WO2014180682A1 - Laserdiodenvorrichtung - Google Patents

Laserdiodenvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
WO2014180682A1
WO2014180682A1 PCT/EP2014/058483 EP2014058483W WO2014180682A1 WO 2014180682 A1 WO2014180682 A1 WO 2014180682A1 EP 2014058483 W EP2014058483 W EP 2014058483W WO 2014180682 A1 WO2014180682 A1 WO 2014180682A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser diode
optical element
diode device
carrier
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2014/058483
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Markus Horn
Andreas Rozynski
Karsten Auen
Stephan Haneder
Thomas Dobbertin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE112014002330.2T priority Critical patent/DE112014002330A5/de
Priority to US14/787,680 priority patent/US9537285B2/en
Publication of WO2014180682A1 publication Critical patent/WO2014180682A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/0222—Gas-filled housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Definitions

  • Laser diode device The invention relates to a laser diode device.
  • Semiconductor lasers have a strong temperature sensitivity and an associated impairment of their
  • the invention is based on the object
  • the laser diode device comprises a carrier with a carrier top side.
  • Laser diode device in particular at least one
  • Laser diode chip which is advantageously arranged on the carrier top, wherein the laser diode chip in operation
  • the laser diode chip can be placed directly on the
  • Carrier top be arranged or by means of a
  • Mounting plate may be arranged on the carrier top.
  • the radiating surface is perpendicular to the
  • the emission surface is, for example, a side surface of the laser diode chip. Thus emits the
  • Laser diode chip the radiation preferably in a
  • the radiating surface is that surface of the laser diode chip through which at least a major part of the operation of the
  • the laser diode chip is then in particular an edge-emitting laser diode chip.
  • the laser diode chip is particularly adapted to emit during operation electromagnetic radiation in the spectral range between UV radiation and infrared radiation.
  • the laser diode chip can be configured to emit UV radiation, blue light, green light, red light or infrared radiation during operation.
  • the laser diode chip is a laser diode chip based on a nitride compound semiconductor material.
  • nitride compound semiconductor material means in the present context that a
  • a nitride compound semiconductor material preferably Al n Ga m In ] __ n _ m N or consists of this, where 0 ⁇ n ⁇ 1, 0 ⁇ m ⁇ 1 and n + m ⁇ 1.
  • This material does not necessarily have to have a mathematically exact composition according to the above formula. Rather, it may, for example, have one or more dopants and additional constituents.
  • the above formula contains only the essential constituents of the crystal lattice (Al, Ga, In, N), even if these can be partially replaced and / or supplemented by small amounts of further substances.
  • the laser diode chip may have an epitaxially grown semiconductor layer sequence comprising an active layer, which is formed for example on the basis of AlGalnN and / or InGaN.
  • the active layer is then configured to operate in electromagnetic mode
  • the laser diode chip may have, for example, a conventional pn junction, a double heterostructure or a quantum well structure as active layer, particularly preferably one
  • Quantum well structure unfolds here no meaning with regard to the dimensionality of the quantization. It thus includes quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • the laser diode chip is characterized in particular by a high optical output power.
  • the optical output power of the laser diode chip is at least 0.1 W.
  • Laser diode device at least one optical element, which advantageously deflects the electromagnetic radiation emitted by the laser diode chip at least partially perpendicular to the carrier top side.
  • the optical element is advantageously at least a portion of the radiated by the emitting surface of the laser diode electromagnetic radiation from the
  • Laser diode device deflected by means of optical refraction and / or reflection. After the impact of the emitted electromagnetic radiation on the optical element is advantageously carried out a deflection at an angle of preferably 90 ° to the carrier top. Furthermore, by the optical element in particular shape and direction of the
  • radiated light beam can be influenced.
  • Laser diode device advantageously a mounting plate, which is advantageously arranged on the carrier top and this covers at least partially, wherein the
  • Mounting plate between the at least one laser diode chip and the carrier is located.
  • the mounting plate is preferably arranged on the carrier top side such that a main plane of the mounting plate runs parallel to the carrier top side.
  • the mounting plate is preferably arranged on the carrier top side such that a main plane of the mounting plate runs parallel to the carrier top side.
  • the laser diode chip is preferably with its largest
  • Heat dissipation from the laser diode chip allows application of multiple laser diode chips in the device without significant coupling effects between the laser diode chips. Furthermore, thereby the laser diode chip is aligned so that a radiation direction of the
  • electromagnetic radiation is parallel to the main plane of the mounting plate, whereby the radiating surface of the
  • Laser diode chips is perpendicular to the mounting plate.
  • the mounting plate is advantageously characterized by a high thermal conductivity, which leads to an efficient heat spreading in the mounting plate.
  • the mounting plate is formed by a Cu plate.
  • the mounting plate may advantageously have a thickness of 100 ym to a few mm.
  • the mounting plate preferably has a thickness of at least 0.5 mm and at most 2 mm. According to at least one embodiment of the
  • the at least one laser diode chip is arranged on a chip carrier.
  • the chip carrier is preferably formed as a thin plate with a flat surface and serves the respective
  • the chip carrier made of a material with high
  • Chip carrier preferably causes electrical isolation of the laser diode chip from the carrier.
  • the material of the chip carrier is preferably a dielectric material and in particular comprises no metal.
  • the chip carrier material comprises a ceramic such as A1N.
  • laser diode chips can be mounted quickly, easily and firmly fixed, advantageously allowing a plurality of laser diode chips to be arranged on the carrier top side and aligned with the optical element. According to at least one embodiment of the
  • the optical element is a prism.
  • Light beam deflection can be used by refraction.
  • Laser diode chips are advantageously deflected by one or more prisms such that the light rays are spatially separated from each other or partially or completely overlap. According to at least one embodiment of the
  • the optical element is a mirror.
  • the mirror is advantageously characterized by a high reflectivity, so that during the deflection of the
  • Laser diode device is the optical element
  • a polarization cube is used as the optical element.
  • Laser diode device is arranged between the laser diode chip and the optical element at least one retarder plate.
  • a retardation plate can advantageously be arranged between a laser diode chip and the optical element on the carrier top side.
  • the retardation plate may for example also be formed as a film and
  • the retardation plate is a ⁇ / 2 plate.
  • Laser diode device a plurality of laser diode chips are arranged on the carrier top.
  • preferably common emission is deflected.
  • laser diode chips of the same design can be used.
  • light of the same wavelength from several laser diode chips can be combined to form a high-intensity total emission beam.
  • Wavelengths can be achieved.
  • the laser diode chips are directed to the optical element, that at least partially overlap by the optical element deflected light beams of the laser diode chips.
  • the laser diode chips are so directed to the optical element that through the optical Element deflected light beams of the laser diode chips do not overlap.
  • Deflection by the optical element spatially separated light beams.
  • the deflection surfaces of the optical element are not directed to the same emission point. According to at least one embodiment of the
