WO2015092910A1 - 超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ - Google Patents

超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ Download PDF

Info

Publication number
WO2015092910A1
WO2015092910A1 PCT/JP2013/084184 JP2013084184W WO2015092910A1 WO 2015092910 A1 WO2015092910 A1 WO 2015092910A1 JP 2013084184 W JP2013084184 W JP 2013084184W WO 2015092910 A1 WO2015092910 A1 WO 2015092910A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
superconducting
current switch
permanent current
superconducting magnet
sheath
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/084184
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
田中　秀樹
和久田　毅
Original Assignee
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
Priority to CN201380081396.0A priority Critical patent/CN105794006B/zh
Priority to US15/100,702 priority patent/US10121955B2/en
Priority to PCT/JP2013/084184 priority patent/WO2015092910A1/ja
Priority to EP13899826.5A priority patent/EP3086380B1/en
Priority to JP2015553295A priority patent/JP6120993B2/ja
Publication of WO2015092910A1 publication Critical patent/WO2015092910A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/84—Switching means for devices switchable between superconducting and normal states
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
    • G01R33/381—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets
    • G01R33/3815—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets with superconducting coils, e.g. power supply therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
    • H01F6/006—Supplying energising or de-energising current; Flux pumps
    • H01F6/008—Electric circuit arrangements for energising superconductive electromagnets
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H1/00—Details of emergency protective circuit arrangements
    • H02H1/0007—Details of emergency protective circuit arrangements concerning the detecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/001—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for superconducting apparatus, e.g. coils, lines, machines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/30—Devices switchable between superconducting and normal states
    • H10N60/35—Cryotrons
    • H10N60/355—Power cryotrons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details

