DE112011103629T5

DE112011103629T5 - Integriertes Substratreinigungssystem und Verfahren

Info

Publication number: DE112011103629T5
Application number: DE112011103629T
Authority: DE
Inventors: Gordon Scott Swanson; Ivin VARGHESE; Mehdi Balooch
Original assignee: Rave N P Inc
Current assignee: Rave N P Inc
Priority date: 2010-10-28
Filing date: 2011-10-28
Publication date: 2013-08-08
Also published as: US20120279519A1; TW201249551A; JP2013541228A; WO2012058548A1; KR20130131348A

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Reinigung eines Substrats mit darauf abgelagerten organischen und anorganischen Resten bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Entfernen organischer Reste von dem Substrat unter Verwendung von atmosphärischem Sauerstoffplasma und das Entfernen anorganischer Reste von dem Substrat unter Verwendung von kryogenem CO2. Das Substrat kann unter Verwendung eines unschädlichen Kühlmittels vorbehandelt und unter Anwendung eines Nassreinigungsverfahrens mit verdünnten Chemikalien nachbehandelt werden.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Substratreinigungsprozesse. Genauer gesagt, bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein integriertes System und Verfahren zur Reinigung eines Substrats.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Das Gebiet der Partikelentfernung, Resteentfernung und Oberflächenreinigung erstreckt sich im Allgemeinen weit über die Halbleiterindustrie hinaus. Viele Anwendungen in der Biologie, Medizin (Implantate und Ausrüstung), Raumfahrt, Bilderzeugung, Automobilindustrie, Pharmazie usw. nutzen umfassend die Oberflächenreinigung als einen Vorbereitungsschritt für die Nach- oder Vorverarbeitung. Der Bedarf an peinlich sauberen Wafern bei der Herstellung mikroelektronischer Vorrichtungen ist seit den Anfängen der Festkörperbauelemente-Technologie allgemein erkannt worden. Da die Halbleiter-Geräteform immer weiter schrumpft und die Wafergrößen steigen, werden die Einschränkungen der existierenden Reinigungsverfahren für Vorrichtungen immer kritischer, da auch die Größe der „Killer”-Partikel schrumpft. Bei der Herstellung im Nanometermaßstab ist dieser Bedarf um mehr als eine Größenordnung gesteigert. Ein vorteilhafter, substratunabhängiger Reinigungsprozess ist überaus wünschenswert, da dieser für die verschiedenen Substrate (wie in einem Chemikalien-basierten Reinigungsprozess) nicht modifiziert werden muss und er nicht das Potential für eine Modifikation der Oberfläche (wie Ätzen, Aufrauung usw.) aufweist.
Traditionell gibt es mehrere Partikel- und Reste-Entfernungstechniken, die bei der Halbleiterherstellung und in anderen Industrien, die von der Oberflächenkontamination betroffen sind, genutzt werden. Sie umfassen Ultraschall, Megaschall, Bürstenscheuern, Argon-Trockeneisreinigung, Plasmaätzen oder Nassätzen usw. Nach den Verfahren im letzten Jahrzehnt wurde in der Industrie nach effektiven Trockenreinigungstechniken gesucht. Eine Trockenreinigungstechnik, die filmunabhängig ist, ist die Aerosolstrahlen-Reinigung, der ein gutes Potential zur Trockenentfernung submikrometer großer Partikel nachgewiesen wurde. Es können sich Partikel im Gasstrom durch die Verfestigung flüssiger Tropfen oder des gasförmigen Mediums während der raschen Abkühlung bilden. Wenn die festen Partikel mit dem Partikel kollidieren, kann die Kollisionsenergie die Haftfähigkeit überwinden und die Partikel oder Reste von der Oberfläche entfernen. Die CO₂-Aerosol-Reinigungstechnik wurde für eine bereite Vielzahl von Oberflächenreinigungsanwendungen wie Silicium-Wafer, Photomaske, MEMS-Vorrichtungen, Verpackungsherstellung, Bildgebungsvorrichtungen, Metall-Ablösen, ionenimplantierte Photoresistablösung, Plattenlaufwerke, Flachbildschirme und Post-Chipvereinzelung für 3D-Schaltkreis-Stapel-Integrationsflüsse genutzt.
In der Maskenindustrie sind die kritischsten Fragen die Kosten und Zykluszeit der Maskentechnologie und Maskenlieferung. Es gibt zahlreiche Ausbeuteverlustmechanismen für die Maskentechnologie: eine übermäßige Zahl von Lithographiedefekten, unreparierbare Defekte, Partikeldefekte und Partikeldefekte nach der Pellikelanbringung. Das Pellikel wird an Lithographie-Photomasken unter Verwendung eines Haftmittels angebracht, um den aktiven Bereich der Maske vor jeglichen Defekten zu schützen. Diese Masken werden dazu verwendet, wiederholt Feinstmerkmale auf Masken für Großserienprodukte zu drucken. Die Lebensdauer der Maske wird durch Faktoren wie das Wachstum einer organischen Schicht von Defekten (auch als Trübung bezeichnet), elektrostatische Entladung (ESD), nicht entfernbare Partikel, Durchlässigkeitsverlust, Verlust des Reflexionsvermögens, Phasenänderung, Veränderung der Einheitlichkeit des gedruckten kritischen Querschnitts (CD) usw. verkürzt. Herkömmliche Lösungsmittelreinigungstechniken führen zur Zersetzung der Maske, und verkürzen so die Lebensdauer der Maske. Für die Maskeneigenschaften, die für ihre Verwendung beibehalten werden müssen, gibt es eine sehr enge Spezifikation. Fremdmaterial und Verfärbungen sind als leichte Defekte auf Masken bekannt, die der Reinigung bedürfen. Nicht die Defekte, die auf Masken zu finden sind, sind das, was zählt, sondern ihre Bedruckbarkeit. Defekte, die vom Prüfwerkzeug markiert wurden, drucken möglicherweise nicht, oder beobachtete Defekte sind elektrisch eventuell nicht zweckdienlich für einen aktiven Schaltkreis. Die Sorge ist, dass einige Defekte aufgrund der jeweiligen Beleuchtungs- oder Fokusbedingung drucken, während der Maskenprüfung jedoch nicht erkannt werden.
Es besteht die Notwendigkeit einer Masken-Eingangsprüfung und Re-Qualifizierung aufgrund des wiederholten Druckens von Defekten aufgrund von Verarbeitungsdefekten der ursprünglichen Maske oder zersetzender Defekte auf der Maske während der FAB-Nutzung (d. h. Trübung, ESD und bewegter Partikel usw.). Daher muss aufgrund einer Vielzahl von Faktoren das Pellikel von Zeit zu Zeit von der Maske entfernt werden, um Reparaturen und eine Reinigung auszuführen, um die Defekte, die zu Wafer-Druckfehlern führten, zu beseitigen. Nachdem das Pellikel entfernt worden ist, bleiben im Allgemeinen einige Pellikelhaftmittelreste übrig. Diese Reste müssen vollständig entfernt werden, bevor ein neues Pellikel aufgebracht werden kann, nachdem die Druckbereichsdefekte beseitigt worden sind. Es gibt mehrere Pellikel-bezogene Faktoren, die ebenso dazu führen, dass ein Masken-Wartungsservice erforderlich ist, wie zum Beispiel: ein beschädigtes Pellikel, Partikel unter dem Pellikel, Lithographiebelichtungs-induzierte Zersetzung, nicht entfernbare Partikel usw. Durch UV- und EUV-Aussetzung induzierte Zersetzung des Pellikelleims nach vielen Aussetzungen führt zu hartnäckigeren Resten, nachdem das Pellikel entfernt wird. Das Endziel ist eine Reinigungstechnik, die schadensfrei alle Pellikelleimreste sowie alle leichten Defekte, die sowohl organisch als auch anorganische Partikel sein können, entfernen wird.
