WO2014171059A1 - シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 - Google Patents
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- polishing
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 126
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 90
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 90
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 28
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 35
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 119
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical group 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000135309 Processus Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000001824 photoionisation detection Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Definitions
- Patent Documents 1 and 2 have been conventionally used as countermeasures for PID, the deterioration of the surface quality of a polished wafer or an epitaxial wafer having an epitaxial layer formed thereon is prevented. Was insufficient.
- FIG. 5A is a SEM image of a PID
- FIG. 5B is a cross-sectional TEM observation image of the PID
- FIG. 5C is an enlarged view thereof.
- FIG. 5D shows an EDX analysis result of the PID outermost layer. As shown in the EDX analysis result, Zr was detected from the surface layer portion of the PID.
- polishing apparatus either a double-side polishing apparatus or a single-side polishing apparatus may be used.
- Various conditions such as the composition of the polishing slurry, temperature, polishing pressure, polishing allowance, and polishing rate are not particularly limited.
- this rough polishing not only one-step polishing but also multiple-step polishing can be performed. For example, in two stages, rough polishing can be performed stepwise in the secondary polishing using a finer polishing agent or polishing cloth than the primary polishing.
- a conventional silicon wafer polishing method and epitaxial wafer manufacturing method were carried out. More specifically, the silicon wafer was polished in the same manner as in the example except that the metal impurity removal step was not performed, and a polished wafer having a diameter of 300 mm and a crystal orientation ⁇ 100> was obtained. Then, an epitaxial layer was vapor-phase grown on the polished wafer under the same conditions as in the example to obtain an epitaxial wafer.
Abstract
Description
一方、PIDに関しては、特許文献1など様々な方法を用いて研磨装置や研磨布等を十分管理したうえで減少させる手法が主流である。また、PIDに対する従来技術では、鏡面研磨後、エピタキシャル成長直前に特許文献2のような洗浄を行うことも挙げられる。
