TW201919866A - 抗反射膜及其製造方法、以及附抗反射層之偏光板 - Google Patents

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Abstract

本發明之抗反射膜(100)係於透明膜基材(1)之一主面具備包含折射率不同之複數層薄膜之抗反射層(5)。抗反射層包含與透明膜基材相接之底塗層(50)。底塗層之氬之含量為0.5原子%以下。底塗層(50)例如為氧化矽層。抗反射膜之透濕度較佳為1 g/m2·24 h以下。附抗反射層之偏光板(101)於偏光元件(8)上具備上述抗反射膜(100)。

Description

抗反射膜及其製造方法、以及附抗反射層之偏光板
本發明係關於一種於透明膜上具備包含複數層薄膜之抗反射層之抗反射膜、及其製造方法。
於液晶顯示器或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器等圖像顯示裝置之視認側表面，為了防止因外界光之反射或影像之映入引起之畫質降低、提高對比度等，而使用抗反射膜。抗反射膜於透明膜上具備包含折射率不同之複數層薄膜之積層體的抗反射層。
作為抗反射膜之一形態，可列舉附抗反射層之偏光板。藉由於偏光板之表面貼合抗反射膜，或於偏光元件之表面貼合作為保護膜之抗反射膜，而獲得附抗反射層之偏光板。亦可於偏光板之表面形成抗反射層。
已知有多種使抗反射層具有水蒸氣阻隔性之嘗試。例如，於專利文獻1中，藉由濺鍍法形成ITO與SiO2 之交替積層膜，並於其上藉由電漿CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法形成氧化矽膜，藉此提高水蒸氣阻隔性。於專利文獻2中，藉由設置高折射率之氮化矽膜，而謀求抗反射膜之低透濕化。於專利文獻3中記載有抗反射層之最外層(離膜基材最遠之層)之密度與透濕度之間具有較高之關聯。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-338305號公報 [專利文獻2]日本專利特開2003-139907號公報 [專利文獻3]日本專利特開2009-109850號公報
[發明所欲解決之問題]
藉由於偏光板之表面設置具有水蒸氣阻隔性之抗反射層，而高濕度環境下之偏光元件之劣化得到抑制，耐久性提高。近年來，對顯示器要求進一步之高濕耐久性，而需要水蒸氣阻隔性較先前更高之(低透濕度之)抗反射膜。鑒於上述情況，本發明之目的在於提供一種水蒸氣阻隔性優異之抗反射膜。 [解決問題之技術手段]
本發明之抗反射膜於透明膜基材之一主面具備包含折射率不同之複數層薄膜之抗反射層。抗反射層包含與透明膜基材相接之底塗層。於底塗層上，較佳為交替地積層有高折射率層及低折射率層。抗反射膜之透濕度較佳為1 g/m2 ·24 h以下。
底塗層之氬含量較佳為0.01～0.5原子%以下。底塗層較佳為氧化矽層。底塗層較佳為藉由濺鍍法而形成。構成抗反射層之底塗層上之薄膜亦較佳為藉由濺鍍法形成。
進而，本發明係關於一種於偏光元件之一面具備上述抗反射膜的附抗反射層之偏光板。 [發明之效果]
本發明之抗反射膜之氣體阻隔性優異，表面具備低透濕度之附抗反射層之偏光板的顯示器即便於暴露於高濕環境下之情形時，水分向偏光元件之侵入量亦較小，因此可抑制偏光元件之劣化。
[抗反射膜之構成] 圖1係模式性地表示一實施形態之抗反射膜之構成的剖視圖。抗反射膜100以與透明膜基材1相接之方式具備抗反射層5。抗反射層係2層以上之薄膜之積層體，圖1所示之抗反射層5於與透明膜基材1相接之面具備底塗層50，並於其上交替地積層有高折射率層51、53及低折射率層52、54。
抗反射層5之透濕度較佳為1 g/m2 ·24 h以下，更佳為0.7 g/m2 ·24 h以下，進而較佳為0.5 g/m2 ·24 h以下。藉由使抗反射層之透濕度變小，可防止水分之侵入，而抑制因水分引起之偏光元件等之劣化。如下文詳細所述，於底塗層中所含之氬量較少之情形時，有抗反射膜之透濕度變小之傾向。
