウム電極は熱処理(焼成)後において10μm~20μmほどの厚みを有していなければならない。更に、シリコンとアルミニウムとでは熱膨張率が大きく異なることから、アルミニウム電極が形成されたシリコン基板において、熱処理(焼成)及び冷却の過程で、シリコン基板中に大きな内部応力が発生し、結晶粒界へのダメージ、結晶欠陥の増長及び反りの原因となる。
この問題を解決するために、アルミニウムペーストの塗布量を減らし、裏面電極層の厚みを薄くする方法がある。しかしながら、アルミニウムペーストの塗布量を減らすと、p型シリコン半導体基板の表面から内部に拡散するアルミニウムの量が不充分となる。その結果、所望のBSF(Back Surface Field)効果(p+型拡散層の存在により生成キャリアの収集効率が向上する効果)を達成することができないため、太陽電池の特性が低下するという問題が生じる。
上記に関連して、アルミニウムペーストをシリコン基板表面の一部に付与して部分的にp+型拡散層とアルミニウム電極とを形成するポイントコンタクトの手法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
このような受光面とは反対の面(以下、「裏面」ともいう)にポイントコンタクト構造を有する太陽電池の場合、アルミニウム電極以外の部分の表面において、少数キャリアの再結合速度を抑制する必要がある。そのための裏面用のパッシベーション層として、SiO2膜等が提案されている(例えば、特許文献2参照)。このようなSiO2膜を形成することによるパッシベーション効果としては、シリコン基板の裏面表層部におけるケイ素原子の未結合手を終端させ、再結合の原因となる表面準位密度を低減させる効果が挙げられる。
このような受光面とは反対の面(以下、「裏面」ともいう)にポイントコンタクト構造を有する太陽電池の場合、アルミニウム電極以外の部分の表面において、少数キャリアの再結合速度を抑制する必要がある。そのための裏面用のパッシベーション層として、SiO2膜等が提案されている(例えば、特許文献2参照)。このようなSiO2膜を形成することによるパッシベーション効果としては、シリコン基板の裏面表層部におけるケイ素原子の未結合手を終端させ、再結合の原因となる表面準位密度を低減させる効果が挙げられる。
また、少数キャリアの再結合を抑制する別の方法として、パッシベーション層内の固定電荷が発生する電界によって少数キャリア密度を低減する方法がある。このようなパッシベーション効果は一般に電界効果と呼ばれ、負の固定電荷を有する材料として酸化アルミニウム(Al2O3)膜等が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
このようなパッシベーション層は、一般的にはALD(Atomic Layer Deposition)法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の方法で形成される(例えば、非特許文献1参照)。また半導体基板上に酸化アルミニウム膜を形成する簡便な手法として、ゾルゲル法による手法が提案されている(例えば、非特許文献2及び3参照)。
このようなパッシベーション層は、一般的にはALD(Atomic Layer Deposition)法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の方法で形成される(例えば、非特許文献1参照)。また半導体基板上に酸化アルミニウム膜を形成する簡便な手法として、ゾルゲル法による手法が提案されている(例えば、非特許文献2及び3参照)。
Journal of Applied Physics, 104(2008), 113703-1~113703-7
Thin Solid Films, 517(2009), 6327-6330
Chinese Physics Letters, 26(2009), 088102-1~088102-4
非特許文献1に記載の手法は、蒸着等の複雑な製造工程を含むため、生産性を向上させることが困難な場合がある。また、非特許文献2及び3に記載の手法に用いるパッシベーション層形成用組成物では、スピンコート法を製造工程に含むため、短工程で目的のパターンに成膜を行うことが困難な場合がある。
本発明の一実施形態は、以上の従来の事情に鑑みなされたものであり、膜質が良好であり、パターン形成性に優れ、パッシベーション効果に優れたパッシベーション層を簡便な手法で形成することが可能なパッシベーション層形成用組成物を提供することを課題とする。また、本発明の一実施形態は、膜質が良好であり、パターン形成性に優れ、優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション層を備えるパッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、優れた変換効率を有する太陽電池素子及びその製造方法、並びに優れた変換効率を有する太陽電池を提供することを課題とする。
前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
<1> 下記一般式(I)で表される化合物と、水と、を含み、
半導体基板へ印刷法によって付与され、熱処理後の平均厚みが200nm以下のパッシベーション層となる、パッシベーション層形成用組成物。
M(OR1)m (I)
[一般式(I)中、MはAl、Nb、Ta、VO、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種を表す。R1はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。]
<1> 下記一般式(I)で表される化合物と、水と、を含み、
半導体基板へ印刷法によって付与され、熱処理後の平均厚みが200nm以下のパッシベーション層となる、パッシベーション層形成用組成物。
M(OR1)m (I)
[一般式(I)中、MはAl、Nb、Ta、VO、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種を表す。R1はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。]
<2> 前記一般式(I)で表される化合物の加水分解物を含む<1>に記載のパッシベーション層形成用組成物。
<3> さらに、下記一般式(II)で表される化合物を含む<1>又は<2>に記載のパッシベーション層形成用組成物。
[一般式(II)中、R2はそれぞれ独立してアルキル基を表す。nは1~3の整数を表す。X2及びX3はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。R3、R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基を表す。]
<4> 半導体基板と、
前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、<1>~<3>のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、
を有するパッシベーション層付半導体基板。
前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、<1>~<3>のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、
を有するパッシベーション層付半導体基板。
<5> 前記パッシベーション層の平均厚みが、200nm以下である<4>に記載のパッシベーション層付半導体基板。
<6>半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、<1>~<3>のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、
前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、
を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法。
前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、
を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法。
<7> 前記パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程が、スクリーン印刷法を含む<6>に記載のパッシベーション層付半導体基板の製造方法。
<8> p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板と、
前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、<1>~<3>のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、
前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に配置される電極と、
を有する太陽電池素子。
前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、<1>~<3>のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、
前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に配置される電極と、
を有する太陽電池素子。
<9> 前記パッシベーション層の平均厚みが、200nm以下である<8>に記載の太陽電池素子。
<10> p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、<1>~<3>のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、
前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、
前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に、電極を配置する工程と、
を有する太陽電池素子の製造方法。
前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、
前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に、電極を配置する工程と、
を有する太陽電池素子の製造方法。
<11> 前記パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程が、スクリーン印刷法を含む<10>に記載の太陽電池素子の製造方法。
<12> <8>又は<9>に記載の太陽電池素子と、
前記太陽電池素子の前記電極上に配置される配線材料と、
を有する太陽電池。
前記太陽電池素子の前記電極上に配置される配線材料と、
を有する太陽電池。
本発明の一実施形態によれば、膜質が良好であり、パターン形成性に優れ、パッシベーション効果に優れたパッシベーション層を簡便な手法で形成することが可能なパッシベーション層形成用組成物を提供することができる。また、本発明の一実施形態によれば、膜質が良好であり、パターン形成性に優れ、優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション層を備えるパッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、優れた変換効率を有する太陽電池素子及びその製造方法、並びに優れた変換効率を有する太陽電池を提供することができる。
以下、本発明のパッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合、原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。また、本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構成に加え、一部に形成されている形状の構成も包含される。また、本明細書において「層」を「膜」と称することがある。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。更に組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。また、本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構成に加え、一部に形成されている形状の構成も包含される。また、本明細書において「層」を「膜」と称することがある。
<パッシベーション層形成用組成物>
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、下記一般式(I)で表される化合物(以下、「式(I)化合物」ともいう)と、水と、を含み、半導体基板へ印刷法によって付与され、熱処理後の平均厚みが200nm以下のパッシベーション層となる、パッシベーション層形成用組成物である。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、下記一般式(I)で表される化合物(以下、「式(I)化合物」ともいう)と、水と、を含み、半導体基板へ印刷法によって付与され、熱処理後の平均厚みが200nm以下のパッシベーション層となる、パッシベーション層形成用組成物である。
M(OR1)m (I)
一般式(I)中、MはAl、Nb、Ta、VO、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種を表す。R1はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。
平均厚みが200nm以下のパッシベーション層が印刷法によって形成可能となることで、パターン形成性に優れ、パッシベーション効果に優れたパッシベーション層を簡便な手法で形成することが可能となる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物と、水と、を含む。また、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物の加水分解物を含んでいてもよい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は必要に応じてその他の成分を更に含んでいてもよい。本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が上記成分を含むことで、パターン形成性に優れ、パッシベーション効果に優れたパッシベーション層を簡便な手法で形成することが可能である。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は必要に応じてその他の成分を更に含んでいてもよい。本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が上記成分を含むことで、パターン形成性に優れ、パッシベーション効果に優れたパッシベーション層を簡便な手法で形成することが可能である。
本発明者は、鋭意検討の結果、そのメカニズムは明確ではないものの、式(I)化合物に対して水を作用させることで組成物のチキソ性が向上することを見出した。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物と、水と、を含むものであり、式(I)化合物に対して水を作用させることで、パッシベーション層形成用組成物の高せん断速度時と低せん断速度時の粘度比、すなわちチキソ比が向上する。その結果、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、パターン形成性に優れるものと推察される。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物に対して水を作用させることでそのチキソ性が向上し、パッシベーション層形成用組成物が半導体基板上に付与されて形成される組成物層の形状安定性がより向上し、パッシベーション層を組成物層が形成された領域に、所望の形状で形成することができるようになる。そのため、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物においては、所望のチキソ性を発現させるために後述のチキソ剤及び樹脂の少なくとも一方(以下、チキソ剤及び樹脂の少なくとも一方をチキソ剤等と称することがある)が不要であるか、又はチキソ剤等を用いたとしても従来のパッシベーション層形成用組成物に比較してその添加量を低減することが可能となる。
有機物から構成されるチキソ剤等を含むパッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する場合、脱脂処理する工程を経ることで当該チキソ剤等が熱分解してパッシベーション層から飛散することになる。しかし、脱脂処理する工程を経てもチキソ剤等の熱分解物が不純物としてパッシベーション層に残存することがあり、残存したチキソ剤等の熱分解物がパッシベーション層の特性悪化を引き起こすことがある。一方、無機物から構成されるチキソ剤を含むパッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する場合、熱処理(焼成)工程を経ても当該チキソ剤が飛散せずパッシベーション層中に残存する。残存したチキソ剤がパッシベーション層の特性悪化を引き起こすことがある。
一方、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物においては、水が式(I)化合物に作用することで、水又は式(I)化合物の加水分解物がチキソ剤として振る舞う。水は、パッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する場合に実施される熱処理(焼成)工程等において従来のチキソ剤等よりもパッシベーション層から飛散しやすい。そのため、パッシベーション層中の残存物の存在によるパッシベーション層のパッシベーション効果の低下を引き起こしにくい。また、残存物が少ないことによって、所望の200nm以下の平均厚みを達成しやすい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物と、水と、を含むものであり、式(I)化合物に対して水を作用させることで、パッシベーション層形成用組成物の高せん断速度時と低せん断速度時の粘度比、すなわちチキソ比が向上する。その結果、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、パターン形成性に優れるものと推察される。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物に対して水を作用させることでそのチキソ性が向上し、パッシベーション層形成用組成物が半導体基板上に付与されて形成される組成物層の形状安定性がより向上し、パッシベーション層を組成物層が形成された領域に、所望の形状で形成することができるようになる。そのため、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物においては、所望のチキソ性を発現させるために後述のチキソ剤及び樹脂の少なくとも一方(以下、チキソ剤及び樹脂の少なくとも一方をチキソ剤等と称することがある)が不要であるか、又はチキソ剤等を用いたとしても従来のパッシベーション層形成用組成物に比較してその添加量を低減することが可能となる。
有機物から構成されるチキソ剤等を含むパッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する場合、脱脂処理する工程を経ることで当該チキソ剤等が熱分解してパッシベーション層から飛散することになる。しかし、脱脂処理する工程を経てもチキソ剤等の熱分解物が不純物としてパッシベーション層に残存することがあり、残存したチキソ剤等の熱分解物がパッシベーション層の特性悪化を引き起こすことがある。一方、無機物から構成されるチキソ剤を含むパッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する場合、熱処理(焼成)工程を経ても当該チキソ剤が飛散せずパッシベーション層中に残存する。残存したチキソ剤がパッシベーション層の特性悪化を引き起こすことがある。
一方、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物においては、水が式(I)化合物に作用することで、水又は式(I)化合物の加水分解物がチキソ剤として振る舞う。水は、パッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する場合に実施される熱処理(焼成)工程等において従来のチキソ剤等よりもパッシベーション層から飛散しやすい。そのため、パッシベーション層中の残存物の存在によるパッシベーション層のパッシベーション効果の低下を引き起こしにくい。また、残存物が少ないことによって、所望の200nm以下の平均厚みを達成しやすい。
パッシベーション層形成用組成物を用いて所望の200nm以下の平均厚みのパッシベーション層を達成するには以下のような方法が挙げられる。ひとつは、パッシベーション層形成用組成物を熱処理(焼成)した後に残存する成分の含有量を減らす方法である。残存物が少ないことによって、所望の200nm以下の平均厚みを達成しやすい。
また、ひとつは、半導体基板上に付与するパッシベーション層形成用組成物の量を減らす方法である。付与するパッシベーション層形成用組成物の量を減らすことで、パッシベーション層に残存する物質の量が減り、所望の200nm以下の平均厚みを達成しやすい。
本明細書において、半導体基板のパッシベーション効果は、パッシベーション層が形成された半導体基板内の少数キャリアの実効ライフタイムを、日本セミラボ社製WT-2000PVN等の装置を用いて、反射マイクロ波光導電減衰法によって測定することで評価することができる。
ここで、実効ライフタイムτは、半導体基板内部のバルクライフタイムτbと、半導体基板表面の表面ライフタイムτsとによって下記式(A)のように表される。半導体基板表面の表面準位密度が小さい場合にはτsが長くなる結果、実効ライフタイムτが長くなる。また、半導体基板内部のダングリングボンド等の欠陥が少なくなっても、バルクライフタイムτbが長くなって実効ライフタイムτが長くなる。すなわち、実効ライフタイムτの測定によってパッシベーション層と半導体基板との界面特性、及び、ダングリングボンド等の半導体基板の内部特性を評価することができる。
1/τ=1/τb+1/τs (A)
尚、実効ライフタイムが長いほど少数キャリアの再結合速度が遅いことを示す。また実効ライフタイムが長い半導体基板を用いて太陽電池素子を構成することで、変換効率が向上する。
(一般式(I)で表される化合物及びその加水分解物)
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物の少なくとも1種を含む。また、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物の少なくとも1種の加水分解物を含んでいてもよい。本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が式(I)化合物の少なくとも1種を含むことで、優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション層を形成することができる。この理由は以下のように考えることができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物の少なくとも1種を含む。また、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、式(I)化合物の少なくとも1種の加水分解物を含んでいてもよい。本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が式(I)化合物の少なくとも1種を含むことで、優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション層を形成することができる。この理由は以下のように考えることができる。
式(I)化合物又はその加水分解物を含有するパッシベーション層形成用組成物を熱処理(焼成)することにより形成される金属酸化物は、金属原子又は酸素原子の欠陥を有し、固定電荷を生じやすくなると考えられる。この固定電荷が半導体基板の界面付近で電荷を発生させることで少数キャリアの濃度を低下させることができ、結果的に界面でのキャリア再結合速度が抑制され、優れたパッシベーション効果が奏されると考えられる。
ここで、半導体基板上で固定電荷を発生させるパッシベーション層の状態については、半導体基板の断面を走査型透過電子顕微鏡(STEM、Scanning Transmission Electron Microscope)による電子エネルギー損失分光法(EELS、Electron Energy Loss Spectroscopy)の分析で結合様式を調べることにより評価できる。また、X線回折スペクトル(XRD、X-ray diffraction)を測定することにより、パッシベーション層の界面付近の結晶相を確認することができる。更に、パッシベーション層がもつ固定電荷は、CV法(Capacitance Voltage measurement)で評価することが可能である。
一般式(I)において、Mは、Al、Nb、Ta、VO、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種であり、パッシベーション効果、パッシベーション層形成用組成物のパターン形成性、及びパッシベーション層形成用組成物を調製する際の作業性の観点から、MとしてはAl、Nb、Ta及びYからなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましく、パッシベーション層形成用組成物のチキソ性の観点からNbであることがより好ましい。
一般式(I)において、R1はそれぞれ独立に、アルキル基又はアリール基を表し、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基が好ましく、炭素数1~8のアルキル基がより好ましく、炭素数1~4のアルキル基が更に好ましい。R1で表されるアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
R1で表されるアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、エチルヘキシル基等を挙げることができる。
R1で表されるアリール基として具体的には、フェニル基を挙げることができる。
R1で表されるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。アルキル基の置換基としては、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。アリール基の置換基としては、メチル基、エチル基、i-プロピル基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。
中でもR1は、水との反応性及びパッシベーション効果の観点から、炭素数1~8の無置換のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4の無置換のアルキル基であることがより好ましい。
R1で表されるアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、エチルヘキシル基等を挙げることができる。
R1で表されるアリール基として具体的には、フェニル基を挙げることができる。
R1で表されるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。アルキル基の置換基としては、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。アリール基の置換基としては、メチル基、エチル基、i-プロピル基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。
中でもR1は、水との反応性及びパッシベーション効果の観点から、炭素数1~8の無置換のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4の無置換のアルキル基であることがより好ましい。
一般式(I)において、mは1~5の整数を表す。ここで、水との反応性の観点から、MがAlである場合にはmが3であることが好ましく、MがNbである場合にはmが5であることが好ましく、MがTaである場合にはmが5であることが好ましく、MがVOである場合にはmが3であることが好ましく、MがYである場合にはmが3であることが好ましく、MがHfである場合にはmが4であることが好ましい。
式(I)化合物としては、Mが、Al、Nb、Ta及びYからなる群より選択される少なくとも1種であり、R1が炭素数1~4の無置換のアルキル基であり、mが1~5の整数であることが好ましい。
式(I)化合物の状態は、25℃において固体であっても液体であってもよい。本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の保存安定性、水との混合性及び後述する一般式(II)で表される化合物を併用する場合における混合性の観点から、式(I)化合物は、25℃において液体であることが好ましい。
式(I)化合物は、具体的には、アルミニウムメトキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムi-プロポキシド、アルミニウムn-プロポキシド、アルミニウムn-ブトキシド、アルミニウムt-ブトキシド、アルミニウムi-ブトキシド、ニオブメトキシド、ニオブエトキシド、ニオブi-プロポキシド、ニオブn-プロポキシド、ニオブn-ブトキシド、ニオブt-ブトキシド、ニオブi-ブトキシド、タンタルメトキシド、タンタルエトキシド、タンタルi-プロポキシド、タンタルn-プロポキシド、タンタルn-ブトキシド、タンタルt-ブトキシド、タンタルi-ブトキシド、イットリウムメトキシド、イットリウムエトキシド、イットリウムi-プロポキシド、イットリウムn-プロポキシド、イットリウムn-ブトキシド、イットリウムt-ブトキシド、イットリウムi-ブトキシド、バナジウムオキシメトキシド、バナジウムオキシエトキシド、バナジウムオキシi-プロポキシド、バナジウムオキシn-プロポキシド、バナジウムオキシn-ブトキシド、バナジウムオキシt-ブトキシド、バナジウムオキシi-ブトキシド、ハフニウムメトキシド、ハフニウムエトキシド、ハフニウムi-プロポキシド、ハフニウムn-プロポキシド、ハフニウムn-ブトキシド、ハフニウムt-ブトキシド、ハフニウムi-ブトキシド等を挙げることができ、中でもアルミニウムエトキシド、アルミニウムi-プロポキシド、アルミニウムn-ブトキシド、ニオブエトキシド、ニオブn-プロポキシド、ニオブn-ブトキシド、タンタルエトキシド、タンタルn-プロポキシド、タンタルn-ブトキシド、イットリウムi-プロポキシド、及びイットリウムn-ブトキシドが好ましい。
