WO2015064682A1 - 金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体 - Google Patents

金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体 Download PDF

Info

Publication number
WO2015064682A1
WO2015064682A1 PCT/JP2014/078878 JP2014078878W WO2015064682A1 WO 2015064682 A1 WO2015064682 A1 WO 2015064682A1 JP 2014078878 W JP2014078878 W JP 2014078878W WO 2015064682 A1 WO2015064682 A1 WO 2015064682A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal body
metal
sapphire structure
flat surface
sapphire
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/078878
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
幹裕 梅原
善則 久保
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to EP14856813.2A priority Critical patent/EP3065168B1/en
Priority to JP2015545292A priority patent/JP6174709B2/ja
Priority to CN201480059397.XA priority patent/CN105723507B/zh
Publication of WO2015064682A1 publication Critical patent/WO2015064682A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0603—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a piezoelectric bender, e.g. bimorph
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1626—Constructional details or arrangements for portable computers with a single-body enclosure integrating a flat display, e.g. Personal Digital Assistants [PDAs]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1656—Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/20—Cooling means
    • G06F1/203—Cooling means for portable computers, e.g. for laptops
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/465—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders

Definitions

  • the present invention relates to a sapphire structure with a metal body, a method for manufacturing a sapphire structure with a metal body, an electronic device, and an exterior body.
  • Sapphire which is a single crystal of alumina, has a crystal lattice constant close to that of gallium nitride (GaN), which is a material for LED elements, and is widely used as a growth substrate for gallium nitride crystals for producing LED elements.
  • GaN gallium nitride
  • Sapphire also has properties such as high hardness, resistance to scratches, high thermal conductivity, high light transmission, and low dielectric loss, in addition to the fact that the crystal lattice constant is close to that of gallium nitride crystals. Development of various devices using these properties of sapphire is underway.
  • Patent Document 1 describes an example of an eddy current sensor in which a patterned metal layer is provided on the surface of an insulating substrate, and a sapphire substrate is cited as an example of the insulating substrate.
  • a metal layer is formed on the surface of the sapphire substrate.
  • Metallization technology for forming a metal layer on the surface of a general ceramic substrate such as an alumina sintered body has been improved for a long time.
  • a technology for forming a metal layer with high bonding strength on the surface of an alumina sintered substrate It has been known.
  • a technique for forming a metal layer on the surface of a substrate made of sapphire that is a single crystal has not been sufficiently established, a metal layer is formed on the surface of a sapphire substrate as described in Patent Document 1 below.
  • a sapphire structure having a flat surface and having a recess provided in the flat surface, and a metal body disposed inside the recess and joined to the inner surface of the recess,
  • the metal body has a surface portion that is flush with the flat surface, and provides a metal-equipped sapphire structure.
  • the sapphire structure coated with the metal paste is heated to evaporate the solvent contained in the metal paste and bind the metal particles to each other, and is disposed inside the recess and bonded to the inner surface of the recess Forming the metal body, and polishing the flat surface and the surface of the metal body, and in the polishing step, simultaneously polishing the surface of the metal body together with the flat surface,
  • a method for producing a sapphire structure with a metal body wherein at least a part of the surface of the metal body is flush with the flat surface.
  • the metal body It is difficult for the metal body to peel off from the sapphire structure, and other members can be brought into contact with the sapphire substrate surface relatively easily.
  • the metal-attached sapphire structure in which the metal body is difficult to separate from the sapphire structure can be manufactured relatively easily with a small number of steps.
  • (A) And (b) is a figure explaining one Embodiment of a sapphire structure with a metal body
  • (a) is a schematic perspective view
  • (b) is a schematic sectional drawing. It is sectional drawing of one Embodiment of the apparatus comprised using the sapphire structure with a metal body shown in FIG. It is the elements on larger scale of FIG.1 (b). It is sectional drawing equivalent to FIG. 3 of other embodiment of the sapphire structure with a metal body. It is sectional drawing of one Embodiment of the member with a metal pattern using the sapphire structure with a metal body.
  • (A)-(e) is sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of a sapphire structure with a metal body.
  • (A) is a perspective view of a back surface side panel,
  • (b) is sectional drawing. It is a figure of other embodiment of the sapphire structure with a metal body, (a) is a top view, (b) is sectional drawing.
  • FIG. 1 It is a block diagram which shows the electric constitution of an electronic device.
  • A is a top view showing the structure of the piezoelectric vibration element
  • (b) is a side view
  • (c) and (d) are side views showing the state of the piezoelectric vibration element during operation.
  • FIGS. 1A and 1B are diagrams illustrating a sapphire structure 10 with a metal body (hereinafter also simply referred to as a structure 10 with a metal body), which is an embodiment of a sapphire structure with a metal body.
  • A is a schematic perspective view
  • (b) is a schematic sectional drawing.
  • the structure 10 with a metal body has a flat surface 11A, a sapphire structure 11 in which a recess 12 is provided on the flat surface 11A, and a metal body 20 disposed inside the recess 12 and joined to the inner surface 13 of the recess 12.
  • the metal body 20 includes a surface portion 20A that is flush with the flat surface 11A.
  • the sapphire structure 11 is a plate-like body having the flat surface 11A as the first main surface, and has a second main surface 11B located on the opposite side of the flat surface 11A as the first main surface. Yes.
  • Sapphire structure 11 is made of sapphire is a single crystal of aluminum oxide (Al 2 O 3), and includes aluminum oxide (Al 2 O 3) more than 75 wt%.
  • the sapphire structure further contains, for example, 95% by mass or more of aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • the flat surface 11A and the surface portion 20A of the metal body 20 are flush with each other means that the height difference between the flat surface 11A and the surface portion 20A of the metal body 20 is less than ⁇ 500 ⁇ m.
  • the difference in height between the flat surface 11A and the surface portion 20A of the metal body 20 is preferably less than ⁇ 100 ⁇ m.
  • the difference in height is more preferably less than ⁇ 10 ⁇ m, further preferably less than ⁇ 1 ⁇ m, and further preferably less than ⁇ 0.1 ⁇ m.
  • the metal body 20 is mainly composed of silver (Ag).
  • the metal body 20 contains copper (Cu) and titanium (Ti).
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the surface portion 20A of the metal body 20 that is flush with the flat surface 11A as compared with the arithmetic average roughness (Ra) of the flat surface 11A. Is big.
  • the arithmetic average roughness of the flat surface 11A is preferably 10 nm or less, and more specifically, the arithmetic average roughness of the flat surface 11A is preferably 1 nm or less.
  • the metal body 20 is disposed inside the recess 12 and joined to the inner surface 13 of the recess 12, and the metal body 20 is difficult to peel off from the structure 10.
  • the arithmetic average roughness may be a value measured by a measuring method based on JIS standard B0601-2001.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an embodiment of an apparatus configured using the structure 10 with a metal body.
  • the first device 30 and the second device 40 are mounted on the structure 10 with a metal body, and the first device 30 and the second device are used using the metal body 20 as electric wiring. 40 is electrically connected.
  • the first device 30 shown in FIG. 2 is, for example, a drive circuit element having an electrode 32
  • the second device 40 is, for example, an LED light emitting element having an electrode 42. Since the metal body 20 includes the surface portion 20A that is flush with the flat surface 11A, for example, as shown in FIG. 2, other members such as the first device 30 and the second device 40 are attached to the structure 10 with the metal body.
  • the first device 30 and the second device are almost free from gaps due to steps. 40 can be brought into contact with the structure 10 with a metal body. Since the sapphire structure 11 is made of sapphire and has high thermal conductivity, a part of the first device 30 or the second device 40 is brought into contact with the flat surface 11A of the sapphire structure 11 with a small gap, thereby allowing the first device. 30 and the heat generated from the second device 40 can be efficiently released from the sapphire structure 11, and the operation reliability of the first device 30 and the second device 40 can be increased.
  • the light transmission of the sapphire structure 11 is high, in the device 1, light emitted from the second device 40 that is an LED light-emitting element passes through the sapphire structure 11 and is wide in the lower side in FIG. Irradiation is also possible.
  • the apparatus 1 since there is no extra gap between the flat surface 11A of the sapphire structure 11 and the second device 40, there is no difference in refractive index between the air layer and the sapphire structure 11 that exists when there is a gap. It is also possible to irradiate a large amount of light on the lower side in FIG. 2 while suppressing excessive reflected light.
  • the first device 30 and the second device 40 may be, for example, a transmitter or a receiver for transmitting and receiving an electromagnetic wave signal wirelessly. Since sapphire has a low dielectric loss, even when such a transmitter or receiver is mounted on the sapphire structure 11, electromagnetic waves can be transmitted and received with a small loss over a wide range. Thus, there is no limitation in particular in the kind of the 1st device 30 or the 2nd device 40, It is possible to mount various devices and apparatuses.
  • the use of the structure 10 with a metal body is not limited to being used by mounting other devices and equipment such as the first device 30 and the second device 40.
  • the structure 10 with a metal body has a characteristic appearance, in which the flat surface 11A of the sapphire structure 11 having a high light transmittance and the surface portion 20A of the metal body 20 having metallic luster are flush with each other. Yes.
  • this metal-equipped structure 10 is used for a part of a housing that covers a device capable of transmitting and receiving wireless signals, the wireless signal transmission / reception sensitivity is high and the housing is high in strength and difficult to break. It is also possible to configure a transmission / reception device having an excellent design with a characteristic appearance.
  • the structure 10 with a metal body can be used for various uses.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the surface portion 20A flush with the flat surface 11A is larger than the arithmetic average roughness (Ra) of the flat surface 11A.
  • the anchor effect due to surface irregularities causes the solder layer and the metallized layer to The bonding strength with the surface portion 20A is relatively high.
  • the metal body 20 is difficult to peel off from the recess 12, and when the first device 30 and the second device 40 are mounted, the first device 30, the second device 40, and the metal body 20 have a sapphire structure. 11 is difficult to peel off.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a part of FIG.
  • the metal body 20 has silver (Ag) as a main component.
  • the metal body 20 contains silicon dioxide (SiO 2 ). Since the metal body 20 contains silicon dioxide (SiO 2 ), the bonding strength between the metal body 20 and the sapphire structure 11 is relatively strong.
  • the metal body 20 contains copper (Cu) and titanium (Ti).
  • silver (Ag) is preferable in terms of low electrical resistance and high conductivity.
  • the hardness of the metal body 20 is made higher by the metal body 20 containing copper (Cu) compared with the case where it consists only of silver (Ag).
  • the metal body 20 contains titanium (Ti)
  • the bonding strength between the metal body 20 and the inner surface 13 of the recess 12 is relatively high.
  • a bonding layer 22 containing titanium (Ti) as a main component is formed in a bonding region where the metal body 20 is bonded to the inner surface 13, and the metal body 20 and the inner surface 13 are relatively It is strongly joined.
  • the inner surface 13 of the recess 12 has a bottom surface 13 ⁇ and a side surface 13 ⁇ , and further has a surface (inclined surface 13 ⁇ ) inclined with respect to the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ between the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ .
  • the bottom surface 13 ⁇ is substantially parallel to the flat surface 11A
  • the side surface 13 ⁇ is substantially perpendicular to the bottom surface 13 ⁇ and the flat surface 11A.
  • the inclined surface 13 ⁇ is connected to the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ .
  • the joint portion between the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ is a corner where the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ are in perpendicular contact with each other.
  • the inclined surface 13 ⁇ the inclined surface 13 ⁇ and the bottom surface 13 ⁇ are in contact with each other so as to form a gentle obtuse angle
  • the inclined surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ are in contact with each other so as to form a gentle obtuse angle.
  • the stress due to the thermal expansion is less likely to be concentrated on the portion that contacts at such an obtuse angle.
  • stress concentration due to thermal expansion of the metal body 20 is suppressed, and breakage such as cracks is also suppressed.
  • the inclined surface 13 ⁇ is inclined with respect to the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ , and the arithmetic surface roughness is larger than both the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ . Since the arithmetic surface roughness of the inclined surface 13 ⁇ is large, that is, the unevenness of the surface of the inclined surface 13 ⁇ is relatively large, the metal body 20 is relatively firmly bonded to the inclined surface 13 ⁇ by the anchor effect, and the metal body 20 Is more difficult to peel from the recess 12.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of another embodiment of a sapphire structure with a metal body.
  • the sapphire structure 11 is a plate-like body having a flat surface 11A as a first main surface, and through holes 15 having openings in the bottom surface 13 ⁇ of the recess 12 and the second main surface 11B. Have. Further, a via conductor 17 made of metal provided in the through hole 15 is provided.
  • the first device 30 disposed on the flat surface 11 ⁇ / b> A side and the second device 40 disposed on the second main surface 11 ⁇ / b> B side are electrically connected through the via conductor 17 and the metal body 20. Can be made.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an embodiment of a member with a metal pattern using a sapphire structure with a metal body.
  • a member 50 with a metal pattern shown in FIG. 5 is obtained by arranging a metal layer 24 such as gold (Au) plating on the surface portion 20A of the metal body 20 of the structure 10 with a metal body.
  • a metal layer 24 such as gold (Au) plating on the surface portion 20A of the metal body 20 of the structure 10 with a metal body.
  • Au gold
  • FIGS. 6A to 6E are cross-sectional views showing an embodiment of a method for producing a sapphire structure with a metal body.
  • a step of applying a metal paste 19 containing metal particles 21 and a solvent 18 in the recess 12 see FIG. 6C
  • heating the sapphire structure 11 coated with the metal paste 19 to form a metal.
  • a step of evaporating the solvent 18 contained in the paste 19 and bonding the metal particles 21 together to form a metal body 20 disposed inside the recess 12 and joined to the inner surface 13 of the recess 12 (FIG. 6D).
  • Reference) and a step of polishing the flat surface 11A and the surface 20A of the metal body 20 (FIG. 6E).
  • the surface 20A of the metal body 20 is simultaneously polished together with the flat surface 11A. That by metal At least a portion of the surface 20A of 20 the flat surface 11A and flush.
  • a sapphire structure 11 having a flat surface 11A for example, a substantially disc-shaped sapphire substrate having a thickness of 600 ⁇ m is prepared.
  • a part of the flat surface 11A of the sapphire structure 11 is processed by, for example, milling using a so-called machining center device to form a recess 12 in the flat surface 11A.
  • a portion corresponding to the concave portion 12 of the sapphire structure 11 is ground by moving a so-called diamond electrodeposition tool to which diamond abrasive grains are attached while rotating.
  • the depth of the recess 12 is, for example, about 120 ⁇ m.
  • Sapphire is a hard-to-process material with high hardness, and the surface after milling is not likely to be relatively flat.
  • the inclined surface 13 ⁇ of the inner surface 13 of the recess 12 is less likely to hit the diamond electrodeposition tool more stably than the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ . Therefore, the inclined surface 13 ⁇ can be easily inclined and the bottom surface 13 ⁇ and the side surface 13 ⁇ The arithmetic surface roughness of the inclined surface 13 ⁇ is larger than both.
  • the entire sapphire structure 11 is heated to, for example, 1650 ° C., and an annealing process is performed to maintain the temperature of, for example, 1500 to 1800 ° C. for about 3 hours. By this annealing treatment, the internal stress remaining on the inner surface 13 of the recess 12 after milling can be reduced.
  • a metal paste 19 containing metal particles 21 and a solvent 18 is applied in the formed recess 12 using a brush member for applying a metal paste.
  • the metal paste 19 is applied so that the surface of the metal paste 19 disposed in the recess 12 is positioned on the bottom surface 13 ⁇ side of the recess 12 with respect to the flat surface 11A.
  • the metal paste 19 is applied in the recess 12 so that the thickness is 60 ⁇ m or more and less than 120 ⁇ m.
  • the metal particles 21 have silver (Ag) as a main component, and the metal paste 19 further contains silicon dioxide (SiO 2 ) together with a solvent.
  • the metal paste 19 further includes copper (Cu) particles, and further includes titanium (Ti) particles.
  • the metal paste 19 contains about 65% by mass of silver (Ag) particles, about 28% by mass of copper (Cu) particles, and titanium (Ti) particles, and silicon dioxide (SiO 2 ) particles and the solvent 18 are mixed. What is necessary is just to use.
  • the sapphire structure 11 to which the metal paste 19 has been applied is heated to, for example, 600 ° C. to 900 ° C. to evaporate the solvent 18 contained in the metal paste 19 and the metal particles 21. They are joined together to form a metal body 20 that is disposed inside the recess 12 and joined to the inner surface 13 of the recess 12.
  • the metal paste 19 contains copper (Cu)
  • a compound of silver (Ag) and copper (Cu) is formed by firing, and the metal body 20 has a structure that is made of only silver (Ag). Hardness is higher.
  • the metal body 20 contains titanium (Ti)
  • a bonding layer 22 containing titanium (Ti) as a main component is formed in a bonding region where the metal body 20 is bonded to the inner surface 13 by firing. 13 is relatively strongly joined.
  • silicon dioxide (SiO 2 ) is contained in the metal paste 19, this silicon dioxide (SiO 2 ) component is diffused to the sapphire structure 11 side by firing, and the metal body 20 and the sapphire structure 11 are joined. Strength is relatively strong. After firing, the whole is washed with an organic solvent or pure water as necessary.
  • This polishing process includes a first stage in which the flat surface 11A is polished while the metal body 20 is not polished, and a second stage in which the flat surface 11A and the metal body 20 are simultaneously polished.
  • a copper plate is used as a polishing pad, and mechanical polishing is performed using diamond abrasive grains having a grain size of about 1 to 3 ⁇ m as abrasive grains.
  • the first stage only the portion of the flat surface 11A that protrudes from the surface 20A of the metal body 20 is selectively polished so that the flat surface 11A after polishing is flush with the surface 20A of the metal body 20.
  • chemical mechanical polishing is performed using colloidal silica abrasive grains having a grain size of about 20 to 80 ⁇ m as abrasive grains for polishing.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • not only the flat surface 11A of the sapphire structure 11 but also the surface portion 20A of the metal body 20 are simultaneously polished.
  • the flat surface 11A of the sapphire structure 11 made of alumina single crystal (sapphire) is flattened with high accuracy.
  • the arithmetic average roughness of the flat surface 11A of the sapphire structure 11 can be 10 nm or less, and further, the arithmetic average roughness of the flat surface 11A can be 1 nm or less.
  • the metal body 20 is a layer formed by bonding the metal particles 17 in the metal paste 19 described above, and in the polishing by chemical mechanical polishing, the polishing proceeds so that the metal particles 17 are partially peeled off. . For this reason, the surface portion 20A of the metal body 20 after chemical mechanical polishing has irregularities according to the shape of the metal particles 17, and the flat surface 11A is compared with the arithmetic average roughness (Ra) of the flat surface 11A.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the flush surface portion 20A is increased.
  • the structure 10 with a metal body can be manufactured through the above processes, for example.
  • coating the metal paste 19 in the recessed part 12 using the sapphire structure 11 in which the through-hole 15 was formed previously for example
  • a step of filling the metal paste 19 in the through hole 15 may be provided.
  • Other conditions are not particularly limited.
  • FIGS. 7 to 11 are views showing the external appearance of an electronic device configured by using one embodiment of the above-described structure with a metal body.
  • FIG. 7 is a perspective view
  • FIG. 8 is a front view
  • FIG. FIG. 10 is a perspective view in an exploded state.
  • FIG. 11A is a perspective view of the back panel 104 as viewed from the inside of the housing 103
  • FIG. 11B is a cross-sectional view taken along a plane including the line BB.
  • the electronic device 101 according to the present embodiment is a portable device such as a smartphone, for example, and can communicate with other communication devices through a base station, a server, and the like.
  • the shape of the electronic device 101 is a substantially rectangular plate shape in plan view.
  • An exterior 300 of the electronic device 101 includes a front panel 102, a housing 103, and a back panel 104.
  • the front panel 102 is made of a hard material with transparency.
  • the front panel 102 is mainly composed of sapphire.
  • Sapphire has characteristics such as being hard to be scratched, hard to break, high transparency, and high thermal conductivity compared to tempered glass and the like.
  • the front panel 102 includes a display area 102a and a peripheral area 102b.
  • Various information such as characters, symbols, graphics, and images displayed by the display device 112 described later is visually recognized by the user through the display area 102a in the front panel 102.
  • a touch panel 113 described later is attached to the inner main surface 171 of the front panel 102.
  • the user can give various instructions to the electronic device 101 by operating the display area 102a of the front panel 102 with a finger or the like.
  • a piezoelectric vibration element 114 and a microphone 115 are attached to the inner main surface 171 of the front panel 102.
  • the housing 103 constitutes a part of the side surface portion of the electronic device 101.
  • the housing 103 is mainly composed of, for example, sapphire, like the front panel 102.
  • sapphire like the front panel 102.
  • a metal may be a main component, or only a part may be formed of sapphire, which is not particularly limited.
  • materials other than the housing 103 are not particularly limited.
  • the back panel 104 is an embodiment of the sapphire structure with metal body described above.
  • the back panel 104 has a flat surface (first main surface 172), a sapphire structure 140 having a flat surface (first main surface 172) provided with a concave portion 141, and a concave portion disposed inside the concave portion 141.
  • 141 has a metal body 142 joined to an inner surface 143, and the metal body 142 includes a surface portion 142A that is flush with a flat surface (first main surface 172).
  • the back panel 104 is plate-shaped and has a substantially rectangular shape in plan view.
  • the back side panel 104 constitutes the back side of the electronic device 1.
  • the back surface side panel 104 has a first main surface 172 constituting the back surface of the electronic device 101 and a second main surface 173 located on the opposite side of the first main surface 172.
  • FIG. 10 is an exploded perspective view of the electronic device 101.
  • some of the components included in the electronic device 101 such as a plurality of cables (or conductors) and a piezoelectric vibration element 114 that connect the plurality of electronic components to each other are omitted.
  • a bonding layer is formed between the bonding surface of the front panel 102 and the bonding surface of the housing 103, and the bonding surface of the front panel 102 and the housing 103 are bonded via the bonding layer. The surface is joined.
  • a bonding layer is also formed between the bonding surface of the housing 103 and the bonding surface of the back panel 104, and the bonding surface of the housing 103 and the bonding surface of the back panel 104 are interposed via the bonding layer. Are joined.
  • the exterior 300 is configured by the front side panel 102, the housing 103, and the back side panel 104 .
  • the exterior 300 is configured by combining three members. It may not be an aspect.
  • the exterior 300 may be configured by only one or two members, or may be configured by combining four or more members.
  • a touch panel 113, a piezoelectric vibration element 114, and a microphone 115 are attached to the inner main surface 171 of the front side panel 102 with a double-sided tape or the like.
  • the display device 112 is disposed to face the front side panel 102 and the touch panel 113 (more specifically, the front side panel 102 to which the touch panel 113 is attached).
  • a printed circuit board 117 and a battery 116 on which various components such as a CPU (Central Processing Unit) 201 and a DSP (Digital Signal Processor) 201 are mounted are arranged on the back side of the display device 112. Although not shown in FIG. 10, the printed circuit board 117 is electrically connected to components included in the electronic device 101 such as the touch panel 113 by a cable.
  • the back side panel 104 is arrange
  • the battery 116 is connected to the charging terminal 106 by a metal body 142 embedded in the back panel 104 (FIG. 11A).
  • the exterior 300 constituted by the front side panel 102, the housing 103, and the back side panel 104 accommodates electronic devices such as the CPU 201 and the DSP 202.
  • Devices in the exterior 300 may generate heat during operation.
  • sapphire constituting the exterior 300 has higher heat dissipation than a resin often used as a material for the exterior of an electronic device. Therefore, during operation of the device, heat generated from the device can be efficiently radiated to the outside of the electronic device 101 through the exterior 300.
  • a metal body 142 having a surface flush with the first main surface 172 is disposed on the back surface of the electronic device 101, and the metal body 142 includes the antenna 105 (antennas 105 a and 105 b), the charging terminal 106, and the like. Is configured. Further, a lens 107 a included in the imaging unit 107 is disposed to face the second main surface 173 of the back panel 104. Since the sapphire member has a high light transmittance, the back panel 104 is a sapphire member, so that the imaging unit 107 housed in the exterior 300 can take an image.
  • the back panel 104 has a through-hole 175 having openings in the bottom surface 141 ⁇ of the recess 141 and the second main surface 173. Further, a via conductor 217 made of metal and filled in the through hole 175 is provided.
  • the metal body 142 constituting the antenna 105a exposed on the back surface of the electronic device 101 includes communication circuit components and the like disposed on the second main surface 173 side, and vias. It is electrically connected through a conductor 217.
  • the metal body 142 constituting the terminal 106 exposed on the back surface of the electronic device 101 is electrically connected to a power terminal (not shown) disposed on the second main surface 173 side via the via conductor 217.
  • the back panel 104 has sapphire as a main component, so that the heat conductivity is high, and heat generated by various devices and electronic circuits arranged in the exterior 300 is generated from the interior of the exterior 300. Can be missed efficiently.
  • sapphire has a low electrical resistance, current leakage (dark current) from the antenna 105 and the terminal 106 arranged on the back panel 104 is small, and malfunction of the electronic device 101 due to such dark current is suppressed. ing.
  • the electronic device 101 has a characteristic appearance because the first main surface 172 of the light-transmissive rear panel 104 and the surface of the metallic body 142 having metallic luster are flush with each other.
  • the electronic device 101 has high wireless signal transmission / reception sensitivity by the antenna 105, small malfunction due to dark current, and the exterior body 300 has high strength and is difficult to break, and has a superior design due to its characteristic appearance.
  • FIG. 12 shows an embodiment different from the above in the case where the above-described sapphire structure with a metal body is used in an electronic device.
  • 12A and 12B are schematic diagrams for explaining the mounting body 600, where FIG. 12A is a plan view and FIG. 12B is a cross-sectional view.
  • the mounting body 600 has a first main surface 620A, a mounting substrate 620 provided with a recess 622 on the first main surface 620A, and a metal body 630 disposed inside the recess 622 and joined to the inner surface of the recess 622.
  • the metal body 630 has a surface flush with the first main surface 620A.
  • the metal body 630 contains silver (Ag) as a main component.
  • the metal body 20 contains copper (Cu) and titanium (Ti).
  • the mounting substrate 620 includes a through hole 625 having an opening in the bottom surface of the recess 622 and the second main surface 620B, and includes a via conductor 627 made of metal filled in the through hole 625.
  • the wireless communication unit 510 and the control unit 500 are arranged on the mounting substrate 620.
  • the control unit 500 includes a CPU 500a, a storage unit 500b, and the like.
  • the control unit 500 is configured by mounting the CPU 500a and the storage unit 500b on the second main surface 620B.
  • an antenna 510a formed of a metal body 630 and a wireless information processing unit 510b mounted on a mounting board 620 are arranged to configure the wireless communication unit 510.
  • the wireless information processing unit 510b, the CPU 500a, and the storage unit 500b are devices including semiconductor elements.
  • the metal body 630 constitutes the antenna 510a, and the CPU 500a, the storage unit 500b, the wireless information processing unit 510b, and the like are connected to each other using the metal body 630 and the via conductor 627 as electric wiring.
  • the mounting substrate 620 is made of sapphire and has high thermal conductivity, heat generated from the wireless communication unit 510 and the control unit 500 can be efficiently released through the mounting substrate 620.
