WO2014156832A1 - 導電膜形成用組成物、導電膜、配線基板 - Google Patents

導電膜形成用組成物、導電膜、配線基板 Download PDF

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    • H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
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    • H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability

Definitions

  • the present invention relates to a composition for forming a conductive film, and more particularly to a composition for forming a conductive film containing a migration inhibitor containing a fluorine atom.
  • the present invention also relates to a conductive film formed of the above composition for forming a conductive film, and a wiring substrate including the conductive film.
  • Patent Document 1 a method of introducing a predetermined migration inhibitor into metal wiring has been proposed.
  • An object of this invention is to provide the composition for electrically conductive film formation which can form the electrically conductive film which is excellent in an electrically conductive characteristic and an ion migration suppression function in view of the said situation.
  • Another object of the present invention is to provide a conductive film formed of the composition for forming a conductive film, and a wiring substrate provided with the conductive film.
  • the present inventors have found that the above problems can be solved by using a migration inhibitor containing a fluorine atom. That is, the present inventors have found that the above problem can be solved by the following configuration.
  • a composition for conductive film formation containing at least a migration inhibitor containing a fluorine atom and metal particles.
  • the migration inhibitor includes compounds represented by general formula (1) to general formula (5) described later, compounds represented by general formula (22) described later, and compounds represented by general formula (23) described later. And at least one selected from the group consisting of a compound represented by general formula (24) and a compound having a group represented by general formula (24) described later and a group represented by general formula (25) described later, The composition for electrically conductive film formation as described.
  • a wiring substrate comprising the conductive film according to (4).
  • (6) A base material and a conductive film containing metal disposed on the base material, wherein the conductive film is a surface layer from the exposed surface of the conductive film to a depth position equivalent to 1/10 of the entire thickness Of the migration inhibitor that has a region and an inner region other than the surface region, the conductive film contains a migration inhibitor containing a fluorine atom, and the mass Y of the migration inhibitor contained in the surface region is included in the inner region Wiring board larger than mass X.
  • the composition for electrically conductive film formation which can form the electrically conductive film which is excellent in an electrically conductive characteristic and an ion migration suppression function can be provided. Further, according to the present invention, it is also possible to provide a conductive film formed of the composition for forming a conductive film, and a wiring substrate provided with the conductive film.
  • One of the features of the present invention is the use of a fluorine atom-containing migration inhibitor (hereinafter also referred to as F-containing migration inhibitor).
  • F-containing migration inhibitor a fluorine atom-containing migration inhibitor
  • the F-containing migration inhibitor is localized near the exposed surface (surface not in contact with the substrate) of the conductive film, and the conductive property of the conductive film and the ion migration suppression function, which are usually in a trade-off relationship, are higher It can be compatible at the level. More specifically, by causing many F-containing migration inhibitors to be localized near the outer exposed surface of the conductive film, the diffusion of metal ions deposited from the vicinity of the exposed surface of the conductive film to the outside can be efficiently suppressed. . In addition, the concentration of many F-containing migration inhibitors near the outer surface of the conductive film can reduce the amount of impurities other than metal inside the conductive film, and as a result, a conductive path is formed inside the conductive film. , Excellent conductive properties can be achieved.
  • composition for forming a conductive film (hereinafter, also simply referred to as a “composition”) of the present invention contains at least an F-containing migration inhibitor and metal particles. First, the components contained in the composition will be described in detail.
  • the F-containing migration inhibitor is a compound that contains a fluorine atom and suppresses ion migration of metal ions.
  • the content (fluorine content) of fluorine atoms in the F-containing migration inhibitor is appropriately adjusted according to the type of metal particles used, etc., but the ion migration suppression ability between the conductive films to be formed is more excellent.
  • the content is 20% by mass or more and less than 65% by mass, and more preferably 25 to 60% by mass from the point of being more excellent also in the conductive characteristics of the conductive film Is more preferable, and 30 to 55% by mass is more preferable.
  • the ratio (content rate) of the mass which the fluorine atom occupies in the total molecular weight of a migration inhibitor is represented. That is, it is a value represented by ⁇ (number of fluorine atoms in compound) ⁇ (atomic weight of fluorine) / (total molecular weight of compound) ⁇ ⁇ 100 (%).
  • the mass ratio (%) of the fluorine atoms is ⁇ (19 ⁇ 3) / 100 ⁇ ⁇ 100 at 57 mass%.
  • the type of the F-containing migration inhibitor is not particularly limited, but the compounds represented by the general formulas (1) to (5), the compounds represented by the general formula (22), and the general compounds in terms of more excellent effects of the present invention
  • the compound represented by Formula (23) and the compound which has a group represented by General formula (24) and a group represented by General formula (25) are preferable. Hereinafter, these compounds will be described in detail.
  • R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a group that can be substituted on a nitrogen atom.
  • the group which can be substituted on the nitrogen atom is not particularly limited as long as it can substitute on the nitrogen atom, and examples thereof include an alkyl group (including a cycloalkyl group), an alkenyl group (including a cycloalkenyl group and a bicycloalkenyl group), and an alkynyl group.
  • alkyl group [a linear, branched, cyclic substituted or unsubstituted alkyl group. They are preferably alkyl groups (preferably alkyl groups having 1 to 50 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, n-octyl, eicosyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-ethylhexyl A cycloalkyl group (preferably, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, for example, cyclohexyl, cyclopentyl, 4-n-dodecylcyclohexyl), a bicycloalkyl group (preferably, 5 to 50 carbon atoms) Or a substituted or unsubstituted bicycloalkyl group, that is, a monovalent group obtained by removing one
  • alkyl group for example, the alkyl group of the alkylthio group
  • alkenyl groups [a linear, branched, cyclic substituted or unsubstituted alkenyl group is represented.
  • alkenyl groups preferably substituted or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 50 carbon atoms, for example, vinyl, allyl, prenyl, geranyl, oleyl
  • cycloalkenyl groups preferably, substitution of 3 to 50 carbon atoms or An unsubstituted cycloalkenyl group, that is, a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom of a C3-C50 cycloalkene, for example, 2-cyclopenten-1-yl, 2-cyclohexen-1-yl
  • Bicycloalkenyl group substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group, preferably a substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group having a carbon number of 5 to 50, that is, a monovalent group formed by removing one hydrogen atom of a bicycloalkene having one double bond
  • An alkynyl group preferably, a substituted or unsubstituted alkynyl group having 2 to 50 carbon atoms, such as ethynyl, propargyl, trimethylsilylethynyl group
  • an aryl group preferably, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 carbon atoms
  • Groups such as phenyl, p-tolyl, naphthyl, m-chlorophenyl, o-hexadecanoylaminophenyl
  • heterocyclic groups preferably 5- or 6-membered substituted or unsubstituted, aromatic or non-aromatic heterocycles It is a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from the compound, more preferably a 5- or 6-membered aromatic heterocyclic group having 3 to 30 carbon atoms, for example, 2-furanyl, 2-thienyl
  • the alkyl group represented by R 2 and R 3 in the general formula (1) represents a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkyl group, preferably having 1 to 50 carbon atoms, more preferably 1 carbon atoms. It is preferably 30 to 30, particularly preferably 1 to 20 carbon atoms.
  • Preferred examples include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, cyclopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, sec-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, t-pentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, cyclopentyl, octyl, Examples include 2-ethylhexyl, nonyl, decyl, dodecyl, tetradecyl, hexadecyl, octadecyl, eicosyl, docosyl, triacontyl and the like.
  • the alkyl group may contain a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S—, or a combination of these.
  • a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S—, or a combination of these.
  • the said connection group when the said connection group is contained in an alkyl group, the position in particular is not restrict
  • the alkyl group represented by R 2 and R 3 may further have a substituent.
  • a substituent a halogen atom, an alkyl group (including a cycloalkyl group), an alkenyl group (including a cycloalkenyl group and a bicycloalkenyl group), an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, a cyano group, a hydroxyl group and a nitro group , Carboxyl group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (including anilino group), acylamino group, aminocarbonyl Amino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsul
  • the substituent represents a halogen atom (eg, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), an alkyl group [linear, branched, cyclic, substituted or unsubstituted alkyl group.
  • a halogen atom eg, chlorine atom, bromine atom, iodine atom
  • an alkyl group [linear, branched, cyclic, substituted or unsubstituted alkyl group.
  • alkyl groups preferably alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, n-octyl, eicosyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-ethylhexyl
  • a cycloalkyl group preferably, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, for example, cyclohexyl, cyclopentyl, 4-n-dodecylcyclohexyl
  • a bicycloalkyl group preferably, 5 to 30 carbon atoms.
  • a substituted or unsubstituted bicycloalkyl group that is, a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a bicycloalkane having 5 to 30 carbon atoms, for example, bicyclo [1.2.2] heptane-2-yl, Bicyclo [2.2.2] octan-3-yl), and tricyclo structures having more ring structures It is intended to encompass such.
  • the alkyl group (for example, the alkyl group of the alkylthio group) in the substituents described below also represents an alkyl group having such a concept. ],
  • alkenyl group [a linear, branched, cyclic substituted or unsubstituted alkenyl group is represented. They are alkenyl groups (preferably substituted or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 30 carbon atoms, such as vinyl, allyl, prenyl, geranyl, oleyl), cycloalkenyl groups (preferably, substitution of 3 to 30 carbon atoms or An unsubstituted cycloalkenyl group, that is, a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom of a cycloalkene having 3 to 30 carbon atoms, such as 2-cyclopenten-1-yl, 2-cyclohexen-1-yl), Bicycloalkenyl group (substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group, preferably a substituted or unsubstituted bicycloalkenyl group having 5 to 30 carbon atoms, that is, a monovalent compound from which one hydrogen
  • alkynyl group preferably, a substituted or unsubstituted alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, such as ethynyl, propargyl and trimethylsilylethynyl group
  • An aryl group (preferably a substituted or unsubstituted aryl group having a carbon number of 6 to 30, such as phenyl, p-tolyl, naphthyl, m-chlorophenyl, o-hexadecanoylaminophenyl), a heterocyclic group (preferably 5 or 6)
  • Group heterocyclic group for example, 2-furanyl, 2-thienyl, 2-pyrimidinyl, 2-benzothiazolinyl),
  • amino group preferably, an amino group, a substituted or unsubstituted alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted anilino group having 6 to 30 carbon atoms, for example, amino, methylamino, dimethylamino, anilino, N-methyl-anilino, diphenylamino
  • acylamino group preferably, formylamino group, substituted or unsubstituted alkylcarbonylamino group having 1 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylcarbonylamino having 6 to 30 carbon atoms Groups, for example, formylamino, acetylamino, pivaloylamino, lauroylamino, benzoylamino, 3,4,5-tri-n-octyloxyphenylcarbonylamino), aminocarbonylamino group (preferably having a carbon number of 1 to 30) Or unsubsti
  • alkylthio group preferably, substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, for example, methylthio, ethylthio, n-hexadecylthio
  • arylthio group preferably, having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted Arylthio, for example, phenylthio, p-chlorophenylthio, m-methoxyphenylthio
  • heterocyclic thio group preferably having a carbon number of 2 to 30, substituted or unsubstituted heterocyclic thio group, for example, 2-benzothiazolylthio, 1-phenyltetrazol-5-ylthio
  • a sulfamoyl group preferably a substituted or unsubstituted sulfamoyl group having a carbon number of 0 to 30, for example, N-ethylsulfamoyl group
  • Alkyl and arylsulfonyl groups preferably, substituted or unsubstituted alkylsulfonyl groups having 1 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted arylsulfonyl groups having 6 to 30 carbon atoms, for example, methylsulfonyl, ethylsulfonyl, phenylsulfonyl, p-methylphenylsulfonyl), an acyl group (preferably a formyl group, a substituted or unsubstituted alkylcarbonyl group having 2 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylcarbonyl group having 7 to 30 carbon atoms, 4 to 30 carbon atoms Heterocyclic carbonyl group bonded to a carbonyl group at a substituted or unsubstituted carbon atom, for example, acetyl, pivaloyl, 2-chloroacetyl
  • a carbamoyl group (preferably, a substituted or unsubstituted carbamoyl having 1 to 30 carbon atoms, for example, carbamoyl, N-methylcarbamoyl, N, N-dimethylcarbamoyl, N, N-di-n-octylcarbamoyl, N- (methyl) (Sulfonyl) carbamoyl), aryl and heterocyclic azo groups (preferably substituted or unsubstituted arylazo groups having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heterocyclic azo groups having 3 to 30 carbon atoms, eg, phenylazo, p- Chlorophenylazo, 5-ethylthio-1,3,4-thiadiazol-2-ylazo), imide group (preferably, N-succinimide, N-phthalimide), phosphino group (preferably, having 2 to 30 carbon atoms, substituted or non-substi
  • a substituted or unsubstituted phosphinylamino group eg, dimethoxyphosphinylamino, dimethylaminophosphinylamino
  • a silyl group preferably, a substituted or unsubstituted silyl group having 3 to 30 carbon atoms, eg, Trimethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, phenyldimethylsilyl A representative.
  • those having a hydrogen atom may be removed and further substituted with the above group.
  • Examples of such functional groups include alkylcarbonylaminosulfonyl group, arylcarbonylaminosulfonyl group, alkylsulfonylaminocarbonyl group, arylsulfonylaminocarbonyl group and the like. Examples thereof include methylsulfonylaminocarbonyl, p-methylphenylsulfonylaminocarbonyl, acetylaminosulfonyl, benzoylaminosulfonyl and the like.
  • the alkenyl group represented by R 2 and R 3 represents a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkenyl group, preferably having 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms, and particularly preferably It has 2 to 20 carbon atoms.
  • Preferred examples include vinyl, allyl, prenyl, geranyl, oleyl, 2-cyclopenten-1-yl, 2-cyclohexen-1-yl, bicyclo [2.2.1] hept-2-en-1-yl, bicyclo [2.2.2] Oct-2-en-4-yl etc. can be mentioned.
  • the alkenyl group represented by R 2 and R 3 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • the alkenyl group may contain a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S— or a combination thereof as in the above alkyl group.
  • the alkynyl group represented by R 2 and R 3 represents a linear, branched or cyclic substituted or unsubstituted alkynyl group, preferably having 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms, and particularly preferably It has 2 to 20 carbon atoms. Preferred examples include ethynyl, propargyl and the like.
  • the alkynyl group represented by R 2 and R 3 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • the alkynyl group may contain a linking group such as —CO—, —NH—, —O—, —S— or a combination thereof as in the above alkyl group.
  • the aryl group represented by R 2 and R 3 represents a substituted or unsubstituted aryl group, preferably having 6 to 50 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 20 carbon atoms .
  • Preferred examples include phenyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2-ethylphenyl, 4-ethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 2,4, 6-trimethylphenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 2-chlorophenyl, 3-chlorophenyl, 4-chlorophenyl, 2-methoxyphenyl, 3-methoxyphenyl, 4-methoxyphenyl, 2-benzylphenyl, 4-benzylphenyl, 2-methylcarbonylphenyl, 4-methylcarbonylphenyl and the like can be mentioned.
  • phenyl, 2-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2-ethylphenyl, 4-ethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 2,4,6-trimethylphenyl, 1 And 2-naphthylphenyl, 2-chlorophenyl, 4-chlorophenyl, 2-methoxyphenyl, 3-methoxyphenyl, 4-methoxyphenyl, 2-benzylphenyl, 4-benzylphenyl and the like can be mentioned, with particular preference given to Phenyl, 2-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 2,4,6-trimethylphenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 2-chlorophenyl, 4-chlorophenyl , 2-methoxyphenyl, 4-methoxyphenyl, 2-benzyl Enir
  • R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituents represented by R 4 and R 5 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above (substituents which the alkyl group may have), preferably Is an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a combination thereof, and preferred examples of each may include the examples of R 2 and R 3 described above.
  • the groups represented by R 4 and R 5 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • R 1 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 1 and R 6 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group and an aryl group Or a group obtained by combining these, and preferred examples of each may include the aforementioned examples of R 2 and R 3 .
  • the groups represented by R 1 and R 6 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above.
  • n represents an integer of 0 to 5; However, when n is 0, both P and Q will not both be OH, and neither will CHR 4 R 5 .
  • the compound represented by the general formula (1) may be linear or cyclic, and in the case of cyclic, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 or R 6 At least two of the represented groups may be bonded to each other to form a ring. In addition, when two groups couple
  • a fluorine atom is contained in at least one group of R 1 to R 6 .
  • a fluorine atom is contained so that a fluorine content may become the range mentioned above.
  • the fluorine atom may be substituted at any carbon atom of the compound represented by the general formula (1).
