WO2015005421A1

WO2015005421A1 - 防湿性基材の製造方法および防湿性基材、ならびに防湿性基材を用いた偏光板、液晶表示パネル

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Publication number: WO2015005421A1
Application number: PCT/JP2014/068412
Authority: WO
Inventors: 駒田　実; 柴田　晶彦; 由香渡辺
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2013-07-11
Filing date: 2014-07-10
Publication date: 2015-01-15
Also published as: TW201514333A; JPWO2015005421A1

Abstract

　薄くても十分な防湿性を有するとともに、吸湿性基材に起因する反りや変形を大幅に抑制可能な防湿性基材の製造方法を提供する。発明による防湿性基材の製造方法は、吸水率が１％以上の吸湿性基材と、前記吸湿性基材の少なくとも一方の面側に形成された防湿膜と、を備えた防湿性基材の製造方法であって、前記吸湿性基材の少なくとも一方の面側に、炭素含有率が２．０ａｔ％以上、２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜からなる、膜厚が３０ｎｍ以上の防湿膜を、プラズマ化学気相成長法により成膜する、ことを含む。

Description

防湿性基材の製造方法および防湿性基材、ならびに防湿性基材を用いた偏光板、液晶表示パネル

　本発明は、例えば、電子デバイス等のパッケージ材料ないし基板材料として用いられる、極めて低い透湿度を有する反りを生じにくい防湿性基材に関する。

　光学素子、液晶表示パネルや有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイパネルなどの表示装置、半導体装置、太陽電池モジュール等の各種装置には、防湿性が要求される部位や部品が多く存在している。例えば、液晶表示パネルにおいて使用される偏光板は、湿度によって偏光特性の変化を招くなどの問題点が知られている。

　これらの問題点に対して、金属や無機化合物の薄膜を面上に製膜した樹脂フィルムを防湿性基材として貼り合わせることにより、防湿性が要求される部位や部品に防湿性を付与することが知られている。例えば、偏光板に上記したような防湿性基材を貼り合わせて、防湿性を付与することが知られている。

　また、熱と湿度の相互作用により偏光板の光学特性が低下したり、変色する問題に対して、特開平０３－１４８６０３号公報（以下、特許文献１という）には、防湿層を備えた透明保護層を偏光フィルムの片側または両側に設けることが提案されている。そして、特許文献１には、透明保護層形成材として、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、アセテート系樹脂を使用できることが記載されており、また、透明保護層の少なくとも一方の面側に、酸化珪素、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化亜鉛などの化合物を用いて、真空蒸着方式、スパッタリング方式、イオンプレーティング方式により、防湿層を形成することが記載されている。

　特開２００１－２３５６２５号公報（以下、特許文献２という）には、保護層としてトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムを備えた偏光板において、偏光板の厚さや重量を小さくする目的で保護層の厚さを薄くすると、偏光板の加湿信頼性が悪化する（即ち、光線透過率変化量が大きくなり、偏光度変化量が大きくなる）という問題が指摘されており、４０℃×９０％ＲＨの環境下での保護層の透湿度を０．０４ｇ／ｃｍ²／２４ｈ以下とすることにより、透湿信頼性を維持できることが提案されている。また、特許文献２には、各種金属の透明薄膜、ＩＴＯ薄膜、透明な金属酸化物薄膜などの蒸着膜を蒸着法やスパッタリング法によって形成することにより上記のような透湿度を有する保護層が得られることが記載されている。

　ところで、近年、液晶表示パネルなどの表示装置において、さらなる製品の軽量化、薄型化が求められている。使用されるガラス基材は、ガラス厚み０．５～０．７ｍｍ程度のガラスが用いられていたが、さらに薄いガラス厚み０．３ｍｍの薄膜ガラスの使用が要望されている。また、ガラス基板のみならず、パネルを構成する各層の厚みをより一層薄くする試みがなされている。

　このような各層の薄膜化に伴いパネルの剛性が低下するため、上記したような防湿信頼性が低下するという問題だけでなく、パネルに反りが発生するという問題が生じている。例えば、液晶表示パネルに反りが生じると、パネルの四隅に白抜けとよばれる表示不良部が生じ、長期間の表示安定性が劣化するという問題がある。

特開平０３－１４８６０３号公報特開２００１－２３５６２５号公報

　特許文献１に記載の酸化珪素、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化亜鉛からなる蒸着膜や、特許文献２に記載の各種金属の透明薄膜、ＩＴＯ薄膜、透明な金属酸化物薄膜は、保護膜に防湿性を付与できる。しかしながら、これらの防湿膜は、吸湿／乾燥に対してほとんど膨張／収縮しないため、防湿膜を設ける基材フィルムの吸湿／乾燥による膨張／収縮に伴い、保護膜に反りが生じる。その結果、保護膜の反りが、薄型化によって剛性が低下した表示パネル自体の反りを誘発するといった問題が顕在化している。

　このような吸湿による保護層の反りは、防湿膜を設ける基材フィルムとして、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム等の吸水率が１％以上の吸湿性基材を使用した場合に特に顕著となる。

　また、特許文献１および特許文献２に記載されている防湿膜は、温度変化に対してもほとんど膨張／収縮しないため、基材フィルムの温度変化による膨張／収縮に伴い、保護層に反りが生じる。このような温度変化によって生じる反りも、上記した吸湿／乾燥によって生じる反りと相まって無視し得ないものとなっている。

　また、特許文献１、特許文献２に記載された防湿膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法によって基材フィルム上に形成されている。このような成膜方法においては、高温かつ高エネルギーの蒸着粒子やスパッタ粒子が基材フィルムに接触するため、基材フィルムにダメージを受ける。特に、上記したような吸湿性の基材フィルムは耐熱性が低いため、成膜後に基材フィルムの平坦性が維持できなくなり、その結果、保護層の表面にうねりや端部の浮き、カール等の形状変形が生じる。

　さらに、吸湿性基材フィルムに防湿膜を設ける場合に、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法を採用すると、高温かつ高エネルギーの蒸着粒子やスパッタ粒子が吸湿性基材フィルムの表面に到達すると、吸湿性基材フィルム表面から脱水現象が生じる。その結果、緻密な膜が形成できずに十分な防湿性が得られなくなり、また、吸湿性基材フィルムと防湿膜との密着性も低下するため耐久性に優れた保護膜が得られないという問題がある。

　本発明者らは、吸水率が１％以上の吸湿性基材上に防湿膜を設けた防湿性基材において、所定の炭素含有率を有する酸化珪素膜または酸窒化珪素膜からなる防湿膜とすることにより、薄くても十分な防湿性を有するとともに、吸湿性基材に起因する反りや変形を大幅に抑制可能な防湿性基材を実現できる、との知見を得た。本発明はかかる知見によるものである。

　したがって、本発明の目的は、薄くても十分な防湿性を有するとともに、吸湿性基材に起因する反りや変形を大幅に抑制可能な防湿性基材の製造方法を提供することである。

　また、本発明の別の目的は、当該製造方法により得られた防湿性基材、ならびに防湿性基材を用いた偏光板および液晶表示パネルを提供することである。

　第１の発明による防湿性基材の製造方法は、防湿性基材の製造方法であって、
　吸水率が１％以上の吸湿性基材の少なくとも一方の面側に、炭素含有率が２．０ａｔ％以上、２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜からなる、膜厚が３０ｎｍ以上の防湿膜を、プラズマ化学気相成長法により成膜する、
ことを含んでなるものである。

　第１の発明においては、前記成膜が、有機珪素モノマーを含む成膜原料ガスを用いるプラズマ化学気相成長法により行われることが好ましい。

　第２の発明による防湿性基材は、吸水率が１％以上の吸湿性基材と、前記吸湿性基材の少なくとも一方の面側に形成された防湿膜と、を備えた防湿性基材であって、
　前記防湿膜は、炭素含有率が２．０ａｔ％以上、２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜からなり、かつ膜厚が３０ｎｍ以上である。

　第２の発明による防湿性基材は、２５℃９０％ＲＨの環境下での透湿度が６．０ｇ／ｍ²／２４ｈ以下であることが好ましい。

　第２の発明による防湿性基材を備えた偏光板、およびその偏光板を備えた液晶表示パネルも提供される。

　本発明によれば、プラズマ化学気相成長法により防湿膜を形成するため、熱や粒子衝突エネルギーによる吸湿性基材へのダメージを大幅に低減することができる。そのため、防湿性基材の膜厚を薄くしたとしても、基材変形やそりを大幅に低減できる防湿性基材を実現できる。

　また、本発明によれば、防湿膜が、炭素含有率が２．０ａｔ％以上２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜成膜からなるため、吸水率が１％以上の吸湿性基材上に防湿膜を設けた場合であっても、薄くても十分な防湿性を有するとともに、吸湿性基材に起因する反りや変形を大幅に抑制可能な防湿性基材を実現できる。

本発明による防湿性基材の第一の実施形態の概略断面図である。本発明による防湿性基材の第二の実施形態の概略断面図である。本発明による防湿性基材の応用形態を示す概略断面図である。（ａ）は第一の応用形態を示し、（ｂ）は第二の応用形態を示す。本発明による防湿性基材の応用形態を示す概略断面図である。（ａ）は第三の応用形態を示し、（ｂ）は第四の応用形態を示す。本発明による偏光板の応用形態を示す概略断面図である。（ａ）は第一の応用形態を示し、（ｂ）は第二の応用形態を示す。本発明による液晶表示パネルの応用形態を示す概略断面図である。本発明の製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置の第一の例を示す概略図である。本発明の製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置の第二の例を示す概略図である。本発明の反りの評価方法を示す概略図である。

　以下、本発明の具体的な実施形態について、図面等を用いて以下に詳しく説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。

[定義]
　本明細書において、「透湿度」とは、ＪＩＳ　Ｚ　０２０８「防湿包装材料の透湿度試験方法」に準拠して、２５℃９０％Ｒｈの条件下で測定された値を意味する。

　本明細書において、「ａｔ％」とは、原子数の割合である原子組成百分率を示す単位であり、「ａｔｏｍ％（ａｔｏｍｉｃ　ｐｅｒｃｅｎｔ）」とも記載される。原子組成百分率は、後述するように、Ｘ線光電子分光法により測定される値である。Ｘ線光電子分光法は、ＸＰＳ（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）法、または、ＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｆｏｒ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）法と呼ばれることもある。具体的な一例として、原子組成百分率は、Ｘ線光電子分光測定装置（ＶＧ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製ＥＳＣＡ　ＬＡＢ２２０ｉ－ＸＬ）により測定されるが、この測定装置に限定されるものではない。

　本明細書において、「吸水率」とは、ＪＩＳ　Ｋ７２０９（プラスチックの吸水率および沸騰水吸水率試験方法）に準拠して測定された値を意味し、試験片の元の質量と吸水前後の質量増加分の比として表示したものである。具体的には、吸水率は下記のようにして測定される。
　（１）原則として試験片は、直径５０±１ｍｍの円形板，または１辺が５０±１ｍｍの正方形の板とし、厚さは３±０．２ｍｍのものを使用する。
　（２）試験片を、５０±２℃に保った恒温槽中で２４±１時間乾燥し、デシケータ中で放冷する。
　（３）次いで、試験片の質量を０．１ｍｇの単位まで測定し、測定値をＭ１とする。
　（４）その後、２３±２℃に保った水を入れた容器に試験片を入れ、２４±１時問後、試験片を水から取り出し、０．１ｍｇの単位まで測定し、測定値をＭ２とする。
　（５）測定されたＭ１およびＭ２より、吸水率を下記の式に従って求める。
　　　　吸水率＝（Ｍ２－Ｍ１）／Ｍ１×１００　

　本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレートおよびメタクリレートの両者を意味する。

[防湿性基材］
　本発明による防湿性基材１は、図１～図２に示すように、吸水率が１％以上の吸湿性基材２と、吸湿性基材２の少なくとも一方の面側に形成された防湿膜３とを備えている。また、本発明による防湿性基材１は、本発明の目的を損なわない限り、図３～図４に示すように、必要に応じてハードコート層４、光学調整層５、防汚層６等の機能層を更に備えていてもよい。以下、本発明による防湿性基材を構成する各層について説明する。

（吸湿性基材）
　本実施形態において吸湿性基材２は、防湿性基材１のベースフィルムとして機能する基材である。防湿膜３を保持し得るフィルムである必要があるが、どのような性質のフィルムを用いるかは、防湿性基材１の用途によって選択すればよい。

　例えば、防湿性基材１を液晶表示パネルの偏光板の保護層として用いる場合には、光線透過率としては７０％以上であることが好ましいし、偏光特性を有しない方が好ましい。また、電子部品用途、ディスプレイ用積層フィルムであれば、１５０℃以上の工程に曝されることがあるので、線膨張係数が１５ｐｐｍ／Ｋ～１００ｐｐｍ／Ｋで、ガラス転移点Ｔｇが１５０℃～３００℃が好ましい。本実施形態において本実施形態においてガラス転移点は、ＪＩＳ　K ７１２１「プラスチックの転移温度測定方法」により測定したものとする。

　このように求められる性能によって、吸湿性基材２は、必ずしも吸水率が低い材料を選択できるとは限らない。その結果、表示パネルなどの薄型化に伴う剛性の低下に伴い、パネルなどにした際の防湿性基材１の吸湿／乾燥に伴うパネルの反りが問題となる。このような防湿性基材１自体の吸湿／乾燥に伴う反りは、吸湿性基材２の材料が吸水率１％以上である場合に無視しがたくなる。本実施形態においては、吸水率１％以上の吸湿性基材である場合を対象としている。吸水率の上限については、特に制限はないが、一般的なプラスチックの材料では、１０％以下、好ましくは５％以下である。

