WO2015174490A1 - 表面被覆切削工具 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2014年5月16日に、日本に出願された特願2014-101888号、および2015年5月12日に出願された特願2015-97280に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
(a)下部層が、Tiの炭化物(以下、TiCで示す)層、窒化物(以下、同じくTiNで示す)層、炭窒化物(以下、TiCNで示す)層、炭酸化物(以下、TiCOで示す)層、および炭窒酸化物(以下、TiCNOで示す)層のうちの1層または2層以上からなるTi化合物層、
(b)上部層が、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有する酸化アルミニウム層(以下、Al2O3層で示す)。
そこで、被覆層の剥離、チッピングを抑制するために、下部層、上部層に改良を加えた各種の被覆工具が提案されている。
(a)下部層として、Tiの炭化物層、窒化物層、炭窒化物層、炭酸化物層、および炭窒酸化物層のうちの1層または2層以上からなり、かつ3~20μmの全体平均層厚を有するTi化合物層、
(b)上部層として、1~15μmの平均層厚を有し、かつ化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有すると共に、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である(0001)面および(10-10)面の法線がなす傾斜角を測定し、この場合の前記結晶粒は、格子点にAlおよび酸素からなる構成原子がそれぞれ存在するコランダム型六方晶の結晶構造を有し、この結果得られた測定傾斜角に基づいて、相互に隣接する結晶粒の界面で、前記構成原子のそれぞれが前記結晶粒相互間で1つの構成原子を共有する格子点(構成原子共有格子点)からなる対応粒界の分布を算出し、前記構成原子共有格子点間に構成原子を共有しない格子点がN個(ただし、Nはコランダム型六方晶の結晶構造上2以上の偶数となるが、分布頻度の点からNの上限を28とした場合、4、8、14、24、および26の偶数は存在せず)存在する構成原子共有格子点形態からなる対応粒界をΣN+1で表した場合、個々のΣN+1がΣN+1全体に占める分布割合を示す構成原子共有格子点分布グラフにおいて、Σ3に最高ピークが存在し、かつ前記Σ3のΣN+1全体に占める分布割合が60~80%である酸化アルミニウム層。
この硬質被覆層を蒸着形成してなる被覆工具は、高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を示すことが知られている。
そのため、上部層と下部層間での剥離、チッピング等の異常損傷が発生し、比較的短時間で工具寿命に至る。
前記硬質被覆層は、工具基体の表面に形成された下部層と該下部層上に形成された上部層とを有し、
(a)前記下部層は、3~20μmの合計平均層厚を有し、TiC、TiN、TiCN、TiCO、TiCNOのうちの2層以上からなり、その内の少なくとも1層はTiCN層で構成したTi化合物層からなり、
(b)上部層は、1~30μmの平均層厚を有し、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有するAl2O3層からなり、
(c)前記上部層のAl2O3結晶粒について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子線後方散乱回折装置を用い、断面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、コランダム型六方晶結晶格子からなる結晶格子面のそれぞれの法線の方位を測定し、この測定結果から、隣接する結晶格子相互の結晶方位関係を算出し、結晶格子界面を構成する構成原子のそれぞれが前記結晶格子相互間で1つの構成原子を共有する格子点(構成原子共有格子点)からなる対応粒界の分布を算出し、前記構成原子共有格子点間に構成原子を共有しない格子点がN個存在する構成原子共有格子点形態をΣN+1で表した場合に、それぞれの分布割合を算出し、全対応粒界長に占める各構成原子共有格子点からなる対応粒界長の割合が示された対応粒界分布グラフにおいて、Σ3からΣ29の範囲内ではΣ3に最高ピークが存在し、かつ前記Σ3の分布割合がΣ3以上の全対応粒界長の35~70%を占め、
