WO2014061754A1

WO2014061754A1 - 液晶表示装置

Info

Publication number: WO2014061754A1
Application number: PCT/JP2013/078235
Authority: WO
Inventors: 仲西　洋平; 真伸水▲崎▼; 健史野間
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2012-10-19
Filing date: 2013-10-17
Publication date: 2014-04-24
Also published as: US20150261044A1; US9983441B2

Abstract

本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板と、該第一基板及び該第二基板に挟持され、液晶材料を含有する液晶層と、該第一基板及び該第二基板の少なくとも一方の基板上に形成された、液晶分子を配向制御するポリマー層とを備え、該第一基板は、第一の電極を有し、該ポリマー層は、液晶層中に添加された一種以上のラジカル重合性モノマーが重合することによって形成されたものであり、該ラジカル重合性モノマーの少なくとも一つは、Ｐ－Ｓｐ^１－Ｚ^２－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ１－Ｚ^３－Ｓｐ^２－Ｐで表される化合物である。（式中、Ｐは、ラジカル重合性基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、アルキレン基など又は直接結合を表す。Ａ^１は、２価の芳香族炭化水素基などを表す。Ａ^２は、フェニレン基などを表す。Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＲＣＯ－基、－ＣＯＮＲ－基など、又は、直接結合を表す。Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３の少なくとも１つは、－ＮＲＣＯ－基又は－ＣＯＮＲ－基を表す。Ｒは、水素原子又は炭素数１～６の直鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基を表す。ｎ１は、０又は１である。）

Description

液晶表示装置

本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、液晶組成物中に含まれるモノマーを重合させて形成した液晶分子の配向性を制御するポリマー層（以下、配向維持（ＰＳＡ：Polymer Sustained Alignment）層ともいう。）を備える液晶表示装置に関するものである。

液晶表示（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）装置は、複屈折性を有する液晶分子の配向を制御することにより光の透過／遮断（表示のオン／オフ）を制御する機器である。

ＬＣＤの液晶配向モードとしては、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板法線方向から見たときに９０°捩れた状態で配向させるＴＮ（Twisted Nematic）モード、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して垂直配向させる垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）モード、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して水平配向させて液晶層に対し横電界を印加する面内スイッチング（ＩＰＳ：In-Plane Switching）モード及びフリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Fringe Field Switching）モード等が挙げられる。

液晶表示装置は、例えば、アレイ基板と、カラーフィルタ基板と、アレイ基板及びカラーフィルタ基板からなる一対の基板間に狭持された液晶層とを備える。両基板の液晶層側の表面上は、配向膜を有していてもよい。

以下に、液晶表示装置の製造工程の一例を説明する。上記のいずれか一方の基板に、絶縁材料からなるスペーサを複数設け、両基板を貼り合わせる。滴下法を用いる場合には、基板の貼合せ前に液晶材料を滴下し、真空注入法を用いる場合には、基板の貼合せ後に液晶材料を真空注入し、注入口を塞ぐ。そして、各基板の液晶層側と反対側の面上に、偏光板、位相差フィルム等を貼り付けることにより、液晶表示パネルが完成する。更に、液晶表示パネルに、ゲートドライバー、ソースドライバー、表示制御回路等を実装するとともに、バックライト等を組み合わせることによって、液晶表示装置が完成する。

近年、配向膜上又は配向膜を有さない基板上に、液晶分子の配向を制御するポリマー層（ＰＳＡ層）を形成する技術が注目を集めている。ＰＳＡ層は、液晶材料にモノマーやオリゴマー等の重合性成分を混合した液晶組成物を基板間に封入し、熱又は光（例えば、紫外線）照射によって、モノマーやオリゴマー等の重合性成分を重合して形成する。

特許文献１には、光重合性化合物を混合した液晶材料を、光配向膜を形成した両基板間に挟持し、光を照射することによって光重合性化合物を重合させ、配向維持層を形成することが記載されている。特許文献１の光配向膜は、主鎖と、光反応性官能基を含む側鎖を有する高分子を含む配向膜であり、異なる方向から光を照射することで、配向膜に対し異なる方向の配向規制力を付与する複数の領域を形成することができる。この光照射により、光配向膜から不純物が発生することがあるが、配向維持層により、不純物を固定化し、液晶層中での不純物イオンの発生を抑制することで、液晶分子のプレチルト方向を固定化しつつ、電圧保持率の低下及び焼き付きの発生を抑制することができる。

特許文献２には、重合可能なモノマーを含有している液晶組成物を基板間に注入し、基板の相対する透明電極の間に電圧を印加しながら紫外線を照射し、該モノマーを重合することで、液晶表示装置の焼付きを軽減できること、該モノマーが１つ以上の環構造あるいは縮環構造と、該環構造あるいは縮環構造と直接結合している２つの官能基とを有することが記載されている。

国際公開第２００９／１５７２０７号特開２００３－３０７７２０号公報

ＰＳＡ処理を行った液晶表示装置を高温、高湿度の環境下で使用すると、表示領域の外縁に沿ってシミ、表示ムラが発生することがある。シミ、表示ムラの発生について、図３９を用いて説明する。図３９は、高温、高湿度の環境下で使用した後の中間調（３２／２５５）における液晶表示装置の正面模式図である。高温、高湿度の環境下で使用すると、液晶表示装置１０００の表示領域１００１の外縁に沿ってシミが発生した領域１００２が現れ、表示領域１００１の外縁と中心部とで輝度が異なり、表示ムラが観察されることがある。表示領域１００１とは、観察者が認識する画像を表示する領域であり、額縁領域１００３は含まれない。額縁領域１００３には、ゲートドライバー、ソースドライバー、表示制御回路等が収容される。

近年、液晶表示装置は、表示領域を広くする傾向にあり、額縁領域を狭くする要請がある。額縁領域を狭くすると、上述のようにシミ、表示ムラが発生した領域が目立つことになるので、液晶表示装置の表示品質は大きく低下する。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、液晶表示装置にシミ、表示ムラが発生する原因について検討し、液晶表示装置の製造工程において、シール材を用いて両基板を貼り合せる工程に着目した。そして、鋭意検討を行ったところ、基板の貼り合せに用いられるシール材が充分に硬化していない状態で液晶層と接触すると、液晶層中にシール材の成分が溶出する場合があること、また、液晶表示装置を高温、高湿度の環境下で使用すると、液晶表示装置の外部から湿気等の水分が浸入し、水分と共にシール材の成分が液晶層中に溶出する場合があることを見いだした。更に、これらの水分、不純物等が液晶層中に存在することにより、シミ、表示ムラが発生することを見いだした。

そして、本発明者らは更に検討し、液晶材料と、アミド基を有するラジカル重合性モノマーとを含む液晶組成物を、両基板間に挟持し、紫外線照射によりモノマーを重合させポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、液晶分子の配向を制御でき、かつ、高温、高湿度の環境下で使用しても、シミ、表示ムラを発生させ難くすることができることを見いだした。

以下に図４０を用いて、液晶表示装置のシミ、表示ムラの発生が抑制される理由を説明する。図４０は、エステル基又はアミド基と、水分子との相互作用を表した模式図である。図４０中のエステル基及びアミド基が有するＲ^７～Ｒ^１０は、炭化水素基を表す。

ポリマー層（ＰＳＡ層）を形成するために用いられる従来のモノマーは、エステル基（－ＣＯＯ－基）を有する。図４０（ａ）に示すように、エステル基が有する－ＣＯ－は、極性が比較的高いため、他の極性分子（例えば、水分子、シール材由来の成分のうち、極性が高いもの等）との間で双極子－双極子相互作用を生じさせる。しかし、高温、高湿の環境下では、従来のモノマーは、水分やシール材由来の不純物との相互作用を維持することが困難となるので、液晶層中に不純物等が残存してしまう。

一方、本発明におけるラジカル重合性モノマーのアミド基（－ＮＲＣＯ－基）が有する－ＣＯ－は、エステルの場合と比較して非常に極性が高いため、他の極性分子との間で、非常に強い双極子－双極子相互作用を生じさせる。更に、アミド基（－ＮＨＣＯ－）は、窒素原子を有し、窒素原子に結合した水素原子を介して、水等の水素結合性を有する極性分子との間で水素結合を形成することができる。そのため、アミド基を有するラジカル重合性モノマーは、極性が高い不純物、特に水素結合性を有する不純物と強く相互作用を持つことができるため、高温、高湿度の環境下であっても、水分や極性が高い不純物を取り込むことができ、液晶中に不純物が残存することを防ぐことができる。

こうして、本発明者らは、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

本発明の一態様は、第一基板及び第二基板と、該第一基板及び該第二基板に挟持され、液晶材料を含有する液晶層と、該第一基板及び該第二基板の少なくとも一方の基板上に形成された、液晶分子を配向制御するポリマー層とを備え、該第一基板は、第一の電極を有し、該ポリマー層は、液晶層中に添加された一種以上のラジカル重合性モノマーが重合することによって形成されたものであり、該ラジカル重合性モノマーの少なくとも一つは、下記化学式（１）で表される化合物である液晶表示装置である。

（式中、
Ｐは、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ａ^１は、２価の、脂環式、芳香族単環式、又は、縮合多環式の炭化水素基を表す。
Ａ^２は、フェニレン基又はナフタレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ＝基は、互いに隣接しない限り－Ｎ＝基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～１２の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよく、更にこれらの炭素原子の１つ以上がケイ素原子に置換されていても良い。
Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＮＲＣＯ－基、－ＣＯＮＲ－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基、又は、直接結合を表す。
Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３の少なくとも１つは、－ＮＲＣＯ－基又は－ＣＯＮＲ－基を表す。
Ｒは、水素原子又は炭素数１～６の直鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
ｎ^１は、０又は１である。）

本形態の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。

アミド基を有するモノマーの液晶への溶解性が低い点を考慮すると、上記化学式（１）に示す化合物は、例えば、炭素数１～６の、直鎖状のアルキル基又はアルケニル基等の修飾基を導入することが好ましく、液晶への溶解性を向上させることができる。

上記化学式（１）で表される化合物の例としては、下記化学式（２）で表される化合物が挙げられる。

（式中、
Ａ^１は、２価の、脂環式、芳香族単環式、又は、縮合多環式の炭化水素基を表す。
Ａ^２は、フェニレン基又はナフタレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ＝基は、互いに隣接しない限り－Ｎ＝基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～１２の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよく、更にこれらの炭素原子の１つ以上がケイ素原子に置換されていても良い。
Ｚ^１は、－Ｏ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＲＣＯ－基、－ＣＯＮＲ－基、又は、直接結合を表す。
Ｒは、水素原子又は炭素数１～６の直鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表し、少なくとも１つは、アクリロイルアミノ基又はメタクリロイルアミノ基である。
ｎ^１は、０又は１である。）

上記化学式（１）及び（２）で表される化合物が有するＡ^１の例としては、ベンゼン－１，２－ジイル基、ベンゼン－１，３－ジイル基、ベンゼン－１，４－ジイル基、ピリジン－２，３－ジイル基、ピリジン－２，４－トリイル基、ピリジン－２，５－ジイル基、ピリジン－２，６－ジイル基、ナフタレン－１，２－ジイル基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－１，５－ジイル基、ナフタレン－１，８－ジイル基、ナフタレン－２，３－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、ナフタレン－２，７－ジイル基、シクロへキサン－１，２－ジイル基、シクロへキサン－１，３－ジイル基、シクロへキサン－１，４－ジイル基、デカヒドロナフタレン－１，２－ジイル基、デカヒドロナフタレン－１，４－ジイル基、デカヒドロナフタレン－１，５－ジイル基、デカヒドロナフタレン－１，８－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，３－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基、インダン－１，１－ジイル基、インダン－１，３－ジイル基、インダン－１，５－ジイル基、インダン－１，６－ジイル基、フェナントレン－１，６－ジイル基、フェナントレン－１，８－ジイル基、フェナントレン－１，９－ジイル基、フェナントレン－２，７－ジイル基、フェナントレン－２，９－ジイル基、フェナントレン－３，６－ジイル基、フェナントレン－３，９－ジイル基、フェナントレン－９，１０－ジイル基、アントラセン－１，４－ジイル基、アントラセン－１，５－ジイル基、アントラセン－１，９－ジイル基、アントラセン－２，３－ジイル基、アントラセン－２，６－ジイル基、アントラセン－２，９－ジイル基、又は、アントラセン－９，１０－ジイル基が挙げられ、上記Ａ^２の例としては、ベンゼン－１，２－ジイル基、ベンゼン－１，３－ジイル基、ベンゼン－１，４－ジイル基、ナフタレン－１，２－ジイル基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－１，５－ジイル基、ナフタレン－１，８－ジイル基、ナフタレン－２，３－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、ナフタレン－２，７－ジイル基が挙げられる。

上記化学式（１）で表される化合物のより具体的な例としては、下記化学式（３－１）～（３－１８）のいずれかで表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｗ^１及びＷ^２は、同一又は異なって、－Ｈ基又は－ＣＨ_３基を表す。）

上記液晶組成物は、更に、光照射による水素引き抜き反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマー、又は、光照射による自己開裂反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマーを含有してもよい。

また、３００ｎｍ付近の波長成分を長時間照射することにより、液晶表示装置のパネル内の構造物が劣化し、表示装置としての性能を損なう例があるため、品質保持の観点からは、上記光照射によってラジカルを生成する構造を有するモノマーを併せて用い、重合反応に要する光照射時間を短縮することが有効である。更に、上記光照射によってラジカルを生成する構造を有するモノマーは、３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上の波長成分を有する光を照射することによって、効率よくラジカルを発生する構造を有することが好ましい。

上記光照射による水素引き抜き反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマーの例としては、下記化学式（４）で表される化合物が挙げられる。

（式中、
Ａ^３は、芳香環を表す。
Ａ^４は、Ａ^３と同一若しくは異なる芳香環、又は、炭素数１～１２の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
Ａ^３及びＡ^４の少なくとも一方は、－Ｓｐ^３－Ｐ基を含む。
Ａ^３及びＡ^４の少なくとも一方が有する芳香環は、ベンゼン環又はビフェニル環である。
Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ基、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_５基、又は、炭素数１～１２の、アルキル基、アルケニル基若しくはアラルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基及びアルケニル基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
Ａ^３及びＡ^４が有する隣接する２つの水素原子は、炭素数１～１２の直鎖状又は分枝状のアルキレン基又はアルケニレン基で置換されて環状構造となっていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ基で置換されていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する－ＣＨ_２－基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しない限り－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基で置換されていてもよい。
Ｐは、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ^３は、炭素数１～６の直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
ｍ^１は、１又は２である。
Ａ^３とＹとをつなぐ点線部分、及び、Ａ^４とＹとをつなぐ点線部分は、Ａ^３とＡ^４との間にＹを介した結合が存在していてもよいことを表す。
Ｙは、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、又は、直接結合を表す。）　

上記化学式（４）で表される化合物の例としては、下記化学式（６－１）～（６－８）のいずれかで表される化合物が挙げられる。

（式中、
Ｒ^３及びＲ^４は、同一若しくは異なって、－Ｓｐ^８－Ｐ基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_５基、炭素数１～１２の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアラルキル基、又は、フェニル基を表す。
Ｒ^３及びＲ^４の少なくとも一方は、－Ｓｐ^８－Ｐ基を含む。
Ｐは、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ^８は、炭素数１～６の直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｒ^３及びＲ^４の少なくとも一方が、炭素数１～１２の、アルキル基若しくはアラルキル基、又は、フェニル基であるとき、Ｒ^３及びＲ^４が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子又は－Ｓｐ^８－Ｐ基に置換されていてもよい。
Ｒ^３及びＲ^４が有する－ＣＨ_２－基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しない限り－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基で置換されていてもよい。）

上記化学式（６－１）～（６－６）で表されるいずれかの構造を有する化合物は、吸収波長域を３８０ｎｍ付近まで有し、上記化学式（６－７）又は（６－８）で表される化合物は、吸収波長域を４３０ｎｍ付近まで有する。したがって、上記化学式（６－１）～（６－８）で表されるいずれかの構造を有する化合物を併せて用いることで、短波長の光（例えば、３００ｎｍ未満の波長をもつ光）をカットしても、液晶表示装置の製造における、光照射による重合反応速度を速くすることができ、スループットを改善することができる。更に、上記化学式（６－７）又は（６－８）で表される化合物は、上記化学式（６－１）～（６－６）で表されるいずれかの構造を有する化合物よりも光の吸収波長域が広く、光利用効率が高くなるため、液晶表示装置の一対の基板のそれぞれに偏光板を貼り付けた後であっても、光を照射し、ラジカル重合性モノマーを重合させることができる。

上記光照射による自己開裂反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマーの例としては、下記化学式（５）で表される化合物が挙げられる。

（式中、
Ｒ^１は、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、－Ｓｐ^６－Ｐを表す。
Ｒ^２は、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、－Ｓｐ^７－Ｐを表す。
Ｐは、同一又は異なるラジカル重合性基を表し、総数が二以上である。
Ｓｐ^４は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表し、ｍ^２が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
Ｓｐ^５は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表し、ｍ^３が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
Ｓｐ^６は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状又は環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基又はアルキレンカルボニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^７は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状又は環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基又はアルキレンカルボニルオキシ基を表す。
Ｌ^１は、－Ｆ基、－ＯＨ基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、アラルキル基を表し、ｎ^２が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
２つのＬ^１が、芳香環における２つの隣接する炭素原子にそれぞれ結合している場合、互いに結合して環状構造となっていてもよく、該２つのＬ^１は、同一又は異なって、炭素数１～１２の、直鎖状又は分枝状のアルキレン基又はアルケニレン基となる。
Ｌ^２は、－Ｆ基、－ＯＨ基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、アラルキル基を表し、ｎ^３が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
２つのＬ^２が、芳香環における２つの隣接する炭素原子にそれぞれ結合している場合、互いに結合して環状構造となっていてもよく、該２つのＬ^２は、同一又は異なって、炭素数１～１２の、直鎖状又は分枝状のアルキレン基又はアルケニレン基となる。
Ｌ^１及びＬ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する１つ以上の水素原子は、－Ｆ基又は－ＯＨ基に置換されていてもよい。
Ｌ^１及びＬ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する－ＣＨ_２－基はそれぞれ、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しない限り－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基、－Ｓｐ^４－Ｐ基、又は、－Ｓｐ^５－Ｐ基で置換されていてもよい。
ｍ^２は、１～３のいずれかの整数である。
ｍ^３は、０～３のいずれかの整数である。
ｎ^２は、０～４のいずれかの整数である。
ｎ^３は、０～４のいずれかの整数である。
ｍ^２とｎ^２の合計は、１～５のいずれかの整数である。
ｍ^３とｎ^３の合計は、０～５のいずれかの整数である。
ｍ^２とｍ^３の合計は、１～６のいずれかの整数である。）

上記化学式（５）で表される化合物の例としては、下記化学式（７）で表される化合物が挙げられる。

（式中、
Ｒ^５は、炭素数１～４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｒ^６は、炭素数１～４の、直鎖状又は分枝状のアルキル基又はアルケニル基を表す。
Ｐは、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ^９は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｓｐ^１０は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。）

上記化学式（１）、（４）～（７）で表される化合物に含まれるＰの例としては、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基が挙げられる。

上記液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものであっても、正の誘電率異方性を有するものであってもよい。

上記第二基板は、第二の電極を有していてもよい。

上記第一の電極及び上記第二の電極の少なくとも一方の液晶層側の表面上は、誘電体突起物を有していてもよい。

上記第一の電極及び上記第二の電極の少なくとも一方は、開口部を有していてもよい。

上記誘電体突起物は、平面視において、線状又は略円状であってもよい。

上記開口部は、平面視において、線状又は略円状であってもよい。

上記第一基板は、更に、第三の電極を有していてもよい。

上記第一の電極及び上記第三の電極は、いずれも櫛歯電極であってもよい。

上記第一の電極は平板状であり、上記第三の電極は櫛歯状であり、上記第一の電極と上記第三の電極との間に絶縁層を有していてもよい。

本発明によれば、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

実施形態１に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程前の断面模式図。実施形態１に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。実施形態２に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程前の断面模式図。実施形態２に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態１に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態１に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態１に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態１に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態２に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態２に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態２に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態２に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態３に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態３に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態３に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態３に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態４に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態４に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態４に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態４に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態５に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態５に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態５に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態５に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態６に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態６に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態６に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態６に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態７に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態７に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態７に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態７に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。応用形態８に係る液晶表示装置の電圧無印加時の斜視模式図。応用形態８に係る液晶表示装置の電圧印加時の斜視模式図。応用形態８に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図。応用形態８に係る液晶表示装置の画素電極の例示。応用形態８に係る液晶表示装置の画素電極の他の例示。応用形態８に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図。高温、高湿度の環境下で使用した後の中間調（３２／２５５）における液晶表示装置の正面模式図。エステル基又はアミド基と、水分子との相互作用を表した模式図。

以下に実施形態を掲げ、本発明の一態様について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

本発明の液晶表示装置は、例えば、テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話、インフォメーションディスプレイ等の表示機器に用いることで、優れた表示特性を発揮することができる。

（実施形態１）
以下に、実施形態１に係る液晶表示装置の一例を示す。図１及び図２は、実施形態１に係る液晶表示装置の断面模式図であり、図１はＰＳＡ重合工程前を示し、図２はＰＳＡ重合工程後を示す。図１及び図２に示すように、実施形態１に係る液晶表示装置は、アレイ基板１０と、カラーフィルタ基板２０と、アレイ基板１０及びカラーフィルタ基板２０からなる一対の基板間に狭持された液晶層３０を備える。アレイ基板１０は、ガラス等を材料とする絶縁性の透明基板と、透明基板上に形成された各種配線、画素電極、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等とを備える。カラーフィルタ基板２０は、ガラス等を材料とする絶縁性の透明基板と、透明基板上に形成されたカラーフィルタ、ブラックマトリクス、共通電極等とを備える。アレイ基板１０及びカラーフィルタ基板２０は、液晶層３０側の表面上に配向膜８をそれぞれ備える。

図１に示すように、ＰＳＡ重合工程前において、液晶層３０中には、液晶材料とラジカル重合性モノマー４とが含まれている。ラジカル重合性モノマー４は、上記化学式（１）で表される化合物であり、より具体的には上記化学式（２）で表される化合物であり、更に具体的には、上記化学式（３－１）～（３－１８）のいずれかで表される化合物である。

液晶層３０へ光を照射することにより、ラジカル重合性モノマー４はラジカルを生成し、そのラジカルを活性種として、ラジカル重合性モノマー４のもつラジカル重合性基が次々に連鎖重合を開始、進行させ、重合する。重合によって形成されたポリマーは、図２に示すように、基板１０及び２０上に形成された配向膜８上にポリマー層（ＰＳＡ層）７として析出される。

上述のように、高温、高湿度の環境下で発生するシミ及び表示ムラは、液晶層中に水分及び不純物等が浸入することが原因であると考えられる。液晶層中に水分及び不純物等が浸入すると、電圧保持率（ＶＨＲ）が低下する。ラジカル重合性モノマー４は、アミド基を有するため、水分、水溶性の不純物等と水素結合を形成することができる。そのため、ラジカル重合性モノマー４を用いてポリマー層７を形成することにより、液晶層中の水分、不純物等の残存量を減らすことができ、ＶＨＲの低下を抑制することができる。その結果、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置を得ることができる。

また、従来のＰＳＡ技術では、一般的に重合開始剤が用いられていたが、重合開始剤（例えば、Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１等）を用いた場合は、紫外線照射により開裂したものが、不純物として液晶中に漂うためＶＨＲを低下させる。実施形態１では、ラジカル重合性モノマー４は自らラジカルを生成するため、このような重合開始剤を必要とせず、重合開始剤に由来する不純物が発生しないため、高いＶＨＲを維持することができる。また、ラジカル重合性モノマー４は、重合性基を２つ有するため、ポリマー層７を形成する際にポリマー層７に取り込まれ易く、不純物として液晶層中に残存し難いため、ＶＨＲの低下を引き起こし難い。

図２に示すように、実施形態１においては、アレイ基板１０及びカラーフィルタ基板２０上に形成された配向膜８上に、ポリマー層７が形成されている。また、アレイ基板１０とカラーフィルタ基板２０との間には、これらの基板１０、２０の外縁に沿って配向膜８上にシール材３が貼り付けられており、液晶層３０は、シール材３によってアレイ基板１０とカラーフィルタ基板２０との間に封止される。また、液晶層３０に対する光の照射は、シール材３による液晶層３０の封止後になされるので、シール材３によって囲まれた領域内にポリマー層７が形成されることになる。シール材としては、熱により硬化するもの、紫外光の照射により硬化するもの、並びに、熱及び紫外光照射のいずれによっても硬化するもののいずれを用いてもよい。

実施形態１においては、ＰＳＡ重合工程を行う際に、液晶層３０に対し閾値以上の電圧を印加せずとも、実施形態１における一種以上のラジカル重合性モノマーを用いた場合には、ポリマー層を形成することができ、液晶分子を基板面に対して特定の方位に配向させることができる。例えば、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードのような水平配向モードでは、ＰＳＡ重合工程を行う際に、液晶層に対し閾値以上の電圧を印加しなくても、ポリマー層を形成し、液晶分子の配向を制御することができる。

また、例えば、ＰＳＡ重合工程を行う際に、液晶層３０に対し閾値以上の電圧を印加した状態で光照射を行うことで、閾値以上の電圧印加状態で配向した液晶分子にならった形で重合体が形成される。この場合、形成されるポリマー層は、後に電圧無印加状態となっても液晶分子に対しプレチルト角を規定する構造をもつことになる。

実施形態１に係る液晶表示装置の他の構成要素について詳述する。

上記配向膜８は、水平配向膜であっても、垂直配向膜であってもよい。垂直配向膜とは、電圧無印加時において、液晶分子を基板面に対して垂直に配向させる配向膜であり、配向処理が施されていてもよい。垂直配向とは、基板面に対する液晶分子の平均初期傾斜角が、８０°～９０°の場合をいい、好ましくは８５°～９０°である。「傾斜角」は、液晶分子の長軸と基板面とがなす角度を０°～９０°の範囲で表したものであり、「平均傾斜角」を「チルト角」ともいう。また、電圧無印加時における液晶分子の各基板に対する傾斜角の平均を「平均初期傾斜角」といい、以下、単純に「プレチルト角」ともいう。水平配向膜とは、電圧無印加時において、液晶分子を基板面に対して水平に配向させる配向膜であり、配向処理が施されていてもよい。水平配向とは、基板面に対する液晶分子の平均初期傾斜角が、０～３０°の場合をいい、好ましくは０～１０°である。配向処理方法としては、ラビング法、光配向法等が挙げられる。

上記配向膜８としては、ポリイミド系、ポリアミック酸系、ポリシロキサン系等が挙げられる。

また、上記配向膜８は、光配向膜であってもよい。光配向膜としては、アゾベンゼンのシスートランス変化を利用して液晶分子を配向させるもの、ポリビニルシンナメートの二量体が有する異方性により液晶分子を配向させるもの、光吸収の異方性により異方的分解が起こり液晶分子を配向させるもの（光分解型）等が挙げられる。

液晶層３０には、一定電圧が印加されることで特定の方向に配向する特性をもつ液晶材料が充填されている。液晶材料は、正の誘電率異方性を有するものであっても、負の誘電率異方性を有するものであってもよく、閾値以上の電圧の印加によってその配向性が制御される。

実施形態１に係る液晶表示装置においては、アレイ基板１０、液晶層３０及びカラーフィルタ基板２０が、液晶表示装置の背面側から観察面側に向かってこの順に積層されている。アレイ基板１０の背面側及びカラーフィルタ基板２０の観察面側には、偏光板が備え付けられている。これらの偏光板に対しては、更に位相差板が配置されていてもよく、上記偏光板は、円偏光板であってもよい。

実施形態１に係る液晶表示装置は、透過型、反射型及び反射透過両用型のいずれであってもよい。透過型又は反射透過両用型であれば、実施形態１の液晶表示装置は、更に、バックライトを備えている。バックライトは、アレイ基板１０の更に背面側に配置され、アレイ基板１０、液晶層３０及びカラーフィルタ基板２０の順に光が透過するように配置される。反射型又は反射透過両用型であれば、アレイ基板１０は、外光を反射するための反射板を備える。また、少なくとも反射光を表示として用いる領域においては、カラーフィルタ基板２０の偏光板は、いわゆるλ／４位相差板を備える円偏光板である必要がある。

実施形態１に係る液晶表示装置は、液晶表示装置（例えば、携帯電話、モニター、液晶ＴＶ（テレビジョン）、インフォメーションディスプレイ）を分解し、核磁気共鳴分析法（ＮＭＲ：Ｎｕｃｌｅａｒ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ－ＩＲ：Ｆｏｕｒｉｅｒ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、質量分析法（ＭＳ：Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等を用いた化学分析を行うことにより、ポリマー層中に存在するモノマー成分の解析を行い、モノマー成分の種類を決定することができる。

（実施形態２）
実施形態２は、実施形態１で用いたラジカル重合性モノマーに加え、更に、光照射によってラジカルを生成する構造を有する他のモノマーを用いた点以外は、実施形態１と同様である。

以下に、実施形態２に係る液晶表示装置の一例を示す。図３及び図４は、実施形態２に係る液晶表示装置の断面模式図である。図３はＰＳＡ重合工程前を示し、図４はＰＳＡ重合工程後を示す。図３及び図４に示すように、実施形態２に係る液晶表示装置は、アレイ基板１０と、カラーフィルタ基板２０と、アレイ基板１０及びカラーフィルタ基板２０からなる一対の基板間に狭持された液晶層３０とを備える。アレイ基板１０は、ガラス等を材料とする絶縁性の透明基板と、透明基板上に形成された各種配線、画素電極、ＴＦＴ等とを備える。カラーフィルタ基板２０は、ガラス等を材料とする絶縁性の透明基板と、透明基板上に形成されたカラーフィルタ、ブラックマトリクス、共通電極等とを備える。アレイ基板１０及びカラーフィルタ基板２０は、液晶層３０側の表面上に配向膜８をそれぞれ備える。

図３に示すように、ＰＳＡ重合工程前において、液晶層３０中には、液晶材料、第一のラジカル重合性モノマー４及び第二のラジカル重合性モノマー６が含まれている。第一のラジカル重合性モノマー４は、上記化学式（１）で表される化合物であり、より具体的には上記化学式（２）で表される化合物であり、更に具体的には、上記化学式（３－１）～（３－１８）のいずれかで表される化合物である。第二のラジカル重合性モノマー６は、光照射によってラジカルを生成する構造を有するモノマーであり、上記化学式（４）又は（６－１）～（６－８）に挙げられる光照射による水素引き抜き反応によってラジカルを生成する構造を有する化合物であってもよく、上記化学式（５）又は（７）に挙げられる光照射による自己開裂反応によってラジカルを生成する構造を有する化合物であってもよい。光照射によってラジカルを生成する構造を有するモノマーを併せて用いることで、新たに重合開始剤を追加する必要なく重合反応を進行させることができ、よりＶＨＲの低下を妨げることができる。

液晶層３０へ光を照射することにより、第一のラジカル重合性モノマー４及び第二のラジカル重合性モノマー６のいずれも単独でラジカルを生成し、そのラジカルを活性種として、第一のラジカル重合性モノマー４及び第二のラジカル重合性モノマー６のもつラジカル重合性基が次々に連鎖重合を開始、進行させ、重合する。重合によって形成されたポリマーは、図４に示すように、基板１０及び２０上に形成された配向膜８上にポリマー層（ＰＳＡ層）１７として析出される。

図４に示すように、実施形態２においては、アレイ基板１０及びカラーフィルタ基板２０上に形成された配向膜８上に、ポリマー層１７が形成されている。また、アレイ基板１０とカラーフィルタ基板２０との間には、これらの基板１０、２０の外縁に沿って配向膜８上にシール材３が貼り付けられており、液晶層３０は、シール材３によってアレイ基板１０とカラーフィルタ基板２０との間に封止される。また、液晶層３０に対する光の照射は、シール材３による液晶層３０の封止後になされるので、シール材３によって囲まれた領域内にポリマー層１７が形成されることになる。

実施形態２においても、実施形態１と同様に、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置を得ることができる。更に、光照射によってラジカルを生成する構造を有するモノマーを併せて用いることで、短い照射時間でポリマー層を形成することができるため、スループットを向上させることができる。

（応用形態１）
応用形態１は、実施形態１の液晶表示装置をＭＶＡモードとした液晶表示装置である。

第一基板が有する第一の電極、及び、第二基板が有する第二の電極の少なくとも一方の液晶層側の表面上は、誘電体突起物を有してもよく、また、第一の電極及び第二の電極の少なくとも一方は、開口部を有していてもよい。誘電体突起物の一例としては、平面視において線状であり、電極上に液晶層に向かって突出して設けられた壁状の誘電体突起物が挙げられる。このような、壁状の誘電体突起物をリブともいう。開口部の一例としては、電極に形成された平面視において線状である開口部（以下、スリットともいう。）が挙げられる。このような、リブ及び／又はスリットを設けて液晶分子の配向を制御するモードを、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モードともいう。ＭＶＡモードの一例としては、一対の基板がそれぞれ電極を有し、一方の基板が有する電極の液晶層側の表面上は、誘電体から形成されたリブを有し、他方の基板が有する電極は、スリットを有する形態が挙げられる。

図５及び図６は、応用形態１に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図５は、電圧無印加時を示し、図６は、電圧印加時を示す。応用形態１では、第二基板が有する第二の電極（共通電極）１２２の液晶層１３０側の表面上は、リブ５２を有し、第一基板が有する第一の電極（画素電極）１１２は、スリット６１を有する場合を例示する。両基板の表面上には、垂直配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものを用いることができる。リブの材料としては、例えば、感光性アクリル樹脂が挙げられる。また、リブ及びスリットは、フォトリソグラフィー法を用いて形成することができる。

図５に示すように、電圧無印加時において、リブ５２に近接する一部の液晶分子１０５を除き、ほとんどの液晶分子１０５は、基板面に対して垂直の方向に配向している。電圧が印加されると、スリット６１の近傍の液晶分子１０５は電極に向かって傾斜し、リブ５２近傍の液晶分子１０５はリブの外側に向かって傾斜し、リブ５２及びスリット６１間の液晶分子１０５は、図６に示すようにほぼ同じ方向に傾斜する。応用形態１では、液晶層に印加する電圧の大きさによって、液晶分子の傾斜角度を制御し、階調表示を可能にする。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図７は、応用形態１に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図であり、電圧印加時を表す。図８は、応用形態１に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図８に示すように、第一基板（アレイ基板）１１０は、ガラス基板１１１上に画素電極１１２が形成され、第二基板（カラーフィルタ基板）１２０は、ガラス基板１２１上に共通電極１２２が形成される。図８では、配線、カラーフィルタ、配向膜等の図示は省略している。

図７に示すように、第一基板（アレイ基板）は、相互に平行に伸びる複数のゲート信号線４１、複数のソース信号線４２、及び、複数の補助容量（Ｃｓ）配線４３をそれぞれ絶縁膜を介して有する。ゲート信号線４１と補助容量（Ｃｓ）配線４３とは相互に平行に伸びており、かつ複数のソース信号線４２と交差している。ゲート信号線４１とソース信号線４２との交点付近には、画素の駆動制御を行うスイッチング素子となるＴＦＴ４４が設けられている。ＴＦＴ４４は、三端子型の電界効果トランジスタであり、半導体層のほかに、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３つの電極を有する。ゲート信号線４１及びソース信号線４２は、それぞれ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４４が有する各電極に接続されている。なお、応用形態１においては、一つの画素電極１１２を複数の副画素電極に分け、それぞれの副画素電極に対してＴＦＴを設け、一つのゲート配線で二つの副画素電極を制御するマルチ駆動としてもよい。

第二基板（カラーフィルタ基板）は、遮光性を有するＢＭ（ブラックマトリクス）と、それぞれ特定の波長の光のみを透過するカラーフィルタを有する。各カラーフィルタの間隙にＢＭが形成され、全体として格子状となっている。ＢＭは第一基板の各配線及びＴＦＴと重なる位置に、各カラーフィルタは第一基板の画素電極のそれぞれと重なる位置にそれぞれ配置されている。

リブ５２及びスリット６１は、平面視において線状であり、かつ、一定の間隔を空けて配置されている。一部に間隔の異なる領域があってもよいが、実質的に全てのリブ５２及びスリット６１が一定間隔を有していることが好ましく、これにより良好な表示を得ることができる。リブ５２は、共通電極１２２上に形成される。また、リブ５２は一部に屈曲部を有しており、平面視において、一部がＶ字型を構成していることが好ましい。この場合、基板全体としてみれば、リブ５２はジグザグ形状となる。これにより、一つの画素内において、リブ５２に近接する液晶分子１０５を異なる４方位にバランスよく配向制御することができる。共通電極１２２は、平板状であってもよい。画素電極１１２に形成されたスリット６１は、各々が実質的に矩形の形状を有し、マトリクス状に複数配置されて１つの表示面を構成する。なお、「実質的に矩形」とは、図７のように、矩形の一部に突出部や切り欠き部が含まれていてもよいことを示す。

また、図８に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）１０７は、画素電極１１２及び共通電極１２２、画素電極１１２が有するスリット６１によって露出した部位、リブ５２等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層１３０との界面を形成する。

応用形態１では、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（応用形態２）
応用形態２は、実施形態１の液晶表示装置をＭＶＡモードとした他の一例である。

ＭＶＡモードの他の一例としては、一対の基板がそれぞれ電極を有し、一対の基板が有する各電極の液晶層側の表面上は、それぞれリブを有する形態が挙げられる。

図９及び図１０は、応用形態２に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図９は、電圧無印加時を示し、図１０は、電圧印加時を示す。応用形態２では、第二基板が有する第二の電極（共通電極）２２２の液晶層２３０側の表面上は、リブ５２を有し、第一基板が有する第一の電極（画素電極）２１２の液晶層２３０側の表面上は、リブ５１を有する場合を例示する。両基板の表面上には、垂直配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものを用いることができる。

図９に示すように、電圧無印加時において、リブ５１及び５２に近接する一部の液晶分子２０５を除き、ほとんどの液晶分子２０５は、基板面に対して垂直の方向に配向している。図１０に示すように、電圧が印加されると、リブ５１及び５２近傍の液晶分子２０５は、それぞれリブ５１及び５２の外側に向かって斜め方向に傾斜し、その結果リブ５１と５２の間の液晶分子２０５はほぼ同じ方向に傾斜する。応用形態２では、液晶層に印加する電圧の大きさによって、液晶分子の傾斜角度を制御し、階調表示を可能にする。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図１１は、応用形態２に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図であり、電圧印加時を表す。図１２は、応用形態２に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図１２に示すように、第一基板（アレイ基板）２１０は、ガラス基板２１１上に画素電極２１２が形成され、第二基板（カラーフィルタ基板）２２０は、ガラス基板２２１上に共通電極２２２が形成される。図１２では、配線、カラーフィルタ、配向膜等の図示は省略している。

図１１に示すように、リブ５１及び５２は、平面視において線状であり、かつ、一定の間隔を空けて配置されている。一部に間隔の異なる領域があってもよいが、実質的に全てのリブ５１及び５２が一定間隔を有していることが好ましく、これにより良好な表示を得ることができる。リブ５１は、画素電極２１２上に形成されており、リブ５２は、共通電極２２２上に形成されている。また、リブ５１及び５２は、一部に屈曲部を有しており、平面視において、一部がＶ字型を構成していることが好ましい。この場合、基板全体としてみれば、リブ５１及び５２はジグザグ形状となる。これにより、一つの画素内において、リブ５１及び５２に近接する液晶分子２０５を異なる４方位にバランスよく配向制御することができる。ゲート信号線４１、ソース信号線４２、補助容量（Ｃｓ）配線４３、ＴＦＴ４４の構成は、応用形態１と同様である。

また、図１２に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）２０７は、画素電極２１２、共通電極２２２、リブ５１及び５２等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層２３０との界面を形成する。

応用形態２においても、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（応用形態３）
応用形態３は、実施形態１の液晶表示装置をＰＶＡモードとした一例である。

一対の基板が有する電極のそれぞれにスリットを設けて液晶分子の配向を制御するモードを、ＰＶＡ（Patterned Vertical Alignment）モードともいう。ＰＶＡモードの一例としては、一対の基板がそれぞれ電極を有し、一対の基板が有する各電極は、それぞれスリットを有する形態が挙げられる。

図１３及び図１４は、応用形態３に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図１３は、電圧無印加時を示し、図１４は、電圧印加時を示す。応用形態３では、第二基板が有する第二の電極（共通電極）３２２は、スリット６２を有し、第一基板が有する第一の電極（画素電極）３１２は、スリット６１を有する場合を例示する。両基板の表面上には、垂直配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものを用いることができる。

図１３に示すように、電圧無印加時において、ほとんどの液晶分子３０５は、基板面に対して垂直の方向に配向している。図１４に示すように、電圧が印加されると、スリット６１及び６２近傍の液晶分子３０５は電極に向かって傾斜し、その結果スリット６１及び６２の間の液晶分子３０５はほぼ同じ方向に向かって傾斜する。液晶層に印加する電圧の大きさによって、液晶分子の傾斜角度を制御し、階調表示を可能にする。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図１５は、応用形態３に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図であり、電圧印加時を表す。図１６は、応用形態３に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図１６に示すように、第一基板（アレイ基板）３１０は、ガラス基板３１１上に画素電極３１２が形成され、第二基板（カラーフィルタ基板）３２０は、ガラス基板３２１上に共通電極３２２が形成される。図１６では、配線、カラーフィルタ、配向膜等の図示は省略している。

図１５に示すように、スリット６１及び６２は、平面視において線状であり、かつ、一定の間隔を空けて配置されている。一部に間隔の異なる領域があってもよいが、実質的に全てのスリット６１及び６２が一定間隔を有していることが好ましく、これにより良好な表示を得ることができる。また、共通電極３２２に形成されたスリット６２については、一部に屈曲部を有しており、平面視において、Ｖ字型を構成していることが好ましい。画素電極３１２に形成されたスリット６１は、各々が実質的に矩形の形状を有し、マトリクス状に複数配置されて１つの表示面を構成する。なお、「実質的に矩形」とは、図１５のように、矩形の一部に突出部や切り欠き部が含まれていてもよいことを示す。これにより、近接する液晶分子３０５を異なる４方位にバランスよく配向制御することができる。ゲート信号線４１、ソース信号線４２、補助容量（Ｃｓ）配線４３、ＴＦＴ４４の構成は、応用形態１と同様である。

また、図１６に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）３０７は、画素電極３１２及び共通電極３２２、画素電極３１２が有するスリット６１によって露出した部位、共通電極３２２が有するスリット６２によって露出した部位等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層３３０との界面を形成する。

応用形態３においても、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（応用形態４）
応用形態４は、実施形態１の液晶表示装置をＣＰＡモードとした一例である。

応用形態１では、誘電体突起物として、リブを用いた例を示したが、平面視において略円状であり、電極上に液晶層に向かって突出して設けられた先端が丸みを帯びた略円錐形の誘電体突起物を用いてもよい。このような、先端が丸みを帯びた略円錐形の誘電体突起物をリベットともいう。また、リベットを設けて液晶分子の配向を制御するモードを、ＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）モードともいう。ＣＰＡモードの一例としては、一対の基板がそれぞれ電極を有し、一方の基板が有する電極の液晶層側の表面上は、リベットを有し、他方の基板が有する電極は、スリットを有する形態が挙げられる。

図１７及び図１８は、応用形態４に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図１７は、電圧無印加時を示し、図１８は、電圧印加時を示す。応用形態４では、第二基板が有する第二の電極（共通電極）４２２の液晶層４３０側の表面上は、リベット７２を有し、第一基板が有する第一の電極（画素電極）４１２は、スリット８１を有する場合を例示する。両基板の表面上には、垂直配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものを用いることができる。リベットの材料としては、例えば、感光性アクリル樹脂が挙げられ、フォトリソグラフィー法を用いて形成することができる。

図１７に示すように、電圧無印加時において、リベット７２に近接する一部の液晶分子４０５を除き、ほとんどの液晶分子４０５は、基板面に対して垂直の方向に配向している。図１８に示すように、電圧が印加されると、液晶分子４０５は、リベット７２に向かって放射状に配向する。液晶層に印加する電圧の大きさによって、液晶分子の傾斜角度を制御し、階調表示を可能にする。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図１９は、応用形態４に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図である。図２０は、応用形態４に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図２０に示すように、第一基板（アレイ基板）４１０は、ガラス基板４１１上に画素電極４１２が形成され、第二基板（カラーフィルタ基板）４２０は、ガラス基板４２１上に共通電極４２２が形成される。図２０では、配線、カラーフィルタ、配向膜等の図示は省略している。

図１９に示すように、各リベット７２は、平面視において略円状であり、一つの副画素あたり３つのリベット７２が配置されている。第一の電極（画素電極）４１２の電極内にはスリット８１が形成されており、スリット８１により、一つの画素電極は３つの領域に区分されている。また、リベット７２は、上記３つに区切られた領域の各領域の中心と重なる位置に、それぞれ配置されている。リベット７２同士の間隔は一定であることが表示むらを少なくする観点から好ましいが、一部に間隔の異なる領域があってもよい。ゲート信号線４１、ソース信号線４２、補助容量（Ｃｓ）配線４３、ＴＦＴ４４の構成は、応用形態１と同様である。

また、図２０に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）４０７は、画素電極４１２、共通電極４２２、画素電極４１２が有するスリット８１によって露出した部位、リベット７２等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層４３０との界面を形成する。

応用形態４においても、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（応用形態５）
応用形態５は、実施形態１の液晶表示装置をＣＰＡモードとした他の一例である。

応用形態４では、ＣＰＡモードの一例としてリベットを用いた例を示したが、リベットの代わりに、電極内に平面視において略円状の開口部（ホール）を設けてもよい。ＣＰＡモードの他の一例としては、一対の基板がそれぞれ電極を有し、一方の基板が有する電極は、平面視において略円状の開口部（ホール）を有し、他方の基板が有する電極は、スリットを有する形態が挙げられる。

図２１及び図２２は、応用形態５に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図２１は、電圧無印加時を示し、図２２は、電圧印加時を示す。応用形態５では、第二基板が有する第二の電極（共通電極）５２２は、ホール８２を有し、第一基板が有する第一の電極（画素電極）５１２は、スリット８１を有する場合を例示する。両基板の表面上には、垂直配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものを用いることができる。

図２１に示すように、電圧無印加時において、ほとんどの液晶分子５０５は、基板面に対して垂直の方向に配向している。図２２に示すように、電圧が印加されると、液晶分子５０５は、ホール８２に向かって放射状に配向する。液晶層に印加する電圧の大きさによって、液晶分子の傾斜角度を制御し、階調表示を可能にする。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図２３は、応用形態５に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図である。図２４は、応用形態５に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図２４に示すように、第一基板（アレイ基板）５１０は、ガラス基板５１１上に画素電極５１２が形成され、第二基板（カラーフィルタ基板）５２０は、ガラス基板５２１上に共通電極５２２が形成される。図２４では、配線、カラーフィルタ、配向膜等の図示は省略している。

図２３に示すように、ホール８２は、平面視において略円状であり、一つの副画素あたり３つのホール８２が配置されている。第一の電極（画素電極）５１２の電極内にはスリット８１が形成されており、スリット８１により、一つの画素電極は３つの領域に区分されている。また、ホール８２は、上記３つに区切られた領域の各領域の中心と重なる位置に、それぞれ配置されている。ホール８２同士の間隔は一定であることが表示むらを少なくする観点から好ましいが、一部に間隔の異なる領域があってもよい。ゲート信号線４１、ソース信号線４２、補助容量（Ｃｓ）配線４３、ＴＦＴ４４の構成は、応用形態１と同様である。

また、図２４に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）５０７は、画素電極５１２、共通電極５２２、画素電極５１２が有するスリット８１によって露出した部位、及び、共通電極５２２が有するホール８２によって露出した部位等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層５３０との界面を形成する。

応用形態５においても、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（応用形態６）
応用形態６は、実施形態１の液晶表示装置において微細スリットを有する電極を用いた一例である。

図２５及び図２６は、応用形態６に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図２５は、電圧無印加時を示し、図２６は、電圧印加時を示す。応用形態６では、第二基板が有する第二の電極（共通電極）６２２は、平板状であり、第一基板が有する第一の電極（画素電極）６１２は、微細スリット６１２ａ、櫛歯部６１２ｂを有し、魚の骨のような構造（以下、フィッシュボーン構造ともいう。）である場合を例示する。両基板の表面上には、垂直配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものを用いることができる。

図２５に示すように、電圧無印加時において、ほとんどの液晶分子６０５は、基板面に対して垂直の方向に配向している。図２６に示すように、電圧が印加されると、液晶層６３０内には、画素電極６１２から共通電極６２２に向かって、基板面に対して斜め方向に歪んだ電界が形成される。液晶分子６０５は、負の誘電率異方性を有しており、該電界に対して垂直な方向に配向するため、液晶分子６０５の基板面に対する傾斜角（チルト角）が変化する。このとき、液晶分子は電極に向かって傾斜しようとするが、櫛歯部６１２ｂ及び微細スリット６１２ａの幅が狭いと極めて近い位置にある液晶分子が互いに逆方向に傾斜しようとして干渉し合い、最終的にはスリットと並行な方向に傾斜して安定する。櫛歯部６１２ｂ及び微細スリット６１２ａの幅は、それぞれ１～５μｍであることが好ましい。この場合も、液晶層に印加する電圧の大きさによって、液晶分子の傾斜角度を制御し、階調表示を可能にする。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図２７は、応用形態６に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図であり、電圧印加時を表す。図２８は、応用形態６に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図２８に示すように、第一基板（アレイ基板）６１０は、ガラス基板６１１上に画素電極６１２が形成され、第二基板（カラーフィルタ基板）６２０は、ガラス基板６２１上に共通電極６２２が形成される。図２８では、配線、カラーフィルタ、配向膜等の図示は省略している。

図２７に示すように、画素電極６１２は、ソース信号線４２とゲート信号線４１とで囲まれた領域ごとに設けられている。ゲート信号線４１とソース信号線４２との交点付近には、ＴＦＴ４４が設けられている。画素電極６１２は、接続電極６１２ｃ、接続電極６１２ｄ、及び、複数の櫛歯部６１２ｂから構成される。隣り合う櫛歯部６１２ｂの間は、微細スリット６１２ａである。接続電極６１２ｃは、画素の横辺の二等分線に沿って、画素の長辺と平行に形成されている。接続電極６１２ｄは、画素の縦辺の二等分線に沿って、画素の短辺と平行に形成されている。補助容量（Ｃｓ）配線４３は、接続電極６１２ｄと同様、画素の縦辺の二等分線に沿って、画素の短辺と平行に形成され、接続電極６１２ｄと重畳するように形成されている。接続電極６１２ｃ及び６１２ｄは、画素を同一形状の４つの長方形に分割するように配置される。複数の櫛歯部６１２ｂは、接続電極６１２ｃ又は接続電極６１２ｄの長手方向と４５°の角度を成すように、４５°、１３５°、２２５°、３１５°方位に延伸されている。電圧が印加されると、液晶分子６０５は、画素電極６１２に形成されたスリット６１２ａの長手方向に平行な方位に配向するため、４つの異なる方位に配向する。これにより、良好な視野角特性を得ることができる。

応用形態６では、画素電極６１２に電位を供給し、液晶分子６０５を画素電極６１２のスリット６１２ａの長手方向と平行な方位に配向させた状態で、紫外線を照射し、ラジカル重合性モノマーを重合させてもよい。液晶分子を配向させた状態でポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、基板面に対してプレチルト角を付与することができ、かつ、液晶分子が４つの異なる方向に配向方位を持つように、液晶分子の方位を固定することができる。そのため、電圧無印加時においても、各基板近くの一部の液晶分子は、各基板面に対して垂直な方向から若干斜め方向に、かつ、スリットの長手方向に平行な方位に傾けることができ、液晶分子の応答速度を早くすることができる。

また、図２８に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）６０７は、画素電極６１２、共通電極６２２、及び、画素電極６１２のスリット６１２ａによって露出した部位等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層６３０との界面を形成する。

応用形態６においても、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）６０７を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（応用形態７）
応用形態７は、実施形態１の液晶表示装置をＩＰＳモードとした一例である。

応用形態１～６では、液晶層に縦電界を発生させ、液晶分子の配向を制御する表示モードについて説明したが、液晶層に横電界を発生させることによっても、液晶分子の配向を制御することができる。横電界を発生させ、液晶分子の配向を制御するモードを、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードともいう。ＩＰＳモードの一例としては、一方の基板が、一対の櫛歯状の電極を有する形態が挙げられる。

図２９及び図３０は、応用形態７に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図２９は、電圧無印加時を示し、図３０は、電圧印加時を示す。応用形態７では、第一基板が、櫛歯状の第一の電極（画素電極）７１２及び櫛歯状の第三の電極（共通電極）７１３とを有する場合を例示する。両基板の表面上には、水平配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、正の誘電率異方性を有するものを用いることができる。

図２９に示すように、電圧無印加時において液晶分子７０５は、基板面に対して水平に配向している。図３０に示すように、電圧が印加されると、画素電極７１２と共通電極７１３との間に横電界が発生し、液晶分子７０５は電界の向きに回転する。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図３１は、応用形態７に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図である。図３２は、応用形態７に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図３２に示すように、第一基板（アレイ基板）７１０は、ガラス基板７１１上に、絶縁体７３１を介して、画素電極７１２及び共通電極７１３が形成される。第二基板（カラーフィルタ基板）７２０は、ガラス基板７２１を有する。図３２では、配線、カラーフィルタ、配向膜等の図示は省略している。

図３１に示すように、画素電極７１２及び共通電極７１３は、ともに櫛歯状であり、それぞれ複数の、櫛歯部７１２ｂ、櫛歯部７１３ｂを有する。画素電極７１２と共通電極７１３とは、複数の櫛歯部７１２ｂ及び７１３ｂが互いに噛み合わさるように、かつ、一定間隔を空けて配置されている。ゲート信号線４１、ソース信号線４２、補助容量（Ｃｓ）配線４３、ＴＦＴ４４の構成は、応用形態１と同様である。

また、図３２に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）７０７は、画素電極７１２、共通電極７１３、画素電極７１２の隣り合う櫛歯部の間及び共通電極７１３の隣り合う櫛歯部の間によって露出した部位等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層７３０との界面を形成する。

応用形態７においても、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（応用形態８）
応用形態８は、実施形態１の液晶表示装置をＦＦＳモードとした一例である。

応用形態７では、横電界により液晶分子の配向を制御するＩＰＳモードを示したが、フリンジ電界によっても、液晶分子の配向を制御することができる。フリンジ電界を発生させ、液晶分子の配向を制御するモードを、フリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Fringe Field Switching）モードともいう。ＦＦＳモードの一例としては、一方の基板が、平板上の電極と、櫛歯状の電極とを有し、両電極の間に絶縁層を有する形態が挙げられる。

図３３及び図３４は、応用形態８に係る液晶表示装置の斜視模式図であり、図３３は、電圧無印加時を示し、図３４は、電圧印加時を示す。実施形態８では、第一基板が、平板状の第三の電極（共通電極）８１３と、櫛歯状の第一の電極（画素電極）８１２とを有し、共通電極８１３と画素電極８１２との間に、絶縁体８３１を有する場合を例示する。両基板の表面上には、水平配向膜が形成されていてもよく、液晶材料は、正の誘電率異方性を有するものを用いることができる。

図３３に示すように、電圧無印加時において液晶分子８０５は、基板面に対して水平に配向している。図３４に示すように、電圧が印加されると、画素電極８１２と共通電極８１３との間にフリンジ電界が発生し、液晶分子８０５は電界の方向に回転する。このように液晶分子の配向を制御することで、表示を行うことができる。

図３５は、応用形態８に係る液晶表示装置の一画素分の平面模式図である。図３６及び３７は、応用形態８に係る液晶表示装置の画素電極の例示である。図３８は、応用形態８に係る液晶表示装置のＰＳＡ重合工程後の断面模式図である。図３８に示すように、第一基板（アレイ基板）８１０は、ガラス基板８１１上に平板状の共通電極８１３が形成され、絶縁体８３１を介して、画素電極８１２が形成されている。第二基板（カラーフィルタ基板）８２０は、ガラス基板８２１を有する。図３８では、配線、カラーフィルタ等の図示は省略している。

図３５に示すように、画素電極８１２は、櫛歯状であり、複数の櫛歯部８１２ｂを有し、画素ごとに設けられている。ゲート信号線４１とソース信号線４２との交点付近には、ＴＦＴ４４が設けられている。ゲート信号線４１、ソース信号線４２、補助容量（Ｃｓ）配線４３、ＴＦＴ４４の構成は、応用形態１と同様である。

図３５では、画素電極８１２が有する櫛歯部８１２ｂは、一端が開放されているが、図３６及び図３７に示すように、櫛歯部８１２ｂの両端が閉じた形態でもよい。図３６では、ゲート信号線４１は画素電極８１２の中央を横断するように配置され、画素電極８１２は、中央にＴＦＴ４４を有する。複数の櫛歯部８１２ｂは、画素電極の長辺に対して斜めに、一定間隔を空けて形成され、画素電極の中央を横断する線を対称軸として、線対称となるように形成されている。平面視において、画素電極の上半分と下半分とでは櫛歯部８１２ｂの傾きが異なる領域が形成される。図３７では、櫛歯部８１２ｂは一部に屈曲部を有しており、平面視において、Ｖ字型を構成している。該櫛歯部８１２ｂは、画素電極の短辺と平行に複数形成される。共通電極８１３は平板状であり、画素ごとに設けられていてもよいし、隣接する画素をまたいで形成されていてもよい。

また、図３８に示すように、ポリマー層（ＰＳＡ層）８０７は、画素電極８１２、及び、隣り合う櫛歯部８１２ｂの間によって露出した部位等を含む両基板の表面全体に形成され、液晶層８３０との界面を形成する。

応用形態８においても、アミド基を有するラジカル重合性モノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

上記応用形態１～８は、実施形態２にも適用することができ、実施形態１に適用した場合と同様に、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られる。

（評価試験）
以下に、サンプルＡ～Ｃのテストセルを作製し、評価試験を行った。実施形態１に準じた形でサンプルＡを作製し、比較対象として、サンプルＢ及びＣを作製した。

テストセルは、以下の方法で作製した。まず、透明電極を表面に有する一対の基板を用意し、基板を洗浄した後、両基板に配向膜材料を塗布し垂直配向膜を形成した。透明電極は、縦幅が１ｃｍ、横幅が１ｃｍのＩＴＯ電極を用いた。配向膜を形成した後、８０℃で１分間プリべークを行い、引き続き２００℃で６０分間ポストべークを行った。その後、片側基板にシール材を塗布し、負の誘電率異方性を有する液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する液晶組成物を滴下し、貼り合わせを行った。セル厚は、３．２μｍとした。

実施形態１に係るサンプルＡでは、ラジカル重合性モノマーとして下記化学式（８）で表される化合物を、液晶組成物全体に対して０．２重量％となるように添加した。

比較対象であるサンプルＢでは、ラジカル重合性モノマーとして、下記化学式（９）で表される化合物を液晶組成物全体に対して０．２重量％となるように添加した。

サンプルＣは、液晶組成物にラジカル重合性モノマーを添加しなかった。

サンプルＡ～Ｃに、上下基板が有する透明電極間に１０Ｖの電圧を印加した状態で、無偏光紫外光２．５７ｍＷ／ｃｍ^２を基板に対して法線方向から２０分間照射し、ラジカル重合性モノマーの重合を行い、各テストセルを完成させた。無偏光紫外光光源は、東芝ライテック社製ブラックライトＦＨＦ－３２ＢＬＢ（波長領域：３００～３７０ｎｍ）を用いた。

完成した各テストセルについて、初期の電圧保持率（ＶＨＲ）、及び、エージング試験後の電圧保持率（ＶＨＲ）を測定した。エージング試験は、温度５０℃、湿度９０％の環境下で、１０００時間放置することで行った。

高温、高湿度の環境下でエージング試験を行い、エージング試験後の電圧保持率（ＶＨＲ）を測定することで、上述のシミ及び表示ムラの発生の程度を評価することができる。エージング試験後のＶＨＲが高い場合は、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置であるといえる。

電圧保持率（ＶＨＲ）は、東陽テクニカ社製の６２５４型液晶物性測定システムを用いて測定した。テストセルの両基板が有する電極間にパルス電圧を印加し、解放期間の電位差を測定した。測定条件は、７０℃、３０Ｈｚとした。

下記表１に、サンプルＡ～Ｃの初期ＶＨＲ、及び、エージング試験後のＶＨＲの測定結果を示した。

初期ＶＨＲは、サンプルＡ～Ｃはいずれも９９％以上と高い値を示した。エージング試験後のＶＨＲは、サンプルＡは、９７％前後であったのに対し、サンプルＢ及びＣは、ともに９３％台まで低下した。

上記の結果について検討すると、実施形態１に係るサンプルＡは、上記化学式（８）で表される化合物を用いたため、形成されたポリマー層（ＰＳＡ層）は、アミド基を有する。そのため、該ポリマー層は、液晶層中に浸入した水分、不純物等と水素結合を形成したため、エージング試験後においてもＶＨＲは大きく低下しなかったと考えられる。

一方で、比較対象であるサンプルＢでは、上記化学式（９）で表される化合物を用いたため、形成されたポリマー層（ＰＳＡ層）は、アミド基を有さない。そのため、該ポリマー層は、液晶層中に浸入した水分、不純物等と水素結合を充分に形成することができず、エージング試験後のＶＨＲが低下したと考えられる。また、サンプルＣは、液晶層中に水分、不純物等が浸入したため、エージング試験後のＶＨＲが低下したと考えられる。

（実施例１）
実施例１では、応用形態１に示したＭＶＡモードの液晶表示装置を作製した。

まず、アレイ基板及びカラーフィルタ基板からなる一対の基板を用意した。カラーフィルタ基板においては、共通電極の表面上に感光性アクリル樹脂を材料とし、フォトリソグラフィー法を用いて、平面視において、線状の誘電体突起物（リブ）をパターン形成した。また、アレイ基板においては、画素にあわせて画素電極をパターン形成するためのフォトリソグラフィー工程の際に、あわせて画素電極にスリットを形成した。

両基板上に垂直配向膜を作成し、片側基板にシール材を塗布し、負の誘電率異方性を有する液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する液晶組成物を滴下した。液晶組成物を滴下後、貼り合わせを行った。ラジカル重合性モノマーとしては、上記化学式（８）で表される化合物を液晶組成物全体に対して０．２重量％となるように添加した。

その後、共通電極と画素電極との間に１０Ｖの電圧を印加した状態で、無偏光紫外光（４Ｊ／ｃｍ^２）を照射し、ラジカル重合性モノマーの重合を行い、液晶表示装置を完成させた。無偏光紫外光光源は、東芝ライテック社製ブラックライトＦＨＦ－３２ＢＬＢ（波長領域：３００～３７０ｎｍ）を用いた。

得られた液晶表示装置について、エージング試験を行った。エージング試験の条件は、評価試験と同様である。エージング試験後の液晶表示装置では、シミ、表示ムラは観察されなかった。

以上により、ＭＶＡモードの液晶表示装置について、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いることで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られた。応用形態２に示したＭＶＡモードの液晶表示装置についても同様である。

（実施例２）
実施例２では、応用形態３に示したＰＶＡモードの液晶表示装置を作製した。

まず、アレイ基板及びカラーフィルタ基板からなる一対の基板を用意した。カラーフィルタ基板においては、共通電極にフォトリソグラフィーを用いて、平面視において、線状の開口部（スリット）を形成した。また、アレイ基板においては、画素にあわせて画素電極をパターン形成するためのフォトリソグラフィー工程の際に、あわせて画素電極にスリットを形成した。

両基板上に垂直配向膜を作成し、片側基板にシール材を塗布し、負の誘電率異方性を有する液晶材料とラジカル重合性モノマーとを含有する液晶組成物を滴下し、実施例１と同様に貼り合わせを行った。ラジカル重合性モノマーとして、上記化学式（８）で表される化合物を液晶組成物全体に対して０．２重量％となるように添加した。その後、実施例１と同様に、ラジカル重合性モノマーの重合を行い、液晶表示装置を完成させた。

以上により、ＰＶＡモードの液晶表示装置について、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られた。

（実施例３）
実施例３では、応用形態４に示したリベットを有するＣＰＡモードの液晶表示装置を作製した。

まず、アレイ基板及びカラーフィルタ基板からなる一対の基板を用意した。カラーフィルタ基板においては、共通電極の表面上に感光性アクリル樹脂を材料とし、フォトリソグラフィー法を用いて、平面視において略円状であり、電極上に液晶層に向かって突出して設けられた先端が丸みを帯びた略円錐形の誘電体突起物を形成した。また、アレイ基板においては、画素にあわせて画素電極をパターン形成するためのフォトリソグラフィー工程の際に、あわせて画素電極にスリットを形成した。

以上により、リベットを有するＣＰＡモードの液晶表示装置について、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られた。

（実施例４）
実施例４では、応用形態５に示したホールを有するＣＰＡモードの液晶表示装置を作製した。

まず、アレイ基板及びカラーフィルタ基板からなる一対の基板を用意した。カラーフィルタ基板においては、共通電極にフォトリソグラフィー法を用いて、平面視において、略円状の開口部（ホール）を形成した。また、アレイ基板においては、画素にあわせて画素電極をパターン形成するためのフォトリソグラフィー工程の際に、あわせて画素電極にスリットを形成した。

以上により、ホールを有するＣＰＡモードの液晶表示装置について、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られた。

（実施例５）
実施例５では、応用形態６に示したフィッシュボーン構造を有する画素電極を用いたＶＡモードの液晶表示装置を作製した。

まず、アレイ基板及びカラーフィルタ基板からなる一対の基板を用意した。カラーフィルタ基板においては、平板状の共通電極を形成した。また、アレイ基板においては、画素にあわせて画素電極をパターン形成するためのフォトリソグラフィー工程の際に、あわせて画素電極にスリットを形成した。画素電極は、櫛歯部の電極幅が３μｍで、スリット幅が３μｍであるフィッシュボーン構造とした。

実施例５では、画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、液晶分子を画素電極のスリットの長手方向と平行な方位に配向させた状態で、紫外線を照射し、ラジカル重合性モノマーを重合させた。

以上により、フィッシュボーン構造を有する画素電極を用いたＶＡモードの液晶表示装置について、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られた。

（実施例６）
実施例６では、応用形態７に示したＩＰＳモードの液晶表示装置を作製した。ＩＰＳモードの液晶表示装置についても、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られた。

（実施例７）
実施例７では、応用形態８に示したＦＦＳモードの液晶表示装置を作製した。ＦＦＳモードの液晶表示装置についても、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られた。

以上、評価試験及び実施例１～７の結果より、上記化学式（８）で表されるような、アミド基を有するモノマーを用いてポリマー層（ＰＳＡ層）を形成することで、液晶材料の種類、配向膜の種類、及び、表示モードの種類によらず、高温、高湿度の環境下であっても、高い表示品質を保持できる液晶表示装置が得られることが分かった。

３：シール材
４：（第一の）ラジカル重合性モノマー
６：（第二の）ラジカル重合性モノマー
７、１７、１０７、２０７、３０７、４０７、５０７、６０７、７０７、８０７：ポリマー層（ＰＳＡ層）
８：配向膜
１０、１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０：第一基板（アレイ基板）
２０、１２０、２２０、３２０、４２０、５２０、６２０、７２０、８２０：第二基板（カラーフィルタ基板）
３０、１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０、７３０、８３０：液晶層
４１：ゲート信号線
４２：ソース信号線
４３：補助容量（Ｃｓ）配線
４４：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５１、５２：リブ
６１、６２、８１、６１２ａ：スリット
７２：リベット
８２：ホール
１１１、１２１、２１１、２２１、３１１、３２１、４１１、４２１、５１１、５２１、６１１、６２１、７１１、７２１、８１１、８２１：ガラス基板
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２：第一の電極（画素電極）
１２２、２２２、３２２、４２２、５２２、６２２：第二の電極（共通電極）
１０５、２０５、３０５、４０５、５０５、６０５、７０５、８０５：液晶分子
６１２ｃ、６１２ｄ：接続電極
６１２ｂ、７１２ｂ、７１３ｂ、８１２ｂ：櫛歯部
７１３、８１３：第三の電極（共通電極）
７３１、８３１：絶縁体
１０００：高温、高湿度の環境下で使用した後の液晶表示装置
１００１：表示領域
１００２：シミが発生した領域
１００３：額縁領域

Claims

第一基板及び第二基板と、
該第一基板及び該第二基板に挟持され、液晶材料を含有する液晶層と、
該第一基板及び該第二基板の少なくとも一方の基板上に形成された、液晶分子を配向制御するポリマー層とを備え、
該第一基板は、第一の電極を有し、
該ポリマー層は、液晶層中に添加された一種以上のラジカル重合性モノマーが重合することによって形成されたものであり、
該ラジカル重合性モノマーの少なくとも一つは、下記化学式（１）で表される化合物である
ことを特徴とする液晶表示装置。

（式中、
Ｐは、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ａ^１は、２価の、脂環式、芳香族単環式、又は、縮合多環式の炭化水素基を表す。
Ａ^２は、フェニレン基又はナフタレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ＝基は、互いに隣接しない限り－Ｎ＝基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～１２の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよく、更にこれらの炭素原子の１つ以上がケイ素原子に置換されていても良い。
Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＮＲＣＯ－基、－ＣＯＮＲ－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基、又は、直接結合を表す。
Ｚ^１、Ｚ^２及びＺ^３の少なくとも１つは、－ＮＲＣＯ－基又は－ＣＯＮＲ－基を表す。
Ｒは、水素原子又は炭素数１～６の直鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
ｎ^１は、０又は１である。）
前記化学式（１）で表される化合物は、下記化学式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

（式中、
Ａ^１は、２価の、脂環式、芳香族単環式、又は、縮合多環式の炭化水素基を表す。
Ａ^２は、フェニレン基又はナフタレン基を表す。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ_２－基は、互いに隣接しない限り－Ｏ－基又は－Ｓ－基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する－ＣＨ＝基は、互いに隣接しない限り－Ｎ＝基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～１２の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよく、更にこれらの炭素原子の１つ以上がケイ素原子に置換されていても良い。
Ｚ^１は、－Ｏ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－ＮＲＣＯ－基、－ＣＯＮＲ－基、又は、直接結合を表す。
Ｒは、水素原子又は炭素数１～６の直鎖状のアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、ラジカル重合性基を表し、少なくとも１つは、アクリロイルアミノ基又はメタクリロイルアミノ基である。
ｎ^１は、０又は１である。）
前記化学式（１）で表される化合物は、下記化学式（３－１）～（３－１８）で表されるいずれかの化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

（式中、Ｗ^１及びＷ^２は、同一又は異なって、－Ｈ基又は－ＣＨ_３基を表す。）
前記液晶組成物は、更に、光照射による水素引き抜き反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマー、又は、光照射による自己開裂反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマーを含有することを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記光照射による水素引き抜き反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマーは、下記化学式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。

（式中、
Ａ^３は、芳香環を表す。
Ａ^４は、Ａ^３と同一若しくは異なる芳香環、又は、炭素数１～１２の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
Ａ^３及びＡ^４の少なくとも一方は、－Ｓｐ^３－Ｐ基を含む。
Ａ^３及びＡ^４の少なくとも一方が有する芳香環は、ベンゼン環又はビフェニル環である。
Ａ^３及びＡ^４が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ基、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_５基、又は、炭素数１～１２の、アルキル基、アルケニル基若しくはアラルキル基で置換されていてもよく、該アルキル基及びアルケニル基は、直鎖状であっても分枝状であってもよい。
Ａ^３及びＡ^４が有する隣接する２つの水素原子は、炭素数１～１２の直鎖状又は分枝状のアルキレン基又はアルケニレン基で置換されて環状構造となっていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ基で置換されていてもよい。
Ａ^３及びＡ^４のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する－ＣＨ_２－基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しない限り－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基で置換されていてもよい。
Ｐは、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ^３は、炭素数１～６の直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基若しくはアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
ｍ^１は、１又は２である。
Ａ^３とＹとをつなぐ点線部分、及び、Ａ^４とＹとをつなぐ点線部分は、Ａ^３とＡ^４との間にＹを介した結合が存在していてもよいことを表す。
Ｙは、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、又は、直接結合を表す。）
前記光照射による自己開裂反応によってラジカルを生成する構造を有するモノマーは、下記化学式（５）で表され化合物であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。

（式中、
Ｒ^１は、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、－Ｓｐ^６－Ｐを表す。
Ｒ^２は、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、－Ｓｐ^７－Ｐを表す。
Ｐは、同一又は異なるラジカル重合性基を表し、総数が二以上である。
Ｓｐ^４は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表し、ｍ^２が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
Ｓｐ^５は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基若しくはアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表し、ｍ^３が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
Ｓｐ^６は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状又は環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基又はアルキレンカルボニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^７は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状又は環状のアルキレン基、アルキレンオキシ基又はアルキレンカルボニルオキシ基を表す。
Ｌ^１は、－Ｆ基、－ＯＨ基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、アラルキル基を表し、ｎ^２が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
２つのＬ^１が、芳香環における２つの隣接する炭素原子にそれぞれ結合している場合、互いに結合して環状構造となっていてもよく、該２つのＬ^１は、同一又は異なって、炭素数１～１２の、直鎖状又は分枝状のアルキレン基又はアルケニレン基となる。
Ｌ^２は、－Ｆ基、－ＯＨ基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は、アラルキル基を表し、ｎ^３が２以上の場合は、同一であっても、異なっていてもよい。
２つのＬ^２が、芳香環における２つの隣接する炭素原子にそれぞれ結合している場合、互いに結合して環状構造となっていてもよく、該２つのＬ^２は、同一又は異なって、炭素数１～１２の、直鎖状又は分枝状のアルキレン基又はアルケニレン基となる。
Ｌ^１及びＬ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する１つ以上の水素原子は、－Ｆ基又は－ＯＨ基に置換されていてもよい。
Ｌ^１及びＬ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する－ＣＨ_２－基はそれぞれ、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しない限り－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基、－Ｓｐ^４－Ｐ基、又は、－Ｓｐ^５－Ｐ基で置換されていてもよい。
ｍ^２は、１～３のいずれかの整数である。
ｍ^３は、０～３のいずれかの整数である。
ｎ^２は、０～４のいずれかの整数である。
ｎ^３は、０～４のいずれかの整数である。
ｍ^２とｎ^２の合計は、１～５のいずれかの整数である。
ｍ^３とｎ^３の合計は、０～５のいずれかの整数である。
ｍ^２とｍ^３の合計は、１～６のいずれかの整数である。）
前記液晶材料は、負の誘電率異方性を有することを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶材料は、正の誘電率異方性を有することを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記第二基板は、第二の電極を有することを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記第一の電極及び前記第二の電極の少なくとも一方の液晶層側の表面上は、誘電体突起物を有することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
前記第一の電極及び前記第二の電極の少なくとも一方は、開口部を有することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
前記誘電体突起物は、平面視において、線状又は略円状であることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
前記開口部は、平面視において、線状又は略円状であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
前記第一基板は、更に、第三の電極を有することを特徴とする請求項１～１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記第一の電極及び前記第三の電極は、いずれも櫛歯電極であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
前記第一の電極は平板状であり、
前記第三の電極は櫛歯状であり、
前記第一の電極と前記第三の電極との間に絶縁層を有する
ことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。