  • a part or all of the hydrogen atoms in at least one group of R 1 to R 6 are substituted by a fluorine atom Is preferred.
  • a fluorine atom, a fluoroalkyl group (hereinafter, also referred to as the R f group) or is preferably contained as been substituted with the R f group. That is, it is preferable that a fluoroalkyl group is contained in at least one group of R 1 to R 6 .
  • R f group is a C 2 -C 14 straight-chain or branched perfluoroalkyl group, or a C 1 -C 14 straight-chain or branched perfluoroalkyl group substituted by 2 to C carbon atoms It is preferable that it is 20 substituents.
  • linear or branched perfluoroalkyl groups having 1 to 14 carbon atoms include CF 3- , C 2 F 5- , C 3 F 7- , C 4 F 9- , C 5 F 11- , ( CF 3) 2 -CF- (CF 2 ) 2 -, C 6 F 13 -, C 7 F 15 -, (CF 3) 2 -CF- (CF 2) 4 -, C 8 F 17 -, C 9 F 19- , C 10 F 21- , C 12 F 25 -and C 14 F 29- can be mentioned.
  • the compound represented by the general formula (1) is preferably at least one selected from the group consisting of the compounds represented by the general formulas (6) to (21).
  • the compounds represented by the general formulas (6) to (21) preferably contain a fluorine atom satisfying the above-mentioned fluorine content.
  • V 6 represents a substituent. a is an integer of 1 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1). Note that at least one of V 6 contains a fluorine atom. That is, when V 6 is one, the substituent includes a fluorine atom, and when V 6 is two or more, at least one V 6 may contain a fluorine atom.
  • the fluorine atom is introduced by substituting a part or all of the hydrogen atoms (preferably, a part or all of the hydrogen atoms bonded to a carbon atom) in at least one group represented by V 6 Is preferred.
  • V 6 preferably contains the above-mentioned R f group.
  • the substituents represented by V 6, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be the same or different, and may be combined with each other to form a ring.
  • the specific example of a compound represented by General formula (6) is shown. However, the present invention is not limited to these.
  • the percentage display described simultaneously with the structural formula of a compound below shows the mass content rate (fluorine content rate) of a fluorine atom.
  • V 7 represents a substituent. a is an integer of 1 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1). Note that at least one of V 7 contains a fluorine atom. That is, when V 7 is one, the substituent includes a fluorine atom, and when V 7 is two or more, at least one V 7 may contain a fluorine atom.
  • the fluorine atom is introduced by substituting a part or all of the hydrogen atoms (preferably a part or all of the hydrogen atoms bonded to a carbon atom) in at least one group represented by V 7 Is preferred.
  • V 7 contains the above-mentioned R f group.
  • the substituent represented by V 7 it can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • the specific example of a compound represented by General formula (7) is shown. However, the present invention is not limited to these.
  • V 8 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 8 can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • Each of R 81 and R 82 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 8 , R 81 and R 82 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms
  • V 8 , R 81 and R 82 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • V 8 , R 81 and R 82 contains the above-mentioned R f group.
  • at least one group of the plurality of V 8, R 81 and R 82 include fluorine atom.
  • V 9 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 9, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different and may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 91 and R 92 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 9 , R 91 and R 92 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 9 , R 91 and R 92 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • V 9 , R 91 and R 92 contains the above-mentioned R f group.
  • at least one group of the plurality of V 9, R 91 and R 92 include fluorine atom.
  • V 10 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituent represented by V 10 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • R 101 and R 102 independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 101 and R 102 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or It is an aryl group, and the examples of R 2 and R 3 described above can be mentioned as preferable examples of each.
  • R 101 and R 102 represent a substituent, these groups may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 10 , R 101 and R 102 contains a fluorine atom. Among them, some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 10 , R 101 and R 102 are substituted with fluorine atoms Is preferred. Among them, at least one of V 10 , R 101 and R 102 preferably contains the R f group described above. In the case where V 10 there are a plurality, at least one group of the plurality of V 10, R 101 and R 102, it includes fluorine atom.
  • V 11 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 11, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • R 111 and R 112 independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 111 and R 112 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or It is an aryl group, and the examples of R 2 and R 3 described above can be mentioned as preferable examples of each.
  • R 111 or R 112 represents a substituent, these groups may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 11 , R 111 and R 112 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of V 11 , R 111 and R 112 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one of V 11 , R 111 and R 112 contains the above-mentioned R f group.
  • V 11 there are a plurality at least one group of the plurality of V 11, R 111 and R 112, it includes fluorine atom.
  • V 12 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 12 can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 121 , R 122 , R 123 and R 124 independently represents a hydrogen atom or a group which can be substituted on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 12 , R 121 , R 122 , R 123 and R 124 contains a fluorine atom.
  • some or all of hydrogen atoms in at least one group of V 12 , R 121 , R 122 , R 123 and R 124 (preferably, some or all of hydrogen atoms bonded to carbon atoms) Is preferably substituted by a fluorine atom.
  • at least one of V 12 , R 121 , R 122 , R 123 and R 124 contains the above-mentioned R f group.
  • V 12 there are a plurality, at least one group of the plurality of V 12, R 121, R 122 , R 123 and R 124, it includes fluorine atom.
  • V 13 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 13, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • R 131 , R 132 , R 133 and R 134 each independently represent a hydrogen atom or a group which can be substituted on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 13 , R 131 , R 132 , R 133 and R 134 contains a fluorine atom. Among them, some or all of hydrogen atoms in at least one group of V 13 , R 131 , R 132 , R 133 and R 134 (preferably, some or all of hydrogen atoms bonded to carbon atoms) Is preferably substituted by a fluorine atom. Furthermore, it is more preferable that at least one of V 13 , R 131 , R 132 , R 133 and R 134 contains the above-mentioned R f group. In the case where V 13 there are a plurality, at least one group of the plurality of V 13, R 131, R 132 , R 133 and R 134, it includes fluorine atom.
  • V 14 represents a substituent.
  • c represents an integer of 1 to 2 (preferably 1). Note that at least one of V 14 contains a fluorine atom. That is, in the case where V 14 is one, the substituent includes a fluorine atom, and in the case where V 14 is two or more, at least one V 14 may include a fluorine atom.
  • the fluorine atom is introduced by substituting a part or all of the hydrogen atoms (preferably, a part or all of the hydrogen atoms bonded to a carbon atom) in at least one group represented by V 14 Is preferred. Among them, it is more preferable that the aforementioned R f group is contained in V 14 .
  • the substituents represented by V 14, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above. When a plurality of V 14 are present in the general formula (14), each group may be the same or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • V 15 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 15, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different, and may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 151 and R 152 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 15 , R 151 and R 152 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of V 15 , R 151 and R 152 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one of V 15 , R 151 and R 152 contains the above-mentioned R f group.
  • V 15 there are a plurality at least one group of the plurality of V 15, R 151 and R 152, it includes fluorine atom.
  • V 16 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 16 can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different, and may be combined with each other to form a ring.
  • Each of R 161 and R 162 independently represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 16 , R 161 and R 162 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of V 16 , R 161 and R 162 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one of V 16 , R 161 and R 162 contains the above-mentioned R f group.
  • V 16 there are a plurality at least one group of the plurality of V 16, R 161 and R 162, it includes fluorine atom.
  • V 17 represents a substituent.
  • d represents 0 or 1;
  • the substituents represented by V 17, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different and may be combined with each other to form a ring.
  • R 171 , R 172 and R 173 each independently represent a hydrogen atom or a group that can be substituted on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of V 17 , R 171 , R 172 and R 173 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 17 , R 171 , R 172 and R 173 are fluorine
  • it is substituted by an atom.
  • at least one of V 17 , R 171 , R 172 and R 173 contains the above-mentioned R f group.
  • V 17 there are a plurality at least one group of the plurality of V 17, R 171, R 172 and R 173, it includes fluorine atom.
  • V 18 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 18, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • each group may be identical or different, or may be combined with each other to form a ring.
  • R 181 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 181 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group. And the preferred examples of each are the examples of R 2 and R 3 described above.
  • R 181 represents a substituent, it may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 18 and R 181 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 18 and R 181 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one group of the plurality of V 18 and R 181 include fluorine atom.
  • V 19 represents a substituent.
  • b represents an integer of 0 to 4 (preferably an integer of 1 to 2 and more preferably 1).
  • the substituents represented by V 19, can be exemplified by the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • the respective groups may be the same or different and may be combined with each other to form a ring.
  • R 191 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • substituent represented by R 191 include the substituents of the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above, preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group. And the preferred examples of each are the examples of R 2 and R 3 described above.
  • R 191 represents a substituent, it may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • At least one of V 19 and R 191 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of V 19 and R 191 are substituted with fluorine atoms Is preferred.
  • at least one group of the plurality of V 19 and R 191 include fluorine atom.
  • the compound represented by the general formula (20) is an example of the case where P and Q are each NR 2 R 3 and n is 0 in the general formula (1).
  • R 201 , R 202 , R 203 and R 204 each independently represent a hydrogen atom or a group which can be substituted by a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of R 201 , R 202 , R 203 and R 204 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 201 , R 202 , R 203 and R 204 are fluorine Preferably it is substituted by an atom. More preferably, at least one of R 201 , R 202 , R 203 and R 204 contains the R f group described above.
  • R 211 and R 212 each independently represent a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • At least one of R 211 and R 212 contains a fluorine atom.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 211 and R 212 are substituted with fluorine atoms Is preferred. More preferably, at least one of R 211 and R 212 includes the R f group described above.
  • Each of R x1 and R x2 independently represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 5 in that the ion migration suppressing function is more excellent.
  • Preferred specific examples of the alkyl group include, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, isobutyl, 2,2-dimethylpropyl, hexyl, cyclohexyl and the like.
  • A represents an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms.
  • X 11 represents an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms which may contain a hydroxyl group.
  • Y 11 represents a linear perfluoroalkyl group having 4 to 12 carbon atoms.
  • Examples of preferred perfluoroalkyl groups include C 4 F 9- , C 5 F 11- , C 6 F 13- , C 7 F 15- , C 8 F 17- , C 9 F 19- , C 10 F 21 -, C 12 F 25 - and the like. If carbon number is in the said range, an ion migration suppression function will be more excellent.
  • the R x1 , R x2 , A, and X 11 may have the above-described substituents.
  • R 7 represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or a group obtained by combining these groups.
  • R 7 represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group
  • preferred examples of each may include the aforementioned examples of R 2 and R 3 .
  • R 7 represents a heterocyclic group, it is preferably a 5- or 6-membered substituted or unsubstituted, aromatic or non-aromatic heterocyclic compound having one hydrogen atom removed, more preferably a monovalent group.
  • Preferred examples are 2-furanyl, 2-thienyl, 2-pyrimidinyl, 2-benzothiazolyl, 2-benzoxazolyl, 2-imidazolyl, 4-imidazolyl, triazolyl, benzotriazolyl, thiadiazolyl, pyrrolidinyl, piperidinyl, imidazolidinyl , Pyrazolidinyl, morpholinyl, tetrahydrofuranyl, tetrahydrothienyl and the like.
  • R 7 is more preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group, and particularly preferably an alkyl group or an aryl group.
  • the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or heterocyclic group represented by R 7 may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 in Formula (1) described above.
  • a part or all of the hydrogen atoms (preferably, a part or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in the group represented by R 7 are substituted with a fluorine atom.
  • R 7 preferably contains the above-mentioned R f group.
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (2).
  • the group represented by R 7 may contain a hydroxyl group or a group represented by -COO-.
  • the groups represented by R 8 , R 9 and R 10 are each independently an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group or a combination of these groups Represents a group.
  • Preferred examples of the alkyl group, the alkenyl group, the alkynyl group, the aryl group and the heterocyclic group include the examples of R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • the groups represented by R 8 , R 9 and R 10 may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • Some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of R 8 to R 10 are substituted with fluorine atoms.
  • the above-mentioned R f group is preferably contained in at least one group of R 8 to R 10 .
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (3).
  • R 11 and R 12 each independently represent an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or a group obtained by combining these groups.
  • Preferred examples of the alkyl group, the alkenyl group, the alkynyl group, the aryl group and the heterocyclic group include the examples of R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • the groups represented by R 11 and R 12 may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • Some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one group of R 11 to R 12 are substituted with fluorine atoms.
  • the above-mentioned R f group is preferably contained in at least one group of R 11 to R 12 .
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (4).
  • Z-SH General formula (5)
  • Z represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or a group obtained by combining these groups.
  • Preferred examples of the alkyl group, the alkenyl group, the alkynyl group, the aryl group and the heterocyclic group include the examples of R 2 and R 3 in the general formula (1) described above.
  • the group represented by Z may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • Some or all of the hydrogen atoms in the group represented by Z are substituted by fluorine atoms.
  • Z preferably contains the above-mentioned R f group.
  • fills the fluorine content mentioned above is contained in the compound represented by General formula (5).
  • the compound represented by General Formula (5) is preferably a compound represented by General Formula (51) to General Formula (54).
  • R 511 represents a substituent containing a fluorine atom.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > in above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • the group represented by R 511 may further have a substituent.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > of above-mentioned General formula (1) can be mentioned.
  • R 511 contains a fluorine atom. Among them, it is preferable that some or all of the hydrogen atoms in R 511 (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) be substituted with a fluorine atom. Further, R 511 more preferably includes the R f group described above.
  • R 521 and R 522 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • R 523 represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > in above-mentioned General formula (1) can be mentioned as a substituent.
  • R 521 , R 522 and R 523 may be the same or different, and may combine with each other to form a ring.
  • a fluorine atom is contained in at least one group of R 521 , R 522 and R 523 .
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 521 , R 522 and R 523 are fluorine atoms Is preferably substituted.
  • the above-described R f group is contained in at least one group among R 521 , R 522 , and R 523 .
  • R 531 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • R 532 represents a hydrogen atom or a group capable of substituting on a nitrogen atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > in above-mentioned General formula (1) can be mentioned as a substituent.
  • R 531 and R 532 may be the same or different, and may combine with each other to form a ring. In at least one group of R 531 and R 532 , a fluorine atom is included.
  • some or all of the hydrogen atoms (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) in at least one of R 531 and R 532 are substituted with fluorine atoms. Is preferred. Further, it is more preferable that the above-described R f group is included in at least one group of R 531 and R 532 .
  • R 541 represents a group which can be substituted on the nitrogen atom containing a fluorine atom.
  • groups exemplified for R 2 and R 3 in the above-mentioned general formula (1) can be preferably mentioned.
  • R 541 contains a fluorine atom. Among them, it is preferable that some or all of the hydrogen atoms in R 541 (preferably, some or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms) be substituted with a fluorine atom. Further, R 541 more preferably includes the R f group described above.
  • R y1 and R y2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.
  • n1 represents 1 or 2, preferably 2.
  • n1 is 2, the structures of the units represented by multiple CR y1 R y2 may be the same or different.
  • R y1 and R y2 represent an alkyl group, they preferably have 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include methyl, ethyl, n-propyl and isopropyl , T-butyl, n-octyl, eicosyl, chloromethyl, hydroxymethyl, aminoethyl, N, N-dimethylaminomethyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-hydroxyethyl, 2- (N, N-dimethylamino) And ethyl), 2-ethylhexyl and the like.
  • the structure represented by (CR y1 R y2 ) n1 is preferably —CH 2 —, —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3 ) —, more preferably —CH 2 CH 2 — And —CH 2 CH (CH 3 ) —, particularly preferably —CH 2 CH 2 —.
  • R y3 and R y4 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • m1 represents an integer of 1 to 6; When m1 is 2 or more, the structures of the units represented by multiple CR y3 R y4 may be the same or different. R y3 and R y4 may be bonded to each other to form a ring.
  • the substituent of the alkyl group represented by R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > in above-mentioned General formula (1) can be mentioned as an example of a substituent.
  • m 1 As a structure represented by (CR y3 R y4 ) m 1 , preferably, -CH 2- , -CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 )-, -CH 2 CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (OH) CH 2- , -CH 2 CH (CH 2 OH)-, more preferably -CH 2- , -CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (OH) CH 2 -,- CH 2 CH 2 CH 2- , particularly preferably -CH 2- or -CH 2 CH 2- .
  • L1 represents an integer of 1 to 6; Among them, from the viewpoint of being excellent in compatibility with the fluorine-based resin, 2 to 5 is preferable, and 3 to 4 is more preferable.
  • Q1 represents 0 or 1
  • p1 represents 2 or 3
  • p1 + q1 represents 3.
  • R y5 represents a C 1-14 perfluoroalkyl group.