  • Laser diode device have the laser diode chips
  • Light beam at least partially from light of the same wavelength / polarization or different
  • Laser diode devices deviate the emission wavelengths of the laser diode chips only by at most 10 nm or at most 15 nm from each other.
  • the difference in the wavelengths of the individual laser diode chips can advantageously be only slightly.
  • all the laser diode chips can have wavelengths of the same color impression, for example the color red.
  • a deviation of the wavelengths with one another can advantageously amount to only 10 nm or 15 nm.
  • Such a deviation in the emission wavelengths of the laser diode chips can be advantageously achieved by different constructions of the
  • Laser diode chips for example by the choice of
  • Semiconductor materials can be achieved.
  • the bandwidth of the superposed light can be increased and, for example, speckles in the laser light can be reduced.
  • the laser diode device comprises a housing which is a TO housing. According to at least one embodiment of the
  • the TO package is sealed against the environment and in particular hermetically sealed.
  • the housing is advantageously filled with a protective gas or evacuated.
  • Figures 1, la, 2, 2a, 3, 3a, 3b and 4 each show a laser diode device according to the embodiments of the invention.
  • Size ratios of the components with each other are not to be considered as true to scale.
  • FIG. 1 shows a first exemplary embodiment of a laser diode device 10 described here in one embodiment
  • the laser diode device 10 comprises a carrier 1, which in the present case is made of steel.
  • a mounting plate 3 is on one
  • the mounting plate 3 is formed of copper, whereby a high thermal conductivity is given. Continue piercing
  • the laser diode device 10 has a laser diode chip 4, which is in particular an InGaN laser formed from epitaxially grown semiconductor layers.
  • a laser diode chip 4 which is in particular an InGaN laser formed from epitaxially grown semiconductor layers.
  • it is an edge emitter, which in operation electromegnatic radiation emitted by a radiating surface 5, wherein it is at the emitting surface 5 is a side surface of the laser diode chip 4.
  • Laser diode chip 4 electromagnetic radiation parallel to a main plane of the mounting plate. 3
  • the laser diode chip 4 is designed such that it is applied with a longitudinal side on a chip carrier 7, wherein this longitudinal side advantageously the largest
  • the emission surface 5 is perpendicular to the chip carrier 7.
  • the chip carrier 7 serves in particular as a substructure for the laser diode chip 4, isolating the laser diode chip 4
  • Bonding wire connections from the contact bars 9a and 9b made, but this is not shown in the figure 1.
  • the formation of the chip carrier 7 from A1N is characterized by a high thermal conductivity and thus an effective
  • Mounting plate 3 takes place in the carrier 1. On the mounting plate 3 is an optical element. 6
  • the prism is advantageous for the deflection of the
  • Laser diode chip 4 emitted electromagnetic radiation by refraction.
  • the deflection is preferably in a direction of the mounting plate 3 and the carrier top side 11 facing away from A.
  • the figure la shows a schematic sectional view of the embodiment of Figure 1, wherein on the support 1, a housing 2 is mounted.
  • the housing 2 advantageously has an opening in the emission direction above the optical element 6.
  • FIG. 2 an exemplary embodiment is shown with reference to a schematic sectional illustration, in which, in contrast to the exemplary embodiment of FIG.
  • Laser diode chips 4 and a delay plate 8 are arranged on the mounting plate 3.
  • the laser diode chips 4 may advantageously be identical in construction and emit electromagnetic radiation of the same wavelength or, alternatively, be different in construction and different
  • each of the two laser diode chips 4 is mounted with its own chip carrier 7 on the mounting plate 3 and emitted by the
  • the optical element 6 may advantageously be a prism, which is preferably irradiated axially symmetrically with respect to its central axis of two opposite laser diode chips 4, wherein between a
  • Laser diode chip 4 and the prism a delay plate 8 is mounted on the mounting plate 3.
  • the optical element 6 may also be two mirrors
  • Delay plate 8 is in particular a ⁇ / 2 plate, which in such a way before the laser diode chip 4th is positioned so that the retardation plate 8 detects the total emitted radiation of the one laser diode chip 4.
  • the deflection of the radiation of the laser diode chips in the direction away from the carrier top 11 direction can advantageously deflected to an at least partial superposition or a spatially separated radiation of the two
  • FIG. 2 a shows a schematic sectional view of an embodiment, which is characterized by the
  • Embodiment of Figure 2 differentiates that no delay element 8 between one of the two
  • Laser diode chips 4 and the optical element 6 is arranged.
  • the two laser diode chips 4 can advantageously be so directed with the radiating surfaces 5 on the optical element 6, that overlap the deflected light beam at least partially or spatially separated from each other. A possible at least partial overlap of the deflected light beam of the same
  • Laser diode device 10 it is possible to at least partially overlay two light beams of different wavelengths or to radiate them spatially separated from one another. A difference in the wavelengths of the individual laser diode chips can be advantageous only
  • Laser diode chips have wavelengths of the same color impression, for example the color red.
  • a deviation of Wavelengths with one another can advantageously be only at most 10 nm or at most 15 nm. Such a deviation in the emission wavelengths of the laser diode chips may
  • Laser diode chips for example by the choice of
  • Semiconductor materials can be achieved.
  • the bandwidth of the superposed light can be increased and, for example, speckles in the laser light can be reduced.
  • Laser diode device 10 according to the embodiment of Figure 2 in a plan view opposite to the emission direction A.
  • the mounting plate 3 covers at least a part of
  • Carrier top 11 from.
  • the two laser diode chips 4 are mounted on their respective chip carriers 7 and
  • Retarder plate 8 positioned on the mounting plate 3.
  • a polarization cube may also be used as optical
  • Element 6 can be used.
  • a polarization cube By means of a polarization cube, it is possible to completely cover the deflected light beam bundles as differently polarized light beam bundles.
  • the electrical contacting of the laser diode chips 4 is advantageously achieved by means of two contact rods 9a and 9b. In the present case, both contact rods 9a and 9b penetrate the
  • Carrier 1 and the mounting plate 3 preferably laterally spaced from the optical element 6 and opposite each other with respect to the axis D, wherein they are electrically isolated from the carrier 1 and the mounting plate 3. Furthermore, contacting by the contact bars 9a and 9b with the laser diode chips 4 and with the chip carriers 7 can preferably take place by means of bonding wire connections.
  • FIG. 3 a shows a top view of an exemplary embodiment of a laser diode device 10, which differs from FIG. 3 in the number of laser diode chips 4 and the chip carriers 7.
  • a retardation plate 8 does not include the exemplary embodiment of FIG. 3a.
  • the four laser diode chips can be the same
  • Be type and have the same emission wavelengths or different types and different
  • FIG. 3b shows a top view of an embodiment according to a modification of the laser diode device 10 according to FIG. 3, wherein the two laser diode chips 4 on their chip carriers 7 are located on opposite sides with respect to the optical element 6, but with each other
  • FIG. 4 shows a plan view of an exemplary embodiment according to a further modification of the laser diode device 10 according to FIG. 3, wherein two optical elements 6 on the
  • Mounting plate 3 are arranged.
  • the two optical elements are two prisms or
  • the front surfaces of the optical elements which redirect the radiation emitted by the laser diode chips 4 are parallel to each other for both optical elements and are aligned with the respective laser diode chip, thus lying between the edge lines K and L. Furthermore, both front surfaces of the optical elements preferably the same angle of attack with respect to

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Laserdiodenvorrichtung, umfassend einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (11), zumindest einen Laserdiodenchip (4), welcher an der Trägeroberseite (11) angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip (4) im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche (5) emittiert, wobei die Abstrahlfläche (5) senkrecht zur Trägeroberseite (11) verläuft, und zumindest ein optisches Element (6), das die vom Laserdiodenchip (4) abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite (11) umlenkt. Laserdiodenchip und optisches Element können auf einer gemeinsamen Montageplatte (3) aus Kupfer angeordnet sein, die einen guten Wärmetransport zum Träger ermöglicht. Durch Verwendung mehrerer Laserdiodenchips mit geringfügig voneinander abweichender Wellenlänge können Speckles reduziert werden. Mittels einer Verzögerungsplatte (8) zwischen dem Laserdiodenchip und dem optischen Element kann die Polarisation beeinflusst werden. Ein Polarisationswürfel ermöglicht es, die umgelenkten Lichtstrahlenbündel als unterschiedlich polarisierte Lichtstrahlenbündel vollständig miteinander zu überdecken.

Description

Beschreibung
Laserdiodenvorrichtung Die Erfindung betrifft eine Laserdiodenvorrichtung.
Halbleiterlaser weisen eine starke Temperaturempfindlichkeit und eine damit verbundene Beeinträchtigung ihres
Wirkungsgrades auf, was zu einer Limitierung der maximalen erzielbaren optischen Abstrahlleistung führt.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2013 104 728.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine
Laserdiodenvorrichtung mit effizienter Wärmespreizung im Bauelement und einer erhöhten optischen Abstrahlleistung anzugeben .
Diese Aufgaben werden durch eine Laserdiodenvorrichtung gemäß dem unabhängigen Patentanspruch gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß einer Ausgestaltung umfasst die Laserdiodenvorrichtung einen Träger mit einer Trägeroberseite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Laserdiodenvorrichtung insbesondere zumindest einen
Laserdiodenchip, welcher vorteilhaft an der Trägeroberseite angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip im Betrieb
elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche emittiert. Der Laserdiodenchip kann unmittelbar auf der
Trägeroberseite angeordnet sein oder mittels einer
Montageplatte auf der Trägeroberseite angeordnet sein.
Vorzugsweise verläuft die Abstrahlfläche senkrecht zur
Trägeroberseite. Die Abstrahlfläche ist beispielsweise eine Seitenfläche des Laserdiodenchips. Somit emittiert der
Laserdiodenchip die Strahlung vorzugsweise in eine
Abstrahlrichtung, welche parallel zur Hauptebene der
Trägeroberseite verläuft.
Die Abstrahlfläche ist diejenige Fläche des Laserdiodenchips, durch die zumindest ein Großteil der im Betrieb des
Laserdiodenchips emittierten Strahlung den Laserdiodenchip verlässt. Bei dem Laserdiodenchip handelt es sich dann insbesondere um einen kantenemittierenden Laserdiodenchip.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist der Laserdiodenchip insbesondere dazu eingerichtet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung im Spektralbereich zwischen UV-Strahlung und Infrarotstrahlung zu emittieren. Beispielsweise kann der Laserdiodenchip dazu eingerichtet sein, UV-Strahlung, blaues Licht, grünes Licht, rotes Licht oder Infrarotstrahlung im Betrieb zu emittieren. Insbesondere handelt es sich bei dem Laserdiodenchip um einen Laserdiodenchip, der auf einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basiert .
Auf Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierend bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass eine
Halbleiterschichtenfolge des Laserdiodenchips oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest eine aktive Zone und/oder ein Aufwachssubstratwafer, ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamIn]__n_mN aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (AI, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
Der Laserdiodenchip kann insbesondere eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge aufweisen, die eine aktive Schicht umfasst, die beispielsweise auf der Basis von AlGalnN und/oder InGaN gebildet ist. Die aktive Schicht ist dann dazu eingerichtet, im Betrieb elektromagnetische
Strahlung aus dem Spektralbereich von ultravioletter
Strahlung bis zu grünem Licht zu emittieren. Der
Laserdiodenchip kann als aktive Schicht beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur oder eine Quantentopfstruktur, besonders bevorzugt eine
Mehrfachquantentopfstruktur aufweisen. Die Bezeichnung
Quantentopfstruktur entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
Der Laserdiodenchip zeichnet sich dabei insbesondere durch eine hohe optische Ausgangsleistung aus. Beispielsweise beträgt die optische Ausgangsleistung des Laserdiodenchips mindestens 0.1 W.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Laserdiodenvorrichtung zumindest ein optisches Element, welches vorteilhaft die vom Laserdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite umlenkt. Durch das optische Element wird vorteilhafterweise zumindest ein Teil der durch die Abstrahlfläche des Laserdiodenchips abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung aus der
Laserdiodenvorrichtung mittels optischer Brechung und/oder Reflexion umgelenkt. Nach dem Auftreffen der emittierten elektromagnetischen Strahlung auf das optische Element erfolgt vorteilhaft eine Umlenkung in einem Winkel von vorzugsweise 90° zur Trägeroberseite. Ferner können durch das optische Element insbesondere Form und Richtung des
abgestrahlten Lichtstrahls beeinflusst werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Laserdiodenvorrichtung vorteilhaft eine Montageplatte, welche vorteilhafterweise auf der Trägeroberseite angeordnet ist und diese zumindest teilweise bedeckt, wobei sich die
Montageplatte zwischen dem zumindest einen Laserdiodenchip und dem Träger befindet.
Die Montageplatte ist vorzugsweise so auf der Trägeroberseite angeordnet, dass eine Hauptebene der Montageplatte parallel zur Trägeroberseite verläuft. Bevorzugt weist die
Montageplatte eine ebene Oberfläche auf, wodurch eine
vorteilhaft ebene Anordnung von Bauteilen der
Laserdiodenvorrichtung auf der Montageplatte ermöglicht wird. Der Laserdiodenchip wird vorzugsweise mit seiner größten
Außenfläche auf der Montageplatte angeordnet. Somit ergibt sich vorteilhaft der größtmöglichste Flächenkontakt des
Laserdiodenchips mit der Montageplatte, wodurch die Ableitung der Wärme vom Laserdiodenchip zur Montageplatte vergrößert wird. Einen solche Ausführung ermöglicht eine direkte
Wärmeableitung vom Laserdiodenchip zur Montageplatte. Damit wird eine sehr gute thermische Anbindung des Laserdiodenchips an die Montageplatte und den Träger bewirkt. Durch die vorteilhaft erzielte Effizienzsteigerung des
Wärmeabtransports vom Laserdiodenchip ist eine Anwendung mehrerer Laserdiodenchips im Bauelement ermöglicht, ohne dass nennenswerte Kopplungseffekte zwischen den Laserdiodenchips auftreten. Weiterhin ist dadurch der Laserdiodenchip so ausgerichtet, dass eine Abstrahlrichtung der
elektromagnetische Strahlung parallel zur Hauptebene der Montageplatte verläuft, wodurch die Abstrahlfläche des
Laserdiodenchips senkrecht zur Montageplatte steht.
Weiterhin zeichnet sich die Montageplatte vorteilhaft durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus, was zu einer effizienten Wärmespreizung in der Montageplatte führt.
Somit tritt vorteilhaft durch die hohe Wärmeleitfähigkeit der Montageplatte ein verstärkter Wärmetransport vom im Betrieb wärmeabgebenden Laserdiodenchip zum Träger auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung wird die Montageplatte durch eine Cu- Platte gebildet.
Die Montageplatte kann vorteilhaft eine Dicke von 100 ym bis wenigen mm aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung weist die Montageplatte bevorzugt eine Dicke von mindestens 0.5 mm und höchstens 2 mm auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist der zumindest eine Laserdiodenchip auf einem Chipträger angeordnet.
Der Chipträger ist vorzugsweise als dünne Platte mit einer ebenen Oberfläche ausgebildet und dient dem jeweiligen
Laserdiodenchip als Unterbau bei der Montage. Vorteilhaft ist der Chipträger aus einem Material mit hoher
Wärmeleitfähigkeit ausgebildet. Dadurch ist
vorteilhafterweise weiterhin ein effizienter Abtransport von Wärme vom Laserdiodenchip zum Träger gewährleistet. Der
Chipträger bewirkt vorzugsweise eine elektrische Isolation des Laserdiodenchips vom Träger. Hierzu ist das Material des Chipträgers vorzugsweise ein dielektrisches Material und umfasst insbesondere kein Metall. Beispielsweise umfasst das Chipträgermaterial eine Keramik wie beispielsweise A1N. Auf jedem Chipträger ist vorzugsweise nur ein Laserdiodenchip angeordnet. Durch die Anwendung von Chipträgern können
Laserdiodenchips vorteilhafterweise schnell, einfach und gut fixiert montiert werden, wobei sich vorteilhafterweise mehrere Laserdiodenchips auf der Trägeroberseite anordnen und auf das optische Element richten lassen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist das optische Element ein Prisma.
Die Anwendung eines Prismas kann vorteilhaft zur
Lichtstrahlumlenkung durch Brechung genutzt werden.
Beispielsweise können Lichtstrahlen von mehreren
Laserdiodenchips vorteilhafterweise derart durch ein oder mehrere Prismen umgelenkt werden, dass die Lichtstrahlen räumlich getrennt voneinander verlaufen oder sich teilweise oder ganz überlagern. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist das optische Element ein Spiegel. Als eine alternative Möglichkeit zur Umlenkung von
emittierten Lichtstrahlen des zumindest einen
Laserdiodenchips, ermöglicht die Anwendung von zumindest einem Spiegel als optisches Element vorteilhaft eine
Ausrichtungsmöglichkeit der umgelenkten Lichtstrahlen durch Reflexion. Der Spiegel zeichnet sich vorteilhaft durch eine hohe Reflektivität aus, so dass bei der Umlenkung des
Laserlichts durch Reflexion nahezu keine Verluste auftreten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist das optische Element ein
Polarisationswürfel. Um unterschiedlich polarisiertes
Laserlicht von der Abstrahlrichtung der Laserdiodenchips abzulenken und zumindest teilweise zu überlagern, wird beispielsweise ein Polarisationswürfel als optisches Element genutzt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist zwischen dem Laserdiodenchip und dem optischen Element zumindest eine Verzögerungsplatte angeordnet. Eine Verzögerungsplatte kann vorteilhaft zwischen einem Laserdiodenchip und dem optischen Element auf der Trägeroberseite angeordnet sein. Die Verzögerungsplatte kann beispielsweise auch als Folie ausgebildet sein und
vorteilhaft auf das optische Element aufgebracht werden.
Durch die Anwendung von zumindest einer Verzögerungsplatte ist vorteilhaft die Erzeugung von unterschiedlich
polarisierten Licht mittels baugleicher Laserdiodenchips erzielbar . Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist die Verzögerungsplatte eine λ/2- Platte .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung sind auf der Trägeroberseite mehrere Laserdiodenchips angeordnet.
Eine Kombination mehrerer Laserdiodenchips ermöglicht
vorteilhafterweise eine Steigerung der abgestrahlten
Lichtintensität, indem das emittierte Licht jedes einzelnen Laserdiodenchips durch ein optisches Element in eine
vorzugsweise gemeinsame Abstrahlrichtung umgelenkt wird.
Vorteilhaft können Laserdiodenchips gleicher Bauart verwendet werden. Beispielsweise kann so Licht der selben Wellenlänge aus mehreren Laserdiodenchips zu einem Gesamtemissionsstrahl hoher Intensität zusammengeführt werden. Alternativ dazu ist es vorteilhafterweise auch möglich Verzögerungselemente, Wellenplatten, Wellenfolien oder Konversionselemente zwischen die jeweiligen Laserdiodenchips und das optische Element zur Umlenkung des Emissionsstrahls zu positionieren. Dadurch kann vorteilhafterweise eine Überlagerung von mehreren
Wellenlängen erreicht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung sind die Laserdiodenchips so auf das optische Element gerichtet, dass sich durch das optische Element umgelenkte Lichtstrahlenbündel der Laserdiodenchips zumindest teilweise überschneiden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung sind die Laserdiodenchips so auf das optische Element gerichtet, dass sich durch das optische Element umgelenkte Lichtstrahlenbündel der Laserdiodenchips nicht überschneiden.
Bei dieser Anordnung der Laserdiodenchips, ergibt eine
Umlenkung durch das optische Element räumlich voneinander getrennte Lichtstrahlenbündel. Dabei sind die Umlenkflächen des optischen Elements nicht auf den selben Abstrahlpunkt gerichtet . Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung weisen die Laserdiodenchips
verschiedene Emissionswellenlängen auf.
Zusätzlich zu der Anwendung von Verzögerungsplatten können zum Erzeugen unterschiedlicher Emissionswellenlängen der Laserdiodenvorrichtung vorteilhafterweise auch die
Laserdiodenchips selbst unterschiedliche Wellenlängen
emittieren. Dies bietet insbesondere die Möglichkeit, auf ein breites Spektrum an Wellenlängen zurückzugreifen.
Es setzen sich somit vorteilhaft die getrennten
Lichtstrahlenbündel jeweils aus dem Licht mehrerer
Laserdiodenchips zusammen. Dabei können die
Lichtstrahlenbündel zumindest teilweise aus Licht jeweils der selben Wellenlänge/Polarisation oder unterschiedlicher
Wellenlängen/Polarisation überlagert sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung weichen die Emissionswellenlängen der Laserdiodenchips nur um höchstens 10 nm oder höchstens 15 nm voneinander ab. Der Unterschied in den Wellenlängen der einzelnen Laserdiodenchips kann vorteilhaft nur geringfügig ausfallen. Mit anderen Worten können alle Laserdiodenchips Wellenlängen eines gleichen Farbeindrucks, beispielsweise der Farbe Rot, aufweisen. Eine Abweichung der Wellenlängen untereinander kann vorteilhaft nur 10 nm oder 15 nm betragen. Eine solche Abweichung in den Emissionswellenlängen der Laserdiodenchips kann vorteilhaft durch unterschiedliche Bauweisen der
Laserdiodenchips, beispielsweise durch die Wahl der
Halbleitermaterialien, erzielt werden.
Mittels der Überlagerung von Emissionswellenlängen ähnlichen Farbeindrucks kann die Bandbreite des überlagerten Lichts vergrößert werden und beispielsweise Speckies im Laserlicht reduziert werden.
Somit ist es vorteilhafterweise möglich, dass eine einzige Laserdiodenvorrichtung die Rolle mehrerer Lichtquellen übernimmt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung, umfasst die Laserdiodenvorrichtung ein Gehäuse, welches ein TO-Gehäuse ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Laserdiodenvorrichtung ist das TO-Gehäuse dicht gegenüber der Umgebung und insbesondere hermetisch verschlossen. Dabei ist das Gehäuse vorteilhaft mit einem Schutzgas befüllt oder evakuiert .
Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der
Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren. Die Figuren 1, la, 2, 2a, 3, 3a, 3b und 4 zeigen jeweils eine Laserdiodenvorrichtung gemäß den Ausführungsbeispielen der Erfindung .
Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die in den Figuren dargestellten Bestandteile sowie die
Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
Figur 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer hier beschriebenen Laserdiodenvorrichtung 10 in einer
schematischen Seitendarstellung. Die Laserdiodenvorrichtung 10 umfasst einen Träger 1, welcher vorliegend aus Stahl gebildet ist. Eine Montageplatte 3 ist auf einer
Trägeroberseite 11 befestigt, wobei die Montageplatte 3 die Trägeroberseite 11 teilweise abdeckt. Vorliegend ist die Montageplatte 3 aus Kupfer ausgebildet, wodurch eine hohe Wärmeleitfähigkeit gegeben ist. Weiterhin durchstoßen
insbesondere zwei elektrisch voneinander und vorteilhaft von dem Träger 1 sowie von der Montageplatte 3 isolierte
Kontaktstäbe 9a und 9b den Träger 1 und die Montageplatte 3, wobei sich diese in der schematischen Seitenansicht der Figur 1 gegenseitig verdecken und daher in der Figur 1 nur der Kontaktstab 9a gezeigt wird. Die beispielhafte Position beider Kontaktstäbe 9a und 9b wird in einer Draufsicht auf die Montageplatte 3 in Figur 3 gezeigt. Die Laserdiodenvorrichtung 10 weist einen Laserdiodenchip 4 auf, welcher insbesondere ein aus epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten gebildeter InGaN-Laser ist. Vorteilhaft handelt es sich um einen Kantenemitter, welcher im Betrieb elektromegnatische Strahlung durch eine Abstrahlfläche 5 emittiert, wobei es sich bei der Abstrahlfläche 5 um eine Seitenfläche des Laserdiodenchips 4 handelt. In dem
vorliegenden Ausführungsbeispiel emittiert der
Laserdiodenchip 4 elektromagnetische Strahlung parallel zu einer Hauptebene der Montageplatte 3.
Der Laserdiodenchip 4 ist derart ausgebildet, dass er mit einer Längsseite auf einem Chipträger 7 aufgebracht ist, wobei diese Längsseite vorteilhafterweise die größte
Oberfläche des Laserdiodenchips 4 bildet. Weiterhin ist die Abstrahlfläche 5 senkrecht auf dem Chipträger 7 stehend.
Der Chipträger 7 dient insbesondere als Unterbau für den Laserdiodenchip 4, isoliert den Laserdiodenchip 4
vorteilhafterweise elektrisch von dem Träger und ist zum Beispiel aus A1N ausgebildet. Weiterhin kann eine elektrische Kontaktierung des Laserdiodenchips 4 mittels
Bonddrahtverbindungen von den Kontaktstäben 9a und 9b aus erfolgen, was jedoch nicht in der Figur 1 dargestellt ist.
Die Ausbildung des Chipträgers 7 aus A1N zeichnet sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und somit eine effektive
thermische Anbindung des Laserdiodenchips 4 an die
Montageplatte 3 aus. Somit wird im Betrieb eine effiziente Wärmeableitung vom Laserdiodenchip 4 auf die Montageplatte 3 und eine weitere Wärmespreizung in der Montageplatte 3 erzielt, wobei weiterhin eine Wärmeableitung aus der
Montageplatte 3 in den Träger 1 stattfindet. Auf der Montageplatte 3 ist ein optisches Element 6
angeordnet, welches insbesondere ein Prisma umfasst. Das Prisma dient vorteilhaft zur Umlenkung der vom
Laserdiodenchip 4 emittierten elektromagnetischen Strahlung mittels Brechung. Die Umlenkung erfolgt vorzugsweise in eine der Montageplatte 3 und der Trägeroberseite 11 abgewandte Richtung A. Die Figur la zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung das Ausführungsbeispiel der Figur 1, wobei auf dem Träger 1 ein Gehäuse 2 angebracht ist. Das Gehäuse 2 weist vorteilhaft eine Öffnung in Abstrahlrichtung über dem optischen Element 6 auf .
In Verbindung mit der Figur 2 ist anhand einer schematischen Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 1 zwei
Laserdiodenchips 4 und eine Verzögerungsplatte 8 auf der Montageplatte 3 angeordnet sind. Die Laserdiodenchips 4 können vorteilhaft baugleich sein und elektromagnetische Strahlung der selben Wellenlänge emittieren oder alternativ dazu in Bauweise verschieden sein und unterschiedliche
Emissionswellenlängen aufweisen. Vorteilhaft ist jeder der beiden Laserdiodenchips 4 mit seinem eigenen Chipträger 7 auf der Montageplatte 3 montiert und emittiert durch die
Abstrahlfläche 5 Strahlung in Richtung des optischen Elements 6. Bei dem optischen Element 6 kann es sich vorteilhaft um ein Prisma handeln, das vorzugsweise achsensymmetrisch bezüglich seiner Mittelachse von zwei gegenüberliegenden Laserdiodenchips 4 bestrahlt wird, wobei zwischen einem
Laserdiodenchip 4 und dem Prisma eine Verzögerungsplatte 8 auf der Montageplatte 3 montiert ist. Alternativ dazu kann es sich bei dem optischen Element 6 auch um zwei Spiegel
handeln, wobei die zwei Spiegelflächen jeweils die zwei
Umlenkflächen des Prismas ersetzen. Bei der
Verzögerungsplatte 8 handelt es sich insbesondere um eine λ/2-Platte, welche derart vor dem Laserdiodenchip 4 positioniert ist, dass die Verzögerungsplatte 8 die gesamte emittierte Strahlung des einen Laserdiodenchips 4 erfasst. Die Umlenkung der Strahlung der Laserdiodenchips in die der Trägeroberseite 11 abgewandte Richtung kann vorteilhaft zu einer zumindest teilweisen Überlagerung oder einer räumlich getrennten Abstrahlung der zwei umgelenkten
Laserstrahlenbündel unterschiedlicher Wellenlänge und
Polarisation führen. Figur 2a zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel, welches sich dadurch von dem
Ausführungsbeispiel der Figur 2 unterscheidet, dass kein Verzögerungselement 8 zwischen einem der beiden
Laserdiodenchips 4 und dem optischen Element 6 angeordnet ist. Das optische Element 6, bei welchem es sich vorliegend um ein Prisma handelt, lenkt die Lichtstrahlenbündel der beiden Laserdiodenchips 4 in eine Abstrahlrichtung A um. Die beiden Laserdiodenchips 4 können vorteilhafterweise so mit den Abstrahlflächen 5 auf das optische Element 6 gerichtet sein, dass sich die umgelenkten Lichtstrahlenbündel zumindest teilweise überdecken oder räumlich getrennt voneinander verlaufen. Eine mögliche zumindest teilweise Überdeckung der umgelenkten Lichtstrahlenbündel der selben
Emissionswellenlänge ergibt vorteilhafterweise eine
Verstärkung der abgestrahlten optischen Leistung der
Laserdiodenvorrichtung 10. Alternativ dazu ist es möglich zwei Lichtstrahlenbündel unterschiedlicher Wellenlänge zumindest teilweise zu überlagern oder räumlich getrennt voneinander abzustrahlen. Ein Unterschied in den Wellenlängen der einzelnen Laserdiodenchips kann vorteilhaft nur
geringfügig ausfallen. Mit anderen Worten können alle
Laserdiodenchips Wellenlängen eines gleichen Farbeindrucks, beispielsweise der Farbe Rot, aufweisen. Eine Abweichung der Wellenlängen untereinander kann vorteilhaft nur höchstens 10 nm oder höchstens 15 nm betragen. Eine solche Abweichung in den Emissionswellenlängen der Laserdiodenchips kann
vorteilhaft durch unterschiedliche Bauweisen der
Laserdiodenchips, beispielsweise durch die Wahl der
Halbleitermaterialien, erzielt werden.
Mittels der Überlagerung von Emissionswellenlängen ähnlichen Farbeindrucks kann die Bandbreite des überlagerten Lichts vergrößert werden und beispielsweise Speckies im Laserlicht reduziert werden.
Das Ausführungsbeispiel der Figur 3 zeigt eine
Laserdiodenvorrichtung 10 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 in einer Draufsicht entgegen der Emissionsrichtung A. Die Montageplatte 3 deckt zumindest einen Teil der
Trägeroberseite 11 ab. Die beiden Laserdiodenchips 4 sind auf ihren jeweiligen Chipträgern 7 montiert und
vorteilhafterweise einander gegenüberliegend bezüglich der Mittelachse des optischen Elements 6 auf einer
Verbindungslinie D angeordnet. Ein genaues Gegenüberliegen der Laserdiodenchips 4 auf einer Achse D ergibt nach
Umlenkung der Lichtstrahlenbündel durch ein optisches Element 6 eine zumindest teilweise Überlagerung der
Lichtstrahlenbündel. Vorliegend ist zwischen einem der
Laserdiodenchips 4 und dem optischen Element 6 eine
Verzögerungsplatte 8 auf der Montageplatte 3 positioniert. Alternativ zu der vorliegenden Anwendung eines Prismas, kann vorteilhaft auch ein Polarisationswürfel als optisches
Element 6 verwendet werden. Durch einen Polarisationswürfel ist es möglich die umgelenkten Lichtstrahlenbündel als unterschiedlich polarisierte Lichtstrahlenbündel vollständig miteinander zu überdecken. Die elektrische Kontaktierung der Laserdiodenchips 4 wird vorteilhaft mittels zweier Kontaktstäbe 9a und 9b erzielt. Vorliegend durchstoßen beide Kontaktstäbe 9a und 9b den
Träger 1 und die Montageplatte 3 vorzugsweise seitlich beabstandet vom optischen Element 6 und einander bezüglich der Achse D gegenüberliegend, wobei sie elektrisch isoliert von dem Träger 1 und der Montageplatte 3 sind. Weiterhin kann eine Kontaktierung durch die Kontaktstäbe 9a und 9b mit den Laserdiodenchips 4 und mit den Chipträgern 7 vorzugsweise mittels Bonddrahtverbindungen erfolgen.
Figur 3a zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels einer Laserdiodenvorrichtung 10, welches sich von der Figur 3 in der Anzahl der Laserdiodenchips 4 und der Chipträger 7 unterscheidet. Vorliegend sind vier Laserdiodenchips 4 auf vier Chipträgern 7 mit den Abstrahlflächen 5 auf ein
optisches Element 6, vorzugsweise ein Prisma, gerichtet. Eine Verzögerungsplatte 8 umfasst das Ausführungsbeispiel der Figur 3a nicht. Die vier Laserdiodenchips können gleicher
Bauart sein und gleiche Emissionswellenlängen aufweisen oder verschiedener Bauart sein und unterschiedlichen
Emissionswellenlängen aufweisen.
Durch die effektive Ableitung der Wärme aus den
Laserdiodenchips 4 und die Wärmespreizung in der
Montageplatte 3, ergeben sich an den Laserdiodenchips keine Kopplungseffekte sowie Beeinträchtigungen durch überschüssige Wärme. Je nach der Ausrichtung des optischen Elements ist es somit möglich die umgelenkten Lichtstrahlenbündel der
einzelnen Laserdiodenchips zumindest teilweise zu überlagern oder räumlich getrennt abzustrahlen. Figur 3b zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels gemäß einer Abwandlung der Laserdiodenvorrichtung 10 gemäß der Figur 3, wobei die zwei Laserdiodenchips 4 auf ihren Chipträgern 7 sich auf gegenüberliegenden Seiten bezüglich des optischen Elements 6 befinden, jedoch einander
vorteilhaft nicht direkt gegenüberliegend sind und somit nicht auf der Verbindungsachse D liegen. Eine Umlenkung der Lichtstrahlenbündel durch ein Prisma ergibt daher zwei räumlich voneinander getrennte Lichtstrahlenbündel.
Figur 4 zeigt eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels gemäß einer weiteren Abwandlung der Laserdiodenvorrichtung 10 gemäß Figur 3, wobei zwei optische Elemente 6 auf der
Montageplatte 3 angeordnet sind. Vorzugsweise handelt es sich bei den zwei optischen Elementen um zwei Prismen oder
Spiegel. Bevorzugt liegen die Frontflächen der optischen Elemente, welche die von den Laserdiodenchips 4 emittierte Strahlung umlenken, für beide optische Elemente parallel nebeneinander und sind auf den jeweiligen Laserdiodenchip ausgerichtet, somit liegen sie zwischen den Randlinien K und L. Weiterhin weisen beide Frontflächen der optischen Elemente vorzugsweise den gleichen Anstellwinkel bezüglich der
Montageplatte auf. Die daraus resultierende Umlenkung der emittierten Strahlung der Laserdiodenchips 4 ergibt zwei Lichtstrahlenbündel, welche räumlich getrennt und parallel nebeneinander liegen.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Laserdiodenvorrichtung (10), umfassend
- einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (11),
zumindest einen Laserdiodenchip (4), welcher an der Trägeroberseite (11) angeordnet ist, wobei der
Laserdiodenchip (4) im Betrieb elektromagnetische
Strahlung durch eine Abstrahlfläche (5) emittiert, wobei die Abstrahlfläche (5) senkrecht zur Trägeroberseite (11) verläuft, und
zumindest ein optisches Element (6), das die vom
Laserdiodenchip (4) abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur
Trägeroberseite (11) umlenkt.
2. Laserdiodenvorrichtung (10) nach Anspruch 1,
umfassend eine Montageplatte (3) , welche auf der
Trägeroberseite (11) angeordnet ist und diese zumindest teilweise bedeckt, wobei sich die Montageplatte (3) zwischen dem zumindest einen Laserdiodenchip (4) und dem Träger (1) befindet.
3. Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei mehrere Laserdiodenchips (4) auf der
Trägeroberseite (11) angeordnet sind.
4. Laserdiodenvorrichtung (10) nach Anspruch 3,
wobei die Laserdiodenchips (4) verschiedene
Emissionswellenlängen aufweisen.
5. Laserdiodenvorrichtung (10) nach Anspruch 4,
wobei die Emissionswellenlängen der Laserdiodenchips (4) nur um höchstens 10 nm oder höchstens 15 nm voneinander abweichen .
Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 2 bis 5 ,
wobei die Montageplatte (3) durch eine Cu-Platte gebildet wird.
Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 2 bis 6,
wobei die Montageplatte (3) eine Dicke von mindestens 0.5 mm und höchstens 2 mm aufweist.
Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei der zumindest eine Laserdiodenchip (4) auf einen Chipträger (7) angeordnet ist.
Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei das optische Element (6) ein Prisma ist.
Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 ,
wobei das optische Element (6) ein Spiegel ist.
Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 ,
wobei das optische Element (6) ein Polarisationswürfel ist .
Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zwischen dem Laserdiodenchip (4) und dem optischen Element (6) zumindest eine Verzögerungsplatte (8) angeordnet ist.
13. Laserdiodenvorrichtung (10) nach Anspruch 12,
wobei die Verzögerungsplatte (8) eine λ/2-Platte ist.
14. Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 3 bis 5 ,
wobei die Laserdiodenchips (4) so auf das optische
Element (6) gerichtet sind, dass sich durch das optische Element (6) umgelenkte Lichtstrahlenbündel der
Laserdiodenchips (4) zumindest teilweise überschneiden.
15. Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 3 bis 5 ,
wobei die Laserdiodenchips (4) so auf das optische
Element (6) gerichtet sind, dass sich durch das optische Element (6) umgelenkte Lichtstrahlenbündel der
Laserdiodenchips (4) nicht überschneiden.
16. Laserdiodenvorrichtung (10) nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei die Laserdiodenvorrichtung (10) ein Gehäuse (2) umfasst, welches ein TO-Gehäuse ist.
17. Laserdiodenvorrichtung (10) nach Anspruch 16,
wobei das Gehäuse (2) dicht gegenüber der Umgebung und insbesondere hermetisch verschlossen ist, wobei das Gehäuse mit einem Schutzgas befüllt oder evakuiert ist.
PCT/EP2014/058483 2013-05-07 2014-04-25 Laserdiodenvorrichtung Ceased WO2014180682A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112014002330.2T DE112014002330A5 (de) 2013-05-07 2014-04-25 Laserdiodenvorrichtung
US14/787,680 US9537285B2 (en) 2013-05-07 2014-04-25 Laser diode apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013104728.9 2013-05-07
DE102013104728.9A DE102013104728A1 (de) 2013-05-07 2013-05-07 Laserdiodenvorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014180682A1 true WO2014180682A1 (de) 2014-11-13

Family

ID=50693633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2014/058483 Ceased WO2014180682A1 (de) 2013-05-07 2014-04-25 Laserdiodenvorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9537285B2 (de)
DE (3) DE102013104728A1 (de)
WO (1) WO2014180682A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108429129A (zh) * 2018-05-08 2018-08-21 中国科学院半导体研究所 多线阵半导体激光器光栅外腔光谱的合束系统及方法
JP2021090062A (ja) * 2015-05-20 2021-06-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11149917B2 (en) 2015-05-20 2021-10-19 Nichia Corporation Light-emitting device
US11506346B2 (en) * 2014-04-18 2022-11-22 Nichia Corporation Light emitting device

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013104728A1 (de) 2013-05-07 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
DE102015208704A1 (de) * 2015-05-11 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102015107665A1 (de) * 2015-05-15 2016-11-17 Diehl Bgt Defence Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Freistrahlübertragung von Energie und Information
JP6879036B2 (ja) * 2017-04-28 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP6711333B2 (ja) * 2017-08-16 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6705462B2 (ja) * 2018-01-30 2020-06-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7071611B2 (ja) * 2018-05-30 2022-05-19 日亜化学工業株式会社 光源モジュール
DE102018120112B4 (de) 2018-08-17 2026-05-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauteil
JP7239806B2 (ja) * 2018-10-29 2023-03-15 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP7332860B2 (ja) * 2019-05-29 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021086862A (ja) * 2019-11-25 2021-06-03 シャープ福山レーザー株式会社 マルチチップパッケージ、プロジェクター
DE102020106638A1 (de) 2020-03-11 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und optoelektronische anordnung
CN114253061A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器及投影设备
US12215857B2 (en) 2020-12-24 2025-02-04 Nichia Corporation Light emitting device
JP2023043376A (ja) * 2021-09-16 2023-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置およびバックライト
WO2025219130A1 (en) * 2024-04-15 2025-10-23 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic arrangement for improved thermal management and method of manufacturing the same

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6211511B1 (en) * 1998-10-28 2001-04-03 Industrial Technology Research Institute Dual-wavelength optical pickup head
EP1744415A2 (de) * 2005-07-11 2007-01-17 Osram Opto Semiconductors GmbH Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
US7394841B1 (en) * 2007-01-18 2008-07-01 Epicrystals Oy Light emitting device for visual applications
US20090016390A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Seiko Epson Corporation Light source device, image display apparatus, and monitor apparatus
DE102008063634A1 (de) * 2008-12-18 2010-06-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtmittel und Projektor mit mindestens einem solchen Leuchtmittel
US20100246159A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device and method for manufacturing the same
WO2011117185A1 (de) * 2010-03-24 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserlichtquelle
US20110280266A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus, method of manufacturing semiconductor laser apparatus and optical apparatus
WO2013156444A1 (de) * 2012-04-16 2013-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01139693A (ja) * 1987-11-27 1989-06-01 Chisso Corp 燃料油品質改良剤
JP3026279B2 (ja) * 1995-10-25 2000-03-27 日本電気株式会社 記録再生装置用レーザモジュール
JP3777730B2 (ja) 1997-07-18 2006-05-24 ソニー株式会社 集積光学素子及び光学ピックアップ装置並びに記録再生装置
JPH11161993A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Sony Corp 多波長光集積素子及び光学ピックアップ装置
DE19838518A1 (de) 1998-08-25 2000-03-02 Bosch Gmbh Robert Anordnung
US6810057B1 (en) * 1999-11-25 2004-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and optical pickup device
JP2001358398A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール
EP1303796B1 (de) * 2000-07-10 2005-04-27 Corporation For Laser Optics Research Vorrichtung und methode zur reduzierung von specklesmustern durch erhöhung der bandbreite
KR100472443B1 (ko) * 2002-03-19 2005-02-21 삼성전자주식회사 광픽업 장치
JP2004096088A (ja) * 2002-07-10 2004-03-25 Fuji Photo Film Co Ltd 合波レーザー光源および露光装置
DE102004012014B4 (de) * 2004-03-11 2009-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheibenlaser mit einer Pumpanordnung
US7675955B2 (en) 2006-07-17 2010-03-09 Agere Systems Inc. Laser assembly for multi-laser applications
KR100879974B1 (ko) * 2007-08-27 2009-01-23 삼성전기주식회사 멀티 레이저 모듈 패키지
US8172403B2 (en) * 2009-05-21 2012-05-08 Eastman Kodak Company Projection with curved speckle reduction element surface
CN201466466U (zh) * 2009-08-17 2010-05-12 长春师凯科技产业有限责任公司 高功率半导体激光偏振合束传导冷却光纤耦合模块
DE102012205513B4 (de) 2012-04-04 2021-12-09 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung und Strahlungsanordnung
DE102013104728A1 (de) 2013-05-07 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6211511B1 (en) * 1998-10-28 2001-04-03 Industrial Technology Research Institute Dual-wavelength optical pickup head
EP1744415A2 (de) * 2005-07-11 2007-01-17 Osram Opto Semiconductors GmbH Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
US7394841B1 (en) * 2007-01-18 2008-07-01 Epicrystals Oy Light emitting device for visual applications
US20090016390A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Seiko Epson Corporation Light source device, image display apparatus, and monitor apparatus
DE102008063634A1 (de) * 2008-12-18 2010-06-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtmittel und Projektor mit mindestens einem solchen Leuchtmittel
US20100246159A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device and method for manufacturing the same
WO2011117185A1 (de) * 2010-03-24 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserlichtquelle
US20110280266A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus, method of manufacturing semiconductor laser apparatus and optical apparatus
WO2013156444A1 (de) * 2012-04-16 2013-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11841116B2 (en) 2014-04-18 2023-12-12 Nichia Corporation Light emitting device
US11506346B2 (en) * 2014-04-18 2022-11-22 Nichia Corporation Light emitting device
JP2021090062A (ja) * 2015-05-20 2021-06-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021114613A (ja) * 2015-05-20 2021-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11149917B2 (en) 2015-05-20 2021-10-19 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2022097613A (ja) * 2015-05-20 2022-06-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11428382B2 (en) 2015-05-20 2022-08-30 Nichia Corporation Light-emitting device
JP7256408B2 (ja) 2015-05-20 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11655958B2 (en) 2015-05-20 2023-05-23 Nichia Corporation Light-emitting device
US11892155B2 (en) 2015-05-20 2024-02-06 Nichia Corporation Light-emitting device
JP7455077B2 (ja) 2015-05-20 2024-03-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US12320516B2 (en) 2015-05-20 2025-06-03 Nichia Corporation Light-emitting device
CN108429129A (zh) * 2018-05-08 2018-08-21 中国科学院半导体研究所 多线阵半导体激光器光栅外腔光谱的合束系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160087399A1 (en) 2016-03-24
DE112014007412B9 (de) 2025-10-23
DE112014007412B4 (de) 2025-08-07
US9537285B2 (en) 2017-01-03
DE102013104728A1 (de) 2014-11-13
DE112014002330A5 (de) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112014007412B4 (de) Laserdiodenvorrichtung
DE112015002479B4 (de) Halbleiterbauelement und Beleuchtungsvorrichtung
DE102009018603B9 (de) Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
EP2149160B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente
DE102007030129A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102012103257B4 (de) Laserdiodenvorrichtung
DE112009002311T5 (de) Farbabstimmbare Halbleiter-Breitbandlichtquellen und Vollfarbmikrodisplays
DE102010034665A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
DE102005016592A1 (de) Leuchtdiodenchip
DE202011111091U1 (de) Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld
EP2569832B1 (de) Kantenemittierender halbleiterlaser
WO2012004112A1 (de) Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips
WO2010112298A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE112019005876B4 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
WO2016188908A1 (de) Bauelement
WO2009121314A1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauelements
DE102015107593A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Leuchtmittel
DE112021002511B4 (de) Halbleiterlaser und lidar-system mit dem halbleiterlaser
EP3036805A1 (de) Laserbauelement und verfahren zum herstellen eines laserbauelements
DE102017121480B4 (de) Lichtemittierendes Halbleiterbauteil
DE112015002778B4 (de) Licht emittierende Halbleiterbauelemente
DE102017129623A1 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauelement
DE112022000389B4 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
WO2020127029A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2021165269A1 (de) Strahlungsemittierende vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14723362

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14787680

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112014002330

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120140023302

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112014002330

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14723362

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1