WO2015063915A1 - 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 - Google Patents
共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2015063915A1 WO2015063915A1 PCT/JP2013/079543 JP2013079543W WO2015063915A1 WO 2015063915 A1 WO2015063915 A1 WO 2015063915A1 JP 2013079543 W JP2013079543 W JP 2013079543W WO 2015063915 A1 WO2015063915 A1 WO 2015063915A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- resonance
- circuit
- power supply
- supply device
- high frequency
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
- H02J50/12—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/20—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using microwaves or radio frequency waves
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/538—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0048—Circuits or arrangements for reducing losses
- H02M1/0054—Transistor switching losses
- H02M1/0058—Transistor switching losses by employing soft switching techniques, i.e. commutation of transistors when applied voltage is zero or when current flow is zero
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/4815—Resonant converters
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Definitions
- the present invention relates to a resonance type high frequency power supply device that transmits power at a high frequency and a switching circuit for the resonance type high frequency power supply device.
- a high frequency FET Field Effect Transistor
- RF Radio Frequency
- a transformer type drive circuit 101 and an RF power amplifier circuit 102 are used to drive the high-frequency FET, and a multi-output type power supply circuit 103 is used to drive the RF power amplifier circuit 102 (for example, non-patented). Reference 1).
- Non-Patent Document 1 the transformer type drive circuit 101, the RF power amplifier circuit 102, and the multi-output type power supply circuit 103 are used to drive the power element Q1, so that the circuit configuration is complicated. As a result, the number of parts increases, the apparatus becomes larger, and the cost increases. Further, since the power consumption in each of the circuits 101 to 103 is large, there is a problem that the power consumption of the entire resonance type high frequency power supply device is increased, which causes a decrease in power conversion efficiency.
- the present invention has been made to solve the above-described problems.
- a power element without using a transformer type drive circuit, an RF power amplifier circuit and a multi-output type power supply circuit, the device can be simplified.
- a resonant high-frequency power supply device capable of operating at a high frequency exceeding 2 MHz, and a switching circuit for the resonant high-frequency power supply device, to achieve downsizing, cost reduction, high efficiency with low power consumption It is an object.
- a resonance type high frequency power supply device is a resonance type high frequency power supply device including a power element that performs a switching operation, and sends a high-frequency pulsed voltage signal exceeding 2 MHz to the power element.
- the power device is driven without using the transformer type drive circuit, the RF power amplifier circuit, and the multi-output type power supply circuit, so that the apparatus can be simplified, downsized, and reduced in size. Costs are reduced, high efficiency is achieved with low power consumption, and high-frequency operation exceeding 2 MHz is possible.
- FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a resonance type high frequency power supply device according to Embodiment 1 of the present invention.
- FIG. 1 shows a circuit when the power element Q1 has a single configuration.
- the resonance type high frequency power supply device includes a power element Q1, a resonance circuit element (capacitors C1, C2 and an inductor L2), an inductor L1, a high frequency pulse drive circuit 1, a variable pulse signal generation circuit 2, and a bias circuit.
- the power supply circuit 3 is configured.
- the resonant transmitting antenna (power transmitting transmitting antenna) 10 is a power transmitting resonant antenna having LC resonance characteristics (not limited to a non-contact type).
- the resonant transmission antenna 10 may be any of a magnetic field resonance type, an electric field resonance type, and an electromagnetic induction type.
- the power element Q1 is a switching element that performs a switching operation in order to convert the input DC voltage Vin into AC.
- the power element Q1 is not limited to an RF FET, and for example, an element such as Si-MOSFET, SiC-MOSFET, or GaN-FET can be used.
- the resonant circuit elements are elements for resonant switching of the switching operation of the power element Q1. Resonance conditions can be matched with the resonant transmission antenna 10 by the resonant circuit element including the capacitors C1 and C2 and the inductor L2.
- the inductor L1 functions to temporarily hold the energy of the input DC voltage Vin for each switching operation of the power element Q1.
- the high-frequency pulse drive circuit 1 is a circuit for driving the power element Q1 by sending a high-frequency pulsed voltage signal exceeding 2 MHz to the G terminal of the power element Q1.
- the high-frequency pulse drive circuit 1 is a circuit configured so that a high-speed ON / OFF output can be performed by using an FET element or the like as an output portion and a totem pole circuit configuration.