Bekannte Reinigungsverfahren basieren üblicherweise auf Nassreinigung, die zu einem chemischen Angriff auf die Strukturen führen kann (oder in einigen Fällen führen die genutzten Chemikalien zu weiteren Problemen wie Abscheidung von Sulfatresten der Schwefelsäure, die allgemein bekannt ist als eine Ursache für Trübung) oder Trockenreinigung, meistens mit kryogenem CO₂, basierend auf dem physikalischen Verfahren der Impulsübertragung, das sich am besten für anorganische Verbindungen eignet, die lose an Substrat binden, oder separater Trockenreinigung mit Niederdruckplasma-Trockenreinigung, die Aktivgas-Feststoff-Chemie zur Entfernung organischer Reste umfasst (die üblicherweise in reduzierender Atmosphäre durchgeführt wird, auch als „Veraschung” bezeichnet).
Es gibt deutliche Vorteile für die Integration von Trockenreinigungsverfahren, die Chemie zur effektiven Entfernung organischer und anorganischer Partikel oder Reste vorsehen. Dies wäre besonders vorteilhaft, wenn es bei nahezu atmosphärischem Druck geschieht, wodurch komplizierte und teure Vakuumtechnologie vermieden wird. Eine Kombination von Verfahren wird daher die schnelle und ökonomisch reizvolle Entfernung aller möglichen Defekte in einer Einheit ermöglichen. Ein bedeutendes Beispiel wäre eine in der Photomaskenindustrie verbreitete Anwendung.
Folglich ist eine integrierte Reinigungstechnik gewünscht, die atmosphärisches Plasma mit kryogenem CO₂ kombiniert.
Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung liefern günstigerweise Systeme und Verfahren zur Reinigung eines Substrats mit darauf abgelagerten organischen und anorganischen Resten. In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren die Entfernung organischer Reste von dem Substrat unter Verwendung von atmosphärischem Sauerstoffplasma, und die Entfernung anorganischer Reste von dem Substrat unter Verwendung von kryogenem CO₂. In einer anderen Ausführungsform umfasst das System einen Substratförderer, einen atmosphärischen Sauerstoffplasmastrahl-Apparat, der konzentrische, innere und äußere Elektroden umfasst, durch die ein Gemisch aus Helium und anderen Gasen in Gegenwart eines Spannungsfeldes fließt, und einen Apparat mit kryogenem CO₂.
Daher wurden ziemlich breit bestimmte Ausführungsformen der Erfindung dargestellt, damit ihre detaillierte Beschreibung hierin besser zu verstehen ist und der vorliegende Beitrag zur Technik besser erkannt wird. Selbstverständlich gibt es weitere Ausführungsformen der Erfindung, die nachstehend beschrieben werden und die den Gegenstand der daran anhängenden Ansprüche bilden werden.
In diese Hinsicht ist vor der ausführlichen Erläuterung zumindest einer Ausführungsform der Erfindung anzumerken, dass die Erfindung in ihrer Anwendung nicht auf die Konstruktionsdetails und die Anordnungen der Komponenten, wie sie in der folgenden Beschreibung festgelegt oder in den Zeichnungen veranschaulicht sind, beschränkt ist. Die Erfindung kann neben den beschriebenen weitere Ausführungsformen umfassen und auf unterschiedliche Art und Weise praktiziert und ausgeführt werden. Ebenso versteht es sich, dass die hierin verwendete Ausdrucksweise und Terminologie sowie die Zusammenfassung der Beschreibung dienen und nicht als einschränkend betrachtet werden sollten.
An sich wird der Fachmann erkennen, dass das Konzept, auf dem diese Offenbarung basiert, ohne Weiteres als Grundlage für die Schaffung anderer Strukturen, Verfahren und Systeme zur Durchführung der vielen Zwecke der vorliegenden Erfindung genutzt werden kann. Daher ist es wichtig, dass die Ansprüche als derart äquivalente Konstruktionen umfassend betrachtet werden, sofern sie nicht vom Sinn und Umfang der vorliegenden Erfindung abweichen.
1 ist eine schematische Darstellung des Atmosphärendruck-Plasmastrahl-Apparates gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine Querschnitts-Acrylklebefolien-Dickenabweichung auf SiO₂, gemessen mit Rasterkraftmikroskopie (AFM).
3 ist eine Abbildung einer Klebefolie nachdem sie Sauerstoffplasma ausgesetzt wurde.
4 zeigt Reste von Haftmittel, die, nachdem sie Sauerstoffplasma ausgesetzt wurden, zurückgeblieben sind.
5 stellt eine Kombination von lokalen Reinigungsquellen von atmosphärischem Plasma und CO₂ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar.
Die Erfindung wird nun in Bezug auf die Zeichnungen beschrieben, in denen sich gleiche Bezugsziffern durchweg auf gleiche Teile beziehen.
Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung entfernen vorteilhaft lokale organische Reste, wie zum Beispiel Leim usw. mit einem atmosphärischen Sauerstoffplasmastrahl-Apparat (Sauerstoffplasma) ohne verminderten Druck zu nutzen, der teurer Vakuumausrüstung bedarf. In einigen Ausführungsformen kann vor der Reinigung eine Vorbehandlung mit einem Kühlmittel-(z. B. flüssiger N₂)-Schauer oder -Spray zum Kühlen der Reste angewandt werden.
Die vorliegende Erfindung liefert verschiedene Kombinationen von Reinigungsverfahren, einschließlich der Kombination der Entfernung mit atmosphärischem Sauerstoffplasma mit CO₂-Reinigung für die vollständige Entfernung der Reste, der Kombination des Tauchens des zu reinigenden Substrats in unschädliche Kühlmittel, wie flüssigen N₂ als Vorbehandlung, mit der Reinigung mit atmosphärischem Plasma zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination des Tauchens eines Substrats in unschädliche Kühlmittel, wie Vorbehandlung mit flüssigem N₂, mit CO₂-Reinigung zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination des Tauschens eines Substrats in unschädliche Kühlmittel, wie Vorbehandlung mit flüssigem N₂, mit der Reinigung mit atmosphärischem Plasma, gefolgt von CO₂-Reinigung zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination der Entfernung mit atmosphärischem Sauerstoffplasma mit der Nasslösungs-Chemie-Reinigung zur Verringerung der Aussetzung (oder Prozesszeit) und/oder einem milderen Ätzmittel zur Minimierung der Schädigung aktiver Strukturen, der Kombination des Tauchens eines Substrats in unschädliche Kühlmittel, wie Vorbehandlung mit flüssigem N₂, mit CO₂-Reinigung und gefolgt von der Reinigung mit verdünnten Chemikalien zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination des Tauchens eines Substrats in unschädliche Kühlmittel, wie Vorbehandlung mit flüssigem N₂, mit der Reinigung mit verdünnten Chemikalien zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination des Tauchens eines Substrats in unschädliche Kühlmittel, wie Vorbehandlung mit flüssigem N₂, mit CO₂-Reinigung und mit der Reinigung mit verdünnten Chemikalien zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination des Tauchens eines Substrats in unschädliche Kühlmittel, wie Vorbehandlung mit flüssigem N₂, mit atmosphärischem Plasma, gefolgt von der Reinigung mit verdünnten Chemikalien zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination der Reinigung mit atmosphärischem Plasma mit einer CO₂-Reinigung und gefolgt von der Reinigung mit verdünnten Chemikalien zur vollständigen Entfernung der Reste, der Kombination von CO₂-Reinigung mit der Zugabe eines organischen Lösungsmittels, Maskenerwärmung, LN₂-Sprüh- oder atmosphärische Plasma-Reinigung; andere Kombinationen und Umstellungen dieser Reinigungsverfahren werden von der vorliegenden Erfindung ebenso in Betracht gezogen.
Diese erfinderischen Reinigungskombinationen liefern viele Vorteile gegenüber bekannten Substratreinigungsverfahren. Beispielsweise wird während einer integrierten Plasma- plus CO₂-Reinigung zur Entfernung organischer Reste, wie Pellikelleim oder anderer Verunreinigungen keine Zersetzung des Substrats, wie einer Maske, erwartet. Bei der alleinigen CO₂-Reinigung erfordern hartnäckige Reste im Allgemeinen reichliche Mengen an CO₂ sowie eine sehr lange Prozesszeit (> 1 h). Bei einer Voranwendung von lokalem atmosphärischem Plasma können der CO₂-Verbrauch gesenkt und die Prozesszeit drastisch verkürzt werden, was wiederum vorteilhaft die Betriebskosten verringert (CoO).
Durch die Anwendung dieser erfinderischen integrierten Reinigungsverfahren werden hartnäckige Reste, die einer sehr aggressiven Nassreinigungsrezeptur (die das meiste des Zersetzungs-Budgets verbraucht, das für die Maske zur Verfügung steht) entweder vollständig erhalten oder minimiert. In Verbindung damit kann eine nass-chemische Reinigung mit weniger Chemikalien (mild) verwendet werden, wenn nach diesen integrierten Techniken noch immer Reste vorliegen.
In einer Ausführungsform kann die Entfernung von Haftmittelresten unter Anwendung von „Trocken”-Reinigungsverfahren automatisiert werden, was im Vergleich zur „Nass”-Chemie offensichtliche Vorteile hat, die Substratflächen, die empfindlich sind gegen aggressive Reinigungsmittel, versehentlich angreifen kann.
Die anfängliche Reinigung mit Sauerstoffplasma umfasst das Aussetzen der Leimfläche einem lokalen atmosphärischen Plasmastrahl. Der Strahlapparat 10 umfasst zwei konzentrische Elektroden, die innere Elektrode 12 und die äußere Elektrode 14, durch die ein Gemisch aus Helium und anderen Gasen fließt. Das Anlegen einer 13,56 MHz-HF-Energie an die innere Elektrode 12 bei einer Spannung zwischen 100 und 250 V zündet eine Gasentladung, und Plasma wird erzeugt.
Das ionisierte Gas aus dem Plasmastrahl tritt aus der Düse 16 aus, wo es auf ein Substrat wenige Millimeter darunter gerichtet wird. Unter den üblichen Betriebsbedingungen beträgt die Gasgeschwindigkeit etwa 10 m/s, wobei die Eluattemperatur fast 150°C beträgt. Während ein bekannter Prozess die Ozonkonzentration im Eluat des Plasmastrahls in unterschiedlichen Abständen von der Düse misst und fand, dass sie zwischen 2 und 5 × 10¹⁵ cm^–3 variierte, entwickelt die vorliegende Erfindung eine O-Atom-Konzentration, die 8 × 10¹⁵ cm^–3 am Düsenausgang gleicht und über eine 10-cm-Distanz stufenweise zwei Größenordnungen abfällt. Die Konzentration an metastabilem Sauerstoff beträgt etwa 2 × 10¹³ cm^–3 am Ausgang der Düse und steigt auf ein Maximum bei 25 mm und fällt dann langsam ab. Die O-Atome, und möglicherweise der metastabile O₂, können die aktiven Spezies beim Polyimidätzen sein.
Unter Annahme einer Konzentration an atomarem Sauerstoff von ~10¹⁵ cm^–3 und einer Fließgeschwindigkeit von 10 m/s, wie oben geschätzt, könnte der Fluss von atomarem Sauerstoff auf der Probe bis zu 1 × 10¹⁸ Atome/cm²-s erreichen. Wird die Reaktionswahrscheinlichkeit mit gerade mal 1% angenommen, wird die Leimrestentfernungsleistung mindestens 1 × 10¹⁶/10¹⁴ = 10² Schichten/s oder ~2 μm/Minute betragen.
Die Sauerstoffentfernungsleistung von Acrylhaftmittel durch lokale Abscheidung auf einem Si-Wafer, der mit einem 3000-Å-SiO₂-Film abgedeckt ist, wurde bestimmt. Die Filmdicke wurde durch Rasterkraftmikroskopie (AFM) auf mindestens 2,6 μm geschätzt. 2 zeigt den Querschnitt der Filmabweichung.
3 stellt eine Abbildung der Acrylklebefolie dar, die für 40 s Atmosphärendruckplasma ausgesetzt war. Bildlich zeigt der innere Gesamtbereich, der Sauerstoffplasma ausgesetzt war, eine effektive Haftmittelentfernung.
Eine ausführliche Untersuchung des exponierten Bereiches mit AFM offenbart die Existenz von Flecken von Leimresten mit Höhen bis zu wenigen Nanometern (4).
In der Maskenindustrie können Reste in dieser Größenordnung toleriert werden, da sie das Wiederankleben des Pellikels auf demselben Bereich nicht beeinträchtigen. Diese Reste können jedoch durch das rasche Aussetzen zu herkömmlicher Nasschemie oder bevorzugt durch physikalische Trockentechniken wie CO₂-Aerosolverfahren leicht entfernt werden.
Eine Ausführungsform eines kombinierten Plasma/CO₂-Reinigungsverfahrens ist schematisch in 5 gezeigt. Das Substrat 20 bewegt sich nach links, während die Plasma-Reinigungsquelle 22 und die CO₂-Reinigungsquelle 24 stationär bleiben. Alternativ kann das Substrat 20 stationär bleiben, während die Reinigungsquellen 22, 24 nach rechts bewegt werden. Die Plasmareinigungsquelle 22 entfernt oder löst organische Reste 30, gefolgt von dem Strahl aus der CO₂-Reinigungsquelle 24, der die gelösten organischen Reste 30 und/oder anorganischen Reste 32 entfernt.
Die vielen Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der ausführlichen Beschreibung ersichtlich, und daher sollen die anhängenden Ansprüche all die Merkmale und Vorteile der Erfindung abdecken, die in den wahren Sinn und Umfang der Erfindung fallen. Da ferner dem Fachmann zahlreiche Modifikationen und Variationen einfallen werden, soll die Erfindung nicht auf die veranschaulichte und beschriebene genaue Konstruktion und Ausführung beschränkt werden, und folglich kann bei allen geeigneten Modifikationen und Äquivalenten auf die, die in den Umfang der Erfindung fallen, zurückgegriffen werden.

Claims

Verfahren zur Reinigung eines Substrats mit darauf abgelagerten organischen und anorganischen Resten, umfassend: das Entfernen der organischen Reste von dem Substrat unter Verwendung von atmosphärischem Sauerstoffplasma; und das Entfernen der anorganischen Reste von dem Substrat unter Verwendung von kryogenem CO₂.
Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend die Vorbehandlung des Substrats unter Verwendung eines unschädlichen Kühlmittels.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei das unschädliche Kühlmittel flüssiger N₂ ist.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Vorbehandlung das Tauchen des Substrats in das Kühlmittel umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend die Nachbehandlung des Substrats unter Anwendung einer Nassreinigung mit verdünnten Chemikalien.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das atmosphärische Sauerstoffplasma von einem Strahlapparat erzeugt wird, der konzentrische, innere und äußere Elektroden umfasst, durch die ein Gemisch aus Helium und anderen Gasen in Gegenwart eines Spannungsfeldes fließt.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei Hochfrequenzenergie an die innere Elektrode angelegt wird, um eine Spannung zwischen 100 V und 250 V zu erzeugen.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Geschwindigkeit des Gases, das aus dem Strahlapparat austritt, etwa 10 m/s beträgt und die Eluattemperatur etwa 150°C beträgt.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Strahlapparat einen Fluss an atomarem Sauerstoff von etwa 1 × 10¹⁸ Atomen/cm²-s erzeugt.
Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend das Entfernen gelöster organischer Reste von dem Substrat unter Verwendung von kryogenem CO₂.
Verfahren zur Reinigung eines Substrats mit darauf abgelagerten organischen und anorganischen Resten, umfassend: die Vorbehandlung des Substrats unter Verwendung von flüssigem N₂, der als ein Schauer oder ein Spray bereitgestellt wird; das Entfernen der organischen Reste von dem Substrat unter Anwendung eines Strahls von atmosphärischem Sauerstoffplasma; das Entfernen organischer und anorganischer Reste von dem Substrat unter Verwendung von kryogenem CO₂; und die Nachbehandlung des Substrats unter Anwendung der Nassreinigung mit verdünnten Chemikalien.
System zur Reinigung eines Substrats mit darauf abgelagerten organischen und anorganischen Resten, umfassend: einen Substratförderer; einen Strahlapparat mit atmosphärischem Sauerstoffplasma, umfassend konzentrische, innere und äußere Elektroden, durch die ein Gemisch aus Helium und anderen Gasen in Gegenwart eines Spannungsfeldes fließt; und einen Apparat mit kryogenem CO₂.