＜透明膜基材＞ 透明膜基材1包含可撓性之透明膜10。於透明膜10之抗反射層5形成面側，較佳為設置有硬塗層11。
(透明膜) 透明膜10之可見光透過率較佳為80%以上，更佳為90%以上。透明膜10之厚度並無特別限定，但就強度或操作性等作業性、薄層性等觀點而言，較佳為5～300 μm左右，更佳為10～250 μm，進而較佳為20～200 μm。
作為構成透明膜10之樹脂材料，例如可列舉透明性、機械強度、及熱穩定性優異之熱塑性樹脂。作為此種熱塑性樹脂之具體例，可列舉：三乙醯纖維素等纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、環狀聚烯烴系樹脂(降烯系樹脂)、聚芳酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、及該等之混合物。
(硬塗層) 藉由於透明膜10之表面設置硬塗層11，可提高抗反射膜之硬度或彈性模數等機械特性。硬塗層11較佳為表面之硬度較高而耐擦傷性優異者。硬塗層11例如可藉由於透明膜10上塗佈含有硬化性樹脂之溶液而形成。
作為硬化性樹脂，可列舉：熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂等。作為硬化性樹脂之種類，可列舉：聚酯系、丙烯酸系、胺基甲酸酯系、丙烯醯基胺基甲酸酯系、醯胺系、聚矽氧系、矽酸鹽系、環氧系、三聚氰胺系、氧雜環丁烷系、丙烯醯基胺基甲酸酯系等各種樹脂。該等硬化性樹脂可適當地選擇一種或兩種以上使用。
該等中，就硬度較高、能夠進行紫外線硬化且生產性優異之方面而言，較佳為丙烯酸系樹脂、丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂、及環氧系樹脂，其中，較佳為丙烯醯基胺基甲酸酯系樹脂。紫外線硬化型樹脂包括紫外線硬化型之單體、低聚物、聚合物等。關於較佳地使用之紫外線硬化型樹脂，例如可列舉具有紫外線聚合性之官能基者，其中可列舉含有具有2個以上、尤其具有3～6個該官能基之丙烯酸系單體或低聚物作為成分者。
為了使抗反射膜具有防眩性及防止眩光性，硬塗層11亦可具有防眩性。作為防眩性硬塗層，例如可列舉使微粒子分散於上述硬化性樹脂基質中而成者。作為分散於樹脂基質中之微粒子，可無特別限制地使用：二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、氧化銻等各種金屬氧化物微粒子、玻璃微粒子、包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、聚碳酸酯等各種透明聚合物之交聯或未交聯之有機系微粒子、聚矽氧系微粒子等具有透明性者。
硬塗層11例如可藉由於透明膜10上塗佈含有硬化性樹脂之溶液而形成。於用以形成硬塗層之溶液中，較佳為調配有紫外線聚合起始劑。為了形成含有微粒子之防眩性硬塗層，較佳為將除含有硬化性樹脂以外亦含有上述微粒子之溶液塗佈於透明膜上。於溶液中，亦可含有調平劑、觸變劑、抗靜電劑等添加劑。
硬塗層11之厚度並無特別限定，但為了實現較高之硬度，較佳為0.5 μm以上，更佳為1 μm以上。考慮到藉由塗佈而形成之容易性，硬塗層之厚度較佳為15 μm以下，更佳為10 μm以下。
透明膜基材1之抗反射層5形成面側之表面之算術平均粗糙度Ra較佳為1.0 nm以下。於透明膜10上形成有硬塗層11之情形時，硬塗層11之算術平均粗糙度Ra成為透明膜10之抗反射層5形成面側之表面之算術平均粗糙度。算術平均粗糙度Ra係根據使用原子力顯微鏡(AFM)所得之1 μm見方之觀察像而求出。
若如上所述藉由塗佈形成硬塗層11，則可使透明膜基材1之表面之算術平均粗糙度變小。若透明膜基材1之表面平滑，則可抑制抗反射層5之針孔等缺陷，因此可獲得更低透濕之抗反射膜。
(表面處理) 對於透明膜基材1之表面，亦可為了提高與抗反射層5之密接性等而進行電暈處理、電漿處理、火焰處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、皂化處理、利用偶合劑進行之處理等表面改質處理。
＜抗反射層＞ 藉由於透明膜基材1上設置抗反射層5而形成抗反射膜。抗反射層5於與透明膜基材1相接之面具備底塗層50，並於其上具備高折射率層及低折射率層。一般而言，抗反射層係以入射光與反射光之反轉之相位相互抵消之方式調整薄膜之光學膜厚(折射率與厚度之乘積)。藉由將抗反射層設為折射率不同之複數層薄膜之多層積層體，可於可見光之寬頻帶之波長範圍內使反射率變小。
作為構成抗反射層5之薄膜之材料，可列舉金屬之氧化物、氮化物、氟化物等。作為底塗層50之材料，較佳為氧化矽。底塗層50之膜中之氬之含量為0.5原子%以下。低折射率層52、54例如折射率為1.6以下、較佳為1.5以下。作為低折射率材料，可列舉：氧化矽、氟化鎂等。高折射率層51、53例如折射率為1.9以上、較佳為2.0以上。作為高折射率材料，可列舉：氧化鈦、氧化鈮、氧化鋯、氧化銦錫(ITO)、摻銻氧化錫(ATO)等。除設置低折射率層與高折射率層以外，亦可設置例如包含氧化鈦、或上述低折射率材料與高折射材料之混合物之薄膜作為折射率1.6～1.9左右之中折射率層。
構成抗反射層5之薄膜之成膜方法並無特別限定，可為濕式塗佈法、乾式塗佈法之任一者。就可形成膜厚均勻之薄膜之方面而言，較佳為真空蒸鍍、CVD、濺鍍、電子束蒸鍍等乾式塗佈法。其中，就容易形成膜厚之均一性優異且氣體阻隔性較高之緻密之膜之方面而言，較佳為濺鍍法。尤其為了獲得低透濕之抗反射膜，較佳為藉由濺鍍法使氧化矽成膜作為底塗層50。
於濺鍍法中，可藉由卷對卷式方式一面將長條之膜基材沿一方向(長度方向)搬送，一面使複數層薄膜連續成膜，因此可提高抗反射膜之生產性。為了提高抗反射膜之生產性，較佳為藉由濺鍍法成膜構成抗反射層5之所有薄膜。於濺鍍法中，一面將氬等惰性氣體、及視需要而定之氧等反應性氣體導入至腔室內一面進行成膜。
藉由濺鍍法進行之氧化物層之成膜可藉由使用氧化物靶之方法、及使用金屬靶之反應性濺鍍之任一者實施。為了使用氧化物靶使氧化矽等絕緣性氧化物成膜，需要RF(radio frequency，射頻)放電。為了以高速率使金屬氧化物成膜，較佳為使用金屬靶之反應性DC(direct current，直流)濺鍍。
(底塗層) 底塗層50之膜中之氬量為0.5原子%以下，較佳為0.4原子%以下。藉由使濺鍍膜中之氬量為0.5原子%以下，有透濕度降低而抗反射膜之水蒸氣阻隔性提高之傾向。關於藉由減少底塗層之膜中氬量而抗反射層成為低透濕之原因並不明確，但作為1個因素，認為與如下情況相關：若原子半徑較大之氬存在於底塗層，則容易於底塗層及形成於其上之薄膜形成水蒸氣等氣體之通道。
如上所述，濺鍍成膜係使用氬作為製程氣體，使高能量之氬碰撞靶而使材料自靶彈出，並使自靶彈出之濺鍍粒子附著於基材上，藉此進行成膜。氬等惰性氣體一般不參與成膜，但經離子化之氬由於反應性較高，故而作為製程氣體之氬之一部分在濺鍍成膜中不可避免地被引入至膜中。
作為稀有氣體之氬與矽或氧相比原子直徑較大，因此被引入至膜中之氬可能成為妨礙氧化矽之Si-O鍵網狀結構之形成且形成原子級別之空隙之因素。認為若於與膜基材1相接而最初成膜之底塗層50中形成因氬之混入造成之空隙，則於在其上將高折射率層51、53或低折射率層52、54濺鍍成膜時，空隙容易於厚度方向柱狀生長，其成為水蒸氣等氣體之通道，而透濕度變高。針對於此，認為藉由使引入至底塗層50中之氬量減少，而抑制成為水蒸氣之通道的空隙之生成，從而形成水蒸氣阻隔性優異之低透濕之抗反射層。
底塗層50中所含之氬量越小越佳，但藉由使用氬作為製程氣體之濺鍍成膜所獲得之膜通常含有0.01原子%以上之氬。底塗層中之氬含量亦可為0.05原子%以上、或0.1原子%以上。膜中之氬量係藉由盧瑟福背向散射(RBS)法而測定，氧化矽膜中之氬量係將矽、氧及氬之含量之合計設為100原子%之算出值。
作為抑制氬向底塗層混入之方法，較佳為藉由使成膜時之製程壓力變小來增大平均自由行程，而促進氬之散射。底塗層50成膜時之製程壓力較佳為0.05～2 Pa左右，更佳為0.07～1 Pa左右，進而較佳為0.1～0.5 Pa，尤佳為0.1～0.3 Pa。底塗層50成膜時之向成膜室之氧導入量以體積比計較佳為氬導入量之0.1～10%左右，更佳為0.5～5%左右，進而較佳為1～3%左右。
藉由於濺鍍成膜時導入氬及氧促進Si-O鍵網狀結構之形成，而有抑制氬向膜中混入之傾向。另一方面，為了提高膜基材1與抗反射層5之密接性，底塗層50較佳為氧量未達化學計量組成。底塗層50之膜厚只要為不損害透明膜基材1之透明性之程度即可，例如為1～10 nm左右。
(底塗層上之薄膜) 形成於底塗層50上之薄膜之種類並無特別限定。就遍及較寬波長範圍地降低反射率之觀點而言，較佳為交替地設置高折射率層及折射率。為了減少空氣界面處之反射，作為抗反射層5之最外層(離膜基材1最遠之層)而設置之薄膜54較佳為低折射率層。作為低折射率層及高折射率層之材料，如上所述較佳為氧化物。其中，較佳為將作為高折射率層之氧化鈮(Nb2 O5 )薄膜51、53、及作為低折射率層之氧化矽(SiO2 )薄膜52、54交替地積層。
低折射率層及高折射率層向底塗層上之濺鍍成膜較佳為以成膜模式成為過渡區域之方式控制氧導入量。例如，對放電之電漿發射強度進行檢測而控制向成膜室之氣體導入量之電漿發射監測方式(PEM方式)係基於電漿發射強度而進行對氧導入量之反饋。藉由利用PEM控制氧導入量，而於以卷對卷式方式成膜薄膜之情形時，可將成膜速率保持一定，因此可獲得薄膜之膜厚變得均勻、抗反射特性優異之抗反射膜。藉由於寬度方向設置複數個電漿發射測定點，並分別獨立地進行藉由PEM進行之氧導入量之控制，亦可提高寬度方向之品質之均一性。
＜向抗反射層上之附加層＞ 抗反射膜亦可於抗反射層5之表面設置附加之功能層。抗反射膜由於配置於顯示器之最表面，故而容易受到來自外部環境之污染(指紋、手垢、灰塵等)之影響。尤其是設置於抗反射層5之最表面之SiO2 等低折射率層54濡濕性良好，而容易附著指紋或手垢等污染物質。為了使防止來自外部環境之污染、或去除所附著之污染物質變得容易等，亦可於抗反射層上設置防污層(未圖示)。
防污層較佳為與抗反射層5之最表面之低折射率層54之折射率差較小。防污層之折射率較佳為1.6以下，更佳為1.55以下。作為防污層之材料，較佳為含氟基之矽烷系化合物、或含氟基之有機化合物等。防污層可藉由反向塗佈法、模嘴塗佈法、凹版塗佈法等濕式法、或CVD法等乾式法等形成。防污層之厚度通常為1～100 nm左右，較佳為2～50 nm，更佳為3～30 nm。
[附抗反射層之偏光板] 抗反射膜例如係配置於顯示器之表面使用。亦可如圖2所示將抗反射膜100與偏光元件8積層而成之附抗反射層之偏光板貼合於顯示器之表面。於圖2所示之附抗反射層之偏光板101中，於透明膜基材1之與抗反射層5形成面相反側之主面貼合有偏光元件8之一面。於偏光元件8之另一面貼合有透明膜9。於該構成中，膜基材1兼具作為用以形成抗反射層5之基材之功能、及作為偏光元件8之保護膜之功能。於抗反射膜之製作中，亦可將偏光元件8與膜基材1貼合而製作偏光板，於偏光板之膜基材1上形成抗反射層5。
作為偏光元件8，可列舉：使碘或二色性染料等二色性物質吸附於聚乙烯醇系膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜並進行單軸延伸而成者、聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫氯化氫處理物等多烯系配向膜等。
其中，就具有較高之偏光度之方面而言，較佳為使碘或二色性染料等二色性物質吸附於聚乙烯醇、或部分縮甲醛化聚乙烯醇等聚乙烯醇系膜並於特定方向配向而成之聚乙烯醇(PVA)系偏光元件。例如藉由對聚乙烯醇系膜實施碘染色及延伸，可獲得PVA系偏光元件。亦可使用厚度為10 μm以下之薄型之偏光元件作為PVA系偏光元件。作為薄型之偏光元件，例如可列舉日本專利特開昭51-069644號公報、日本專利特開2000-338329號公報、WO2010/100917號說明書、日本專利第4691205號說明書、日本專利第4751481號說明書等中所記載之薄型偏光膜。此種薄型偏光元件例如可藉由包括如下步驟之製法而獲得：將PVA系樹脂層與延伸用樹脂基材於積層體之狀態下進行延伸；及進行碘染色。
作為透明膜9，較佳為使用與作為透明膜10之材料而於上文敍述之材料相同之材料。再者，透明膜9之材料與透明膜10之材料可相同，亦可不同。
關於偏光元件與透明膜之貼合，較佳為使用接著劑。作為接著劑，可適當地選擇以丙烯酸系聚合物、聚矽氧系聚合物、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚乙烯醇、聚乙烯醚、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環氧系聚合物、氟系聚合物、橡膠系聚合物等作為基礎聚合物者使用。PVA系偏光元件之接著較佳為使用聚乙烯醇系接著劑。
本發明之抗反射膜及附抗反射層之偏光板可用於液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等顯示器。尤其於用作顯示器之最表面層之情形時，有助於藉由抗反射所獲得之顯示器之視認性提高。藉由將具備特定之底塗層50的低透濕之抗反射膜100設置於偏光元件8之表面，可抑制水分自外部環境向偏光元件8侵入。因此，即便於顯示器暴露於高濕環境下之情形時，亦不易產生因偏光元件之劣化引起之黃變或褪色，可抑制顯示特性之變化。 [實施例]
以下，列舉實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限於以下實施例。
[附硬塗層之膜之製作] 將紫外線硬化型丙烯酸系樹脂(DIC製造，商品名「GRANDIC PC-1070」，折射率：1.52)100重量份(固形物成分)、及作為無機填料之奈米二氧化矽粒子50重量份進行混合，而製備硬塗層形成用組合物。將該組合物以乾燥後之厚度成為5 μm之方式塗佈於厚度100 μm之三乙酸纖維素膜(FUJIFILM製造，商品名「FUJITAC」)之單面，並以80℃乾燥3分鐘。其後，使用高壓水銀燈照射累計光量200 mJ/cm2 之紫外線，使塗佈層硬化而形成硬塗層。
[實施例1] 將形成有硬塗層之三乙醯纖維素膜導入至卷對卷方式之濺鍍成膜裝置中，一面使膜移行一面對防眩性硬塗層形成面進行轟擊處理(利用氬氣(Ar)進行之電漿處理)後，成膜3.5 nm之氧化矽層作為底塗層，並於其上依序成膜12 nm之Nb2 O5 層、28 nm之SiO2 層、100 nm之Nb2 O5 層及85 nm之SiO2 層，而製作抗反射膜。
轟擊處理係於壓力1.5 Pa下實施。作為底塗層之氧化矽層係於基板溫度-8℃、氬流量300 sccm、氧流量4.5 sccm、壓力0.2 Pa下對Si靶施加0.5 W/cm2 之電力而進行DC濺鍍成膜。SiO2 層之成膜使用Si靶，Nb2 O5 層之成膜使用Nb靶，於基板溫度-8℃、氬流量400 sccm、壓力0.25 Pa下進行成膜。於SiO2 層之成膜及Nb2 O5 層之成膜中，藉由電漿發光檢測(PEM)控制，以成膜模式維持過渡區域之方式調整導入之氧量。
[實施例2及比較例1] 將底塗層之濺鍍成膜條件如表1所示進行變更，於比較例1中，不導入氧而成膜底塗層。又，於比較例1中，變更為氬流量1200 sccm、壓力0.45 Pa。除此以外，與實施例1同樣地製作抗反射膜。
[抗反射膜之評價] (透濕度) 依據JIS K7129：2008附件B於溫度40℃、濕度90%RH之氛圍中測定抗反射膜之透濕度。由於膜基材之透濕度與抗反射層之透濕度相比足夠大，故而視為抗反射膜整體之透濕度等同於抗反射層之透濕度。
(薄膜之膜密度及組成) 構成抗反射層之薄膜之膜密度及組成係藉由盧瑟福背向散射(RBS)法而測定。於膜密度之算出中，使用根據剖面之穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察所求出之膜厚，元素組成係基於各個薄膜之膜厚之中央處之元素組成，將金屬(矽或鈮)、氧或氬之含量之合計設為100原子%而算出。
[附抗反射層之偏光板之製作及耐久性評價] 於偏光元件之一面貼合實施例及比較例之抗反射膜，於偏光元件之另一面貼合包含具有內酯環結構之改性丙烯酸系聚合物的厚度30 μm之透明膜，而製作附抗反射層之偏光板。作為偏光元件，使用將平均聚合度2700、厚度75 μm之聚乙烯醇膜進行碘染色且延伸至6倍而成之PVA系偏光元件。PVA系偏光元件與透明膜之接著係使用包含如下水溶液之接著劑，並利用輥貼合機進行貼合後，於烘箱內進行加熱乾燥，該水溶液以重量比3:1含有包含乙醯乙醯基之聚乙烯醇樹脂(平均聚合度1200，皂化度98.5莫耳%，乙醯乙醯化度5莫耳%)及羥甲基三聚氰胺。
將所獲得之附抗反射層之偏光板投入至60℃90%RH之恆溫恆濕槽中，於72小時後取出。於背光裝置上載置市售之偏光板，求出透過光之色度b＊ 之加熱加濕試驗前後的變化量Δb＊ 。
將實施例及比較例之抗反射層之各層之膜特性、底塗層之成膜條件、抗反射膜之透濕度、以及附抗反射層之偏光板的加熱加濕試驗前後之透過光b＊ 之變化量示於表1。
[表1]
如表1所示，實施例1及實施例2之抗反射膜與比較例1相比，透濕度較小，附抗反射層之偏光板的加熱加濕試驗前後之色度差較小，表現出良好之耐久性。關於作為最外層之SiO2 層(膜厚85 nm)之膜密度，實施例及比較例中未見明確之差。
Nb2 O5 與SiO2 相比透濕度較大，因此於SiO2 與Nb2 O5 之交替積層體膜中，SiO2 膜起到控制水分透過之速度之作用，透濕度主要受SiO2 膜之特性影響。於比較例1中，由於Nb2 O5 層之成膜壓力較小，故而與實施例1及實施例2相比可見Nb2 O5 層之膜密度變小之傾向，但認為Nb2 O5 層之膜密度之差幾乎未對透濕度之變化產生影響。
實施例1、2與比較例1中，底塗層之成膜條件不同，於一面導入氧一面以低氬導入量(低壓)進行成膜之實施例1、2中，與比較例1相比膜中之氬量改變。根據該結果認為，於實施例中，藉由底塗層中所含之氬量減少，而抗反射膜之水蒸氣阻隔性提高(透濕度降低)，附抗反射層之偏光板之耐久性提高。
1‧‧‧透明膜基材
5‧‧‧抗反射層
8‧‧‧偏光元件
9‧‧‧透明膜
10‧‧‧透明膜
11‧‧‧硬塗層
50‧‧‧底塗層
51、52、53、54‧‧‧薄膜
100‧‧‧抗反射膜
101‧‧‧附抗反射層之偏光板
圖1係模式性地表示抗反射膜之一形態之剖視圖。 圖2係模式性地表示附抗反射層之偏光板之一形態的剖視圖。

Claims (9)

  1. 一種抗反射膜，其係於透明膜基材之一主面具備包含折射率不同之複數層薄膜之抗反射層者， 上述抗反射層包含與上述透明膜基材相接之底塗層，且 上述底塗層之氬之含量為0.01～0.5原子%以下。
  2. 如請求項1之抗反射膜，其中上述底塗層為氧化矽層。
  3. 如請求項2之抗反射膜，其中上述抗反射層於上述底塗層上交替地具備高折射率層及低折射率層。
  4. 如請求項3之抗反射膜，其中上述高折射率層為氧化鈮層，上述低折射率層為氧化矽層，上述底塗層之氧化矽之氧量較上述低折射率層之氧化矽之氧量少。
  5. 如請求項1至4中任一項之抗反射膜，其透濕度為1 g/m2 ·24 h以下。
  6. 如請求項1至4中任一項之抗反射膜，其中上述透明膜基材於與上述底塗層相接之面具備硬塗層。
  7. 一種附抗反射層之偏光板，其於偏光元件之一面具備如請求項1至6中任一項之抗反射膜。
  8. 一種抗反射膜之製造方法，其係製造如請求項1至6中任一項之抗反射膜之方法，且 上述底塗層係藉由濺鍍法而成膜。
  9. 如請求項8之抗反射膜之製造方法，其係藉由濺鍍法使構成上述抗反射層之所有薄膜成膜。
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