Definitions

  • a superconducting closed circuit is formed by the superconducting coil and the permanent current switch, and a substantially non-damaging current is passed through the closed circuit to obtain a desired magnetic field.
  • a superconductor In a permanent current switch, a superconductor is used as a current path, and switching as a switch is generally performed by warming the superconductor with a heater.
  • the superconductor turns to zero resistance (ON state) by being cooled below its critical temperature, but becomes a normal conductor when heated above the critical temperature and generates resistance (OFF state).
  • the permanent current switch When exciting the superconducting magnet, the permanent current switch is turned off, and most of the current supplied from the exciting power supply is supplied to the superconducting magnet. In order to accelerate the switching of the permanent current switch or to suppress the evaporation of the refrigerant between them, it is preferable that the temperature difference between the temperature of the permanent current switch in the ON state and the critical temperature be as small as possible. On the other hand, if the temperature setting of the permanent current switch in the ON state is close to the critical temperature of the superconductor, when an external disturbance is applied to the permanent current switch, the temperature of the superconductor approaches the critical temperature and it becomes easy to quench. The stability of the permanent current switch is reduced.
  • the temperature in the ON state is the liquid helium temperature (about 4 K) and the temperature in the OFF state is the critical temperature It is near (about 9 K).
  • the superconductor of the permanent current switch is raised about 5 K by heating by the heater.
  • the critical temperature of superconductors has risen due to the recent development of high temperature superconductors.
  • a permanent current switch using a high temperature superconductor whose critical temperature is 90 K is used in liquid helium, it is necessary to raise the temperature of the permanent current switch from 4 K to 90 K.
  • a permanent current switch using a low temperature superconductor such a permanent current switch using a high temperature superconductor has a large temperature difference to be raised, and the specific heat of the switch constituent material is larger by one digit or more. A heating method is required.
  • Patent Document 1 discloses a permanent current switch using a high temperature superconducting film, and YBCO or the like is mentioned as a high temperature superconductor.
  • An object of the present invention is to provide a permanent current switch with high heating efficiency by simplifying the configuration of the permanent current switch and reducing the heat capacity.
  • a superconducting magnet includes a superconducting coil, a permanent current switch, an AC power supply, a pulse power supply or a charge / discharge circuit, and a loop including the superconducting coil and the permanent current switch
  • the AC power supply, the pulse power supply, or the charge / discharge circuit is connected to the circuit in parallel with the permanent current switch.
  • Example 1 Schematic structure of the superconducting magnet in Example 1 Schematic cross-sectional view of the superconducting magnetic wire in Example 1 Schematic Configuration of MRI in Example 1 Schematic structure of the superconducting magnet in Example 2 Schematic structure of the superconducting magnet in Example 3 Schematic structure of the superconducting magnet in Example 4
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a superconducting magnet 100 common to each embodiment.
  • the superconducting coil 2, the permanent current switch 3, the quench detector 4, and the protection circuit 5 are connected in parallel.
  • the superconducting coil 2 is a coil produced by winding a superconducting wire, is stored in a freezing container, and is cooled to a critical temperature or less of the superconducting wire using a refrigerant or a refrigerator.
  • the permanent current switch 3 is also composed of a superconducting wire, but is configured, for example, in the form of non-inductive winding so that the inductance component is reduced, and the inductance component is suppressed to only the internal inductance.
  • the permanent current switch 3 is cooled to a temperature below the critical temperature in the ON state, and is heated to a temperature above the critical temperature in the OFF state to generate resistance.
  • the quench detector 4 is a device that detects a quench signal when a part of the superconducting coil becomes normally conductive. After the quench signal is detected, a control signal is sent to a power supply, a protection circuit 5 and the like (not shown) to start the protection operation of the superconducting coil 2.
  • the protection circuit 5 is selected from a protection resistor for attenuating the current, a quench back circuit having a heater thermally connected to the superconducting coil 2 or the like.
  • the conventional permanent current switch in order to heat the superconducting wire in the switch, a heater wire is built in, and heat is generated by energizing the heater wire to heat the superconducting wire.
  • the AC power supply 1 is connected to the permanent current switch 3, and the superconducting wire 6 of the permanent current switch 3 is directly energized to perform heating.
  • the permanent current switch 3 of the present invention is advantageous in that the heater wire is unnecessary and the structure is simplified.
  • quench detector 4 and the protection circuit 5 are described as separate members here, the quench detector 4 may be provided in the protection circuit 5.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of the superconducting wire 6 constituting the permanent current switch 3.
  • the superconducting wire 6 is composed of a superconducting filament 7, a normal conducting portion 8 and a sheath 20.
  • the inner circumferential portion of the superconducting wire 6 is constituted by the normal conducting portion 8, and the outer circumferential portion covering the normal conducting portion 8 is constituted by the sheath 20.
  • the superconducting filament 7 is disposed so as to be surrounded by the normal conducting portion 8 at the inner peripheral portion, and is not disposed in the sheath 20.
  • alternating current flows intensively to the outer periphery of the wire by the skin effect.
  • the frequency of the alternating current may be selected according to the portion to be energized.
  • the relationship of t / 2 ⁇ d may be satisfied, where t is a thickness of the sheath 20.
  • FIG. 2 shows only the case of a round wire whose cross-sectional shape is a circle, the present invention can be similarly applied to a square wire or a tape wire.
  • FIG. 3 shows a schematic configuration of an MRI 200 using the present invention.
  • the permanent current switch 3 is stored in the freezing container 9 together with the superconducting coil 2 and is cooled by a refrigerant or a refrigerator.
  • the permanent current flowing in the permanent current switch 3 and the superconducting coil 2 generates a static magnetic field with high time stability at the position of the measurement target 10.
  • the gradient magnetic field coil 11 is supplied with a time-varying current from the gradient magnetic field amplifier 12 as necessary, and generates a static magnetic field having a spatial distribution at the position of the measurement object 10.
  • FIG. 4 shows a schematic configuration of a superconducting magnet 100 in the case of using a series circuit of a protective circuit resistance component 15 and a protective circuit inductance component 16 as an example of the protective circuit 5 described in the first embodiment. Since the inductance of the permanent current switch 3 is not zero, when there is no protection circuit inductance component 16, alternating current supplied from the AC power supply 1 mainly flows in the protection circuit 5. Therefore, by making the protection circuit inductance component 16 larger than the inductance component of the permanent current switch 3, it becomes possible to increase the alternating current flowing through the permanent current switch 3 and to improve the heating efficiency.
  • the protective circuit inductance component 16 is increased, the time constant for diverting the direct current flowing in the superconducting loop consisting of the superconducting coil 2 and the permanent current switch 3 to the protective circuit 5 becomes longer, so an appropriate size can be obtained. You need to design.
  • FIG. 5 shows a schematic configuration of a superconducting magnet 100 when a pulse power supply 17 is used instead of the AC power supply 1 described in the first embodiment.
  • a rectangular wave current is supplied using a pulse power supply 17, assuming that the fundamental frequency in the Fourier series expansion of the rectangular wave is f ', it is assumed that the rectangular wave satisfies t / 2 ⁇ ((' / ⁇ f' ⁇ ) It is possible to concentrate the conduction range on the sheath 20.
  • FIG. 6 shows a schematic configuration of a superconducting magnet 100 in the case where a charge and discharge circuit 18 is used instead of the AC power supply 1 described in the first embodiment.
  • the fundamental frequency in the Fourier series expansion of the current waveform is f ′, t / 2 ⁇ t ( ⁇ / ⁇ f′ ⁇ If the current waveform satisfies (1), it is possible to concentrate the conduction range on the sheath 20.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)

