WO2016121455A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2016121455A1
WO2016121455A1 PCT/JP2016/050456 JP2016050456W WO2016121455A1 WO 2016121455 A1 WO2016121455 A1 WO 2016121455A1 JP 2016050456 W JP2016050456 W JP 2016050456W WO 2016121455 A1 WO2016121455 A1 WO 2016121455A1
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input terminal
line
switch
sub
terminal
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PCT/JP2016/050456
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Inventor
早川　昌志
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module including a directional coupler for detecting a high-frequency signal flowing through a signal path.
  • a conventional high-frequency circuit 500 shown in FIG. 12 includes an antenna ANT and a switch circuit 503 that switches and connects either the reception circuit 501 or the transmission circuit 502, and is based on a control signal input to the control terminal 503a.
  • the connection state of the switch circuit 503 is switched.
  • the antenna ANT and the receiving circuit 501 are connected, the received signal input to the antenna ANT passes through the filter 504 and is input to the low noise amplifier 505.
  • the transmission signal output from the power amplifier 506 passes through the isolator 507 and is output from the antenna ANT.
  • the high-frequency circuit 500 is provided with a directional coupler 508 in which a main line 508a is inserted in a signal path 502a through which a transmission signal passes, and an isolation side of a sub line 508b that is electromagnetically coupled to the main line 508a.
  • a terminal resistor R is connected to the end (port) of the APC, and an APC (automatic output control) circuit 509 is connected to the end (port) on the coupling side. Then, the gain adjustment output from the APC circuit 509 is made according to the signal level of the transmission signal detected by the directional coupler 508 so that the signal level of the transmission signal output from the power amplifier 506 is substantially constant. Based on the control signal, the gain of the power amplifier 506 is adjusted.
  • a communication device includes a plurality of communication systems that perform communication according to different communication standards such as the Long Term Evolution standard and the Bluetooth (registered trademark) standard, and that supports communication according to a plurality of communication standards (multi-mode).
  • a communication device that supports multiple modes by providing a plurality of communication systems a predetermined frequency band is assigned to each communication system, and communication is performed using the plurality of frequency bands (multiband).
  • the communication device that supports the multi-mode as described above includes a communication system for receiving signals from a GPS (Global Positioning System) satellite in addition to each communication system that performs communication according to the above-described communication standards. Is also provided.
  • communication quality and reliability are improved and communication speed is improved by using a plurality of multiband antennas.
  • the same received signal is received using a plurality of multiband antennas.
  • a plurality of the same received signals received using each multiband antenna are compared, and communication is performed using a multiband antenna having the best reception state among each multiband antenna.
  • noise contained in the received signals is removed, thereby improving communication quality and reliability.
  • communication is performed using a plurality of multiband antennas each assigned a different frequency band. That is, communication capacity is improved by using a plurality of multiband antennas for communication and combining the respective frequency bands and using them simultaneously.
  • a communication apparatus that includes a plurality of communication systems and employs a communication method such as a diversity method or a carrier aggregation method
  • transmission characteristics of transmission signals in a predetermined frequency band of each communication system in the high-frequency circuit 500 To prevent the transmission signal of a predetermined frequency band from being reflected and flowing into the transmission circuit 502 due to mismatching at the antenna ANT, etc.
  • a function for accurately detecting a transmission signal in the frequency band and a high-frequency signal in a plurality of frequency bands in which the transmission signal is reflected back from the antenna ANT by the directional coupler 508 is required.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and can switch the direction of the coupling output of the directional coupler and improve the detection accuracy of the high-frequency signal by improving the isolation characteristics.
  • the purpose is to provide technology that can be used.
  • a high-frequency module includes a first main line inserted in a first signal path of a high-frequency circuit, and a first sub-line that is electromagnetically coupled to the first main line.
  • a first directional coupler having a line, and switch means for switching the direction of the coupled output in the first subline, the switch means being connected to one end of the first subline.
  • the resistance value is different from the output terminal that outputs the combined output in the sub-line and the plurality of first resistance switching terminals to which the plurality of first termination resistors having different resistance values are connected in a one-to-one correspondence.
  • Multiple second termination resistors are connected in a one-to-one correspondence.
  • a plurality of second resistance switching terminals, a directional switching switch unit that switches and connects any one of the first input terminal and the second input terminal and the output terminal, and the first A plurality of first termination resistors connected in parallel to the input terminal, a plurality of second termination resistors connected in parallel to the second input terminal, and the directional switching switch section.
  • a first resistance switching switch unit for connecting at least one of the first termination resistors to the first input terminal when the input terminal is connected to the output terminal;
  • a second resistance switch that connects at least one of the second termination resistors to the second input terminal when the first input terminal is connected to the output terminal by the switch part for switching.
  • a switch part for There.
  • the plurality of first termination resistors are selected. At least one is connected to the first input terminal (one end of the sub line) by the first resistance switching switch unit, and the first input terminal (one end of the sub line) is output by the direction switching switch unit.
  • at least one of the plurality of second termination resistors is connected to the second input terminal (the other end portion of the sub line) by the second resistance switching switch unit, thereby The directionality of the coupled output in the first subline of the directional coupler can be switched.
  • the coupling output in the first sub-line is changed from the other end in accordance with the frequency band of the high-frequency signal to be detected, the high-frequency circuit connected to the first main line, the load, and the like.
  • a first termination resistor having an optimum resistance value is connected to one end of the sub line via the first input terminal, and a combined output in the first sub line is obtained.
  • a second termination resistor having an optimum resistance value is connected to the other end of the sub-line via the second input terminal.
  • the switch means includes a first inductor connected between the first input terminal and the output terminal, and a second inductor connected between the second input terminal and the output terminal.
  • An inductor may be further provided.
  • the first inductor and the off-capacitance of the directional switching switch unit cause the first An LC parallel resonant circuit is formed between the input terminal and the output terminal.
  • the second input terminal is connected to the second input terminal by the second inductor and the off-capacitance of the direction switching switch unit. Since an LC parallel resonant circuit is formed between the output terminal and the output terminal, by setting the inductance of the second inductor in the same manner as the first inductor, the frequency at the frequency of the signal input to the first input terminal is set. The isolation characteristic between the 2 input terminals and the output terminal can be improved.
  • the switch means may further include a capacitor connected between the first input terminal and the second input terminal.
  • an LC parallel resonant circuit is formed between the first input terminal and the second input terminal by the parasitic inductance component of the first sub line and the capacitor.
  • a plurality of insulating layers and a multilayer substrate provided with the first directional coupler and the switch means.
  • the switch means is formed by a switch IC component mounted on the multilayer substrate.
  • Each of the first termination resistors and each of the second termination resistors may be provided in the switch IC component.
  • a plurality of insulating layers and a multilayer substrate provided with the first directional coupler and the switch means.
  • the switch means is formed by a switch IC component mounted on the multilayer substrate.
  • Each of the first termination resistors and each of the second termination resistors may be formed of a chip-type component mounted on the multilayer substrate.
  • a circuit for switching the direction of the first directional coupler can be formed with a practical configuration using the switch IC component and the chip-type component, and each of the first and second termination resistors can be formed. Since the resistance value can be easily changed simply by replacing the chip-type component, the degree of freedom in designing the resistance value can be increased.
  • first connection wiring that connects one end of the first sub-line and the first input terminal, and a second end of the first sub-line and the second input terminal are connected.
  • the second connection wiring may be formed in different insulating layers.
  • the first directional coupler may be formed by a surface mount component mounted on the multilayer substrate.
  • the first directional coupler can be connected to the high-frequency circuit only by mounting the surface-mounted component on the multilayer board.
  • the switch further includes a second directional coupler having a second main line inserted into a second signal path and a second sub line electromagnetically coupled to the second main line.
  • the means includes a third input terminal connected to one end of the second sub-line, a fourth input terminal connected to the other end of the second sub-line, and the third input terminal.
  • a plurality of third termination resistors connected in parallel to the fourth input terminal, a plurality of fourth termination resistors connected in parallel to the fourth input terminal, and the direction changeover switch unit. Any one of the four input terminals and the output terminal, and the fourth input terminal is connected to the output terminal by the direction switching switch unit.
  • a third resistor connecting at least one of the three terminating resistors to the third input terminal
  • at least one of the fourth termination resistors is connected to the fourth input terminal.
  • a fourth resistance switching switch unit connected to the first sub line and the second sub line so that the directivity of the coupled output in either the first sub line or the second sub line is selectively switched by the switch means. Good.
  • the 1st, 2nd directional coupler provided in each of the 1st, 2nd main line will carry out the high frequency signal which passes each of the 1st, 2nd main line in both directions, respectively. Since it can be detected, it is practical.
  • the end of the first sub line connected to the output terminal is switched by the switch unit for directivity switching, and the first and second termination resistors connected to the first sub line are connected to the first sub line.
  • the directivity of the coupled output in the first sub-line of the first directional coupler can be switched and the isolator of the first directional coupler can be switched.
  • the directionality can be improved by improving the transmission characteristics, and the detection accuracy of the high-frequency signal can be improved.
  • FIG. 4A and 4B are diagrams illustrating pass characteristics of the circuit of FIG. 3, in which FIG. 4A illustrates the pass characteristics of a signal output line, and FIG. 4B illustrates the pass characteristics of an isolation line; It is a circuit diagram for demonstrating the comparative example of FIG. 6A and 6B are diagrams illustrating pass characteristics of the circuit of FIG. 5, in which FIG. 6A illustrates the pass characteristics of a signal output side line, and FIG. 6B illustrates the pass characteristics of an isolation side line.
  • FIG. 8A is a diagram illustrating the pass characteristics of the circuit of FIG. 7
  • FIG. 8A is a diagram illustrating the pass characteristics of the signal output side line
  • FIG. 8B is a diagram illustrating the pass characteristics of the isolation side line
  • FIG. 10A is a diagram illustrating pass characteristics of the circuit of FIG. 9
  • FIG. 10A is a diagram illustrating pass characteristics of a signal output line
  • FIG. 10B is a diagram illustrating pass characteristics of an isolation line
  • FIGS. 1 and 2 show only main components according to the present invention, and other components are not shown for the sake of simplicity. Also, FIG. 11 to be referred to in the following description also shows only the main configuration as in FIG. 2, but the description thereof is omitted in the following description.
  • the high-frequency module 1 shown in FIGS. 1 and 2 is mounted on a communication device (not shown) that supports multi-mode and multi-band communication using a plurality of frequency bands according to a plurality of communication standards.
  • the device includes a plurality of communication systems that perform communication according to different communication standards such as GSM standard, W-CDMA standard, LTE standard, and Bluetooth standard, and a plurality of communication that perform communication in different bands (frequency bands) according to the same communication standard.
  • a communication system is provided.
  • the high-frequency module 1 switches and connects a plurality of antennas A1 and A2 provided in the communication device and a plurality of communication systems (not shown) mounted in the communication device, and communicates in a plurality of frequency bands. It is configured to be able to transmit and receive signals, and is arranged at the subsequent stage of antennas A1 and A2 corresponding to multiband.
  • the high-frequency module 1 includes first and second directional couplers 3 and 4, a switch IC 5, a switch IC component 6, and chip-type components 7 that form first to fourth inductors L1 to L4.
  • a chip-type component 8 for forming the first and second capacitors C1 and C2 and an output control circuit (output control component) 9, and a plurality of (for example, five layers) insulating layers 2a to 2f are laminated. It is comprised using the multilayer substrate 2 comprised.
  • the switch IC 5, switch IC component 6, chip type components 7 and 8, and output control circuit (output control component) 9 are mounted on a component mounting land electrode 22 provided on the mounting surface 21 of the multilayer substrate 2. These are electrically connected to the plurality of external connection terminals 24 formed on the back surface 23 of the multilayer substrate 2 through the wiring electrodes 10 provided on the multilayer substrate 2.
  • the multilayer substrate 2 is composed of a general multilayer substrate such as an LTCC (low temperature co-fired ceramic) multilayer substrate or a resin multilayer substrate formed of glass epoxy resin or the like, and adjusts the characteristics of the switch IC 5 and the switch IC component 6.
  • LTCC low temperature co-fired ceramic
  • chip-type components 7 and 8 are mounted on the multilayer substrate 2 as necessary.
  • electrodes such as land electrodes 22, external connection terminals 24, and wiring electrodes 10 are formed on the multilayer substrate 2 using a conductive material containing Cu, Ag, or the like.
  • the wiring electrode 10 includes in-plane conductors and via conductors formed as necessary in each of the five insulating layers 2a to 2f, and is provided on the multilayer substrate 2 with the switch IC 5, the switch IC component 6, and each chip-type component. 7 and 8 are electrically connected to each other by the wiring electrodes 10 forming the first and second signal paths SL1 and SL2 and the first to fourth connection wirings 10a to 10d.
  • circuit elements such as capacitors and inductors that form the first and second directional couplers 3 and 4, the matching circuit, various filter circuits, and the like are appropriately formed by the wiring electrodes 10. In FIG. 1, the directional coupler 4 is not shown.
  • the directional coupler 3 is connected to the first main signal path SL1 that connects the antenna terminal ANT1a (external connection terminal 24) to which the antenna A1 is connected and the first common terminal ANT1 of the switch IC5.
  • a line 31 and a first subline 32 that is electromagnetically coupled to the first main line 31 are provided.
  • one end 32a of the first sub-line 32 and the first input terminal 6a of the switch IC 6 are connected by the first connection wiring 10a, and the other end 32b of the first sub-line 32 and the first of the switch IC 6 are connected.
  • Two input terminals 6b are connected by a second connection wiring 10b.
  • the first and second connection wirings 10 a and 10 b are respectively formed on different insulating layers 2 d and 2 f of the multilayer substrate 2.
  • the directional coupler 4 is connected to the second main signal path SL2 that connects the antenna terminal ANT2a (external connection terminal 24) to which the antenna A2 is connected and the second common terminal ANT2 of the switch IC5.
  • a line 41 and a second subline 42 that is electromagnetically coupled to the second main line 41 are provided.
  • one end 42a of the second sub-line 42 and the third input terminal 6c of the switch IC 6 are connected by the third connection wiring 10c, and the other end 42b of the second sub-line 42 and the first of the switch IC 6 are connected.
  • 4 input terminals 6d are connected by a fourth connection wiring 10d.
  • the third and fourth connection wirings 10c and 10d are formed on different insulating layers of the multilayer substrate 2 in the same manner as the first and second connection wirings 10a and 10b. .
  • the switch IC 5 includes first and second common terminals ANT1 connected to the antenna terminals ANT1a and ANT2a provided on the multilayer substrate 2 through first and second signal paths SL1 and SL2, respectively. , ANT2 and a plurality of switching terminals 51.
  • the antennas A1 and A2 are individually connected to the antenna terminals ANT1a and ANT2a, respectively, the individual antennas A1 and A2 are connected to the common terminals ANT1 and ANT2, respectively.
  • a corresponding communication system (not shown) is connected to each switching terminal 51, and either one of the common terminals ANT1 and ANT2 and one of the switching terminals 51 are switched and used by each communication system. Antennas A1 and A2 are selected. Since the configuration of the switch IC 5 is well known, detailed description of the configuration is omitted.
  • the switch IC 6 (corresponding to “switching means” of the present invention) switches the direction of the coupled output in each of the first sub-line 32 of the directional coupler 3 and the second sub-line 42 of the directional coupler 4.
  • Directional switching switch for switching and connecting any one of the first to fourth input terminals 6a to 6d, the output terminal 6e, and any one of the first to fourth input terminals 6a to 6d and the output terminal 6e.
  • Part 62 and first to fourth resistance switching switches 63a to 63d are part 62 and first to fourth resistance switching switches 63a to 63d.
  • the first to fourth resistance switching switches 63a to 63d include a plurality of switches, and a plurality of first termination resistors having different resistance values are connected to the switches in a one-to-one correspondence.
  • the first resistance switching switch section 63a includes first to third switch elements 64a1 to 64a3. One end of each switch element 64a1 to 64a3 is connected to the first input terminal 6a, and the other end is connected to one end of a plurality of first termination resistors R11 to R13 having different resistance values. Since the second to fourth resistance switching switches 63b to 63d have the same configuration as that of the first resistance switching switch, a detailed description of the configuration will be omitted by giving the same reference numerals.
  • the other end of each of the first to fourth termination resistors is connected to the ground connection electrode of the multilayer substrate 2 via the ground terminal 6f of the switch IC 6.
  • the direction switching switch 62 has switches 62a to 62d provided in a one-to-one correspondence with the first to fourth input terminals 6a to 6d.
  • each of the switches 62a to 6d has one end connected to the corresponding first to fourth input terminals and the other end connected to the output terminal 6e.
  • each of the direction switching switch 62 and the first to fourth resistance switching switches 63a to 63d includes an inductor, a capacitor, and a resistor as required for the field effect transistor (FET). It is formed by being connected.
  • any one of the first termination resistors R11 to R13 is the first resistance switching switch section 63a. To be connected to the first input terminal 6a. Further, when the first input terminal 6a is connected to the output terminal 6e by the direction switching switch section 62, any one of the second termination resistors R21 to R23 is the second resistance switching switch section 63b. To be connected to the second input terminal 6b. In this case, a combined output in the first sub line 32 is output from the output terminal 6e.
  • any one of the third termination resistors R31 to R33 is the third resistance switching switch 63c. To be connected to the third input terminal 6c. Further, when the third input terminal 6c is connected to the output terminal 6e by the direction switching switch section 62, any one of the fourth termination resistors R41 to R43 is the fourth resistance switching switch section 63d. To be connected to the fourth input terminal 6d. In this case, a combined output in the second sub-line 42 is output from the output terminal 6e.
  • a first inductor L1 (for example, 100 nH) is connected between the first input terminal 6a and the output terminal 6e, and between the second input terminal 6b and the output terminal 6e.
  • the second inductor L2 (for example, 100 nH) is connected
  • the third inductor L3 (for example, 100 nH) is connected between the third input terminal 6c and the output terminal 6e, and the fourth input terminal 6d and the output terminal 6e.
  • Is connected with a fourth inductor L4 (for example, 100 nH).
  • Each of the first to fourth inductors L1 to L4 is formed by a chip-type component 7 mounted on the multilayer substrate 2.
  • the inductances of the first to fourth inductors L1 to L4 can be easily adjusted simply by replacing the chip-type component 7. Therefore, the adjustment range of the inductances of the first to fourth inductors L1 to L4 is changed. be able to. Note that, similarly to the first to fourth termination resistors, at least one of the first to fourth inductors L1 to L4 may be provided in the switch IC6.
  • a first capacitor C1 (corresponding to the “capacitor” of the present invention, eg 0.3 pF) is connected between the first input terminal 6a and the second input terminal 6b
  • a second capacitor C2 (for example, 0.3 pF) is connected between the third input terminal 6c and the fourth input terminal 6d.
  • Each of the first and second capacitors C1 and C2 is formed by a chip-type component 8 mounted on the multilayer substrate 2. Accordingly, since the capacitances of the first and second capacitors C1 and C2 can be easily adjusted simply by replacing the chip-type component 8, the adjustment range of the capacitances of the first and second capacitors C1 and C2 can be increased. can do. Note that, similarly to the first to fourth termination resistors R1 to R4, at least one of the first and second capacitors C1 and C2 may be provided in the switch IC component 6.
  • the output control circuit 9 is connected to the output terminal 6e of the switch IC 6.
  • the main line is hardly affected by the signal passing through the main line.
  • a part of the signal passing through can be taken out from the sub line.
  • a signal taken out from the sub-line is output from the output terminal 6e, and a control signal for gain adjustment is output from the output control circuit 9 to the power amplifier or the like connected to the switching terminal 51 of the switch IC 5 based on the output signal. Is output.
  • the first inductor L1 is added to connect the first input terminal 6a and the output terminal 6e of the switch IC 6, and the second input terminal 6b and the output terminal 6e.
  • the horizontal axis represents frequency (GHz)
  • the vertical axis represents passage loss (dB).
  • the output terminal 6e corresponds to the first port
  • the input terminal 6a corresponds to the second port
  • the input terminal 6b Corresponds to the third port.
  • the input terminal 6b is connected to the first sub line 32 of the first directional coupler 3
  • Any of the input terminals 6a, 6c, and 6d is the first sub line 32. Even when connected to the line 32 or the second sub-line 42, the same effects as those described below can be obtained, and thus the description thereof is omitted.
  • the pass characteristic (insertion loss) in the line connected to the sub line 32 is 4A shows the characteristics shown in FIG. 4A, and the path connected to the sub line 32 shown in FIG. 6A when the first and second inductors L1 and L2 are not provided as shown in FIG.
  • the characteristic is almost the same as the pass characteristic (insertion loss).
  • the second inductor L2 has almost no adverse effect on the insertion loss in the signal path connected to the sub line 32.
  • the center frequency in the frequency band of the communication signal passing through the main line 32 is 2.17 GHz.
  • the pass characteristics in the path not connected to the sub-line 32 indicated by the thick wavy line in FIG. 3 are the off-capacitance Cf and the first inductor L1 of the switch 62a (directional switching switch 62) shown in FIG. Since an LC parallel resonant circuit is formed, the characteristics as shown in FIG. In this embodiment, since the center frequency of the frequency band of the signal passing through the main line 31 is 2.17 GHz, the value of the inductor L1 is selected so that the resonance frequency of the LC parallel resonance circuit is 2.17 GHz. is doing. When the first and second inductors L1 and L2 are not provided as shown in FIG.
  • the pass characteristic in the path not connected to the sub-line 32 in FIG. 3 is improved to about ⁇ 56 dB.
  • the insertion loss of the path connected to the sub line 32 in the frequency band of the signal passing through the main line 31 is not deteriorated. Since signal leakage to a path not connected to the line 32 can be suppressed, the isolation characteristic between the first input terminal 6a and the second input terminal 6b can be improved.
  • the isolation characteristic between the first input terminal 6a and the second input terminal 6b of the switch IC6 is improved by adding the first capacitor C1 will be described with reference to FIGS. .
  • the horizontal axis represents frequency (GHz), and the vertical axis represents passage loss (dB).
  • the output terminal 6e corresponds to the first port
  • the input terminal 6b corresponds to the second port
  • the input terminal 6a Corresponds to the third port.
  • the case where the input terminal 6a is connected to the sub line 32 to the directional coupler 3 will be described as an example. Any one of the input terminals 6b to 6d is the first sub line 32 or the second sub line. Since the same effects as those described below can be obtained even when connected to 42, the description thereof will be omitted.
  • the passage characteristic (insertion) in the path connected to the sub-line 32 indicated by a thick solid line in FIG. Loss) indicates the characteristics as shown in FIG. 8A, and the passage characteristics in the path on the coupling side shown in FIG. 10A when the first capacitor C1 is not provided as shown in FIG.
  • the characteristic is almost the same as the insertion loss.
  • the first capacitor C1 has almost no adverse effect on the insertion loss in the path connected to the sub line 32.
  • the pass characteristic (isolation characteristic) in the path that is not connected to the sub-line 32 indicated by the thick wavy line in FIG. 7 is the parasitic inductance component Lf of the sub-line 32 and the first capacitor C1 shown in FIG. Since the LC parallel resonance circuit is formed, the characteristics as shown in FIG. Compared to the isolation characteristic of about ⁇ 40 dB in the path not connected to the sub-line 32 shown in FIG. 10B when the first capacitor C1 is not provided as shown in FIG. 9, the isolation side in FIG. The isolation characteristics in the line are improved to about -43 dB. As described above, by adding the first capacitor C1, the isolation characteristic can be improved without deteriorating the insertion loss of the path connected to the sub line 32.
  • the coupled output of the first sub-line 32 from the other end 32b to the second in accordance with the frequency band of the high-frequency signal to be detected, the high-frequency circuit connected to the first signal path SL1, the load, and the like.
  • any one of the first termination resistors R11 to R13 having the optimum resistance value is connected to the one end portion 32a of the sub-line 32 via the first input terminal 6a.
  • any one of the second termination resistors R21 to R23 having the optimum resistance value is connected to the second input terminal.
  • the other end 32b of the sub line 32 is connected via 6b.
  • the third termination resistor R3 connected to the third input terminal 6c (one end 42a of the second sub-line 42) or the fourth input terminal 6d (other than the second sub-line 42).
  • impedance mismatch between the end of the second sub-line 42 and the direction switching switch 62 is improved, and the second The directionality of the directional coupler 4 can be improved and the isolation characteristics can be improved. Thereby, the detection precision of the high frequency signal in the 2nd directional coupler 4 can be improved.
  • the first input is caused by the first inductor L1 and the off-capacitance Cf of the switch 62a.
  • An LC parallel resonant circuit is formed between the terminal 6a and the output terminal 6e.
  • the second input terminal is caused by the second inductor L2 and the off-capacitance Cf of the switch 62b. Since an LC parallel resonant circuit is formed between the output terminal 6e and the output terminal 6b, the inductance of the second inductor L2 is set in the same manner as the first inductor L1, so that it is input from the first input terminal 6a. Can be prevented from sneaking into the second input terminal 6b side.
  • the inductor L1 is arranged in parallel to the path connecting the first input terminal 6a and the output terminal 6e, and the inductor L2 is connected in parallel to the path connecting the second input terminal 6b and the output terminal 6e.
  • the isolation characteristics between the two can be improved.
  • the parasitic inductance component of the first sub-line 32 and the first capacitor C1 connected in parallel to the first sub-line 32 are connected between the first input terminal 6a and the second input terminal 6b.
  • An LC parallel resonant circuit is formed.
  • the direction of the first and second directional couplers 3, 4 can be achieved simply by mounting the switch IC 6 on the multilayer substrate 2.
  • a circuit for switching the characteristics can be easily formed, and the high-frequency module 1 can be downsized and the characteristics of the first and second directional couplers 3 and 4 can be stabilized.
  • first connection wiring 10a and the second connection wiring 10b are formed in different insulating layers 2d and 2f, the first connection wiring 10a and the second connection wiring 10b are electromagnetically coupled. Therefore, the isolation characteristic between the first input terminal 6a and the second input terminal 6b can be improved.
  • third connection wiring 10c and the fourth connection wiring 10d are formed in different insulating layers, the third connection wiring 10c and the fourth connection wiring 10d are electromagnetically coupled. Therefore, the isolation characteristic between the third input terminal 6c and the fourth input terminal 6d can be improved.
  • the high-frequency module 1 of this embodiment differs from the first embodiment described above in that the first to fourth termination resistors are formed by chip-type components 11 mounted on the multilayer substrate 2 as shown in FIG. It is a point. Further, the first directional coupler 3 is formed by the surface mount component 12 mounted on the multilayer substrate 2, and the second directional coupler 4 is formed by the surface mount component 13 mounted on the multilayer substrate 2. Yes. Other configurations and operations are the same as those of the first embodiment described above, and therefore the description of the configurations and operations is omitted by citing the same reference numerals.
  • the resistance values of the first to fourth termination resistors can be easily changed by simply replacing the chip-type component 11, so that the range of resistance value change can be increased.
  • the first and second directional couplers 3 and 4 are mounted on the main surface of the multilayer substrate 2, the directional coupler and the wiring incorporated in the multilayer substrate are compared with the configuration incorporated in the multilayer substrate. It is possible to improve the isolation characteristics.
  • each of the first to fourth termination resistors is a circuit having three resistors, but each of the resistance switching switches 63a to 63d has three of them. One resistor may be selected, or two or more resistors may be selected simultaneously. With this configuration, the selection range of the termination resistor can be widened.
  • first and second directional couplers 3 and 4 and the switch IC 6 may be integrally configured as a surface mount component. For example, by arranging the first and second directional couplers 3 and 4 on the semiconductor substrate on which the switch IC 6 is formed, the area occupied by the directional coupler and the switch IC can be reduced, and the high frequency module Can be miniaturized.
  • the direction switching switch 62 and the first to fourth resistance switching switches 63a to 63d are mainly formed of field effect transistors.
  • PIN diodes, bipolar transistors, You may comprise by various switching elements, such as an electrostatic induction type transistor.
  • the antenna connected to the switch IC 5 is not limited to the multi-band antennas A1 and A2, and a plurality of single-band antennas corresponding to each band used in the communication system to be used are connected to the switch IC 5. May be. Moreover, what is necessary is just to set the number of the antennas and communication systems which are connected to switch IC to the optimal number suitably according to the structure of the communication apparatus in which the high frequency module 1 is mounted.
  • the present invention can be widely applied to a high-frequency module including a high-frequency circuit provided with a directional coupler for detecting a high-frequency signal flowing through a signal path.

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Abstract

　方向性結合器の結合出力の方向性を切り換えることができると共に、アイソレーション特性の向上を図ることにより高周波信号の検出精度を向上することができる技術を提供する。　方向性切換用スイッチ部６２により出力端子６ｅに接続される第１の副線路３２の端部を切り換えると共に、第１の副線路３２に接続される第１、第２の終端抵抗を第１、第２の抵抗切換用スイッチ部６３ａ，６３ｂにより切り換えることによって、第１の方向性結合器３の第１の副線路３２における結合出力の方向性を切り換えることができると共に、第１の方向性結合器３のアイソレーション特性を改善することにより方向性を向上させて、高周波信号の検出精度を向上することができる。

Description

高周波モジュール
　本発明は、信号経路を流れる高周波信号を検出するための方向性結合器を備える高周波モジュールに関する。
　図１２に示す従来の高周波回路５００は、アンテナＡＮＴと、受信回路５０１および送信回路５０２のいずれか一方とを切換接続するスイッチ回路５０３とを備え、制御端子５０３ａに入力される制御信号に基づいてスイッチ回路５０３の接続状態が切換制御される。アンテナＡＮＴと受信回路５０１とが接続された場合には、アンテナＡＮＴに入力された受信信号がフィルタ５０４を通過してローノイズアンプ５０５に入力される。また、アンテナＡＮＴと送信回路５０２とが接続された場合には、パワーアンプ５０６から出力された送信信号がアイソレータ５０７を通過してアンテナＡＮＴから出力される。
　また、高周波回路５００には、送信信号が通過する信号経路５０２ａに主線路５０８ａが挿入された方向性結合器５０８が設けられており、主線路５０８ａに電磁界結合する副線路５０８ｂのアイソレーション側の端部（ポート）に終端抵抗Ｒが接続され、カップリング側の端部（ポート）にＡＰＣ（自動出力制御）回路５０９が接続されている。そして、パワーアンプ５０６から出力される送信信号の信号レベルがほぼ一定になるように、方向性結合器５０８により検出された送信信号の信号レベルに応じてＡＰＣ回路５０９から出力されるゲイン調整用の制御信号に基づいて、パワーアンプ５０６のゲインが調整される。
特開２００５－２９５５０３号公報（段落００３１～００４２、図１など）
　近年、携帯電話や携帯情報端末等の携帯通信端末、無線ＬＡＮ端末などの通信装置において、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆоｒ　Ｍｏｂｉｌｅ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ：登録商標）規格、Ｗ－ＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅｂａｎｄ　Ｃｏｄｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ａｃｃｅｓｓ）規格、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）規格など、それぞれ異なる通信規格による通信が行われる複数の通信システムを備え、複数の通信規格（マルチモード）による通信に対応した通信装置が提供されている。また、複数の通信システムを備えることによりマルチモードに対応した通信装置では、各通信システムに所定の周波数帯域が割り当てられており、複数の周波数帯域（マルチバンド）を利用して通信が行われる。また、このようにマルチモードに対応した通信装置では、それぞれ上記した通信規格による通信を行う各通信システムに加えて、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍ）衛星からの信号を受信するための通信システムを備えるものも提供されている。
　また、マルチモード、マルチバンドに対応した通信装置では、複数のマルチバンドアンテナを用いることにより、通信の品質および信頼性の向上や、通信速度の向上が図られている。例えば、ダイバーシティ方式では、同一の受信信号が複数のマルチバンドアンテナを用いて受信される。そして、各マルチバンドアンテナを用いて受信された複数の同一の受信信号が比較されて、各マルチバンドアンテナのうち最も受信状態が優れているマルチバンドアンテナを用いて通信が行われたり、複数のマルチバンドアンテナを用いて受信された複数の同一の受信信号を合成することにより受信信号に含まれるノイズが除去されることで、通信の品質および信頼性の向上が図られている。
　また、例えば、キャリアアグリゲーション方式では、それぞれに互いに異なる周波数帯域が割り当てられた複数のマルチバンドアンテナを用いて通信が行われる。すなわち、通信に複数のマルチバンドアンテナが用いられて各周波数帯域が組み合わされて同時に使用されることで、通信容量の向上が図られている。
　このように、複数の通信システムを備え、ダイバーシティ方式やキャリアアグリゲーション方式などの通信方式が採用されている通信装置では、高周波回路５００において、各通信システムそれぞれの所定の周波数帯域の送信信号の伝送特性をさらに向上させたり、所定の周波数帯域の送信信号がアンテナＡＮＴでの不整合などにより送信回路５０２側に反射して流入するのを抑制したりするため、各通信システムそれぞれから出力される複数の周波数帯域の送信信号や、送信信号がアンテナＡＮＴにおいて反射して戻ってくる複数の周波数帯域の高周波信号を方向性結合器５０８により精度よく検出する機能が要求されている。
　この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、方向性結合器の結合出力の方向性を切り換えることができると共に、アイソレーション特性の向上を図ることにより高周波信号の検出精度を向上することができる技術を提供することを目的とする。
　上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、高周波回路の第１の信号経路に挿入された第１の主線路と、前記第１の主線路に電磁界結合する第１の副線路とを有する第１の方向性結合器と、前記第１の副線路における結合出力の方向性を切り換えるスイッチ手段とを備え、前記スイッチ手段は、前記第１の副線路の一端部に接続される第１の入力端子と、前記第１の副線路の他端部に接続される第２の入力端子と、前記第１の入力端子または前記第２の入力端子に入力された前記第１の副線路における結合出力が出力される出力端子と、抵抗値が異なる複数の第１の終端抵抗がそれぞれ１対１で対応して接続される複数の第１の抵抗切換端子と、抵抗値が異なる複数の第２の終端抵抗がそれぞれ１対１で対応して接続される複数の第２の抵抗切換端子と、前記第１の入力端子および前記第２の入力端子のうちのいずれか１つと前記出力端子とを切換接続する方向性切換用スイッチ部と、前記第１の入力端子に並列に接続される複数の第１の終端抵抗と、前記第２の入力端子に並列に接続される複数の第２の終端抵抗と、前記方向性切換用スイッチ部により前記第２の入力端子が前記出力端子に接続されているときに、前記第１の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第１の入力端子に接続する第１の抵抗切換用スイッチ部と、前記方向性切換用スイッチ部により前記第１の入力端子が前記出力端子に接続されているときに、前記第２の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第２の入力端子に接続する第２の抵抗切換用スイッチ部とを備えることを特徴としている。
　このように構成された発明では、方向性切換用スイッチ部により第２の入力端子（第１の副線路の他端部）を出力端子に接続したときには、複数の第１の終端抵抗のうちの少なくとも１つを第１の入力端子（副線路の一端部）に第１の抵抗切換用スイッチ部により接続し、方向性切換用スイッチ部により第１の入力端子（副線路の一端部）を出力端子に接続したときには、複数の第２の終端抵抗のうちの少なくとも１つを第２の入力端子（副線路の他端部）に第２の抵抗切換用スイッチ部により接続することにより、第１の方向性結合器の第１の副線路における結合出力の方向性を切り換えることができる。
　また、本発明においては、検出対象の高周波信号の周波数帯域や、第１の主線路に接続される高周波回路、負荷などの変動に応じて、第１の副線路における結合出力を他端部から第２の入力端子に入力する場合には、最適な抵抗値を有する第１の終端抵抗を第１の入力端子を介して副線路の一端部に接続し、第１の副線路における結合出力を一端部から第１の入力端子に入力する場合には、最適な抵抗値を有する第２の終端抵抗を第２の入力端子を介して副線路の他端部に接続する構成としている。このような構成にすることで、結合出力の周波数変化などを原因とする不整合を解消し第１の方向性結合器のアイソレーション特性を向上させて方向性を向上させることができ、高周波信号の検出精度を向上することができる。
　また、前記スイッチ手段は、前記第１の入力端子と前記出力端子との間に接続された第１のインダクタと、前記第２の入力端子と前記出力端子との間に接続された第２のインダクタとをさらに備えていてもよい。
　このようにすると、第１の副線路における結合出力が他端部から第２の入力端子に入力される場合には、第１のインダクタと方向性切換用スイッチ部のオフ容量とにより、第１の入力端子と出力端子との間にＬＣ並列共振回路が形成される。このＬＣ並列共振回路の共振周波数がアイソレーション特性を向上させたい周波数となるように第１のインダクタのインダクタンスを設定することにより、第２の入力端子に入力される信号の周波数における第１の入力端子と出力端子との間のアイソレーション特性を向上することができる。また、第１の副線路における結合出力が一端部から第１の入力端子に入力される場合には、第２のインダクタと方向性切換用スイッチ部のオフ容量とにより、第２の入力端子と出力端子との間にＬＣ並列共振回路が形成されるので、第１のインダクタと同様にして第２のインダクタのインダクタンスを設定することにより、第１の入力端子に入力される信号の周波数における第２の入力端子と出力端子との間のアイソレーション特性を向上することができる。
　また、前記スイッチ手段は、前記第１の入力端子と前記第２の入力端子との間に接続されたキャパシタをさらに備えていてもよい。
　このようにすれば、第１の副線路の寄生インダクタンス成分とキャパシタとにより、第１の入力端子と第２の入力端子との間にＬＣ並列共振回路が形成される。このＬＣ並列共振回路の共振周波数がアイソレーション特性を向上させたい周波数となるように第１の副線路の線路長や幅等の形状とキャパシタのキャパシタンスとを設定することにより、所望の周波数における第１の入力端子と第２の入力端子との間のアイソレーション特性を向上することができる。
　また、複数の絶縁層が積層されて成り、前記第１の方向性結合器および前記スイッチ手段が設けられた多層基板を備え、前記スイッチ手段は前記多層基板に実装されたスイッチＩＣ部品により形成され、前記各第１の終端抵抗および前記各第２の終端抵抗が、前記スイッチＩＣ部品内に設けられていてもよい。
　このように構成すると、スイッチＩＣ部品を多層基板に実装するだけで、第１の方向性結合器の方向性を切り換える回路を容易に形成することができる。
　また、複数の絶縁層が積層されて成り、前記第１の方向性結合器および前記スイッチ手段が設けられた多層基板を備え、前記スイッチ手段は前記多層基板に実装されたスイッチＩＣ部品により形成され、前記各第１の終端抵抗および前記各第２の終端抵抗それぞれが、前記多層基板に実装されたチップ型部品により形成されていてもよい。
　このように構成すると、スイッチＩＣ部品とチップ型部品とにより実用的な構成で第１の方向性結合器の方向性を切り換える回路を形成することができると共に、各第１、第２の終端抵抗のチップ型部品を取り換えるだけで容易に抵抗値を変更することができるので、抵抗値の設計自由度を大きくすることができる。
　また、前記第１の副線路の一端部と前記第１の入力端子とを接続する第１の接続配線と、前記第１の副線路の他端部と前記第２の入力端子とを接続する第２の接続配線とが、それぞれ異なる前記絶縁層に形成されているとよい。
　このように構成すれば、第１の接続配線と第２の接続配線とが電磁界結合するのを抑制することができるので、第１の入力端子と第２の入力端子との間のアイソレーション特性を向上させることができる。
　また、前記第１の方向性結合器は前記多層基板に実装された表面実装部品により形成されていてもよい。
　このようにすれば、表面実装部品を多層基板に実装するだけで、第１の方向性結合器を高周波回路に接続することができる。
　また、第２の信号経路に挿入された第２の主線路と、前記第２の主線路に電磁界結合する第２の副線路とを有する第２の方向性結合器をさらに備え、前記スイッチ手段は、前記第２の副線路の一端部に接続される第３の入力端子と、前記第２の副線路の他端部に接続される第４の入力端子と、前記第３の入力端子に並列に接続される複数の第３の終端抵抗と、前記第４の入力端子に並列に接続される複数の第４の終端抵抗と、前記方向性切換用スイッチ部は、前記第１～第４の入力端子のうちのいずれか１つと前記出力端子とを切換接続するものであり、前記方向性切換用スイッチ部により前記第４の入力端子が前記出力端子に接続されているときに前記第３の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第３の入力端子に接続する第３の抵抗切換用スイッチ部と、前記方向性切換用スイッチ部により前記第３の入力端子が前記出力端子に接続されているときに前記第４の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第４の入力端子に接続する第４の抵抗切換用スイッチ部とを備え、前記第１の副線路および前記第２の副線路のいずれかにおける結合出力の方向性が前記スイッチ手段により選択的に切り換えられるようにするとよい。
　このように構成すると、第１、第２の主線路のそれぞれに設けられた第１、第２の方向性結合器により、第１、第２の主線路のそれぞれを両方向に通過する高周波信号を検出することができるので実用的である。
　本発明によれば、方向性切換用スイッチ部により出力端子に接続される第１の副線路の端部を切り換えると共に、第１の副線路に接続される第１、第２の終端抵抗を第１、第２の抵抗切換用スイッチ部により切り換えることによって、第１の方向性結合器の第１の副線路における結合出力の方向性を切り換えることができると共に、第１の方向性結合器のアイソレーション特性を向上させることにより方向性を向上させて、高周波信号の検出精度を向上することができる。
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールを示す断面図である。 図１の高周波モジュールが備える高周波回路を示す図である。 インダクタを追加することによるアイソレーション特性の向上について説明するための回路図である。 図３の回路の通過特性を示す図であり、（ａ）は信号出力側の線路の通過特性を示し、（ｂ）はアイソレーション側の線路の通過特性を示す図である。 図３の比較例を説明するための回路図である。 図５の回路の通過特性を示す図であり、（ａ）は信号出力側の線路の通過特性を示し、（ｂ）はアイソレーション側の線路の通過特性を示す図である。 キャパシタを追加することによるアイソレーション特性の向上について説明するための回路図である。 図７の回路の通過特性を示す図であり、（ａ）は信号出力側の線路の通過特性を示し、（ｂ）はアイソレーション側の線路の通過特性を示す図である。 図７の比較例を説明するための回路図である。 図９の回路の通過特性を示す図であり、（ａ）は信号出力側の線路の通過特性を示し、（ｂ）はアイソレーション側の線路の通過特性を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールが備える高周波回路を示す図である。 従来の高周波モジュールが備える高周波回路を示す図である。
　＜第１実施形態＞
　本発明の第１実施形態について、図１～図１０を参照して説明する。なお、図１および図２では、本発明にかかる主要な構成のみが図示されており、説明を簡易なものとするために、その他の構成は図示省略されている。また、後の説明で参照する図１１についても、図２と同様に主要な構成のみが図示されているが、以下の説明においてはその説明は省略する。
　（高周波モジュール）
　図１および図２に示す高周波モジュール１は、複数の通信規格により複数の周波数帯域を利用して通信を行うマルチモード、マルチバンドに対応した通信装置（図示省略）に搭載され、このような通信装置は、ＧＳＭ規格、Ｗ－ＣＤＭＡ規格、ＬＴＥ規格、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ規格など、それぞれ異なる通信規格による通信を行う複数の通信システムや、それぞれ同一の通信規格で異なるバンド（周波数帯域）において通信を行う複数の通信システムを備えている。また、高周波モジュール１は、通信装置に設けられた複数のアンテナＡ１，Ａ２と、通信装置に搭載された複数の通信システム（図示省略）とを切換接続するものであり、複数の周波数帯域における通信信号を送受信可能に構成されてマルチバンドに対応したアンテナＡ１，Ａ２の後段に配置される。
　また、高周波モジュール１は、第１、第２の方向性結合器３，４と、スイッチＩＣ５と、スイッチＩＣ部品６と、第１～第４のインダクタＬ１～Ｌ４を形成するチップ型部品７と、第１、第２のキャパシタＣ１，Ｃ２を形成するチップ型部品８と、出力制御用回路（出力制御用部品）９とを備え、複数（例えば５層）の絶縁層２ａ～２ｆが積層されて成る多層基板２を用いて構成されている。スイッチＩＣ５、スイッチＩＣ部品６、チップ型部品７，８、出力制御用回路（出力制御用部品）９は、多層基板２の実装面２１上に設けられた部品実装用のランド電極２２に実装され、多層基板２に設けられた配線電極１０を介して多層基板２の裏面２３に形成された複数の外部接続端子２４に電気的に接続される。
　多層基板２は、ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック）多層基板や、ガラスエポキシ樹脂等により形成される樹脂多層基板などの一般的な多層基板により構成され、スイッチＩＣ５、スイッチＩＣ部品６の特性を調整したり整合回路や各種のフィルタ回路等を形成したりするためチップ型部品７，８などが必要に応じて多層基板２に実装される。また、ＣｕやＡｇなどを含む導電性材料により、ランド電極２２、外部接続端子２４、配線電極１０などの電極が多層基板２に形成されている。
　配線電極１０は、５層の絶縁層２ａ～２ｆそれぞれに必要に応じて形成された面内導体およびビア導体を備え、多層基板２に設けられたスイッチＩＣ５、スイッチＩＣ部品６、各チップ型部品７，８が、第１、第２の信号経路ＳＬ１，ＳＬ２や第１～第４の接続配線１０ａ～１０ｄなどを形成する配線電極１０により相互に電気的に接続される。また、第１、第２の方向性結合器３，４、整合回路および各種フィルタ回路等を形成するキャパシタやインダクタ等の回路素子などが配線電極１０により適宜形成される。なお、図１では方向性結合器４は図示省略されている。
　方向性結合器３は、アンテナＡ１が接続されるアンテナ端子ＡＮＴ１ａ（外部接続端子２４）とスイッチＩＣ５の第１の共通端子ＡＮＴ１とを接続する第１の信号経路ＳＬ１に挿入された第１の主線路３１と、第１の主線路３１に電磁界結合する第１の副線路３２とを有している。また、第１の副線路３２の一端部３２ａとスイッチＩＣ６の第１の入力端子６ａとが第１の接続配線１０ａにより接続され、第１の副線路３２の他端部３２ｂとスイッチＩＣ６の第２の入力端子６ｂとが第２の接続配線１０ｂにより接続されている。また、図１に示すように、第１、第２の接続配線１０ａ，１０ｂそれぞれは、多層基板２の異なる絶縁層２ｄ，２ｆに形成されている。
　方向性結合器４は、アンテナＡ２が接続されるアンテナ端子ＡＮＴ２ａ（外部接続端子２４）とスイッチＩＣ５の第２の共通端子ＡＮＴ２とを接続する第２の信号経路ＳＬ２に挿入された第２の主線路４１と、第２の主線路４１に電磁界結合する第２の副線路４２とを有している。また、第２の副線路４２の一端部４２ａとスイッチＩＣ６の第３の入力端子６ｃとが第３の接続配線１０ｃにより接続され、第２の副線路４２の他端部４２ｂとスイッチＩＣ６の第４の入力端子６ｄとが第４の接続配線１０ｄにより接続されている。また、図示省略されているが、第１、第２の接続配線１０ａ，１０ｂと同様に、第３、第４の接続配線１０ｃ，１０ｄそれぞれは、多層基板２の異なる絶縁層に形成されている。
　スイッチＩＣ５は、図２に示すように、多層基板２に設けられた各アンテナ端子ＡＮＴ１ａ，ＡＮＴ２ａそれぞれに第１、第２の信号経路ＳＬ１，ＳＬ２により接続される第１、第２の共通端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２と、複数の切換端子５１とを有している。また、各アンテナ端子ＡＮＴ１ａ，ＡＮＴ２ａそれぞれにアンテナＡ１，Ａ２それぞれが個別に接続されることにより、各共通端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２それぞれに個別のアンテナＡ１，Ａ２それぞれが接続される。また、切換端子５１それぞれには、対応する通信システム（図示省略）が接続され、共通端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２のいずれかと、切換端子５１のいずれかとが切換接続されることにより、各通信システムが使用するアンテナＡ１，Ａ２を選択する。なお、スイッチＩＣ５の構成は周知であるため、その構成の詳細な説明は省略する。
　スイッチＩＣ６（本発明の「スイッチ手段」に相当）は、方向性結合器３の第１の副線路３２および方向性結合器４の第２の副線路４２それぞれにおける結合出力の方向性を切り換えるものであり、第１～第４の入力端子６ａ～６ｄと、出力端子６ｅと、第１～第４の入力端子６ａ～６ｄのいずれか１つと出力端子６ｅとを切換接続する方向性切換用スイッチ部６２と、第１～第４の抵抗切換用スイッチ部６３ａ～６３ｄとを備えている。
　第１～第４の抵抗切換用スイッチ部６３ａ～６３ｄは複数のスイッチを備え、スイッチそれぞれには、抵抗値が異なる複数の第１の終端抵抗が１対１に対応して接続されている。例えば、第１の抵抗切換用スイッチ部６３ａは第１～第３のスイッチ素子６４ａ１～６４ａ３を備えている。各スイッチ素子６４ａ１～６４ａ３の一方端部は第１の入力端子６ａに接続され、他方端部のそれぞれは抵抗値が異なる複数の第１の終端抵抗Ｒ１１～Ｒ１３の一端に接続されている。第２～第４の抵抗切換用スイッチ部６３ｂ～６３ｄも第１の抵抗切換用スイッチ部と同様な構成を備えているので相当符号を付すことにより、その詳細な構成の説明を省略する。なお、第１～第４の終端抵抗それぞれの他端は、スイッチＩＣ６のグランド端子６ｆを介して多層基板２のグランド接続用電極に接続されている。
　方向性切換用スイッチ部６２は、第１～第４の入力端子６ａ～６ｄそれぞれに１対１で対応して設けられたスイッチ６２ａ～６２ｄを有している。また、各スイッチ６２ａ～６ｄは、それぞれの一端が対応する第１～第４の入力端子に接続されると共に、それぞれの他端が出力端子６ｅに接続されている。また、この実施形態では、方向性切換用スイッチ部６２および第１～第４の抵抗切換用スイッチ部６３ａ～６３ｄは、それぞれ、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に必要に応じてインダクタおよびキャパシタ、レジスタが接続されることにより形成されている。
　そして、方向性切換用スイッチ部６２により第２の入力端子６ｂが出力端子６ｅに接続されているときには、第１の終端抵抗Ｒ１１～Ｒ１３のうちのいずれかが第１の抵抗切換用スイッチ部６３ａにより第１の入力端子６ａに接続される。また、方向性切換用スイッチ部６２により第１の入力端子６ａが出力端子６ｅに接続されているときには、第２の終端抵抗Ｒ２１～Ｒ２３のうちのいずれかが第２の抵抗切換用スイッチ部６３ｂにより第２の入力端子６ｂに接続される。この場合は、出力端子６ｅから第１の副線路３２における結合出力が出力される。
　また、方向性切換用スイッチ部６２により第４の入力端子６ｄが出力端子６ｅに接続されているときには、第３の終端抵抗Ｒ３１～Ｒ３３のうちのいずれかが第３の抵抗切換用スイッチ部６３ｃにより第３の入力端子６ｃに接続される。また、方向性切換用スイッチ部６２により第３の入力端子６ｃが出力端子６ｅに接続されているときには、第４の終端抵抗Ｒ４１～Ｒ４３のうちのいずれかが第４の抵抗切換用スイッチ部６３ｄにより第４の入力端子６ｄに接続される。この場合は、出力端子６ｅから第２の副線路４２における結合出力が出力される。
　このように、方向性切換用スイッチ部６２および第１～第４の抵抗切換用スイッチ部６３ａ～６３ｄの接続状態が切り換えられることにより、第１の副線路３２および第２の副線路４２のいずれかにおける結合出力の方向性がスイッチＩＣ部品６により選択的に切り換えられるようになっている。
　また、図２に示すように、第１の入力端子６ａと出力端子６ｅとの間に第１のインダクタＬ１（例えば１００ｎＨ）が接続され、第２の入力端子６ｂと出力端子６ｅとの間に第２のインダクタＬ２（例えば１００ｎＨ）が接続され、第３の入力端子６ｃと出力端子６ｅとの間に第３のインダクタＬ３（例えば１００ｎＨ）が接続され、第４の入力端子６ｄと出力端子６ｅとの間に第４のインダクタＬ４（例えば１００ｎＨ）が接続されている。また、第１～第４のインダクタＬ１～Ｌ４それぞれが多層基板２に実装されたチップ型部品７により形成されている。したがって、チップ型部品７を交換するだけで第１～第４のインダクタＬ１～Ｌ４のインダクタンスを容易に調整することができるので、第１～第４のインダクタＬ１～Ｌ４のインダクタンスの調整範囲を変えることができる。なお、第１～第４の終端抵抗と同様に、第１～第４のインダクタＬ１～Ｌ４の少なくともいずれかがスイッチＩＣ６内に設けられていてもよい。
　また、図２に示すように、第１の入力端子６ａと第２の入力端子６ｂとの間に第１のキャパシタＣ１（本発明の「キャパシタ」に相当、例えば０．３ｐＦ）が接続され、第３の入力端子６ｃと第４の入力端子６ｄとの間に第２のキャパシタＣ２（例えば０．３ｐＦ）が接続されている。また、第１、第２のキャパシタＣ１，Ｃ２それぞれが多層基板２に実装されたチップ型部品８により形成されている。したがって、チップ型部品８を交換するだけで第１、第２のキャパシタＣ１，Ｃ２のキャパシタンスを容易に調整することができるので、第１、第２のキャパシタＣ１，Ｃ２のキャパシタンスの調整範囲を大きくすることができる。なお、第１～第４の終端抵抗Ｒ１～Ｒ４と同様に、第１、第２のキャパシタＣ１，Ｃ２の少なくともいずれかがスイッチＩＣ部品６内に設けられていてもよい。
　また、図２に示すように、出力制御用回路９がスイッチＩＣ６の出力端子６ｅに接続されている。例えば、第１、第２の方向性結合器３，４における主線路と副線路との電磁界結合量を２０ｄＢ程度にしておくと、主線路を通過する信号にほとんど影響を与えることなく主線路を通過する信号の一部を副線路から取り出すことができる。副線路から取り出した信号を出力端子６ｅから出力し、その出力信号に基づいて、スイッチＩＣ５の切換端子５１に接続されたパワーアンプ等に対してゲイン調整用の制御信号が出力制御用回路９から出力される。
　（インダクタを追加することによるアイソレーション特性の改善）
　図３～図６を参照して第１のインダクタＬ１を追加することによりスイッチＩＣ６の第１の入力端子６ａと出力端子６ｅとを接続する経路と、第２の入力端子６ｂと出力端子６ｅとを接続する経路との間のアイソレーション特性が改善される点について説明する。なお、図４（ａ），（ｂ）、図６（ａ），（ｂ）それぞれの横軸は周波数（ＧＨｚ）を示し、縦軸は通過損失（ｄＢ）を示す。また、図４（ａ），（ｂ）、図６（ａ），（ｂ）それぞれにおいて、出力端子６ｅが第１ポートに相当し、入力端子６ａが第２ポートに相当し、入力端子６ｂが第３ポートに相当する。また、入力端子６ｂが第１の方向性結合器３の第１の副線路３２に接続されている場合を例に挙げて説明するが、入力端子６ａ，６ｃ，６ｄのいずれが第１の副線路３２または第２の副線路４２と接続されている場合も以下で説明する効果と同様の効果を奏することができるので、その説明は省略する。
　図３において太い実線で示す信号経路である入力端子６ｂが方向性結合器３の副線路３２に接続されている場合には、副線路３２に接続された線路における通過特性（挿入損失）は、図４（ａ）に示すような特性を示し、図５のように第１、第２のインダクタＬ１，Ｌ２が設けられていない場合の図６（ａ）に示す副線路３２に接続された経路における通過特性（挿入損失）とほぼ同様の特性を示している。このように、副線路３２に接続された信号経路における挿入損失に、第２のインダクタＬ２はほぼ悪影響を与えていない。なお、本実施形態において、主線路３２を通過する通信信号の周波数帯域における中心周波数は、２．１７ＧＨｚである。
　その一方で、図３中に太い波線で示す副線路３２に接続されない経路における通過特性は、同図中に示すスイッチ６２ａ（方向性切換用スイッチ部６２）のオフ容量Ｃｆと第１のインダクタＬ１とでＬＣ並列共振回路が形成されるため、図４（ｂ）に示すような特性を示す。なお、本実施形態においては、主線路３１を通過する信号の周波数帯域の中心周波数を２．１７ＧＨｚとしているため、ＬＣ並列共振回路の共振周波数が２．１７ＧＨｚになるようにインダクタＬ１の値を選択している。図５のように第１、第２のインダクタＬ１，Ｌ２が設けられていない場合の図６（ｂ）に示す副線路３２に接続されない線路における約－３４ｄＢ程度（２．１７ＧＨｚ）の通過特性と比較すると、図３の副線路３２に接続されない経路における通過特性は約－５６ｄＢ程度まで改善している。以上のように、第１、第２のインダクタＬ１，Ｌ２を追加することにより、主線路３１を通過する信号の周波数帯域において副線路３２に接続される経路の挿入損失を劣化させることなく、副線路３２に接続されない経路への信号の漏れを抑制できるため、第１の入力端子６ａと第２の入力端子６ｂ間のアイソレーション特性を改善することができる。
　（キャパシタを追加することによるアイソレーション特性の改善）
　図７～図１０を参照して第１のキャパシタＣ１を追加することによりスイッチＩＣ６の第１の入力端子６ａと第２の入力端子６ｂとの間のアイソレーション特性が改善される点について説明する。なお、図８（ａ），（ｂ）、図１０（ａ），（ｂ）それぞれの横軸は周波数（ＧＨｚ）を示し、縦軸は通過損失（ｄＢ）を示す。また、図８（ａ），（ｂ）、図１０（ａ），（ｂ）それぞれにおいて、出力端子６ｅが第１ポートに相当し、入力端子６ｂが第２ポートに相当し、入力端子６ａが第３ポートに相当する。なお、入力端子６ａが方向性結合器３に副線路３２と接続されている場合を例に挙げて説明するが、入力端子６ｂ～６ｄのいずれが第１の副線路３２または第２の副線路４２と接続されている場合も以下で説明する効果と同様の効果を奏することができるので、その説明は省略する。
　図７に示すように、入力端子６ａが方向性結合器３の副線路３２と接続されている場合には、同図中に太い実線で示す副線路３２と接続される経路における通過特性（挿入損失）は、図８（ａ）に示すような特性を示し、図９のように第１のキャパシタＣ１が設けられていない場合の図１０（ａ）に示すカップリング側の経路における通過特性（挿入損失）とほぼ同様の特性を示している。このように、副線路３２と接続されている経路における挿入損失に第１のキャパシタＣ１はほぼ悪影響を与えていない。
　その一方で、図７中に太い波線で示す副線路３２と接続されない経路における通過特性（アイソレーション特性）は、同図中に示す副線路３２の寄生インダクタンス成分Ｌｆと第１のキャパシタＣ１とでＬＣ並列共振回路が形成されるため、図８（ｂ）に示すような特性を示す。図９のように第１のキャパシタＣ１が設けられていない場合の図１０（ｂ）に示す副線路３２と接続されない経路における約－４０ｄＢ程度のアイソレーション特性と比較すると、図７のアイソレーション側の線路におけるアイソレーション特性は約－４３ｄＢ程度まで改善している。以上のように、第１のキャパシタＣ１を追加することにより、副線路３２と接続される経路の挿入損失を劣化させることなく、アイソレーション特性を改善することができる。
　以上のように、第１の信号経路ＳＬ１に設けられた第１の方向性結合器３の第１の副線路３２または第２の信号経路ＳＬ２に設けられた第２の方向性結合器４の第２の副線路４２の結合出力の方向性を切り換えることができるので、第１、第２の信号経路ＳＬ１，ＳＬ２それぞれを両方向に通過する高周波信号を検出することができる。
　また、検出対象の高周波信号の周波数帯域や、第１の信号経路ＳＬ１に接続される高周波回路、負荷などの変動に応じて、第１の副線路３２における結合出力を他端部３２ｂから第２の入力端子６ｂに入力する場合には、最適な抵抗値を有する第１の終端抵抗Ｒ１１～Ｒ１３のいずれかを第１の入力端子６ａを介して副線路３２の一端部３２ａに接続する。第１の副線路３２における結合出力を一端部３２ａから第１の入力端子６ａに入力する場合には、最適な抵抗値を有する第２の終端抵抗Ｒ２１～Ｒ２３のいずれかを第２の入力端子６ｂを介して副線路３２の他端部３２ｂに接続する。このような構成にすることにより、副線路の端部と方向性切換用スイッチ部６２との間のインピーダンスの不整合を改善し、第１の方向性結合器３のアイソレーション特性を改善して方向性を向上させることができる。これにより、第１の方向性結合器３における高周波信号の検出精度を向上することができる。
　また、同様にして、第３の入力端子６ｃ（第２の副線路４２の一端部４２ａ）に接続される第３の終端抵抗Ｒ３または第４の入力端子６ｄ（第２の副線路４２の他端部４２ｂ）に接続される第４の終端抵抗Ｒ４を切り換えることにより、第２の副線路４２の端部と方向性切換用スイッチ部６２との間のインピーダンスの不整合を改善し、第２の方向性結合器４の方向性を改善してアイソレーション特性を向上させることができ。これにより、第２の方向性結合器４における高周波信号の検出精度を向上することができる。
　また、第１の副線路３２における結合出力が他端部３２ｂから第２の入力端子６ｂに入力される場合には、第１のインダクタＬ１とスイッチ６２ａのオフ容量Ｃｆとにより、第１の入力端子６ａと出力端子６ｅとの間にＬＣ並列共振回路が形成される。このＬＣ並列共振回路の共振周波数がアイソレーション特性を改善したい周波数となるように第１のインダクタＬ１のインダクタンスを設定することにより、第２の入力端子６ｂから入力された信号が第１の入力端子６ａ側へ回り込むことを防ぐことができる。また、第１の副線路３２における結合出力が一端部３２ａから第１の入力端子６ａに入力される場合には、第２のインダクタＬ２とスイッチ６２ｂのオフ容量Ｃｆとにより、第２の入力端子６ｂと出力端子６ｅとの間にＬＣ並列共振回路が形成されるので、第１のインダクタＬ１と同様にして第２のインダクタＬ２のインダクタンスを設定することにより、第１の入力端子６ａから入力された信号が第２の入力端子６ｂ側へ回り込むことを防ぐことができる。以上のように、第１の入力端子６ａと出力端子６ｅとを接続する経路に並列にインダクタＬ１を配置し、第２の入力端子６ｂと出力端子６ｅとを接続する経路に並列にインダクタＬ２を配置することにより、第１の入力端子６ａと第２の入力端子６ｂとの間のアイソレーション特性を改善することができる。
　また、第１、第２のインダクタＬ１，Ｌ２と同様にして、第３のインダクタＬ３および第４のインダクタＬ４のインダクタンスを設定することにより、第３の入力端子６ｃと第４の入力端子６ｄとの間のアイソレーション特性を改善することができる。
　また、第１の副線路３２の寄生インダクタンス成分と、第１の副線路３２に並列に接続された第１のキャパシタＣ１とにより、第１の入力端子６ａと第２の入力端子６ｂとの間にＬＣ並列共振回路が形成される。このＬＣ並列共振回路の共振周波数がアイソレーション特性を向上させたい周波数となるように第１の副線路３２の線路長や幅等の形状と第１のキャパシタＣ１のキャパシタンスとを設定することにより、所望の周波数における第１の入力端子６ａと第２の入力端子６ｂとの間のアイソレーション特性を向上することができる。また、同様にして、第２の副線路４２の線路長や幅等の形状と第２のキャパシタＣ２のキャパシタンスとを設定することにより、所望の周波数における第３の入力端子６ｃと第４の入力端子６ｄとの間のアイソレーション特性を向上することができる。
　また、複数の第１～第４の終端抵抗がスイッチＩＣ６内に設けられていると、スイッチＩＣ６を多層基板２に実装するだけで、第１、第２の方向性結合器３，４の方向性を切り換える回路を容易に形成することができると共に、高周波モジュール１の小型化および第１、第２の方向性結合器３，４の特性の安定化を図ることができる。
　また、第１の接続配線１０ａと第２の接続配線１０ｂとが、それぞれ異なる絶縁層２ｄ，２ｆに形成されているため、第１の接続配線１０ａと第２の接続配線１０ｂとが電磁界結合するのを抑制することができるので、第１の入力端子６ａと第２の入力端子６ｂとの間のアイソレーション特性を向上させることができる。また、同様に、第３の接続配線１０ｃと第４の接続配線１０ｄとが、それぞれ異なる絶縁層に形成されているため、第３の接続配線１０ｃと第４の接続配線１０ｄとが電磁界結合するのを抑制することができるので、第３の入力端子６ｃと第４の入力端子６ｄとの間のアイソレーション特性を向上させることができる。
　＜第２実施形態＞
　本発明の第２実施形態について図１１を参照して説明する。この実施形態の高周波モジュール１が上記した第１実施形態と異なるのは、図１１に示すように、第１～第４の終端抵抗が、多層基板２に実装されたチップ型部品１１により形成されている点である。また、第１の方向性結合器３が多層基板２に実装された表面実装部品１２により形成され、第２の方向性結合器４が多層基板２に実装された表面実装部品１３により形成されている。その他の構成および動作は上記した第１実施形態と同様であるため同一符号を引用することによりその構成および動作の説明は省略する。
　このように構成すると、第１～第４の終端抵抗の抵抗値を、チップ型部品１１を取り換えるだけで容易に変更することができるので、抵抗値の変更範囲を大きくすることができる。また、第１、第２の方向性結合器３、４を多層基板２の主面上に実装するため、多層基板に内蔵する構成に比べ、方向性結合器と多層基板内蔵の配線等との間のアイソレーション特性を改善することができる。
　なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記した構成がどのように組み合わされていてもよい。例えば、第１～第４の終端抵抗や方向性結合器３，４などの回路素子の個数は上記した数に限定されるものではなく、通信装置が備える通信システムの数やアンテナＡ１，Ａ２の数などに応じて、必要な個数の回路素子を備えるようにすればよい。また、第１～第４の各終端抵抗は、本実施形態においては、それぞれ３個の抵抗を備えている回路を示したが、各抵抗切換用スイッチ部６３ａ～６３ｄは、それぞれ、その３個のうちの１つの抵抗を選択してもよいし、２つ以上の抵抗を同時に選択しても構わない。このように構成することで、終端抵抗の選択範囲を広くすることができる。
　また、第１、第２の方向性結合器３，４およびスイッチＩＣ６が表面実装部品として一体的に構成されていてもよい。例えば、スイッチＩＣ６を形成する半導体基板上に第１、第２の方向性結合器３，４を配置することで、方向性結合器とスイッチＩＣの占有面積を小型化することができ、高周波モジュールを小型化することができる。
　また、上記した実施形態では、方向性切換用スイッチ部６２および第１～第４の抵抗切換用スイッチ部６３ａ～６３ｄは、主として電界効果トランジスタにより形成されているが、ＰＩＮダイオードや、バイポーラトランジスタや静電誘導型トランジスタ等の各種のスイッチング素子により構成してもよい。
　また、スイッチＩＣ５に接続されるアンテナは、上記したマルチバンド用のアンテナＡ１，Ａ２に限らず、使用する通信システムに使用される各バンドに対応したシングルバンド用の複数のアンテナをスイッチＩＣ５に接続してもよい。また、スイッチＩＣに接続されるアンテナや通信システムの数は、高周波モジュール１が搭載される通信装置の構成に応じて、適宜、最適な数に設定すればよい。
　本発明は、信号経路を流れる高周波信号を検出するための方向性結合器が設けられた高周波回路を備える高周波モジュールに広く適用することができる。
　１　　高周波モジュール
　２　　多層基板
　２ａ～２ｆ　　絶縁層
　３　　第１の方向性結合器
　３１　　第１の主線路
　３２　　第１の副線路
　４　　第２の方向性結合器
　４１　　第２の主線路
　４２　　第２の副線路
　３２ａ，４２ａ　　一端部
　３２ｂ，４２ｂ　　他端部
　６　　スイッチＩＣ（スイッチ手段）
　６ａ　　第１の入力端子
　６ｂ　　第２の入力端子
　６ｃ　　第３の入力端子
　６ｄ　　第４の入力端子
　６ｅ　　出力端子
　６２　　方向性切換用スイッチ部
　６３ａ　　第１の抵抗切換用スイッチ部
　６３ｂ　　第２の抵抗切換用スイッチ部
　６３ｃ　　第３の抵抗切換用スイッチ部
　６３ｄ　　第４の抵抗切換用スイッチ部
　１１　　チップ型部品
　１２，１３　　表面実装部品
　１０ａ　　第１の接続配線
　１０ｂ　　第２の接続配線
　Ｃ１　　第１のキャパシタ（キャパシタ）
　Ｌ１　　第１のインダクタ
　Ｌ２　　第２のインダクタ
　Ｒ１１～Ｒ１３　　第１の終端抵抗
　Ｒ２１～Ｒ２３　　第２の終端抵抗
　Ｒ３１～Ｒ３３　　第３の終端抵抗
　Ｒ４１～Ｒ４３　　第４の終端抵抗
　ＳＬ１　　第１の信号経路
　ＳＬ２　　第２の信号経路

Claims (8)

  1. 　第１の信号経路に挿入された第１の主線路と、前記第１の主線路に電磁界結合する第１の副線路とを有する第１の方向性結合器と、
    　前記第１の副線路における結合出力の方向性を切り換えるスイッチ手段とを備え、
    　前記スイッチ手段は、
    　前記第１の副線路の一端部に接続される第１の入力端子と、
    　前記第１の副線路の他端部に接続される第２の入力端子と、
    　前記第１の入力端子または前記第２の入力端子に入力された前記第１の副線路における結合出力が出力される出力端子と、
    　前記第１の入力端子および前記第２の入力端子のうちのいずれか１つと前記出力端子とを切換接続する方向性切換用スイッチ部と、
    　前記第１の入力端子に並列に接続される複数の第１の終端抵抗と、
    　前記第２の入力端子に並列に接続される複数の第２の終端抵抗と、
    　前記方向性切換用スイッチ部により前記第２の入力端子が前記出力端子に接続されているときに、前記第１の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第１の入力端子に接続する第１の抵抗切換用スイッチ部と、
    　前記方向性切換用スイッチ部により前記第１の入力端子が前記出力端子に接続されているときに、前記第２の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第２の入力端子に接続する第２の抵抗切換用スイッチ部と
    を備えることを特徴とする高周波モジュール。
  2. 　前記スイッチ手段は、
    　前記第１の入力端子と前記出力端子との間に接続された第１のインダクタと、
    　前記第２の入力端子と前記出力端子との間に接続された第２のインダクタと
    　をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記スイッチ手段は、
    　前記第１の入力端子と前記第２の入力端子との間に接続されたキャパシタ
    　をさらに備えることを特徴と請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　複数の絶縁層が積層されて成り、前記第１の方向性結合器および前記スイッチ手段が設けられた多層基板を備え、
    　前記スイッチ手段は前記多層基板に実装されたスイッチＩＣにより形成され、
    　前記第１の終端抵抗および前記第２の終端抵抗が、前記スイッチＩＣ内に設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール。
  5. 　複数の絶縁層が積層されて成り、前記第１の方向性結合器および前記スイッチ手段が設けられた多層基板を備え、
    　前記スイッチ手段は前記多層基板に実装されたスイッチＩＣにより形成され、
    　前記第１の終端抵抗および前記第２の終端抵抗が、前記多層基板に実装されたチップ型部品により形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第１の副線路の一端部と前記第１の入力端子とを接続する第１の接続配線と、前記第１の副線路の他端部と前記第２の入力端子とを接続する第２の接続配線とが、それぞれ異なる前記絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第１の方向性結合器は前記多層基板に実装された表面実装部品により形成されていることを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の高周波モジュール。
  8. 　第２の信号経路に挿入された第２の主線路と、前記第２の主線路に電磁界結合する第２の副線路とを有する第２の方向性結合器をさらに備え、
    　前記スイッチ手段は、
    　前記第２の副線路の一端部に接続される第３の入力端子と、
    　前記第２の副線路の他端部に接続される第４の入力端子と、
    　前記第３の入力端子に並列に接続される複数の第３の終端抵抗と、
    　前記第４の入力端子に並列に接続される複数の第４の終端抵抗と、
    　前記方向性切換用スイッチ部は、前記第１～第４の入力端子のうちのいずれか１つと前記出力端子とを切換接続するものであり、
    　前記方向性切換用スイッチ部により前記第４の入力端子が前記出力端子に接続されているときに前記第３の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第３の入力端子に接続する第３の抵抗切換用スイッチ部と、
    　前記方向性切換用スイッチ部により前記第３の入力端子が前記出力端子に接続されているときに前記第４の終端抵抗のうちの少なくとも１つを前記第４の入力端子に接続する第４の抵抗切換用スイッチ部とを備え、
    　前記第１の副線路および前記第２の副線路のいずれかにおける結合出力の方向性が前記スイッチ手段により選択的に切り換えられる
    　ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の高周波モジュール。
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