まず、シリコンインゴットをスライスし、研削等を行った後、鏡面研磨を施したシリコンウエーハの表面に存在するPIDに関して、直接SEM(Scanning Electro Microscopy)観察及びEDX(Energy Dispersive X-ray spectroscopy)分析を行うとPID部から金属を示す発生X線のピークが検出された。
図3(A)に示す例では、シリコンの他、金属不純物のZr(2.042keV)が検出された。また、図3(B)に示す例では金属不純物のNi(0.851keV)が検出された。
図4に示すキズの中から金属不純物のNiが検出された。
図5(A)はPIDのSEM像であり、図5(B)はそのPIDの断面TEM観察像であり、図5(C)はその拡大図である。また図5(D)はPID最表層部のEDX分析結果である。EDX分析結果のように、PIDの表層の部分からZrが検出された。
これらは研削砥石成分の分析結果及び砥粒の分析結果とも一致する。表1に研削砥石の成分分析を示す。
まず、シリコン単結晶をワイヤーソーにてウェーハにスライスする。本工程ではスライスワイヤー及びスラリーの砥粒及びその圧力によりウエーハに加工ダメージが導入される。
したがって、その後の仕上げ研磨において、PIDの発生要因となるシリコンウエーハ表面におけるシリコンと金属の硬度差は生じず、均一に仕上げ研磨することができる。このため、PIDも存在せず、平坦で高品質なポリッシュドウェーハを製造することができる。
さらには、このような高品質のポリッシュドウエーハを得ることができるので、後工程でエピタキシャル層を積層した場合には、表面にPIDによる突起も生じず、表面品質が優れたエピタキシャルウエーハを得ることができる。
本発明者はシリコンウエーハ表面のPIDについて鋭意研究を行った。その結果、スライス工程、研削・ラップ工程等により生じた複合歪に金属不純物が取り込まれ、鏡面研磨工程において複合歪を除去する際、金属とシリコンの硬度差によって研磨代に差が生じてPIDが発生することが分かった。
また、例えば特許文献2のような洗浄方法では、洗浄後のポリッシュドウエーハに凹形状が生じてしまうし、その後のエピタキシャル成長工程において転位を伴うエピタキシャル欠陥を誘発してしまい、PID対策としては不十分である。
(スライス工程)
チョクラルスキー法等により製造したシリコンインゴットをワイヤーソーによりウエーハ状にスライスする。
(研削・ラップ工程)
得られたスライスウエーハに対し、加工ダメージ除去のためのエッチングを行った後、研削工程もしくはラップ工程、またはそれら両方の工程を施す。
<粗研磨>
次に鏡面研磨工程を施す。この鏡面研磨工程において、まず粗研磨を行う。
粗研磨では、例えば、回転可能な定盤上に貼り付けられた研磨布と、研磨ヘッドのウエーハ支持盤に支持されたシリコンウエーハとを適切な圧力で接触して研磨する。この際に、コロイダルシリカを含有したアルカリ溶液(研磨スラリー、研磨剤などと呼ばれる)が用いられている。このような研磨剤を研磨布とシリコンウエーハの接触面に添加することにより、研磨スラリーとシリコンウエーハがメカノケミカル作用を起こし、研磨が進行する。
さらには、この粗研磨として、一段階の研磨のみならず、複数段階の研磨を行うこともできる。例えば二段階に分けて、2次研磨では1次研磨よりも目の細かい研磨剤や研磨布を用い、段階的に粗研磨を行うことができる。
上記のようにして粗研磨を行った後、RCA洗浄によりウェーハ表面の有機物系パーティクルや金属パーティクル等を除去する。その後、純水にてリンスを行う(純水洗浄)。リンス工程はバッチ式で用いられる浸漬流水によるオーバーフロー方式もしくは噴射式のどちらでも構わない。
そして、フッ酸水溶液に浸漬もしくはフッ酸水溶液を噴射させ、ウエーハ表面のシリコン酸化物を除去する。このフッ酸水溶液の溶液濃度は例えば1~5%程度の濃度で使用することができるが、特にこの濃度に限定されるものではない。フッ酸濃度が必要以上に高いために新たなパーティクルの付着が促進されるのを効果的に防ぐため、好ましくは5%以下にすると良い。フッ酸水溶液への浸漬時間もしくはフッ酸水溶液の噴射時間は濃度により変化させることができるが、目安としては、例えばシリコンウェーハ表面が撥水性になる程度の時間を設定することができる。浸漬時間や噴射時間も長くなるにつれてパーティクル付着が促進されるため、撥水性が確保できる最小限に設定することが望ましい。
その後、純水にてリンスを行い、スピン乾燥もしくはIPA乾燥等にてシリコンウェーハを乾燥する。
次に、シリコンウエーハの表面に付着している金属不純物を除去する処理を行う。
ここでは、オゾンガス(オゾン水)を用いた酸化処理およびフッ酸水溶液(フッ酸蒸気)を用いた酸化膜除去処理を含む場合について説明する。
まず、前述の粗研磨後、洗浄を行ったシリコンウエーハの表面をオゾンガスを用いて酸化させる。このとき、シリコンウェーハ表面において、複合歪やキズ、マイクロクラック中に埋没された金属不純物が付着している箇所も含め、シリコンは強制的に酸化されてシリコン酸化膜を形成する。特にその付着物の周りのシリコンの酸化膜成長速度は速くなる傾向にあるため、付着物を巻き込むようにシリコン酸化膜が形成される。
またオゾンガスによる強制酸化は、密閉された容器中でオゾンガスを絶えず供給しながら行うことが好ましいが、これに限定されず、開放した容器内でシリコンウエーハ表面にオゾンガスを直接噴射する方法を用いても同様の効果を得ることができる。
このようにオゾンガス、オゾン水のいずれを用いても良いが、微細なキズなどの中に行き渡りやすいようにオゾンガスを用いる方がより好ましい。
また、フッ酸水溶液に限らずフッ酸蒸気によっても同様の効果を得ることができる。
このようにフッ酸水溶液、フッ酸蒸気のいずれを用いても良いが、金属不純物をウエーハ表面から除去して系外に排出する点を鑑みればフッ酸水溶液をシリコンウエーハ表面に噴射させる形態がより好ましい。
以上のような金属不純物除去処理を行った後、純水にてリンスを行う。そして空気中の環境パーティクルの付着を防止するため、より好ましくは水没したまま次工程の仕上げ研磨に投入する。
または、金属不純物除去処理を行った後、RCA洗浄を施してから純水にてリンスを行うこともできる。このようにすることで、シリコンウエーハ表面のパーティクルをより一層除去してから、この後に控える仕上げ研磨を施すことができる。
次に仕上げ研磨を行う。仕上げ研磨では、キズの残痕やマイクロクラック等の深さを充分に除去できる量の取り代を確保する。このときの取り代は特に限定されず、それまでの工程等により変化するものであるが、10nm以上が好ましい。
使用する研磨装置、研磨スラリーの組成、温度、研磨圧力、研磨代、研磨速度等の各種条件も特に限定されず、従来の条件のいずれをも採用することができ、その都度決定することができる。
そして、仕上げ研磨後に仕上げ洗浄を行う。仕上げ洗浄の方法は特に限定されず、適宜決定することができる。ここではRCA洗浄および純水洗浄とした。仕上げ研磨後のウエーハ表面に存在する種々のパーティクルを除去できる洗浄方法であれば良い。
鏡面研磨工程後、特許文献2のような洗浄を行う必要もないし、表面に凹形状も生じることなく、表面品質が優れたポリッシュドウエーハを本発明の研磨方法により得ることができる。
そして、上記のような鏡面研磨工程を施したシリコンウエーハに対してエピタキシャル層を形成する。
エピタキシャル層の形成方法自体は特に限定されるものではなく、例えば従来と同様の方法を用いることができる。
エピタキシャル成長装置内にシリコンウエーハを配置し、例えばH2雰囲気中に珪素化合物ガスであるSiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4等のガスとドーパントガスであるB2H6ガスやPH3等のガスを供給し、1000~1300℃の温度域でエピタキシャル層を積層させることができる。
(実施例)
本発明のシリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法を実施した。
図1に示すように、CZシリコンインゴットをワイヤーソーによりウエーハ状に切り出し、そのうち、3枚のシリコンウエーハについて研削工程を施し、RCA洗浄を行った。その後、鏡面研磨工程を施した。なお、直径300mm、結晶方位<100>のシリコンウエーハを用いた。
鏡面研磨工程では、まず粗研磨を行い、その後、RCA洗浄、純水洗浄、フッ酸処理、純水洗浄を順に行い、粗研磨後のシリコンウエーハを得た。
まず、前処理として、研削・ラップ工程を行ったシリコンウエーハをNaOHにより20μmのエッチングを行った。
次に、両面研磨装置で、シリコンウエーハの両面をコロイダルシリカを主成分とするアルカリ溶液の研磨剤で1次研磨を行った。最低10μmの研磨代であれば良く、ここでは10μmの研磨代とした。なお、研磨布には発泡ウレタンを用いた。
次に、片面研磨装置で、同様にポリウレタン不織布の研磨布とNaOHベースのコロイダルシリカの研磨剤を用いて、研磨代1μm程度の2次研磨を行った。
酸化膜除去処理として、上記1分間の噴射による処理を計2回行った。
その後、純水洗浄を行った。
なお、仕上げ研磨のその他の条件は以下の通りである。
片面研磨装置で、ポリウレタンのスエードの研磨布とNH4OHベースのコロイダルシリカの研磨剤を用いて仕上げ研磨を行った。
なお、研磨速度は10nm/min以下とし、研磨時間は2.5分行った。
このようにしてエピタキシャルウエーハを得た。
従来のシリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法を実施した。より具体的には、金属不純物除去工程を行わないこと以外は実施例と同様にしてシリコンウエーハを研磨し、直径300mm、結晶方位<100>のポリッシュドウエーハを得た。
そして、該ポリッシュドウエーハ上に、実施例と同様の条件でエピタキシャル層を気相成長し、エピタキシャルウエーハを得た。
さらにエピタキシャル成長後における欠陥数について比較すると、比較例では18%程度まで減少しているのに対して、実施例では0.65%程度にまで減少している。実施例では比較例に対して27倍以上の効果が得られている。
このように本発明では、PIDを含め、欠陥数を従来法よりも著しく減少させることができる。
Claims (4)
- シリコンウエーハに鏡面研磨工程を施すシリコンウエーハの研磨方法であって、
前記鏡面研磨工程において、前記シリコンウエーハに粗研磨を行い、その後、シリコンウエーハの表面に対して、
オゾンガスまたはオゾン水を用いた酸化処理およびフッ酸蒸気またはフッ酸水溶液を用いた酸化膜除去処理によって、シリコンウエーハの表面に付着している金属不純物を除去する処理を行ってから、仕上げ研磨を行うことを特徴とするシリコンウエーハの研磨方法。 - 前記金属不純物除去処理を行ったシリコンウエーハに、RCA洗浄を行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウエーハの研磨方法。
- 前記仕上げ研磨を行ったシリコンウエーハに、仕上げ洗浄を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコンウエーハの研磨方法。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコンウエーハの研磨方法により鏡面研磨工程を施したシリコンウエーハの表面に、エピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201480021816.0A CN105144350B (zh) | 2013-04-18 | 2014-03-13 | 硅晶圆的研磨方法及磊晶晶圆的制造方法 |
