WO2016020242A1 - Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten eines halbleitermaterials - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten eines halbleitermaterials Download PDF

Info

Publication number
WO2016020242A1
WO2016020242A1 PCT/EP2015/067395 EP2015067395W WO2016020242A1 WO 2016020242 A1 WO2016020242 A1 WO 2016020242A1 EP 2015067395 W EP2015067395 W EP 2015067395W WO 2016020242 A1 WO2016020242 A1 WO 2016020242A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor material
sub
particles
cleaning
discharged
Prior art date
Application number
PCT/EP2015/067395
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Matthias ORLOB
Original Assignee
Robert Bosch Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch Gmbh filed Critical Robert Bosch Gmbh
Publication of WO2016020242A1 publication Critical patent/WO2016020242A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • the present invention relates to a method for processing a semiconductor material, to a corresponding device and to a
  • the predominant application is silicon in the photovoltaic industry and semiconductor industry.
  • the photovoltaic market is splitting into a so-called "low efficient” mass market and a "high efficient” niche market.
  • the niche market places special demands on the purity of the silicon.
  • For the production of a highly efficient monocrystalline solar cell at least the purity class 9N + of silicon is required.
  • the raw silicon for the semiconductor sector is usually still etched several times after the preparation, washed and dried. This is
  • the formation of dust is based on the production process of semi or photovoltaic silicon.
  • the silicon described is in a
  • the pollution of silicon is defined by the purity of the surface in relation to the presence of other metals. By cleaning the surfaces of fine particles thus a much higher purity of the surface of the material should be achieved. Thus, high quality silicon can be easily displayed.
  • a method for processing a semiconductor material comprising the following steps:
  • silicon or polycrystalline silicon in broken form can be understood as meaning a semiconductor material.
  • Discharging may be neutralizing charge carriers by oppositely charged charge carriers.
  • Cleaning may be removal of particles from the semiconductor material using mechanical forces.
  • electrostatically charged semiconductor material may be discharged to obtain discharged semiconductor material.
  • the cleaning step the discharged semiconductor material may be cleaned to obtain purified semiconductor material.
  • the cleaned and discharged semiconductor material may be provided. Discharging can take place before cleaning, as it requires less mechanical force to remove the particles from the semiconductor material.
  • the fluid stream may be passed over and / or through the semiconductor material. Alternatively or additionally, the fluid flow can be sucked off the semiconductor material. Coarse particles can be removed before unloading.
  • a fluid stream may be a gas stream. In particular, the fluid stream may be an air stream of purified air. The fluid flow can be conducted transversely to a material flow of the semiconductor material.
  • the fluid flow can penetrate the material flow.
  • Rinsing can take place in at least two partial steps. Between the partial steps, an intermediate step of turning can take place. By turning previously hidden sides of the semiconductor material are accessible to the fluid flow. As a result, an improved cleaning performance can be achieved.
  • the semiconductor material may be discharged using a plasma stream.
  • a plasma stream may be a gas stream with a fraction of charged gas particles. The charged particles are attracted to oppositely charged particles on the surface of the semiconductor material. Upon contact, a voltage potential between the two particles is compensated. Thus, the charged particles on the surface lose their electrostatic charge and thus their electrostatic attraction to the surface. Discharged surfaces can be easily cleaned by the fluid flow.
  • the plasma stream can simultaneously control the flow of fluid to clean the
  • the unloading and cleaning can be performed in a common processing step.
  • the method may include a step of checking a condition of the
  • the semiconductor material can in particular be checked for particles. By checking a material quality can be detected. This can be used at night, if the material quality does not meet the requirements. Furthermore, the material quality can be documented in order to have a proof of quality for further use.
  • the semiconductor material can be packaged in (ESD) bags that are permanently dissipative. Through bags, the semiconductor material before renewed
  • a device can be understood as meaning an electrical device which processes sensor signals and outputs control and / or data signals in dependence thereon.
  • the device may have an interface, which may be formed in hardware and / or software.
  • the interfaces can be part of a so-called system ASIC, for example, which contains a wide variety of functions of the device.
  • the interfaces are their own integrated circuits or at least partially consist of discrete components.
  • the interfaces may be software modules that are present, for example, on a microcontroller in addition to other software modules.
  • Also of advantage is a computer program product or computer program with program code which is stored on a machine-readable carrier or storage medium such as a semiconductor memory, a hard disk memory or an optical disk
  • Memory may be stored and for carrying out, implementing and / or controlling the steps of the method according to one of the above
  • FIG. 1 shows a method sequence for processing a semiconductor material according to an exemplary embodiment of the present invention
  • Fig. 2 is a block diagram of an apparatus for processing a
  • Fig. 3 shows a procedure with sub-steps for editing a
  • FIG. 1 shows a process flow for processing a semiconductor material 100 according to an embodiment of the present invention.
  • Semiconductor material 100 in this embodiment is silicon in a fractured form.
  • the semiconductor material 100 is thus present as bulk material.
  • the semiconductor material 100 is first prepared mechanically for the further method steps. At this time, the semiconductor material 100 is sieved to cut off grains below a minimum grain size. Second, the semiconductor material 100 is discharged. This is the
  • Semiconductor material 100 is converted from an electrically charged state to an electrically neutral state.
  • the semiconductor material 100 is cleaned. In this case, minute particles are removed from the semiconductor material 100.
  • the semiconductor material 100 passes through a cleaning machine 102.
  • the semiconductor material is provided and packaged in bag 104. In this case, electrically conductive bags 104 are used in order to remove electrostatic charges from the semiconductor material can.
  • material 100 is conventionally not packaged (silicon) dust-free. But this is necessary for an ever-growing market. Fine particles and minute particles contribute to higher contamination with their high surface to volume ratio (A / V ratio).
  • Polysilicon (pSi) 100 by particle separation by means of electrostatic discharge and cleaning. The following processing steps are considered essential and thus represent the core of processing in a class 10,000 clean room.
  • Semiconductor material 100 to be able to fall back on highly sensitive equipment.
  • the presence of intangible or non-editable micro-particles can cause damage to equipment, increase the processing costs and / or distort the analysis.
  • even the smallest particles with their high surface-to-volume ratio (A / V ratio) contribute to higher contamination.