  • sapphire has a small electric resistance, the dark current flowing on the surface of the mounting substrate 620 is suppressed to a small level. Therefore, the dark current of the CPU 500a, the storage unit 500b, and the wireless information processing unit 510b mounted on the surface of the mounting substrate 620 is reduced. The resulting malfunction is suppressed.
  • the wireless information processing unit 510b, the CPU 500a, and the storage unit 500b are not limited to device components including semiconductor elements, and are integrated with the mounting substrate 620 by processing a compound semiconductor layer formed on the mounting substrate 620 made of, for example, sapphire. You may form in.
  • a mounting body 600 illustrated in FIG. 12 can be used by being disposed, for example, inside the exterior 300 of the electronic device 101.
  • FIG. 13 is a block diagram illustrating an electrical configuration of the electronic device 101.
  • the electronic device 101 includes a control unit 110, a wireless communication unit 111, a display device 112, a touch panel 113, a piezoelectric vibration element 114, a microphone 115, an imaging unit 107, and a battery. 116. These components provided in the electronic device 101 are housed in an exterior 300 of the electronic device 101.
  • the control unit 110 includes a CPU 201, a DSP 202, a storage unit 203, and the like.
  • the control unit 110 comprehensively manages the operation of the electronic device 101 by controlling other components of the electronic device 101.
  • the storage unit 203 includes a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), and the like.
  • the storage unit 203 includes a main program and a plurality of control programs for controlling the electronic device 101, specifically, control components of the wireless communication unit 111, the display device 112, and the like included in the electronic device 101. Application programs and the like are stored.
  • Various functions of the control unit 110 are realized by the CPU 201 and the DSP 202 executing various programs in the storage unit 203.
  • the wireless communication unit 111 has an antenna 105 (antennas 105a and 105b).
  • the wireless communication unit 111 performs transmission / reception of a communication signal with an electronic device different from the electronic device 101 or a communication device such as a web server connected to the Internet, using the antenna 105 via a base station or the like.
  • the antenna 105 may be provided on the back panel 104, and the mounting body 600 provided with the antenna 510a may be disposed in the exterior 300.
  • the display device 112 is, for example, a liquid crystal display or an organic EL display. As described above, various types of information displayed by the display device 112 are visually recognized from the outside of the electronic device 101 through the display area 102a.
  • the touch panel 113 is, for example, a projected capacitive touch panel.
  • the touch panel 113 is affixed to the inner main surface 171 of the front side panel 2.
  • the touch panel 113 includes two sheet-like electrode sensors arranged to face each other. When the user touches the display area 102a with an operator such as a finger, the capacitance of the part of the touch panel 113 facing the operator changes. The touch panel 113 then outputs an electrical signal corresponding to the change in capacitance to the control unit 110. As described above, the touch panel 113 can detect contact of the operation element with the display region 102a.
  • the piezoelectric vibration element 114 and the microphone 115 are attached to the inner main surface 171 of the front side panel 102.
  • the piezoelectric vibration element 114 is vibrated by a drive voltage supplied from the control unit 110.
  • the control unit 110 generates a drive voltage based on the sound signal, and applies the drive voltage to the piezoelectric vibration element 114.
  • the front panel 102 vibrates based on the sound signal.
  • the reception sound is transmitted from the front panel 102 to the user.
  • the volume of the received sound is such that the user can hear it properly when the user brings his ear close to the front panel 102.
  • the details of the piezoelectric vibration element 114 and the received sound transmitted from the front panel 102 to the user will be described in detail later.
  • the case where the reception sound is transmitted from the front panel 102 to the user by the piezoelectric vibration element 114 will be described.
  • an electrical signal from the control unit 110 is used instead of the piezoelectric vibration element 114.
  • a dynamic speaker that converts a sound signal into sound and outputs the sound may be used.
  • a dynamic speaker When a dynamic speaker is employed, a receiver hole is provided in the exterior 300 (front panel 102, housing 103, or back panel 104). Sound output from the dynamic speaker is output to the outside through a receiver hole provided in the exterior 300.
  • sapphire since sapphire is hard, it is difficult to process the exterior 300 formed of sapphire to provide a through hole such as a receiver hole.
  • the piezoelectric vibration element 114 that does not require a receiver hole in the electronic device 101, the processing steps for providing the receiver hole in the exterior 300 can be reduced. As a result, the manufacture of the electronic device 101 can be reduced. Can be easily. Further, the strength of the exterior 300 is reduced by providing the receiver hole. However, when the piezoelectric vibration element 114 is employed, it is not necessary to provide a receiver hole in the exterior 300, so that the strength of the exterior 300 can be maintained.
  • the microphone 115 converts the vibration of the front panel 102 into an electrical signal and outputs it to the control unit 110.
  • the vibration of the front side panel 102 is generated by a user's voice or the like during a call or the like.
  • the microphone 115 does not convert the vibration of the front side panel 102 into an electrical signal, but directly converts air vibration such as a user's voice into an electrical signal and outputs it to the control unit 110. There may be.
  • a microphone hole is provided in the exterior 300 (the front side panel 102, the housing 103, or the back side panel 104). The user's voice or the like is taken into the electronic device 101 from the microphone hole and input to the microphone 115.
  • the imaging unit 107 captures still images and moving images.
  • the battery 116 outputs a power source for the electronic device 101. The power output from the battery 116 is supplied to each electronic component included in the control unit 110 and the wireless communication unit 111 included in the electronic device 101.
  • FIG. 14A is a top view showing the structure of the piezoelectric vibration element 114
  • FIG. 14B is a side view
  • 14C and 14D are side views showing the state of the piezoelectric vibration element 114 during operation.
  • the piezoelectric vibration element 114 has a long shape in one direction.
  • the piezoelectric vibration element 114 has a long and narrow rectangular shape in plan view.
  • the piezoelectric vibration element 114 has, for example, a bimorph structure.
  • the piezoelectric vibration element 114 includes a first piezoelectric ceramic plate 114a and a second piezoelectric ceramic plate 114b that are bonded to each other via a shim material 114c.
  • the piezoelectric vibration element 114 when a positive voltage is applied to the first piezoelectric ceramic plate 114a and a negative voltage is applied to the second piezoelectric ceramic plate 114b, the first piezoelectric ceramic plate 114a extends along the longitudinal direction.
  • the second piezoelectric ceramic plate 114b extends and contracts along the longitudinal direction. Accordingly, as shown in FIG. 14C, the piezoelectric vibration element 114 bends in a mountain shape with the first piezoelectric ceramic plate 114a facing outside.
  • the piezoelectric vibration element 114 when a negative voltage is applied to the first piezoelectric ceramic plate 114a and a positive voltage is applied to the second piezoelectric ceramic plate 114b, the first piezoelectric ceramic plate 114a is in the longitudinal direction.
  • the second piezoelectric ceramic plate 114b extends along the longitudinal direction. Thereby, as shown in FIG. 14D, the piezoelectric vibration element 114 bends in a mountain shape with the second piezoelectric ceramic plate 114b facing outside.
  • the piezoelectric vibrating element 114 performs flexural vibration by alternately taking the state of FIG. 14C and the state of FIG.
  • the controller 110 flexures and vibrates the piezoelectric vibration element 114 by applying an alternating voltage in which a positive voltage and a negative voltage appear alternately between the first piezoelectric ceramic plate 114a and the second piezoelectric ceramic plate 114b.
  • piezoelectric vibration element 114 shown in FIG. 14, only one structure including the first piezoelectric ceramic plate 114a and the second piezoelectric ceramic plate 114b bonded with the shim material 114c interposed therebetween is provided. A plurality of such structures may be stacked.
  • the piezoelectric vibration element 114 having such a structure is disposed at the peripheral end portion of the inner main surface 171 of the front panel 102. Specifically, the piezoelectric vibration element 114 is disposed at the center portion in the short side direction (left-right direction) at the upper end portion of the inner main surface 171 of the front panel 102. Further, the piezoelectric vibration element 114 is arranged such that the longitudinal direction thereof is along the short side direction of the front panel 102. Thereby, the piezoelectric vibration element 114 performs flexural vibration along the short side direction of the front side panel 102. The center of the piezoelectric vibration element 114 in the longitudinal direction coincides with the center in the lateral direction at the upper end portion of the inner main surface 171 of the front side panel 102.
  • the displacement amount is the largest at the center in the longitudinal direction. Accordingly, when the center of the piezoelectric vibration element 114 in the longitudinal direction coincides with the center of the short side direction at the upper end portion of the inner main surface 171 of the front panel 102, the displacement amount of the piezoelectric vibration element 114 due to flexural vibrations. The point where is the largest coincides with the center in the lateral direction at the upper end of the inner main surface 171 of the front panel 2.
  • the piezoelectric vibration element 114 vibrates the front panel 102, whereby air conduction sound and conduction sound are transmitted from the front panel 102 to the user.
  • the vibration of the piezoelectric vibration element 114 itself is transmitted to the front panel 102, air conduction sound and conduction sound are transmitted from the front panel 102 to the user.
  • the air conduction sound is a sound that is recognized by the human brain by sound waves (air vibrations) entering the ear canal hole (so-called “ear hole”) vibrating the eardrum.
  • the conduction sound is sound that is recognized by the human brain when the auricle is vibrated and the vibration of the auricle is transmitted to the eardrum and the eardrum vibrates.
  • the air conduction sound and the conduction sound will be described in detail.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining air conduction sound and conduction sound.
  • FIG. 15 shows the structure of the user's ear of the electronic device 101.
  • a broken line 500 indicates a conduction path of a sound signal (sound information) when an airway sound is recognized by the brain.
  • a solid line 510 indicates a conduction path of the sound signal when the conduction sound is recognized by the brain.
  • the piezoelectric vibration element 114 attached to the front side panel 102 When the piezoelectric vibration element 114 attached to the front side panel 102 is vibrated based on an electrical sound signal indicating a received sound, the front side panel 102 vibrates and a sound wave is output from the front side panel 102.
  • The When the user holds the electronic device 101 in his hand and brings the front panel 102 of the electronic device 101 closer to the user's auricle 400, or the front panel 102 of the electronic device 101 is moved to the user's ear.
  • the sound wave output from the front panel 102 enters the ear canal hole 410. Sound waves from the front panel 102 travel through the ear canal hole 410 and vibrate the eardrum 420.
  • the vibration of the eardrum 420 is transmitted to the ossicle 430, and the ossicle 430 vibrates.
  • the vibration of the ossicles 430 is transmitted to the cochlea 440 and converted into an electric signal in the cochlea 440.
  • This electric signal is transmitted to the brain through the auditory nerve 450, and the received sound is recognized in the brain. In this way, air conduction sound is transmitted from the front panel 102 to the user.
  • the auricle 400 is vibrated by the piezoelectric vibration element 114.
  • the front panel 102 is vibrated.
  • the vibration of the pinna 400 is transmitted to the eardrum 420, and the eardrum 420 vibrates.
  • the vibration of the eardrum 420 is transmitted to the ossicle 430, and the ossicle 430 vibrates.
  • the vibration of the ossicles 430 is transmitted to the cochlea 440 and converted into an electric signal in the cochlea 440.
  • This electric signal is transmitted to the brain through the auditory nerve 450, and the received sound is recognized in the brain. In this way, the conduction sound is transmitted from the front side panel 102 to the user.
  • the auricular cartilage 400 a inside the auricle 400 is also shown.
  • Bone conduction sound is sound that is recognized by the human brain by vibrating the skull and directly stimulating the inner ear such as the cochlea.
  • a sound signal transmission path when a bone conduction sound is recognized by the brain is indicated by a plurality of arcs 520.
  • the piezoelectric vibration element 114 appropriately vibrates the front side panel 102 on the front side, thereby generating air conduction sound and conduction sound from the front side panel 102 to the user of the electronic device 101.
  • the user can hear the air conduction sound from the front panel 102 by bringing the ear (auricle) close to the front panel 102. Further, the user can hear the air conduction sound and the conduction sound from the front side panel 102 by bringing the ear (auricle) into contact with the front side panel 102.
  • the structure is devised so that air conduction sound and conduction sound can be appropriately transmitted to the user. By configuring the electronic device 101 so that air conduction sound and conduction sound can be transmitted to the user, various merits are generated.
  • the user can hear a sound when the front panel 102 is put on the ear, the user can make a call without worrying about the position where the ear is put on the electronic device 101.
  • the user can make the surrounding noise difficult to hear while increasing the volume of the conduction sound by strongly pressing the ear against the front panel 102. Therefore, the user can make a call appropriately even when the ambient noise is high.
  • the user recognizes the received sound from the electronic device 101 by placing the front panel 102 on the ear (more specifically, the pinna) even when the earplug or earphone is attached to the ear. be able to. Further, the user can recognize the received sound from the electronic device 101 by placing the front panel 102 on the headphones even when the headphones are attached to the ears.
  • a portable electronic device such as a smartphone
  • various electronic devices other than the portable electronic device such as a smartphone, such as a tablet terminal or a wristwatch, are also described in this document. Configuration can be applied.
  • the electronic device 101 has been described in detail, but the above description is an example in all aspects, and the present invention is not limited thereto.
  • the various modifications described above can be applied in combination as long as they do not contradict each other. And it is understood that the countless modification which is not illustrated can be assumed without deviating from the scope of the present invention.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Telephone Set Structure (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

　金属体がサファイア構造体から剥がれ難く、かつサファイア基板表面に他の部材を障害なく当接させる。　平坦面を有し、前記平坦面に凹部が設けられたサファイア構造体と、前記凹部の内部に配置されて前記凹部の内面と接合した金属体とを有し、前記金属体は前記平坦面と面一な表面部分を備えることを特徴とする金属体付きサファイア構造体を提供する。

Description

金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体
　金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体に関する。
　アルミナの単結晶であるサファイアは、ＬＥＤ素子の材料となる窒化ガリウム（ＧａＮ）と結晶格子定数が近く、ＬＥＤ素子を作成するための窒化ガリウム結晶の成長用基板として広く用いられている。またサファイアは、窒化ガリウム結晶との結晶格子定数が近いという特性以外にも、硬度が高く傷がつき難い、熱伝導率が高い、光の透過性が高い、誘電損失が小さい、等の性質を有しており、これらサファイアの性質を用いた各種デバイスの開発が進められている。
　例えば下記特許文献１には、絶縁基板の表面にパターン化金属層が設けられた渦電流センサの例が記載されており、絶縁基板の例としてサファイア基板が挙げられている。
特開２０１２―２２０４９４号公報
　例えば特許文献１に記載された渦電流センサのように電気信号を扱うデバイスでは、サファイア基板の表面に金属層を形成する必要がある。アルミナ焼結体等の一般的なセラミックス基板の表面に金属層を形成するメタライズ技術は古くから改良が重ねられており、例えばアルミナ焼結体基板の表面に高い接合強度で金属層を形成する技術が知られている。一方、単結晶であるサファイアからなる基板の表面に金属層を形成する技術はまだ十分に確立されていないため、下記特許文献１に記載されているようにサファイア基板の表面に金属層を形成した場合、サファイアと金属層との接合強度が十分ではなく、金属層がサファイア基板から剥がれ易いといった課題があった。また、特許文献１のようにサファイア基板上に単に金属層を形成した場合、金属層部分がサファイア基板の表面から凸状に突出するので、例えばサファイア基板上にその他のデバイスを実装する場合など、サファイア基板表面に他の部材を当接させる場合において、この凸状に突出した金属層がサファイア基板の表面に他の部材を当接する際の障害となる等の課題があった。
　上記課題を解決するために、平坦面を有し、前記平坦面に凹部が設けられたサファイア構造体と、前記凹部の内部に配置されて前記凹部の内面と接合した金属体とを有し、前記金属体は前記平坦面と面一な表面部分を備えることを特徴とする金属体付きサファイア構造体を提供する。
　また、平坦面を有するサファイア構造体の前記平坦面の一部を加工して前記平坦面に凹部を形成する工程と、前記凹部内に、金属粒子と溶媒とを含む金属ペーストを塗布する工程と、前記金属ペーストが塗布された前記サファイア構造体を加熱して前記金属ペーストに含まれる溶媒を蒸発させるとともに前記金属粒子同士を結合させて、前記凹部の内部に配置されて前記凹部の内面と接合した金属体を形成する工程と、前記平坦面と前記金属体の表面とを研磨する工程とを有し、前記研磨する工程では、前記平坦面とともに前記金属体の表面を同時に研磨することで、前記金属体の表面の少なくとも一部を前記平坦面と面一とすることを特徴とする金属体付きサファイア構造体の製造方法も併せて提供する。
　金属体がサファイア構造体から剥がれ難く、かつサファイア基板表面に他の部材を比較的容易に当接させることができる。また、金属体がサファイア構造体から離れ難い金属体付きサファイア構造体を、少ない工程で比較的容易に製造することができる。
（ａ）および（ｂ）は、金属体付きサファイア構造体の一実施形態について説明する図であり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は概略断面図である。 図１に示す金属体付きサファイア構造体を用いて構成された装置の一実施形態の断面図である。 図１（ｂ）の部分拡大図である。 金属体付きサファイア構造体の他の実施形態の図３に相当する断面図である。 金属体付きサファイア構造体を用いた金属パターン付き部材の一実施形態の断面図である。 （ａ）～（ｅ）は、金属体付きサファイア構造体の製造方法の一実施形態を示す断面図である。 金属体付き構造体の一実施形態を用いて構成された電子機器の斜視図である。 金属体付き構造体の一実施形態を用いて構成された電子機器の前面図である。 金属体付き構造体の一実施形態を用いて構成された電子機器の背面図である。 金属体付き構造体の一実施形態を用いて構成された電子機器の分解した状態での斜視図である。 （ａ）は裏面側パネルの斜視図であり、（ｂ）は断面図である。 金属体付きサファイア構造体の他の実施形態の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 電子機器の電気的構成を示すブロック図である。 （ａ）は圧電振動素子の構造を示す上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）および（ｄ）は圧電振動素子の動作時の状態について示す側面図である。 電子機器の使用者の耳の構造を示す図である。
　以下、金属体付きサファイア構造体の一実施形態、および金属体付きサファイア構造体の製造方法の一実施形態について詳細に説明する。図１（ａ）および（ｂ）は、金属体付きサファイア構造体の一実施形態である金属体付きサファイア構造体１０（以下、単に金属体付き構造体１０ともいう）について説明する図であり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は概略断面図である。
　金属体付き構造体１０は、平坦面１１Ａを有し、平坦面１１Ａに凹部１２が設けられたサファイア構造体１１と、凹部１２の内部に配置されて凹部１２の内面１３と接合した金属体２０とを有し、金属体２０は平坦面１１Ａと面一な表面部分２０Ａを備えている。サファイア構造体１１は、平坦面１１Ａを第１の主面とする板状体であって、第１の主面である平坦面１１Ａの反対側に位置する第２の主面１１Ｂを有している。サファイア構造体１１は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の単結晶であるサファイアからなり、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を７５質量％以上含んでいる。サファイア構造体は、さらに酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を例えば９５質量％以上含んでいることが好ましい。なお、平坦面１１Ａと金属体２０の表面部分２０Ａが面一とは、平坦面１１Ａと金属体２０の表面部分２０Ａとの高さの差が±５００μｍ未満であることをいう。平坦面１１Ａと金属体２０の表面部分２０Ａとの高さの差は、±１００μｍ未満であることが好ましい。また、この高さの差は±１０μｍ未満であることがさらに好ましく、±１μｍ未満であることがさらに好ましく、±０．１μｍ未満であることがさらに好ましい。
　本実施形態では金属体２０は銀（Ａｇ）を主成分とする。また、金属体２０は銅（Ｃｕ）さらにはチタン（Ｔｉ）を含んでいる。また本実施形態の金属体付き構造体１０では、平坦面１１Ａの算術平均粗さ（Ｒａ）に比べて、平坦面１１Ａと面一な金属体２０の表面部分２０Ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。また、平坦面１１Ａの算術平均粗さが１０ｎｍ以下であることが好ましく、さらにいえば平坦面１１Ａの算術平均粗さが１ｎｍ以下であることが好ましい。金属体付き構造体１０では、金属体２０が凹部１２の内部に配置されて凹部１２の内面１３と接合しており、金属体２０が構造体１０から剥がれ難くなっている。なお算術平均粗さはＪＩＳ規格Ｂ０６０１－２００１に準拠する測定方法で測定した値を用いればよい。
　図２は、金属体付き構造体１０を用いて構成された装置の一実施形態の断面図である。図２に示す実施形態の装置１では、金属体付き構造体１０に第１デバイス３０と第２デバイス４０とを実装するとともに、金属体２０を電気配線として用いて第１デバイス３０と第２デバイス４０とを電気的に接続している。図２に示す第１デバイス３０は、電極３２を有する例えば駆動回路素子であり、第２デバイス４０は電極４２を有する例えばＬＥＤ発光素子である。金属体２０は平坦面１１Ａと面一な表面部分２０Ａを備えているので、例えば図２に示すように、第１デバイス３０や第２デバイス４０などの他の部材を金属体付き構造体１０に実装させる場合など、この面一な部分に第１デバイス３０や第２デバイス４０などの外部材を当接させることで、段差に伴う隙間等が殆ど無い状態で、第１デバイス３０や第２デバイス４０を金属体付き構造体１０に当接させることができる。サファイア構造体１１はサファイアからなり熱伝導性が高いので、サファイア構造体１１の平坦面１１Ａに少ない隙間で第１デバイス３０や第２デバイス４０などの一部を当接させることで、第１デバイス３０や第２デバイス４０から発する熱をサファイア構造体１１から効率良く逃がすことが可能となり、第１デバイス３０や第２デバイス４０の動作信頼性を高くすることができる。また、サファイア構造体１１の光透過性が高いので、装置１ではＬＥＤ発光素子である第２デバイス４０から発した光がサファイア構造体１１を透過して図２中の下側にも広い範囲で照射することもできる。装置１では、サファイア構造体１１の平坦面１１Ａと第２デバイス４０との間に余分な隙間がないので、隙間がある場合に存在する空気層とサファイア構造体１１との屈折率差等がなく、余分な反射光を抑制して図２中の下側に多くの光量の光を照射することもできる。またサファイアは電気抵抗も小さいので、サファイア構造体１１の表面を流れる暗電流が小さく抑制されるので、サファイア構造体１１の表面に実装された第１デバイス３０や第２デバイス４０の、暗電流に起因する動作不良が抑制されている。第１デバイス３０や第２デバイス４０は、例えば電磁波信号を無線で送受信するための送信器や受信器などであってもよい。サファイアは誘電損失が小さいので、このような送信器や受信器をサファイア構造体１１に実装した場合も、広範囲にわたって少ない損失で電磁波を送受信することができる。このように第１デバイス３０や第２デバイス４０の種類に特に限定はなく、各種のデバイスや機器を実装することが可能である。
　なお、金属体付き構造体１０の用途は、第１デバイス３０や第２デバイス４０等の他のデバイスや機器を実装されて用いられることに限定されない。金属体付き構造体１０は、光透過性の高いサファイア構造体１１の平坦面１１Ａと、金属的光沢を有する金属体２０の表面部分２０Ａが面一となっており、特徴ある外観を有している。例えば無線信号を送受信することができる装置を覆う筐体の一部にこの金属体付き構造体１０を用いた場合など、無線信号の送受信感度が高く、かつ筐体が高強度で割れ難く、さらに特徴的外観により優れたデザイン性を有する送受信デバイスを構成することもできる。金属体付き構造体１０は、このように各種用途に用いることができる。
　本実施形態の金属体付き構造体１０では、平坦面１１Ａの算術平均粗さ（Ｒａ）に比べて、平坦面１１Ａと面一な表面部分２０Ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が大きいので、金属体２０の表面部分２０Ａに半田層やメタライズ層（図示せず）を介して第１デバイス３０や第２デバイス４０を接合する場合など、表面の凹凸によるアンカー効果によって、これら半田層やメタライズ層と表面部分２０Ａとの接合強度が比較的高くなっている。上述のように金属体２０は凹部１２から剥がれ難くなっており、第１デバイス３０や第２デバイス４０を実装した場合、これら第１デバイス３０や第２デバイス４０および金属体２０は、サファイア構造体１１から剥がれ難くなっている。
　図３は、図１（ｂ）の一部をさらに拡大して示す図である。本実施形態では金属体２０は銀（Ａｇ）を主成分とする。金属体２０は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を含んでいる。金属体２０が二酸化珪素（ＳｉＯ２）を含んでいるので、金属体２０とサファイア構造体１１との接合強度が比較的強くなっている。また、金属体２０は銅（Ｃｕ）さらにはチタン（Ｔｉ）を含んでいる。構造体１０を例えば配線基板等として用いる場合など、銀（Ａｇ）は電気抵抗が低く導電性が高い点で好ましい。また、金属体２０が銅（Ｃｕ）を含むことで、銀（Ａｇ）のみからなる場合に比べて、金属体２０の硬度をより高くしている。また、金属体２０がチタン（Ｔｉ）を含むことで、金属体２０と凹部１２の内面１３との接合強度が比較的高くなっている。具体的には図３で示すように、金属体２０の、内面１３と接合する接合領域にチタン（Ｔｉ）を主成分とする接合層２２が形成され、金属体２０と内面１３とが比較的強く接合されている。
　また、凹部１２の内面１３は、底面１３αと側面１３βとを有し、底面１３αおよび側面１３βに対して傾斜した面（傾斜面１３γ）を、底面１３αと側面１３βとの間にさらに有する。本実施形態では、底面１３αは平坦面１１Ａと略平行であり、側面１３βは底面１３αおよび平坦面１１Ａと略垂直となっている。傾斜面１３γは、底面１３αと側面１３βそれぞれと繋がっている。底面１３αと側面１３βとは略垂直であり、傾斜面１３γがない場合、底面１３αと側面１３βとの接合部分は、底面１３αと側面１３βとが垂直に当接した角部となる。例えば金属体２０が熱膨張した場合など、このような角部に熱膨張にともなう応力が集中し易く、このような角部が起点となってクラック等の破損が生じ易い。傾斜面１３γを有する本実施形態では、傾斜面１３γと底面１３αとが緩やかな鈍角をなすように当接しており、傾斜面１３γと側面１３βとも緩やかな鈍角をなすように当接している。例えば金属体２０が熱膨張した場合も、このような鈍角で当接した部分には、熱膨張にともなう応力が集中し難い。本実施形態では、金属体２０の熱膨張にともなう応力の集中が抑制され、クラック等の破損も抑制されている。
　傾斜面１３γは、底面１３αおよび側面１３βに対して傾斜しており、底面１３αおよび側面１３βの双方に比べて算術表面粗さが大きくなっている。傾斜面１３γの算術表面粗さが大きいことで、すなわち傾斜面１３γの表面の凹凸が比較的大きいことで、金属体２０がアンカー効果によってこの傾斜面１３γと比較的強固に結合し、金属体２０が凹部１２からより剥がれ難くなっている。
　図４は、金属体付きサファイア構造体の他の実施形態の断面図である。図４に示す実施形態では、サファイア構造体１１は平坦面１１Ａを第１の主面とする板状体であり、凹部１２の底面１３αと第２主面１１Ｂとに開口を有する貫通孔１５を有する。また、さらには貫通孔１５に設けられた、金属からなるビア導体１７を備えている。図４に示す実施形態では、例えば平坦面１１Ａの側に配置した第１デバイス３０と、第２の主面１１Ｂの側に配置した第２デバイス４０とを、ビア導体１７および金属体２０を通じて導通させることができる。
　また図５は、金属体付きサファイア構造体を用いた金属パターン付き部材の一実施形態の断面図である。図５に示す金属パターン付き部材５０は、金属体付き構造体１０の金属体２０の表面部分２０Ａに、例えば金（Ａｕ）メッキ等の金属層２４を配置したものである。このように金属体２０の表面部分２０Ａに、金属体２０と異なる金属からなる金属層２４を形成し、金属体付きサファイア構造体１０の外観や電気的特性等を調整することもできる。
　図６（ａ）～（ｅ）は、金属体付きサファイア構造体の製造方法の一実施形態を示す断面図である。本実施形態では、平坦面１１Ａを有するサファイア構造体１１（図６（ａ）参照）の平坦面１１Ａの一部を加工して平坦面１１Ａに凹部１２を形成する工程（図６（ｂ）参照）と、凹部１２内に、金属粒子２１と溶媒１８とを含む金属ペースト１９を塗布する工程（図６（ｃ）参照）と、金属ペースト１９が塗布されたサファイア構造体１１を加熱して金属ペースト１９に含まれる溶媒１８を蒸発させるとともに金属粒子２１同士を結合させて、凹部１２の内部に配置されて凹部１２の内面１３と接合した金属体２０とを形成する工程（図６（ｄ）参照）と、平坦面１１Ａと金属体２０の表面２０Ａとを研磨する工程（図６（ｅ））とを有し、研磨する工程では、平坦面１１Ａとともに金属体２０の表面２０Ａを同時に研磨することで、金属体２０の表面２０Ａの少なくとも一部を平坦面１１Ａと面一とする。
　以下、各工程についてより詳細に説明しておく。まず、図６（ａ）に示すように、平坦面１１Ａを有するサファイア構造体１１として、例えば厚さ６００μｍの略円板状のサファイア基板を準備する。
　次に図６（ｂ）に示すように、例えばいわゆるマシンニングセンタ装置を用いたフライス加工等によって、サファイア構造体１１の平坦面１１Ａの一部を加工して平坦面１１Ａに凹部１２を形成する。具体的には、ダイヤモンド砥粒を付着させたいわゆるダイヤモンド電着ツールを回転させながら動かすことで、サファイア構造体１１の凹部１２に対応する部分を研削加工する。凹部１２の深さは例えば約１２０μｍとする。サファイアは高硬度の難加工性材料であり、フライス加工後の表面は比較的平坦になり難い。特に、凹部１２の内面１３のうち傾斜面１３γは、底面１３αと側面１３βに比べてダイヤモンド電着ツールが安定して当たり難いので、傾斜面１３γを傾斜した面とし易く、底面１３αおよび側面１３βの双方に比べて傾斜面１３γの算術表面粗さが大きくなっている。本実施形態では、フライス加工の後にサファイア構造体１１全体を例えば１６５０℃まで昇温して、約３時間例えば１５００～１８００℃の温度を維持するアニール処理を行う。このアニール処理によって、フライス加工後の凹部１２の内面１３に残留していた内部応力を低減することができる。
　次に図６（ｃ）に示すように、金属ペースト塗布用の筆部材などを用いて、形成した凹部１２内に、金属粒子２１と溶媒１８とを含む金属ペースト１９を塗布する。本実施形態では、凹部１２内に配置した金属ペースト１９の表面が平坦面１１Ａよりも凹部１２の底面１３α側に位置するように金属ペースト１９を塗布する。例えば凹部１２内に、厚さが６０μｍ以上かつ１２０μｍ未満となるように金属ペースト１９を塗布する。本実施形態では、金属粒子２１は銀（Ａｇ）を主成分とし、金属ペースト１９は溶媒とともに二酸化珪素（ＳｉＯ２）をさらに含む。また、金属ペースト１９はさらに銅（Ｃｕ）粒子をさらに含み、さらにチタン（Ｔｉ）粒子をさらに含む。例えば金属ペースト１９として、銀（Ａｇ）粒子を約６５質量％、銅（Ｃｕ）粒子を約２８質量％、チタン（Ｔｉ）粒子含み、二酸化珪素（ＳｉＯ２）粒子と溶媒１８とを混合させたものを用いればよい。
　次に図６（ｄ）に示すように、金属ペースト１９が塗布されたサファイア構造体１１を、例えば６００℃～９００℃に加熱して金属ペースト１９に含まれる溶媒１８を蒸発させるとともに金属粒子２１同士を結合させて、凹部１２の内部に配置されて凹部１２の内面１３と接合した金属体２０とを形成する。本実施形態では、金属ペースト１９に銅（Ｃｕ）を含むので、焼成によって銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）との化合物が形成され、銀（Ａｇ）のみからなる場合に比べて金属体２０の硬度がより高くなる。また、金属体２０がチタン（Ｔｉ）を含むので、焼成によって金属体２０の、内面１３と接合する接合領域にチタン（Ｔｉ）を主成分とする接合層２２が形成され、金属体２０と内面１３とが比較的強く接合される。また、金属ペースト１９に二酸化珪素（ＳｉＯ２）が含まれるので、焼成によってこの二酸化珪素（ＳｉＯ２）成分がサファイア構造体１１の側に拡散して、金属体２０とサファイア構造体１１との接合強度が比較的強くなる。焼成の後、必要に応じて、有機溶剤または純水等を用いて全体を洗浄する。
　次に、平坦面１１Ａと金属体２０の表面２０Ａとを研磨し、金属体２０の表面２０Ａの少なくとも一部を平坦面１１Ａと面一とする。この研磨する工程は、平坦面１１Ａは研磨されつつ金属体２０が研磨されない第１段階と、平坦面１１Ａと金属体２０とが同時に研磨される第２段階とを有する。第１段階では、研磨パッドとして銅板を用いるとともに、研磨用砥粒として粒径が約１～３μｍのダイヤモンド砥粒を用いた機械的研磨を行う。第１段階では、平坦面１１Ａの金属体２０の表面２０Ａよりも突出した部分のみを選択的に研磨して、研磨後の平坦面１１Ａを金属体２０の表面２０Ａと面一にしている。第１段階の後、研磨用砥粒として粒径が約２０～８０μｍのコロイダルシリカ砥粒を用いた化学機械研磨（いわゆるＣＭＰ）を行う。この化学機械研磨では、サファイア構造体１１の平坦面１１Ａのみでなく、金属体２０の表面部分２０Ａも同時に研磨する。この化学機械研磨によってアルミナの単結晶（サファイア）からなるサファイア構造体１１の平坦面１１Ａは、高精度に平坦化される。例えばこの化学機械研磨によって、サファイア構造体１１の平坦面１１Ａの算術平均粗さを１０ｎｍ以下とすることができ、さらには平坦面１１Ａの算術平均粗さが１ｎｍ以下とすることができる。金属体２０は、上述の金属ペースト１９中の金属粒子１７同士が結合してできた層であり、化学機械研磨による研磨では、この金属粒子１７が部分的に剥がれていくように研磨が進行する。このため、化学機械研磨後の金属体２０の表面部分２０Ａには、金属粒子１７の形状に応じた凹凸が存在し、平坦面１１Ａの算術平均粗さ（Ｒａ）に比べて、平坦面１１Ａと面一な表面部分２０Ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が大きくなっている。金属体付き構造体１０は、例えば以上の工程を経て製造することができる。なお、例えば図４に示す実施形態の金属体付き構造体を製造する場合など、例えば貫通孔１５が予め形成されたサファイア構造体１１を用い、凹部１２内に金属ペースト１９を塗布する工程の他に、貫通孔１５内に金属ペースト１９を充填させる工程を設ければよい。その他の各条件等についても特に限定されない。
　＜電子機器＞
　図７～１１は、上述の金属体付き構造体の一実施形態を用いて構成された電子機器の外観を示す図であり、図７は斜視図、図８は前面図、図９は裏面図、図１０は分解した状態での斜視図である。また、図１１（ａ）は裏面側パネル１０４を筐体１０３の内部の側から見た斜視図であり、（ｂ）はＢ－Ｂ線を含む平面による断面図である。
本実施の形態に係る電子機器１０１は、例えば、スマートフォン等の携帯機器であって、基地局及びサーバー等を通じて他の通信装置と通信することが可能である。電子機器１０１の形状は、平面視において略長方形の板状形状となっている。電子機器１０１の外装３００は、前面側パネル１０２と、筐体１０３と、裏面側パネル１０４とによって構成されている。
　前面側パネル１０２は、透明度の硬い材料で形成されている。前面側パネル１０２はサファイアを主成分としている。サファイアは強化ガラス等と比較して傷がつき難い、割れ難い、透明性が高い、熱伝導率が高いなどの特性を有する。