  • the perfluoroalkyl group may be linear or branched.
  • Examples of linear or branched perfluoroalkyl groups having 1 to 14 carbon atoms include CF 3- , C 2 F 5- , C 3 F 7- , C 4 F 9- , and C 5 F 11 -, C 6 F 13- , C 7 F 15- , C 8 F 17- , C 9 F 19- , C 10 F 21- , C 12 F 25- , C 14 F 29- and the like.
  • Rf 1 represents a fluoroalkyl group having 22 or less carbon atoms in which at least one hydrogen atom which may have an etheric oxygen atom is substituted by a fluorine atom, or a fluorine atom.
  • the hydrogen atom in the said fluoroalkyl group may be substituted by other halogen atoms other than a fluorine atom.
  • a chlorine atom is preferable.
  • an etheric oxygen atom (—O—) may be present on the carbon-carbon bond ring of the fluoroalkyl group, or may be present at the end of the fluoroalkyl group.
  • the structure of the fluoroalkyl group includes a linear structure, a branched structure, a ring structure or a structure having a partial ring, and a linear structure is preferable.
  • a perfluoroalkyl group or a polyfluoroalkyl group containing one hydrogen atom is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable (however, including those having an etheric oxygen atom).
  • Rf 1 a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms or a perfluoroalkyl group having 4 to 9 carbon atoms having an etheric oxygen atom is preferable. Examples of Rf 1 include the following.
  • X 1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Among them, a fluorine atom and a trifluoromethyl group are preferable.
  • L 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Among them, an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is preferable.
  • L 2 represents a single bond, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted by a hydroxyl group or a fluorine atom. Among them, an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is preferable.
  • L 3 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Among them, a single bond or an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms is preferable.
  • R 222 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Among them, -CO 2- , -O-, -S-, -SO 2 NR 222- or -CONR 222 -is preferable.
  • R 221 represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or Rf 1 -CFX 1 -L 1 -Y 1 -L 2 -Z 1 -L 3- .
  • L 2 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted by a fluorine atom.
  • R 231 and R 232 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.
  • R 231 and R 232 represent an alkyl group, they preferably have 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include methyl, ethyl and n-propyl Isopropyl, t-butyl, n-octyl, eicosyl, chloromethyl, hydroxymethyl, aminoethyl, N, N-dimethylaminomethyl, 2-chloroethyl, 2-cyanoethyl, 2-hydroxyethyl, 2- (N, N-dimethyl) Preferred examples include amino) ethyl and 2-ethylhexyl.
  • n is preferably —CH 2 —, —CH 2 CH 2 — or —CH 2 CH (CH 3 ) —, more preferably —CH 2 CH 2 —, -CH 2 CH (CH 3 )-, particularly preferably -CH 2 CH 2- .
  • R 233 and R 234 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • As a structure represented by (CR 233 R 234 ) m preferably —CH 2 —, —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3 ) —, —CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (OH) CH 2- , -CH 2 CH (CH 2 OH)-, more preferably -CH 2- , -CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (OH) CH 2 -,- CH 2 CH 2 CH 2- , particularly preferably -CH 2- or -CH 2 CH 2- .
  • Y 2 represents a single bond, -CO-, or -COO-.
  • n represents 0 and m represents an integer of 0 to 6.
  • m is preferably 0 to 4, and more preferably 1 to 2.
  • n represents 1 or 2, preferably 2.
  • m represents an integer of 1 to 6, preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 2.
  • Rf 2 represents a linear or branched perfluoroalkylene group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear or branched perfluoroether group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the carbon number of the perfluoroalkylene group is 1 to 20, preferably 2 to 15, and more preferably 3 to 12.
  • Specific examples of the perfluoroalkylene group for example, -C 4 F 8 -, - C 5 F 10 -, - C 6 F 12 -, - C 7 F 14 -, - C 8 F 16 -, - C 9 F 18- , -C 10 F 20- , -C 12 F 24- and the like can be mentioned.
  • the perfluoroether group means a group in which an etheric oxygen atom (-O-) is inserted at one or more carbon-carbon atoms in the above perfluoroalkylene group, or at the coupling end of the perfluoroalkylene group. .
  • the carbon number of the perfluoroalkylene group is 1 to 20, preferably 2 to 15, and more preferably 3 to 12.
  • P represents an integer of 2 to 3
  • l represents an integer of 0 to 1
  • the compound X preferably contains a fluorine atom satisfying the above-described fluorine content.
  • R 241 , R 242 , R 243 and R 244 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above. Among them, an alkyl group is preferable as the substituent, and it is particularly preferable that R 242 and R 243 be an alkyl group (particularly, a tert-butyl group).
  • R 241 and R 244 are preferably hydrogen atoms. * Indicates a bonding position.
  • X represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Among them, a fluorine atom or a trifluoromethyl group is preferable.
  • Rf represents a fluoroalkyl group having 20 or less carbon atoms in which at least one hydrogen atom optionally having an etheric oxygen atom is substituted by a fluorine atom, or a fluorine atom. The definition of Rf is the same as Rf 1 except that the number of carbon atoms is different, and preferred embodiments are also the same. * Indicates a bonding position.
  • a preferred embodiment of the compound X includes a polymer A having a repeating unit represented by the following general formula (26) and a repeating unit represented by the general formula (27).
  • each of R 261 and R 262 independently represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • Z 2 represents a single bond, an ester group, an amido group or an ether group.
  • L 4 represents a single bond or a divalent organic group.
  • the organic group represented by L 4 is one of the preferred embodiments as a linear, branched or cyclic alkylene group, an aromatic group, or a combination thereof.
  • the group obtained by combining the alkylene group and the aromatic group may further intervene in an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a urea group.
  • the total carbon number in L 4 is preferably 1 to 15.
  • the total number of carbon atoms means, for example, the total number of carbon atoms contained in a substituted or unsubstituted divalent organic group represented by L 4 .
  • L 4 a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a phenylene group, and those in which these groups are substituted by a methoxy group, a hydroxyl group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom or the like, and further The group which combined these is mentioned.
  • L 5 represents a single bond or a divalent organic group having 1 to 6 carbon atoms and having no fluorine. Among them, an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms is preferable.
  • R 241 to R 244 , X and Rf in the general formula (26) and the general formula (27) are as described above.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (26) in the polymer A is not particularly limited, but it is 5 to 90% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (27) in the polymer A is not particularly limited, but it is 10 to 95% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent.
  • 30 to 90 mol% is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the polymer A is not particularly limited, but is preferably 3,000 to 500,000, and more preferably 5,000 to 100,000, in that the ion migration suppressing ability is more excellent.
  • R 281 represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 282 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent. Among them, a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. Examples of the substituent include the substituents for the alkyl group represented by R 2 and R 3 described above. q represents an integer of 1 to 210.
  • Preferred embodiments of the group represented by the general formula (28) include groups represented by the following general formula (28-1). *-(R 283 O) k (R 284 O) j R 282 General formula (28-1)
  • R 283 represents an ethylene group.
  • R 284 represents an alkylene group of 3 to 4 carbon atoms.
  • k represents an integer of 0 to 100. Among them, 1 to 50 is preferable, and 2 to 23 is more preferable.
  • j represents an integer of 0 to 100. Among these, 0 to 50 are preferable, and 0 to 23 are more preferable.
  • k + j satisfies 2 ⁇ k + j ⁇ 100.
  • a polymer having a repeating unit represented by the above general formula (26), a repeating unit represented by the above general formula (27), and a repeating unit represented by the general formula (29) B is mentioned.
  • the description of the general formula (26) and the general formula (27) is as described above.
  • R 263 represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • L 6 is a single bond or a divalent organic group having no fluorine atom having 1 to 10 carbon atoms.
  • L 6 is the above-mentioned organic group, it is preferably an oxyalkylene group having 1 to 10 carbon atoms having a linear structure, a branched structure, a ring structure, or a structure having a partial ring.
  • Specific examples of the oxyalkylene group include CHC 6 H 10 CH 2 O (wherein, C 6 H 10 is a cyclohexylene group), CH 2 O, CH 2 CH 2 O, and CH 2 CH (CH 3).
  • R 281 , R 282 and q are as described above.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (26) in the polymer B is not particularly limited, but it is 5 to 80% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent. Preferably, 10 to 60 mol% is more preferable. Although the content of the repeating unit represented by the general formula (27) in the polymer B is not particularly limited, it is 10 to 85% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent. Preferably, 20 to 70 mol% is more preferable.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (29) in the polymer B is not particularly limited, but it is 10 to 85% by mole based on all repeating units in the polymer in that the effect of the present invention is more excellent. Preferably, 20 to 70 mol% is more preferable.
  • the weight average molecular weight of the polymer B is not particularly limited, but is preferably 3,000 to 500,000, and more preferably 5,000 to 100,000, in that the ion migration suppressing ability is more excellent.
  • the content of the F-containing migration inhibitor in the composition is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 5% by mass with respect to the total mass of the metal particles described later, from the viewpoint of more excellent effects of the present invention. 1 to 3% by mass is more preferable.
  • the metal particles contained in the composition are metal components constituting the conductive film. More specifically, the composition of the present invention is applied onto a substrate, and heat treatment is carried out if necessary, whereby the metal particles are fused to form grains, and further, the grains are adhered and melted. Then, the conductive film is formed.
  • the type of metal atom that constitutes the metal particles is not particularly limited, and an optimum type of metal is selected appropriately according to the application. Among them, gold, silver, copper, aluminum, nickel or alloys of these, etc. may be mentioned from the viewpoint of a wiring circuit such as a printed wiring board.
  • the average particle size of the metal particles is not particularly limited, and mainly, metal fine particles having an average particle size of micro order (hereinafter also referred to as metal microparticles) or metal fine particles having an average particle size of nano order (hereinafter, Two types of metal nanoparticles are also used.
  • the average particle diameter of the metal microparticles is not particularly limited, and is preferably 0.5 to 10 ⁇ m, and more preferably 1 to 5 ⁇ m in that the conductive property of the conductive film is more excellent.
  • the average particle size of the metal nanoparticles is not particularly limited, and is preferably 5 to 100 nm, and more preferably 10 to 20 nm, in that the conductive properties of the conductive film are more excellent.
  • the average particle diameter of the metal particles is obtained by observing the metal particles with an electron microscope (SEM or TEM), measuring the primary particle diameter (diameter) of 20 or more metal particles, and arithmetically averaging them. Average value.
  • the surface of a metal particle may be coat
  • the type of protective agent used is not particularly limited, and known polymers (for example, polymers having a functional group having a free electron in a side chain such as polyvinyl pyrrolidone), known surfactants, and the like can be mentioned.
  • the surface is preferably covered with a protective agent, and in particular, the protective agent having a weight reduction rate of 30% or more when heated to 160 ° C. in thermogravimetric measurement (TGA) It is preferred to use With such a protective agent, when heat treatment is performed to form a conductive film, the protective agent is unlikely to remain in the conductive film, and a conductive film having excellent conductive characteristics can be obtained.
  • TGA thermogravimetric measurement
  • the content of the metal particles in the composition is not particularly limited, but is preferably 30 to 85% by mass, and 40 to 80% by mass, based on the total mass of the composition, from the viewpoint of coatability and storage stability of the composition. More preferable.
  • the composition may optionally contain other components in addition to the F-containing migration inhibitor and the metal particles.
  • the composition may include a resin binder.
  • the resin binder By including the resin binder, the adhesion between the equipment and the conductive film is further improved.
  • the kind in particular of the resin binder used is not restrict
  • the composition may also contain a solvent.
  • the type of solvent used is not particularly limited and includes water or an organic solvent.
  • an organic solvent to be used for example, alcohol solvents (eg, methanol, ethanol, isopropanol, sec-butanol, carbitol, 2-heptanol, octanol, 2-ethylhexanol, ⁇ -terpineol, diethylene glycol monoethyl ether)
  • Ketone solvents eg, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone
  • hydrocarbon solvents eg, heptane, octane, dodecane
  • aromatic hydrocarbon solvents eg, toluene, xylene
  • Amide solvents eg, formamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylpropyleneurea
  • solvents may be used as a mixture of two or more.
  • the content of the solvent is preferably 10 to 70% by mass, and more preferably 15 to 55% by mass with respect to the total mass of the composition in terms of excellent coatability and storage stability of the composition. % Is more preferable.
  • a conductive film can be manufactured using the above composition.
  • the method for producing the conductive film is not particularly limited, and a method for producing a conductive film may be mentioned, for example, by applying the above composition onto a substrate and curing it as necessary.
  • the type of substrate on which the composition is applied is not particularly limited, and the most suitable substrate is selected according to the purpose of use. For example, a resin base material, a glass base material, a ceramic base material etc. are mentioned. From the viewpoint of application to a wiring board, it is preferable to use an insulating base material (insulating base material).
  • the coating method with the composition is not particularly limited, and examples thereof include known methods such as an inkjet method, a screen printing method, a gravure printing method, a gravure offset printing method, an offset printing method, and a flexographic printing method.
  • a drying treatment may be carried out after the application to remove the solvent, if necessary.
  • the heating conditions in the drying treatment are not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, heating is carried out at 50 to 150 ° C. (preferably 80 to 120 ° C.) for about 5 minutes to 2 hours (preferably 10 minutes to 1 hour). Is preferred.
  • the method of the curing treatment applied to the coating film obtained by applying the composition is not particularly limited, and, for example, heat treatment or light irradiation treatment is performed.
  • Conditions for the heat treatment are suitably selected according to the type of metal particles used.
  • the heating temperature is preferably 150 to 400 ° C., more preferably 150 to 250 ° C., and the heating time is 5 to 120 minutes, since a conductive film having better conductivity can be formed in a short time.
  • 10 to 60 minutes are more preferable.
  • a heating means in particular is not restrict
  • the light source used in the light irradiation treatment is not particularly limited, and examples thereof include a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, a chemical lamp and a carbon arc lamp.
  • Examples of radiation include electron beams, X-rays, ion beams, and far infrared rays.
  • g-ray, i-ray, Deep-UV light, and high density energy beam are also used.
  • Specific examples thereof preferably include scanning exposure with an infrared laser, high-intensity flash exposure such as a xenon discharge lamp, and infrared lamp exposure.
  • the light irradiation is preferably light irradiation using a flash lamp, and more preferably pulse light irradiation using a flash lamp.
  • the irradiation of high-energy pulsed light can heat the surface of the coated part in a concentrated manner in a very short time, so that the influence of heat on the substrate can be extremely reduced.
  • the irradiation energy of the pulse light is preferably 1 ⁇ 100J / cm 2, more preferably 1 ⁇ 30J / cm 2, preferably from 1 ⁇ sec ⁇ 100 m sec as a pulse width, and more preferably 10 ⁇ sec ⁇ 10 m sec.
  • the irradiation time of the pulsed light is preferably 1 to 100 ms, more preferably 1 to 50 ms, and still more preferably 1 to 20 ms.
  • the heat treatment and the light irradiation treatment may be performed alone or both may be performed simultaneously. Moreover, after performing one process, you may further perform the other process.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a first embodiment of the wiring board, and the wiring board 10 includes a base 12 and a conductive film 14 disposed over the entire surface of the base 12.
  • the shape of the conductive film 14 is not limited to the aspect of FIG. 1 and may be arranged in a pattern (for example, a stripe shape, a lattice shape).
  • the conductive film 14 is a layer disposed on the substrate 12 and functions as a conductor portion.
  • the conductive film 14 is made of a metal derived from metal particles as described above, and contains an F-containing migration inhibitor.
  • the conductive film 14 has an inner region 14a and a surface layer region 14b disposed on the inner region 14a.
  • the surface layer region 14 b covers the surface of the inner region 14 a not in contact with the base 12.
  • the surface layer region 14 b corresponds to a region from the exposed surface of the conductive film 14 to a depth position equivalent to 1/10 of the entire thickness of the conductive film 14.
  • the inner region 14a corresponds to a region other than the surface layer region 14b in the conductive film. That is, the thickness of the surface layer region 14 b corresponds to 1/10 of the thickness T 2 of the conductive film 14.
  • the overall thickness of the conductive film 14 is obtained by measuring the overall thickness of the conductive film 14 at five or more arbitrary points and arithmetically averaging them.
  • the F-containing migration inhibitor is localized in the surface layer region 14b in FIG. More specifically, the conductive film 14 contains an F-containing migration inhibitor, and the mass Y of the F-containing migration inhibitor contained in the surface layer region 14b is the mass X of the F-containing migration inhibitor contained in the inner region 14a. Greater than. That is, the relation of mass Y> mass X (the relation of mass X / mass Y less than 1) is satisfied. If the above relationship is satisfied, ion migration from the conductive film 14 is suppressed, and the conductive characteristics of the conductive film 14 are also excellent.
  • the mass X of the F-containing migration inhibitor contained in the inner region 14a and the mass Y of the F-containing migration inhibitor contained in the surface region 14b in that the balance between the ion migration suppressing function and the conductive characteristics is more excellent.
  • the ratio of (X / Y) is more preferably 0.20 or less, and more preferably 0.10 or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but is most preferably 0, and may be 0.001 or more in practice.
  • the method of measuring the ratio (X / Y) is not particularly limited.
  • the vertical cross section of the conductive film 14 in the direction perpendicular to the surface of the base 12 is observed with an electron microscope (SEM or TEM) Elemental analysis of the components contained in the region corresponding to the region and the region corresponding to the surface region 14b can be performed to compare the amount of the element derived from the F-containing migration inhibitor to obtain the ratio (X / Y).
  • the content of the F-containing migration inhibitor contained in the entire conductive film 14 is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10% by mass with respect to the total mass of the conductive film 14 from the viewpoint of the conductive characteristics of the conductive film 14 0.1 to 5% by mass is more preferable.
  • the content of the F-containing migration inhibitor contained in the surface layer region 14 b is not particularly limited, but from the viewpoint of the conductive property of the conductive film 14, the content is preferably 50 to 100 mass% with respect to the total mass of the migration inhibitor, 70 to 100 % By mass is more preferred.
  • the conductive film 14 may contain components other than the metal and the migration inhibitor as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • a binder resin epoxy resin, acrylic resin, polyvinyl pyrrolidone, etc.
  • acrylic resin acrylic resin
  • polyvinyl pyrrolidone etc.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of the second embodiment of the wiring board, and the wiring board 100 includes a base 12 and two thin wire conductive films 114 disposed on the base 12.
  • the method for producing the pattern-like conductive film as shown in FIG. 2 is not particularly limited, and a method for discharging the composition for forming a conductive film at a predetermined position on the substrate by the above-mentioned inkjet method may be mentioned.
  • the conductive film 114 has an inner region 114 a and a surface region 114 b covering the surface of the inner region 114 a not in contact with the base 12.
  • the conductive film 114 has a similar configuration corresponding to the conductive film 14 in the wiring substrate 10 shown in FIG. 1, and only the shape is different. That is, the inner region 114a corresponds to the inner region 14a in the wiring substrate 10 shown in FIG. 1, and the surface region 114b corresponds to the surface region 14b in the wiring substrate 10 shown in FIG. More specifically, the preferable aspect of the kind of metal which comprises the conductive film 114 is the same as the case of 1st Embodiment mentioned above.
  • the thickness T1 of the surface layer region 114b corresponds to 1/10 of the total thickness T2 of the conductive film 114, as in the case of the first embodiment described above.
  • the mass Y of the F-containing migration inhibitor contained in the surface layer region 114b is larger than the mass X of the F-containing migration inhibitor contained in the inner region 114a, and a preferred embodiment thereof It is the same.
  • the preferred range of the mass of the F-containing migration inhibitor contained in the entire conductive film 114 and the preferred range of the mass of the F-containing migration inhibitor included in the surface region 114b are the same as those of the first embodiment described above. It is the same.
  • the inner region 114a is in the form of a thin line, and the surface region 114b is present to cover the inner region 114a (to cover the upper surface portion 16 and the two side surface portions 18 of the inner region).
  • the conductive film 114 is a layer having a rectangular vertical cross section, but the shape is not particularly limited and may be any shape.
  • the width W of the conductive film 114 is preferably 0.1 to 10000 ⁇ m, more preferably 0.1 to 300 ⁇ m, still more preferably 0.1 to 100 ⁇ m, and still more preferably 0.2 to 50 ⁇ m, from the viewpoint of high integration of the wiring substrate. Particularly preferred.
  • the distance D between the conductive films 114 is preferably 0.1 to 1000 ⁇ m, more preferably 0.1 to 300 ⁇ m, still more preferably 0.1 to 100 ⁇ m, from the viewpoint of high integration of the wiring substrate, and further preferably 0.2 to 50 ⁇ m. Is particularly preferred.
  • the thickness T2 of the conductive film 114 is preferably 0.001 to 100 ⁇ m, more preferably 0.01 to 30 ⁇ m, and still more preferably 0.01 to 20 ⁇ m from the viewpoint of high integration of the wiring board.
  • the wiring substrate provided with the conductive film described above can be used for various applications and structures.
  • a printed wiring board, a panel board for plasma display panels, a board for solar cell electrodes, a membrane wiring board, a board for touch panel electrodes, etc. may be mentioned.
  • the wiring substrate is preferably included in the electronic device.
  • Electronic devices include touch panels or membrane switches, TVs equipped with them, mobile communication devices, personal computers, game devices, in-vehicle display devices, network communication devices, LEDs for lighting and display, electronic wiring devices for solar cell control, RFID, etc.
  • An insulating layer may be further provided on the conductive film side of the wiring substrate of the present invention as required.
  • an insulating layer 20 is further provided to cover the conductive film 114 as necessary, and the wiring substrate 200 with an insulating layer is provided. You may form.
  • the insulating layer 20 By providing the insulating layer 20, the insulating property between the conductive films 114 is further improved.
  • a well-known insulating material can be used as a material of the insulating layer 20.
  • epoxy resin epoxy resin, aramid resin, crystalline polyolefin resin, amorphous polyolefin resin, fluorine-containing resin (polytetrafluoroethylene, fully fluorinated polyimide, fully fluorinated amorphous resin, etc.), polyimide resin, polyether sulfone resin, polyphenylene Sulfide resin, polyether ether ketone resin, acrylate resin etc.
  • a so-called transparent adhesive sheet for optics OCA
  • the OCA may be a commercially available product, and examples thereof include the 8171CL series and the 8146 series manufactured by 3M Corporation.
  • solder resist layer As the insulating layer 20, a so-called solder resist layer may be used.
  • a commercially available product may be used as the solder resist, and examples thereof include PFR800 manufactured by Solar Ink Mfg. Co., Ltd., PSR4000 (trade name), SR7200G manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., and the like.
  • Composition A-1 for electrically conductive film formation which does not contain F containing migration inhibitor 2.04 g (20.0 mmol) of N, N-dimethyl-1,3-diaminopropane (Tokyo Kasei, special grade), 1.94 g (15.0 mmol) of n-octylamine (Kao, purity 98%), n Mixed with 0.93 g (5.0 mmol) of dodecylamine (Kanto Chemical, special grade), and mixed with silver oxalate (silver nitrate (Kanto Chemical, first grade) and ammonium oxalate monohydrate or oxalic acid di-water to this mixed solution Synthesized from a hydrate (Kanto Chemical, special grade)] 6.08 g (20.0 mmol) was added and stirred for 3 minutes to prepare an oxalate ion-alkylamine-alkyldiamine-silver complex compound.
  • F containing migration inhibitor 2.04 g (20.0 mmol
  • This solid is dispersed in 6.93 g of a mixed solvent (4/1: v / v) of n-butanol (Kanto Chemical, special grade) and n-octane (Kanto chemical, special grade), and contains an F-containing migration inhibitor A conductive film-forming composition A-1 was obtained.
  • Composition A-2 for electrically conductive film formation which does not contain F containing migration inhibitor A polymer type conductive paste LS-450-7H (manufactured by Asahi Chemical Laboratory Co., Ltd.) was used as the composition A-2 for forming a conductive film which does not contain the F-containing migration inhibitor.
  • Comparative Example 3 Conductive Ink A-3 Containing F-Containing Migration Inhibitor Flow Metal SW-1020 (manufactured by Bando Chemical Industries, Ltd.) was used as the composition A-3 for forming a conductive film which did not contain the F-containing migration inhibitor.
  • Composition B-9 for electrically conductive film formation which does not contain F containing migration inhibitor IRGANOX 1135 (manufactured by BASF) (0.12 g) was added to the composition A-1 (11.55 g) for forming a conductive film obtained in Comparative Example 1 and stirred to obtain a composition B- for forming a conductive film. I got nine.
  • the composition for forming a conductive film B-9 does not contain an F-containing migration inhibitor.
  • composition B-10 composition for electrically conductive film formation which does not contain F containing migration inhibitor> To a composition for forming a conductive film A-2 (10 g) of Comparative Example 2, benzotriazole (0.12 g) was added and stirred to obtain a composition for forming a conductive film B-10.
  • the composition B-10 for forming a conductive film does not contain an F-containing migration inhibitor.
  • Synthesis Example 2 Compound M-2 To the reaction vessel, 1,3,4-thiadiazole-2,5-dithiol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (4.0 g, 26.6 mmol) and tetrahydrofuran (80 ml) were added and completely dissolved. Then, acrylic acid 3,3,4,4,5,5,6,6,7,8,8,8-dodecafluoro-7- (trifluoromethyl) octyl (12.5 g, 26.6 mmol), The reaction solution was added dropwise over 0.5 hours from the dropping funnel. The reaction solution was stirred at 65 ° C. for 6 hours, cooled to room temperature, and the reaction solution was concentrated under reduced pressure.
  • the reaction solution was added with 200 mL of hexane and cooled in an ice bath to obtain 16 g of crude crystals.
  • the 1 H-NMR spectrum of the obtained compound M-2 is as follows.
  • compound M-4 was synthesized according to the following scheme, using compound M-4A obtained.
  • the NMR spectrum of the obtained compound M-4 of the present invention is as follows.
  • 1 H-NMR solvent: heavy chloroform, standard: tetramethylsilane
  • the compound was identified as Compound M-4 because the peak of each proton was observed at a characteristic position in the 1 H-NMR data.
  • the fluorine content of compound M-4 was 43.5% by mass.
  • Synthesis Example 5 Compound M-5 In a 300 mL three-necked flask, 27.3 g of 4-methyl-2-pentanone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was placed, and heated to 80 ° C. under a nitrogen stream. There, 37.6 g of acrylic acid 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluoro-octyl, glycidyl methacrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 1.42 g, V-601 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.92 g, 4-methyl-2-pentanone (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 63.8 g solution was dropped over 4 hours did.
  • a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value measured by GPC (gel permeation chromatography) method.
  • the measurement of the weight-average molecular weight by GPC is carried out by dissolving the polymer in tetrahydrofuran and using high-speed GPC (HLC-8220GPC) manufactured by Tosoh Corp. as a column TSKgel Super HZ 4000 (manufactured by TOSOH, 4.6 mm ID x 15 cm) And using THF (tetrahydrofuran) as the eluent.
  • the compound M-5 corresponds to a compound having a group represented by the general formula (24) and a group represented by the general formula (25).
  • the fluorine content of compound M-5 was 53.1% by mass.
  • Synthesis Example 6 Compound M-6 In a 300 mL three-necked flask, 14.3 g of 1-methoxy-2-propanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was placed, and heated to 80 ° C. under a nitrogen stream.
  • acrylic acid 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluoro-octyl 4.81 g, glycidyl methacrylate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 1.56 g, Brenmer AE-400 (manufactured by NOF Corporation), 14.09 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.46 g, 1-methoxy-2-propanol (Wako Pure Chemical Industries, Ltd. ) 33.4 g solution was added dropwise over 4 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 2 hours, heated to 90 ° C., and further stirred for 2 hours.
  • a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value measured by GPC (gel permeation chromatography) method.
  • the measurement of the weight-average molecular weight by GPC is carried out by dissolving the polymer in tetrahydrofuran and using high-speed GPC (HLC-8220GPC) manufactured by Tosoh Corp. as a column TSKgel Super HZ 4000 (manufactured by TOSOH, 4.6 mm ID x 15 cm) And using THF (tetrahydrofuran) as the eluent.
  • the compound M-6 corresponds to a compound having a group represented by the general formula (24), a group represented by the general formula (25), and a group represented by the general formula (28).
  • Example 1 Composition B-1 for Forming Conductive Film Containing F-Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-1 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 1 is added to the composition A-1 (11.55 g) for forming a conductive film obtained in Comparative Example 1, and the mixture is stirred to contain F.
  • a composition B-1 for forming a conductive film containing a migration inhibitor was obtained.
  • Example 2 Composition B-2 for forming a conductive film containing F-containing migration inhibitor
  • the compound M-2 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 2 is added to the composition A-1 (11.55 g) for forming a conductive film obtained in Comparative Example 1, and the mixture is stirred to contain F.
  • a composition for conductive film formation B-2 containing a migration inhibitor was obtained.
  • Example 3 Composition for Forming Conductive Film B Containing F-Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-3 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 3 is added to the composition A-1 (11.55 g) for forming a conductive film obtained in Comparative Example 1, and the mixture is stirred to contain F.
  • a composition for forming a conductive film B-3 containing a migration inhibitor was obtained.
  • Example 4 Composition for Forming Conductive Film B Containing F-Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-4 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 4 is added to the composition A-1 (11.55 g) for forming a conductive film obtained in Comparative Example 1, and the mixture is stirred to contain F.
  • a composition for conductive film formation B-4 containing a migration inhibitor was obtained.
  • Example 5 Composition for Forming Conductive Film B Containing F-Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-5 (polymer type) (0.12 g) obtained in Synthesis Example 5 is added to the composition A-1 (11.55 g) for forming a conductive film obtained in Comparative Example 1; The mixture was stirred to obtain a composition B-5 for forming a conductive film containing an F-containing migration inhibitor.
  • Example 6 Composition for Forming Conductive Film B Containing F-Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-1 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 1 is added to the composition A-2 (10 g) for forming a conductive film of Comparative Example 2, and the mixture is stirred to contain an F-containing migration inhibitor A conductive film-forming composition B-6 was obtained.
  • Example 7 Composition for Forming Conductive Film B Containing F-Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-3 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 3 is added to the composition A-2 (10 g) for forming a conductive film of Comparative Example 2 and stirred to contain an F-containing migration inhibitor A conductive film-forming composition B-7 was obtained.
  • Example 8 Composition for Forming Conductive Film B Containing F-Containing Migration Inhibitor
  • the compound M-6 (0.12 g) obtained in Synthesis Example 6 is added to the composition A-3 (10 g) for forming a conductive film of Comparative Example 3, and the mixture is stirred to contain an F-containing migration inhibitor A conductive film-forming composition B-8 was obtained.
  • ⁇ Test method for wiring film thickness The produced test wiring substrate was embedded in epoxy resin, and after cross-sectioning by polishing, the cross-section was observed using S-3000N (SEM made by HITACHI), and the thickness of the conductive film was measured.
  • S-3000N SEM made by HITACHI
  • Table 1 A region from the exposed surface of the conductive film in each test wiring substrate to a depth position corresponding to 1/10 of the total thickness of the conductive film is a surface region, and the remaining portion is an internal region.
  • ⁇ Conductive evaluation method> The conductivity evaluation of the obtained test wiring board was performed using a resistivity meter Loresta EP MCP-T360 (manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.). As the evaluation method, the resistance measurement value of the manufactured wiring board for test is R1, the resistance measurement value of the comparison wiring board manufactured only with the composition for forming a conductive film not containing F containing migration inhibitor is R2, and the change ratio R1 / R2 was calculated. Evaluation was made according to the following criteria. The results are summarized in Table 1 below. In practice, C or more can be used, and B or more is preferable.
  • ⁇ Insulation reliability evaluation method> Using the obtained test wiring substrate, life measurement (using apparatus: EHS-221MD manufactured by ESPEC Corp.) was performed under the conditions of humidity 85%, temperature 85 ° C., pressure 1.0 atm, voltage 80V. As an evaluation method, first, a high transparency adhesive transfer tape 8146-2 (manufactured by 3M company) is laminated on the manufactured test wiring substrate, and a glass substrate is laminated on the opposite side. The lifetime was measured using the substrate under the above conditions, and the time T1 until the resistance between the wiring layers became 1 ⁇ 10 5 ⁇ was measured.
  • a substrate for insulation reliability test is produced by the same method using the comparative wiring substrate produced only with the composition for conductive film formation which does not contain the F-containing migration inhibitor, and the lifetime is measured under the above conditions, The time T2 until the resistance value between the wiring layers was 1 ⁇ 10 5 ⁇ was measured. Using the obtained time T1 and time T2, the life improvement effect (T1 / T2) was calculated. Evaluation was made according to the following criteria. The results are summarized in Table 1 below. In practice, C or more can be used, and B or more is preferable.

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Abstract

　本発明は、導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物、導電膜、および配線基板を提供することを目的とする。本発明の導電膜形成用組成物は、フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤と、金属粒子とを少なくとも含有する。

Description

導電膜形成用組成物、導電膜、配線基板
　本発明は、導電膜形成用組成物に係り、特にフッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤を含む導電膜形成用組成物に関する。
　また、本発明は、上記導電膜形成用組成物より形成される導電膜、および、導電膜を備える配線基板に関する。
　従来より、絶縁基板表面上に金属配線（導電膜）が配置された配線基板が、電子部材や半導体素子などに広く用いられている。金属配線を構成する金属としては導電性が高い銀、銅がよく用いられるが、これら金属はイオンマイグレーションが発生しやすいという問題がある。
　このような金属のイオンマイグレーションを防止する方法として、金属配線中に所定のマイグレーション抑制剤を導入する方法が提案されている（特許文献１）。
特開２０１２－９９２３６号公報
　近年、半導体集積回路やチップ部品等の小型化により、金属配線の微細化が進んでいる。そのため、配線基板中の金属配線の幅および間隔はより狭小化しており、イオンマイグレーションによる回路の断線がさらに生じやすくなっている。このような状況の下、配線基板中の金属配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。
　また、各種回路や部品の性能向上の点からは、金属配線の導電特性のより一層の向上も要求されている。
　特許文献１に挙げられるような、所定のマイグレーション抑制剤を含む組成物を用いて細線状の導電膜を作製した場合に、マイグレーション抑制剤が導電膜中に均一に分散しており、導電膜間の絶縁信頼性を向上させようとして金属配線中に多くのマイグレーション抑制剤を含有させると、導電膜内においてマイグレーション抑制剤のドメインが数多く形成され、結果として導電膜の導電特性が低下する。
　一方、導電膜の導電特性を考慮して、導電膜内におけるマイグレーション抑制剤の含有量を減らすと、導電特性は向上するものの導電膜間の絶縁信頼性が低下する。
　このように、従来技術においては、導電膜の導電特性とイオンマイグレーション抑制機能（言い換えると、導電膜間の絶縁信頼性）はトレードオフの関係にあることが多く、両者をより高いレベルで達成する技術が求められていた。
　本発明は、上記実情に鑑みて、導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供することを目的とする。
　また、本発明は、該導電膜形成用組成物より形成される導電膜、および、該導電膜を備える配線基板を提供することも目的とする。
　本発明者らは、鋭意検討を行ったところ、フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤を使用することにより、上記課題を解決できることを見出した。
　つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１）　フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤と、金属粒子とを少なくとも含有する導電膜形成用組成物。
（２）　マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（１）～一般式（５）で表される化合物、後述する一般式（２２）で表される化合物、後述する一般式（２３）で表される化合物、および、後述する一般式（２４）で表される基と後述する一般式（２５）で表される基とを有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む、（１）に記載の導電膜形成用組成物。
（３）　金属粒子に含まれる金属原子が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選択される（１）または（２）に記載の導電膜形成用組成物。
（４）　（１）～（３）のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物から形成される導電膜。
（５）　（４）に記載の導電膜を備える配線基板。
（６）　基材と、基材上に配置された、金属を含有する導電膜とを有し、導電膜は導電膜の露出表面から全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの表層領域と、表層領域以外の内部領域とを有し、導電膜がフッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤を含み、表層領域に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｙが、内部領域に含まれるマイグレーション抑制剤の質量Ｘよりも大きい、配線基板。
　本発明によれば、導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供することができる。
　また、本発明によれば、該導電膜形成用組成物より形成される導電膜、および、該導電膜を備える配線基板を提供することもできる。
本発明の配線基板の第１の実施態様を示す模式的断面図である。 本発明の配線基板の第２の実施態様を示す模式的断面図である。 本発明の絶縁層付き配線基板の実施態様を示す模式的断面図である。
　以下に、本発明の導電膜形成用組成物の好適態様について説明する。
　まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
　本発明の特徴点の一つとしては、フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤（以後、Ｆ含有マイグレーション抑制剤とも称する）を使用する点が挙げられる。本発明の導電膜形成用組成物を用いて基材上に導電膜を形成すると、Ｆ含有マイグレーション抑制剤の表面エネルギーが低さのため、Ｆ含有マイグレーション抑制剤が導電膜の表面近傍に移動し、導電膜の露出表面（基材と接触していない表面）付近にＦ含有マイグレーション抑制剤が偏在し、通常トレードオフの関係にある導電膜の導電特性とイオンマイグレーション抑制機能との両者をより高いレベルで両立することができる。より具体的には、導電膜の外側露出表面付近に多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させることにより、導電膜の露出表面付近から外側に析出する金属イオンの拡散を効率よく抑制することができる。また、導電膜の外側表面付近に多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させることにより、導電膜内部において金属以外の不純物の量を低減させることができ、結果として導電膜内部で導通路が形成され、優れた導電特性を達成することができる。
　本発明の導電膜形成用組成物（以後、単に「組成物」とも称する）には、Ｆ含有マイグレーション抑制剤と金属粒子とが少なくとも含まれる。
　まず、組成物中に含まれる成分について詳述する。
＜Ｆ含有マイグレーション抑制剤＞
　Ｆ含有マイグレーション抑制剤（Ｆ含有マイグレーション防止剤）は、フッ素原子を含有し、金属イオンのイオンマイグレーションを抑制する化合物である。
　Ｆ含有マイグレーション抑制剤中のフッ素原子の含有率（フッ素含有率）は使用される金属粒子の種類などに応じて適宜調整されるが、形成される導電膜間でのイオンマイグレーション抑制能がより優れると共に、導電膜の導電特性にもより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、２０質量％以上６５質量％未満であることが好ましく、２５～６０質量％がより好ましく、３０～５５質量％がさらに好ましい。
　なお、フッ素含有率とは、マイグレーション抑制剤の全分子量中におけるフッ素原子の占める質量の割合（含有率）を表したものである。つまり、｛（化合物中のフッ素原子の数）×（フッ素の原子量）／（化合物の全分子量）｝×１００（％）で表される値である。例えば、マイグレーション防止剤の全分子量が１００であり、フッ素原子が３個含まれる場合、フッ素原子の占める質量割合（％）は、｛（１９×３）／１００｝×１００で、５７質量％と計算される。
　Ｆ含有マイグレーション抑制剤の種類は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、一般式（１）～（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物が好ましい。
　以下、これらの化合物について詳述する。
（一般式（１）で表される化合物）
　まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。
　Ｐ－（ＣＲ1＝Ｙ）n－Ｑ　　　　　一般式（１）
　一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ2Ｒ3またはＣＨＲ4Ｒ5を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ4Ｒ5であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。Ｙは、ＣＲ6または窒素原子を表す。
　一般式（１）中、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
　窒素原子に置換可能な基としては窒素原子に置換できる基であれば特に制限されないが、例えば、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
　さらに詳しくは、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から５０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から５０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４－ｎ－ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から５０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から５０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン－２－イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン－３－イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から５０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から５０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から５０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から５０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－１－イル、ビシクロ［２．２．２］オクト－２－エン－４－イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から５０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から５０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ－トリル、ナフチル、ｍ－クロロフェニル、ｏ－ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２－フラニル、２－チエニル、２－ピリミジニル、２－ベンゾチアゾリニル）、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ－メチルフェニルスルフィニル）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ－メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２－クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ－ｎ－オクチルオキシフェニルカルボニル、２－ピリジルカルボニル、２－フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ－クロロフェノキシカルボニル、ｍ－ニトロフェノキシカルボニル、ｐ－ｔ－ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ－ブトキシカルボニル、ｎ－オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ－メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジ－ｎ－オクチルカルバモイル、Ｎ－（メチルスルホニル）カルバモイル）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）を好ましい例として挙げることができる。
　上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに置換されていてもよい。
　一般式（１）におけるＲ2およびＲ3で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１～５０、さらに好ましくは炭素数１～３０、特に好ましくは炭素数１～２０である。
　好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ－ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２－エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｔ－ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２－エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ－ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２－エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。
　なお、アルキル基には、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。なお、アルキル基中に上記連結基が含まれる場合、その位置は特に制限されず、末端であってもよい。例えば、－Ｓ－Ｒx（Ｒx：アルキル基）であってもよい。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルキル基は、さらに置換基を有していてもよい。
　置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
　さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４－ｎ－ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン－２－イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン－３－イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－１－イル、ビシクロ［２．２．２］オクト－２－エン－４－イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ－トリル、ナフチル、ｍ－クロロフェニル、ｏ－ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２－フラニル、２－チエニル、２－ピリミジニル、２－ベンゾチアゾリニル）、
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ－ブトキシ、ｎ－オクチルオキシ、２－メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２－メチルフェノキシ、４－ｔ－ブチルフェノキシ、３－ニトロフェノキシ、２－テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ－ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１－フェニルテトラゾール－５－オキシ、２－テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ－メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ－ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ－ジ－ｎ－オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ－ｎ－オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、例えば、メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ－ブトキシカルボニルオキシ、ｎ－オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ－メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ－ｎ－ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ－メチル－アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５－トリ－ｎ－オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ－ブトキシカルボニルアミノ、ｎ－オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ－メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ－クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ－ｎ－オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ－ｎ－オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５－トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ－メチルフェニルスルホニルアミノ）、
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ－ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ－クロロフェニルチオ、ｍ－メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２－ベンゾチアゾリルチオ、１－フェニルテトラゾール－５－イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ－エチルスルファモイル、Ｎ－（３－ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ－ジメチルスルファモイル、Ｎ－アセチルスルファモイル、Ｎ－ベンゾイルスルファモイル、Ｎ－（Ｎ‘－フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ－メチルフェニルスルフィニル）、
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ－メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２－クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ－ｎ－オクチルオキシフェニルカルボニル、２－ピリジルカルボニル、２－フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ－クロロフェノキシカルボニル、ｍ－ニトロフェノキシカルボニル、ｐ－ｔ－ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ－ブトキシカルボニル、ｎ－オクタデシルオキシカルボニル）、
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ－メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ－ジ－ｎ－オクチルカルバモイル、Ｎ－（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ－クロロフェニルアゾ、５－エチルチオ－１，３，４－チアジアゾール－２－イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ－スクシンイミド、Ｎ－フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ－ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
　上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ－メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数２～５０、さらに好ましくは炭素数２～３０、特に好ましくは炭素数２～２０である。好ましい例としては、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン－１－イル、ビシクロ［２．２．２］オクト－２－エン－４－イルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イルであり、特に好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２－シクロペンテン－１－イル、２－シクロヘキセン－１－イルである。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　なお、アルケニル基には、上記アルキル基と同様に、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルキニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキニル基を表し、好ましくは炭素数２～５０、さらに好ましくは炭素数２～３０、特に好ましくは炭素数２～２０である。好ましい例としては、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアルキニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　なお、アルキニル基には、上記アルキル基と同様に、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアリール基は、置換または無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６～５０、さらに好ましくは炭素数６～３０、特に好ましくは炭素数６～２０である。好ましい例としては、フェニル、２－メチルフェニル、３－メチルフェニル、４－メチルフェニル、２－エチルフェニル、４－エチルフェニル、２，４－ジメチルフェニル、２，６－ジメチルフェニル、２，４，６－トリメチルフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、２－クロロフェニル、３－クロロフェニル、４－クロロフェニル、２－メトキシフェニル、３－メトキシフェニル、４－メトキシフェニル、２－ベンジルフェニル、４－ベンジルフェニル、２－メチルカルボニルフェニル、４－メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。
　さらに好ましくは、フェニル、２－メチルフェニル、４－メチルフェニル、２－エチルフェニル、４－エチルフェニル、２，４－ジメチルフェニル、２，６－ジメチルフェニル、２，４，６－トリメチルフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、２－クロロフェニル、４－クロロフェニル、２－メトキシフェニル、３－メトキシフェニル、４－メトキシフェニル、２－ベンジルフェニル、４－ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニル、２－メチルフェニル、４－メチルフェニル、２，４－ジメチルフェニル、２，６－ジメチルフェニル、２，４，６－トリメチルフェニル、１－ナフチル、２－ナフチル、２－クロロフェニル、４－クロロフェニル、２－メトキシフェニル、４－メトキシフェニル、２－ベンジルフェニル、４－ベンジルフェニルなどを挙げることができる。
　Ｒ2およびＲ3で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ4およびＲ5で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基（アルキル基が有していてもよい置換基）を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ4およびＲ5で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ1およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ1およびＲ6で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ1およびＲ6で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　ｎは０～５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両者が共にＯＨであることはなく、ＣＨＲ4Ｒ5であることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ1＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
　一般式（１）で表される化合物は、鎖状であっても環状であってもよく、環状である場合は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、またはＲ6で表される基のうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
　なお、二つの基が結合する際には、単結合、二重結合および三重結合のいずれかの結合形式が含まれていてもよい。
　なお、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なお、フッ素原子は、フッ素含有率が上述した範囲となるように含有されることが好ましい。フッ素原子は、一般式（１）で表される化合物の任意の炭素原子に置換してもよい。
　なお、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、フッ素原子は、フルオロアルキル基（以下、Ｒf基もいう）またはＲf基で置換された基として含まれることが好ましい。つまり、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フルオロアルキル基が含まれることが好ましい。
　Ｒf基は、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基、または、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基で置換された、炭素原子数２ないし２０の置換基であることが好ましい。
　炭素原子数１ないし１４の直鎖または分岐鎖パーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ3－、Ｃ2Ｆ5－、Ｃ3Ｆ7－、Ｃ4Ｆ9－、Ｃ5Ｆ11－、（ＣＦ3）2－ＣＦ－（ＣＦ2）2－、Ｃ6Ｆ13－、Ｃ7Ｆ15－、（ＣＦ3）2－ＣＦ－（ＣＦ2）4－、Ｃ8Ｆ17－、Ｃ9Ｆ19－、Ｃ10Ｆ21－、Ｃ12Ｆ25－およびＣ14Ｆ29－を挙げることができる。
　炭素原子数１ないし１４のパーフルオロアルキル基により置換された炭素原子数２ないし２０の置換基の例としては、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2－、Ｃ9Ｆ19ＣＨ2－、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣ＝ＯＣＨ2－、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2ＯＣ＝ＯＣＨ2－、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ2）2－、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ2）2－、（ＣＦ3）2ＣＦＯＣ2Ｆ4－、ＣＦ3ＣＦ2 ＣＦ2Ｏ〔ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ〕4－ＣＦ（ＣＦ3）－などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　Ｒf基は分子中に１ないし４個含まれることが好ましい。
　なお、上述した一般式（１）で表される化合物は、２種以上使用してもよい。
　一般式（１）で表される化合物は、一般式（６）～一般式（２１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
　なお、一般式（６）～一般式（２１）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　上記一般式（６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の化合物である。
　一般式（６）において、Ｖ6は置換基を表す。ａは、１～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。なお、Ｖ6のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ6が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ6が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ6にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ6で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ6中に上述したＲf基が含まれることが好ましい。
　Ｖ6で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（６）に複数のＶ6が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　以下に、一般式（６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記一般式（７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（７）において、Ｖ7は置換基を表す。ａは、１～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。なお、Ｖ7のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ7が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ7が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ7にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ7で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ7中に上述したＲf基が含まれることが好ましい。
　Ｖ7で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（７）に複数のＶ7が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　以下に、一般式（７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　上記一般式（８）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
　一般式（８）において、Ｖ8は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ8で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（８）に複数のＶ8が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ81およびＲ82は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ8、Ｒ81およびＲ82の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ8が複数ある場合、複数のＶ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　一般式（９）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（９）において、Ｖ9は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ9で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（９）に複数のＶ9が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ91およびＲ92は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ9、Ｒ91およびＲ92の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ9が複数ある場合、複数のＶ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　一般式（１０）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ4Ｒ5であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１０）において、Ｖ10は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ10で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１０）に複数のＶ10が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ101およびＲ102は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ101およびＲ102で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ101およびＲ102が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ10、Ｒ101およびＲ102の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、Ｖ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることが好ましい。
　なお、Ｖ10が複数ある場合、複数のＶ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　一般式（１１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ4Ｒ5であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１１）において、Ｖ11は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ11で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１１）に複数のＶ11が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ111およびＲ112は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
　Ｒ111およびＲ112で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ111またはＲ112が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ11、Ｒ111およびＲ112の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ11が複数ある場合、複数のＶ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　一般式（１２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１２）において、Ｖ12は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ12で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１２）に複数のＶ12が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ12が複数ある場合、複数のＶ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　一般式（１３）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１３）において、Ｖ13は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ13で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１３）に複数のＶ13が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ13が複数ある場合、複数のＶ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　一般式（１４）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１４）において、Ｖ14は置換基を表す。ｃは、１～２の整数（好ましくは１）を表す。なお、Ｖ14のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ14が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ14が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ14にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ14で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ14中に上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　Ｖ14で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１４）に複数のＶ14が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　以下に、一般式（１４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　一般式（１５）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１５）において、Ｖ15は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ15で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１５）に複数のＶ15が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ151およびＲ152は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ15、Ｒ151およびＲ152の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ15が複数ある場合、複数のＶ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　一般式（１６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０であり、Ｒ2およびＲ3が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１６）において、Ｖ16は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ16で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１６）に複数のＶ16が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ161およびＲ162は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ16、Ｒ161およびＲ162の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ16が複数ある場合、複数のＶ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　一般式（１７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０であり、Ｒ2およびＲ3が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１７）において、Ｖ17は置換基を表す。ｄは、０または１を表す。Ｖ17で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１７）に複数のＶ17が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ171、Ｒ172およびＲ173は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ17が複数ある場合、複数のＶ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　一般式（１８）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6および窒素原子であり、ｎが３であり、Ｒ1およびＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１８）において、Ｖ18は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ18で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１８）に複数のＶ18が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ181は、水素原子または置換基を表す。Ｒ181で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ181が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ18およびＲ181のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ18およびＲ181の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ18およびＲ181のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ18が複数ある場合、複数のＶ18およびＲ181のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　一般式（１９）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6および窒素原子であり、ｎが２であり、Ｒ1およびＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
　一般式（１９）において、Ｖ19は置換基を表す。ｂは、０～４の整数（好ましくは１～２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ19で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１９）に複数のＶ19が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ191は、水素原子または置換基を表す。Ｒ191で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ191が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｖ19およびＲ191のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ19およびＲ191の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ19およびＲ191のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　なお、Ｖ19が複数ある場合、複数のＶ19およびＲ191のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
　以下に、一般式（１９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　一般式（２０）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０である場合の一例である。
　一般式（２０）において、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（２０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　一般式（２１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＱがＯＨであり、ｎが０である場合の一例である。
　一般式（２１）において、Ｒ211およびＲ212は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｒ211およびＲ212のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ211およびＲ212の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ211およびＲ212のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（２１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　また、一般式（１）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　Ｒx1およびＲx2は、それぞれ独立に、炭素数１～１２のアルキル基を表す。アルキル基中の炭素数は、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、好ましくは１～８、より好ましくは１～６、特に好ましくは１～５である。アルキル基の好適な具体例としては、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、イソブチル、２，２－ジメチルプロピル、ヘキシル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
　Ａは、炭素数１～２のアルキレン基を表す。Ａとして好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、であり、より好ましくは、－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｘ11は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１～３のアルキレン基を表す。Ｘ11として好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）－であり、さらに好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－であり、特に好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｙ11は、炭素数４～１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。好ましいパーフルオロアルキル基の例としては、Ｃ4Ｆ9－、Ｃ5Ｆ11－、Ｃ6Ｆ13－、Ｃ7Ｆ15－、Ｃ8Ｆ17－、Ｃ9Ｆ19－、Ｃ10Ｆ21－、Ｃ12Ｆ25－が挙げられる。炭素数が上記範囲内であれば、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる。
　上記Ｒx1、Ｒx2、Ａ、およびＸ11は、さらに上述した置換基を有していてもよい。
（一般式（２）で表される化合物）
　次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
　Ｒ7－Ｃ（＝Ｏ）－Ｈ　　　　　　一般式（２）
　本発明において一般式（２）で表される化合物には、アルデヒド体とヘミアセタール体との間に平衡が存在することにより還元性を示す化合物（アルドースなど）や、ロブリー・ドブリュイン－ファン　エッケンシュタイン転位反応によるアルドース－ケトース間の異性化によりアルデヒド体を形成しうる化合物（フルクトースなど）も含有する。
　一般式（２）中、Ｒ7はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。
　Ｒ7がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基を表すとき、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ7が複素環基を表すとき、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族または、非芳香族の複素環基である。好ましい例としては、２－フラニル、２－チエニル、２－ピリミジニル、２－ベンゾチアゾリル、２－ベンゾオキサゾリル、２－イミダゾリル、４－イミダゾリル、トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、チアジアゾリル、ピロリジニル、ピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニルなどを挙げることができる。
　Ｒ7としてさらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基である。
　Ｒ7で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ7で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ7中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（２）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　また、Ｒ7で表される基中には、ヒドロキシル基、または、－ＣＯＯ－で表される基が含まれていてもよい。
　以下に、一般式（２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
（一般式（３）で表される化合物）
　次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　一般式（３）中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10で表される基は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ8、Ｒ9およびＲ10で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ8～Ｒ10の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ8～Ｒ10の少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（３）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　以下に、一般式（３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
（一般式（４）で表される化合物）
　次に、一般式（４）で表される化合物について説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　一般式（４）中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｒ11およびＲ12で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｒ11～Ｒ12の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ11～Ｒ12の少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（４）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　以下に、一般式（４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
（一般式（５）で表される化合物）
　次に、一般式（５）で表される化合物について説明する。
　Ｚ－ＳＨ　　　　　　一般式（５）
　一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
　Ｚで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｚ中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（５）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
　一般式（５）で表される化合物は、一般式（５１）ないし一般式（５４）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　一般式（５１）において、Ｒ511は、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
　置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ511で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　なお、Ｒ511には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ511中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ511には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　一般式（５２）において、Ｒ521およびＲ522は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ523は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ521、Ｒ522およびＲ523は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　一般式（５３）において、Ｒ531は、水素原子または置換基を表す。Ｒ532は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ531およびＲ532は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　一般式（５４）において、Ｒ541はフッ素原子が含まれる窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
　Ｒ541には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ541中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ541には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
　以下に、一般式（５４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
　また、一般式（５）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｙ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　式（１）中、Ｒy1およびＲy2は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。ｎ１は１または２を表し、好ましくは２を表す。ｎ１が２であるとき、複数のＣＲy1Ｒy2で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒy1およびＲy2がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１～３０、さらに好ましくは炭素数１～１５、特に好ましくは炭素数１～６であり、例えばメチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノメチル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－ヒドロキシエチル、２－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）エチル、２－エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
　（ＣＲy1Ｒy2）n1で表される構造として、好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、であり、さらに好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－であり、特に好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｒy3およびＲy4は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｍ１は１～６の整数を表す。ｍ１が２以上であるとき、複数のＣＲy3Ｒy4で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒy3およびＲy4は、互いに結合して環を形成していてもよい。なお、置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　（ＣＲy3Ｒy4）m1で表される構造として、好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）－であり、さらに好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－であり、特に好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　ｌ１は、１～６の整数を表す。なかでも、フッ素系樹脂との相溶性により優れる点で、２～５が好ましく、３～４がより好ましい。
　ｑ１は０または１を表し、ｐ１は２または３を表し、ｐ１＋ｑ１は３を表す。なかでも、フッ素系樹脂との相溶性により優れる点で、ｑ１が１で、ｐ１が２であることが好ましい。
　Ｒy5は、炭素数１～１４のパーフルオロアルキル基を表す。パーフルオロアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
　炭素原子数１～１４の直鎖状または分岐鎖状のパーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ3－、Ｃ2Ｆ5－、Ｃ3Ｆ7－、Ｃ4Ｆ9－、Ｃ5Ｆ11－、Ｃ6Ｆ13－、Ｃ7Ｆ15－、Ｃ8Ｆ17－、Ｃ9Ｆ19－、Ｃ10Ｆ21－、Ｃ12Ｆ25－、Ｃ14Ｆ29－などが挙げられる。
（一般式（２２）で表される化合物）
　次に、一般式（２２）で表される化合物について説明する。なお、一般式（２２）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　一般式（２２）中、Ｒｆ1は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも一つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。
　上記フルオロアルキル基中の水素原子はフッ素原子以外の他のハロゲン原子に置換されていてもよい。他のハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。また、エーテル性酸素原子（－Ｏ－）は、フルオロアルキル基の炭素－炭素結合環に存在してもよく、フルオロアルキル基の末端に存在してもよい。また、フルオロアルキル基の構造は、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環を有する構造が挙げられ、直鎖構造が好ましい。
　Ｒｆ1としては、ペルフルオロアルキル基または水素原子１個を含むポリフルオロアルキル基であることが好ましく、ペルフルオロアルキル基が特に好ましい（ただし、エーテル性酸素原子を有するものを含む。）。
　Ｒｆ1としては、炭素原子数が４～６のペルフルオロアルキル基、または、エーテル性酸素原子を有する炭素原子数が４～９のペルフルオロアルキル基が好ましい。
　Ｒｆ1の具体例としては、以下が挙げられる。
　－ＣＦ3、－ＣＦ2ＣＦ3、－ＣＦ2ＣＨＦ2、－（ＣＦ2）2ＣＦ3、－（ＣＦ2）3ＣＦ3、－（ＣＦ2）4ＣＦ3、－（ＣＦ2）5ＣＦ3、－（ＣＦ2）6ＣＦ3、－（ＣＦ2）7ＣＦ3、－（ＣＦ2）8ＣＦ3、－（ＣＦ2）9ＣＦ3、－（ＣＦ2）11ＣＦ3、－（ＣＦ2）15ＣＦ3、－ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2）5ＣＦ3、－ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ3（ｐは１～８の整数）、－ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ）qＣ6Ｆ13（ｑは１～４の整数）、－ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ）rＣ3Ｆ7（ｒは１～５の整数）。
　Ｒｆ1としては、特に－（ＣＦ2）ＣＦ3または－（ＣＦ2）5ＣＦ3が好ましい。
　Ｘ1は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。なかでも、フッ素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
　Ｌ1は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１～２のアルキレン基が好ましい。
　Ｌ2は、単結合、または、水酸基若しくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１～２のアルキレン基が好ましい。
　Ｌ3は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。なかでも、単結合または炭素数１～２のアルキレン基が好ましい。
　Ｙ1およびＺ1は、単結合、－ＣＯ2－、－ＣＯ－、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＳＯ3－、－ＣＯＮＲ222－、－ＮＨＣＯＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2ＮＲ222－、または、－ＮＲ222－を表す。Ｒ222は、水素原子または炭素数１～５のアルキル基を表す。
　なかでも、－ＣＯ2－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2ＮＲ222－、または、－ＣＯＮＲ222－が好ましい。
　Ｒ221は、水素原子、炭素数１～８の直鎖若しくは分岐のアルキル基、またはＲｆ1－ＣＦＸ1－Ｌ1－Ｙ1―Ｌ2－Ｚ1－Ｌ3－を表す。
　ただし、Ｙ1およびＺ1がいずれも単結合以外の場合、Ｌ2はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。
　以下に、一般式（２２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
（一般式（２３）で表される化合物）
　次に、一般式（２３）で表される化合物について説明する。なお、一般式（２３）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
　一般式（２３）中、Ｒ231およびＲ232は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ231およびＲ232がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１～３０、さらに好ましくは炭素数１～１５、特に好ましくは炭素数１～６であり、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｔ－ブチル、ｎ－オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノメチル、２－クロロエチル、２－シアノエチル、２－ヒドロキシエチル、２－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）エチル、２－エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
　（ＣＲ231Ｒ232）nで表される構造として、好ましくは－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－であり、さらに好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－であり、特に好ましくは－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｒ233およびＲ234は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　（ＣＲ233Ｒ234）mで表される構造として、好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）－であり、さらに好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2－であり、特に好ましくは、－ＣＨ2－、－ＣＨ2ＣＨ2－である。
　Ｙ2は、単結合、－ＣＯ－、または－ＣＯＯ－を表す。
　Ｙ2が単結合または－ＣＯ－のとき、ｎは０を表し、ｍは０～６の整数を表す。なかでも、ｍは０～４が好ましく、１～２がより好ましい。
　Ｙ2が－ＣＯＯ－のとき、ｎは１または２を表し、好ましくは２を表す。ｍは１～６の整数を表し、１～４が好ましく、１～２がより好ましい。
　Ｒｆ2は、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロエーテル基を表す。
　パーフルオロアルキレン基の炭素数は１～２０であるが、２～１５が好ましく、３～１２がより好ましい。パーフルオロアルキレン基の具体例としては、例えば、－Ｃ4Ｆ8－、－Ｃ5Ｆ10－、－Ｃ6Ｆ12－、－Ｃ7Ｆ14－、－Ｃ8Ｆ16－、－Ｃ9Ｆ18－、－Ｃ10Ｆ20－、－Ｃ12Ｆ24－などが挙げられる。
　パーフルオロエーテル基とは、上記パーフルオロアルキレン基中の１箇所以上の炭素－炭素原子間、またはパーフルオロアルキレン基の結合末端にエーテル性酸素原子（－Ｏ－）が挿入された基を意味する。パーフルオロアルキレン基の炭素数は１～２０であるが、２～１５が好ましく、３～１２がより好ましい。パーフルオロエーテル基の具体例としては、－（ＣgＦ2gＯ）h－（式中、ｇはそれぞれ独立に１～２０の整数であり、ｈは１以上の整数であり、ｇ×ｈ≦２０以下の関係を満たす。）で表されるパーフルオロエーテル基が挙げられる。
　ｐは２～３の整数を表し、ｌは０～１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。なかでも、ｐが３で、ｌが０であることが好ましい。
　以下に、一般式（２３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
（一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物）
　次に、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物（以後、化合物Ｘとも称する）について説明する。なお、化合物Ｘには、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　一般式（２４）中、Ｒ241、Ｒ242、Ｒ243、およびＲ244は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。なかでも、置換基としてはアルキル基が好ましく、特に、Ｒ242およびＲ243がアルキル基（特に、tert－ブチル基）であることが好ましい。Ｒ241およびＲ244は、水素原子であることが好ましい。
　＊は、結合位置を示す。
　一般式（２５）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。なかでも、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基が好ましい。
　Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｒｆの定義は、炭素原子数が異なる点を除いて上記Ｒｆ1と同義であり、好適態様も同義である。
　＊は、結合位置を示す。
　化合物Ｘの好適態様としては、以下の一般式（２６）で表される繰り返し単位および一般式（２７）で表される繰り返し単位を有するポリマーＡが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　一般式（２６）および一般式（２７）中、Ｒ261およびＲ262は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭素数１～４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
　Ｚ2は、単結合、エステル基、アミド基、またはエーテル基を表す。
　Ｌ4は、単結合または２価の有機基を表す。Ｌ4で表される有機基としては、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい態様の１つである。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、さらに、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を介していてもよい。なかでも、Ｌ4中の総炭素数が１～１５であることが好ましい。なお、ここで、総炭素数とは、例えば、Ｌ4で表される置換若しくは無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、及びこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、更には、これらを組み合わせた基が挙げられる。
　Ｌ5は、単結合、または、炭素数１～６のフッ素を有さない２価の有機基を表す。なかでも、炭素数２～４のアルキレン基であることが好ましい。
　なお、一般式（２６）および一般式（２７）中のＲ241～Ｒ244、ＸおよびＲｆの定義は、上述の通りである。
　ポリマーＡ中における一般式（２６）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～９０モル％が好ましく、１０～７０モル％がより好ましい。
　ポリマーＡ中における一般式（２７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０～９５モル％が好ましく、３０～９０モル％がより好ましい。
　ポリマーＡの重量平均分子量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、３，０００～５００，０００が好ましく、５，０００～１００，０００がより好ましい。
　化合物Ｘの他の好適態様としては、以下の一般式（２８）で表される基がさらに含まれることが好ましい。＊は、結合位置を示す。
　＊－（Ｒ281Ｏ）qＲ282　　　一般式（２８）
　Ｒ281は、炭素数１～４のアルキレン基を表す。
　Ｒ282は、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基を表す。なかでも、水素原子または炭素数１～４のアルキル基が好ましい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
　ｑは、１～２１０の整数を表す。
　一般式（２８）で表される基の好適態様としては、以下の一般式（２８－１）で表される基が挙げられる。
　＊－（Ｒ283Ｏ）k（Ｒ284Ｏ）jＲ282　　　一般式（２８－１）
　Ｒ283は、エチレン基を表す。Ｒ284は、炭素数３～４のアルキレン基を表す。
　ｋは、０～１００の整数を表す。なかでも、１～５０が好ましく、２～２３がより好ましい。
　ｊは、０～１００の整数を表す。なかでも、０～５０が好ましく、０～２３がより好ましい。
　なお、ｋ＋ｊは２≦ｋ＋ｊ≦１００を満たす。
　化合物Ｘの好適態様としては、上記一般式（２６）で表される繰り返し単位、上記一般式（２７）で表される繰り返し単位、および、一般式（２９）で表される繰り返し単位を有するポリマーＢが挙げられる。
　一般式（２６）および一般式（２７）の説明は、上述の通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　一般式（２９）中、Ｒ263は、水素原子、または、炭素数１～４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
　Ｌ6は、単結合または炭素数１～１０のフッ素原子を有しない２価の有機基である。Ｌ6が上記有機基である場合、直鎖構造、分岐構造、環構造、部分的に環を有する構造の炭素数１～１０のオキシアルキレン基であることが好ましい。オキシアルキレン基として具体的には、ＣＨＣ6Ｈ10ＣＨ2Ｏ（式中、Ｃ6Ｈ10は、シクロヘキシレン基である。）、ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、Ｃ（ＣＨ3）2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ2（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2）Ｏなどが挙げられる。なかでも、炭素数２～４のオキシアルキレン基であることが好ましい。
　なお、一般式（２９）中、Ｒ281、Ｒ282、ｑの定義は、上述の通りである。
　ポリマーＢ中における一般式（２６）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～８０モル％が好ましく、１０～６０モル％がより好ましい。
　ポリマーＢ中における一般式（２７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０～８５モル％が好ましく、２０～７０モル％がより好ましい。
　ポリマーＢ中における一般式（２９）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０～８５モル％が好ましく、２０～７０モル％がより好ましい。
　ポリマーＢの重量平均分子量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、３，０００～５００，０００が好ましく、５，０００～１００，０００がより好ましい。
　以下に、化合物Ｘの具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
　組成物中におけるＦ含有マイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、後述する金属粒子全質量に対して、０．０５～５質量％が好ましく、０．１～３質量％がより好ましい。
＜金属粒子＞
　組成物中に含まれる金属粒子は、導電膜を構成する金属成分となる。より具体的には、本発明の組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施すことにより、金属粒子同士が融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して導電膜が形成される。
　金属粒子を構成する金属原子の種類は特に制限されず、用途に応じて適宜最適な金属の種類が選択される。なかでも、プリント配線基板などの配線回路としての点から、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルまたはこれらの合金などが挙げられる。
　金属粒子の平均粒径は特に制限されず、主に、マイクロオーダーの平均粒径を有する金属微粒子（以後、金属マイクロ粒子とも称する）、または、ナノオーダーの平均粒径を有する金属微粒子（以後、金属ナノ粒子とも称する）の２種が使用される。
　金属マイクロ粒子の平均粒径は特に制限されず、導電膜の導電特性がより優れる点で、０．５～１０μｍが好ましく、１～５μｍがより好ましい。
　金属ナノ粒子の平均粒径は特に制限されず、導電膜の導電特性がより優れる点で、５～１００ｎｍが好ましく、１０～２０ｎｍがより好ましい。
　なお、金属粒子の平均粒径は、金属粒子を電子顕微鏡（ＳＥＭ若しくはＴＥＭ）により観察して、２０個以上の金属粒子の一次粒径（直径）を測定して、それらを算術平均して得られる平均値である。
　なお、必要に応じて、金属粒子の表面は保護剤により被覆されていてもよい。保護剤により被覆されることにより、組成物中での金属粒子の保存安定性が向上する。
　使用される保護剤の種類は特に制限されず、公知のポリマー（例えば、ポリビニルピロリドンなど側鎖に自由電子を有する官能基を有するポリマー）や、公知の界面活性剤などが挙げられる。
　なかでも、金属ナノ粒子の場合、その表面が保護剤で覆われていることが好ましく、特に、熱重量測定（ＴＧＡ）において１６０℃まで加熱した際の重量減少率が３０％以上である保護剤を使用することが好ましい。このような保護剤であれば、加熱処理を施して導電膜を形成した際に、保護剤が導電膜中に残存しにくく、導電特性に優れた導電膜が得られる。
　組成物中における金属粒子の含有量は特に制限されないが、塗布性および組成物の保存安定性の点から、組成物全質量に対して、３０～８５質量％が好ましく、４０～８０質量％がより好ましい。
＜その他の成分＞
　組成物には、必要に応じて、Ｆ含有マイグレーション抑制剤および金属粒子以外に他の成分が含まれていてもよい。
　例えば、組成物には、樹脂バインダーが含まれていてもよい。樹脂バインダーが含まれることにより、機材と導電膜との密着性がより向上する。使用される樹脂バインダーの種類は特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドン、またはシランカップリング剤の反応物などが挙げられる。
　また、組成物には、溶媒が含まれていてもよい。使用される溶媒の種類は特に制限されず、水または有機溶媒が挙げられる。
　なお、使用される有機溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、sec－ブタノール、カルビトール、２－ヘプタノール、オクタノール、２－エチルヘキサノール、α―テルピネオール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン）、炭化水素系溶媒（例えば、ヘプタン、オクタン、ドデカン）、芳香族炭化水素溶媒（例えば、トルエン、キシレン）、アミド系溶媒（例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルプロピレンウレア）、ニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル）、エステル系溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル）、カーボネート系溶媒（例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート）、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒を、２種以上混合して使用してもよい。
　組成物中に溶媒が含まれる場合、溶媒の含有量は、組成物の塗布性および保存安定性に優れる点で、組成物全質量に対して、１０～７０質量％が好ましく、１５～５５質量％がより好ましい。
＜導電膜の製造方法＞
　上記組成物を用いて導電膜を製造することができる。
　導電膜の製造方法は特に制限されず、上記組成物を基材上に塗布して、必要に応じて、硬化処理を施して導電膜を製造方法が挙げられる。
　組成物が塗布される基材の種類は特に制限されず、使用目的に応じて最適な基材が選択される。例えば、樹脂基材、ガラス基材、セラミック基材などが挙げられる。配線基板への応用の点からは、絶縁性の基材（絶縁性基材）を使用することが好ましい。
　組成物との塗布方法は特に制限されず、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法など公知の方法が挙げられる。
　なお、組成物の塗布後、必要に応じて、溶媒を除去するために、塗布後に乾燥処理を実施してもよい。乾燥処理の際の加熱条件は特に制限されないが、生産性の点から、５０～１５０℃（好ましくは８０～１２０℃）で５分～２時間（好ましくは、１０分～１時間）程度加熱することが好ましい。
　組成物を塗布して得られる塗膜に対して施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、加熱処理または光照射処理が実施される。
　加熱処理の条件は、使用される金属粒子の種類によって適宜最適な条件が選択される。なかでも、短時間で、導電性により優れる導電膜を形成することができる点で、加熱温度は１５０～４００℃が好ましく、１５０～２５０℃がより好ましく、また、加熱時間は５～１２０分が好ましく、１０～６０分がより好ましい。
　なお、加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
　光照射処理は、上述した加熱処理とは異なり、室温にて塗膜が付与された部分に対して光を短時間照射することで焼結が可能となり、長時間の加熱による基板の劣化が起こらず、導電膜の基板との密着性がより良好となる。
　光照射処理で使用される光源は特に制限されず、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ－ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
　具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。
　光照射は、フラッシュランプによる光照射が好ましく、フラッシュランプによるパルス光照射であることがより好ましい。高エネルギーのパルス光の照射は、塗膜を付与した部分の表面を、極めて短い時間で集中して加熱することができるため、基材への熱の影響を極めて小さくすることができる。
　パルス光の照射エネルギーとしては、１～１００Ｊ／ｃｍ2が好ましく、１～３０Ｊ／ｃｍ2がより好ましく、パルス幅としては１μ秒～１００ｍ秒が好ましく、１０μ秒～１０ｍ秒がより好ましい。パルス光の照射時間は、１～１００ｍ秒が好ましく、１～５０ｍ秒がより好ましく、１～２０ｍ秒が更に好ましい。
　上記加熱処理および光照射処理は、単独で実施してもよく、両者を同時に実施してもよい。また、一方の処理を施した後、さらに他方の処理を施してもよい。
＜導電膜＞
　上記の手順によって形成された導電膜においては、Ｆ含有マイグレーション抑制剤が導電膜の表層部分に偏在する。以下、図１を用いてより詳細に詳述する。
　図１は、配線基板の第１の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板１０は、基材１２と、基材１２上の全面に渡って配置された導電膜１４とを備える。なお、後述するように、導電膜１４の形状は図１の態様に限定されず、パターン状（例えば、ストライプ状、格子状）に配置されていてもよい。
　導電膜１４は、基材１２上に配置される層で、導体部として機能する。
　導電膜１４は、上述したように金属粒子に由来する金属で構成される共に、Ｆ含有マイグレーション抑制剤が含有される。
　図１に示すように、導電膜１４は、内部領域１４ａと、内部領域１４ａ上に配置された表層領域１４ｂとを有する。表層領域１４ｂは、内部領域１４ａの基材１２と接していない表面を覆っている。なお、表層領域１４ｂとは、導電膜１４の露出表面から導電膜１４の全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの領域に該当する。また、内部領域１４ａは、導電膜中の表層領域１４ｂ以外の領域に該当する。つまり、表層領域１４ｂの厚みは、導電膜１４の厚みＴ２の１／１０に相当する。なお、導電膜１４の全体厚みは、５箇所以上の任意点の導電膜１４の全体厚みを測定して、それらを算術平均したものである。
　上記Ｆ含有マイグレーション抑制剤は、図１中の表層領域１４ｂ内に偏在して存在する。より具体的には、導電膜１４にはＦ含有マイグレーション抑制剤が含まれ、表層領域１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｙは、内部領域１４ａに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘよりも大きい。つまり、質量Ｙ＞質量Ｘの関係（質量Ｘ／質量Ｙが１未満の関係）を満たす。上記関係を満たしていれば、導電膜１４からのイオンマイグレーションが抑制されると共に、導電膜１４の導電特性も優れる。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能と導電特性とのバランスがより優れる点で、内部領域１４ａに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘと、表層領域１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）は０．２０以下がさらに好ましく、０．１０以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、０が最も好ましく、実用上は０．００１以上であってもよい。
　比（Ｘ／Ｙ）の測定方法は特に制限されず、例えば、基材１２表面に対して垂直な方向の導電膜１４の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、内部領域１４ａに相当する領域と表層領域１４ｂに相当する領域とに含まれる成分の元素分析を行い、Ｆ含有マイグレーション抑制剤由来の元素の量を比較して、比（Ｘ／Ｙ）を求めることができる。
　導電膜１４全体に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、導電膜１４の導電特性の観点から、導電膜１４全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．１～５質量％がより好ましい。
　表層領域１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、導電膜１４の導電特性の観点から、マイグレーション抑制剤全質量に対して、５０～１００質量％が好ましく、７０～１００質量％がより好ましい。
　導電膜１４には、本発明の効果を損なわない範囲で、金属とマイグレーション抑制剤以外の成分が含まれていてもよい。例えば、バインダー樹脂（エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドンなど）が含まれていてもよい。
　次に、本発明の配線基板の第２の実施態様について、図面を参照して詳述する。
　図２は、配線基板の第２の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板１００は、基材１２と、基材１２上に配置された２つの細線状の導電膜１１４とを備える。図２に示すような、パターン状の導電膜の製造方法は特に制限されず、上述したインクジェット法により基材上の所定の位置に導電膜形成用組成物を吐出する方法が挙げられる。
　導電膜１１４は、内部領域１１４ａと内部領域１１４ａの基材１２と接していない表面を覆う表層領域１１４ｂとを有する。
　導電膜１１４は、図１に示す配線基板１０中の導電膜１４に相当して同様の構成を有し、その形状のみが異なる。つまり、内部領域１１４ａは図１に示す配線基板１０中の内部領域１４ａに相当し、表層領域１１４ｂは図１に示す配線基板１０中の表層領域１４ｂに相当する。
　より具体的には、導電膜１１４を構成する金属の種類の好適態様は、上述した第１の実施形態の場合と同じである。
　また、表層領域１１４ｂの厚みＴ１は、上述した第１の実施形態の場合と同様に、導電膜１１４の全体厚みＴ２の１／１０の厚みに相当する。
　また、表層領域１１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｙは、第１の実施形態の場合と同様に、内部領域１１４ａに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘより大きく、その好適態様も同じである。
　さらに、導電膜１１４全体に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量の好適範囲、および、表層領域１１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量の好適範囲は、上述した第１の実施形態の場合と同じである。
　図２において、内部領域１１４ａは細線状であり、内部領域１１４ａを覆うように（内部領域の上面部分１６と２つの側面部分１８を覆うように）表層領域１１４ｂが存在する。
　なお、図２においては、導電膜１１４は垂直断面が矩形状の層であるが、特にその形状は制限されず任意の形状であってもよい。
　図２において、２つの導電膜１１４がストライプ状に配置されているが、その数および配置パターンは特に制限されない。
　導電膜１１４の幅Ｗは、配線基板の高集積化の点から、０．１～１００００μｍが好ましく、０．１～３００μｍがより好ましく、０．１～１００μｍがさらに好ましく、０．２～５０μｍが特に好ましい。
　導電膜１１４間の間隔Ｄは、配線基板の高集積化の点から、０．１～１０００μｍが好ましく、０．１～３００μｍがより好ましく、０．１～１００μｍがさらに好ましく、０．２～５０μｍが特に好ましい。
　導電膜１１４の厚みＴ２は、配線基板の高集積化の点から、０．００１～１００μｍが好ましく、０．０１～３０μｍがより好ましく、０．０１～２０μｍがさらに好ましい。
　上述した導電膜を備える配線基板は、種々の用途および構造に対して使用することができる。例えば、プリント配線基板、プラズマディスプレイパネル用パネル基板、太陽電池電極用基板、メンブレン配線板、タッチパネル電極用基板などが挙げられる。
　また、配線基板は、電子機器に含まれることが好ましい。電子機器とは、タッチパネルもしくはメンブレンスイッチやそれらを搭載したテレビ・モバイル通信機器・パーソナルコンピューター・ゲーム機器・車載表示機器・ネット通信機器、照明・表示用ＬＥＤ、太陽電池制御に関する電子配線機器、ＲＦＩＤなどの無線通信デバイス、あるいは半導体配線基板や有機ＴＦＴ配線基板で駆動制御された機器類を指す。
　本発明の配線基板の導電膜側上には、必要に応じて、さらに絶縁層を設けてもよい。
　例えば、図３に示すように、上述した配線基板１００の導電膜１１４側上には、必要に応じて、さらに導電膜１１４を覆うように絶縁層２０を設けて、絶縁層付き配線基板２００を形成してもよい。絶縁層２０を設けることにより、導電膜１１４間の絶縁特性がより向上する。
　絶縁層２０の材料としては、公知の絶縁性の材料を使用することができる。例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アクリレート樹脂など挙げられる。
　また、絶縁層２０として、いわゆる光学用透明粘着シート（ＯＣＡ）を使用してもよい。ＯＣＡは市販品を用いてもよく、例えば、３Ｍ（株）製８１７１ＣＬシリーズ、８１４６シリーズなどが挙げられる。
　また、絶縁層２０として、いわゆるソルダーレジスト層を使用してもよい。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製 ＳＲ７２００Ｇなどが挙げられる。
　以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜比較例１：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ－１＞
　Ｎ，Ｎ－ジメチル－１，３－ジアミノプロパン（東京化成、特級）２．０４ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）と、ｎ－オクチルアミン（花王、純度９８％）１．９４ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）と、ｎ－ドデシルアミン（関東化学、特級）０．９３ｇ（５．０ｍｍｏｌ）とを混合し、この混合溶液にシュウ酸銀〔硝酸銀（関東化学、一級）とシュウ酸アンモニウム一水和物またはシュウ酸二水和物（関東化学、特級）から合成したもの〕６．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え、３分間撹拌し、シュウ酸イオン・アルキルアミン・アルキルジアミン・銀錯化合物を調製した。これを９５℃で２０～３０分加熱撹拌すると、二酸化炭素の発泡を伴う反応が完結し、青色光沢を呈する懸濁液へと変化した。これにメタノール（関東化学、一級）１０ｍＬを加え、遠心分離により得られた沈殿物を自然乾燥すると、青色光沢の被覆銀超微粒子の固体物４．６２ｇ（銀基準収率９７．０％）が得られた。この固体物をｎ－ブタノール（関東化学、特級）とｎ－オクタン（関東化学、特級）の混合溶媒（４／１：ｖ／ｖ）に６．９３ｇに分散し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ－１を得た。
＜比較例２：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ－２＞
　Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ－２として、ポリマー型導電性ペーストＬＳ－４５０－７Ｈ（アサヒ化学研究所製）を用いた。
＜比較例３：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電性インクＡ－３＞
　Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ－３として、フローメタルＳＷ－１０２０（バンドー化学製）を用いた。
＜比較例４：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ｂ－９＞
　比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ－１（１１．５５ｇ）に対し、ＩＲＧＡＮＯＸ１１３５（ＢＡＳＦ製）（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、導電膜形成用組成物Ｂ－９を得た。
　なお、導電膜形成用組成物Ｂ－９には、Ｆ含有マイグレーション抑制剤は含まれない。
＜比較例５：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ｂ－１０＞
　比較例２の導電膜形成用組成物Ａ－２（１０ｇ）に対し、ベンゾトリアゾール（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、導電膜形成用組成物Ｂ－１０を得た。
　なお、導電膜形成用組成物Ｂ－１０には、Ｆ含有マイグレーション抑制剤は含まれない。
（合成例１：化合物Ｍ－１）
　反応容器に、３－（３，５－ジ－tert－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（３．５ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ノナデカフルオロデカン－１－オール（６．３ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．４ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、４－ジメチルアミノピリジン（０．０５ｇ，０．４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
　反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、白色の粗結晶を得た。メタノールで再結晶を行い、化合物Ｍ－１を６．０ｇ得た（収率６３％）。
　得られた化合物Ｍ－１の1Ｈ－ＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
　1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）
６．９８（２Ｈ，ｓ）、５．０９（１Ｈ，ｓ）、４．５９（２Ｈ，ｔ）、２．９０（２Ｈ，ｔ）、２．７１（２Ｈ，ｔ）、１．４３（９Ｈ，ｓ）
　1Ｈ－ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ－１であると同定した。
　なお、化合物Ｍ－１のフッ素含有率は、４７．５質量％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
（合成例２：化合物Ｍ－２）
　反応容器に、１，３，４－チアジアゾール－２，５－ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。その後、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，８，８，８－ドデカフルオロ－７－（トリフルオロメチル）オクチル（１２．５ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。反応溶液を６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、反応溶液を減圧濃縮した。反応溶液にヘキサン２００ｍＬを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１６ｇを得た。粗結晶のうち８ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１～１／１）にて精製し、本発明の化合物Ｍ－２を６ｇ得た（収率７２％）。
　得られた化合物Ｍ－２の1Ｈ－ＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）
１１．１（１Ｈ，ｂｒ）、４．４４（２Ｈ，ｔ）、３．４０（２Ｈ，ｔ）、２．８５（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｍ）
　1Ｈ－ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ－２であると同定した。
　なお、化合物Ｍ－２のフッ素含有率は、４７．２質量％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
（合成例３：化合物Ｍ－３）
　反応容器に、１Ｈ－ベンゾトリアゾール－５－カルボン酸（１．５ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２７ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（３ｍｌ）、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－オクタノール（３．３５ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１．７６ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、４－ジメチルアミノピリジン（０．１１ｇ，０．９１ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。７０℃で２４時間攪拌した後、水５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合物Ｍ－３を３．１ｇ得た（収率６６％）。
　なお、化合物Ｍ－３のフッ素含有率は、４８．５質量％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
（合成例４：化合物Ｍ－４）
　下記スキームに従って、化合物Ｍ－４Ａを合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　反応容器に、１，３，４－チアジアゾール－２，５－ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロオクチル（１１．１３ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間掛けて滴下した。６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、溶液を減圧濃縮した。反応混合物にヘキサン２００ｍＬを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１５ｇを得た。粗結晶のうち７．５ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１～１／１）にて精製し、化合物Ｍ－４Ａを６ｇ得た（収率７９％）。
　次に、得られた化合物Ｍ－４Ａを用いて、下記スキームに従って、化合物Ｍ－４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　反応容器に、化合物Ｍ－４Ａ（３．０ｇ，５．２８ｍｍｏｌ）、酢酸エチル（２０ｍｌ）を加えて完溶させた。ヨウ化ナトリウム（７９．１ｍｇ，０．５２８ｍｍｏｌ）と３０％過酸化水素（２２．１１ｍｍｏｌ，２．３９ｇ）をこの順で加えて、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を１００ｍｌの水で洗浄し、得られた粗結晶２．７ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１～１／１）にて精製し、化合物Ｍ－４を２．４ｇ得た（収率８０％）。
　得られた本発明の化合物Ｍ－４のＮＭＲスペクトルは以下の通りであった。
1Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）：４．４３（２Ｈ，ｔ）、３．６０（２Ｈ，ｔ）、２．９５（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｍ）
　1Ｈ－ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ－４であると同定した。
　なお、化合物Ｍ－４のフッ素含有率は、４３．５質量％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
（合成例５：化合物Ｍ－５）
　３００ｍＬの三口フラスコに、４－メチル－２－ペンタノン（和光純薬工業（株）製）２７．３ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７,８，８，８－トリデカフルオロ－オクチル３７．６ｇ、グリシジルメタクリレート（東京化成工業（株）製）１．４２ｇ、Ｖ－６０１（和光純薬工業（株）製）０．９２ｇ、４－メチル－２－ペンタノン（和光純薬工業（株）製）６３．８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、２時間撹拌後、９０℃に昇温し、さらに２時間攪拌した。上記の反応溶液に、３－（３，５－ジ－tert－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３．３４ｇ、ジメチルドデシルアミン（和光純薬工業（株）製）０．２１ｇを加え、１２０℃に加熱し２４時間反応させた。反応終了後、ヘキサン５００ｍｌ、酢酸エチル５００ｍｌを加え、有機層を５％クエン酸水溶液３００ｍｌで洗浄後、５％アンモニア水溶液３００ｍｌで洗浄した。さらに５％クエン酸水溶液３００ｍｌで洗浄後、水３００ｍｌで洗浄した。有機層を減圧濃縮後、ヘキサンで再沈を行い、減圧下で乾燥し、化合物Ｍ－５（Ｍｗ＝７，０００）を３０ｇ得た。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
　化合物Ｍ－５は、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物に該当する。
　なお、化合物Ｍ－５のフッ素含有率は、５３．１質量％であった。
（合成例６：化合物Ｍ－６）
　３００ｍＬの三口フラスコに、１－メトキシ－２－プロパノール（和光純薬工業（株）製）１４．３ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－オクチル４．８１ｇ、グリシジルメタクリレート（東京化成工業（株）製）１．５６ｇ、ブレンマーＡＥ－４００(日本油脂社製)１４．０９ｇ、Ｖ－６０１（和光純薬工業（株）製）０．４６ｇ、１－メトキシ－２－プロパノール（和光純薬工業（株）製）３３．４ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、２時間撹拌後、９０℃に昇温し、さらに２時間攪拌した。上記の反応溶液に、３－（３，５－ジ－tert－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３．６７ｇ、ジメチルドデシルアミン（和光純薬工業（株）製）０．２３ｇ、を加え、１２０℃に加熱し２４時間反応させた。反応終了後、減圧濃縮後し水２００ｇで希釈した。反応液をフィルターろ過した後、６０℃に加熱し、分離したポリマー溶液を取り出し、化合物Ｍ－６（Ｍｗ＝８，０００）の３５ｗ％水溶液４５ｇ得た。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
　化合物Ｍ－６は、一般式（２４）で表される基と、一般式（２５）で表される基と、一般式（２８）で表される基とを有する化合物に該当する。
＜実施例１：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－１＞
　比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ－１（１１．５５ｇ）に対し、合成例１で得られた化合物Ｍ－１（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－１を得た。
＜実施例２：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－２＞
　比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ－１（１１．５５ｇ）に対し、合成例２で得られた化合物Ｍ－２（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－２を得た。
＜実施例３：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－３＞
　比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ－１（１１．５５ｇ）に対し、合成例３で得られた化合物Ｍ－３（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－３を得た。
＜実施例４：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－４＞
　比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ－１（１１．５５ｇ）に対し、合成例４で得られた化合物Ｍ－４（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－４を得た。
＜実施例５：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－５＞
　比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ－１（１１．５５ｇ）に対し、合成例５で得られた化合物Ｍ－５（高分子型）（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－５を得た。
＜実施例６：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－６＞
　比較例２の導電膜形成用組成物Ａ－２（１０ｇ）に対し、合成例１で得られた化合物Ｍ－１（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－６を得た。
＜実施例７：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－７＞
　比較例２の導電膜形成用組成物Ａ－２（１０ｇ）に対し、合成例３で得られた化合物Ｍ－３（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－７を得た。
＜実施例８：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－８＞
　比較例３の導電膜形成用組成物Ａ－３（１０ｇ）に対し、合成例６で得られた化合物Ｍ－６（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ－８を得た。
＜インクジェットによる配線形成＞
　マテリアルプリンターＤＭＰ－２８３１（ＦＵＪＩＦＩＬＭ　Ｄｉｍａｔｉｘ社製）を用い、吐出量：１０ｐＬ、吐出間隔：５０μｍの条件で、ガラス基板上へ導電膜形成用組成物をＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に描画を行い、これを２層分重ねて描画を行った。その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「ＩＪ」と表記する。
＜スクリーン印刷による配線形成＞
　ＤＰ―３２０型スクリーン印刷機（ニューロング精密工業株式会社製）を用いて、ガラス基板上へ導電膜形成用組成物をＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に印刷を行い（３００メッシュスクリーンを使用）、その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「スクリーン」と表記する。
＜試験用配線膜厚測定方法＞
　作製した試験用配線基板をエポキシ樹脂で包埋し、研磨による断面出しを行った後、Ｓ－３０００Ｎ（ＨＩＴＡＣＨＩ社製ＳＥＭ）を用いて断面を観察、導電膜の厚みの測定を行った。結果を表１にまとめて示す。
　なお、各試験用配線基板中の導電膜の露出表面から導電膜の全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの領域を表層領域として、残りの部分を内部領域とした。
＜内部領域に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘと、表層領域に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤との質量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）の測定方法＞
　前述のＳＥＭ写真と、ＩＮＣＡ　ＰｅｎｔａＦＥＴｘ３（ＯＸＦＯＲＤ社製ＥＤＸ）を用い、Ｆ含有マイグレーション抑制剤の存在部の検出を行い、内部領域と表層領域における検出強度、面積比より質量Ｘと質量Ｙの比（Ｘ／Ｙ）を求めた。結果を表１にまとめて示す。
＜導電性評価方法＞
　得られた試験用配線基板の導電性評価を抵抗率計ロレスタＥＰ　ＭＣＰ－Ｔ３６０（三菱化学アナリテック社製）を用いて行った。
　評価方法として、作製した試験用配線基板の抵抗測定値をＲ１、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物のみで作製した比較用配線基板の抵抗測定値をＲ２とし、その変化割合Ｒ１／Ｒ２を計算した。以下の基準に従って、評価した。結果を表１にまとめて示す。尚、実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：Ｒ１／Ｒ２≦１．１の場合
「Ｂ」：１．１＜Ｒ１／Ｒ２≦１．２５の場合
「Ｃ」：１．２５＜Ｒ１／Ｒ２≦２．０の場合
「Ｄ」：２．０＜Ｒ１／Ｒ２の場合
　なお、実施例１～５並びに比較例１および４では、導電膜形成用組成物Ａ－１を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、実施例６～７並びに比較例２および５では、導電膜形成用組成物Ａ－２を用いて上記スクリーン印刷にて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、実施例８および比較例３では、導電膜形成用組成物Ａ－３を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
＜絶縁信頼性評価方法＞
　得られた試験用配線基板を用いて、湿度８５％、温度８５度、圧力１．０ａｔｍ、電圧８０Ｖの条件で寿命測定（使用装置：エスペック（株）社製、ＥＨＳ－２２１ＭＤ）を行った。
　評価方法としては、まず、作製した試験用配線基板上に高透明性接着剤転写テープ８１４６－２（３Ｍ社製）貼り合せて、逆側にガラス基板を張り合わせて作製された絶縁信頼性試験用基板を用いて上記条件で寿命測定を行い、配線層間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間Ｔ１を測定した。
　次に、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物のみで作製した比較用配線基板を用いて同様の方法で絶縁信頼性試験用基板を作製し、上記条件で寿命測定を行い、配線層間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間Ｔ２を測定した。
　得られた時間Ｔ１および時間Ｔ２を用いて寿命の改善効果（Ｔ１／Ｔ２）を計算した。以下の基準に従って、評価した。結果を表１にまとめて示す。尚、実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：Ｔ１／Ｔ２≧５の場合
「Ｂ」：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２の場合
「Ｃ」：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１の場合
「Ｄ」：１≧Ｔ１／Ｔ２の場合
　なお、実施例１～５並びに比較例１および４では、導電膜形成用組成物Ａ－１を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、実施例６～７並びに比較例２および５では、導電膜形成用組成物Ａ－２を用いて上記スクリーン印刷にて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
　また、実施例８および比較例３では、導電膜形成用組成物Ａ－３を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000050
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000051
 
　表１に示すように、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を使用した実施例１～８においては、導電膜中においてＦ含有マイグレーション抑制剤が表層領域に偏在していることが確認され、導電膜が導電特性に優れると共に、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）も優れていた。
　一方、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない比較例１～５においては、導電性、または、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）に劣っていた。例えば、マイグレーション抑制剤が含まれない比較例１～３においては、導電特性は優れるが、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）が劣っていた。また、フッ素原子を含有しないマイグレーション抑制剤を含む比較例４～５においては、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）は優れるものの、マイグレーション抑制剤の偏在化が起こらないため導電特性に劣っていた。
　１０，１００　配線基板
　１２　基材
　１４，３４，１１４　導電膜
　１４ａ，１１４ａ　内部領域
　１４ｂ，１１４ｂ　表層領域
　１６　上面部分
　１８　側面部分
　２０　絶縁層
　２００　絶縁層付き配線基板

Claims (6)

  1. 　フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤と、金属粒子とを少なくとも含有する導電膜形成用組成物。
  2. 　前記マイグレーション抑制剤が、一般式（１）～一般式（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、および、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
    　Ｐ－（ＣＲ1＝Ｙ）n－Ｑ　　　　　一般式（１）
    （一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ2Ｒ3またはＣＨＲ4Ｒ5を表す。Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ6または窒素原子を表す。Ｒ1およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
    　Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、またはＲ6で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０～５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ4Ｒ5であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ1＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
    　なお、Ｒ1～Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。）
    　Ｒ7－Ｃ（＝Ｏ）－Ｈ　　　　　　一般式（２）
    （一般式（２）中、Ｒ7は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ7で表される基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。また、Ｒ7で表される基中には、ヒドロキシル基、または、－ＣＯＯ－で表される基が含まれていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    （一般式（３）中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ8～Ｒ10の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    （一般式（４）中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ11～Ｒ12の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。）
    　Ｚ－ＳＨ　　　　　　一般式（５）
    （一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。また、Ｚで表される基には、置換基が含まれていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    （一般式（２２）中、Ｒｆ1は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも一つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｘ1は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ1は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。Ｌ2は、単結合、または、水酸基若しくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。Ｌ3は、単結合または炭素数１～６のアルキレン基を表す。Ｙ1およびＺ1は、単結合、－ＣＯ2－、－ＣＯ－、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＳＯ3－、－ＣＯＮＲ222－、－ＮＨＣＯＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2ＮＲ222－、または、－ＮＲ222－を表す。Ｒ222は、水素原子または炭素数１～５のアルキレン基を表す。Ｒ221は、水素原子、炭素数１～８の直鎖または分岐のアルキル基、またはＲｆ1－ＣＦＸ1－Ｌ1－Ｙ1―Ｌ2－Ｚ1－Ｌ3－を表す。
    　ただし、Ｙ1およびＺ1がいずれも単結合以外の場合、Ｌ2はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    （一般式（２３）中、Ｒ231およびＲ232は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ233およびＲ234は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ2は、単結合、－ＣＯ－、または－ＣＯＯ－を表す。Ｒｆ2は、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロエーテル基を表す。Ｙ2が単結合または－ＣＯ－のとき、ｎは０表し、ｍは０～６の整数を表す。Ｙ2が－ＣＯＯ－のとき、ｎは１または２を表し、ｍは１から６の整数を表す。ｐは２～３の整数を表し、ｌは０～１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    （一般式（２４）中、Ｒ241、Ｒ242、Ｒ243、およびＲ244は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を示す。
    　一般式（２５）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。＊は、結合位置を示す。）
  3. 　前記金属粒子に含まれる金属原子が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選択される請求項１または２に記載の導電膜形成用組成物。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物から形成される導電膜。
  5. 　請求項４に記載の導電膜を備える配線基板。
  6. 　基材と、前記基材上に配置された、金属を含有する導電膜とを有し、前記導電膜は前記導電膜の露出表面から全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの表層領域と、前記表層領域以外の内部領域とを有し、前記導電膜がフッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤を含み、前記表層領域に含まれる前記マイグレーション抑制剤の質量Ｙが、前記内部領域に含まれる前記マイグレーション抑制剤の質量Ｘよりも大きい、配線基板。
     
     
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