  • Electrostatic discharge with the aim of providing electrically potential-free material has considerable significance in the semiconductor industry. Experiments have shown that, even in currently existing packaging, cargoes were detected far beyond 1 kV. Discharge of the material 100 with subsequent securing of the further potential is thus essential.
  • the principle of electrostatic discharge aims to remove parasitic charges. This is especially critical because the electrical charge, the adhesions of unwanted particles such as dust, micro-splinters and / or foreign parts is promoted. By ensuring the transfer of cleaned and potential-free products, in appropriate packaging, thus avoiding the unwanted adhesion to the customer.
  • Fig. 2 shows a block diagram of a device 200 for processing a
  • the device 200 comprises a device 202 for discharging, a device 204 for cleaning and a device 206 for providing.
  • Discharge device 202 is configured to discharge the semiconductor material electrostatically.
  • Device 204 for cleaning is designed to remove particles from the
  • the provisioning means 206 is configured to provide the semiconductor material for further use.
  • FIG. 3 shows a method sequence with sub-steps for processing a semiconductor material 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • the procedure corresponds essentially to the
  • Procedure has further sub-steps.
  • a first partial step 300 the semiconductor material 100 is made
  • the transport container 302 is a bag 302.
  • the semiconductor material 100 is poured onto a conveyor belt 304.
  • a second substep 306 the semiconductor material 100 is passed over a screen 308 in order to deposit semiconductor material 100 or contaminations 310 having a particle size smaller than a mesh width of the screen 308.
  • the semiconductor material 100 can be shaken on the wire 308.
  • An exemption of large particles of dust and fines is possible due to the storage on a permeable and thus suitable conveyor belt 308 (suitable for ESD) by means of lightweight Hintteins.
  • the semiconductor material 100 is distributed on a wider conveyor belt 304. In this case, the material 100 is singulated so that all sides of the material 100 can be reached from above or below.
  • a fourth sub-step 3114 the semiconductor material 100 is checked.
  • a visual check using a camera 316 is represented here.
  • the semiconductor material can also be checked at random, for example.
  • tests of electrical properties of the semiconductor material 100 may be performed.
  • a particle measurement is performed. For example, over a
  • Potential determination initially determines the initial charge of the material 100.
  • the semiconductor material 100 is under
  • substep 318 the material 100 is exposed to atmospheric pressure plasma 320, for example. As a result, the material 100 is transferred to the state of charge neutrality.
  • direct plasma sources and indirect plasma sources can be used.
  • the plasma 320 is directly between a plasma source and the
  • Plasma generation is powered by alternating electric fields. It can be a
  • Gigahertz be used.
  • the room air is advantageously used simply at atmospheric pressure.
  • any mixture of nitrogen, oxygen and noble gases may be used.
  • Atmospheric pressure is possible, but not mandatory.
  • the distance between the plasma source and the material 100 should be as small as be chosen because larger distances lead to longer treatment periods.
  • a gas stream 324 is blown by a blower 326 via the semiconductor material 100 on the conveyor belt 304.
  • the finest particles, which no longer adhere to the semiconductor material 100 by electrostatic forces, are blown away.
  • a seventh substep 328 the semiconductor material 100 is sucked off. In the process, further undesired particles and impurities are removed.
  • the now potential-free material 100 is subjected to a renewed cleaning by means of pure air 324.
  • a targeted air mass flow 324 directly over the material 100 is achieved by the parallel use of a suitable extraction optimal particle clearance of the entire
  • the fifth substep 318, the sixth substep 322, and the seventh substep 328 are performed using a single fluid stream.
  • the fluid flow simultaneously serves for discharging and for cleaning the semiconductor material 100.
  • the semiconductor material 100 is turned over.
  • the semiconductor material 100 drops from a first conveyor belt to a second conveyor belt.
  • hitherto hidden areas of the semiconductor material 100 are accessible for further processing steps by the first conveyor belt.
  • a ninth sub-step 332 a tenth sub-step 334 and an eleventh sub-step 336, the now exposed points of the semiconductor material 100 are blown off again, sucked off and discharged again.
  • a twelfth sub-step 338 the semiconductor material 100 is checked again. If the cleaning and discharging from the previous substeps has not given satisfactory results, the respective substeps 318, 322, 328, 330, 332, 334, 336 may be run again.
  • the Downstream potential assessment 340 certifies the material 100 to the generated quality.
  • Semiconductor material 100 in portions in bag 104 filled. As shown in FIG. 1, electrically conductive bags 104 are used for discharging electrostatic charges of the semiconductor material 100. The material 100 is packaged cleaned. This is antistatic
  • Packing material 104 used in the form of ESD bags 104 This reflects the core of sustainable cleaning, so that the electrostatic
  • ESD Discharge
  • ESA electrostatic attraction
  • Semiconductor material 100 is measured and registered. In a fifteenth sub-step 344, the bags 104 are welded.
  • a sixteenth sub-step 346 the bags 104 are replaced by a
  • Overpack 348 protected from contamination.
  • at least one bag 104 is placed in an outer package 348.
  • Another package 348 now forms the outer protection, so that the outside of the ESD bag 104 remains pure and no contamination, for example, by the transport into the clean room.
  • the outer package 344 is also welded.
  • the outer package 344 is labeled.
  • the semiconductor material can now be cleaned, discharged and portioned further
  • the particle separation concept presented herein includes the step 300 of opening, a step 306 of sieving, a step 312 of singulation, a first step 314 of measuring particles, a first substep 318 of electrostatic discharge, a first substep 322 of the particle release by air pressure and / or flow, a first step 328 of the suction, a step 330 of turning or shaking, a second partial step 332 of the particle liberation by air pressure and / or flow, a second step 334 of the suction, a second partial step 336 electrostatic discharge, a second step 338 of the step 300 of opening, a step 306 of sieving, a step 312 of singulation, a first step 314 of measuring particles, a first substep 318 of electrostatic discharge, a first substep 322 of the particle release by air pressure and / or flow, a first step 328 of the suction, a step 330 of turning or shaking, a second partial step 332 of the particle liberation by air pressure and / or flow,
  • FIG. 4 shows a flowchart of a method 500 for processing a semiconductor material according to an embodiment of the present invention
  • the method 500 essentially corresponds to the method illustrated in FIG. 3. As in FIG. 3, the method 500 includes a first one
  • a reduction in the amount of foreign particles in the follow-up process can be achieved by ensuring prevention of the electrostatic attraction of the material.
  • the method 500 includes a step 502 of cleaning, a step 504 of unloading, and a step 506 of providing.
  • the second sub-step 306 of the sieving, the sixth sub-step 322 of the blowing, the seventh sub-step 328 of the suction, the ninth sub-step 332 of the blowing and / or the tenth sub-step 334 of the suction are combined to the step 502 of the cleaning.
  • the fifth sub-step 318 of the unloading and the eleventh sub-step 336 of the unloading are combined to the step 504 of the unloading.
  • the thirteenth sub-step 340 of the wrapping, the fifteenth sub-step 344 of the welding, the sixteenth sub-step 346 of the wrapping and / or the seventeenth sub-step 350 of the welding are in the step 506 of providing
  • Polysilicon combined with the sustainable prevention of re-adhesion, is the core of the process.
  • the approach presented here makes it possible to subject polysilicon to a material-saving, cost-effective and reliable cleaning of the surface.
  • an exemplary embodiment comprises a "and / or" link between a first feature and a second feature, this is to be read such that the
  • Embodiment according to an embodiment both the first feature and the second feature and according to another embodiment, either only the first feature or only the second feature.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren (500) zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials (100), wobei das Verfahren (500) einen Schritt (504) des Entladens, einen Schritt (502) des Reinigens und einen Schritt (506) des Bereitstellens aufweist. Im Schritt (318, 336, 504) des Entladens wird das Halbleitermaterial (100) elektrostatisch entladen. Im Schritt (306, 322, 328, 332, 334, 502) des Reinigens werden Partikel (310) von dem Halbleitermaterial (100) entfernt. Im Schritt (340, 344, 346, 350, 506) des Bereitstellens wird das Halbleitermaterial (100) zur weiteren Verwendung bereitgestellt.

Description

Beschreibung Titel
Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials Stand der Technik
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials, auf eine entsprechende Vorrichtung sowie auf ein
entsprechendes Computerprogramm.
Die vorwiegende Anwendung findet Silizium in der Fotovoltaikindustrie und Halbleiterindustrie. Der Fotovoltaik- Markt splittet sich in einen sogenannten„low efficient" Massenmarkt und in einen„high efficient" Nischenmarkt. Besonders der Nischenmarkt setzt besondere Anforderungen an die Reinheit des Siliziums. Für die Herstellung einer hocheffizienten monokristallinen Solarzelle wird mindestens die Reinheitsklasse 9N+ von Silizium benötigt.
Das Rohsilizium für den Halbleiterbereich wird bisher nach der Herstellung zumeist noch mehrfach geätzt, gewaschen und getrocknet. Dies ist
kostenintensiv und es ergibt sich ein nennenswerter Materialverlust. Aufgrund der hohen Anforderungen an Fotovoltaik-Silizium, insbesondere bei "high efficient" Anwendungen, müsste das Material ebenfalls eine annähernd hohe Qualität aufweisen und entsprechende Reinigungsvorstufen durchlaufen.
Nachhaltig gereinigtes potenzialfreies Silicium ist auf dem Markt heute nicht zu finden, wobei dieses Material in der Fotovoltaikindustrie und Halbleiterindustrie eine erhebliche Bedeutung hat.
Offenbarung der Erfindung Vor diesem Hintergrund werden mit dem hier vorgestellten Ansatz ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials, weiterhin eine Vorrichtung, die dieses Verfahren verwendet, sowie schließlich ein entsprechendes Computerprogramm gemäß den Hauptansprüchen vorgestellt. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung.
Die Staubbildung ist in dem Herstellungsprozess von Semi- beziehungsweise Fotovoltaik-Silizium begründet. Das beschriebene Silizium wird in einer
Gasphase abgeschieden und erstarrt zu einem sogenannten U-Rod. Für die weitere Verarbeitung werden die U-Rods in einem Brechprozess zerkleinert und anschließend inklusive Staub verpackt. Die Siliziumhersteller können ein staubfreies sowie Ladungsfreies (ESD-freies) Verpacken nicht sicherstellen, da diese Anforderung für die Mainstreamprodukte nicht notwendig ist. Eine
Anpassung des Verpackungskonzepts für die Nischenprodukte wird aktuell abgelehnt. Mit den im Folgenden dargestellten Konzepten der pSi Veredelung kann dieser Bedarf gedeckt werden. Eine Bearbeitung des zurzeit am Markt vorhandenen pSi ist damit essenziell und soll hier erläutert werden.
Die Verschmutzung des Siliciums wird über die Reinheit der Oberfläche in Bezug auf das Vorkommen von anderen Metallen definiert. Durch eine Reinigung der Oberflächen von Feinpartikeln soll somit eine wesentlich höhere Reinheit der Oberfläche des Materials erreicht werden. Somit kann hochwertiges Silizium auf einfache Weise dargestellt werden.
Mit dem hier vorgestellten Prozess der Veredelung kann, ein Ratiopotenzial von 75% erreicht werden. Durch den hier vorgestellten Ansatz wird bisher unverkäufliches Material verkäuflich. Das Material erfährt eine
Ursprungsänderung.
Es wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials vorgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Entladen des Halbleitermaterials, wobei das Halbleitermaterial elektrostatisch entladen wird; Reinigen des Halbleitermaterials, wobei Partikel von dem Halbleitermaterial entfernt werden; und
Bereitstellen des Halbleitermaterials zur weiteren Verwendung.
Unter einem Halbleitermaterial kann insbesondere Silizium beziehungsweise polykristallines Silizium in gebrochener Form verstanden werden. Ein Entladen kann ein Neutralisieren von Ladungsträgern durch entgegengesetzt geladenen Ladungsträger sein. Ein Reinigen kann ein Entfernen von Partikeln von dem Halbleitermaterial unter Verwendung von mechanischen Kräften sein.
Im Schritt des Entladens kann elektrostatisch aufgeladenes Halbleitermaterial entladen werden, um entladenes Halbleitermaterial zu erhalten. Im Schritt des Reinigens kann das entladene Halbleitermaterial gereinigt werden, um gereinigtes Halbleitermaterial zu erhalten. Im Schritt des Bereitstellens kann das gereinigte und entladene Halbleitermaterial bereitgestellt werden. Das Entladen kann zeitlich vor dem Reinigen erfolgen, da damit geringere mechanische Kräfte erforderlich sind, um die Partikel von dem Halbleitermaterial zu entfernen.
Im Schritt des Reinigens können (grobe) Partikel unter Verwendung der
Schwerkraft ausgesiebt werden. Feine Partikel können unter Verwendung eines Fluidstroms ausgespült werden. Der Fluidstrom kann über und/oder durch das Halbleitermaterial geführt werden. Alternativ oder ergänzend kann der Fluidstrom von dem Halbleitermaterial abgesaugt werden. Grobe Partikel können vor dem Entladen entfernt werden. Ein Fluidstrom kann ein Gasstrom sein. Insbesondere kann der Fluidstrom ein Luftstrom aus gereinigter Luft sein. Der Fluidstrom kann quer zu einem Materialstrom des Halbleitermaterials geführt werden.
Insbesondere kann der Fluidstrom den Materialstrom durchdringen.
Das Ausspülen kann in zumindest zwei Teilschritten erfolgen. Zwischen den Teilschritten kann ein Zwischenschritt des Wendens erfolgen. Durch das Wenden werden vorher verdeckte Seiten des Halbleitermaterials für den Fluidstrom zugänglich. Dadurch kann eine verbesserte Reinigungsleistung erzielt werden. Das Halbleitermaterial kann unter Verwendung eines Plasmastroms entladen werden. Ein Plasmastrom kann ein Gasstrom mit einem Anteil an geladenen Gasteilchen sein. Die geladenen Teilchen werden von entgegengesetzt geladenen Teilchen auf der Oberfläche des Halbleitermaterials angezogen. Bei einer Berührung wird ein Spannungspotenzial zwischen den beiden Teilchen ausgeglichen. Damit verlieren die geladenen Teilchen an der Oberfläche ihre elektrostatische Aufladung und somit ihre elektrostatische Anziehungskraft zu der Oberfläche. Entladene Oberflächen können leicht durch den Fluidstrom gereinigt werden.
Der Plasmastrom kann gleichzeitig der Fluidstrom zum Reinigen des
Halbleitermaterials sein. Damit kann das Entladen und Reinigen in einem gemeinsamen Bearbeitungsschritt durchgeführt werden.
Das Verfahren kann einen Schritt des Überprüfens eines Zustands des
Halbleitermaterials aufweisen. Das Halbleitermaterial kann insbesondere auf Partikel überprüft werden. Durch ein Überprüfen kann eine Materialqualität erfasst werden. Damit kann nachtgearbeitet werden, wenn die Materialqualität nicht den Anforderungen entspricht. Weiterhin kann die Materialqualität dokumentiert werden, um für die weitere Verwendung einen Qualitätsnachweis zu haben.
Das Halbleitermaterial kann in (ESD) Beutel verpackt werden, die permanent ableitfähig sind. Durch Beutel kann das Halbleitermaterial vor erneuter
Verschmutzung geschützt werden. Beutel können einfach gelagert und transportiert werden.
Der hier vorgestellte Ansatz schafft ferner eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials, die ausgebildet ist, um die Schritte einer Variante eines hier vorgestellten Verfahrens in entsprechenden Einrichtungen durchzuführen, anzusteuern bzw. umzusetzen. Auch durch diese Ausführungsvariante der Erfindung in Form einer Vorrichtung kann die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe schnell und effizient gelöst werden. Unter einer Vorrichtung kann vorliegend ein elektrisches Gerät verstanden werden, das Sensorsignale verarbeitet und in Abhängigkeit davon Steuer- und/oder Datensignale ausgibt. Die Vorrichtung kann eine Schnittstelle aufweisen, die hard- und/oder softwaremäßig ausgebildet sein kann. Bei einer hardwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen beispielsweise Teil eines sogenannten System-ASICs sein, der verschiedenste Funktionen der Vorrichtung beinhaltet. Es ist jedoch auch möglich, dass die Schnittstellen eigene, integrierte Schaltkreise sind oder zumindest teilweise aus diskreten Bauelementen bestehen. Bei einer softwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen Softwaremodule sein, die beispielsweise auf einem Mikrocontroller neben anderen Softwaremodulen vorhanden sind.
Von Vorteil ist auch ein Computerprogrammprodukt oder Computerprogramm mit Programmcode, der auf einem maschinenlesbaren Träger oder Speichermedium wie einem Halbleiterspeicher, einem Festplattenspeicher oder einem optischen
Speicher gespeichert sein kann und zur Durchführung, Umsetzung und/oder Ansteuerung der Schritte des Verfahrens nach einer der vorstehend
beschriebenen Ausführungsformen verwendet wird, insbesondere wenn das Programmprodukt oder Programm auf einem Computer oder einer Vorrichtung ausgeführt wird.
Der hier vorgestellte Ansatz wird nachstehend anhand der beigefügten
Zeichnungen beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Verfahrensablauf zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ein Blockschaltbild einer Vorrichtung zum Bearbeiten eines
Halbleitermaterials gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 3 einen Verfahrensablauf mit Teilschritten zum Bearbeiten eines
Halbleitermaterials gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung; und Fig. 4 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Bearbeiten eines
Halbleitermaterials gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung.
In der nachfolgenden Beschreibung günstiger Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Figuren
dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche
Bezugszeichen verwendet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente verzichtet wird.
Fig. 1 zeigt einen Verfahrensablauf zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das
Halbleitermaterial 100 ist in diesem Ausführungsbeispiel Silizium in gebrochener Form. Das Halbleitermaterial 100 liegt also als Schüttgut vor. Bei dem hier vorgestellten Verfahren wird das Halbleitermaterial 100 zuerst mechanisch für die weiteren Verfahrensschritte vorbereitet. Dabei wird das Halbleitermaterial 100 gesiebt, um Körner unterhalb einer Mindestkorngröße abzuschneiden. Als Zweites wird das Halbleitermaterial 100 entladen. Dabei wird das
Halbleitermaterial 100 von einem elektrisch geladenen Zustand in einen elektrisch neutralen Zustand übergeführt. Als Drittes wird das Halbleitermaterial 100 gereinigt. Dabei werden Kleinstpartikel von dem Halbleitermaterial 100 entfernt. Dazu durchläuft das Halbleitermaterial 100 eine Reinigungsmaschine 102. Als Viertes wird das Halbleitermaterial bereitgestellt und in Beutel 104 abgepackt. Dabei werden elektrisch leitfähige Beutel 104 verwendet, um elektrostatische Ladungen von dem Halbleitermaterial abführen zu können.
Aufgrund eines definierten Herstellungsprozesses und Verpackungsprozesses wird das Material 100 herkömmlich nicht (Silicium-) staubfrei verpackt. Dies ist aber für einen immer größer werdenden Markt notwendig. Feinpartikel und Kleinstpartikel tragen mit ihrem großen Oberfläche-zu-Volumen Verhältnis (A/V- Verhältnis) zu einer höheren Verunreinigung bei.
Der hier vorgestellte Ansatz beschreibt ein Konzept zur Veredelung von
Polysilicium (pSi) 100 durch Partikeltrennung mittels elektrostatischer Entladung und Reinigung. Folgende Bearbeitungsschritte werden als wesentlich erachtet und stellen somit den Kern der Bearbeitung in einem Reinraum der Klasse 10.000 dar.
Befreiung von Kleinstpartikeln, um bei der Weiterverarbeitung von
Halbleitermaterial 100 auf hochempfindliches Equipment zurückgreifen zu können. Das Vorhandensein von schlecht greifbaren beziehungsweise nicht bearbeitbaren Kleinstpartikeln kann dabei Schäden an Anlagen verursachen, den Bearbeitungsaufwand erhöhen und/oder die Analyse verfälschen. Insbesondere tragen auch die Kleinstpartikel mit ihrem großen Oberfläche-zu-Volumen- Verhältnis (A/V-Verhältnis) zu einer höheren Verunreinigung bei.
Neben der Befreiung von Kleinstpartikeln besteht der Bedarf nach weiterer Veredelung.
Elektrostatische Entladung mit dem Ziel elektrisch potenzialfreies Material bereitzustellen. Potenzialfreies Material 100 hat in der Halbleiterindustrie eine erhebliche Bedeutung. Versuche haben ergeben, dass allein in aktuell vorhandenen Verpackungen Ladungen weit über lkV detektiert wurden. Eine Entladung des Materials 100 mit anschließender Sicherstellung des weiteren Potenzials ist somit wesentlich.
Das Prinzip der elektrostatischen Entladung zielt auf die Entfernung parasitärer Ladungen ab. Das ist speziell daher kritisch, da durch die elektrische Aufladung, die Anhaftungen von unerwünschten Partikeln, wie Staub, Kleinstsplittern und/oder Fremdteilen gefördert wird. Mit der Sicherstellung der Weitergabe von gereinigten und potenzialfreien Erzeugnissen, in entsprechenden Verpackungen, wird somit auch die beim Kunden die unerwünschte Anhaftung vermieden.
Der hier vorgestellte Ansatz beschreibt einen Ablauf mit einem Schritt des Öffnens, einen Schritt des elektrostatischen Entladens, einem Schritt der Partikelbefreiung und einem Schritt des Einpackens und Einschweißens. Mit dem hier dargestellten Konzept der Polysiliciumveredelung kann der Bedarf nach nachhaltig gereinigtem Polysilicium gedeckt werden. Eine Verbesserung des zurzeit am Markt vorhandenen Polysiliciums soll hier erläutert werden. Fig. 2 zeigt ein Blockschaltbild einer Vorrichtung 200 zum Bearbeiten eines
Halbleitermaterials gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung. Auf der Vorrichtung 200 können die Verfahrensschritte, wie Sie beispielsweise in Fig. 1 dargestellt sind, ausgeführt werden. Die Vorrichtung 200 weist eine Einrichtung 202 zum entladen, eine Einrichtung 204 zum Reinigen und eine Einrichtung 206 zum Bereitstellen auf. Die Einrichtung 202 zum entladen ist dazu ausgebildet, das Halbleitermaterial elektrostatisch zu entladen. Die
Einrichtung 204 zum Reinigen ist dazu ausgebildet, Partikel von dem
Halbleitermaterial zu entfernen. Die Einrichtung 206 zum Bereitstellen ist dazu ausgebildet, das Halbleitermaterial zur weiteren Verwendung bereitzustellen.
Fig. 3 zeigt einen Verfahrensablauf mit Teilschritten zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Verfahrensablauf entspricht im Wesentlichen dem
Verfahrensablauf, wie er beispielsweise in Fig. 1 dargestellt ist. Der
Verfahrensablauf weist weitere Teilschritte auf.
In einem ersten Teilschritt 300 wird das Halbleitermaterial 100 aus
Transportbehältern 302 entnommen. Hier ist der Transportbehälter 302 eine Tüte 302. das Halbleitermaterial 100 wird auf ein Förderband 304 aufgeschüttet. Beispielsweise wird das bis zu diesem Zeitpunkt vorhandene Polysilicium 100 in einem Reinraum der Klasse <=1000 aus den bestehenden Doppel-PE-Tüten 302 entnommen.
In einem zweiten Teilschritt 306 wird das Halbleitermaterial 100 über ein Sieb 308 geführt, um Halbleitermaterial 100 beziehungsweise Verschmutzungen 310 mit einer Korngröße kleiner als eine Maschenweite des Siebs 308 abzuscheiden. Dabei kann das Halbleitermaterial 100 auf dem Sieb 308 gerüttelt werden. Eine Befreiung von großen Staub- und Feinstpartikeln ist aufgrund der Lagerung auf einem durchlässigen und damit geeigneten Transportband 308 (ESD tauglich) mittels leichten Rütteins möglich. In einem dritten Teilschritt 312 wird das Halbleitermaterial 100 auf einem breiteren Förderband 304 verteilt. Dabei wird das Material 100 vereinzelt, sodass alle Seiten des Materials 100 von oben bzw. unten erreicht werden können.
In einem vierten Teilschritt 314 wird das Halbleitermaterial 100 überprüft.
Stellvertretend ist hier eine optische Überprüfung unter Verwendung einer Kamera 316 dargestellt. Das Halbleitermaterial kann beispielsweise auch stichprobenweise überprüft werden. Ebenso können Tests von elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials 100 durchgeführt werden. Insbesondere wird eine Partikelmessung durchgeführt. Beispielsweise wird über eine
Potenzialbestimmung zunächst die initiale Ladung des Materials 100 bestimmt.
In einem fünften Teilschritt 318 wird das Halbleitermaterial 100 unter
Verwendung eines Plasmastroms 320 elektrisch entladen. Dabei wird ionisiertes
Gas auf das Halbleitermaterial 100 geblasen. Die elektrisch geladenen Teilchen des Plasmas 320 neutralisieren dabei jeweils entgegengesetzt geladene
Teilchen am Halbleitermaterial 100. Im Teilschritt 318 wird das Material 100 beispielsweise Atmosphärendruckplasma 320 ausgesetzt. Dadurch wird das Material 100 in den Zustand der Ladungsneutralität übergeführt.
Zur Erzeugung von Atmosphärendruckplasma 320 können direkte Plasmaquellen und indirekte Plasmaquellen eingesetzt werden. Bei einer direkten Plasmaquelle wird das Plasma 320 direkt zwischen einer Plasmaquelle und dem
Behandlungsgut 100 erzeugt. Bei einer indirekten Plasmaquelle wird das Plasma
320 im Inneren der Plasmaquelle erzeugt und über einen Gasstrom in Richtung des Behandlungsguts 100 ausgeblasen. Die Plasmaerzeugung wird über elektrische Wechselfelder mit Energie versorgt. Dabei kann eine
Anregungsfrequenz von wenigen Hertz bis zu Mikrowellen mit mehreren
Gigahertz verwendet werden. Als Arbeitsgas wird vorteilhaft einfach die Raumluft bei Normaldruck verwendet. Alternativ kann auch jedes Gemisch von Stickstoff, Sauerstoff und Edelgasen verwendet werden. Abweichungen von
Atmosphärendruck sind möglich, jedoch nicht zwingend erforderlich. Der Abstand zwischen der Plasmaquelle und dem Behandlungsgut 100 sollte so klein wie möglich gewählt werden, da größere Abstände zu längeren Behandlungsdauern führen.
In einem sechsten Teilschritt 322 wird ein Gasstrom 324 von einem Gebläse 326 über das Halbleitermaterial 100 auf dem Förderband 304 geblasen. Dabei werden feinste Teilchen, die jetzt nicht mehr durch elektrostatische Kräfte an dem Halbleitermaterial 100 anhaften, weggeblasen.
In einen siebten Teilschritt 328 wird das Halbleitermaterial 100 abgesaugt. Dabei werden weitere unerwünschte Teilchen und Verunreinigungen entfernt.
Beispielsweise wird das nun potenzialfreie Material 100 einer erneuten Reinigung mittels Reinstluft 324 unterzogen. Durch einen zielgerichteten Luftmassestrom 324 direkt über das Material 100 wird durch die parallele Verwendung einer passenden Absaugung eine optimale Partikelbefreiung der gesamten
Materialoberfläche erreicht.
In einem Ausführungsbeispiel werden der fünfte Teilschritt 318, der sechste Teilschritt 322 und der siebte Teilschritt 328 unter Verwendung eines einzelnen Fluidstroms durchgeführt. Damit dient der Fluidstrom gleichzeitig zum Entladen und zum Reinigen des Halbleitermaterials 100.
In einem achten Teilschritt 330 wird das Halbleitermaterial 100 gewendet. Hier fällt das Halbleitermaterial 100 von einem ersten Förderband auf ein zweites Förderband. Dabei werden bisher durch das erste Förderband verdeckte Stellen des Halbleitermaterials 100 für weitere Bearbeitungsschritte zugänglich.
In einem neunten Teilschritt 332, einem zehnten Teilschritt 334 und einem elften Teilschritt 336 werden die jetzt freiliegenden Stellen des Halbleitermaterials 100 erneut abgeblasen, abgesaugt und erneut entladen.
In einem zwölften Teilschritt 338 wird das Halbleitermaterial 100 erneut überprüft. Wenn das Reinigen und entladen aus den vorhergehenden Teilschritten keine zufriedenstellenden Ergebnisse gebracht hat, können die entsprechenden Teilschritte 318, 322, 328, 330, 332, 334, 336 erneut durchlaufen werden. Die nachgelagerte Potenzialbewertung 340 bescheinigt dem Material 100 die erzeugte Güte.
In einem dreizehnten Teilschritt 340 wird das gereinigte und entladene
Halbleitermaterial 100 portionsweise in Beutel 104 eingefüllt. Wie in Fig. 1 dargestellt, werden dafür elektrisch leitfähige Beutel 104 verwendet, um elektrostatische Ladungen des Halbleitermaterials 100 abführen zu können. Das Material 100 wird gereinigt verpackt. Dabei wird antistatisches
Verpackungsmaterial 104 in Form von ESD Tüten 104 verwendet. Dies spiegelt den Kern der nachhaltigen Reinigung wieder, sodass die elektrostatische
Entladung (ESD) und die elektrostatische Anziehung (ESA) im Folgenden verhindert werden. Das Verhindern der Wiederaufladung ist besonders wichtig, da damit sichergestellt wird, dass auch nach dem erneuten Auspacken, durch das Material 100 nicht übermäßig Staub und Schmutzpartikel angezogen werden.
In einem vierzehnten Teilschritt 342 wird eine elektrische Ladung des
Halbleitermaterials 100 gemessen und registriert. In einem fünfzehnten Teilschritt 344 werden die Beutel 104 verschweißt.
In einem sechzehnten Teilschritt 346 werden die Beutel 104 durch eine
Umverpackung 348 vor Verschmutzung geschützt. Dabei wird zumindest je ein Beutel 104 in eine Umverpackung 348 gegeben. Eine weitere Verpackung 348 bildet nun den äußeren Schutz, sodass auch die Außenseite der ESD-Tüte 104 rein bleibt und keine Verunreinigung, beispielsweise durch den Transport in den Reinraum gelangt.
In einem siebzehnten Teilschritt 350 wird die Umverpackung 344 ebenfalls verschweißt.
In einem achtzehnten Teilschritt 352 wird die Umverpackung 344 etikettiert. Das Halbleitermaterial kann nun gereinigt, entladen und portioniert weiteren
Verarbeitungsschritten zugeführt werden. Abschließend wird jede Packeinheit 348 nach dem Verschweißen zur Nachverfolgung separat etikettiert. In einem erweiterten Ausführungsbeispiel umfasst das hier vorgestellte Konzept der Partikeltrennung den Schritt 300 des Öffnens, einen Schritt 306 des Siebens, einen Schritt 312 des Vereinzeins, einen ersten Schritt 314 des Messens von Partikeln, den einen ersten Teilschritt 318 des elektrostatischen Entladens, einen ersten Teilschritt 322 der Partikel befreiung durch Luftdruck und/oder Strömung, einen ersten Schritt 328 des Absaugens, einen Schritt 330 des Wendens oder Rütteins, einen zweiten Teilschritt 332 der Partikelbefreiung durch Luftdruck und/oder Strömung, einen zweiten Schritt 334 des Absaugens, einen zweiten Teilschritt 336 des elektrostatischen Entladens, einen zweiten Schritt 338 des
Messens von Partikeln, einen ersten Teilschritt 340 des Einpackens, der ESD- geschützt erfolgt, einen Schritt 342 des Ladungsprüfens, einen ersten Teilschritt 344 des Einschweißens, einen zweiten Teilschritt 346 des Einpackens, einen zweiten Teilschritt 350 des Einschweißens und einen Schritt 352 des
Etikettierens auf.
Fig. 4 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 500 zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung. Das Verfahren 500 entspricht im Wesentlichen dem Verfahren, das in Fig. 3 dargestellt ist. Wie in Fig. 3 weist das Verfahren 500 einen ersten
Teilschritt 300 des Öffnens beziehungsweise Auspackens, einen zweiten Teilschritt 306 des Siebens, einen dritten Teilschritt 312 des Vereinzeins, einen vierten Teilschritt 314 des Messens, einen fünften Teilschritt 318 des Entladens, einen sechsten Teilschritt 322 des Blasens, einen siebten Teilschritt 328 des Saugens, einen achten Teilschritt 330 des Wendens beziehungsweise Rütteins, einen neunten Teilschritt 332 des Blasens, einen zehnten Teilschritt 334 des Saugens, einen elften Teilschritt 336 des Entladens, einen zwölften Teilschritt 338 des Messens, einen dreizehnten Teilschritt 340 des Einpackens, einen vierzehnten Teilschritt 342 des Prüfens, einen fünfzehnten Teilschritt 344 des Einschweißens, einen sechzehnten Teilschritt 346 des Einpackens, einen siebzehnten Teilschritt 350 des Einschweißens sowie einen achtzehnten
Teilschritt 352 des Etikettierens auf.
Der hier vorgestellte Ansatz beschreibt die Möglichkeit, das Polysilicium einer schonenden und materialverlustminimierenden Reinigung zu unterziehen. Die nachhaltige Reinheit, in Form einer potenzialfreien Bereitstellung, stellt einen essenziellen Bedarf dar. Notwendig wird dies, da die nachgelagerte
Prozessierung des Materials nicht immer unter den notwendigen
Reinraumbedingungen durchgeführt wird.
Eine Reduzierung der Fremdpartikelanzahl in dem Folgeprozess kann dadurch erreicht werden, dass eine Verhinderung der elektrostatischen Anziehung des Materials sichergestellt wird.
In einem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren 500 zum Bearbeiten einen Schritt 502 des Reinigens, einen Schritt 504 des Entladens und einen Schritt 506 des Bereitstellens auf. Dabei sind der zweite Teilschritt 306 des Siebens, der sechste Teilschritt 322 des Blasens, der siebte Teilschritt 328 des Saugens, der neunte Teilschritt 332 des Blasens und/oder der zehnte Teilschritt 334 des Saugens zu dem Schritt 502 des Reinigens zusammengefasst. Der fünfte Teilschritt 318 des Entladens und der elfte Teilschritt 336 des Entladens sind zu dem Schritt 504 des Entladens zusammengefasst. Der dreizehnte Teilschritt 340 des Einpackens, der fünfzehnte Teilschritt 344 des Einschweißens, der sechzehnte Teilschritt 346 des Einpackens und/oder der siebzehnte Teilschritt 350 des Einschweißens sind in dem Schritt 506 des Bereitstellens
zusammengefasst.
Das Entfernen von Klein- und Feinstpartikeln auf der Oberfläche von
Polysilicium, verbunden mit der nachhaltigen Unterbindung einer erneuten Anhaftung, stellt den Kern der Bearbeitung dar. Mit dem hier vorgestellten Ansatz ist es möglich, Polysilicium einer materialschonenden, kostengünstigen und zuverlässigen Reinigung der Oberfläche zu unterziehen.
Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden. Ferner können die hier vorgestellten Verfahrensschritte wiederholt sowie in einer anderen als in der beschriebenen Reihenfolge ausgeführt werden.
Umfasst ein Ausführungsbeispiel eine„und/oder"- Verknüpfung zwischen einem ersten Merkmal und einem zweiten Merkmal, so ist dies so zu lesen, dass das
Ausführungsbeispiel gemäß einer Ausführungsform sowohl das erste Merkmal als auch das zweite Merkmal und gemäß einer weiteren Ausführungsform entweder nur das erste Merkmal oder nur das zweite Merkmal aufweist.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren (500) zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials (100), wobei das Verfahren (500) die folgenden Schritte aufweist:
Entladen (318, 336, 504) des Halbleitermaterials (100), wobei das Halbleitermaterial (100) elektrostatisch entladen wird;
Reinigen (306, 322, 328, 332, 334, 502) des Halbleitermaterials (100), wobei Partikel (310) von dem Halbleitermaterial (100) entfernt werden; und
Bereitstellen (340, 344, 346, 350, 506) des Halbleitermaterials (100) zur weiteren Verwendung.
2. Verfahren (500) gemäß Anspruch 1, bei dem im Schritt (504) des
Entladens elektrostatisch aufgeladenes Halbleitermaterial (100) entladen wird, um entladenes Halbleitermaterial (100) zu erhalten, wobei im Schritt (502) des Reinigens das entladene Halbleitermaterial (100) gereinigt wird, um gereinigtes Halbleitermaterial (100) zu erhalten, wobei im Schritt (506) des Bereitstellens das gereinigte und entladene
Halbleitermaterial (100) bereitgestellt wird.
3. Verfahren (500) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt (502) des Reinigens Partikel (310) unter Verwendung der Schwerkraft ausgesiebt werden.
4. Verfahren (500) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt (502) des Reinigens Partikel unter Verwendung eines Fluidstroms (324) ausgespült werden. Verfahren (500) gemäß Anspruch 4, bei dem im Schritt (502) des Reinigens der Fluidstrom (324) über und/oder durch das
Halbleitermaterial (100) geführt wird und/oder von dem
Halbleitermaterial (100) abgesaugt wird.
Verfahren (100) gemäß einem der Ansprüche 4 bis 5, bei dem im Schritt (502) des Reinigens das Ausspülen in zumindest zwei Teilschritten (322, 328, 332, 334) erfolgt, wobei zwischen den Teilschritten (322, 328, 332, 334) ein Zwischenschritt (330) des Wendens erfolgt.
Verfahren (500) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt (504) des Entladens das Halbleitermaterial (100) unter Verwendung eines Plasmastroms (320) entladen wird.
Verfahren (500) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, mit einem Schritt (314, 338, 342) des Überprüfens eines Zustands des Halbleitermaterials (100), wobei das Halbleitermaterial (100)
insbesondere auf Partikel überprüft wird.
Verfahren (500) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, bei dem im Schritt (506) des Bereitstellens das Halbleitermaterial (100) in Beutel (104) verpackt wird.
Vorrichtung (200), die ausgebildet ist, um alle Schritte eines Verfahrens (500) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche durchzuführen.
Computerprogramm, das dazu eingerichtet ist, alle Schritte eines Verfahrens (500) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche durchzuführen.
Maschinenlesbares Speichermedium mit einem darauf gespeicherten Computerprogramm nach Anspruch 11.
PCT/EP2015/067395 2014-08-05 2015-07-29 Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten eines halbleitermaterials WO2016020242A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014215404.9A DE102014215404A1 (de) 2014-08-05 2014-08-05 Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbleitermaterials
DE102014215404.9 2014-08-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016020242A1 true WO2016020242A1 (de) 2016-02-11

Family

ID=53762178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/067395 WO2016020242A1 (de) 2014-08-05 2015-07-29 Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten eines halbleitermaterials

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102014215404A1 (de)
TW (1) TW201618212A (de)
WO (1) WO2016020242A1 (de)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4677704A (en) * 1986-04-22 1987-07-07 Huggins Richard A Cleaning system for static charged semiconductor wafer surface
EP0572140A1 (de) * 1992-05-12 1993-12-01 Matsui Manufacturing Co., Ltd. Apparat zum Entfernen von Ablagerung von Oberflächen mittels gepulster Luft
DE19906224A1 (de) * 1999-02-15 2000-08-24 Siemens Ag Abzugsvorrichtung
WO2003042072A1 (en) * 2001-10-19 2003-05-22 Infineon Technologies Ag A bag
US20040012775A1 (en) * 2000-11-15 2004-01-22 Kinney Patrick D. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
WO2009096380A1 (ja) * 2008-01-31 2009-08-06 Tokyo Electron Limited 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体
DE102011052325A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Roth & Rau Ag Reinigungsmodul und Reinigungsverfahren für Substrate und/oder Substratträger

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4677704A (en) * 1986-04-22 1987-07-07 Huggins Richard A Cleaning system for static charged semiconductor wafer surface
EP0572140A1 (de) * 1992-05-12 1993-12-01 Matsui Manufacturing Co., Ltd. Apparat zum Entfernen von Ablagerung von Oberflächen mittels gepulster Luft
DE19906224A1 (de) * 1999-02-15 2000-08-24 Siemens Ag Abzugsvorrichtung
US20040012775A1 (en) * 2000-11-15 2004-01-22 Kinney Patrick D. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
WO2003042072A1 (en) * 2001-10-19 2003-05-22 Infineon Technologies Ag A bag
WO2009096380A1 (ja) * 2008-01-31 2009-08-06 Tokyo Electron Limited 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体
DE102011052325A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Roth & Rau Ag Reinigungsmodul und Reinigungsverfahren für Substrate und/oder Substratträger

Also Published As

Publication number Publication date
TW201618212A (zh) 2016-05-16
DE102014215404A1 (de) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3283237B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur klassierung und entstaubung von polysiliciumgranulat
EP3106434A1 (de) Vorrichtung zur herstellung eines gereinigten zerkleinerten produkts aus polykristallinen siliciumblöcken und verfahren zur herstellung eines gereinigten zerkleinerten produkts aus polykristallinen siliciumblöcken damit
EP1645333A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum kontaminationsarmen, automatischen Brechen von Siliciumbruch
EP3043929B1 (de) Klassieren von polykristallinem silicium
KR20170037669A (ko) 다결정 실리콘 파쇄물, 다결정 실리콘 파쇄물의 제조 방법 및 다결정 실리콘 덩어리 파쇄 장치
DE19914998A1 (de) Schwingförderer und Verfahren zur Förderung von Siliciumbruch
DE112011103629T5 (de) Integriertes Substratreinigungssystem und Verfahren
WO2009003688A2 (de) Verfahren zur aufbereitung von siliciummaterial
DE2704187C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von verunreinigtem Metallpulver
DE202007018586U1 (de) System zur Staubbindung
WO2016020242A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten eines halbleitermaterials
EP3133176A1 (de) Sortierung von aluminiumlegierungen anhand elektrischer leitfähigkeitswerte
WO2016139084A1 (de) Verfahren zur förderung und fraktionierung von polysiliciumgranulat in einer förderrinne sowie entsprechende vorrichtung
WO2015062880A1 (de) Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium
US20160133425A1 (en) Method and Apparatus for Recycling
DE102016225248A1 (de) Abscheidevorrichtung für Polysilicium
DE19629110C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von feinteiligen Stoffgemischen mittels eines magnetischen Feldes
DE102016113943A1 (de) Verfahren zum Reinigen hermetisch dichter Halbleitergehäuse
EP0006826B1 (de) Verfahren und Anordnung zum Aussortieren von elektrisch isolierendem Material
DE2936856A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur aufbereitung von kunststoffabfaellen
AT410061B (de) Einrichtung zur mehrstufigen aufbereitung von bildröhren und/oder bildröhrenglasbruch
DE102006022094B3 (de) Verfahren zum Verpacken und Versand von Halbleiterscheiben
WO1996020131A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reinigen von pulver
DE929225C (de) Verfahren und Anlage zum Sichten von Pulvern
DE1027965B (de) Verfahren zum Abscheiden von Feinstaub aus Gasen unter Zugabe eines Traegerstaubes groeberer Korngroesse

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15744556

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15744556

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1