　前面側パネル１０２は表示領域１０２ａと周縁領域１０２ｂとを備えている。後述する表示装置１１２によって表示された文字、記号、図形、映像等の各種情報は、前面側パネル１０２における表示領域１０２ａを通して使用者に視認される。
　また図１０に示しように、前面側パネル１０２の内側主面１７１には、後述するタッチパネル１１３が貼り付けられている。使用者は、前面側パネル１０２の表示領域１０２ａを指等で操作することによって、電子機器１０１に対して各種指示を与えることができる。また、前面側パネル１０２の内側主面１７１には、圧電振動素子１１４およびマイク１１５が貼り付けられている。
　筐体１０３は、電子機器１０１の側面部分の一部を構成している。筐体１０３は、前面側パネル１０２と同様に、例えばサファイアを主成分とする。本実施形態では筐体１０３がサファイアを主成分とする例について説明するが、金属を主成分としてもよいし、一部のみをサファイアで構成してもよく、特に限定されない。また、筐体１０３以外の他の部材に関しても、材質等は特に限定されない。
　裏面側パネル１０４は、上述の金属体付きサファイア構造体の一実施形態である。裏面側パネル１０４は、平坦面（第１主面１７２）を有し、平坦面（第１主面１７２）に凹部１４１が設けられたサファイア構造体１４０と、凹部１４１の内部に配置されて凹部１４１の内面１４３と接合した金属体１４２とを有し、金属体１４２は平坦面（第１主面１７２）と面一な表面部分１４２Ａを備えている。裏面側パネル１０４は板状であって、平面視において略長方形を成している。裏面側パネル１０４は、電子機器１の裏面部分を構成している。裏面側パネル１０４は、電子機器１０１の裏面を構成する第１主面１７２と、第１主面１７２とは反対側に位置する第２主面１７３とを有している。
　図１０は、電子機器１０１の分解斜視図である。なお、図１０では、図面の煩雑さを避けるために、複数の電子部品を互いに接続する複数のケーブル（もしくは導体）や圧電振動素子１１４など、電子機器１０１が備える部品の一部の図示を省略して示している。本実施の形態では前面側パネル１０２の接合面と、筐体１０３の接合面との間に接合層が形成され、当該接合層を介して、前面側パネル１０２の接合面と筐体１０３の接合面とが接合されている。また、筐体１０３の接合面と、裏面側パネル１０４の接合面との間にも接合層が形成され、当該接合層を介して、筐体１０３の接合面と裏面側パネル１０４の接合面とが接合されている。
　なお、本実施の形態では、外装３００が、前面側パネル１０２と筐体１０３と裏面側パネル１０４とで構成される場合について説明するが、外装３００は、３つの部材を組み合わして構成される態様でなくてもよい。外装３００は、例えば、１つもしくは２つの部材のみで構成されても良いし、４つ以上の部材が組み合わされて構成されても良い。
　前面側パネル１０２の内側主面１７１には、タッチパネル１１３、圧電振動素子１１４およびマイク１１５が両面テープ等で貼り付けられている。表示装置１１２は、前面側パネル１０２およびタッチパネル１１３（より具体的には、タッチパネル１１３が貼り付けられている前面側パネル１０２）に対向するように配置されている。
ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）２０１、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）２０１などの各種部品が搭載されるプリント基板１１７および電池１１６は、表示装置１１２の裏側に配置される。図１０では図示が省略されているが、プリント基板１１７は、ケーブルによって、タッチパネル１１３等の電子機器１０１が備える部品と電気的に接続される。そして、プリント基板１１７および電池１１６に対向するように、裏面側パネル１０４が配置される。電池１１６は後述するように、裏面側パネル１０４に埋め込まれた金属体１４２によって、充電用端子１０６と接続される（図１１（ａ））。
　このように、前面側パネル１０２、筐体１０３および裏面側パネル１０４によって構成される外装３００は、ＣＰＵ２０１及びＤＳＰ２０２などの電子デバイスを収容している。外装３００内のデバイスは、その動作時に発熱する場合がある。しかし、外装３００を構成するサファイアは、電子機器の外装の材料として良く使用される樹脂と比較して放熱性が高い。そのため、デバイスの動作時に、当該デバイスから生じる熱を、外装３００を通じて電子機器１０１の外部に効率良く放熱することができる。その結果、本実施の形態における電子機器１０１では、外装３００内のデバイスの温度上昇を抑制することができるとともに、外装３００内の温度の上昇を抑制することができる。よって、電子機器１０１に動作不良が発生することを抑制することができる。
　電子機器１０１の裏面には、第１主面１７２と面一な表面を有する金属体１４２が配置されており、この金属体１４２が、アンテナ１０５（アンテナ１０５ａ，１０５ｂ）と、充電用端子１０６とを構成している。また、裏面側パネル１０４の第２主面１７３には、撮像部１０７が有するレンズ１０７ａが対向配置されている。サファイア部材は光の透過率が高いため、裏面側パネル１０４がサファイア部材であるので、外装３００内に収納された撮像部１０７によって、撮影を行うことができる。
　図１１（ａ）（ｂ）に示すように、裏面側パネル１０４は、凹部１４１の底面１４１αと第２主面１７３とに開口を有する貫通孔１７５を有する。また、さらには貫通孔１７５に充填された、金属からなるビア導体２１７を備えている。図１１（ａ）（ｂ）に示す実施形態では、電子機器１０１の裏面に露出したアンテナ１０５ａを構成する金属体１４２が、第２主面１７３の側に配置された通信回路部品等と、ビア導体２１７を介して電気的に接続されている。また、電子機器１０１の裏面に露出した端子１０６を構成する金属体１４２が、第２主面１７３の側に配置された図示しない電力端子等と、ビア導体２１７を介して電気的に接続されている。本実施形態の電子機器では、裏面側パネル１０４がサファイアを主成分としているので熱伝導率が高く、外装３００内に配置された各種のデバイスや電子回路が発した熱を、外装３００の内部から効率的に逃すことができる。またサファイアは電気抵抗も小さいので、裏面側パネル１０４に配置されたアンテナ１０５や端子１０６からの電流の漏れ（暗電流）が少なく、このような暗電流に起因する電子機器１０１の誤動作が抑制されている。また、電子機器１０１は、光透過性の裏面側パネル１０４の第１主面１７２と、金属的光沢を有する金属体１４２の表面が面一となっており、特徴ある外観を有している。電子機器１０１は、アンテナ１０５による無線信号の送受信感度が高く、暗電流による誤動作も小さく、かつ外装体３００が高強度で割れ難く、さらに特徴的外観により優れたデザイン性を有する。
　図１２は、上述の金属体付きサファイア構造体を電子機器に用いた場合について、上述と異なる実施形態について示している。図１２は、実装体６００について説明する概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。実装体６００は、第１主面６２０Ａを有し、第１主面６２０Ａに凹部６２２が設けられた実装基板６２０と、凹部６２２の内部に配置されて凹部６２２の内面と接合した金属体６３０とを有し、金属体６３０は第１主面６２０Ａと面一な表面を備えている。
　本実施形態では金属体６３０は銀（Ａｇ）を主成分とする。また、金属体２０は銅（Ｃｕ）さらにはチタン（Ｔｉ）を含んでいる。また、実装基板６２０は、凹部６２２の底面と第２主面６２０Ｂとに開口を有する貫通孔６２５を有するとともに、貫通孔６２５に充填された、金属からなるビア導体６２７を備えている。
　実装体６００では、実装基板６２０に無線通信部５１０と制御部５００とが配置されている。制御部５００はＣＰＵ５００ａ及び記憶部５００ｂ等を備えており、これらＣＰＵ５００ａと記憶部５００ｂとが第２主面６２０Ｂに実装されて制御部５００が構成されている。また、第１主面６２０Ａの側に、金属体６３０によって構成されたアンテナ５１０ａと実装基板６２０に実装された無線情報処理部５１０ｂとが配置されて無線通信部５１０が構成されている。無線情報処理部５１０ｂ、ＣＰＵ５００ａ、および記憶部５００ｂは、半導体素子を備えたデバイスである。実装体６００では、金属体６３０がアンテナ５１０ａを構成するとともに、金属体６３０やビア導体６２７を電気配線としてＣＰＵ５００ａや記憶部５００ｂ、無線情報処理部５１０ｂ等が相互に接続されている。
　実装基板６２０はサファイアからなり熱伝導性が高いので、無線通信部５１０や制御部５００から発する熱を実装基板６２０を介して効率良く逃がすことが可能である。またサファイアは電気抵抗も小さいので、実装基板６２０の表面を流れる暗電流が小さく抑制されるので、実装基板６２０の表面に実装されたＣＰＵ５００ａや記憶部５００ｂや無線情報処理部５１０ｂの、暗電流に起因する動作不良が抑制されている。
　無線情報処理部５１０ｂ、ＣＰＵ５００ａ、および記憶部５００ｂは、半導体素子を備えたデバイス部品に限定されず、例えばサファイアからなる実装基板６２０に形成した化合物半導体層を加工することで実装基板６２０と一体的に形成してもよい。図１２に示す実装体６００は、例えば電子機器１０１の外装３００の内部等に配置して用いることができる。
　＜電子機器の電気的構成＞
　図１３は、電子機器１０１の電気的構成を示すブロック図である。図１３に示されるように、電子機器１０１には、制御部１１０と、無線通信部１１１と、表示装置１１２と、タッチパネル１１３と、圧電振動素子１１４と、マイク１１５と、撮像部１０７と、電池１１６とが設けられている。電子機器１０１に設けられた、これらの構成要素は、電子機器１０１の外装３００内に収められている。
　制御部１１０は、ＣＰＵ２０１、ＤＳＰ２０２及び記憶部２０３等を備えている。制御部１１０は、電子機器１０１の他の構成要素を制御することによって、電子機器１０１の動作を統括的に管理する。記憶部２０３は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等で構成されている。記憶部２０３には、電子機器１０１を制御するための、具体的には電子機器１０１が備える無線通信部１１１、表示装置１１２等の各構成要素を制御するための制御プログラムであるメインプログラム及び複数のアプリケーションプログラム等が記憶されている。制御部１１０の各種機能は、ＣＰＵ２０１及びＤＳＰ２０２が記憶部２０３内の各種プログラムを実行することによって実現される。
　無線通信部１１１は、アンテナ１０５（アンテナ１０５ａ，１０５ｂ）を有している。無線通信部１１１は、電子機器１０１とは別の電子機器あるいはインターネットに接続されたウェブサーバ等の通信装置との通信信号の送受信を、基地局等を介してアンテナ１０５を用いて行う。
　このように、アンテナ１０５が裏面側パネル１０４に設けられていてもよく、アンテナ５１０ａが設けられた実装体６００が外装３００内に配置されていてもよい。　表示装置１１２は、例えば、液晶ディスプレイあるいは有機ＥＬディスプレイである。前述した通り、表示装置１１２によって表示された各種情報は、表示領域１０２ａを通して電子機器１０１の外部から視認される。
　タッチパネル１１３は、例えば、投影型静電容量方式のタッチパネルである。タッチパネル１１３は、前面側パネル２の内側主面１７１に貼り付けられている。タッチパネル１１３は、互いに対向配置されたシート状の二つの電極センサを備えている。使用者が指等の操作子で表示領域１０２ａに対して接触すると、タッチパネル１１３における、当該操作子と対向する部分の静電容量が変化する。そして、タッチパネル１１３は、静電容量の変化に応じた電気的な信号を制御部１１０に出力する。このように、タッチパネル１１３は、操作子の表示領域１０２ａに対する接触を検出することができる。
　圧電振動素子１１４およびマイク１１５は、前面側パネル１０２の内側主面１７１に貼り付けられている。圧電振動素子１１４は、制御部１１０から与えられる駆動電圧によって振動させられる。制御部１１０は、音信号に基づいて駆動電圧を生成し、当該駆動電圧を圧電振動素子１１４に与える。圧電振動素子１１４が、制御部１１０によって音信号に基づいて振動させられることによって、前面側パネル１０２が音信号に基づいて振動する。その結果、前面側パネル１０２から使用者に受話音が伝達される。この受話音の音量は、使用者が前面側パネル１０２に耳を近づけた際に適切に聞こえる程度の音量となっている。圧電振動素子１１４の詳細および前面側パネル１０２から使用者に伝達される受話音については後で詳細に説明する。
　なお、以下の説明では、圧電振動素子１１４によって、前面側パネル１０２から使用者に受話音が伝達される場合について説明するが、圧電振動素子１１４の代わりに、例えば、制御部１１０からの電気的な音信号を音に変換して出力するダイナミックスピーカーを採用してもよい。ダイナミックスピーカーを採用する場合には、外装３００（前面側パネル１０２、筐体１０３もしくは裏面側パネル１０４）に、レシーバ穴が設けられる。ダイナミックスピーカーから出力される音は、外装３００に設けられるレシーバ穴から外部に出力される。既述したようにサファイアは硬いため、サファイアで形成される外装３００には、レシーバ穴等といった貫通孔を設ける加工がし難い。したがって、電子機器１０１にレシーバ穴が不必要な圧電振動素子１１４を採用することで、外装３００に対する、レシーバ穴を設ける為の加工工程を削減することができ、その結果、電子機器１０１の製造を容易にすることができる。また、外装３００は、レシーバ穴が設けられることで強度が弱くなる。しかし、圧電振動素子１１４を採用した場合には、外装３００にレシーバ穴を設ける必要がないため、外装３００の強度を維持することができる。
　マイク１１５は、前面側パネル１０２の振動を、電気的な信号に変換して制御部１１０に出力する。前面側パネル１０２の振動は、通話等の際に、使用者の音声等によって発生する。
　なお、マイク１１５は、前面側パネル１０２の振動を電気的な信号に変換するものではなく、使用者の音声等の空気振動を直接電気的な信号に変換して制御部１１０に出力するものであってもよい。この場合には、外装３００（前面側パネル１０２、筐体１０３もしくは裏面側パネル１０４）にマイク穴が設けられる。使用者の音声等は、マイク穴から電子機器１０１の内部に取り込まれてマイク１１５に入力される。
　撮像部１０７は、静止画像及び動画像を撮像する。電池１１６は、電子機器１０１の電源を出力する。電池１１６から出力された電源は、電子機器１０１が備える制御部１１０及び無線通信部１１１などに含まれる各電子部品に対して供給される。
　＜圧電振動素子の詳細＞
　図１４（ａ）は、圧電振動素子１１４の構造を示す上面図、図１４（ｂ）は側面図である。図１４（ｃ）および（ｄ）は、圧電振動素子１１４の動作時の状態について示す側面図である。図１４（ａ）および（ｂ）に示されるように、圧電振動素子１１４は一方向に長い形状を成している。具体的には、圧電振動素子１１４は、平面視で長方形の細長い板状を成している。圧電振動素子１１４は、例えばバイモルフ構造を有している。圧電振動素子１１４は、シム材１１４ｃを介して互いに貼り合わされた第１圧電セラミック板１１４ａ及び第２圧電セラミック板１１４ｂを備えている。
　圧電振動素子１１４では、第１圧電セラミック板１１４ａに対して正の電圧を印加し、第２圧電セラミック板１１４ｂに対して負の電圧を印加すると、第１圧電セラミック板１１４ａは長手方向に沿って伸び、第２圧電セラミック板１１４ｂは長手方向に沿って縮むようになる。これにより、図１４（ｃ）に示されるように、圧電振動素子１１４は、第１圧電セラミック板１１４ａを外側にして山状に撓むようになる。
　一方で、圧電振動素子１１４では、第１圧電セラミック板１１４ａに対して負の電圧を印加し、第２圧電セラミック板１１４ｂに対して正の電圧を印加すると、第１圧電セラミック板１１４ａは長手方向に沿って縮み、第２圧電セラミック板１１４ｂは長手方向に沿って伸びるようになる。これにより、図１４（ｄ）に示されるように、圧電振動素子１１４は、第２圧電セラミック板１１４ｂを外側にして山状に撓むようになる。
　圧電振動素子１１４は、図１４（ｃ）の状態と図１４（ｄ）の状態とを交互にとることによって、撓み振動を行う。制御部１１０は、第１圧電セラミック板１１４ａと第２圧電セラミック板１１４ｂとの間に、正の電圧と負の電圧とが交互に現れる交流電圧を印加することによって、圧電振動素子１１４を撓み振動させる。
　なお、図１４に示される圧電振動素子１１４では、シム材１１４ｃを間に挟んで貼り合わされた第１圧電セラミック板１１４ａ及び第２圧電セラミック板１１４ｂから成る構造が１つだけ設けられていたが、複数の当該構造を積層させても良い。
　このような構造を有する圧電振動素子１１４は、前面側パネル１０２の内側主面１７１の周端部に配置される。具体的には、圧電振動素子１１４は、前面側パネル１０２の内側主面１７１の上側端部における、短手方向（左右方向）の中央部に配置される。また、圧電振動素子１１４は、その長手方向が、前面側パネル１０２の短手方向に沿うように配置される。これにより、圧電振動素子１１４は、前面側パネル１０２の短手方向に沿って撓み振動を行う。そして、圧電振動素子１１４の長手方向の中心は、前面側パネル１０２の内側主面１７１の上側端部における短手方向の中心と一致している。
　撓み振動を行う圧電振動素子１１４では、その長手方向の中心が最も変位量が大きくなる。したがって、圧電振動素子１１４の長手方向の中心が、前面側パネル１０２の内側主面１７１の上側端部における短手方向の中心と一致することによって、圧電振動素子１１４における、撓み振動での変位量が最大となる箇所が、前面側パネル２の内側主面１７１の上側端部における短手方向の中心に一致するようになる。
　＜受話音の発生について＞
　本実施の形態に係る電子機器１０１では、圧電振動素子１１４が前面側パネル１０２を振動させることによって、当該前面側パネル１０２から気導音及び伝導音が使用者に伝達される。言い換えれば、圧電振動素子１１４自身の振動が前面側パネル１０２に伝わることにより、当該前面側パネル１０２から気導音及び伝導音が使用者に伝達される。
　ここで、気導音とは、外耳道孔（いわゆる「耳の穴」）に入った音波（空気振動）が鼓膜を振動させることによって、人の脳で認識される音である。一方で、伝導音とは、耳介が振動させられ、その耳介の振動が鼓膜に伝わって当該鼓膜が振動することによって、人の脳で認識される音である。以下に、気導音及び伝導音について詳細に説明する。
　図１５は気導音及び伝導音を説明するための図である。図１５には、電子機器１０１の使用者の耳の構造が示されている。図１５においては、破線５００は気道音が脳で認識される際の音信号（音情報）の伝導経路を示している。実線５１０は伝導音が脳で認識される際の音信号の伝導経路を示している。
　前面側パネル１０２に取り付けられた圧電振動素子１１４が、受話音を示す電気的な音信号に基づいて振動させられると、前面側パネル１０２が振動して、当該前面側パネル１０２から音波が出力される。使用者が、電子機器１０１を手に持って、当該電子機器１０１の前面側パネル１０２を当該使用者の耳介４００に近づけると、あるいは当該電子機器１０１の前面側パネル１０２を当該使用者の耳介４００に当てると（接触させると）、当該前面側パネル１０２から出力される音波が外耳道孔４１０に入る。前面側パネル１０２からの音波は、外耳道孔４１０内を進み、鼓膜４２０を振動させる。鼓膜４２０の振動は耳小骨４３０に伝わり、耳小骨４３０が振動する。そして、耳小骨４３０の振動は蝸牛４４０に伝わって、蝸牛４４０において電気信号に変換される。この電気信号は、聴神経４５０を通って脳に伝達され、脳において受話音が認識される。このようにして、前面側パネル１０２から使用者に対して気導音が伝達される。
　また、使用者が、電子機器１０１を手に持って、当該電子機器１０１の前面側パネル１０２を当該使用者の耳介４００に当てると、耳介４００が、圧電振動素子１１４によって振動させられている前面側パネル１０２によって振動させられる。耳介４００の振動は鼓膜４２０に伝わり、鼓膜４２０が振動する。鼓膜４２０の振動は耳小骨４３０に伝わり、耳小骨４３０が振動する。そして、耳小骨４３０の振動は蝸牛４４０に伝わり、蝸牛４４０において電気信号に変換される。この電気信号は、聴神経４５０を通って脳に伝達され、脳において受話音が認識される。このようにして、前面側パネル１０２から使用者に対して伝導音が伝達される。図１５では、耳介４００内部の耳介軟骨４００ａも示されている。
　なお、ここでの伝導音は、骨導音（「骨伝導音」とも呼ばれる）とは異なるものである。骨導音は、頭蓋骨を振動させて、頭蓋骨の振動が直接蝸牛などの内耳を刺激することによって、人の脳で認識される音である。図１５においては、例えば下顎骨６００を振動させた場合において、骨伝導音が脳で認識される際の音信号の伝達経路を複数の円弧５２０で示している。
　このように、本実施の形態では、圧電振動素子１１４が前面の前面側パネル１０２を適切に振動させることによって、前面側パネル１０２から電子機器１０１の使用者に対して気導音及び伝導音を伝えることができる。使用者は、前面側パネル１０２に耳（耳介）を近づけることによって当該前面側パネル１０２からの気導音を聞くことができる。また使用者は、前面側パネル１０２に耳（耳介）を接触させることによって当該前面側パネル１０２からの気導音及び伝導音を聞くことができる。本実施の形態に係る圧電振動素子１１４では、使用者に対して適切に気導音及び伝導音を伝達できるように、その構造が工夫されている。使用者に対して気導音及び伝導音を伝えることができるように電子機器１０１を構成することによって様々メリットが発生する。
　例えば、使用者は、前面側パネル１０２を耳に当てれば音が聞こえることから、電子機器１０１において耳を当てる位置をそれほど気にすることなく通話を行うことができる。
　また、使用者は、周囲の騒音が大きい場合には、耳を前面側パネル１０２に強く押し当てることによって、伝導音の音量を大きくしつつ、周囲の騒音を聞こえにくくすることができる。よって、使用者は、周囲の騒音が大きい場合であっても、適切に通話を行うことができる。
　また、使用者は、耳栓やイヤホンを耳に取り付けた状態であっても、前面側パネル１０２を耳（より詳細には耳介）に当てることによって、電子機器１０１からの受話音を認識することができる。また、使用者は、耳にヘッドホンを取り付けた状態であっても、当該ヘッドホンに前面側パネル１０２を当てることによって、電子機器１０１からの受話音を認識することができる。
　上記の例では、いわゆるスマートフォン等の携帯電子機器に適用する場合を例にあげて説明したが、スマートフォン等の携帯電子機器以外の電子機器、例えばタブレット端末や腕時計等にも、本書に記載の各種構成を適用することができる。
　以上のように、電子機器１０１は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
１０　金属体付き構造体
１１　サファイア構造体
１１Ａ　平坦面
１１Ｂ　第２の主面
１２　凹部
１３　内面
１３α　底面
１３β　側面
１３γ　傾斜面
１７　金属粒子
１８　溶媒
１９　金属ペースト
２０　金属体
２０Ａ　表面部分
３０　第１デバイス
４０　第２デバイス

Claims (20)

  1. 　平坦面を有し、前記平坦面に凹部が設けられたサファイア構造体と、
    前記凹部の内部に配置されて前記凹部の内面と接合した金属体とを有し、
    前記金属体は前記平坦面と面一な表面部分を備えることを特徴とする金属体付きサファイア構造体。
  2. 　前記金属体は銀を主成分とすることを特徴とする請求項１記載のサファイア構造体。
  3. 　前記金属体は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を含むことを特徴とする請求項２記載の金属体付きサファイア構造体。
  4. 前記金属体は、銅（Ｃｕ）を含むことを特徴とする請求項２または３記載の金属体付きサファイア構造体。
  5. 　前記金属体は、チタン（Ｔｉ）を含むことを特徴とする請求項２～４のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体。
  6. 前記金属体は、前記内面と接合する接合領域にチタン（Ｔｉ）を主成分とする接合層を有することを特徴とする請求項５記載の金属体付きサファイア構造体。
  7. 　前記凹部の前記内面は、底面と側面とを有し、前記底面および前記側面に対して傾斜した面を、前記底面と前記側面との間にさらに有することを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体。
  8. 　前記平坦面を第１主面とする板状体であり、前記凹部の底面と前記第１主面の反対側に位置する第２主面とに開口を有する貫通孔を有していることを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体。
  9. 　前記貫通孔に設けられた、金属からなるビア導体を備えることを特徴とする請求項８記載の金属体付きサファイア構造体。
  10. 　前記平坦面の算術平均粗さ（Ｒａ）に比べて、前記平坦面と面一な前記金属体の表面部分の算術平均粗さ（Ｒａ）が大きいことを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体。
  11. 　前記平坦面の算術平均粗さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体。
  12. 　前記平坦面の算術平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の金属体付きサファイア構造体。
  13. 　平坦面を有するサファイア構造体の前記平坦面の一部を加工して前記平坦面に凹部を形成する工程と、
    　前記凹部内に、金属粒子と溶媒とを含む金属ペーストを塗布する工程と、
    　前記金属ペーストが塗布された前記サファイア構造体を加熱して前記金属ペーストに含まれる溶媒を蒸発させるとともに前記金属粒子同士を結合させて、前記凹部の内部に配置されて前記凹部の内面と接合した金属体を形成する工程と、
    　前記平坦面と前記金属体の表面とを研磨する工程とを有し、
    　前記研磨する工程では、前記平坦面とともに前記金属体の表面を同時に研磨することで、前記金属体の表面の少なくとも一部を前記平坦面と面一とすることを特徴とする金属体付きサファイア構造体の製造方法。
  14. 　前記金属粒子は銀を主成分とし、前記金属ペーストは二酸化珪素を含むことを特徴とする請求項１３記載の金属体付きサファイア構造体の製造方法。
  15. 　前記金属ペーストは銅粒子をさらに含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の金属体付きサファイア構造体の製造方法。
  16. 　前記金属ペーストはチタン粒子をさらに含むことを特徴とする請求項１３～１５のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体の製造方法。
  17. 　前記塗布する工程は、前記凹部内に配置した前記金属ペーストの表面が前記平坦面よりも前記凹部の底面側に位置するように前記金属ペーストを塗布し、
    　前記研磨する工程は、前記平坦面が研磨されつつ前記金属体が研磨されない第１段階と、前記平坦面と前記金属体とが同時に研磨される第２段階とを有することを特徴とする請求項１３～１６のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体の製造方法。
  18. 　デバイスと、
    　前記デバイスを収容する外装とを備え、
    　前記外装の少なくとの一部に、請求項１～１２のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体を用いたことを特徴とする電子機器。
  19. 　デバイスと、
    　前記デバイスが配置される実装体とを備え、
    　前記実装体の少なくとの一部に、請求項１～１２のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体を用いたことを特徴とする電子機器。
  20. 　電子機器に用いられる外装であって、請求項１～１２のいずれかに記載の金属体付きサファイア構造体を用いて構成されたことを特徴とする外装体。
PCT/JP2014/078878 2013-10-30 2014-10-30 金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体 WO2015064682A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14856813.2A EP3065168B1 (en) 2013-10-30 2014-10-30 Sapphire structure having attached metal body, method for manufacturing sapphire structure having attached metal body, electronic device, and outer package
JP2015545292A JP6174709B2 (ja) 2013-10-30 2014-10-30 金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体
CN201480059397.XA CN105723507B (zh) 2013-10-30 2014-10-30 带金属体的蓝宝石结构体及其制造方法、电子设备、以及外装体

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013225829 2013-10-30
JP2013-225829 2013-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015064682A1 true WO2015064682A1 (ja) 2015-05-07

Family

ID=52994453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/078878 WO2015064682A1 (ja) 2013-10-30 2014-10-30 金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9171899B2 (ja)
EP (1) EP3065168B1 (ja)
JP (2) JP2015111649A (ja)
CN (1) CN105723507B (ja)
WO (1) WO2015064682A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104798185B (zh) * 2012-11-15 2018-04-10 日产自动车株式会社 Au系钎料模片接合半导体装置及其制造方法
US10579097B2 (en) 2015-09-04 2020-03-03 Apple Inc. Electronic device with contacts flush with housing
US9948018B2 (en) * 2015-09-08 2018-04-17 Apple Inc. Low-profile power and data contacts
US12095442B2 (en) * 2018-09-25 2024-09-17 Kyocera Corporation Composite substrate, piezoelectric device, and method for manufacturing composite substrate
DE102020114527B4 (de) * 2020-05-29 2023-11-30 Infineon Technologies Ag Chipgehäuse und verfahren zum bilden eines chipgehäuses

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152103A (ja) * 1992-11-05 1994-05-31 Hitachi Cable Ltd パターン状金属層を有するプラスチック成形品およびその製造方法
JPH07106459A (ja) * 1993-10-06 1995-04-21 Ngk Spark Plug Co Ltd サファイア基材表面へのメタライズ層の形成方法
JP2000344584A (ja) * 1999-06-01 2000-12-12 Ngk Insulators Ltd セラミックスと金属との接合構造およびこれに使用する中間挿入材
JP2002141643A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Kyocera Corp バンプ付電子部品の実装構造
JP2002257659A (ja) * 2001-02-27 2002-09-11 Minebea Co Ltd 高温計測用半導体式圧力センサ
JP2004053290A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Minebea Co Ltd 超高温型荷重計およびその製造方法
JP2011259513A (ja) * 2011-09-29 2011-12-22 Toshiba Corp 無線装置
JP2012174053A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Sony Corp カバー材及び電子機器
JP2012220494A (ja) 2011-04-04 2012-11-12 General Electric Co <Ge> インダクタおよびインダクタを含む渦電流センサ
JP2013193943A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Toyota Central R&D Labs Inc 高耐熱部材およびその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151574A (en) * 1974-05-24 1979-04-24 U.S. Philips Corporation Magnetic head using a magnetic field-sensitive element and method of manufacturing same
JPH08125412A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Mitsubishi Electric Corp 伝送線路，及びその製造方法
JPH08204049A (ja) * 1995-01-20 1996-08-09 Sony Corp 光学部品用パッケージの製造方法
JPH1056060A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4557454B2 (ja) 2000-10-31 2010-10-06 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板
JP2002141543A (ja) 2000-11-06 2002-05-17 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2004153089A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2004153090A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US20050269577A1 (en) * 2004-06-08 2005-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface treatment method and surface treatment device
JP4818732B2 (ja) * 2005-03-18 2011-11-16 シャープ株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP4879614B2 (ja) * 2006-03-13 2012-02-22 住友化学株式会社 ３−５族窒化物半導体基板の製造方法
CN101610870B (zh) * 2007-10-16 2013-09-11 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的u形槽加工方法以及使用该方法的去除加工方法、打孔加工方法和倒角方法
JP2010186842A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Murata Mfg Co Ltd 配線導体の形成方法および配線基板
TWI394873B (zh) * 2009-04-27 2013-05-01 Aurotek Corp 具有週期結構之藍寶石基板之製造方法
JP5310411B2 (ja) 2009-09-07 2013-10-09 富士通モバイルコミュニケーションズ株式会社 携帯電話機
JP5273081B2 (ja) * 2010-03-30 2013-08-28 豊田合成株式会社 半導体発光素子
FR2960562B1 (fr) * 2010-05-31 2012-05-25 Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs Monocristal texture
JP2011066449A (ja) * 2010-12-20 2011-03-31 Fujikura Ltd 貫通配線基板の製造方法、複合基板の製造方法、及びこれらの製造方法により形成された貫通配線基板や複合基板を用いた電子装置の製造方法
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
US9429997B2 (en) 2012-06-12 2016-08-30 Apple Inc. Electronic device with wrapped display
US20140023430A1 (en) 2012-07-19 2014-01-23 Apple Inc. Attachment Techniques
US9221289B2 (en) 2012-07-27 2015-12-29 Apple Inc. Sapphire window

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06152103A (ja) * 1992-11-05 1994-05-31 Hitachi Cable Ltd パターン状金属層を有するプラスチック成形品およびその製造方法
JPH07106459A (ja) * 1993-10-06 1995-04-21 Ngk Spark Plug Co Ltd サファイア基材表面へのメタライズ層の形成方法
JP2000344584A (ja) * 1999-06-01 2000-12-12 Ngk Insulators Ltd セラミックスと金属との接合構造およびこれに使用する中間挿入材
JP2002141643A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Kyocera Corp バンプ付電子部品の実装構造
JP2002257659A (ja) * 2001-02-27 2002-09-11 Minebea Co Ltd 高温計測用半導体式圧力センサ
JP2004053290A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Minebea Co Ltd 超高温型荷重計およびその製造方法
JP2012174053A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Sony Corp カバー材及び電子機器
JP2012220494A (ja) 2011-04-04 2012-11-12 General Electric Co <Ge> インダクタおよびインダクタを含む渦電流センサ
JP2011259513A (ja) * 2011-09-29 2011-12-22 Toshiba Corp 無線装置
JP2013193943A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Toyota Central R&D Labs Inc 高耐熱部材およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3065168A4

Also Published As

Publication number Publication date
EP3065168B1 (en) 2020-08-12
JP6174709B2 (ja) 2017-08-02
US20150115414A1 (en) 2015-04-30
US9171899B2 (en) 2015-10-27
CN105723507B (zh) 2018-07-24
JP2015111649A (ja) 2015-06-18
JPWO2015064682A1 (ja) 2017-03-09
CN105723507A (zh) 2016-06-29
EP3065168A1 (en) 2016-09-07
EP3065168A4 (en) 2017-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6174709B2 (ja) 金属体付きサファイア構造体、金属体付きサファイア構造体の製造方法、電子機器、および外装体
CN105830135B (zh) 电子设备
JP6023122B2 (ja) 電子機器
WO2015093269A1 (ja) 電子機器および透光性カバー基板
JP6527207B2 (ja) 電子機器および電子機器用の透光性カバー基板
WO2015098572A1 (ja) 電子機器
US9595992B2 (en) Electronic apparatus
WO2015008601A1 (ja) 電子機器
WO2015199138A1 (ja) 電子機器
JP6279314B2 (ja) 電子機器
JP6382511B2 (ja) 電子機器
JP2015143810A (ja) 電子機器、透光性カバー基板および透光性カバー基板の製造方法
JP2015141960A (ja) 電子機器
JP2015126090A (ja) 電子機器及び外装
WO2015098944A1 (ja) 携帯端末およびサファイアパネル

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14856813

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015545292

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2014856813

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2014856813

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE