WO2015169882A1 - Vorrichtung und verfahren zum versorgen einer cvd- oder pvd-beschichtungseinrichtung mit einem prozessgasgemisch - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum versorgen einer cvd- oder pvd-beschichtungseinrichtung mit einem prozessgasgemisch Download PDF

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    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition

Definitions

  • the invention relates to a gas supply device with inlet channels for feeding each provided by a gas source individual gas streams in a first mixing chamber, wherein in the first mixing chamber, in particular by means of one or more first Gasumlenkiano a single or multiple deflection of the single gas flows and mixing the individual gas flows takes place with an overflow barrier over which one of the first
  • Gas stream flows into a second mixing chamber in which takes place, in particular by means of second Gasumlenketti a single or multiple deflection of the first gas stream, and with a gas outlet channel for exit of the gas stream from the second mixing chamber into a gas inlet member of a CVD or PVD coating device.
  • the invention further relates to a method for supplying a gas inlet member of a CVD or PVD coating device with process gases, comprising the following steps:
  • Gas mixing devices serve the mixing together of different gases, which are each introduced by means of an inlet channel, for example in the form of a tube in a premixing chamber, where a first
  • the mixing devices in question here are in CVD or
  • PVD devices used. Such devices have a reactor housing, a gas inlet member disposed therein, which may in particular have the form of a shower head and a susceptor on which a
  • the susceptor can be heated or cooled, depending on whether a thermally excited chemical reaction is to take place on the substrate surface or whether only a condensation should take place on the substrate surface.
  • a gas mixture is introduced into the process chamber arranged above the substrate.
  • the gas mixing device is used for mixing together the gas mixture, which consists of a plurality of individual gases.
  • US Pat. No. 7,540,305 B2 shows a CVD process chamber with a gas inlet element designed as a showerhead into which different process gases can be fed. Upstream of the showerhead is a gas mixing device.
  • DE 10 2013 113 817 describes a gas mixing device in the form of a flat-cylindrical housing.
  • the housing contains two mixing chambers.
  • process gases which are different from one another are fed into the radially outer premixing chamber by starter-shaped inlet channels.
  • the premixing chamber contains first gas deflection elements which divert the individual gas streams fed into the premixing chamber. The individual gas streams are doing in one
  • EP 1 252 363 B1 describes a CVD reactor with a gas inlet arrangement above a gas inlet element, directly above the process chamber ceiling arranged gas mixing system.
  • No. 6,758,591 B1 describes a gas mixing device with a first mixing chamber arranged in the center, which is fed by a plurality of star-shaped gas inlet channels.
  • the injected gas streams swirl in the central mixing chamber and pass out of the first mixing chamber through a swirl grating in the axial direction in order to flow radially outward, the gas flow being deflected by about 90 degrees.
  • the gas stream premixed in the central first mixing chamber flows through the second, which is arranged radially outside the central first mixing chamber Mixing chamber to emerge from star-shaped outlet channels in Gaseinlassorgane.
  • No. 6,495,233 B1 describes a CVD reactor with a showerhead and a mixing device arranged above the showerhead for mixing process gases.
  • the process gas provided in a plasma generator flows in mutually parallel inlet channels into a vortex chamber, where turbulence takes place.
  • EP 1 452 626 B1 describes a gas mixing device for mixing two gases entering into a first mixing chamber through separate gas inlet channels.
  • the first mixing chamber is separated from a partition by a diffusion chamber.
  • the two process gases premixed in the first mixing chamber and flowing through the inlet channels pass through an opening in the dividing wall into the diffusion chamber, where further mixing of the process gases takes place.
  • US 6,068,703 describes a gas mixing device for mixing a plurality of process gases which enter a mixing chamber through gas inlet passages extending in the radial direction with respect to a center.
  • the mixing chamber has indwelling chambers arranged annularly around the center, through which the process gases have to flow meandering in order to mix.
  • a total gas stream emerges from a center
  • US 2011/0223334 A1 describes a CVD reactor with a reactor lid, on which the sources and a mixing chamber are arranged.
  • the mixing chamber is in the center and is fed by gas inlet passages extending radially to the center.
  • the mixing of the individual gas flows takes place in a mixing chamber.
  • WO 97/35107 shows tube-section gas deflection elements. From the wall of a circular cylindrical tube cut free, curved baffles in the flow channel of the tube.
  • the invention has for its object to technologically improve a gas supply device or a method for supplying a gas inlet member with process gases.
  • the object is achieved by the invention specified in the claims.
  • the fiction, contemporary device is designed so that the effective path lengths of the individual gas streams from the gas sources to Gaseinlass- organ are equal to each other. If the effective path lengths of the individual gas flows are equal to one another, the gases which differ from one another have the same residence time in the gas supply device. The same residence time can be kept the same for inlet channels with different diameters or differently shaped sections of the mixing chamber by different pressure conditions Liehe. But it is also possible to compensate for different diameters through different cable lengths. Preferred are symmetrical configurations in which the inlet channels or the associated sections of the mixing chamber are designed to be identical.
  • the effective path lengths are thus understood as meaning, in particular, those flow paths along which the individual gas flows flow through the first mixing chamber at identical times. Possible geometric differences of the individual flow channels can be compensated by different pressure conditions. In a symmetrical design of the inlet channels, in which all inlet channels have a same cross-section and in a same geometric environment in the mixing chamber the effective path lengths are the geometric distances of the flow paths of each individual gas stream from the mouth of the respective inlet channel into the mixing chamber to the beginning of the gas outlet channel.
  • the individual gas streams are preferably in each case a laminar flow, so that the path lengths are essentially determined by the flow lines.
  • the first gas deflecting elements arranged in the first mixing chamber can be arranged such that they essentially have flow path lengthening properties.
  • the arrangement of the first Gasumlenkiano within the first mixing chamber is preferably symmetrical with respect to a star-shaped arrangement of the gas inlet channels, so that the individual individual gas streams flow at least along equivalent flow paths.
  • the first gas deflection elements can be arranged such that the individual gas flows flow in a helical manner through a ring-cylindrical first mixing chamber.
  • the individual gas streams in this case have a component of movement which is directed transversely to the plane of extent of the inlet plane.
  • the individual gas streams in this case have a component of movement which is directed transversely to the extension planes of the inlet plane. But they also have a component of motion in the plane spanning the plane of extension. In these directions, a circular movement or vortex movement preferably forms.
  • the individual gas streams flow through the first mixing chamber along a helical line, for example from bottom to top along the imaginary axis of the mixing chamber.
  • Within the first mixing chamber may be a second mixing chamber.
  • the two mixing chambers can be formed by concentrically arranged tubes.
  • the first mixing chamber then forms a peripheral mixing chamber and the second
  • the Mixing chamber a central mixing chamber.
  • the individual gas streams combine within the first mixing chamber to form a premixed first gas stream which passes over an overflow barrier.
  • the overflow barrier can the End edge of an inner tube, which forms the inner wall of the first mixing chamber and the outer wall of the second mixing chamber.
  • second gas deflection elements are preferably provided with which the gas flow which has entered the second mixing chamber via the overflow barrier is deflected one or more times.
  • the second Gasumlenk sculpture can be designed and arranged such that forms a turbulence. While the first Gasumlenkmaschine are preferably designed and arranged so that they deflect a laminar gas flow one or more times, the second Gasumlenkmaschine are arranged in a turbulence-generating manner.
  • the gas stream flowing through the second mixing chamber exits the second mixing chamber through a gas outlet channel, wherein the outlet direction of the gas is preferably directed transversely to the feed direction of the gases.
  • the gas outlet channel thus preferably has an extension direction, which is directed transversely to the plane of extent of the gas inlet plane.
  • the walls of the two mixing chambers can be circular cylindrical and be formed by concentric tubes.
  • the imaginary axis of the tubes extends transversely to the gas inlet level. In the two tubes, oppositely directed gas flows are formed.
  • the gas sources can be evaporation sources. These include solid or liquid starting materials which are formed by adding heat of vaporization in the gaseous form.
  • this vaporized starting material is transported through an inlet channel to the first mixing chamber.
  • the individual gas flows from the feed channels with mutually equal average flow rate in the first mixing chamber.
  • the flow rate of the individual gas streams can be adjusted by means of mass flow controllers.
  • the gas sources are aerosol evaporators. Again, liquid or solid starting materials are brought into the gaseous form by adding heat of vaporization.
  • the mass The flow of steam can be controlled on the one hand via the temperature of evaporation surfaces, on the other hand, but also by the carrier gas flow.
  • the residence times of the individual gases within the gas mixing device are substantially equal. They should differ from each other by a maximum of 10 milliseconds.
  • the residence time of the gases within the gas mixing device is not greater than 100 milliseconds.
  • the first mixing chamber can also have flow obstacles with which a turbulent flow is generated.
  • the second mixing chamber may also have flow obstacles. But it can also have flow guide to form a laminar flow.
  • FIG. 1 shows schematically the cross section of a CVD or PVD reactor with associated gas mixing device
  • FIG. 2 shows the section according to the line II-II in FIG. 1,
  • FIG. 3 is a view of a second embodiment of a gas mixing device
  • FIG. 4 is a plan view of the gas mixing device according to Figure 3
  • FIG. 5 is a perspective view of a third embodiment, wherein the gas mixing device is formed by a U-shaped tube, 6 is a side view of the mixing device shown in Figure 5,
  • FIG. 7 is a plan view of the mixing device shown in FIG. 5
  • FIG. 8 is a perspective view of a fourth embodiment of a mixing device
  • FIG. 9 shows the top view of the gas mixing device shown in FIG. 8
  • FIG. 10 shows the section according to the line X - X in FIG. 9, FIG.
  • Fig. 12 shows a fifth embodiment of a gas mixing device of
  • FIG. 13 shows a side view of the gas mixing device shown in FIG. 12,
  • FIG. 14 shows the section according to the line XIV-XIV in FIG. 13,
  • FIGS. 1 and 2 show a first embodiment of the invention.
  • a gas-tight reactor housing 1 which can be evacuated in its interior, contains a gas inlet element 5 with an internal gas distribution volume 7 and a gas outlet. tread plate having a plurality of shower head arranged gas outlet openings 6, which point in the direction of a process chamber 2, on the bottom of a substrate to be coated 4 is located.
  • the substrate 4 is located on a heatable by a heater to a process temperature or cooled by a cooling device to process temperature susceptor 3.
  • the susceptor 3 is surrounded by an annular Gasauslassorgan 9, which is connected to a vacuum pump 10, with the total pressure within the process chamber 2 and the reactor housing 1 can be adjusted.
  • the feeding of the gas inlet member 5 with process gases is performed by a
  • Gas outlet channel 8 which leads through the ceiling of the reactor housing 1 into the interior.
  • the gas outlet channel 8 is connected to the bottom 20 of a housing of a gas mixing device, which may be located immediately above the upper wall of the reactor housing 1.
  • the gas mixing device may be firmly connected to the upper wall of the reactor housing 1.
  • the upper wall may be a carrier of the gas mixing device.
  • the gas mixing device has a circular cylindrical housing, wherein the bottom 20 and the bottom 20 opposite ceiling 17 each one
  • the housing of the gas mixing device has a cylindrical outer wall 18 which is formed by a first tube.
  • a second tube 19 is located inside and is connected at its lower end fixed to the bottom 20.
  • the cavity of the inner tube 19 is connected to the gas outlet channel 8.
  • the upper edge of the inner tube 19 projects freely into the cavity of the outer tube 18 and forms an overflowable
  • the bottom 20 adjacent star-shaped inlet channels 22 may be different from each other process gases at different from each other Circumferential positions are fed into the gas mixing device.
  • four inlet channels 22 arranged in a uniform angular distribution are provided which are each connected to a gas source 21.
  • the gas sources 21 are evaporators in which solid or liquid starting materials are vaporized by application of heat. The thus formed vapor is fed into the gas mixing device through the inlet channel 22 by means of a carrier gas fed into a feed channel 23.
  • the gas mixing device has a first mixing chamber 12 which is bounded outwardly from the outer tube 18 and which is bounded inwardly by the inner tube 19.
  • This first mixing chamber 12 are a plurality of superposed Gasumlenkiata 13.
  • the Gasumlenkiata 13 are arranged so as to give the entering into the first mixing chamber 12 from the feed channels 22 individual gas flows a substantially helical gear, preferably laminar flow.
  • the first Gasumlenkiata 13 are arranged symmetrically with respect to the symmetry of the arrangement of the inlet channels 22, so that the emerging from the inlet channels 22 and passing through the first mixing chamber 12 individual gas streams each have a similar flow pattern. These are worm-shaped flow lines along which the gases from the bottom 20 into
  • the premixed gas stream is deflected in the region of the overflow barrier 14 by 180 degrees and then flows from the ceiling 17 in the direction of the bottom 20 through a second mixing chamber 15, which is formed by the inner tube 19.
  • second Gasumlenketti 16 which are formed and arranged so that they generate vortices.
  • the Gasumlenketti 16 may have gas separation edges, behind which can develop a turbulent flow.
  • the Gasumlenkium 16 may be flow obstacles.
  • a turbulence of the first gas flow takes place in the second mixing chamber 15.
  • the thus formed second turbulent gas flow which includes the gases of all individual gas streams, exits the gas outlet channel 8 from the bottom 20 of the second mixing chamber 15 and enters the gas distribution volume 7 of the gas inlet member 5.
  • the carrier gas is so in the gas wells 21 and in the Inlet channels 22 fed that the mean over the cross section of the mouth of the inlet channels 22 in the first mixing chamber 12 averaged gas velocity is the same. From each inlet channel 22, gas thus flows into the mixing chamber 12 at the same mean flow rate.
  • a total of eight inlet channels 22 are arranged in a common gas inlet plane and run in a star shape in the direction of the center of the gas mixing device.
  • a radially outer first mixing chamber 12 has a Gasumlenkelement 13, with which a helical extending first
  • Mixing chamber 12 is formed.
  • the end of the first mixing chamber 12 is formed by an overflow edge 14, to which a cylindrical second, internal mixing chamber 15 connects.
  • FIGS. 3 and 4 show inlet channels 22 with different cross-sectional areas.
  • the inlet channels 22 with the larger cross-sectional areas are preferably process gases or carrier gases, with which a process gas transported, passed through.
  • the inlet channels 22 'with a smaller cross-sectional area only diluent gases, ie carrier gases, are preferably passed through.
  • the additional inlet channels 22 ', through which no process gases are introduced, may be used to create turbulence in the mixing chamber.
  • the housing of the mixing device is U-shaped.
  • a first U-leg of the housing which forms a tubular first mixing chamber 12, open in a first plane arranged first inlet channels 22 and arranged in a second plane parallel thereto extending second inlet channels 22 '.
  • These are semicircular projections which protrude with a straight free peripheral edge to the middle of the first mixing chamber 12 forming tube.
  • the U-web of the U-shaped tube 12, 15 forms an overflow barrier 14. There also protrudes a semicircular Gasumlenkelement 24 in the free cross section of the U-shaped tube, which has a free edge, which passes through the center of the tube.
  • the Gasumlenk sculpture 13, 15, 24 are formed by flat, over half a circumferential length connected to the inner wall of the tube plates. The plates extend transversely to the flow direction.
  • FIGS 8 to 11 show a fourth embodiment of a mixing device having eight feed channels 22, which are arranged in a common feed-level. Transverse to the feed plane extends a cylindrical housing. It has an outer cylinder 18 and an inner cylinder 19. The inner cylinder 19 forms an overflow barrier 14 with a free peripheral edge.
  • the gas inlet channels 22 open in the axial vicinity of the base 20 into the first mixing chamber 12 which is outwardly bounded by the outer tube 18 and which only In the upper region, ie adjacent to the overflow edge 14 Gasumlenkiana 13 has. These Gasumlenketti 13 direct the flowing in the axial direction of the first mixing chamber 12 individual gas flows on a helical flow path on which the individual gas flows reach the space below the ceiling 17 where they are deflected 180 degrees over the overflow barrier 14 passing.
  • the inner, second mixing chamber 15 has a multiplicity of gas deflecting elements 16 arranged one behind the other in the flow direction. These are curved flat parts which effect a multi-stage gas deflection. The flat parts are attached to the inner wall of the inner tube 19 and lead to a turbulence of passing through the inner mixing chamber 15 passing gas stream, which the second mixing chamber 15 through a
  • Gas outlet channel 8 leaves in the axial direction of the cylinder assembly.
  • the Gasumlenketti 16 are identical to each other. It may be essay parts that support each other, so put on each other. she are designed so that they can be supported on the inner walls of the tube 19.
  • inlet ducts 22 with a large diameter, process gases or carrier gases conveying process gases are passed through, whereas only a carrier gas, ie a diluent gas, is passed through the supplementary inlet ducts 22 'with a small cross section.
  • the fifth exemplary embodiment illustrated in FIGS. 12 to 17 has a total of eight inlet channels 22 arranged in a star-shaped manner in an inlet plane.
  • the inlet channels 22 are of identical construction and have an inner diameter which increases stepwise in the flow direction.
  • the inlet channels 22 are also connected via transverse channels 25 each with the adjacent inlet channel 22.
  • first tubes 18, 19 arranged coaxially with one another form an outer first mixing chamber 12 and an inner second mixing chamber 15, the outer, first mixing chamber 12 being fed at the bottom through the inlet channels 22 with the gases to be mixed.
  • first Gasumlenkiana 13 are provided, which deflect the gas flow in the circumferential direction.
  • the gas flow can be deflected by the deflecting elements 13 several times in different circumferential directions, so that it flows in a first height section of the first mixing chamber 12, for example in a clockwise direction through the first mixing chamber 12 and flows through the first mixing chamber 12 in an adjoining height section in the counterclockwise direction.
  • the flow movement in a clockwise or counterclockwise direction is superimposed on a flow component in the axial direction of the cylinder tubes, so that the individual gas flows emerging from the inlet channels 22 within the first mixing chamber 12 are the upper one Reach section of the first mixing chamber 12, where they flow 180 degrees over two opposing overflow barriers 14 into the central second mixing chamber 15.
  • the central second mixing chamber 15 are again made of flat materials, which may have a curved structure, formed second Gasumlenk sculpture 16, which lead to a turbulence of the second mixing chamber 15 by flowing gas.
  • the Gasumlenketti 13, 16 are designed and arranged so that even taking into account the length of the inlet channels 22 each individual gas flow from its source 21 to the gas inlet member 5 flows through substantially the same effective path length.
  • a carrier gas flow is fed in each case.
  • the carrier gas flow is so dimensioned that the gases within the mixing arrangement thus have the same residence time on their way from the gas source 21 to the gas inlet member 5.
  • the individual residence times should not differ more than 10 milliseconds, the total residence time preferably being at most 100 milliseconds.
  • the gas flows through the inlet channels 22 are preferably adjusted within the tolerances so that the gases enter the mixing chamber at the same average flow rate and flow through the mixing chambers or the entire gas mixing device in the same time. It is optimal if the dwell times differ by less than 10 milliseconds, for example a maximum of only 2 or 5 milliseconds.
  • the gas mixture can take place at atmospheric pressure. However, the gas mixture is preferably carried out in a pressure range between 1 mbar and 500 mbar.
  • the pressure difference between source 21 and gas inlet member 5 is less than 1 mbar, preferably less than 0.2 mbar.
  • the diameter and the height of the gas mixing device are in the range between 200 and 700 mm.
  • a gas supply device which is characterized in that the inlet channels 22 are arranged in an inlet plane and in particular directed to a common center, and / or that the gas outlet channel 8 extends in a direction transverse to the inlet plane and / or that the Gas flow through the overflow barrier 14 undergoes a 180 ° deflection.
  • a gas supply device which is characterized in that the first mixing chamber 12 is a premixing chamber with preferably a laminar change in direction of the respective individual gas flow generating first Gasumlenk instituten 13 and / or that the second mixing chamber 15 is a Verwirbe- ment chamber, with second Gasumlenkettin 16 for generating a second turbulent gas flow in the second mixing chamber 15th
  • a gas supply device which is characterized in that the first or second Gasumlenkiana 12, 13 are arranged in multiple stages in the flow direction one behind the other.
  • a gas supply device which is characterized in that the first and second mixing chamber 12, 15 of concentric tubes 18, 19 are formed, which are flowed through in the opposite direction.
  • a gas supply device which is characterized in that the diameter of the first or second mixing chamber 12, 15 is smaller than the axial height of the first or second mixing chamber 12, 15th
  • a gas supply device which is characterized in that a gas supply device consisting of the two mixing chambers 12, 15 and the gas sources 21 is arranged vertically above a process chamber 2, in particular directly on an upper wall of the reactor housing 1.
  • a method which is characterized in that the first gas deflecting elements 13 arranged in the first mixing chamber 12 redirect the individual gas streams in particular laminarly and / or that the second gas deflecting elements 16 arranged in the second mixing chamber 15 generate a particularly turbulent second gas stream.

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Abstract

Die Erfindung betrifft zunächst eine Gasversorgungseinrichtung mit Einlasskanälen (22) zum Einspeisen von jeweils von einer Gasquelle (21) bereitgestellten Einzelgasströmen in eine erste Mischkammer (12), wobei in der ersten Mischkammer (12) insbesondere mittels ein oder mehrerer erster Gasumlenkelemente (13) eine ein- oder mehrfache Umlenkung der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme stattfindet, mit einer Überströmungsbarriere (14), über die ein aus der ersten Mischkammer (12) austretender, aus allen Einzelgasströmen bestehender erster Gasstrom in eine zweite Mischkammer (15) strömt, in welcher insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente (16) eine ein- oder mehrfache Umlenkung des ersten Gasstroms stattfindet, und mit einem Gasaustrittskanal (8) zum Austritt des Gasstroms aus der zweiten Mischkammer (15) in ein Gaseinlassorgan (5) einer CVD-oder PVD-Beschichtungseinrichtung (1). Als Neuerung wird vorgeschlagen, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen (21) zum Gaseinlassorgan (5) untereinander gleichlang sind. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans (9) einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit Prozessgasen, bei dem wesentlich ist, dass sich die effektiven Verweilzeiten der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle (21) und Gaseinlassorgan (5) maximal um zehn Millisekundenunterscheiden.

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch
Die Erfindung betrifft eine Gas Versorgungseinrichtung mit Einlasskanälen zum Einspeisen von jeweils von einer Gasquelle bereitgestellten Einzelgasströmen in eine erste Mischkammer, wobei in der ersten Mischkammer insbesondere mittels ein oder mehrerer erster Gasumlenkelemente eine ein- oder mehrfache Umlenkung der Einzelgas ströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme stattfindet, mit einer Überströmungsbarriere, über die ein aus der ersten
Mischkammer austretender, aus allen Einzel gasströmen bestehender erster
Gasstrom in eine zweite Mischkammer strömt, in welcher insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente eine ein- oder mehrfache Umlenkung des ersten Gasstroms stattfindet, und mit einem Gasaustrittskanal zum Austritt des Gasstroms aus der zweiten Mischkammer in ein Gaseinlassorgan einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung.
Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit Prozessgasen, bestehend aus folgenden Schritten:
- Bereitstellen von einer Mehrzahl von Prozessgasen in jeweils einer Gasquelle;
- Fördern der Prozessgase in Einzelgasströmen getrennt voneinander von der jeweiligen Gasquelle jeweils durch einen Einlasskanal in eine erste Mischkammer;
- Umlenken der Einzelgas ströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme insbesondere mittels erster Gasumlenkelemente in der ersten Mischkammer,
- Überströmen eines aus allen Einzelgasen bestehenden ersten Gasstroms über eine Überströmungsbarriere in eine zweite Mischkammer;
- Umlenken des Gasstroms insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente;
- Ausleiten eines aus allen Einzelgasströmen bestehenden Gasstroms aus ei- nem Gasaustrittskanal in das Gaseinlassorgan. Gasmischvorrichtungen dienen dem Zusammenmischen von voneinander verschiedener Gase, die jeweils mittels eines Einlasskanals, beispielsweise in Form eines Rohres in eine Vormischkammer eingeleitet werden, wo eine erste
Durchmischung der Gase stattfindet. Die Gase werden dort umgelenkt und einer zweiten Mischkammer, beispielsweise einem Gasmischrohr zugeleitet. Die US 2009/0120364 AI beschreibt eine derartige Gasmischvorrichtung, bei der dem Gas eine Verwirbelung aufgezwungen wird, um die Durchmischung zu verbessern. Es ist eine Gasumlenkeinrichtung in Form eines Einsatzes vorgese- hen, der in das Gasmischrohr eingesetzt wird.
Die hier in Rede stehenden Mischvorrichtungen werden in CVD- oder
PVD-Einrichtungen verwendet. Derartige Einrichtungen besitzen ein Reaktorgehäuse, ein darin angeordnetes Gaseinlassorgan, welches insbesondere die Form eines Duschkopfes aufweisen kann und einem Suszeptor, auf dem ein
Substrat aufliegt. Der Suszeptor kann beheizt oder gekühlt werden, je nachdem, ob auf der Substratoberfläche eine thermisch angeregte chemische Reaktion stattfinden soll oder ob auf der Substratoberfläche lediglich eine Kondensation stattfinden soll. Durch das Gaseinlassorgan wird eine Gasmischung in die oberhalb des Substrates angeordnete Prozesskammer eingeleitet. Die Gasmischvorrichtung dient zum Zusammenmischen der Gasmischung, die aus einer Vielzahl von Einzelgasen besteht.
Die US 7,540,305 B2 zeigt beispielsweise eine CVD-Prozesskammer mit einem als Showerhead ausgebildeten Gaseinlassorgan, in das voneinander verschiedene Prozessgase eingespeist werden können. Stromaufwärts des Showerhead befindet sich eine Gasmischvorrichtung.
Die DE 10 2005 003 984 AI beschreibt eine Ringkammer, die einen Showerhead umgibt, in der eine Prozessgaszusammenmischung stattfinden soll. Eine Mischkammer, die einem Gaseinlassorgan in Strömungsrichtung vorgeordnet ist, wird auch in der US 2003/0019428 AI beschrieben.
Die DE 10 2013 113 817 beschreibt eine Gasmischvorrichtung in Form eines flachzylindrigen Gehäuses. Das Gehäuse beinhaltet zwei Mischkammern. In einer radial außen angeordneten Mischkammer werden durch sternförmig angeordnete Einlasskanäle voneinander verschiedene Prozessgase in die radial außen liegende Vormischkammer eingespeist. In der Vormischkammer befinden sich erste Gasumlenkelemente, die die in die Vormischkammer eingespeis- ten Einzelgasströme umlenken. Die Einzelgasströme werden dabei in einer
Richtung quer zu einer Erstreckungsebene einer Einlassebene umgelenkt, in der sich die Einlasskanäle befinden. Sie überströmen dabei eine Überströmungsbarriere und gelangen in eine zweite Mischkammer, die im Zentrum der Gasmischvorrichtung angeordnet ist und die einen nach unten offenen Gasaus- trittskanal aufweist, in dem zweite Gasumlenkelemente angeordnet sind. Diese nicht vorveröffentlichte Druckschrift bildet die Gattung der Erfindung.
Die EP 1 252 363 Bl beschreibt einen CVD-Reaktor mit oberhalb eines Gaseinlassorgans, unmittelbar oberhalb der Prozesskammer decke angeordneten Gas- mischsystem.
Die US 6,758,591 Bl beschreibt eine Gasmischvorrichtung mit einer ersten, im Zentrum angeordneten Mischkammer, die von mehreren, sternförmig angeordneten Gaseinlasskanälen gespeist wird. Die eingespeisten Gasströme ver- wirbeln in der zentralen Mischkammer und treten durch ein Verwirbelungsgit- ter in axialer Richtung aus der ersten Mischkammer heraus, um radial nach außen zu strömen, wobei der Gasstrom um etwa 90 Grad umgelenkt wird. Der in der zentralen ersten Mischkammer vorgemischte Gasstrom durchströmt die radial außerhalb der zentralen ersten Mischkammer angeordnete zweite Mischkammer, um aus sternförmig angeordneten Auslasskanälen in Gaseinlassorgane auszutreten.
Die US 6,495,233 Bl beschreibt einen CVD-Reaktor mit einem Showerhead und einer oberhalb des Showerhead angeordnete Mischeinrichtung zum Mischen von Prozessgasen. Das in einem Plasmagenerator bereitgestellte Prozessgas strömt in parallel zueinander verlaufenden Einlasskanälen in eine Wirbelkammer, wo eine Verwirbelung stattfindet. Die EP 1 452 626 Bl beschreibt eine Gasmischvorrichtung zum Mischen zweier Gase, die durch voneinander getrennte Gaseinlasskanäle in eine erste Mischkammer eintreten. Die erste Mischkammer ist von einer Trennwand von einer Diffusionskammer getrennt. Die beiden in der ersten Mischkammer vorgemischten, durch die Einlasskanäle eingeströmten Prozessgase treten durch eine Öffnung der Trennwand in die Diffusionskammer, wo eine weitere Durchmischung der Prozessgase stattfindet.
Die US 6,068,703 beschreibt eine Gasmischvorrichtung zum Mischen mehrerer Prozessgase, die durch sich in radialer Richtung betreffend auf ein Zentrum erstreckende Gaseinlasskanäle in eine Mischkammer eintreten. Die Mischkammer besitzt ringförmig um das Zentrum angeordnete Verweilkammern, durch die die Prozessgase mäanderförmig hindurchströmen müssen, um sich zu vermischen. Ein Gesamtgasstrom tritt aus einer im Zentrum angeordneten
Gasaustrittsöffnung heraus in ein Gaseinlassorgan.
Die US 2011/0223334 AI beschreibt einen CVD-Reaktor mit einem Reaktordeckel, auf dem die Quellen und eine Mischkammer angeordnet sind. Die Mischkammer befindet sich im Zentrum und wird von radial zum Zentrum verlaufende Gaseinlasskanäle gespeist. Die Durchmischung der Einzelgasströme fin- det in einer Mischkammer statt. Die WO 97/35107 zeigt rohrabschnittförmige Gasumlenkelemente. Von der Wandung eines kreiszylindrischen Rohres ragen freigeschnittene, gewölbte Umlenkbleche in den Strömungskanal des Rohres.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gasversorgungseinrichtung bzw. ein Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans mit Prozessgasen technologisch zu verbessern. Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.
Vorteile der einzelnen Merkmale die Gegenstand der Ansprüche sind, sind die folgenden: Die erfindungs gemäße Vorrichtung ist so ausgebildet, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen zum Gaseinlass- organ untereinander gleichlang sind. Sind die effektiven Weglängen der Einzelgasströme untereinander gleichlang, so haben die voneinander verschiedenen Gase die gleiche Verweilzeit in der Gasversorgungseinrichtung. Die gleiche Verweilzeit kann bei Einlasskanälen mit unterschiedlichen Durchmessern bzw. unterschiedlich gestalteten Abschnitten der Mischkammer durch unterschied- liehe Druckverhältnisse gleichgehalten werden. Es ist aber auch möglich, unterschiedliche Durchmesser durch unterschiedliche Leitungslängen zu kompensieren. Bevorzugt sind symmetrische Ausgestaltungen, bei denen die Einlasskanäle bzw. die zugeordneten Abschnitte der Mischkammer gleichgestaltet sind. Unter den effektiven Weglängen werden somit insbesondere solche Strö- mungspfade verstanden, entlang derer die Einzelgasströme in identischen Zeiten die erste Mischkammer durchströmen. Eventuelle geometrische Unterschiede der einzelnen Strömungskanäle können durch unterschiedliche Druckverhältnisse kompensiert werden. Bei einer symmetrischen Ausgestaltung der Einlasskanäle, bei der sämtliche Einlasskanäle einen gleichen Querschnitt auf- weisen und in einer gleichen geometrischen Umgebung in die Mischkammer münden, sind die effektiven Weglängen die geometrischen Strecken der Strömungspfade eines jeden Einzelgasstroms von der Mündung des jeweiligen Einlasskanals in die Mischkammer bis zum Beginn des Gasaustrittskanals. Bei den Einzelgasströmen handelt es sich bevorzugt um jeweils eine laminare Strömung, so dass die Weglängen im Wesentlichen von den Strömungslinien bestimmt werden. Eine Durchmischung der Einzelgasströme findet in der ersten Mischkammer im Wesentlichen durch Querdiffusion und eine Mehrfachum- lenkung der Einzelgasströme statt. Die in der ersten Mischkammer angeordneten ersten Gasumlenkelemente können so angeordnet sein, dass sie im Wesent- liehen strömungswegverlängernde Eigenschaften besitzen. Die Anordnung der ersten Gasumlenkelemente innerhalb der ersten Mischkammer erfolgt bevorzugt symmetrisch bezogen auf eine sternförmige Anordnung der Gaseinlasskanäle, so dass die einzelnen Einzelgasströme zumindest entlang äquivalenter Strömungspfade strömen. Die ersten Gasumlenkelemente können so angeord- net sein, dass die Einzelgasströme wendelgangförmig durch eine ringzylindrische erste Mischkammer hindurchströmen. Die Einzelgasströme haben dabei eine Bewegungskomponente, die quer zur Erstreckungsebene der Einlassebene gerichtet ist. Die Einzelgasströme haben dabei eine Bewegungskomponente die quer zur Erstreckungseben der Einlassebene gerichtet ist. Sie haben aber auch eine Bewegungskomponente in den die Erstreckungsebene aufspannenden Richtungen. In diesen Richtungen bildet sich bevorzugt eine Kreisbewegung oder Wirbelbewegung aus. Die Einzelgasströme durchströmen dabei die erste Mischkammer entlang einer Schraubenlinie, beispielsweise von unten nach oben entlang der gedachten Achse der Mischkammer. Innerhalb der ersten Misch- kammer kann sich eine zweite Mischkammer befinden. Die beiden Mischkammern können von konzentrisch angeordneten Rohren ausgebildet sein. Die erste Mischkammer bildet dann eine periphere Mischkammer und die zweite
Mischkammer eine zentrale Mischkammer. Die Einzelgasströme vereinigen sich innerhalb der ersten Mischkammer zu einem vorgemischten ersten Gasstrom, der über eine Überströmungsbarriere tritt. Die Überströmungsbarriere kann der Stirnrand eines inneren Rohres sein, welches die Innenwandung der ersten Mischkammer und die Außenwandung der zweiten Mischkammer ausbildet. In der zweiten Mischkammer sind bevorzugt weitere, zweite Gasumlenkelemente vorgesehen, mit denen der über die Überströmungsbarriere in die zweite Mischkammer eingetretene Gasstrom ein- oder mehrfach umgelenkt wird. Die zweiten Gasumlenkelemente können derart ausgebildet und angeordnet sein, dass sich eine Verwirbelung ausbildet. Während die ersten Gasumlenkelemente bevorzugt so ausgebildet und so angeordnet sind, dass sie einen laminaren Gasstrom ein- oder mehrfach umlenken, sind die zweiten Gasumlenkelemente in turbulenzerzeugender Weise angeordnet. Sie erzeugen somit einen zweiten, aus sämtlichen Einzelgasströmen bestehenden turbulenten Gasstrom. Der die zweite Mischkammer durchströmende Gasstrom tritt durch einen Gasaustrittskanal aus der zweiten Mischkammer aus, wobei die Austrittsrichtung des Gases bevorzugt quer zu der Einspeiserichtung der Gase gerichtet ist. Der Gasaustrittskanal hat somit bevorzugt eine Erstreckungsrichtung, die quer zur Erstreckungsebene der Gaseinlassebene gerichtet ist. Die Wandungen der beiden Mischkammern können kreiszylindrisch sein und von konzentrischen Rohren ausgebildet sein. Die gedachte Achse der Rohre erstreckt sich quer zur Gaseinlassebene. In den beiden Rohren bilden sich entgegengesetzt ausgerich- tete Gasströmungen aus. Bei den Gasquellen kann es sich um Verdampfungsquellen handeln. Diese beinhalten feste oder flüssige Ausgangsstoffe, die durch Hinzufügen von Verdampfungswärme in die Gasform gebracht werden. Mittels eines dosierbaren Trägergases wird dieser verdampfte Ausgangsstoff durch jeweils einen Einlasskanal zur ersten Mischkammer transportiert. Bevorzugt treten die Einzelgasströme aus den Einspeisekanälen mit untereinander gleicher mittlerer Strömungsgeschwindigkeit in die erste Mischkammer ein. Die Strömungsgeschwindigkeit der Einzelgasströme kann mittels Massenflussreglern eingestellt werden. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Gasquellen Aerosolverdampfer sind. Auch hier werden flüssige oder feste Ausgangs Stoffe durch Hinzufügen von Verdampfungswärme in die Gasform gebracht. Der Massen- fluss des Dampfes kann einerseits über die Temperatur von Verdampfungsflächen, andererseits aber auch durch den Trägergasfluss gesteuert werden. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Verweilzeiten der einzelnen Gase innerhalb der Gasmischvorrichtung, also im Bereich zwischen Gasquelle und Gaseinlassorgan des CVD-Reaktors im Wesentlichen gleichlang sind. Sie sollen sich um maximal 10 Millisekunden voneinander unterscheiden. Bevorzugt ist die Verweilzeit der Gase innerhalb der Gasmischvorrichtung nicht größer als 100 Millisekunden. In einer alternativen Vorrichtung kann die erste Mischkammer aber auch Strömungshindernisse aufweisen, mit denen eine turbulente Strömung erzeugt wird. Die zweite Mischkammer kann ebenfalls Strömungshindernisse aufweisen. Sie kann aber auch Strömungsleitelemente aufweisen zur Ausbildung einer laminaren Strömung.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch den Querschnitt eines CVD- oder PVD-Reaktors mit zugehöriger Gasmischvorrichtung, Fig. 2 den Schnitt gemäß der Linie II - II in Figur 1,
Fig. 3 die Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels einer Gasmischvorrichtung, Fig. 4 die Draufsicht auf die Gasmischvorrichtung gemäß Figur 3,
Fig. 5 eine perspektivische Darstellung eines dritten Ausführungsbeispiels, bei dem die Gasmischvorrichtung von einem U-förmigen Rohr ausgebildet ist, Fig. 6 eine Seitenansicht der in Figur 5 dargestellten Mischvorrichtung,
Fig. 7 eine Draufsicht auf die in Figur 5 dargestellte Mischvorrichtung, Fig. 8 eine perspektivische Darstellung eines vierten Ausführungsbeispiels einer Mischvorrichtung,
Fig. 9 die Draufsicht auf die in Figur 8 dargestellte Gasmischvorrichtung, Fig. 10 den Schnitt gemäß der Linie X - X in Figur 9,
Fig. 11 den Schnitt gemäß der Linie XI - XI in Figur 9,
Fig. 12 ein fünftes Ausführungsbeispiel einer Gasmisch Vorrichtung der
Draufsicht,
Fig. 13 eine Seitenansicht der in Figur 12 dargestellten Gasmischvorrichtung, Fig. 14 den Schnitt gemäß der Linie XIV - XIV in Figur 13,
Fig. 15 den Schnitt gemäß der Linie XV - XV in Figur 13,
Fig. 16 den Schnitt gemäß der Linie XVI - XVI in Figur 13 und
Fig. 17 den Schnitt gemäß der Linie XVII - XVII in Figur 13.
Die Figuren 1 und 2 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Ein gasdichtes, in seinem Inneren evakuierbares Reaktorgehäuse 1 beinhaltet ein Gaseinlassorgan 5 mit einem inneren Gasverteilvolumen 7 und einer Gasaus- trittsplatte, die eine Vielzahl duschkopfartig angeordneter Gasaustrittsöffnungen 6 aufweist, die in Richtung einer Prozesskammer 2 weisen, auf deren Boden ein zu beschichtendes Substrat 4 liegt. Das Substrat 4 liegt auf einem durch eine Heizung auf eine Prozesstemperatur aufheizbaren oder durch eine Kühlein- richtung auf Prozesstemperatur abkühlbaren Suszeptor 3. Der Suszeptor 3 ist von einem ringförmigen Gasauslassorgan 9 umgeben, welches an eine Vakuumpumpe 10 angeschlossen ist, mit der der Total druck innerhalb der Prozesskammer 2 bzw. dem Reaktorgehäuse 1 eingestellt werden kann. Die Speisung des Gaseinlassorgans 5 mit Prozessgasen erfolgt durch einen
Gasaustrittskanal 8, der durch die Decke des Reaktorgehäuses 1 ins Innere führt.
Der Gasaustrittskanal 8 ist mit dem Boden 20 eines Gehäuses einer Gasmischvorrichtung verbunden, die sich unmittelbar oberhalb der oberen Wandung des Reaktorgehäuses 1 befinden kann. Die Gasmischvorrichtung kann fest mit der oberen Wandung des Reaktorgehäuses 1 verbunden sein. Die obere Wandung kann Trägerin der Gasmischvorrichtung sein.
Die Gasmischvorrichtung besitzt ein kreiszylinderförmiges Gehäuse, wobei der Boden 20 und die dem Boden 20 gegenüberliegende Decke 17 jeweils eine
Kreis scheibenform besitzen. Das Gehäuse der Gasmischvorrichtung besitzt eine zylinderförmige Außenwandung 18, die von einem ersten Rohr ausgebildet ist.
Ein zweites Rohr 19 befindet sich im Inneren und ist mit seinem unteren Ende fest mit dem Boden 20 verbunden. Die Höhlung des inneren Rohres 19 ist mit dem Gasaustrittskanal 8 verbunden. Der obere Rand des inneren Rohres 19 ragt frei in die Höhlung des äußeren Rohres 18 und bildet einen überströmbaren
Rand.
Durch den Boden 20 benachbarte, sternförmig angeordnete Einlasskanäle 22 können voneinander verschiedene Prozessgase an voneinander verschiedenen Umfangspositionen in die Gasmischvorrichtung eingespeist werden. Beim Ausführungsbeispiel sind vier in gleichmäßiger Winkelverteilung angeordnete Einlasskanäle 22 vorgesehen, die jeweils mit einer Gasquelle 21 verbunden sind. Bei den Gasquellen 21 handelt es sich um Verdampfer, in denen feste oder flüs- sige Ausgangsstoffe durch Wärmebeaufschlagung verdampft werden. Der so gebildete Dampf wird mittels eines in einen Einspeisekanal 23 eingespeisten Trägergases durch den Einlasskanal 22 in die Gasmischvorrichtung eingespeist.
Die Gasmischvorrichtung besitzt eine erste Mischkammer 12, die von dem Au- ßenrohr 18 nach außen hin begrenzt und die vom Innenrohr 19 nach innen hin begrenzt wird. In dieser ersten Mischkammer 12 befinden sich eine Vielzahl übereinander angeordnete Gasumlenkelemente 13. Die Gasumlenkelemente 13 sind so angeordnet, dass sie den in die erste Mischkammer 12 aus den Einspeisekanälen 22 eintretenden Einzelgasströmen eine im Wesentlichen schrauben- gangförmige, bevorzugt laminare Strömung verleihen. Die ersten Gasumlenkelemente 13 sind bezogen auf die Symmetrie der Anordnung der Einlasskanäle 22 symmetrisch angeordnet, so dass die aus den Einlasskanälen 22 austretenden und durch die erste Mischkammer 12 hindurchtretenden Einzelgasströme einen jeweils ähnlichen Strömungsverlauf besitzen. Es handelt sich dabei um wen- delgangförmige Stromlinien, entlang derer sich die Gase vom Boden 20 in
Richtung der Decke 17 insbesondere durch mehrfaches Umrunden des inneren Rohres 19 nach oben bewegen. Dort überströmt ein aus allen Einzelgasströmen zusammengesetzter Gasstrom die vom Rohrende ausgebildete Überströmungsbarriere 14. Es handelt sich hierbei um einen bereits in der ersten Misch- kammer 12 vor gemischten Gas ström.
Der vorgemischte Gasstrom wird im Bereich der Überströmungsbarriere 14 um 180 Grad umgelenkt und strömt dann von der Decke 17 in Richtung auf den Boden 20 durch eine zweite Mischkammer 15, die vom Innenrohr 19 gebildet ist. In der zweiten Mischkammer 15 befinden sich zweite Gasumlenkelemente 16, die so ausgebildet und so angeordnet sind, dass sie Wirbel erzeugen. Beispielsweise können die Gasumlenkelemente 16 Gasabrisskanten aufweisen, hinter denen sich eine turbulente Strömung entwickeln kann. Die Gasumlenkelemente 16 können Strömungshindernisse sein. Es findet somit in der zweiten Mischkammer 15 eine Verwirbelung des ersten Gasstroms statt. Der so gebildete zweite turbulente Gasstrom, der die Gase sämtlicher Einzelgasströme beinhaltet, tritt aus dem Gasaustrittskanal 8 aus dem Boden 20 der zweiten Mischkammer 15 aus und gelangt in das Gasverteilvolumen 7 des Gaseinlassorgans 5. Das Trägergas wird derart in die Gasquellen 21 bzw. in die Einlasskanäle 22 einge- speist, dass die über den Querschnitt der Mündung der Einlasskanäle 22 in die erste Mischkammer 12 gemittel te Gasgeschwindigkeit dieselbe ist. Aus jedem Einlasskanal 22 strömt somit Gas mit derselben mittleren Strömungsgeschwindigkeit in die Mischkammer 12 ein. Bei dem in den Figuren 3 und 4 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel sind in einer gemeinsamen Gaseinlassebene insgesamt acht Einlasskanäle 22 angeordnet, die sternförmig in Richtung auf das Zentrum der Gasmischvorrichtung zulaufen. Eine radial außen liegende erste Mischkammer 12 besitzt ein Gasumlenkelement 13, mit dem eine sich wendelgangförmig erstreckende erste
Mischkammer 12 ausgebildet ist. Das Ende der ersten Mischkammer 12 wird von einer Überströmungskante 14 ausgebildet, an die sich eine zylinderförmige zweite, innere Mischkammer 15 anschließt. In der ersten Mischkammer 12 sind darüber hinaus stufenförmige Hindernisse 13' angeordnet, die ebenfalls eine gasumlenkende, aber auch eine gasverwirbelnde Funktion haben können. Ähn- liehe gastrombeeinflussende Elemente können auch in der zweiten Mischkammer angeordnet sein.
Die Figuren 3 und 4 zeigen Einlasskanäle 22 mit verschiedenen Querschnittsflächen. Durch die Einlasskanäle 22 mit den größeren Querschnittsflächen werden bevorzugt Prozessgase bzw. Trägergase, mit denen ein Prozessgas transportiert wird, hindurchgeleitet. Durch die Einlasskanäle 22' mit einer geringeren Querschnittsfläche werden bevorzugt lediglich Verdünnungsgase, also Trägergase hindurchgeleitet. Die zusätzlichen Einlasskanäle 22', durch die keine Prozessgase eingeleitet werden, können dazu verwendet werden, um in der Mischkammer eine Verwirbelung zu erzeugen. Die durch diese zusätzlichen Einlasskanäle 22' eingespeisten Trägergas- oder Verdünnungs gas ströme brauchen hinsichtlich ihrer effektiven Weglängen nicht an die effektiven Weglängen der durch die Einlasskanäle 22 eingespeisten Prozessgase abgestimmt zu werden.
Bei dem in den Figuren 5 bis 7 dargestellten dritten Ausführungsbeispiel ist das Gehäuse der Mischvorrichtung U-förmig. In einem ersten U-Schenkel des Gehäuses, das eine rohrförmige erste Mischkammer 12 ausbildet, münden in einer ersten Ebene angeordnete erste Einlasskanäle 22 und in einer zweiten parallel dazu verlaufenden Ebene angeordnete zweite Einlasskanäle 22'. Auch hier münden insgesamt acht jeweils mit einer Quelle verbundene Gaseinlasskanäle 22, 22' in die erste Mischkammer 12, die erste Gasumlenkelemente 13 in Form von der Rohrinnenwandung abragender Vorsprünge aufweist. Es handelt sich dabei um halbkreisförmige Vorsprünge, die mit einer geraden freien Randkante bis in die Mitte des die erste Mischkammer 12 bildenden Rohres ragen.
Der U-Steg des U-förmigen Rohres 12, 15 bildet eine Überströmungsbarriere 14. Dort ragt ebenfalls ein halbkreisförmiges Gasumlenkelement 24 in den freien Querschnitt des U-förmigen Rohres, welches eine freie Randkante hat, die durch die Mitte des Rohres verläuft.
Eine parallel zu dem die erste Mischkammer 12 ausbildender Rohrschenkel, der die zweite Mischkammer 15 ausbildet, besitzt in seinem Inneren ebenfalls Gasumlenkelemente 16. Während die freien Randkanten der Gasumlenkele- mente 13 in der ersten Mischkammer im Wesentlichen parallel zueinander ver- laufen, verlaufen die freien Randkanten der quer in die Gasströmung ragenden Gasumlenkplatten 16 sich kreuzend.
Im Ausführungsbeispiel sind die Gasumlenkelemente 13, 15, 24 von flach, über eine halbe Umfangslänge mit der Innenwandung des Rohres verbundenen Platten ausgebildet. Die Platten erstrecken sich quer zur Strömungsrichtung.
Die Figuren 8 bis 11 zeigen ein viertes Ausführungsbeispiel einer Mischvorrichtung, die acht Einspeisekanäle 22 aufweist, die in einer gemeinsamen Ein- speiseebene angeordnet sind. Quer zu der Einspeiseebene erstreckt sich ein zylinderförmiges Gehäuse. Es besitzt einen Außenzylinder 18 und einen Innenzylinder 19. Der Innenzylinder 19 bildet mit einer freien Randkante eine Überströmungsbarriere 14. Die Gaseinlasskanäle 22 münden in der axialen Nähe des Bodens 20 in die vom äußeren Rohr 18 nach außen begrenzte erste Mischkam- mer 12, die lediglich im oberen Bereich, also benachbart zur Überstromkante 14 Gasumlenkelemente 13 aufweist. Diese Gasumlenkelemente 13 lenken die in Axialrichtung die erste Mischkammer 12 durchströmenden Einzelgasströme auf einen wendelgangförmigen Strömungspfad, auf dem die Einzelgasströme den Raum unterhalb der Decke 17 erreichen, wo sie um 180 Grad über die Über- Strömungsbarriere 14 tretend umgelenkt werden.
Die innere, zweite Mischkammer 15 besitzt eine Vielzahl von in Strömungsrichtung hintereinander angeordneten Gasumlenkelementen 16. Es handelt sich dabei um gewölbte Flachteile, die eine mehrstufige Gasumlenkung bewirken. Die Flachteile sind an der Innenwandung des Innenrohres 19 befestigt und führen zu einer Verwirbelung des durch die innere Mischkammer 15 hindurch tretenden Gasstroms, welcher die zweite Mischkammer 15 durch einen
Gasaustrittskanal 8 in Achsrichtung der Zylinderanordnung verlässt. Die Gasumlenkelemente 16 sind untereinander gleichgestaltet. Es können Aufsatz- teile sein, die sich gegenseitig abstützen, also aufeinander aufgesetzt sind. Sie sind dabei so ausgebildet, dass sie sich an den Innenwänden des Rohres 19 abstützen können.
Auch hier sind voneinander verschiedene Einlasskanäle vorgesehen. Durch Einlasskanäle 22 mit einem großen Durchmesser werden Prozessgase bzw. Prozessgase transportierende Trägergase hindurchgeleitet, wohingegen durch die ergänzenden Einlasskanäle 22' mit einem kleinen Querschnitt lediglich ein Trägergas, also ein Verdünnungsgas hindurchgeleitet werden. Das in den Figuren 12 bis 17 dargestellte fünfte Ausführungsbeispiel besitzt insgesamt acht sternförmig in eine Einlassebene angeordnete Einlasskanäle 22. Die Einlasskanäle 22 sind untereinander gleich ausgebildet und besitzen einen stufenweise in Strömungsrichtung sich vergrößernden Innendurchmesser. Die Einlasskanäle 22 sind darüber hinaus noch über Querkanäle 25 jeweils mit dem benachbarten Einlasskanal 22 verbunden.
Auch hier bilden zwei koaxial zueinander angeordnete Rohre 18, 19 eine äußere erste Mischkammer 12 und eine innere zweite Mischkammer 15, wobei die äußere, erste Mischkammer 12 unten durch die Einlasskanäle 22 mit den zu ver- mischenden Gasen gespeist wird. In der ersten Mischkammer 12 sind erste Gasumlenkelemente 13 vorgesehen, die den Gas ström in Umfangsrichtung umlenken. Der Gasstrom kann durch die Umlenkelemente 13 mehrfach in verschiedenen Umfangsrichtungen umgelenkt werden, so dass er in einem ersten Höhenabschnitt der ersten Mischkammer 12 beispielsweise im Uhrzeigersinn durch die erste Mischkammer 12 strömt und in einem sich daran anschließenden Höhenabschnitt im Gegenuhrzeigersinn durch die erste Mischkammer 12 hindurchströmt. Der Strömungsbewegung im Uhrzeigersinn bzw. im Gegenuhrzeigersinn ist eine Strömungskomponente in Achsrichtung der Zylinderrohre überlagert, so dass die sich innerhalb der ersten Mischkammer 12 vormi- sehenden, aus den Einlasskanälen 22 austretenden Einzelgasströme den oberen Abschnitt der ersten Mischkammer 12 erreichen, wo sie um 180 Grad über zwei sich gegenüberliegende Überströmungsbarrieren 14 in die zentrale zweite Mischkammer 15 strömen. In der zentralen zweiten Mischkammer 15 befinden sich wieder aus Flachmaterialien, die eine gewölbte Struktur aufweisen können, gebildete zweite Gasumlenkelemente 16, die zu einer Verwirbelung des die zweite Mischkammer 15 durchströmenden Gases führen. Bei allen zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen sind die Gasumlenkelemente 13, 16 so gestaltet und so angeordnet, dass auch unter Berücksichtigung der Länge der Einlasskanäle 22 jeder Einzelgasstrom von seiner Quelle 21 bis zum Gaseinlassorgan 5 im Wesentlichen dieselbe effektive Weglänge durchströmt.
In die Einspeisekanäle 23 der Gasquellen 21 wird jeweils ein Trägergasfluss eingespeist. Dabei ist der Trägergasfluss so bemessen, dass die Gase innerhalb der Mischanordnung also auf ihrem Weg von der Gasquelle 21 zum Gaseinlassorgan 5 dieselbe Verweilzeit besitzen. Die einzelnen Verweilzeiten sollen sich nicht mehr als 10 Millisekunden unterscheiden, wobei die gesamte Verweilzeit bevorzugt maximal 100 Millisekunden beträgt. Die Gasströmungen durch die Einlasskanäle 22 werden bevorzugt innerhalb der Toleranzen so eingestellt, dass die Gase mit einer selben mittleren Strömungsgeschwindigkeit in die Mischkammer eintreten und die Mischkammern bzw. die gesamte Gas- mischvorrichtung in derselben Zeit durchströmen. Optimal ist es, wenn sich die Verweilzeiten um weniger als 10 Millisekunden unterscheiden, beispielsweise maximal nur um 2 oder um 5 Millisekunden.
Die Gasmischung kann bei Atmosphärendruck stattfinden. Bevorzugt erfolgt die Gasmischung aber in einem Druckbereich zwischen 1 mbar und 500 mbar. Der Druckunterschied zwischen Quelle 21 und Gaseinlassorgan 5 ist kleiner als 1 mbar, bevorzugt kleiner als 0,2 mbar. Der Durchmesser und die Höhe der Gasmischvorrichtung liegen im Bereich zwischen 200 und 700 mm. Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils eigenständig weiterbilden, nämlich: Eine Gas Versorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen 21 zum Gaseinlassorgan 5 untereinander gleichlang sind.
Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Ein- lasskanäle 22 in einer Einlassebene angeordnet sind und insbesondere auf ein gemeinsames Zentrum gerichtet sind, und/ oder, dass sich der Gasaustrittskanal 8 in einer Richtung quer zur Einlassebene erstreckt und/ oder, dass die Gasströmung durch die Überströmungsbarriere 14 eine 180°-Umlenkung erfährt. Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste Mischkammer 12 eine Vormischkammer ist mit bevorzugt eine laminare Richtungsänderung des jeweiligen Einzelgasstroms erzeugenden ersten Gasumlenkelementen 13 und/ oder dass die zweite Mischkammer 15 eine Verwirbe- lungskammer ist, mit zweiten Gasumlenkelementen 16 zur Erzeugung eines zweiten turbulenten Gasstroms in der zweiten Mischkammer 15.
Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die ersten oder zweiten Gasumlenkelemente 12, 13 mehrstufig in Strömungsrichtung hintereinander angeordnet sind. Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste und zweite Mischkammer 12, 15 von konzentrischen Rohren 18, 19 ausgebildet sind, die in Gegenrichtung durchströmt werden. Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Durchmesser der ersten oder zweiten Mischkammer 12, 15 kleiner ist als die axiale Höhe der ersten oder zweiten Mischkammer 12, 15.
Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine aus den beiden Mischkammern 12, 15 und den Gasquellen 21 bestehende Gasversorgungseinrichtung vertikal oberhalb einer Prozesskammer 2, insbesondere unmittelbar auf einer oberen Wandung des Reaktorgehäuses 1 angeordnet ist.
Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass sich die effektiven Ver- weilzeiten der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle 21 und Gaseinlassorgan (5) maximal um zehn Millisekunden unterscheiden.
Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verweilzeit der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle 21 und Gaseinlassorgan 5 kleiner als ein- hundert Millisekunden ist.
Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die in der ersten Mischkammer 12 angeordneten ersten Gasumlenkelemente 13 die Einzelgasströme insbesondere laminar umleiten und/ oder dass die in der zweiten Mischkammer 15 angeordneten zweiten Gasumlenkelemente 16 einen insbesondere turbulenten zweiten Gasstrom erzeugen.
Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasströmungen in den Einlasskanälen 22 derart eingestellt sind, dass die Einzelgasströme den jeweili- gen Einlasskanal 22 mit derselben mittleren Gasgeschwindigkeit verlassen. Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
Bezugszeichenliste
1 Reaktorgehäuse
2 Prozesskammer
3 Suszeptor
4 Substrat
5 Gaseinlassorgan
6 Gasaustrittsöffnung
7 Gasverteilvolumen
8 Gasaustrittskanal
9 Gasauslassorgan
10 Vakuumpumpe
11 Gasmischvorrichtung
12 erste Mischkammer
13 erstes Gasumlenkelement 13' Hindernis
14 Überströmungsbarriere
15 Zweite Mischkammer
16 zweites Gasumlenkelement
17 Decke
18 Zylindermantelwand
19 Rohr
20 Boden
21 Gasquelle
22 Einlasskanal 22' Einlasskanal
23 Einspeisekanal
24 Gasumlenkelement
25 Querkanal

Claims

ANSPRÜCHE
1. Gas Versorgungseinrichtung mit sternförmig um ein Zentrum angeordnete, jeweils mit einer Gasquelle (21) verbundenen Einlasskanälen (22) zum Einspeisen jeweils von einer Gasquelle (21) bereitgestellten Einzelgasströmen in eine ringzylindrisch um das Zentrum angeordnete erste Mischkammer (12), wobei in der ersten Mischkammer (12) insbesondere mittels ein oder mehrerer erster Gasumlenkelemente (13) eine ein- oder mehrfache Umlenkung der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme stattfindet, mit einer Überströmungsbarriere (14), über die ein aus der ersten Mischkammer (12) austretender, aus allen Einzelgasströmen bestehender erster Gasstrom um 180° umgelenkt in eine innerhalb der ersten Mischkammer (12) angeordnete zweite Mischkammer
(15) strömt, in welcher insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente
(16) eine ein- oder mehrfache Umlenkung des ersten Gasstroms stattfindet, und mit einem im Zentrum angeordneten Gasaustrittskanal (8) zum Austritt des Gas Stroms aus der zweiten Mischkammer (15) in ein Gaseinlassorgan (5) einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung (1), dadurch gekennzeichnet, dass die aus den beiden Mischkammern (12, 15) und den Gasquellen (21) bestehende Gasversorgungseinrichtung vertikal oberhalb einer Prozesskammer (2) angeordnet ist.
2. Gasversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen (21) zum Gaseinlassorgan (5) untereinander gleichlang sind.
3. Gasversorgungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Einlasskanäle (22) in einer Einlassebene angeordnet sind und insbesondere auf ein gemeinsames Zentrum gerichtet sind, wobei sich der Gasaustrittskanal (8) in einer Richtung quer zur Einlass- ebene erstreckt.
4. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Mischkammer (12) eine Vor- mischkammer ist mit bevorzugt eine laminare Richtungsänderung des jeweiligen Einzelgasstroms erzeugenden ersten Gasumlenkelementen (13) und dass die zweite Mischkammer (15) eine Verwirbelungskammer ist, mit den zweiten Gasumlenkelementen (16) zur Erzeugung eines zweiten turbulenten Gasstroms in der zweiten Mischkammer (15).
5. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten oder zweiten Gasumlenkelemente (12, 13) mehrstufig in Strömungsrichtung hintereinander angeordnet sind.
6. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und zweite Mischkammer (12, 15) von konzentrischen Rohren (18, 19) ausgebildet sind, die in Gegenrichtung durchströmt werden.
7. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchmesser der ersten oder zweiten Mischkammer (12, 15) kleiner ist als die axiale Höhe der ersten oder zweiten Mischkammer (12, 15).
8. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasquellen (21) und die Mischkammern (12, 15) unmittelbar auf einer oberen Wandung des Reaktorgehäuses (1) angeordnet sind.
9. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch zusätzliche Gaseinlasskanäle (22') zum Einlassen eines Verdünnungsgasstromes.
Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans (9) einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit Prozessgasen, bestehend aus folgenden Schritten:
Bereitstellen von einer Mehrzahl von Prozessgasen in jeweils einer
Gasquelle (21);
Fördern jedes der Prozessgase als Einzelgasstrom getrennt von anderen Einzelgasströmen von der jeweiligen Gasquelle (21) jeweils durch einen Einlasskanal (22) in eine erste Mischkammer (12);
Umlenken der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme insbesondere mittels erster Gasumlenkelemente (13) in der ersten Mischkammer (12),
Überströmen eines aus allen Einzelgasen bestehenden ersten Gasstroms über eine Überströmungsbarriere (14) in eine zweite Mischkammer (15);
Umlenken des Gas Stroms insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente (16);
- Ausleiten eines aus allen Einzelgasströmen bestehenden Gasstroms aus einem Gasaustrittskanal (8) in das Gaseinlassorgan (5)dadurch gekennzeichnet, dass sich die effektiven Verweilzeiten der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle (21) und Gaseinlassorgan (5) maximal um zehn Millisekunden unterscheiden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Verweilzeit der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle (21) und Gaseinlassorgan (5) kleiner als einhundert Millisekunden ist. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die : der ersten Mischkammer (12) angeordneten ersten Gasumlenkelemente (13) die Einzel gasströme insbesondere laminar umleiten und/ oder dass die in der zweiten Mischkammer (15) angeordneten zweiten Gasumlenkelemente (16) einen insbesondere turbulenten zweiten Gasstrom erzeugen.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasströmungen in den Einlasskanälen (22) derart eingestellt sind, dass die Einzelgasströme den jeweiligen Einlasskanal (22) mit derselben mittleren Gasgeschwindigkeit verlassen.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verdünnungsgasstrom durch zusätzliche Einlasskanäle (22') eingespeist wird.
15. Vorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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