US14/779,111 US9824880B2 (en) | 2013-04-18 | 2014-03-13 | Method of polishing silicon wafer and method of producing epitaxial wafer |
SG11201507962XA SG11201507962XA (en) | 2013-04-18 | 2014-03-13 | Method for polishing silicon wafer and method for producing epitaxial wafer |
DE112014001496.6T DE112014001496T5 (de) | 2013-04-18 | 2014-03-13 | Verfahren zum Polieren eines Siliziumwafers und Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiewafers |
KR1020157029910A KR101966416B1 (ko) | 2013-04-18 | 2014-03-13 | 실리콘 웨이퍼의 연마방법 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013087732A JP5888280B2 (ja) | 2013-04-18 | 2013-04-18 | シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 |
JP2013-087732 | 2013-04-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2014171059A1 true WO2014171059A1 (ja) | 2014-10-23 |
Family
ID=51731025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/001420 WO2014171059A1 (ja) | 2013-04-18 | 2014-03-13 | シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9824880B2 (ja) |
JP (1) | JP5888280B2 (ja) |
KR (1) | KR101966416B1 (ja) |
CN (1) | CN105144350B (ja) |
DE (1) | DE112014001496T5 (ja) |
SG (1) | SG11201507962XA (ja) |
TW (1) | TWI541885B (ja) |
WO (1) | WO2014171059A1 (ja) |
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- 2014-03-13 WO PCT/JP2014/001420 patent/WO2014171059A1/ja active Application Filing
- 2014-03-13 CN CN201480021816.0A patent/CN105144350B/zh active Active
- 2014-03-13 US US14/779,111 patent/US9824880B2/en active Active
- 2014-03-13 SG SG11201507962XA patent/SG11201507962XA/en unknown
- 2014-03-13 KR KR1020157029910A patent/KR101966416B1/ko active IP Right Grant
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KR20150143506A (ko) | 2015-12-23 |
US20170194136A1 (en) | 2017-07-06 |
SG11201507962XA (en) | 2015-10-29 |
TWI541885B (zh) | 2016-07-11 |
TW201511111A (zh) | 2015-03-16 |
CN105144350A (zh) | 2015-12-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201480021816.0 Country of ref document: CN |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 14785358 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 14779111 Country of ref document: US |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 1120140014966 Country of ref document: DE Ref document number: 112014001496 Country of ref document: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20157029910 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 14785358 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |