DE102014106523A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch Download PDF

Info

Publication number
DE102014106523A1
DE102014106523A1 DE102014106523.9A DE102014106523A DE102014106523A1 DE 102014106523 A1 DE102014106523 A1 DE 102014106523A1 DE 102014106523 A DE102014106523 A DE 102014106523A DE 102014106523 A1 DE102014106523 A1 DE 102014106523A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gas
mixing chamber
individual
mixing
inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102014106523.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Eduardo Osman Pineiro Sufan
Steffen Neumann
Baskar Pagadala Gopi
Markus Gersdorff
Markus Jakob
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Priority to DE102014106523.9A priority Critical patent/DE102014106523A1/de
Priority to CN201580027176.9A priority patent/CN106457168A/zh
Priority to JP2016565413A priority patent/JP6796491B2/ja
Priority to KR1020167034147A priority patent/KR102413577B1/ko
Priority to PCT/EP2015/060017 priority patent/WO2015169882A1/de
Priority to TW104114708A priority patent/TWI694168B/zh
Publication of DE102014106523A1 publication Critical patent/DE102014106523A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512Premixing before introduction in the reaction chamber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/10Mixing gases with gases
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/40Static mixers
    • B01F25/42Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions
    • B01F25/421Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions by moving the components in a convoluted or labyrinthine path
    • B01F25/423Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions by moving the components in a convoluted or labyrinthine path by means of elements placed in the receptacle for moving or guiding the components
    • B01F25/4231Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions by moving the components in a convoluted or labyrinthine path by means of elements placed in the receptacle for moving or guiding the components using baffles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F25/00Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
    • B01F25/40Static mixers
    • B01F25/42Static mixers in which the mixing is affected by moving the components jointly in changing directions, e.g. in tubes provided with baffles or obstructions
    • B01F25/43Mixing tubes, e.g. wherein the material is moved in a radial or partly reversed direction
    • B01F25/431Straight mixing tubes with baffles or obstructions that do not cause substantial pressure drop; Baffles therefor
    • B01F25/4314Straight mixing tubes with baffles or obstructions that do not cause substantial pressure drop; Baffles therefor with helical baffles
    • B01F25/43141Straight mixing tubes with baffles or obstructions that do not cause substantial pressure drop; Baffles therefor with helical baffles composed of consecutive sections of helical formed elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/50Mixing receptacles
    • B01F35/52Receptacles with two or more compartments
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/71Feed mechanisms
    • B01F35/712Feed mechanisms for feeding fluids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/71Feed mechanisms
    • B01F35/716Feed mechanisms characterised by the relative arrangement of the containers for feeding or mixing the components
    • B01F35/7163Feed mechanisms characterised by the relative arrangement of the containers for feeding or mixing the components the containers being connected in a mouth-to-mouth, end-to-end disposition, i.e. the openings are juxtaposed before contacting the contents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition

Abstract

Die Erfindung betrifft zunächst eine Gasversorgungseinrichtung mit Einlasskanälen (22) zum Einspeisen von jeweils von einer Gasquelle (21) bereitgestellten Einzelgasströmen in eine erste Mischkammer (12), wobei in der ersten Mischkammer (12) insbesondere mittels ein oder mehrerer erster Gasumlenkelemente (13) eine ein- oder mehrfache Umlenkung der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme stattfindet, mit einer Überströmungsbarriere (14), über die ein aus der ersten Mischkammer (12) austretender, aus allen Einzelgasströmen bestehender erster Gasstrom in eine zweite Mischkammer (15) strömt, in welcher insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente (16) eine ein- oder mehrfache Umlenkung des ersten Gasstroms stattfindet, und mit einem Gasaustrittskanal (8) zum Austritt des Gasstroms aus der zweiten Mischkammer (15) in ein Gaseinlassorgan (5) einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung (1). Als Neuerung wird vorgeschlagen, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen (21) zum Gaseinlassorgan (5) untereinander gleichlang sind. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans (9) einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit Prozessgasen, bei dem wesentlich ist, dass sich die effektiven Verweilzeiten der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle (21) und Gaseinlassorgan (5) maximal um zehn Millisekunden unterscheiden.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Gasversorgungseinrichtung mit Einlasskanälen zum Einspeisen von jeweils von einer Gasquelle bereitgestellten Einzelgasströmen in eine erste Mischkammer, wobei in der ersten Mischkammer insbesondere mittels ein oder mehrerer erster Gasumlenkelemente eine ein- oder mehrfache Umlenkung der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme stattfindet, mit einer Überströmungsbarriere, über die ein aus der ersten Mischkammer austretender, aus allen Einzelgasströmen bestehender erster Gasstrom in eine zweite Mischkammer strömt, in welcher insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente eine ein- oder mehrfache Umlenkung des ersten Gasstroms stattfindet, und mit einem Gasaustrittskanal zum Austritt des Gasstroms aus der zweiten Mischkammer in ein Gaseinlassorgan einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung.
  • Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit Prozessgasen, bestehend aus folgenden Schritten:
    • – Bereitstellen von einer Mehrzahl von Prozessgasen in jeweils einer Gasquelle;
    • – Fördern der Prozessgase in Einzelgasströmen getrennt voneinander von der jeweiligen Gasquelle jeweils durch einen Einlasskanal in eine erste Mischkammer;
    • – Umlenken der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme insbesondere mittels erster Gasumlenkelemente in der ersten Mischkammer,
    • – Überströmen eines aus allen Einzelgasen bestehenden ersten Gasstroms über eine Überströmungsbarriere in eine zweite Mischkammer;
    • – Umlenken des Gasstroms insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente;
    • – Ausleiten eines aus allen Einzelgasströmen bestehenden Gasstrom aus einem Gasaustrittskanal in das Gaseinlassorgan.
  • Gasmischvorrichtungen dienen dem Zusammenmischen von voneinander verschiedener Gase, die jeweils mittels eines Einlasskanals, beispielsweise in Form eines Rohres in eine Vormischkammer eingeleitet werden, wo eine erste Durchmischung der Gase stattfindet. Die Gase werden dort umgelenkt und einer zweiten Mischkammer, beispielsweise einem Gasmischrohr zugeleitet. Die US 2009/0120364 A1 beschreibt eine derartige Gasmischvorrichtung, bei der dem Gas eine Verwirbelung aufgezwungen wird, um die Durchmischung zu verbessern. Es ist eine Gasumlenkeinrichtung in Form eines Einsatzes vorgesehen, der in das Gasmischrohr eingesetzt wird.
  • Die hier in Rede stehenden Mischvorrichtungen werden in CVD- oder PVD-Einrichtungen verwendet. Derartige Einrichtungen besitzen ein Reaktorgehäuse, ein darin angeordnetes Gaseinlassorgan, welches insbesondere die Form eines Duschkopfes aufweisen kann und einem Suszeptor, auf dem ein Substrat aufliegt. Der Suszeptor kann beheizt oder gekühlt werden, je nach dem, ob auf der Substratoberfläche eine thermisch angeregte chemische Reaktion stattfinden soll oder ob auf der Substratoberfläche lediglich eine Kondensation stattfinden soll. Durch das Gaseinlassorgan wird eine Gasmischung in die oberhalb des Substrates angeordnete Prozesskammer eingeleitet. Die Gasmischvorrichtung dient zum Zusammenmischen der Gasmischung, die aus einer Vielzahl von Einzelgasen besteht.
  • Die US 7,540,305 B2 zeigt beispielsweise eine CVD-Prozesskammer mit einem als Showerhead ausgebildeten Gaseinlassorgan, in das voneinander verschiedene Prozessgase eingespeist werden können. Stromaufwärts des Showerhead befindet sich eine Gasmischvorrichtung.
  • Die DE 10 2005 003 984 A1 beschreibt eine Ringkammer, die einen Showerhead umgibt, in der eine Prozessgaszusammenmischung stattfinden soll. Eine Mischkammer, die einem Gaseinlassorgan in Strömungsrichtung vorgeordnet ist, wird auch in der US 2003/0019428 A1 beschrieben.
  • Die DE 10 2013 113 817 beschreibt eine Gasmischvorrichtung in Form eines flachzylindrigen Gehäuses. Das Gehäuse beinhaltet zwei Mischkammern. In einer radial außen angeordneten Mischkammer werden durch sternförmig angeordnete Einlasskanäle voneinander verschiedene Prozessgase in die radial außen liegende Vormischkammer eingespeist. In der Vormischkammer befinden sich erste Gasumlenkelemente, die die in die Vormischkammer eingespeisten Einzelgasströme umlenken. Die Einzelgasströme werden dabei in einer Richtung quer zu einer Erstreckungsebene einer Einlassebene umgelenkt, in der sich die Einlasskanäle befinden. Sie überströmen dabei eine Überströmungsbarriere und gelangen in eine zweite Mischkammer, die im Zentrum der Gasmischvorrichtung angeordnet ist und die einen nach unten offenen Gasaustrittskanal aufweist, in dem zweite Gasumlenkelemente angeordnet sind.
  • Die EP 1 252 363 B1 beschreibt einen CVD-Reaktor mit oberhalb eines Gaseinlassorgans, unmittelbar oberhalb der Prozesskammerdecke angeordneten Gasmischsystem.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gasversorgungseinrichtung bzw. ein Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans mit Prozessgasen technologisch zu verbessern.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist so ausgebildet, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen zum Gaseinlassorgan untereinander gleichlang sind. Sind die effektiven Weglängen der Einzelgasströme untereinander gleichlang, so haben die voneinander verschiedenen Gase die gleiche Verweilzeit in der Gasversorgungseinrichtung. Die gleiche Verweilzeit kann bei Einlasskanälen mit unterschiedlichen Durchmessern bzw. unterschiedlich gestalteten Abschnitten der Mischkammer durch unterschiedliche Druckverhältnisse gleichgehalten werden. Es ist aber auch möglich, unterschiedliche Durchmesser durch unterschiedliche Leitungslängen zu kompensieren. Bevorzugt sind symmetrische Ausgestaltungen, bei denen die Einlasskanäle bzw. die zugeordneten Abschnitte der Mischkammer gleichgestaltet sind. Unter den effektiven Weglängen werden somit insbesondere solche Strömungspfade verstanden, entlang derer die Einzelgasströme in identischen Zeiten die erste Mischkammer durchströmen. Eventuelle geometrische Unterschiede der einzelnen Strömungskanäle können durch unterschiedliche Druckverhältnisse kompensiert werden. Bei einer symmetrischen Ausgestaltung der Einlasskanäle, bei der sämtliche Einlasskanäle einen gleichen Querschnitt aufweisen und in einer gleichen geometrischen Umgebung in die Mischkammer münden, sind die effektiven Weglängen die geometrischen Strecken der Strömungspfade eines jeden Einzelgasstroms von der Mündung des jeweiligen Einlasskanals in die Mischkammer bis zum Beginn des Gasaustrittskanals. Bei den Einzelgasströmen handelt es sich bevorzugt um jeweils eine laminare Strömung, so dass die Weglängen im Wesentlichen von den Strömungslinien bestimmt werden. Eine Durchmischung der Einzelgasströme findet in der ersten Mischkammer im Wesentlichen durch Querdiffusion und eine Mehrfachumlenkung der Einzelgasströme statt. Die in der ersten Mischkammer angeordneten ersten Gasumlenkelemente können so angeordnet sein, dass sie im Wesentlichen strömungswegverlängernde Eigenschaften besitzen. Die Anordnung der ersten Gasumlenkelemente innerhalb der ersten Mischkammer erfolgt bevorzugt symmetrisch bezogen auf eine sternförmige Anordnung der Gaseinlasskanäle, so dass die einzelnen Einzelgasströme zumindest entlang äquivalenter Strömungspfade strömen. Die ersten Gasumlenkelemente können so angeordnet sein, dass die Einzelgasströme wendelgangförmig durch eine ringzylindrische erste Mischkammer hindurchströmen. Die Einzelgasströme haben dabei eine Bewegungskomponente, die quer zur Erstreckungsebene der Einlassebene gerichtet ist. Die Einzelgasströme haben dabei eine Bewegungskomponente die quer zur Erstreckungseben der Einlassebene gerichtet ist. Sie haben aber auch eine Bewegungskomponente in den die Erstreckungsebene aufspannenden Richtungen. In diesen Richtungen bildet sich bevorzugt eine Kreisbewegung oder Wirbelbewegung aus. Die Einzelgasströme durchströmen dabei die erste Mischkammer entlang einer Schraubenlinie, beispielsweise von unten nach oben entlang der gedachten Achse der Mischkammer. Innerhalb der ersten Mischkammer kann sich eine zweite Mischkammer befinden. Die beiden Mischkammern können von konzentrisch angeordneten Rohren ausgebildet sein. Die erste Mischkammer bildet dann eine periphere Mischkammer und die zweite Mischkammer eine zentrale Mischkammer. Die Einzelgasströme vereinigen sich innerhalb der ersten Mischkammer zu einem vorgemischten ersten Gasstrom, der über eine Überströmungsbarriere tritt. Die Überströmungsbarriere kann der Stirnrand eines inneren Rohres sein, welches die Innenwandung der ersten Mischkammer und die Außenwandung der zweiten Mischkammer ausbildet. In der zweiten Mischkammer sind bevorzugt weitere, zweite Gasumlenkelemente vorgesehen, mit denen der über die Überströmungsbarriere in die zweite Mischkammer eingetretene Gasstrom ein- oder mehrfach umgelenkt wird. Die zweiten Gasumlenkelemente können derart ausgebildet und angeordnet sein, dass sich eine Verwirbelung ausbildet. Während die ersten Gasumlenkelemente bevorzugt so ausgebildet und so angeordnet sind, dass sie einen laminaren Gasstrom ein- oder mehrfach umlenken, sind die zweiten Gasumlenkelemente in turbulenzerzeugender Weise angeordnet. Sie erzeugen somit einen zweiten, aus sämtlichen Einzelgasströmen bestehenden turbulenten Gasstrom. Der die zweite Mischkammer durchströmende Gasstrom tritt durch einen Gasaustrittskanal aus der zweiten Mischkammer aus, wobei die Austrittsrichtung des Gases bevorzugt quer zu der Einspeiserichtung der Gase gerichtet ist. Der Gasaustrittskanal hat somit bevorzugt eine Erstreckungsrichtung, die quer zur Erstreckungsebene der Gaseinlassebene gerichtet ist. Die Wandungen der beiden Mischkammern können kreiszylindrisch sein und von konzentrischen Rohren ausgebildet sein. Die gedachte Achse der Rohre erstreckt sich quer zur Gaseinlassebene. In den beiden Rohren bilden sich entgegengesetzt ausgerichtete Gasströmungen aus. Bei den Gasquellen kann es sich um Verdampfungsquellen handeln. Diese beinhalten feste oder flüssige Ausgangsstoffe, die durch Hinzufügen von Verdampfungswärme in die Gasform gebracht werden. Mittels eines dosierbaren Trägergases wird dieser verdampfte Ausgangsstoff durch jeweils einen Einlasskanal zur ersten Mischkammer transportiert. Bevorzugt treten die Einzelgasströme aus den Einspeisekanälen mit untereinander gleicher mittlerer Strömungsgeschwindigkeit in die erste Mischkammer ein. Die Strömungsgeschwindigkeit der Einzelgasströme kann mittels Massenflussreglern eingestellt werden. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Gasquellen Aerosolverdampfer sind. Auch hier werden flüssige oder feste Ausgangsstoffe durch Hinzufügen von Verdampfungswärme in die Gasform gebracht. Der Massenfluss des Dampfes kann einerseits über die Temperatur von Verdampfungsflächen, andererseits aber auch durch den Trägergasfluss gesteuert werden. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Verweilzeiten der einzelnen Gase innerhalb der Gasmischvorrichtung, also im Bereich zwischen Gasquelle und Gaseinlassorgan des CVD-Reaktors im Wesentlichen gleichlang sind. Sie sollen sich um maximal 10 Millisekunden voneinander unterscheiden. Bevorzugt ist die Verweilzeit der Gase innerhalb der Gasmischvorrichtung nicht größer als 100 Millisekunden. In einer alternativen Vorrichtung kann die erste Mischkammer aber auch Strömungshindernisse aufweisen, mit denen eine turbulente Strömung erzeugt wird. Die zweite Mischkammer kann ebenfalls Strömungshindernisse aufweisen. Sie kann aber auch Strömungsleitelemente aufweisen zur Ausbildung einer laminaren Strömung.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 schematisch den Querschnitt eines CVD- oder PVD-Reaktors mit zugehöriger Gasmischvorrichtung,
  • 2 den Schnitt gemäß der Linie II-II in 1,
  • 3 die Ansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels einer Gasmischvorrichtung,
  • 4 die Draufsicht auf die Gasmischvorrichtung gemäß 3,
  • 5 eine perspektivische Darstellung eines dritten Ausführungsbeispiels, bei dem die Gasmischvorrichtung von einem U-förmigen Rohr ausgebildet ist,
  • 6 eine Seitenansicht der in 5 dargestellten Mischvorrichtung,
  • 7 eine Draufsicht auf die in 5 dargestellte Mischvorrichtung,
  • 8 eine perspektivische Darstellung eines vierten Ausführungsbeispiels einer Mischvorrichtung,
  • 9 die Draufsicht auf die in 8 dargestellte Gasmischvorrichtung,
  • 10 den Schnitt gemäß der Linie X-X in 9,
  • 11 den Schnitt gemäß der Linie XI-XI in 9,
  • 12 ein fünftes Ausführungsbeispiel einer Gasmischvorrichtung der Draufsicht,
  • 13 eine Seitenansicht der in 12 dargestellten Gasmischvorrichtung,
  • 14 den Schnitt gemäß der Linie XIV-XIV in 13,
  • 15 den Schnitt gemäß der Linie XV-XV in 13,
  • 16 den Schnitt gemäß der Linie XVI-XVI in 13 und
  • 17 den Schnitt gemäß der Linie XVII-XVII in 13.
  • Die 1 und 2 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Ein gasdichtes, in seinem Inneren evakuierbares Reaktorgehäuse 1 beinhaltet ein Gaseinlassorgan 5 mit einem inneren Gasverteilvolumen 7 und einer Gasaustrittsplatte, die eine Vielzahl duschkopfartig angeordneter Gasaustrittsöffnungen 6 aufweist, die in Richtung einer Prozesskammer 2 weisen, auf deren Boden ein zu beschichtendes Substrat 4 liegt. Das Substrat 4 liegt auf einem durch eine Heizung auf eine Prozesstemperatur aufheizbaren oder durch eine Kühleinrichtung auf Prozesstemperatur abkühlbaren Suszeptor 3. Der Suszeptor 3 ist von einem ringförmigen Gasauslassorgan 9 umgeben, welches an eine Vakuumpumpe 10 angeschlossen ist, mit der der Totaldruck innerhalb der Prozesskammer 2 bzw. dem Reaktorgehäuse 1 eingestellt werden kann.
  • Die Speisung des Gaseinlassorgans 5 mit Prozessgasen erfolgt durch einen Gasaustrittskanal 8, der durch die Decke des Reaktorgehäuses 1 ins Innere führt.
  • Der Gasaustrittskanal 8 ist mit dem Boden 20 eines Gehäuses einer Gasmischvorrichtung verbunden, die sich unmittelbar oberhalb der oberen Wandung des Reaktorgehäuses 1 befinden kann. Die Gasmischvorrichtung kann fest mit der oberen Wandung des Reaktorgehäuses 1 verbunden sein. Die obere Wandung kann Trägerin der Gasmischvorrichtung sein.
  • Die Gasmischvorrichtung besitzt ein kreiszylinderförmiges Gehäuse, wobei der Boden 20 und die dem Boden 20 gegenüberliegende Decke 17 jeweils eine Kreisschreibenform besitzen. Das Gehäuse der Gasmischvorrichtung besitzt eine zylinderförmige Außenwandung 18, die von einem ersten Rohr ausgebildet ist. Ein zweites Rohr 19 befindet sich im Inneren und ist mit seinem unteren Ende fest mit dem Boden 20 verbunden. Die Höhlung des inneren Rohres 19 ist mit dem Gasaustrittskanal 8 verbunden. Der obere Rand des inneren Rohres 19 ragt frei in die Höhlung des äußeren Rohres 18 und bildet einen überströmbaren Rand.
  • Durch den Boden 20 benachbarte, sternförmig angeordnete Einlasskanäle 22 können voneinander verschiedene Prozessgase an voneinander verschiedenen Umfangspositionen in die Gasmischvorrichtung eingespeist werden. Beim Ausführungsbeispiel sind vier in gleichmäßiger Winkelverteilung angeordnete Einlasskanäle 22 vorgesehen, die jeweils mit einer Gasquelle 21 verbunden sind. Bei den Gasquellen 21 handelt es sich um Verdampfer, in denen feste oder flüssige Ausgangsstoffe durch Wärmebeaufschlagung verdampft werden. Der so gebildete Dampf wird mittels eines in einen Einspeisekanal 23 eingespeisten Trägergases durch den Einlasskanal 22 in die Gasmischvorrichtung eingespeist.
  • Die Gasmischvorrichtung besitzt eine erste Mischkammer 12, die von dem Außenrohr 18 nach außen hin begrenzt und die vom Innenrohr 19 nach innen hin begrenzt wird. In dieser ersten Mischkammer 12 befinden sich eine Vielzahl übereinander angeordnete Gasumlenkelemente 13. Die Gasumlenkelemente 13 sind so angeordnet, dass sie den in die erste Mischkammer 12 aus den Einspeisekanälen 22 eintretenden Einzelgasströmen eine im Wesentlichen schraubengangförmige, bevorzugt laminare Strömung verleihen. Die ersten Gasumlenkelemente 13 sind bezogen auf die Symmetrie der Anordnung der Einlasskanäle 22 symmetrisch angeordnet, so dass die aus den Einlasskanälen 22 austretenden und durch die erste Mischkammer 12 hindurchtretenden Einzelgasströme einen jeweils ähnlichen Strömungsverlauf besitzen. Es handelt sich dabei um wendelgangförmige Stromlinien, entlang derer sich die Gase vom Boden 20 in Richtung der Decke 17 insbesondere durch mehrfaches Umrunden des inneren Rohres 19 nach oben bewegen. Dort überströmt ein aus allen Einzelgasströmen zusammengesetzter Gasstrom die vom Rohrende ausgebildete Überströmungsbarriere 14. Es handelt sich hierbei um einen bereits in der ersten Mischkammer 12 vorgemischten Gasstrom.
  • Der vorgemischte Gasstrom wird im Bereich der Überströmungsbarriere 14 um 180 Grad umgelenkt und strömt dann von der Decke 17 in Richtung auf den Boden 20 durch eine zweite Mischkammer 15, die vom Innenrohr 19 gebildet ist. In der zweiten Mischkammer 15 befinden sich zweite Gasumlenkelemente 16, die so ausgebildet und so angeordnet sind, dass sie Wirbel erzeugen. Beispielsweise können die Gasumlenkelemente 16 Gasabrisskanten aufweisen, hinter denen sich eine turbulente Strömung entwickeln kann. Die Gasumlenkelemente 16 können Strömungshindernisse sein. Es findet somit in der zweiten Mischkammer 15 eine Verwirbelung des ersten Gasstroms statt. Der so gebildete zweite turbulente Gasstrom, der die Gase sämtlicher Einzelgasströme beinhaltet, tritt aus dem Gasaustrittskanal 8 aus dem Boden 20 der zweiten Mischkammer 15 aus und gelangt in das Gasverteilvolumen 7 des Gaseinlassorgans 5. Das Trägergas wird derart in die Gasquellen 21 bzw. in die Einlasskanäle 22 eingespeist, dass die über den Querschnitt der Mündung der Einlasskanäle 22 in die erste Mischkammer 12 gemittelte Gasgeschwindigkeit dieselbe ist. Aus jedem Einlasskanal 22 strömt somit Gas mit der selben mittleren Strömungsgeschwindigkeit in die Mischkammer 12 ein.
  • Bei dem in den 3 und 4 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel sind in einer gemeinsamen Gaseinlassebene insgesamt acht Einlasskanäle 22 angeordnet, die sternförmig in Richtung auf das Zentrum der Gasmischvorrichtung zulaufen. Eine radial außen liegende erste Mischkammer 12 besitzt ein Gasumlenkelement 13, mit dem eine sich wendelgangförmig erstreckende erste Mischkammer 12 ausgebildet ist. Das Ende der ersten Mischkammer 12 wird von einer Überströmungskante 14 ausgebildet, an die sich eine zylinderförmige zweite, innere Mischkammer 15 anschließt. In der ersten Mischkammer 12 sind darüber hinaus stufenförmige Hindernisse 13' angeordnet, die ebenfalls eine gasumlenkende, aber auch eine gasverwirbelnde Funktion haben können. Ähnliche gastrombeeinflussende Elemente können auch in der zweiten Mischkammer angeordnet sein.
  • Die 3 und 4 zeigen Einlasskanäle 22 mit verschiedenen Querschnittsflächen. Durch die Einlasskanäle 22 mit den größeren Querschnittsflächen werden bevorzugt Prozessgase bzw. Trägergase, mit denen ein Prozessgas transportiert wird, hindurchgeleitet. Durch die Einlasskanäle 22' mit einer geringeren Querschnittsfläche werden bevorzugt lediglich Verdünnungsgase, also Trägergase hindurchgeleitet. Die zusätzlichen Einlasskanäle 22', durch die keine Prozessgase eingeleitet werden, können dazu verwendet werden, um in der Mischkammer eine Verwirbelung zu erzeugen. Die durch diese zusätzlichen Einlasskanäle 22' eingespeisten Trägergas- oder Verdünnungsgasströme brauchen hinsichtlich ihrer effektiven Weglängen nicht an die effektiven Weglängen der durch die Einlasskanäle 22 eingespeisten Prozessgase abgestimmt zu werden.
  • Bei dem in den 5 bis 7 dargestellten dritten Ausführungsbeispiel ist das Gehäuse der Mischvorrichtung U-förmig. In einem ersten U-Schenkel des Gehäuses, das eine rohrförmige erste Mischkammer 12 ausbildet, münden in einer ersten Ebene angeordnete erste Einlasskanäle 22 und in einer zweiten parallel dazu verlaufenden Ebene angeordnete zweite Einlasskanäle 22'. Auch hier münden insgesamt acht jeweils mit einer Quelle verbundene Gaseinlasskanäle 22, 22' in die erste Mischkammer 12, die erste Gasumlenkelemente 13 in Form von der Rohrinnenwandung abragender Vorsprünge aufweist. Es handelt sich dabei um halbkreisförmige Vorsprünge, die mit einer geraden freien Randkante bis in die Mitte des die erste Mischkammer 12 bildenden Rohres ragen.
  • Der U-Steg des U-förmigen Rohres 12, 15 bildet eine Überströmungsbarriere 14. Dort ragt ebenfalls ein halbkreisförmiges Gasumlenkelement 24 in den freien Querschnitt des U-förmigen Rohres, welches eine freie Randkante hat, die durch die Mitte des Rohres verläuft.
  • Eine parallel zu dem die erste Mischkammer 12 ausbildender Rohrschenkel, der die zweite Mischkammer 15 ausbildet, besitzt in seinem Inneren ebenfalls Gasumlenkelemente 16. Während die freien Randkanten der Gasumlenkelemente 13 in der ersten Mischkammer im Wesentlichen parallel zueinander verlaufen, verlaufen die freien Randkanten der quer in die Gasströmung ragenden Gasumlenkplatten 16 sich kreuzend.
  • Im Ausführungsbeispiel sind die Gasumlenkelemente 13, 15, 24 von flach, über eine halbe Umfangslänge mit der Innenwandung des Rohres verbundenen Platten ausgebildet. Die Platten erstrecken sich quer zur Strömungsrichtung.
  • Die 8 bis 11 zeigen eine viertes Ausführungsbeispiel einer Mischvorrichtung, die acht Einspeisekanäle 22 aufweist, die in einer gemeinsamen Einspeiseebene angeordnet sind. Quer zu der Einspeiseebene erstreckt sich ein zylinderförmiges Gehäuse. Es besitzt einen Außenzylinder 18 und einen Innenzylinder 19. Der Innenzylinder 19 bildet mit einer freien Randkante eine Überströmungsbarriere 14. Die Gaseinlasskanäle 22 münden in der axialen Nähe des Bodens 20 in die vom äußeren Rohr 18 nach außen begrenzte erste Mischkammer 12, die lediglich im oberen Bereich, also benachbart zur Überstromkante 14 Gasumlenkelemente 13 aufweist. Diese Gasumlenkelemente 13 lenken die in Axialrichtung die erste Mischkammer 12 durchströmenden Einzelgasströme auf einen wendelgangförmigen Strömungspfad, auf dem die Einzelgasströme den Raum unterhalb der Decke 17 erreichen, wo sie um 180 Grad über die Überströmungsbarriere 14 tretend umgelenkt werden.
  • Die innere, zweite Mischkammer 15 besitzt eine Vielzahl von in Strömungsrichtung hintereinander angeordneten Gasumlenkelementen 16. Es handelt sich dabei um gewölbte Flachteile, die eine mehrstufige Gasumlenkung bewirken.
  • Die Flachteile sind an der Innenwandung des Innenrohres 19 befestigt und führen zu einer Verwirbelung des durch die innere Mischkammer 15 hindurch tretenden Gasstroms, welcher die zweite Mischkammer 15 durch einen Gasaustrittskanal 8 in Achsrichtung der Zylinderanordnung verlässt. Die Gasumlenkelemente 16 sind untereinander gleichgestaltet. Es können Aufsatzteile sein, die sich gegenseitig abstützen, also aufeinander aufgesetzt sind. Sie sind dabei so ausgebildet, dass sie sich an den Innenwänden des Rohres 19 abstützen können. Auch hier sind voneinander verschiedene Einlasskanäle vorgesehen. Durch Einlasskanäle 22 mit einem großen Durchmesser werden Prozessgase bzw. Prozessgase transportierende Trägergase hindurchgeleitet, wohingegen durch die ergänzenden Einlasskanäle 22' mit einem kleinen Querschnitt lediglich ein Trägergas, also ein Verdünnungsgas hindurchgeleitet werden.
  • Das in den 12 bis 17 dargestellte fünfte Ausführungsbeispiel besitzt insgesamt acht sternförmig in eine Einlassebene angeordnete Einlasskanäle 22. Die Einlasskanäle 22 sind untereinander gleich ausgebildet und besitzen einen stufenweise in Strömungsrichtung sich vergrößernden Innendurchmesser. Die Einlasskanäle 22 sind darüber hinaus noch über Querkanäle 25 jeweils mit dem benachbarten Einlasskanal 22 verbunden.
  • Auch hier bilden zwei koaxial zueinander angeordnete Rohre 18, 19 eine äußere erste Mischkammer 12 und eine innere zweite Mischkammer 15, wobei die äußere, erste Mischkammer 12 unten durch die Einlasskanäle 22 mit den zu vermischenden Gasen gespeist wird. In der ersten Mischkammer 12 sind erste Gasumlenkelemente 13 vorgesehen, die den Gasstrom in Umfangsrichtung umlenken. Der Gasstrom kann durch die Umlenkelemente 13 mehrfach in verschiedenen Umfangsrichtungen umgelenkt werden, so dass er in einem ersten Höhenabschnitt der ersten Mischkammer 12 beispielsweise im Uhrzeigersinn durch die erste Mischkammer 12 strömt und in einem sich daran anschließenden Höhenabschnitt im Gegenuhrzeigersinn durch die erste Mischkammer 12 hindurchströmt. Der Strömungsbewegung im Uhrzeigersinn bzw. im Gegenuhrzeigersinn ist eine Strömungskomponente in Achsrichtung der Zylinderrohre überlagert, so dass die sich innerhalb der ersten Mischkammer 12 vormischenden, aus den Einlasskanälen 22 austretenden Einzelgasströme den oberen Abschnitt der ersten Mischkammer 12 erreichen, wo sie um 180 Grad über zwei sich gegenüberliegende Überströmungsbarrieren 14 in die zentrale zweite Mischkammer 15 strömen.
  • In der zentralen zweiten Mischkammer 15 befinden sich wieder aus Flachmaterialien, die eine gewölbte Struktur aufweisen können, gebildete zweite Gasumlenkelemente 16, die zu einer Verwirbelung des die zweite Mischkammer 15 durchströmenden Gases führen.
  • Bei allen zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen sind die Gasumlenkelemente 13, 16 so gestaltet und so angeordnet, dass auch unter Berücksichtigung der Länge der Einlasskanäle 22 jeder Einzelgasstrom von seiner Quelle 21 bis zum Gaseinlassorgan 5 im Wesentlichen dieselbe effektive Weglänge durchströmt.
  • In die Einspeisekanäle 23 der Gasquellen 21 wird jeweils ein Trägergasfluss eingespeist. Dabei ist der Trägergasfluss so bemessen, dass die Gase innerhalb der Mischanordnung also auf ihrem Weg von der Gasquelle 21 zum Gaseinlassorgan 5 dieselbe Verweilzeit besitzen. Die einzelnen Verweilzeiten sollen sich nicht mehr als 10 Millisekunden unterscheiden, wobei die gesamte Verweilzeit bevorzugt maximal 100 Millisekunden beträgt. Die Gasströmungen durch die Einlasskanäle 22 werden bevorzugt innerhalb der Toleranzen so eingestellt, dass die Gase mit einer selben mittleren Strömungsgeschwindigkeit in die Mischkammer eintreten und die Mischkammern bzw. die gesamte Gasmischvorrichtung in der selben Zeit durchströmen. Optimal ist es, wenn sich die Verweilzeiten um weniger als 10 Millisekunden unterscheiden, beispielsweise maximal nur um 2 oder um 5 Millisekunden.
  • Die Gasmischung kann bei Atmosphärendruck stattfinden. Bevorzugt erfolgt die Gasmischung aber in einem Druckbereich zwischen 1 mbar und 500 mbar. Der Druckunterschied zwischen Quelle 21 und Gaseinlassorgan 5 ist kleiner als 1 mbar, bevorzugt kleiner als 0,2 mbar. Der Durchmesser und die Höhe der Gasmischvorrichtung liegt im Bereich zwischen 200 und 700 mm.
  • Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils eigenständig weiterbilden, nämlich:
    Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen 21 zum Gaseinlassorgan 5 untereinander gleichlang sind.
  • Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Einlasskanäle 22 in einer Einlassebene angeordnet sind und insbesondere auf ein gemeinsames Zentrum gerichtet sind, und/oder, dass sich der Gasaustrittskanal 8 in einer Richtung quer zur Einlassebene erstreckt und/oder, dass die Gasströmung durch die Überströmungsbarriere 14 eine 180°-Umlenkung erfährt.
  • Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste Mischkammer 12 eine Vormischkammer ist mit bevorzugt eine laminare Richtungsänderung des jeweiligen Einzelgasstroms erzeugenden ersten Gasumlenkelementen 13 und/oder dass die zweite Mischkammer 15 eine Verwirbelungskammer ist, mit zweiten Gasumlenkelementen 16 zur Erzeugung eines zweiten turbulenten Gasstroms in der zweiten Mischkammer 15.
  • Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die ersten oder zweiten Gasumlenkelemente 12, 13 mehrstufig in Strömungsrichtung hintereinander angeordnet sind.
  • Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste und zweite Mischkammer 12, 15 von konzentrischen Rohren 18, 19 ausgebildet sind, die in Gegenrichtung durchströmt werden.
  • Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Durchmesser der ersten oder zweiten Mischkammer 12, 15 kleiner ist als die axiale Höhe der ersten oder zweiten Mischkammer 12, 15.
  • Eine Gasversorgungseinrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine aus den beiden Mischkammern 12, 15 und den Gasquellen 21 bestehende Gasversorgungseinrichtung vertikal oberhalb einer Prozesskammer 2, insbesondere unmittelbar auf einer oberen Wandung des Reaktorgehäuses 1 angeordnet ist.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass sich die effektiven Verweilzeiten der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle 21 und Gaseinlassorgan (5) maximal um zehn Millisekunden unterscheiden.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verweilzeit der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle 21 und Gaseinlassorgan 5 kleiner als einhundert Millisekunden ist.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die in der ersten Mischkammer 12 angeordneten ersten Gasumlenkelemente 13 die Einzelgasströme insbesondere laminar umleiten und/oder dass die in der zweiten Mischkammer 15 angeordneten zweiten Gasumlenkelemente 16 einen insbesondere turbulenten zweiten Gasstrom erzeugen.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasströmungen in den Einlasskanälen 22 derart eingestellt sind, dass die Einzelgasströme den jeweiligen Einlasskanal 22 mit der selben mittleren Gasgeschwindigkeit verlassen.
  • Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Reaktorgehäuse
    2
    Prozesskammer
    3
    Suszeptor
    4
    Substrat
    5
    Gaseinlassorgan
    6
    Gasaustrittsöffnung
    7
    Gasverteilvolumen
    8
    Gasaustrittskanal
    9
    Gasauslassorgan
    10
    Vakuumpumpe
    11
    Gasmischvorrichtung
    12
    erste Mischkammer
    13
    erstes Gasumlenkelement
    13'
    Hindernis
    14
    Überströmungsbarriere
    15
    Zweite Mischkammer
    16
    zweites Gasumlenkelement
    17
    Decke
    18
    Zylindermantelwand
    19
    Rohr
    20
    Boden
    21
    Gasquelle
    22
    Einlasskanal
    22'
    Einlasskanal
    23
    Einspeisekanal
    24
    Gasumlenkelement
    25
    Querkanal
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2009/0120364 A1 [0003]
    • US 7540305 B2 [0005]
    • DE 102005003984 A1 [0006]
    • US 2003/0019428 A1 [0006]
    • DE 102013113817 [0007]
    • EP 1252363 B1 [0008]

Claims (12)

  1. Gasversorgungseinrichtung mit Einlasskanälen (22) zum Einspeisen von jeweils von einer Gasquelle (21) bereitgestellten Einzelgasströmen in eine erste Mischkammer (12), wobei in der ersten Mischkammer (12) insbesondere mittels ein oder mehrerer erster Gasumlenkelemente (13) eine ein- oder mehrfache Umlenkung der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme stattfindet, mit einer Überströmungsbarriere (14), über die ein aus der ersten Mischkammer (12) austretender, aus allen Einzelgasströmen bestehender erster Gasstrom in eine zweite Mischkammer (15) strömt, in welcher insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente (16) eine ein- oder mehrfache Umlenkung des ersten Gasstroms stattfindet, und mit einem Gasaustrittskanal (8) zum Austritt des Gasstroms aus der zweiten Mischkammer (15) in ein Gaseinlassorgan (5) einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung (1), dadurch gekennzeichnet, dass die effektiven Weglängen der Einzelgasströme von den Gasquellen (21) zum Gaseinlassorgan (5) untereinander gleichlang sind.
  2. Gasversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einlasskanäle (22) in einer Einlassebene angeordnet sind und insbesondere auf ein gemeinsames Zentrum gerichtet sind, und/oder, dass sich der Gasaustrittskanal (8) in einer Richtung quer zur Einlassebene erstreckt und/oder, dass die Gasströmung durch die Überströmungsbarriere (14) eine 180°-Umlenkung erfährt.
  3. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Mischkammer (12) eine Vormischkammer ist mit bevorzugt eine laminare Richtungsänderung des jeweiligen Einzelgasstroms erzeugenden ersten Gasumlenkelementen (13) und/oder dass die zweite Mischkammer (15) eine Verwirbelungskammer ist, mit zweiten Gasumlenkelementen (16) zur Erzeugung eines zweiten turbulenten Gasstroms in der zweiten Mischkammer (15).
  4. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten oder zweiten Gasumlenkelemente (12, 13) mehrstufig in Strömungsrichtung hintereinander angeordnet sind.
  5. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und zweite Mischkammer (12, 15) von konzentrischen Rohren (18, 19) ausgebildet sind, die in Gegenrichtung durchströmt werden.
  6. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchmesser der ersten oder zweiten Mischkammer (12, 15) kleiner ist als die axiale Höhe der ersten oder zweiten Mischkammer (12, 15).
  7. Gasversorgungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine aus den beiden Mischkammern (12, 15) und den Gasquellen (21) bestehende Gasversorgungseinrichtung vertikal oberhalb einer Prozesskammer (2), insbesondere unmittelbar auf einer oberen Wandung des Reaktorgehäuses (1) angeordnet ist.
  8. Verfahren zum Versorgen eines Gaseinlassorgans (9) einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit Prozessgasen, bestehend aus folgenden Schritten: – Bereitstellen von einer Mehrzahl von Prozessgasen in jeweils einer Gasquelle (21); – Fördern jedes der Prozessgase als Einzelgasstrom getrennt von anderen Einzelgasströmen von der jeweiligen Gasquelle (21) jeweils durch einen Einlasskanal (22) in eine erste Mischkammer (12); – Umlenken der Einzelgasströme und Zusammenmischen der Einzelgasströme insbesondere mittels erster Gasumlenkelemente (13) in der ersten Mischkammer (12), – Überströmen eines aus allen Einzelgasen bestehenden ersten Gasstroms über eine Überströmungsbarriere (14) in eine zweite Mischkammer (15); – Umlenken des Gasstroms insbesondere mittels zweiter Gasumlenkelemente (16); – Ausleiten eines aus allen Einzelgasströmen bestehenden Gasstrom aus einem Gasaustrittskanal (8) in das Gaseinlassorgan (5) dadurch gekennzeichnet, dass sich die effektiven Verweilzeiten der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle (21) und Gaseinlassorgan (5) maximal um zehn Millisekunden unterscheiden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verweilzeit der Gase auf dem Weg zwischen Gasquelle (21) und Gaseinlassorgan (5) kleiner als einhundert Millisekunden ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die in der ersten Mischkammer (12) angeordneten ersten Gasumlenkelemente (13) die Einzelgasströme insbesondere laminar umleiten und/oder dass die in der zweiten Mischkammer (15) angeordneten zweiten Gasumlenkelemente (16) einen insbesondere turbulenten zweiten Gasstrom erzeugen.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasströmungen in den Einlasskanälen (22) derart eingestellt sind, dass die Einzelgasströme den jeweiligen Einlasskanal (22) mit der selben mittleren Gasgeschwindigkeit verlassen.
  12. Vorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
DE102014106523.9A 2014-05-09 2014-05-09 Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch Pending DE102014106523A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014106523.9A DE102014106523A1 (de) 2014-05-09 2014-05-09 Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch
CN201580027176.9A CN106457168A (zh) 2014-05-09 2015-05-07 为cvd或pvd覆层装置供给处理气体混合物的设备和方法
JP2016565413A JP6796491B2 (ja) 2014-05-09 2015-05-07 Cvd又はpvdコーティング装置にプロセスガス混合物を供給するための装置及び方法
KR1020167034147A KR102413577B1 (ko) 2014-05-09 2015-05-07 Cvd- 또는 pvd-코팅 장치에 공정 가스 혼합물을 공급하기 위한 장치 및 방법
PCT/EP2015/060017 WO2015169882A1 (de) 2014-05-09 2015-05-07 Vorrichtung und verfahren zum versorgen einer cvd- oder pvd-beschichtungseinrichtung mit einem prozessgasgemisch
TW104114708A TWI694168B (zh) 2014-05-09 2015-05-08 用於將製程氣體混合物供給至cvd或pvd塗佈裝置之裝置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014106523.9A DE102014106523A1 (de) 2014-05-09 2014-05-09 Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014106523A1 true DE102014106523A1 (de) 2015-11-12

Family

ID=53199950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014106523.9A Pending DE102014106523A1 (de) 2014-05-09 2014-05-09 Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6796491B2 (de)
KR (1) KR102413577B1 (de)
CN (1) CN106457168A (de)
DE (1) DE102014106523A1 (de)
TW (1) TWI694168B (de)
WO (1) WO2015169882A1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111804453A (zh) * 2020-07-21 2020-10-23 黄安淇 一种用于铝合金型材的表面喷涂机中的喷涂机构
DE102019129176A1 (de) * 2019-10-29 2021-04-29 Apeva Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden organischer Schichten
DE102020112568A1 (de) 2020-02-14 2021-08-19 AIXTRON Ltd. Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
CN113430502A (zh) * 2021-06-18 2021-09-24 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其混合进气装置
CN113813858A (zh) * 2021-11-10 2021-12-21 西安国际医学中心有限公司 一种治疗癌症疼痛膏药制作的混料装置
CN114768578A (zh) * 2022-05-20 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 混气装置及半导体工艺设备

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020020532A (ja) * 2018-08-01 2020-02-06 三菱電機株式会社 温度均一化装置、構造物およびパラボラアンテナ装置
CN110237734A (zh) * 2019-06-10 2019-09-17 中国石油大学(北京) 气体混合器及废气处理装置
US11772058B2 (en) * 2019-10-18 2023-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Gas mixing system for semiconductor fabrication
CN110773061B (zh) * 2019-11-05 2021-09-21 浙江工业职业技术学院 一种搅拌装置
CN110917914B (zh) * 2019-12-19 2022-09-16 北京北方华创微电子装备有限公司 气体混合装置及半导体加工设备
CN111744340A (zh) * 2020-07-02 2020-10-09 天津市英格环保科技有限公司 一种在低温环境下脱硫脱硝的方法
CN112973483A (zh) * 2021-03-29 2021-06-18 深圳市科曼医疗设备有限公司 一种气体混合装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068703A (en) * 1997-07-11 2000-05-30 Applied Materials, Inc. Gas mixing apparatus and method
US6495233B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system
US20030019428A1 (en) 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
EP1252363B1 (de) 2000-02-04 2003-09-10 Aixtron AG Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer oder mehrerer schichten auf ein substrat
US6758591B1 (en) * 2002-03-22 2004-07-06 Novellus Systems, Inc. Mixing of materials in an integrated circuit manufacturing equipment
DE102005003984A1 (de) 2005-01-28 2006-08-03 Aixtron Ag Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
US20090120364A1 (en) 2007-11-09 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Gas mixing swirl insert assembly
US7540305B2 (en) 2003-02-14 2009-06-02 Tokyo Electron Limited Chemical processing system and method
EP1452626B1 (de) * 2001-12-03 2010-11-10 Ulvac, Inc. Mischer und vorrichtung und verfahren zur herstellung von dünnfilm
DE102013113817A1 (de) 2012-12-14 2014-06-18 Aixtron Se Gasmischvorrichtung

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4408893A (en) * 1982-04-28 1983-10-11 Luwa A.G. Motionless mixing device
JPS5949829A (ja) * 1982-09-14 1984-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流体混合器およびこれを用いた薄膜装置
US4850705A (en) * 1987-11-18 1989-07-25 Horner Terry A Motionless mixers and baffles
JP3609329B2 (ja) * 1992-09-07 2005-01-12 三菱電機株式会社 窒化膜形成方法
AU2339497A (en) 1996-03-18 1997-10-10 Theodore Yi-Tze Cheng Gas swirling device for internal combustion engine
JP3360539B2 (ja) * 1996-07-12 2002-12-24 信越半導体株式会社 ガス供給装置及び気相成長用設備
JPH11293465A (ja) * 1998-04-15 1999-10-26 Ebara Corp Cvd装置
US6601986B2 (en) * 2001-08-29 2003-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Fluid mixing apparatus
JP2003142473A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置及びガス供給方法、及び成膜装置及び成膜方法
JP5519105B2 (ja) * 2004-08-02 2014-06-11 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 化学気相成長の方法及び化学気相成長リアクタ用のガス供給システム
GB0603917D0 (en) * 2006-02-28 2006-04-05 Stein Peter Gas retention vessel
CN201086001Y (zh) * 2007-08-22 2008-07-16 张国栋 静态混合器及其螺旋式混合元件
US8334015B2 (en) * 2007-09-05 2012-12-18 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
CN101371975B (zh) * 2008-09-26 2010-06-09 沈阳化工学院 多流道螺旋静态混合器
US9175394B2 (en) 2010-03-12 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition chamber with multi inject
CN202052481U (zh) * 2010-04-30 2011-11-30 中国人民解放军总装备部后勤部防疫大队 肼类推进剂标准气体发生装置
JP2012030207A (ja) * 2010-08-03 2012-02-16 Soken Kogyo Kk 流体混合器、流体混合輸送路および流体混合方法
KR101829669B1 (ko) * 2011-01-04 2018-02-19 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 방법 및 박막 증착 장치
US8485230B2 (en) * 2011-09-08 2013-07-16 Laor Consulting Llc Gas delivery system
US10232324B2 (en) * 2012-07-12 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Gas mixing apparatus
CN102974257B (zh) * 2012-12-03 2014-09-17 山西新华化工有限责任公司 动活性检测混合器
CN203484064U (zh) * 2013-08-14 2014-03-19 新密港华燃气有限公司 四种气体均匀混合装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068703A (en) * 1997-07-11 2000-05-30 Applied Materials, Inc. Gas mixing apparatus and method
US6495233B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system
EP1252363B1 (de) 2000-02-04 2003-09-10 Aixtron AG Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer oder mehrerer schichten auf ein substrat
US20030019428A1 (en) 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
EP1452626B1 (de) * 2001-12-03 2010-11-10 Ulvac, Inc. Mischer und vorrichtung und verfahren zur herstellung von dünnfilm
US6758591B1 (en) * 2002-03-22 2004-07-06 Novellus Systems, Inc. Mixing of materials in an integrated circuit manufacturing equipment
US7540305B2 (en) 2003-02-14 2009-06-02 Tokyo Electron Limited Chemical processing system and method
DE102005003984A1 (de) 2005-01-28 2006-08-03 Aixtron Ag Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
US20090120364A1 (en) 2007-11-09 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Gas mixing swirl insert assembly
DE102013113817A1 (de) 2012-12-14 2014-06-18 Aixtron Se Gasmischvorrichtung

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019129176A1 (de) * 2019-10-29 2021-04-29 Apeva Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden organischer Schichten
WO2021083956A1 (de) 2019-10-29 2021-05-06 Apeva Se Verfahren und vorrichtung zum abscheiden organischer schichten
DE102020112568A1 (de) 2020-02-14 2021-08-19 AIXTRON Ltd. Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
CN111804453A (zh) * 2020-07-21 2020-10-23 黄安淇 一种用于铝合金型材的表面喷涂机中的喷涂机构
CN113430502A (zh) * 2021-06-18 2021-09-24 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其混合进气装置
CN113813858A (zh) * 2021-11-10 2021-12-21 西安国际医学中心有限公司 一种治疗癌症疼痛膏药制作的混料装置
CN113813858B (zh) * 2021-11-10 2023-01-31 西安国际医学中心有限公司 一种治疗癌症疼痛膏药制作的混料装置
CN114768578A (zh) * 2022-05-20 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 混气装置及半导体工艺设备
CN114768578B (zh) * 2022-05-20 2023-08-18 北京北方华创微电子装备有限公司 混气装置及半导体工艺设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201602398A (zh) 2016-01-16
WO2015169882A1 (de) 2015-11-12
JP6796491B2 (ja) 2020-12-09
KR20170003965A (ko) 2017-01-10
KR102413577B1 (ko) 2022-06-24
CN106457168A (zh) 2017-02-22
TWI694168B (zh) 2020-05-21
JP2017522447A (ja) 2017-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014106523A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Versorgen einer CVD- oder PVD-Beschichtungseinrichtung mit einem Prozessgasgemisch
DE69629276T2 (de) Flachstrahldüse
DE1519711C3 (de) Zuführen eines Dampf-Flüssigkeits-Gemisches in Stoffaustauschkolonnen
EP1967806A1 (de) Vorrichtung zur wärmetauschenden und mischenden Behandlung von fluiden Medien
DE102014201908A1 (de) Verfahren zur Führung eines Fluidstroms, Strömungsapparat und dessen Verwendung
EP0317706B1 (de) Rauchgaskanal zur Behandlung eines Rauchgases
DE102005023956A1 (de) Kompakter Totalverdampfer
EP1797250B1 (de) Wasserauslaufmundstück für den wasserauslauf eines wasserhahns
EP2963147A2 (de) Vorrichtung zum erzeugen eines dampfes aus einem festen oder flüssigen ausgangsstoff für eine cvd- oder pvd-einrichtung
EP3246095A1 (de) Düse zum versprühen von flüssigkeiten
WO2020053408A1 (de) Auslauf für eine wasserarmatur
DE102013113817A1 (de) Gasmischvorrichtung
WO2002055757A1 (de) Fluidverteilungseinheit zum verteilen eines fluidstromes auf mehrere teilströme
DE10152186C1 (de) Brennstoffzellanlage mit einer Vorrichtung zur dosierten Zufuhr von sauerstoffhaltigem Medium an Dosierstellen eines Gaserzeugungssystems
WO2011098420A1 (de) Gaseinlassorgan mit prallplattenanordnung
DE102006054415A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Eindüsen von Sauerstoff in ein einen Synthesereaktor durchströmendes Reaktionsgas
DE3004864C2 (de) Vorrichtung zum Aufsprühen eines Treib- und Kühl-Mittelgemisches auf Gußstränge
DE102015113432A1 (de) Strömungsleitelemente in einem Kanal
WO2017121704A1 (de) Vorrichtung zum bereitstellen eines prozessgases in einer beschichtungseinrichtung
CH630948A5 (de) Anlage zur russherstellung.
AT526379B1 (de) Strömungsanordnung zum Zuführen eines Medienstroms an Einlassöffnungen von Brennstoffzellenstapeln
EP0504550B1 (de) Mischkammer
DE102014100135A1 (de) Gasmischvorrichtung an einem Reaktor mit Wegeventil
DE3920123C1 (de)
EP3338882A1 (de) Mischelement mit hoher festigkeit und mischwirkung

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed