WO2016080622A1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
WO2016080622A1
WO2016080622A1 PCT/KR2015/007010 KR2015007010W WO2016080622A1 WO 2016080622 A1 WO2016080622 A1 WO 2016080622A1 KR 2015007010 W KR2015007010 W KR 2015007010W WO 2016080622 A1 WO2016080622 A1 WO 2016080622A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
light emitting
substituted
compound
unsubstituted
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/007010
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
허정오
이동훈
허원준
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to US15/516,516 priority Critical patent/US10522762B2/en
Priority to EP15861716.7A priority patent/EP3222695B1/en
Priority to JP2017517708A priority patent/JP6399533B2/ja
Priority to CN201580058491.8A priority patent/CN107075364B/zh
Publication of WO2016080622A1 publication Critical patent/WO2016080622A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers

Definitions

  • the present specification relates to an organic light emitting device.
  • the organic light emitting phenomenon is an example of converting an electric current into visible light by an internal process of a specific organic molecule.
  • the principle of the organic light emitting phenomenon is as follows.
  • An organic light emitting device using this principle may generally be composed of an organic material layer including a cathode, an anode, and an organic material layer disposed therebetween, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer.
  • the materials used in the organic light emitting device are pure organic materials or complex compounds in which organic materials and metals are complexed, and depending on the purpose, hole injection materials, hole transport materials, light emitting materials, electron transport materials, electron injection materials, etc. It can be divided into.
  • the hole injection material or the hole transport material an organic material having a p-type property, that is, an organic material which is easily oxidized and has an electrochemically stable state during oxidation, is mainly used.
  • organic materials having n-type properties that is, organic materials that are easily reduced and have an electrochemically stable state at the time of reduction are mainly used.
  • the light emitting layer material a material having a p-type property and an n-type property at the same time, that is, a material having a stable form in both oxidation and reduction states, and a material having high luminous efficiency that converts it to light when excitons are formed desirable.
  • An object of the present specification is to provide an organic light emitting device having a high luminous efficiency.
  • the present specification is an anode; Cathode; An emission layer provided between the anode and the cathode; And an organic material layer provided between the cathode and the light emitting layer.
  • the light emitting layer includes a fluorescent dopant
  • the organic layer provided between the cathode and the light emitting layer provides an organic light emitting device comprising a compound satisfying the following formula (1).
  • ⁇ ⁇ means the reorientation energy value of the anion radical
  • ⁇ + means the reorientation energy value of the cationic radicals.
  • the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification provides a low driving voltage and / or high efficiency.
  • the organic light emitting device can provide a device having a simple structure without the action of a separate hole blocking layer, which is economical in terms of cost and / or time.
  • the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification provides a long life of the organic light emitting device.
  • FIG. 1 is a view showing an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.
  • An organic light emitting diode includes an organic material layer including a compound satisfying the value of Formula 1.
  • the value of Equation 1 means the difference between the reorientation energy value of the anion radical and the reorientation energy value of the cationic radical.
  • Reorientation energy may refer to a barrier in the process of charge transfer, and may be a factor in determining the amount of charge movement per unit time.
  • the reorientation energy of anion radicals and the reorientation energy of cation radicals ⁇ ⁇ and The value of ⁇ + can be obtained by the following Equations 3 and 4, respectively.
  • Specifically reorientation energy value of the anion radical ( ⁇ -) is an anion stabilized by an anion structure (M 1 -) energy when the molecules are oxidized to neutral (M 1) ( Energy when the reduced) (-) and the neutral (M 2) stabilized with a neutral molecule structure anion (M 2 Can be expressed as a sum of
  • the reorientation energy value of the cationic radical is ( ⁇ + ) is the energy when the cation (M 1 + ) molecules stabilized in the cation structure are oxidized to neutral (M 1 ) )
  • the energy when the neutral (M 2 ) molecules stabilized by the neutral structure are oxidized to cations (M 2 + ) Can be expressed as a sum of
  • the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification includes an organic material layer satisfying a value in which the value of Equation 1 is greater than 0 and less than 0.3.
  • the organic light emitting device emits blue fluorescent light.
  • the light emitting layer includes a peak wavelength of a photoluminescence spectrum of 550 nm or less. In one specific embodiment, the light emitting layer comprises a peak wavelength of the photoluminescence spectrum of 430 nm to 550 nm.
  • Peak wavelength herein means the wavelength at the maximum of the spectral distribution.
  • an organic material having a reducing acceptor (n-type) property that is, an organic material which is easily reduced and has an electrochemically stable state at the time of reduction has been mainly used.
  • the material used in the related art has the same reducible property as the reorientation energy value of the anion radical has a smaller value than the reorientation energy value of the cationic radical, so that the value of Equation 1 has a negative value.
  • Compounds satisfying Equation 1 has a positive value, but of a reducing acceptor (n-type) and an oxidizing structure (p-type structure) that do not bias the nature of the p-type structure. It has a bipolar type with properties, so it has a stable state in both oxidation and reduction states. Therefore, when the exciton is formed, it is possible to see the effect of high luminous efficiency to convert it to light.
  • n-type reducing acceptor
  • p-type structure oxidizing structure
  • satisfying the value of Equation 1 of the present specification means that the electron barrier that is to be crossed in the electron transfer material from the cathode is larger than the electron transporting material biased to the conventional reducing acceptor (n-type), and is transferred to the light emitting layer. This means that the amount of is reduced.
  • Organic light emitting devices currently used in the art are used in a combination of blue fluorescence, green and red phosphorescence or blue fluorescence and green fluorescence and red phosphorescence.
  • the organic light emitting device having blue excitation light having a high exciton energy is generally relatively lighter than the green or red color because the light emitting region is oriented toward the interface between the hole transport layer and the light emitting layer.
  • the service life is significantly reduced. That is, since the high exciton energy of the blue fluorescence is concentrated in a local region called a narrow light emitting region, the energy stress applied to the material is increased, resulting in a low lifetime.
  • a separate hole blocking layer including an organic compound having a large ionization potential in addition to the electron transport layer is provided in the light emitting layer and the electron transport layer to artificially control the amount of electrons, thereby improving the efficiency and lifetime of the organic light emitting device.
  • the increase of the driving voltage by using the accumulation of holes is a problem, and the problem of having to use two or more electron transport layers in addition to the hole blocking layer is uneconomical in terms of time and cost.
  • Equation 1 When the value of Equation 1 according to an exemplary embodiment of the present specification exceeds 0, the efficiency of the organic light emitting device is eliminated without the provision of a hole blocking layer by controlling the amount of electrons transferred from the cathode to the light emitting layer using the charge barrier of the molecule itself. This can rise. However, if the value of Equation 1 is too large, the energy barrier that must be exceeded in the electron transfer from the cathode becomes too large, and the amount of electrons transferred to the light emitting layer is excessively reduced, thereby reducing the formation of excitons formed by pairing hole electrons. The efficiency of the organic light emitting device can be reduced. In addition, when the value of Equation 1 exceeds 0.3, the exciton may be formed at the interface of the electron transport layer, the life of the device may be a problem due to the stability of the electron transport layer itself.
  • the compound satisfying Equation 1 can maintain the high efficiency of the organic light emitting device without providing a hole blocking layer by controlling the amount of electrons transferred from the cathode to the light emitting layer.
  • the compound satisfying Equation 1 according to an exemplary embodiment of the present specification controls the amount of electrons transferred to the light emitting layer, thereby inducing excitons to form in the light emitting layer, not at the interface between the hole transport layer and the light emitting layer, thereby increasing the lifespan of the organic light emitting device. Can increase.
  • an organic light emitting device having high efficiency and / or long life may be provided.
  • the ionization potential value of the compound satisfying Formula 1 is 5.5 eV or more and less than 6.5 eV.
  • the difference between the ionization potential of the electron transport layer and the light emitting layer is appropriate, while minimizing the accumulation of holes at the interface of the electron transport layer during driving of the organic light emitting device. It can play the role of hole blocking at the same time.
  • the organic light emitting device satisfies the following Equation 2.
  • ⁇ IP means the difference between the ionization potential value of the compound satisfying Equation 1 and the ionization potential value of the host material of the light emitting layer.
  • the ionization potential herein refers to the photoelectron emission from the irradiated photon energy curve of the photoelectron emission obtained by irradiating the light (excitation light) of a deuterium lamp spectroscopically with a monochromator to the material and measuring the emitted photoelectron emission with an electrometer.
  • the threshold value was determined by extrapolation and measured.
  • Atmospheric ultraviolet photoelectron analyzer AC-3 manufactured by RIKEN KEIKI LTD.CO was used.
  • the electron mobility of the compound satisfying the formula 1 is 10 -7 cm 2 / Vs or more at 0.1 MV / cm field conditions. In one embodiment of the present specification, the electron mobility of the compound satisfying Formula 1 is 10 ⁇ 7 cm 2 / Vs or more and 10 2 cm 2 / Vs or less under 0.1 MV / cm electric field conditions.
  • the hole mobility of the compound satisfying the formula 1 is 10 -7 cm 2 / Vs or more at 0.1 MV / cm electric field conditions. In one embodiment of the present specification, the hole mobility of the compound satisfying Formula 1 is 10 ⁇ 7 cm 2 / Vs or more and 10 2 cm 2 / Vs or less under 0.1 MV / cm electric field conditions.
  • the electron mobility of the compound satisfying Formula 1 and / or the hole mobility of the compound satisfying Formula 1 satisfies the above range
  • the holes and / or electrons transferred to the light emitting layer The amount of is appropriate, so that the luminous efficiency is excellent, and the position at which excitons are formed in the light emitting layer is easily controlled.