　吸湿性基材２に用いる材料は、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、ポリアミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルム、エチレン－ビニルアルコール共重合樹脂フィルム、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、ポリウレタン樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）フィルムなどが挙げられる。

　また、吸湿性基材２の厚さとしては、５μｍ～２２０μｍ程度、好ましくは１０μｍ～５０μｍである。この範囲未満では、静電気による放電によるピンホールの発生によりバリア性劣化の原因となり、この範囲を超えると、同じ性能を維持できたとしても１ロットの生産量が少なくなる為好ましくない。

　吸湿性基材２の表面は、コロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、加熱処理、薬品処理等の表面処理を行ってもよい。こうした表面処理の具体的な方法は従来公知のものを適宜用いることができる。また、吸湿性基材２の表面には、防湿膜３等との密着性の向上を目的としてアンカーコート剤膜を形成してもよい。こうしたアンカーコート剤膜としては、従来公知のものを適宜用いればよい。さらに、吸湿性基材２と防湿膜３との間に、ガスバリア性を向上する目的でバリア層を設けてもよい。バリア層の形成材料および形成方法は、従来公知のものを適宜用いればよい。

（防湿膜）
　吸湿性基材２の少なくとも一方の面側に形成される防湿膜３は、プラズマ化学気相成長法により成膜された、炭素含有率が２．０ａｔ％以上２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜である。以下、防湿膜の成膜方法について説明する。

　プラズマ化学気相成長は、プラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ　ＣＶＤ、　ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、　ＰＥＣＶＤ）法とも言われ、化学気相成長法の一種である。プラズマ化学気相成長においては、プラズマ放電中に成膜原料を気化して供給し、必要に応じて添加ガスを加え、系内のガスを衝突により相互に活性化してラジカルやイオン化するため、熱的励起のみによっては不可能な低温下での反応が可能となる。吸湿性基材２は、電極間の放電中での反応により防湿膜３が形成される。プラズマの発生に用いる周波数により、低周波（ＬＦ、数十～数百ｋＨｚ）、高周波（ＲＦ、１３．５６ＭＨｚ）、およびマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）に分類される。マイクロ波を用いる場合は、反応ガスを励起し、アフターグロー中で成膜する方法と、ＥＣＲ条件を満たす磁場（８７５Ｇａｕｓｓ）中にマイクロ波導入するＥＣＲプラズマＣＶＤに大別される。また、プラズマ発生方法で分類すると、容量結合方式（平行平板型）と誘導結合方式（コイル方式）に分類される。また、必要に応じて反応系内に磁石によるマグネトロン構造体を設置し、イオンや電子等密度の高くなる空間を適宜設けてもよい。このマグネトロンの設置位置により、被成膜基材へのダメージを低減したり、反対に被成膜基材へのダメージを強くしたりすることで被成膜基材への密着性を向上させる等の調整が可能となる。

　図７は、本態様に用いられるプラズマ化学気相成長法にて成膜するプラズマＣＶＤ装置の一例を示す構造図である。図７において、プラズマＣＶＤ装置３１は、チャンバー３２と、このチャンバー３２内に配設された下部電極３３、上部電極３４と、下部電極３３に接続されたプラズマ発生装置（電源）３５と、チャンバー３２に排気弁３６を介して接続された油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等の排気装置３７と、成膜原料ガスをチャンバー３２に導入するためのガス導入口３８とを備えている。上記のガス導入口３８は、添加ガス供給源３９ａ、３９ｂ、３９ｃおよびそれぞれのガスの流量計４０ａ、４０ｂ、４０ｃが接続されている。また成膜原料供給源３９ｄ、３９eおよびそれぞれの流量計４０ｄ、４０ｅ、および必要に応じて、それぞれの気化器４１ｄ、４１ｅが接続されている。

　次に、このようなプラズマＣＶＤ装置を使用した防湿性基材１の製造方法について説明する。下部電極３３上に吸湿性基材２の被成膜面を上側として装着した後、チャンバー３２内を排気装置３７により所定の真空度まで減圧する。次にチャンバー３２内に成膜原料ガスを導入するため、まず成膜原料供給源３９ｄ、３９ｅにある有機珪素モノマーを含む成膜原料を流量計４０ｄ、４０ｅにて流量調整して供給、気化器４１ｄ、４１ｅを用いて成膜原料を気化させた後、ガス導入口３８にガス状に供給する。同時に必要に応じて添加ガス供給源３９ａ、３９ｂ、３９ｃから添加ガスを、流量計４０ａ、４０ｂ、４０ｃにて流量調整された後ガス導入口３８に供給する。これらのガスはガス導入口３８の前段で均一に混合させてからチャンバー２内に供給してもよいし、ガス種ごとに別々にガス導入口３８から供給してもよい。そして排気装置３７とチャンバー３２との間にある排気弁３６の開閉度を制御することにより、チャンバー３２内を所定の圧力に設定する。チャンバー３２内部でガスの流れが安定した状態で、下部電極３３に電源３５を用いて所定の周波数を有する電力を投入すると、下部電極３３と上部電極３４との間でプラズマ放電が形成され、吸湿性基材２に防湿膜３が堆積することで成膜が行われる。

　なお、図７に示されるプラズマＣＶＤ装置はシート形状の吸湿性基材２に成膜する方式であるが、巻き取り式のプラズマＣＶＤ装置を使用してもよい。

　図８は、本態様に用いられるプラズマ化学気相成長法にて成膜するプラズマＣＶＤ装置の他の例を示す構成図である。図８において、プラズマＣＶＤ装置は成膜ゾーンをもつチャンバー５０と、このチャンバー５０内で吸湿性基材２を搬送するための送出ローラー５１、巻き取りローラー５２、ガイドローラー６１からなる搬送系とを備えている。成膜ゾーンでは、下部電極５３と、上部電極を兼ねたコーティングドラム（上部電極）５４とが電源に接続されている。また、チャンバー５０には排気弁５５ｂを介して接続された油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等の排気装置５６ｂが設置され、さらに成膜ゾーンには、排気弁５５aを介して接続された接続された油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等の排気装置５６ａと、原料ガスを成膜ゾーン内に導入するためのガス導入口５７ａ、５７ｂ、５７ｃとが設置されている。上記のガス導入口５７ａ、５７ｂ、５７ｃは、添加ガス供給源５８ａ、５８ｂ、５８ｃに接続されているとともに、流量計６０ａ、６０ｂ、気化器６１a、６１ｂを介して成膜原料供給源５９ａ、５９ｂに接続されている。

　次に、このようなプラズマＣＶＤ装置を使用した防湿性基材１の製造方法について説明する。まず、被成膜面がコーティングドラム５４の外側となるように吸湿性基材２をプラズマＣＶＤ装置の搬送系に装着する。次いで、チャンバー５０内を排気装置５６および５６´により所定の真空度まで減圧する。続いて、添加ガス供給源５８ａ、５８ｂ、５８ｃから例えば、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、エチレン等が６２ａ、６２ｂ、６２ｃの流量計にて流量調整後供給され、更に、成膜原料供給源５９ａ、５９ｂから流量計６０ａ、６０ｂの流量計にて流量調整され、気化器６１a、６１ｂを介して有機珪素モノマーを含む成膜原料がガス状で供給され、ガス導入口５７ａ、５７ｂ、５７ｃから導入され、排気装置５６ａ、５６ｂと成膜ゾーンとの間にある排気弁５５ａ、５５ｂの開閉度を制御することにより、成膜ゾーン内を所定の圧力に維持する。続いて、吸湿性基材２を所望の方向に搬送を開始し、成膜ゾーンのコーティングドラム（上部電極）５４と下部電極５３とに所定の周波数を有する電力を電源により投入する。これにより、成膜ゾーンにおいて成膜原料ガスおよび添加ガスが導入され、下部電極５３とコーティングドラム（上部電極）５４との間でプラズマ放電が形成される。そして、搬送されている吸湿性基材２上に防湿膜３が成膜される。

　いずれのプラズマＣＶＤ装置においても、防湿膜３の成膜は、吸湿性基材２へのイオン打ち込み効果により優れた密着性を得られるように放電周波数１０Ｈｚ以上３００ｋＨｚ以下とすることが好ましい。

　また、吸湿性基材２の防湿膜３形成面付近にマグネトロン機構を設けてプラズマ放電を形成することは生産性を向上し生産コストを低減可能とする点で好ましい。すなわち、マグネトロン機構を設けてプラズマ放電を形成することによってプラズマ密度が高くなり成膜速度が向上する。また、このマグネトロンの設置位置により、被成膜基材へのダメージを低減する、反対に被成膜基材へのダメージを強くすることで被成膜基材への密着性を向上させる等の調整が可能となる。

　また、防湿膜３の成膜時に、吸湿性基材２が接する図７の上部電極３４、および図８のコーティングドラム５４は、冷却機構を設けて冷却することが好ましい。吸湿性基材２が接する図７の下部電極３３、および図８のコーティングドラム５４を冷却しながら防湿膜３を成膜することにより、吸湿性基材２への熱ダメージをより低減し、防湿性基材１の変形やうねりを低減することができる。

　プラズマ化学気相成長法により防湿膜を成膜する際に使用される成膜原料ガスとしては、有機珪酸化合物が用いられる。特に、防湿膜３に規定の炭素含有率を導入しやすいことから有機珪素モノマーが適している。成膜用モノマーガスを構成する有機珪素化合物としては、例えば、１．１．３．３－テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン等を単独であるいは、複数使用することができる。

　本実施形態において、上記のような有機珪素化合物の中でも、１．１．３．３－テトラメチルジシロキサン、または、ヘキサメチルジシロキサンは、その取り扱い性や形成された連続膜の特性等から、特に好ましい原料である。また、本実施形態において、不活性ガスとしては、例えば、アルゴンガス、ヘリウムガス等を使用することができる。また添加ガスとして、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水、メタン、エチレン等を使用することができる。

　また、本実施形態においては、防湿膜の炭素含有率を調整するために、成膜時に成膜原料ガスに、添加ガスとして酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、エチレン等を添加してもよい。防湿膜形成に用いる成膜原料ガスに含まれる有機珪素モノマー種類を適宜選択し、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、エチレンのような添加ガスを適量添加することで、防湿膜に適した炭素含有率を有する防湿膜を形成することが可能となる。本防湿膜３は、防湿性基材１において、防湿性基材１自体の透湿度（水蒸気透過率）を低下させる機能をはたしている。また、吸湿性基材２への水分の侵入を防ぐことで、防湿性基材１の吸湿・乾燥によって生じる防湿性基材の反りを低減する機能を果たす。

　上記のようにして成膜される酸化珪素膜は、Ｘ線光電子分光法での測定によって、珪素、酸素、炭素が主に検出される薄膜であり、赤外吸収測定におけるＳｉ－Ｏ－Ｓｉ伸縮振動による吸収ピークが１０４５～１０６０ｃｍ^-1、Ｓｉ－ＣＨ₃伸縮振動による吸収ピークが１２７４±８ｃｍ^-1に一般的に検出される。本実施形態における炭素成分を含む酸化珪素膜は、Ｘ線光電子分光法での測定による炭素含有率が２．０ａｔ％以上２０．０ａｔ％以下であり、炭素は、Ｓｉ－ＣＨ₃結合の形で存在している。

　また、本実施形態において、酸窒化珪素膜は、Ｘ線光電子分光法での測定によって、珪素、酸素、窒素、炭素が主に検出される薄膜であり、赤外吸収測定における赤外吸収測定におけるＳｉ－Ｏ、Ｓｉ－Ｎ伸縮振動による吸収ピークが８３０～１０６０ｃｍ^-1の範囲に、Ｓｉ－ＣＨ₃伸縮振動による吸収ピークが１２７４±８ｃｍ^-1に一般的に検出される。本実施形態における炭素成分を含む酸窒化珪素膜は、Ｘ線光電子分光法での測定による炭素含有率が２．０ａｔ％以上２０．０ａｔ％以下であり、炭素は、Ｓｉ－ＣＨ₃結合の形で存在している。

　含有炭素がＳｉ－ＣＨ₃結合の形で存在していることは、プラズマ化学気相成長法により製膜した際の特徴でもある。すなわち、酸化珪素または酸窒化珪素膜の成膜時に、成膜原料ガスや添加ガスに含有されている炭素原子、または成膜時にプラズマにより形成されるイオン種などの分解生成物が基材表面をエッチングするために発生する炭素原子を膜中に取り込みＳｉ－ＣＨ₃結合を形成する。本特徴により、膜表面に形成されたＳｉ－ＣＨ₃結合の撥水性により水蒸気が防湿膜表面に吸着することが軽減され、防湿膜中に拡散する水分子が大幅に低減する。従って、吸湿性基材２への水分の侵入が大幅に減少するため防湿性基材１の吸湿・乾燥によって生じる防湿性基材の反りを問題ないレベルまで低減できる。

　また、酸化珪素膜または酸窒化珪素膜中に含有炭素がＳｉ－ＣＨ₃結合の形で存在していることは、防湿膜３として無機化合物のみから成る膜を用いた場合に比べて、吸湿性基材２との熱収縮率（熱膨張率）の差を緩和し、温度差による反りについても緩和する働きを示すと考えられる。

　Ｘ線光電子分光法での測定による炭素含有率が２．０ａｔ％より少なくなると防湿膜３表面への水分の吸着が十分に低減できないため、透湿性が高くなる。また、防湿膜３中の有機成分が少なくなるため防湿膜３のフレキシビリティが低下し、防湿膜３にクラックが入りやすくなり透湿度が上昇するなど、ガスバリア性の低下を招く。従って、防湿性基材１の吸湿・乾燥による反りを充分に低減できなくなり好ましくない。炭素含有率は２．４ａｔ％以上が好ましい。

　Ｘ線光電子分光法での測定による炭素含有率が２０．０ａｔ％より大きくなると防湿膜は、有機膜の性質が強くなり、膜の緻密性が低下し、透湿度が上昇するなど、ガスバリア性の低下を招き好ましくない。炭素含有率は１８．０ａｔ％以下が好ましい。

　防湿膜３が所定の炭素含有率を有していることは、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、Ｎの原子数の比を求めることにより確認することができる。こうした原子数比を求める方法としては、従来公知の方法を用いることができ、本実施形態においては、Ｘ線光電子分析装置（ＸＰＳ）等の分析装置で得られた結果で評価している。本実施形態においては、ＸＰＳの測定は、ＸＰＳ（ＶＧ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製ＥＳＣＡ　ＬＡＢ２２０ｉ－ＸＬ）により測定する。Ｘ線源としては、Ａｇ－３ｄ－５／２ピーク強度が３００Ｋｃｐｓ～１ＭｃｐｓとなるＸ線源であるＭｇＫα線を用い、直径約１ｍｍのスリットを使用している。測定は、測定に供した試料面の法線上に検出器をセットした状態で行い、適正な帯電補正を行っている。測定後の解析は、上述のＸＰＳ装置に付属されたソフトウエアＥｃｌｉｐｓｅバージョン２．１を使用し、Ｓｉ：２ｐ、Ｃ：１ｓ、Ｎ：１ｓ、Ｏ：１ｓのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて行っている。このとき、Ｃ：１ｓのピークのうち、炭化水素に該当するピークを基準として、各ピークシフトを修正し、ピークの結合状態を帰属させる。そして、各ピークに対して、シャーリーのバックグラウンド除去を行い、ピーク面積に各元素の感度係数補正（Ｃ＝１．０に対して、Ｓｉ＝０．８７、Ｎ＝１．７７、Ｏ＝２．８５）を行い、原子数比を求めている。得られた原子数比について、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏの原子数の和を１００とし、Ｃの原子組成百分率としている。

　本実施形態における防湿膜３の厚さは、接触型段差計により測定可能であり、具体的には、段差計（株式会社アルバック製、ＤＥＫＴＡＫ　ＩＩＡ）を使用して測定した。そして、スキャン範囲を２ｍｍ、スキャンスピードをＬｏｗに設定して測定を行った。本実施形態において防湿膜の膜厚は、３０ｎｍ以上である必要がある。防湿膜３の膜厚が３０ｎｍより薄くなると十分な防湿性が得られなくなる。一方、防湿膜３の膜厚が５００ｎｍ以上となると、生産性が著しく低下する場合ある。防湿膜３の膜厚は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下が特に好ましい。

（ハードコート層）
　本発明による防湿性基材１に任意に設けてもよいハードコート層４は、偏光板表面の傷付き防止などを目的に設けられる。ハードコート層４は、防湿性基材１の少なくとも片面に設けられる。より具体的には、ハードコート層４は、吸湿性基材２の防湿膜３が形成された面に設けることができる。これにより、防湿性基材１がハードコート層４により保護されるので、その結果、傷が付きにくい防湿性基材１を提供することができる。

　ハードコート層４は、例えばシリコーン系などの適宜な電離放射線硬化型樹脂による硬度や滑り性等に優れる硬化皮膜を透明保護フィルムの表面に付加する方式などにて形成することができる。ハードコート層４としては、従来公知のものを適宜用いることができる。具体的には、ハードコート層４の材料としては、電離放射線硬化型樹脂であるアクリレート系の官能基を有するもの、すなわち、アクリル骨格を有するもの、エポキシ骨格を有するものが適当であり、ハードコート層４の硬度や耐熱性、耐溶剤性、耐擦傷性を考慮すると、高い架橋密度の構造とすることが好ましい。こうした構造を得るための材料としては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、およびジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の２官能以上のアクリレートモノマーを挙げることができる。

　ハードコート層４の材料として、上記の電離放射線硬化型樹脂を用いる場合、公知の光重合開始剤や光増感剤を併用することができる。こうした光重合開始剤や光増感剤は、紫外線を照射して電離放射線硬化型樹脂を硬化させる場合に好ましく用いられる。なぜなら、電子線を照射する場合には電離放射線硬化型樹脂は十分硬化する傾向を有するからである。光重合開始剤や光増感剤の添加量は、一般に、電離放射線硬化型樹脂１００重量部に対して、０．１重量部以上、１０重量部以下とする。こうした材料の他、溶媒、硬化触媒、濡れ性改良剤、可塑剤、消泡剤、増粘剤等の無機、有機系の各種添加剤を必要に応じて添加することができる。

　ハードコート層４は、上記の材料を塗布液として防湿性基材１上に塗布し硬化させることによって形成することができる。ここで塗布液の塗布量としては、固形分として、通常、０．５ｇ／ｍ²以上、１５．０ｇ／ｍ²以下が適当である。なお、硬化に用いる紫外線源としては、例えば、超高圧水銀灯等を挙げることができる。紫外線の波長としては、通常、１９０ｎｍ以上、３８０ｎｍ以下の波長域を使用することができ、また、電子線源としては、例えばコッククロフトワルト型等の各種電子線加速器を用いることができる。

　ハードコート層４の厚さは、通常１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上、また、通常１０μｍ以下、好ましくは８μｍ以下とする。この範囲とすれば、防湿性基材１の透明性を損ないにくく、かつ、耐擦傷性も良好となりやすい。

（光学調整層）
　また、本発明による防湿性基材１には、反射防止膜、防眩膜等の光学調整層５を設けてもよい。光学調整層５は、外光の反射防止等の目的で設けられ、従来に準じた光学調整層５の形成により実現される。例えば、防眩膜の一つであるアンチグレア層は偏光板の表面で外光が反射して偏光板透過光の視認を阻害することの防止などを目的に設けられるものである。アンチグレア層は、例えばサンドブラスト方式やエンボス加工方式等による粗面化方式や透明微粒子の配合方式などの適宜な方式にて透明保護フィルムの表面に微細凹凸構造を付与することにより形成することができる。

　前記の透明微粒子には、例えば平均粒径が０．５μｍ～２０．０μｍのシリカやアルミナ、チタニアやジルコニア、酸化錫や酸化インジウム、酸化カドミウムや酸化アンチモン等が挙げられ、導電性を有する無機系微粒子を用いてもよく、また、架橋または未架橋のポリマー粒状物等からなる有機系微粒子などを用いうる。透明微粒子の使用量は、透明樹脂１００質量部あたり２質量部～７０質量部、さらに好ましくは５質量部～５０質量部が一般的である。

　透明微粒子配合のアンチグレア層は、ハードコート層を兼ねる層として、あるいは防湿性基材１表面への塗工層などとして設けることができる。アンチグレア層は、偏光板透過光を拡散して視角を拡大するための拡散層（視角補償機能など）を兼ねるものであってもよい。なお上記した反射防止層やスティッキング防止層、拡散層やアンチグレア層等は、それらの層を設けたシートなどからなる光学層として透明保護層とは別体のものとして設けることもできる。

（その他の膜）
　上記説明した、ハードコート層４、光学調整層５以外にも、必要に応じて他の膜を用いることもできる。こうしたものとしては、例えば、防汚膜６、帯電防止膜、および平滑化膜を挙げることができる。これらの防汚膜６、帯電防止膜、は、光学粘着剤を介して本実施形態の防湿性基材１と貼り合わせることで、所望の機能を得てもよい。

　こうした他の膜は、従来公知のものを適宜用いればよいが、いずれもハードコート層４の表面に形成されることが多い。但し、反射防止機能や視野角制御機能などをハードコート層４に付随することもできる。

　反射防止膜は外光の映り込みを抑制する機能をもつものであり、帯電防止膜は塵や埃が付着することを防止する機能をもち、防汚膜は指紋等の油脂の付着を阻害するものであり、従来公知のものを適宜用いればよいが、いずれもハードコート層４の表面に形成されることが多い。但し、反射防止機能や透明導電機能をハードコート層４に付加することもできる。平滑化膜は、表面を平坦化するために用いられるものであり、例えば、防湿膜３の表面に形成されることがある。

［偏光板］
　本実施形態において偏光板１０は、図５に例示したように特定方向に偏光、または偏波した光だけに限って通過させる偏光機能を有する偏光子１１と、偏光子１１に貼り合わせた防湿性基材１とを備えている。防湿性基材１は、偏光子１１を水分から保護し、偏光板１０に剛性を持たせる目的で用いられる。通常、偏光子１１は、一般的に一軸延伸したポリビニルアルコール等が用いられている。このような偏光子は、延伸軸方向に裂け易く、耐水性に劣るなどの欠点があり、また薄く強度面で弱い。本発明においては、それら欠点を補うために防湿性基材１によって偏光子１１の両面を挟持して偏光板１０として使用されている。防湿性基材１のベースフィルムである吸湿性基材２としては、透明性、付着性、不透湿性の面からトリアセチルセルロース（以下、ＴＡＣということがある）が適用されている。

　偏光子１１としては、例えばポリビニルアルコールや部分ホルマール化ポリビニルアルコールなどの従来に準じた適宜なビニルアルコール系ポリマーよりなるフィルムにヨウ素や二色性染料等よりなる二色性物質による染色処理や延伸処理や架橋処理等の適宜な処理を適宜な順序や方式で施してなり、自然光を入射させると直線偏光を透過する適宜なものを用いうる。とりわけ、光透過率や偏光度に優れるものが好ましい。

　偏光子１１とその片面または両面に設けられた防湿性基材１とのトータルの厚みが１３５μｍ以下であることが好ましい。特に限定するものではないが、このうち、偏光子１１としては、１５～３０μｍ程度の厚みであることが好ましく、防湿性基材１の厚みとしては、６０～２５μｍ、より好ましくは５０～２５μｍ程度の厚みのものが好ましく用いられる。防湿性基材１を偏光子１１の両側に形成する場合には、防湿性基材１の厚みは表裏トータルでほぼこの２倍の厚みになるし、接着層の厚みも考慮して、偏光子１１の両側に防湿性基材１が形成された状態で、得られた偏光板１０のトータルの厚みが１３５μｍ以下となるように、偏光子１１や防湿性基材１の厚みを適宜選択する。防湿性基材１の厚みがあまり薄くなると、製造がむずかしくなり、また、取り扱い性が難しくなるので、通常、２５μｍ程度よりは薄くしない方が好ましい。

　偏光子１１の片側または両側に設ける防湿性基材１のベースフィルムとなる吸湿性基材２としては、適宜な透明フィルムを用いうる。そのポリマーの例としてトリアセチルセルロースの如きアセテート系樹脂が一般的に用いられるが、これに限定されるものではない。

　偏光子の複屈折性を微妙にコントロールしているだけあってＴＡＣフィルムには複屈折が全くないことが求められる。高分子フィルムの一般的な製法である押し出し成形でフィルムを作ると，樹脂の分子が一定方向に配向し，複屈折が発生してしまう。そこで，ＴＡＣフィルムの製法としては，ポリマーを溶剤に溶かして広い板の上に薄く広げ，溶剤を揮発させながらフィルムを作製する溶液流延製膜法が一般に使われている。

　偏光子１１と防湿性基材１、特にトリアセチルセルロースフィルムからなる防湿性基材１との接着には、ポリビニルアルコール系の接着剤やウレタン系の接着剤が用いられる。

　本実施形態による偏光板１０は、その実用に際して他の光学層と積層してなる光学部材として用いることができる。その光学層については特に限定はないが、例えば反射板や半透過反射板、位相差板（１／２波長板、１／４波長板などのλ板も含む）、視覚補償フィルムや輝度向上板などの、液晶表示パネル等の形成に用いられることのある適宜な光学層の１層または２層以上を用いることができ、特に、前述した本実施形態の偏光子１１と防湿性基材１からなる偏光板１０に、更に反射板または、半透過反射板が積層されてなる反射型偏光板または半透過反射板型偏光板、前述した本実施形態の偏光子１１と防湿性基材１からなる偏光板１０に、更に位相差板が積層されている楕円または、円偏光板、前述した本実施形態の偏光子１１と防湿性基材１からなる偏光板１０に、更に視角補償フィルムが積層されている偏光板１０、あるいは、前述した本実施形態の偏光子１１と防湿性基材１からなる偏光板１０に、更に輝度向上フィルムが積層されている偏光板１０が好ましい。

　本実施形態による偏光板１０には、液晶セル２１等の他部材と接着するための粘着層を設けることもできる。その粘着層は、アクリル系等の従来に準じた適宜な粘着剤にて形成することができる。とりわけ、吸湿による発泡現象や剥がれ現象の防止、熱膨張差等による光学特性の低下や液晶セルの反り防止、ひいては高品質で耐久性に優れる液晶表示パネル２０の形成性などの点より、吸湿率が低くて耐熱性に優れる粘着層であることが好ましい。また微粒子を含有して光拡散性を示す粘着層などとすることもできる。粘着層は必要に応じて必要な面に設ければよい。

　偏光板１０に設けた粘着層が表面に露出する場合には、その粘着層を実用に供するまでの間、汚染防止等を目的にセパレータにて仮着カバーすることが好ましい。セパレータは、上記の透明保護フィルム等に準じた適宜な薄葉体に、必要に応じシリコーン系や長鎖アルキル系、フッ素系や硫化モリブデン等の適宜な剥離剤による剥離コートを設ける方式などにより形成することができる。

　なお、偏光板１０、光学部材を形成する偏光子１１、防湿性基材１、光学層、粘着層などの各層は、例えばサリチル酸エステル系化合物やベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物やシアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物等の紫外線吸収剤で処理する方式などの適宜な方式により紫外線吸収能をもたせたものなどであってもよい。

　本実施形態による偏光板１０は、液晶表示パネル２０等の各種装置の形成などに好ましく用いることができる。

［液晶表示パネル］
　本実施形態における液晶表示パネル２０は、図６のように本実施形態による偏光板１０を液晶セル２１の片側または両側に配置してなる透過型や反射型、あるいは透過／反射両用型等の従来に準じた適宜な構造を有するものとして形成することができる。従って液晶表示パネル２０を形成する液晶セル２１は任意であり、例えば薄膜トランジスタ型に代表されるアクティブマトリクス駆動型のもの、ツイストネマチック型やスーパーツイストネマチック型に代表される単純マトリクス駆動型のものなどの適宜なタイプの液晶セル２１を用いたものであってよい。

　また液晶セル２１の両側に偏光板１０を設ける場合、それらは同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。さらに液晶表示パネル２０の形成に際しては、例えばプリズムアレイシートやレンズアレイシート、光拡散板やバックライトなどの適宜な部品を適宜な位置に１層または２層以上配置することができる。

　本発明による防湿性基材の用途は、特に限定されない。ただし、薄型軽量であり、高い防湿性が求められ、反り等の変形が生じないことが要求される用途に好適である。上記した液晶表示パネル以外にも、例えば有機ＥＬなどの電子ディスプレイに広く適用できる。

　以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。

　［実施例１］
　吸湿性基材として、厚み４０μｍのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムを用いた。この吸湿性基材上に、プラズマ化学気相成長法により、防湿膜として酸化珪素膜を形成した。プラズマ化学気相成長法は、図７に示したような平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、電極板の間の距離を２５ｍｍとした。上記吸湿性基材を下部電極上にセットし、チャンバー内を真空ポンプで真空度を１×１０^-2Ｐａ以下まで排気した。その後、成膜原料ガスとしてヘキサメチルジシロキサン２ｓｃｃｍ、アルゴンガス１０ｓｃｃｍと添加ガスとして酸素ガス３０ｓｃｃｍ、をガス導入口３８から電極間に導入し、チャンバーの排気弁の開度調整により、チャンバー内圧力を７Ｐａに設定した。その後、プラズマ発生装置より周波数を４０ｋＨｚ、投入電力２００Ｗにてプラズマ放電を形成し、防湿膜として膜厚１０２ｎｍの酸化珪素膜を形成し、防湿性基材１を作製した。

［実施例２］
　実施例１において、吸湿性基材の一方の面（表１において表面と記載する）に膜厚１０３ｎｍの酸化珪素膜を形成し、他方の面（表１において裏面と記載する）に膜厚１０２ｎｍの酸化珪素膜を形成した以外は実施例１と同様にして防湿性基材２を作製した。

［実施例３］
　実施例１において、成膜原料ガスをヘキサメチルジシラザン２ｓｃｃｍに変更し、防湿膜として膜厚１００ｎｍの酸窒化珪素膜を形成した以外は実施例１と同様にして、防湿性基材３を作製した。

［実施例４］
　実施例３において、吸湿性基材の一方の面（表１において表面と記載する）に膜厚１０５ｎｍの酸窒化珪素膜を形成し、他方の面（表１に裏面と記載する）に膜厚１０１ｎｍの酸化珪素膜を形成した以外は実施例３と同様にして、防湿性基材４を作製した。

［実施例５］
　実施例１において、酸化珪素膜の成膜時の酸素添加量を７５ｓｃｃｍに増加し、下記のようにして測定した炭素含有率が２．４ａｔ％である膜厚１０３ｎｍの防湿膜とした以外は実施例１と同様にして、防湿性基材５を作製した。

［実施例６］
　実施例１において、酸化珪素膜の成膜時の酸素添加量を３５ｓｃｃｍに増加し、下記のようにして測定した炭素含有率が１２．３％である膜厚７８ｎｍの防湿膜とした以外は実施例１と同様にして、防湿性基材６を作製した。

［実施例７］
　実施例１において、酸化珪素膜の成膜時の酸素添加量を４０ｓｃｃｍに増加し、下記のようにして測定した炭素含有率が７．８％である、膜厚５０ｎｍの防湿膜とした以外は実施例１と同様にして、防湿性基材７を作製した。

［実施例８］
　実施例１において、酸化珪素膜の膜厚が１９５ｎｍとなるように防湿膜を形成した以外は実施例１と同様にして、防湿性基材８を作製した。

［実施例９］
　実施例１において、酸化珪素膜の膜厚が３０８ｎｍとなるように防湿膜を形成した以外は実施例１と同様にして、防湿性基材９を作製した。

［比較例１］
　実施例１において、酸化珪素膜の膜厚が２５ｎｍとなるように防湿膜を形成した以外は実施例１と同様にして、防湿性基材１０を作製した。

［比較例２］
　実施例１において、酸化珪素膜の成膜時の酸素添加量を６ｓｃｃｍに減じ、下記のようにして測定した炭素含有率が２５．２ａｔ％である膜厚１０２ｎｍの防湿膜とした以外は実施例１と同様にして、防湿性基材１１作製した。

［比較例３］
　吸湿性基材として、厚み４０μｍのトリアセチルセルロースフィルムを用いた。この吸湿性基材上に、真空蒸着法により、防湿膜として酸化珪素膜を形成した。吸湿性基材を成膜チャンバー内にセットし、防湿膜の成膜材料としてＳｉＯを用い、酸素ガスを添加しながら成膜した。この際に、吸湿性基材と成膜材料との間の距離を５００ｍｍとした。真空チャンバー内に吸湿性基材および蒸着材料をセットし、１×１０^-3Ｐａ以下まで真空排気し、その後ＥＢガンを用いて蒸着材料を加熱、蒸発させ、かつ酸素ガスを２０ｓｃｃｍ導入して、反応性蒸着を実施し、防湿膜として膜厚１０５ｎｍの酸化珪素膜を形成し、防湿性基材１２を作製した。

［比較例４］
　比較例３において、吸湿性基材の一方の面（表１において表面と記載する）に膜厚１０３ｎｍの酸化珪素膜を形成し、他方の面（表１に裏面と記載する）に膜厚１０３ｎｍの酸化珪素膜を形成した以外は比較例３と同様にして、防湿性基材１３を作製した。

［比較例５］
　吸湿性基材として、厚み４０μｍのトリアセチルセルロースフィルムを用いた。この吸湿性基材上に、スパッタリング法により、防湿膜として酸化珪素膜を形成した。吸湿性基材を成膜チャンバー内にセットし、チャンバー内を１×１０^-3Ｐａ以下まで真空排気し、成膜ターゲット材料としてＳｉを用い、アルゴンガスと、反応性ガスとして、酸素ガスを導入し、成膜圧力を０．３Ｐａ、投入電力を２ｋＷとして、デュアルマグネトロンスパッタリング法（周波数４０ｋＨｚ）により、防湿膜として膜厚１０５ｎｍの酸化珪素膜を形成し、防湿性基材１４を作製した。

［比較例６］
　比較例５において、吸湿性基材の一方の面（表１において表面と記載する）に膜厚１０５ｎｍの酸化珪素膜を形成し、他方の面（表１に裏面と記載する）に膜厚１０５ｎｍの酸化珪素膜を形成した以外は比較例５と同様にして、防湿性基材１５を作製した。

[防湿膜の膜厚評価]
　上記のようにして得られた吸湿性基材１～１５について、防湿膜の膜厚を、段差計（株式会社アルバック製、ＤＥＫＴＡＫ　ＩＩＡ）を使用し、スキャン範囲を２ｍｍ、スキャンスピードをＬｏｗに設定して測定した。測定された膜厚は、表１の「膜厚」の欄に示す通りであった。

[成膜後平坦性の評価]
　上記のようにして得られた吸湿性基材１～１５について、平坦性の評価を行った。先ず、防湿性基材を１５ｃｍ×１５ｃｍに切り出して、図９に示す防湿性基材サンプル１０を得た。そして、同図に示すように、防湿性基材サンプル７２をステンレス鋼製の基板７１上に置き、防湿性基材サンプル７２の頂点８とステンレス鋼製の基板６との直交距離Ｌを測定した。また、目視にてうねりを観察した。そして、直交距離Ｌの大きさおよびうねりの状態に応じて、下記評価基準で吸湿性基材のカールの発生度合いを評価した。
　良好：直交距離Ｌが１ｍｍ以下でありうねりがみられない。
　不良：直交距離が１ｍｍより大きいか、うねり等がみられる。
　評価結果は、表１の「成膜後平坦性」の欄に示す通りであった。

[防湿性評価]
　上記のようにして得られた吸湿性基材１～１５について、透湿度をＪＩＳ　Ｚ　０２０８「防湿包装材料の透湿度試験方法」に準拠して、２５℃９０％Ｒｈの条件下で測定し、防湿性を評価した。評価結果は、表１の「透湿度」の欄に示す通りであった。

[炭素含有率の測定]
　上記のようにして得られた吸湿性基材１～１５について、防湿膜の表面に吸着した汚染物質をアルゴンを用いて除去した後、Ｘ線光電子分光測定装置を用いて防湿膜の組成分析を行い、炭素含有率を求めた。炭素含有率の測定は、ＸＰＳ（ＶＧ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製ＥＳＣＡ　ＬＡＢ２２０ｉ－ＸＬ）を用いて測定した。Ｘ線源としては、Ａｇ－３ｄ－５／２ピーク強度が３００Ｋｃｐｓ～１ＭｃｐｓとなるＸ線源であるＭｇＫα線を用い、直径約１ｍｍのスリットを使用した。測定は、測定に供した試料面の法線上に検出器をセットした状態で行い、適正な帯電補正を行った。測定後の解析は、上述のＸＰＳ装置に付属されたソフトウエアＥｃｌｉｐｓｅバージョン２．１を使用し、Ｓｉ：２ｐ、Ｃ：１ｓ、Ｎ：１ｓ、Ｏ：１ｓのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて行った。Ｃ：１ｓのピークのうち、炭化水素に該当するピークを基準として、各ピークシフトを修正し、ピークの結合状態を帰属させた。そして、各ピークに対して、シャーリーのバックグラウンド除去を行い、ピーク面積に各元素の感度係数補正（Ｃ＝１．０に対して、Ｓｉ＝０．８７、Ｎ＝１．７７、Ｏ＝２．８５）を行い、原子数比を求めた。得られた原子数比について、Ｓｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏの原子数の和を１００とし、Ｃの原子組成百分率とした。解析により算出された防湿膜の炭素含有率（ａｔ％）は表１に示される通りであった。

[パネル評価]
　上記のようにして得られた吸湿性基材を用いて、図６に示す液晶表示パネルを作製し、６０℃９０％ＲＨの環境試験機内に一週間保管した。その後、パネル表示状態を目視にて確認し、表示部の白抜け発生の有無を評価した。評価基準は以下の通りとした。
　良好：表示部に白抜けがみられない。
　不良：表示部に白抜けがみられる。
　評価結果は、表１の「パネル評価」の欄に示される通りであった。

１：　　　防湿性基材
２：　　　吸湿性基材
３：　　　防湿膜
４：　　　ハードコート層
５：　　　光学調整層
６：　　　防汚層
１０：　　偏光板
１１：　　偏光子
２０：　　液晶表示パネル
２１：　　液晶セル
２２：　　ガラス基板
２３：　　粘着層
３１：　　プラズマＣＶＤ装置
３２：　　チャンバー
３３：　　下部電極
３４：　　上部電極
３５：　　プラズマ発生装置
３６：　　排気弁
３７：　　排気装置
３８：　　ガス導入口
３９ａ、３９ｂ、３９ｃ：　添加ガス供給装置
３９ｄ、３９ｅ：成膜原料供給装置
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅ：　　流量計
４１ｄ、４１ｅ：　　気化器
５０：　　チャンバー
５１：　　送出ローラー
５２：　　巻き取りローラー
５３：　　下部電極
５４：　　コーティングドラム（上部電極）
５５ａ、５５ｂ：排気弁
５６ａ、５６ｂ：排気装置
５７ａ、５７ｂ、５７ｃ：ガス導入口
５８ａ、５８ｂ、５８ｃ：添加ガス供給源
５９ａ、５９ｂ：成膜原料供給源
６０ａ、６０ｂ：　　流量計
６１：　　ガイドローラー
６２ａ、６２ｂ：　　気化器
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ：　　流量計
７１：　　ステンレス鋼製の基板
７２：　　防湿性基材サンプル

Claims

　防湿性基材の製造方法であって、
　吸水率が１％以上の吸湿性基材の少なくとも一方の面側に、炭素含有率が２．０ａｔ％以上、２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜からなる、膜厚が３０ｎｍ以上の防湿膜を、プラズマ化学気相成長法により成膜する、
ことを含んでなる、防湿性基材の製造方法。
　前記成膜が、有機珪素モノマーを含む成膜原料ガスを用いるプラズマ化学気相成長法により行われる、請求項１に記載の防湿性基材の製造方法。
　吸水率が１％以上の吸湿性基材と、前記吸湿性基材の少なくとも一方の面側に形成された防湿膜と、を備えた防湿性基材であって、
　前記防湿膜は、炭素含有率が２．０ａｔ％以上、２０．０ａｔ％以下の炭素成分を含む酸化珪素膜または酸窒化珪素膜からなり、かつ膜厚が３０ｎｍ以上である、防湿性基材。
　２５℃９０％ＲＨの環境下での透湿度が６．０ｇ／ｍ²／２４ｈ以下である、請求項３に記載の防湿性基材。
　請求項３または請求項４のいずれか一項に記載の防湿性基材を備えた、偏光板。
　請求項５に記載の偏光板を備えた、液晶表示パネル。