また式(I)化合物は、調製したものを用いても、市販品を用いてもよい。市販品としては、例えば、高純度化学研究所株式会社のペンタメトキシニオブ、ペンタエトキシニオブ、ペンタ-i-プロポキシニオブ、ペンタ-n-プロポキシニオブ、ペンタ-i-ブトキシニオブ、ペンタ-n-ブトキシニオブ、ペンタ-sec-ブトキシニオブ、ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、ペンタ-i-プロポキシタンタル、ペンタ-n-プロポキシタンタル、ペンタ-i-ブトキシタンタル、ペンタ-n-ブトキシタンタル、ペンタ-sec-ブトキシタンタル、ペンタ-t-ブトキシタンタル、バナジウム(V)トリメトキシドオキシド、バナジウム(V)トリエトキシオキシド、バナジウム(V)トリ-i-プロポキシドオキシド、バナジウム(V)トリ-n-プロポキシドオキシド、バナジウム(V)トリ-i-ブトキシドオキシド、バナジウム(V)トリ-n-ブトキシドオキシド、バナジウム(V)トリ-sec-ブトキシドオキシド、バナジウム(V)トリ-t-ブトキシドオキシド、トリ-i-プロポキシイットリウム、トリ-n-ブトキシイットリウム、テトラメトキシハフニウム、テトラエトキシハフニウム、テトラ-i-プロポキシハフニウム、テトラ-t-ブトキシハフニウム、北興化学工業株式会社のペンタエトキシニオブ、ペンタエトキシタンタル、ペンタブトキシタンタル、イットリウム-n-ブトキシド、ハフニウム-tert-ブトキシド、日亜化学工業株式会社のバナジウムオキシトリエトキシド、バナジウムオキシトリノルマルプロポキシド、バナジウムオキシトリノルマルブトキシド、バナジウムオキシトリイソブトキシド、バナジウムオキシトリセカンダリーブトキシド等を挙げることができる。
式(I)化合物の調製には、特定の金属(M)のハロゲン化物とアルコールとを不活性有機溶媒の存在下で反応させ、更にハロゲンを引き抜くためにアンモニア又はアミン類を添加する方法(特開昭63-227593号公報及び特開平3-291247号公報)等、既知の製法を用いることができる。
式(I)化合物の一部は、後述する2つのカルボニル基を有する特定構造の化合物と混合することでキレート構造を形成した化合物として本実施形態のパッシベーション層形成用組成物に含まれていてもよい。
式(I)化合物におけるアルコキシド構造の存在は、通常用いられる分析方法で確認することができる。例えば、赤外分光スペクトル、核磁気共鳴スペクトル、融点等を用いて確認することができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物に含まれる式(I)化合物の含有率は、必要に応じて適宜選択することができる。式(I)化合物の含有率は、水との反応性及びパッシベーション効果の観点から、パッシベーション層形成用組成物中に0.1質量%~80質量%とすることができ、0.5質量%~70質量%であることが好ましく、1質量%~60質量%であることがより好ましく、1質量%~50質量%であることが更に好ましい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物に含まれていてもよい式(I)化合物の加水分解物の含有率は、必要に応じて適宜選択することができる。式(I)化合物の加水分解物の含有率は、パッシベーション効果の観点から、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中に0.1質量%~80質量%とすることができ、0.5質量%~70質量%であることが好ましく、1質量%~60質量%であることがより好ましく、1質量%~50質量%であることが更に好ましい。
なお、本実施形態において式(I)化合物の加水分解物とは、式(I)化合物に水を添加することで得られる式(I)化合物の加水分解の分解産物をいう。
なお、本実施形態において式(I)化合物の加水分解物とは、式(I)化合物に水を添加することで得られる式(I)化合物の加水分解の分解産物をいう。
(水)
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、水を含む。本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が水を含むことで、優れたパターン形成性を有するパッシベーション層形成用組成物となる。この理由は以下のように考えることができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、水を含む。本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が水を含むことで、優れたパターン形成性を有するパッシベーション層形成用組成物となる。この理由は以下のように考えることができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中で、式(I)化合物の少なくとも一部と水の少なくとも一部とが反応する。水が式(I)化合物と反応することにより形成される金属化合物である式(I)化合物の加水分解物は、金属化合物同士でネットワークを形成すると考えられる。また、このネットワークはパッシベーション層形成用組成物が流動していると容易に崩れ、再び静止状態になると再形成されるものであると考えられる。このネットワークが、パッシベーション層形成用組成物が静止している際の粘度を上昇させ、流動している際には粘度を低下させる。その結果、パッシベーション層形成用組成物が、パターン形成性に必要なチキソ性を発現するものと考えられる。
優れたパターン形成性を有するパッシベーション層形成用組成物を用いることで、所望の形状のパッシベーション層を形成することができる。このことから、優れたパッシベーション層付半導体基板、太陽電池素子、及び太陽電池の製造が可能となる。
水の状態は、固体であっても液体であってもよい。式(I)化合物との混合性の観点から、水は、液体であることが好ましい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物に含まれる水の含有率は、必要に応じて適宜選択することができる。
水の含有率は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物にチキソ性を付与する観点から、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中に0.01質量%以上とすることができ、0.03質量%以上であることが好ましく、0.05質量%以上であることがより好ましく、0.1質量%以上であることが更に好ましい。
また、水の含有率は、パターン形成性及びパッシベーション効果の観点から、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中に0.01質量%~80質量%とすることができ、0.03質量%~70質量%であることが好ましく、0.05質量%~60質量%であることがより好ましく、0.1質量%~50質量%であることが更に好ましい。
水の含有率は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物にチキソ性を付与する観点から、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中に0.01質量%以上とすることができ、0.03質量%以上であることが好ましく、0.05質量%以上であることがより好ましく、0.1質量%以上であることが更に好ましい。
また、水の含有率は、パターン形成性及びパッシベーション効果の観点から、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中に0.01質量%~80質量%とすることができ、0.03質量%~70質量%であることが好ましく、0.05質量%~60質量%であることがより好ましく、0.1質量%~50質量%であることが更に好ましい。
パッシベーション層形成用組成物中で式(I)化合物に作用した水の量は、式(I)化合物から遊離したアルコールの量から算出できる。式(I)化合物に水が作用する際、式(I)化合物からアルコール、すなわちR1OHが遊離する。この遊離したアルコールの量は水が作用した式(I)化合物の官能基の数に比例する。よって、この遊離したアルコールの量を測定することで、式(I)化合物に作用した水の量が算出できる。遊離したアルコールの量は、例えば、ガスクロマトグラフィー質量分析(GC―MS)を用いて確認できる。
式(I)化合物にニオブエトキシドを選択する場合、水が作用する際にはエタノールが遊離する。エタノールはアルコール類の中でも人体に対する毒性が低い。よって、式(I)化合物にニオブエトキシドを選択することで、より人体に対して悪影響が少ない材料となる。
パッシベーション層形成用組成物に含まれるアルコール、すなわち遊離したR1OHの含有率は、0.5質量%~70質量%が好ましく、1質量%~60質量%がより好ましく、1質量%~50質量%が更に好ましい。
(一般式(II)で表される化合物)
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、下記一般式(II)で表される化合物(以下、「有機アルミニウム化合物」という)の少なくとも1種を含有してもよい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、下記一般式(II)で表される化合物(以下、「有機アルミニウム化合物」という)の少なくとも1種を含有してもよい。
一般式(II)中、R2はそれぞれ独立してアルキル基を表す。nは1~3の整数を表す。X2及びX3はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。R3、R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基を表す。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が上記有機アルミニウム化合物を含むことで、パッシベーション効果を更に向上させることができる。これは、以下のようにして考えることができる。
有機アルミニウム化合物は、アルミニウムアルコキシド、アルミニウムキレート等と呼ばれる化合物を包含し、アルミニウムアルコキシド構造に加えてアルミニウムキレート構造を有していることが好ましい。また、Nippon Seramikkusu Kyokai Gakujutsu Ronbunshi, vol.97, pp369-399(1989)にも記載されているように、有機アルミニウム化合物は熱処理(焼成)により酸化アルミニウム(Al2O3)となる。このとき、形成された酸化アルミニウムはアモルファス状態となりやすいため、4配位酸化アルミニウム層が半導体基板との界面付近に形成されやすく、4配位酸化アルミニウムに起因する大きな負の固定電荷をもつことができると考えられる。このとき、固定電荷を持つ式(I)化合物又はその加水分解物由来の酸化物と複合化することで、結果として優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション層を形成することができるものと考えられる。
上記に加え、本実施形態のように式(I)化合物と有機アルミニウム化合物とを組み合わせることで、パッシベーション層内でそれぞれの効果により、パッシベーション効果がより高くなると考えられる。更に、式(I)化合物と有機アルミニウム化合物が混合された状態で熱処理(焼成)されることで、式(I)化合物に含まれる金属(M)とアルミニウム(Al)との複合金属アルコキシドとしての反応性、及び蒸気圧等の物理特性が改善され、熱処理物(焼成物)としてのパッシベーション層の緻密性が向上し、結果としてパッシベーション効果がより高くなると考えられる。
一般式(II)において、R2はそれぞれ独立してアルキル基を表し、炭素数1~8のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。R2で表されるアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。R2で表されるアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、エチルヘキシル基等を挙げることができる。中でもR2で表されるアルキル基は、保存安定性とパッシベーション効果の観点から、炭素数1~8の無置換のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4の無置換のアルキル基であることがより好ましい。
一般式(II)において、nは1~3の整数を表す。nは保存安定性の観点から、1又は3であることが好ましく、溶解度の観点から1であることがより好ましい。
またX2及びX3はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。保存安定性の観点から、X2及びX3の少なくとも一方は酸素原子であることが好ましい。
一般式(II)におけるR3、R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基を表す。R3、R4及びR5で表されるアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。R3、R4及びR5で表されるアルキル基としては、炭素数1~8のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、エチルヘキシル基等を挙げることができる。
またX2及びX3はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。保存安定性の観点から、X2及びX3の少なくとも一方は酸素原子であることが好ましい。
一般式(II)におけるR3、R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基を表す。R3、R4及びR5で表されるアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。R3、R4及びR5で表されるアルキル基としては、炭素数1~8のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、エチルヘキシル基等を挙げることができる。
中でも保存安定性とパッシベーション効果の観点から、R3及びR4はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~8の無置換のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1~4の無置換のアルキル基であることがより好ましい。
またR5は、保存安定性及びパッシベーション効果の観点から、水素原子又は炭素数1~8の無置換のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1~4の無置換のアルキル基であることがより好ましい。
またR5は、保存安定性及びパッシベーション効果の観点から、水素原子又は炭素数1~8の無置換のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1~4の無置換のアルキル基であることがより好ましい。
有機アルミニウム化合物は、保存安定性の観点から、nが1~3の整数であり、R5がそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である化合物であることが好ましい。
有機アルミニウム化合物は、保存安定性とパッシベーション効果の観点から、nが1~3の整数であり、R2がそれぞれ独立して炭素数1~4のアルキル基であり、X2及びX3の少なくとも一方が酸素原子であり、R3及びR4がそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1~4のアルキル基であり、R5が水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である化合物であることが好ましい。有機アルミニウム化合物は、nが1~3の整数であり、R2がそれぞれ独立して炭素数1~4の無置換のアルキル基であり、X2及びX3の少なくとも一方が酸素原子であり、酸素原子に結合するR3又はR4が炭素数1~4のアルキル基であり、X2又はX3がメチレン基の場合、メチレン基に結合するR3又はR4が水素原子であり、R5が水素原子である化合物であることがより好ましい。
また一般式(II)で表され、nが1~3の整数である有機アルミニウム化合物として具体的には、アルミニウムエチルアセトアセテートジi-プロピレート、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウム等を挙げることができる。
また一般式(II)で表され、nが1~3の整数である有機アルミニウム化合物は、調製したものを用いても、市販品を用いてもよい。市販品としては例えば、川研ファインケミカル株式会社の商品名、ALCH、ALCH-50F、ALCH-75、ALCH-TR、ALCH-TR-20等を挙げることができる。
また一般式(II)で表され、nが1~3の整数である有機アルミニウム化合物は、アルミニウムトリアルコキシドと、後述の2つのカルボニル基を有する特定構造の化合物とを混合することで調製することができる。また市販されているアルミニウムキレート化合物を用いてもよい。
アルミニウムトリアルコキシドと、2つのカルボニル基を有する特定構造の化合物とを混合すると、アルミニウムトリアルコキシドのアルコキシド基の少なくとも一部が特定構造の化合物と置換して、アルミニウムキレート構造を形成する。このとき必要に応じて、液状媒体が存在してもよく、加熱処理、触媒の添加等を行ってもよい。アルミニウムアルコキシド構造の少なくとも一部がアルミニウムキレート構造に置換されることで、有機アルミニウム化合物の加水分解及び重合反応に対する安定性が向上し、これを含むパッシベーション層形成用組成物の保存安定性がより向上する。
アルミニウムトリアルコキシドと、2つのカルボニル基を有する特定構造の化合物とを混合すると、アルミニウムトリアルコキシドのアルコキシド基の少なくとも一部が特定構造の化合物と置換して、アルミニウムキレート構造を形成する。このとき必要に応じて、液状媒体が存在してもよく、加熱処理、触媒の添加等を行ってもよい。アルミニウムアルコキシド構造の少なくとも一部がアルミニウムキレート構造に置換されることで、有機アルミニウム化合物の加水分解及び重合反応に対する安定性が向上し、これを含むパッシベーション層形成用組成物の保存安定性がより向上する。
2つのカルボニル基を有する特定構造の化合物としては、反応性と保存安定性の観点から、β-ジケトン化合物、β-ケトエステル化合物及びマロン酸ジエステルからなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。2つのカルボニル基を有する特定構造の化合物として具体的には、アセチルアセトン、3-メチル-2,4-ペンタンジオン、2,3-ペンタンジオン、3-エチル-2,4-ペンタンジオン、3-ブチル-2,4-ペンタンジオン、2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン、2,6-ジメチル-3,5-ヘプタンジオン、6-メチル-2,4-ヘプタンジオン等のβ-ジケトン化合物、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸n-プロピル、アセト酢酸i-プロピル、アセト酢酸i-ブチル、アセト酢酸n-ブチル、アセト酢酸t-ブチル、アセト酢酸n-ペンチル、アセト酢酸i-ペンチル、アセト酢酸n-ヘキシル、アセト酢酸n-オクチル、アセト酢酸n-ヘプチル、アセト酢酸3-ペンチル、2-アセチルヘプタン酸エチル、2-メチルアセト酢酸エチル、2-ブチルアセト酢酸エチル、ヘキシルアセト酢酸エチル、4,4-ジメチル-3-オキソ吉草酸エチル、4-メチル-3-オキソ吉草酸エチル、2-エチルアセト酢酸エチル、4-メチル-3-オキソ吉草酸メチル、3-オキソヘキサン酸エチル、3-オキソ吉草酸エチル、3-オキソ吉草酸メチル、3-オキソヘキサン酸メチル、3-オキソヘプタン酸エチル、3-オキソヘプタン酸メチル、4,4-ジメチル-3-オキソ吉草酸メチル等のβ-ケトエステル化合物、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジn-プロピル、マロン酸ジi-プロピル、マロン酸ジn-ブチル、マロン酸ジ-t-ブチル、マロン酸ジヘキシル、マロン酸t-ブチルエチル、メチルマロン酸ジエチル、エチルマロン酸ジエチル、i-プロピルマロン酸ジエチル、n-ブチルマロン酸ジエチル、sec-ブチルマロン酸ジエチル、i-ブチルマロン酸ジエチル、1-メチルブチルマロン酸ジエチル等のマロン酸ジエステルなどを挙げることができる。
アルミニウムキレート構造の数は、例えばアルミニウムトリアルコキシドと、2つのカルボニル基を有する特定構造の化合物とを混合する比率を適宜調整することで制御することができる。また市販のアルミニウムキレート化合物から所望の構造を有する化合物を適宜選択してもよい。
有機アルミニウム化合物のうち、パッシベーション効果及び必要に応じて含有される溶剤との相溶性の観点から、具体的にはアルミニウムエチルアセトアセテートジi-プロピレート及びトリi-プロポキシアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましく、アルミニウムエチルアセトアセテートジi-プロピレートを用いることがより好ましい。
有機アルミニウム化合物におけるアルミニウムキレート構造の存在は、通常用いられる分析方法で確認することができる。例えば、赤外分光スペクトル、核磁気共鳴スペクトル、融点等を用いて確認することができる。
有機アルミニウム化合物は、液状であっても固体であってもよく、特に制限はない。パッシベーション効果と保存安定性の観点から、常温(25℃)での安定性、及び溶解性又は分散性が良好な有機アルミニウム化合物を用いることで、形成されるパッシベーション層の均質性がより向上し、所望のパッシベーション効果を安定的に得ることができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が有機アルミニウム化合物を含む場合、有機アルミニウム化合物の含有率は特に制限されない。中でも、式(I)化合物と、必要に応じて含有される式(I)化合物の加水分解物と、有機アルミニウム化合物との総含有率を100質量%としたときの有機アルミニウム化合物の含有率が、0.5質量%~80質量%であることが好ましく、1質量%~75質量%であることがより好ましく、2質量%~70質量%であることが更に好ましく、3質量%~70質量%であることが特に好ましい。
有機アルミニウム化合物の含有率を0.5質量%以上とすることで、パッシベーション効果が向上する傾向にある。また有機アルミニウム化合物を80質量%以下とすることで、パッシベーション層形成用組成物の保存安定性が向上する傾向にある。
有機アルミニウム化合物の含有率を0.5質量%以上とすることで、パッシベーション効果が向上する傾向にある。また有機アルミニウム化合物を80質量%以下とすることで、パッシベーション層形成用組成物の保存安定性が向上する傾向にある。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が有機アルミニウム化合物を含む場合、パッシベーション層形成用組成物中の有機アルミニウム化合物の含有率は、必要に応じて適宜選択することができる。有機アルミニウム化合物の含有率は、保存安定性とパッシベーション効果の観点から、パッシベーション層形成用組成物中に0.1質量%~60質量%とすることができ、0.5質量%~55質量%であることが好ましく、1質量%~50質量%であることがより好ましく、1質量%~45質量%であることが更に好ましい。
(液状媒体)
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は液状媒体(溶媒又は分散媒)を含んでいてもよい。パッシベーション層形成用組成物が液状媒体を含有することで、粘度の調整がより容易になり、付与性がより向上すると共により均一なパッシベーション層を形成することができる。液状媒体としては特に制限されず、必要に応じて適宜選択することができる。中でも式(I)化合物及び必要に応じて添加される有機アルミニウム化合物を溶解して均一な溶液を与えることができる液状媒体が好ましく、有機溶剤の少なくとも1種を含むことがより好ましい。液状媒体とは、室温(25℃)において液体の状態の媒体をいう。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は液状媒体(溶媒又は分散媒)を含んでいてもよい。パッシベーション層形成用組成物が液状媒体を含有することで、粘度の調整がより容易になり、付与性がより向上すると共により均一なパッシベーション層を形成することができる。液状媒体としては特に制限されず、必要に応じて適宜選択することができる。中でも式(I)化合物及び必要に応じて添加される有機アルミニウム化合物を溶解して均一な溶液を与えることができる液状媒体が好ましく、有機溶剤の少なくとも1種を含むことがより好ましい。液状媒体とは、室温(25℃)において液体の状態の媒体をいう。
液状媒体として具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチルi-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチルi-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジn-プロピルケトン、ジi-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン溶剤、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル-n-プロピルエーテル、ジi-プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジn-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジn-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のエーテル溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸2-(2-ブトキシエトキシ)エチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリエチレングリコール、酢酸i-アミル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン等のエステル溶剤、アセトニトリル、N-メチルピロリジノン、N-エチルピロリジノン、N-n-プロピルピロリジノン、N-n-ブチルピロリジノン、N-n-ヘキシルピロリジノン、N-シクロヘキシルピロリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、オクタン、エチルベンゼン、2-エチルヘキサン酸等の疎水性有機溶剤、メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル溶剤、テルピネン、テルピネオール、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、ピネン、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン溶剤などが挙げられる。これらの液状媒体は1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
中でも液状媒体は、半導体基板への付与性及びパターン形成性の観点から、テルペン溶剤、エステル溶剤及びアルコール溶剤からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましく、テルペン溶剤からなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことがより好ましい。
パッシベーション層形成用組成物が液状媒体を含む場合、液状媒体の含有率は、付与性、パターン形成性及び保存安定性を考慮して決定される。例えば、液状媒体の含有率は、組成物の付与性とパターン形成性の観点から、パッシベーション層形成用組成物の総質量中に5質量%~98質量%であることが好ましく、10質量%~95質量%であることがより好ましい。
(樹脂)
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、樹脂の少なくとも1種を更に含有してもよい。樹脂を含むことで、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が半導体基板上に付与されて形成される組成物層の形状安定性がより向上し、パッシベーション層を組成物層が形成された領域に、所望の形状で形成することができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、樹脂の少なくとも1種を更に含有してもよい。樹脂を含むことで、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が半導体基板上に付与されて形成される組成物層の形状安定性がより向上し、パッシベーション層を組成物層が形成された領域に、所望の形状で形成することができる。
樹脂の種類は特に制限されない。樹脂は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を半導体基板上に付与する際に、良好なパターン形成ができる範囲に粘度調整が可能な樹脂であることが好ましい。樹脂として具体的には、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリルアミド誘導体、ポリビニルアミド、ポリビニルアミド誘導体、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンオキサイド誘導体、ポリスルホン酸、ポリアクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロース、セルロース誘導体(カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース等のセルロースエーテルなど)、ゼラチン、ゼラチン誘導体、澱粉、澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム、アルギン酸ナトリウム誘導体、キサンタン、キサンタン誘導体、グアーガム、グアーガム誘導体、スクレログルカン、スクレログルカン誘導体、トラガカント、トラガカント誘導体、デキストリン、デキストリン誘導体、(メタ)アクリル酸樹脂、(メタ)アクリル酸エステル樹脂(アルキル(メタ)アクリレート樹脂、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート樹脂等)、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、シロキサン樹脂、これらの共重合体などを挙げることができる。これら樹脂は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。
なお、本実施形態において(メタ)アクリルとは、アクリル又はメタクリルを表し、(メタ)アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートを表す。
なお、本実施形態において(メタ)アクリルとは、アクリル又はメタクリルを表し、(メタ)アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートを表す。
これらの樹脂のなかでも、保存安定性及びパターン形成性の観点から、酸性及び塩基性の官能基を有さない中性樹脂を用いることが好ましく、含有量が少量の場合においても容易に粘度及びチキソ性を調節できる観点から、セルロース誘導体を用いることがより好ましい。
またこれら樹脂の分子量は特に制限されず、パッシベーション層形成用組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが好ましい。樹脂の重量平均分子量は、保存安定性及びパターン形成性の観点から、1000~10,000,000であることが好ましく、1,000~5,000,000であることがより好ましい。尚、樹脂の重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)を用いて測定される分子量分布から標準ポリスチレンの検量線を使用して換算して求められる。
またこれら樹脂の分子量は特に制限されず、パッシベーション層形成用組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが好ましい。樹脂の重量平均分子量は、保存安定性及びパターン形成性の観点から、1000~10,000,000であることが好ましく、1,000~5,000,000であることがより好ましい。尚、樹脂の重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)を用いて測定される分子量分布から標準ポリスチレンの検量線を使用して換算して求められる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が樹脂を含有する場合、パッシベーション層形成用組成物中の樹脂の含有率は、必要に応じて適宜選択することができる。例えば、樹脂の含有率は、パッシベーション層形成用組成物の総質量中0.1質量%~50質量%であることが好ましい。パターン形成をより容易にするようなチキソ性を発現させる観点から、樹脂の含有率は0.2質量%~25質量%であることがより好ましく、0.5質量%~20質量%であることが更に好ましく、0.5質量%~15質量%であることが特に好ましい。
なお、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物はチキソ性に優れるため、樹脂によりチキソ性を発現させる必要性は高くない。そのため、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物に含まれる樹脂の含有率は、0.5質量%以下が好ましく、0.2質量%以下がより好ましく、0.1質量%以下が更に好ましく、実質的に樹脂を含有しないことが特に好ましい。
なお、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物はチキソ性に優れるため、樹脂によりチキソ性を発現させる必要性は高くない。そのため、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物に含まれる樹脂の含有率は、0.5質量%以下が好ましく、0.2質量%以下がより好ましく、0.1質量%以下が更に好ましく、実質的に樹脂を含有しないことが特に好ましい。
(その他の成分)
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、上述した成分に加え、必要に応じて当該分野で通常用いられるその他の成分を更に含むことができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、酸性化合物又は塩基性化合物を含有してもよい。パッシベーション層形成用組成物が酸性化合物又は塩基性化合物を含有する場合、保存安定性の観点から、酸性化合物又は塩基性化合物の含有率が、パッシベーション層形成用組成物中にそれぞれ1質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以下であることがより好ましい。
酸性化合物としては、ブレンステッド酸及びルイス酸を挙げることができる。具体的には塩酸、硝酸等の無機酸、酢酸等の有機酸などを挙げることができる。また塩基性化合物としては、ブレンステッド塩基及びルイス塩基を挙げることができる。具体的には、塩基性化合物としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物等の無機塩基、トリアルキルアミン、ピリジン等の有機塩基などを挙げることができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、上述した成分に加え、必要に応じて当該分野で通常用いられるその他の成分を更に含むことができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、酸性化合物又は塩基性化合物を含有してもよい。パッシベーション層形成用組成物が酸性化合物又は塩基性化合物を含有する場合、保存安定性の観点から、酸性化合物又は塩基性化合物の含有率が、パッシベーション層形成用組成物中にそれぞれ1質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以下であることがより好ましい。
酸性化合物としては、ブレンステッド酸及びルイス酸を挙げることができる。具体的には塩酸、硝酸等の無機酸、酢酸等の有機酸などを挙げることができる。また塩基性化合物としては、ブレンステッド塩基及びルイス塩基を挙げることができる。具体的には、塩基性化合物としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物等の無機塩基、トリアルキルアミン、ピリジン等の有機塩基などを挙げることができる。
また、その他の成分としては、例えば、可塑剤、分散剤、界面活性剤、チキソ剤、他の金属アルコキシド化合物及び高沸点材料を挙げることができる。中でも、チキソ剤から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。チキソ剤から選択される少なくとも1種を含むことで、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が半導体基板上に付与されて形成される組成物層の形状安定性がより向上し、パッシベーション層を組成物層が形成された領域に、所望の形状で形成することができる。
チキソ剤としては、脂肪酸アミド、ポリアルキレングリコール化合物、有機フィラー、無機フィラー等が挙げられる。ポリアルキレングリコール化合物としては、下記一般式(III)で表される化合物等が挙げられる。
R6-(O-R8)n-O-R7 ・・・(III)
一般式(III)中、R6及びR7はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し、R8はアルキレン基を示す。nは3以上の任意の整数である。尚、複数存在する(O-R8)におけるR8は同一であっても異なっていてもよい。
脂肪酸アミドとしては、例えば、下記一般式(1)、(2)、(3)及び(4)で表される化合物が挙げられる。
R9CONH2・・・・(1)
R9CONH-R10-NHCOR9・・・・(2)
R9NHCO-R10-CONHR9・・・・(3)
R9CONH-R10-N(R11)2・・・・(4)
R9CONH-R10-NHCOR9・・・・(2)
R9NHCO-R10-CONHR9・・・・(3)
R9CONH-R10-N(R11)2・・・・(4)
一般式(1)、(2)、(3)及び(4)中、R9及びR11は各々独立に炭素数1~30のアルキル基又はアルケニル基を示し、R10は炭素数1~10のアルキレン基を示す。R9及びR11は同一であっても異なっていてもよい。
有機フィラーとしては、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂等が挙げられる。
無機フィラーとしては、二酸化珪素、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭化珪素、ガラス等の粒子などが挙げられる。
有機フィラー又は無機フィラーの体積平均粒子径は、0.01μm~50μmであることが好ましい。
本実施形態において、フィラーの体積平均粒子径は、レーザー回折散乱法で測定することができる。
本実施形態において、フィラーの体積平均粒子径は、レーザー回折散乱法で測定することができる。
他の金属アルコキシド化合物としては、チタンアルコキシド、ジルコニウムアルコキシド、シリコンアルコキシド等が挙げられる。
(高沸点材料)
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物には、樹脂と共に又は樹脂に替わる材料として、高沸点材料を用いてもよい。高沸点材料は、加熱したときに容易に気化して脱脂処理する必要のない化合物であることが好ましい。また高沸点材料は特に、印刷塗布後に印刷形状が維持できる高粘度の高沸点材料であることが好ましい。これらを満たす材料として、例えばイソボルニルシクロヘキサノールが挙げられる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物には、樹脂と共に又は樹脂に替わる材料として、高沸点材料を用いてもよい。高沸点材料は、加熱したときに容易に気化して脱脂処理する必要のない化合物であることが好ましい。また高沸点材料は特に、印刷塗布後に印刷形状が維持できる高粘度の高沸点材料であることが好ましい。これらを満たす材料として、例えばイソボルニルシクロヘキサノールが挙げられる。
イソボルニルシクロヘキサノールは、「テルソルブ MTPH」(日本テルペン化学株式会社、商品名)として商業的に入手可能である。イソボルニルシクロヘキサノールは沸点が308℃~318℃と高く、また組成物層から除去する際には、樹脂のように熱処理(焼成)による脱脂処理を行うまでもなく、加熱により気化させることによって消失させることができる。このため、半導体基板上に塗布した後の乾燥工程で、パッシベーション層形成用組成物中に必要に応じて含まれる溶剤とイソボルニルシクロヘキサノールの大部分を取り除くことができる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物が高沸点材料を含有する場合、高沸点材料の含有率は、パッシベーション層形成用組成物の総質量中に3質量%~95質量%であることが好ましく、5質量%~90質量%であることがより好ましく、7質量%~80質量%であることが更に好ましい。
また、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物は、Al、Nb、Ta、V、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種の酸化物(以下「特定酸化物」と称する)を含有してもよい。特定酸化物は、式(I)化合物を熱処理(焼成)して生成する酸化物であることから、特定酸化物を含有するパッシベーション層形成用組成物から形成されたパッシベーション層は、優れたパッシベーション効果が奏されることが期待される。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の粘度は特に制限されず、半導体基板への付与方法等に応じて適宜選択することができる。例えば、パッシベーション層形成用組成物の粘度は0.01Pa・s~100000Pa・sとすることができる。中でもパターン形成性の観点から、パッシベーション層形成用組成物の粘度は0.1Pa・s~10000Pa・sであることが好ましい。尚、粘度は回転式せん断粘度計を用いて、25℃、せん断速度1.0s-1で測定される。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の製造方法には特に制限はない。例えば、式(I)化合物と、水と、必要に応じて含まれる有機アルミニウム化合物、液状媒体、樹脂等とを、通常用いられる混合方法で混合することで製造することができる。
尚、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中に含まれる成分、及び各成分の含有量はTG/DTA等の熱分析、NMR、IR等のスペクトル分析、HPLC、GPC等のクロマトグラフ分析などを用いて確認することができる。
尚、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物中に含まれる成分、及び各成分の含有量はTG/DTA等の熱分析、NMR、IR等のスペクトル分析、HPLC、GPC等のクロマトグラフ分析などを用いて確認することができる。
<パッシベーション層付半導体基板>
本実施形態のパッシベーション層付半導体基板は、半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層とを有する。本実施形態のパッシベーション層付半導体基板は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層を有することで優れたパッシベーション効果を示す。
本実施形態のパッシベーション層付半導体基板は、半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層とを有する。本実施形態のパッシベーション層付半導体基板は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層を有することで優れたパッシベーション効果を示す。
半導体基板は特に制限されず、目的に応じて通常用いられるものから適宜選択することができる。半導体基板としては、シリコン、ゲルマニウム等にp型不純物又はn型不純物をドープ(拡散)したものが挙げられる。中でもシリコン基板であることが好ましい。また半導体基板は、p型半導体基板であっても、n型半導体基板であってもよい。中でもパッシベーション効果の観点から、パッシベーション層が形成される面がp型層である半導体基板であることが好ましい。半導体基板上のp型層は、p型半導体基板に由来するp型層であっても、p型拡散層又はp+型拡散層として、n型半導体基板又はp型半導体基板上に形成されたものであってもよい。
また半導体基板の厚みは特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、半導体基板の厚みは50μm~1000μmとすることができ、75μm~750μmであることが好ましい。
半導体基板上に形成されるパッシベーション層の平均厚みは200nm以下とすることができる。パッシベーション層の平均厚みを200nm以下とすることで、パッシベーション層付半導体基板を焼結した際に生じる、半導体基板とパッシベーション層との熱応力差を緩和することができる。熱応力差を緩和することでパッシベーション層にひび割れが生じることを防ぐことができる。ひび割れが少ないことで、所望のパターン形状から崩れることが抑制され、良好なパターン形成性が得られる。また、半導体基板とパッシベーション層の接する面を十分に確保できるようになることから、良好なパッシベーション特性が得られる。
半導体基板上に形成されるパッシベーション層の平均厚みは200nm以下とすることができ、5nm~200nmであることが好ましく、10nm~190nmであることがより好ましく、15nm~180nmであることが更に好ましい。
尚、形成されたパッシベーション層の平均厚みは、自動エリプソメータ(例えば、ファイブラボ社、MARY-102)を用いて常法により、9点の厚みを測定し、その算術平均値として算出される。
尚、形成されたパッシベーション層の平均厚みは、自動エリプソメータ(例えば、ファイブラボ社、MARY-102)を用いて常法により、9点の厚みを測定し、その算術平均値として算出される。
本実施形態のパッシベーション層付半導体基板は、太陽電池素子、発光ダイオード素子等に適用することができる。例えば、太陽電池素子に適用することで変換効率に優れた太陽電池素子を得ることができる。
<パッシベーション層付半導体基板の製造方法>
本実施形態のパッシベーション層付半導体基板の製造方法は、半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を熱処理(焼成)してパッシベーション層を形成する工程とを有する。前記製造方法は必要に応じてその他の工程を更に含んでいてもよい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を用いることで、パターン形成性に優れ、優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション層を簡便な方法で形成することができる。
本実施形態のパッシベーション層付半導体基板の製造方法は、半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を熱処理(焼成)してパッシベーション層を形成する工程とを有する。前記製造方法は必要に応じてその他の工程を更に含んでいてもよい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を用いることで、パターン形成性に優れ、優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション層を簡便な方法で形成することができる。
本実施形態のパッシベーション層付半導体基板の製造方法は、組成物層を形成する工程の前に、半導体基板上にアルカリ水溶液を付与する工程を更に有することが好ましい。すなわち、半導体基板上に本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を付与する前に、半導体基板の表面をアルカリ水溶液で洗浄することが好ましい。アルカリ水溶液で洗浄することで、半導体基板表面に存在する有機物、パーティクル等を除去することができ、パッシベーション効果がより向上する。アルカリ水溶液による洗浄の方法としては、一般的に知られているRCA洗浄等を用いた洗浄方法を例示することができる。例えばアンモニア水-過酸化水素水の混合溶液に半導体基板を浸し、60℃~80℃で処理することで、有機物及びパーティクルを除去して洗浄することができる。洗浄時間は、10秒~10分間であることが好ましく、30秒~5分間であることがより好ましい。
半導体基板上に本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程には、印刷法が含まれることが好ましい。具体的には、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンサー法、スピンコート法、刷毛塗り法、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコート法等を挙げることができる。これらの中でもパターン形成性及び生産性の観点から、スクリーン印刷法及びインクジェット法等が好ましく、スクリーン印刷法がより好ましい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の付与量は、パッシベーション層の平均厚みが200nm以下になる範囲の中で、目的に応じて適宜選択することができる。パッシベーション層形成用組成物の付与量が少ないことで、所望の200nm以下の平均厚みを達成しやすい。
パッシベーション層形成用組成物によって形成された組成物層を熱処理(焼成)して、組成物層に由来する熱処理物層(焼成物層)を形成することで、半導体基板上にパッシベーション層を形成することができる。
組成物層の熱処理(焼成)条件は、組成物層に含まれる式(I)化合物及び必要に応じて含まれる有機アルミニウム化合物を、その熱処理物(焼成物)である金属酸化物又は複合酸化物に変換可能であれば特に制限されない。パッシベーション層に効果的に固定電荷を与え、より優れたパッシベーション効果を得るために、具体的には、熱処理(焼成)温度は300℃~900℃が好ましく、450℃~800℃がより好ましい。また熱処理(焼成)時間は熱処理(焼成)温度等に応じて適宜選択できる。例えば、0.1時間~10時間とすることができ、0.2時間~5時間であることが好ましい。
組成物層の熱処理(焼成)条件は、組成物層に含まれる式(I)化合物及び必要に応じて含まれる有機アルミニウム化合物を、その熱処理物(焼成物)である金属酸化物又は複合酸化物に変換可能であれば特に制限されない。パッシベーション層に効果的に固定電荷を与え、より優れたパッシベーション効果を得るために、具体的には、熱処理(焼成)温度は300℃~900℃が好ましく、450℃~800℃がより好ましい。また熱処理(焼成)時間は熱処理(焼成)温度等に応じて適宜選択できる。例えば、0.1時間~10時間とすることができ、0.2時間~5時間であることが好ましい。
本実施形態のパッシベーション層付半導体基板の製造方法は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を半導体基板に付与した後、熱処理(焼成)によってパッシベーション層を形成する工程の前に、パッシベーション層形成用組成物からなる組成物層を乾燥処理する工程を更に有していてもよい。組成物層を乾燥処理する工程を有することで、より厚みの揃ったパッシベーション効果を有するパッシベーション層を形成することができる。
組成物層を乾燥処理する工程は、パッシベーション層形成用組成物に含まれる水の少なくとも一部及びパッシベーション層形成用組成物に含まれていてもよい液状媒体の少なくとも一部を除去することができれば、特に制限されない。乾燥処理は例えば30℃~250℃で1分間~60分間の加熱処理とすることができ、40℃~220℃で3分間~40分間の加熱処理であることが好ましい。また乾燥処理は、常圧下で行なっても減圧下で行なってもよい。
パッシベーション層形成用組成物が樹脂を含む場合、本実施形態のパッシベーション層付半導体基板の製造方法は、パッシベーション層形成用組成物を付与した後、熱処理(焼成)によってパッシベーション層を形成する工程の前に、パッシベーション層形成用組成物からなる組成物層を脱脂処理する工程を更に有していてもよい。組成物層を脱脂処理する工程を有することで、より均一なパッシベーション効果を有するパッシベーション層を形成することができる。
組成物層を脱脂処理する工程は、パッシベーション層形成用組成物に含まれることがある樹脂の少なくとも一部を除去することができれば、特に制限されない。脱脂処理は例えば250℃~450℃で10分間~120分間の熱処理とすることができ、300℃~400℃で3分間~60分間の熱処理であることが好ましい。また脱脂処理は、酸素存在下で行うことが好ましく、大気中で行なうことがより好ましい。
<太陽電池素子>
本実施形態の太陽電池素子は、p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に配置される電極とを有する。本実施形態の太陽電池素子は、必要に応じてその他の構成要素を更に有していてもよい。
本実施形態の太陽電池素子は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物から形成されたパッシベーション層を有することで、変換効率に優れる。
本実施形態の太陽電池素子は、p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に配置される電極とを有する。本実施形態の太陽電池素子は、必要に応じてその他の構成要素を更に有していてもよい。
本実施形態の太陽電池素子は、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物から形成されたパッシベーション層を有することで、変換効率に優れる。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を付与する半導体基板としては特に制限されず、目的に応じて通常用いられるものから適宜選択することができる。半導体基板としては、本実施形態のパッシベーション層付半導体基板の項で説明したものを使用することができ、好適に使用できるものも同様である。本実施形態のパッシベーション層が設けられる半導体基板の面は、太陽電池素子における裏面であることが好ましい。
また半導体基板上に形成されたパッシベーション層の平均厚みは200nm以下の範囲で、目的に応じて適宜選択することができる。例えばパッシベーション層の平均厚みは、5nm~200nmであることが好ましく、10nm~190nmであることがより好ましく、15nm~180nmであることが更に好ましい。
本実施形態の太陽電池素子の形状及び大きさに制限はない。例えば、一辺が125mm~156mmの略正方形であることが好ましい。
本実施形態の太陽電池素子の形状及び大きさに制限はない。例えば、一辺が125mm~156mmの略正方形であることが好ましい。
<太陽電池素子の製造方法>
本実施形態の太陽電池素子の製造方法は、p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を熱処理(焼成)して、パッシベーション層を形成する工程と、前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に、電極を配置する工程と、を有する。本実施形態の太陽電池素子の製造方法は、必要に応じてその他の工程を更に有していてもよい。
本実施形態の太陽電池素子の製造方法は、p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を熱処理(焼成)して、パッシベーション層を形成する工程と、前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に、電極を配置する工程と、を有する。本実施形態の太陽電池素子の製造方法は、必要に応じてその他の工程を更に有していてもよい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を用いることで、変換効率に優れる太陽電池素子を簡便な方法で製造することができる。
半導体基板におけるp型層及びn型層の少なくとも一方の層上に電極を配置する方法としては、通常用いられる方法を採用することができる。例えば、半導体基板の所望の領域に、銀ペースト、アルミニウムペースト等の電極形成用ペーストを付与し、必要に応じて熱処理(焼成)することで電極を製造することができる。
本実施形態のパッシベーション層が設けられる半導体基板の面は、p型層であっても、n型層であってもよい。中でも変換効率の観点からp型層であることが好ましい。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する方法の詳細は、既述のパッシベーション層付半導体基板の製造方法と同様であり、好ましい態様も同様である。
本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を用いてパッシベーション層を形成する方法の詳細は、既述のパッシベーション層付半導体基板の製造方法と同様であり、好ましい態様も同様である。
次に図面を参照しながら本実施形態の太陽電池素子の製造方法について説明する。
図1は、本実施形態に係るパッシベーション層を有する太陽電池素子の製造方法の一例を模式的に示す工程図を断面図として示したものである。但し、この工程図は、本発明をなんら制限するものではない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。なお、共通する機能を有する部材には全図面を通して同じ符号を付与し、重複する説明は省略する場合がある。
図1は、本実施形態に係るパッシベーション層を有する太陽電池素子の製造方法の一例を模式的に示す工程図を断面図として示したものである。但し、この工程図は、本発明をなんら制限するものではない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。なお、共通する機能を有する部材には全図面を通して同じ符号を付与し、重複する説明は省略する場合がある。
図1(1)では、p型半導体基板1をアルカリ水溶液で洗浄し、p型半導体基板1の表面の有機物、パーティクル等を除去する。これにより、パッシベーション効果がより向上する。アルカリ水溶液による洗浄方法としては、一般的に知られるRCA洗浄等を用いる方法が挙げられる。
その後、図1(2)に示すように、p型半導体基板1の表面を、アルカリエッチング等を施し、表面に凹凸(テクスチャともいう)を形成する。これにより、受光面側では太陽光の反射を抑制することができる。尚、アルカリエッチングには、NaOHとIPA(i-プロピルアルコール)とからなるエッチング溶液を使用することができる。
次いで、図1(3)に示すように、p型半導体基板1の表面にリン等を熱的に拡散させることにより、n+型拡散層2がサブミクロンオーダーの厚みで形成されるとともに、p型バルク部分との境界にpn接合部が形成される。
リンを拡散させるための手法としては、例えば、オキシ塩化リン(POCl3)、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気において、800℃~1000℃で数十分の処理を行う方法が挙げられる。この方法では、混合ガスを用いてリンの拡散を行うため、図1(3)に示すように、受光面(表面)以外に、裏面及び側面(図示せず)にもn+型拡散層2が形成される。またn+型拡散層2の上には、PSG(リンシリケートガラス)層3が形成される。そこで、サイドエッチングを行い、側面のPSG層3及びn+型拡散層2を除去する。
その後、図1(4)に示すように、受光面及び裏面のPSG層3をフッ酸等のエッチング溶液を用いて除去する。更に裏面については、図1(5)に示すように、別途エッチング処理を行い、裏面のn+型拡散層2を除去する。
そして、図1(6)に示すように、受光面のn+型拡散層2上に、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法等によって、窒化ケイ素等の反射防止膜4を厚み90nm前後で設ける。
次いで、図1(7)に示すように、裏面の一部に本実施形態のパッシベーション層形成用組成物をスクリーン印刷等にて塗布した後、乾燥後に300℃~900℃の温度で熱処理(焼成)を行い、パッシベーション層5を形成する。
図5に、裏面におけるパッシベーション層の形成パターンの一例を概略平面図として示す。図7は、図5のA部を拡大した概略平面図である。図8は、図5のB部を拡大した概略平面図である。図5に示すパッシベーション層の形成パターンの場合、図7及び図8からも分かるように、裏面のパッシベーション層5は後の工程で裏面出力取出し電極7が形成される部分を除き、ドット状にp型半導体基板1が露出したパターンで形成される。このドット状開口部のパターンは、ドット径(La)及びドット間隔(Lb)で規定され、規則正しく配列していることが好ましい。ドット径(La)及びドット間隔(Lb)は任意に設定できるが、パッシベーション効果及び少数キャリアの再結合を抑制する観点から、Laが5μm~2mmでLbが10μm~3mmであることが好ましく、Laが10μm~1.5mmでLbが20μm~2.5mmであることがより好ましく、Laが20μm~1.3mmでLbが30μm~2mmであることが更に好ましい。
パッシベーション層形成用組成物が優れたパターン形成性を有している場合、このドット状開口部のパターンは、ドット径(La)及びドット間隔(Lb)が、より規則正しく配列する。このことから、少数キャリア再結合抑制により好ましいドット状開口部のパターンが形成でき、太陽電池素子の発電効率が向上する。
ここで、上記ではパッシベーション層を形成したい部位(ドット状開口部以外の部分)にパッシベーション層形成用組成物を塗布し、熱処理(焼成)することで、所望の形状のパッシベーション層を形成している。これに対し、ドット状開口部を含む全面にパッシベーション層形成用組成物を塗布し、熱処理(焼成)後にレーザー、フォトリソグラフィ等により、ドット状開口部のパッシベーション層を選択的に除去することもできる。また、ドット状開口部のようにパッシベーション層形成用組成物を塗布したくない部分に予めマスク材によりマスクすることで、パッシベーション層形成用組成物を選択的に塗布することもできる。
次いで、図1(8)に示すように、受光面に、ガラス粒子を含む銀電極ペーストをスクリーン印刷等にて塗布する。図4は、太陽電池素子の受光面の一例を示す概略平面図である。図4に示すように、受光面電極は、受光面集電用電極8と受光面出力取出し電極9からなる。受光面積を確保するため、これら受光面電極の形成面積は少なく抑える必要がある。その他、受光面電極の抵抗率及び生産性の観点から、受光面集電用電極8の幅は10μm~250μmで、受光面出力取出し電極9の幅は100μm~2mmであることが好ましい。また、図4では受光面出力取出し電極9を2本設けているが、少数キャリアの取出し効率(発電効率)の観点から、受光面出力取出し電極9の本数を3本又は4本とすることもできる。
一方、図1(8)に示すように、裏面には、ガラス粉末を含むアルミニウム電極ペースト及びガラス粒子を含む銀電極ペーストを、スクリーン印刷等にて塗布する。図9は、太陽電池素子の裏面の一例を示す概略平面図である。裏面出力取出し電極7の幅は特に制限されないが、後の太陽電池の製造工程での配線材料の接続性等の観点から、裏面出力取出し電極7の幅は、100μm~10mmであることが好ましい。
受光面及び裏面にそれぞれ電極ペーストを塗布した後は、乾燥後に大気中において450℃~900℃程度の温度で、受光面及び裏面ともに熱処理(焼成)して、受光面に受光面集電用電極8及び受光面出力取出し電極9を、裏面に裏面集電用アルミニウム電極6及び裏面出力取出し電極7を、それぞれ形成する。
熱処理(焼成)後、図1(9)に示すように、受光面では、受光面電極を形成する銀電極ペーストに含まれるガラス粒子と、反射防止膜4とが反応(ファイアースルー)して、受光面電極(受光面集電用電極8、受光面出力取出し電極9)とn+型拡散層2とが電気的に接続(オーミックコンタクト)される。一方、裏面では、ドット状に半導体基板1が露出した部分(パッシベーション層5が形成されなかった部分)では、熱処理(焼成)により、アルミニウム電極ペースト中のアルミニウムが半導体基板1中に拡散することで、p+型拡散層10が形成される。パターン形成性に優れる本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を用いることで、パッシベーション効果に優れたパッシベーション層を簡便な手法で形成でき、発電性能に優れた太陽電池素子を製造することができる。
図2は、本実施形態に係るパッシベーション層を有する太陽電池素子の製造方法の他の一例を示す工程図を断面図として示したものであり、裏面のn+型拡散層2がエッチング処理によって除去された後に、更に裏面が平坦化されること以外は、図1と同様にして太陽電池素子を製造することができる。平坦化する際は、硝酸、フッ酸及び酢酸の混合溶液又は水酸化カリウム溶液に、半導体基板の裏面を浸す等の手法を用いることができる。
図3は、本実施形態に係るパッシベーション層を有する太陽電池素子の製造方法の他の一例を示す工程図を断面図として示したものである。この方法では、半導体基板1にテクスチャー構造、n+型拡散層2及び反射防止膜4を形成する工程(図3(19)~(24))までは、図1の方法と同様である。
反射防止膜4を形成した後、図3(25)に示すように、パッシベーション層形成用組成物を付与し、乾燥後に300℃~900℃で熱処理(焼成)を行い、パッシベーション層5を形成する。図6に、裏面におけるパッシベーション層の形成パターンの一例を概略平面図として示す。図6に示すパッシベーション層の形成パターンでは、裏面の全面に、ドット状開口部が配列し、後の工程で裏面出力取出し電極が形成される部分にもドット状開口部が配列されている。
その後、図3(26)に示すように、裏面においてドット状に半導体基板1が露出した部分(パッシベーション層5が形成されなかった部分)から、ホウ素又はアルミニウムを拡散させ、p+型拡散層10を形成する。p+型拡散層10を形成する際に、ホウ素を拡散させる場合は、三塩化ホウ素(BCl3)を含むガス中で、1000℃付近の温度で処理する方法を用いることができる。但し、オキシ塩化リンを用いる場合と同様にガス拡散の手法であることから、基板の受光面、裏面及び側面にp+型拡散層10が形成されてしまうため、これを抑制するためにドット状開口部以外の部分をマスキング処理して、ホウ素がp型半導体基板1の不要な部分に拡散するのを防止する等の措置が必要である。
また、p+型拡散層10を形成する際にアルミニウムを拡散させる場合は、アルミニウムペーストをドット状開口部に塗布し、これを450℃~900℃の温度で熱処理(焼成)し、ドット状開口部からアルミニウムを拡散させてp+型拡散層10を形成し、その後p+型拡散層10上のアルミニウムペーストからなる熱処理物層(焼成物層)を塩酸等によりエッチングする手法を用いることができる。
次いで、図3(27)に示すように、裏面の全面にアルミニウムを物理的に蒸着することで、裏面集電用アルミニウム電極11を形成する。
その後、図3(28)に示すように、受光面にはガラス粒子を含む銀電極ペーストをスクリーン印刷等にて塗布し、裏面にはガラス粒子を含む銀電極ペーストをスクリーン印刷等にて塗布する。受光面の銀電極ペーストは図4に示す受光面電極の形状に合わせて、裏面の銀電極ペーストは図9に示す裏面電極の形状に合わせて、パターン状に付与する。
受光面及び裏面にそれぞれ電極ペーストを塗布した後は、乾燥後に大気中450℃~900℃程度の温度で、受光面及び裏面ともに熱処理(焼成)して、図3(29)に示すように、受光面に受光面集電用電極8及び受光面出力取出し電極9を、裏面に裏面出力取出し電極7を、それぞれ形成する。このとき、受光面では受光面電極とn+型拡散層2が電気的に接続され、裏面では、蒸着により形成された裏面集電用アルミニウム電極11と裏面出力取出し電極7とが電気的に接続される。
<太陽電池>
本実施形態の太陽電池は、本実施形態の太陽電池素子の少なくとも1つを含み、太陽電池素子の電極上に配線材料が配置されて構成される。つまり、本実施形態の太陽電池は、本実施形態の太陽電池素子と、前記太陽電池素子の前記電極上に配置される配線材料と、を有する。
本実施形態の太陽電池は更に必要に応じて、配線材料を介して複数の太陽電池素子が連結され、更に封止材で封止されて構成される。配線材料及び封止材としては特に制限されず、当該技術分野で通常用いられているものから適宜選択することができる。
本実施形態の太陽電池は、本実施形態の太陽電池素子の少なくとも1つを含み、太陽電池素子の電極上に配線材料が配置されて構成される。つまり、本実施形態の太陽電池は、本実施形態の太陽電池素子と、前記太陽電池素子の前記電極上に配置される配線材料と、を有する。
本実施形態の太陽電池は更に必要に応じて、配線材料を介して複数の太陽電池素子が連結され、更に封止材で封止されて構成される。配線材料及び封止材としては特に制限されず、当該技術分野で通常用いられているものから適宜選択することができる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「%」は質量基準である。
<実施例1>
(パッシベーション層形成用組成物1の調製)
ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を3.6627g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレート(川研ファインケミカル株式会社、商品名:ALCH)を3.6652g、テルピネオール(日本テルペン化学株式会社、TPOと略記することがある)を11.1073g、イソボルニルシクロヘキサノール(日本テルペン化学株式会社、テルソルブと略記することがある)を28.6389g混合して5分間混練した後、純水を1.3497g加えて更に5分間混練し、パッシベーション層形成用組成物1を調製した。
(パッシベーション層形成用組成物1の調製)
ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を3.6627g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレート(川研ファインケミカル株式会社、商品名:ALCH)を3.6652g、テルピネオール(日本テルペン化学株式会社、TPOと略記することがある)を11.1073g、イソボルニルシクロヘキサノール(日本テルペン化学株式会社、テルソルブと略記することがある)を28.6389g混合して5分間混練した後、純水を1.3497g加えて更に5分間混練し、パッシベーション層形成用組成物1を調製した。
(パッシベーション層の厚みの測定)
調製したパッシベーション層形成用組成物1を、表面がミラー形状の単結晶p型シリコン基板(50mm角、厚み770μm、以下、シリコン基板Aと呼ぶ)に、スクリーン印刷法を用いて全面に印刷した。その後、パッシベーション層形成用組成物1を付与したシリコン基板Aを150℃で5分間加熱し、液状媒体を蒸散させることで乾燥処理した。その後、シリコン基板Aのもう一面にも印刷及び乾燥処理した。次いで、シリコン基板Aを700℃の温度で10分間熱処理(焼成)した後、室温(25℃)で放冷した。熱処理(焼成)は、拡散炉(ACCURON CQ-1200、株式会社日立国際電気)を用いて、大気雰囲気下、最高温度700℃、保持時間10分間の条件で行った。
調製したパッシベーション層形成用組成物1を、表面がミラー形状の単結晶p型シリコン基板(50mm角、厚み770μm、以下、シリコン基板Aと呼ぶ)に、スクリーン印刷法を用いて全面に印刷した。その後、パッシベーション層形成用組成物1を付与したシリコン基板Aを150℃で5分間加熱し、液状媒体を蒸散させることで乾燥処理した。その後、シリコン基板Aのもう一面にも印刷及び乾燥処理した。次いで、シリコン基板Aを700℃の温度で10分間熱処理(焼成)した後、室温(25℃)で放冷した。熱処理(焼成)は、拡散炉(ACCURON CQ-1200、株式会社日立国際電気)を用いて、大気雰囲気下、最高温度700℃、保持時間10分間の条件で行った。
上記で得られた評価用基板を自動エリプソメータ(ファイブラボ社 MARY-102)を用いて、パッシベーション層形成用組成物を付与した領域から無作為に9点測定した。測定した9点のパッシベーション層の平均厚みは163nmであった。
(金属化合物塗布量の測定)
シリコン基板Aへの金属化合物塗布量は、塗布したパッシベーション層形成用組成物の質量、パッシベーション層形成用組成物中に含まれる金属化合物の濃度、及び塗布した面積から計算にて求めた。
なお、実施例において「金属化合物塗布量」とは、基板の単位面積(100cm2)に塗布したパッシベーション層形成用組成物の質量のうち、金属化合物が占める質量をいう。
シリコン基板Aへの金属化合物塗布量は、塗布したパッシベーション層形成用組成物の質量、パッシベーション層形成用組成物中に含まれる金属化合物の濃度、及び塗布した面積から計算にて求めた。
なお、実施例において「金属化合物塗布量」とは、基板の単位面積(100cm2)に塗布したパッシベーション層形成用組成物の質量のうち、金属化合物が占める質量をいう。
(パターン形成性の評価)
パッシベーション層形成用組成物のパターン形成性の評価を行う際は、半導体基板として、ファセット形状の単結晶p型シリコン基板(50mm角、厚み160μm、以下、シリコン基板Bと呼ぶ)を使用した。シリコン基板Bは、表面がテクスチャ形状の単結晶p型シリコン基板(厚み180μm)を、基板自動洗浄機(三益半導体工業社、PV-MECH1型)を用いて80℃の30%NaOHで10分間洗浄して表面をファセット形状とした後、純水で10分間洗浄し、温風乾燥して得た。
パッシベーション層形成用組成物のパターン形成性の評価を行う際は、半導体基板として、ファセット形状の単結晶p型シリコン基板(50mm角、厚み160μm、以下、シリコン基板Bと呼ぶ)を使用した。シリコン基板Bは、表面がテクスチャ形状の単結晶p型シリコン基板(厚み180μm)を、基板自動洗浄機(三益半導体工業社、PV-MECH1型)を用いて80℃の30%NaOHで10分間洗浄して表面をファセット形状とした後、純水で10分間洗浄し、温風乾燥して得た。
パターン形成性の評価では、調製したパッシベーション層形成用組成物1を、シリコン基板Bに、スクリーン印刷法を用いて、図8に示すパターンでドット状又はライン状開口部以外の全面に印刷した。スクリーン印刷は、スクリーン印刷機(ニューロング精密工業社、LZ-0913)を用いて行った。ここで、評価に用いたドット状開口部のパターンは、ドット径(La)が200μmでドット間隔(Lb)が0.886mm、ドット径(La)が150μmでドット間隔(Lb)が0.664mm、ドット径(La)が100μmでドット間隔(Lb)が0.443mmの3種類用意した。また、評価に用いたライン状開口部のパターンは、ライン径(La)が200μmでライン間隔(Lb)が1.0mm、ライン径(La)が150μmでライン間隔(Lb)が1.0mm、ライン径(La)が100μmでライン間隔(Lb)が1.0mmの3種類用意した。
その後、パッシベーション層形成用組成物1を付与したシリコン基板を150℃で5分間加熱し、液状媒体を蒸散させることで乾燥処理した。次いで、シリコン基板Bを700℃の温度で10分間熱処理(焼成)した後、室温(25℃)で放冷した。熱処理(焼成)は、拡散炉(ACCURON CQ-1200、株式会社日立国際電気)を用いて、大気中雰囲気下、最高温度700℃、保持時間10分間の条件で行った。
その後、パッシベーション層形成用組成物1を付与したシリコン基板を150℃で5分間加熱し、液状媒体を蒸散させることで乾燥処理した。次いで、シリコン基板Bを700℃の温度で10分間熱処理(焼成)した後、室温(25℃)で放冷した。熱処理(焼成)は、拡散炉(ACCURON CQ-1200、株式会社日立国際電気)を用いて、大気中雰囲気下、最高温度700℃、保持時間10分間の条件で行った。
パターン形成性の評価では、熱処理(焼成)後の基板に形成されるパッシベーション層内のドット状開口部のドット径(La)又はライン状開口部のライン径(La)を測定した。尚、ドット径(La)又はライン径(La)を10点測定し、その平均値を算出した。
ここで、印刷直後のドット径(La)又はライン径(La)に対し、熱処理(焼成)後のドット径(La)又はライン径(La)の変化率が15%未満のものをA、15%以上30%未満のものをB、30%以上のものをCとして評価した。評価がA又はBであれば、パッシベーション層形成用組成物のパターン形成性は良好である。
ここで、印刷直後のドット径(La)又はライン径(La)に対し、熱処理(焼成)後のドット径(La)又はライン径(La)の変化率が15%未満のものをA、15%以上30%未満のものをB、30%以上のものをCとして評価した。評価がA又はBであれば、パッシベーション層形成用組成物のパターン形成性は良好である。
(ひび割れの評価)
ひび割れの測定には、パターン形成性の評価に用いた評価用基板をそのまま用いた。上記評価用基板を工業用検査顕微鏡(オリンパス株式会社 MX51)を用いて、ドット径(La)が150μmでドット間隔(Lb)が0.664mmの領域から、倍率50倍で無作為に3点測定した。測定した3点の範囲にひび割れが観察されたものが1点以下のものをA、基板面がむき出しになるようなひび割れが観察されたものをC、上記以外をBとして評価した。評価がA又はBであれば、パッシベーション層形成用組成物のパターン形成性は良好である。
ひび割れの測定には、パターン形成性の評価に用いた評価用基板をそのまま用いた。上記評価用基板を工業用検査顕微鏡(オリンパス株式会社 MX51)を用いて、ドット径(La)が150μmでドット間隔(Lb)が0.664mmの領域から、倍率50倍で無作為に3点測定した。測定した3点の範囲にひび割れが観察されたものが1点以下のものをA、基板面がむき出しになるようなひび割れが観察されたものをC、上記以外をBとして評価した。評価がA又はBであれば、パッシベーション層形成用組成物のパターン形成性は良好である。
(実効ライフタイムの測定)
実効ライフタイムの測定には、パッシベーション層の平均厚みの測定に用いた評価用基板をそのまま用いた。上記で得られた評価用基板の実効ライフタイムを、ライフタイム測定装置(日本セミラボ株式会社、WT-2000PVN)を用いて、室温(25℃)で反射マイクロ波光導電減衰法により測定した。得られた評価用基板において、パッシベーション層形成用組成物を付与した領域の実効ライフタイムは、1004μsであった。
実効ライフタイムの測定には、パッシベーション層の平均厚みの測定に用いた評価用基板をそのまま用いた。上記で得られた評価用基板の実効ライフタイムを、ライフタイム測定装置(日本セミラボ株式会社、WT-2000PVN)を用いて、室温(25℃)で反射マイクロ波光導電減衰法により測定した。得られた評価用基板において、パッシベーション層形成用組成物を付与した領域の実効ライフタイムは、1004μsであった。
<実施例2>
実施例1において、配合量を変更した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を3.7780g、テルピネオールを8.9443g、イソボルニルシクロヘキサノールを32.4268g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを3.7807g、純水を1.3922gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物2を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
実施例1において、配合量を変更した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を3.7780g、テルピネオールを8.9443g、イソボルニルシクロヘキサノールを32.4268g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを3.7807g、純水を1.3922gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物2を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
<実施例3>
実施例1において、配合量を変更した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を2.5175g、テルピネオールを12.2784g、イソボルニルシクロヘキサノールを31.9857g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを2.5192g、純水を0.9277gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物3を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物3の、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
実施例1において、配合量を変更した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を2.5175g、テルピネオールを12.2784g、イソボルニルシクロヘキサノールを31.9857g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを2.5192g、純水を0.9277gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物3を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物3の、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
<実施例4>
実施例1において、配合量を変更した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を2.5184g、テルピネオールを9.7742g、イソボルニルシクロヘキサノールを34.1519g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを2.5202g、純水を0.9281gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物4を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物4の、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
実施例1において、配合量を変更した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を2.5184g、テルピネオールを9.7742g、イソボルニルシクロヘキサノールを34.1519g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを2.5202g、純水を0.9281gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物4を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物4の、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
<実施例5>
実施例1において、有機アルミニウム化合物を用いなかった。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を4.8926g、テルピネオールを10.8615g、イソボルニルシクロヘキサノールを32.4981g、純水を0.7934gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物4を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物5の、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
実施例1において、有機アルミニウム化合物を用いなかった。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を4.8926g、テルピネオールを10.8615g、イソボルニルシクロヘキサノールを32.4981g、純水を0.7934gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物4を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物5の、パッシベーション層の平均厚みの測定、パターン形成性の評価、ひび割れの評価、及び実効ライフタイムの測定を行った。
<参考例1>
実施例1におけるパッシベーション層形成用組成物の調製において、一般式(I)で表される化合物及び有機アルミニウム化合物を多く添加した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を10.6840g、テルピネオールを7.2842g、イソボルニルシクロヘキサノールを18.3024g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを10.5887g、純水を3.7180gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物R1を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物R1のチキソ性の評価、パターン形成性の評価、及び実効ライフタイムの評価を行った。
実施例1におけるパッシベーション層形成用組成物の調製において、一般式(I)で表される化合物及び有機アルミニウム化合物を多く添加した。具体的には、各成分の含有量を、ペンタエトキシニオブ(北興化学工業株式会社、構造式:Nb(OC2H5)5、分子量:318.2)を10.6840g、テルピネオールを7.2842g、イソボルニルシクロヘキサノールを18.3024g、アルミニウムエチルアセトアセテートジ-i-プロピレートを10.5887g、純水を3.7180gと変更したこと以外は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物R1を調製した。
その後は、実施例1と同様にして、パッシベーション層形成用組成物R1のチキソ性の評価、パターン形成性の評価、及び実効ライフタイムの評価を行った。
実施例1~5及び参考例1で実施したパッシベーション層形成用組成物についての組成を表1に示す。
実施例1~5及び参考例1で実施したパッシベーション層形成用組成物についてのパッシベーション層の平均厚み、金属化合物塗布量、パターン形成性、ひび割れ及び実効ライフタイムの評価結果を表2に示す。
実施例1~5で作製したパッシベーション層形成用組成物は、パターン形成性が良好であり、ひび割れが少なく膜質が良好であることが分かった。
実施例1~5及び参考例1で実施したパッシベーション層形成用組成物についてのパッシベーション層の平均厚み、金属化合物塗布量、パターン形成性、ひび割れ及び実効ライフタイムの評価結果を表2に示す。
実施例1~5で作製したパッシベーション層形成用組成物は、パターン形成性が良好であり、ひび割れが少なく膜質が良好であることが分かった。
また、実施例1~5で評価した実効ライフタイムは参考例1で測定したものを大きく上回り、本実施形態のパッシベーション層形成用組成物を用いることにより、優れたパッシベーション層が形成されていることが分かった。
パッシベーション層形成用組成物についてのパッシベーション層の平均厚みは、パッシベーション層形成用組成物に含まれる式(I)化合物及び有機アルミニウム化合物の含有量が多い場合に、相対的に高くなる傾向があった。これは、パッシベーション層形成用組成物中に式(I)化合物及び有機アルミニウム化合物の焼結物が多く含まれるようになったからである。
更に、実効ライフタイムは、パッシベーション層形成用組成物に式(I)化合物と有機アルミニウム化合物の両方を含むものを用いた場合に、相対的に高くなる傾向があった。これについては、パッシベーション層形成用組成物中に式(I)化合物と有機アルミニウム化合物の両方を含むことで、熱処理(焼成)により式(I)化合物由来の金属とアルミニウムの複合酸化物が形成され、より緻密で大きな負の固定電荷を持つパッシベーション層が形成される等して、パッシベーション効果がより向上したものと考えられる。
参考例1で作製したシリコン基板A及びBは、パッシベーション層が残存していたものの、パターン形成性と実効ライフタイム共に低かった。これは、パッシベーション層の平均厚みが所望の厚みよりも厚くなりひび割れが全体に生じたため、基板上にパッシベーション層が付与されている面が少なくなったため、パターン崩れ及び実効ライフタイムの低下が起こったものと考えられる。
2015年10月7日に出願された日本国特許出願2015-199645号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
また、本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
また、本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
1:p型半導体基板、2:n+型拡散層、3:PSG(リンシリケートガラス)層、4:反射防止膜、5:パッシベーション層、6:アルミニウム電極ペースト、又はこれを熱処理(焼成)した裏面集電用アルミニウム電極、7:裏面出力取出し電極ペースト、又はこれを熱処理(焼成)した裏面出力取出し電極、8:受光面集電用電極ペースト、又はこれを熱処理(焼成)した受光面集電用電極、9:受光面出力取出し電極ペースト、又はこれを熱処理(焼成)した受光面出力取出し電極、10:p+型拡散層、11:裏面集電用アルミニウム電極。
Claims (12)
- 下記一般式(I)で表される化合物と、水と、を含み、
半導体基板へ印刷法によって付与され、熱処理後の平均厚みが200nm以下のパッシベーション層となる、パッシベーション層形成用組成物。
M(OR1)m (I)
[一般式(I)中、MはAl、Nb、Ta、VO、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種を表す。R1はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。] - 前記一般式(I)で表される化合物の加水分解物を含む請求項1に記載のパッシベーション層形成用組成物。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、
を有するパッシベーション層付半導体基板。 - 前記パッシベーション層の平均厚みが、200nm以下である請求項4に記載のパッシベーション層付半導体基板。
- 半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、
前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、
を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法。 - 前記パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程が、スクリーン印刷法を含む請求項6に記載のパッシベーション層付半導体基板の製造方法。
- p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板と、
前記半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に設けられる、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物の熱処理物であるパッシベーション層と、
前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に配置される電極と、
を有する太陽電池素子。 - 前記パッシベーション層の平均厚みが、200nm以下である請求項8に記載の太陽電池素子。
- p型層及びn型層がpn接合されてなるpn接合部を有する半導体基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、
前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、
前記p型層及び前記n型層の少なくとも一方の層上に、電極を配置する工程と、
を有する太陽電池素子の製造方法。 - 前記パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程が、スクリーン印刷法を含む請求項10に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 請求項8又は請求項9に記載の太陽電池素子と、
前記太陽電池素子の前記電極上に配置される配線材料と、
を有する太陽電池。
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JP2014167961A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | パッシベーション膜用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
JP2015106589A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層付半導体基板の製造方法、パッシベーション層付半導体基板、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
JP2015115488A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池 |
JP2015135858A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びにそれを用いた太陽電池素子及びその製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014014110A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池 |
JP2014167961A (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | パッシベーション膜用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
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