  • Electron mobility and hole mobility can be measured by methods used in the art. Specifically, a method of time of flight (TOF) or space charge limited current (SCLC) measurement may be used, but is not limited thereto.
  • TOF time of flight
  • SCLC space charge limited current
  • Hole mobility in the present specification can be measured by a method used in the art. Specifically, a method of time of flight (TOF) or space charge limited current (SCLC) measurement may be used, but is not limited thereto.
  • TOF time of flight
  • SCLC space charge limited current
  • the charge mobility measured by the Time of Flight (TOF) of the compound represented by Formula 1 is 10 -7 cm 2 / Vs or more.
  • a charge mobility may be measured by using a material thickness of 1000 nm or more.
  • Basophenanthroline Basophenanthroline
  • lithium quinolate 2%)
  • the compound to be deposited was 200 nm.
  • Bathophenanthroline Bathophenanthroline
  • lithium quinolate 2%)
  • aluminum aluminium was deposited by 100 nm or more to prepare a sample.
  • hexanitrile hexaazatrylphenylene was heated in a vacuum to a thickness of 5 nm on an ITO substrate, 200 nm of a compound satisfying Equation 1 was deposited thereon, and then aluminum was deposited at least 100 nm.
  • Samples were prepared. Measuring the current density (mA / cm 2 ) against the voltage of the sample to determine a space charge limited current SCLC; Hole mobility can be calculated in the area of Space Charge Limited Current.
  • the organic material layer including the compound satisfying Formula 1 is an electron transport layer, an electron injection layer, or a layer that simultaneously performs electron transport and electron injection.
  • the organic material layer including the compound satisfying Formula 1 is an electron transport layer.
  • the organic material layer including the compound satisfying Formula 1 is an electron injection and electron transport layer.
  • the organic material layer including the compound satisfying Equation 1 may simultaneously serve as an electron injection and an electron transport layer.
  • the organic light emitting diode may include only an organic material layer including a compound satisfying Formula 1 between the cathode and the light emitting layer.
  • the organic light emitting device may include an organic material layer including a cathode and a compound satisfying Formula 1; Alternatively, the organic light emitting layer may further include an additional organic material layer between the organic material layer including the compound satisfying Formula 1.
  • an organic material layer including a compound satisfying Formula 1 is provided in contact with the light emitting layer.
  • electrons transported from the cathode to the light emitting layer can be more effectively controlled.
  • the light emitting layer provided in contact with the organic material layer including the compound satisfying Formula 1 includes a peak wavelength of a light emission spectrum of 550 nm or less.
  • the organic light emitting device may include two or more light emitting layers.
  • the light emitting layer closest to the organic material layer including the compound satisfying Formula 1 may include a peak wavelength of the photoluminescence spectrum of 550 nm or less, and the remaining light emitting layers may include other peak wavelengths.
  • the light emitting layer closest to the present specification means a light emitting layer that is physically closest to an organic material layer including a compound satisfying Formula 1 of the plurality of light emitting layers, and is not only a light emitting layer provided in contact with an organic material layer comprising a compound satisfying Formula 1 above. It may also mean that an additional organic material layer is included between the organic material layer and the light emitting layer including the compound satisfying Formula 1.
  • the organic light emitting device preferably includes two or more light emitting layers, and the light emitting layer provided in contact with the organic material layer including the compound satisfying Formula 1 includes a peak wavelength of a photoluminescence spectrum of 550 nm or less.
  • substituted means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent can be substituted, if two or more substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.
  • substituted or unsubstituted is deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Imide group; Amide group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted aryl group; And it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or two or more of the substituents exemplified above are substituted with a substituent, or means that do not have any substituents.
  • a substituent to which two or more substituents are linked may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are linked.
  • an organic group an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, etc. are mentioned.
  • This organic group may contain the bond and substituents other than hydrocarbon groups, such as a hetero atom, in the said organic group.
  • the organic group may be any of linear, branched and cyclic.
  • the monovalent organic group means a monovalent group having one bonding position in an organic compound.
  • the organic group may form a cyclic structure, and may include a hetero atom to form a bond unless the effect of the invention is impaired.
  • the bond containing hetero atoms such as an oxygen atom, a nitrogen atom, and a silicon atom.
  • hetero atoms such as an oxygen atom, a nitrogen atom, and a silicon atom.
  • the cyclic structure may include the aforementioned aromatic ring, aliphatic ring, and the like, and may be monocyclic or polycyclic.
  • the alkyl group may be linear or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50. Specific examples include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and heptyl groups.
  • the alkenyl group may be linear or branched chain, the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 40.
  • Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2- ( Naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group and the like, but are not limited thereto.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and especially cyclopentyl group, cyclohexyl group, and the like, but is not limited thereto.
  • the amine group is -NH 2 ; Alkylamine group; Aralkyl amine groups; Arylamine group; And it may be selected from the group consisting of a heteroarylamine group, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 30.
  • Specific examples of the amine group include methylamine group, dimethylamine group, ethylamine group, diethylamine group, phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, and 9-methyl-anthracenylamine group. , Diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, phenyltolylamine group, triphenylamine group and the like, but are not limited thereto.
  • the aryl group is a monocyclic aryl group
  • carbon number is not particularly limited, but preferably 6 to 25 carbon atoms.
  • the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc., but is not limited thereto.
  • Carbon number is not particularly limited when the aryl group is a polycyclic aryl group. It is preferable that it is C10-24.
  • the polycyclic aryl group may be naphthyl group, triphenylenyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, perrylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, etc., but is not limited thereto.
  • the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • the heterocyclic group includes one or more atoms other than carbon and heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, and S, and the like.
  • carbon number is not specifically limited, It is preferable that it is C2-C60.
  • heterocyclic groups include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, triazine group, triazole group, Acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group , Indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenan
  • the heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic, aliphatic or a condensed ring of aromatic and aliphatic.
  • the arylene group refers to a divalent group having two bonding positions in the aryl group.
  • the description of the aforementioned aryl group can be applied except that they are each divalent.
  • the hydrocarbon ring may be an aliphatic, aromatic, or a condensed ring of aliphatic and aromatic, and may be selected from examples of the cycloalkyl group or aryl group, except that they are not monovalent.
  • the heterocycle may be an aliphatic, aromatic or a condensed ring of aliphatic and aromatic, and may be selected from examples of the heterocyclic group except that it is not a monovalent group.
  • the compound satisfying Formula 1 has at least a nitrogen-containing heterocyclic group.
  • the nitrogen-containing heterocycle of the present specification may act as an n-type structure in a compound satisfying Formula 1.
  • the nitrogen-containing heterocyclic group may be a 5- or 6-membered ring, and the ring including the 5- or 6-membered ring may be monocyclic or polycyclic.
  • the nitrogen-containing heterocyclic group is any one of the following structures.
  • X1 to X3 are each N or CR
  • R is a monovalent organic group
  • Hydrocarbon rings or heterocycles may be condensed to the structure.
  • condensation of a hydrocarbon ring or a heterocycle may mean that the hydrocarbon ring or the heterocycle is bonded to each other to form a polycyclic ring.
  • the nitrogen-containing heterocyclic group is any one of the following structures.
  • the structure is deuterium; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; And it may be substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
  • the compound satisfying Formula 1 has a p-type structure.
  • a p-type structure means a substituent which is easily oxidized and has an electrochemically stable state upon oxidation, and may mean an oxidative donor.
  • the p-type structure is any one of the following structures.
  • the structure is deuterium; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; And it may be substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
  • the meaning that the compound satisfying Formula 1 has a nitrogen-containing heterocyclic group or a p-type structure means not only a case in which the compound is included as a substituent but also a case in which the compound satisfies the core structure. do.
  • the compound satisfying Formula 1 is represented by the following Formula 1.
  • Het is a substituted or unsubstituted nitrogen-containing heterocyclic group
  • L is a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
  • D1 is a substituted or unsubstituted p-type structure.
  • the nitrogen-containing heterocyclic group and the p-type structure in Formula 1 may be the same as described above.
  • the nitrogen-containing heterocycle functions as an n-type structure in a compound satisfying Formula 1, and is connected with the p-type structure to provide a bipolar type structure. Therefore, the compound provided between the cathode and the light emitting layer according to the exemplary embodiment of the present specification is bipolar type, and is stable in both the oxidation and reduction states and thus has excellent luminous efficiency.
  • L is a direct bond; Substituted or unsubstituted phenylene group; Substituted or unsubstituted biphenylene group; Substituted or unsubstituted terphenylene group; Or substituted or unsubstituted naphthylene.
  • L is a direct bond
  • L is a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • L is a phenylene group.
  • L is a 1,3-phenylene group.
  • L is a 1,4-phenylene group.
  • L is a phenylene group substituted with a heterocyclic group.
  • L is a phenylene group substituted with a nitrogen-containing heterocyclic group.
  • L is a phenylene group substituted with a carbazole group.
  • L is a substituted or unsubstituted biphenylene group.
  • L is a biphenylene group.
  • L is a substituted or unsubstituted terphenylene group.
  • L is a terphenylene group.
  • L is a substituted or unsubstituted naphthylene group.
  • L is a naphthylene group.
  • L is a 1,2-naphthylene group.
  • Het is deuterium; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; And substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
  • the Het is a cyano group; Substituted or unsubstituted methyl group; Substituted or unsubstituted phenyl group; Substituted or unsubstituted biphenyl group; Substituted or unsubstituted naphthyl group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; Substituted or unsubstituted carbazole group; Substituted or unsubstituted dibenzothiophene; And it is substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of substituted or unsubstituted dibenzofuran.
  • the Het is a cyano group; Methyl group; Phenyl group; A phenyl group substituted with a carbazole group; Biphenyl group; Fluorenyl group substituted with phenyl group; A naphthyl group substituted with a pyridine group substituted with a dibenzothiophene group; A naphthyl group substituted with a pyridine group substituted with a dibenzofuran group; A naphthyl group substituted with a pyrimidine group substituted with a dibenzothiophene group; Carbazole groups; Dibenzothiophene group; And it is substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of dibenzofuran group.
  • D1 is deuterium; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; And it is substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
  • D1 is deuterium; Substituted or unsubstituted methyl group; And it is substituted or unsubstituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted phenyl group.
  • the D1 is deuterium; Methyl group; Phenyl group; A phenyl group substituted with a triazine group substituted with an aryl group; A phenyl group substituted with a pyrimidine group substituted with an aryl group; It is unsubstituted or substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of phenyl groups substituted with imidazole groups substituted with alkyl groups.
  • D1 is deuterium; Methyl group; Phenyl group; A phenyl group substituted with a triazine group substituted with a phenyl group; A phenyl group substituted with a pyrimidine group substituted with a phenyl group; It is unsubstituted or substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of phenyl groups substituted with imidazole groups substituted with methyl groups.
  • the compound satisfying Formula 1 is represented by any one of the following Compounds 1 to 100.
  • the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except for including an organic material layer including the compound satisfying Formula 1 described above.
  • the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate.
  • the anode is formed by depositing a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof on the substrate by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation.
  • PVD physical vapor deposition
  • an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an anode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a multilayer structure in which one or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device further includes one or two or more layers selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer. can do.
  • the structure of the organic light emitting device of the present specification may have the same structure as shown in FIG. 1, but is not limited thereto.
  • the electron transport layer 501 includes a compound satisfying Equation 1.
  • 1 is an exemplary structure according to an exemplary embodiment of the present specification, and may further include another organic material layer.
  • the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
  • the anode material a material having a large work function is generally preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SNO 2 : Combination of metals and oxides such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the cathode material is generally a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole injection material is a layer for injecting holes from an electrode, and the hole injection material has a capability of transporting holes, and thus has a hole injection effect at an anode, an excellent hole injection effect for a light emitting layer or a light emitting material, and is generated in a light emitting layer.
  • the compound which prevents the movement of the excited excitons to the electron injection layer or the electron injection material, and is excellent in thin film formation ability is preferable.
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • hole injection material examples include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based Organic materials, anthraquinone, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer.
  • the hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer.
  • the material is suitable. Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
  • the light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer may include a host material and a dopant material.
  • the host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic containing compound.
  • the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds
  • the heterocyclic containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives and ladder types. Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • the fluorescent light emitting layer may be distyrylarylene (DSA), distyrylarylene derivative, distyrylbenzene (DSB), distyrylbenzene derivative, or DPVBi (4,4'-bis (2,2 ') as a host material. 1 or 2 or more are selected from the group consisting of -diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl), DPVBi derivatives, spiro-DPVBi and spiro-6P (spiro-sexyphenyl).
  • the fluorescent layer is selected from the group consisting of styrylamine, perylene, and DSBP (distyrylbiphenyl) as a dopant material.
  • the electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has an ability of transporting electrons, has an electron injection effect from a cathode, an electron injection effect with respect to a light emitting layer or a light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer.
  • the compound which prevents the movement to a layer and is excellent in thin film formation ability is preferable.
  • fluorenone anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like and derivatives thereof, metal Complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtolato) gallium, It is not limited to this.
  • the hole blocking layer is a layer that blocks the reaching of the cathode of the hole, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complexes, and the like, but are not limited thereto.
  • the organic light emitting device may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type according to a material used.
  • the organic light emitting diode according to the present disclosure may be a normal type in which the lower electrode is an anode and the upper electrode is a cathode, or may be an inverted type in which the lower electrode is a cathode and the upper electrode is an anode.
  • the structure according to the exemplary embodiment of the present specification may act on a principle similar to that applied to an organic light emitting device in an organic electronic device including an organic solar cell, an organic photoconductor, an organic transistor, and the like.
  • Equation 1 the optimization of the molecular structure and the calculation of the respective energy were obtained by density function theory (DFT) using BPW91 function and dnd basis function using Dmol3, Accelrys' quantum chemistry calculation program. .
  • DFT density function theory
  • Compound 1 Compound 2 Compound 3 Compound 4 0.14 0.16 0.2 0.07 Compound 6 Compound 13 Compound 25 Compound 32 0.14 0.1 0.02 0.04 Compound 33 Compound 34 Compound 35 Compound 37 0.13 0.08 0.14 0.08 Compound 38 Compound 39 Compound 40 Compound 41 0.11 0.07 0.1 0.12 Compound 42 Compound 44 Compound 45 Compound 46 0.15 0.1 0.09 0.1 Compound 47 Compound 48 Compound 49 Compound 50 0.1 0.14 0.12 0.11 Compound 51 Compound 52 Compound 53 Compound 54 0.16 0.08 0.1 0.09 Compound 55 Compound 56 Compound 57 Compound 61 0.12 0.13 0.23 0.17 Compound 62 Compound 63 Compound 64 Compound 65 0.07 0.12 0.1 0.06 Compound 66 Compound 67 Compound 68 Compound 69 0.1 0.1 0.17 0.04 Compound 70 Compound 71 Compound 72 Compound 73 0.2 0.13 0.09 0.21 Compound 74 Compound 75 Compound 76 Compound 77 0.26 0.18 0.18 0.07 Com
  • a glass substrate (corning 7059 glass) coated with ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 ⁇ was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned. At this time, Fischer Co. was used as a detergent and Millipore Co. was used as distilled water. Secondly filtered distilled water was used as a filter of the product. After the ITO was washed for 30 minutes, the ultrasonic cleaning was repeated twice with distilled water for 10 minutes. After washing the distilled water, ultrasonic washing with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol, and the like was dried and then transferred to a plasma cleaner. In addition, the substrate was dry-cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • ITO indium tin oxide
  • Hexanitrilehexaazatriphenylene (hereinafter referred to as HAT), a compound of the following formula, was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a thin film.
  • HAT Hexanitrilehexaazatriphenylene
  • a hole transport layer was formed by depositing a compound of Formula HT-1 at a thickness of 400 kPa on the thin film, and an electron blocking layer was formed by depositing a compound of EB-1 at a thickness of 250 kPa thereon.
  • the compound of the following H1 and the following D1 as a host of a light emitting layer was vacuum-deposited at 200 microsecond thickness on it.
  • the electron transport layer material of the compound 2 and lithium quinolate (LiQ, Lithium Quinolate) in a weight ratio of 1: 1 was vacuum deposited on the emission layer to form an electron injection and transport layer having a thickness of 300 kPa.
  • a cathode was formed by sequentially depositing 12 ⁇ thick lithium fluoride (LiF) and 2,000 ⁇ thick aluminum on the electron transport layer.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.3 ⁇ 0.8 ⁇ / sec.
  • the lithium fluoride of the negative electrode maintained a deposition rate of 0.3 kPa / sec and aluminum of 1.5 to 2.5 kPa / sec.
  • the degree of vacuum was maintained at 1 to 3 ⁇ 10 ⁇ 7 .
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 13 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 25 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 35 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 37 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 38 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 39 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 41 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 42 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 44 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 48 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 52 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 55 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 56 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 57 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 61 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 69 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 94 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 100 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-1 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-2 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-3 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-4 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-5 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-6 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-7 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-8 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-9 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-10 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-11 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound ET-12 was used instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-13 instead of the compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-14 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-15 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the following Chemical Formula ET-16 instead of Compound 2 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 2 was used as the host material of the emission layer instead of the chemical formula H1 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 13 was used as a host material of the emission layer instead of Formula H1 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 35 was used as a host material of the emission layer instead of Formula H1 in Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the compound 39 as the host material of the emission layer instead of the chemical formula H1 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 56 was used as a host material of the emission layer instead of Chemical Formula H1 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 57 was used as the host material of the emission layer instead of the chemical formula H1 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 61 was used as a host material of the emission layer instead of Chemical Formula H1 in Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound 2 was used as a host material of the emission layer instead of Chemical Formula H1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound 13 was used as the host material of the emission layer instead of the chemical formula H1 in Comparative Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound 35 was used as the host material of the emission layer instead of the chemical formula H1 in Comparative Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound 39 was used as the host material of the emission layer instead of the chemical formula H1 in Comparative Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound 56 was used as a host material of the emission layer instead of Chemical Formula H1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound 57 was used as a host material of the emission layer instead of Chemical Formula H1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Comparative Example 1 except for using Compound 61 as a host material of the emission layer instead of Chemical Formula H1 in Comparative Example 1.
  • the driving voltage and the luminous efficiency of the organic light emitting device manufactured by the above-described method were measured at a current density of 10 mA / cm 2 , and the time (LT98) of 98% of the initial luminance at a current density of 20 mA / cm 2 was measured. .
  • the results are shown in Table 2 below.
  • the bipolar type compound included in the compound of Formula 1 may be stable in the redox state, and thus excellent efficiency may be expected in the organic light emitting device.
  • the organic light emitting device that emits fluorescence in particular, the organic light emitting device including a light emitting layer that emits blue fluorescence should satisfy Equation 1.
  • Equation 1 When the value of Equation 1 exceeds 0 eV, the efficiency of the organic light emitting device increases without using a hole blocking layer by controlling the amount of electrons transferred from the cathode to the light emitting layer by using the charge barrier of the molecule itself.
  • the value of exceeds 3 eV the energy barrier that must be crossed in the electron transfer from the cathode becomes excessively large, and the amount of electrons transferred to the light emitting layer is excessively reduced, thereby reducing the formation of excitons formed by the pair of hole electrons meeting each other. This is because the efficiency of the device is reduced.
  • an organic light emitting device having high efficiency and / or long life may be provided.

Abstract

본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

유기 발광 소자
본 명세서는 2014년 11월 20일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2014-0162927호 및 2014년 12월 18일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2014-0183559호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다.
애노드와 캐소드 사이에 유기물층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 캐소드와 애노드로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광 소자는 일반적으로 캐소드와 애노드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
당 기술분야에서는 높은 효율의 유기 발광 소자의 개발이 요구되고 있다.
[선행기술문헌]
[비특허문헌]
J.Chem.Phys. 24, 966(1956)
본 명세서의 목적은 높은 발광 효율의 유기 발광 소자를 제공하는 데 있다.
본 명세서는 애노드; 캐소드; 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층; 및 상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 유기물층을 포함하고,
상기 발광층은 형광 도펀트를 포함하며,
상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 유기물층은 하기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
[식 1]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000001
식 1에 있어서,
λ- 는 음이온 라디컬의 재배향 에너지 값을 의미하고,
λ+는 양이온 라디컬의 재배향 에너지 값을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 낮은 구동 전압 및/또는 높은 효율을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 별도의 정공차단층의 작용이 없이 간단한 구조의 소자를 제공할 수 있어, 비용 및/또는 시간 면에서 경제적인 이점이 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 장수명의 유기 발광 소자를 제공한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 나타낸 도이다.
[부호의 설명]
101: 기판
201: 애노드
301: 정공 수송층
401: 발광층
501: 전자수송층
601: 캐소드
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 상기 식 1의 값을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함한다. 상기 식 1의 값은 음이온 라디컬의 재배향 에너지 값과 양이온 라디컬의 재배향 에너지 값의 차이를 의미한다.
재배향 에너지는 전하의 이동 과정에서의 장벽(barrier)를 의미할 수 있으며, 전하의 단위 시간당 이동량을 결정하는 요인이 될 수 있다.
동일한 분자 간의 전자 이동이 일어나는 과정은 하기와 같다.
Figure PCTKR2015007010-appb-I000002
상기와 같이 정공 또는 전자의 전달이 일어날 때의 에너지 장벽인 음이온 라디컬의 재배향 에너지 및 양이온 라디컬의 재배향 에너지인 λ- 및 λ+의 값은 각각 하기 식 3 및 식 4로 구할 수 있다.
[식 3]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000003
[식 4]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000004
식 3 및 식 4에 있어서,
Figure PCTKR2015007010-appb-I000005
는 기하학(geometry)이 양이온(cation), 음이온(amion) 또는 중성(neutral)으로 최적화된 구조에서 전하(charge)가 0, X+, 또는 X- 인 에너지를 의미한다.
구체적으로 음이온 라디컬의 재배향 에너지 값(λ-)은 음이온 구조로 안정화된 음이온(M1 -)분자가 중성(M1)으로 산화될 때의 에너지(
Figure PCTKR2015007010-appb-I000006
)와 중성 구조로 안정화된 중성(M2)분자가 음이온(M2 -)으로 환원될 때의 에너지(
Figure PCTKR2015007010-appb-I000007
)의 합으로 나타낼 수 있다.
또한, 양이온 라디컬의 재배향 에너지 값은 (λ+)은 양이온 구조로 안정화된 양이온(M1 +)분자가 중성(M1)으로 산화될 때의 에너지(
Figure PCTKR2015007010-appb-I000008
)와 중성 구조로 안정화된 중성(M2)분자가 양이온(M2 +)으로 산화될 때의 에너지(
Figure PCTKR2015007010-appb-I000009
)의 합으로 나타낼 수 있다.
본 명세서에서 상기 재배향 에너지의 계산에서 분자 구조의 최적화 및 각각의 에너지의 계산은 엑설리스(Accelrys)사의 양자 화학 계산 프로그램인 Dmol3를 이용하여, BPW91 범함수와 dnd 기저함수를 이용하여 밀도범함수 이론(DFT)으로 구하였다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 상기 식 1의 값이 0 초과 0.3 미만인 값을 만족하는 유기물층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 청색 형광 발광을 한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 550 nm 이하의 광발광 스펙트럼의 피크 파장을 포함한다. 구체적인 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 430 nm 내지 550 nm 의 광발광 스펙트럼의 피크 파장을 포함한다.
본 명세서에서 피크 파장은 스펙트럼 분포의 최대치에서의 파장을 의미한다.
종래에는 전자 수송 물질로는 환원성 억셉터(n-타입) 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원 시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있었다. 종래에 사용된 물질은 상기와 같은 환원성 성질로 음이온 라디컬의 재배향 에너지 값은 양이온 라디컬의 재배향 에너지 값보다 작은 값을 갖게 되므로, 식 1의 값이 음수의 값을 갖는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 상기 식 1을 만족하는 화합물은 양수의 값을 갖되, p-타입 구조의 성질에 치우치지 않는 환원성 억셉터(n-타입)와 산화성 구조(p-타입 구조)의 성질을 갖는 바이폴라(bipolar) 타입을 가져 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 상태를 갖는다. 따라서, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 효과를 볼 수 있다.
또한, 본 명세서의 식 1의 값을 만족하는 것은 캐소드로부터의 전자 이동에 있어서, 넘어야 하는 에너지 장벽이 종래의 환원성 억셉터(n-타입)에 치우친 전자수송물질보다 더 크게 되어 발광층으로 넘어가는 전자의 양이 줄어들게 됨을 의미한다.
현재 당업계에서 사용하고 있는 유기 발광 소자는 청색 형광, 녹색 및 적색 인광 또는 청색 형광과 녹색 형광 및 적색 인광 등의 조합으로 사용되고 있다.
다만, 상기와 같은 소자 조합의 경우에도 일반적으로 발광 영역이 정공수송층과 발광층의 계면쪽에 치우쳐 있기 때문에 높은 엑시톤 에너지를 가지는 청색 형광 발광을 하는 유기 발광 소자의 경우에는 녹색 또는 적색에 비하여 상대적으로 소자의 수명이 현저히 떨어지는 문제가 있다. 즉, 청색형광의 높은 엑시톤 에너지가 좁은 발광영역이라는 국부적인 영역에 집중되어 있기 때문에 재료가 받는 에너지 스트레스가 증가하게 되고 결국 낮은 수명을 나타내게 된다.
종래에는 상기와 같은 문제를 극복하기 위하여 전자수송층 외에 이온화 포텐셜이 큰 유기 화합물을 포함하는 별도의 정공차단층을 발광층과 전자수송층에 구비하여 인위적으로 전자의 양을 조절하여 유기 발광 소자의 효율 및 수명을 향상시키는 노력이 있었다. 그러나, 정공의 축적을 이용하여 구동 전압의 상승이 문제되고, 정공 차단층 외에 2층 이상의 전자수송층을 사용하여야 하는 문제로 시간 및 비용 면에서 비경제적이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 식 1의 값이 0을 초과하는 경우 분자 자체가 갖는 전하 장벽을 이용하여 캐소드로부터 발광층으로 전달되는 전자의 양을 조절하여 정공차단층의 구비 없이도 유기 발광 소자의 효율이 상승할 수 있다. 다만, 상기 식 1의 값이 지나치게 크게 된다면, 캐소드로부터 전자 이동에 있어 넘어야 하는 에너지 장벽이 지나치게 커져 발광층으로 전달되는 전자의 양이 과다하게 줄어들어 정공 전자쌍이 서로 만나서 만들어지는 엑시톤의 형성이 감소하게 되어 유기 발광 소자의 효율이 감소할 수 있다. 또한, 상기 식 1의 값이 0.3을 초과하는 경우에는 전자수송층의 계면에서 엑시톤이 형성될 수 있어, 전자수송층 자체의 안정성 문제로 소자의 수명이 문제될 수 있다.
따라서, 상기 식 1을 만족하는 화합물은 캐소드로부터 발광층으로 전달되는 전자의 양을 조절하여, 별도의 정공차단층의 구비없이도 유기 발광 소자의 높은 효율을 유지할 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 식 1을 만족하는 화합물은 발광층에 전달되는 전자의 양을 조절하여, 정공수송층과 발광층의 계면이 아닌 발광층에서 엑시톤을 형성하도록 유도하여 유기 발광 소자의 수명이 증가할 수 있다.
따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따라, 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층이 발광층과 캐소드 사이에 구비되는 경우에는 높은 효율 및/또는 장수명의 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물의 이온화 퍼텐셜 값은 5.5 eV 이상 6.5 eV 미만이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따라, 상기 이온화 퍼텐셜 범위의 값을 갖는 경우에는 전자수송층과 발광층의 이온화 퍼텐셜의 차이가 적절하여, 유기 발광 소자의 구동 중 전자수송층의 계면으로의 정공의 축적을 최소화하면서 정공차단의 역할을 동시에 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 하기 식 2를 만족한다.
[식 2]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000010
식 2에 있어서,
ΔIP는 상기 식 1을 만족하는 화합물의 이온화 퍼텐셜 값과 상기 발광층의 호스트 재료의 이온화 퍼텐셜 값의 차를 의미한다.
발광층을 형성하는 호스트 재료의 이온화 포텐셜과 상기 식 1을 만족하는 화합물의 이온화 포텐셜의 차이(△IP = IP(식 1을 만족하는 화합물) - IP(발광층 호스트 재료))는 바람직하게는 -0.5 eV < △IP < 0.5 eV이다. 본 명세서의 일 실시상태에 따라, △IP를 상기 범위로 하면, 발광층과 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층의 이온화 포텐셜의 차이에 의한 정공의 축적을 회피하여 전압상승을 억제할 수 있고 동시에 정공차단의 역할을 하여 정공누수로 인한 효율 및 수명저하 현상을 방지할 수 있다.
본 명세서에서 상기 이온화 퍼텐셜은 재료에 단색화장치로 분광한 중수소 램프의 빛(여기광)을 조사하고, 방출된 광전자 방출을 전위계로 측정하여, 수득된 광전자 방출의 조사 광자 에너지 곡선으로부터의 광전자 방출의 역치를 외삽법에 의해 구하여 측정했다. 측정 기기로서는 대기중 자외선 광전자 분석장치 AC-3 (RIKEN KEIKI LTD.CO 제품)을 이용했다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물의 전자 이동도는 0.1 MV/cm 전계 조건에서 10-7 cm2/Vs 이상이다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물의 전자 이동도는 0.1 MV/cm 전계 조건에서 10-7 cm2/Vs 이상 102 cm2/Vs 이하이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물의 정공 이동도는 0.1 MV/cm 전계 조건에서 10-7 cm2/Vs 이상이다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물의 정공 이동도는 0.1 MV/cm 전계 조건에서 10-7 cm2/Vs 이상 102 cm2/Vs 이하이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따라, 식 1을 만족하는 화합물의 전자 이동도 및/또는 식 1을 만족하는 화합물의 정공 이동도가 상기의 범위를 만족하는 경우에는 발광층에 전달되는 정공 및/또는 전자의 양이 적절하여 발광 효율이 우수하며, 발광층 내에서 엑시톤의 형성되는 위치의 조절이 용이하다.
전자 이동도 및 정공 이동도는 당업계에서 사용되는 방법으로 측정할 수 있다. 구체적으로 비행 시간법 (TOF; Time of Flight) 또는 공간 전하 제한된 전류 (SCLC; Space Charge Limited Current) 측정의 방법을 사용할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.
본 명세서에서 정공 이동도는 당업계에서 사용되는 방법으로 측정할 수 있다. 구체적으로 비행 시간법 (TOF; Time of Flight) 또는 공간 전하 제한된 전류 (SCLC; Space Charge Limited Current) 측정의 방법을 사용할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1로 표시되는 화합물의 비행 시간법(TOF; Time of Flight)으로 측정한 전하이동도는 10-7 cm2/Vs 이상이다.
본 명세서에서 공간 전하 제한된 전류 (SCLC; Space Charge Limited Current)를 측정하기 위하여 물질의 막 두께를 1000 nm이상으로 하여 전하이동도를 측정할 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, ITO 기판 상에 바소페난트롤린(Bathophenanthroline)과 리튬 퀴놀레이트 (2%)를 진공 중에서 가열하여 100 nm 두께로 증착한 후, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 200 nm 증착하였다. 상기 층 위에 바소페난트롤린(Bathophenanthroline)과 리튬 퀴놀레이트 (2%)를 다시 100 nm 두께로 증착한 후, 알루미늄 (aluminium)을 100 nm 이상 증착하여, 샘플을 제조하였다. 상기 샘플의 전압 (Voltage) 에 대한 전류밀도 (currently density: mA/cm2)를 측정하여, 공간 전하 제한된 전류 (SCLC; Space Charge Limited Current)영역에서 전자이동도를 계산할 수 있다.
또한, ITO 기판 상에 헥사니트릴 헥사아자트릴페닐렌을 진공 중에서 가열하여 5 nm 두께로 증착한 후, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 200 nm 증착한 후, 알루미늄(aluminium)을 100 nm 이상 증착하여, 샘플을 제조하였다. 상기 샘플의 전압(Voltage)에 대한 전류밀도(currently density: mA/cm2)를 측정하여, 공간 전하 제한된 전류 SCLC; Space Charge Limited Current) 영역에서 정공이동도를 계산할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송과 전자주입을 동시에 하는 층이다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 따르면 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층이다.
본 명세서의 다른 실시상태에 따르면 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자주입 및 전자수송층이다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서 전자주입층이 구비되지 않은 경우에는 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자주입과 전자수송층의 역할을 동시에 할 수 있다.
또한, 본 명세서의 다른 실시상태에 따르면 상기 유기 발광 소자는 캐소드와 발광층 사이에 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층만을 포함할 수 있다. 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 캐소드와 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층 사이; 또는 발광층과 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층 사이에 추가의 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 발광층과 접하여 구비된다. 이 경우, 캐소드에서 발광층으로 수송되는 전자를 더욱 효과적으로 조절할 수 있다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층과 접하여 구비되는 발광층은 550nm 이하의 광발광 스펙트럼의 피크 파장을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 2층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층과 가장 인접한 발광층은 550nm 이하의 광발광 스펙트럼의 피크 파장을 포함하고, 나머지 발광층은 다른 피크 파장을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 가장 인접한 발광층이란 복수 개의 발광층 중 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층과 물리적으로 가장 가까운 발광층을 의미하며, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층과 접하여 구비된 발광층뿐만 아니라, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층과 발광층 사이에 추가의 유기물층을 포함한 경우도 의미할 수 있다.
본 명세서에서 바람직하게는 상기 유기 발광 소자는 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층과 접하여 구비되는 발광층은 550nm 이하의 광발광 스펙트럼의 피크 파장을 포함한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 유기기로는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또한, 상기 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 된다.
본 명세서에서 1가의 유기기란 유기 화합물에 결합 위치가 1개 있는 1가기를 의미한다.
또한, 상기 유기기는 환상구조를 형성할 수도 있으며, 발명의 효과가 손상되지 않는 한 헤테로 원자를 포함하여 결합을 형성할 수 있다.
구체적으로 산소 원자, 질소 원자, 규소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 들 수 있다. 구체예로는, 시아노 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-A)-,-C(=NA)-: A은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다), 카보네이트 결합, 설포닐 결합, 설피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있으며, 이를 한정하지 않는다.
상기 환상 구조로는 전술한 방향족 고리, 지방족고리 등이 있을 수 있으며, 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 및 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 특히 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 아릴아민기; 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 트리페닐레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure PCTKR2015007010-appb-I000011
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 싸이오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조싸이오펜기, 디벤조싸이오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 헤테로고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에서 상기 탄화수소고리는 지방족, 방향족 또는 지방족과 방향족의 축합고리일 수 있으며, 1가기가 아닌 것을 제외하고, 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다. 상기 헤테로고리는 지방족, 방향족 또는 지방족과 방향족의 축합고리일 수 있으며, 1가기가 아닌 것을 제외하고, 상기 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물은 적어도 함질소 헤테로고리기를 갖는다.
본 명세서의 상기 함질소 헤테로고리는 식 1을 만족하는 화합물에서 n-타입 구조로 작용할 수 있다.
본 명세서에서 상기 함질소 헤테로고리기는 5원환 또는 6원환일 수 있으며, 상기 5원환 또는 6원환을 포함하는 고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 함질소 헤테로고리기는 하기 구조 중 어느 하나이다.
Figure PCTKR2015007010-appb-I000012
X1 내지 X3는 각각 N 또는 CR이고,
상기 R은 1가의 유기기이며,
상기 구조에 탄화수소고리 또는 헤테로고리가 축합될 수 있다.
본 명세서에서 탄화수소 고리 또는 헤테로고리가 축합된다는 것의 의미는 상기 구조에 탄화수소고리 또는 헤테로고리가 서로 결합하여 다환의 고리를 형성하는 것을 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 함질소 헤테로고리기는 하기 구조 중 어느 하나이다.
Figure PCTKR2015007010-appb-I000013
상기 구조는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물은 p-타입 구조를 갖는다. 본 명세서에서 p-타입 구조란, 쉽게 산화되고, 산화 시에 전기 화학적으로 안정한 상태를 갖는 치환기를 의미하며, 산화성 도너를 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p-타입 구조는 하기 구조 중 어느 하나이다.
Figure PCTKR2015007010-appb-I000014
상기 구조는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
본 명세서에서 상기 식 1을 만족하는 화합물이 함질소 헤테로고리기 또는 p-타입 구조를 갖는다는 의미는 화합물 구조 내에서 코어 구조로 포함되는 경우뿐만 아니라, 치환기로서 포함되는 경우도 포함되는 경우도 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000015
화학식 1에 있어서,
Het는 치환 또는 비치환된 함질소 헤테로고리기이고,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
D1은 치환 또는 비치환된 p-타입 구조다.
상기 화학식 1에서의 함질소 헤테로고리기 및 p-타입 구조는 전술한 바와 동일할 수 있다.
본 명세서에서 상기 함질소 헤테로고리는 식 1을 만족하는 화합물에서 n-타입 구조로 작용하며, 상기 p-타입 구조와 연결되어, 바이폴라(bipolar)타입의 구조를 제공할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 캐소드와 발광층 사이에 구비되는 화합물은 바이 폴라 타입으로 산화와 환원 상태에서 모두 안정하여 발광 효율이 우수하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 비페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합이다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 1,3-페닐렌기이다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 L은 1,4-페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 헤테로고리기로 치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 함질소 헤테로고리기로 치환된 페닐렌기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 L은 카바졸기로 치환된 페닐렌기이다.
다른 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 비페닐렌기이다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 L은 비페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 L은 터페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 L은 나프틸렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 1,2- 나프틸렌기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 Het는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다,
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Het는 시아노기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜; 및 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란으로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Het는 시아노기; 메틸기; 페닐기; 카바졸기로 치환된 페닐기; 비페닐기; 페닐기로 치환된 플루오레닐기; 디벤조티오펜기로 치환된 피리딘기로 치환된 나프틸기; 디벤조퓨란기로 치환된 피리딘기로 치환된 나프틸기; 디벤조티오펜기로 치환된 피리미딘기로 치환된 나프틸기; 카바졸기; 디벤조티오펜기; 및 디벤조퓨란기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 D1은 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 D1은 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 및 치환 또는 비치환된 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 D1은 중수소; 메틸기; 페닐기; 아릴기로 치환된 트리아진기로 치환된 페닐기; 아릴기로 치환된 피리미딘기로 치환된 페닐기; 알킬기로 치환된 이미다졸기로 치환된 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 D1은 중수소; 메틸기; 페닐기; 페닐기로 치환된 트리아진기로 치환된 페닐기; 페닐기로 치환된 피리미딘기로 치환된 페닐기; 메틸기로 치환된 이미다졸기로 치환된 페닐기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1을 만족하는 화합물은 하기 화합물 1 내지 100 중 어느 하나로 표시된다.
Figure PCTKR2015007010-appb-I000016
Figure PCTKR2015007010-appb-I000017
Figure PCTKR2015007010-appb-I000018
Figure PCTKR2015007010-appb-I000019
Figure PCTKR2015007010-appb-I000020
Figure PCTKR2015007010-appb-I000021
Figure PCTKR2015007010-appb-I000022
본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자차단층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 애노드 물질부터 유기물층, 캐소드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 1층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공 주입층, 정공 수송층, 전자수송층, 전자주입층, 전자차단층 및 정공 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1 층 또는 2 층 이상을 더 포함할 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타난 것도 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(101) 위에 애노드(201), 정공 수송층(301), 발광층(401), 전자수송층(501) 및 캐소드(601)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 도 1에서 상기 전자수송층(501)에는 식 1을 만족하는 화합물이 포함된다.
상기 도 1은 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 형광 발광층은 호스트 물질로 디스티릴아릴렌(distyrylarylene; DSA), 디스티릴아릴렌 유도체, 디스티릴벤젠(distyrylbenzene; DSB), 디스티릴벤젠 유도체, DPVBi (4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl), DPVBi 유도체, 스피로-DPVBi 및 스피로-6P(spiro-sexyphenyl)로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상이 선택된다.
상기 형광 발광층은 도펀트 물질로 스티릴아민(styrylamine)계, 페릴렌(pherylene)계 및 DSBP(distyrylbiphenyl)계로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상이 선택된다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공 차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 하부 전극이 애노드이고 상부전극이 캐소드인 정구조(normal type)일 수 있고, 하부전극이 캐소드이고 상부전극이 애노드인 역구조(inverted type)일 수도 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 구조는 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
실험예 1.
상기 화합물 1 내지 100으로 표시되는 화합물의 식 1의 값을 하기 표 1에 기재하였다.
식 1에서 분자 구조의 최적화 및 각각의 에너지의 계산은 엑설리스(Accelrys)사의 양자 화학 계산 프로그램인 Dmol3를 이용하여, BPW91 범함수와 dnd 기저함수를 이용하여 밀도범함수 이론(DFT)으로 구하였다.
화합물 1 화합물 2 화합물 3 화합물 4
0.14 0.16 0.2 0.07
화합물 6 화합물 13 화합물 25 화합물 32
0.14 0.1 0.02 0.04
화합물 33 화합물 34 화합물 35 화합물 37
0.13 0.08 0.14 0.08
화합물 38 화합물 39 화합물 40 화합물 41
0.11 0.07 0.1 0.12
화합물 42 화합물 44 화합물 45 화합물 46
0.15 0.1 0.09 0.1
화합물 47 화합물 48 화합물 49 화합물 50
0.1 0.14 0.12 0.11
화합물 51 화합물 52 화합물 53 화합물 54
0.16 0.08 0.1 0.09
화합물 55 화합물 56 화합물 57 화합물 61
0.12 0.13 0.23 0.17
화합물 62 화합물 63 화합물 64 화합물 65
0.07 0.12 0.1 0.06
화합물 66 화합물 67 화합물 68 화합물 69
0.1 0.1 0.17 0.04
화합물 70 화합물 71 화합물 72 화합물 73
0.2 0.13 0.09 0.21
화합물 74 화합물 75 화합물 76 화합물 77
0.26 0.18 0.18 0.07
화합물 78 화합물 79 화합물 81 화합물 86
0.17 0.09 0.1 0.05
화합물 87 화합물 88 화합물 89 화합물 90
0.22 0.18 0.14 0.09
화합물 91 화합물 92 화합물 93 화합물 94
0.11 0.09 0.23 0.1
화합물 95 화합물 100
0.12 0.17
<실시예>
<실시예 1> 유기 발광 소자의 제조
ITO (indium tin oxide)가 1,000 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며 증류수로는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 건식 세정한 후 진공 증착기로 기판을 이송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 화합물인 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 (hexanitrilehexaazatriphenylene: 이하 HAT라 함)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 박막을 형성하였다. 이 박막에 의하여 기판과 정공주입층 사이의 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 이어서, 상기 박막 위에 하기 화학식 HT-1의 화합물을 400Å의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하고, 그 위에 하기 EB-1의 화합물을 250Å의 두께로 증착하여 전자차단층을 형성하였다. 그 위에 발광층의 호스트로 하기 H1과 도판트로 하기 D1의 화합물을 200 Å 두께로 진공증착하였다. 상기 발광층 위에 상기 화합물 2의 전자수송층물질과 리튬 퀴놀레이트(LiQ, Lithium Quinolate)를 1: 1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드 (LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.3 ~ 0.8 Å/sec로 유지하였다. 또한, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 1.5 ~ 2.5 Å/sec의 증착 속도를 유지하였다. 증착시 진공도는 1 ~ 3 × 10-7로 유지하였다.
Figure PCTKR2015007010-appb-I000023
<실시예 2>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 13을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 3> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 25를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 4> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 35를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 5> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 37을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 6> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 38을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 7> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 39를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 8> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 41을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 9> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 42를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 10> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 44를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 11> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 48을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 12> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 52를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 13> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 55을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 14> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 56을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 15> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 57을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 16> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 61을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 17> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 69를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 18> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 94를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실시예 19> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 화합물 100을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-1을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-1]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000024
λ- - λ+ = -0.01
<비교예 2> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-2를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-2]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000025
λ- - λ+ = -0.07
<비교예 3> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-3을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-3]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000026
λ- - λ+ = -0.01
<비교예 4> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-4을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-4]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000027
λ- - λ+ = -0.02
<비교예 5> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-5을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-5]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000028
λ- - λ+ = -0.08
<비교예 6> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-6을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-6]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000029
λ- - λ+ = -0.04
<비교예 7> 유기 발광 소자의 제조
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-7을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-7]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000030
λ- - λ+ = -0.04
<비교예 8>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-8을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-8]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000031
λ- - λ+ = 0.35
<비교예 9>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-9를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-9]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000032
λ- - λ+ = 0.36
<비교예 10>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-10을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-10]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000033
λ- - λ+ = -0.08
<비교예 11>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-11을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-11]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000034
λ- - λ+ = -0.1
<비교예 12>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-12를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-12]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000035
λ- - λ+ = 0.46
<비교예 13>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-13을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-13]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000036
λ- - λ+ = 0.45
<비교예 14>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-14를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-14]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000037
λ- - λ+ = -0.01
<비교예 15>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-15를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-15]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000038
λ- - λ+ = -0.01
<비교예 16>
상기 실시예 1에서 상기 화합물 2 대신 하기 화학식 ET-16을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[화학식 ET-16]
Figure PCTKR2015007010-appb-I000039
λ- - λ+ = -0.02
<비교예 17>
상기 실시예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 2를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 18>
상기 실시예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 13을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 19>
상기 실시예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 35를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 20>
상기 실시예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 39를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 21>
상기 실시예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 56을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 22>
상기 실시예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 57을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 23>
상기 실시예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 61을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 24>
상기 비교예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 2를 사용한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 25>
상기 비교예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 13을 사용한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 26>
상기 비교예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 35를 사용한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 27>
상기 비교예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 39를 사용한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 28>
상기 비교예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 56을 사용한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 29>
상기 비교예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 57을 사용한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 30>
상기 비교예 1에서 화학식 H1 대신 발광층의 호스트 물질로 화합물 61을 사용한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
전술한 방법으로 제조한 유기 발광 소자를 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 98%가 되는 시간(LT98)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
전압(V) 전류효율 (cd/A) 색좌표 (x,y) Life Time 98 at 20mA/cm2
실시예 1 3.98 5.66 (0.137, 0.142) 43
실시예 2 4.18 5.78 (0.138, 0.142) 59
실시예 3 4.1 5.65 (0.138, 0.143) 44
실시예 4 4.02 5.78 (0.139, 0.143) 35
실시예 5 3.89 5.88 (0.138, 0.142) 43
실시예 6 4.01 5.71 (0.139, 0.142) 52
실시예 7 4.01 5.58 (0.138, 0.142) 41
실시예 8 3.98 5.65 (0.138, 0.143) 48
실시예 9 4.11 5.64 (0.138, 0.142) 42
실시예 10 3.99 5.79 (0.138, 0.143) 41
실시예 11 4.07 5.66 (0.138, 0.142) 38
실시예 12 4.01 5.66 (0.139, 0.142) 51
실시예 13 4.01 5.65 (0.139, 0.142) 49
실시예 14 3.71 5.15 (0.138, 0.142) 35
실시예 15 4.04 5.79 (0.138, 0.142) 42
실시예 16 4 5.56 (0.138, 0.142) 71
실시예 17 4.02 5.64 (0.138, 0.142) 49
실시예 18 4.09 5.51 (0.138, 0.142) 55
실시예 19 4 5.57 (0.138, 0.142) 70
비교예 1 4.35 5.15 (0.138, 0.142) 28
비교예 2 4.51 5.05 (0.138, 0.142) 22
비교예 3 4.41 5.21 (0.138, 0.142) 11
비교예 4 4.33 4.99 (0.138, 0.143) 22
비교예 5 4.43 5.11 (0.138, 0.141) 27
비교예 6 4.28 5.25 (0.137, 0.142) 30
비교예 7 4.39 5.16 (0.138, 0.142) 28
비교예 8 4.29 5.05 (0.139, 0.142) 5
비교예 9 4.24 4.84 (0.138, 0.142) 26
비교예 10 4.19 5.06 (0.138, 0.142) 22
비교예 11 4.31 5.03 (0.138, 0.141) 20
비교예 12 4.24 4.79 (0.138, 0.142) 20
비교예 13 4.3 4.89 (0.138, 0.141) 23
비교예 14 4.48 5.01 (0.137, 0.142) 15
비교예 15 4.39 5.06 (0.138, 0.142) 19
비교예 16 4.19 5.15 (0.139, 0.142) 9
비교예 17 4 5.05 (0.138, 0.142) 18
비교예 18 4.05 5.21 (0.139, 0.142) 19
비교예 19 4.04 5.25 (0.138, 0.142) 7
비교예 20 4.03 5.22 (0.138, 0.142) 15
비교예 21 4.42 4.14 (0.138, 0.152) 12
비교예 22 4.5 3.05 (0.138, 0.146) 15
비교예 23 5.11 4.05 (0.138, 0.144) 16
비교예 24 5.01 3.98 (0.138, 0.142) 11
비교예 25 4.51 4.02 (0.138, 0.142) 20
비교예 26 4.64 4.24 (0.138, 0.142) 23
비교예 27 4.6 5.05 (0.138, 0.142) 8
비교예 28 4.75 5.03 (0.138, 0.141) 14
비교예 29 4.55 5.01 (0.138, 0.142) 15
비교예 30 4.32 4.74 (0.138, 0.142) 18
본 명세서의 일 실시상태에 따라, 화학식 1의 화합물에 포함되는 바이폴라 타입의 화합물은 산화 환원 상태에서 안정하여 유기 발광 소자에서 우수한 효율을 기대할 수 있다. 다만, 화학식 1에 포함되는 화합물이더라도 형광 발광을 하는 유기 발광 소자, 특히 청색 형광하는 발광층을 포함하는 유기 발광 소자는 식 1을 추가로 만족해야 한다.
이는 상기 표 2의 실시예 1 내지 19와 비교예 1 내지 16의 결과와 같이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 범위 내이더라도 식 1의 값을 만족하는 경우에는 식 1의 값을 만족하지 않는 경우보다 동일하거나 유사한 색좌표 범위 내에서 낮은 구동전압, 높은 전류 효율을 제공하고, 특히 장수명의 유기 발광 소자를 제공함을 확인할 수 있다.
또한, 비교예 17 내지 30의 결과로 상기 식 1을 만족하는 화합물은 캐소드와 발광층 사이에 구비되는 경우에 유기 발광 소자 내에서 전압, 효율 및/또는 수명 면에서 효과를 발현하는 것을 확인할 수 있다.
이는 식 1의 값이 0 eV를 초과하는 경우 분자 자체가 갖는 전하 장벽을 이용하여 캐소드로부터 발광층으로 전달되는 전자의 양을 조절하여 정공차단층의 구비 없이도 유기 발광 소자의 효율이 상승하나, 식 1의 값이 3 eV를 초과하는 경우, 캐소드로부터 전자 이동에 있어 넘어야 하는 에너지 장벽이 지나치게 커져 발광층으로 전달되는 전자의 양이 과다하게 줄어들어 정공 전자쌍이 서로 만나서 만들어지는 엑시톤의 형성이 감소하게 되어 유기 발광 소자의 효율이 감소하기 때문이다.
따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따라 식 1의 값을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층이 발광층과 캐소드 사이에 구비되는 경우, 높은 효율 및/또는 장수명의 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 애노드;
    캐소드;
    상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층; 및
    상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 유기물층을 포함하고,
    상기 발광층은 형광 도펀트를 포함하며,
    상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 유기물층은 하기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    [식 1]
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000040
    식 1에 있어서,
    λ- 는 음이온 라디컬의 재배향 에너지 값을 의미하고,
    λ+는 양이온 라디컬의 재배향 에너지 값을 의미한다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물의 이온화 퍼텐셜 값은 5.5 eV 이상 6.5 eV 미만인 것인 유기 발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 하기 식 2를 만족하는 것인 유기 발광 소자:
    [식 2]
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000041
    식 2에 있어서,
    ΔIP는 상기 식 1을 만족하는 화합물의 이온화 퍼텐셜 값과 상기 발광층의 호스트 재료의 이온화 퍼텐셜 값의 차를 의미한다.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물의 전자 이동도는 0.1 MV/cm 전계 조건에서 10-7 cm2/Vs 이상인 것인 유기 발광 소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물의 정공 이동도는 0.1 MV/cm 전계 조건에서 10-7 cm2/Vs 이상인 것인 유기 발광 소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 청색 형광 발광을 하는 것인 유기 발광 소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광층은 550nm 이하의 광발광 스펙트럼의 피크 파장을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송과 전자주입을 동시에 하는 층인 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 발광층과 접하여 구비되는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물은 적어도 함질소 헤테로고리기를 갖는 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 함질소 헤테로고리기는 하기 구조 중 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000042
    X1 내지 X3는 각각 N 또는 CR이고,
    상기 R은 1가의 유기기이며,
    상기 구조에 탄화수소고리 또는 헤테로고리가 축합될 수 있다.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 함질소 헤테로고리기는 하기 구조 중 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000043
    상기 구조는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물은 p-타입 구조를 갖는 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 p- 타입 구조는 하기 구조 중 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000044
    상기 구조는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000045
    화학식 1에 있어서,
    Het는 치환 또는 비치환된 함질소 헤테로고리기이고,
    L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    D1은 치환 또는 비치환된 p-타입 구조이다.
  16. 청구항 15에 있어서,
    L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 비페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기인 것인 유기 발광 소자.
  17. 청구항 15에 있어서,
    Het는 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 것인 유기 발광 소자.
  18. 청구항 15에 있어서,
    D1은 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 것인 유기 발광 소자.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 식 1을 만족하는 화합물은 하기 화합물 1 내지 화합물 100 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물:
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000046
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000047
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000048
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000049
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000050
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000051
    Figure PCTKR2015007010-appb-I000052
    .
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.
PCT/KR2015/007010 2014-11-20 2015-07-07 유기 발광 소자 WO2016080622A1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/516,516 US10522762B2 (en) 2014-11-20 2015-07-07 Organic light emitting diode including an organic layer having a compound with at least a nitrogen-containing heteroring group
EP15861716.7A EP3222695B1 (en) 2014-11-20 2015-07-07 Organic light emitting diode
JP2017517708A JP6399533B2 (ja) 2014-11-20 2015-07-07 有機発光素子
CN201580058491.8A CN107075364B (zh) 2014-11-20 2015-07-07 有机发光二极管

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0162927 2014-11-20
KR20140162927 2014-11-20
KR1020140183559A KR101560102B1 (ko) 2014-11-20 2014-12-18 유기 발광 소자
KR10-2014-0183559 2014-12-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016080622A1 true WO2016080622A1 (ko) 2016-05-26

Family

ID=54348516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/007010 WO2016080622A1 (ko) 2014-11-20 2015-07-07 유기 발광 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10522762B2 (ko)
EP (1) EP3222695B1 (ko)
JP (1) JP6399533B2 (ko)
KR (2) KR101560102B1 (ko)
CN (1) CN107075364B (ko)
TW (1) TWI553095B (ko)
WO (1) WO2016080622A1 (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016006039A (ja) * 2014-05-27 2016-01-14 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス
US20160133856A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Lg Display Co., Ltd. Delayed fluorescence compound, and organic light emitting diode and display device using the same
US20170186962A1 (en) * 2015-12-25 2017-06-29 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic electroluminescent compound and organic photoelectric apparatus
CN107528004A (zh) * 2016-06-17 2017-12-29 三星Sdi株式会社 用于有机光电子装置的组合物和有机光电子装置
US10658594B2 (en) 2017-12-06 2020-05-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and novel compound
US11208368B2 (en) 2015-02-16 2021-12-28 Lg Chem, Ltd. Double-spiro type compound and organic light-emitting device containing same
CN114599646A (zh) * 2019-10-31 2022-06-07 秀博瑞殷株式公社 有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置
US11691983B2 (en) 2016-06-22 2023-07-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Specifically substituted benzofuro- and benzothienoquinolines for organic light emitting diodes

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3147286B1 (en) * 2014-05-22 2019-04-03 LG Chem, Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising same
KR101913458B1 (ko) * 2015-04-23 2018-10-30 주식회사 엘지화학 이중 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
EP3305771B1 (en) * 2015-06-03 2021-12-01 LG Chem, Ltd. Organic light emitting device including a heterocyclic compound
EP3328841B1 (en) 2015-07-30 2023-10-11 Merck Patent GmbH Materials for organic electroluminescent devices
CN107108408B (zh) * 2015-10-26 2020-08-21 株式会社Lg化学 螺环型化合物和包含其的有机发光器件
KR102000177B1 (ko) 2015-10-26 2019-07-16 주식회사 엘지화학 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102054039B1 (ko) * 2015-10-27 2019-12-10 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102000171B1 (ko) 2015-10-28 2019-07-16 주식회사 엘지화학 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2017073931A1 (ko) * 2015-10-28 2017-05-04 주식회사 엘지화학 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102458043B1 (ko) * 2015-11-25 2022-10-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR101742436B1 (ko) * 2015-12-15 2017-05-31 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2017105041A1 (ko) * 2015-12-15 2017-06-22 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101832084B1 (ko) * 2016-01-26 2018-02-23 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101913926B1 (ko) * 2016-02-11 2018-10-31 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101999709B1 (ko) 2016-03-21 2019-07-12 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US9944627B2 (en) * 2016-05-09 2018-04-17 National Taiwan University Spiroacridine-triazine hybrids and applications for electroluminescent devices
KR102030229B1 (ko) * 2016-11-09 2019-10-08 주식회사 엘지화학 이온화 퍼텐셜을 이용한 유기형광물질의 내광성 예측 방법
KR101959514B1 (ko) 2017-02-21 2019-03-18 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN109564974B (zh) * 2017-03-08 2023-03-31 株式会社Lg化学 有机发光器件
KR102016081B1 (ko) 2017-04-27 2019-08-29 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102070941B1 (ko) * 2017-06-21 2020-01-29 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
US20190198772A1 (en) 2017-06-22 2019-06-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, composition for organic optoelectronic device and organic optoelectronic device and display deivce
KR102008897B1 (ko) 2017-06-22 2019-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101947747B1 (ko) 2018-05-04 2019-02-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP7081742B2 (ja) * 2018-09-20 2022-06-07 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
US20220123218A1 (en) * 2018-09-28 2022-04-21 Lg Chem, Ltd. Organic electroluminescent device
KR102275732B1 (ko) 2019-02-01 2021-07-08 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자에 사용되는 전자수송물질 및 정공차단물질의 스크리닝 방법
JP2023501280A (ja) * 2019-10-31 2023-01-18 ソールブレイン・カンパニー・リミテッド 有機化合物、それを含む有機発光ダイオード、及び該有機発光ダイオードを含む表示装置
CN110981871B (zh) * 2019-12-11 2022-07-22 北京大学深圳研究生院 一种蓝光材料及其制备方法和应用
CN112341458B (zh) * 2020-09-29 2023-04-07 烟台显华化工科技有限公司 一种电子传输材料、有机电致发光器件和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071380A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2009021336A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2012082136A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Tosoh Corp トリアジン誘導体、その製造方法、及びそれを構成成分とする有機半導体素子
KR20140009918A (ko) * 2012-07-13 2014-01-23 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR20140125061A (ko) * 2013-04-18 2014-10-28 (주)경인양행 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US57608A (en) * 1866-08-28 Improvement in horse-power apparatus for elevating hay
JP4344494B2 (ja) * 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP4783526B2 (ja) * 2001-05-23 2011-09-28 本田技研工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2003080760A1 (fr) * 2002-03-22 2003-10-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Materiau pour dispositifs electroluminescents organiques et dispositifs electroluminescents organiques produits avec ce materiau
TWI316827B (en) * 2003-02-27 2009-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electroluminescent device
CN1910960A (zh) * 2004-03-25 2007-02-07 出光兴产株式会社 有机电致发光元件
JP5079231B2 (ja) * 2005-11-16 2012-11-21 三井化学株式会社 薄膜、低分子有機材料および該低分子有機材料からなる該薄膜を含有してなる有機電界発光素子
EP2117063B1 (en) * 2007-02-19 2012-09-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence element
EP2570412B1 (en) * 2008-11-03 2017-01-04 LG Chem, Ltd. Novel nitrogen-containing heterocyclic compound and organic electronic device using the same
DE102008064200A1 (de) * 2008-12-22 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009053382A1 (de) * 2009-11-14 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
KR20120015883A (ko) * 2010-08-13 2012-02-22 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
EP2730634B1 (en) * 2011-07-08 2019-10-09 LG Chem, Ltd. Novel compound and organic electronic device using same
CN107501244B (zh) * 2011-11-22 2022-05-03 出光兴产株式会社 芳香族杂环衍生物、有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件
WO2013077362A1 (ja) * 2011-11-22 2013-05-30 出光興産株式会社 芳香族複素環誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
US20130248830A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Charge transport layers and films containing the same
EP2749560B1 (en) * 2012-04-13 2019-10-02 LG Chem, Ltd. Novel nitrogen-containing heterocyclic compounds and organic electronic device using same
KR101580357B1 (ko) * 2012-06-18 2015-12-24 주식회사 엘지화학 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자
US9614161B2 (en) * 2013-02-06 2017-04-04 Lg Chem, Ltd. Compound and organic electronic element using same
CN105431956B (zh) * 2013-07-29 2020-02-28 默克专利有限公司 电光器件及其用途
JP6288092B2 (ja) * 2013-08-16 2018-03-07 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光装置、照明装置、表示装置及び電子機器
WO2015135624A1 (de) * 2014-03-13 2015-09-17 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
EP3147286B1 (en) * 2014-05-22 2019-04-03 LG Chem, Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising same
US9997716B2 (en) * 2014-05-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101772746B1 (ko) * 2014-08-12 2017-08-30 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR101803599B1 (ko) * 2014-09-12 2017-12-01 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
WO2016062376A1 (de) * 2014-10-24 2016-04-28 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
CN106716665B9 (zh) * 2014-10-27 2018-12-07 株式会社Lg化学 有机电致发光器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071380A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2009021336A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2012082136A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Tosoh Corp トリアジン誘導体、その製造方法、及びそれを構成成分とする有機半導体素子
KR20140009918A (ko) * 2012-07-13 2014-01-23 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR20140125061A (ko) * 2013-04-18 2014-10-28 (주)경인양행 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3222695A4 *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016006039A (ja) * 2014-05-27 2016-01-14 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス
US20160133856A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Lg Display Co., Ltd. Delayed fluorescence compound, and organic light emitting diode and display device using the same
US9954186B2 (en) * 2014-11-12 2018-04-24 Lg Display Co., Ltd. Delayed fluorescence compound, and organic light emitting diode and display device using the same
US10135005B2 (en) 2014-11-12 2018-11-20 Lg Display Co., Ltd. Delayed fluorescence compound, and organic light emitting diode and display device using the same
US10193085B2 (en) 2014-11-12 2019-01-29 Lg Display Co., Ltd. Delayed fluorescence compound, and organic light emitting diode and display device using the same
US10651399B2 (en) 2014-11-12 2020-05-12 Lg Display Co., Ltd. Delayed fluorescence compound, and organic light emitting diode and display device using the same
US11208368B2 (en) 2015-02-16 2021-12-28 Lg Chem, Ltd. Double-spiro type compound and organic light-emitting device containing same
US10700287B2 (en) 2015-12-25 2020-06-30 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic electroluminescent compound and organic photoelectric apparatus
US20170186962A1 (en) * 2015-12-25 2017-06-29 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic electroluminescent compound and organic photoelectric apparatus
CN107528004A (zh) * 2016-06-17 2017-12-29 三星Sdi株式会社 用于有机光电子装置的组合物和有机光电子装置
CN107528004B (zh) * 2016-06-17 2019-06-14 三星Sdi株式会社 用于有机光电子装置的组合物和有机光电子装置
US11691983B2 (en) 2016-06-22 2023-07-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Specifically substituted benzofuro- and benzothienoquinolines for organic light emitting diodes
US10672989B2 (en) 2017-12-06 2020-06-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and novel compound
US10658594B2 (en) 2017-12-06 2020-05-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and novel compound
CN114599646A (zh) * 2019-10-31 2022-06-07 秀博瑞殷株式公社 有机化合物、包含其的有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3222695A4 (en) 2018-08-01
US10522762B2 (en) 2019-12-31
TWI553095B (zh) 2016-10-11
JP6399533B2 (ja) 2018-10-03
KR101560102B1 (ko) 2015-10-13
EP3222695B1 (en) 2021-06-02
US20180269402A1 (en) 2018-09-20
TW201619350A (zh) 2016-06-01
CN107075364A (zh) 2017-08-18
KR101764973B1 (ko) 2017-08-04
CN107075364B (zh) 2020-05-22
JP2017535071A (ja) 2017-11-24
EP3222695A1 (en) 2017-09-27
KR20160060539A (ko) 2016-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016080622A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2016028005A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2016039501A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2017204594A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2016171406A2 (ko) 유기 발광 소자
WO2019143151A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2014010824A1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
WO2019235873A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2014081168A1 (ko) 플루오란텐 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
WO2016204453A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2014123392A1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2017188679A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2016039500A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2019245160A9 (ko) 유기 발광 소자
WO2018021714A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2013191429A1 (ko) 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 포함한 유기 전자소자
WO2017119792A1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
WO2016195370A1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2016024728A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2019182402A1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2014014307A1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
WO2017188680A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2019146946A1 (ko) 유기발광소자
WO2016148382A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2017039388A1 (ko) 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15861716

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017517708

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15516516

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015861716

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015861716

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE