JPH11293465A - Cvd装置 - Google Patents

Cvd装置

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JPH11293465A
JPH11293465A JP10104325A JP10432598A JPH11293465A JP H11293465 A JPH11293465 A JP H11293465A JP 10104325 A JP10104325 A JP 10104325A JP 10432598 A JP10432598 A JP 10432598A JP H11293465 A JPH11293465 A JP H11293465A
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JP
Japan
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reaction chamber
section
vaporizers
cvd apparatus
distribution
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JP10104325A
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English (en)
Inventor
Mitsunao Shibazaki
光直 柴崎
Tsutomu Nakada
勉 中田
Hiroyuki Shinozaki
弘行 篠崎
Kuniaki Horie
邦明 堀江
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Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配管が単純化され、使用するバルブの個数を
低減でき、且つ配管を一定の温度に管理することが容易
で配管内の反応副生成物の生成が抑制でき、更に原料ガ
ス流れに乗って反応室へ送られる気化残留物及び反応副
生成物を抑制できる複数の気化装置を具備するCVD装
置を提供すること。 【解決手段】 液体原料を気化させる複数の気化装置1
−1〜3を具備し、該複数の気化装置1−1〜3からの
気化した原料を合流部3で合流させ、振り分け部4で反
応室9とベント側に振り分けるマニホールドを具備する
CVD装置において、振り分け部4が合流部3よりも下
流に又は振り分け部4と合流部3が同一位置にある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液体原料を気化させ
る複数の気化装置を具備し、該複数の気化装置からの気
化した原料を合流部で合流させ、振り分け部で反応室と
ベント側に振り分けるように構成したCVD装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図6は、従来のこの種の複数の気化装置
を具備するCVD装置の概略構成を示す図である。図6
において、101、102、103は液体原料を気化す
る複数(図では3個)の気化装置であり、該各気化装置
101、102、103で気化された原料は分岐部(振
り分け部)104でバルブV1、V2、V3を通してベ
ント側へ、バルブV5、V6、V7を通して合流部10
5で合流され、反応室106へ供給されるようになって
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来構成のCVD
装置においては、各気化装置101、102、103か
らの気化された原料を分岐部104で反応室側とベント
側に分岐した上で複数の気化された原料を合流部105
で合流させ、反応室106に送り込んでいるため、配管
が複雑となる上、バルブの使用個数が多くコスト高とな
るという問題があった。
【0004】また、従来のこの種のCVD装置では各気
化装置で気化した原料を送る配管は、マントルヒータ等
の加熱手段を用いて、温度管理を行なっていた。そのた
め合流・分岐といった複雑な形状の配管全体を一定温度
に保つことが難しく、その温度の不均一が該配管内に副
生成物を生じさせる原因となるという問題もあった。
【0005】また、従来のこの種のCVD装置では、気
化した原料を分岐して反応室106に送り込む配管は、
従来水平方向に配置されており、気化残留物、反応副生
成物がガス流れに乗って反応室106へ送られ易いとい
う問題もあった。
【0006】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、配管が単純化され、使用するバルブの個数を低減で
き、且つ配管を一定の温度に管理することが容易で配管
内の反応副生成物の生成が抑制でき、更に原料ガス(気
化された原料)流れに乗って反応室へ送られる気化残留
物及び反応副生成物を抑制できる複数の液体原料を気化
する気化装置を具備するCVD装置を提供することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1に記載の発明は、液体原料を気化させる複数の
気化装置を具備し、該複数の気化装置からの気化した原
料を合流部で合流させ、振り分け部で反応室とベント側
に振り分けるマニホールドを具備するCVD装置におい
て、振り分け部が合流部よりも下流に又は振り分け部と
合流部が同一位置にあることを特徴とする。
【0008】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載のCVD装置において、合流部は複数の気化装置
からの気化された原料が通る各配管が一平面内に位置す
るように並べ合流するようになっていることを特徴とす
る。
【0009】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
又は2に記載のCVD装置において、合流部は複数の気
化装置からの気化された原料が通る各配管は等長及び/
又は等配に配置されていることを特徴とする。
【0010】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
乃至3のいずれか1に記載のCVD装置において、振り
分け部から反応室に接続される配管の少なくとも一個所
が鉛直上方への上り勾配を有することを特徴とする。
【0011】また、請求項5に記載の発明は、液体原料
を気化させる複数の気化装置を具備し、該複数の気化装
置からの気化した原料を合流部で合流させるための第1
マニホールドと、気化した原料を振り分け部で反応室と
ベント側に振り分ける第2マニホールドとを具備するC
VD装置において、第1及び第2マニホールドのうちの
少なくとも一方は一定温度に制御された熱媒体に接触
し、所定温度に保たれることを特徴とする。
【0012】また、請求項6に記載の発明は、液体原料
を気化させる複数の気化装置を具備し、該複数の気化装
置からの気化した原料を合流部で合流させ、振り分け部
で反応室とベント側に振り分けるマニホールドを具備す
るCVD装置において、振り分け部は反応室に接続する
水平配管とベント側に接続する鉛直下向きの鉛直配管と
が接合された構成であり、該水平配管と鉛直配管の接合
部下側角部に前記反応室側からベント側へ重力方向の勾
配が形成されていることを特徴とする。
【0013】また、請求項7に記載の発明は、請求項1
又は5又は6に記載のCVD装置において、振り分け部
に該振り分け部から反応室に接続される配管の断面の一
部を覆うバッフルプレートを設けたことを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図1は本発明のCVD装置の構
成例を示す図であり、同図(a)は配管部の平面図、同
図(b)はその側面図である。図において、3は気化し
た複数の原料ガスを合流させる合流部、4は該合流した
合流部3の下流側に位置し、原料ガスを反応室側とベン
ト側に振り分ける振り分け部である。また、1−1、1
−2、1−3はそれぞれ液体原料を気化して原料ガスに
する気化装置である。
【0015】上記各気化装置1−1、1−2、1−3に
は配管2−1、2−2、2−3が接続されており、該各
配管2−1、2−2、2−3は合流部3で接合されて一
体となっている。また、振り分け部4では水平方向に延
びる配管6と鉛直下方に延びる配管5に分岐され、配管
5はバルブ7を介してベント側に接続され、配管6はバ
ルブ8を介して反応室9に接続されている。各配管2−
1、2−2、2−3は、上から見て3本が等配(等しい
角度、図では120°ピッチで配置)で、且つ等しい長
さである。
【0016】上記の様に、原料ガスが通る配管2−1、
2−2、2−3を合流部3で合流させその後振り分け部
4に分岐させる構成のマニホールドとすることにより、
図6に示す従来構成と比較し、配管が単純化される上、
使用するバルブ数も少なくできる。また、各気化装置1
−1、1−2、1−3からの配管2−1、2−2、2−
3が上からみて等配、即ち各配管どうしの相対角度はす
べて120°で、且つ等長であり、合流部3で合流させ
るので、複数(図では3個)の各気化装置からの原料ガ
スは一様に混合され、且つ原料ガスの通る複数の配管の
対称性を容易に得ることが可能となる。
【0017】図2は本発明のCVD装置の他の構成例を
示す図である。同図において、図1と同一の符号を付し
た部分は同一又は相当部分を示す。以下、他の図面にお
いても同様とする。図2に示すように、マニホールドの
合流部3及び振り分け部4を含む配管を密閉構造のケー
シング10で覆い、該ケーシング10内に入口11から
一定温度に制御された熱媒体(例えば油)Qを供給し、
ケーシング10の内部を充満させ、出口12から排出す
ることにより、マニホールドを構成する各配管の温度を
均一に保つことができ、配管内の反応副生成物の生成を
抑制できる。
【0018】また、振り分け部4から反応室に接続され
る配管6の少なくとも一個所(図ではA部分)を鉛直上
方への上り勾配とする。このように配管6の少なくとも
一個所を上り勾配とすることにより、液体原料が気化さ
れてなる原料ガスの気化残留物や反応生成物が該原料ガ
スの流れに乗って、反応室内に流れ込むのを抑制でき
る。
【0019】図7のように合流部3を含む第1マニホー
ルドと、振り分け部4を含む第2マニホールドをそれぞ
れケーシング10、10aで覆い、ケーシング10内に
入口11から熱媒体Qを供給し、出口12から排出し、
ケーシング10a内に入口11aから熱媒体Qaを供給
し、出口12aから排出するようにすると、各マニホー
ルドを構成する各配管の温度を均一に保つだけでなく、
各マニホールドを個別に温度管理できる。また、熱媒体
Q、Qaは互いに異なる媒体でもよく、同じ媒体でもよ
く、互いに異なる温度でもよく、又は同じ温度でもよ
い。
【0020】図3は本発明のCVD装置の配管部の他の
構成例を示す図であり、同図(a)は配管部の平面図、
同図(b)はその側面部を示す図である。図示するよう
に、配管2−1、2−2、2−3は上から見て直線に配
列され、即ち、同一の鉛直方向に延伸する平面内に位置
し、下端が合流部3で接合されている。また、振り分け
部4は反応室に接続する水平方向に延びる配管6とベン
ト側に接続する鉛直下向に延びる配管5とが接合されて
いる。水平の配管6と鉛直の配管5の接合部下側角部B
に反応室側からベント側へ重力方向へのゆるやかなカー
ブの勾配が形成されている。また、振り分け部4には配
管6の断面の一部を覆うバッフルプレート13を設けて
いる。
【0021】反応室に接続される水平の配管6とベント
側に接続される鉛直の配管5の接合部下側角部Bに反応
室側からベント側へ重力方向のゆるやかなカーブの勾配
を形成することにより、このカーブの整流作用により気
化残留物や反応副生成物の反応室への流入を抑制するこ
とができる。
【0022】また、振り分け部4から一旦反応室側に流
入した気化残留物等は重力の作用により、該カーブに沿
ってベント側に排出される。また、このようなカーブの
勾配を設けることにより、配管6の断面は振り分け部4
から反応室側にいくに従って、除々に小さくなり、反応
室への原料ガスの流速は振り分け部4の近傍では遅く、
反応室側に進むにしたがい除々に増速されるため、配管
6内で反応室側へ向かう急速な流れが生じず、気化残留
物等がガス流に同伴されて反応室側に流れることを抑制
できる。また、振り分け部4に配管6の断面の一部を覆
うバッフルプレート13を設けることにより、気化残留
物の反応室への流入を更に抑制することができる。
【0023】図4は本発明のCVD装置の配管部の他の
構成例を示す図であり、同図(a)は配管部の平面図、
同図(b)はその側面図である。図示するように、配管
2−1、2−2、2−3、2−4は上から見て等配(図
では90°ピッチで配置)、等長で配置され、下端が合
流部3で接合されている。該合流部3は振り分け部4も
兼ねており、なお、振り分け部4から反応室に接続され
る配管6は鉛直上方に延びた後、断面を縮小して水平方
向に延びている。また、ベント側に接続される配管5は
鉛直に下方に延びている。このような構成としても図3
に示す構成と同様、気化残留物や反応副生成物の反応室
への流入を抑制することができる。
【0024】図5は本発明のCVD装置の配管部の他の
構成例を示す図である。ここでは合流部は省略している
が、合流部の下流側に位置する振り分け部から反応室に
接続される水平に延びる配管6と鉛直下方に延びる配管
5の接合部下側角部Cに反応室側からベント側へ重力方
向のゆるやかな勾配が設けられている。このような構成
としても図3に示す構成と同様、気化残留物、副生成物
の反応室への流入を抑制することができる。
【0025】
【発明の効果】以上、説明したように請求項1に記載の
発明によれば、振り分け部が合流部よりも下流に又は振
り分け部と合流部が同一位置にあるので、配管が単純化
され使用するバルブの個数を低減でき、コストが安価と
なる。
【0026】また、請求項2に記載の発明によれば、合
流部は複数の気化装置からの気化された原料が通る各配
管が一平面内に位置するように並べ合流するように構成
されるので、装置の小型化が可能となる。
【0027】また、請求項3に記載の発明によれば、合
流部は複数の気化装置からの気化された原料が通る各配
管が等長及び/又は等配に配置されているので、複数の
原料ガスの一様な混合、複数の原料ガスを通す配管の対
称性(等配の場合)を容易に得ることが可能となる。
【0028】また、請求項4に記載の発明によれば、振
り分け部から反応室に接続される配管の少なくとも一個
所が鉛直上方への上り勾配を有するので、原料ガス流れ
に乗って反応室へ送られる気化残留物及び反応副生成物
等を抑制できる。
【0029】また、請求項5に記載の発明によれば、マ
ニホールドは一定温度に制御された熱媒体に接触し、所
定の温度に保たれるので、配管を一定の温度に管理する
ことが容易で配管内の反応副生成物の生成が抑制でき
る。
【0030】また、請求項6に記載の発明によれば、振
り分け部は反応室に接続する水平配管とベント側に接続
する鉛直下向きの鉛直配管とが接合された構成であり、
該水平配管と鉛直配管の接合部下側角部に反応室側から
ベント側へ重力方向の勾配が形成されているので、原料
ガス流れに乗って反応室へ送られる気化残留物及び反応
副生成物を抑制できると同時に一旦流入した気化残留物
等も重力の作用によりベント側へ排出される。
【0031】また、請求項7に記載の発明によれば、振
り分け部から反応室に接続される配管の断面の一部を覆
うバッフルプレートを設けたので、更に原料ガス流れに
乗って反応室へ送られる気化残留物及び反応副生成物を
抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のCVD装置の構成例を示す図であり、
図1(a)は配管部の平面図、図1(b)はその側面図
である。
【図2】本発明のCVD装置の構成例を示す図である。
【図3】本発明のCVD装置の配管部の構成例を示す図
であり、図3(a)は配管部の平面図、図3(b)はそ
の側面図である。
【図4】本発明のCVD装置の配管部の構成例を示す図
であり、図4(a)は配管部の平面図、図4(b)はそ
の側面図である。
【図5】本発明のCVD装置の配管部の構成例を示す図
である。
【図6】従来のこの種の複数の気化装置を具備するCV
D装置の概略構成を示す図である。
【図7】本発明のCVD装置の別の構成例を示す図であ
る。
【符号の説明】
1−1〜3 気化装置 2−1〜4 配管 3 合流部 4 振り分け部 5 配管 6 配管 7 バルブ 8 バルブ 9 反応室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀江 邦明 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液体原料を気化させる複数の気化装置を
    具備し、該複数の気化装置からの気化した原料を合流部
    で合流させ、振り分け部で反応室とベント側に振り分け
    るマニホールドを具備するCVD装置において、 前記振り分け部が合流部よりも下流に又は振り分け部と
    合流部が同一位置にあることを特徴とするCVD装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のCVD装置において、 前記合流部は前記複数の気化装置からの気化された原料
    が通る各配管が一平面内に位置するように並べ合流する
    ようになっていることを特徴とするCVD装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載のCVD装置にお
    いて、 前記合流部は前記複数の気化装置からの気化された原料
    が通る各配管は等長及び/又は等配に配置されているこ
    とを特徴とするCVD装置。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1に記載のC
    VD装置において、 前記振り分け部から反応室に接続される配管の少なくと
    も一個所が鉛直上方への上り勾配を有することを特徴と
    するCVD装置。
  5. 【請求項5】 液体原料を気化させる複数の気化装置を
    具備し、該複数の気化装置からの気化した原料を合流部
    で合流させるための第1マニホールドと、気化した原料
    を振り分け部で反応室とベント側に振り分ける第2マニ
    ホールドとを具備するCVD装置において、 前記第1及び第2マニホールドのうちの少なくとも一方
    は一定温度に制御された熱媒体に接触し、所定温度に保
    たれることを特徴とするCVD装置。
  6. 【請求項6】 液体原料を気化させる複数の気化装置を
    具備し、該複数の気化装置からの気化した原料を合流部
    で合流させ、振り分け部で反応室とベント側に振り分け
    るマニホールドを具備するCVD装置において、 前記振り分け部は反応室に接続する水平配管とベント側
    に接続する鉛直下向きの鉛直配管とが接合された構成で
    あり、該水平配管と鉛直配管の接合部下側角部に前記反
    応室側からベント側へ重力方向の勾配が形成されている
    ことを特徴とするCVD装置。
  7. 【請求項7】 請求項1又は5又は6に記載のCVD装
    置において、 前記振り分け部に該振り分け部から前記反応室に接続さ
    れる配管の断面の一部を覆うバッフルプレートを設けた
    ことを特徴とするCVD装置。
JP10104325A 1998-04-15 1998-04-15 Cvd装置 Pending JPH11293465A (ja)

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