- the variable pulse signal generation circuit 2 is a circuit that drives the high-frequency pulse drive circuit 1 by sending a high-frequency pulsed voltage signal exceeding 2 MHz, such as a logic signal, to the high-frequency pulse drive circuit 1.
- the variable pulse signal generation circuit 2 includes a frequency setting oscillator and a logic IC such as a flip-flop or an inverter, and has functions such as a pulse width change and an inverted pulse output.
- the bias power supply circuit 3 supplies drive power to the variable pulse signal generation circuit 2 and the high-frequency pulse drive circuit 1.
- the input DC voltage Vin is applied to the D terminal of the power element Q1 through the inductor L1.
- the power element Q1 converts the voltage into a positive AC voltage by an ON / OFF switching operation.
- the inductor L1 temporarily holds energy to assist in converting power from direct current to alternating current.
- the switching operation of the power element Q1 is a resonance circuit element including capacitors C1 and C2 and an inductor L2 so that ZVS (zero voltage switching) is established so that the switching loss due to the Ids current and the Vds voltage product is minimized.
- Resonant switching conditions are set.
- the power element Q1 is driven by inputting a pulsed voltage signal output from the high-frequency pulse drive circuit 1 that receives an arbitrary pulsed voltage signal from the variable pulse signal generation circuit 2 to the G terminal of the power element Q1. Is going on. At this time, the drive frequency of the power element Q1 becomes the operating frequency of the resonance type high frequency power supply device and is determined by the setting of the oscillator circuit in the variable pulse signal generation circuit 2.
- a pulsed voltage signal is output using the high-frequency pulse drive circuit 1, the variable pulse signal generation circuit 2, and the bias power supply circuit 3.
- the resonance type high frequency power supply device that operates at a high frequency exceeding 2 MHz without using the transformer type drive circuit 101, the RF power amplifier circuit 102, and the multi-output type power supply circuit 103 of the prior art, Simplification, downsizing, and cost reduction can be achieved, and high power conversion efficiency characteristics of 90% or more can be obtained with low power consumption.
- an element (resonance type high frequency power supply switching circuit) 4 in which each part is hybridized may be used.
- 2 shows an element 4 in which the power element Q1 and the high-frequency pulse drive circuit 1 are hybridized.
- FIG. 3 shows an element 4 in which the power element Q1 and the capacitor C1 are hybridized.
- FIG. 4 shows the power element Q1, the capacitor C1, and the high-frequency.
- FIG. 5 shows an element 4 in which the pulse drive circuit 1 is hybridized.
- FIG. 5 shows an element 4 in which the power element Q1, the capacitor C1, the high-frequency pulse drive circuit 1 and the variable pulse signal generation circuit 2 are hybridized.
- 7 shows the element 4 in which the Q1 and the capacitor C2 are hybridized, FIG.
- FIG. 7 shows the element 4 in which the power element Q1, the capacitor C2, and the high-frequency pulse drive circuit 1 are hybridized
- FIG. 8 shows the hybrid of the power element Q1 and the capacitors C1 and C2.
- FIG. 9 shows a power element Q1 and a capacitor.
- FIG. 10 shows an element 4 in which the power element Q1, capacitors C1 and C2, the high frequency pulse drive circuit 1 and the variable pulse signal generation circuit 2 are hybridized. Show.
- the circuit 1 shows the circuit in the case where the power element Q1 has a single configuration, but the circuit is not limited to this.
- the present invention also applies to the case where the power element Q1 has a push-pull configuration. Is applicable.
- the resonance condition variable LC circuit 5 that makes the resonance condition variable may be used.
- a resonance condition variable circuit 6 that varies the resonance condition by the resonance circuit elements (capacitors C1 and C2 and inductor L2) may be provided separately.
- the present invention can be modified with any component of the embodiment or omitted with any component of the embodiment.
- the resonance type high frequency power supply device and the switching circuit for the resonance type high frequency power supply device according to the present invention can simplify the device by driving a power element without using a transformer type drive circuit, an RF power amplifier circuit and a multi-output type power supply circuit.
- Resonance-type high-frequency power supply apparatus and resonance-type high-frequency power supply device that achieves reduction in size, size, and cost, achieves high efficiency with low power consumption, enables high-frequency operation exceeding 2 MHz, and transmits power at high frequency Suitable for use in power supply device switching circuits and the like.
- High frequency pulse drive circuit 2. Variable pulse signal generation circuit, 3. Power supply circuit for bias, 4. Hybrid element (switching circuit for resonance type high frequency power supply device), 5. Resonance condition variable LC circuit, 6. Resonance condition variable circuit, 10. Resonant transmission antenna (power transmission antenna).
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
スイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置であって、パワー素子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該パワー素子を駆動させる高周波パルスドライブ回路１と、高周波パルスドライブ回路１に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該高周波パルスドライブ回路１を駆動させる可変型パルス信号発生回路２と、可変型パルス信号発生回路２及び高周波パルスドライブ回路１に駆動電力を供給するバイアス用電源回路３とを備えた。
Description
この発明は、高周波数で電力伝送を行う共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路に関するものである。
図１４に示す従来の共振型高周波電源装置では、パワー素子Ｑ１として、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）用の高周波ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いている。そして、この高周波ＦＥＴを駆動するためにトランス型ドライブ回路１０１及びＲＦパワーアンプ回路１０２を用い、さらに、ＲＦパワーアンプ回路１０２を駆動するために多出力型電源回路１０３を用いている（例えば非特許文献１参照）。
トランジスタ技術２００５年２月号１３章
しかしながら、非特許文献１に開示された従来構成では、パワー素子Ｑ１を駆動するためにトランス型ドライブ回路１０１、ＲＦパワーアンプ回路１０２及び多出力型電源回路１０３を用いているため、回路構成が複雑で部品点数も多くなり、装置が大型化し、コストも増大するという課題があった。また、上記各回路１０１～１０３における消費電力が大きいため、共振型高周波電源装置全体での消費電力も大きくなり、電力変換効率の低下の原因となるという課題があった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、トランス型ドライブ回路、ＲＦパワーアンプ回路及び多出力型電源回路を用いずにパワー素子を駆動することで、装置の簡易化、小型化、低コスト化を図り、また、低消費電力で高効率化を図り、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能な共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路を提供することを目的としている。
この発明に係る共振型高周波電源装置は、スイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置であって、パワー素子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該パワー素子を駆動させる高周波パルスドライブ回路と、高周波パルスドライブ回路に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該高周波パルスドライブ回路を駆動させる可変型パルス信号発生回路と、可変型パルス信号発生回路及び高周波パルスドライブ回路に駆動電力を供給するバイアス用電源回路とを備えたものである。
この発明によれば、上記のように構成したので、トランス型ドライブ回路、ＲＦパワーアンプ回路及び多出力型電源回路を用いずにパワー素子を駆動することで、装置の簡易化、小型化、低コスト化を図り、また、低消費電力で高効率化を図り、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能となる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の構成を示す図である。なお図１では、パワー素子Ｑ１がシングル構成の場合の回路を示している。
共振型高周波電源装置は、図１に示すように、パワー素子Ｑ１、共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）、インダクタＬ１、高周波パルスドライブ回路１、可変型パルス信号発生回路２及びバイアス用電源回路３から構成されている。
なお、共振型送信アンテナ（電力伝送用送信アンテナ）１０は、ＬＣ共振特性を持つ電力伝送用の共振型アンテナである（非接触型のみに限定されない）。この共振型送信アンテナ１０は、磁界共鳴型、電界共鳴型、電磁誘導型のいずれであってもよい。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係る共振型高周波電源装置の構成を示す図である。なお図１では、パワー素子Ｑ１がシングル構成の場合の回路を示している。
共振型高周波電源装置は、図１に示すように、パワー素子Ｑ１、共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）、インダクタＬ１、高周波パルスドライブ回路１、可変型パルス信号発生回路２及びバイアス用電源回路３から構成されている。
なお、共振型送信アンテナ（電力伝送用送信アンテナ）１０は、ＬＣ共振特性を持つ電力伝送用の共振型アンテナである（非接触型のみに限定されない）。この共振型送信アンテナ１０は、磁界共鳴型、電界共鳴型、電磁誘導型のいずれであってもよい。
パワー素子Ｑ１は、入力の直流電圧Ｖｉｎを交流に変換するためにスイッチング動作を行うスイッチング素子である。このパワー素子Ｑ１としては、ＲＦ用のＦＥＴに限らず、例えばＳｉ－ＭＯＳＦＥＴやＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ－ＦＥＴなどの素子を用いることが可能である。
共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）は、パワー素子Ｑ１のスイッチング動作を共振スイッチングさせるための素子である。このコンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２からなる共振回路素子により、共振型送信アンテナ１０との間で共振条件を合わせることができる。
インダクタＬ１は、入力の直流電圧Ｖｉｎのエネルギーを、パワー素子Ｑ１のスイッチング動作ごとに一時的に保持する働きをするものである。
高周波パルスドライブ回路１は、パワー素子Ｑ１のＧ端子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、パワー素子Ｑ１を駆動させる回路である。この高周波パルスドライブ回路１は、出力部をＦＥＴ素子などでトーテンポール回路構成にして高速のＯＮ／ＯＦＦ出力ができるように構成した回路である。
可変型パルス信号発生回路２は、高周波パルスドライブ回路１にロジック信号などの２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、高周波パルスドライブ回路１を駆動させる回路である。この可変型パルス信号発生回路２は、周波数設定用のオシレータとフリップフロップやインバータなどのロジックＩＣで構成され、パルス幅の変更や反転パルス出力などの機能を持つ。
バイアス用電源回路３は、可変型パルス信号発生回路２及び高周波パルスドライブ回路１への駆動電力の供給を行うものである。
次に、上記のように構成された共振型高周波電源装置の動作について説明する。
まず、入力の直流電圧ＶｉｎはインダクタＬ１を通してパワー素子Ｑ１のＤ端子に印加される。そして、パワー素子Ｑ１は、その電圧をＯＮ／ＯＦＦのスイッチング動作により正電圧の交流状電圧へ変換する。この変換動作のときに、インダクタＬ１は一時的にエネルギーを保持する働きをして、直流を交流へ電力変換する手助けを行う。
まず、入力の直流電圧ＶｉｎはインダクタＬ１を通してパワー素子Ｑ１のＤ端子に印加される。そして、パワー素子Ｑ１は、その電圧をＯＮ／ＯＦＦのスイッチング動作により正電圧の交流状電圧へ変換する。この変換動作のときに、インダクタＬ１は一時的にエネルギーを保持する働きをして、直流を交流へ電力変換する手助けを行う。
ここで、パワー素子Ｑ１のスイッチング動作は、Ｉｄｓ電流とＶｄｓ電圧積によるスイッチング損失が最も小さくなるように、ＺＶＳ（ゼロボルテージスイッチング）が成立するようコンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２からなる共振回路素子で共振スイッチング条件が設定されている。この共振スイッチング動作により、出力電圧ＶｏｕｔにはＲＴＮ電圧を軸にした交流電圧が出力される。
パワー素子Ｑ１の駆動は、可変型パルス信号発生回路２からの任意のパルス状の電圧信号を受けた高周波パルスドライブ回路１が出力する、パルス状の電圧信号をパワー素子Ｑ１のＧ端子へ入力することで行っている。このとき、パワー素子Ｑ１の駆動周波数は共振型高周波電源装置の動作周波数となり、可変型パルス信号発生回路２内部のオシレータ回路の設定により決まる。
以上のように、この実施の形態１では、パワー素子Ｑ１を駆動するために、高周波パルスドライブ回路１、可変型パルス信号発生回路２及びバイアス用電源回路３を用いてパルス状の電圧信号を出力するように構成したので、従来技術のトランス型ドライブ回路１０１、ＲＦパワーアンプ回路１０２及び多出力型電源回路１０３を用いずに、２ＭＨｚを超える高周波数動作を行う共振型高周波電源装置において、装置の簡易化、小型化、低コスト化を図ることができ、また、低消費電力で９０％以上の高い電力変換効率特性を得ることができる。
なお図１において、各部をハイブリッド化した素子（共振型高周波電源装置用スイッチング回路）４を用いてもよい。図２はパワー素子Ｑ１及び高周波パルスドライブ回路１をハイブリッド化した素子４を示し、図３はパワー素子Ｑ１及びコンデンサＣ１をハイブリッド化した素子４を示し、図４はパワー素子Ｑ１、コンデンサＣ１及び高周波パルスドライブ回路１をハイブリッド化した素子４を示し、図５はパワー素子Ｑ１、コンデンサＣ１、高周波パルスドライブ回路１及び可変型パルス信号発生回路２をハイブリッド化した素子４を示し、図６はパワー素子Ｑ１及びコンデンサＣ２をハイブリッド化した素子４を示し、図７はパワー素子Ｑ１、コンデンサＣ２及び高周波パルスドライブ回路１をハイブリッド化した素子４を示し、図８はパワー素子Ｑ１及びコンデンサＣ１，Ｃ２をハイブリッド化した素子４を示し、図９はパワー素子Ｑ１、コンデンサＣ１，Ｃ２及び高周波パルスドライブ回路１をハイブリッド化した素子４を示し、図１０はパワー素子Ｑ１、コンデンサＣ１，Ｃ２、高周波パルスドライブ回路１及び可変型パルス信号発生回路２をハイブリッド化した素子４を示している。
また図１では、パワー素子Ｑ１がシングル構成の場合の回路について示したが、これに限るものではなく、例えば図１１に示すように、パワー素子Ｑ１がプッシュプル構成の場合にも同様に本発明を適用可能である。
また図１では、共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）の定数が固定であり、共振条件が固定であるとして説明を行ったが、これに限るものではなく、例えば図１２に示すように、共振条件を可変とする共振条件可変型ＬＣ回路５を用いてもよい。また、例えば図１３に示すように、上記共振回路素子（コンデンサＣ１，Ｃ２及びインダクタＬ２）による共振条件を可変させる共振条件可変回路６を別途設けるようにしてもよい。
また、本願発明はその発明の範囲内において、実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。
この発明に係る共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路は、トランス型ドライブ回路、ＲＦパワーアンプ回路及び多出力型電源回路を用いずにパワー素子を駆動することで、装置の簡易化、小型化、低コスト化を図り、また、低消費電力で高効率化を図り、２ＭＨｚを超える高周波数の動作が可能となり、高周波数で電力伝送を行う共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路等に用いるのに適している。
１ 高周波パルスドライブ回路、２ 可変型パルス信号発生回路、３ バイアス用電源回路、４ ハイブリッド化素子（共振型高周波電源装置用スイッチング回路）、５ 共振条件可変型ＬＣ回路、６ 共振条件可変回路、１０ 共振型送信アンテナ（電力伝送用送信アンテナ）。
Claims (15)
- スイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置であって、