Abstract

　本発明の目的は、永久電流スイッチの構成簡素化と熱容量低減により、加熱効率が高い永久電流スイッチを提供することである。　上記目的を達成するために、本発明に係る超電導磁石は、超電導コイルと、永久電流スイッチと、交流電源、パルス電源または充放電回路を有し、前記超電導コイルと前記永久電流スイッチとからなるループ回路に対し、前記永久電流スイッチと並列となるよう、前記交流電源、パルス電源または充放電回路が接続されている。

Description

超電導磁石、ＭＲＩおよびＮＭＲ
　超電導磁石、ＭＲＩおよびＮＭＲに関する。
　ＭＲＩやＮＭＲなど、強力でかつ安定的な磁場を必要とする場合、超電導コイルと永久電流スイッチにて超電導閉回路を形成し、この閉回路にほぼ減衰しない電流を通電することで、所望の磁場を得ている。
　永久電流スイッチには電流パスとして超電導体が用いられており、一般的にヒータで超電導体を温めることでスイッチとしての切り替えを行う。超電導体は，その臨界温度以下に冷却されることで抵抗がゼロ（ＯＮ状態）となるが，臨界温度以上に温めると常電導体となり抵抗が発生する（ＯＦＦ状態）。
　超電導磁石の励磁時には，永久電流スイッチをＯＦＦ状態とし，励磁電源から供給する電流のほとんどを超電導磁石に通電させる。永久電流スイッチの切り替えを早くする，またはその間の冷媒蒸発量を抑制するためには，ＯＮ状態の永久電流スイッチの温度と臨界温度との温度差はなるべく小さいほうがよい。一方，ＯＮ状態の永久電流スイッチの温度設定が超電導体の臨界温度に近いと，永久電流スイッチに外部じょう乱が印加された際に，超電導体の温度が臨界温度に近づきクエンチしやすくなるため，永久電流スイッチの安定性が低くなる。
　NbTiなどの低温超電導体は液体ヘリウムによる冷却が一般的であるため，低温超電導体を用いた永久電流スイッチでは，ＯＮ状態の温度は液体ヘリウム温度（約４Ｋ）とし，ＯＦＦ状態の温度は臨界温度付近（約９Ｋ）である。この場合，ヒータによる加熱で永久電流スイッチの超電導体を約５Ｋ上昇させることになる。
　近年の高温超電導体の開発により超電導体の臨界温度は上昇した。例えば臨界温度が９０Ｋである高温超電導体を用いた永久電流スイッチを，液体ヘリウム中で使用する場合，４Ｋから９０Ｋまで永久電流スイッチの温度を上昇させる必要がある。このような高温超電導体を用いた永久電流スイッチでは、低温超電導体を用いた永久電流スイッチと比べ、上昇させるべき温度差が大きく、スイッチ構成材料の比熱が一桁以上大きくなるため、効率の良い加熱方法が必要となる。
　例えば特許文献１には、高温超電導膜を用いた永久電流スイッチが示されており，高温超電導体にＹＢＣＯなどが挙げられている。
特開２００３－１４２７４４号公報
　しかし、上記特許文献１の永久電流スイッチは、超電導膜とヒータの間に強度を保つのに十分な厚さの絶縁物基板を有しているため，永久電流スイッチ全体での熱容量が大きいという課題がある。
　本発明の目的は、永久電流スイッチの構成簡素化と熱容量低減により、加熱効率が高い永久電流スイッチを提供することである。
　上記目的を達成するために、本発明に係る超電導磁石は、超電導コイルと、永久電流スイッチと、交流電源、パルス電源または充放電回路を有し、前記超電導コイルと前記永久電流スイッチとからなるループ回路に対し、前記永久電流スイッチと並列となるよう、前記交流電源、パルス電源または充放電回路が接続されている。
　本発明によれば、加熱効率良く永久電流スイッチを切り替えることが可能となる。
実施例１における超電導磁石の概略構成 実施例１における超電導磁線の断面略図 実施例１におけるＭＲＩの概略構成 実施例２における超電導磁石の概略構成 実施例３における超電導磁石の概略構成 実施例４における超電導磁石の概略構成
　以下、本発明の実施の形態を図示する実施例を用いて説明する。
　図１に、各形態例に共通する超電導磁石１００の概略構成を示す。超電導コイル２、永久電流スイッチ３、クエンチ検出器４、保護回路５を並列に接続する。超電導コイル２は、超電導線を巻き線して作製したコイルであり、冷凍容器に格納され、冷媒や冷凍機を用い超電導線の臨界温度以下まで冷却される。永久電流スイッチ３も超電導線で構成されるが、インダクタンス成分が小さくなるよう、例えば無誘導巻きの形状に構成されており、インダクタンス成分は内部インダクタンスのみに抑制される。永久電流スイッチ３は、ＯＮ状態では臨界温度未満の温度まで冷却され、ＯＦＦ状態では臨界温度以上の温度へと加熱され抵抗が発生する。クエンチ検出器４は、超電導コイルの一部が常伝導化する際のクエンチ信号を検出する装置である。クエンチ信号を検出後、図示しない電源や保護回路５などに制御信号を送り、超電導コイル２の保護動作を開始させる。保護回路５は電流を減衰させるための保護抵抗や、超電導コイル２と熱的に接続したヒータを有するクエンチバック回路などから選択される。
　従来の永久電流スイッチでは、スイッチ内の超電導線を加熱するために、ヒータ線が内蔵されており、そのヒータ線に通電することで発熱させ、超電導線の加熱を行っていた。本発明では、交流電源１を永久電流スイッチ３に接続し、永久電流スイッチ３の超電導線６に直接通電し加熱を行う。本発明の永久電流スイッチ３では、ヒータ線が不要であり、構造が簡易になる点が優位である。
