WO2016098758A1 - 発光装置およびその製造方法、隔壁の製造方法、ならびに感放射線性材料 - Google Patents

発光装置およびその製造方法、隔壁の製造方法、ならびに感放射線性材料 Download PDF

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electrode
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宏充 勝井
佳久 奥村
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, a manufacturing method of a partition wall, and a radiation sensitive material.
  • an electroluminescent display which is a self-luminous display is known.
  • an organic electroluminescence (EL) element using electroluminescence by an organic compound is expected as a light emitting element provided in a next-generation lighting device in addition to a light emitting element provided in a display.
  • an organic EL display or lighting device has a partition that partitions an area on a substrate for each pixel.
  • a partition is generally formed using a radiation sensitive material (see, for example, Patent Documents 1 and 2), and a partition made of a black resin is also known (see, for example, Patent Document 3). ). It has also been proposed to provide a second partition wall at the center between pixels partitioned by the partition wall (see, for example, Patent Document 4).
  • the present invention is improved in that light emitted from the light emitting layer passes through the partition walls and leaks into the adjacent light emitting layer region, thereby causing color mixing and degrading element characteristics such as color reproducibility.
  • Another object is to provide a light emitting device such as a display device or a lighting device, particularly an organic EL device.
  • Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the partition and the light-emitting device, and a radiation-sensitive material used for forming the partition, in which processes are simplified.
  • Patent Document 3 a part of the partition is formed so as to straddle the pixel electrodes, and in Patent Document 4, the height of the partition is set to 1.0 ⁇ m or less.
  • Patent Document 4 the height of the partition is set to 1.0 ⁇ m or less.
  • the manufacturing method of a partition was examined, and each partition was isolate
  • the present invention has been completed.
  • the present invention relates to the following [1] to [16], for example.
  • a substrate a plurality of first electrodes formed on the substrate, a partition formed on the substrate so as to cover a peripheral portion of each first electrode, and a first electrode in a region partitioned by the partition
  • the cross-sectional shape of the partition wall is a forward taper
  • the maximum film thickness of the partition wall is 1.1 to 10.0 ⁇ m
  • the substrate is a TFT substrate having a supporting substrate, a TFT provided on the supporting substrate corresponding to each first electrode, and a planarizing layer covering the TFT.
  • the light-emitting device of any one of.
  • the radiation-sensitive material is at least one selected from (A) polyimide, the polyimide precursor, acrylic polymer, polysiloxane, polybenzoxazole, the polybenzoxazole precursor, polyolefin, and cardo resin.
  • a method of manufacturing a light-emitting device comprising: forming the partition wall by a method having two steps of performing an arbitrary order in a step corresponding to a light-emitting portion in a pixel region.
  • Each covering layer is composed of a covering portion covering a region corresponding to the light emitting portion in the pixel region and a partition wall portion covering a region corresponding to the peripheral portion of the light emitting portion.
  • a method for manufacturing a partition wall comprising the steps of exposing an electrode;
  • a radiation-sensitive material used for forming the partition of the light-emitting device according to any one of [1] to [7], (A) polyimide, a precursor of the polyimide, It contains at least one polymer selected from an acrylic polymer, polysiloxane, polybenzoxazole, a precursor of the polybenzoxazole, a polyolefin, and a cardo resin, and (B) a photosensitive agent. Radiation sensitive material.
  • the light emitted from the light emitting layer passes through the partition wall and leaks into the adjacent light emitting layer region, thereby causing color mixing and improving the element characteristics such as color reproducibility. can do.
  • a light emitting device such as a display device or a lighting device, particularly an organic EL device, in which the above points are improved can be provided.
  • a method for manufacturing a plurality of partition walls each of which is separated from each other and covering a peripheral portion of each first electrode, and a method for manufacturing a light emitting device using the method.
  • the manufacturing method of the partition wall is particularly advantageous in terms of productivity because the process is simplified.
  • a radiation sensitive material used for forming the partition can be provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating the configuration of a partition wall.
  • FIG. 2 is a top view for explaining the configuration of the partition wall.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a forward tapered shape as a cross-sectional shape of the partition wall.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the distance between the first electrodes and the distance between the barrier ribs.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the main part of the organic EL device.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the main part of the organic EL device.
  • FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of a partition wall.
  • the light-emitting device of the present invention includes a substrate, a plurality of first electrodes formed on the substrate, a partition formed on the substrate so as to cover a peripheral portion of each first electrode, and a region partitioned by the partition
  • the light emitting layer formed on the first electrode and the second electrode formed on each light emitting layer, the partition wall has a forward tapered shape, and the partition wall has a maximum film thickness of 1.1. ⁇ 10.0 ⁇ m, and each partition wall is separated from each other.
  • Examples of the light emitting device include a display device and a lighting device.
  • Examples of the display device include a self-luminous display, particularly an organic EL display.
  • Examples of the lighting device include organic EL lighting.
  • FIG. 1A shows an example of a cross-sectional view of a partition wall in a light emitting device of the present invention.
  • a plurality of first electrodes 110, specifically 111 to 113, and a plurality of partition walls 120, specifically 121 to 123, are formed on the substrate 100.
  • the partition wall 121 covers the end portion (peripheral portion) of the first electrode 111
  • the partition wall 122 covers the end portion (peripheral portion) of the first electrode 112
  • the partition wall 123 covers the end portion (peripheral portion) of the first electrode 113.
  • the first electrodes 111 to 113 are formed so as to be partially exposed.
  • each partition is separated from each other does not mean that the partition is formed so as to straddle adjacent first electrodes (131 to 134 in FIG. 1B). It means that the respective partition walls covering the end portions are formed apart from each other without being in contact with or integrated with each other. For example, 121 and 122 in FIG. 1A are separated from each other, and 122 and 123 are separated from each other.
  • the light emitting device of the present invention since the respective partition walls are separated from each other, regions of different materials exist between the partition walls of the adjacent light emitting layers. Part of the light emitted from the light-emitting layer after being diffused radially passes through the boundary surface of the dissimilar medium, so that the light is prevented from traveling to the adjacent light-emitting layer region through the partition wall. Can do. That is, in the present invention, it is possible to effectively prevent color mixing between lights generated from adjacent light emitting layers. For this reason, the light emitting device of the present invention is excellent in terms of color reproducibility.
  • partition wall covering the peripheral edge portion of any first electrode and the partition wall covering the peripheral edge portion of another first electrode are all separated without being in contact with or integrated with each other. According to such a configuration, the partition does not require good electrical insulation, and the types of radiation-sensitive materials that can be selected as the partition material can be increased.
  • FIG. 2 shows an example of a top view of the partition wall in the light emitting device of the present invention.
  • First electrodes 110 (rectangular regions in FIG. 2) arranged in an array are formed on the substrate 100, and each partition wall 120 (shaded portion in FIG. 2) partially connects each first electrode 110. It is formed on the substrate 100 and on the peripheral edge of the first electrode 110 so as to be exposed. The exposed portion of the first electrode 110 is also referred to as “opening”.
  • Each partition 120 is formed so as to cover the peripheral edge of each first electrode 110, that is, so as to cover the upper surface and the side surface of the first electrode 110, and covers the peripheral edge of the adjacent first electrode 110.
  • the partition walls 120 are separated (independent) from each other.
  • the opening can correspond to one light emitting region (pixel).
  • the partition wall is formed so as to cover the peripheral portion of the first electrode and partially expose the first electrode, and divides the region on the substrate into each light emitting region (pixel) including the light emitting layer. More preferably, the partition wall is formed so as to cover the entire periphery of the first electrode.
  • the cross-sectional shape of the partition wall is a forward tapered shape.
  • “forward taper” corresponds to the angle ⁇ 1 and the angle ⁇ 2 being less than 90 ° in the partition wall 120a.
  • ⁇ 1 is an angle formed by the inclined surface 120-1 at the boundary portion where the first electrode 110a is exposed in the partition wall 120a and the first electrode surface 110-1.
  • ⁇ 2 is an angle formed by the inclined surface 120-2 at the boundary portion where the substrate 100 is exposed in the partition wall 120a and the substrate surface 100-1.
  • these angles ⁇ 1 and ⁇ 2 are also referred to as “taper angle ⁇ ”.
  • the taper angle ⁇ is preferably 80 ° or less, more preferably 5 to 60 °, and more preferably 10 to 60 °.
  • the taper angle can be measured by observing the vertical sectional shape of the partition wall with a scanning electron microscope (SEM).
  • SEM scanning electron microscope
  • the taper angle can be adjusted by, for example, exposure amount, development time, post-bake temperature, post-bake time, post-bake under two-stage temperature conditions, secondary exposure after development, etc. it can.
  • the cross-sectional shape of the partition is a forward tapered shape, even when the light emitting layer and the second electrode are formed after the partition is formed, these films are smoothly formed at the boundary portion, and the film thickness unevenness due to the step is reduced. Thus, a light-emitting device having stable characteristics such as poor lighting failure can be obtained.
  • the maximum thickness of the partition wall is 1.1 to 10.0 ⁇ m, more preferably 1.5 to 8.0 ⁇ m, considering the ease of thinning and patterning of the device, the transmittance of the partition wall, and the prevention of color mixing.
  • the thickness is preferably 2.0 to 6.0 ⁇ m.
  • the film thickness of the partition is based on the substrate surface. If the maximum thickness of the partition walls is less than 1.1 ⁇ m, color mixing cannot be sufficiently prevented. If the maximum film thickness of the partition wall exceeds 10.0 ⁇ m, disconnection of wiring and pinholes in the passivation film are likely to occur, and lighting failure is likely to occur in the light emitting device.
  • the refractive index of the partition wall at a wavelength of 589 nm is preferably 1.44 to 1.60, more preferably 1.44 to 1.59, and still more preferably 1.44 to 1.55.
  • the refractive index of the partition wall is in the above range, color mixing during light emission can be further prevented, light emission unevenness can be reduced, and light extraction efficiency can be improved. For this reason, the light emitting device of the present invention is excellent in that it has excellent color reproducibility, small emission unevenness, and can reduce power consumption.
  • the refractive index is a value measured at a wavelength of 589 nm at 25 ° C.
  • the maximum value of the total light transmittance at a wavelength of 300 to 400 nm of the partition wall is preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and further preferably 3% or less.
  • the total light transmittance can be measured using, for example, a spectrophotometer. When the maximum value of the total light transmittance of the partition wall is within the above range, color mixing at the time of light emission can be further prevented.
  • the refractive index and the total light transmittance of the partition wall are, for example, made of the same partition wall material, and a layer having the same film thickness is formed on the substrate, and the refractive index and the total light transmittance are measured for the layer. Can be determined. Details of these conditions are described in the Examples.
  • the distance between adjacent first electrodes on the substrate surface 100-1 is A, and the distance between adjacent partitions on the substrate surface 100-1 is B.
  • the separation distance A is preferably 5.0 to 50.0 ⁇ m, more preferably 5.0 to 30.0 ⁇ m.
  • the separation distance B is preferably 0.3 to 47.5 ⁇ m, more preferably 1.5 to 28.5 ⁇ m.
  • B / A is preferably 0.05 to 0.95, more preferably 0.30 to 0.90, and still more preferably 0.60 to 0.90.
  • FIG. 4 shows adjacent first electrodes 110a and 110b and adjacent partition walls 120a and 120b.
  • the separation distance A between the adjacent first electrodes is the distance between the end point A1 of the first electrode 110a partially covered with the partition wall 120a and the end point A2 of the first electrode 110b partially covered with the partition wall 120b. is there.
  • the separation distance B between adjacent partition walls is the distance between the intersection B1 of the slope 120-2 of the partition wall 120a and the substrate surface 100-1, and the intersection B2 of the slope 120-2 of the partition wall 120b and the substrate surface 100-1. is there.
  • the vertical cross-sectional shape of the substrate / partition wall is determined by a scanning electron microscope (SEM). ) Can be measured by observing.
  • the substrate is, for example, a thin film transistor (hereinafter also referred to as “TFT”) substrate.
  • TFT substrate includes a support substrate, a TFT provided on the support substrate corresponding to each first electrode, and a planarization layer covering the TFT.
  • the first electrode is formed on the planarization layer, and is connected to the TFT via a wiring formed in a through hole penetrating the planarization layer.
  • the support substrate TFT, first electrode, light emitting layer, and second electrode
  • the specific examples support substrate, TFT, anode, organic light emitting layer, and cathode
  • the section of “Embodiment” to be described later are used. It can be illustrated.
  • the light-emitting device of the present invention includes a first electrode provided on a TFT substrate and connected to the TFT, the above-described partition partitioning the surface of the TFT substrate into a plurality of regions, and a region partitioned by the partition (
  • the organic EL device preferably includes an organic EL element including an organic light emitting layer formed on the first electrode and a second electrode provided on the organic light emitting layer.
  • a partition can be formed using a radiation sensitive material, for example, and is a patterned film
  • the radiation-sensitive material includes a positive type in which the solubility in a developer is increased by exposure and the exposed part is removed, and a negative type in which the exposed part is cured and the non-exposed part is removed.
  • the positive type is more preferable from the viewpoint of forming the partition having the above structure.
  • the refractive index and total light transmittance of the partition walls can be adjusted to the above ranges by appropriately selecting the components constituting the radiation sensitive material.
  • the refractive index can be adjusted by adjusting the amount of fluorine atoms or silicon atoms in the material, adjusting the aromatic ring content in the material, or blending inorganic fillers such as hollow particles having an appropriate refractive index. Can be formed in the above range. Further, for example, by adjusting the film thickness or using a phenol resin (C) described later, a partition wall having a total light transmittance in the above range can be formed.
  • the radiation-sensitive material contains a polymer (A) and a photosensitizer (B) described below, and preferably further contains a phenol resin (C).
  • the said radiation sensitive material may further contain a crosslinking agent (D) as a suitable component.
  • the polymer (A) is preferably an alkali-soluble polymer other than the phenol resin (C) described later.
  • the alkali-soluble polymer can be dissolved or swelled in an aqueous alkali solution such as an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution.
  • polymer (A) examples include polyimide, polyimide precursor, acrylic polymer, polysiloxane, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, polyolefin, and cardo resin.
  • Polyimide precursors are polymers that can produce polyimide by dehydration and cyclization (imidization), and examples include polyamic acid and its esters.
  • Polybenzoxazole precursors are polybenzoxazole by dehydration and cyclization. Is a polymer capable of producing
  • polyimide, the polyimide precursor, acrylic polymer, and polysiloxane are preferable, fluorine atom-containing aromatic polyimide, fluorine atom-containing aromatic Polyimide precursor, fluorine atom-free acrylic polymer, fluorine atom-containing acrylic polymer, silicon atom-containing aromatic polyimide, silicon atom-containing aromatic polyimide precursor, silicon atom-free acrylic polymer, silicon atom-containing acrylic Polymers and polysiloxanes are more preferred, and fluorine atom-free acrylic polymers, fluorine atom-containing acrylic polymers and polysiloxanes are more preferred.
  • polymer (A) examples include polymers described in Japanese Patent Nos. 5618851 and 5181968.
  • a polymer (A) may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • the polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A) is preferably 3,000 to 100,000, and preferably 4,000 to 50,000, as measured by gel permeation chromatography (GPC). More preferred. When Mw is not less than the lower limit of the above range, a partition having sufficient mechanical properties tends to be obtained. When the Mw is not more than the upper limit of the above range, the solubility of the polymer (A) in the solvent or developer tends to be excellent.
  • the content of the polymer (A) is preferably 10 to 80% by mass, more preferably 20 to 70% by mass, and further preferably 20 to 60% by mass with respect to 100% by mass of the total solid content in the radiation-sensitive material. preferable.
  • Photosensitive agent (B) examples include a photo acid generator and a photo radical polymerization initiator.
  • a radiation sensitive material can exhibit a radiation sensitive characteristic by containing a photosensitive agent (B), and can have favorable radiation sensitivity.
  • the photosensitive agent (B) may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photosensitive agent (B) in the radiation-sensitive material is usually 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 65 parts by weight, more preferably 15 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer (A). 60 parts by mass.
  • the photoacid generator is a compound that generates an acid by a treatment including irradiation of radiation.
  • Examples of the photoacid generator include quinonediazide compounds, oxime sulfonate compounds, onium salts, N-sulfonyloxyimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds. By using these compounds, a material exhibiting positive radiation sensitive characteristics can be obtained. Among these, a quinonediazide compound is preferable.
  • the quinonediazide compound generates carboxylic acid by processing including irradiation with radiation and development using an alkaline aqueous solution.
  • Examples of the quinonediazide compound include a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide.
  • Photo radical polymerization initiator By using a photoradical polymerization initiator as the photosensitive agent (B) and a polymerizable carbon-carbon double bond-containing compound as the crosslinking agent (D), a material exhibiting negative radiation sensitivity can be obtained. .
  • photo radical polymerization initiators examples include biimidazole compounds, triazine compounds, benzophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, oxime ester compounds, and alkylphenone compounds. Among these, oxime ester compounds and alkylphenone compounds are preferable.
  • oxime ester compound examples include 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) ) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime).
  • alkylphenone compound examples include 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl)- And butanone-1,2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone.
  • Phenolic resin (C) As the phenol resin (C), a novolac resin obtained by addition condensation of phenols and aldehydes in the presence of an acid catalyst, and addition condensation of phenols and aldehydes in the presence of a base catalyst. There is a resol resin obtained.
  • Resin (C) is a substance that develops color when heated.
  • the coating film itself formed from the radiation-sensitive material containing the resin (C) before exposure has a low light shielding property at a wavelength of 300 to 400 nm.
  • the resin (C) It is estimated that the obtained partition wall has a high light-shielding property at the wavelength, that is, the total light transmittance is small.
  • the light shielding property is not imparted at a heating temperature of about 60 to 130 ° C. during pre-baking, and the light shielding property can be imparted at a temperature of about 300 ° C. or less exceeding the heating temperature of 130 ° C. during post-baking. .
  • phenols include phenol, monohydroxynaphthalene, dihydroxynaphthalene, monohydroxyanthracene, dihydroxyanthracene, trihydroxyanthracene, and alkyl-substituted products thereof.
  • aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, and terephthalaldehyde.
  • the resin (C) is preferably a novolak resin because it has good alkali solubility (developability). By containing an alkali-soluble novolak resin in the radiation-sensitive material, a radiation-sensitive material with good resolution can be obtained.
  • novolak resin examples include phenol / formaldehyde condensed novolak resin, cresol / formaldehyde condensed novolak resin, and naphthol / formaldehyde condensed novolak resin.
  • the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of the resin (C) is usually 100 to 50,000, preferably 150 to 10,000, as measured by gel permeation chromatography (GPC). Preferably it is 500 to 6,000. Resin (C) having Mw in the above range is preferable in terms of light shielding properties and resolution.
  • the Mw of the novolak resin is preferably 500 to 50,000, more preferably 700 to 5,000, and still more preferably 800 to 3,000.
  • Resin (C) may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the resin (C) is usually 2 to 200 parts by mass, preferably 10 to 160 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A).
  • the content of the resin (C) is not less than the lower limit of the above range, the effect of imparting light-shielding properties and developability based on the resin (C) is easily exhibited.
  • the content of the resin (C) is not more than the upper limit of the above range, there is little possibility that the heat resistance of the partition wall is lowered.
  • the crosslinking agent (D) is a compound having a crosslinkable functional group.
  • a crosslinking agent (D) the compound which has a 2 or more crosslinkable functional group in 1 molecule is mentioned, for example.
  • the heat resistance and insulation of a partition can be improved.
  • the crosslinking agent (D) include oxetane compounds, alkoxyalkyl compounds, polymerizable carbon-carbon double bond-containing compounds, epoxy compounds, melamine compounds, and benzoguanamine compounds.
  • oxetane compound examples include 4,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methyl] biphenyl, 3,7-bis (3-oxetanyl) -5-oxanonane, 3,3 ′-[1,3 -(2-Methylenyl) propanediylbis (oxymethylene)] bis (3-ethyloxetane), 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxymethyl] benzene.
  • Examples of the polymerizable carbon-carbon double bond-containing compound include polyfunctional (meth) acrylates, and specifically include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, and glycerin tris. Examples include (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate.
  • the crosslinking agent (D) may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the crosslinking agent (D) is usually 1 to 210 parts by weight, preferably 4 to 160 parts by weight, more preferably 10 parts per 100 parts by weight of the polymer (A). -150 parts by mass.
  • the content of the crosslinking agent (D) is within the above range, the heat resistance and insulation of the partition walls tend to be improved.
  • the radiation-sensitive material may contain other optional components such as an adhesion assistant (E) and a surfactant (F) as necessary, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Other optional components may be used alone or in combination of two or more.
  • the adhesion aid (E) is a component that improves the adhesion between the film forming object such as the substrate and the partition walls.
  • the adhesion aid (E) is particularly useful for improving the adhesion between the inorganic substrate and the partition walls.
  • Examples of the adhesion assistant (E) include silane coupling agents, and specific examples described in JP 2012-256023 A, JP 2013-242511 A, and JP 2014-080578 A are given. be able to.
  • the content of the adhesion assistant (E) in the radiation-sensitive material is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (A).
  • Surfactant (F) is a component which improves the film-forming property of a radiation sensitive material.
  • the radiation-sensitive material can improve the surface smoothness of the coating film, and as a result, the film thickness uniformity of the partition walls can be further improved.
  • the surfactant (F) include fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants, and specific examples described in JP-A Nos. 2003-015278 and 2013-231869 can be given. Can do.
  • the content of the surfactant (F) in the radiation sensitive material is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 0.01 to 15 parts by mass, and further preferably 0 with respect to 100 parts by mass of the polymer (A). .05 to 10 parts by mass.
  • additives include, for example, JP-A No. 2000-109739, JP-A No. 2007-332255, JP-A No. 2007-284546, JP-A No. 2008-2242076, JP-A No. 2008-214495, and JP-A No. 2008-214495. Specific examples of various additives described in JP 2010-95695 A, JP 2012-198527 A, JP 2013-216737 A, and JP 2014-062195 A can be given.
  • the solvent can be used to make the radiation sensitive material liquid.
  • the solvent examples include diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol mono Examples thereof include alkyl ether propionates, triethylene glycol dialkyl ethers, hydroxy group-containing ketones, cyclic ethers or cyclic esters, and amide solvents.
  • diethylene glycol dialkyl ether propylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether, hydroxy group-containing ketone and cyclic ether or cyclic ester are preferable, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, Particularly preferred are diacetone alcohol and ⁇ -butyrolactone.
  • Solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the solvent is such that the solid content concentration of the material is usually 5 to 60% by mass, preferably 10 to 50% by mass, more preferably 15 to 40% by mass.
  • solid content means all components other than a solvent.
  • a radiation sensitive material can be prepared by mixing components, such as a polymer (A) and a photosensitive agent (B), and other arbitrary components, for example in a solvent. Moreover, in order to remove a foreign material, after mixing each component uniformly, you may filter the obtained mixture with a filter.
  • a plurality of partition walls separated from each other is a step of forming a coating film on a substrate on which a plurality of first electrodes are formed using the above-described radiation-sensitive material, and irradiating at least a part of the coating film with radiation. It can be produced by a method having a step of developing and a step of heating the developed coating film (hereinafter referred to as “first method”).
  • the plurality of partition walls separated from each other form a coating film made of a radiation-sensitive material on the first electrode layer of the structure including the substrate and the first electrode layer formed on the substrate.
  • the step of deforming the partition wall and the step of ashing the covering may be performed in any order.
  • the boundary portions are forward tapered, and the partition walls that separate each pixel can be formed on the peripheral edge of the first electrode formed on the substrate.
  • the above material is excellent in radiation sensitivity, a partition having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by exposure, development, and heating utilizing the characteristics.
  • the resist for partitioning the first electrode functions as a partition wall for preventing color mixing, so that the process can be simplified, for example, photolithography for forming the first electrode. Since the process and the photolithographic process for forming the partition can be combined, it is preferable in that the resist coating, exposure, development process, number of photomasks, and resist stripping process for one process can be reduced.
  • Examples of the conductive material forming the first electrode and the first electrode layer include materials described as an anode described later.
  • the thickness of the first electrode and the first electrode layer is preferably 20 to 500 nm.
  • a radiation sensitive material is applied on a substrate or a first electrode layer on which a plurality of first electrodes are formed to form a coating film.
  • a patterned substrate on which a plurality of first electrodes are formed is used.
  • an unpatterned substrate having a first electrode layer formed on the entire surface is used (FIGS. 7A and 7B).
  • the solvent is preferably removed by pre-baking.
  • the film thickness of the coating film is preferably 1.1 to 12.0 ⁇ m, more preferably 1.5 to 10.0 ⁇ m, and still more preferably 2.0 to 8.0 ⁇ m after pre-baking. it can.
  • the substrate examples include a resin substrate, a glass substrate, and a silicon wafer.
  • the substrate further includes, for example, a TFT substrate on which TFTs and wirings thereof are formed in an organic EL element being manufactured.
  • the pre-baking conditions vary depending on the composition of the radiation-sensitive material, but for example, the heating temperature is 60 to 130 ° C. and the heating time is about 30 seconds to 15 minutes.
  • the prebaking is preferably performed at a temperature at which the light shielding property based on the resin (C) is not imparted to the coating film.
  • the partition walls that divide the region on the substrate into pixels are separated from each other by development on the formed coating film. Irradiate radiation.
  • a multi-tone mask predetermined including a halftone exposure part is provided so that a desired patterned coating layer having a thickness of at least two levels is obtained by development on the formed coating film. Radiation is irradiated through a mask having a pattern of
  • Examples of the radiation used at this time include visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, and charged particle beams.
  • Examples of visible light include g-line (wavelength 436 nm) and h-line (wavelength 405 nm).
  • Examples of ultraviolet rays include i-line (wavelength 365 nm).
  • visible light and ultraviolet light are preferable, and among visible light and ultraviolet light, radiation containing g-line and / or i-line is particularly preferable.
  • a radiation, including i-line as the exposure amount, preferably 3000 mJ / cm 2 or less, more preferably 20 ⁇ 2000mJ / cm 2.
  • the coating film irradiated with radiation is developed.
  • a radiation irradiated portion is removed, and when a negative radiation sensitive material is used, a radiation non-irradiated portion is removed.
  • a desired partition wall pattern can be formed, and in the second method, a desired patterned coating layer can be formed.
  • the positive type is more preferable from the viewpoint of forming the partition wall pattern and the patterned coating layer having the above structure.
  • each covering layer 7b includes a covering portion 7b2 that covers the first electrode layer in a region corresponding to the light emitting portion in the pixel region, and a region corresponding to the peripheral portion of the light emitting portion.
  • the partition wall portion 7b1 covers the first electrode layer, and the partition wall portion 7b1 is thicker than the coating portion 7b2. Considering that the film thickness is reduced by the ashing process described later, the film thickness of the partition wall portion 7b1 is preferably set larger than the film thickness of the partition wall finally obtained.
  • an alkaline aqueous solution is preferable.
  • the alkaline compound contained in the alkaline aqueous solution include compounds described in paragraph [0240] of JP2012-088459A, such as tetramethylammonium hydroxide.
  • the concentration of the alkaline compound in the alkaline aqueous solution is preferably 0.1 to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability.
  • Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method.
  • the development time varies depending on the composition of the radiation-sensitive material, but is usually about 10 to 180 seconds.
  • a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.
  • the first electrode layer is etched using the patterned coating layer as a mask to partition the first electrode layer into a plurality of first electrodes (FIG. 7D). .
  • the etching method is preferably wet etching using an acid aqueous solution, but may be dry etching using plasma in a vacuum chamber.
  • the acid aqueous solution include a 5% by mass oxalic acid aqueous solution; a mixed acid aqueous solution containing two or more acids such as phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid.
  • the exposed first electrode layer having no coating layer on the surface is etched.
  • overetching is performed to etch a part of the first electrode layer under the covering layer (specifically, the partition wall portion) by continuing the etching even after the portion of the first electrode layer disappears.
  • Good (FIG. 7D).
  • an “overhang” shape in which the partition wall portion protrudes outside the peripheral edge portion of the first electrode is formed, so that the deformation of the partition wall portion and the covering of the peripheral edge portion of the first electrode in the next process can be facilitated. it can.
  • the method is preferable when the first electrode and the partition wall having the above-described separation distance ratio B / A of 0.60 or more are formed.
  • a partition wall is obtained by performing a heat treatment (post-bake treatment) on the coating film.
  • the partition wall is melt-flowed, for example, and the partition wall covers the peripheral edge of each first electrode, that is, covers the upper surface and side surfaces of the peripheral edge of the first electrode.
  • the partition wall is deformed (FIG. 7E).
  • a coating layer 7c having a thickness of at least two stages, ie, a part, is obtained.
  • a heating device such as a hot plate or an oven can be used for the heat treatment and the deformation treatment.
  • the heating temperature in the heat treatment and deformation treatment is, for example, more than 130 ° C. and not more than 300 ° C., preferably more than 180 ° C. and not more than 280 ° C.
  • the heating time varies depending on the type of heating equipment, Minutes to 90 minutes.
  • the radiation-sensitive material contains a phenol resin (C)
  • the above-described light-shielding property can be imparted to the partition walls by the heat treatment and the deformation treatment in the temperature range.
  • ashing processing of the covering portion is performed (FIG. 7F).
  • the substrate is placed in a vacuum chamber and oxygen plasma is generated in the vacuum chamber, and the coating portion, which is a thin portion of the coating layer having a thickness of at least two stages, is removed by an ashing process.
  • the first electrode is exposed in a region corresponding to the light emitting portion in the pixel region, and a partition wall that covers the peripheral edge of each exposed first electrode is formed.
  • the respective partition walls are separated from each other.
  • the deformation process may be performed after the ashing process.
  • the desired pattern of partition walls can be formed on the substrate.
  • the partition wall having the above-described shape is formed by using the above-described partition wall manufacturing method.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the main part in one embodiment of the organic EL display or illumination device (hereinafter also simply referred to as “organic EL device”) according to the present invention.
  • the organic EL device 1 in FIG. 5 is an active matrix organic EL device having a plurality of pixels formed in a matrix.
  • the organic EL device 1 may be either a top emission type or a bottom emission type.
  • the property of the material constituting each member, such as transparency, is appropriately selected according to the top emission type and the bottom emission type.
  • the organic EL device 1 includes a support substrate 2, a TFT 3, an insulating layer 4, an anode 5 as a first electrode, a through hole 6, a partition wall 7, an organic light emitting layer 8, a cathode 9 as a second electrode, a passivation film 10 and a sealing.
  • a substrate 11 is provided.
  • the support substrate 2 is made of an insulating material.
  • the insulating material include transparent resins such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyimide, and glass materials such as alkali-free glass.
  • the TFT 3 is an active element of each pixel portion and is formed on the support substrate 2.
  • the TFT 3 includes a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode.
  • the insulating layer 4 is a flattening layer that plays the role of flattening the surface irregularities of the TFT 3.
  • the insulating layer 4 is formed so as to cover the entire TFT 3.
  • the thickness of the insulating layer 4 is usually 0.1 to 10.0 ⁇ m.
  • the anode 5 forms a pixel electrode.
  • the anode 5 is formed on the insulating layer 4 with a conductive material.
  • the conductive material include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), tin oxide; Al (aluminum), APC alloy (silver, palladium, copper alloy), ARA (silver, rubidium, gold Alloys), MoCr (alloys of molybdenum and chromium), NiCr (alloys of nickel and chromium), and laminated films of these metals and highly transparent electrodes (for example, ITO).
  • the film thickness of the anode 5 is preferably 20 to 500 nm.
  • the through hole 6 is formed to connect the anode 5 and the drain electrode of the TFT 3.
  • the anode 5 and the drain electrode of the TFT 3 are connected by wiring formed in the through hole 6.
  • the partition wall 7 is formed so as to cover the peripheral portion of the anode 5, and defines a recess 70 that defines the arrangement region of the organic light emitting layer 8.
  • the partition wall 7 is formed so as to cover a peripheral portion of the anode 5 and to expose a part of the anode 5.
  • the partition walls 7 for each pixel are formed separately from each other.
  • the partition wall 7 can be formed by the above-mentioned [Manufacturing method of partition wall using radiation-sensitive material] or the like.
  • the anode 5 and the partition wall 7 are formed by a process using a single mask by the second method. Patterning is also possible.
  • Organic light emitting layer 8 emits light when an electric field is applied.
  • the organic light emitting layer 8 is a layer containing an organic light emitting material that emits electroluminescence.
  • the organic light emitting layer 8 is formed in a region defined by the partition wall 7, that is, the concave portion 70 by a method such as an ink jet method or a vapor deposition method. In this manner, by forming the organic light emitting layer 8 in the recess 70, the organic light emitting layer 8 is surrounded by the partition walls, and a plurality of adjacent pixels can be partitioned.
  • the organic light emitting layer 8 is formed on the anode 5 by the recess 70 of the partition wall 7.
  • the thickness of the organic light emitting layer 8 is preferably 20 to 500 nm.
  • a hole injection layer and / or a hole transport layer may be disposed between the anode 5 and the organic light emitting layer 8, and an electron transport layer and / or an electron between the organic light emitting layer 8 and the cathode 9.
  • An injection layer may be disposed.
  • the cathode 9 is formed so as to cover a plurality of pixels in common, and serves as a common electrode of the organic EL device 1.
  • Examples of the cathode 9 include an ITO electrode and an IZO electrode; an electrode made of an alloy containing barium (Ba), barium oxide (BaO), aluminum (Al), and Al.
  • the thickness of the cathode 9 is preferably 20 to 500 nm.
  • the passivation film 10 suppresses intrusion of moisture and oxygen into the organic EL element.
  • the passivation film 10 is provided on the cathode 9.
  • the sealing substrate 11 seals the main surface on which the organic light emitting layer 8 is disposed (the surface opposite to the support substrate 2 in the TFT substrate).
  • the sealing substrate 11 include glass substrates such as non-alkali glass substrates.
  • the main surface on which the organic light emitting layer 8 is disposed is preferably sealed with the sealing substrate 11 through the sealing layer 12 using a sealing agent applied in the vicinity of the outer peripheral edge of the TFT substrate.
  • the sealing layer 12 is a layer made of an inert gas such as dried nitrogen gas or a layer made of a filling material such as an adhesive.
  • the color filter 13 is not provided, and each color such as red, green, and blue is separately applied to each pixel, and the red, green, and blue color pixels are formed in the recess 70.
  • a pixel that emits white light is formed in the concave portion 70, and the red light corresponding to each pixel is formed above it, for example, under the sealing substrate 11.
  • Color filters 13 such as green and blue are arranged, and a black matrix 14 may be formed between the filters 13.
  • the color filter 13 is disposed below the pixel, for example, below the insulating layer 4. It may be a form.
  • the white light emitted from the pixel becomes the color light that is selected by the corresponding color filter 13 and passes through the sealing substrate.
  • Phenolic resin (C) C-1: 1-naphthol / formaldehyde condensed novolak resin (Mw 2,000, novolak resin obtained in Synthesis Example C1 of Japanese Patent No.
  • the negative material obtained in Preparation Examples 5 to 6 was applied on a silicon substrate, and then on a hot plate at 120 ° C. for 2 minutes. Pre-baked to form a coating film.
  • This coating film was exposed at an exposure amount of 300 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm through a pattern mask having a predetermined pattern using an exposure machine (i-line stepper “NSR-2005i10D” manufactured by Nikon Corporation). . Thereafter, development is carried out by using a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C.
  • partition walls are formed on the silicon substrate. Formed.
  • This coating film was post-baked on a hot plate at 250 ° C. for 60 minutes to form partition walls having the maximum film thickness shown in Table 2.
  • the total light transmittance was measured in the wavelength range of 300 to 780 nm using a spectrophotometer (“150-20 type double beam” manufactured by Hitachi, Ltd.), and the wavelength of 300 to The maximum value of the total light transmittance at 400 nm was determined.
  • An Al film having a thickness of 100 nm was formed on the array substrate on which the planarization layer was formed by DC sputtering using an Al target.
  • An ITO film having a thickness of 20 nm was formed on the Al film by a DC magnetron reactive sputtering method using an ITO target.
  • a substrate on which an anode layer composed of an Al film and an ITO film was formed was used.
  • the radiation sensitive material obtained in the above preparation example was applied onto the anode layer by spin coating, and prebaked at 90 ° C. for 2 minutes on a hot plate to form a coating film.
  • i-line (wavelength) is passed through a multi-tone mask (a mask having a predetermined pattern including a halftone exposure portion) so that a patterned coating layer having a two-stage thickness is obtained on the coating film. 365 nm).
  • each covering layer includes a covering portion covering a region corresponding to the light emitting portion in the pixel region and a partition wall portion covering a region corresponding to the peripheral portion of the light emitting portion, and the film thickness of the covering portion is 0.3 ⁇ m. It was about.
  • the film thickness of the partition wall is a value larger by 0.3 ⁇ m or more than the film thickness corresponding to the partition wall of Table 2.
  • the anode layer was etched by wet etching using a 5 mass% oxalic acid aqueous solution. Overetching was adopted for the etching process. Over-etching was performed so that the separation distance A between the adjacent anodes was the value described in Table 2, and an “overhang” shape in which the partition wall portion protruded outside the peripheral edge portion of the anode was formed.
  • the coating layer is subjected to heat treatment at 230 ° C. for 60 minutes in a clean oven to melt-flow the partition walls, and the partition walls cover the peripheral edge of each first electrode. Was deformed.
  • the substrate was placed in a vacuum chamber, and oxygen plasma was generated in the vacuum chamber to perform an ashing process on the covering portion.
  • the covering portion which is a thin portion of the patterned covering layer having a two-stage thickness, was removed by ashing, and the first electrode was exposed in a region corresponding to the light emitting portion of the pixel region.
  • an organic EL element was formed on the substrate on which the anode and partition walls were formed by a vacuum deposition method.
  • the organic EL element was prepared by the following procedure.
  • the substrate on which the anode and the partition were formed was subjected to ultrasonic cleaning, and then the substrate was transferred into an N 2 atmosphere and dried at 200 ° C. for 3 hours. Further, the substrate was transferred to an oxygen plasma processing apparatus, evacuated, and 50 W RF power was applied to a ring electrode provided in the vicinity of the substrate to perform an oxygen plasma cleaning process.
  • the oxygen pressure was 0.6 Pa and the treatment time was 40 seconds.
  • the substrate on which the anode and partition walls are formed is moved to the vacuum film formation chamber, and after the film formation chamber is evacuated to 1E -4 Pa, the hole injection property is set on the substrate by using a vapor deposition mask having a predetermined pattern.
  • Molybdenum oxide (MoOx) having a film thickness of 0.004 to 0.005 nm / sec was formed by resistance heating vapor deposition to form a hole injection layer having a thickness of 1 nm.
  • tris (8-quinolinolato) aluminum which is an alkylate complex, is used as a green light-emitting material by the resistance heating vapor deposition method.
  • a light emitting layer having a thickness of 35 nm was formed.
  • the film formation rate was 0.5 nm / sec or less.
  • lithium fluoride was deposited by resistance heating vapor deposition under the same exhaust conditions as the hole injection layer to form an electron injection layer having a thickness of 0.8 nm.
  • the film formation rate was 0.004 nm / sec or less.
  • the substrate was transferred to another film formation chamber (sputter chamber), and a cathode having a thickness of 130 nm was formed on the electron injection layer by an RF sputtering method using an ITO target.
  • sputter chamber film formation chamber
  • the substrate is transferred to the glove box, N 2 leaks, and the sealing glass with the hygroscopic material attached to the element surface side is bonded to the substrate using a UV curing acrylic adhesive. And sealed.
  • the light emitting pixels of the organic EL element for evaluation and the adjacent light emitting pixels (in the present structure, these light emitting pixels correspond to the recesses 70) were turned on to evaluate the lighting state.
  • Table 2 shows the evaluation results when the lighting evaluation is performed. Evaluation is performed using a plurality of elements. AA indicates that lighting is observed in all elements, BB indicates that lighting is not observed in some elements, and BB indicates that lighting is not observed in all elements. CC.
  • B / A 0 means that the partition walls that divide the region on the substrate for each pixel are not separated from each other.
  • the taper angle of 95 ° means that the cross-sectional shape of the partition wall is not a forward taper shape.
  • the anode layer was patterned by a photolithography method to form the anode, and then the partition was formed by the method described in [Manufacture of partition].
  • the development time was changed from 80 seconds to 120 seconds.
  • the photolithography process for forming the anode and the partition wall were formed compared to the example in which the partition wall was manufactured by the above-described first method. It can also serve as a photolithographic process to reduce the number of resist coating, exposure, development process, number of photomasks and resist stripping processes for one process. It was possible to form a partition wall.
  • substrate surface 110, 110a, 110b, 111-113 ... first electrode, 110-1 ... first electrode surface, 113 ... first electrode surface, 120, 120a, 120b, 121-123 ... partition wall, 120-1, 120-2 ... slope of partition wall

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Abstract

　本発明は、発光層から放射された光が隔壁を通過して、隣り合う発光層の領域に漏れ出てくることによって混色が生じ、色再現性等の素子特性を低下させる点が改善された、表示装置又は照明装置等の発光装置を提供する。本発明の発光装置は、基板と、基板上に形成された複数の第１電極と、各々の第１電極の周縁部を覆うように基板上に形成された隔壁と、隔壁により区画された領域において第１電極上に形成された発光層と、各々の発光層上に形成された第２電極とを有し、隔壁の断面形状が順テーパー状であり、隔壁の最大膜厚が１．１～１０．０μｍであり、各々の隔壁が互いに分離されていることを特徴とする。

Description

発光装置およびその製造方法、隔壁の製造方法、ならびに感放射線性材料
　本発明は、発光装置およびその製造方法、隔壁の製造方法、ならびに感放射線性材料に関する。
　フラットパネルディスプレイとして、非発光型である液晶ディスプレイが普及している。また、近年では自発光型ディスプレイである電界発光ディスプレイが知られている。特に有機化合物による電界発光を利用した有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子は、ディスプレイに設けられる発光素子の他、次世代の照明装置に設けられる発光素子としても期待されている。
　例えば有機ＥＬ表示又は照明装置は、基板上の領域を画素ごとに区画する隔壁を有している。このような隔壁は、一般的に感放射線性材料を用いて形成されており（例えば、特許文献１および２参照）、また黒色の樹脂からなる隔壁も知られている（例えば、特許文献３参照）。隔壁で区画された画素間の中央部に第２の隔壁を設けることも提案されている（例えば、特許文献４参照）。
　しかしながら、従来の隔壁の構成では、隣り合う発光層からの光が互いに混ざり合って混色し、色再現性等の素子特性が低下することがあり、この点についてのさらなる改良が望まれる。
特開２０１１－１０７４７６号公報 特開２０１０－２３７３１０号公報 特開２０１１－０９０９２５号公報 特開２０１３－１０５６９４号公報
　本発明は、発光層から放射された光が隔壁を通過して、隣り合う発光層の領域に漏れ出てくることによって混色が生じ、色再現性等の素子特性を低下させる点が改善された、表示装置又は照明装置等の発光装置、特に有機ＥＬ装置を提供することを課題とする。また、本発明は、工程が簡略化された、前記隔壁および発光装置の製造方法、ならびに前記隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料を提供することを課題とする。
　本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。例えば特許文献３では、隔壁の一部が画素電極間をまたがるように形成されており、また特許文献４では隔壁の高さが１．０μｍ以下に設定されている。本発明者らはこの隔壁の構造を検討した結果、以下の構成を採用することにより上記課題を解決できることを見出した。また、隔壁の製造方法について検討し、以下の方法により、各々の隔壁が互いに分離されており、各々の第１電極の周縁部を覆う複数の隔壁を、工程を簡略化して形成できることを見出した。以上のようにして、本発明を完成するに至った。
　本発明は、例えば以下の［１］～［１６］に関する。
　［１］基板と、基板上に形成された複数の第１電極と、各々の第１電極の周縁部を覆うように基板上に形成された隔壁と、隔壁により区画された領域において第１電極上に形成された発光層と、各々の発光層上に形成された第２電極とを有し、隔壁の断面形状が順テーパー状であり、隔壁の最大膜厚が１．１～１０．０μｍであり、各々の隔壁が互いに分離されていることを特徴とする発光装置。
　［２］前記隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率が１．４４～１．６０である前記［１］に記載の発光装置。
　［３］前記隔壁の波長３００～４００ｎｍにおける全光線透過率の最大値が１０％以下である前記［１］または［２］に記載の発光装置。
　［４］隔壁が、基板上の領域を発光層を含む画素ごとに区画している前記［１］～［３］のいずれか１項に記載の発光装置。
　［５］各画素ごとに対応するカラーフィルターを有する前記［４］に記載の発光装置。
　［６］基板が、支持基板と、各々の第１電極に対応して支持基板上に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有するＴＦＴ基板である前記［１］～［５］のいずれか１項に記載の発光装置。
　［７］隔壁が、感放射線性材料からなる塗膜のパターン化膜である前記［１］～［６］のいずれか１項に記載の発光装置。
　［８］感放射線性材料が、（Ａ）ポリイミド、前記ポリイミドの前駆体、アクリル重合体、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体、ポリオレフィン、およびカルド樹脂から選択される少なくとも１種の重合体と、（Ｂ）感光剤とを含有する前記［７］に記載の発光装置。
　［９］感光剤（Ｂ）が、光酸発生剤または光ラジカル重合開始剤である前記［８］に記載の発光装置。
　［１０］感放射線性材料が、（Ｃ）フェノール樹脂をさらに含有する前記［８］または［９］に記載の発光装置。
　［１１］前記［１］に記載の発光装置を製造する製造方法であり、基板と、基板上に形成された第１電極層とを有する構造体の、前記第１電極層上に、感放射線性材料からなる塗膜を形成する工程；前記塗膜に放射線を照射し現像することにより、画素領域に対応する領域を覆う被覆層であって、各々の画素領域に対応する領域を覆う被覆層が互いに分離されているパターンを、前記第１電極層上に形成する工程、ここで各々の被覆層は、画素領域における発光部に対応する領域を覆う被覆部と、発光部の周囲部に対応する領域を覆う隔壁部とからなり、前記被覆部の膜厚よりも前記隔壁部の膜厚が大きくなっており；および前記被覆層をマスクとして用いて第１電極層のエッチング処理を行い、前記第１電極層を複数の第１電極に区画する工程；を有し、さらに、前記エッチング処理後、前記隔壁部が各々の第１電極の周縁部を覆うように前記隔壁部を変形させる工程；および前記エッチング処理後、前記被覆部のアッシング処理を行い、画素領域における発光部に対応する領域において前記第１電極を露出させる工程；の２工程を任意の順序で有する方法により、前記隔壁を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
　［１２］基板と、基板上に形成された第１電極層とを有する構造体の、前記第１電極層上に、感放射線性材料からなる塗膜を形成する工程；前記塗膜に放射線を照射し現像することにより、画素領域に対応する領域を覆う被覆層であって、各々の画素領域に対応する領域を覆う被覆層が互いに分離されているパターンを、前記第１電極層上に形成する工程、ここで各々の被覆層は、画素領域における発光部に対応する領域を覆う被覆部と、発光部の周囲部に対応する領域を覆う隔壁部とからなり、前記被覆部の膜厚よりも前記隔壁部の膜厚が大きくなっており；および前記被覆層をマスクとして用いて第１電極層のエッチング処理を行い、前記第１電極層を複数の第１電極に区画する工程；を有し、さらに、前記エッチング処理後、前記隔壁部が各々の第１電極の周縁部を覆うように前記隔壁部を変形させる工程；および前記エッチング処理後、前記被覆部のアッシング処理を行い、画素領域における発光部に対応する領域において前記第１電極を露出させる工程；の２工程を任意の順序で有することを特徴とする隔壁の製造方法。
　［１３］前記隔壁の最大膜厚が、１．１～１０．０μｍである前記［１２］に記載の隔壁の製造方法。
　［１４］前記［１］～［７］のいずれか１項に記載の発光装置が有する前記隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料であり、（Ａ）ポリイミド、前記ポリイミドの前駆体、アクリル重合体、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体、ポリオレフィン、およびカルド樹脂から選択される少なくとも１種の重合体と、（Ｂ）感光剤とを含有することを特徴とする感放射線性材料。
　［１５］感光剤（Ｂ）が、光酸発生剤または光ラジカル重合開始剤である前記［１４］に記載の感放射線性材料。
　［１６］（Ｃ）フェノール樹脂をさらに含有する前記［１４］または［１５］に記載の感放射線性材料。
　本発明によれば、発光層から放射された光が隔壁を通過して、隣り合う発光層の領域に漏れ出てくることによって混色が生じ、色再現性等の素子特性を低下させる点を改善することができる。これにより、前記点が改善された、表示装置又は照明装置等の発光装置、特に有機ＥＬ装置を提供することができる。
　また、本発明によれば、各々の隔壁が互いに分離されており、各々の第１電極の周縁部を覆う複数の隔壁を製造する方法、前記方法を用いた発光装置の製造方法を提供することができる。前記隔壁の製造方法は、工程が簡略化されており、生産性の点で特に有利である。
　また、本発明によれば、前記隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料を提供することができる。
図１は、隔壁の構成を説明する断面図である。 図２は、隔壁の構成を説明する上視図である。 図３は、隔壁の断面形状として順テーパー状を説明する断面図である。 図４は、第１電極間距離、隔壁間距離を説明する断面図である。 図５は、有機ＥＬ装置の主要部の構造の概略を示す断面図である。 図６は、有機ＥＬ装置の主要部の構造の概略を示す断面図である。 図７は、隔壁の製造工程を示す図である。
　本発明の発光装置は、基板と、基板上に形成された複数の第１電極と、各々の第１電極の周縁部を覆うように基板上に形成された隔壁と、隔壁により区画された領域において第１電極上に形成された発光層と、各々の発光層上に形成された第２電極とを有し、隔壁の断面形状が順テーパー状であり、隔壁の最大膜厚が１．１～１０．０μｍであり、各々の隔壁が互いに分離されていることを特徴とする。
　発光装置としては、例えば、表示装置、照明装置が挙げられる。表示装置としては、自発光型ディスプレイ、特に有機ＥＬディスプレイが挙げられる。照明装置としては、例えば、有機ＥＬ照明が挙げられる。
　本発明の発光装置における隔壁の断面図の例を図１（Ａ）に示す。基板１００上に、複数の第１電極１１０、具体的には１１１～１１３と、複数の隔壁１２０、具体的には１２１～１２３とが形成されている。隔壁１２１は第１電極１１１の端部（周縁部）を覆い、隔壁１２２は第１電極１１２の端部（周縁部）を覆い、隔壁１２３は第１電極１１３の端部（周縁部）を覆い、それぞれ第１電極１１１～１１３を部分的に露出させるように形成されている。
　「各々の隔壁が互いに分離されている」とは、隣り合う第１電極をまたがるようにして隔壁が形成されているのではなく（図１（Ｂ）の１３１～１３４）、各々の第１電極の端部を被覆する各々の隔壁同士が、接する又は一体化することなく、互いに離れて形成されていることを意味する。例えば、図１（Ａ）の１２１及び１２２が互いに離れており、１２２及び１２３が互いに離れている。
　本発明の発光装置では、各々の隔壁が互いに分離されているため、隣り合う発光層の隔壁間に材質の異なる領域が存在することになる。発光層から放射状に拡散して放出された光の一部は、異種媒体の境界面を通過することから、隔壁を透過して隣り合う発光層の領域へと光が進行することを抑制することができる。すなわち、本発明では、隣り合う発光層から発生した光同士の混色を効果的に防止することができる。このため、本発明の発光装置は、色再現性の点で優れている。
　本発明では、隣り合う隔壁同士が完全に分離されていることが好ましい。すなわち、任意の第１電極の周縁部を被覆する隔壁と、別の第１電極の周縁部を被覆する隔壁とが、接する又は一体化することなく、全て分離されていることが好ましい。このような構成によれば、隔壁は良好な電気絶縁性を必要とせず、隔壁の材料として選択できる感放射線性材料の種類を増やすことが出来る。
　本発明の発光装置における隔壁の上視図の例を図２に示す。基板１００上にアレイ状に配置された第１電極１１０（図２では長方形の領域）が形成されており、各々の隔壁１２０（図２では斜線部）が、各々の第１電極１１０を部分的に露出させるように、基板１００上と第１電極１１０の周縁部上とに形成されている。この第１電極１１０の露出部を「開口部」ともいう。
　各々の隔壁１２０は各々の第１電極１１０の周縁部を覆うように、すなわち第１電極１１０の周縁部上面および側面を覆うように形成されており、隣り合う第１電極１１０の周縁部を覆う隔壁１２０同士は、互いに分離（独立）している。開口部は、例えば有機ＥＬ装置では、１つの発光領域（画素）に対応させることができる。
　隔壁は、第１電極の周縁部を覆い、第１電極を部分的に露出させるように形成されており、基板上の領域を発光層を含む発光領域（画素）ごとに区画する。隔壁は、第１電極の周縁部を全て覆うように形成されることがより好ましい。
　隔壁の断面形状は、順テーパー状である。図３に示すように、「順テーパー状」とは、隔壁１２０ａにおいて角度θ１および角度θ２が９０°未満であることに対応する。θ１は、隔壁１２０ａにおいて第１電極１１０ａを露出させる境界部分の斜面１２０-1と第１電極面１１０-1とがなす角度である。θ２は、隔壁１２０ａにおいて基板１００を露出させる境界部分の斜面１２０-2と基板面１００-1とがなす角度である。以下、これらの角度θ１およびθ２を「テーパー角度θ」ともいう。テーパー角度θは、好ましくは８０°以下、さらに好ましくは５～６０°、より好ましくは１０～６０°である。テーパー角度は、隔壁の垂直断面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察することで測定することができる。テーパー角度は、例えば、後述する隔壁の製造方法において、露光量、現像時間、ポストベーク温度、ポストベーク時間、２段階の温度条件でのポストベーク、現像後の２次露光等により調整することができる。
　隔壁の断面形状が順テーパー状であると、隔壁形成後に発光層および第２電極を成膜する場合でも、境界部分においてこれらの膜が滑らかに形成され、段差に起因する膜厚ムラを低減させることができ、点灯不良が起こりにくい等の安定な特性を有する発光装置を得ることができる。
　隔壁の最大膜厚は、装置の薄膜化やパターニングの容易性、隔壁の透過率および混色防止を考えると、１．１～１０．０μｍであり、より好ましくは１．５～８．０μｍ、さらに好ましくは２．０～６．０μｍである。隔壁の膜厚は、基板面を基準とする。隔壁の最大膜厚が１．１μｍ未満では、混色を充分に防ぐことができない。隔壁の最大膜厚が１０．０μｍを超えると、配線の断線やパッシベーション膜のピンホールが発生しやすくなり、発光装置において点灯不良が起こりやすい。
　隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率は、好ましくは１．４４～１．６０であり、より好ましくは１．４４～１．５９、さらに好ましくは１．４４～１．５５である。隔壁の屈折率が前記範囲にあると、発光時の混色をさらに防止でき、発光ムラを低減し、光取出し効率を向上させることができる。このため、本発明の発光装置は、色再現性に優れ、発光ムラが小さく、かつ消費電力を低減できる点で優れる。上記屈折率は、２５℃における波長５８９ｎｍで測定される値である。
　隔壁の波長３００～４００ｎｍにおける全光線透過率の最大値は、好ましくは１０％以下であり、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。全光線透過率は、例えば分光光度計を用いて測定することができる。隔壁の全光線透過率の最大値が前記範囲にあると、発光時の混色をさらに防止することができる。
　隔壁の屈折率および全光線透過率は、例えば、同一の隔壁材料からなり、同様の膜厚を有する層を基板上に形成し、当該層に対して屈折率および全光線透過率を測定することで決定することができる。これらの条件の詳細は実施例に記載する。
　本発明の発光装置において、基板面１００-1における隣り合う第１電極同士の離間距離をＡ、基板面１００-1における隣り合う隔壁同士の離間距離をＢとする。離間距離Ａは、好ましくは５．０～５０．０μｍ、より好ましくは５．０～３０．０μｍである。離間距離Ｂは、好ましくは０．３～４７．５μｍ、より好ましくは１．５～２８．５μｍである。また、Ｂ／Ａは好ましくは０．０５～０．９５、より好ましくは０．３０～０．９０、さらに好ましくは０．６０～０．９０である。
　図４に、隣り合う第１電極１１０ａ，１１０ｂと、隣り合う隔壁１２０ａ，１２０ｂとを示す。隣り合う第１電極同士の離間距離Ａは、隔壁１２０ａにより部分的に被覆された第１電極１１０ａの端点Ａ１と、隔壁１２０ｂにより部分的に被覆された第１電極１１０ｂの端点Ａ２との距離である。隣り合う隔壁同士の離間距離Ｂは、隔壁１２０ａの斜面１２０-2と基板面１００-1との交点Ｂ１と、隔壁１２０ｂの斜面１２０-2と基板面１００-1との交点Ｂ２との距離である。
　以上の、基板面における隣り合う第１電極同士の離間距離、基板面における隣り合う隔壁同士の離間距離等、および隔壁の膜厚については、基板・隔壁の垂直断面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察することで測定することができる。
　本発明の発光装置において、基板は、例えば薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」ともいう）基板である。ＴＦＴ基板は、支持基板と、各々の第１電極に対応して支持基板上に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有する。例えば、第１電極は、前記平坦化層上に形成されており、前記平坦化層を貫通するスルーホールに形成された配線を介して、前記ＴＦＴと接続される。
　支持基板、ＴＦＴ、第１電極、発光層および第２電極としては、例えば、後述する〔実施の形態〕の欄に記載した具体例（支持基板、ＴＦＴ、陽極、有機発光層および陰極）を各々例示することができる。
　本発明の発光装置は、ＴＦＴ基板上に設けられ且つＴＦＴと接続された第１電極と、前記ＴＦＴ基板の面上を複数の領域に区画する上述の隔壁と、前記隔壁により区画された領域（凹部）において第１電極上に形成された有機発光層と、有機発光層上に設けられた第２電極とを含む有機ＥＬ素子を有する、有機ＥＬ装置であることが好ましい。
　〔感放射線性材料〕
　隔壁は、例えば、感放射線性材料を用いて形成することができ、前記材料からなる塗膜のパターン化膜である。感放射線性材料には、露光することで現像液に対する溶解性が増大し、露光部分が除去されるポジ型と、露光することで硬化し、非露光部分が除去されるネガ型がある。本発明では、上記構造の隔壁を形成する点から、ポジ型がより好ましい。
　隔壁の屈折率および全光線透過率は、感放射線性材料を構成する成分を適切に選択することにより、上記範囲に調整することができる。例えば、上記材料中のフッ素原子量もしくはケイ素原子量を調整する、上記材料中の芳香族環の含有量を調整する、または適切な屈折率を有する中空粒子等の無機フィラーを配合することにより、屈折率が上記範囲にある隔壁を形成することができる。また、例えば、膜厚を調整する、または後述するフェノール樹脂（Ｃ）を用いることにより、全光線透過率が上記範囲にある隔壁を形成することができる。
　前記感放射線性材料は、以下に説明する重合体（Ａ）と感光剤（Ｂ）とを含有し、好ましくはフェノール樹脂（Ｃ）をさらに含有する。前記感放射線性材料は、好適成分として、架橋剤（Ｄ）をさらに含有してもよい。
　［重合体（Ａ）］
　重合体（Ａ）は、後述するフェノール樹脂（Ｃ）以外の、アルカリ可溶性重合体であることが好ましい。アルカリ可溶性重合体は、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等のアルカリ水溶液に溶解または膨潤可能である。
　重合体（Ａ）としては、例えば、ポリイミド、前記ポリイミドの前駆体、アクリル重合体、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体、ポリオレフィン、カルド樹脂が挙げられる。ポリイミドの前駆体は、脱水・環化（イミド化）によってポリイミドを生成できる重合体であり、ポリアミック酸およびそのエステル等が挙げられ、ポリベンゾオキサゾールの前駆体は、脱水・環化によってポリベンゾオキサゾールを生成できる重合体である。
　これらの重合体の中でも、隔壁の屈折率を上記範囲に調整する観点から、ポリイミド、前記ポリイミドの前駆体、アクリル重合体およびポリシロキサンが好ましく、フッ素原子含有芳香族ポリイミド、前記フッ素原子含有芳香族ポリイミドの前駆体、フッ素原子非含有アクリル重合体、フッ素原子含有アクリル重合体、ケイ素原子含有芳香族ポリイミド、前記ケイ素原子含有芳香族ポリイミドの前駆体、ケイ素原子非含有アクリル重合体、ケイ素原子含有アクリル重合体およびポリシロキサンがより好ましく、フッ素原子非含有アクリル重合体、フッ素原子含有アクリル重合体およびポリシロキサンがさらに好ましい。
　重合体（Ａ）の具体例としては、特許第５６１３８５１号公報、特許第５１８１９６８号公報に記載された重合体が挙げられる。
　重合体（Ａ）は、１種単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
　重合体（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した値において、３，０００～１００，０００が好ましく、４，０００～５０，０００がより好ましい。Ｍｗが前記範囲の下限値以上であると、充分な機械的特性を有する隔壁が得られる傾向にある。Ｍｗが前記範囲の上限値以下であると、溶剤や現像液に対する重合体（Ａ）の溶解性が優れる傾向にある。
　重合体（Ａ）の含有量は、感放射線性材料中の全固形分１００質量％に対して、１０～８０質量％が好ましく、２０～７０質量％がより好ましく、２０～６０質量％がさらに好ましい。
　［感光剤（Ｂ）］
　感光剤（Ｂ）としては、例えば、光酸発生剤、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。感放射線性材料は、感光剤（Ｂ）を含有することで、感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な放射線感度を有することができる。
　感光剤（Ｂ）は、１種単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
　感放射線性材料における感光剤（Ｂ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常は５～１００質量部であり、好ましくは１０～６５質量部、より好ましくは１５～６０質量部である。感光剤（Ｂ）の含有量を前記範囲とすることで、現像液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差を大きくし、パターニング性能を向上させることができる。
　《光酸発生剤》
　光酸発生剤は、放射線の照射を含む処理によって酸を発生する化合物である。
　光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、Ｎ－スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物が挙げられる。これらの化合物を用いることで、ポジ型の感放射線特性を発揮する材料を得ることができる。これらの中でも、キノンジアジド化合物が好ましい。
　キノンジアジド化合物は、放射線の照射およびアルカリ水溶液を用いた現像を含む処理によってカルボン酸を発生する。キノンジアジド化合物としては、例えば、フェノール性化合物またはアルコール性化合物と、１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物が挙げられる。
　《光ラジカル重合開始剤》
　感光剤（Ｂ）として光ラジカル重合開始剤を用い、架橋剤（Ｄ）として重合性炭素－炭素二重結合含有化合物を用いることで、ネガ型の感放射線特性を発揮する材料を得ることができる。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビイミダゾール化合物、トリアジン化合物、ベンゾフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、オキシムエステル化合物、アルキルフェノン化合物が挙げられる。これらの中でも、オキシムエステル化合物およびアルキルフェノン化合物が好ましい。
　オキシムエステル化合物としては、例えば、１，２－オクタンジオン－１－［４－（フェニルチオ）－２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］、エタノン－１－[９－エチル－６－(２－メチルベンゾイル)－９Ｈ－カルバゾール－3－イル] －１－(Ｏ－アセチルオキシム)が挙げられる。アルキルフェノン化合物としては、例えば、２－メチル－１－(４－メチルチオフェニル)－２－モルフォリノプロパン－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１、２－（ジメチルアミノ）－２－［（４－メチルフェニル）メチル］－１－［４－（４－モルホリニル）フェニル］－１－ブタノンが挙げられる。
　［フェノール樹脂（Ｃ）］
　フェノール樹脂（Ｃ）としては、フェノール類とアルデヒド類とを、酸触媒の存在下で付加縮合させることで得られるノボラック樹脂、およびフェノール類とアルデヒド類とを、塩基触媒の存在下で付加縮合させることで得られるレゾール樹脂がある。
　樹脂（Ｃ）は、熱を加えることにより発色する物質である。後述する隔壁の製造方法において、露光前は樹脂（Ｃ）を含む感放射線性材料から形成された塗膜自体は波長３００～４００ｎｍにおいて遮光性が低いが、露光および現像後の加熱により樹脂（Ｃ）がケト化して、得られた隔壁は前記波長において高い遮光性を有する、すなわち全光線透過率が小さくなるものと推定される。このような樹脂（Ｃ）を用いることで、感放射線性材料において、遮光性付与とアルカリ現像性とを両立することができる。
　例えば、プレベーク時の加熱温度である６０～１３０℃程度では上記遮光性を付与せず、ポストベーク時の加熱温度である１３０℃を超えて３００℃以下程度で上記遮光性を付与することができる。
　フェノール類としては、例えば、フェノール、モノヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシナフタレン、モノヒドロキシアントラセン、ジヒドロキシアントラセン、トリヒドロキシアントラセン、これらのアルキル置換体が挙げられる。アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒドが挙げられる。
　樹脂（Ｃ）としては、良好なアルカリ可溶性（現像性）を有することから、ノボラック樹脂が好ましい。感放射線性材料にアルカリ可溶性のノボラック樹脂を含有させることで、解像性が良好な感放射線性材料を得ることができる。
　ノボラック樹脂の好ましい具体例としては、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂が挙げられる。
　樹脂（Ｃ）のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した値において、通常は１００～５０，０００であり、好ましくは１５０～１０，０００、より好ましくは５００～６，０００である。Ｍｗが前記範囲にある樹脂（Ｃ）は、遮光性および解像性の点で好ましい。例えばノボラック樹脂の上記Ｍｗは、好ましくは５００～５０，０００であり、より好ましくは７００～５，０００であり、さらに好ましくは８００～３，０００である。
　樹脂（Ｃ）は、１種単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
　感放射線性材料において、樹脂（Ｃ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常は２～２００質量部であり、好ましくは１０～１６０質量部である。樹脂（Ｃ）の含有量が前記範囲の下限値以上であると、樹脂（Ｃ）に基づく遮光性および現像性付与の効果が発揮されやすい。樹脂（Ｃ）の含有量が前記範囲の上限値以下であると、隔壁の耐熱性の低下が起こるおそれが小さい。
　［架橋剤（Ｄ）］
　架橋剤（Ｄ）は、架橋性官能基を有する化合物である。架橋剤（Ｄ）としては、例えば、１分子中に２個以上の架橋性官能基を有する化合物が挙げられる。架橋剤（Ｄ）を用いると、隔壁の耐熱性および絶縁性を向上させることができる。架橋剤（Ｄ）としては、例えば、オキセタン化合物、アルコキシアルキル化合物、重合性炭素－炭素二重結合含有化合物、エポキシ化合物、メラミン化合物、ベンゾグアナミン化合物が挙げられる。
　オキセタン化合物としては、例えば、４，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メチル］ビフェニル、３，７－ビス（３－オキセタニル）－５－オキサノナン、３，３’－〔１，３－（２－メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン）〕ビス（３－エチルオキセタン）、１，４－ビス〔（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシメチル〕ベンゼンが挙げられる。
　重合性炭素－炭素二重結合含有化合物としては、例えば、多官能（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートが挙げられる。
　架橋剤（Ｄ）は、１種単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。
　感放射線性材料において、架橋剤（Ｄ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常は１～２１０質量部であり、好ましくは４～１６０質量部、より好ましくは１０～１５０質量部である。架橋剤（Ｄ）の含有量が前記範囲であると、隔壁の耐熱性および絶縁性が向上する傾向にある。
　［その他の任意成分］
　感放射線性材料は、上記成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて密着助剤（Ｅ）、界面活性剤（Ｆ）等のその他の任意成分を含有してもよい。その他の任意成分は、１種単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
　＜密着助剤（Ｅ）＞
　密着助剤（Ｅ）は、基板等の膜形成対象物と隔壁との接着性を向上させる成分である。密着助剤（Ｅ）は、特に無機物の基板と隔壁との接着性を向上させるために有用である。密着助剤（Ｅ）としては、例えば、シランカップリング剤が挙げられ、特開２０１２－２５６０２３号公報、特開２０１３－２４２５１１号公報および特開２０１４－０８０５７８号公報に記載された具体例を挙げることができる。
　感放射線性材料における密着助剤（Ｅ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは０．０１～２０質量部である。密着助剤（Ｅ）の含有量を前記範囲とすることで、形成される隔壁と基板との密着性がより改善される。
　＜界面活性剤（Ｆ）＞
　界面活性剤（Ｆ）は、感放射線性材料の塗膜形成性を高める成分である。感放射線性材料は、界面活性剤（Ｆ）を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果、隔壁の膜厚均一性をより向上できる。界面活性剤（Ｆ）としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤が挙げられ、特開２００３－０１５２７８号公報および特開２０１３－２３１８６９号公報に記載された具体例を挙げることができる。
　感放射線性材料における界面活性剤（Ｆ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは０．０１～１５質量部、さらに好ましくは０．０５～１０質量部である。界面活性剤（Ｆ）の含有量を前記範囲とすることで、形成される塗膜の膜厚均一性をより向上することができる。
　＜その他添加剤＞
　その他添加剤としては、例えば、特開２０００－１０９７３９号公報、特開２００７－３３２２５５号公報、特開２００７－２８４５４６号公報、特開２００８－２４２０７６号公報、特開２００８－２１４４９５号公報、特開２０１０－９５６９５号公報、特開２０１２－１９８５２７号公報、特開２０１３－２１６７３７号公報および特開２０１４－０６２１９５号公報に記載された各種添加剤の具体例が挙げられる。
　［溶剤］
　溶剤は、感放射線性材料を液状とするために使用することができる。
　溶剤としては、例えば、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、トリエチレングリコールジアルキルエーテル、ヒドロキシ基含有ケトン、環状エーテル又は環状エステル、およびアミド系溶剤が挙げられる。
　これらの中でも、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、ヒドロキシ基含有ケトンおよび環状エーテル又は環状エステルが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ－ブチロラクトンが特に好ましい。
　溶剤は、１種単独で使用しても２種以上を併用してもよい。
　感放射線性材料において、溶剤の含有量は、当該材料の固形分濃度が通常は５～６０質量％、好ましくは１０～５０質量％、より好ましくは１５～４０質量％となる量である。ここで固形分とは、溶剤以外の全成分をいう。
　［感放射線性材料の調製方法］
　感放射線性材料は、例えば溶剤に、重合体（Ａ）、感光剤（Ｂ）等の成分、その他の任意成分を混合することによって調製することができる。また、異物を取り除くために、各成分を均一に混合した後、得られた混合物をフィルター等で濾過してもよい。
　〔感放射線性材料を用いた隔壁の製造方法および発光装置の製造方法〕
　互いに分離された複数の隔壁は、上述した感放射線性材料を用いて、複数の第１電極が形成された基板上に塗膜を形成する工程、前記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し現像する工程、および前記現像された塗膜を加熱する工程を有する方法（以下「第１の方法」という）により、製造することができる。
　また、互いに分離された複数の隔壁は、基板と、基板上に形成された第１電極層とを有する構造体の、前記第１電極層上に、感放射線性材料からなる塗膜を形成する工程、前記塗膜に放射線を照射し現像することによりパターン化被覆層を前記第１電極層上に形成する工程、前記被覆層をマスクとして用いて第１電極層のエッチング処理を行い、前記第１電極層を複数の第１電極に区画する工程、前記エッチング処理後、前記隔壁部が各々の第１電極の周縁部を覆うように前記隔壁部を変形させる工程、および前記エッチング処理後、前記被覆部のアッシング処理を行い、前記第１電極を露出させる工程を有する方法（以下「第２の方法」ともいう）により、製造することもできる。第２の方法において、前記隔壁部の変形処理を行う工程、および前記被覆部に対するアッシング処理を行う工程は、いずれの順に行ってもよい。
　上記隔壁の形成方法によれば、境界部分が順テーパー状であり、各画素を区画する互いに分離している隔壁を、基板上に形成された第１電極の周縁部上に形成することができる。また、上記材料は感放射線性に優れることから、当該特性を利用した露光、現像、加熱によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する隔壁を形成することができる。
　特に第２の方法では、第１電極を区画形成するためのレジストが、混色防止のための隔壁として機能することになるので、工程の簡略化の点、例えば第１電極を形成するためのフォトリソ工程と隔壁を形成するためのフォトリソ工程とを兼ねることが出来るため、１工程分のレジスト塗布・露光・現像工程・フォトマスク枚数・レジスト剥離工程を削減できる点で好ましい。
　第１電極および第１電極層を形成する導電性材料としては、後述する陽極として記載した材料が挙げられる。第１電極および第１電極層の膜厚としては、２０～５００ｎｍが好ましい。
　まず、感放射線性材料を複数の第１電極が形成された基板または第１電極層上に塗布し、塗膜を形成する。第１の方法では、パターニングされた、複数の第１電極が形成された基板を用いる。第２の方法では、パターニングされていない、全面に第１電極層が形成された基板を用いる（図７（Ａ）（Ｂ））。塗膜形成の際には、好ましくはプレベークを行うことにより溶剤を除去する。前記塗膜の膜厚としては、プレベーク後の値として、好ましくは１．１～１２．０μｍ、より好ましくは１．５～１０．０μｍ、さらに好ましくは２．０～８．０μｍとすることができる。
　基板としては、例えば、樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハが挙げられる。基板としてはさらに、製造途中の有機ＥＬ素子において、例えばＴＦＴやその配線が形成されたＴＦＴ基板が挙げられる。
　プレベークの条件としては、感放射線性材料の組成等によっても異なるが、例えば、加熱温度が６０～１３０℃、加熱時間が３０秒間～１５分間程度とされる。プレベークは、感放射線性材料が樹脂（Ｃ）を含有する場合、樹脂（Ｃ）に基づく遮光性が塗膜に付与されない温度で行うことが好ましい。
　第１の方法では、次に、上記形成された塗膜に、基板上の領域を画素ごとに区画する各々の隔壁が現像により互いに分離されるように、所定のパターンを有するマスクを介して、放射線を照射する。第２の方法では、次に、上記形成された塗膜に、少なくとも２段階の厚さを有する所望のパターン化被覆層が現像により得られるよう、多階調マスク（ハーフトーン露光部を含む所定のパターンを有するマスク）を介して、放射線を照射する。
　このときに用いられる放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線が挙げられる。可視光線としては、例えば、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）が挙げられる。紫外線としては、例えば、ｉ線（波長３６５ｎｍ）が挙げられる。これらの放射線の中でも、可視光線および紫外線が好ましく、可視光線および紫外線の中でもｇ線及び／又はｉ線を含む放射線が特に好ましい。ｉ線を含む放射線を用いる場合、露光量としては、３０００ｍＪ／ｃｍ2以下が好ましく、２０～２０００ｍＪ／ｃｍ2がより好ましい。
　次に、放射線を照射した上記塗膜の現像を行う。これにより、例えば、ポジ型の感放射線性材料を用いた場合は放射線の照射部分を除去し、ネガ型の感放射線性材料を用いた場合は放射線の非照射部分を除去し、第１の方法では所望の隔壁パターンを、第２の方法では所望のパターン化被覆層を形成することができる。本発明では、上記構造の隔壁パターンおよびパターン化被覆層を形成する点から、ポジ型がより好ましい。
　第２の方法では、特に、画素領域に対応する領域を覆う被覆層であって、各々の画素領域に対応する領域を覆う被覆層が互いに分離されているパターン（パターン化被覆層）を、前記第１電極層上に形成する（図７（Ｃ））。図７（Ｃ）に示すように、ここで各々の被覆層７ｂは、画素領域における発光部に対応する領域の第１電極層を覆う被覆部７ｂ２と、発光部の周囲部に対応する領域の第１電極層を覆う隔壁部７ｂ１とからなり、前記被覆部７ｂ２の膜厚よりも前記隔壁部７ｂ１の膜厚が大きくなっている。後述するアッシング処理によって膜厚が減少することを考慮して、隔壁部７ｂ１の膜厚は、最終的に得られる隔壁の膜厚よりも大きく設定することが好ましい。
　現像処理に用いられる現像液としては、アルカリ水溶液が好ましい。アルカリ水溶液に含まれるアルカリ性化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の特開２０１２－０８８４５９号公報の段落［０２４０］に記載された化合物が挙げられる。アルカリ水溶液におけるアルカリ性化合物の濃度としては、適当な現像性を得る観点から、０．１～５質量％が好ましい。
　現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法が挙げられる。現像時間は、感放射線性材料の組成によって異なるが、通常１０～１８０秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０～９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。
　第２の方法では、次に、上記パターン化被覆層をマスクとして用いて第１電極層のエッチング処理を行い、前記第１電極層を複数の第１電極に区画する（図７（Ｄ））。
　エッチング処理の方法としては、酸水溶液を用いたウェットエッチングが好ましいが、真空チャンバ内でプラズマを用いたドライエッチングでもよい。酸水溶液としては、例えば、５質量％蓚酸水溶液；リン酸、硝酸、塩酸、硫酸等の酸を２種以上含む混酸の水溶液が挙げられる。
　エッチング処理の際には、表面上に被覆層が存在しない、露出した第１電極層をエッチングする。ここで、当該部分の第１電極層が消失した後もさらにエッチングを続けることにより、被覆層（具体的には隔壁部）下の第１電極層の一部をエッチングするオーバーエッチングを行ってもよい（図７（Ｄ））。これにより、第１電極の周縁部上の外側に隔壁部が突出した「オーバーハング」形状を形成し、次工程での隔壁部の変形および第１電極周縁部の被覆をより行いやすくすることができる。特に、前述した離間距離の比Ｂ／Ａが０．６０以上の第１電極および隔壁を形成する場合に、前記方法は好ましい。
　第１の方法では、次に、塗膜に対する加熱処理（ポストベーク処理）を行うことで隔壁を得る。第２の方法では、次に、前記隔壁部を例えばメルトフローさせ、前記隔壁部が各々の第１電極の周縁部を覆うように、すなわち第１電極の周縁部上面および側面を覆うように前記隔壁部を変形させる（図７（Ｅ））。第２の方法では、このようにして、発光部に対応する領域の第１電極上に形成された被覆部と、第１電極の周縁部上および第１電極周囲の基板上に形成された隔壁部という、少なくとも２段階の厚さを持った被覆層７ｃを得る。
　第１および第２の方法において、前記加熱処理および変形処理には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いることができる。前記加熱処理および変形処理における加熱温度は、例えば、１３０℃を超えて３００℃以下であり、１８０℃を超えて２８０℃以下が好ましく、加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、５分間～９０分間である。感放射線性材料がフェノール樹脂（Ｃ）を含有する場合、前記温度範囲の加熱処理および変形処理により、上述した遮光性を隔壁に付与することができる。
　第２の方法では、次に、前記被覆部のアッシング処理を行う（図７（Ｆ））。例えば、真空チャンバ内に基板を置き、酸素プラズマを真空チャンバ内に発生させて、アッシング処理により少なくとも２段階の厚さを有する被覆層の、厚さの薄い部分である被覆部を除去する。このようにして、画素領域における発光部に対応する領域において前記第１電極を露出させるとともに、露出させた各々の前記第１電極の周縁部を覆う隔壁を形成する。ここで各々の隔壁は互いに分離されている。なお、第２の方法では、アッシング処理の後に、前記変形処理を行ってもよい。
　このようにして、目的とするパターンの隔壁を基板上に形成することができる。
　本発明の発光装置の製造方法では、上記隔壁の製造方法を用いることにより、上述した形状を有する隔壁を形成する。
　〔実施の形態〕
　以下では、本発明の発光装置を図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれら実施の形態に限定されない。
　［実施の形態１］
　図５は、本発明に係る有機ＥＬ表示又は照明装置（以下、単に「有機ＥＬ装置」ともいう）の、一実施態様における主要部の構造を模式的に示す断面図である。
　図５の有機ＥＬ装置１は、マトリクス状に形成された複数の画素を有するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１は、トップエミッション型、ボトムエミッション型のいずれでもよい。各部材を構成する材料の性質、例えば透明性は、トップエミッション型、ボトムエミッション型に応じて適宜選択される。
　有機ＥＬ装置１は、支持基板２、ＴＦＴ３、絶縁層４、第１電極としての陽極５、スルーホール６、隔壁７、有機発光層８、第２電極としての陰極９、パッシベーション膜１０および封止基板１１を備える。
　支持基板２は、絶縁材料より形成されている。絶縁材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド等の透明樹脂、無アルカリガラス等のガラス材料が挙げられる。
　ＴＦＴ３は、各画素部分のアクティブ素子であり、支持基板２上に形成されている。このＴＦＴ３は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を備えている。
　絶縁層４は、ＴＦＴ３の表面凹凸を平坦化する役割を果たす平坦化層である。絶縁層４は、ＴＦＴ３の全体を被覆するように形成されている。絶縁層４の膜厚は、通常は０．１～１０．０μｍである。
　陽極５は、画素電極をなす。陽極５は、導電性材料によって絶縁層４上に形成されている。導電性材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、酸化スズ；Ａｌ（アルミニウム）、ＡＰＣ合金（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）、またこれらの金属と透明性の高い電極（例：ＩＴＯ）との積層膜が挙げられる。陽極５の膜厚としては、２０～５００ｎｍが好ましい。
　スルーホール６は、陽極５とＴＦＴ３のドレイン電極とを接続するために形成される。スルーホール６に形成された配線により、陽極５とＴＦＴ３のドレイン電極とが接続される。
　隔壁７は、陽極５の周縁部を被覆するよう形成されており、有機発光層８の配置領域を規定する凹部７０を画定している。隔壁７は、陽極５の周縁部を覆う一方で陽極５の一部を露出させるように形成されている。各画素ごとの隔壁７は、互いに分離して形成されている。隔壁７は、上述した〔感放射線性材料を用いた隔壁の製造方法〕等により形成することができ、例えば第２の方法により、陽極５と隔壁７とを単一のマスクを用いた工程によりパターニングすることもできる。
　有機発光層８は、電界を印加されて発光する。有機発光層８は、電界発光する有機発光材料を含む層である。有機発光層８は、隔壁７によって規定される領域、すなわち凹部７０にインクジェット法および蒸着法等の方法により形成されている。このように、凹部７０に有機発光層８を形成することで、有機発光層８が隔壁によって包囲され、隣り合う複数の画素同士を区画することができる。有機発光層８は、隔壁７の凹部７０で陽極５上に形成されている。有機発光層８の膜厚としては、２０～５００ｎｍが好ましい。
　さらに、陽極５と有機発光層８との間に正孔注入層及び／又は正孔輸送層が配置されていてもよく、有機発光層８と陰極９との間に電子輸送層及び／又は電子注入層が配置されていてもよい。
　陰極９は、複数の画素を共通に覆って形成され、有機ＥＬ装置１の共通電極をなす。陰極９としては、例えば、ＩＴＯ電極やＩＺＯ電極；バリウム（Ｂａ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、アルミニウム（Ａｌ）およびＡｌを含む合金からなる電極が挙げられる。陰極９の膜厚としては、２０～５００ｎｍが好ましい。
　パッシベーション膜１０は、有機ＥＬ素子内への水分や酸素の浸入を抑制する。パッシベーション膜１０は、陰極９上に設けられている。
　封止基板１１は、有機発光層８が配置された主面（ＴＦＴ基板において支持基板２とは反対側の面）を封止する。封止基板１１としては、無アルカリガラス基板等のガラス基板が挙げられる。有機発光層８が配置された主面は、ＴＦＴ基板の外周端部付近に塗布されたシール剤を用い、封止層１２を介して、封止基板１１により封止することが好ましい。封止層１２は、例えば、乾燥された窒素ガス等の不活性ガスからなる層、または接着剤等の充填材料からなる層である。
　［実施の形態２］
　実施の形態１では、カラーフィルター１３を設けず、例えば赤緑青等の各色を画素ごとに塗り分けて、凹部７０に赤緑青の各色画素が形成されている。図６に示す実施の形態２では、トップエミッション型であり、凹部７０に白色光を放射する画素が形成されており、その上方、例えば封止基板１１下に、前記画素ごとに対応する、赤緑青等の各色カラーフィルター１３が配置されており、各フィルター１３間にはブラックマトリクス１４が形成されていてもよい。図６にはトップエミッション型を示したが、ボトムエミッション型であり、凹部７０に白色光を放射する画素が形成されており、その下方、例えば絶縁層４下に、カラーフィルター１３が配置されている形態であってもよい。前記画素から放射された白色光は、対応する前記カラーフィルター１３によって透過選択された色光となって、封止基板を透過する。
　以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」を示す。
　［ＧＰＣ分析］
　重合体（Ａ）および樹脂（Ｃ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、以下の条件で測定した。
・標準物質：ポリスチレン換算
・装置　　：東ソー（株）製、商品名：ＨＬＣ－８０２０
・カラム　：東ソー（株）製ガードカラムＨXL－Ｈ、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ７０００ＨXL、ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨXL ２本、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ２０００ＨXLを順次連結したもの
・溶媒　　：テトラヒドロフラン
・サンプル濃度：０．７質量％
・注入量　：７０μＬ
・流速　　：１ｍＬ／ｍｉｎ
　＜重合体（Ａ）の合成＞
　［合成例Ａ１］重合体（Ａ－１）の合成（ポリイミド）
　特許第５６１３８５１号公報の合成例Ａ１と同様にして、２，２'－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４'－オキシジフタル酸二無水物および無水マレイン酸からポリイミド（重合体（Ａ－１））を得た。得られた重合体（Ａ－１）のＭｗは８，０００であった。
　［合成例Ａ２］重合体（Ａ－２）の合成（アクリル重合体）
　特許第５６１３８５１号公報の合成例Ａ２と同様にして、メタクリル酸、ジシクロペンタニルメタクリレートおよび３－エチル－３－メタクリロイルオキシメチルオキセタンからアクリル重合体（重合体（Ａ－２））を得た。得られた重合体（Ａ－２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００であった。
　［合成例Ａ３］重合体（Ａ－３）の合成（フッ素原子含有アクリル重合体）
　モノマーとして２－メタクリロイロキシエチルコハク酸１５．０ｇ、ジシクロペンタニルメタクリレート３０．０ｇ、２，２，２－トリフルオロエチルアクリレート２０．０ｇおよび３，４－エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート３０．０ｇを用いたこと以外は合成例Ａ２と同様に行った。得られた重合体（Ａ－３）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１５，０００であった。
　［合成例Ａ４］重合体（Ａ－４）の合成（ポリシロキサン）
　特開２００７－２０６３０３号公報の合成例２と同様にして、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシランおよび２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランからポリシロキサン（重合体（Ａ－４））を得た。得られた重合体（Ａ－４）の重量平均分子量（Ｍｗ）は５，０００であった。
　＜感放射線性材料の調製＞
　感放射線性材料の調製に用いたその他の成分は、下記の通りである。
　感光剤（Ｂ）
　Ｂ－１：４，４’－［１－［４－［１－［４－ヒドロキシフェニル］－１－メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（１．０モル）と１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸クロリド（２．０モル）との縮合物（東洋合成工業（株））
　Ｂ－２：２－（ジメチルアミノ）－２－［（４－メチルフェニル）メチル］－１－［４－（４－モルホリニル）フェニル］－１－ブタノン（ＢＡＳＦ製の「ＩＲＧ－３７９ＥＧ」）
　フェノール樹脂（Ｃ）
　Ｃ－１：１－ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂（Ｍｗ＝２，０００、特許第５６１３８５１号公報の合成例Ｃ１で得られたノボラック樹脂）
　架橋剤（Ｄ）
　Ｄ－１：４，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メチル］ビフェニル（宇部興産（株）製の「ＯＸＢＰ」）
　Ｄ－２：アルコキシアルキル化合物（群栄化学工業（株）製の「Ｃ－３５７」）
　Ｄ－３：ジペンタエリスリトールペンタアクリレート／ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（東亞合成（株）製の「Ｍ－４０５」）
　密着助剤（Ｅ）
　Ｅ－１：Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン
　　　　　（信越化学工業（株）製の「ＫＢＭ－５７３」）
　界面活性剤（Ｆ）
　Ｆ－１：シリコーン系界面活性剤
　　　　　（東レ・ダウコーニング（株）製の「ＳＨ８４００」）
　溶剤
　ＢＬ：γ－ブチロラクトン、
　ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
　ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
　ＤＡＡ：ジアセトンアルコール
　［調製例１］
　重合体（Ａ－１）２５部、（Ｂ－１）１０部、（Ｃ－１）４０部、（Ｄ－１）１５部、（Ｄ－２）５部、（Ｅ－１）４部、（Ｆ－１）１部、および溶剤を混合し、固形分濃度が２５質量％となるようにするとともに、口径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過して、表１に記載の組成を有するポジ型材料１を調製した。
　［調製例２～６］
　表１に示す種類および配合量の各成分を用いたこと以外は調製例１と同様にして、表１に記載の組成を有するポジ型材料２～４およびネガ型材料５～６を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　［実施例および比較例］
　調製例１～６の感放射線性材料１～６（ポジ型材料１～４およびネガ型材料５～６）を用いて、以下に説明する方法により隔壁および有機ＥＬ素子を作製した。得られた隔壁の最大膜厚、屈折率、透過率、テーパー角度、点灯評価、混色評価、陽極間絶縁性評価を、それぞれ下記方法で評価した。
　［隔壁の製造］
　クリーントラック（東京エレクトロン（株）製：Ｍａｒｋ　ＶＺ）を用いて、シリコン基板上に調製例１～４で得られたポジ型材料を塗布した後、ホットプレート上で１２０℃にて２分間プレベークして、塗膜を形成した。この塗膜に対して、露光機（（株）ニコン製のｉ線ステッパー「ＮＳＲ－２００５ｉ１０Ｄ」）を用い、所定のパターンを有するパターンマスクを介して波長３６５ｎｍにおける露光量１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２５℃にて８０秒間液盛り法で現像し、超純水で１分間流水洗浄を行い、乾燥させて、シリコン基板上に隔壁を形成した。表２中の比較例４では、現像時間を８０秒から１２０秒へと変更した。この塗膜をホットプレート上で２５０℃にて６０分間ポストベークして、表２に記載の最大膜厚を有する隔壁を形成した。
　また、クリーントラック（東京エレクトロン（株）製：Ｍａｒｋ　ＶＺ）を用いて、シリコン基板上に調製例５～６で得られたネガ型材料を塗布した後、ホットプレート上で１２０℃にて２分間プレベークして、塗膜を形成した。この塗膜に対して、露光機（（株）ニコン製のｉ線ステッパー「ＮＳＲ－２００５ｉ１０Ｄ」）を用い、所定のパターンを有するパターンマスクを介して波長３６５ｎｍにおける露光量３００ｍＪ／ｃｍ2で露光した。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２５℃にて１２０秒間液盛り法で現像し、超純水で１分間流水洗浄を行い、乾燥させて、シリコン基板上に隔壁を形成した。この塗膜をホットプレート上で２５０℃にて６０分間ポストベークして、表２に記載の最大膜厚を有する隔壁を形成した。
　［屈折率］
　上記［隔壁の製造］において、所定のパターンを有するパターンマスクを用いることなく、露光・現像処理として、ポジ型の場合は露光処理を行わずに現像処理のみ行い、ネガ型の場合は露光処理および現像処理を行い、同様の方法により、シリコン基板上に表２に記載の膜厚を有する絶縁膜を形成した。得られた絶縁膜について、ＪＩＳ　Ｋ７１０５に従い、（株）アタゴ製アッベ屈折計を用いて、２５℃における波長５８９ｎｍでの屈折率を測定した。
　［透過率］
　スピンナーまたはスリットダイコーターを用いて、ガラス基板（コーニング社の「コーニング７０５９」）上に上記調製例で得られた感放射線性材料を塗布した後、ホットプレート上で１２０℃にて２分間プレベーク後、クリーンオーブン中で２５０℃にて４５分間ポストベークして、表２に記載の膜厚を有する絶縁膜を形成した。
　この絶縁膜を有するガラス基板について、分光光度計（日立製作所（株）製の「１５０－２０型ダブルビーム」）を用いて全光線透過率を３００～７８０ｎｍの波長範囲で測定し、波長３００～４００ｎｍでの全光線透過率の最大値を求めた。
　［テーパー角度］
　上記［隔壁の製造］において、隔壁の垂直断面形状をＳＥＭ（（株）日立ハイテクノロジー製の「Ｓ－４１００」）で観察した。このＳＥＭ画像から、隔壁のテーパー角度を決定した。
　《素子特性評価》
　ガラス基板（コーニング社の「コーニング７０５９」）を用い、このガラス基板上にＩＴＯ透明電極をスパッタし、続いて感光性レジスト（「オプトマーＰＣ４０３」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、加熱硬化して、所定のレジストパターンを形成した。続いてエッチング液を用いてＩＴＯ膜をエッチングして、所定のＩＴＯ膜のパターンを形成した後、レジストパターンを剥離液で除去した。
　上記のようにしてアレイ状にＩＴＯ透明電極が形成されたアレイ基板上に、感光性レジスト（「オプトマーＮＮ８０３」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で膜厚５μｍとなるように塗布した後、ホットプレート上で８０℃にて３分間プリベークして、塗膜を形成した。次いで、この塗膜を所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、クリーンオーブン中で２００℃にて５分間ポストベークした。このようにして、ＩＴＯ透明電極の一部のみが露出したコンタクトホールを有する平坦化層を、アレイ基板上に形成した。ポストベーク後の平坦化層の膜厚は３μｍであった。以上のようにして平坦化層が形成されたアレイ基板を複数用意し、以下の工程で用いた。
　Ａｌターゲットを用いてＤＣスパッタ法により、平坦化層を形成したアレイ基板上に膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を形成した。ＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法により、Ａｌ膜上に膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。
　この様にしてＡｌ膜とＩＴＯ膜とからなる陽極層を形成した基板を用いた。スピンコート法により、上記調製例で得られた感放射線性材料を陽極層上に塗布し、ホットプレート上で９０℃にて２分間プレベークを行い塗膜を形成した。
　次に、上記塗膜に、２段階の厚さを有するパターン化被覆層が得られるよう、多階調マスク（ハーフトーン露光部を含む所定のパターンを有するマスク）を介して、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射した。
　次に、放射線を照射した上記塗膜の現像を行った。現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、２５℃にて８０秒間液盛り法で現像し、超純水で１分間流水洗浄を行い、圧縮空気で風乾させた。このようにして、２段階の厚さを有するパターン化被覆層を形成した。ここで各々の被覆層は、画素領域における発光部に対応する領域を覆う被覆部と、発光部の周囲部に対応する領域を覆う隔壁部とからなり、前記被覆部の膜厚は０．３μｍ程度であった。前記隔壁部の膜厚は表２の隔壁部に対応する膜厚よりも０．３μｍ以上大きい値となっている。
　次に、２段階の厚さを有するパターン化被覆層をマスクとして用い、５質量％蓚酸水溶液を用いてウエットエッチングにより陽極層のエッチング処理を行った。エッチング処理には、オーバーエッチングを採用した。互いに隣り合う陽極同士の離間距離Ａが表２に記載された値となるようオーバーエッチングを行い、陽極の周縁部上の外側に隔壁部が突出した「オーバーハング」形状を形成した。
　次に、前記被覆層に対してクリーンオーブン中で２３０℃で６０分間の加熱処理を行い、隔壁部をメルトフローさせ、前記隔壁部が各々の第１電極の周縁部を覆うように前記隔壁部を変形させた。
　次に、真空チャンバ内に前記基板を置き、酸素プラズマを真空チャンバ内に発生させることで、前記被覆部のアッシング処理を行った。アッシング処理により２段階の厚さを有するパターン化被覆層の、厚さの薄い部分である被覆部を除去し、画素領域の発光部に対応する領域において前記第１電極を露出させた。
　このようにして、所定の形状にパターニングされた陽極と、各々の陽極の周縁部を被覆し、互いに隣り合う陽極同士の離間距離をＡ、互いに隣り合う隔壁同士の離間距離をＢとしたとき、最大膜厚、テーパー角度、ＡおよびＢ／Ａが表２に示す値となる様な隔壁を、基板上に形成した。これらの値は、基板・隔壁の垂直断面形状をＳＥＭ（（株）日立ハイテクノロジー製の「Ｓ－４１００」）で観察することで確認した。
　続いて、陽極および隔壁が形成された基板に対して、真空蒸着法により有機ＥＬ素子を形成した。有機ＥＬ素子は以下の手順により作成した。
　陽極および隔壁が形成された基板に対して超音波洗浄を行い、続いて前記基板をＮ2雰囲気中に移送し、２００℃で３時間乾燥を行った。さらに、前記基板を酸素プラズマ処理装置へ移し、真空排気し、基板付近に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入し、酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は０．６Ｐａ、処理時間は４０秒であった。
　陽極および隔壁が形成された基板を真空成膜室へ移動し、成膜室を１Ｅ-4Ｐａまで排気した後、前記基板上に、所定のパターンの蒸着マスクを用いて、正孔注入性を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を抵抗加熱蒸着法により成膜速度０．００４～０．００５ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜し、膜厚１ｎｍの正孔注入層を形成した。
　正孔注入層上に、所定のパターンの蒸着マスクを用いて、正孔輸送性を有する４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）を抵抗加熱蒸着法により正孔注入層と同様の排気条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの正孔輸送層を形成した。成膜速度は、０．２～０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
　正孔輸送層上に、所定のパターンの蒸着マスクを用いて、緑色の発光材料としてアルキレート錯体であるトリス（８－キノリノラト）アルミニウムを抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの発光層を形成した。成膜速度は、０．５ｎｍ／ｓｅｃ以下の条件であった。
　発光層上に、フッ化リチウムを抵抗加熱蒸着法により正孔注入層と同様の排気条件で成膜し、膜厚０．８ｎｍの電子注入層を形成した。成膜速度は、０．００４ｎｍ／ｓｅｃ以下の条件であった。
　続いて、別の成膜室（スパッタ室）に上記基板を移送し、電子注入層上に、ＩＴＯターゲットを用いてＲＦスパッタリング法により、膜厚１３０ｎｍの陰極を形成した。
　グローブボックスに上記基板を移送し、Ｎ2リークして、吸湿材を素子面側に貼り付けておいた封止ガラスを、ＵＶ硬化系のアクリル系の接着剤を用いて、上記基板に接着し、封止した。
　以上のようにして、評価用有機ＥＬ素子を得た。
　［点灯評価］
　評価用有機ＥＬ素子の発光ピクセルおよび隣接する発光ピクセル（本構造ではこれらの発光ピクセルは凹部７０に対応する）を点灯させ、点灯状態を評価した。表２に、点灯評価を行った際の評価結果を示す。評価は複数の素子を用いて行い、全ての素子で点灯が観測された場合をＡＡ、一部の素子で点灯が観測されなかった場合をＢＢ、全部の素子で点灯が観測されなかった場合をＣＣとしている。
　［混色評価］
　評価用有機ＥＬ素子の発光ピクセルを点灯させ、隣接する発光ピクセルの輝度を測定することで、ピクセル間の光漏れ、混色を評価した。表２に、混色評価を行った際の評価結果を示す。評価は複数の素子を用いて行い、全ての素子で光漏れが観測されなかった場合をＡＡ、全素子の１０％（個）以下の素子で光漏れが観測された場合をＢＢ、全素子の１０％（個）を超えて３０％（個）以下の素子で光漏れが観測された場合をＣＣ、全素子の３０％（個）を超えた素子で光漏れが観測された場合をＤＤとしている。
　［陽極間絶縁性評価］
　評価用有機ＥＬ素子の隣り合う陽極間に電圧を印加し、流れる電流値により陽極間の絶縁性を評価した。表２に、絶縁性評価を行った際の評価結果を示す。電流リークが観測された場合をＢＢ、電流リークが観測されなかった場合をＡＡとしている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　比較例３においてＢ／Ａ＝０とは、基板上の領域を画素ごとに区画する各々の隔壁が互いに分離していないことを意味する。比較例４においてテーパー角９５°とは、隔壁の断面形状が順テーパー状ではないことを意味する。なお、素子特性の評価において、比較例３および４では、陽極層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして上記陽極を形成し、続いて［隔壁の製造］に記載した方法で隔壁を形成した。また、比較例４では、現像時間を８０秒から１２０秒へと変更した。
　なお、素子特性の評価において、上述した第２の方法で隔壁を製造した例では、上述した第１の方法で隔壁を製造した例に比べて、陽極を形成するためのフォトリソ工程と隔壁を形成するためのフォトリソ工程とを兼ねることが出来るため、１工程分のレジスト塗布・露光・現像工程・フォトマスク枚数・レジスト剥離工程を削減することができ、より簡略化した工程により、互いに分離した複数の隔壁を形成することができた。
　１…有機ＥＬ装置、２…支持基板、３…ＴＦＴ、４…絶縁層（平坦化層）、５…陽極（第１電極）、５ａ…陽極層（第１電極層）、６…スルーホール、７…隔壁、７ａ…塗膜、７ｂ…被覆層、７ｂ１…隔壁部、７ｂ２…被覆部、７ｃ…被覆層、７０…凹部、８…有機発光層、９…陰極（第２電極）、１０…パッシベーション膜、１１…封止基板、１２…封止層、１３…カラーフィルター、１４…ブラックマトリクス、１００…基板、１００-1…基板面、１１０、１１０ａ、１１０ｂ、１１１～１１３…第１電極、１１０-1…第１電極面、１１３…第１電極面、１２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２１～１２３…隔壁、１２０-1、１２０-2…隔壁の斜面

Claims (16)

  1. 　基板と、
    　基板上に形成された複数の第１電極と、
    　各々の第１電極の周縁部を覆うように基板上に形成された隔壁と、
    　隔壁により区画された領域において第１電極上に形成された発光層と、
    　各々の発光層上に形成された第２電極と
    を有し、
    　隔壁の断面形状が順テーパー状であり、
    　隔壁の最大膜厚が１．１～１０．０μｍであり、
    　各々の隔壁が互いに分離されている
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 　前記隔壁の波長５８９ｎｍでの屈折率が１．４４～１．６０である
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記隔壁の波長３００～４００ｎｍにおける全光線透過率の最大値が１０％以下である
    請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 　隔壁が、基板上の領域を発光層を含む画素ごとに区画している
    請求項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 　各画素ごとに対応するカラーフィルターを有する請求項４に記載の発光装置。
  6. 　基板が、支持基板と、各々の第１電極に対応して支持基板上に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有するＴＦＴ基板である請求項１～５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 　隔壁が、感放射線性材料からなる塗膜のパターン化膜である
    請求項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 　感放射線性材料が、
    （Ａ）ポリイミド、前記ポリイミドの前駆体、アクリル重合体、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体、ポリオレフィン、およびカルド樹脂から選択される少なくとも１種の重合体と、
    （Ｂ）感光剤と
    を含有する請求項７に記載の発光装置。
  9. 　感光剤（Ｂ）が、光酸発生剤または光ラジカル重合開始剤である
    請求項８に記載の発光装置。
  10. 　感放射線性材料が、
    （Ｃ）フェノール樹脂
    をさらに含有する請求項８または９に記載の発光装置。
  11. 　請求項１に記載の発光装置を製造する製造方法であり、
    　基板と、基板上に形成された第１電極層とを有する構造体の、前記第１電極層上に、感放射線性材料からなる塗膜を形成する工程；
    　前記塗膜に放射線を照射し現像することにより、画素領域に対応する領域を覆う被覆層であって、各々の画素領域に対応する領域を覆う被覆層が互いに分離されているパターンを、前記第１電極層上に形成する工程、ここで各々の被覆層は、画素領域における発光部に対応する領域を覆う被覆部と、発光部の周囲部に対応する領域を覆う隔壁部とからなり、前記被覆部の膜厚よりも前記隔壁部の膜厚が大きくなっており；および
    　前記被覆層をマスクとして用いて第１電極層のエッチング処理を行い、前記第１電極層を複数の第１電極に区画する工程；
    を有し、さらに、
    　前記エッチング処理後、前記隔壁部が各々の第１電極の周縁部を覆うように前記隔壁部を変形させる工程；および
    　前記エッチング処理後、前記被覆部のアッシング処理を行い、画素領域における発光部に対応する領域において前記第１電極を露出させる工程；
    の２工程を任意の順序で有する方法により、前記隔壁を形成する
    ことを特徴とする発光装置の製造方法。
  12. 　基板と、基板上に形成された第１電極層とを有する構造体の、前記第１電極層上に、感放射線性材料からなる塗膜を形成する工程；
    　前記塗膜に放射線を照射し現像することにより、画素領域に対応する領域を覆う被覆層であって、各々の画素領域に対応する領域を覆う被覆層が互いに分離されているパターンを、前記第１電極層上に形成する工程、ここで各々の被覆層は、画素領域における発光部に対応する領域を覆う被覆部と、発光部の周囲部に対応する領域を覆う隔壁部とからなり、前記被覆部の膜厚よりも前記隔壁部の膜厚が大きくなっており；および
    　前記被覆層をマスクとして用いて第１電極層のエッチング処理を行い、前記第１電極層を複数の第１電極に区画する工程；
    を有し、さらに、
    　前記エッチング処理後、前記隔壁部が各々の第１電極の周縁部を覆うように前記隔壁部を変形させる工程；および
    　前記エッチング処理後、前記被覆部のアッシング処理を行い、画素領域における発光部に対応する領域において前記第１電極を露出させる工程；
    の２工程を任意の順序で有する
    ことを特徴とする隔壁の製造方法。
  13. 　前記隔壁の最大膜厚が、１．１～１０．０μｍである請求項１２に記載の隔壁の製造方法。
  14. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の発光装置が有する前記隔壁を形成するために用いられる感放射線性材料であり、
    （Ａ）ポリイミド、前記ポリイミドの前駆体、アクリル重合体、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、前記ポリベンゾオキサゾールの前駆体、ポリオレフィン、およびカルド樹脂から選択される少なくとも１種の重合体と、
    （Ｂ）感光剤と
    を含有することを特徴とする感放射線性材料。
  15. 　感光剤（Ｂ）が、光酸発生剤または光ラジカル重合開始剤である
    請求項１４に記載の感放射線性材料。
  16. （Ｃ）フェノール樹脂
    をさらに含有する請求項１４または１５に記載の感放射線性材料。
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