前記パワー素子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該パワー素子を駆動させる高周波パルスドライブ回路と、
前記高周波パルスドライブ回路に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該高周波パルスドライブ回路を駆動させる可変型パルス信号発生回路と、
前記可変型パルス信号発生回路及び前記高周波パルスドライブ回路に駆動電力を供給するバイアス用電源回路とを備えた
ことを特徴とする共振型高周波電源装置。 - 前記パワー素子は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）用のＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）以外のＦＥＴである
ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。 - 前記パワー素子は、プッシュプル構成又はシングル構成である
ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。 - 磁界共鳴による電力伝送用送信アンテナとの間で共振条件を合わせるコンデンサ及びインダクタからなる共振回路素子を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。 - 電界共鳴による電力伝送用送信アンテナとの間で共振条件を合わせるコンデンサ及びインダクタからなる共振回路素子を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。 - 電磁誘導による電力伝送用送信アンテナとの間で共振条件を合わせるコンデンサ及びインダクタからなる共振回路素子を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の共振型高周波電源装置。 - 前記共振回路素子は共振条件を可変とする
ことを特徴とする請求項４記載の共振型高周波電源装置。 - 前記共振回路素子は共振条件を可変とする
ことを特徴とする請求項５記載の共振型高周波電源装置。 - 前記共振回路素子は共振条件を可変とする
ことを特徴とする請求項６記載の共振型高周波電源装置。 - 前記共振回路素子の共振条件を可変とする共振条件可変回路を備えた
ことを特徴とする請求項４記載の共振型高周波電源装置。 - 前記共振回路素子の共振条件を可変とする共振条件可変回路を備えた
ことを特徴とする請求項５記載の共振型高周波電源装置。 - 前記共振回路素子の共振条件を可変とする共振条件可変回路を備えた
ことを特徴とする請求項６記載の共振型高周波電源装置。 - スイッチング動作を行うパワー素子を備えた共振型高周波電源装置に用いられる共振型高周波電源装置用スイッチング回路であって、
前記パワー素子と、
前記パワー素子に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該パワー素子を駆動させる高周波パルスドライブ回路とを備えた
ことを特徴とする共振型高周波電源装置用スイッチング回路。 - 電力伝送用送信アンテナとの間で共振条件を合わせるためのコンデンサを備えた
ことを特徴とする請求項１３記載の共振型高周波電源装置用スイッチング回路。 - 前記高周波パルスドライブ回路に２ＭＨｚを超える高周波数のパルス状の電圧信号を送り、当該高周波パルスドライブ回路を駆動させる可変型パルス信号発生回路を備えた
ことを特徴とする請求項１４記載の共振型高周波電源装置用スイッチング回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015544715A JP6091643B2 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 |
| US15/027,634 US20160248277A1 (en) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | Resonant type high frequency power supply device and switching circuit for resonant type high frequency power supply device |
| PCT/JP2013/079543 WO2015063915A1 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2013/079543 WO2015063915A1 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2015063915A1 true WO2015063915A1 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=53003559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2013/079543 WO2015063915A1 (ja) | 2013-10-31 | 2013-10-31 | 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160248277A1 (ja) |
| JP (1) | JP6091643B2 (ja) |
| WO (1) | WO2015063915A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017093182A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 株式会社ダイヘン | 非接触電力伝送システム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105684292B (zh) * | 2013-10-31 | 2018-07-17 | 三菱电机工程技术株式会社 | 谐振型高频电源装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05207732A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｍｏｓｆｅｔ駆動回路 |
| JP2011078299A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-04-14 | Tdk Corp | ワイヤレス給電装置およびワイヤレス電力伝送システム |
| JP2013027129A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Toyota Industries Corp | 給電側設備及び共鳴型非接触給電システム |
| WO2013080285A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | 富士通株式会社 | 非接触型充電装置および非接触型充電方法 |
| WO2013133028A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 株式会社村田製作所 | 電力伝送システム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993001656A1 (en) * | 1991-07-09 | 1993-01-21 | Micro Linear Corporation | Power mosfet driver with cross-conduction current reduction |
| JP2005151608A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Hitachi Ltd | 共振型コンバータ及びその制御方法 |
| JP2006351353A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 放電灯点灯装置 |
| US8532724B2 (en) * | 2008-09-17 | 2013-09-10 | Qualcomm Incorporated | Transmitters for wireless power transmission |
-
2013
- 2013-10-31 US US15/027,634 patent/US20160248277A1/en not_active Abandoned
- 2013-10-31 JP JP2015544715A patent/JP6091643B2/ja active Active
- 2013-10-31 WO PCT/JP2013/079543 patent/WO2015063915A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05207732A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｍｏｓｆｅｔ駆動回路 |
| JP2011078299A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-04-14 | Tdk Corp | ワイヤレス給電装置およびワイヤレス電力伝送システム |
| JP2013027129A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Toyota Industries Corp | 給電側設備及び共鳴型非接触給電システム |
| WO2013080285A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | 富士通株式会社 | 非接触型充電装置および非接触型充電方法 |
| WO2013133028A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 株式会社村田製作所 | 電力伝送システム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017093182A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 株式会社ダイヘン | 非接触電力伝送システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6091643B2 (ja) | 2017-03-08 |
| US20160248277A1 (en) | 2016-08-25 |
| JPWO2015063915A1 (ja) | 2017-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3001551B1 (en) | Non-contact power supply device | |
| WO2015063920A1 (ja) | 共振型高周波電源装置 | |
| KR102087283B1 (ko) | 고효율 전압 모드 클래스 d 토폴로지 | |
| JP5861055B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
| JP6305439B2 (ja) | 共振型電力伝送装置 | |
| KR20170058383A (ko) | 공진형 전력 전송 장치 | |
| JP6091643B2 (ja) | 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 | |
| JP6305438B2 (ja) | 共振型電力伝送装置 | |
| WO2015063919A1 (ja) | 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 | |
| WO2015097811A1 (ja) | 共振型電力伝送装置 | |
| JP5791833B1 (ja) | 共振型高周波電源装置及び共振型高周波電源装置用スイッチング回路 | |
| WO2015063921A1 (ja) | 共振型高周波電源装置 | |
| US20170264140A1 (en) | Inverter for inductive power transmitter | |
| JP6615385B2 (ja) | ゲート駆動装置 | |
| Kuo et al. | Implementation of miniaturized monolithic isolated gate driver | |
| JP2013106490A (ja) | ワイヤレス給電装置およびワイヤレス給電システムならびに電力信号の送信方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 13896815 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2015544715 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 15027634 Country of ref document: US |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 13896815 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |