WO2016125289A1 - Ｘ線発生装置 - Google Patents

Ｘ線発生装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016125289A1
WO2016125289A1 PCT/JP2015/053256 JP2015053256W WO2016125289A1 WO 2016125289 A1 WO2016125289 A1 WO 2016125289A1 JP 2015053256 W JP2015053256 W JP 2015053256W WO 2016125289 A1 WO2016125289 A1 WO 2016125289A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ray
target
electron beam
absorption rate
irradiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/053256
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
明寛 宮岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to PCT/JP2015/053256 priority Critical patent/WO2016125289A1/ja
Priority to JP2016573013A priority patent/JP6493420B2/ja
Priority to US15/548,489 priority patent/US10453579B2/en
Priority to CN201580075523.5A priority patent/CN107210079B/zh
Publication of WO2016125289A1 publication Critical patent/WO2016125289A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H01J35/02—Details
    • H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/112—Non-rotating anodes
    • H01J35/116—Transmissive anodes
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G21K5/04—Irradiation devices with beam-forming means
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G21K5/08—Holders for targets or for other objects to be irradiated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H01J35/02—Details
    • H01J35/16—Vessels; Containers; Shields associated therewith
    • H01J35/18—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2235/00—X-ray tubes
    • H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2235/00—X-ray tubes
    • H01J2235/18—Windows, e.g. for X-ray transmission
    • H01J2235/183—Multi-layer structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H01J35/02—Details
    • H01J35/16—Vessels; Containers; Shields associated therewith
    • H01J35/18—Windows
    • H01J35/186—Windows used as targets or X-ray converters

Definitions

  • the present invention relates to an X-ray generator for use in an industrial X-ray inspection apparatus, a medical X-ray inspection apparatus, or various X-ray analyzers or measuring apparatuses using X-ray diffraction or refraction, and more particularly, a vacuum.
  • the present invention relates to a transmission type X-ray generator that takes out X-rays generated by colliding electrons with a target in a container and out of the vacuum container around a direction along the traveling direction of the electrons.
  • the type of X-ray generator that generates X-rays by irradiating a target with an electron beam in a vacuum vessel uses a reflective target that extracts X-rays in a direction different from the direction of electron travel, and the direction of electron travel And using a transmission target that extracts X-rays in approximately the same direction.
  • the X-ray focal diameter (the diameter of the region where X-rays are generated) is the focal diameter of the electron beam irradiating the target (the irradiation spot diameter of the electron beam on the target surface) and the target for the electron beam.
  • the X-ray focal spot diameter in the case of using a transmission type target is determined only by the focal spot diameter of the electron beam irradiated to the target.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of an X-ray generation apparatus using a transmission target.
  • An X-ray irradiation window 101 is fixed to one end of the vacuum vessel 100, and an X-ray generation target 102 is laminated on the lower surface side (the container inner surface side) of the X-ray irradiation window 101.
  • the X-ray irradiation window 101 and the target 102 are integrated and inseparable members, and constitute a target laminated structure 103.
  • An electron gun 104 including an electron source and an electrode group is accommodated in the vacuum container 100, and X-rays generated by irradiating the target 102 with an accelerated and focused electron beam from the electron gun 104 are received.
  • the light is taken out through the X-ray irradiation window 101 in approximately the same direction as the irradiation direction of the electron beam B.
  • the term X-ray irradiation window is used to emit X-rays from the X-ray generator through the member, but from the viewpoint of the function as a member for holding the target, the target substrate, Alternatively, it is also simply called a substrate. In the present specification, among these terms, an X-ray irradiation window is exclusively used.
  • FIG. 9 shows an enlarged view of the vicinity of the irradiation region of the electron beam B onto the target 102 in FIG. 8 and a graph showing an X-ray profile emitted to the outside by this configuration.
  • the X-ray profile is represented by a graph with the position on the horizontal axis and the X-ray intensity on the vertical axis.
  • the focal diameter of the electron beam B with respect to the target 102 that is, the irradiation spot diameter of the electron beam B irradiated on the surface of the target 102 becomes the focal diameter of the X-ray in the X-ray generator.
  • the X-ray focal spot diameter for example, the spatial resolution of a fluoroscopic image obtained by an X-ray fluoroscopic device is improved and a clearer image is obtained.
  • a target such as tungsten laminated in a thin film on one side of the X-ray irradiation window is structured as a fine columnar metal wire embedded in the light metal X-ray irradiation window (for example, Patent Documents). 1), or by forming a minute columnar hole in the X-ray irradiation window and depositing a metal as a target material in the hole (see, for example, Patent Document 2), an electron beam irradiated toward the target
  • Patent Document 2 There has been proposed a technique for reducing the X-ray focal point without reducing the focal point diameter.
  • FIG. 10 together with a schematic cross-sectional view and a graph of an X-ray profile emitted to the outside by this target structure, a structure in which a fine columnar target 202 is held in an X-ray irradiation window 201, A technique has been proposed in which the X-ray generation area is reduced and the influence of electron diffusion in the target 202 is reduced, and the X-ray focal diameter is reduced without reducing the focal diameter of the electron beam B irradiated toward the target 202. ing.
  • the X-ray profile has a high intensity near the center thereof, and the X-ray focal spot diameter with respect to the focal spot diameter of the irradiating electron beam is improved.
  • X-rays are also generated by irradiation of an electron beam from an X-ray irradiation window using a light element member that hardly generates X-rays, and electron diffusion covers a wider area.
  • an intended X-ray focal spot diameter cannot be obtained unless the electron beam is reduced to a certain size in accordance with the size of the columnar target.
  • the proposed technique requires that the location where the electron beam is applied includes a fine columnar target, and the irradiation position of the electron beam is limited. It is necessary to adjust the irradiation position of the beam.
  • the target size In order to reduce the X-ray focal spot diameter, it is necessary to set the target size to, for example, the micron order or the submicron order, and the electron beam irradiation range for efficiently generating X-rays using such a fine target is extremely small. There is also a problem that the irradiation position adjustment until the target is narrowed is difficult and extremely complicated.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide an X-ray generator capable of reliably reducing the X-ray focal diameter without depending on the focal diameter of the electron beam with respect to the target. It is said.
  • the present invention has another object to simplify the adjustment of the irradiation position of the electron beam on the target.
  • the X-ray generator of the present invention is formed by integrally laminating X-rays generated by irradiating a target placed in a vacuum vessel with an electron beam.
  • the electron beam irradiation region of the target laminated structure including the target and the X-ray irradiation window The X-ray absorption rate in the electron beam irradiation direction is locally characterized by the formation of a low X-ray absorption rate region (Claim 1).
  • the X-ray absorptance in the electron beam irradiation direction of the target laminated structure is at least in a predetermined region centered on the X-ray low absorptivity site. It is desirable to adopt a configuration (Claim 2) that becomes lower continuously or stepwise as it approaches the site.
  • the target thickness in the X-ray low absorption spot is larger than the electron diffusion distance in the target (Claim 3).
  • the present invention it is possible to adopt a configuration in which the difference due to the position of the X-ray absorption rate in the irradiation direction of the electron beam in the target laminated structure is due to the difference in the thickness of the target (Claim 4). it can.
  • the difference in the X-ray absorption rate in the irradiation direction of the electron beam in the target laminated structure is due to the difference in the thickness of the X-ray irradiation window. ) Can also be adopted.
  • the X-ray absorption layer for making the X-ray absorption rate different from the difference in the X-ray absorption rate in the irradiation direction of the electron beam in the target stack structure is the target stack structure.
  • a configuration (Claim 6) obtained by stacking the layers may be employed.
  • the X-ray generated in the electron beam irradiation region is localized in the irradiation region due to the difference in the X-ray absorption rate of the target laminated structure itself in which the target is stacked on the X-ray irradiation window.
  • the problem is to be solved by taking out only the X-rays from various parts to the outside.
  • an X-ray absorption window is formed by providing an X-ray low-absorption rate region where the X-ray absorption rate of the target laminated structure is locally low in the irradiation region of the electron beam on the target and increasing the difference from the others.
  • the X-rays extracted to the outside are dominant from the X-ray low absorptivity site, and as a result, the X-ray low absorptivity site becomes a substantial X-ray focal point. Therefore, the X-ray focal spot diameter can be reliably reduced regardless of the focal spot diameter of the electron beam.
  • the X-ray low absorptivity site is located in the electron beam irradiation region, and for that purpose, the X-ray low absorptivity region and the electron beam irradiation region are required.
  • an electron beam other than the portion irradiated on the target is directly applied to the X-ray irradiation window. Since the focal diameter of the electron beam can be increased to the extent that it is not necessary to narrow down the electron beam so that it does not act to generate X-rays, the position adjustment becomes easier.
  • the invention according to claim 2 employs a configuration in which the X-ray absorption rate of the target laminated structure is lowered as the X-ray low absorption rate portion is at the center, and the region near the X-ray low absorption rate portion approaches the portion.
  • the generated X-ray intensity is monitored, and the relative position may be changed in the direction in which stronger X-rays are generated.
  • the target thickness in the X-ray low absorption site of the target multilayer structure in the present invention is thicker than the electron diffusion distance in the target, Even in the X-ray low absorption rate region, the irradiated electrons do not reach the X-ray irradiation window, electron diffusion and X-ray generation do not occur in the X-ray irradiation window, and the X-ray focal spot diameter is more reliably reduced. It becomes possible to do.
  • an X-ray absorptivity site where the X-ray absorption rate is locally low is provided in the electron beam irradiation region of the target laminated structure in which the target and the X-ray irradiation window are integrally laminated, Of the X-rays generated by the electron beam irradiation, only the X-rays with a low X-ray absorption rate are taken out to the outside. An X-ray focal spot diameter depending on the size of the low absorptivity site is obtained.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a schematic cross-sectional view in the vicinity of an electron beam irradiation region of a target laminated structure according to an embodiment of the present invention and a graph showing an X-ray profile emitted to the outside by this configuration.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a schematic cross-sectional view in the vicinity of an electron beam irradiation region of a target laminated structure according to an embodiment of the present invention and a graph showing an X-ray profile emitted to the outside by this configuration.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of an electron beam irradiation region of a target laminated structure according to an embodiment of the present invention having a function that facilitates alignment of electron beam irradiation positions.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of an electron beam irradiation region of a target laminated structure according to another embodiment of the present invention having a function that facilitates alignment of electron beam irradiation positions.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view in the vicinity of an electron beam irradiation region of a target laminated structure according to still another embodiment of the present invention having a function that facilitates alignment of electron beam irradiation positions.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an enlarged view of the vicinity of an irradiation region of an electron beam on a target in FIG. 8 and a graph showing an X-ray profile emitted to the outside by this configuration.
  • a schematic cross-sectional view in the vicinity of an irradiation region of an electron beam to a target in a conventional X-ray generator having a structure in which a fine columnar target is held in an X-ray irradiation window, and an X-ray profile emitted to the outside by this configuration The figure shown together with the graph to represent.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional view of a main part of an embodiment of the present invention and a graph showing an X-ray profile emitted to the outside by this configuration.
  • the basic configuration as an X-ray generator is the same as that shown in FIG. 8, and the target laminated structure is changed from that shown in FIG. 9 to that shown in FIG. It is the biggest feature.
  • a target laminated structure 3 fixed so as to close one end of the vacuum vessel is constituted by an X-ray irradiation window 1 and a target 2 laminated on the inner surface of the vessel, as in FIG. 2 is irradiated with an accelerated and focused electron beam B from an electron gun in a vacuum vessel, and X-rays are generated.
  • the material of the target W, Mo, Cu or the like is generally used, and as the X-ray irradiation window 1, Al, Be, diamond or the like is generally used.
  • the arrow written in the electron beam B indicates the direction of irradiation of the electron beam.
  • the target laminated structure 3 has an X-ray low-absorption rate region where the X-ray absorption rate in the irradiation direction (X-ray extraction direction) of the electron beam B is locally low in the irradiation region of the electron beam B to the target 2. 3a is formed.
  • the X-ray low absorption rate portion 3a in this example is formed by reducing the thickness of the target 2.
  • the element constituting the X-ray irradiation window 1 is a light element as compared with the element constituting the target 2, and other elements than the X-ray passing through the arrow a in the figure in the X-ray low absorptivity region 3a.
  • X-rays passing through the arrow b of the site are attenuated by receiving more absorption.
  • the profile of the X-rays emitted to the outside through the X-ray irradiation window 1 has a relatively strong intensity near the center corresponding to the formation position of the X-ray low absorption rate portion 3a as shown in FIG. .
  • the X-ray focal spot diameter becomes smaller as compared with the case where the target having a uniform thickness shown in FIG. 9 is used.
  • electrons incident on the X-ray low-absorption site 3a are diffused to attenuate X-rays generated up to the target 2 other than that site, so that an X-ray focal spot diameter of 1 ⁇ m or less is obtained.
  • X-rays obliquely emitted from the electron beam B incident on the X-ray low absorption rate portion 3a are similarly attenuated for X-rays passing through portions other than the X-ray low absorption rate portion 3a. Therefore, it is also suitable for reducing the X-ray irradiation angle.
  • the X-ray low-absorption rate portion 3a is recessed on the surface of the target 2 on the side in contact with the X-ray irradiation window 1 more specifically by locally reducing the thickness of the target 2.
  • the X-ray low absorption rate region can also be formed by the structures shown in FIGS. 2 to 4 below.
  • the surface of the target 12 opposite to the surface in contact with the X-ray irradiation window 11, that is, the surface of the target 12 on the irradiation side of the electron beam B is provided with a recess. Absorptivity site 13a is formed.
  • the influence of electron diffusion on the other part of the electron beam B incident on the X-ray low absorption rate part 13a cannot be reduced, but it is suitable for increasing the X-ray irradiation angle. .
  • an X-ray absorption rate is relatively obtained by laminating an X-ray absorber 24 between the X-ray irradiation window 21 and the target 22 and providing a hole in the X-ray absorber 24.
  • Low X-ray low-absorption rate region 23a is formed.
  • the material of the X-ray absorber 24 is preferably a metal having a higher X-ray absorption rate than the target 22.
  • Pb can be used when W is used for the target 22, and W can be used when Cu is used for the target 22. . According to the structure illustrated in FIG. 3, it is possible to obtain the same effect as the example illustrated in FIG.
  • the target 32 has a uniform thickness, and the X-ray irradiation window 31 has an X-ray absorption rate lower than that of the X-ray irradiation window 31.
  • the X-ray low absorption rate portion 33 a in the target laminated structure 33 is formed.
  • the material of the X-ray transmitting member 35 for example, Be or the like can be used when Al or diamond is used for the X-ray irradiation window 31. With this configuration, the same effect as that of the example shown in FIG. 1 can be obtained.
  • the X-ray low-absorption rate site needs to be located inside the irradiation region of the electron beam B on the target.
  • the electron beam is narrowed down. Therefore, it is possible to reduce the X-ray focal spot diameter. Therefore, by setting the irradiation region of the electron beam wide, it is not particularly necessary to adjust the positions of both.
  • the X-ray low absorptivity region 53a is formed on the surface of the target 52 around the X-ray low absorptivity region 53a formed in the same manner as described above.
  • a stepped surface 57 is formed so that the target thickness decreases stepwise as it gets closer. Also with this configuration, the same effects as described above can be obtained.
  • the configuration in which the X-ray absorption rate decreases as it approaches the X-ray low absorption rate region as described above can also be applied to the target stacked structure having the structure shown in FIGS. 2 to 4.
  • the surface of the target 12 on the side irradiated with the electron beam B may be formed with an inclined surface or stepped surface equivalent to that in FIG. 5, and in the structure of FIG. 4, the thickness of the X-ray irradiation window 31 increases toward the outside.
  • the upper surface may be inclined or stepped in the direction. Further, in the structure of FIG. 3, as shown in FIG.
  • the thickness of the X-ray absorber 64 is changed.
  • the X-ray low absorption rate portion 63a may be made thinner as it approaches.
  • the shape of the contour of the X-ray low-absorption rate portion viewed from the irradiation direction of the electron beam B is not particularly limited, and may be any shape such as a circle, a rectangle, or a polygon.
  • the inclined surface and the stepped surface can be arbitrarily selected, such as a cone, a circular stepped shape, a pyramid or a square stepped shape.
  • the thickness of the target in the X-ray low absorption rate region be larger than the electron diffusion distance.
  • the electrons that have entered the X-ray low-absorption rate region do not reach the X-ray irradiation window beyond the target, and therefore the electrons diffuse widely in the X-ray irradiation window and are weak. This prevents the problem that X-rays are generated from a relatively wide area that does not occur, and makes the effects of the present invention more reliable. Since the electron diffusion distance in the target differs depending on the material and acceleration energy of the electron beam, an appropriate form and size may be adopted according to the specifications of the apparatus.
  • the present invention improves the X-ray focal point by the target laminated structure itself composed of the target of the transmission type X-ray generator and the X-ray irradiation window, and X-rays in an unnecessary direction outside the X-ray irradiation window. Unlike the technique of disposing a collimator that shields the screen, the present invention does not require any structure on the outside of the vacuum vessel, so that the desired operational effect can be achieved while the structure is simple and compact. .

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

　ターゲットに対する電子ビームの焦点径に拠ることなく、確実にＸ線焦点径を小さくすることのできるＸ線発生装置を提供する。　ターゲット２とＸ線照射窓１からなるターゲット積層構造体３の電子ビームＢの照射領域内に、電子ビームＢの照射方向へのＸ線吸収率が局所的に低いＸ線低吸収率部位３ａを設けることにより、ターゲット２に電子ビームＢを照射することによって発生したＸ線のうち、Ｘ線低吸収率部位３ａ以外の部位からのＸ線の外部への放出を抑制し、電子ビームＢの照射領域の大きさに係わらず、Ｘ線低吸収率部位３ａの大きさに応じた大きさのＸ線焦点を得る。

Description

Ｘ線発生装置
　本発明は産業用Ｘ線検査装置や医療用Ｘ線検査装置、あるいはＸ線の回折や屈折を利用した各種Ｘ線分析装置や測定装置などに用いられるＸ線発生装置に関し、より詳しくは、真空容器内でターゲットに電子を衝突させて発生したＸ線を、電子の進行方向に沿った方向を中心として真空容器外に取り出す透過型のＸ線発生装置に関する。
　真空容器内でターゲットに電子ビームを照射することによってＸ線を発生するタイプのＸ線発生装置は、電子の進行方向と異なる方向にＸ線を取り出す反射型ターゲットを用いるものと、電子の進行方向とおおよそ同じ方向にＸ線を取り出す透過型ターゲットを用いるものがある。反射型ターゲットを用いるものでは，そのＸ線焦点径（Ｘ線が発生する領域の径）はターゲットに照射する電子ビームの焦点径（電子ビームのターゲット表面への照射スポット径）と電子ビームに対するターゲットの表面角度に依存するのに対し、透過型ターゲットを用いるものにおけるＸ線焦点径はターゲットに照射する電子ビームの焦点径のみで決まる。
　図８に透過型ターゲットを用いたＸ線発生装置の構成例を模式的断面図で示す。真空容器１００の一端部にＸ線照射窓１０１が固定され、このＸ線照射窓１０１にはその下面側（容器内面側）にＸ線発生用のターゲット１０２が積層されている。これらのＸ線照射窓１０１とターゲット１０２は一体化されて不可分な部材であり、ターゲット積層構造体１０３を構成している。真空容器１００内には、電子源と電極群を備えてなる電子銃１０４が収容されており、この電子銃１０４からの加速・集束した電子ビームをターゲット１０２に照射することによって発生したＸ線を、Ｘ線照射窓１０１を介して電子ビームＢの照射方向とおおよそ同方向に取り出す。なお、Ｘ線照射窓という用語は、その部材を介してＸ線発生装置からＸ線が放出されるために用いられるのであるが、ターゲットを保持するための部材としての機能から見ればターゲット基板、あるいは単に基板とも称される。本明細書においてはこれらの用語のうち、もっぱらＸ線照射窓を用いる。
　図９に、図８におけるターゲット１０２への電子ビームＢの照射領域近傍の拡大図と、この構成によって外部に放出されるＸ線プロファイルを表すグラフとを併記して示す。Ｘ線プロファイルは横軸に位置を、縦軸にＸ線強度をとったグラフで表している。
　この図９に示すように、ターゲット１０２に対する電子ビームＢの焦点径、つまりターゲット１０２の表面へ照射される電子ビームＢの照射スポット径が、Ｘ線発生装置におけるＸ線の焦点径となる。このＸ線焦点径を小さくすることにより、例えばＸ線透視装置により得られる透視像の空間分解能が向上してより鮮明な画像となる。
　そこで従来、透過型ターゲットを用いたＸ線発生装置においては、Ｘ線焦点径を小さくするために、電子ビームを小さく絞ってターゲットに照射する方法が採用されてきた。しかし、電子ビームを絞るレンズの収差の問題で、電子源からの拡がりのある電子ビームを小さく絞ることは極めて困難である。その対策として、ビームアパーチャを設けて収差の影響を低減する方法がしばしば採用されてきたが、電子ビームをサブミクロンオーダーまで小さく形成する場合には、ターゲット内で電子が拡散することによってＸ線焦点径が大きくなってしまうという新たな問題が生じる。
　そこで、一般にはＸ線照射窓の片面に薄膜状に積層されるタングステンなどのターゲットを、微細な柱状の金属ワイヤとして、軽金属製のＸ線照射窓に対して埋設した構造としたり（例えば特許文献１参照）、あるいはＸ線照射窓に微細な柱状の穴部を形成し、その穴部内にターゲット材料である金属を堆積すること（例えば特許文献２参照）によって、ターゲットに向けて照射する電子ビームの焦点径を小さく絞ることなく、Ｘ線焦点を小さくする技術が提案されている。
　すなわち、図１０に模式的断面図とこのターゲット構造により外部に放出されるＸ線プロファイルのグラフを併記して示すように、Ｘ線照射窓２０１に微細な柱状のターゲット２０２を保持した構造により、Ｘ線発生領域を制限すると同時に、ターゲット２０２内での電子拡散の影響を減じ、ターゲット２０２に向けて照射する電子ビームＢの焦点径を小さく絞ることなくＸ線焦点径を小さくする技術が提案されている。
特開２００４－２８８４５号公報 特開２０１１－７７０２７号公報
　ところで、上記の特許文献１や２の技術によれば、Ｘ線プロファイルはその中心付近の強度が高くなり、照射している電子ビームの焦点径に対してのＸ線焦点径は改善される。しかしながら、Ｘ線が発生しにくい軽元素部材を用いたＸ線照射窓からも電子ビームの照射によってＸ線が発生し、また、電子拡散は軽元素部材の方がより広い領域に及ぶ。そのため、結局は柱状のターゲットの大きさに合わせて、ある程度の大きさに電子ビームを絞らなければ、意図する小ささのＸ線焦点径を得ることができないという問題があった。
　また、図９に示した従来のターゲットと比較すると、提案技術では電子ビームを当てる場所が微細な柱状のターゲットを包含する場所である必要があり、電子ビームの照射位置に制限があるため、電子ビームの照射位置を調整する必要がある。Ｘ線焦点径を小さくするためには、ターゲットの大きさを例えばミクロンオーダーないしはサブミクロンオーダーにする必要があり、このよう微細なターゲットを用いて効率よくＸ線を発生させる電子ビーム照射範囲は極めて狭くなり、ターゲットを探すまでの照射位置調整が困難で極めて煩雑であるという問題も生じる。
　本発明はこのような実情に鑑みてなされたもので、ターゲットに対する電子ビームの焦点径に拠ることなく、確実にＸ線焦点径を小さくすることのできるＸ線発生装置を提供することをその課題としている。
　また、本発明は、上記に加えて、ターゲット上への電子ビームの照射位置の調整を簡単化することを他の課題としている。
　上記の課題を解決するため、本発明のＸ線発生装置は、真空容器内に配置されたターゲットに対して電子ビームを照射することによって発生したＸ線を、上記ターゲットが一体に積層形成されたＸ線照射窓を介して電子ビームの照射方向に沿う方向に外部に取り出すＸ線発生装置において、上記ターゲットと上記Ｘ線照射窓からなるターゲット積層構造体の上記電子ビームの照射領域内に、当該電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率が局所的に低いＸ線低吸収率部位が形成されていることによって特徴づけられる（請求項１）。
　ここで、本発明においては、上記ターゲット積層構造体の上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率が、上記Ｘ線低吸収率部位を中心とする少なくとも所定領域において、当該Ｘ線低吸収率部位に近づくほど連続的もしくは段階的に低くなっている構成（請求項２）を採用することが望ましい。
　また、本発明においては、上記Ｘ線低吸収率スポットにおけるターゲット厚さを、当該ターゲット内での電子拡散距離よりも大きくすること（請求項３）が望ましい。
　本発明において、上記ターゲット積層構造体における上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率の位置による相違が、上記ターゲットの厚さの相違によるものとした構成（請求項４）を採用することができる。
　また、本発明においては、上記ターゲット積層構造体における上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率の位置による相違が、上記Ｘ線照射窓の厚さの相違によるものとした構成（請求項５）を採用することもできる。
　更に、本発明においては、上記ターゲット積層構造体における上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率の位置による相違が、Ｘ線吸収率を相違させるためのＸ線吸収層を当該ターゲット積層構造体に積層したことによる構成（請求項６）を採用してもよい。
　本発明は、ターゲットがＸ線照射窓に積層されてなるターゲット積層構造体自体のＸ線吸収率の相違により、電子ビームの照射領域中で発生したＸ線のうち、当該照射領域内に局所的な部位からのＸ線のみを外部に取り出すことで、課題を解決しようとするものである。
　すなわち、ターゲットに対する電子ビームの照射領域内に、ターゲット積層構造体のＸ線吸収率が局所的に低いＸ線低吸収率部位を設け、他との差を大きくすることにより、Ｘ線吸収窓を介して外部に取り出されるＸ線は、Ｘ線低吸収率部位からのものが支配的となり、結果としてＸ線低吸収率部位が実質的なＸ線焦点となる。よって、電子ビームの焦点径に係わらず、確実にＸ線焦点径を小さくすることができる。
　また、以上の本発明の構成によれば、Ｘ線低吸収率部位が電子ビームの照射領域内に位置していることが必要であり、そのためにＸ線低吸収率部位と電子ビームの照射領域とを位置調整する必要があるが、特許文献１や２のような微細な柱状のターゲットを用いる場合のように、ターゲットに照射されている部分以外の電子ビームがＸ線照射窓に直接的に作用してＸ線を発生させないように当該電子ビームを絞る必要がない分だけ、電子ビームの焦点径を大きくできるため、位置調整はより簡単となる。
　そして、この位置調整は、請求項２に係る発明の構成を採用することにより、より容易化される。すなわち、請求項２に係る発明では、Ｘ線低吸収率部位を中心として、その周辺の所定領域において当該部位に近づくほど、ターゲット積層構造体のＸ線吸収率を低くする構成を採用しており、これにより、Ｘ線低吸収率部位と電子ビームの照射領域との位置調整に際して、発生するＸ線強度をモニタして、より強いＸ線が発生する向きに相対位置を変化させればよい。
　また、本発明におけるターゲット積層構造体のＸ線低吸収率部位におけるターゲット厚さを、当該ターゲット内での電子拡散距離よりも厚くする請求項３に係る発明の構成により、他部位はもとより、このＸ線低吸収率部位においてさえ、照射された電子がＸ線照射窓に至ることがなく、Ｘ線照射窓での電子拡散、およびＸ線発生が起こらず、より確実にＸ線焦点径を小さくすることが可能となる。
　本発明によれば、ターゲットとＸ線照射窓とが一体に積層されたターゲット積層構造体の電子ビームの照射領域内に、Ｘ線吸収率が局所的に低いＸ線低吸収率部位を設け、電子ビームの照射により発生したＸ線のうち、実質的にＸ線低吸収率部位からのもののみを外部に取り出すようにしているので、ターゲットに照射する電子ビームを絞ることなく、確実にＸ線低吸収率部位の大きさに依存したＸ線焦点径が得られる。
　また、ターゲット積層構造体のＸ線吸収率を、Ｘ線低吸収率部位の周辺において当該部位に近づくほど連続的もしくは段階的に低くする構成の採用により、Ｘ線低吸収率部位と電子ビーム照射領域との位置合わせを容易化することができる。
本発明の実施の形態のターゲット積層構造体の電子ビーム照射領域近傍の模式的断面図と、この構成により外部に放出されるＸ線プロファイルを表すグラフとを併記して示す図。 本発明の他の実施の形態のターゲット積層構造体の電子ビーム照射領域近傍の模式的断面図。 本発明の更に他の実施の形態のターゲット積層構造体の電子ビーム照射領域近傍の模式的断面図。 本発明の更にまた他の実施の形態のターゲット積層構造体の電子ビーム照射領域近傍の模式的断面図。 電子ビームの照射位置合わせを容易化した機能を持つ本発明の実施の形態のターゲット積層構造体の電子ビーム照射領域近傍の模式的断面図。 電子ビームの照射位置合わせを容易化した機能を持つ本発明の他の実施の形態のターゲット積層構造体の電子ビーム照射領域近傍の模式的断面図。 電子ビームの照射位置合わせを容易化した機能を持つ本発明の更に他の実施の形態のターゲット積層構造体の電子ビーム照射領域近傍の模式的断面図。 透過型ターゲットを用いたＸ線発生装置の構成例を示す模式的断面図。 図８におけるターゲットへの電子ビームの照射領域近傍の拡大図と、この構成によって外部に放出されるＸ線プロファイルを表すグラフとを併記して示す図。 Ｘ線照射窓に微細な柱状のターゲットを保持した構造の従来のＸ線発生装置におけるターゲットへの電子ビームの照射領域近傍の模式的断面図と、この構成によって外部に放出されるＸ線プロファイルを表すグラフとを併記して示す図。
　以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
　図１は本発明の実施の形態の要部の模式的断面図と、この構成によって外部に放出されるＸ線のプロファイルを表すグラフとを併記して示す図である。この実施の形態は、Ｘ線発生装置としての基本構成は図８に示したものと同等であり、ターゲット積層構造体が図９に示したものから図１に示すものに変更されている点が最大の特徴である。
　真空容器の一端部を閉鎖するように固定されたターゲット積層構造体３は、図９のものと同様に、Ｘ線照射窓１とその容器内面側に積層されたターゲット２によって構成され、このターゲット２に対して真空容器内の電子銃から加速および集束した電子ビームＢが照射され、Ｘ線が発生する。ターゲット２の材料としては、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕなど、Ｘ線照射窓１としてはＡｌ，Ｂｅ，あるいはダイヤモンドなどが一般に用いられる。なお、図１から図１０において、電子ビームＢの中に記載された矢印は電子ビームの照射方向を示している。
　ターゲット積層構造体３には、ターゲット２への電子ビームＢの照射領域内に、電子ビームＢの照射方向（Ｘ線取り出し方向）へのＸ線吸収率が局所的に低いＸ線低吸収率部位３ａが形成されている。この例におけるＸ線低吸収率部位３ａは、ターゲット２の厚さを薄くすることによって形成されている。
　Ｘ線照射窓１を構成する元素は、ターゲット２を構成する元素に比して軽元素であり、Ｘ線低吸収率部位３ａ内の図中矢印ａを通るＸ線に比して、他の部位の矢印ｂを通るＸ線はより多くの吸収を受けて減衰する。その結果、Ｘ線照射窓１を介して外部に放出されるＸ線のプロファイルは、図１に示すように相対的にＸ線低吸収率部位３ａの形成位置に対応する中心付近の強度が増す。このため、Ｘ線焦点径は図９に示した一様な厚さのターゲットを用いる場合に比してより小さくなる。
　この構成によれば、Ｘ線低吸収部位３ａに入射した電子が拡散してその部位以外のターゲット２にまで至って発生したＸ線についても減衰するため、特に１μｍ以下のＸ線焦点径を得るのに適している。また、Ｘ線低吸収率部位３ａに入射した電子ビームＢにより、そこから斜めに放出されるＸ線についても、当該Ｘ線低吸収率部位３ａ以外の部位を通るＸ線については同様に減衰するので、Ｘ線照射角を小さくする場合にも適している。
　以上の実施の形態においては、Ｘ線低吸収率部位３ａをターゲッ２の厚さを局所的に薄くすることによって、より具体的にはターゲット２のＸ線照射窓１に接する側の面に凹所を設けることによって形成したが、以下の図２～図４に示す構造によってもＸ線低吸収率部位を形成することができる。
　図２に示すターゲット積層構造体１３では、ターゲット１２のＸ線照射窓１１と接する面と反対側の面、従ってターゲット１２の電子ビームＢの照射側の面に凹所を設けることによってＸ線低吸収率部位１３ａを形成している。
　この図２に例示する構造によれば、Ｘ線低吸収率部位１３ａに入射した電子ビームＢの他部位への電子拡散による影響は軽減できないが、Ｘ線照射角を大きくする場合に適している。
　図３に示すターゲット積層構造体２３では、Ｘ線照射窓２１とターゲット２２の間にＸ線吸収材２４を積層し、そのＸ線吸収材２４に孔を設けることによって相対的にＸ線吸収率の低いＸ線低吸収率部位２３ａを形成している。Ｘ線吸収材２４の材質は、ターゲット２２よりもＸ線吸収率が高い金属が好ましく、例えばターゲット２２にＷを用いる場合にはＰｂ、ターゲット２２にＣｕを用いる場合にはＷを用いることができる。この図３に例示する構造によれば、図１に示した例と同等の効果を得ることができる。
　図４に示すターゲット積層構造体３３では、ターゲット３２は一様な厚さとするとともに、Ｘ線照射窓３１に、当該Ｘ線照射窓３１の材質よりも更にＸ線吸収率の低い材質からなるＸ線透過部材３５を部分的に埋め込むことにより、ターゲット積層構造体３３中のＸ線低吸収率部位３３ａを形成している。Ｘ線透過部材３５の材質としては、例えばＸ線照射窓３１にＡｌやダイヤモンドを用いる場合にはＢｅを用いることができる。この構成によっても図１に示した例と同等の効果を得ることができる。
　なお、Ｘ線透過部材３５を用いず、Ｘ線照射窓３１に凹所を設ける構成、つまりＸ線透過部材３５として空気を用いる構成を採用してもよい。
　以上の各実施の形態において、Ｘ線低吸収率部位はターゲットに対する電子ビームＢの照射領域の内側に位置している必要があることは勿論であるが、本発明においては、電子ビームを絞ることなくＸ線焦点径を小さくすることが可能であり、従って電子ビームの照射領域を広く設定することによって、特にこれら両者の位置を調整する必要もなくなる。
　しかし、Ｘ線強度を増大させる場合には、電子ビーム密度を増大させる必要がある。電子ビームの照射領域を広くしたまま電子ビーム密度を増大させることは、必要な電力が大きくなること、ターゲットの発熱量が増加することなどの別の問題が生じる。よって、電子ビームはある程度絞ってその照射領域を狭くすることが有用となる。その場合、電子ビームの照射位置をＸ線低吸収率部位に合わせる調整が必要となる。このような電子ビームとＸ線低吸収率部位との位置調整を容易化するための構成を以下に述べる。
　図５に示すターゲット積層構造体４３においては、図１の例と同様にターゲット４２のＸ線照射窓４１側の面に凹所を形成することによってＸ線低吸収率部位４３ａを形成するとともに、そのターゲット４２の同じ側の面のＸ線低吸収率部位４３ａの周辺を斜面４６で構成することにより、Ｘ線低吸収率部位４３ａに近づくほどＸ線吸収率が次第に低くなるように構成している。これにより、電子ビームＢの照射位置を調整する際に、Ｘ線強度が強くなる向きに電子ビームＢの照射位置を変化させていくだけでよく、調整作業が容易化される。
　図６に示すターゲット積層構造体５３においては、上記と同様にして形成したＸ線低吸収率部位５３ａの周囲のターゲット５２のＸ線照射窓５１側の面に、Ｘ線低吸収率部位５３ａに近づくほどターゲット厚さが段階的に薄くなるような階段状面５７を形成している。この構成によっても、上記と同様の効果を奏することができる。
　以上のようにＸ線低吸収率部位に近づくほどＸ線吸収率が低くなる構成は、図２～図４に示した構造のターゲット積層構造体にも適用することができ、図２の構造においてはターゲット１２の電子ビームＢの照射側の面に図５と同等の斜面もしくは階段状面を形成すればよく、また、図４の構造では、Ｘ線照射窓３１の厚さが外側ほど厚くなる向きに上面を斜面ないしは階段状面とすればよい。更に、図３の構造では、図７に示すように、Ｘ線照射窓６１とターゲット６２の間にＸ線吸収材６４を積層したターゲット積層構造体６３において、Ｘ線吸収材６４の厚さを、Ｘ線低吸収率部位６３ａに近づくほど薄くすればよい。
　ここで、以上の各実施の形態において、Ｘ線低吸収率部位の輪郭の電子ビームＢの照射方向から見た形状は特に限定されるものではなく、円形、四角形、多角形など任意とすることができ、また、斜面や階段状面についても、円錐や円形階段状、角錐や角形階段状など、任意とすることができる。
　また、以上の各実施の形態においては、Ｘ線低吸収率部位におけるターゲットの厚さを電子拡散距離よりも大きくすることが望ましい。そうすることにより、Ｘ線低吸収率部位に入射した電子がターゲットを越えてＸ線照射窓にまで至ることがなく、従ってＸ線照射窓内において電子が広く拡散して、微弱ではあるものの意図しない比較的広い領域からＸ線が発生してしまう不具合を防止して、本発明の効果をより確実なものとすることができる。ターゲット中における電子拡散距離は、その材質や電子ビームの加速エネルギによって異なるため、装置仕様に合わせて適宜の形態や寸法を採用すればよい。
　本発明は、透過型のＸ線発生装置のターゲットとＸ線照射窓とからなるターゲット積層構造体自体でＸ線焦点を改善するものあり、Ｘ線照射窓の外側に不要な方向へのＸ線を遮蔽するコリメータを配置する技術とは異なり、本発明では真空容器の外側に何らの構造物を必要としないが故に構造がシンプルでコンパクトでありながら、所期の作用効果を達成することができる。
　１，１１，２１，３１，４１，５１，６１　Ｘ線照射窓
　２，１２，２２，３２，４２，５２，６２　ターゲット
　３，１３，２３，３３，４３，５３，６３　ターゲット積層構造体
　３ａ，１３ａ，２３ａ，３３ａ，４３ａ，５３ａ，６３ａ　Ｘ線低吸収率部位
　２４，６４　Ｘ線吸収材
　３５　Ｘ線透過部材
　４６　斜面
　５７　階段状面
　１００　真空容器
　１０１　Ｘ線照射窓
　１０２　ターゲット
　１０３　ターゲット積層構造体
　１０４　電子銃
　Ｂ　電子ビーム

Claims (6)

  1. 　真空容器内に配置されたターゲットに対して電子ビームを照射することによって発生したＸ線を、上記ターゲットが一体に積層形成されたＸ線照射窓を介して電子ビームの照射方向に沿う方向に外部に取り出すＸ線発生装置において、
    　上記ターゲットと上記Ｘ線照射窓からなるターゲット積層構造体の上記電子ビームの照射領域内に、当該電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率が局所的に低いＸ線低吸収率部位が形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
  2. 　上記ターゲット積層構造体の上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率が、上記Ｘ線低吸収率スポットを中心とする少なくとも所定領域において、当該Ｘ線低吸収率スポットに近づくほど連続的もしくは段階的に低くなっていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線発生装置。
  3. 　上記Ｘ線低吸収率部位におけるターゲット厚さが、当該ターゲット内での電子拡散距離よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線発生装置。
  4. 　上記ターゲット積層構造体における上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率の位置による相違が、上記ターゲットの厚さの相違によるものであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＸ線発生装置。
  5. 　上記ターゲット積層構造体における上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率の位置による相違が、上記Ｘ線照射窓の厚さの相違によるものであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＸ線発生装置。
  6. 　上記ターゲット積層構造体における上記電子ビームの照射方向へのＸ線吸収率の位置による相違が、Ｘ線吸収率を相違させるためのＸ線吸収層を当該ターゲット積層構造体に積層したことによるものであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＸ線発生装置。
PCT/JP2015/053256 2015-02-05 2015-02-05 Ｘ線発生装置 Ceased WO2016125289A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/053256 WO2016125289A1 (ja) 2015-02-05 2015-02-05 Ｘ線発生装置
JP2016573013A JP6493420B2 (ja) 2015-02-05 2015-02-05 Ｘ線発生装置
US15/548,489 US10453579B2 (en) 2015-02-05 2015-02-05 X-ray generator
CN201580075523.5A CN107210079B (zh) 2015-02-05 2015-02-05 X射线发生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/053256 WO2016125289A1 (ja) 2015-02-05 2015-02-05 Ｘ線発生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016125289A1 true WO2016125289A1 (ja) 2016-08-11

Family

ID=56563653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/053256 Ceased WO2016125289A1 (ja) 2015-02-05 2015-02-05 Ｘ線発生装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10453579B2 (ja)
JP (1) JP6493420B2 (ja)
CN (1) CN107210079B (ja)
WO (1) WO2016125289A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020084664A1 (ja) 2018-10-22 2020-04-30 キヤノンアネルバ株式会社 Ｘ線発生装置及びｘ線撮影システム
US10825639B2 (en) 2017-04-11 2020-11-03 Siemens Healthcare Gmbh X ray device for creation of high-energy x ray radiation
US12597581B2 (en) 2021-06-30 2026-04-07 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray generation device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210289610A1 (en) * 2020-03-10 2021-09-16 Globalfoundries U.S. Inc. Failure analysis apparatus using x-rays

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11258400A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 遷移放射型ｘ線発生装置用標的
JP2011077027A (ja) * 2009-09-04 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd Ｘ線発生用ターゲット、ｘ線発生装置、及びｘ線発生用ターゲットの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL109143A (en) * 1993-04-05 1999-03-12 Cardiac Mariners Inc X-rays as a low-dose scanning detector by a digital X-ray imaging system
JP2004028845A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Japan Science & Technology Corp 高輝度・高出力微小ｘ線発生源とそれを用いた非破壊検査装置
JP4601994B2 (ja) * 2004-05-18 2010-12-22 株式会社東芝 Ｘ線源及びその陽極
NL1028481C2 (nl) * 2005-03-08 2006-09-11 Univ Delft Tech Microröntgenbron.
JP2007123022A (ja) 2005-10-27 2007-05-17 Shimadzu Corp Ｘ線源およびそれに用いられるターゲット
JP2008224606A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Omron Corp Ｘ線検査装置およびｘ線検査装置を用いたｘ線検査方法
JP4956701B2 (ja) * 2007-07-28 2012-06-20 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Ｘ線管及びｘ線分析装置
JP2015515091A (ja) * 2012-03-16 2015-05-21 ナノックス イメージング ピーエルシー 電子放出構造を有する装置
JP2014067513A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Canon Inc 放射線発生ターゲット、放射線発生ユニット及び放射線撮影システム
JP6140983B2 (ja) * 2012-11-15 2017-06-07 キヤノン株式会社 透過型ターゲット、ｘ線発生ターゲット、ｘ線発生管、ｘ線ｘ線発生装置、並びに、ｘ線ｘ線撮影装置
CN204029760U (zh) * 2014-08-06 2014-12-17 上海联影医疗科技有限公司 X射线靶组件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11258400A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 遷移放射型ｘ線発生装置用標的
JP2011077027A (ja) * 2009-09-04 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd Ｘ線発生用ターゲット、ｘ線発生装置、及びｘ線発生用ターゲットの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10825639B2 (en) 2017-04-11 2020-11-03 Siemens Healthcare Gmbh X ray device for creation of high-energy x ray radiation
WO2020084664A1 (ja) 2018-10-22 2020-04-30 キヤノンアネルバ株式会社 Ｘ線発生装置及びｘ線撮影システム
KR20210057788A (ko) 2018-10-22 2021-05-21 캐논 아네르바 가부시키가이샤 X선 발생 장치 및 x선 촬영 시스템
TWI732319B (zh) * 2018-10-22 2021-07-01 日商佳能安內華股份有限公司 Ｘ射線產生裝置、ｘ射線攝影系統及ｘ射線焦點徑之調整方法
US11244801B2 (en) 2018-10-22 2022-02-08 Canon Anelva Corporation X-ray generation device and X-ray image capture system
US12597581B2 (en) 2021-06-30 2026-04-07 Hamamatsu Photonics K.K. X-ray generation device

Also Published As

Publication number Publication date
US10453579B2 (en) 2019-10-22
CN107210079B (zh) 2020-03-20
US20180005721A1 (en) 2018-01-04
CN107210079A (zh) 2017-09-26
JPWO2016125289A1 (ja) 2018-01-11
JP6493420B2 (ja) 2019-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170003234A1 (en) Illumination and imaging device for high-resolution x-ray microscopy with high photon energy
KR101968377B1 (ko) X선 발생 장치 및 x선 발생 방법
KR102391598B1 (ko) Ｘ선 콜리메이터
JP6493420B2 (ja) Ｘ線発生装置
JP4750938B2 (ja) 微細加工されたｘ線画像コントラストグリッドおよびその製造方法
JP2013051164A (ja) 透過型ｘ線発生装置
US20170018392A1 (en) Composite target and x-ray tube with the composite target
US20140362972A1 (en) X-ray generator and x-ray imaging apparatus
JP2012505399A (ja) グリッド、及び特にマンモグラフィ用ｘ線である電磁放射線の選択透過のためのグリッドの製造方法
US6177237B1 (en) High resolution anti-scatter x-ray grid and laser fabrication method
JP2016509231A (ja) 光学ミラー、ｘ線蛍光分析デバイス及びｘ線蛍光分析のための方法
Ivanov et al. Nanostructured plasmas for enhanced gamma emission at relativistic laser interaction with solids
JP2020530107A (ja) 収束ｘ線イメージング形成装置及び方法
US8761346B2 (en) Multilayer total internal reflection optic devices and methods of making and using the same
US20170229204A1 (en) X-ray beam collimator
US20140112449A1 (en) System and method for collimating x-rays in an x-ray tube
JP6422050B2 (ja) Ｘ線光学系基材、及びその製造方法
JPH05119199A (ja) レーザプラズマｘ線源用ターゲツト
CN108696977B (zh) 用于产生高能量x射线辐射的x射线设备
JP6110209B2 (ja) Ｘ線発生用ターゲット及びｘ線発生装置
KR20260004398A (ko) 이차 방사선 완화 기술
JP2014130036A (ja) 光学装置
JPH01185498A (ja) Ｘ線ガイドチューブ
KR101623058B1 (ko) 레이저 플라즈마 Ｘ－ｒａｙ 광원의 팽창 방지를 위한 구조를 갖는 표적
KR20140140145A (ko) 경사진 다층 박막 거울 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15881106

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016573013

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15548489

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15881106

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1