WO2016203923A1 - モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器 - Google Patents

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大谷英嗣
岸上裕治
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ソニー株式会社
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Definitions

  • a solid-state image sensor is mounted in a recess of a base, a frame is fixed around the recess of the base, a lid is attached on the frame, and the lid, the frame, the base, and the image sensor
  • a solid-state imaging device in which a space is formed between the leads and a solid-state imaging device connected by a bonding wire between the leads arranged along the surface of the base in the space.
  • a predetermined amount of sealing agent is applied to the back side of the lid, the lid is attached on the frame with the sealing agent, and the bonding wire is embedded in the sealing agent in the space and sealed. It is configured to be contained in a stopper.
  • the sealant encloses and protects the bonding wire. Also, if an opaque sealant is used, even if a glossy wire such as a metal wire is used, the light reflected by the wire does not enter the pixels of the solid-state image sensor, and there is no adverse effect on the image such as flare. Therefore, a solid-state imaging device with high image quality reliability can be realized.
  • a camera module in which an image sensor is mounted and fixed on a substrate is generally equipped with a thermal sensor and a protection circuit that protects the module from heat.
  • the protection circuit shuts down the module when the thermal sensor detects a certain temperature or higher.
  • the present technology has been made in view of the above problems, and suppresses the heat rise of the module in which the image sensor is mounted and fixed on the substrate as compared with the conventional technology, and the time until the temperature of the module reaches a predetermined temperature compared with the conventional technology.
  • the purpose is to delay and thereby increase the usable time of the module as compared with the prior art.
  • another aspect of the present technology includes a step of mounting a component on a substrate, a step of mounting an image sensor on the substrate, a step of connecting the organic substrate and the image sensor with wires, A step of forming a resin-made frame portion around the image sensor on the organic substrate so as to enclose the component and the wire, and a step of separating the organic substrate into pieces.
  • This is a module manufacturing method.
  • a substrate, an image sensor placed on an upper surface of the organic substrate, a wire connecting the image sensor and the organic substrate, and the wire including the wire are included.
  • modules and electronic devices described above include various modes such as being implemented in other devices and being implemented together with other methods.
  • the above-described module manufacturing method is implemented as part of another method or a manufacturing apparatus that executes each process of a manufacturing apparatus that includes means corresponding to each process, a control program that controls the manufacturing apparatus, and the control It can also be realized as a computer-readable recording medium on which a program is recorded.
  • the thermal conductivity of the organic substrate 10 is 0.2 to 0.3 W / m ⁇ K, which is lower than that of a resin used for molding or sealing.
  • the external connection region A3 provided with the external connection electrodes is provided on the upper surface edge along the side of the image sensor 20 in the non-light receiving region A2, and the external connection electrodes are provided on the four sides of the image sensor 20. It is provided along at least one side.
  • the frame 30 is formed on the upper surface of the organic substrate 10 by resin molding so as to surround the image sensor 20.
  • the frame portion 30 may be formed so as to include at least a part of a circuit element mounted on the organic substrate 10.
  • a certain gap 25 is provided between the image sensor 20 and the frame part 30, and the upper surface of the organic substrate 10 becomes the open part 11 that is not covered by the frame part 30 and the image sensor 20 in the gap 25.
  • the wire 40 connects each electrode of the external connection region A3 of the imaging device 20 and each electrode of the device connection region A4 of the organic substrate 10 to each other.
  • the image sensor 20 outputs an electrical signal generated by photoelectric conversion to a subsequent processing circuit provided on the organic substrate 10 or the like via the wire 40.
  • the wire 40 is sealed with a non-transparent resin (hereinafter referred to as a sealing portion 50).
  • the sealing part 50 is filled in the gap 25 described above so as to enclose the entire periphery of the imaging element 20 so as to enclose the wire 40, and is adhered to the open part 11 of the organic substrate 10 in a close contact state.
  • a part of the sealing portion 50 is provided so as to extend in a protruding manner on the upper surface of the edge of the image sensor 20, covers at least the external connection region A3 of the organic substrate 10, and the element on the upper surface of the edge of the image sensor 20 is covered.
  • the connection area A4 is covered and the wire 40 is included.
  • the inner end of the sealing unit 50 is located inward of the outer end of the image sensor 20 and is located in the non-light receiving area A ⁇ b> 2 of the image sensor 20.
  • the outer end of the sealing portion 50 is located outward from the outer end of the image sensor 20 and substantially coincides with the inner end of the frame portion 30.
  • the upper end of the sealing part 50 is located above the upper surface of the image sensor 20 and above the uppermost part of the wire 40.
  • the sealing part 50 is bonded and integrated with the organic substrate 10 facing the gap 25, the wall surface 31 of the frame part 30, and the wall surface 21 of the imaging element 20, respectively.
  • the sealing part 50 integrates the imaging element 20 and the organic substrate 10 into the frame part 30, whereby the imaging element 20 and the organic substrate 10 can be reinforced. For this reason, it becomes easy to employ the low-rigidity imaging device 20 and the organic substrate 10 (a flexible substrate as the organic substrate 10 and WLCSP (Wafer level Chip Size)) as the imaging device 20).
  • the frame 60 is placed and fixed on the frame portion 30.
  • the frame 60 is a frame-like member having a rectangular opening that is substantially the same shape as the light receiving region A ⁇ b> 1 of the image sensor 20.
  • the light receiving area A1 of the image sensor 20 and the rectangular opening of the frame 60 are arranged in a positional relationship offset along the optical axis direction of the incident light to the light receiving area A1 of the image sensor 20.
  • the lens unit 80 is mounted and fixed on the frame 60.
  • the lens unit 80 has a configuration in which one or a plurality of lenses are disposed in a case, and a driving motor such as a voice coil motor disposed on a side surface of the lens drives the lens.
  • the lower end of the case is fixed to the frame portion 30 via the frame 60.
  • a drive driver (not shown) for driving the drive motor of the lens unit 80 is mounted on the organic substrate 10, for example.
  • the circuit components of the drive driver can also be embedded in the frame portion 30.
  • the module 100 includes the organic substrate 10 having a flat upper surface, the image sensor 20 placed on the upper surface of the organic substrate 10, and the organic substrate so as to surround the image sensor 20.
  • a frame 40 provided on the wire 10
  • a wire 40 connecting the edge of the image sensor 20 and the organic substrate 10
  • a wire 40 connecting the edge of the image sensor 20 and the organic substrate 10
  • the sealing part 50 provided so that the connection site
  • FIG. For this reason, compared with the conventional module provided with an image sensor, the heat dissipation efficiency is remarkably improved.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the heat path of the module 100.
  • the thermal path is indicated by broken line arrows, and the outline of the magnitude relationship of the thermal conductivity is shown by the density of the broken line arrows.
  • the heat radiation from the image sensor 20 according to the present embodiment is mainly performed by the heat radiation to the lens unit via the air layer provided along the upper surface of the image sensor 20 and the lower surface of the image sensor 20.
  • the thermal conductivity of the sealing unit 50 and the frame unit 30 is higher than that of the air layer provided along the upper surface of the image sensor 20, and the organic substrate is arranged in a positional relationship covering the lower surface of the image sensor 20. Higher than 10. That is, a resin-made sealing portion 50 and a frame having high thermal conductivity so as to sew a gap between members such as an air layer provided along the upper surface of the image pickup device 20 and the organic substrate 10 that are difficult to improve heat dissipation.
  • a portion 30 is provided to facilitate heat dissipation from the side surface of the image sensor 20 to the outside of the module 100.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a method for manufacturing the module 100 described above. In the figure, the manufacturing process until the frame 60, the functional optical filter 70, and the lens unit 80 are mounted is shown.
  • an organic substrate 10 having a flat top surface before being singulated is prepared (FIG. 4A).
  • a mold such as a mold is set on the organic substrate 10, and a mold resin that becomes the frame portion 30 is cut on the organic substrate 10 in a later step by mold molding in which a liquid resin is poured into the mold and cured.
  • the resin used for the mold resin is an opaque resin, and is one or a plurality of resins selected from an epoxy resin, an acrylic resin, and a vinyl resin. These resins have a thermal conductivity of 0.5 W / m ⁇ K or more.
  • This mold resin is formed so as to surround the mounting range of the image sensor 20 to be mounted on the organic substrate 10 later.
  • the organic substrate 10 on which the mold resin is formed is separated into pieces (FIG. 4D).
  • the organic substrate 10 and the mold resin are cut along the extending direction of the mold resin at substantially the center in the width direction of the mold resin.
  • the frame part 30 is formed on the separated organic substrate 10, and the cut surface of the frame part 30 is exposed on the side surface of the module 100.
  • the region surrounded by the frame part 30 of the organic substrate 10 and the cut surface of the frame part 30 are cleaned. By cleaning, dirt and burrs of the mold resin, etc., attached to the organic substrate 10 in the steps previously performed, such as molding and singulation, are removed.
  • die bonding is performed in which the imaging element 20 is mounted and bonded to a predetermined position surrounded by the frame portion 30 on the surface of the organic substrate 10 (FIG. 4E).
  • the image sensor 20 is fixed on the organic substrate 10 with the light receiving surface facing away from the organic substrate 10.
  • wire bonding is performed to connect the electrode pad provided in the element connection region A4 of the organic substrate 10 and the electrode provided in the external connection region A3 of the imaging device 20 with a wire 40 (FIG. 4F). .
  • the sealing portion 50 is formed by pouring liquid resin into the gap 25 between the frame portion 30 and the imaging element 20 and performing a treatment such as heating to fill and solidify the resin (FIG. 4G). ).
  • the resin to be filled and solidified in the gap 25 is applied to the upper surface of the edge of the image pickup device 20 from the gap 25 beyond the end of the image pickup device 20, and the sealing portion 50 encloses the entire wire 40.
  • the resin applied in a raised shape on the upper surface of the edge of the image sensor 20 is applied in a range that does not reach the light receiving area A1 while covering the external connection area A3 of the image sensor 20. If necessary, the light receiving area A1 of the imaging element 20 may be masked with a tape or the like so that the resin does not reach the light receiving area A1, and then the resin may be applied.
  • the resin used for forming the sealing portion 50 is one or more resins selected from an epoxy resin, an acrylic resin, and a vinyl resin. These resins have a thermal conductivity of 0.5 W / m ⁇ K or more.
  • the resin used for forming the sealing portion 50 has such a viscosity that the corners of the organic substrate 10 and the image sensor 20 and the corners of the organic substrate 10 and the frame portion 30 are filled without a gap. Thereby, the filling rate of the resin in the gap 25 can be improved.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the configuration of the module 300 according to the present embodiment.
  • the module 300 includes an organic substrate 310, an image sensor 320, a wire 340 as a metal wire connecting the image sensor 320 and the organic substrate 310, and a resin frame 330 that seals the wire 340.
  • One end of the wire 340 is connected to the organic substrate 310, and the other end of the wire 340 is connected to the upper surface edge of the image sensor 320.
  • the organic substrate 310 various substrates having a flat top surface can be used.
  • a rigid substrate, a rigid flexible substrate in which a flexible substrate and a rigid substrate are combined, or the like can be used. That is, the organic substrate 10 according to the present embodiment is not limited to a substrate formed of only an organic material such as a resin, but may be a “substrate including an organic material” in which the organic material such as a resin includes another material such as a metal. .
  • the thermal conductivity of the organic substrate 310 is 0.2 to 0.3 W / m ⁇ K, which is lower than that of the resin used for the mold.
  • the image sensor 320 is mounted and fixed at a predetermined position on the upper surface of the organic substrate 310.
  • the upper surface configuration of the image sensor 320 is the same as that of the image sensor 20 according to the first embodiment described above, and a light receiving region A1 (not shown in FIG. 5) in which a plurality of pixels are formed and pixels are formed.
  • Non-light-receiving area A2 (not shown in FIG. 5).
  • the frame portion 330 is formed on the upper surface of the organic substrate 310 by resin molding so as to enclose the entire periphery of the image sensor 320 so as to enclose the wire 340, and a part thereof is formed on the upper surface of the edge of the image sensor 320. It extends in an overhang shape and covers the wire 340. That is, the frame part 330 is formed so as to include the wire 340 and include at least a part of the circuit element mounted on the organic substrate 310, and the frame part 30 according to the first embodiment and It has both functions of the sealing part 50.
  • a functional optical filter 370 such as an infrared cut filter is fixed on a frame portion 330 extending on the upper surface of the edge of the image sensor 320. That is, since the frame 330 extends to the vicinity of the light receiving area A1 on the upper surface of the edge of the image sensor 320, conventionally, the frame is extended to the vicinity of the light receiving area A1 and fixed to the inner edge of the frame 60.
  • a functional optical filter 370 having substantially the same size as the size can be fixed on the frame 330. For this reason, the frame 60 according to the first embodiment is unnecessary in this embodiment.
  • the lens unit 380 has the same configuration as the lens unit 80 according to the first embodiment described above, but is directly placed and fixed on the frame portion 330. For this reason, the lens unit 380 is disposed closer to the image sensor 320 by the thickness of the frame 60 according to the first embodiment, and the overall module 300 can be reduced in height. To do. Further, since the frame part 330 is provided on the outer edge of the image sensor 320 so as to protrude, the fixing position of the lens unit 380 on the frame part 330 can be offset as a whole toward the center of the module. That is, the design freedom in the lateral direction of the module 300 is improved, for example, the case of the lens unit 380 can be narrowed.
  • the module 300 includes the organic substrate 310 having a flat upper surface, the image sensor 320 placed on the upper surface of the organic substrate 310, the edge of the image sensor 320, and the organic substrate 310.
  • the thermal conductivity of the frame portion 330 is larger than the thermal conductivity of the organic substrate 310. For this reason, compared with the conventional module provided with an image sensor, the heat dissipation efficiency is remarkably improved.
  • the interval between the wire 340 and the surface-mounted components can be reduced, and the module 300 can be reduced.
  • the degree of freedom of the module 300 is improved such that the whole can be reduced in size and height, and the heat dissipation path from the image sensor 320 via the frame 330 is shortened, so that the heat dissipation efficiency is improved.
  • wire bonding is performed to connect the electrode pad provided in the element connection region A4 of the organic substrate 310 and the electrode provided in the external connection region A3 of the image sensor 320 with a wire 340 (FIG. 6D). .
  • the cavity formed on the organic substrate 310 when the mold is set is formed in a range that includes the surface-mounted components and the wires 340 mounted on the organic substrate 310. That is, the hollow portion is formed in a range including the area from the organic substrate 310 around the image sensor 320 to the non-light-receiving region A2 of the image sensor 320. As a result, the surface-mounted component and the wire 340 are embedded by the resin that has flowed into the cavity and solidified.
  • a functional optical filter 370 such as an infrared cut filter is fixed on the frame portion 330.
  • the lens unit 380 is placed and fixed on the frame portion 330 using an adhesive or the like.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an example of an electronic apparatus 600 including the module 100 or the module 300 according to the above-described embodiment.
  • the electronic device 600 include an imaging device such as a digital still camera, a digital video camera, and a camera-equipped mobile phone.
  • the module 100 or the module 300 is a component responsible for an imaging function, and includes an optical system 530 including an imaging lens, and an imaging element 540 such as a CCD (Charge-Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor).
  • the image sensor 540 converts an optical image formed by the optical system 530 into an electrical signal, and outputs an imaging signal (image signal) corresponding to the optical image.
  • the camera signal processing unit 610 performs various signal processing such as analog / digital conversion, noise removal, image quality correction, and conversion to luminance / color difference signals on the image signal output from the image sensor 540.
  • the resin-made frame portion that is formed on the organic substrate by surrounding the image sensor by molding forms a wire sealing portion that is attached to the side surface of the image sensor while enclosing the wire.

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Abstract

イメージセンサを基板に搭載固定したモジュールの熱上昇を従来に比べて抑制し、モジュールの温度が所定温度に達するまでの時間を従来に比べて遅延させ、これによりモジュールの使用可能時間を従来に比べて長くする 有機基板と、前記有機基板の上面に載置されたイメージセンサと、前記イメージセンサと前記有機基板を接続するワイヤと、前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部と、を備え、前記ワイヤ封止部の熱伝導率が前記有機基板の熱伝導率よりも高い、モジュール。

Description

モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器
 本技術は、モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器に関する。
 特許文献1には、基台の凹部に固体撮像素子を搭載し、基台の凹部の周囲に枠部を固定し、枠部上に蓋を取り付けて、蓋と枠部と基台と撮像素子との間に空間を形成し、この空間内で、基台表面に沿って配設されるリードと固体撮像素子とをボンディングワイヤーで接続配線した固体撮像装置が開示されている。この固体撮像装置においては、蓋の裏面側に所定量の封止剤を塗布し、封止剤で蓋を枠部上に取り付けてあり、前記空間においてボンディングワイヤーが封止剤に埋め込まれて封止剤に内包される構成となっている。
 このように構成された固体撮像装置では、封止剤がボンディングワイヤーを内包して保護する。また、不透明の封止剤を使用すれば、金属ワイヤー等の有光沢ワイヤーを用いたとしても、ワイヤーによる反射光が固体撮像素子の画素に入光せず、フレア等の画像への悪影響が無く、画質信頼性の高い固体撮像装置を実現することができる。
特開平6-21414号公報
 基板上にイメージセンサを搭載固定したカメラモジュールは、熱センサとモジュールを熱から保護する保護回路を搭載することが一般的である。保護回路は、熱センサが一定温度以上を検知すると、モジュールをシャットダウンする。
 ここで、本願発明者らが行った試験によれば、カメラモジュールの昇温曲線は、傾きが漸減する指数関数様のカーブであり、全体的に温度が2℃低下するとモジュールがシャットダウンする一定温度(例えば60℃)に到達するまでの時間が3~4分遅延するという結果を得た。
 本技術は、前記課題に鑑みてなされたもので、イメージセンサを基板に搭載固定したモジュールの熱上昇を従来に比べて抑制し、モジュールの温度が所定温度に達するまでの時間を従来に比べて遅延させ、これによりモジュールの使用可能時間を従来に比べて長くすることを目的とする。
 本技術の態様の1つは、有機基板と、前記有機基板の上面に載置されたイメージセンサと、前記イメージセンサと前記有機基板を接続するワイヤと、前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部と、を備え、前記ワイヤ封止部の熱伝導率が前記有機基板の熱伝導率よりも高い、モジュールである。
 また、本技術の他の態様の1つは、基板上に部品を実装する工程と、前記部品を内包するように前記有機基板上にモールド成型により樹脂製の枠部を形成する工程と、前記有機基板を個片化する工程と、個片化された前記有機基板上で前記枠部が囲繞する位置にイメージセンサを搭載する工程と、前記有機基板と前記イメージセンサとをワイヤで接続する工程と、前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着された樹脂製のワイヤ封止部を形成する工程と、を含んで構成される、モジュールの製造方法である。
 また、本技術の他の態様の1つは、基板上に部品を実装する工程と、基板上にイメージセンサを搭載する工程と、前記有機基板と前記イメージセンサとをワイヤで接続する工程と、前記部品とワイヤを内包するように前記有機基板上の前記イメージセンサの周囲にモールド成型により樹脂製の枠部を形成する工程と、前記有機基板を個片化する工程と、を含んで構成される、モジュールの製造方法である。
 また、本技術の他の態様の1つは、基板と、前記有機基板の上面に載置されたイメージセンサと、前記イメージセンサと前記有機基板を接続するワイヤと、前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部と、を備え、前記ワイヤ封止部の熱伝導率が前記有機基板の熱伝導率よりも高い、モジュールを備える電子機器である。
 なお、以上説明したモジュールや電子機器は、他の機器に組み込まれた状態で実施されたり他の方法とともに実施されたりする等の各種の態様を含む。また、上述したモジュールの製造方法は、他の方法の一環として実施されたり各工程に対応する手段を備えた製造装置の各工程を実行する製造装置、当該製造装置を制御する制御プログラム、当該制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、等としても実現可能である。
 本技術によれば、イメージセンサを基板に搭載固定したモジュールの熱上昇を従来に比べて抑制し、モジュールの温度が所定温度に達するまでの時間を従来に比べて遅延させ、これによりモジュールの使用可能時間を従来に比べて長くすることができる。なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また付加的な効果があってもよい。
第1の実施形態に係るモジュールの構成を説明する図である。 第1の実施形態に係るモジュールの上面構成を説明する図である。 撮像素子の放熱パスを説明する図である。 第1の実施形態に係るモジュールの製造方法を説明する図である。 第3の実施形態に係るモジュールの構成を説明する図である。 第3の実施形態に係るモジュールの製造方法を説明する図である。 第5の実施形態に係る撮像装置の構成を説明する図である。
 以下、下記の順序に従って本技術を説明する。
(A)第1の実施形態:
(B)第2の実施形態:
(C)第3の実施形態:
(D)第4の実施形態
(E)第5の実施形態
(A)第1の実施形態:  
 図1は、本実施形態に係るモジュール100の構成を模式的に示す図である。モジュール100は、有機基板10、撮像素子20、樹脂製の枠部30、撮像素子20と有機基板10との間を接続する金属線としてのワイヤ40、及び、ワイヤ40を封止する封止部50、を備える。ワイヤ40の一端は、有機基板10において、枠部30及び撮像素子20に対面しない部位に接続され、ワイヤ40の他端は、撮像素子20の上面縁部に接続されている。
 有機基板10は、上面平坦な各種の基板を採用可能であり、例えば、薄くて柔軟な有機材料を絶縁性基材に用いたフレキシブル基板、柔軟性の無い有機材料を絶縁性基材に用いたリジッド基板、フレキシブル基板とリジッド基板を複合したリジッドフレキシブル基板、等を用いることができる。すなわち、本実施形態に係る有機基板10は、樹脂等の有機物のみで形成された基板のみならず、樹脂等の有機物が金属等の他の材料を含む「有機物を含む基板」であってもよい。
 有機基板10の熱伝導率は0.2~0.3W/m・Kであり、モールドや封止に用いる樹脂に比べて低熱伝導率である。
 撮像素子20は、有機基板10の上面の所定位置に載置固定されている。撮像素子20は、被写体から光学系を介して入射する光を受光する複数の画素が上面に形成されており、画素で受光した光を光電変換し、光量に応じた電気信号を出力する。
 図2は、モジュール100上面のレイアウトの一例を模式的に示した図である。撮像素子20の上面は、複数の画素が形成された受光領域A1と、画素が形成されていない非受光領域A2とを有する。
 受光領域A1には、複数の画素が例えば二次元配列されている。二次元配列には、ダイアゴナル配列、デルタ配列、ハニカム配列等、各種の配列を含む。
 非受光領域A2は、例えば、周辺回路が形成された周辺回路領域や後述する外部接続領域A3を含む領域である。なお、撮像素子20として、画素と周辺回路とを撮像素子20の厚み方向に並設する積層型イメージセンサを採用した場合は、周辺回路領域は、受光領域A1の裏面側(撮像素子20の有機基板10側)に形成されるため、この場合、非受光領域A2には周辺回路領域は含まない場合がある。
 外部接続用の電極が設けられた外部接続領域A3は、非受光領域A2において、撮像素子20の辺に沿う上面縁部に設けられており、外部接続用の電極は、撮像素子20の四辺の少なくとも一辺に沿って設けられている。
 枠部30は、有機基板10の上面に、撮像素子20を囲繞する形状で、樹脂のモールド成型により形成されている。当該枠部30は、有機基板10上に実装された回路素子の少なくとも一部を内包して形成してもよい。
 枠部30は、有機基板10より熱伝導率の高い樹脂で構成され、具体的には、熱伝導率が0.5W/m・K以上の樹脂で構成される。枠部30の樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂の少なくとも1つを採用できる。有機基板10よりも高熱伝導率の樹脂で枠部30を形成することにより、モジュール100全体として撮像素子20の発熱を放熱しやすくなる。
 本実施形態において、撮像素子20と枠部30の間には一定の隙間25が設けられており、隙間25において有機基板10の上面は枠部30及び撮像素子20によって覆蓋されない開放部11となる。
 有機基板10の開放部11には、撮像素子20の固定位置の周りに、撮像素子20の外部接続領域A3に形成される電極と接続される電極パッドが設けられた素子接続領域A4が設けられる。素子接続領域A4の電極パッドは、撮像素子20の辺に沿って有機基板10の開放部11に並設されており、撮像素子20四辺の少なくとも一辺に沿って設けられている。
 ワイヤ40は、撮像素子20の外部接続領域A3の各電極と有機基板10の素子接続領域A4の各電極を互いに接続している。撮像素子20は、光電変換により生成した電気信号をワイヤ40を介して有機基板10等に設けられた後段の処理回路へ出力する。
 ワイヤ40は、撮像素子20の上面の縁部と当該縁部に面する有機基板10の開放部11との間を山なりに屈曲して接続しており、屈曲部の最高点は撮像素子20の上面から約数十~数百μmの高さとなる。なお、ワイヤ40による撮像素子20と有機基板10の接続は、撮像素子20の少なくとも1辺に沿って設けられればよく、撮像素子20から有機基板10への信号出力の必要に応じて適宜増減変更される。
 ワイヤ40は、非透明の樹脂により封止されている(以下、封止部50と記載する。)。封止部50は、ワイヤ40を内包するべく、撮像素子20の周囲全体を囲うように上述した隙間25に充填され、有機基板10の開放部11に密着状に接着している。
 封止部50は、一部が撮像素子20の縁部上面に張り出し状に延びて設けられており、有機基板10の少なくとも外部接続領域A3を覆蓋し、撮像素子20については縁部上面の素子接続領域A4を覆蓋し、ワイヤ40を内包する。封止部50の内端は、撮像素子20の外端よりも内方に位置し、撮像素子20の非受光領域A2内に位置する。封止部50の外端は、撮像素子20の外端よりも外方に位置し、枠部30の内端に略一致する。封止部50の上端は撮像素子20の上面よりも上方であってワイヤ40の最上部よりも上方に位置している。
 封止部50は、隙間25に面する有機基板10、枠部30の壁面31及び撮像素子20の壁面21にそれぞれ接着して一体化している。封止部50が撮像素子20と有機基板10を枠部30に一体化することにより、撮像素子20及び有機基板10を補強することができる。このため、低剛性の撮像素子20や有機基板10(有機基板10としてはフレキシブル基板、撮像素子20としてはWLCSP(Wafer level Chip Size Package)、等)を採用しやすくなる。
 封止部50は、有機基板10よりも熱伝導率の高い樹脂で構成され、具体的には、熱伝導率が0.5W/m・K以上の樹脂で構成される。一例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂、アクリルとエポキシの混合樹脂等がある。枠部30の樹脂と封止部50の樹脂は、同種の樹脂であってもよいし、別種の樹脂であってもよい。封止部50として有機基板10よりも高熱伝導率の樹脂を用いることにより、撮像素子20からの発熱が放熱しやすくなる。
 フレーム60は、枠部30の上に載置固定されている。フレーム60は、撮像素子20の受光領域A1と略同形状の矩形開口を有する枠状の部材である。撮像素子20の受光領域A1とフレーム60の矩形開口とは、撮像素子20の受光領域A1への入射光の光軸方向に沿ってオフセットした位置関係で配置される。
 赤外線カットフィルタ等の機能性光学フィルタ70は、フレーム60の矩形開口に固定されている。なお、図1には、フレーム60の矩形開口において撮像素子20に対面する側面に機能性光学フィルタ70が固定された例を示してあるが、機能性光学フィルタ70は、フレーム60の矩形開口においてレンズユニット80に対面する側面に固定されてもよい。
 レンズユニット80は、フレーム60の上に載置固定されている。レンズユニット80は、1又は複数のレンズがケース内に配設されており、レンズの側面に配設されたボイスコイルモータ等の駆動モーターがレンズを駆動する構成である。ケースの下端は、フレーム60を介して枠部30に固定されている。
 レンズユニット80の駆動モーターを駆動するための駆動ドライバ(不図示)は、例えば、有機基板10上に実装される。駆動ドライバを有機基板10上に実装する場合、その駆動ドライバの回路部品も枠部30内に埋設することができる。
 以上説明したように、本実施形態に係るモジュール100は、上面が平坦な有機基板10と、有機基板10の上面に載置された撮像素子20と、撮像素子20の周囲を囲うように有機基板10上に設けられた枠部30と、撮像素子20の縁部と有機基板10とを接続するワイヤ40と、ワイヤ40を内包し、撮像素子20の縁部のワイヤ40の接続部位及び有機基板10のワイヤ40の接続部位を覆うように設けられた封止部50とを備えており、封止部50の熱伝導率が有機基板10の熱伝導率よりも大きい構成としてある。このため、撮像素子を備える従来のモジュールに比べて放熱効率が格段に向上している。
 図3は、モジュール100の熱パスを説明する図である。同図には、熱パスを破線矢印で示してあり、破線矢印の密度によって熱伝導率の大小関係の概略を示してある。
 同図に示すように、本実施形態に係る撮像素子20からの放熱には、主として、撮像素子20の上面に沿って設けられる空気層を介したレンズユニットへの放熱、撮像素子20の下面に配設される有機基板10を介した放熱、及び、撮像素子20の側面及び上面縁部から封止部50及び枠部30を介した放熱がある。
 ここで、封止部50及び枠部30の熱伝導率は、撮像素子20の上面に沿って設けられる空気層に比べて高く、撮像素子20の下面を覆蓋する位置関係で配置される有機基板10に比べても高い。すなわち、撮像素子20の上面に沿って設けられる空気層や有機基板10といった放熱性を容易に改善することが難しい部材の隙間を縫うように熱伝導率の高い樹脂製の封止部50及び枠部30を設けて、撮像素子20の側面から熱をモジュール100外に放熱しやすくしてある。これにより、従来構成からの変更を必要最小限としつつ、従来のモジュールに比べて放熱効率が格段に向上し、モジュール100の温度が所定温度に達するまでの時間を従来に比べて遅延させ、モジュールの使用可能時間を従来に比べて長くすることができる。
(B)第2の実施形態:  
 図4は、上述したモジュール100の製造方法を説明する図である。なお、同図には、フレーム60、機能性光学フィルタ70及びレンズユニット80を搭載する前までの製造工程を示してある。
 まず、個片化前の上面平坦な有機基板10を用意する(図4(a))。
 次に、有機基板10の上に必要な表面実装部品を配置して実装する(図4(b))。表面実装部品は、後に行うモールド成型で枠部30が形成される範囲内に実装する。
 次に、有機基板10の上に金型等の鋳型をセットし、鋳型内に液状の樹脂を流し込んで硬化させるモールド成型により後の工程でカットにより枠部30となるモールド樹脂を有機基板10上に形成する(図4(c))。このモールド樹脂に用いる樹脂としては不透明の樹脂であり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂から選択される1又は複数の樹脂である。これら樹脂は、熱伝導率が0.5W/m・K以上である。このモールド樹脂は、後で有機基板10に搭載される撮像素子20の搭載範囲を囲うように形成される。
 次に、モールド樹脂を形成した有機基板10を個片化する(図4(d))。有機基板10及びモールド樹脂は、モールド樹脂の幅方向の略中央をモールド樹脂の延設方向に沿ってカットされる。これにより、個片化された有機基板10上に枠部30が形成され、モジュール100の側面には枠部30の切断面が露出する。個片化後、有機基板10の枠部30に囲われた領域や枠部30の切断面等を洗浄する。洗浄により、モールド成型や個片化等の先に行われた工程で有機基板10に付着した汚れやモールド樹脂のバリ等が除去される。
 次に、有機基板10の表面の枠部30に囲われた所定位置に撮像素子20を搭載して接着するダイボンドを行う(図4(e))。撮像素子20は、受光面を有機基板10に対面しない側にして、有機基板10上に固定される。
 次に、有機基板10の素子接続領域A4に設けられる電極パッドと、撮像素子20の外部接続領域A3に設けられた電極とを、ワイヤ40で接続するワイヤボンディングを行う(図4(f))。
 次に、枠部30と撮像素子20の間の隙間25に、液状の樹脂を注ぎ込んで加熱等の処理を行って樹脂を充填固化させることにより封止部50を形成する(図4(g))。隙間25に充填固化される樹脂は、隙間25から撮像素子20の端部を超えて撮像素子20の縁部上面に盛り上げ状に塗布され、封止部50はワイヤ40全体を内包する。撮像素子20の縁部上面に盛り上げ状に塗布される樹脂は、撮像素子20の外部接続領域A3を覆いつつ、受光領域A1に到達しない範囲で塗布される。なお、必要に応じて、撮像素子20の受光領域A1をテープ等でマスキングして、樹脂が受光領域A1上に到達しないようにしてから、樹脂の塗布を行ってもよい。
 封止部50の形成に用いる樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂から選択される1又は複数の樹脂である。これら樹脂は、熱伝導率が0.5W/m・K以上である。封止部50の形成に用いる樹脂は、有機基板10と撮像素子20の角部及び有機基板10と枠部30の角部にまで隙間なく充填される程度の粘度とする。これにより、隙間25における樹脂の充填率が向上することができる。
 その後、枠部30の上にフレーム60を載置して接着剤等で固定する。フレーム60の矩形開口には、赤外線カットフィルタ等の機能性光学フィルタ70が固定される。フレーム60上には、レンズユニット80が接着剤などを用いて載置固定される。以上の工程により、第1の実施形態に係るモジュール100を製造することができる。
(C)第3の実施形態: 
 図5は、本実施形態に係るモジュール300の構成を模式的に示す図である。モジュール300は、有機基板310、撮像素子320、撮像素子320と有機基板310との間を接続する金属線としてのワイヤ340、及び、ワイヤ340を封止する樹脂製の枠部330、を備える。ワイヤ340の一端は、有機基板310に接続され、ワイヤ340の他端は、撮像素子320の上面縁部に接続されている。
 なお、モジュール300は、枠部330を除くと第1の実施形態に係るモジュール100と略同等の構成であるため、以下では、枠部330以外の構成については詳細な説明を省略することにする。
 有機基板310は、上面平坦な各種の基板を採用可能であり、例えば、薄くて柔軟な有機材料を絶縁性基材に用いたフレキシブル基板、柔軟性の無い有機材料を絶縁性基材に用いたリジッド基板、フレキシブル基板とリジッド基板を複合したリジッドフレキシブル基板、等を用いることができる。すなわち、本実施形態に係る有機基板10は、樹脂等の有機物のみで形成された基板のみならず、樹脂等の有機物が金属等の他の材料を含む「有機物を含む基板」であってもよい。
 有機基板310の熱伝導率は0.2~0.3W/m・Kであり、モールドに用いる樹脂に比べて低熱伝導率である。
 撮像素子320は、有機基板310の上面の所定位置に載置固定されている。撮像素子320の上面構成は、上述した第1の実施形態に係る撮像素子20と同様であり、複数の画素が形成された受光領域A1(図5には不図示)と、画素が形成されていない非受光領域A2(図5には不図示)とを有する。
 有機基板310には、撮像素子320の固定位置の周りに、撮像素子320の外部接続領域A3(図5には不図示)に形成される電極と接続される電極パッドが設けられた素子接続領域A4(図5には不図示)が設けられる。素子接続領域A4の電極パッドは、撮像素子320の辺に沿って有機基板310に並設されており、撮像素子320四辺の少なくとも一辺に沿って設けられている。
 ワイヤ340は、上述した第1の実施形態に係る撮像素子20と同様に、撮像素子320の外部接続領域A3の各電極と有機基板310の素子接続領域A4の各電極を互いに接続している。
 枠部330は、有機基板310の上面に、ワイヤ340を内包するべく、撮像素子320の周囲全体を囲うように樹脂によりモールド成型により形成されており、一部が撮像素子320の縁部上面に張り出し状に延びてワイヤ340を覆っている。すなわち、枠部330は、ワイヤ340を内包し、且つ、有機基板310上に実装された回路素子の少なくとも一部を内包するように形成されており、第1の実施形態に係る枠部30及び封止部50の双方の機能を併せ持つ。
 枠部330は、有機基板310より熱伝導率の高い樹脂で構成され、具体的には、熱伝導率が0.5W/m・K以上の樹脂で構成される。枠部330の樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂の少なくとも1つである。有機基板310よりも高熱伝導率の樹脂を枠部330として用いることにより、撮像素子320の発熱を放熱しやすくなる。
 枠部330は、一部が撮像素子320の縁部上面に張り出し状に延びてワイヤ340を覆っている。枠部330の内端は、撮像素子320の外端よりも内方に位置し、撮像素子320の非受光領域A2内に位置する。枠部330の外端は、撮像素子320の外端よりも外方に位置し、枠部330の外側面は、モジュール300の外側面の一部を構成する。
枠部330の上端は撮像素子320の上面よりも上方であってワイヤ340の最上部よりも上方に位置している。
 このように、上述した第1の実施形態に封止部50と枠部30の双方の機能を併せ持つ枠部330を設けることにより、撮像素子320を小型化できる。すなわち、第1の実施形態に係るモジュール100において封止部50内に封止されていたワイヤ340と枠部30内に封止されていた表面実装部品との距離を近づけて、ワイヤ340と表面実装部品をまとめて枠部330内に封止できるため、撮像素子320の側面からモジュール300の側面までの距離が短縮され、モジュール300全体を小型化できる。そして、撮像素子320からモジュール300の側面までの距離が短縮することにより、撮像素子320から外部への放熱パスも短縮されて放熱効率も向上する。
 赤外線カットフィルタ等の機能性光学フィルタ370は、撮像素子320の縁部上面に延設された枠部330上に固定されている。すなわち、枠部330が撮像素子320の縁部上面において受光領域A1の近傍まで延設されているため、従来、フレームを受光領域A1の近傍まで延設し、フレーム60の内縁部に固定していたサイズと略同等サイズの機能性光学フィルタ370を、枠部330上に固定可能である。このため、第1の実施形態に係るフレーム60が本実施形態では不要化する。
 レンズユニット380は、上述した第1の実施形態に係るレンズユニット80と同様の構成であるが、枠部330の上に直接に載置固定されている。このため、第1の実施形態に係るフレーム60の厚み分だけ、レンズユニット380が撮像素子320寄りに配置され、モジュール300全体を低背化できる等、モジュール300の厚み方向の設計自由度が向上する。また、枠部330が撮像素子320の外縁上に張り出し状に設けられるため、枠部330上のレンズユニット380の固定位置を全体としてモジュール中心方向にオフセット可能となる。すなわち、レンズユニット380のケースを狭幅化できる等、モジュール300の横方向の設計自由度が向上する。
 以上説明したように、本実施形態に係るモジュール300は、上面が平坦な有機基板310と、有機基板310の上面に載置された撮像素子320と、撮像素子320の縁部と有機基板310とを接続するワイヤ340と、ワイヤ340を内包し、撮像素子320の縁部のワイヤ340の接続部位及び有機基板310のワイヤ340の接続部位を覆うように設けられた枠部330とを備えており、枠部330の熱伝導率が有機基板310の熱伝導率よりも大きい構成としてある。このため、撮像素子を備える従来のモジュールに比べて放熱効率が格段に向上している。また、ワイヤ340と有機基板310上の表面実装部品とをまとめて枠部330で封止する構造を採用しているため、ワイヤ340と表面実装部品の間隔を狭めることが可能になり、モジュール300全体を小型化・低背化できる等、モジュール300の自由度が向上するとともに、撮像素子320からの枠部330を介した放熱パスが短縮して放熱効率が向上する。
(D)第4の実施形態:  
 図6は、上述したモジュール300の製造方法を説明する図である。なお、同図には、機能性光学フィルタ370及びレンズユニット380を搭載する前までの製造工程を示してある。
 まず、個片化前の上面平坦な有機基板310を用意する(図6(a))。
 次に、有機基板310の上に必要な表面実装部品を配置して固定する(図6(b))。
表面実装部品は、後にモールド成型により枠部330が形成される範囲内に固定する。
 次に、有機基板310の表面の所定位置に撮像素子320を搭載して接着するダイボンドを行う。撮像素子320は、受光面を有機基板310に対面しない側に向けて、有機基板310上に固定される(図6(c))。
 次に、有機基板310の素子接続領域A4に設けられる電極パッドと、撮像素子320の外部接続領域A3に設けられた電極とを、ワイヤ340で接続するワイヤボンディングを行う(図6(d))。
 次に、有機基板310の上に金型等の鋳型をセットし、鋳型内に液状の樹脂を流し込んで固化させるモールド成型により後の工程でカットにより枠部330となるモールド樹脂を有機基板310上に形成する(図6(e))。モールド樹脂に用いる樹脂としては不透明の樹脂であり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂から選択される1又は複数の樹脂である。これら樹脂は、熱伝導率が0.5W/m・K以上である。このモールド樹脂は、撮像素子320の搭載範囲を囲うように形成されるとともに一部が撮像素子320の外縁上に張り出し状に形成される。具体的には、撮像素子320の外部接続領域A3及び有機基板310上の表面実装部品が実装された範囲を覆いつつ、撮像素子320の受光領域A1に到達しない範囲に形成される。
 なお、鋳型のセット前に、撮像素子320上面の受光領域A1にマスキングテープ等の保護部材を貼着して撮像素子320上面の受光領域A1を保護しておく。保護部材は、撮像素子320上面に密着させ、モールド用の樹脂が隙間から受光領域A1上に流入して付着しないようにすることが望ましい。
 鋳型をセットしたときに有機基板310上に形成される空洞部には、有機基板310上に実装される表面実装部品及びワイヤ340を包含する範囲に形成される。すなわち、空洞部は、撮像素子320の周囲の有機基板310上から、撮像素子320の非受光領域A2まで含む範囲に形成される。これにより、空洞部内に流入固化した樹脂により表面実装部品及びワイヤ340が埋設される。
 次に、モールド樹脂が形成された有機基板310を個片化する。有機基板310及びモールド樹脂は、モールド樹脂の幅方向の略中央をその延設方向に沿ってカットされる。これにより、モジュール300の側面には枠部330の切断面が露出する。個片化後、有機基板310の枠部330に囲われた領域や枠部330の切断面等を洗浄する。洗浄により、モールド成型や個片化等の先に行われた工程で有機基板310に付着した汚れやモールド樹脂のバリ等が除去される。
 その後、枠部330の上に、赤外線カットフィルタ等の機能性光学フィルタ370が固定される。また、枠部330の上には、レンズユニット380が接着剤などを用いて載置固定される。以上の工程により、第3の実施形態に係るモジュール300を製造することができる。
(E)第5の実施形態:  
 図7は、上述した実施形態に係るモジュール100又はモジュール300を備える電子機器600の一例の概略構成を示すブロック図である。電子機器600としては、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯電話等の撮像装置がある。
 電子機器600は、モジュール100又はモジュール300、カメラ信号処理部610と、画像処理部620、表示部630、リーダ/ライタ640、演算処理部650、操作入力部660、及びレンズ駆動制御部670を備えている。
 モジュール100又はモジュール300は、撮像機能を担う構成要素であり、撮像レンズを含む光学系530、CCD(Charge Coupled Devices)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の撮像素子540を有している。撮像素子540は、光学系530が形成する光学像を電気信号に変換し、光学像に応じた撮像信号(画像信号)を出力する。
 カメラ信号処理部610は、撮像素子540が出力する画像信号に対してアナログ/デジタル変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の各種の信号処理を行う。
 画像処理部620は、画像信号の記録再生処理を行うものであり、所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理等を行う。
 表示部630は、操作入力部660に対する操作入力に応じた表示や撮影した画像等の各種のデータを表示する機能を有している。
 リーダ/ライタ640は、メモリーカード等の外部記憶媒体に対するデータ書き込み及び外部記憶媒体からのデータ読み出しを行うものであり、例えば、画像処理部620が符号化した画像データを外部記憶媒体へ書き込んだり、外部記憶媒体が記憶する画像データを読み出して画像処理部620へ出力したりする。
 演算処理部650は、電子機器600の各回路ブロックを制御する制御部として機能する構成要素であり、操作入力部660からの操作入力信号等に基づいて各回路ブロックを制御する。演算処理部650からの制御信号に基づいてレンズ駆動制御部670の駆動ドライバは光学系530のレンズを駆動する駆動モーター等を制御する。
 操作入力部660は、ユーザが所要の操作を行うためのスイッチやタッチパネル等からなり、例えば、シャッタ操作を行うためのシャッタレリーズ操作要素や、動作モードを選択するための選択操作要素等によって構成され、ユーザが行った操作入力に応じた操作入力信号を演算処理部650に出力する。
 なお、本技術は上述した各実施形態に限られず、上述した実施形態の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、公知技術並びに上述した実施形態の中で開示した各構成を相互に置換したり組み合わせを変更したりした構成、等も含まれる。また,本技術の技術的範囲は上述した実施形態に限定されず,特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
 そして、本技術は、以下のような構成を取ることができる。
(1)
 有機基板と、
 前記有機基板の上面に載置されたイメージセンサと、
 前記イメージセンサと前記有機基板を接続するワイヤと、
 前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部と、を備え、
 前記ワイヤ封止部の熱伝導率が前記有機基板の熱伝導率よりも高い、モジュール。
(2)
 モールド成型により作製された樹脂製の枠部が前記イメージセンサを囲繞して前記有機基板上に設けられ、
 前記ワイヤ封止部は、前記イメージセンサと前記枠部の間で前記有機基板上に充填固化された樹脂である、前記(1)に記載のモジュール。
(3)
 モールド成型により前記イメージセンサを囲繞して前記有機基板上に作製された樹脂製の枠部が、上記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部を構成する、前記(1)に記載のモジュール。
(4)
 前記枠部の上にレンズユニットが載置された、前記(2)又は前記(3)に記載のモジュール。
(5)
 前記ワイヤ封止部の熱伝導率は、0.5W/m・K以上であり、
 前記有機基板の熱伝導率は、0.2~0.3W/m・Kである、前記(1)~前記(4)の何れか1項に記載のモジュール。
(6)
 前記ワイヤ封止部の樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂の少なくとも1つである、前記(1)~前記(5)の何れか1項に記載のモジュール。
(7)
 基板上に部品を実装する工程と、
 前記部品を内包するように前記有機基板上にモールド成型により樹脂製の枠部を形成する工程と、
 前記有機基板を個片化する工程と、
 個片化された前記有機基板上で前記枠部が囲繞する位置にイメージセンサを搭載する工程と、
 前記有機基板と前記イメージセンサとをワイヤで接続する工程と、
 前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着された樹脂製のワイヤ封止部を形成する工程と、を含んで構成される、モジュールの製造方法。
(8)
 基板上に部品を実装する工程と、
 基板上にイメージセンサを搭載する工程と、
 前記有機基板と前記イメージセンサとをワイヤで接続する工程と、
 前記部品とワイヤを内包するように前記有機基板上の前記イメージセンサの周囲にモールド成型により樹脂製の枠部を形成する工程と、
 前記有機基板を個片化する工程と、を含んで構成される、モジュールの製造方法。
(9)
 基板と、
 前記有機基板の上面に載置されたイメージセンサと、
 前記イメージセン・BR>Tと前記有機基板を接続するワイヤと、
 前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部と、を備え、
 前記ワイヤ封止部の熱伝導率が前記有機基板の熱伝導率よりも高い、モジュールを備える電子機器。
10…有機基板、11…開放部、20…撮像素子、21…壁面、30…枠部、31…壁面、40…ワイヤ、50…封止部、60…フレーム、70…機能性光学フィルタ、80…レンズユニット、100…モジュール、300…モジュール、310…有機基板、311…開放部、320…撮像素子、330…枠部、340…ワイヤ、370…機能性光学フィルタ、380…レンズユニット、500…モジュール、511…レンズ、530…光学系、540…撮像素子、600…電子機器、610…カメラ信号処理部、620…画像処理部、630…表示部、640…ライタ、650…演算処理部、660…操作入力部、670…レンズ駆動制御部、A1…受光領域、A2…非受光領域、A3…外部接続領域、A4…素子接続領域

Claims (9)

  1.  有機基板と、
     前記有機基板の上面に載置されたイメージセンサと、
     前記イメージセンサと前記有機基板を接続するワイヤと、
     前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部と、を備え、
     前記ワイヤ封止部の熱伝導率が前記有機基板の熱伝導率よりも高い、モジュール。
  2.  モールド成型により形成された樹脂製の枠部が前記イメージセンサを囲繞して前記有機基板上に設けられ、
     前記ワイヤ封止部は、前記イメージセンサと前記枠部の間で前記有機基板上に充填固化された樹脂である、請求項1に記載のモジュール。
  3.  モールド成型により前記イメージセンサを囲繞して前記有機基板上に作製された樹脂製の枠部が、上記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部を構成する、請求項1に記載のモジュール。
  4.  前記枠部の上にレンズユニットが載置された、請求項2又は請求項3に記載のモジュール。
  5.  前記ワイヤ封止部の熱伝導率は、0.5W/m・K以上であり、
     前記有機基板の熱伝導率は、0.2~0.3W/m・Kである、請求項1に記載のモジュール。
  6.  前記ワイヤ封止部の樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂の少なくとも1つである、請求項1に記載のモジュール。
  7.  基板上に部品を実装する工程と、
     前記部品を内包するように前記有機基板上にモールド成型により樹脂製の枠部を形成する工程と、
     前記有機基板を個片化する工程と、
     個片化された前記有機基板上で前記枠部が囲繞する位置にイメージセンサを搭載する工程と、
     前記有機基板と前記イメージセンサとをワイヤで接続する工程と、
     前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着された樹脂製のワイヤ封止部を形成する工程と、を含んで構成される、モジュールの製造方法。
  8.  基板上に部品を実装する工程と、
     基板上にイメージセンサを搭載する工程と、
     前記有機基板と前記イメージセンサとをワイヤで接続する工程と、
     前記部品とワイヤを内包するように前記有機基板上の前記イメージセンサの周囲にモールド成型により樹脂製の枠部を形成する工程と、
     前記有機基板を個片化する工程と、を含んで構成される、モジュールの製造方法。
  9.  基板と、
     前記有機基板の上面に載置されたイメージセンサと、
     前記イメージセンサと前記有機基板を接続するワイヤと、
     前記ワイヤを内包しつつ前記イメージセンサの側面に付着されたワイヤ封止部と、を備え、
     前記ワイヤ封止部の熱伝導率が前記有機基板の熱伝導率よりも高い、モジュールを備える電子機器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020510991A (ja) * 2017-02-08 2020-04-09 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリと製造方法、ならびに電子機器
WO2021117585A1 (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子パッケージおよび撮像素子パッケージの製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774824B (zh) * 2018-08-16 2022-08-21 先進光電科技股份有限公司 光學成像模組
KR20230157536A (ko) * 2019-03-08 2023-11-16 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접속 구조체의 제조 방법, 및 접속 구조체, 그리고 필름 구조체, 및 필름 구조체의 제조 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050170561A1 (en) * 2004-02-04 2005-08-04 Siliconware Precision Industries Co. Ltd., Taiwan, R.O.C. Fabrication method of semiconductor package with photosensitive chip
JP2007158779A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Zycube:Kk カメラモジュールの放熱装置
JP2009188191A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010212481A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Panasonic Corp 撮像装置
JP2012124305A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Panasonic Corp 半導体モジュール
JP2013243341A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品および電子機器
JP2014138119A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN104716149A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 索尼公司 固态摄像器件、其制造方法以及电子装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7709230A (nl) * 1977-08-22 1977-12-30 Oce Van Der Grinten Nv Inrichting voor het ontwikkelen van ladings- beelden met behulp van magneetborstels.
JPH0621414A (ja) 1992-07-06 1994-01-28 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法
KR101985638B1 (ko) * 2011-09-15 2019-06-03 제이에스알 가부시끼가이샤 근적외선 차단 필터 및 근적외선 차단 필터를 이용한 장치
WO2014069362A1 (ja) * 2012-11-05 2014-05-08 ソニー株式会社 光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器
US20140368723A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Lens module and camera module including the same
US10217918B2 (en) * 2014-08-26 2019-02-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting element package
JP6532200B2 (ja) * 2014-09-04 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びそれを用いた発光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050170561A1 (en) * 2004-02-04 2005-08-04 Siliconware Precision Industries Co. Ltd., Taiwan, R.O.C. Fabrication method of semiconductor package with photosensitive chip
JP2007158779A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Zycube:Kk カメラモジュールの放熱装置
JP2009188191A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010212481A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Panasonic Corp 撮像装置
JP2012124305A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Panasonic Corp 半導体モジュール
JP2013243341A (ja) * 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品および電子機器
JP2014138119A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN104716149A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 索尼公司 固态摄像器件、其制造方法以及电子装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020510991A (ja) * 2017-02-08 2020-04-09 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリと製造方法、ならびに電子機器
JP7061130B2 (ja) 2017-02-08 2022-04-27 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 撮像モジュールおよびそのモールド感光アセンブリと製造方法、ならびに電子機器
WO2021117585A1 (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子パッケージおよび撮像素子パッケージの製造方法

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Publication number Publication date
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