WO2014132856A1 - プローブ装置のアライメント支援装置及びアライメント支援方法 - Google Patents

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WO2014132856A1
WO2014132856A1 PCT/JP2014/053883 JP2014053883W WO2014132856A1 WO 2014132856 A1 WO2014132856 A1 WO 2014132856A1 JP 2014053883 W JP2014053883 W JP 2014053883W WO 2014132856 A1 WO2014132856 A1 WO 2014132856A1
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measurement point
setting
chip
wafer
alignment
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PCT/JP2014/053883
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小澤 裕一
西村 宏
成一 太田
靖仁 井口
邦彦 千葉
研 加藤
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株式会社東京精密
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature

Definitions

  • the present invention relates to an alignment support apparatus and alignment support method for a probe apparatus, and more particularly to an alignment support apparatus for a probe apparatus for testing electrical characteristics of semiconductor elements (chips or dies) such as a plurality of integrated circuits formed on a semiconductor wafer. And an alignment support method.
  • a disk-shaped semiconductor wafer fixed to a dicing frame by a dicing apparatus is cut into a plurality of chips (dies).
  • a wafer test process for inspecting the electrical characteristics of each chip is performed before or after the dicing process, and a probe apparatus is used in the wafer test process.
  • the probe device is a device for bringing the probe of the probe card connected to the tester into contact with the electrode pad of the chip.
  • the power supply and various test signals are supplied from the tester to the chip via the probe and output from the electrode of the chip.
  • the response signal to be obtained is acquired by a tester via a probe and analyzed to confirm whether it operates normally (see Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • a device that can perform a test by fixing a wafer fixed to a dicing frame to a stage regardless of before and after dicing is known.
  • WLCSP Wafer level chip size package
  • CSP Chip size package
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and provides an alignment support apparatus and an alignment support method for a probe apparatus that can provide useful information regarding the setting of alignment during operation of the probe apparatus. With the goal.
  • an alignment support apparatus for a probe apparatus is an alignment support apparatus for a probe apparatus that makes a plurality of chips formed on a wafer contact a probe of a tester, wherein the wafer A condition data input means for acquiring actual measurement data indicating the actual measurement positions of all the chips, and a condition value input condition value regarding the amount of variation in the position where the probe contacts each chip when the chip is in contact with the probe A value input unit, a measurement point setting unit that sets a plurality of measurement points using a chip that performs alignment as a measurement point among all the chips of the wafer, and a chip of the measurement point set by the measurement point setting unit Each chip of the wafer is brought into contact with the probe based on the measured position.
  • Shot position setting means for setting the position of the probe with respect to the wafer as a shot position, and the wafer on the assumption that each chip of the wafer is brought into contact with the probe according to the shot position set by the shot position setting means
  • a variation amount calculation means for calculating the variation amount in each chip based on the measured position of each chip, and a condition value in which the variation amount in each chip calculated by the variation amount calculation means is input by the condition value input means
  • a determination unit for determining whether or not the measurement point is set, a measurement point changing unit for sequentially changing the setting of the measurement point by the measurement point setting unit, and the measurement point sequentially changed by the measurement point changing unit Of the setting of the variation amount calculation means
  • Optimum measurement point determination means for determining, as the optimal measurement point setting, a measurement point setting in which the variation amount in each chip is not more than the condition value and the number of the measurement points is the minimum, and determination of the optimal measurement point Output means for outputting information relating to the optimum measurement point setting determined by the means.
  • the measurement point changing means changes the setting of the measurement points so that the interval between the measurement points is sequentially increased, and the optimum measurement point determining means is It is preferable that the measurement point setting immediately before the variation amount in any one of all the chips of the wafer exceeds the condition value is determined as the optimum measurement point setting.
  • the measurement point changing means changes the setting of the measurement points so that the interval between the measurement points increases sequentially
  • the optimum measurement point determination unit is configured to measure a measurement point other than a fixed range in which the measurement point setting is determined. Including the chips whose variation amount exceeds the condition value when the variation amount in any of the chips of the wafer exceeds the condition value.
  • the individual calculation range setting process for setting a partial range as an individual calculation range, and the setting of the measurement points of the individual calculation range are the second It is changed by a change process, and the measurement point setting when the variation amount in all chips of the individual calculation range is equal to or less than the condition value is determined as the optimum measurement point setting in the individual calculation range, and the individual calculation range is It is preferable that the individual calculation processing set as the fixed range is repeatedly performed until all the chips on the wafer become chips in the fixed range.
  • An alignment support apparatus for a probe apparatus is an alignment support apparatus for a probe apparatus that contacts a plurality of chips formed on a wafer with a probe of a tester, and measures the position of each chip on the wafer.
  • a condition value input means for inputting a condition value relating to the alignment time indicating the time required for completing all alignments to be completed, and setting a plurality of measurement points with the chip to be aligned among the all chips of the wafer as measurement points Calculated by the measurement point setting means, the alignment time calculation means for calculating the alignment time required when it is assumed that the chip of the measurement point set by the measurement point setting means has been aligned, and calculated by the alignment time calculation means
  • Alignment time Determination means for determining whether or not the condition value input by the condition value input means is less than or equal to, measurement point changing means for sequentially changing the measurement point setting by the measurement point setting means to different settings, and the measurement point change Among the measurement point settings sequentially changed by the means, the optimum measurement is performed for the
  • the measurement point changing means changes the setting of the measurement points so that the interval between the measurement points is sequentially increased
  • the optimum measurement point determining means is
  • the measurement point setting when the alignment time is equal to or less than the condition value is determined as the optimum measurement point setting.
  • the output means outputs the number of measurement points and the measurement point interval in the measurement point setting determined by the optimum measurement point determination means. It is preferable.
  • An alignment support method for a probe apparatus is an alignment support method for a probe apparatus in which a plurality of chips formed on a wafer are brought into contact with a probe of a tester, and the measured positions of all the chips on the wafer
  • An actual measurement data acquisition step for acquiring actual measurement data indicating the condition
  • a condition value input step for inputting a condition value relating to a variation amount of a position where the probe contacts each chip when the chip is brought into contact with the probe
  • the wafer Based on the measured position of the measurement point chip set by the measurement point setting step, a measurement point setting step that sets a plurality of measurement points using the chip that performs alignment as a measurement point among all the chips of The wafer is pushed when each chip of the wafer is brought into contact with the probe.
  • a shot position setting step in which the position of the probe is set as a shot position, and in each chip of the wafer when it is assumed that each chip of the wafer is brought into contact with the probe according to the shot position set by the shot position setting step.
  • a variation amount calculation step for calculating the variation amount based on the measured position of each chip, and a variation amount in each chip calculated by the variation amount calculation step is equal to or less than the condition value input by the condition value input step.
  • An alignment support method for a probe apparatus is an alignment support method for a probe apparatus in which a plurality of chips formed on a wafer are brought into contact with a probe of a tester, and the position of each chip on the wafer is measured.
  • a condition value input process for inputting a condition value relating to the alignment time indicating the time required for completing all alignments to be completed, and setting a plurality of measurement points using the chip to be aligned as a measurement point among all the chips on the wafer.
  • the measurement time setting step, the alignment time calculation step for calculating the alignment time required when it is assumed that the chip of the measurement point set by the measurement point setting step is aligned, and the alignment time calculation step.
  • Alignment time A determination step for determining whether or not the condition value is less than or equal to the condition value input in the condition value input step, a measurement point change step for sequentially changing the measurement point settings in the measurement point setting step to different settings, and the measurement point change Among the measurement point settings that are sequentially changed by the process, the measurement time setting at which the alignment time calculated by the alignment time calculation process is less than or equal to the condition value and the number of measurement points is maximized is optimally measured.
  • An optimum measurement point determining step determined as a point setting; and an output step for outputting information relating to the optimum measurement point setting determined in the optimum measurement point determining step.
  • FIG. 1 The figure which shows schematic structure of the wafer test system to which this invention is applied
  • FIG. 5 The block diagram which showed the process part constructed
  • FIG. 5 a diagram showing a state in which the measurement interval is increased using a diagram in which each chip of the wafer W is represented by a square area.
  • FIG. 5 a diagram showing a state in which the measurement interval is increased using a diagram in which each chip of the wafer W is represented by a square area.
  • Flow chart showing processing procedure in second mode of automatic measurement point calculation function Flow chart showing processing procedure in second mode of automatic measurement point calculation function
  • FIG. 5 a diagram showing a state in which the measurement interval of the individual calculation range is set using a diagram in which each chip of the wafer W is represented by a square area.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a wafer test system to which the present invention is applied.
  • the wafer test system 1 includes a prober (probe device) 10 and a tester 30.
  • a wafer W which is an object on which a large number of semiconductor chips (hereinafter simply referred to as chips) are formed, is positioned by the prober 10 and electrically connected to the tester 30 via the probe card 25.
  • a test signal is given to each chip of the wafer W by the tester 30 via a large number of probes (probes) 26 arranged on the probe card 25, and a response signal output from the wafer W is sent to the tester 30.
  • the performance of each chip is inspected (measurement of electrical characteristics), and the quality of each chip is determined (selection between non-defective and defective) based on the measurement result of the response signal to the test signal. ing.
  • the wafer W after being divided into individual chips (dies) by a dicing apparatus can be tested while being attached to the dicing frame.
  • a dicing apparatus not shown
  • it is possible to test even a wafer before dicing into chips (before dicing), not a wafer after dicing into individual chips, and a wafer not fixed to a dicing frame. Can also be tested.
  • the prober 10 images a stage moving mechanism that moves a wafer stage 18 that supports a wafer W as a subject to a predetermined position, a probe position detection camera 19 that images a probe 26 placed on a probe card 25, and a wafer W.
  • a wafer alignment camera 23 a probe card holding mechanism for holding the probe card 25, a control unit 40 for performing various arithmetic processes including control of each part of the prober 10 and image processing.
  • the control unit 40 is disposed, for example, inside or outside the housing of the prober 10, and the operation of each unit of the prober 10 is comprehensively controlled by signals from the control unit 40.
  • an operation unit 42 keyboard, mouse, touch panel, operation buttons, etc.
  • a monitor 44 are connected to the control unit 40, and the operator refers to a guide screen displayed on the monitor 44 and the like of the prober 10.
  • An instruction regarding control and setting of various conditions (parameters) can be given to the control unit 40 by operating the operation unit 42.
  • control unit 40 is also connected to the tester 30 (tester body 31 described later) so as to be communicable by, for example, communication means, and various instructions to the tester 30 and acquisition of measurement results are performed by the control unit 40. ing.
  • control unit 40 The details of control by the control unit 40 will be described as appropriate below.
  • the stage moving mechanism includes a base 11, a moving base 12, a Y-axis moving table 13, an X-axis moving table 14, a Z-axis moving unit 15, a Z-axis moving table 16, a ⁇ rotating unit 17, and a wafer. It comprises a stage 18 and the like.
  • the base 11 is formed in a flat plate shape and disposed at the bottom of the prober 10, and the entire prober 10 is supported by the base 11.
  • a moving base 12 is disposed on the upper surface of the base 11.
  • the moving base 12 is fixed to the base 11, and a Y-axis moving base 13 is disposed on the moving base 12.
  • the Y-axis moving table 13 is supported by the moving base 12 so as to be movable in the Y-axis direction, and is moved in the Y-axis direction by the power of a motor (not shown).
  • the Y-axis direction is a direction parallel to the installation surface (the upper surface of the base 11), and indicates a direction that is the front-rear direction of the prober 10. That is, the direction perpendicular to the paper surface of FIG.
  • An X-axis moving table 14 is disposed on the Y-axis moving table 13.
  • the X-axis moving table 14 is supported by the Y-axis moving table 13 so as to be movable in the X-axis direction, and is moved in the X-axis direction by the power of a motor (not shown).
  • the X-axis direction is a direction orthogonal to the Y-axis and parallel to the installation surface, and indicates a direction that is the left-right direction of the prober 10. That is, the horizontal direction of the paper surface of FIG.
  • a Z-axis moving unit 15 is disposed on the X-axis moving table 14.
  • the Z-axis moving unit 15 is fixed to the X-axis moving table 14, and the Z-axis moving table 16 is supported on the upper part.
  • the Z-axis moving unit 15 has a mechanism for moving the Z-axis moving table 16 in the Z-axis direction by the power of a motor (not shown).
  • the Z-axis is a direction perpendicular to the X-axis and the Y-axis and perpendicular to the installation surface, and indicates a direction that is the vertical direction of the prober 10. That is, the vertical direction of the paper surface of FIG.
  • a ⁇ rotation unit 17 is disposed on the Z-axis moving table 16.
  • the ⁇ rotation unit 17 is supported so as to be rotatable about the Z axis ( ⁇ direction) with respect to the Z axis moving table 16, and is rotated in the ⁇ direction by the power of a motor (not shown).
  • the wafer stage 18 fixed to the upper part is rotated in the ⁇ direction.
  • the wafer stage 18 has a flat table surface on which an object wafer W is placed on the upper surface side, and the wafer W is sucked and held by the table surface.
  • a plurality of the same types of wafers W to be tested are accommodated in a cassette (not shown), and are sequentially taken out from the cassette by a transfer means (not shown) and transferred to the table surface of the wafer stage 18. .
  • the wafer stage 18 is supported on the base 11 via the Y-axis moving table 13, the X-axis moving table 14, the Z-axis moving table 16, and the ⁇ rotation unit 17, and these Is moved in the three axis directions of the X axis, the Y axis, and the Z axis, and the ⁇ direction (around the Z axis). Therefore, the wafer W placed on the wafer stage 18 is also moved in the triaxial direction and the ⁇ direction together with the wafer stage 18.
  • Each motor of the stage moving mechanism is driven by a control signal from the control unit 40, and the positions of the Y-axis moving table 13, the X-axis moving table 14, the Z-axis moving table 16, and the ⁇ rotating unit 17 are detected by sensors. Are provided to the control unit 40.
  • control unit 40 controls the positions of the Y-axis moving table 13, the X-axis moving table 14, the Z-axis moving table 16, and the ⁇ rotation unit 17 and is held by the wafer stage 18 and the wafer stage 18.
  • the wafer W can be moved to a desired position.
  • the control unit 40 matches the arrangement direction of the chip electrode pads with the arrangement direction of the probe 26 based on the position of the probe 26 detected as described later and the position of each chip on the wafer W.
  • the wafer stage 18 is rotated by the ⁇ rotation unit 17. Then, after the electrode pad of the chip to be inspected is moved so as to be positioned below the probe 26, the wafer stage 18 is raised and the electrode pad is brought into contact with the probe 26.
  • each chip is carried out by the tester 30 described later by sequentially moving the electrode pad of each chip on the wafer W to a position where it contacts the probe 26.
  • stage moving mechanism is an example, and any configuration is possible as long as the mechanism can support the wafer W, which is the subject, on the wafer stage as described above and move it to a predetermined position. Also good.
  • the probe position detection camera 19 is fixed to the upper part of the above-described Z-axis moving table 16 with the imaging field of view facing upward, and the X-axis, Y-axis, and Z-axis are controlled by the control unit 40 as in the wafer stage 18. It moves in three axis directions.
  • the probe position detection camera 19 is connected to the control unit 40, and the control of the shooting operation of the probe position detection camera 19 is performed by the control unit 40, and an image shot by the probe position detection camera 19 is controlled by the control unit. 40.
  • control unit 40 moves the probe position detection camera 19 to a position below the probe card 25, images the probe 26 arranged on the probe card 25, and captures the image. Then, the tip position of the probe 26 is detected from the image, and the detected tip position of the probe 26 is detected as the position of the probe 26.
  • the position (XY coordinates) in the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction) of the tip of the probe 26 is the horizontal position of the probe position detection camera 19 at the time of imaging and the detected position in the image of the tip of the probe 26.
  • the position (Z coordinate) of the tip of the probe 26 in the vertical direction (Z-axis direction) (Z coordinate) can be obtained based on the focal position of the probe position detection camera 19.
  • Such detection of the probe position is performed every time the probe card 25 is replaced in accordance with the type of the wafer W as the subject, or is periodically performed after the probe card 25 is replaced.
  • the probe card 25 is usually provided with several thousand or more probes 26, and the positions of all the probes 26 are not obtained by using images taken by the probe position detection camera 19, but specific probes 26 are used. It is also possible to obtain only the position of the probe using the image taken by the probe position detection camera 19 and obtain the position of the other probe with reference to information (design data, etc.) relating to the arrangement of each probe in the probe card 25.
  • the wafer alignment camera 23 is supported by a support 22 fixed to the base 11 with the imaging field of view downward.
  • the wafer alignment camera 23 is connected to the control unit 40 so that the control of the wafer alignment camera 23 is performed by the control unit 40 and an image photographed by the wafer alignment camera 23 is captured by the control unit 40. It has become.
  • control unit 40 moves the wafer W supported by the wafer stage 18 to a position below the wafer alignment camera 23, images the wafer W, and captures the image. Then, the position of the electrode pad of each chip on the wafer W is detected from the image, and the position of each chip is detected based on the detected position of the electrode pad.
  • the position (X coordinate and Y coordinate) in the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction) of each chip is the horizontal position of the wafer stage 18 at the time of photographing and the detection of the electrode pad of each chip in the image. It can be determined by position.
  • the coordinates of the position of a specific electrode pad of each chip may be obtained as the position of each chip, or the coordinates of a predetermined position serving as a reference such as the center of each chip may be obtained as the position of the chip.
  • the positions of all the chips on the wafer W are not obtained by using the image photographed by the wafer alignment camera 23, but the positions of specific chips are obtained by using the image photographed by the wafer alignment camera 23, so that other chips can be obtained.
  • the position can also be obtained by referring to information (design data or the like) related to the arrangement of each chip on the wafer W.
  • the probe card holding mechanism includes a head stage 21, a card holder 24, and the like.
  • the head stage 21 is supported on the support columns 20, 20,... Supported on the base 11, and is disposed on the prober 10.
  • the head stage 21 is formed in a plate shape, and an opening is formed in a part thereof.
  • a card holder 24 is fixed to the opening, and a probe card 25 is detachably attached to the card holder 24.
  • the probe card 25 is held on the prober 10.
  • the probe card 25 is replaced according to the device to be inspected (type of the wafer W), and includes a large number of probes 26 arranged according to the electrode arrangement of the device to be inspected. The tip of each probe 26 is brought into contact with the electrode pad of each chip of the wafer W held on the wafer stage 18.
  • the probe card 25 is provided with terminals connected to the probes 26, and the probes 26 are electrically connected to the tester 30 through the terminals.
  • a single probing card having a number of probes necessary for inspecting one chip and a number of probes necessary for inspecting a plurality of chips are provided.
  • the tester 30 includes a tester main body 31 and a contact ring 32.
  • the tester body 31 is supported on the top of the prober 10 by a support mechanism (not shown).
  • a circuit for generating and outputting a test signal to be applied to each chip of the wafer W, which is the subject, and a circuit for inputting (capturing) a response signal output from each chip in response to the test signal are provided in the tester body 31.
  • a contact ring 32 is provided at the lower part of the tester body 31, and the contact ring 32 is arranged at the upper part of the probe card 25.
  • the contact ring 32 is provided with a large number of contacts connected to the circuit inside the tester body 31, and these contacts are in contact with terminals connected to the probes 26 of the probe card 25.
  • a test signal is applied from the tester body 31 to the chip in contact with the probe 26 via the probe 26, and a response signal output from the chip in response to the test signal is transmitted via the probe 26 to the tester. It is adapted to be taken into the main body 31. In the tester body 31, the performance of the chip is inspected based on the response signal, and the quality of the chip is determined.
  • the tester main body 31 is connected to the control unit 40 via a communication means so as to be communicable, and the control unit 40 can perform various instructions to the tester 30 and acquisition of inspection results.
  • the completion of inspection preparation is notified from the control unit 40 to the tester body 31.
  • the tester main body 31 performs chip performance inspection.
  • the tester body 31 notifies the control unit 40 of the end of the inspection, and the control unit 40 performs position control of the wafer W for bringing the next chip to be inspected into contact with the probe 26.
  • test result of each chip is given from the tester main body 31 to the control unit 40 and used as information such as display of the test result on the monitor 44 and marking of defective chips.
  • the control unit 40 like a general computer, is a processing unit (CPU) (Central Processing Unit) that performs calculation and control, a storage device (memory) that stores data temporarily or permanently, and exchanges signals with the outside.
  • the input / output device (I / O) (Input / Output) etc. which performs is comprised.
  • the control unit 40 is connected to the motor and sensor of the stage moving mechanism of the prober 10, the probe position detection camera 19, the wafer alignment camera 23, the tester main body 31 of the tester 30, the operation unit 42, the monitor 44 and the like through the I / O. .
  • the CPU executes various processes according to the program stored in the memory, thereby controlling the position of the wafer W (wafer stage 18) and the photographing operation of the probe position detection camera 19 and the wafer alignment camera 23 as described above. Control, capture of these captured images, capture of an operation signal corresponding to the operation of the operation unit 42, output of a display image on the screen of the monitor 44, and the like are appropriately performed.
  • the position of each chip (position of the electrode pad) of the wafer W as the subject is measured using the wafer alignment camera 23.
  • An alignment utility function is provided to assist the user in setting control parameters for alignment control.
  • the alignment control control for shortening the alignment control time (alignment time). It helps to set parameters.
  • the alignment is performed within a range that satisfies the alignment condition.
  • a control parameter setting for alignment control that can minimize the number of chips on which (position measurement) is performed is obtained by simulation and provided to the user.
  • the user can set the control parameters for the actual alignment control by referring to the information.
  • the user instructs the execution of the alignment utility by a predetermined operation of the operation unit 42.
  • the screen of the alignment utility is displayed on the screen of the monitor 44.
  • the user can operate the operation unit 42 to select a desired function from various functions included in the alignment utility function and perform processing as described below. ing.
  • the subject wafer W is a wafer attached to the dicing sheet S and mounted on the ring-shaped frame F (wafer fixed to the dicing frame) as shown in FIG.
  • the wafer W after dicing is divided into individual chips T, T, T,... Formed on the wafer W by the dicing apparatus.
  • the probe card 25 is assumed to be a card for multi-probing, and it is assumed that the probe 26 includes a probe that simultaneously contacts, for example, a 2 ⁇ 2 chip.
  • the variation accuracy display function is a function for displaying the variation accuracy of the probe contact position with respect to each chip of the wafer W as the subject.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a processing unit built in the control unit 40 when the CPU executes a program executed by the variation accuracy display function in the control unit 40.
  • a chip position actual measurement data acquisition unit (actual measurement data acquisition means) 50 when inspecting many wafers W of the subject shown in FIG. 2, a wafer stage 18 using one of the wafers W as a sample wafer. And all the chips are aligned by alignment control.
  • the wafer W placed on the wafer stage 18 is photographed by moving below the wafer alignment camera 23, and the arrangement direction of the chips in the vertical and horizontal directions of the wafer W is changed.
  • the wafer W moves (rotates) in the ⁇ direction so that these axial directions coincide with the X-axis direction and the Y-axis direction in the space of the prober 10.
  • the chips on the wafer W form a plurality of lines having a predetermined interval in the Y-axis direction.
  • the wafer W is separated by a predetermined distance in the X-axis direction.
  • the wafer alignment camera 23 is photographed as measurement points at which alignment is carried out by moving the chips one by one and out of a plurality of chips on the same line.
  • the position of the electrode pad of the chip at the measurement point is measured as the position of the chip.
  • the index size in the Y-axis direction (in the Y-axis direction) corresponding to the size of the chip of the wafer W in the Y-axis direction. Based on the distance between the centers of adjacent chips), the wafer W moves a predetermined distance in the Y-axis direction, and is performed on chips along a predetermined number of lines out of a plurality of lines.
  • the chip position actual measurement data acquisition unit 50 performs the alignment control as described above on the sample wafer, and sets the movement distance of the wafer W in the X-axis direction during the line alignment of each line as the index size in the X-axis direction.
  • the positions of all the chips on the wafer W are measured using the movement distance in the Y-axis direction of the wafer W when switching the line for performing line alignment as the index size in the Y-axis direction.
  • the positions of all the chips on the sample wafer are acquired as the actual measurement data (chip position actual measurement data), and the chip position actual measurement data is stored in the data storage unit 52.
  • the subject wafer W in the present embodiment is a wafer W after dicing divided into individual chips, and is fixed to the dicing frame as shown in FIG. Distortion occurs at the position of each chip (chip arrangement) on the wafer W after dicing as compared with the arrangement of chips before dicing, but the distortion has a certain tendency.
  • the chip position actual measurement data acquired by the chip position actual data acquisition unit 50 is the same type of wafer W after dicing divided into individual chips as in the case of the sample wafer, that is, each chip of the wafers W of all subjects. The position may be indicated.
  • the data storage unit 52 stores the chip position actual measurement data acquired by the chip position actual data acquisition unit 50, and also includes design data related to the arrangement of the chips before dicing of the subject wafer W and the type of the subject wafer W. Corresponding to the above, data necessary for the following calculation, such as design data relating to the arrangement of the probes 26 of the probe card 25 installed in the card holder 24 of the prober 10, is stored.
  • the storage medium for storing data as the data storage unit 52 is not limited to the storage medium built in the control unit 40, but is connected to the control unit 40 so as to be detachable, or connected to the control unit 40 so as to be communicable. It may be a storage medium of another device (such as a computer), or may include a plurality of those storage media, and data can be acquired by the control unit 40 (CPU). As long as it is in a state, it is not limited to a storage medium arranged at a specific location.
  • the shot position setting unit (shot position setting means) 54 sets the shot position at the time of probe contact control in which the electrode pad of the chip of the wafer W is brought into contact with the probe 26 of the probe card 25 at the time of inspection by the tester 30.
  • the wafer W of the subject placed on the wafer stage 18 moves in the X axis direction and the Y axis direction below the probe 26 and moves to the probe 26. Positioning in the X-axis and Y-axis directions of the target chip with which the electrode pad is brought into contact is performed.
  • the wafer W ascends (moves in the Z-axis direction) from the position, the electrode pad of the target chip contacts the probe 26, and the target chip is inspected by the tester 30.
  • the wafer W is lowered (moved in the Z-axis direction) and the target chip is separated from the probe 26.
  • This control is repeatedly performed while switching the target chip, and all the chips on the wafer W are inspected.
  • the shot position indicates the position on the wafer W where the probe 26 of the probe card 25 contacts.
  • the probe card 25 usually has a plurality of probes 26 that simultaneously contact a plurality of electrode pads, and the shot position indicates a position where these probes 26 contact the wafer W.
  • the range of chips that simultaneously contact the probe 26 is determined by setting one shot position. .
  • this shot position is set so that the probe 26 contacts all the chips of the wafer W and the X axis and Y with respect to the wafer W so that the probes 26 do not contact the same chip redundantly. It is set at a plurality of positions with different axial directions.
  • the shot position setting unit 54 sets such a shot position. Further, when setting the shot position, the shot position setting unit 54 stores design data regarding the chip arrangement (position) of the wafer W before dicing (the same type of wafer W as the subject) stored in the data storage unit 52. Reference is made to the above-described chip position actual measurement data, design data relating to the arrangement of the probes 26 of the probe card 25 (position of each probe), and the like.
  • the variation accuracy calculation unit (variation amount calculation unit) 56 sets the shot position based on each shot position set by the shot position setting unit 54 and data such as chip position actual measurement data stored in the data storage unit 52. Assuming that the probe contact control is performed according to the shot position set by the unit 54, the variation accuracy (deviation amount) of the position (probe contact position) where the probe 26 contacts each chip of the wafer W of the subject is calculated. To do.
  • the variation accuracy is a value indicating the magnitude and direction of deviation from the ideal contact position of the probe contact position in each chip, and may be the magnitude of deviation in each of the X-axis direction and the Y-axis direction. Can be represented.
  • the shot position can be set so that the probe 26 contacts the ideal contact position of each chip (for example, the center position of each electrode pad).
  • the variation accuracy (deviation amount) can be set to zero.
  • the position of each chip on the wafer W after dicing is the same as that before dicing. Since the position is shifted from the position of each chip (design data position) on the wafer W, the position where the probe 26 is in contact with each chip is also shifted from the ideal contact position, and the variation accuracy (deviation amount) is different from zero. It becomes.
  • the result image generation unit 58 generates a result image (to be described later) for visually displaying the variation accuracy result calculated by the variation accuracy calculation unit 56, and displays the result image on the screen of the monitor 44.
  • the chip position actual measurement data acquisition unit 50 places one wafer W among the wafers W of many subjects as a sample wafer on the wafer stage 18 as described above, and the wafer.
  • the alignment camera 23 is used to perform alignment of all chips (die) (all chip alignment).
  • the positions of all the chips on the wafer W are measured (actually measured), and the positions of the actually measured chips are stored in the data storage unit 52 as chip position actual measurement data.
  • step S10 need only be performed once on the subject wafer W.
  • the chip position actual measurement data of the subject wafer W is already stored in the data storage unit 52, There is no need to perform the process of step S10.
  • the shot position setting unit 54 is a wafer W of the same type as the subject wafer W, and the design data regarding the chip arrangement (position) of the wafer W before dicing, and the probe card 25.
  • Design data relating to the arrangement (position) of the probes 26 is read from the data storage unit 52.
  • a shot position for bringing the probe 26 into contact with the ideal contact position with respect to each chip of the wafer W before dicing is set.
  • the shot position set here is referred to as a shot position before correction in distinction from a shot position after correction described later.
  • the variation accuracy calculation unit 56 reads from the data storage unit 52 chip actual measurement data of the wafer W of the subject and design data related to the arrangement (position) of the probes 26 of the probe card 25. . Based on the data, when the probe 26 is brought into contact with the wafer W of the subject before the correction position set in step S12 (before correction set by the shot position setting unit 54). When the probe contact control is performed in accordance with the shot position, the variation accuracy (deviation amount) from the ideal contact position of the position where the probe 26 of the probe card 25 contacts the chips arranged at the actual measurement position is calculated.
  • step S16 the result image generation unit 58 generates a result image for visually displaying the variation accuracy of each chip calculated in step S14, and displays the result image on the screen of the monitor 44 as a variation accuracy display image.
  • FIG. 5 is a diagram showing a variation accuracy display image.
  • a variation accuracy display image 100 (simply referred to as a display image 100) is formed with a large number of square regions 102 surrounded by equally spaced lines in the horizontal direction and the vertical direction. They are arranged at equal intervals in the direction and the vertical direction.
  • Each of the square regions 102 represents one chip region, and each chip on the wafer W of the subject is associated with each square region 102 of the display image 100 according to the arrangement on the wafer W. ing.
  • the square region 102 includes a chip that does not correspond to any chip of the wafer W.
  • chips arranged in a row in the X-axis direction on the wafer W are also aligned in the X-axis direction on the display image 100.
  • Chips that are associated with the square regions 102 that are aligned in a row and that are aligned in the Y axis direction of the wafer W are also associated with the square regions 102 that are aligned in the Y axis direction on the display image 100.
  • this display image 100 a large number of square-shaped dots 104 are displayed corresponding to the square region 102 to which each chip of the wafer W is associated, and each of these dots 104 is in contact with the probe of each chip.
  • the variation accuracy (deviation amount) of the position from the ideal contact position is shown.
  • the result image generation unit 58 corresponds to each square region 102 with respect to the center position of each square region 102 based on the variation accuracy (deviation amount) calculated for each chip by the variation accuracy calculation unit 56.
  • the dots 104 are displayed at positions displaced in the size and direction according to the variation accuracy (shift amount) of the chip to be performed.
  • FIG. 6 is a diagram in which the four square regions 102 of the display image 100 in FIG. 5 are extracted and shown, in which a dot 104 is displayed in the lower right square region 102.
  • the center 104A of the dot 104 is displayed at a position shifted from the center 102A of the square region 102.
  • the magnitude of the amount of displacement from the center 102A of the square area 102 to the center 104A of the dot 104 indicates the magnitude of variation accuracy (the magnitude of deviation of the probe contact position from the ideal contact position), and the center of the square area 102
  • the direction of the center 104A of the dot 104 with respect to 102A indicates the direction of variation accuracy (the direction of deviation of the probe contact position from the ideal contact position).
  • the amount of displacement in the X-axis direction and the amount of displacement in the Y-axis direction from the center 102A of the square region 102 to the center 104A of the dot 104 are the amount of displacement in the X-axis direction of the probe contact position relative to the ideal contact position and the Y-axis. It is proportional to the amount of deviation in direction.
  • the display of such a display image 100 allows the user to visually grasp the variation accuracy of the position where the probe 26 contacts each chip of the wafer W.
  • each dot 104 shown in FIG. 5 may be displayed by changing at least one of lightness, hue, and saturation according to the degree of variation accuracy.
  • the display image 100 shows the difference between the probe contact position based on the actual measurement position of each chip and the ideal contact position as variation accuracy, but the actual measurement position (chip position) of each chip of the wafer W of the subject.
  • the difference between the position indicated by the actual measurement data) and the position on the wafer W before dicing (the ideal position indicated by the design data related to the chip arrangement of the wafer W) may be displayed in the same manner as the display image 100 as the variation accuracy.
  • the variation accuracy of each chip can be calculated based on the actual chip position data acquired in step S10 and the design data regarding the arrangement (position) of the wafers W before dicing.
  • step S ⁇ b> 16 for example, when the correction of the shot position is instructed by the user's operation of the operation unit 42, as the process of step S ⁇ b> 18, the shot position setting unit 54 The chip position actual measurement data of the wafer W is read from the data storage unit 52.
  • step S12 the shot position before correction set in step S12 is corrected, and the shot position at which the probe 26 can be optimally brought into contact with the measured position of each chip is set as the corrected shot position.
  • the probe card 25 is a card for multi-probing, and the probes 26 provided for the plurality of chips on the probe card 25 simultaneously contact the plurality of chips on the wafer W.
  • FIG. 7 shows a chip in which the probes 26 of the probe card 25 simultaneously contact at one shot position.
  • the probe 26 is, for example, in the X-axis direction with respect to the chips T, T,.
  • FIG. 8A is a diagram showing a part of the square area 102 extracted from the variation accuracy display image 100 before the shot position correction shown in FIG. 5, and the probe 26 of the probe card 25 of FIG. A square region 102 corresponding to four chips that simultaneously contact at a shot position is shown.
  • the position at which the probe 26 contacts the tip corresponding to each square area 102 is generally shifted to the lower left side from the ideal contact position. ing.
  • the shot position is displaced to the upper right side, shifted in the X direction and the Y axis direction with respect to each chip, and when the shot position is corrected to a position where the total sum of the variation accuracy in each chip is minimized, The position where the probe 26 contacts the tip can be brought close to the ideal contact position. If the variation accuracy of each chip at that time is displayed in the same manner as in FIG. 8A, each dot 104 is displayed at the approximate center of each square region 102 as shown in FIG. 8B.
  • step S ⁇ b> 18 when the setting of the corrected shot position in step S ⁇ b> 18 is completed, as the process in step S ⁇ b> 20, the variation accuracy calculation unit 56 performs step S ⁇ b> 18 on the subject wafer W as in the process in step S ⁇ b> 14.
  • the variation accuracy (deviation amount) of the probe contact position of each chip when the probe 26 is brought into contact with the corrected shot position set in step (b) is calculated.
  • step S22 the result image generation unit 58 generates a result image for visually displaying the variation accuracy of each chip calculated in step S20, and the monitor 44 as a variation accuracy display image after shot position correction. On the screen.
  • FIG. 9 is a view showing a variation accuracy display image after the shot position correction.
  • the variation accuracy display image 120 after shot position correction (simply referred to as the display image 120) shown in the figure is configured similarly to the variation accuracy display image 100 before shot position correction shown in FIG.
  • each dot 104 is displayed near the center of the square region 102.
  • the position where the probe 26 contacts each chip approaches the ideal contact position by correcting the shot position.
  • the user switches between the display image 100 before the shot position correction in FIG. 5 and the display image 120 after the shot position correction in FIG. 9 generated as described above by a predetermined operation of the operation unit 42, or Can be displayed side by side on the screen of the monitor 44, and by comparing them, it is possible to visually indicate how much the probe contact position of each chip is improved by correcting the shot position. Can grasp.
  • variation accuracy display image formed by the result image generation unit 58 is not limited to the form shown in FIGS. 5 and 9, and may be the form described below, and the user can display in different forms. Switching may be performed by operating the operation unit 42.
  • each square area 102 fills the inside of each square area 102 similar to FIG. 5 and FIG. 9 with a predetermined color, and changes any one of the brightness, saturation, and hue of the color to the variation accuracy of each chip ( The form which changed according to the magnitude
  • FIG. 11 is a form in which dots indicating the magnitude of variation accuracy in the X-axis direction of chips on the same line are connected by a straight line for each line in the X-axis direction of chips on the wafer W, and the horizontal axis of the graph Indicates the position of the chip in the X-axis direction, and the vertical axis indicates the magnitude of variation accuracy in the X-axis direction.
  • FIG. 11 exemplifies a variation accuracy display image before shot position correction.
  • FIG. 12 shows a variation accuracy display image after shot position correction displayed in the same manner as in FIG. Note that the magnitude of the variation accuracy in the Y-axis direction can also be displayed in the same manner as in FIGS.
  • the measurement point automatic calculation function automatically sets the measurement position (measurement point) at which alignment is performed during alignment control so that the alignment condition based on the condition value specified by the user is satisfied, and presents the result to the user. It is a function.
  • the measurement point indicates a chip that performs alignment (position measurement) among a large number of arranged chips.
  • a mode of the measurement point automatic calculation function a mode with different types of alignment conditions can be selected.
  • types of alignment conditions alignment conditions related to variation accuracy and alignment time are related. There are alignment conditions.
  • the alignment condition related to the variation accuracy is a condition that the alignment control is performed so that the variation accuracy of the probe contact position of each chip is less than or equal to the condition value specified by the user at the time of probe contact control.
  • a mode that employs a condition that the measurement points are selected to be uniform as a whole and a condition that the measurement points are partially increased or decreased are employed.
  • the first mode is called the first mode, and the latter mode is called the second mode.
  • the alignment condition relating to the alignment time is such that the alignment time required for the alignment control (the time required for completing the measurement of the position of the chip on which the alignment is performed) is not more than the condition value specified by the user.
  • a mode that employs this condition is referred to as a third mode.
  • the user can select and execute a desired mode from the first to third modes of the automatic measurement point calculation function.
  • the first to third modes will be described in order.
  • FIG. 13 is a block diagram showing a processing unit built in the control unit 40 when the CPU executes a program for executing the first mode of the measurement point automatic calculation function in the control unit 40.
  • the chip position actual measurement data acquisition unit 50, the data storage unit 52, the shot position setting unit 54, the variation accuracy calculation unit 56, and the result image generation unit 58 shown in the figure are the same as the processing units with the same reference numerals described in FIG. Compared with FIG. 3, the measurement point setting unit (measurement point setting unit, measurement point changing unit) 60, the determination unit (determination unit) 62, the condition value input unit (condition value input unit) 64 is added. Note that the processing contents of the chip position actual measurement data acquisition unit 50 and the data storage unit 52 are completely the same as the processing contents described in FIG.
  • the measurement point setting unit 60 sets a chip to be subjected to alignment (actual measurement of the chip position (XY coordinates)) as a measurement point.
  • FIG. 14 is a diagram exemplifying how measurement points are set using a diagram in which each chip of the wafer W is represented by a square region 102, as in FIG.
  • a part of the chip (corresponding square area) set as the measurement point is indicated by reference numeral TP.
  • the measurement point chip As the measurement point chip, the center chip and the center of the chips T on the wafer W are displayed.
  • a predetermined number of chips in the X-axis direction (measurement interval in the X-axis direction)
  • a predetermined number of chips (number of lines) in the Y-axis direction Is selected.
  • the line that is the center in the Y-axis direction and the interval of the predetermined number of chips (lines) in the Y-axis direction with respect to the center line A line having a (measurement interval in the Y-axis direction) is selected as a measurement line, and among the chips arranged on each of the measurement lines, a chip that is the center in the X-axis direction and a chip at the center Chips that are spaced by a predetermined number of chips (measurement interval in the X-axis direction) are selected as measurement point chips.
  • FIG. 14 a state in which the measurement intervals in the X-axis direction and the Y-axis direction are both set to 4 is shown.
  • the uppermost line and the lowermost line are always selected as measurement lines, and among the chips of each line selected as the measurement line, The tip is always selected as the tip for the measurement point.
  • the number of chips indicating the measurement interval in the X-axis direction and the number of chips (number of lines) indicating the measurement interval in the Y-axis direction are specified by the determination unit 62, and the measurement point setting unit 60 Measurement points are set according to the values of the measurement intervals designated by the determination unit 62.
  • the shot position setting unit 54 reads the chip position actual measurement data of the chip at the measurement point set by the measurement point setting unit 60 from the data storage unit 52, and is optimal at the time of probe contact control based on the read chip position actual measurement data. Set the shot position.
  • the variation accuracy calculation unit 56 is based on the shot position set by the shot position setting unit 54 and the chip position actual measurement data of all the chips stored in the data storage unit 52. The variation accuracy (deviation amount) of the probe contact position of each chip is calculated.
  • the determination unit 62 gives an instruction for setting and changing the measurement point for performing alignment to the measurement point setting unit 60, and the shot position setting unit 54 and the variation accuracy calculation for the measurement point set and changed accordingly.
  • the calculation result of the variation accuracy of the probe contact position of each chip calculated by the unit 56 is acquired.
  • the determination unit 62 determines whether or not the variation accuracy calculation result satisfies the alignment condition based on the condition value input by the condition value input unit 64. Based on the result of the determination, an optimum measurement point setting is detected.
  • the determination unit 62 performs the alignment control so that the variation accuracy of each chip is equal to or less than the condition value given by the condition value input unit 64 as the alignment condition. It is determined whether or not the chip variation accuracy is equal to or less than a condition value.
  • the determination unit 62 obtains the setting when the number of measurement points is the smallest among the measurement point settings that satisfy the alignment condition as the optimum measurement point setting.
  • the condition value input unit 64 displays a condition setting screen for inputting a condition value related to the alignment condition on the screen of the monitor (output means) 44, and the condition value input by the user through the operation unit 42 on the condition setting screen To get.
  • the condition value is given to the determination unit 62.
  • the result image generation unit 58 generates a result image that presents information related to the setting of the optimum measurement point detected by the determination unit 62 to the user, and displays the result image on the screen of the monitor 44.
  • the condition value input unit 64 displays a condition setting screen on the monitor 44, takes in the condition value of the alignment condition input by the user, and gives the condition value to the determination unit 62.
  • This condition value indicates a limit value (upper limit value) that can be accepted as variation accuracy of each chip.
  • the chip position actual measurement data acquisition unit 50 places one wafer W among the wafers W of many specimens on the wafer stage 18 as a sample wafer, as in step S10 described above. Then, alignment (all chip alignment) of all the chips (die) is performed using the wafer alignment camera 23.
  • the positions of all the chips on the wafer W are measured (actually measured), and the positions of the actually measured chips are stored in the data storage unit 52 as chip position actual measurement data.
  • step S32 only needs to be performed once on the subject wafer W.
  • the chip position measurement data of the subject wafer W is already stored in the data storage unit 52, There is no need to perform the process of step S32.
  • the shot position setting unit 54 is the same type of wafer W as the subject wafer W, and design data regarding the arrangement (position) of the chips of the wafer W before dicing, and the probe card 25.
  • Design data relating to the arrangement (position) of the probes 26 is read from the data storage unit 52.
  • a shot position for bringing the probe 26 into contact with the ideal contact position with respect to each chip of the wafer W before dicing is set. Note that the shot position set here indicates the shot position before correction as described above.
  • step S36 the determination unit 62 instructs the measurement point setting unit 60 to set the measurement intervals of the measurement points in the X-axis direction and the Y-axis direction to 0.
  • the measurement point setting unit 60 sets a measurement point according to the measurement interval values in the X-axis direction and the Y-axis direction of the measurement point instructed by the determination unit 62.
  • the measurement point setting unit 60 sets all the chips on the wafer W as the chips of the measurement points.
  • step S 40 the shot position setting unit 54 reads from the data storage unit 52 chip position actual measurement data of the measurement point chip set by the measurement point setting unit 60.
  • the shot position setting unit 54 corrects each pre-correction shot position set in step S34 based on the actual measured position of the chip at the measurement point (the position of the actual chip position data), and the position of each chip is corrected.
  • a shot position at which the probe 26 can be brought into optimum contact is set as a corrected shot position.
  • the position of the chip other than the measurement point is calculated (estimated). For example, a non-measurement point chip arranged between two chips adjacent to each other in the X-axis direction (on the same line) among the measurement point chips connects the actual measurement positions of the two measurement point chips. Assuming that the chips are arranged at equal intervals on a straight line, the positions of the chips at the points to be measured are calculated.
  • a non-measurement point chip arranged between the two measurement point chips is linear (The tip position of the point to be measured is calculated as having a linear error.
  • the position of the chip at the non-measurement point arranged between the two measurement point chips adjacent in the Y-axis direction can be calculated. Further, based on the positions of the chips at the non-measurement points calculated in this way, the positions of the chips at other non-measurement points arranged between the positions of the chips can be calculated in the same manner.
  • the method of calculating the position of the non-measurement point based on the actual measurement position of the measurement point chip is not limited to this, and any method can be applied.
  • the shot position is set based on the position of each chip obtained as described above (the actual position of each chip at the measurement point and the calculated position of each chip at the non-measurement point calculated as described above).
  • the unit 54 calculates a shot position where the probe 26 can be optimally brought into contact with the positions of the tips, and sets the shot position as a corrected shot position.
  • each range when the probe 26 of the probe card 25 is divided by the range of the probe 26 that contacts one chip is shown as sites 1 to 8.
  • any form of correction methods such as site 1 position reference correction, multisite diagonal both end reference correction, and all multisite reference correction can be adopted.
  • the shot position setting unit 54 corrects the shot position based on the position of the tip that the probe 26 of the site 1 contacts at each shot position. Specifically, the contact position of the probe at the site 1 with respect to the tip of the probe becomes the ideal contact position, that is, the error of the contact position with respect to the tip of the probe 26 at the site 1 (deviation amount from the ideal contact position) is eliminated. In addition, each shot position is corrected.
  • the position (actually measured position and calculated position) of the chip where the probes 26 of the respective sites 1 to 8 of the probe card 25 simultaneously contact at a certain shot position is an error (design) as indicated by the chips T1 to T8 in FIG. 22B. Error from the data position).
  • the contact positions of the sites 1 to 8 of the probe card 25 with respect to the chips T1 to T8 are set as indicated by broken lines.
  • the corrected shot position is set so that there is no error in the contact position of the probe 26 at the site 1 with respect to the tip T1 as shown in FIG. 22C.
  • the shot position setting unit 54 determines the shot position based on the positions of the tips of the probes 26 on the lower left and upper right sites of the probe card 25 at each shot position. to correct. Specifically, in the setting of the shot position before correction, the average of the error of the contact position with respect to the tip of the probe 26 at the lower left and upper right sites of the probe card 25 is obtained, and the shot is made to cancel the error (average). The shot position is corrected by shifting the position.
  • the site 1 of the probe card 25 corresponds to the lower left site and the site 8 corresponds to the upper right site. Then, an average of the error in the contact position of the probe 26 at the site 1 and the error in the contact position of the probe 26 at the site 8 is obtained, and the shot position is corrected so as to cancel the error, thereby setting the corrected shot position. .
  • FIG. 22D shows a case where there are errors in the positions of the chips T1 to T8 where the probes 26 of the respective sites 1 to 8 of the probe card 25 simultaneously contact at a certain shot position, as shown in FIG. 22B.
  • the shot position after the correction when the partial reference correction is performed (the position where the probe 26 of each site 1 to 8 contacts each chip T1 to T8) is shown.
  • the shot position setting unit 54 corrects the shot position based on the positions of the chips that the probes 26 of all the sites of the probe card 25 contact at each shot position. Specifically, in the setting of the shot position before correction, an average of contact position errors with respect to the tips of the probes 26 at all sites of the probe card 25 is obtained, and the shot position is set so as to cancel the error (average). The shot position is corrected by shifting. In the case of the probe card 25 shown in FIG. 22A, the corrected shot position is obtained by calculating the average of the contact position errors of the probes 26 at all the sites 1 to 8 and shifting the shot position so as to cancel the error. Set.
  • FIG. 22E shows all multi-site diagonals when there is an error in the positions of the chips T1 to T8 where the probes 26 of the respective sites 1 to 8 of the probe card 25 simultaneously contact at a certain shot position as shown in FIG. 22B.
  • the shot positions after correction when the both-end reference correction is performed are shown.
  • the form of the shot position correction method as described above can be applied as processing when correcting the shot position in the present embodiment.
  • any correction method described here can be applied.
  • the correction of the shot position is not limited to the above form, and any correction is possible as long as the error of the contact position of the probe 26 at each site of the probe card 25 is smaller as compared with the shot position before the correction. Such a method may be used.
  • the variation accuracy calculation unit 56 relates to the chip position actual measurement data of all the chips from the data storage unit 52 and the arrangement (position) of the probes 26 of the probe card 25. Read design data. Based on these data, when the probe 26 is brought into contact with the wafer position W of the subject at the shot position after correction set in step S40, a probe card is attached to each chip arranged at the actual measurement position. The variation accuracy from the ideal contact position of the position where the 25 probes 26 contact is calculated.
  • step S44 the determination unit 62 compares the variation accuracy of each chip calculated by the variation accuracy calculation unit 56 in step S42 with the condition value given by the condition value input unit 64 in step S30. Then, it is determined whether or not the variation accuracy of all the chips is less than or equal to the condition value.
  • step S46 when it determines with YES, it transfers to the process of step S46, and when it determines with NO, it transfers to step S52.
  • step S46 when it is determined YES in step S44, the determination unit 62 determines whether or not the current value of the measurement interval in the X-axis direction is equal to the current value of the measurement interval in the Y-axis direction. . As a result of the determination, when it is determined YES, the process proceeds to step S48, and when it is determined NO, the process proceeds to step S50.
  • step S48 when it is determined YES in step S46, the determination unit 62 designates a value obtained by adding 1 to the current value for the measurement interval in the X-axis direction to the measurement point setting unit 60. .
  • the measurement value in the Y axis direction is designated as it is. Then, the process returns to step S38.
  • steps S38 to S42 the variation accuracy of each chip is calculated for the measurement point setting in which the measurement interval in the X-axis direction is increased by one chip and the number of measurement points is reduced. It is determined whether or not the variation accuracy of all the chips is less than or equal to the condition value.
  • step S50 when NO is determined in step S46, the determination unit 62 designates a value obtained by adding 1 to the current value for the measurement interval in the Y-axis direction to the measurement point setting unit 60. .
  • the current value is designated as it is for the measurement interval in the X-axis direction. Then, the process returns to step S38.
  • steps S38 to S42 the variation accuracy of each chip is calculated with respect to the measurement point setting in which the measurement interval in the Y-axis direction is increased by one chip and the number of measurement points is reduced. It is determined whether or not the variation accuracy of all the chips is less than or equal to the condition value.
  • step S44 when it is determined as YES in step S44, that is, when the variation accuracy of all the chips is equal to or less than the condition value, the alignment condition regarding the variation accuracy desired by the user is satisfied. This is a state where the number of measurement points can be reduced. Therefore, in steps S46 to S50, processing for alternately increasing the measurement interval in the X-axis direction and the measurement interval in the Y-axis direction is performed.
  • 16A to 16C show a state in which the measurement interval is increased using a diagram in which each chip of the wafer W is represented by the square region 102, as in FIG. 5, and the wafer W is sequentially arranged in FIGS. 16A, 16B, and 16C.
  • the interval (measurement interval) between the chips TP as measurement points is increased.
  • step S44 determines whether the current value of the measurement interval in the X-axis direction and the current value of the measurement interval in the Y-axis direction are the processing of step S52.
  • the last changed value that is, a value obtained by subtracting 1 from the value of the measurement interval changed by the last process in step S48 or step S50 is changed.
  • the other measurement interval remains at the current value.
  • the measurement point setting (setting state) based on the measurement intervals in the X-axis direction and the Y-axis direction obtained thereby is determined as the optimum measurement point setting (optimum measurement point setting). That is, the setting of the measurement point immediately before the alignment condition relating to the variation accuracy desired by the user is not satisfied is determined as the optimum measurement point setting.
  • This setting indicates a setting that minimizes the number of measurement points among the settings that satisfy the alignment condition.
  • the result image generation unit 58 generates a result image that displays the setting of the optimum measurement point determined in step S52, and displays the result image on the screen of the monitor 44.
  • a variation accuracy display image as shown in FIGS. 9 to 11 may be displayed on the screen of the monitor 44.
  • the number of measurement points is sequentially decreased to detect the setting of the measurement point when the variation accuracy of all chips is equal to or less than the condition value, and the setting immediately before is detected as the optimum measurement.
  • the point setting is not limited to this, but the number of measurement points is sequentially increased to detect the measurement point setting when the variation accuracy of all chips is below the condition value, and the setting is optimally measured. It is also possible to set points.
  • the measurement accuracy is calculated by changing the measurement point settings sequentially in any way, and among them, the measurement accuracy is set so that the variation accuracy of all chips is less than the condition value and the number of measurement points is minimized. What is necessary is just to detect and determine as an optimal measurement point setting. Similar changes can be made in the second mode described below.
  • control unit 40 the processing unit constructed in the control unit 40 by the CPU executing the program for executing the second mode of the measurement point automatic calculation function has the same configuration as the block diagram shown in FIG. Therefore, the description is omitted.
  • the processing contents of the measurement point setting unit 60 and the determination unit 62 are different from those in the first mode, and the processing contents of the processing units 50 to 64 in the second mode of the automatic measurement point calculation function are as follows. A description will be given using the flowcharts of FIGS. 17 and 18 together with the contents and the processing procedure. Note that, in the flowchart of FIG. 17, steps in which the same processing as in the first mode is performed are assigned the same step numbers.
  • the condition value input unit 64 displays a condition setting screen on the monitor 44, takes in the condition value of the alignment condition input by the user, and gives the condition value to the determination unit 62.
  • the condition value indicates a limit value (upper limit value) that can be accepted as the variation accuracy of each chip.
  • the chip position actual measurement data acquisition unit 50 places one wafer W of the wafers W of many subjects on the wafer stage 18 as a sample wafer, and the wafer alignment camera 23.
  • the alignment (all chip alignment) of all the chips (die) is performed using
  • the positions of all the chips on the wafer W are measured (actually measured), and the positions of the actually measured chips are stored in the data storage unit 52 as chip position actual measurement data.
  • step S32 only needs to be performed once on the subject wafer W.
  • the chip position measurement data of the subject wafer W is already stored in the data storage unit 52, There is no need to perform the process of step S32.
  • the shot position setting unit 54 is the same type of wafer W as the subject wafer W, and design data regarding the arrangement (position) of the chips of the wafer W before dicing, and the probe card 25.
  • Design data relating to the arrangement (position) of the probes 26 is read from the data storage unit 52.
  • a shot position for bringing the probe 26 into contact with the ideal contact position with respect to each chip of the wafer W before dicing is set.
  • the shot position set here indicates the shot position before correction.
  • step S36 the determination unit 62 instructs the measurement point setting unit 60 to set the measurement intervals of the measurement points in the X-axis direction and the Y-axis direction to 0.
  • the measurement point setting unit 60 sets a measurement point according to the measurement interval values in the X-axis direction and the Y-axis direction of the measurement point instructed by the determination unit 62.
  • the measurement point setting unit 60 sets all the chips on the wafer W as the chips of the measurement points.
  • the measurement point is set according to the determination.
  • step S 40 the shot position setting unit 54 reads from the data storage unit 52 chip position actual measurement data of the measurement point chip set by the measurement point setting unit 60.
  • the shot position setting unit 54 corrects the pre-correction shot position set in step S34 based on the actually measured position of the chip at the measurement point, and makes the probe 26 optimally contact the position of each chip.
  • the possible shot position is set as the corrected shot position.
  • the variation accuracy calculation unit 56 reads the chip position actual measurement data of all the chips and the design data related to the arrangement (position) of the probes 26 of the probe card 25 from the data storage unit 52. Then, based on these data, when the probe 26 is brought into contact with the wafer W of the subject at the corrected shot position set in step S38, the probe card is attached to each chip arranged at the actual measurement position. The variation accuracy from the ideal contact position of the position where the 25 probes 26 contact is calculated.
  • step S44 the determination unit 62 compares the variation accuracy of each chip calculated by the variation accuracy calculation unit 56 in step S42 with the condition value given by the condition value input unit 64 in step S30. Then, it is determined whether or not the variation accuracy of all the chips is less than or equal to the condition value.
  • step S46 when it determines with YES, it transfers to the process of step S46, and when it determines with NO, it transfers to step S60 of FIG.
  • step S46 when it is determined YES in step S44, the determination unit 62 determines whether or not the current value of the measurement interval in the X-axis direction is equal to the current value of the measurement interval in the Y-axis direction. . As a result of the determination, when it is determined YES, the process proceeds to step S48, and when it is determined NO, the process proceeds to step S50.
  • step S48 when it is determined YES in step S46, the determination unit 62 designates a value obtained by adding 1 to the current value for the measurement interval in the X-axis direction to the measurement point setting unit 60. .
  • the measurement value in the Y axis direction is designated as it is. Then, the process returns to step S38.
  • step S38 to step S42 with respect to the measurement point setting in which the measurement interval in the X-axis direction other than the fixed range determined by the measurement point chip is increased by one chip and the number of measurement points is reduced.
  • the variation accuracy of each chip is calculated, and it is determined in step S44 whether the variation accuracy of all the chips is equal to or less than the condition value.
  • step S50 when NO is determined in step S46, the determination unit 62 designates a value obtained by adding 1 to the current value for the measurement interval in the Y-axis direction to the measurement point setting unit 60. .
  • the current value is designated as it is for the measurement interval in the X-axis direction. Then, the process returns to step S38.
  • step S38 to step S42 with respect to the measurement point setting in which the measurement interval in the Y-axis direction other than the fixed range determined by the measurement point chip is increased by one chip and the number of measurement points is reduced.
  • the variation accuracy of each chip is calculated, and it is determined in step S44 whether the variation accuracy of all the chips is equal to or less than the condition value.
  • step S44 when it is determined NO in step S44, as the process of step S60 in FIG. 18, the determination unit 62 selects a chip whose variation accuracy is equal to or greater than the condition value.
  • the determination unit 62 sets a rectangular range surrounding the chip selected in step S60 as an individual calculation range. Note that the shot position including the chip selected in step S44 may be selected, and the minimum range including the selected shot position may be set as the individual calculation range.
  • the determination unit 62 instructs the measurement point setting unit 60 to decrease the measurement interval of the individual calculation range and increase the measurement point.
  • the measurement interval in the Y-axis direction is set to the current value
  • the measurement interval in the X-axis direction is set to a value obtained by reducing the current value by 1
  • the measurement interval in the X-axis direction is set to the current value.
  • Specifying a value as a value obtained by reducing the Y-axis direction measurement interval by 1 with respect to the current value is alternately specified each time the process of step S64 is repeated.
  • the measurement point setting unit 60 relates to the chips in the individual calculation range set by the determination unit 62 according to the measurement interval values in the X-axis direction and the Y-axis direction specified by the determination unit 62. Set the measurement point.
  • FIG. 19 is a diagram showing a state in which the measurement interval of the individual calculation range is set using a diagram in which each chip of the wafer W is represented by the square region 102, as in FIG.
  • the chips selected in step S60 are three chips indicated by the symbol TS
  • a range including these chips TS is set as the individual calculation range 130 in step S62.
  • a chip indicated by the symbol TR is set as a chip of the measurement point in the individual calculation range 130.
  • measurement points are newly set regardless of the measurement points outside the individual calculation range 130 so that the peripheral chip of the individual calculation range 130 becomes the measurement point chip.
  • step S ⁇ b> 68 the shot position setting unit 54 stores the chip position actual measurement data of all the chips of the measurement points in the individual calculation range set by the measurement point setting unit 60 from the data storage unit 52. Read.
  • the shot position before correction of the individual calculation range set in step S34 is corrected, and the probe 26 is set to the position of each chip in the individual calculation range.
  • the shot position that can be optimally contacted is set as the corrected shot position.
  • step S70 the variation accuracy calculation unit 56, from the data storage unit 52, the chip position actual measurement data of all the chips in the individual calculation range, the design data regarding the arrangement (position) of the probes 26 of the probe card 25, and Is read. Based on the data, when the probe 26 is brought into contact with the corrected shot position set in step S68 with respect to the individual calculation range of the wafer W, the probe is connected to each chip arranged at the actual measurement position. The variation accuracy from the ideal contact position of the position where the probe 26 of the card 25 contacts is calculated.
  • the determination unit 62 uses the variation accuracy of each chip in the individual calculation range calculated by the variation accuracy calculation unit 56 in step S70 as the condition given by the condition value input unit 64 in step S30. The values are compared with each other to determine whether or not the variation accuracy of all chips is equal to or less than the condition value. If NO is determined, the process returns to step S64, the measurement interval is decreased, the number of measurement points is increased, and the processes of steps S66 to S72 are repeated.
  • the determination unit 62 determines the current measurement point setting of the individual calculation range as the optimal measurement point setting (optimum measurement point setting).
  • the determination unit 62 sets the chip of the individual calculation range as the chip of the fixed range (the range where the measurement point setting is fixed).
  • the determination unit 62 determines whether all the chips on the wafer W have been set as chips in the fixed range. When it determines with NO, it transfers to step S46 of FIG. 17, and when it determines with YES, it transfers to step S80.
  • step S46 when it is determined NO in step S78, the range already set as the fixed range is fixed to the measurement point determined in step S74 without changing the measurement point. Note that regarding the fixed range, the calculation of the variation accuracy in step S42 and the determination in step S44 may not be performed.
  • step S80 when it is determined as YES in step S78, the determination unit 62 determines the measurement point setting determined in each fixed range as the optimum measurement point setting.
  • the result image generation unit 58 generates a result image that displays the setting of the optimum measurement point determined in step S80, and displays the result image on the screen of the monitor 44.
  • the variation accuracy display image as shown in FIGS. 9 to 11 may be displayed on the screen of the monitor 44.
  • FIG. 20 is a block diagram showing a processing unit built in the control unit 40 when the CPU executes a program for executing the third mode of the measurement point automatic calculation function in the control unit 40.
  • the data storage unit 80 corresponds to the data storage unit 52 shown in FIG. 3, and design data relating to the arrangement of chips before dicing of the wafer W that is the subject, and the wafer W placed on the wafer stage 18 by the stage moving mechanism. Data necessary for calculating the following alignment time, such as data relating to the control of the stage moving mechanism such as the maximum speed and acceleration when moving the lens, is stored.
  • the measurement point setting unit 82 sets, as the measurement point, a chip that performs alignment (actual measurement of the position (XY coordinates) of the chip) in the same manner as the measurement point setting unit 60 described above.
  • the measurement point is set according to the number of chips indicating the measurement interval in the X-axis direction and the number of chips (number of lines) indicating the measurement interval in the Y-axis direction specified by the determination unit 86.
  • the alignment time calculation unit (alignment time calculation means) 84 performs alignment control according to the measurement points set by the measurement point setting unit 82, and the alignment time required for the alignment control (all the alignment of the chips at the measurement points is completed). Time required).
  • the determination unit 86 gives an instruction for setting and changing the measurement point for performing alignment to the measurement point setting unit 82, and the alignment time calculation unit 84 calculates the measurement point set and changed accordingly. Get alignment time.
  • the alignment condition is that the alignment control is performed such that the alignment time is equal to or less than the condition value given by the condition value input unit 88, and the determination unit 86 determines whether the alignment time is equal to or less than the condition value. Determine.
  • the optimal measurement point setting indicates how much the number of measurement points should be reduced so that the alignment time is less than or equal to the condition value.
  • the condition value input unit 88 displays a condition setting screen for inputting a condition value related to the alignment condition on the screen of the monitor 44, and acquires the condition value input by the operation of the operation unit 42 on the condition setting screen.
  • the condition value is given to the determination unit 86.
  • the result image generation unit 90 generates a result image that presents information related to the setting of the optimal measurement point detected by the determination unit 86 to the user, and displays the result image on the screen of the monitor 44.
  • the condition value input unit 88 displays a condition setting screen on the monitor 44, takes in the condition value of the alignment condition input by the user, and gives the condition value to the determination unit 62.
  • This condition value indicates a limit value (upper limit value) allowable as the alignment time.
  • the alignment time calculation unit 84 is the same type of wafer W as the subject wafer W, and the design data (X-axis direction and the X-axis direction) is related to the chip arrangement (position) of the wafer W before dicing. Data of the index size in the Y-axis direction) and data on the maximum speed and acceleration of the wafer W moved by the stage moving mechanism during alignment control are read from the data storage unit 80.
  • the alignment time calculation unit 84 acquires the time when the wafer W is stopped and the wafer alignment camera 23 takes an image from the data storage unit 80 during the alignment control.
  • step S106 the determination unit 86 instructs the measurement point setting unit 82 to set the measurement intervals of the measurement points in the X-axis direction and the Y-axis direction to zero.
  • the measurement point setting unit 82 sets a measurement point according to the measurement interval values in the X-axis direction and the Y-axis direction of the measurement point instructed by the determination unit 86.
  • the measurement point setting unit 82 sets all the chips on the wafer W as the chips of the measurement points.
  • the alignment time calculation unit 84 performs alignment of the chips at the measurement points set by the measurement point setting unit 82, and the alignment time required for alignment of the chips at all the measurement points, That is, the alignment time required for alignment control using all chips as measurement points is calculated based on the data read in step S102 and step S104.
  • the determination unit 86 compares the alignment time calculated by the alignment time calculation unit 84 in step S112 with the condition value given by the condition value input unit 88 in step S100. It is determined whether or not the alignment time thus obtained is equal to or less than a condition value.
  • step S114 when it is determined NO, the process proceeds to step S114, and when it is determined YES, the process proceeds to step S120.
  • step S114 when NO is determined in step S112, the determination unit 86 determines whether or not the current value of the measurement interval in the X-axis direction is equal to the current value of the measurement interval in the Y-axis direction. . As a result of the determination, if it is determined YES, the process proceeds to step S116, and if it is determined NO, the process proceeds to step S118.
  • step S116 when YES is determined in step S114, the determination unit 86 designates a value obtained by adding 1 to the current value for the measurement interval in the X-axis direction to the measurement point setting unit 82. .
  • the measurement value in the Y axis direction is designated as it is. Then, the process returns to step S108.
  • the alignment time for the measurement point setting in which the measurement interval in the X-axis direction is increased by one chip and the number of measurement points is reduced is calculated in steps S108 and S110, and the alignment time is set as a condition value in step S112. A determination is made whether or not:
  • step S118 when NO is determined in step S114, the determination unit 86 designates a value obtained by adding 1 to the current value in the measurement interval in the Y-axis direction to the measurement point setting unit 82. .
  • the current value is designated as it is for the measurement interval in the X-axis direction. Then, the process returns to step S108.
  • the alignment time for the measurement point setting in which the measurement interval in the Y-axis direction is increased by one chip and the number of measurement points is reduced is calculated in steps S108 and S110, and the alignment time is set as the condition value in step S112. A determination is made whether or not:
  • step S120 when YES is determined in step S112, the determination unit 86 sets the measurement point setting based on the current measurement interval in the X-axis direction and the Y-axis direction (optimal measurement point setting). Setting).
  • the result image generation unit 90 generates a display image that displays the setting of the optimum measurement point determined in step S120 and displays it on the screen of the monitor 44.
  • the measurement interval values in the X-axis direction and the Y-axis direction in the optimum measurement point setting, the total number of measurement points, the alignment time in the optimum measurement point setting, and the optimum measurement point chip as shown in FIG. The displayed figure or the like is displayed on the screen of the monitor 44 as a result image.
  • variation accuracy in each chip is calculated for the optimum measurement point setting by the processing in steps S30 to S34 and steps S38 to S42 in FIG. You may make it display by the maximum value, the minimum value, and the variation accuracy display image as shown in FIGS.
  • the number of measurement points is sequentially decreased to detect the measurement point setting when the alignment time is equal to or less than the condition value, and the optimum measurement point setting is set.
  • the number of measurement points may be sequentially increased to detect the measurement point setting when the alignment time exceeds the condition value, and the setting immediately before that may be set as the optimum measurement point setting. That is, the measurement time setting is sequentially changed by an arbitrary method to calculate the alignment time. Of these, the alignment time is equal to or less than the condition value and the alignment time is the maximum (the maximum number of measurement points). The setting may be detected and determined as the optimum measurement point setting.
  • the wafer W of the subject is a wafer after dicing that is divided into individual chips.
  • the present invention is applicable even when the wafer before dicing is the wafer W of the subject. It is not limited to the wafer of the form.
  • the probe card 25 is a multi-probing card, it can be a single-probing card.
  • the alignment utility function described in the above embodiment is not necessarily implemented in the control unit that controls the prober 10, and an apparatus that implements the alignment utility function can store necessary data as a recording medium,
  • a device separate from the control unit that controls the prober 10 may be used as long as it is a device (such as a computer) that can be acquired through communication means.

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Abstract

 プローブ装置は、アライメントユーティリティ機能を備える。各チップにプローブを接触させる際の接触位置のばらつき量(ばらつき精度)に関してユーザが条件値を入力すると(ステップS30)、1枚のウエハの全てのチップの位置を測定して取得した実測データ(ステップS32)を用いたシミュレーションにおいて、アライメントを実施する測定ポイントを変更しながら(ステップS38、S46、S48、S50)、各チップのばらつき精度を算出し(ステップS42)、そのばらつき精度が条件値以下で、かつ、測定ポイントの数が最小となるような最適な測定ポイントの設定を算出する(ステップS44、S52)。そして、その情報をユーザに提供する(ステップS50)。

Description

プローブ装置のアライメント支援装置及びアライメント支援方法
 本発明はプローブ装置のアライメント支援装置及びアライメント支援方法に係り、特に半導体ウエハ上に形成された複数の集積回路等の半導体素子(チップまたはダイ)の電気的特性を試験するプローブ装置のアライメント支援装置及びアライメント支援方法に関する。
 半導体製造工程において、ダイシング工程では、ダイシング装置によってダイシングフレームに固定された円板状の半導体ウエハが複数のチップ(ダイ)に切り分けられる。このダイシング工程の前、又は、後において各チップの電気的特性を検査するウエハテスト工程が行われており、このウエハテスト工程においてプローブ装置が用いられている。
 プローブ装置は、テスタに接続されたプローブカードのプローブをチップの電極パッドに接触させるための装置であり、テスタからチップにプローブを介して電源及び各種の試験信号を供給し、チップの電極から出力される応答信号を、プローブを介してテスタで取得し、解析して正常に動作するかの確認が行われるようになっている(特許文献1、特許文献2参照)。このようなプローブ装置において、ダイシング前後にかかわらず、ダイシングフレームに固定された状態のウエハをステージに固定してテストを行うことができるものが知られている。
特開2007-95938号公報 特開2011-222851号公報
 ところで、WLCSP(Wafer level chip size package)ウエハやCSP(Chip size package)は、チップが個別に切断されているため、各チップのインデックスサイズは数μmから数十μmオーダーでばらつきがある。
 そのためウエハの全てのチップ内のパッドに対して、精度良くプローブを接触させるためには、通常のウエハアライメントに加え、各チップ(ダイ)のアライメントを実施することが望ましい。
 しかしながら、全てのチップのアライメントを実施すると、全てのアライメントが終了するまでの時間(アライメント時間)が極めて長くなり、検査するウエハの全てに対して、全てのチップのアライメントを実施することは現実的ではない。
 一方、ウエハの一部のチップに限定してアライメントを実施し、他のチップの位置をアライメントを実施したチップの実測位置から推定することによって、アライメント時間の短縮を図ることは可能である。
 しかしながら、個々のチップに分断されたダイシング後のウエハを検査する場合は特に、チップの位置にばらつきが生じているため、チップの位置を正確に推定することが困難であり、アライメントを実施するチップを限定しすぎると、チップ内のパッドに対してプローブが接触しないという事態も生じ得る。
 現在のプローブ装置では、ユーザがアライメントに関する制御パラメータを設定する際に、どの程度までアライメントを実施するチップを限定することが可能であるかを判断し、または、アライメント時間を所期の時間に短縮するために、アライメントを実施するチップをどの程度限定すれば良いかを判断する情報を提供しておらず、ユーザがそれらの判断を容易に行うことができないという問題がある。
 本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、プローブ装置の稼働の際のアライメントの設定に関する有益な情報を提供することができるプローブ装置のアライメント支援装置及びアライメント支援方法を提供することを目的とする。
 上記目的を達成するために本発明の一の態様に係るプローブ装置のアライメント支援装置は、ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援装置であって、前記ウエハの全てのチップの実測位置を示す実測データを取得する実測データ取得手段と、前記チップを前記プローブに接触させた際に前記プローブが各チップに接触する位置のばらつき量に関する条件値を入力する条件値入力手段と、前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定手段と、前記測定ポイント設定手段により設定された測定ポイントのチップの前記実測位置に基づいて、前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させる際の前記ウエハに対するプローブの位置をショット位置として設定するショット位置設定手段と、前記ショット位置設定手段により設定されたショット位置に従って前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させたと仮定した場合の前記ウエハの各チップにおける前記ばらつき量を各チップの前記実測位置に基づいて算出するばらつき量算出手段と、前記ばらつき量算出手段により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値入力手段により入力された条件値以下であるか否かを判定する判定手段と、前記測定ポイント設定手段による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更手段と、前記測定ポイント変更手段により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記ばらつき量算出手段により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最小となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定手段と、前記最適測定ポイント決定手段により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力手段と、を備えている。
 この態様によれば、ウエハの各チップにプローブが接触する位置のばらつき量が条件値以下となるようにアライメントを実施するための測定ポイントの設定に関する情報をユーザに提供することができ、ユーザはその情報を参照してプローブ装置の稼働の際のアライメントに関する適切な制御パラメータを設定することができる。
 本発明の他の態様に係るプローブ装置のアライメント支援装置において、前記測定ポイント変更手段は、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次増加するように変更させ、前記最適測定ポイント決定手段は、前記ウエハの全てのチップのうちいずれかのチップにおけるばらつき量が前記条件値を超えたときの直前の測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定することが好ましい。
 本発明の更に他の態様に係るプローブ装置のアライメント支援装置において、前記測定ポイント変更手段は、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次増加するように変更させる第1の変更処理と、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次減少するように変更させる第2の変更処理とを実施し、前記最適測定ポイント決定手段は、測定ポイントの設定が確定した確定範囲以外の測定ポイントの設定を前記第1の変更処理により変更し、前記ウエハの全てのチップのうちいずれかのチップにおけるばらつき量が前記条件値を超えたときに、ばらつき量が前記条件値を超えたチップを含む部分的な範囲を個別演算範囲として設定する個別演算範囲設定処理と、前記個別演算範囲の測定ポイントの設定を前記第2の変更処理により変更し、前記個別演算範囲の全てのチップにおけるばらつき量が前記条件値以下となったときの測定ポイントの設定を前記個別演算範囲における最適測定ポイント設定として決定し、前記個別演算範囲を前記確定範囲として設定する個別演算処理と、を、前記ウエハの全てのチップが前記確定範囲のチップとなるまで繰り返し実施することが好ましい。
 本発明の一の態様に係るプローブ装置のアライメント支援装置は、ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援装置であって、前記ウエハの各チップの位置を測定するアライメントが全て終了するまでに要する時間を示すアライメント時間に関する条件値を入力する条件値入力手段と、前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定手段と、前記測定ポイント設定手段により設定された測定ポイントのチップのアライメントを実施したと仮定した場合に要する前記アライメント時間を算出するアライメント時間算出手段と、前記アライメント時間算出手段により算出されたアライメント時間が前記条件値入力手段により入力された条件値以下か否かを判定する判定手段と、前記測定ポイント設定手段による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更手段と、前記測定ポイント変更手段により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記アライメント時間算出手段により算出されたアライメント時間が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最大となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定手段と、前記最適測定ポイント決定手段により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力手段と、を備えている。
 本態様によれば、アライメント時間が条件値以下となるようにアライメントを実施するための測定ポイントの設定に関する情報をユーザに提供することができ、ユーザはその情報を参照してプローブ装置の稼働の際のアライメントに関する適切な制御パラメータを設定することができる。
 本発明の他の態様に係るプローブ装置のアライメント支援装置において、前記測定ポイント変更手段は、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次増加するように変更させ、前記最適測定ポイント決定手段は、前記アライメント時間が前記条件値以下となったときの測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定することが好ましい。
 本発明の更に他の態様に係るプローブ装置のアライメント支援装置において、前記出力手段は、前記最適測定ポイント決定手段により決定された測定ポイントの設定における測定ポイントの数や、測定ポイントの間隔を出力することが好ましい。
 本発明の一の態様に係るプローブ装置のアライメント支援方法は、ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援方法であって、前記ウエハの全てのチップの実測位置を示す実測データを取得する実測データ取得工程と、前記チップを前記プローブに接触させた際に前記プローブが各チップに接触する位置のばらつき量に関する条件値を入力する条件値入力工程と、前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定工程と、前記測定ポイント設定工程により設定された測定ポイントのチップの前記実測位置に基づいて、前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させる際の前記ウエハに対するプローブの位置をショット位置として設定するショット位置設定工程と、前記ショット位置設定工程により設定されたショット位置に従って前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させたと仮定した場合の前記ウエハの各チップにおける前記ばらつき量を各チップの前記実測位置に基づいて算出するばらつき量算出工程と、前記ばらつき量算出工程により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値入力工程により入力された条件値以下であるか否かを判定する判定工程と、前記測定ポイント設定工程による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更工程と、前記測定ポイント変更工程により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記ばらつき量算出工程により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最小となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定工程と、前記最適測定ポイント決定工程により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力工程と、を備えている。
 この態様によれば、ウエハの各チップにプローブが接触する位置のばらつき量が条件値以下となるようにアライメントを実施するための測定ポイントの設定に関する情報をユーザに提供することができ、ユーザはその情報を参照してプローブ装置の稼働の際のアライメントに関する適切な制御パラメータを設定することができる。
 本発明の一の態様に係るプローブ装置のアライメント支援方法は、ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援方法であって、前記ウエハの各チップの位置を測定するアライメントが全て終了するまでに要する時間を示すアライメント時間に関する条件値を入力する条件値入力工程と、前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定工程と、前記測定ポイント設定工程により設定された測定ポイントのチップのアライメントを実施したと仮定した場合に要する前記アライメント時間を算出するアライメント時間算出工程と、前記アライメント時間算出工程により算出されたアライメント時間が前記条件値入力工程により入力された条件値以下か否かを判定する判定工程と、前記測定ポイント設定工程による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更工程と、前記測定ポイント変更工程により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記アライメント時間算出工程により算出されたアライメント時間が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最大となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定工程と、前記最適測定ポイント決定工程により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力工程と、を備えている。
 本態様によれば、アライメント時間が条件値以下となるようにアライメントを実施するための測定ポイントの設定に関する情報をユーザに提供することができ、ユーザはその情報を参照してプローブ装置の稼働の際のアライメントに関する適切な制御パラメータを設定することができる。
 本発明によれば、プローブ装置の稼働の際のアライメントの設定に関する有益な情報を提供することができる。
本発明が適用されるウエハテストシステムの概略構成を示す図 被検体とするウエハを示した図 制御部において、ばらつき精度表示機能の実施するプログラムに従ったCPUの処理によって構築される処理部を示したブロック図 ばらつき精度表示機能における処理手順を示したフローチャート ばらつき精度表示画像を示した図 図5の一部を拡大して示した図 プローブカードのプローブが同時に接触するチップを例示した図 ショット位置の補正についての説明に使用した図 ショット位置の補正についての説明に使用した図 ショット位置補正後のばらつき精度表示画像を示した図 ばらつき精度表示画像の他の形態を示した図 ばらつき精度表示画像の他の形態を示した図であって、ショット位置補正前のばらつき精度表示画像の図 図11と同様の形態によりショット位置補正後のばらつき精度表示画像を表示する場合を示した図 制御部において、測定ポイント自動算出機能の第1モードを実施するプログラムをCPUが実行することによって制御部内に構築される処理部を示したブロック図 図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域により表した図を用いて測定ポイントの設定の様子を例示した図 測定ポイント自動算出機能の第1モードにおける処理手順を示したフローチャート 図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域により表した図を用いて測定間隔を増加させた様子を示した図 図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域により表した図を用いて測定間隔を増加させた様子を示した図 図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域により表した図を用いて測定間隔を増加させた様子を示した図 測定ポイント自動算出機能の第2モードにおける処理手順を示したフローチャート 測定ポイント自動算出機能の第2モードにおける処理手順を示したフローチャート 図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域により表した図を用いて個別演算範囲の測定間隔を設定した様子を示した図 制御部において、測定ポイント自動算出機能の第3モードを実施するプログラムをCPUが実行することによって制御部内に構築される処理部を示したブロック図 測定ポイント自動算出機能の第3モードにおける処理手順を示したフローチャート ショット位置の補正の説明に使用した説明図 ショット位置の補正の説明に使用した説明図 ショット位置の補正の説明に使用した説明図 ショット位置の補正の説明に使用した説明図 ショット位置の補正の説明に使用した説明図
 以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。
 図1は、本発明が適用されるウエハテストシステムの概略構成を示す図である。ウエハテストシステム1は、プローバ(プローブ装置)10と、テスタ30を備える。多数の半導体チップ(以下、単にチップという)が形成された被検体であるウエハWがプローバ10により位置決めされてプローブカード25を介してテスタ30に電気的に接続される。そして、プローブカード25に配置された多数本のプローブ(探針)26を介してテスタ30によりウエハWの各チップにテスト信号が与えられ、それに対してウエハWから出力される応答信号がテスタ30により測定される。これによって、各チップの性能の検査(電気的特性の測定)が行われ、テスト信号に対する応答信号の測定結果に基づき各チップの良否判定(良品と不良品の選別)等が行われるようになっている。
 なお、本ウエハテストシステム1では、不図示のダイシング装置により個々のチップ(ダイ)に分断された後のウエハWをダイシングフレームに付着された状態のままテストすることができるようになっている。ただし、個々のチップに分断されたダイシング後のウエハではなく、チップに分断される前(ダイシング前)のウエハであってもテスト可能であり、また、ダイシングフレームに固定されていないウエハであってもテスト可能である。
 プローバ10は、被検体であるウエハWを支持するウエハステージ18を所定位置に移動させるステージ移動機構と、プローブカード25に配置されたプローブ26を撮影するプローブ位置検出カメラ19と、ウエハWを撮影するウエハアライメントカメラ23と、プローブカード25を保持するプローブカード保持機構と、プローバ10の各部の制御や画像処理を含む各種演算処理を行う制御部40等を備えている。
 制御部40は、例えばプローバ10の筐体の内部又は外部に配置されており、この制御部40からの信号によってプローバ10の各部の動作が統括的に制御されるようになっている。
 また、制御部40には操作部42(キーボード、マウス、タッチパネル、操作ボタン等)やモニタ44が接続されており、操作者は、モニタ44に表示される案内画面等を参照してプローバ10の制御に関する指示や各種条件(パラメータ)の設定を操作部42の操作によって制御部40に与えることができるようになっている。
 更に、制御部40は、テスタ30(後述のテスタ本体31)とも例えば通信手段より通信可能に接続されており、テスタ30に対する各種指示、測定結果の取得等が制御部40により行われるようになっている。
 この制御部40による制御内容等については以下において適宜説明する。
 ステージ移動機構は、基台11と、移動ベース12と、Y軸移動台13と、X軸移動台14と、Z軸移動部15と、Z軸移動台16と、θ回転部17と、ウエハステージ18等から構成されている。
 基台11は、平板状に形成されてプローバ10の底部に配置されており、この基台11によってプローバ10全体が支持されている。基台11の上面には移動ベース12が配置されている。
 移動ベース12は、基台11に固定されており、この移動ベース12の上部にはY軸移動台13が配置されている。
 Y軸移動台13は、移動ベース12にY軸方向に移動可能に支持されており、不図示のモータの動力によりY軸方向に移動するようになっている。Y軸方向は、設置面(基台11の上面)に平行な方向であって、プローバ10の前後方向となる方向を示す。即ち、図1の紙面に垂直な方向を示す。Y軸移動台13の上部にX軸移動台14が配置されている。
 X軸移動台14は、Y軸移動台13にX軸方向に移動可能に支持されており、不図示のモータの動力によりX軸方向に移動するようになっている。X軸方向は、Y軸に直交し、設置面に平行な方向であって、プローバ10の左右方向となる方向を示す。即ち、図1の紙面の左右方向を示す。X軸移動台14の上部にはZ軸移動部15が配置されている。
 Z軸移動部15は、X軸移動台14に固定されており、上部にZ軸移動台16が支持されている。このZ軸移動部15は不図示のモータの動力によりZ軸移動台16をZ軸方向に移動させる機構を有している。Z軸は、X軸及びY軸と直交し、設置面に対して垂直な方向であって、プローバ10の上下方向となる方向を示す。即ち、図1の紙面の上下方向を示す。Z軸移動台16の上部にはθ回転部17が配置されている。
 θ回転部17は、Z軸移動台16に対してZ軸周り(θ方向)に回動可能に支持されており、不図示のモータの動力によりθ方向に回動し、θ回転部17の上部に固定されたウエハステージ18をθ方向に回動させるようになっている。
 ウエハステージ18は、上面側に被検体であるウエハWを載置する平坦なテーブル面を有し、そのテーブル面によりウエハWを吸着保持するようになっている。被検体であるウエハWは、不図示のカセットに同種のものが複数収容されており、不図示の搬送手段により順次カセットから取り出されてウエハステージ18のテーブル面に搬送されるようになっている。
 このステージ移動機構によれば、ウエハステージ18は、Y軸移動台13、X軸移動台14、Z軸移動台16、及びθ回転部17を介して基台11上に支持されており、それらの移動によって、X軸、Y軸、Z軸の3軸方向と、θ方向(Z軸周り)とに移動するようになっている。したがって、ウエハステージ18に載置されたウエハWもウエハステージ18と共に3軸方向及びθ方向に移動するようになっている。
 また、ステージ移動機構の各モータは、制御部40から制御信号により駆動され、Y軸移動台13、X軸移動台14、Z軸移動台16、及びθ回転部17の位置はセンサによって検出されて制御部40に与えられるようになっている。
 したがって、制御部40は、Y軸移動台13、X軸移動台14、Z軸移動台16、及びθ回転部17の各々の位置を制御して、ウエハステージ18、及びウエハステージ18に保持されたウエハWを所望の位置に移動させることができるようになっている。
 例えば、テスタ30による検査時において制御部40は、後述のように検出したプローブ26の位置及びウエハWの各チップの位置に基づいて、チップの電極パッドの配列方向がプローブ26の配列方向に一致するように、θ回転部17によりウエハステージ18を回転させる。そして、検査するチップの電極パッドがプローブ26の下方に位置するように移動させた後、ウエハステージ18を上昇させて、電極パッドをプローブ26に接触させる。
 このようにして、ウエハWの各チップの電極パッドをプローブ26に接触させる位置に順次移動させて後述のテスタ30により各チップの検査が実施されるようになっている。
 なお、上記ステージ移動機構の構成は一例であって、被検体であるウエハWを上記のようにウエハステージに支持し、所定位置に移動させることができる機構であればどのような構成であってもよい。
 プローブ位置検出カメラ19は、撮影視野を上方に向けて上述のZ軸移動台16の上部に固定されており、ウエハステージ18と同様に制御部40の制御により、X軸、Y軸、Z軸の3軸方向に移動するようになっている。
 また、プローブ位置検出カメラ19は、制御部40に接続されており、プローブ位置検出カメラ19の撮影動作の制御が制御部40により行われると共に、プローブ位置検出カメラ19により撮影された画像が制御部40に取り込まれるようになっている。
 これにより制御部40は、プローブ位置検出カメラ19をプローブカード25の下方となる位置に移動させてプローブカード25に配置されたプローブ26を撮影し、その画像を取り込む。そして、その画像からプローブ26の先端位置を検出し、検出したプローブ26の先端位置をプローブ26の位置として検出する。
 例えば、プローブ26の先端の水平方向(X軸方向及びY軸方向)の位置(XY座標)は、撮影時のプローブ位置検出カメラ19の水平方向の位置とプローブ26の先端の画像内における検出位置に基づいて求めることができ、プローブ26の先端の鉛直方向(Z軸方向)の位置(Z座標)は、プローブ位置検出カメラ19の焦点位置に基づいて求めることができる。
 このようなプローブ位置の検出は、被検体であるウエハWの種類に応じてプローブカード25が交換されるごとに実施され、又は、プローブカード25が交換された後、定期的に実施される。
 なお、プローブカード25には、通常、数千以上のプローブ26が設けられており、全てのプローブ26の位置をプローブ位置検出カメラ19により撮影した画像を用いて求めるのではなく、特定のプローブ26の位置のみをプローブ位置検出カメラ19により撮影した画像を用いて求め、他のプローブの位置は、プローブカード25における各プローブの配列に関する情報(設計データ等)を参照して求めることもできる。
 ウエハアライメントカメラ23は、撮影視野を下方に向けて基台11に固定された支柱22に支持されている。
 また、ウエハアライメントカメラ23は、制御部40に接続されており、ウエハアライメントカメラ23の制御が制御部40により行われると共に、ウエハアライメントカメラ23により撮影された画像が制御部40に取り込まれるようになっている。
 これにより制御部40は、ウエハアライメントカメラ23の下方となる位置に、ウエハステージ18に支持されたウエハWを移動させてウエハWの撮影し、その画像を取り込む。そして、その画像からウエハWの各チップの電極パッドの位置を検出し、検出した電極パッドの位置に基づいて各チップの位置を検出する。
 例えば、各チップの水平方向(X軸方向及びY軸方向)の位置(X座標及びY座標)は、撮影時のウエハステージ18の水平方向の位置と、画像内における各チップの電極パッドの検出位置によって求めることができる。
 なお、各チップの特定の電極パッドの位置の座標を各チップの位置として求めてもよいし、各チップの中心などの基準となる所定位置の座標をチップの位置として求めてもよい。
 また、ウエハWの全てのチップの位置をウエハアライメントカメラ23により撮影した画像を用いて求めるのではなく、特定のチップの位置をウエハアライメントカメラ23により撮影した画像を用いて求め、他のチップの位置は、ウエハWにおける各チップの配列に関する情報(設計データ等)を参照して求めることもできる。
 プローブカード保持機構は、ヘッドステージ21と、カードホルダ24等を備えている。
 ヘッドステージ21は、基台11に支持された支柱20、20、・・・に支持されて、プローバ10の上部に配置されている。そのヘッドステージ21は、板状に形成されており、その一部に開口が形成されている。その開口にカードホルダ24が固定され、そのカードホルダ24にプローブカード25が着脱可能に取り付けられるようになっている。
 これによって、プローブカード25がプローバ10の上部に保持されている。
 プローブカード25は、検査するデバイス(ウエハWの種類)に応じて交換され、検査するデバイスの電極配置に応じて配置された多数本のプローブ26を備えている。そして、各プローブ26の先端がウエハステージ18に保持されたウエハWの各チップの電極パッドに当接されるようになっている。
 また、プローブカード25には、各プローブ26に接続された端子が設けられており、各プローブ26はそれらの端子を通じてテスタ30に電気的に接続されるようになっている。
 更に、プローブカード25の種類として、1つのチップの検査に必要な本数のプローブを有するシングルプロービング用のカードと、複数のチップの検査に必要な本数のプローブを有し、ウエハWとプローブとの一回の接触動作で複数のチップを同時に検査するマルチプロービング用のカードとがあり、本システムではいずれのものでも使用できる。
 テスタ30は、テスタ本体31と、コンタクトリング32とを備えている。
 テスタ本体31は、不図示の支持機構により、プローバ10の上部に支持されている。テスタ本体31の内部には、被検体であるウエハWの各チップに印加するテスト信号を生成して出力する回路、テスト信号に対して各チップから出力された応答信号を入力する(取り込む)回路、テスト信号に対する応答信号の状態に基づいて各チップの性能を検査(電気的特性を測定)し、各チップの良否判定(良品と不良品の選別)等を行う処理部等を備えている。
 テスタ本体31の下部にはコンタクトリング32が設けられており、そのコンタクトリング32がプローブカード25の上部に配置されている。
 コンタクトリング32は、テスタ本体31の内部の回路と接続された多数のコンタクトが設けられており、それらのコンタクトが、プローブカード25の各プローブ26に接続された端子に接触している。
 これにより、テスタ本体31の内部の回路とプローブカード25の各プローブ26とがコンタクトリング32を介して電気的に接続される。
 これにより、プローブ26に接触しているチップに対してテスタ本体31からプローブ26を介してテスト信号が印加され、そのテスト信号に応答してチップから出力された応答信号がプローブ26を介してテスタ本体31に取り込まれるようになっている。そして、テスタ本体31において、その応答信号に基づいてチップの性能が検査され、チップの良否判定等が行われるようになっている。
 また、テスタ本体31は、制御部40と通信手段によって通信可能に接続されており、テスタ30に対する各種指示や検査結果の取得等を制御部40が行うことができるようになっている。
 これにより、例えば検査時において、ウエハステージ18に支持されたウエハWの各チップの電極パッドがプローブ26に接触した際に、制御部40からテスタ本体31に対して検査準備の完了が通知されてテスタ本体31においてチップの性能の検査が実施される。テスタ本体31から制御部40に対して検査の終了が通知されて制御部40において次に検査するチップをプローブ26に接触させるためのウエハWの位置制御が実施される。
 また、テスタ本体31から制御部40に対して各チップの検査結果が与えられて、検査結果のモニタ44への表示や不良のチップのマーキング等の情報として用いられる。
 次に、上記制御部40に搭載されるアライメントユーティリティ機能について説明する。
 制御部40は、一般的なコンピュータと同様に、演算や制御を行う処理装置(CPU)(Central Processing Unit)、データを一次的又は永続的に記憶する記憶装置(メモリ)、外部と信号のやりとりを行う入出力装置(I/O)(Input/Output)等を備えて構成されている。制御部40は、I/Oを通じてプローバ10のステージ移動機構のモータやセンサ、プローブ位置検出カメラ19、ウエハアライメントカメラ23、テスタ30のテスタ本体31、操作部42、モニタ44等に接続されている。
 そして、CPUがメモリに格納されているプログラムに従った各種処理を実施することによって、上述のようにウエハW(ウエハステージ18)の位置制御、プローブ位置検出カメラ19とウエハアライメントカメラ23の撮影動作の制御やそれらの撮影画像の取り込み、操作部42の操作に対応した操作信号の取り込み、モニタ44の画面への表示画像の出力等が適宜行われるようになっている。
 また、プログラムに従ったCPUの処理により制御部40に実装される機能の1つとして、被検体であるウエハWの各チップの位置(電極パッドの位置)をウエハアライメントカメラ23を用いて測定するアライメント制御の制御パラメータの設定に関してユーザを支援するアライメントユーティリティ機能を備えている。
 このアライメントユーティリティは、主に、ウエハWの全てのチップの位置を測定(実測)すると、アライメント制御に要する時間が長くなるため、アライメント制御の時間(アライメント時間)を短縮するためのアライメント制御の制御パラメータの設定を支援するものである。
 詳細は後述するが、例えば、チップに対するプローブ26の接触位置(プローブ接触位置)のばらつき量(ばらつき精度)やアライメント時間に関するアライメント条件をユーザが指定することによって、そのアライメント条件を満たす範囲内でアライメント(位置の測定)を実施するチップの数を最も少なくすることができるアライメント制御の制御パラメータの設定をシミュレーションによって求めてユーザに提供する。
 ユーザはその情報を参考にして、実際に実施するアライメント制御の制御パラメータの設定を行うことができる。
 アライメントユーティリティ機能を使用する場合、ユーザは操作部42の所定の操作によりアライメントユーティリティの実行を指示する。これによって、モニタ44の画面にアライメントユーティリティの画面が表示される。そして、その画面において、ユーザは、操作部42を操作し、アライメントユーティリティ機能に含まれる各種機能のうちから所望の機能を選択して以下で説明するような処理を実施させることができるようになっている。
 なお、本実施の形態の説明において、被検体のウエハWは、図2に示すようにダイシングシートSに付着されてリング状のフレームFにマウントされたウエハ(ダイシングフレームに固定されたウエハ)であって、ダイシング装置によってウエハWに形成された個々のチップT、T、T、・・・に分断されたダイシング後のウエハWであるものとする。
 また、プローブカード25は、マルチプロ-ビング用のカードであるものとし、プローブ26として例えば2×2のチップに同時に接触するプローブを備えているものとする。
 まず、アライメントユーティリティの実行後、ばらつき精度表示機能の実行を選択した場合について説明する。
 ばらつき精度表示機能は、被検体であるウエハWの各チップに対するプローブ接触位置のばらつき精度を表示する機能である。
 図3は、制御部40において、ばらつき精度表示機能の実施するプログラムをCPUが実行することによって制御部40内に構築される処理部を示したブロック図である。
 同図において、チップ位置実測データ取得部(実測データ取得手段)50は、図2に示した被検体のウエハWを多数検査する場合に、そのうちの1枚のウエハWをサンプルウエハとしてウエハステージ18に載置し、アライメント制御により、全てのチップのアライメントを実施する。
 ここで、制御部40により実施されるアライメント制御では、例えば、ウエハステージ18に載置されたウエハWがウエハアライメントカメラ23の下方に移動して撮影され、ウエハWの縦横のチップの配列方向をX軸方向及びY軸方向としたときに、それらの軸方向が、プローバ10の空間におけるX軸方向及びY軸方向と一致するようにウエハWがθ方向に移動(回転)する。
 なお、ウエハWにおいて、X軸方向に並ぶチップの列をラインというものとすると、ウエハW上のチップは、Y軸方向に所定間隔を有する複数のラインを形成している。
 続いて、ウエハWのチップのX軸方向の大きさに対応したX軸方向のインデックスサイズ(X軸方向に隣接するチップの中心間の距離)に基づいて、ウエハWがX軸方向に所定距離ずつ移動して、同一のラインの複数のチップのうちの所定チップ数おきのチップがアライメントを実施する測定ポイントとしてウエハアライメントカメラ23により撮影される。
 そして、その撮影画像に基づいて測定ポイントのチップの電極パッドの位置がチップの位置として測定される。
 このようなX軸方向のラインに沿ったラインアライメントが1つのラインに対して実施されると、ウエハWのチップのY軸方向の大きさに対応したY軸方向のインデックスサイズ(Y軸方向に隣接するチップの中心間の距離)に基づいて、ウエハWがY軸方向に所定距離移動して、複数のラインのうちの所定ライン数おきのラインに沿ったチップに対して実施される。
 チップ位置実測データ取得部50は、以上のようなアライメント制御をサンプルウエハに対して実施すると共に、各ラインのラインアライメントの際のウエハWのX軸方向の移動距離をX軸方向のインデックスサイズとし、ラインアライメントを実施するラインを切り替える際のウエハWのY軸方向の移動距離をY軸方向のインデックスサイズとして、ウエハW上の全てのチップの位置を測定する。
 これによって、サンプルウエハの全てのチップの位置が実測データ(チップ位置実測データ)として取得され、そのチップ位置実測データがデータ記憶部52に格納される。
 ここで、本実施の形態における被検体のウエハWは、個々のチップに分断されたダイシング後のウエハWであり、図2のようにダイシングフレームに固定されている。このようなダイシング後のウエハWにおける各チップの位置(チップの配列)には、ダイシング前のチップの配列と比較して歪みが生じているが、その歪み方には一定の傾向がある。
 したがって、チップ位置実測データ取得部50により取得したチップ位置実測データは、サンプルウエハと同様に個々のチップに分断されたダイシング後の同種のウエハW、即ち、全ての被検体のウエハWの各チップの位置を示すものとすることができる。
 データ記憶部52は、チップ位置実測データ取得部50により取得されたチップ位置実測データを記憶すると共に、被検体のウエハWのダイシング前のチップの配列に関する設計データや、被検体のウエハWの種類に対応してプローバ10のカードホルダ24に設置されたプローブカード25のプローブ26の配列に関する設計データ等、以下の演算において必要なデータを記憶している。
 このデータ記憶部52としてデータを記憶する記憶媒体は、制御部40に内蔵された記憶媒体に限らず、制御部40に着脱可能に装着される記憶媒体や、制御部40と通信可能に接続された他の装置(コンピュータ等)の記憶媒体であってもよく、また、それらの記憶媒体のうちの複数を含むものであってもよく、制御部40(CPU)においてデータを取得することができる状態にあるものであれば、特定の場所に配置された記憶媒体に限らない。
 ショット位置設定部(ショット位置設定手段)54は、テスタ30による検査時において、プローブカード25のプローブ26にウエハWのチップの電極パッドを接触させるプローブ接触制御時におけるショット位置を設定する。
 ここで、制御部40により実施されるプローブ接触制御では、例えば、ウエハステージ18に載置された被検体のウエハWがプローブ26の下方においてX軸方向及びY軸方向に移動してプローブ26に電極パッドを接触させるターゲットのチップのX軸及びY軸方向の位置決めが行われる。
 そして、その位置からウエハWが上昇(Z軸方向に移動)してターゲットのチップの電極パッドがプローブ26に接触し、ターゲットのチップに対してテスタ30による検査が実施される。検査が終了すると、ウエハWが下降(Z軸方向に移動)してプローブ26からターゲットのチップが離間する。
 この制御が、ターゲットとなるチップを切り替えながら繰り返し実施され、ウエハWの全てのチップの検査が実施される。
 このようなプローブ接触制御において、ショット位置は、プローブカード25のプローブ26を接触させるウエハW上の位置を示す。
 プローブカード25は、通常、複数の電極パッドに同時に接触する複数本のプローブ26を有しており、ショット位置は、それらのプローブ26がウエハWに接触する位置を示す。
 また、本実施の形態のようにプローブカード25として、マルチプロ-ビング用のカードを使用する場合には、1つのショット位置を設定することによって、プローブ26に同時に接触するチップの範囲が決定する。
 プローブ接触制御において、このショット位置は、ウエハWの全てのチップにプローブ26が接触するように、かつ、同一チップに重複してプローブ26が接触しないように、ウエハWに対してX軸及びY軸方向の異なる複数の位置に設定される。
 ショット位置設定部54は、このようなショット位置を設定する。また、ショット位置設定部54は、ショット位置を設定する際に、データ記憶部52に格納されているダイシング前のウエハW(被検体と同種のウエハW)のチップの配列(位置)に関する設計データ、上記のチップ位置実測データ、プローブカード25のプローブ26の配列(各プローブの位置)に関する設計データ等を参照する。
 ばらつき精度算出部(ばらつき量算出手段)56は、ショット位置設定部54により設定された各ショット位置と、データ記憶部52に記憶されているチップ位置実測データ等のデータに基づいて、ショット位置設定部54により設定されたショット位置に従ってプローブ接触制御を実施したと仮定した場合に、被検体のウエハWの各チップにプローブ26が接触する位置(プローブ接触位置)のばらつき精度(ずれ量)を算出する。
 ばらつき精度(ずれ量)は、各チップにおけるプローブ接触位置の理想接触位置からのずれの大きさ及び方向を示す値であり、X軸方向とY軸方向の各々の方向のずれの大きさとしても表すことができる。
 例えば、ダイシング前のウエハWの各チップの配列(位置)と、ウエハWの種類に対応したマルチプロービング用のプローブカード25のプローブ26の配列(位置)とが設計データに等しい場合には、ダイシング前のウエハWに対しては、各チップの理想接触位置(例えば、各電極パッドの中心位置)にプローブ26が接触するようにショット位置を設定することができ、その場合には、各チップにおけるばらつき精度(ずれ量)を0とすることができる。
 一方、被検体であるダイシング後のウエハWに対してダイシング前のウエハWと同じショット位置の設定でプローブ接触制御を実施したと仮定すると、ダイシング後のウエハWの各チップの位置がダイシング前のウエハWの各チップの位置(設計データの位置)から変位しているため、その分、各チップにプローブ26が接触する位置も理想接触位置からずれ、ばらつき精度(ずれ量)が0と異なる値となる。
 結果画像生成部58は、ばらつき精度算出部56により算出されたばらつき精度の結果を視覚的に表示するための結果画像(後述)を生成し、その結果画像をモニタ44の画面に表示させる。
 ばらつき精度表示機能における各処理部50~58の処理内容と処理手順について図4のフローチャートを用いて説明する。
 操作者が操作部42の操作により、アライメントユーティリティの画面においてばらつき精度表示機能を選択すると、図4のフローチャートに従った処理が開始される。
 まず、ステップS10の処理として、チップ位置実測データ取得部50は、上述のように多数の被検体のウエハWのうちの1枚のウエハWをサンプルウエハとしてウエハステージ18に載置して、ウエハアライメントカメラ23を用いて全てのチップ(ダイ)のアライメント(全チップアライメント)を実施する。
 これにより、ウエハWの全てのチップの位置が測定(実測)され、その実測された各チップの位置がチップ位置実測データとしてデータ記憶部52に格納される。
 なお、このステップS10の処理は、被検体のウエハWに対して1度だけ実施すればよく、データ記憶部52に被検体のウエハWのチップ位置実測データが既に格納されている場合には、このステップS10の処理を実施する必要はない。
 次に、ステップS12の処理として、ショット位置設定部54は、被検体のウエハWと同種のウエハWであって、ダイシング前のウエハWのチップの配列(位置)に関する設計データと、プローブカード25のプローブ26の配列(位置)に関する設計データをデータ記憶部52から読み込む。
 そして、プローブ接触制御時においてダイシング前のウエハWの各チップに対してプローブ26を理想接触位置に接触させるためのショット位置を設定する。なお、ここで設置するショット位置は、後述する補正後のショット位置と区別して補正前のショット位置というものとする。
 次に、ステップS14の処理として、ばらつき精度算出部56は、データ記憶部52から被検体のウエハWのチップ位置実測データと、プローブカード25のプローブ26の配列(位置)に関する設計データとを読み込む。そして、それらのデータに基づいて、被検体のウエハWに対して、ステップS12において設定された補正前のショット位置にプローブ26を接触させた場合に(ショット位置設定部54により設定された補正前のショット位置に従ってプローブ接触制御を実施した場合に)、実測位置に配列された各チップにプローブカード25のプローブ26が接触する位置の理想接触位置からのばらつき精度(ずれ量)を算出する。
 そして、ステップS16の処理として、結果画像生成部58は、ステップS14において算出された各チップのばらつき精度を視覚的に表示する結果画像を生成し、ばらつき精度表示画像としてモニタ44の画面に表示させる。
 図5は、ばらつき精度表示画像を示した図である。
 同図において、ばらつき精度表示画像100(単に表示画像100という)には、横方向及び縦方向に等間隔のラインで囲まれた多数の四角領域102が形成され、それらの四角領域102が、横方向及び縦方向に等間隔に配列されて表示されている。
 それらの四角領域102の各々は、1つのチップの領域を表し、被検体のウエハW上の各チップは、そのウエハW上での配列に倣って表示画像100の各四角領域102に対応付けられている。
 なお、四角領域102の中にはウエハWのいずれのチップも対応しないものが含まれる。
 また、表示画像100上(画面上)の横方向をX軸方向、縦方向をY軸方向とすると、ウエハW上においてX軸方向に一列に並ぶチップが、表示画像100上でもX軸方向に一列に並ぶ四角領域102に対応付けられ、かつ、ウエハWのY軸方向に一列に並ぶチップが、表示画像100上でもY軸方向に一列に並ぶ四角領域102に対応付けられる。
 この表示画像100には、ウエハWの各チップが対応付けられた四角領域102に対応して多数の四角形状のドット104が表示されており、それらのドット104の各々が、各チップのプローブ接触位置の理想接触位置からのばらつき精度(ずれ量)を示している。
 即ち、結果画像生成部58は、ばらつき精度算出部56により各チップに対して算出されたばらつき精度(ずれ量)に基づき、各四角領域102の中心位置に対して、各々の四角領域102に対応するチップのばらつき精度(ずれ量)に応じた大きさ及び方向に変位した位置にドット104を表示する。
 図6は、図5における表示画像100の4つの四角領域102を抽出して示した図であり、そのうちの右下の四角領域102に対してドット104が表示されている図を示す。
 同図において、四角領域102の中心102Aに対してドット104の中心104Aがずれた位置に表示されている。このとき、四角領域102の中心102Aからドット104の中心104Aまでの変位量の大きさがばらつき精度の大きさ(理想接触位置に対するプローブ接触位置のずれの大きさ)を示し、四角領域102の中心102Aに対するドット104の中心104Aの方向がばらつき精度の方向(理想接触位置に対するプローブ接触位置のずれの方向)を示す。即ち、四角領域102の中心102Aからドット104の中心104AまでのX軸方向のずれ量とY軸方向のずれ量の各々が、理想接触位置に対するプローブ接触位置のX軸方向のずれ量とY軸方向のずれ量に比例している。
 このような表示画像100の表示により、ウエハWの各チップにプローブ26が接触する位置のばらつき精度をユーザが視覚的に把握することができるようになる。
 なお、図5に示す各ドット104は、ばらつき精度の大きさに応じて明度、色相、彩度のうちの少なくとも1つの要素を変更して表示するようにしてもよい。
 また、表示画像100は、各チップの実測位置に基づくプローブ接触位置と、理想接触位置との差をばらつき精度として示したものであるが、被検体のウエハWの各チップの実測位置(チップ位置実測データが示す位置)とダイシング前のウエハWでの位置(ウエハWのチップの配列に関する設計データが示す理想位置)との差をばらつき精度として表示画像100と同様に表示してもよい。
 この場合、各チップのばらつき精度は、ステップS10において取得したチップ位置実測データと、ダイシング前のウエハWの配列(位置)に関する設計データとに基づいて算出することができる。
 図4のフローチャートに戻り、ステップS16の処理の後、例えば、ユーザの操作部42の操作によりショット位置の補正が指示されると、ステップS18の処理として、ショット位置設定部54は、被検体のウエハWのチップ位置実測データをデータ記憶部52から読み込む。
 そして、ステップS12において設定した補正前のショット位置を補正し、各チップの実測位置に対してプローブ26を最適に接触させることができるショット位置を補正後のショット位置として設定する。
 ここで、本実施の形態では、プローブカード25をマルチプロービング用のカードとしており、プローブカード25に複数のチップに対して設けられたプローブ26がウエハWの複数のチップに同時に接触する。
 したがって、プローブ26が同時に接触するチップの全てのプローブ接触位置が理想接触位置となるようにショット位置を補正することはできない。
 そこで、複数のチップの補正前のショット位置の各々に関して、プローブ26が同時に接触するチップのばらつき精度の大きさの平均値が最小となる変位位置を検出し、その検出位置を補正後のショット位置として設定する。
 図7は、プローブカード25のプローブ26が1つのショット位置で同時に接触するチップを示し、プローブ26は、例えば、ウエハW上に配列されたチップT、T、・・・に対してX軸方向及びY軸方向に隣接する2×2の4つのチップT1~T4に同時に接触するものとする。
 一方、図8Aは、図5に示したショット位置補正前のばらつき精度表示画像100の一部の四角領域102を抽出して示した図であり、図7のプローブカード25のプローブ26が所定のショット位置で同時に接触する4つのチップに対応した四角領域102を示す。
 図8Aの各ドット104の表示位置が示すように、ショット位置補正前では、各四角領域102に対応する各チップに対してプローブ26が接触する位置が理想接触位置から全体的に左下側にずれている。
 そこで、ショット位置を右上側に変位させ、各チップに対してX方向及びY軸方向にシフトさせて、各チップにおけるばらつき精度の大きさの総和が最小となる位置にショット位置を補正すると、各チップに対してプローブ26が接触する位置を理想接触位置に近づけることができる。そのときの各チップのばらつき精度を図8Aと同様に表示すると、図8Bのように各ドット104が各四角領域102の略中心に表示される状態となる。
 図4に戻り、ステップS18の補正後のショット位置の設定が終了すると、ステップS20の処理として、ばらつき精度算出部56は、ステップS14の処理と同様に被検体のウエハWに対して、ステップS18において設定された補正後のショット位置にプローブ26を接触させた場合の各チップのプローブ接触位置のばらつき精度(ずれ量)を算出する。
 そして、ステップS22の処理として、結果画像生成部58は、ステップS20において算出された各チップのばらつき精度を視覚的に表示する結果画像を生成し、ショット位置補正後のばらつき精度表示画像としてモニタ44の画面に表示させる。
 図9は、そのショット位置補正後のばらつき精度表示画像を示した図である。
 同図に示すショット位置補正後のばらつき精度表示画像120(単に表示画像120という)は、図5に示したショット位置補正前のばらつき精度表示画像100と同様に構成されている。
 図9のショット位置補正後の表示画像120と図5のショット位置補正前の表示画像100とを比較すると、図9の表示画像120では、各ドット104が四角領域102の中心付近に表示されており、ショット位置を補正したことによって、各チップにプローブ26が接触する位置が理想接触位置に近づいたことがわかる。
 ユーザは、操作部42の所定の操作によって、上述のようにして生成された図5のショット位置補正前の表示画像100と、図9のショット位置補正後の表示画像120とを切り替えて、又は、並べてモニタ44の画面に表示させることができるようになっており、それらを比較することによってショット位置の補正によって各チップのプローブ接触位置がどの程度のばらつき精度に改善されるかなどを視覚的に把握することができる。
 なお、結果画像生成部58によって形成されるばらつき精度表示画像は、図5、図9に示した形態に限らず、以下に説明する形態であってもよく、それらの異なる形態による表示をユーザが操作部42の操作により切り替えられるようにしてもよい。
 図10は、図5、図9と同様の各四角領域102の内部を所定の色で塗りつぶすと共に、その色の明度、彩度、色相のうちのいずれかの要素を、各チップのばらつき精度(ずれ量)の大きさに対応して変更するようにした形態を示す。
 図11は、ウエハWのチップのX軸方向のラインごとに、同一ラインのチップのX軸方向のばらつき精度の大きさを示すドットを直線で結んでグラフ表示した形態であり、グラフの横軸はX軸方向のチップの位置を示し、縦軸は、X軸方向のばらつき精度の大きさを示す。図11はショット位置補正前のばらつき精度表示画像を例示したものであるが、参考として、図12に、図11と同様の形態により表示したショット位置補正後のばらつき精度表示画像を示す。なお、Y軸方向のばらつき精度の大きさに関しても、図11、図12と同様に表示することができる。
 次に、アライメントユーティリティの実行後、測定ポイント自動算出機能の実行を選択した場合について説明する。
 測定ポイント自動算出機能は、ユーザが指定した条件値に基づくアライメント条件を満たすように、アライメント制御時においてアライメントを実施する測定位置(測定ポイント)を自動的に設定し、その結果をユーザに提示する機能である。
 ここで、測定ポイントとは、多数配列されたチップのうちのアライメント(位置の測定)を実施するチップを示す。
 また、測定ポイント自動算出機能の種類(モード)として、アライメント条件の種類が異なるモードを選択することができるようになっており、そのアライメント条件の種類として、ばらつき精度に関するアライメント条件と、アライメント時間に関するアライメント条件とがある。
 ばらつき精度に関するアライメント条件は、プローブ接触制御時において各チップのプローブ接触位置のばらつき精度がユーザにより指定された条件値以下となるようにアライメント制御を実施するという条件であり、この条件を採用したモードには、更に、測定ポイントの選択に関するアライメント条件の種類として、測定ポイントを全体的に均等になるように選択するという条件を採用したモードと、測定ポイントを部分的に増減するという条件を採用したモードとがあり、前者のモードを第1モード、後者のモードを第2モードというものとする。
 アライメント時間に関するアライメント条件は、アライメント制御に要するアライメント時間(アライメントを実施するチップの位置の測定が全て終了するまでに要する時間)がユーザにより指定された条件値以下となるようにアライメント制御を実施するという条件であり、この条件を採用したモードを第3モードというものとする。
 ユーザはアライメントユーティリティの実行後、測定ポイント自動算出機能のこれらの第1モード~第3モードのうち所望のモードを選択して実行させることができるようになっており、以下、測定ポイント自動算出機能の第1モード~第3モードについて順に説明する。
 まず、第1モードの測定ポイント自動算出機能について説明する。
 図13は、制御部40において、測定ポイント自動算出機能の第1モードを実施するプログラムをCPUが実行することによって制御部40内に構築される処理部を示したブロック図である。
 同図に示すチップ位置実測データ取得部50、データ記憶部52、ショット位置設定部54、及び、ばらつき精度算出部56、結果画像生成部58は、図3で説明した同一符号の処理部と同様の処理を行う処理部であり、図3と比較して測定ポイント設定部(測定ポイント設定手段、測定ポイント変更手段)60、判定部(判定手段)62、条件値入力部(条件値入力手段)64が追加されている。なお、チップ位置実測データ取得部50及びデータ記憶部52の処理内容については、図3で説明した処理内容と完全に一致するため説明を省略する。
 測定ポイント設定部60は、アライメント(チップの位置(XY座標)の実測)を実施する対象となるチップを測定ポイントとして設定する。
 ここで、図14は、図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域102により表した図を用いて測定ポイントの設定の様子を例示した図である。同図には測定ポイントとして設定されたチップ(対応する四角領域)の一部が符号TPにより示されており、測定ポイントのチップとして、ウエハW上のチップTのうち、中心のチップと、中心のチップに対してX軸方向に所定チップ数ずつの間隔(X軸方向の測定間隔)を有し、かつ、Y軸方向に所定チップ数(ライン数)ずつの間隔(Y軸方向の測定間隔)を有するチップが選択される。
 即ち、ウエハWのチップのX軸方向に沿った複数のラインのうち、Y軸方向の中心となるラインと、その中心のラインに対してY軸方向に所定チップ(ライン)数分ずつの間隔(Y軸方向の測定間隔)をあけたラインが測定ラインとして選択され、それらの測定ラインの各々のライン上に配置されたチップのうち、X軸方向の中心となるチップと、その中心のチップから所定チップ数分ずつの間隔(X軸方向の測定間隔)をあけたチップが測定ポイントのチップとして選択される。図14の例では、X軸方向及びY軸方向の測定間隔がいずれも4に設定されている状態が示されている。
 また、測定間隔がどのような値であっても最上端と最下端のラインは必ず測定ラインとして選択されるものとし、かつ、測定ラインとして選択された各々のラインのチップのうち、左右両端のチップも必ず測定ポイントのチップとして選択される。
 これらのX軸方向の測定間隔を示すチップ数とY軸方向の測定間隔を示すチップ数(ライン数)とは、判定部62から指定されるようになっており、測定ポイント設定部60は、判定部62から指定されたそれらの測定間隔の値に従って測定ポイントを設定する。
 ショット位置設定部54は、測定ポイント設定部60によって設定された測定ポイントのチップのチップ位置実測データをデータ記憶部52から読み込み、読み込んだチップ位置実測データに基づいてプローブ接触制御時において最適となるショット位置を設定する。
 ばらつき精度算出部56は、ばらつき精度表示機能と同様に、ショット位置設定部54により設定されたショット位置と、データ記憶部52に記憶されている全てのチップのチップ位置実測データとに基づいて、各チップのプローブ接触位置のばらつき精度(ずれ量)を算出する。
 判定部62は、測定ポイント設定部60に対してアライメントを実施する測定ポイントの設定、変更に関する指示を与えて、それに従って設定、変更された測定ポイントに対してショット位置設定部54及びばらつき精度算出部56により算出された各チップのプローブ接触位置のばらつき精度の算出結果を取得する。
 そして、判定部62は、そのばらつき精度の算出結果が、条件値入力部64により入力された条件値に基づくアライメント条件を満たすか否かを判定する。その判定の結果に基づいて、最適な測定ポイントの設定を検出する。
 ここで、判定部62は、アライメント条件として、各チップのばらつき精度が条件値入力部64により与えられた条件値以下となるようにアライメント制御を実施することを条件とし、判定部62は、各チップのばらつき精度が条件値以下か否かを判定する。
 また、判定部62は、最適な測定ポイントの設定として、アライメント条件を満たす測定ポイントの設定のうち、測定ポイントの数が最も少なくなるときの設定を求める。
 条件値入力部64は、モニタ(出力手段)44の画面にアライメント条件に関する条件値を入力する条件設定画面を表示し、その条件設定画面に対してユーザが操作部42の操作によって入力した条件値を取得する。その条件値を判定部62に与える。
 結果画像生成部58は、判定部62により検出された最適な測定ポイントの設定に関する情報をユーザに提示する結果画像を生成し、その結果画像をモニタ44の画面に表示させる。
 次に、測定ポイント自動算出機能の第1モードにおける各処理部50~64の処理内容と処理手順について図15のフローチャートを用いて説明する。
 操作者が操作部42の操作により、アライメントユーティリティの画面において測定ポイント自動算出機能の第1モードの実行を選択すると、図15のフローチャートに従った処理が開始される。
 まず、ステップS30の処理として、条件値入力部64は、モニタ44に条件設定画面を表示し、ユーザが入力するアライメント条件の条件値を取り込み、その条件値を判定部62に与える。この条件値は、各チップのばらつき精度として許容できる制限値(上限値)を示す。
 次に、ステップS32の処理として、チップ位置実測データ取得部50は上述のステップS10と同様に多数の被検体のウエハWのうちの1枚のウエハWをサンプルウエハとしてウエハステージ18に載置して、ウエハアライメントカメラ23を用いて全てのチップ(ダイ)のアライメント(全チップアライメント)を実施する。
 これにより、ウエハWの全てのチップの位置が測定(実測)され、その実測された各チップの位置がチップ位置実測データとしてデータ記憶部52に格納される。
 なお、このステップS32の処理は、被検体のウエハWに対して1度だけ実施すればよく、データ記憶部52に被検体のウエハWのチップ位置実測データが既に格納されている場合には、このステップS32の処理を実施する必要はない。
 次に、ステップS34の処理として、ショット位置設定部54は、被検体のウエハWと同種のウエハWであって、ダイシング前のウエハWのチップの配列(位置)に関する設計データと、プローブカード25のプローブ26の配列(位置)に関する設計データをデータ記憶部52から読み込む。
 そして、プローブ接触制御時においてダイシング前のウエハWの各チップに対してプローブ26を理想接触位置に接触させるためのショット位置を設定する。なお、ここで設定するショット位置は、上述のように補正前のショット位置を示す。
 次に、ステップS36の処理として、判定部62は、測定ポイント設定部60に対して、測定ポイントのX軸方向及びY軸方向の測定間隔をいずれも0にすることを指定する。
 次に、ステップS38の処理として、測定ポイント設定部60は、判定部62により指示された測定ポイントのX軸方向及びY軸方向の測定間隔の値に従って測定ポイントを設定する。ステップS36の処理の直後のステップS38の処理では、測定ポイント設定部60は、ウエハW上の全てのチップを測定ポイントのチップとして設定する。
 次に、ステップS40の処理として、ショット位置設定部54は、測定ポイント設定部60により設定された測定ポイントのチップのチップ位置実測データをデータ記憶部52から読み込む。
 そして、ショット位置設定部54は、その測定ポイントのチップの実測位置(チップ位置実測データの位置)に基づいてステップS34において設定した補正前の各ショット位置を補正し、各チップの位置に対してプローブ26を最適に接触させることができるショット位置を補正後のショット位置として設定する。
 ここで、ショット位置を補正する方法について説明する。
 まず、測定ポイントのチップの実測位置に基づいて、測定ポイント以外(非測定ポイント)のチップの位置を算出(推定)する。たとえば、測定ポイントのチップのうちのX軸方向に(同一ライン上において)隣接する2つのチップの間に配置された非測定ポイントのチップは、それらの2つの測定ポイントのチップの実測位置を結ぶ直線上に等間隔に配列されているものとして、被測定ポイントのチップの位置を算出する。即ち、隣接する2つの測定ポイントのチップの実測位置の誤差(設計データの位置に対する誤差)に対して、それらの2つの測定ポイントのチップの間に配置された非測定ポイントのチップが線形的(直線的)な誤差を有するものとして被測定ポイントのチップの位置を算出する。
 これと同様に、Y軸方向に隣接する2つの測定ポイントのチップの間に配置された非測定ポイントのチップの位置を算出することができる。そして更に、このようにして算出した非測定ポイントのチップの位置に基づいて、それらのチップの位置の間に配置された他の非測定ポイントのチップの位置も同様にして算出することができる。
 なお、測定ポイントのチップの実測位置に基づいて非測定ポイントの位置を算出する方法はこれに限らず任意の方法を適用できる。
 次に、上述のようにして得られた各チップの位置(測定ポイントの各チップの実測位置と、上記のようにして算出した非測定ポイントの各チップの算出位置)に基づいて、ショット位置設定部54は、それらのチップの位置に対してプローブ26を最適に接触させることができるショット位置を算出し、補正後のショット位置として設定する。
 ここでは、マルチプロービング用のプローブカード25として、図22Aのように8×1の8つのチップに同時に接触するプローブ26を備えたプローブカードを用いた場合を例にショット位置の補正について説明する。なお、同図において、プローブカード25のプローブ26を1つのチップに接触するプローブ26の範囲で区分した場合の各範囲がサイト1~8として示されている。
 ショット位置を補正する方法として、例えば、サイト1位置基準補正、マルチサイト対角両端部基準補正、全マルチサイト基準補正などの補正方法のうちの任意の形態を採用することができる。
 サイト1位置基準補正では、ショット位置設定部54は、各ショット位置において、サイト1のプローブ26が接触するチップの位置に基づいてショット位置を補正する。具体的には、サイト1のプローブ26のチップに対する接触位置が理想接触位置となるように、即ち、サイト1のプローブ26のチップに対する接触位置の誤差(理想接触位置からのずれ量)が無くなるように、各ショット位置を補正する。
 たとえば、あるショット位置においてプローブカード25の各サイト1~8のプローブ26が同時に接触するチップの位置(実測位置及び算出位置)が、図22BのチップT1~T8で示す位置のように誤差(設計データの位置からの誤差)を有しているとする。そして、補正前のショット位置の設定においてそれらのチップT1~T8に対するプローブカード25の各サイト1~8の接触位置が破線で示すように設定されているものとする。
 このような場合に、サイト1位置基準補正を実施すると、図22Cのようにサイト1のプローブ26のチップT1に対する接触位置の誤差が無いように補正後のショット位置が設定される。
 マルチサイト対角両端部基準補正では、ショット位置設定部54は、各ショット位置において、プローブカード25のサイトのうち、左下と右上のサイトのプローブ26が接触するチップの位置に基づいてショット位置を補正する。具体的には、補正前のショット位置の設定において、プローブカード25の左下と右上のサイトのプローブ26のチップに対する接触位置の誤差の平均を求め、その誤差分(平均分)を打ち消すようにショット位置をずらすことによりショット位置を補正する。
 たとえば、図22Aのように1ライン分のマルチプロービング用のプローブカード25の場合には、プローブカード25のサイト1が左下のサイト、サイト8が右上のサイトに相当し、補正前のショット位置において、サイト1のプローブ26の接触位置の誤差と、サイト8のプローブ26の接触位置の誤差との平均を求め、その誤差分を打ち消すようにショット位置をずらすことによって補正後のショット位置を設定する。
 図22Dは、図22Bのように、あるショット位置においてプローブカード25の各サイト1~8のプローブ26が同時に接触するチップT1~T8の位置に誤差が生じている場合において、マルチサイト対角両端部基準補正を実施したときの補正後のショット位置(各サイト1~8のプローブ26が各チップT1~T8に接触する位置)を示している。
 全マルチサイト基準補正では、ショット位置設定部54は、各ショット位置において、プローブカード25の全てのサイトのプローブ26が接触するチップの位置に基づいてショット位置を補正する。具体的には、補正前のショット位置の設定において、プローブカード25の全てのサイトのプローブ26のチップに対する接触位置の誤差の平均を求め、その誤差分(平均分)を打ち消すようにショット位置をずらすことによりショット位置を補正する。図22Aに示したプローブカード25の場合には、全てのサイト1~8のプローブ26の接触位置の誤差の平均を求め、その誤差分を打ち消すようにショット位置をずらすことによって補正後のショット位置を設定する。
 図22Eは、図22Bのように、あるショット位置においてプローブカード25の各サイト1~8のプローブ26が同時に接触するチップT1~T8の位置に誤差が生じている場合において、全マルチサイト対角両端部基準補正を実施したときの補正後のショット位置(各サイト1~8のプローブ26が各チップT1~T8に対する位置)を示している。
 以上のようなショット位置の補正方法の形態は、本実施の形態において、ショット位置を補正する場合の処理として適用することができる。既に説明したばらつき精度表示機能におけるショット位置の補正(図4のフローチャートのステップS18の処理)として、ここで説明した任意の形態の補正方法を適用することができる。また、ショット位置の補正は、上記形態に限らず、プローブカード25の各サイトのプローブ26の接触位置の誤差が補正前のショット位置と比較して全体的に小さくなるようなものであればどのような方法であってもよい。
 図15のフローチャートに戻り、次に、ステップS42の処理として、ばらつき精度算出部56は、データ記憶部52から全てのチップのチップ位置実測データと、プローブカード25のプローブ26の配列(位置)に関する設計データとを読み込む。そして、それらのデータに基づいて、被検体のウエハWに対して、ステップS40において設定された補正後のショット位置にプローブ26を接触させた場合に、実測位置に配列された各チップにプローブカード25のプローブ26が接触する位置の理想接触位置からのばらつき精度を算出する。
 次に、ステップS44の処理として、判定部62は、ステップS42においてばらつき精度算出部56により算出された各チップのばらつき精度を、ステップS30において条件値入力部64により与えられた条件値とを比較し、全てのチップのばらつき精度が条件値以下か否かを判定する。
 その結果、YESと判定した場合には、ステップS46の処理に移行し、NOと判定した場合には、ステップS52に移行する。
 ステップS44においてYESと判定した場合のステップS46の処理として、判定部62は、X軸方向の測定間隔の現在の値とY軸方向の測定間隔の現在の値とが等しいか否かを判定する。その判定の結果、YESと判定した場合には、ステップS48の処理に移行し、NOと判定した場合には、ステップS50の処理に移行する。
 ステップS46においてYESと判定した場合のステップS48の処理として、判定部62は、測定ポイント設定部60に対して、X軸方向の測定間隔を現在の値に対して1だけ加算した値を指定する。Y軸方向の測定間隔は現在の値をそのまま指定する。そして、ステップS38の処理に戻る。
 これによって、ステップS38~ステップS42により、X軸方向の測定間隔を1チップ分増加して測定ポイントの数を低減した測定ポイントの設定に対して各チップのばらつき精度が算出され、ステップS44によりそれらの全てのチップのばらつき精度が条件値以下か否かの判定が行われる。
 ステップS46においてNOと判定した場合のステップS50の処理として、判定部62は、測定ポイント設定部60に対して、Y軸方向の測定間隔を現在の値に対して1だけ加算した値を指定する。X軸方向の測定間隔は現在の値をそのまま指定する。そして、ステップS38の処理に戻る。
 これによって、ステップS38~ステップS42により、Y軸方向の測定間隔を1チップ分増加して測定ポイントの数を低減した測定ポイントの設定に対して各チップのばらつき精度が算出され、ステップS44によりそれらの全てのチップのばらつき精度が条件値以下か否かの判定が行われる。
 ここで、ステップS44において、YESと判定された場合、即ち、全てのチップのばらつき精度が条件値以下である場合には、ユーザが望むばらつき精度に関するアライメント条件を満たしている状態であるため、更に測定ポイントの数を減らすことが可能な状態である。そこで、ステップS46~ステップS50において、X軸方向の測定間隔とY軸方向の測定間隔を交互に増加する処理が行われている。
 図16Aから16Cは、図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域102により表した図を用いて測定間隔を増加させた様子を示しており、図16A、16B、16Cの順にウエハW上のチップのうち測定ポイントとするチップTPの間隔(測定間隔)が増加している。
 一方、図15に戻り、ステップS44においてNOと判定した場合、ステップS52の処理として、判定部62は、X軸方向の測定間隔の現在の値とY軸方向の測定間隔の現在の値のうち、最後に変更した値、即ち、ステップS48又はステップS50の処理のうち最後に行った処理により変更した測定間隔の値を1だけ減算した値に変更する。他方の測定間隔は現在の値のままとする。
 そして、それによって得られたX軸方向及びY軸方向の測定間隔による測定ポイントの設定(設定状態)を最適な測定ポイントの設定(最適測定ポイント設定)として決定する。即ち、ユーザが望むばらつき精度に関するアライメント条件を満たさなくなる直前の測定ポイントの設定を、最適な測定ポイントの設定として決定する。この設定は、アライメント条件を満たす設定のうち、測定ポイントの数が最小となる設定を示す。
 そして、ステップS54の処理として、結果画像生成部58は、ステップS52において決定された最適な測定ポイントの設定を表示する結果画像を生成しモニタ44の画面に表示させる。
 例えば、最適な測定ポイントの設定におけるX軸方向及びY軸方向の測定間隔の値、測定ポイントの総数、測定ポイントのチップを例えば図16のように表示した図などを結果画像としてモニタ44の画面に表示させる。
 また、最適な測定ポイントの設定に対して、図15のステップS38~ステップS42の処理により算出される各チップにおけるばらつき精度に基づいて、各チップのばらつき精度のうちの最大値や最小値、図9~図11に示したようなばらつき精度表示画像をモニタ44の画面に表示させるようにしてもよい。
 なお、図15に示した処理手順では、測定ポイントの数を順次減少させて全てのチップのばらつき精度が条件値以下となるときの測定ポイントの設定を検出してその直前の設定を最適な測定ポイントの設定としたが、これに限らず、測定ポイントの数を順次増加させて全てのチップのばらつき精度が条件値以下となったときの測定ポイントの設定を検出し、その設定を最適な測定ポイントの設定としてもよい。
 即ち、測定ポイントの設定を任意の方法で順次変更してばらつき精度を算出し、そのうち、全てのチップのばらつき精度が条件値以下で、かつ、測定ポイントの数が最小となる測定ポイントの設定を検出して最適な測定ポイントの設定として決定すればよい。下記の第2モードにおいても同様の趣旨の変更が可能である。
 次に、第2モードの測定ポイント自動算出機能について説明する。
 制御部40において、測定ポイント自動算出機能の第2モードを実施するプログラムをCPUが実行することによって制御部40内に構築される処理部は、図13に示したブロック図と同等の構成となるため、説明を省略する。
 ただし、測定ポイント設定部60と判定部62の処理内容については、第1モードと相違しており、その処理内容については、測定ポイント自動算出機能の第2モードにおける各処理部50~64の処理内容と処理手順の説明と共に図17、図18のフローチャートを用いて説明する。なお、図17のフローチャートにおいて、第1モードと同様の処理が実施されるステップには同一ステップ番号を付している。
 操作者が操作部42の操作により、アライメントユーティリティの画面において測定ポイント自動算出機能の第2モードの実行を選択すると、図17のフローチャートに従った処理が開始される。
 まず、ステップS30の処理として、条件値入力部64は、モニタ44に条件設定画面を表示し、ユーザが入力するアライメント条件の条件値を取り込み、その条件値を判定部62に与える。の条件値は、各チップのばらつき精度として許容できる制限値(上限値)を示す。
 次に、ステップS32の処理として、チップ位置実測データ取得部50は、多数の被検体のウエハWのうちの1枚のウエハWをサンプルウエハとしてウエハステージ18に載置して、ウエハアライメントカメラ23を用いて全てのチップ(ダイ)のアライメント(全チップアライメント)を実施する。
 これにより、ウエハWの全てのチップの位置が測定(実測)され、その実測された各チップの位置がチップ位置実測データとしてデータ記憶部52に格納される。
 なお、このステップS32の処理は、被検体のウエハWに対して1度だけ実施すればよく、データ記憶部52に被検体のウエハWのチップ位置実測データが既に格納されている場合には、このステップS32の処理を実施する必要はない。
 次に、ステップS34の処理として、ショット位置設定部54は、被検体のウエハWと同種のウエハWであって、ダイシング前のウエハWのチップの配列(位置)に関する設計データと、プローブカード25のプローブ26の配列(位置)に関する設計データをデータ記憶部52から読み込む。
 そして、プローブ接触制御時においてダイシング前のウエハWの各チップに対してプローブ26を理想接触位置に接触させるためのショット位置を設定する。なお、ここで設定するショット位置は、補正前のショット位置を示す。
 次に、ステップS36の処理として、判定部62は、測定ポイント設定部60に対して、測定ポイントのX軸方向及びY軸方向の測定間隔をいずれも0にすることを指定する。
 次に、ステップS38の処理として、測定ポイント設定部60は、判定部62により指示された測定ポイントのX軸方向及びY軸方向の測定間隔の値に従って測定ポイントを設定する。ステップS36の処理の直後のステップS38の処理では、測定ポイント設定部60は、ウエハW上の全てのチップを測定ポイントのチップとして設定する。
 また、後述のように測定ポイントとするチップが既に決定した確定範囲に関しては、その決定に従って測定ポイントを設定する。
 次に、ステップS40の処理として、ショット位置設定部54は、測定ポイント設定部60により設定された測定ポイントのチップのチップ位置実測データをデータ記憶部52から読み込む。
 そして、ショット位置設定部54は、その測定ポイントのチップの実測位置に基づいてステップS34において設定した補正前のショット位置を補正し、各チップの位置に対してプローブ26を最適に接触させることができるショット位置を補正後のショット位置として設定する。
 次に、ステップS42の処理として、ばらつき精度算出部56は、データ記憶部52から全てのチップのチップ位置実測データと、プローブカード25のプローブ26の配列(位置)に関する設計データとを読み込む。そして、それらのデータに基づいて、被検体のウエハWに対して、ステップS38において設定された補正後のショット位置にプローブ26を接触させた場合に、実測位置に配列された各チップにプローブカード25のプローブ26が接触する位置の理想接触位置からのばらつき精度を算出する。
 次に、ステップS44の処理として、判定部62は、ステップS42においてばらつき精度算出部56により算出された各チップのばらつき精度を、ステップS30において条件値入力部64により与えられた条件値とを比較し、全てのチップのばらつき精度が条件値以下か否かを判定する。
 その結果、YESと判定した場合には、ステップS46の処理に移行し、NOと判定した場合には、図18のステップS60に移行する。
 ステップS44においてYESと判定した場合のステップS46の処理として、判定部62は、X軸方向の測定間隔の現在の値とY軸方向の測定間隔の現在の値とが等しいか否かを判定する。その判定の結果、YESと判定した場合には、ステップS48の処理に移行し、NOと判定した場合には、ステップS50の処理に移行する。
 ステップS46においてYESと判定した場合のステップS48の処理として、判定部62は、測定ポイント設定部60に対して、X軸方向の測定間隔を現在の値に対して1だけ加算した値を指定する。Y軸方向の測定間隔は現在の値をそのまま指定する。そして、ステップS38の処理に戻る。
 これによって、ステップS38~ステップS42により、測定ポイントのチップが決定している確定範囲以外のX軸方向の測定間隔を1チップ分増加して測定ポイントの数を低減した測定ポイントの設定に対して各チップのばらつき精度が算出され、ステップS44によりそれらの全てのチップのばらつき精度が条件値以下か否かの判定が行われる。
 ステップS46においてNOと判定した場合のステップS50の処理として、判定部62は、測定ポイント設定部60に対して、Y軸方向の測定間隔を現在の値に対して1だけ加算した値を指定する。X軸方向の測定間隔は現在の値をそのまま指定する。そして、ステップS38の処理に戻る。
 これによって、ステップS38~ステップS42により、測定ポイントのチップが決定している確定範囲以外のY軸方向の測定間隔を1チップ分増加して測定ポイントの数を低減した測定ポイントの設定に対して各チップのばらつき精度が算出され、ステップS44によりそれらの全てのチップのばらつき精度が条件値以下か否かの判定が行われる。
 一方、ステップS44においてNOと判定した場合、図18のステップS60の処理として、判定部62は、ばらつき精度が条件値以上となったチップを選出する。
 次に、ステップS62の処理として、判定部62は、ステップS60により選出したチップを囲む矩形範囲を個別演算範囲として設定する。なお、ステップS44により選出されたチップを含むショット位置を選出して、選出したショット位置を含む最小の範囲を個別演算範囲としてもよい。
 次に、ステップS64の処理として、判定部62は、測定ポイント設定部60に対して、個別演算範囲の測定間隔を減らして測定ポイントを増加させる指定を行う。具体的には、Y軸方向の測定間隔を現在の値とし、X軸方向の測定間隔を現在の値に対して1だけ減少させた値とする指定と、X軸方向の測定間隔を現在の値とし、Y軸方向測定間隔を現在の値に対して1だけ減少させた値とする指定とを、本ステップS64の処理が繰り返されるごとに交互に指定する。
 次に、ステップS66の処理として、測定ポイント設定部60は、判定部62により設定された個別演算範囲のチップに関して、判定部62により指定されたX軸方向及びY軸方向の測定間隔の値に従って測定ポイントを設定する。
 ここで、図19は、図5と同様に、ウエハWの各チップを四角領域102により表した図を用いて個別演算範囲の測定間隔を設定した様子を示した図である。同図において、ステップS60において選出されたチップが符号TSで示す3つのチップであった場合、ステップS62においてそれらのチップTSを含む範囲が個別演算範囲130として設定される。そして、ステップS64及びステップS66において、個別演算範囲130内の測定ポイントのチップとして符号TRで示すチップが設定される。個別演算範囲130内では、個別演算範囲130の周縁のチップが測定ポイントのチップとなるように、個別演算範囲130の外部の測定ポイントと関係なく新たに測定ポイントの設定が行われる。
 図18に戻り、次に、ステップS68の処理として、ショット位置設定部54は、測定ポイント設定部60により設定された個別演算範囲の測定ポイントの全てチップのチップ位置実測データをデータ記憶部52から読み込む。
 そして、その個別演算範囲の測定ポイントのチップの実測位置に基づいてステップS34において設定した個別演算範囲の補正前のショット位置を補正し、個別演算範囲内における各チップの位置に対してプローブ26を最適に接触させることができるショット位置を補正後のショット位置として設定する。
 次に、ステップS70の処理として、ばらつき精度算出部56は、データ記憶部52から個別演算範囲の全てのチップのチップ位置実測データと、プローブカード25のプローブ26の配列(位置)に関する設計データとを読み込む。そして、それらのデータに基づいて、ウエハWの個別演算範囲に対して、ステップS68において設定された補正後のショット位置にプローブ26を接触させた場合に、実測位置に配列された各チップにプローブカード25のプローブ26が接触する位置の理想接触位置からのばらつき精度を算出する。
 次に、ステップS72の処理として、判定部62は、ステップS70においてばらつき精度算出部56により算出された個別演算範囲の各チップのばらつき精度を、ステップS30において条件値入力部64により与えられた条件値とを比較し、全てのチップのばらつき精度が条件値以下か否かを判定する。NOと判定した場合にはステップS64に戻り、測定間隔を低減させて測定ポイントの数を増加させてステップS66~ステップS72の処理を繰り返す。
 一方、YESと判定した場合には、ステップS74の処理として、判定部62は、個別演算範囲の現在の測定ポイントの設定を最適な測定ポイントの設定(最適測定ポイント設定)として決定する。
 そして、ステップS76の処理として、判定部62は、個別演算範囲のチップを確定範囲(測定ポイントの設定が確定した範囲)のチップとして設定する。
 次に、ステップS78の処理として、判定部62は、ウエハWの全てのチップが確定範囲のチップとして設定されたか否かを判定する。NOと判定した場合には、図17のステップS46に移行し、YESと判定した場合には、ステップS80に移行する。
 ステップS78においてNOと判定した場合のステップS46からの処理において、既に確定範囲として設定されている範囲に関しては、測定ポイントの変更は行わずにステップS74において決定した測定ポイントに固定する。なお、確定範囲に関しては、ステップS42におけるばらつき精度の算出や、ステップS44における判定を行わないようにしてもよい。
 一方、ステップS78においてYESと判定した場合のステップS80の処理として、判定部62は、各確定範囲において決定された測定ポイントの設定を最適な測定ポイントの設定として決定する。
 そして、ステップS82の処理として、結果画像生成部58は、ステップS80において決定された最適な測定ポイントの設定を表示する結果画像を生成しモニタ44の画面に表示させる。
 例えば、最適な測定ポイントの設定におけるX軸方向及びY軸方向の測定間隔の値、測定ポイントの数、測定ポイントのチップを例えば図19のように表示した図などを結果画像としてモニタ44の画面に表示させる。
 また、最適な測定ポイントの設定に対して、図17(図15)のステップS38~ステップS42の処理により算出される各チップにおけるばらつき精度に基づいて、各チップのばらつき精度のうちの最大値や最小値、図9~図11に示したようなばらつき精度表示画像をモニタ44の画面に表示させるようにしてもよい。
 次に、第3モードの測定ポイント自動算出機能について説明する。
 図20は、制御部40において、測定ポイント自動算出機能の第3モードを実施するプログラムをCPUが実行することによって制御部40内に構築される処理部を示したブロック図である。
 データ記憶部80は、図3に示したデータ記憶部52に相当し、被検体であるウエハWのダイシング前のチップの配列に関する設計データや、ステージ移動機構によってウエハステージ18に載置したウエハWを移動させる際の最高速度、加速度等のステージ移動機構の制御に関するデータなど、以下のアライメント時間の算出に必要なデータを格納している。
 測定ポイント設定部82は、上述の測定ポイント設定部60と同様にアライメント(チップの位置(XY座標)の実測)を実施するチップを測定ポイントとして設定する。
 即ち、判定部86により指定されたX軸方向の測定間隔を示すチップ数とY軸方向の測定間隔を示すチップ数(ライン数)とに従って測定ポイントを設定する。
 アライメント時間算出部(アライメント時間算出手段)84は、測定ポイント設定部82により設定された測定ポイントに従ってアライメント制御を実施する場合にそのアライメント制御に要するアライメント時間(測定ポイントのチップのアライメントが全て終了するまでに要する時間)を算出する。
 その際、被検体のウエハWの配列(位置)に関するデータや、ステージ移動機構の制御に関する情報をデータ記憶部80から読み込み、測定ポイントのチップ間の移動に要する時間などを算出する。
 判定部86は、測定ポイント設定部82に対してアライメントを実施する測定ポイントの設定、変更に関する指示を与えて、それに従って設定、変更された測定ポイントに対してアライメント時間算出部84により算出されたアライメント時間を取得する。
 そして、そのアライメント時間が、条件値入力部88により入力された条件値に基づくアライメント条件を満たすか否かを判定する。その判定の結果に基づいて、最適な測定ポイントの設定を検出する。
 ここで、アライメント条件として、アライメント時間が条件値入力部88により与えられた条件値以下となるようにアライメント制御を実施することを条件とし、判定部86は、アライメント時間が条件値以下か否かを判定する。
 また、最適な測定ポイントの設定として、アライメント条件を満たす測定ポイントの設定のうち、測定ポイントの数ができるだけ少なくなるような設定を検出する。即ち、最適な測定ポイントの設定は、アライメント時間が条件値以下となるようにするために測定ポイントの数をどの程度まで低減させればよいかを示す。
 条件値入力部88は、モニタ44の画面にアライメント条件に関する条件値を入力する条件設定画面を表示し、その条件設定画面に対してユーザが操作部42の操作によって入力した条件値を取得する。その条件値を判定部86に与える。
 結果画像生成部90は、判定部86により検出された最適な測定ポイントの設定に関する情報をユーザに提示する結果画像を生成し、その結果画像をモニタ44の画面に表示させる。
 次に、測定ポイント自動算出機能の第3モードにおける各処理部80~90の処理内容と処理手順について図21のフローチャートを用いて説明する。
 操作者が操作部42の操作により、アライメントユーティリティの画面において測定ポイント自動算出機能の第3モードの実行を選択すると、図12のフローチャートに従った処理が開始される。
 まず、ステップS100の処理として、条件値入力部88は、モニタ44に条件設定画面を表示し、ユーザが入力するアライメント条件の条件値を取り込み、その条件値を判定部62に与える。この条件値は、アライメント時間として許容できる制限値(上限値)を示す。
 次に、ステップS102の処理として、アライメント時間算出部84は、被検体のウエハWと同種のウエハWであって、ダイシング前のウエハWのチップの配列(位置)に関する設計データ(X軸方向とY軸方向のインデックスサイズのデータ)と、アライメント制御時においてステージ移動機構によって移動するウエハWの最高速度、加速度のデータをデータ記憶部80から読み込む。
 続いて、ステップS104の処理として、アライメント時間算出部84は、アライメント制御時において、ウエハWが停止してウエハアライメントカメラ23が撮影する時間をデータ記憶部80から取得する。
 次に、ステップS106の処理として、判定部86は、測定ポイント設定部82に対して、測定ポイントのX軸方向及びY軸方向の測定間隔をいずれも0にすることを指定する。
 次に、ステップS108の処理として、測定ポイント設定部82は、判定部86により指示された測定ポイントのX軸方向及びY軸方向の測定間隔の値に従って測定ポイントを設定する。ステップS106の処理の直後のステップS108の処理では、測定ポイント設定部82は、ウエハW上の全てのチップを測定ポイントのチップとして設定する。
 次に、ステップS110の処理として、アライメント時間算出部84は、測定ポイント設定部82により設定された測定ポイントのチップのアライメントを実施する場合に、全ての測定ポイントのチップのアライメントに要するアライメント時間、即ち、全てのチップを測定ポイントとしたアライメント制御に要するアライメント時間を、ステップS102及びステップS104において読み込んだデータに基づいて算出する。
 次に、ステップS112の処理として、判定部86は、ステップS112においてアライメント時間算出部84により算出されたアライメント時間を、ステップS100において条件値入力部88により与えられた条件値とを比較し、算出されたアライメント時間が条件値以下か否かを判定する。
 その結果、NOと判定した場合には、ステップS114の処理に移行し、YESと判定した場合には、ステップS120に移行する。
 ステップS112においてNOと判定した場合のステップS114の処理として、判定部86は、X軸方向の測定間隔の現在の値とY軸方向の測定間隔の現在の値とが等しいか否かを判定する。その判定の結果、YESと判定した場合には、ステップS116の処理に移行し、NOと判定した場合には、ステップS118の処理に移行する。
 ステップS114においてYESと判定した場合のステップS116の処理として、判定部86は、測定ポイント設定部82に対して、X軸方向の測定間隔を現在の値に対して1だけ加算した値を指定する。Y軸方向の測定間隔は現在の値をそのまま指定する。そして、ステップS108の処理に戻る。
 これによって、ステップS108、ステップS110により、X軸方向の測定間隔を1チップ分増加して測定ポイントの数を低減した測定ポイントの設定に対するアライメント時間が算出され、ステップS112によりそのアライメント時間が条件値以下か否かの判定が行われる。
 ステップS114においてNOと判定した場合のステップS118の処理として、判定部86は、測定ポイント設定部82に対して、Y軸方向の測定間隔を現在の値に対して1だけ加算した値を指定する。X軸方向の測定間隔は現在の値をそのまま指定する。そして、ステップS108の処理に戻る。
 これによって、ステップS108、ステップS110により、Y軸方向の測定間隔を1チップ分増加して測定ポイントの数を低減した測定ポイントの設定に対するアライメント時間が算出され、ステップS112によりそのアライメント時間が条件値以下か否かの判定が行われる。
 一方、ステップS112においてYESと判定した場合のステップS120の処理として、判定部86は、現在のX軸方向及びY軸方向の測定間隔による測定ポイントの設定を最適な測定ポイントの設定(最適測定ポイント設定)として決定する。
 そして、ステップS122の処理として、結果画像生成部90は、ステップS120において決定された最適な測定ポイントの設定を表示する表示画像を生成しモニタ44の画面に表示させる。
 例えば、最適な測定ポイントの設定におけるX軸方向及びY軸方向の測定間隔の値、測定ポイントの総数、最適な測定ポイントの設定におけるアライメント時間、最適な測定ポイントのチップを例えば図14のように表示した図などを結果画像としてモニタ44の画面に表示させる。
 また、図15のステップS30~S34、及び、ステップS38~ステップS42の処理により最適な測定ポイントの設定に対して各チップにおけるばらつき精度を算出し、それに基づいて、各チップのばらつき精度のうちの最大値や最小値、図9~図11に示したようなばらつき精度表示画像によって表示させるようにしてもよい。
 なお、図21に示した処理手順では、測定ポイントの数を順次減少させてアライメント時間が条件値以下となるときの測定ポイントの設定を検出して最適な測定ポイントの設定としたが、これに限らず、測定ポイントの数を順次増加させてアライメント時間が条件値を超えたときの測定ポイントの設定を検出し、その直前の設定を最適な測定ポイントの設定としてもよい。即ち、測定ポイントの設定を任意の方法で順次変更してアライメント時間を算出し、そのうち、アライメント時間が条件値以下で、かつ、アライメント時間が最大(測定ポイントの数が最大)となる測定ポイントの設定を検出して最適な測定ポイントの設定として決定すればよい。
 以上,上記実施の形態では、被検体のウエハWを個々のチップに分断されたダイシング後のウエハとしたが、ダイシング前のウエハを被検体のウエハWとする場合であっても適用でき、特定の形態のウエハに限定されない。また、プローブカード25をマルチプロ-ビング用のカードとしたがシングルプロ-ビング用のカードとすることもできる。
 また、上記実施の形態で説明したアライメントユーティリティ機能は、必ずしもプローバ10を制御する制御部において実施する必要はなく、アライメントユーティリティ機能を実施する装置は、アライメント支援装置として、必要なデータを記録媒体や通信手段等を通じて取得できる装置(コンピュータ等)であれば、プローバ10を制御する制御部とは別体の装置であってもよい。
 1…ウエハテストシステム、10…プローバ(プローブ装置)、18…ウエハステージ、19…プローブ位置検出カメラ、23…ウエハアライメントカメラ、25…プローブカード、26…プローブ、30…テスタ、40…制御部、42…操作部、44…モニタ、50…チップ位置実測データ取得部、52、80…データ記憶部、54…ショット位置設定部、56…ばらつき精度算出部、58、90…結果画像生成部、60、82…測定ポイント設定部、62、86…判定部、64、88…条件値入力部、W…ウエハ、T…チップ

Claims (9)

  1.  ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援装置であって、
     前記ウエハの全てのチップの実測位置を示す実測データを取得する実測データ取得手段と、
     前記チップを前記プローブに接触させた際に前記プローブが各チップに接触する位置のばらつき量に関する条件値を入力する条件値入力手段と、
     前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定手段と、
     前記測定ポイント設定手段により設定された測定ポイントのチップの前記実測位置に基づいて、前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させる際の前記ウエハに対するプローブの位置をショット位置として設定するショット位置設定手段と、
     前記ショット位置設定手段により設定されたショット位置に従って前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させたと仮定した場合の前記ウエハの各チップにおける前記ばらつき量を各チップの前記実測位置に基づいて算出するばらつき量算出手段と、
     前記ばらつき量算出手段により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値入力手段により入力された条件値以下であるか否かを判定する判定手段と、
     前記測定ポイント設定手段による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更手段と、
     前記測定ポイント変更手段により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記ばらつき量算出手段により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最小となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定手段と、
     前記最適測定ポイント決定手段により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力手段と、
    を備えたプローブ装置のアライメント支援装置。
  2.  前記測定ポイント変更手段は、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次増加するように変更させ、
     前記最適測定ポイント決定手段は、前記ウエハの全てのチップのうちいずれかのチップにおけるばらつき量が前記条件値を超えたときの直前の測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する請求項1に記載のプローブ装置のアライメント支援装置。
  3.  前記測定ポイント変更手段は、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次増加するように変更させる第1の変更処理と、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次減少するように変更させる第2の変更処理とを実施し、
     前記最適測定ポイント決定手段は、
     測定ポイントの設定が確定した確定範囲以外の測定ポイントの設定を前記第1の変更処理により変更し、前記ウエハの全てのチップのうちいずれかのチップにおけるばらつき量が前記条件値を超えたときに、ばらつき量が前記条件値を超えたチップを含む部分的な範囲を個別演算範囲として設定する個別演算範囲設定処理と、
     前記個別演算範囲の測定ポイントの設定を前記第2の変更処理により変更し、前記個別演算範囲の全てのチップにおけるばらつき量が前記条件値以下となったときの測定ポイントの設定を前記個別演算範囲における最適測定ポイント設定として決定し、前記個別演算範囲を前記確定範囲として設定する個別演算処理と、
    を、前記ウエハの全てのチップが前記確定範囲のチップとなるまで繰り返し実施する請求項1に記載のプローブ装置のアライメント支援装置。
  4.  ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援装置であって、
     前記ウエハの各チップの位置を測定するアライメントが全て終了するまでに要する時間を示すアライメント時間に関する条件値を入力する条件値入力手段と、
     前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定手段と、
     前記測定ポイント設定手段により設定された測定ポイントのチップのアライメントを実施したと仮定した場合に要する前記アライメント時間を算出するアライメント時間算出手段と、
     前記アライメント時間算出手段により算出されたアライメント時間が前記条件値入力手段により入力された条件値以下か否かを判定する判定手段と、
     前記測定ポイント設定手段による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更手段と、
     前記測定ポイント変更手段により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記アライメント時間算出手段により算出されたアライメント時間が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最大となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定手段と、
     前記最適測定ポイント決定手段により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力手段と、
    を備えたプローブ装置のアライメント支援装置。
  5.  前記測定ポイント変更手段は、前記測定ポイントの設定を前記測定ポイントの間隔が順次増加するように変更させ、
     前記最適測定ポイント決定手段は、前記アライメント時間が前記条件値以下となったときの測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する請求項4に記載のプローブ装置のアライメント支援装置。
  6.  前記出力手段は、前記最適測定ポイント決定手段により決定された測定ポイントの設定における測定ポイントの数を出力する請求項1~5のうちのいずれ1項に記載のプローブ装置のアライメント支援装置。
  7.  前記出力手段は、前記最適測定ポイント決定手段により決定された測定ポイントの設定における測定ポイントの間隔を出力する請求項2、3、又は、5に記載のプローブ装置のアライメント支援装置。
  8.  ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援方法であって、
     前記ウエハの全てのチップの実測位置を示す実測データを取得する実測データ取得工程と、
     前記チップを前記プローブに接触させた際に前記プローブが各チップに接触する位置のばらつき量に関する条件値を入力する条件値入力工程と、
     前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定工程と、
     前記測定ポイント設定工程により設定された測定ポイントのチップの前記実測位置に基づいて、前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させる際の前記ウエハに対するプローブの位置をショット位置として設定するショット位置設定工程と、
     前記ショット位置設定工程により設定されたショット位置に従って前記ウエハの各チップを前記プローブに接触させたと仮定した場合の前記ウエハの各チップにおける前記ばらつき量を各チップの前記実測位置に基づいて算出するばらつき量算出工程と、
     前記ばらつき量算出工程により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値入力工程により入力された条件値以下であるか否かを判定する判定工程と、
     前記測定ポイント設定工程による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更工程と、
     前記測定ポイント変更工程により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記ばらつき量算出工程により算出された各チップにおけるばらつき量が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最小となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定工程と、
     前記最適測定ポイント決定工程により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力工程と、
    を備えたプローブ装置のアライメント支援方法。
  9.  ウエハ上に複数形成されたチップをテスタのプローブに接触させるプローブ装置のアライメント支援方法であって、
     前記ウエハの各チップの位置を測定するアライメントが全て終了するまでに要する時間を示すアライメント時間に関する条件値を入力する条件値入力工程と、
     前記ウエハの全てのチップのうち、アライメントを実施するチップを測定ポイントとして複数の測定ポイントを設定する測定ポイント設定工程と、
     前記測定ポイント設定工程により設定された測定ポイントのチップのアライメントを実施したと仮定した場合に要する前記アライメント時間を算出するアライメント時間算出工程と、
     前記アライメント時間算出工程により算出されたアライメント時間が前記条件値入力工程により入力された条件値以下か否かを判定する判定工程と、
     前記測定ポイント設定工程による前記測定ポイントの設定を順次異なる設定に変更させる測定ポイント変更工程と、
     前記測定ポイント変更工程により順次変更された前記測定ポイントの設定のうち、前記アライメント時間算出工程により算出されたアライメント時間が前記条件値以下であって、前記測定ポイントの数が最大となる測定ポイントの設定を最適測定ポイント設定として決定する最適測定ポイント決定工程と、
     前記最適測定ポイント決定工程により決定された最適測定ポイント設定に関する情報を出力する出力工程と、
    を備えたプローブ装置のアライメント支援方法。
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