(d)前記上部層のAl2O3結晶粒について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子線後方散乱回折装置を用い、断面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、コランダム型六方晶結晶格子からなる結晶格子面のそれぞれの法線の方位の角度を測定し、この測定結果から、隣接する結晶格子相互の結晶方位関係を算出し、結晶格子界面を構成する構成原子のそれぞれが前記結晶格子相互間で1つの構成原子を共有する格子点(構成原子共有格子点)からなる対応粒界の分布を算出し、前記構成原子共有格子点間に構成原子を共有しない格子点がN個存在する構成原子共有格子点形態をΣN+1で表した場合に、それぞれの分布割合を算出し、全対応粒界長に占める各構成原子共有格子点からなる対応粒界長の割合が示された対応粒界分布グラフにおいて、前記Σ31以上である対応粒界の合計分布割合が、Σ3以上の全対応粒界長の25~60%を占めるAl2O3結晶粒である表面被覆切削工具。
(2)前記下部層(a)の最表面層が、少なくとも500nm以上の層厚を有するTiCN層からなり、不可避不純物としての酸素を除けば、前記TiCN層と前記上部層の界面から500nmまでの深さ領域にのみ酸素が含有されており、前記深さ領域に含有される平均酸素含有量は、前記深さ領域に含有されるTi,C,N,Oの合計含有量の1~3原子%である前記(1)に記載の表面被覆切削工具。
(3)前記(1)または(2)に記載の表面被覆切削工具において、前記上部層のAl2O3結晶粒について、断面研磨面に対して高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法による観察および元素分析を行った場合に、Σ31以上である対応粒界に硫黄が偏析しており、硫黄が偏析しているΣ31以上の粒界長が、Σ31以上の全対応粒界長の30%以上である前記(1)または(2)に記載の表面被覆切削工具。
そのため、本発明の被覆工具によれば、各種の鋼や鋳鉄などの切削加工を高速で、かつ切れ刃に対して機械的・衝撃的高負荷が作用する高速重切削条件、高速断続切削条件で行っても、すぐれた高温強度、高温靭性と高温硬さを示し、チッピング、欠損、剥離等の異常損傷の発生もなく、長期の使用に亘ってすぐれた耐摩耗性を発揮する。
(a)下部層:
下部層3を構成するTi化合物層(例えば、TiC層、TiN層、TiCN層、TiCO層およびTiCNO層)は、基本的には上部層4のAl2O3層の下部層として存在し、Ti化合物が有するすぐれた高温強度によって、硬質被覆層2に対して高温強度を与える。その他にも、下部層3のTi化合物層は、工具基体1表面、及びAl2O3層からなる上部層4のいずれにも密着し、硬質被覆層2の工具基体1に対する密着性を維持する作用を有する。しかしながら、下部層3のTi化合物層の合計平均層厚が3μm未満である場合、前述した作用を十分に発揮させることができない。一方、下部層3のTi化合物層の合計平均層厚が20μmを越える場合、特に高熱発生を伴う高速重切削・高速断続切削では熱塑性変形が起り易くなり、偏摩耗の原因となる。以上から、下部層3のTi化合物層の合計平均層厚は3~20μmと定めた。上記下部層3のTi化合物層の合計平均層厚は、好ましくは5~15μmであるが、これに限定されることはない。
本発明における下部層3の最表面層は、例えば、以下のようにして形成される。
即ち、まず、通常の化学蒸着装置を使用して、TiC層、TiN層、TiCN層、TiCO層およびTiCNO層のうちの1層または2層以上からなる種々の下部層3のTi化合物層を蒸着形成(なお、TiCN層のみを蒸着形成することも勿論可能である)する。その後、下部層3の最表面層として、同じく通常の化学蒸着装置を使用して、以下の条件で化学蒸着することで、酸素を含有するTiCN(以下、酸素含有TiCNという)層を形成する。
反応ガス組成(容量%):TiCl4 2~10%、CH3CN 0.5~1.0%、N2 25~60%、残部H2、
反応雰囲気温度:750~930℃、
反応雰囲気圧力:5~15kPa。
すなわち、本発明における下部層3の最表面層は、1層または2層以上からなる種々のTi化合物層を形成した後に上記条件により形成される、上層部と接した酸素含有TiCN層を示す。この際、所定層厚を得るために必要とされる蒸着時間終了前の5分から30分の間は、全反応ガス量に対して1~5容量%のCOガスを添加して化学蒸着を行う。これにより、下部層3の最表面層と上部層4との界面から、下部層3の最表面層の層厚方向に最大500nmまでの深さ領域にのみ、Ti、C、N、Oの合計含有量の1~3原子%の平均酸素含有量の酸素を含有する酸素含有TiCN層が蒸着形成される。なお、下部層3の最表面と上部層4との界面から、下部層3の最表面層の膜厚方向に500nmを超える深さ領域には、不可避不純物として0.5原子%未満の酸素が含有されることが許容される。このため、本発明で定義される「酸素を含有しない」とは、厳密には酸素の含有量が0.5原子%未満であることを意味する。
ここで、酸素含有TiCN層の深さ領域を前述のように限定したのは、500nmより深い領域において1原子%以上の酸素が含有されていると、TiCN最表面の組織形態が柱状組織から粒状組織に変化しやすくなるためである。また、下部層3の最表面層直上のAl2O3結晶粒の構成原子共有格子点形態を所望のものとしにくくなる。
ただ、深さ領域500nmまでの平均酸素含有量が1原子%未満では、上部層4と下部層3のTiCNの付着強度の向上の度合が低くなりやすくなる。また、下部層3の最表面層直上のAl2O3結晶粒の対応粒界の形成を充分に得にくくなる。一方、この深さ領域における平均酸素含有量が3原子%を超えると、下部層最表面直上の上部層4のAl2O3において、Σ3の分布割合が35%未満となりやすくなり、上部層4の高温硬さが低下しやすくなる。
ここで、平均酸素含有量は、下部層3の最表面層を構成する前記TiCN層と上部層4との界面から、このTiCN層の層厚方向に500nmまでの深さ領域におけるチタン(Ti),炭素(C),窒素(N)及び酸素(O)の合計含有量に占める酸素(O)含有量を原子%(=O/(Ti+C+N+O)×100)で表したものをいう。
下部層3の最表面層に前記(b)の酸素含有TiCN層を蒸着形成した後、上部層4のAl2O3層を以下の条件で形成する。
初めに、前記(b)で形成した酸素含有TiCN層の表面を、以下の条件で処理する。
反応ガス組成(容量%):CO 3~8%、CO2 3~8%、残部H2、
雰囲気温度:850~1050℃、
雰囲気圧力:5~15kPa、
処理時間:5~20min。
次に、以下の蒸着条件で、Al2O3の初期成長を行った後、上層を形成させることにより、所定の構成原子共有格子点形態を有するAl2O3結晶粒からなる上部層4が形成する。Al2O3初期成長工程は、所定の上部層4を確実に形成させるために行われる。なお、本発明の実施形態では、上部層4の目標層厚をAl2O3初期成長工程とAl2O3上層形成工程で形成された膜厚の合計としている。
<Al2O3初期成長>
反応ガス組成(容量%):AlCl3 1~3%、CO2 1~5%、HCl 0.3~1.0%、残部H2、
雰囲気温度:850~1050℃、
雰囲気圧力:5~15kPa、
処理時間:20~90min。
<Al2O3上層形成>
反応ガス組成(容量%):AlCl3 0.5~5.0%、CO2 2~10%、HCl 0.5~3.0%、H2S 0.5~1.5%、残部H2、
反応雰囲気温度:850~1050℃、
反応雰囲気圧力:5~15kPa、
処理時間:(目標とする上部層層厚になるまで)。
なお、上部層4全体の層厚が、1μm未満であると長期の使用に亘ってすぐれた高温強度および高温硬さを発揮することができず、一方、30μmを越えると、チッピングが発生し易くなることから、上部層4の層厚は1~30μmと定めた。前記上部層4の層厚は、3~20μmであることが好ましいが、これに限定されることはない。
上記Al2O3上層形成工程の反応雰囲気温度は、好ましくは870~970℃であり、より好ましくは900~950℃であるが、これに限定されることはない。また、Al2O3上層形成工程の反応ガスH2Sは、好ましくは0.5~1.3%であり、より好ましくは0.7~1.2%であるが、これに限定されることはない。
しかし、この発明では、前記成膜方法により上部層4のAl2O3結晶粒を蒸着する。これにより、図2に示すように、Σ3からΣ29の範囲内でΣ3に最高ピークが存在し、かつ、Σ3以上の全対応粒界長に対するΣ3の分布割合が35~70%に維持されることで、上部層4の粒界強度の向上が図られる。
それと同時に、Σ31以上の全対応粒界長をΣ3以上の全対応粒界長に対して25~60%形成することができる。これによって、謂わば、ランダム粒界とみなすことができるΣ31以上の対応粒界が所定の割合で形成される。そのため、上部層のAl2O3層4は、耐摩耗性にすぐれると同時に、靭性が一段と向上する。
即ち、この発明によれば、Al2O3層からなる上部層4は、硬さ、強度の向上に加え、一段とすぐれた靭性を備えることから、切れ刃に高負荷が作用する断続切削、重切削等の切削条件下においても、チッピング、欠損、剥離等の異常損傷を発生することなく、長期の使用に亘って、すぐれた耐摩耗性を発揮することができる。
ここで、Σ3に最高ピークが存在しない場合、あるいは、Σ3の分布割合が35%未満であると、Al2O3結晶粒の粒界強度が十分でなく、高負荷が作用した場合のチッピング、欠損等の発生を抑制する効果が十分ではない。一方、Σ3の分布割合が70%を超えると、結果として、Σ3に最高ピークが形成されるが、その反面、Σ31以上の構成原子共有格子点形態の分布割合を25%以上にすることができなくなり、ランダム粒界を十分に形成することができないため、靭性の向上を期待することができない。
また、Σ31以上の分布割合が25%未満であると、前述のように靭性の向上を望めず、一方、Σ31以上の分布割合が60%を超えると、Σ3の形成割合が35%未満となってしまい、Al2O3結晶粒の高温硬さが低下するほか、粒界強度が低下する。
したがって、この発明では、Al2O3層からなる上部層4にΣ3からΣ29の範囲内でΣ3にピークが存在するとともに、Σ3以上の全粒界の合計分布割合に対するΣ3の分布割合を35~70%、また、Σ31以上の分布割合を25~60%と定めた。なお、前記Σ3以上の全粒界の合計分布割合に対するΣ3の分布割合は、好ましくは40~60%、また、前記Σ31以上の分布割合は、好ましくは35~55%であるが、これに限定されることはない。
まず、被覆工具について、その縦断面(被覆工具表面に垂直な断面)を研磨面とする(図1参照)。
次に、電界放出型走査電子顕微鏡と電子線後方散乱回折装置を用い、断面研磨面の測定範囲内に存在するコランダム型六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、結晶格子面のそれぞれの法線の方位のなす角度を測定する。上記測定範囲は、30×50μmとすることが好ましいがこれに限定されることはない。
ついで、この測定結果から、隣接する結晶格子相互の結晶方位関係を算出し、結晶格子界面を構成する構成原子のそれぞれが前記結晶格子間で1つの構成原子を共有する格子点(「構成原子共有格子点」という)の分布を算出する。
構成原子共有格子点形態は、前記構成原子共有格子点間に構成原子を共有しない格子点がN個(但し、Nはコランダム型六方晶結晶格子の結晶構造上2以上の偶数となるが、4、8、14、24および26の偶数は存在しない)存在する場合に、ΣN+1で表される。上記で表した構成原子共有格子点のそれぞれの分布割合を算出し、Σ3以上の全対応粒界長の合計分布割合に占める割合で示す対応粒界分布グラフ(図2、図3参照)を作成することによって、Σ3のピークの存在、Σ3の分布割合およびΣ31以上の分布割合を求めることができる。なお、Σ31以上の分布割合の算出方法は、得られた測定結果から、Σ3、Σ7、Σ11、Σ17、Σ19、Σ21、Σ23、Σ29のそれぞれの対応粒界長を算出し、全対応粒界長からこれらの対応粒界長の和を差し引いた値を用いてΣ31以上の分布割合として求めた。
Σ29以下の対応粒界とΣ31以上の対応粒界を区別しているのは、H.Grimmerらの論文(Philosophical Magazine A,1990,Vol.61,No.3,493-509)にあるように、分布頻度の点からα―Al2O3の対応粒界は、Nの上限を28としたΣ3からΣ29までの粒界が主な対応粒界であることが報告されているためである。従って本発明においてもΣ31以上は個々のNにおける分布割合を算出せず、Σ31以上としてひとまとめにした。Σ3、Σ7、Σ11、Σ17、Σ19、Σ21、Σ23、Σ29のそれぞれの対応粒界は上記論文に示された、対応粒界を構成する結晶粒間のなす角度の値を用いて同定した。また、隣接する結晶格子間で構成原子共有格子点間に構成原子を共有しない格子点がN個存在する構成原子共有格子点形態を満たすΣN+1の対応粒界から、結晶粒間のなす角度の値にどの程度の誤差Δθまでを許容できるかという基準として、Δθ=5°として計算を行った。
Σ31以上である対応粒界への硫黄の偏析が30%未満である場合は、上記に述べたような、所望とする耐剥離性や耐チッピング性における効果が小さくなる。こういった硫黄のΣ31以上である対応粒界への偏析は、Al2O3成膜時の化学蒸着反応で用いた硫化水素ガスの吸着によるものである。Σ31以上である対応粒界への硫黄の偏析は、全粒界長に対して40~65%であることが好ましいが、これに限定されることはない。
(a)まず、表3に示される条件にて、表7に示される目標層厚となるように下部層としてTi化合物層を蒸着形成した。
(b)次に、表4に示される条件にて、下部層3の最表面層として酸素含有TiCN層(即ち、該層と上部層4との界面から、該層の膜厚方向に500nmまでの深さ領域にのみ、平均酸素含有量(O/(Ti+C+N+O)×100)が1から3原子%の酸素が含有される)を表8に示される目標層厚となるように形成した。なお、表4の酸素含有TiCN層種別Dでは、蒸着時間終了前の5~30分の間にCOガスを添加しなかった。
(c)次に、表5に示される条件にて、下部層3の最表面のTiCN層にCOとCO2の混合ガスによる酸化処理(下部層表面処理)を行った。なお、表5の下部層表面処理種別Dでは、反応ガス組成のうち、CO及びCO2の供給量を変更した。
(d)次に、表6に示される初期成長条件にて、Al2O3の初期成長を行い、同じく表6に示される上層形成条件による蒸着を表8に示される目標層厚となるまで行うことにより、本発明被覆工具1~13をそれぞれ製造した。なお、初期成長条件の形式記号Eでは、反応ガス組成のうち、CO2の供給量を変更した。また、上層形成条件の形式記号eでは、反応ガス組成のうち、H2Sの供給量を変更した。
反応ガス組成(容量%):TiCl4 2~10%、CH3CN 0.5~1.0%、N2 25~60%、残部H2、
反応雰囲気温度:780~930℃、
反応雰囲気圧力:6~10kPa。
上記の条件で、酸素を意図的に含有させないTiCN(以下、不可避酸素含有TiCNという)層を3μm以上の層厚で形成した。この不可避酸素含有TiCN層の最表面から前記層の層厚方向に500nmより深い領域に不可避的に含まれる酸素含有量を、オージェ電子分光分析器を用いて前記深さ領域に含有されるTi、C、N、Oの合計含有量に対する割合から求めた。その結果、オージェ電子分光分析器の精度の範囲内で求められる不可避酸素含有量が0.5原子%未満であったことから、前記不可避酸素含有TiCN層に含まれる不可避酸素含有量を0.5原子%未満と定めた。
具体的には、上記の本発明被覆工具1~13の上部層4のAl2O3層について、その断面(上部層表面に垂直な断面)を研磨面とした。その状態で、前記被覆工具を電界放出型走査電子顕微鏡の鏡筒内にセットし、前記断面研磨面に70度の入射角度で15kVの加速電圧の電子線を1nAの照射電流で、それぞれの前記断面研磨面の測定範囲内に存在するコランダム型六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射した。より詳細には、電子線後方散乱回折装置を用い、基体表面に平行する方向に50μm、基体表面方向に直交する方向に該Al2O3層の層厚を上限とする領域で0.1μm/stepの間隔で電子線を照射し、電子線が照射された各測定点において前記結晶粒を構成する結晶格子の各面の法線の方位を測定した。この測定結果から、隣接する測定点における結晶格子相互の結晶方位関係を算出した。この算出結果から、隣接する相互の測定点間において、結晶方位角度差が5度以上である測定点間に結晶粒界が存在するとみなし、この結晶粒界に囲まれた測定点の集合を1つの結晶粒と特定し、全体の結晶粒を特定した。それと共に、結晶格子界面を構成する測定点間の結晶方位関係が、前述のH.Grimmer等の文献に記載されている、対応粒界を構成する結晶粒間のなす角度の値に対して誤差Δθ=5°の範囲内となった場合に、その測定点間に対応粒界が存在するとみなし、全粒界長に対するΣN+1対応粒界の割合を求めた。測定結果をΣ3の分布割合(%)として表8に示した。Σ31以上の分布割合の算出方法は、得られた測定結果から、Σ3、Σ7、Σ11、Σ17、Σ19、Σ21、Σ23、Σ29のそれぞれの対応粒界長を算出し、全対応粒界長からこれらの対応粒界長の和を差し引いた値を用いてΣ31以上の分布割合(%)として表8に示した。
次に、比較被覆工具1~13の上部層4のAl2O3層についても、本発明被覆工具1~13の場合と同様の方法により、Σ3の分布割合およびΣ31以上の分布割合を求めた。その値を、表9に示した。
本発明被覆工具1は、Σ3からΣ29の範囲内でΣ3に最高ピークが形成され、Σ3の分布割合が52%であり、Σ31以上の分布割合が46%であることが分かる。
また、図3には、この測定により得られた比較例被覆工具1について求めた対応粒界分布グラフの一例を示す。
比較例被覆工具1は、Σ3からΣ29の範囲内でΣ3に最高ピークが形成されるが、Σ3の分布割合が14%であり、Σ31以上の分布割合は69%となることが分かる。
表8、表9、図2、図3にも示されるように、本発明被覆工具では、全ての被覆工具について、Σ3からΣ29の範囲内でΣ3に最高ピークが存在するとともに、Σ3の分布割合が35~70%であり、さらに、Σ31以上の分布割合は25~59%のものが形成された。それに対して、比較例被覆工具では、Σ3に最高ピークが存在しない、若しくは、Σ3の分布割合が35~70%から外れる、または、Σ31以上の分布割合が25~60%を外れるものであった。そのため、上部層の靭性、硬さ、強度が十分でなく、耐異常損傷性、耐摩耗性が十分であるとはいえない。
表8、表9にこれらの値を示す。
次に、比較被覆工具1~13の上部層4のAl2O3層についても、本発明被覆工具1~13の場合と同様の方法により、Al2O3結晶粒の粒界のΣ31以上である対応粒界の粒界長のなかで、硫黄が偏析しているΣ31以上である対応粒界による粒界長の割合求めた。その値を表9に示した。Σ31以上である対応粒界への硫黄の偏析が30%未満である場合は、上記に述べたような効果が小さくなる。
切削条件A:
被削材:JIS・SCM420の長さ方向等間隔4本縦溝入り、
切削速度:380m/min、
切り込み:1.5mm、
送り:0.35mm/rev、
切削時間:5分。
(通常の切削速度、切り込み、送りは、それぞれ、200m/min、1.5mm,0.3mm/rev)
切削条件B:
被削材:JIS・SNCM439の丸棒、
切削速度:120m/min、
切り込み:1.5mm、
送り:1.1mm/rev、
切削時間:5分。
(通常の切削速度、送り量は、それぞれ、250m/min、0.3mm/rev)
切削条件C:
被削材:JIS・FC300の長さ方向等間隔4本縦溝入り棒材、
切削速度:450m/min、
切り込み:2.0mm、
送り:0.35mm/rev、
切削時間:5分。
(通常の切削速度、切込量、送り量はそれぞれ250m/min、1.5mm、0.3mm/rev)
表10にこの測定結果を示した。なお、上記通常の切削速度とは、従来被覆インサートを用いた場合の効率(一般には、工具寿命までに加工できる部品の数など)が最適となる切削速度をいう。この速度を超えて切削を行うと工具の寿命が極端に短くなり、加工の効率が低下する。
これに対して、比較例被覆工具1~13では、高速重切削加工、高速断続切削加工においては、硬質被覆層の剥離発生、チッピング発生により、比較的短時間で使用寿命に至った。
2 硬質被覆層
3 下部層(Ti化合物層)
4 上部層(Al2O3層)
Claims (3)
- 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体と該工具基体の表面に蒸着形成された硬質被覆層を備える表面被覆切削工具であって、
前記硬質被覆層は、工具基体の表面に形成された下部層と該下部層上に形成された上部層とを有し、
(a)前記下部層は、3~20μmの合計平均層厚を有し、TiC、TiN、TiCN、TiCO、TiCNOのうちの2層以上からなり、その内の少なくとも1層はTiCN層で構成したTi化合物層からなり、
(b)上部層は、1~30μmの平均層厚を有し、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有するAl2O3層からなり、
(c)前記上部層のAl2O3結晶粒について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子線後方散乱回折装置を用い、断面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、コランダム型六方晶結晶格子からなる結晶格子面のそれぞれの法線の方位の角度を測定し、この測定結果から、隣接する結晶格子相互の結晶方位関係を算出し、結晶格子界面を構成する構成原子のそれぞれが前記結晶格子相互間で1つの構成原子を共有する格子点(構成原子共有格子点)からなる対応粒界の分布を算出し、前記構成原子共有格子点間に構成原子を共有しない格子点がN個存在する構成原子共有格子点形態をΣN+1で表した場合に、それぞれの分布割合を算出し、全対応粒界長に占める各構成原子共有格子点からなる対応粒界長の割合が示された対応粒界分布グラフにおいて、Σ3からΣ29の範囲でΣ3に最高ピークが存在し、かつ前記Σ3の分布割合がΣ3以上の全対応粒界長の35~70%を占め、
(d)前記上部層のAl2O3結晶粒について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子線後方散乱回折装置を用い、断面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、コランダム型六方晶結晶格子からなる結晶格子面のそれぞれの法線の方位の角度を測定し、この測定結果から、隣接する結晶格子相互の結晶方位関係を算出し、結晶格子界面を構成する構成原子のそれぞれが前記結晶格子相互間で1つの構成原子を共有する格子点(構成原子共有格子点)からなる対応粒界の分布を算出し、前記構成原子共有格子点間に構成原子を共有しない格子点がN個存在する構成原子共有格子点形態をΣN+1で表した場合に、それぞれの分布割合を算出し、全対応粒界長に占める各構成原子共有格子点からなる対応粒界長の割合が示された対応粒界分布グラフにおいて、前記Σ31以上である対応粒界の合計分布割合が、Σ3以上の全対応粒界長の25~60%を占めるAl2O3結晶粒である表面被覆切削工具。 - 前記下部層(a)の最表面層が、少なくとも500nm以上の層厚を有するTiCN層からなり、不可避不純物としての酸素を除けば、前記TiCN層と前記上部層の界面から500nmまでの深さ領域にのみ酸素が含有されており、前記深さ領域に含有される平均酸素含有量は、前記深さ領域に含有されるTi,C,N,Oの合計含有量の1~3原子%である請求項1に記載の表面被覆切削工具。
- 請求項1または2に記載の表面被覆切削工具において、上部層のAl2O3結晶粒について、断面研磨面に対して高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法による観察および元素分析を行った場合に、Σ31以上である対応粒界に硫黄が偏析しており、硫黄が偏析しているΣ31以上の粒界長が、Σ31以上の全対応粒界長の30%以上である請求項1または2に記載の表面被覆切削工具。
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Legal Events
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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NENP | Non-entry into the national phase |
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ENP | Entry into the national phase |
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WWE | Wipo information: entry into national phase |
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