　なお、ここではクエンチ検出器４と保護回路５を別の部材として説明したが、クエンチ検出器４を保護回路５内に有する構成としても良い。
　図２に、永久電流スイッチ３を構成する超電導線６の断面略図を示す。超電導線６は、超電導フィラメント７と、常伝導部８と、シース２０で構成する。超電導線６の内周部を常伝導部８で構成し、常伝導部８を覆う外周部をシース２０で構成する。超電導フィラメント７は内周部の常伝導部８に囲まれるよう配置され、シース２０には配置されない。一般的に交流電流は表皮効果により線の外周部に集中的に流れるため、超電導線６の外周部のシース２０に集中的に通電し、ジュール熱を発生、超電導線６を加熱することが可能となる。表皮効果の式は、表皮深さd、交流電流の周波数f、シース２０を構成する材料の抵抗率ρ、シース２０の透磁率μを用いて、d = √(ρ/πfμ) で表わされる。よって、通電したい部分に応じて、交流電流の周波数を選択すればよい。シース２０に効率的に電流が流れるようにするためには、シース２０の厚さをｔとしたとき、t/2 < dの関係を満たすようにすれば良い。さらに、電流の極性を単極にすると、保護回路５への制約条件、例えばダイオードの極性など、を緩めることが可能となる。
　さらに、交流電流が超電導フィラメント７を流れると、交流損失と呼ばれる熱が発生し超電導線６の加熱に供される。また、常伝導部８のみに交流電流を通電した場合でも、超電導フィラメント７に交流磁界が印加され、交流損失が発生し、加熱要因とできる。図２では、断面形状が円形となる丸線の場合のみ示したが、角線やテープ線へも同様に適用できる。
　図３に、本発明を用いたＭＲＩ２００の概略構成を示す。永久電流スイッチ３は、超電導コイル２と共に、冷凍容器９に格納され、冷媒または冷凍機で冷却される。永久電流スイッチ３と超電導コイル２に流れる永久電流は、測定対象１０の位置に、時間安定性の高い静磁場を発生させる。この静磁場強度が高いほど、核磁気共鳴周波数が高くなり、核磁気共鳴信号強度も高くなる。傾斜磁場コイル１１は、傾斜磁場用アンプ１２から必要に応じて時間変化する電流を供給され，測定対象１０の位置に空間的に分布を持つ静磁場を発生させる。さらに、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）アンテナ１３とＲＦ送受信機１４を用いて測定対象に核磁気共鳴周波数の磁場を印加、反応信号を測定することで、測定対象１０の断面画像診断が可能となる。同じ構成を用いてＮＭＲも実現可能である。
　以下に示す実施例では、実施例１との相違点のみを説明する。
　図４に、実施例１に記載した保護回路５の例として、保護回路抵抗成分１５と保護回路インダクタンス成分１６の直列回路を用いた場合の、超電導磁石１００の概略構成を示す。永久電流スイッチ３のインダクタンスはゼロではないため、保護回路インダクタンス成分１６が無い場合、交流電源１から供給される交流電流が主に保護回路５に流れる。そのため、保護回路インダクタンス成分１６を永久電流スイッチ３のインダクタンス成分より大きくすることで、永久電流スイッチ３に流れる交流電流を増やし、加熱効率を高めることが可能となる。ただし、保護回路インダクタンス成分１６を増やすと、超電導コイル２と永久電流スイッチ３からなる超電導ループに流れていた直流電流を保護回路５に転流させる際の時定数が長くなるため、適切な大きさに設計する必要がある。
　図５に、実施例１に記載した交流電源１の代わりに、パルス電源１７を用いた場合の超電導磁石１００の概略構成を示す。パルス電源１７を用いて矩形波電流を通電する場合、矩形波をフーリエ級数展開した際の基本周波数をf’として、t/2 < √(ρ/πf’μ)を満たすような矩形波とすると、通電範囲をシース２０に集中させることが可能となる。
　図６に、実施例１に記載した交流電源１の代わりに、充放電回路１８を用いた場合の超電導磁石１００の概略構成を示す。コンデンサに充電したエネルギーを永久電流スイッチ３に放電することで、パルス電源と同じように永久電流スイッチ３を加熱することが可能となる。コンデンサを複数用意し、順次放電することで、所望のエネルギーを蓄えることが可能となる。さらに、コンデンサを冷凍容器９の中に配置すると、外部電源からコンデンサに充電するための電流リードは、充電後取り外すことが可能となり、このぶんの冷凍容器９内部への熱進入を抑制することが可能となる。放電によりシース２０に流す電流波形については、実施例３に示した矩形波電流と同様、電流波形をフーリエ級数展開した際の基本周波数をf’として、t/2 < √(ρ/πf’μ)を満たすような電流波形とすると、通電範囲をシース２０に集中させることが可能となる。
　１…交流電源、２…超電導コイル、３…永久電流スイッチ、４…クエンチ検出器、５…保護回路、６…超電導線、７…超電導フィラメント、８…常伝導部、９…冷凍容器、１０…測定対象、１１…傾斜磁場コイル、１２…傾斜磁場用アンプ、１３…ＲＦアンテナ、１４…ＲＦ送受信機、１５…保護回路抵抗成分、１６…保護回路インダクタンス成分、１７…パルス電源、１８…充放電回路、１９…クエンチバック回路、２０…シース、１００…超電導磁石、２００…ＭＲＩまたはＮＭＲ

Claims (10)

  1. 　超電導コイルと、永久電流スイッチと、交流電源を有する超電導磁石であって、
    　前記超電導コイルと前記永久電流スイッチとからなるループ回路に対し、前記永久電流スイッチと並列となるよう、前記交流電源が接続されていることを特徴とする超電導磁石。
  2. 　請求項１に記載の超電導磁石において、
    　前記永久電流スイッチは超電導線で構成され、
    　超電導線の内周部に常伝導部及び超電導フィラメントを配置し、超電導線の外周部にシースを配置することを特徴とする超電導磁石。
  3. 　請求項２に記載の超電導磁石において、
    　前記交流電源の周波数f、前記シースの厚さｔ、前記シースの材料の抵抗率ρ、前記シースの透磁率μに対し、
    　t/2 < √(ρ/πfμ) 
    　が成り立つことを特徴とする超電導磁石。
  4. 　請求項１乃至３のいずれかに記載の超電導磁石において、
    　前記超電導コイルと前記永久電流スイッチとからなるループ回路に対し、保護回路を並列に接続した超電導磁石。
  5. 　請求項４に記載の超電導磁石において，
    　前記保護回路が有するインダクタンスが、永久電流スイッチが有するインダクタンスよりも大きいことを特徴とする超電導磁石。
  6. 　請求項１乃至５のいずれかに記載の超電導磁石において、
    　前記超電導コイルと前記永久電流スイッチとからなるループ回路に対し、クエンチ検出器を並列に接続した超電導磁石。
  7. 　超電導コイルと、永久電流スイッチと、パルス電源または充放電回路を有する超電導磁石であって、
    　超電導コイルと永久電流スイッチとからなるループ回路に対し、永久電流スイッチと並列となるよう、パルス電源または充放電回路が接続されていることを特徴とする超電導磁石。
  8. 　請求項７に記載の超電導磁石において、
    　前記永久電流スイッチは超電導線で構成され、
    　超電導線の内周部に常伝導部及び超電導フィラメントを配置し、超電導線の外周部にシースを配置することを特徴とする超電導磁石。
  9. 　請求項８に記載の超電導磁石において、
    　前記パルス電源または充放電回路により通電する電流波形をフーリエ級数展開した際の基本周波数f’、前記シースの厚さｔ、前記シースの材料の抵抗率ρ、前記シースの透磁率μに対し、
    　t/2 < √(ρ/πf’μ)
    　が成り立つことを特徴とする超電導磁石。
  10. 　請求項１乃至９のいずれかに記載の超電導磁石を用いたことを特徴とするＭＲＩまたはＮＭＲ。
PCT/JP2013/084184 2013-12-20 2013-12-20 超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ WO2015092910A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380081396.0A CN105794006B (zh) 2013-12-20 2013-12-20 超导磁铁、mri以及nmr
US15/100,702 US10121955B2 (en) 2013-12-20 2013-12-20 Superconducting magnet, MRI, and NMR
PCT/JP2013/084184 WO2015092910A1 (ja) 2013-12-20 2013-12-20 超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ
EP13899826.5A EP3086380B1 (en) 2013-12-20 2013-12-20 Superconducting magnet, mri and nmr
JP2015553295A JP6120993B2 (ja) 2013-12-20 2013-12-20 超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2013/084184 WO2015092910A1 (ja) 2013-12-20 2013-12-20 超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015092910A1 true WO2015092910A1 (ja) 2015-06-25

Family

ID=53402303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/084184 WO2015092910A1 (ja) 2013-12-20 2013-12-20 超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10121955B2 (ja)
EP (1) EP3086380B1 (ja)
JP (1) JP6120993B2 (ja)
CN (1) CN105794006B (ja)
WO (1) WO2015092910A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021171872A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 株式会社日立製作所 超電導マグネット、超電導線材および超電導マグネットの生産方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10056178B2 (en) * 2014-01-27 2018-08-21 Hitachi, Ltd. Superconducting magnet device
GB2557357B (en) * 2016-12-08 2022-09-07 Trw Ltd Processing a signal representitive of at least one physical property of a physical system
KR102378965B1 (ko) 2016-12-21 2022-03-25 토카막 에너지 리미티드 초전도자석에서의 퀀칭 보호
EP3483902A1 (en) * 2017-11-14 2019-05-15 Koninklijke Philips N.V. Superconducting magnet assembly
CN109342504B (zh) * 2018-11-20 2022-09-20 中国电力科学研究院有限公司 一种测量超导带材的失超恢复特性的装置和方法
CN111435619B (zh) * 2019-01-15 2021-11-12 中国航天科工飞航技术研究院（中国航天海鹰机电技术研究院） 用于超高速磁悬浮列车的超导磁体
CN113839435B (zh) * 2020-10-26 2022-09-06 上海交通大学 脉冲式超导磁体充电补磁电路

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5975685A (ja) * 1982-10-25 1984-04-28 Toshiba Corp 超電導スイツチ
JPS62229610A (ja) * 1986-03-28 1987-10-08 日立電線株式会社 永久電流スイツチ用複合極細多芯超電導線材
JPH01177825A (ja) * 1987-12-29 1989-07-14 Mitsubishi Cable Ind Ltd 超電導線の超電導相破壊装置
JPH0371606A (ja) * 1989-08-11 1991-03-27 Railway Technical Res Inst 超電導磁石装置
JPH04137571A (ja) * 1990-09-27 1992-05-12 Mitsubishi Electric Corp 永久電流スイッチ
JPH0685335A (ja) * 1992-09-04 1994-03-25 Railway Technical Res Inst 超電導磁石保護回路用スイッチ
JPH10270234A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Mitsubishi Electric Corp 超電導コイル装置
JP2002072721A (ja) * 2000-08-28 2002-03-12 Seiko Epson Corp 定着装置
JP2003092032A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 超電導線材及びその製造方法
JP2003142744A (ja) 2001-11-07 2003-05-16 Central Japan Railway Co 永久電流スイッチおよびそれを用いた超電導マグネット
JP2008124175A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Takashi Fukuda 超電導電力貯蔵装置
JP2013016664A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Hitachi Ltd 超電導スイッチ，超電導磁石、およびｍｒｉ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1665555C3 (de) * 1966-02-18 1975-02-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Supraleiter mit einer Isolation an der Oberfläche
FR2233685B1 (ja) * 1973-06-12 1977-05-06 Josse Bernard
KR100409057B1 (ko) * 1997-12-10 2003-12-11 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 산화물초전도선, 솔레노이드코일, 자장발생장치 및산화물초전도선의 제조방법
US20040041565A1 (en) * 2002-05-08 2004-03-04 Shigeru Kakugawa NMR magnet device for solution analysis and NMR apparatus
JP4934497B2 (ja) * 2007-05-16 2012-05-16 株式会社神戸製鋼所 Ｎｂ３Ｓｎ超電導線材およびそのための前駆体、並びに前駆体を製造する方法
JP4790752B2 (ja) * 2008-04-28 2011-10-12 株式会社日立製作所 超電導マグネット
JP2012059511A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Kazuhiro Kajikawa 単芯超伝導線
JP5501258B2 (ja) * 2011-01-19 2014-05-21 株式会社日立メディコ 超電導線材の接続構造体およびその製造方法
KR101351586B1 (ko) * 2012-03-12 2014-01-15 삼성전자주식회사 영구 스위치 제어 시스템, 이를 채용한 초전도 자석 장치 및 영구 스위치 제어 방법
US10056178B2 (en) * 2014-01-27 2018-08-21 Hitachi, Ltd. Superconducting magnet device

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5975685A (ja) * 1982-10-25 1984-04-28 Toshiba Corp 超電導スイツチ
JPS62229610A (ja) * 1986-03-28 1987-10-08 日立電線株式会社 永久電流スイツチ用複合極細多芯超電導線材
JPH01177825A (ja) * 1987-12-29 1989-07-14 Mitsubishi Cable Ind Ltd 超電導線の超電導相破壊装置
JPH0371606A (ja) * 1989-08-11 1991-03-27 Railway Technical Res Inst 超電導磁石装置
JPH04137571A (ja) * 1990-09-27 1992-05-12 Mitsubishi Electric Corp 永久電流スイッチ
JPH0685335A (ja) * 1992-09-04 1994-03-25 Railway Technical Res Inst 超電導磁石保護回路用スイッチ
JPH10270234A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Mitsubishi Electric Corp 超電導コイル装置
JP2002072721A (ja) * 2000-08-28 2002-03-12 Seiko Epson Corp 定着装置
JP2003092032A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 超電導線材及びその製造方法
JP2003142744A (ja) 2001-11-07 2003-05-16 Central Japan Railway Co 永久電流スイッチおよびそれを用いた超電導マグネット
JP2008124175A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Takashi Fukuda 超電導電力貯蔵装置
JP2013016664A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Hitachi Ltd 超電導スイッチ，超電導磁石、およびｍｒｉ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3086380A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021171872A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 株式会社日立製作所 超電導マグネット、超電導線材および超電導マグネットの生産方法
JP2021136341A (ja) * 2020-02-27 2021-09-13 株式会社日立製作所 超電導マグネット、超電導線材および超電導マグネットの生産方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10121955B2 (en) 2018-11-06
JP6120993B2 (ja) 2017-04-26
JPWO2015092910A1 (ja) 2017-03-16
EP3086380B1 (en) 2018-07-11
CN105794006B (zh) 2018-06-12
CN105794006A (zh) 2016-07-20
EP3086380A4 (en) 2017-08-23
EP3086380A1 (en) 2016-10-26
US20160308110A1 (en) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015092910A1 (ja) 超電導磁石、ｍｒｉおよびｎｍｒ
US10586638B2 (en) Quench protection apparatus for superconducting magnet system
JP5386550B2 (ja) 超電導スイッチ，超電導磁石、およびｍｒｉ
WO2014199793A1 (ja) 磁気共鳴イメージング装置、および、その運転方法
Xu et al. Distribution of AC loss in a HTS magnet for SMES with different operating conditions
US20150111753A1 (en) Superconducting magnet apparatus
US9213073B2 (en) Method and apparatus for compensating for drift in magnetic field strength in superconducting magnets
US9671479B2 (en) Method and apparatus for shimming a superconducting magnet
Overweg MRI main field magnets
Xu et al. An evaluation method for small-scale conduction cooled SMES cryogenic cooling system based on thermal analysis
Borovikov et al. Superconducting 7 T wave length shifter for BESSY-II
JP2017045866A (ja) 超電導磁石装置
Gupta et al. Design, construction and test results of a warm iron HTS quadrupole for the facility for rare isotope beams
JP2020068293A (ja) 超電導磁石装置
Warner et al. Magnets
Chen et al. Systematic analysis of the quench process performance and simulation of the 9.4 T-800 mm whole-body MRI magnet
Fedurin et al. Superconducting high-field three-pole wigglers at Budker INP
Kang et al. The effects of the air gap between pancake windings on the central magnetic field in a high temperature superconducting magnet
JP7370307B2 (ja) 超電導マグネット装置
Tsukamoto Comparison of electric and calorimetric measurements of AC losses in HTS wires and bulks
Voccio et al. A 1.5-T magic-angle spinning NMR magnet: 4.2-K performance and field mapping test results
Kucharovič et al. Demagnetizing the Superconducting Part of the Magnetic Cloak
Kang et al. The Optimal Air Gap Between the Pancake Windings in a HTS Magnet Consisting of Insert and Outsert Magnet
KR20220020833A (ko) 비절연/부분 절연 초전도 자석 및 관련 기술의 충전을 위한 제어 시스템
Coleman et al. Status of the SSC LEB RF cavity

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13899826

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015553295

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15100702

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2013899826

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013899826

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE