WO2016047130A1 - ホールセンサ及びレンズモジュール - Google Patents

ホールセンサ及びレンズモジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2016047130A1
WO2016047130A1 PCT/JP2015/004806 JP2015004806W WO2016047130A1 WO 2016047130 A1 WO2016047130 A1 WO 2016047130A1 JP 2015004806 W JP2015004806 W JP 2015004806W WO 2016047130 A1 WO2016047130 A1 WO 2016047130A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sealing member
external terminal
hall element
height
hall sensor
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/004806
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
敏昭 福中
Original Assignee
旭化成エレクトロニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 旭化成エレクトロニクス株式会社 filed Critical 旭化成エレクトロニクス株式会社
Priority to CN201590000985.6U priority Critical patent/CN207067372U/zh
Priority to JP2016549952A priority patent/JP6392882B2/ja
Publication of WO2016047130A1 publication Critical patent/WO2016047130A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18165—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a wire bonded chip

Definitions

  • the present invention relates to a hall sensor and a lens module.
  • the magnetic sensor described in Patent Document 1 is an islandless structure magnetic sensor using a pellet (magnetic sensor chip such as a Hall element), and can prevent an increase in leakage current even when the pellet is reduced in size and thickness.
  • the present invention relates to a magnetic sensor.
  • the magnetic sensor includes a pellet, a plurality of lead terminals disposed around the pellet, a plurality of lead wires electrically connecting the plurality of electrode portions and the plurality of lead terminals of the pellet, and a plurality of pellets.
  • An insulating layer that covers the surface opposite to the surface having the electrode portion, and a resin member that covers the pellet and the plurality of conductive wires, and is connected to at least a part of the insulating layer and each of the conductive wires of the plurality of lead terminals. At least a part of the surface opposite to the surface is a magnetic sensor exposed from the resin member.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining a problem of the Hall sensor according to the present invention.
  • the hall sensor 400 includes a hall element 310, a lead terminal 325 serving as a power supply terminal arranged around the hall element 310, and a lead terminal 327 connected to a ground potential.
  • Each electrode portion and each lead terminal provided on the Hall element 310 are connected by a conductive wire 343, and each lead terminal and the Hall element 310 are fixed by a mold resin 350.
  • the lead terminals 325 and 327 are connected to the wiring pattern 451 of the wiring board 450 through solder (solder) 370.
  • Reference numeral 440 indicates an insulating layer.
  • the present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a Hall sensor and a lens module that are thin and capable of accurately detecting magnetism.
  • a Hall element having a substrate, a magnetic sensitive part provided on or in the substrate, and a plurality of electrode parts connected to the magnetic sensitive part, and disposed around the Hall element A plurality of external terminals, a plurality of conductors electrically connecting each of the electrode portions of the plurality of electrode portions and each of the external terminals of the plurality of external terminals, the magnetically sensitive portion of the Hall element, the plurality of the plurality of external terminals A conductive member and a sealing member that covers at least a part of each of the external terminals, wherein each of the external terminals is connected to each of the plurality of conductive wires, and the second surface A first surface on the opposite side, the first surface exposed from the bottom surface of the sealing member, and a first connection between the electrode portions and the conductive wires from the bottom surface of the sealing member.
  • the height to the point is from the bottom surface of the sealing member to the second connection point between each external terminal and each conductor. It is lower
  • each said external terminal is exposed from the side surface of the said sealing member.
  • at least one of the plurality of external terminals has a step on the second surface, and the plurality of external terminals have the step.
  • the external terminal having the step has a first part on the side close to the Hall element, has a second part on the side far from the Hall element, and the bottom of the sealing member
  • the height from the bottom surface of the sealing member to the second surface in the first portion is lower than the height from the bottom surface of the sealing member to the second surface in the second portion, and each of the conductive wires has the step.
  • the second terminal of the external terminal is connected at the second surface.
  • the substrate further includes an insulating layer provided on a surface opposite to the surface on which the plurality of electrode portions are provided. It is exposed from the bottom surface of the sealing member.
  • the plurality of external terminals include first to fourth external terminals, and the first to fourth external terminals are the first external terminals.
  • a virtual straight line connecting the terminal and the third external terminal and a virtual straight line connecting the second external terminal and the fourth external terminal are arranged so as to intersect in plan view, and the Hall element
  • the substrate is rectangular in plan view, and in plan view, the four vertices of the substrate of the Hall element are regions between the first external terminal and the second external terminal, and the second external Arranged in a region between the terminal and the third external terminal, a region between the third external terminal and the fourth external terminal, and a region between the fourth external terminal and the first external terminal Has been.
  • a Hall element having a substrate, a magnetic sensing portion provided on or in the substrate, and an electrode portion, an external terminal disposed around the Hall element, the electrode portion and the external portion A conductive wire connecting the terminal, and a magnetic member of the Hall element, the conductive wire, and a sealing member that covers a second surface to which the conductive wire of the external terminal is connected.
  • the first surface opposite to the second surface is exposed from the bottom surface of the sealing member, and the height from the bottom surface of the sealing member to the first contact point between the electrode portion and the conducting wire is:
  • the Hall sensor is lower than a height from a bottom surface of the sealing member to a second contact point between the external terminal and the conducting wire.
  • the electrode portion includes first to fourth electrode portions
  • the external terminal includes first to fourth external terminals
  • the conductive wire includes the first wire.
  • the height to the first contact point with the conducting wire is lower than the height from the bottom surface of the sealing member to the second contact point between the first external terminal and the first conducting wire.
  • the height from the bottom surface of the sealing member to the third contact point between the second electrode portion and the second conducting wire is from the bottom surface of the sealing member to the first A fifth contact point between the third electrode portion and the third lead wire from the bottom surface of the sealing member, which is lower than the height of the second external terminal and the second lead wire to the fourth contact point. Is lower than the height from the bottom surface of the sealing member to the sixth contact point between the third external terminal and the third conductor, and from the bottom surface of the sealing member to the fourth
  • the height from the bottom surface of the sealing member to the eighth contact point between the fourth external terminal and the fourth conductor is as high as the seventh contact point between the electrode portion and the fourth conductor. Lower than that.
  • the substrate is a GaAs substrate, and an insulating layer is provided on a surface of the substrate opposite to the surface on which the electrode portion is provided. Further, the electrode portion is connected to the magnetic sensing portion, and the insulating layer is exposed from the bottom surface of the sealing member.
  • a Hall sensor having a rectangular parallelepiped shape and having an external terminal formed on a bottom surface, connected to a semiconductor substrate, a magnetic sensitive part provided on or in the semiconductor substrate, and the magnetic sensitive part
  • a hall element having an electrode portion to be connected, an external terminal arranged around the hall element in a top view, a conductor connecting the electrode section and the external terminal, a magnetic sensing portion of the hall element, and the conductor
  • a sealing member that seals at least a part of the external terminal, and the Hall element is disposed in a space between adjacent external terminals in a cross-sectional view from a side surface including the long side of the rectangular shape. Hall sensor included.
  • a hall sensor and a lens module that are thin and can accurately detect magnetism.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining a problem of the Hall sensor according to the present invention.
  • FIGS. 2A to 2C are configuration diagrams for explaining the first embodiment of the Hall sensor according to the present invention.
  • FIG. 3 is an overall perspective view of the Hall sensor shown in FIGS. 4A and 4B are configuration diagrams of specific Hall sensors.
  • 5A and 5B are views showing a lead frame of the Hall sensor according to the first embodiment.
  • FIGS. 2A to 2C are configuration diagrams for explaining the first embodiment of the Hall sensor according to the present invention
  • FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2 (b) is a plan view of FIG. 2 (a)
  • FIG. 2 (c) is a bottom view of FIG. 2 (a)
  • FIG. 3 is an overall perspective view of the Hall sensor shown in FIGS. 2 (a) to 2 (c). Is shown.
  • Ga represents a half-etched surface
  • Gb represents a portion subjected to half-etching on the back surface.
  • the Hall sensor 100 includes a Hall element 10, a plurality of lead terminals 21a to 21d (first to fourth external terminals), a plurality of conductors 31a to 31d (first to fourth conductors), and a seal.
  • the member 50 is provided.
  • the Hall element 10 includes a substrate 11, a magnetic sensing portion 12 provided on the substrate 11 (or in the substrate 11), and a plurality of electrode portions 13a to 13d (first to fourth) connected to the magnetic sensing portion 12. Electrode portion).
  • FIG. 2A the case where the magnetic sensitive part 12 is provided on the substrate 11 is shown in an enlarged view.
  • the plurality of lead terminals 21 a to 21 d are arranged so as to surround the four corners of the Hall element 10 around the Hall element 10, that is, along the bottom surface of the sealing member 50. Further, it may be arranged in the four corner regions of the Hall sensor 100 in a top view.
  • the plurality of conductive wires 31a to 31d electrically connect each of the electrode portions 13a to 13d of the plurality of electrode portions 13a to 13d and each of the lead terminals 21a to 21d of the plurality of lead terminals 21a to 21d.
  • the sealing member 50 covers the Hall element 10, the plurality of lead terminals 21a to 21d, and the plurality of conductive wires 31a to 31d.
  • Each lead terminal 21a to 21d has a second surface M2 connected to each of the conductive wires 31a to 31d and a first surface M1 opposite to the second surface M2, and this first surface. M1 is exposed from the bottom surface E of the sealing member 50.
  • the height h1 from the bottom surface E of the sealing member 50 to the first contact point a between the electrode portions 13a to 13d and the conductive wires 31a to 31d is from the bottom surface E of the sealing member 50 to the lead terminals 21a to 21a.
  • or 31d are comprised so that it may become lower than the height h2 to the 2nd contact point b.
  • the Hall sensor has a rectangular shape, and is arranged so that the Hall element is included in the space between the adjacent external terminals in a cross-sectional view from the side surface S including the long side on the rectangular shape. From the viewpoint of miniaturization, the Hall element may be disposed at an angle of 45 degrees with respect to the side of the rectangular Hall sensor in a top view. In that case, when viewed in a cross-section from the side surface S including the long side on the rectangular shape, the space between the adjacent external terminals is arranged so that the Hall element is included in the height direction.
  • the relationship between the height h1 from the bottom surface E of the sealing member 50 to the first contact point a and the height h2 from the bottom surface E of the sealing member 50 to the second contact point b is h1 ⁇ h2.
  • the Hall sensor of Embodiment 1 has a relationship of h1 ⁇ h2, the conducting wires 31a to 31d are unlikely to contact the edge of the substrate 11 of the Hall element, and a leak current is unlikely to occur. Thereby, it is possible to realize a hall sensor that is thin and capable of accurately detecting magnetism.
  • the Hall sensor according to the first embodiment has a structure in which the contact between the edge of the lead terminal and the lead wire is likely to occur.
  • h1 is preferably not less than 0.2 ⁇ h2 and less than h2. More preferably, it is 0.4 ⁇ h2 or more and less than h2, and further preferably 0.4 ⁇ h2 or more and 0.99 ⁇ h2. Furthermore, h1 may be not less than 0.4 ⁇ h2 and not more than 0.95 ⁇ h2.
  • the lead terminals 21 a to 21 d are exposed from the side surface S of the sealing member 50. That is, since the lead terminals 21a to 21d are exposed from the side surface S of the sealing member 50, the portion exposed to the side surface (the bottom electrode) in addition to the portion exposed to the bottom surface of the lead terminals 21a to 21d (the bottom electrode). It can be mounted using side electrodes). In particular, since the ratio of the side electrodes in the entire thickness can be increased, mounting is facilitated. In addition, the contact between the lead terminal and the solder is poor, and it is less likely that continuity cannot be obtained, and the mounting reliability is high. Furthermore, the visibility in the appearance inspection after solder mounting is improved, and it can be easily confirmed whether or not the soldering is performed without any problem.
  • At least one of the plurality of lead terminals 21a to 21d has a step D on the second surface M2. That is, the lead terminal has a step. All of the lead terminals 21a to 21d preferably have a step D on the second surface M2. Further, the plurality of lead terminals 21a to 21d have the first portion N1 on the side close to the Hall element 10 of each lead terminal 21a to 21d having the step D with the step D as a boundary, and the side far from the Hall element 10
  • the height p1 from the bottom surface E of the sealing member 50 to the second surface M2 in the first region N1 is the second portion N2 in the second region N2 from the bottom surface E of the sealing member 50. It is configured to be lower than the height p2 up to the second surface M2.
  • the conductive wires 31a to 31d are connected by the second surface M2 in the second portion N2 of the lead terminals 21a to 21d having a step (D). With such a configuration, it is possible to suppress the conductor from coming into contact with the edge of the lead terminal and being disconnected.
  • the step closest to the Hall element 10 is defined as a step D
  • the side closer to the Hall element 10 with the step D as a boundary is the first portion N1 and the Hall element
  • the side far from 10 is defined as a second portion N2.
  • the step D formed on the second surface M2 of the lead terminals 21a to 21d is sealed with a sealing member 50.
  • the height p1 from the bottom surface E of the sealing member 50 to the second surface M2 in the first part N1 is configured to be lower than the height h1 from the bottom surface E of the sealing member 50 to each of the electrode portions 13a to 13d. Has been.
  • the relationship between the bottom surface E of the sealing member 50 and the height h1 from the electrode portions 13a to 13d has a relationship of p1 ⁇ h1 ⁇ p2.
  • a step D is provided on the circumference of an ellipse or polygon centered on the Hall element 10. That is, the step is provided on the circumference surrounding the Hall element. Since the tip of the collet or capillary is often elliptical or polygonal, it is better to make the step D also elliptical or polygonal. Therefore, the step D is provided in the elliptical or polygonal shape. Yes. Since the tip of the collet or capillary is often circular, it is preferable to provide a step D on the circumference centered on the Hall element 10 in order to prevent contact of the collet or capillary.
  • the plurality of conductive wires 31a to 31d are wire-bonded such that the plurality of electrode portions 13a to 13d are the first bonding and the plurality of lead terminals 21a to 21d are the second bonding.
  • wire bonding is performed from the lower side to the higher side, edge contact is less likely to occur.
  • the edge contact hardly occurs.
  • the distance between the Hall element and the lead terminal can be shortened, and the size can be reduced.
  • the plurality of conductive wires 31a to 31d are wire-bonded such that the plurality of lead terminals 21a to 21d are the first bonding and the plurality of electrode portions 13a to 13d are the second bonding.
  • the substrate 11 further includes an insulating layer 40 provided on the surface opposite to the surface on which the plurality of electrode portions 13a to 13d are provided. The insulating layer 40 is exposed from the bottom surface E of the sealing member 50. The effect of providing the insulating layer 40 will be described in the second embodiment.
  • examples of the insulating layer 40 include an insulating resin layer and an insulating sheet.
  • the insulating layer 40 may be any resistance that is higher than the resistance of the Hall element.
  • the volume resistivity of the insulating layer 40 is preferably 10 8 to 10 20 ( ⁇ ⁇ cm). More preferably, the volume resistivity of the insulating layer 40 is 10 10 to 10 18 ( ⁇ ⁇ cm).
  • the resistance of the insulating layer 40 is 10 10 to 10 18 ( ⁇ )
  • the resistance of the Hall element is usually about 10 9 ⁇ or less. Insulating property.
  • the insulating layer 40 includes, for example, an epoxy thermosetting resin and silica (SiO 2 ) as a filler.
  • the insulating layer 40 is in contact with the back surface of the Hall element 10, that is, the surface opposite to the surface having the magnetic sensing portion 12, and the back surface of the Hall element 10 is covered with the insulating layer 40. It is preferable from the viewpoint of suppressing the occurrence of leakage current that the entire back surface of the Hall element 10 is covered with the insulating layer 40.
  • the thickness of the portion of the insulating layer 40 that covers the back surface of the Hall element 10 is determined by the filler size, and is, for example, 5 ⁇ m or more.
  • Hall element 10 is, for example, a magnetoelectric conversion element such as a Hall element.
  • the Hall element 10 is electrically connected to, for example, a semi-insulating gallium arsenide (GaAs) substrate 11, a magnetic sensing part (active layer) 12 made of a semiconductor thin film formed on the GaAs substrate 11, and the magnetic sensing part 12. And electrode portions 13a to 13d connected to.
  • the magnetic sensing part 12 is, for example, a cross shape in plan view, and electrodes 13a to 13d are provided on the four tip parts of the cross, respectively.
  • a pair of electrodes 13a and 13c facing each other in plan view are input terminals for flowing current to the magnetic sensing portion 12, and another pair of electrodes 13b and 13d facing each other in a direction orthogonal to the line connecting the electrodes 13a and 13c in plan view. Is an output terminal for outputting a voltage from the magnetic sensing unit 12.
  • the surface of the substrate 11 opposite to the surface on which the magnetically sensitive portion (active layer) 12 is provided may be polished.
  • the hall sensor 100 has an islandless structure and has a plurality of lead terminals 21a to 21d for obtaining an electrical connection with the outside. As illustrated in FIG. 2B, the lead terminals 21 a to 21 d are arranged around the Hall element 10, for example, near the four corners of the Hall sensor 100. For example, the lead terminal 21a and the lead terminal 21c are arranged so as to face each other with the Hall element 10 interposed therebetween. Further, the lead terminal 21b and the lead terminal 21d are arranged so as to face each other with the Hall element 10 interposed therebetween.
  • the lead terminals 21 to 21d are arranged such that a straight line (imaginary line) connecting the lead terminal 21a and the lead terminal 21c and a straight line (imaginary line) connecting the lead terminal 21b and the lead terminal 21d intersect in plan view. Each is arranged.
  • the plurality of lead terminals include first to fourth lead terminals, and the first to fourth lead terminals include a virtual straight line connecting the first lead terminal and the third lead terminal and the second lead.
  • the virtual straight line connecting the terminal and the fourth lead terminal is arranged so as to intersect in plan view.
  • the lead terminals 21a to 21d are made of a metal such as copper (Cu), for example.
  • the lead terminals 21a to 21d may be etched (that is, half-etched) on the surface side or a part of the back surface.
  • Ag plating is applied to the surfaces of the lead terminals 21a to 21d connected by the conducting wires 31a to 31d on the surface of the lead terminals 21a to 21d (the upper surface side in FIG. 2A). It is preferable from the viewpoint of electrical connection.
  • the front and back surfaces of the lead terminals 21a to 21d may be plated with nickel (Ni) -palladium (Pd) -gold (Au) or the like instead of the exterior plating layer 60.
  • Ni nickel
  • Pd palladium
  • Au gold
  • the conducting wires 31a to 31d are conducting wires that electrically connect the electrode portions 13a to 13d of the Hall element 10 and the lead terminals 21a to 21d, and are made of, for example, gold (Au). As shown in FIG.
  • the conducting wire 31a connects the lead terminal 21a and the electrode portion 13a
  • the conducting wire 31b connects the lead terminal 21b and the electrode portion 13b
  • Conductive wire 31c connects lead terminal 21c and electrode portion 13c
  • conductive wire 31d connects lead terminal 21d and electrode 13d.
  • the sealing member 50 covers and protects the Hall element 10 and at least the surface side of the lead terminals 21a to 21d, that is, the surface connected to the conducting wire, and the conducting wires 31a to 31d with resin sealing.
  • the sealing member 50 is made of, for example, an epoxy-based thermosetting resin and can withstand high heat during reflow. Note that the material of the sealing member 50 and the insulating layer 40 are different from each other even in the case of the same epoxy-based thermosetting resin. For example, the components to be contained are different, or the content ratio is different even if the components to be contained are the same. Further, as shown in FIG.
  • the exterior plating layer 60 is formed on the back surfaces of the lead terminals 21 a to 21 d exposed from the sealing member 50.
  • the exterior plating layer 60 is made of, for example, tin (Sn).
  • the lead terminal 21 a is a power supply lead terminal that supplies a predetermined voltage to the Hall element 10.
  • the lead terminal 21 c is a ground lead terminal that supplies a ground potential to the Hall element 10.
  • the lead terminals 21 b and 21 d are signal extraction lead terminals for extracting the Hall electromotive force signal of the Hall element 10.
  • FIGS. 4A and 4B are configuration diagrams of specific Hall elements, FIG. 4A shows a cross-sectional view, and FIG. 4B shows a top view. However, the conducting wire is not shown.
  • symbol Ga indicates a half-etched surface
  • Gb indicates a portion subjected to half-etching on the back surface.
  • 2A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2B, but the cross-sectional view shown in FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 4B. Is shown.
  • the Hall sensor shown in FIGS. 4A and 4B uses a lead terminal designed to minimize contact with the collet, and the surface of the lead terminal is half-etched. That is, the area where the collet interferes is half-etched.
  • the Hall element of the Hall sensor shown in FIG. 4B is arranged to be rotated by 45 degrees with respect to the Hall element of the Hall sensor shown in FIG. That is, the Hall element of the Hall sensor shown in FIG. 4B is rectangular in plan view, and the four vertices of the rectangle are regions between the lead terminal 21a and the lead terminal 21b, the lead terminal 21b and the lead, respectively. Hall elements are arranged so as to be arranged in a region between the terminals 21c, a region between the lead terminals 21c and 21d, and a region between the lead terminals 21d and 21a. By arranging the Hall elements in such a direction, it is possible to reduce the size of the Hall sensor as a whole.
  • the Hall element when the Hall element is arranged in this way, the collet is likely to come into contact with the lead terminal when the Hall element is placed. Therefore, it is preferable to provide a step D on the second surface M2 of the lead terminals 21a to 21d.
  • the rectangle includes a square.
  • the description has focused on the islandless structure in which there is no metal island for placing the Hall element 10 between the Hall element 10 and the bottom surface E of the sealing member 50.
  • An island may be provided between the bottom surface E of the sealing member 50.
  • the island may be electrically connected to the ground lead terminal 21c.
  • the case where the heights h1 from the bottom surface E of the sealing member 50 to the first connection point a are all equal in each of the electrode portions 13a to 13d has been described as an example.
  • the height h1 from the bottom surface E to the first connection point a may be different in the electrode portions 13a to 13d.
  • the height h2 from the bottom surface E of the sealing member 50 to the second connection point b may be different for each lead terminal 21a to 21d.
  • the electrode part and the lead terminal connected to one common conducting wire are made into one unit, it is sufficient that at least one unit satisfies the height h1 ⁇ height h2.
  • height h1 ⁇ height h2 is satisfied in all units.
  • FIG. 5A and 5B are views showing the lead frame of the Hall sensor of the first embodiment.
  • FIG. 5A is a front view
  • FIG. 5B is a back view.
  • the lead frame has a structure in which a portion serving as a lead terminal of each Hall sensor is connected by a metal plate.
  • symbol H indicates a hole
  • the hatched portion indicates a half-etched region.
  • a region surrounded by a dotted line is a region used by one Hall sensor, and a region between the dotted lines is a region through which dicing teeth pass during dicing.
  • the Hall sensor manufacturing method includes a step of preparing a lead frame in which a plurality of lead terminals are formed on one surface of a substrate, and a region surrounded by the plurality of lead terminals on one surface of the substrate.
  • the step of separating the base material An insulating layer is left on the surface opposite to the surface having the plurality of electrode portions.
  • a specific manufacturing method is the same as that of Patent Document 1 described above except for the thickness of the Hall element.
  • the lead frame shown in FIGS. 5A and 5B may be used. That is, you may use the lead frame which provided the level
  • the second embodiment will be described below.
  • a wiring board is prepared, and the Hall sensor 100 is mounted on one surface of the wiring board.
  • the back surface of each of the lead terminals 21a to 21d that is exposed from the sealing member 50 and covered with the exterior plating layer 60 is wired on the wiring board via solder (not shown). Connect to pattern (not shown). This soldering can be performed by a reflow method, for example.
  • solder paste is applied (that is, printed) on the wiring pattern, and the hall sensor 100 is arranged on the wiring board so that the exterior plating layer 60 is overlaid thereon, and heat is applied to the solder paste in this state.
  • This is a method of melting solder.
  • a hall sensor device including a hall sensor 100, a wiring board to which the hall sensor 100 is attached, and solder for electrically connecting the lead terminals 21a to 21d of the hall sensor 100 to the wiring pattern of the wiring board after the mounting process. Is completed.
  • Such a configuration provides the following effects. That is, in the islandless hall sensor 100, the back surface of the hall element 10 is covered with the insulating layer 40. Thereby, when the Hall sensor 100 is attached to the wiring board, for example, even when the solder protrudes from the lead terminal (that is, the power supply terminal) 21a connected to the power supply potential to the lower part of the Hall element 10, the Hall element 10 ( It is possible to prevent a Schottky junction from being formed between the semiconductor) and the solder (metal), and to prevent current from flowing in the forward direction of this Schottky junction (ie, from the metal toward the semiconductor). Can do.
  • the insulating layer 40 is not limited to the insulating paste.
  • a die attach film that is, an adhesive layer of a dicing / die bonding integrated film may be used.
  • Such a configuration provides the following effects. That is, the adhesive layer of the die attach film is used as an insulating layer that covers the back surface of the Hall element 10. Thereby, since the application
  • the lens module of the present embodiment includes a Hall sensor, a lens holder to which a magnet is attached, and a drive coil that moves the magnet based on a Hall electromotive force signal that is an output signal from an external terminal of the Hall sensor. . Since the Hall sensor of this embodiment is thin and can detect magnetism accurately, the lens module can be miniaturized and accurate position detection can be performed. The magnetic field of the magnet attached to the lens holder is detected by the Hall sensor of the present embodiment, and based on the detected output signal, a driving current is passed through the driving coil to perform autofocus control and camera shake correction control with high accuracy. be able to. In addition, since the Hall sensor of the present embodiment is thin, the Hall element inside the Hall sensor and the magnet can be brought closer to each other, and more accurate magnetic detection is possible.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

　本発明は、リーク電流の発生を防止し、薄型で、かつ磁気を正確に検出できるホールセンサ及びレンズモジュールに関する。ホール素子（１０）は、基板（１１）と、基板（１１）上に設けられた感磁部（１２）と、感磁部（１２）と接続する複数の電極部（１３ａ乃至１３ｄ）とを有している。複数のリード端子（２１ａ乃至２１ｄ）は、ホール素子の周囲に配置されている。複数の導線（３１ａ乃至３１ｄ）は、複数の電極部の各電極部のそれぞれと複数のリード端子の各リード端子のそれぞれとを電気的に接続されている。封止部材（５０）は、ホール素子と複数のリード端子と複数の導線とを覆う。封止部材の底面（Ｅ）から電極部と導線との第１の接触点（ａ）までの高さ（ｈ１）は、封止部材の底面（Ｅ）からリード端子と導線との第２の接触点（ｂ）までの高さ（ｈ２）よりも低い構成である。

Description

ホールセンサ及びレンズモジュール
　本発明は、ホールセンサ及びレンズモジュールに関する。
　磁界を検出するセンサとして、ホール素子を用いた磁気センサが知られている。特許文献１に記載の磁気センサは、ペレット（ホール素子等の磁気センサチップ）を用いたアイランドレス構造の磁気センサであって、ペレットを小型薄型化した場合でも、リーク電流の増大を防止できるようにした磁気センサに関するものである。この磁気センサは、ペレットと、このペレットの周囲に配置された複数のリード端子と、ペレットが有する複数の電極部と複数のリード端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導線と、ペレットの複数の電極部を有する面の反対側の面を覆う絶縁層と、ペレットと複数の導線とを覆う樹脂部材とを備え、絶縁層の少なくとも一部と、複数のリード端子の各々の導線と接続する面の反対側の面の少なくとも一部は、樹脂部材からそれぞれ露出している磁気センサである。
国際公開第２０１４／０９１７１４号
　ところで、近年の電子機器の薄型化、高機能化に伴い、より薄型で、かつ磁界を正確に検出することが可能なホールセンサが求められている。上述した特許文献１の磁気センサにおいて、磁気センサを薄型化すると、磁界検出の正確さが低下するという問題が生じうる。以下その理由について説明する。
　図１は、本発明に係るホールセンサの課題を説明するための図である。ホールセンサ４００は、ホール素子３１０と、その周囲に配置された電源端子となるリード端子３２５及び接地電位に接続されたリード端子３２７を備えている。ホール素子３１０上に設けられた各電極部と各リード端子は導線３４３で接続されており、各リード端子及びホール素子３１０はモールド樹脂３５０で固定されている。リード端子３２５、３２７は、ハンダ（半田）３７０を介して配線基板４５０の配線パターン４５１に接続されている。なお、符号４４０は絶縁層を示している。
　磁気センサを薄型化するためには、ワイヤーボンディングのトップの高さをできるだけ低くする必要がある。しかし、上述した特許文献１の磁気センサは、ホール素子の方がリード端子よりも高い位置にあるので、ワイヤーが撓んだり、トップの高さが低くなるようなワイヤーボンディングをしたときに導線がホール素子の基板のエッジに接触しやすいという問題があった。導線が基板のエッジに接触すると、導線と基板の接触点と電極部を通るリーク電流が発生する。リーク電流が発生すると、それがホール素子の駆動電流に見えてしまう。リーク電流は、ホール素子の駆動電流のオフセット電流にみえてしまう。駆動電流のオフセット電流は、ホール素子のオフセット電圧として見えるため、磁気を正確に検出することができなくなるという問題があった。
　本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、薄型で、かつ磁気を正確に検出できるホールセンサ及びレンズモジュールを提供することにある。
　本発明の一態様によれば、以下の事項を特徴とする。
　（１）；基板と、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部と、前記感磁部と接続する複数の電極部とを有するホール素子と、前記ホール素子の周囲に配置された複数の外部端子と、前記複数の電極部の各電極部と前記複数の外部端子の各外部端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導線と、前記ホール素子の前記感磁部、前記複数の導線、及び、前記各外部端子の少なくとも一部を覆う封止部材とを備え、前記各外部端子は、前記複数の導線の各導線と接続している第２面と、前記第２面とは反対側の第１面とを有し、前記第１面は、前記封止部材の底面から露出しており、前記封止部材の底面から前記各電極部と前記各導線との第１の接続点までの高さは、前記封止部材の底面から前記各外部端子と前記各導線との第２の接続点までの高さよりも低いホールセンサである。
　（２）；（１）において、前記各外部端子は、前記封止部材の側面から露出している。
　（３）；（１）又は（２）において、前記複数の外部端子のうちの少なくとも１つの外部端子は、前記第２面において段差を有しており、前記複数の外部端子は、前記段差を境に、前記段差を有する前記各外部端子の前記ホール素子に近い側に第１の部位を有し、前記ホール素子に遠い側に第２の部位を有し、前記封止部材の底面から前記第１の部位における前記第２面までの高さは、前記封止部材の底面から前記第２の部位における前記第２面までの高さよりも低く、前記各導線は、前記段差を有する前記各外部端子の前記第２の部位における前記第２面で接続している。
　（４）；（３）において、前記封止部材の底面から前記第１の部位における前記第２面までの高さは、前記封止部材の底面から前記各電極部までの高さよりも低い。
　（５）；（３）又は（４）において、前記段差は、前記ホール素子を囲む周上に設けられている。
　（６）；（１）～（５）のいずれかにおいて、前記基板の前記複数の電極部が設けられた面とは反対側の面に設けられた絶縁層を更に備え、前記絶縁層は、前記封止部材の底面から露出している。
　（７）；（１）～（６）のいずれかにおいて、前記複数の外部端子は、第１から第４の外部端子を含み、前記第１から第４の外部端子は、前記第１の外部端子と前記第３の外部端子とを結ぶ仮想直線と前記第２の外部端子と前記第４の外部端子とを結ぶ仮想直線が平面視で交差するように配置されており、前記ホール素子の前記基板は平面視で長方形であり、かつ、平面視で、前記ホール素子の前記基板の４つの頂点は、前記第１の外部端子と前記第２の外部端子の間の領域、前記第２の外部端子と前記第３の外部端子の間の領域、前記第３の外部端子と前記第４の外部端子の間の領域及び前記第４の外部端子と前記第１の外部端子の間の領域に配置されている。
　（８）；基板、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部、及び、電極部を有するホール素子と、前記ホール素子の周囲に配置された外部端子と、前記電極部と前記外部端子とを接続する導線と、前記ホール素子の感磁部、前記導線、及び、前記外部端子の前記導線が接続される第２面を覆う封止部材と、を備え、前記外部端子は、前記第２面とは反対側の第１面が前記封止部材の底面から露出しており、前記封止部材の底面から前記電極部と前記導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記外部端子と前記導線との第２の接触点までの高さよりも低いホールセンサである。
　（９）；（８）において、前記電極部は、第１から第４の電極部を有し、前記外部端子は、第１から第４の外部端子を有し、前記導線は、前記第１から第４の電極部と前記第１から第４の外部端子とをそれぞれ接続する第１から第４の導線を有し、前記封止部材の底面から前記第１の電極部と前記第１の導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第１の外部端子と前記第１の導線との第２の接触点までの高さよりも低い。
　（１０）；（９）において、前記封止部材の底面から前記第２の電極部と前記第２の導線との第３の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第２の外部端子と前記第２の導線との第４の接触点までの高さよりも低く、前記封止部材の底面から前記第３の電極部と前記第３の導線との第５の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第３の外部端子と前記第３の導線との第６の接触点までの高さよりも低く、前記封止部材の底面から前記第４の電極部と前記第４の導線との第７の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第４の外部端子と前記第４の導線との第８の接触点までの高さよりも低い。
　（１１）；（８）～（１０）のいずれかにおいて、前記ホール素子は、前記基板がＧａＡｓ基板であり、前記基板の前記電極部が設けられた面とは反対側の面に絶縁層をさらに有し、前記電極部は前記感磁部と接続され、前記絶縁層は、前記封止部材の底面から露出している。
　（１２）；直方体形状であり、底面に外部端子が形成されたホールセンサであり、半導体基板、前記半導体基板上又は前記半導体基板内に設けられた感磁部、及び、前記感磁部と接続する電極部を有するホール素子と、上面視で、前記ホール素子の周囲に配置された外部端子と、前記電極部と前記外部端子とを接続する導線と、前記ホール素子の感磁部、前記導線、及び、前記外部端子の少なくとも一部を封止する封止部材と、を備え、前記直方形状の長辺を含む側面からの断面視で、隣接する外部端子間のスペースに、前記ホール素子が含まれるホールセンサである。
　（１３）；（８）～（１２）のいずれかに記載のホールセンサと、磁石が取り付けられたレンズホルダと、前記ホールセンサの前記外部端子からの出力信号に基づいて、前記磁石を移動させる駆動コイルと、を備えるレンズモジュールである。
　本発明の一態様によれば、薄型で、かつ磁気を正確に検出できるホールセンサ及びレンズモジュールを提供することが可能となる。
図１は、本発明に係るホールセンサの課題を説明するための図である。 図２（ａ）乃至（ｃ）は、本発明に係るホールセンサの実施形態１を説明するための構成図である。 図３は、図１（ａ）乃至（ｃ）に示したホールセンサの全体斜視図である。 図４（ａ），（ｂ）は、具体的なホールセンサの構成図である。 図５（ａ），（ｂ）は、実施形態１に係るホールセンサのリードフレームを示した図である。
　以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の細部について記載される。しかしながら、かかる特定の細部がなくても１つ以上の実施態様が実施できることは明らかであろう。他にも、図面を簡潔にするために、周知の構造及び装置が略図で示されている。
　以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。　
＜実施形態１＞
　図２（ａ）乃至（ｃ）は、本発明に係るホールセンサの実施形態１を説明するための構成図で、図２（ａ）は図２（ｂ）におけるＡ－Ａ線断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の平面図、図２（ｃ）は図２（ａ）の底面図、図３は図２（ａ）乃至（ｃ）に示したホールセンサの全体斜視図を示している。なお、Ｇａは表面のハーフエッチング、Ｇｂは裏面のハーフエッチングの施された部分を示している。
　本実施形態１のホールセンサ１００は、ホール素子１０と複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄ（第１～第４の外部端子）と複数の導線３１ａ乃至３１ｄ（第１～第４の導線）と封止部材５０とを備えている。
　ホール素子１０は、基板１１と、この基板１１上（又は基板１１内）に設けられた感磁部１２と、この感磁部１２と接続する複数の電極部１３ａ乃至１３ｄ（第１～第４の電極部）とを有している。なお、図２（ａ）においては、感磁部１２が基板１１上に設けられている場合について拡大図で示している。
　また、複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄは、ホール素子１０の周囲、つまり、封止部材５０の底面に沿ってホール素子１０の四隅を取り囲むようにして配置されている。また、上面視で、ホールセンサ１００の四隅領域に配置されてもよい。
　また、複数の導線３１ａ乃至３１ｄは、複数の電極部１３ａ乃至１３ｄの各電極部１３ａ乃至１３ｄのそれぞれと複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄの各リード端子２１ａ乃至２１ｄのそれぞれとを電気的に接続する。
　また、封止部材５０は、ホール素子１０と複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄと複数の導線３１ａ乃至３１ｄとを覆う。
　また、各リード端子２１ａ乃至２１ｄは、前記各導線３１ａ乃至３１ｄと接続している第２面Ｍ２と、この第２面Ｍ２とは反対側の第１面Ｍ１とを有し、この第１面Ｍ１は、封止部材５０の底面Ｅから露出している。
　また、封止部材５０の底面Ｅから各電極部１３ａ乃至１３ｄと各導線３１ａ乃至３１ｄとの第１の接触点ａまでの高さｈ１は、封止部材５０の底面Ｅから各リード端子２１ａ乃至２１ｄと各導線３１ａ乃至３１ｄとの第２の接触点ｂまでの高さｈ２よりも低くなるように構成されている。また、ホールセンサは直方形状であり、直方形上の長辺を含む側面Ｓからの断面視で、隣接する外部端子間のスペースに、ホール素子が含まれるように配置されている。なお、小型化の観点から、ホール素子は、上面視で、直方形状のホールセンサの辺に対して、４５度傾けて配置してもよい。その場合、直方形上の長辺を含む側面Ｓからの断面視で、隣接する外部端子間のスペースに、高さ方向においてホール素子が含まれるように配置される。
　つまり、封止部材５０の底面Ｅから第１の接触点ａまでの高さｈ１と、封止部材５０の底面Ｅから第２の接触点ｂまでの高さｈ２との関係は、ｈ１＜ｈ２の関係を有している。
　本実施形態１のホールセンサは、ｈ１＜ｈ２の関係を有しているので、ホール素子の基板１１のエッジに導線３１ａ乃至３１ｄが接触しにくく、リーク電流が発生しにくい。これにより、薄型で、かつ磁気を正確に検出できるホールセンサを実現することができる。
　なお、本実施形態１のホールセンサは、リード端子のエッジと導線の接触が発生しやすい構造となるが、リード端子のエッジタッチに関しては、同電位のリード端子に導線が２カ所接続された状態となるだけであるので、特に問題は無い。本実施形態１において、高さｈ１と高さｈ２の関係としては、ｈ１は、０．２×ｈ２以上ｈ２未満であることが好ましい。より好ましくは、０．４×ｈ２以上ｈ２未満であり、さらに好ましくは、０．４×ｈ２以上０．９９×ｈ２以下である。さらに、ｈ１は、０．４×ｈ２以上０．９５×ｈ２以下でもよい。
　また、各リード端子２１ａ乃至２１ｄは、封止部材５０の側面Ｓから露出している。つまり、封止部材５０の側面Ｓからリード端子２１ａ乃至２１ｄが露出しているので、リード端子２１ａ乃至２１ｄの底面に露出している部分（底面電極）の他、側面に露出している部分（側面電極）を使って実装可能である。特に、全体の厚さの中での側面電極の割合を高くすることが可能であるので、実装が容易となる。また、リード端子と半田の接触が悪く導通が取れなくなるということが少なくなり、実装信頼性が高い。さらに、半田実装後の外観検査における視認性が向上し、半田付けが問題なくできているか容易に確認できる。
　また、複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄのうちの少なくとも１つのリード端子２１ａ乃至２１ｄのいずれかには、第２面Ｍ２で段差Ｄを有している。つまり、リード端子に段差がついている。リード端子２１ａ乃至２１ｄの全てのリード端子で第２面Ｍ２に段差Ｄを有することが好ましい。
　また、複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄは、段差Ｄを境に、段差Ｄを有する各リード端子２１ａ乃至２１ｄのホール素子１０に近い側に第１の部位Ｎ１を有し、ホール素子１０に遠い側に第２の部位Ｎ２を有し、封止部材５０の底面Ｅから第１の部位Ｎ１における第２面Ｍ２までの高さｐ１は、封止部材５０の底面Ｅから第２の部位Ｎ２における第２面Ｍ２までの高さｐ２よりも低く構成されている。
　つまり、封止部材５０の底面Ｅから第１の部位Ｎ１における第２面Ｍ２までの高さｐ１と、封止部材５０の底面Ｅから第２の部位Ｎ２における第２面Ｍ２までの高さｐ２との関係は、ｐ１＜ｐ２の関係を有している。また、各導線３１ａ乃至３１ｄは、段差（Ｄ）を有する各リード端子２１ａ乃至２１ｄの第２の部位Ｎ２における第２面Ｍ２で接続されている。
　このような構成により、導線がリード端子のエッジに接触して断線してしまうことを抑制することが可能である。
　リード端子２１ａの第２面Ｍ２に複数の段差がある場合は、ホール素子１０に最も近い段差を段差Ｄとし、段差Ｄを境に、ホール素子１０に近い側を第１の部位Ｎ１、ホール素子１０に遠い側を第２の部位Ｎ２とする。リード端子２１ｂ乃至２１ｄについても同様である。リード端子２１ａ乃至２１ｄの第２面Ｍ２に形成されている段差Ｄは、封止部材５０で封止されている。
　また、封止部材５０の底面Ｅから第１の部位Ｎ１における第２面Ｍ２までの高さｐ１は、封止部材５０の底面Ｅから各電極部１３ａ乃至１３ｄまでの高さｈ１よりも低く構成されている。
　つまり、封止部材５０の底面Ｅから第１の部位Ｎ１における第２面Ｍ２までの高さｐ１と、封止部材５０の底面Ｅから第２の部位Ｎ２における第２面Ｍ２までの高さｐ２と、封止部材５０の底面Ｅから各電極部１３ａ乃至１３ｄまでの高さｈ１との関係は、ｐ１＜ｈ１＜ｐ２の関係を有している。
　このような構成により、導線がリード端子のエッジに接触して断線しまうことをより抑制することが可能である。
　ところで、一般に、ホール素子１０を所定の位置に載置する際にはコレットが使用され、また、ホール素子の電極部とリード端子をワイヤーボンディングする際にはキャピラリが使用される。このような構成により、ホール素子の載置時にコレットがリード端子に接触してしまうことを防ぐことが可能となる。また、ワイヤーボンディング時にキャピラリがリード端子に接触してしまうことを防ぐことが可能である。
　また、ホール素子１０を中心とした楕円形又は多角形の周上に段差Ｄが設けられている。つまり、段差は、ホール素子を囲む周上に設けられている。コレットやキャピラリの先端は、楕円形状や多角形状であることが多いので、段差Ｄも楕円形状や多角形状にした方が良いため、楕円形状又は多角形状に段差Ｄを設けるような構成になっている。
　コレットやキャピラリの先端は、特に円形状であることが多いので、コレットやキャピラリの接触を防ぐために、ホール素子１０を中心とした円周上に段差Ｄを設けることが好ましい。
　また、複数の導線３１ａ乃至３１ｄは、複数の電極部１３ａ乃至１３ｄが第１回目のボンディングであり、複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄが第２回目のボンディングとなるようにワイヤーボンディングされている。
　このように、低い方から高い方にワイヤーボンディングするので、エッジ接触が起きにくくなる。これにより、ホール素子とリード端子の間の距離を短くしてもエッジ接触が起きにくくなる。これにより、ホール素子とリード端子の間の距離を短くすることが可能となり、小型化が可能となる。
　あるいは、複数の導線３１ａ乃至３１ｄは、複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄが第１回目のボンディングであり、複数の電極部１３ａ乃至１３ｄが第２回目のボンディングとなるようにワイヤーボンディングされている。
　このように、高い方から低い方にワイヤーボンディングするので、ワイヤーボンディングの頂点を低くすることができ、薄型化が可能となる。
　また、基板１１の複数の電極部１３ａ乃至１３ｄが設けられた面とは反対側の面に設けられた絶縁層４０を更に備えている。この絶縁層４０は、封止部材５０の底面Ｅから露出している。絶縁層４０を設けることの効果は、実施形態２で説明する。
　本実施形態１において、絶縁層４０としては、絶縁樹脂層、絶縁シートなどが挙げられる。絶縁層４０としては、ホール素子の抵抗よりも高い抵抗であればよい。例えば、絶縁層４０の体積抵抗率が１０８～１０２０（Ω・ｃｍ）であることが好ましい。より好ましくは、絶縁層４０の体積抵抗率が１０１０～１０１８（Ω・ｃｍ）である。絶縁層４０が数ｍｍ四方で、厚み数μｍの場合、絶縁層４０の抵抗は、１０１０～１０１８（Ω）となり、ホール素子の抵抗は、通常、約１０９Ω以下であるため、十分な絶縁性がある。
　絶縁層４０は、その成分として、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、フィラーとしてシリカ（ＳｉＯ２）とを含むことがより好ましい。絶縁層４０は、ホール素子１０の裏面、つまり、感磁部１２を有する面の反対側の面に接しており、この絶縁層４０によってホール素子１０の裏面が覆われている。ホール素子１０の裏面全体が絶縁層４０により覆われていることが、リーク電流の発生の抑制の観点から好ましい。絶縁層４０のうち、ホール素子１０の裏面を覆っている部分の厚さは、フィラーサイズで決まり、例えば、５μｍ以上である。
　ホール素子１０は、例えば、ホール素子などの磁電変換素子である。ホール素子１０は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１と、このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる感磁部（活性層）１２と、感磁部１２に電気的に接続する電極部１３ａ乃至１３ｄとを有している。感磁部１２は、例えば、平面視で十字（クロス）型であり、クロスの４つの先端部上にそれぞれ電極１３ａ乃至１３ｄが設けられている。平面視で向かい合う一対の電極１３ａ、１３ｃが感磁部１２に電流を流すための入力端子であり、電極１３ａ、１３ｃを結ぶ線と平面視で直交する方向で向かい合う他の一対の電極１３ｂ、１３ｄが感磁部１２から電圧を出力するための出力端子である。ホール素子１０の厚さを薄くするためには、基板１１の感磁部（活性層）１２が設けられている面とは反対側の面を研磨すればよい。
　ホールセンサ１００は、アイランドレス構造であり、外部との電気的接続を得るための複数のリード端子２１ａ乃至２１ｄを有している。図２（ｂ）に示すように、リード端子２１ａ乃至２１ｄは、ホール素子１０の周囲、例えば、ホールセンサ１００の四隅近傍に配置されている。例えば、リード端子２１ａとリード端子２１ｃとがホール素子１０を挟んで対向するように配置されている。また、リード端子２１ｂとリード端子２１ｄとがホール素子１０を挟んで対向するように配置されている。さらに、リード端子２１ａとリード端子２１ｃとを結ぶ直線（仮想線）と、リード端子２１ｂとリード端子２１ｄとを結ぶ直線（仮想線）とが平面視で交差するように、リード端子２１乃至２１ｄはそれぞれ配置されている。
　つまり、複数のリード端子は、第１から第４のリード端子を含み、第１から第４のリード端子は、第１のリード端子と第３のリード端子とを結ぶ仮想直線と第２のリード端子と第４のリード端子とを結ぶ仮想直線が平面視で交差するように配置されている。
　リード端子２１ａ乃至２１ｄは、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属からなる。また、リード端子２１ａ乃至２１ｄは、その面側又は裏面の一部がエッチング（すなわち、ハーフエッチング）されていてもよい。
　なお、図示しないが、リード端子２１ａ乃至２１ｄの表面で（図２（ａ）における上面側）、導線３１ａ乃至３１ｄで接続されるリード端子２１ａ乃至２１ｄの表面には、Ａｇめっきが施されていることが電気的接続の観点から好ましい。
　また、リード端子２１ａ乃至２１ｄの表面及び裏面には、外装めっき層６０に代えて、ニッケル（Ｎｉ）－パラジウム（Ｐｄ）－金（Ａｕ）などのめっきが施されていてもよい。ホールセンサであるが、アイランドレスのため、磁性体であるＮｉめっき膜の影響を受けにくいため実施が可能となる。
　導線３１ａ乃至３１ｄは、ホール素子１０が有する電極部１３ａ乃至１３ｄと、リード端子２１ａ乃至２１ｄをそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば、金（Ａｕ）からなる。図２（ｂ）に示すように、導線３１ａは、リード端子２１ａと電極部１３ａとを接続し、導線３１ｂはリード端子２１ｂと電極部１３ｂとを接続している。また、導線３１ｃはリード端子２１ｃと電極部１３ｃとを接続し、導線３１ｄは、リード端子２１ｄと電極１３ｄとを接続している。
　封止部材５０は、ホール素子１０と、リード端子２１ａ乃至２１ｄの少なくとも表面側、つまり、導線と接続する側の面と、導線３１ａ乃至３１ｄとを樹脂封止で覆って保護している。封止部材５０は、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。なお、封止部材５０と絶縁層４０は、例えば、同じエポキシ系の熱硬化型樹脂の場合でも、その材料は互いに異なる。例えば、含有する成分が異なる、又は、含有する成分が同一であっても含有比が異なる。
　また、図２（ｃ）に示すように、ホールセンサ１００の底面側、つまり、配線基板に実装する側では、各リード端子２１ａ乃至２１ｄの裏面の少なくとも一部と、絶縁層４０の少なくとも一部とが、封止部材５０からそれぞれ露出している。
　また、外装めっき層６０は、封止部材５０から露出しているリード端子２１ａ乃至２１ｄの裏面に形成されている。外装めっき層６０は、例えば、スズ（Ｓｎ）などからなる。
　このような構成により、ホールセンサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合は、例えば、リード端子２１ａを電源電位（＋）に接続するとともに、リード端子２１ｃを接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子２１ａからリード端子２１ｃに電流を流す。そして、リード端子２１ｂ，２１ｄ間の電位差Ｖ１－Ｖ２（ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。ホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。
　すなわち、リード端子２１ａは、ホール素子１０に所定電圧を供給する電源用リード端子である。リード端子２１ｃは、ホール素子１０に接地電位を供給する接地用リード端子である。リード端子２１ｂ，２１ｄは、ホール素子１０のホール起電力信号を取り出す信号取出用リード端子である。
　図４（ａ），（ｂ）は、具体的なホール素子の構成図で、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は上面図を示している。ただし、導線は図示されていない。図中符号Ｇａは表面のハーフエッチング、Ｇｂは裏面のハーフエッチングの施された部分を示している。なお、図２（ａ）における断面図は図２（ｂ）のＡ－Ａ線断面図を示しているが、図４（ａ）の断面図は図４（ｂ）のＢ－Ｂ線断面図を示している。
　図４（ａ），（ｂ）に示したホールセンサは、コレットとの接触がなるべく少なくなるように設計されたリード端子が用いられており、リード端子の表面がハーフエッチングされている。つまり、コレットが干渉するエリアがハーフエッチングされている。
　図４（ｂ）に示したホールセンサのホール素子は、図２（ｂ）に示したホールセンサのホール素子に対し４５度回転して配置されている。すなわち、図４（ｂ）に示したホールセンサのホール素子は平面視で長方形であり、かつ、その長方形の４つの頂点がそれぞれリード端子２１ａとリード端子２１ｂの間の領域、リード端子２１ｂとリード端子２１ｃの間の領域、リード端子２１ｃとリード端子２１ｄの間の領域、リード端子２１ｄとリード端子２１ａの間の領域に配置されるように、ホール素子が配置されている。
　このような向きにホール素子を配置することで、ホールセンサ全体を小型化することが可能になる。ただし、このようにホール素子を配置すると、ホール素子の載置時にコレットがリード端子に接触しやすくなるので、リード端子２１ａ乃至２１ｄの第２面Ｍ２に段差Ｄを設けることが好ましい。なお、上記の長方形には正方形が含まれる。
　本実施形態１では、ホール素子１０と封止部材５０の底面Ｅとの間にホール素子１０を載置するための金属製のアイランドが無いアイランドレス構造を中心に説明したが、ホール素子１０と封止部材５０の底面Ｅとの間にアイランドを設けてもよい。また、そのアイランドは、接地用リード端子２１ｃと電気的に接続していてもよい。ただし、薄型化の観点から、ホール素子１０と封止部材５０の底面Ｅとの間にアイランドを設けないことが好ましい。
　また、本実施形態１では、封止部材５０の底面Ｅから第１の接続点ａまでの高さｈ１が各電極部１３ａ乃至１３ｄで全て等しい場合を例に説明したが、封止部材５０の底面Ｅから第１の接続点ａまでの高さｈ１は電極部１３ａ乃至１３ｄで異なっていてもよい。また、同様に、封止部材５０の底面Ｅから第２の接続点ｂまでの高さｈ２が各リード端子２１ａ乃至２１ｄで異なっていても良い。１本の共通の導線に接続する電極部とリード端子を一つのユニットとした場合に、少なくとも一つのユニットで高さｈ１＜高さｈ２を満たしていればよい。ただし、全てのユニットで高さｈ１＜高さｈ２を満たしていることが好ましい。
　図５（ａ），（ｂ）は、本実施形態１のホールセンサのリードフレームを示す図である。図５（ａ）は表面図、図５（ｂ）は裏面図である。リードフレームは各ホールセンサのリード端子となる部分が金属板で連なった構造となっている。図中符号Ｈは穴部を示しており、ハッチング部分はハーフエッチング領域を示している。点線で囲まれた領域は、１つのホールセンサで使用される領域であり、また、点線と点線の間の領域はダイシング時にダイシングの歯が通過する領域である。
　本実施形態１のホールセンサの製造方法は、基材の一方の面に複数のリード端子が形成されたリードフレームを準備する工程と、基材の一方の面の複数のリード端子で囲まれる領域に、絶縁層を介してリード端子の厚みよりも薄いホール素子を載置する工程と、ホール素子が有する複数の電極部と複数のリード端子とを複数の導線でそれぞれ電気的に接続する工程と、ホール素子が載置された面側を封止部材で封止する工程と、封止部材及び絶縁層から基材を分離する工程とを有し、基材を分離する工程では、ホール素子の複数の電極部を有する面の反対側の面に絶縁層を残している。なお、具体的な製造方法は、ホール素子の厚み以外は上述した特許文献１と同様である。
　リードフレームを準備する工程では、図５（ａ），（ｂ）で示すリードフレームが使用されても良い。つまり、複数のリード端子が有する面のうち、基材と接触する面とは反対側の面に段差Ｄを設けられたリードフレームを使用してもよい。
＜実施形態２＞
　以下に、実施形態２について説明する。本実施形態２においては、ホールセンサ１００が完成した後に、例えば、図示しないが配線基板を用意し、この配線基板の一方の面にホールセンサ１００を実装する。この実装工程では、例えば、各リード端子２１ａ乃至２１ｄのうち、封止部材５０から露出し、かつ外装めっき層６０で覆われている裏面を、ハンダ（図示せず）を介して配線基板の配線パターン（図示せず）に接続する。このハンダ付けは、例えば、リフロー方式で行うことができる。リフロー方式は、配線パターン上にハンダペーストを塗布（すなわち、印刷）し、その上に外装めっき層６０が重なるように配線基板上にホールセンサ１００を配置し、この状態でハンダペーストに熱を加えてハンダを溶かす方法である。実装工程を経て、ホールセンサ１００と、ホールセンサ１００が取り付けられる配線基板と、ホールセンサ１００の各リード端子２１ａ乃至２１ｄを配線基板の配線パターンに電気的に接続するハンダとを備えたホールセンサ装置が完成する。
　このような構成により、以下のような効果を奏する。つまり、アイランドレス構造のホールセンサ１００において、ホール素子１０の裏面は絶縁層４０で覆われている。これにより、ホールセンサ１００を配線基板に取り付ける際に、例えば、電源電位に接続されるリード端子（すなわち、電源端子）２１ａ下からホール素子１０の下方までハンダがはみ出した場合でも、ホール素子１０（半導体）とハンダ（金属）との間でショットキー接合が形成されることを防ぐことができ、このショットキー接合の順方向（すなわち、金属から半導体に向かう方向）に電流が流れることを防ぐことができる。
　例えば、電源端子２１ａ→導線３１ａ→電極部１３ａ→感磁部１２→電極部１３ｃ→導線３１ｃ→リード端子２１ｃの方向に電流を流した場合でも、ハンダからホール素子１０へリーク電流が流れることを防ぐことができる。これにより、オフセット電圧の発生を抑え、磁界を正確に検出することが可能となる。
＜実施形態３＞
　以下に、実施形態３について説明する。上述した本実施形態１及び２においては、ホール素子１０の裏面を覆う絶縁層４０として、絶縁ペーストを用いる場合について説明した。しかしながら、本実施形態３において、絶縁層４０は、絶縁ペーストに限定されるものではない。絶縁層４０として、例えば、ダイアタッチフィルム、つまり、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの粘着層を用いてもよい。
　このような構成により、以下のような効果を奏する。つまり、ホール素子１０の裏面を覆う絶縁層として、ダイアタッチフィルムの粘着層を用いる。これにより、絶縁ペーストの塗布工程を省くことができるので、工程数の削減に寄与することができる。
＜実施形態４＞
　本実施形態のレンズモジュールは、ホールセンサと、磁石が取り付けられたレンズホルダと、ホールセンサの外部端子からの出力信号であるホール起電力信号に基づいて、磁石を移動させる駆動コイルと、を備える。本実施形態のホールセンサは、薄型で、かつ、磁気を正確に検出することができるため、レンズモジュールを小型化することができ、また、正確な位置検出を行うことが可能となる。レンズホルダに取り付けられた磁石の磁場を、本実施形態のホールセンサで検知し、検知した出力信号に基づいて、駆動コイルに駆動電流を流すことにより、オートフォーカス制御や手振れ補正制御を精度良く行うことができる。また、本実施形態のホールセンサは、薄型化しているため、ホールセンサ内部のホール素子と、磁石との位置を近づけることが可能となり、より精度のよい磁気検知が可能である。
　以上のように、特定の実施形態を参照して本発明を説明したが、これらの説明によって発明を限定することを意図するものではない。本発明の説明を参照することにより、当業者には、開示された実施形態の種々の変形例とともに本発明の他の実施形態も明らかである。従って、特許請求の範囲は、本発明の技術的範囲及び要旨に含まれるこれらの変形例又は実施形態も網羅すると解すべきである。
１０　ホール素子
１１　基板
１２　感磁部
１３ａ乃至１３ｄ　電極部（第１～第４の電極部）
２１ａ乃至２１ｄ　リード端子（第１～第４の外部端子）
３１ａ乃至３１ｄ　導線（第１～第４の導線）
４０　絶縁層
５０　封止部材
６０ａ乃至６０ｄ　外装めっき層
１００　ホールセンサ
３１０　ホール素子
３２０　リードフレーム
３２５　リード端子（電源端子）
３２７　リード端子（接地端子）
３４３　金属細線
３５０　封止部材
３７０　ハンダ（半田）
４５１　配線パターン
４００　磁気センサ
４４０　絶縁層
４５０　配線基板

Claims (13)

  1. 　基板と、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部と、前記感磁部と接続する複数の電極部とを有するホール素子と、
    　前記ホール素子の周囲に配置された複数の外部端子と、
    　前記複数の電極部の各電極部と前記複数の外部端子の各外部端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導線と、
    　前記ホール素子の前記感磁部、前記複数の導線、及び、前記各外部端子の少なくとも一部を覆う封止部材とを備え、
    　前記各外部端子は、前記複数の導線の各導線と接続している第２面と、前記第２面とは反対側の第１面とを有し、
    　前記第１面は、前記封止部材の底面から露出しており、
    　前記封止部材の底面から前記各電極部と前記各導線との第１の接続点までの高さは、前記封止部材の底面から前記各外部端子と前記各導線との第２の接続点までの高さよりも低いホールセンサ。
  2. 　前記各外部端子は、前記封止部材の側面から露出している請求項１に記載のホールセンサ。
  3. 　前記複数の外部端子のうちの少なくとも１つの外部端子は、前記第２面において段差を有しており、
    　前記複数の外部端子は、前記段差を境に、前記段差を有する前記各外部端子の前記ホール素子に近い側に第１の部位を有し、前記ホール素子に遠い側に第２の部位を有し、
    　前記封止部材の底面から前記第１の部位における前記第２面までの高さは、前記封止部材の底面から前記第２の部位における前記第２面までの高さよりも低く、
    　前記各導線は、前記段差を有する前記各外部端子の前記第２の部位における前記第２面で接続している請求項１又は２に記載のホールセンサ。
  4. 　前記封止部材の底面から前記第１の部位における前記第２面までの高さは、前記封止部材の底面から前記各電極部までの高さよりも低い請求項３に記載のホールセンサ。
  5. 　前記段差は、前記ホール素子を囲む周上に設けられている請求項３又は４に記載のホールセンサ。
  6. 　前記基板の前記複数の電極部が設けられた面とは反対側の面に設けられた絶縁層を更に備え、前記絶縁層は、前記封止部材の底面から露出している請求項１～５のいずれか１項に記載のホールセンサ。
  7. 　前記複数の外部端子は、第１から第４の外部端子を含み、
    　前記第１から第４の外部端子は、
    　前記第１の外部端子と前記第３の外部端子とを結ぶ仮想直線と前記第２の外部端子と前記第４の外部端子とを結ぶ仮想直線が平面視で交差するように配置されており、
    　前記ホール素子の前記基板は平面視で長方形であり、かつ、平面視で、前記ホール素子の前記基板の４つの頂点は、前記第１の外部端子と前記第２の外部端子の間の領域、前記第２の外部端子と前記第３の外部端子の間の領域、前記第３の外部端子と前記第４の外部端子の間の領域及び前記第４の外部端子と前記第１の外部端子の間の領域に配置されている請求項１～６のいずれか１項に記載のホールセンサ。
  8. 　基板、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部、及び、電極部を有するホール素子と、
    　前記ホール素子の周囲に配置された外部端子と、
    　前記電極部と前記外部端子とを接続する導線と、
    　前記ホール素子の感磁部、前記導線、及び、前記外部端子の前記導線が接続される第２面を覆う封止部材と、を備え、
    　前記外部端子は、前記第２面とは反対側の第１面が前記封止部材の底面から露出しており、
    　前記封止部材の底面から前記電極部と前記導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記外部端子と前記導線との第２の接触点までの高さよりも低いホールセンサ。
  9. 　前記電極部は、第１から第４の電極部を有し、
    　前記外部端子は、第１から第４の外部端子を有し、
    　前記導線は、前記第１から第４の電極部と前記第１から第４の外部端子とをそれぞれ接続する第１から第４の導線を有し、
    　前記封止部材の底面から前記第１の電極部と前記第１の導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第１の外部端子と前記第１の導線との第２の接触点までの高さよりも低い請求項８に記載のホールセンサ。
  10. 　前記封止部材の底面から前記第２の電極部と前記第２の導線との第３の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第２の外部端子と前記第２の導線との第４の接触点までの高さよりも低く、
    　前記封止部材の底面から前記第３の電極部と前記第３の導線との第５の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第３の外部端子と前記第３の導線との第６の接触点までの高さよりも低く、
    　前記封止部材の底面から前記第４の電極部と前記第４の導線との第７の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記第４の外部端子と前記第４の導線との第８の接触点までの高さよりも低い請求項９に記載のホールセンサ。
  11. 　前記ホール素子は、前記基板がＧａＡｓ基板であり、前記基板の前記電極部が設けられた面とは反対側の面に絶縁層をさらに有し、前記電極部は前記感磁部と接続され、
    　前記絶縁層は、前記封止部材の底面から露出している請求項８～１０のいずれか１項に記載のホールセンサ。
  12. 　直方体形状であり、底面に外部端子が形成されたホールセンサであり、
    　半導体基板、前記半導体基板上又は前記半導体基板内に設けられた感磁部、及び、前記感磁部と接続する電極部を有するホール素子と、
    　上面視で、前記ホール素子の周囲に配置された外部端子と、
    　前記電極部と前記外部端子とを接続する導線と、
    　前記ホール素子の感磁部、前記導線、及び、前記外部端子の少なくとも一部を封止する封止部材と、を備え、
    　前記直方形状の長辺を含む側面からの断面視で、隣接する外部端子間のスペースに、前記ホール素子が含まれるホールセンサ。
  13. 　請求項８～１２のいずれか１項に記載のホールセンサと、
    　磁石が取り付けられたレンズホルダと、
    　前記ホールセンサの前記外部端子からの出力信号に基づいて、前記磁石を移動させる駆動コイルと、
    　を備えるレンズモジュール。
PCT/JP2015/004806 2014-09-22 2015-09-18 ホールセンサ及びレンズモジュール WO2016047130A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201590000985.6U CN207067372U (zh) 2014-09-22 2015-09-18 霍尔传感器以及镜头模块
JP2016549952A JP6392882B2 (ja) 2014-09-22 2015-09-18 ホールセンサ及びレンズモジュール

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-192610 2014-09-22
JP2014192610 2014-09-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016047130A1 true WO2016047130A1 (ja) 2016-03-31

Family

ID=55580677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/004806 WO2016047130A1 (ja) 2014-09-22 2015-09-18 ホールセンサ及びレンズモジュール

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6392882B2 (ja)
CN (1) CN207067372U (ja)
TW (1) TWI555996B (ja)
WO (1) WO2016047130A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108232001A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 罗姆股份有限公司 霍尔元件模块
WO2019021766A1 (ja) * 2017-07-24 2019-01-31 株式会社デンソー 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20190044057A1 (en) * 2016-12-09 2019-02-07 Rohm Co., Ltd. Hall element module
JP2019024084A (ja) * 2017-07-24 2019-02-14 株式会社デンソー 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233533A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の形成方法及び形成装置
JP2008244399A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Nichia Corp 発光装置
WO2013183270A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 旭化成エレクトロニクス株式会社 位置検出装置
WO2014091714A1 (ja) * 2012-12-14 2014-06-19 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気センサ及び磁気センサ装置、磁気センサの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5372456A (en) * 1976-12-10 1978-06-27 Hitachi Ltd Glass sealing semiconductor device
JPS56126948A (en) * 1980-03-12 1981-10-05 Hitachi Ltd Highly integrated semiconductor
US4936148A (en) * 1988-10-17 1990-06-26 Anent Systems Corporation Hall effect pressure transducer
JP3119247B2 (ja) * 1998-08-20 2000-12-18 日本電気株式会社 Ｉｃパッケージ
CN1369905A (zh) * 2001-02-16 2002-09-18 安普生科技股份有限公司 高准确度及灵敏度霍尔感测元件及集成电路的封装方法
JP2005337866A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Asahi Kasei Corp 磁性体検出器及び半導体パッケージ
US10267892B2 (en) * 2010-10-04 2019-04-23 Qualcomm Incorporated Locating a device using a reference point to align location information
DE102011077580A1 (de) * 2011-06-16 2012-12-20 Robert Bosch Gmbh Hallsensor und Verfahren zum Betreiben eines Hallsensors
JP6105898B2 (ja) * 2012-10-26 2017-03-29 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気センサ及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233533A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の形成方法及び形成装置
JP2008244399A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Nichia Corp 発光装置
WO2013183270A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 旭化成エレクトロニクス株式会社 位置検出装置
WO2014091714A1 (ja) * 2012-12-14 2014-06-19 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気センサ及び磁気センサ装置、磁気センサの製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108232001A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 罗姆股份有限公司 霍尔元件模块
US20190044057A1 (en) * 2016-12-09 2019-02-07 Rohm Co., Ltd. Hall element module
US10522743B2 (en) * 2016-12-09 2019-12-31 Rohm Co., Ltd. Hall element module
CN108232001B (zh) * 2016-12-09 2021-05-14 罗姆股份有限公司 霍尔元件模块
WO2019021766A1 (ja) * 2017-07-24 2019-01-31 株式会社デンソー 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2019024084A (ja) * 2017-07-24 2019-02-14 株式会社デンソー 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US11355357B2 (en) 2017-07-24 2022-06-07 Denso Corporation Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN207067372U (zh) 2018-03-02
TWI555996B (zh) 2016-11-01
JP6392882B2 (ja) 2018-09-19
TW201617638A (zh) 2016-05-16
JPWO2016047130A1 (ja) 2017-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5635661B1 (ja) イメージセンサの２段階封止方法
JP6480622B2 (ja) ホールセンサ
JP6392882B2 (ja) ホールセンサ及びレンズモジュール
CN108155157B (zh) 包括引线框的集成电路封装体
TWI616006B (zh) 磁性感測器
JP6085726B2 (ja) ホールセンサの製造方法及びホールセンサ並びにレンズモジュール
JP2023033385A (ja) 半導体装置
JP6986385B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の実装構造
JP5458517B2 (ja) 電子部品
JP2022048197A (ja) 半導体装置
JP7208725B2 (ja) 半導体装置
US20150075849A1 (en) Semiconductor device and lead frame with interposer
JP6353287B2 (ja) ホールセンサ
JP6608666B2 (ja) ホール素子及びホールセンサ、レンズモジュール
JP7009157B2 (ja) 半導体装置
JP6553416B2 (ja) ホールセンサ
WO2017051829A1 (ja) ホール素子及びホールセンサ、レンズモジュール
JP2018074067A (ja) 半導体装置
JP6842236B2 (ja) 磁気センサモジュール
JP2018066722A (ja) 半導体装置
JP2018074066A (ja) 半導体装置
JP2018163908A (ja) 半導体装置
JP2011044585A (ja) 半導体装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2017120204A (ja) 磁気センサモジュール
JP2015012162A (ja) モールドパッケージおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15844180

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016549952

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15844180

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1