WO2014006995A1 - ガスクラスター照射機構およびそれを用いた基板処理装置、ならびにガスクラスター照射方法 - Google Patents

ガスクラスター照射機構およびそれを用いた基板処理装置、ならびにガスクラスター照射方法 Download PDF

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gas cluster
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健介 井内
土橋　和也
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a gas cluster irradiation mechanism, a substrate processing apparatus using the same, and a gas cluster irradiation method.
  • gas cluster technology that processes and cleans a sample surface by irradiating the sample surface with a gas cluster has attracted attention as a technology that enables highly selective processing and cleaning.
  • a method of irradiating a sample with a gas cluster for example, a method using a gas cluster ion beam is known in which a gas cluster is ionized and accelerated by an electric field or a magnetic field to collide with the sample surface (for example, patents). Reference 1).
  • the cluster ion is electrically neutralized using a neutralizer or the like to collide with the sample.
  • a neutralizer or the like to collide with the sample.
  • Patent Document 2 a technique of irradiating a neutral gas cluster using adiabatic expansion of gas has been proposed.
  • Patent Document 2 a gas mixture of ClF 3 gas, which is a reaction gas, and Ar gas, which has a lower boiling point, is jetted into a vacuum processing chamber while adiabatically expanding from a jet part at a pressure that does not liquefy. Then, a reactive cluster is generated, and the reactive cluster is sprayed onto the sample in the vacuum processing chamber to process the sample surface.
  • a cluster is basically generated by injecting gas from one injection unit (nozzle).
  • an irradiation region of a gas cluster generated from one nozzle is as follows. When it is applied to the processing of a large area substrate such as a semiconductor wafer, throughput becomes a problem.
  • Such a throughput problem can be solved by providing a plurality of gas injection nozzles.
  • the gas flow rate increases, and the processing performance decreases due to a decrease in the degree of vacuum. Resulting in. That is, since the gas cluster is destroyed when the degree of vacuum is low, if the number of nozzles is increased and the degree of vacuum falls below a predetermined value, the processing performance deteriorates due to destruction of the gas cluster.
  • the degree of vacuum may be locally reduced, and in this case, the processing performance is degraded at that portion.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and includes a gas cluster irradiation mechanism and a gas cluster irradiation method capable of processing with a gas cluster at a high throughput without destroying the gas cluster, and such a gas cluster irradiation mechanism. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus including:
  • a substrate to be processed is disposed in a processing container by injecting gas into a processing container held in a vacuum to generate a gas cluster by adiabatic expansion.
  • the nozzle unit is configured such that the pressure in the processing container reached when the gas is supplied from the gas injection nozzle at a necessary flow rate is a pressure that does not destroy the gas cluster.
  • the number of the gas injection nozzles is set in the nozzle unit, and in the nozzle unit, adjacent ones of the plurality of gas injection nozzles are connected to each other. Providing gas cluster irradiation mechanism range of extension of the residual gas that did not contribute to the formation of the gas cluster of injected gas are arranged so as not to overlap with each other from.
  • the pressure in the processing vessel is preferably 0.3 kPa or less when the supply pressure of the gas supplied to the nozzle unit is 1 MPa or less, and 3 kPa or less when the supply pressure exceeds 1 MPa and 5 MPa or less.
  • the distance between adjacent ones of the plurality of gas injection nozzles is preferably 20 mm or more. Further, the nozzle unit and the substrate to be processed can be moved relative to each other, and the gas cluster can be irradiated to the entire surface of the substrate to be processed while relatively moving them.
  • the gas cluster irradiation mechanism may include a plurality of the nozzle units, injecting gas from one of the plurality of nozzle units, and sequentially injecting gas by changing the nozzle unit.
  • the position of the gas injection nozzle in the nozzle units adjacent to each other among the plurality of nozzle units is shifted.
  • the distance by which the gas injection nozzles in the nozzle units adjacent to each other are shifted is equal to or smaller than the gas cluster irradiation range from one gas injection nozzle, and the number of the nozzle units is set in the diameter direction of the substrate to be processed. In the above, it is preferable that the number of portions where the gas cluster is not irradiated from the gas injection nozzle is not formed.
  • the gas cluster irradiation mechanism is provided in a vacuum transfer chamber or a load lock chamber for transferring the substrate to be processed to the processing container, and the substrate to be processed is placed on a transfer arm for transferring the substrate to be processed. Irradiation of a gas cluster can be performed.
  • a processing container held in a vacuum a substrate support for supporting a substrate to be processed in the processing container, and a gas cluster formed by adiabatic expansion by injecting gas into the processing container.
  • a gas cluster irradiation mechanism that irradiates the target substrate with a gas cluster, and performs a predetermined process on the target substrate with the gas cluster, wherein the gas cluster irradiation mechanism includes: A nozzle unit having a plurality of gas injection nozzles for injecting gas into the processing container; and a gas supply unit for supplying gas for generating gas clusters to the nozzle unit, wherein the nozzle unit includes the gas injection
  • the pressure in the processing vessel that is reached when the gas is supplied from the nozzle at a required flow rate is a pressure that does not destroy the gas cluster.
  • the number of the gas injection nozzles is set in the nozzle unit, and in the nozzle unit, the adjacent ones of the plurality of gas injection nozzles are replaced with the residual gas that has not contributed to the formation of the gas cluster.
  • a substrate processing apparatus which is arranged so that the expanding ranges do not overlap each other.
  • a gas is generated by injecting gas into a processing container held in a vacuum to generate a gas cluster by adiabatic expansion, and irradiating the target substrate disposed in the processing container with the gas cluster.
  • the cluster irradiation method when injecting gas from a plurality of gas injection nozzles into the processing container, the pressure in the processing container reached when the gas is supplied from the gas injection nozzle at a necessary flow rate
  • the number of the gas injection nozzles is set so that the pressure does not destroy the gas cluster, and adjacent ones of the plurality of gas injection nozzles are formed to form a gas cluster out of the gas injected therefrom.
  • a gas cluster irradiation method that is arranged so that the extents of residual gases that have not contributed to do not overlap each other.
  • the number of gas injection nozzles is set so that the pressure in the processing container reached when the gas is supplied from the gas injection nozzle at a necessary flow rate is a pressure that does not destroy the gas cluster.
  • the plurality of gas injection nozzles are arranged so that adjacent ones do not overlap with each other in a range where residual gases that have not contributed to the formation of the gas cluster among the gases injected from these nozzles are not overlapped.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows the substrate processing apparatus provided with the gas cluster irradiation mechanism which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is a top view which shows the gas cluster irradiation mechanism which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is a schematic diagram which shows the state with which the residual gas which did not contribute to formation of the gas cluster of an adjacent gas injection nozzle overlapped. It is a figure which shows the result of having actually simulated the flow of the gas from a gas injection nozzle, and having confirmed to which range residual gas spreads. It is a figure which shows the result of having calculated
  • FIG. 1 is a sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a gas cluster irradiation mechanism according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a plan view showing the gas cluster irradiation mechanism according to the first embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 is for processing a substrate by a gas cluster.
  • substrate processing include substrate cleaning processing, substrate residue processing after etching, etching processing, and the like.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a processing container 1 that partitions a processing chamber for performing substrate processing.
  • a substrate mounting table 2 is provided in the processing container 1, and a substrate to be processed S is mounted thereon.
  • Examples of the substrate S to be processed include, but are not particularly limited to, a semiconductor wafer, a glass substrate for a flat panel display, and the like.
  • the substrate mounting table 2 can be freely moved in one plane by a driving mechanism 3 composed of, for example, an XY table, and the substrate to be processed S thereon can also be moved in a plane.
  • the exhaust port 4 is provided in the lower part of the side wall of the processing container 1, and the exhaust pipe 5 is connected to the exhaust port 4.
  • the exhaust pipe 5 is provided with an exhaust mechanism 6 equipped with a vacuum pump or the like, and the inside of the processing container 1 is evacuated by the exhaust mechanism 6.
  • the degree of vacuum at this time can be controlled by a pressure control valve 7 provided in the exhaust pipe 5.
  • a gas cluster irradiation mechanism 10 that irradiates the target substrate S with gas clusters is disposed above the substrate mounting table 2.
  • the gas cluster irradiation mechanism 10 includes a nozzle unit 11 provided to face the substrate mounting table 2, a gas supply unit 12 that supplies gas for generating clusters to the nozzle unit 11, and a gas from the gas supply unit 12. And a gas supply pipe 13 for guiding the gas to the nozzle unit 11.
  • the gas supply pipe 13 is provided with an opening / closing valve 14 and a flow rate controller 15.
  • the nozzle unit 11 includes a header 16 and a plurality (four in the figure) of gas injection nozzles 17 provided on the header 16.
  • the gas injection nozzle 17 is configured as a conical nozzle having a shape in which the tip is expanded, but the shape is not limited thereto, and may be a small hole (orifice) formed in the header 16.
  • the gas injected from the gas injection nozzle 17 adiabatically expands in the processing container 1 (processing chamber) evacuated by the exhaust mechanism 6, and some or several of the gas atoms or molecules are generated by van der Waals force. Tens of thousands aggregate to form a gas cluster.
  • the gas cluster has a straight traveling property, and the straight traveling gas cluster is irradiated onto the surface of the substrate S to be processed, and a desired process, for example, a cleaning process of the surface of the substrate S to be processed is performed. In the case where the cleaning process is performed with the gas cluster, the deposits that cannot be removed with a normal gas can be effectively removed.
  • the gas for forming the gas cluster is not particularly limited, and examples thereof include Ar gas, N 2 gas, CO 2 gas, ClF 3 gas, and HF gas. Further, liquid vapor such as H 2 O may be used. These may be used alone or in combination, and He gas may be used as the mixed gas.
  • the degree of vacuum in the processing container 1 is higher (that is, the pressure is lower), and the gas supplied to the nozzle unit 11 is better.
  • the supply pressure is 1 MPa or less, it is preferably 0.3 kPa or less, and when the supply pressure exceeds 1 MPa and 5 MPa or less, it is preferably 3 kPa or less.
  • a plurality of gas injection nozzles 17 are provided to increase the throughput.
  • the number of gas injection nozzles 17 increases, the gas flow rate increases and the degree of vacuum decreases, which may lead to the destruction of the gas cluster.
  • the number of gas injection nozzles 17 is such that when the gas is supplied from the gas injection nozzle 17 at a necessary flow rate, the pressure in the processing container 1 that reaches the pressure is such that the gas cluster is not destroyed. Is set.
  • adjacent ones of the plurality of gas injection nozzles 17 are configured such that the ranges of the residual gases that have not contributed to the formation of the gas cluster among the gases injected from these nozzles do not overlap each other. Deploy.
  • a loading / unloading port 18 for loading / unloading the substrate S to be processed is provided on the side surface of the processing container 1.
  • the loading / unloading port 18 can be opened and closed by a gate valve 19.
  • the substrate processing apparatus 100 has a transfer device for transferring a substrate, and the inside thereof is connected to a vacuum transfer chamber or a load lock chamber in which a vacuum is maintained.
  • the drive mechanism 3 moves the substrate mounting table 2 in one plane, and causes relative movement between the nozzle unit 11 and the substrate S to be processed.
  • the drive mechanism 3 moves the substrate mounting table 2 so that the gas cluster injected from the gas injection nozzle 17 is irradiated on the entire surface of the substrate S to be processed on the substrate mounting table 2.
  • the nozzle unit 11 may be moved instead of moving the substrate mounting table 2.
  • the substrate processing apparatus 100 has a control unit 20.
  • the control unit 20 controls gas supply (open / close valve 14 and flow rate controller 15), gas exhaust (pressure control valve 7), driving of the substrate mounting table 2 by the driving mechanism 3, and the like of the substrate processing apparatus 100.
  • It has a controller with a processor (computer). Connected to the controller are a keyboard on which an operator inputs commands to manage the substrate processing apparatus 100, a display for visualizing and displaying the operating status of the substrate processing apparatus 100, and the like.
  • the controller includes a control program for realizing the processing in the substrate processing apparatus 100 under the control of the controller and a control program for causing each component of the substrate processing apparatus 100 to execute a predetermined process according to the processing conditions.
  • a storage unit in which a certain processing recipe and various databases are stored is connected.
  • the recipe is stored in an appropriate storage medium in the storage unit.
  • an arbitrary recipe is called from the storage unit and is executed by the controller, whereby a desired process in the substrate processing apparatus 100 is performed under the control of the controller.
  • the gate valve 19 is opened, the substrate S to be processed is loaded via the loading / unloading port 18, and placed on the substrate platform 2.
  • the substrate mounting table 2 is set to an initial position by the drive mechanism 3, and the inside of the processing container 1 is evacuated by the exhaust mechanism 6, and a predetermined gas is injected from the plurality of gas injection nozzles 17 of the nozzle unit 11 at a predetermined flow rate.
  • the inside of the processing container 1 is brought into a vacuum state of 0.3 kPa or less when the supply pressure of the gas supplied to the nozzle unit 11 is 1 MPa or less, and 3 kPa or less when the supply pressure exceeds 1 MPa and 5 MPa or less.
  • the substrate to be processed S is moved by the drive mechanism 3 so that the gas clusters are evenly irradiated on the surface of the substrate to be processed S.
  • the gas injection nozzle 17 is provided with two or more. However, if the number of gas injection nozzles 17 increases, the gas flow rate increases and the degree of vacuum decreases, which may lead to the destruction of the gas cluster.
  • the pressure in the processing container 1 that is reached when the gas is supplied at a necessary flow rate is set to a number that does not destroy the gas cluster.
  • the degree of vacuum in the processing container 1 is destroyed.
  • 15 gas injection nozzles are arranged.
  • the average degree of vacuum in the entire processing container 1 is appropriate, it is found that when a region with a low degree of vacuum is formed locally, the cluster is destroyed in that region and the processing performance is lowered. It was. Further, it has been found that such a local decrease in the degree of vacuum is caused by the adjacent gas injection nozzles 17 being arranged close to each other. That is, as shown in FIG. 3, the gas is injected from the gas injection nozzle 17 to form the gas cluster C, and the residual gas that has not contributed to the formation of the gas cluster spreads around like a region R indicated by a broken line. If the range of the region R where the residual gas spreads overlaps between the adjacent gas injection nozzles 17, the degree of vacuum locally decreases (pressure increases) at that portion, the gas cluster is destroyed, and the processing performance decreases. There is a risk that.
  • adjacent ones of the plurality of gas injection nozzles 17 are arranged so that the remaining gas spreading ranges that do not contribute to the formation of the gas cluster among the gases injected from these nozzles 17 do not overlap each other. To do.
  • FIG. 4 shows the gas pressure distribution when CO 2 gas is injected from the nozzle under each condition. Moreover, the result of having calculated
  • the horizontal axis in FIG. 5 represents the distance from the nozzle center.
  • the adjacent gas injection nozzles 17 are preferably separated by 20 mm or more.
  • the substrate processing is performed with 15 gas injection nozzles each having a vacuum degree (pressure) in the processing container 1 of 1 Pa and the pressure in the processing container being 15 Pa as in the above example
  • 15 gas injection nozzles can be arranged in a line corresponding to the diameter of the 300 mm wafer.
  • FIG. 6 is a plan view showing a gas cluster irradiation mechanism according to the second embodiment of the present invention.
  • the gas cluster irradiation mechanism 10 ′ of this embodiment includes three nozzle units 11 a, 11 b, 11 c provided to face the substrate mounting table 2 (not shown in FIG. 6),
  • the nozzle units 11a, 11b, and 11c have a gas supply unit 12 ′ that supplies gas for generating clusters, and a gas supply pipe that guides the gas from the gas supply unit 12 ′ to the nozzle units 11a, 11b, and 11c. is doing.
  • the gas supply pipe has a common pipe 13 'extending from the gas supply section 12' and branch pipes 13a, 13b, 13c branched from the common pipe 13 'and connected to the nozzle units 11a, 11b, 11c.
  • the branch pipes 13a, 13b, and 13c are provided with opening / closing valves 14a, 14b, and 14c and flow rate controllers 15a, 15b, and 15c, respectively.
  • the nozzle units 11 a, 11 b, and 11 c have a header 16 and a plurality (four in the figure) of gas injection nozzles 17 provided on the header 16, as with the nozzle unit 11. And the gas for producing
  • the nozzle units 11a, 11b, and 11c are integrally provided.
  • the nozzle units 11a, 11b, and 11c are processing containers that are reached when the number of gas injection nozzles 17 is supplied from the gas injection nozzles 17 at a necessary flow rate, similarly to the nozzle unit 11 of the first embodiment.
  • the pressure in 1 is set to a number that does not destroy the gas cluster. Further, regarding the arrangement of the plurality of gas injection nozzles 17 of the nozzle units 11a, 11b, and 11c, as in the nozzle unit 11, adjacent ones did not contribute to the formation of gas clusters among the gas injected from these. Arrange so that the remaining gas spread areas do not overlap each other.
  • control unit 20 controls the opening / closing valves 14a, 14b, 14c of the nozzle units 11a, 11b, 11c to be opened sequentially, thereby irradiating the gas clusters in the order of the nozzle units 11a, 11b, 11c. Therefore, it is possible to obtain a higher throughput while suppressing a decrease in processing performance due to a decrease in the overall and local vacuum in the processing container 1.
  • the gas injection nozzles 17 are arranged so as to be shifted by the adjacent nozzle units, whereby the nozzle units 11a, 11b, and 11c by the drive mechanism 3 (not shown in FIG. 6) are arranged.
  • Directional movement can be reduced, and throughput can be further increased.
  • the distance by which the gas injection nozzles 17 in adjacent nozzle units are shifted is the same as or smaller than the cluster irradiation range from one gas injection nozzle, and the number of nozzle units is set in the diameter direction of the substrate S to be processed. It is preferable that the number of portions where the gas cluster is not irradiated from the gas injection nozzle is not formed. In the example of FIG.
  • the gas injection nozzle 17 of the nozzle unit 11a, the gas injection nozzle 17 of the nozzle unit 11b, and the gas injection nozzle 17 of the nozzle unit 11c are not irradiated with gas clusters in the diameter direction of the substrate S to be processed.
  • the portions are slightly shifted so as not to be formed.
  • the present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment.
  • the nozzle unit is shown in which the gas injection nozzles are arranged in a line, but the present invention is not limited to this.
  • the gas cluster irradiation mechanism of the present invention is used in a dedicated apparatus for performing a substrate cleaning process or the like.
  • the present invention is not limited to this.
  • a vacuum transfer chamber to which a processing chamber such as an etching chamber or an ashing chamber is connected, or an etching chamber or ashing in a vacuum state with respect to a substrate present in an atmospheric atmosphere.
  • the gas cluster irradiation mechanism of the present invention is provided in the load lock chamber for transporting to the chamber, and after the etching process and the ashing process are completed, the substrate residue processing by the gas cluster is performed in these chambers during the transport of the substrate. it can. In this case, it is possible to irradiate the gas cluster while moving the substrate to be processed in a state where the substrate to be processed is mounted on the transfer arm mounted on the system without providing a special substrate mounting table and a driving mechanism. .

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Abstract

　真空に保持された処理容器（１）内にガスを噴射して断熱膨張によりガスクラスターを生成し、生成したガスクラスターを被処理基板（Ｓ）に照射するガスクラスター照射機構（１０）を開示する。ガスクラスター照射機構（１０）は、複数のガス噴射ノズル（１７）を有するノズルユニット（１１）と、ノズルユニット（１１）にガスを供給するガス供給部１２とを具備する。ガス噴射ノズル（１７）の本数は、ガス噴射ノズル（１７）からガスが必要な流量で供給された際に到達する処理容器（１）内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となる本数に設定される。さらに、ガス噴射ノズル（１７）は、隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置される。

Description

ガスクラスター照射機構およびそれを用いた基板処理装置、ならびにガスクラスター照射方法
　本発明は、ガスクラスター照射機構およびそれを用いた基板処理装置、ならびにガスクラスター照射方法に関する。
　近時、試料表面にガスクラスターを照射して試料表面の加工や洗浄を行うガスクラスター技術が、選択性の高い加工や洗浄を可能にする技術として注目されている。
　試料表面にガスクラスターを照射する方法としては、例えば、ガスクラスターをイオン化し、電界や磁界により加速して試料表面に衝突させる、ガスクラスターイオンビームを用いた方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　上記ガスクラスターイオンビームを用いた方法では、クラスターはイオン化しており、基板への電気的ダメージが懸念されるため、ニュートライザー等を用いてクラスターイオンを電気的に中性にして試料に衝突させるようにしているが、このような手法を用いてもクラスターを完全に電気的中性にすることが困難である。
　そこで、このような電気的ダメージを生じないガスクラスター照射技術として、ガスの断熱膨張を利用して中性のガスクラスターを照射する技術が提案されている（特許文献２）。
　特許文献２では、反応ガスであるＣｌＦ３ガスと、それよりも低沸点のガスであるＡｒガスとの混合ガスを、液化しない範囲の圧力で噴出部から断熱膨張させながら真空処理室内に噴出させ、反応性クラスターを生成し、その反応性クラスターを真空処理室内の試料に噴射して試料表面を加工する。
特開平８－３１９１０５号公報 国際公開第２０１０／０２１２６５号パンフレット
　ところで、上記特許文献２に開示された技術では、基本的に一つの噴射部（ノズル）からガスを噴射させてクラスターを生成しているが、一つのノズルから生成されるガスクラスターの照射領域は数ｍｍφであり、半導体ウエハのような大面積の基板の処理に適用する場合に、スループットが問題となる。
　このようなスループットの問題は、ガス噴射ノズルを複数本設けることにより解消することは可能であるが、ガス噴射ノズルを複数設けるとガス流量が増加し、それによる真空度の低下によって処理性能が低下してしまう。すなわち、ガスクラスターは真空度が低いと破壊されてしまうため、ノズルの本数が多くなって真空度が所定値よりも低下すると、ガスクラスターの破壊により処理性能が低下してしまうのである。また、ガスクラスターノズルの本数が適正でも局所的に真空度が低くなることがあり、その場合にはその部分で処理性能が低下してしまう。
　本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、ガスクラスターを破壊させずに高スループットでガスクラスターによる処理が可能なガスクラスター照射機構およびガスクラスター照射方法、ならびにそのようなガスクラスター照射機構を備えた基板処理装置を提供することを課題とする。
　上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、真空に保持された処理容器内にガスを噴射して断熱膨張によりガスクラスターを生成し、前記処理容器内に配置された被処理基板にガスクラスターを照射するガスクラスター照射機構であって、前記処理容器内にガスを噴射する複数のガス噴射ノズルを有するノズルユニットと、前記ノズルユニットにガスクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部とを具備し、前記ノズルユニットは、前記ガス噴射ノズルから前記ガスが必要な流量で供給された際に到達する前記処理容器内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となるように前記ガス噴射ノズルの本数が設定され、前記ノズルユニットにおいて、前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置しているガスクラスター照射機構を提供する。
　前記処理容器内の圧力は、前記ノズルユニットに供給するガスの供給圧力が１ＭＰａ以下では０．３ｋＰａ以下、前記供給圧力が１ＭＰａを超え５ＭＰａ以下では３ｋＰａ以下であることが好ましい。
　前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしの距離が２０ｍｍ以上であることが好ましい。また、前記ノズルユニットと前記被処理基板とは相対的に移動可能に設けられ、これらを相対移動させながら前記被処理基板全面にガスクラスターを照射するように構成することができる。
　前記ガスクラスター照射機構としては、前記ノズルユニットを複数有し、前記複数のノズルユニットのうち一つからガスを噴射するとともに、順次ノズルユニットを変えてガスを噴射するものとすることができる。この場合に、前記複数のノズルユニットのうち互いに隣接するノズルユニットにおける前記ガス噴射ノズルの位置がずれていることが好ましい。前記互いに隣接するノズルユニットにおける前記ガス噴射ノズルのずらす距離を、一つのガス噴射ノズルからのガスクラスター照射範囲と同じかそれよりも小さくし、前記ノズルユニットの数を、前記被処理基板の直径方向において、前記ガス噴射ノズルからガスクラスターが照射されない部分が形成されない数とすることが好ましい。
　前記ガスクラスター照射機構は、前記処理容器に前記被処理基板を搬送するための真空トランスファチャンバまたはロードロックチャンバに設けられ、前記被処理基板を搬送する搬送アームに前記被処理基板を載せた状態でガスクラスターの照射を行うものとすることができる。
　本発明の第２の観点では、真空に保持される処理容器と、前記処理容器内で被処理基板を支持する基板支持部と、前記処理容器内にガスを噴射して断熱膨張によりガスクラスターを生成し、前記被処理基板にガスクラスターを照射するガスクラスター照射機構とを具備し、ガスクラスターにより前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記ガスクラスター照射機構は、前記処理容器内にガスを噴射する複数のガス噴射ノズルを有するノズルユニットと、前記ノズルユニットにガスクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部とを有し、前記ノズルユニットは、前記ガス噴射ノズルから前記ガスが必要な流量で供給された際に到達する前記処理容器内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となるように前記ガス噴射ノズルの本数が設定され、前記ノズルユニットにおいて、前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置する基板処理装置を提供する。
　本発明の第３の観点では、真空に保持された処理容器内にガスを噴射して断熱膨張によりガスクラスターを生成し、前記処理容器内に配置された被処理基板にガスクラスターを照射するガスクラスター照射方法であって、前記処理容器内に複数のガス噴射ノズルからガスを噴射する際に、前記ガス噴射ノズルから前記ガスが必要な流量で供給された際に到達する前記処理容器内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となるように前記ガス噴射ノズルの本数を設定し、前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置するガスクラスター照射方法を提供する。
　本発明によれば、ガス噴射ノズルの本数を、ガス噴射ノズルからガスが必要な流量で供給された際に到達する処理容器内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となる本数に設定する。さらに、複数のガス噴射ノズルは、隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置する。このような構成を備えることで、全体的にも局所的にもガスクラスターが破壊するような高い圧力になることがなく、ガスクラスターを破壊させずに高スループットでガスクラスターによる処理が可能となる。
本発明の第１の実施形態に係るガスクラスター照射機構を備えた基板処理装置を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るガスクラスター照射機構を示す平面図である。 隣接するガス噴射ノズルのガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスが重なった状態を示す模式図である。 実際にガス噴射ノズルからのガスの流れをシミュレーションし、どの範囲まで残留ガスが広がるかを確認した結果を示す図である。 図４の結果に基づいてサンプル面上の圧力分布を求めた結果を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係るガスクラスター照射機構を示す平面図である。
　以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
　＜第１の実施形態＞
　まず、第１の実施形態について説明する。
　図１は本発明の第１の実施形態に係るガスクラスター照射機構を備えた基板処理装置を示す断面図、図２は第１の実施形態に係るガスクラスター照射機構を示す平面図である。
　基板処理装置１００は、ガスクラスターにより基板の処理を行うものである。基板の処理としては、基板の洗浄処理、エッチング後の基板の残渣処理、エッチング処理等を挙げることができる。
　この基板処理装置１００は、基板処理を行うための処理室を区画する処理容器１を有している。処理容器１内には基板載置台２が設けられており、その上に被処理基板Ｓが載置される。被処理基板Ｓとしては、半導体ウエハ、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板等、種々のものを挙げることができ、特に限定されない。基板載置台２は、例えばＸＹテーブルからなる駆動機構３により一平面内で自由に移動できるようになっており、これにともなってその上の被処理基板Ｓも平面移動可能となっている。
　処理容器１の側壁下部には排気口４が設けられており、排気口４には排気配管５が接続されている。排気配管５には、真空ポンプ等を備えた排気機構６が設けられており、この排気機構６により処理容器１内が真空排気されるようになっている。このときの真空度は排気配管５に設けられた圧力制御バルブ７により制御可能となっている。
　基板載置台２の上方には、被処理基板Ｓにガスクラスターを照射するガスクラスター照射機構１０が配置されている。ガスクラスター照射機構１０は、基板載置台２に対向して設けられたノズルユニット１１と、ノズルユニット１１にクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部１２と、ガス供給部１２からのガスをノズルユニット１１へ導くガス供給配管１３とを有している。ガス供給配管１３には、開閉バルブ１４および流量制御器１５が設けられている。ノズルユニット１１は、ヘッダ１６とヘッダ１６に設けられた複数（図では４個）のガス噴射ノズル１７とを有している。そして、ガス供給配管１３からのガスクラスターを生成するためのガスは、ヘッダ１６を経て複数のガス噴射ノズル１７から噴出される。ガス噴射ノズル１７は、先端が拡がった形状をなすコニカルノズルとして構成されているが、形状はこれに限定されず、単にヘッダ１６に形成された小孔（オリフィス）であってもよい。
　ガス噴射ノズル１７から噴射されたガスは、排気機構６により真空排気された処理容器１（処理室）内で断熱膨張し、ガスの原子または分子の一部がファンデルワールス力により数個から数万個凝集してガスクラスターとなる。ガスクラスターは直進する性質を有しており、直進したガスクラスターが被処理基板Ｓの表面に照射され、所望の処理、例えば、被処理基板Ｓの表面の洗浄処理が行われる。ガスクラスターにより洗浄処理を行う場合には、通常のガスでは除去できない付着物を有効に除去することができる。このとき、処理容器１内の圧力とガス噴射ノズル１７から噴射する前のガスの圧力との差圧が大きいほどガス噴射ノズル１７から噴射されるガスクラスターが被処理基板Ｓに衝突する際のエネルギーを大きくすることができる。
　ガスクラスターを形成するためのガスは特に限定されないが、Ａｒガス、Ｎ２ガス、ＣＯ２ガス、ＣｌＦ３ガス、ＨＦガス等が例示される。また、Ｈ２Ｏ等の液体の蒸気を使用してもよい。これらは単独でも、混合したものでも適用可能であり、混合ガスとしてＨｅガスを用いてもよい。
　生成されたガスクラスターを破壊させずに被処理基板Ｓに噴射させるためには、処理容器１内の真空度は高い方ほうがよく（つまり圧力が低いほうがよく）、ノズルユニット１１に供給するガスの供給圧力が１ＭＰａ以下では０．３ｋＰａ以下、供給圧力が１ＭＰａを超え５ＭＰａ以下では３ｋＰａ以下であることが好ましい。
　本実施形態では、スループットを高めるため、ガス噴射ノズル１７を複数設けている。ただし、ガス噴射ノズル１７の本数が多くなると、ガス流量が増加して真空度が低下し、ガスクラスターの破壊につながるおそれがある。このため、ガス噴射ノズル１７の本数は、ガス噴射ノズル１７からガスが必要な流量で供給された際に、到達する処理容器１内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となる本数に設定される。
　また、ガス噴射ノズル１７からガスが噴射された際には、ガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスが周囲に広がるが、この残留ガスの広がる範囲が隣接するガス噴射ノズル１７どうしで重なると、その部分で局部的に真空度が低下し（圧力が上昇し）、ガスクラスターが破壊されて処理性能が低下してしまうおそれがある。このため、本実施形態では、複数のガス噴射ノズル１７のうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置する。
　処理容器１の側面には、被処理基板Ｓの搬入出を行うための搬入出口１８が設けられている。この搬入出口１８はゲートバルブ１９により開閉可能となっている。なお、基板処理装置１００は、基板を搬送する搬送装置を有し、その中が真空に保持される真空搬送室、またはロードロック室に接続されている。
　上述したように、駆動機構３は、基板載置台２を一平面内で移動するものであり、ノズルユニット１１と被処理基板Ｓとの間に相対移動を生じさせるものである。この駆動機構３は、ガス噴射ノズル１７から噴射されたガスクラスターが基板載置台２上の被処理基板Ｓの全面に照射されるように基板載置台２を移動させる。なお、駆動機構としては基板載置台２を移動させる代わりにノズルユニット１１を移動させてもよい。
　図１に示すように、基板処理装置１００は制御部２０を有している。制御部２０は、基板処理装置１００のガスの供給（開閉バルブ１４および流量制御器１５）、ガスの排気（圧力制御バルブ７）、駆動機構３による基板載置台２の駆動等を制御する、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたコントローラを有している。コントローラには、オペレータが基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等が接続されている。また、コントローラには、基板処理装置１００における処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラムや処理条件に応じて基板処理装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムである処理レシピや、各種データベース等が格納された記憶部が接続されている。レシピは記憶部の中の適宜の記憶媒体に記憶されている。そして、必要に応じて、任意のレシピを記憶部から呼び出してコントローラに実行させることで、コントローラの制御下で、基板処理装置１００での所望の処理が行われる。
　次に、以上のような基板処理装置１００の処理動作について説明する。
　まず、ゲートバルブ１９を開けて搬入出口１８を介して被処理基板Ｓを搬入し、基板載置台２上に載置する。
　次いで、駆動機構３により基板載置台２を初期位置に設定し、処理容器１内を排気機構６により真空引きするとともに、ノズルユニット１１の複数のガス噴射ノズル１７から所定のガスを所定流量で噴射する。これにより、処理容器１内を、ノズルユニット１１に供給するガスの供給圧力が１ＭＰａ以下では０．３ｋＰａ以下、供給圧力が１ＭＰａを超え５ＭＰａ以下では３ｋＰａ以下の真空状態とするとともに、ガス噴射ノズル１７から噴射されたガスが断熱膨張してガスクラスターを生成し、このガスクラスターが直進して基板載置台２上の被処理基板Ｓに衝突し、洗浄処理等が行われる。このとき、被処理基板Ｓ表面上にまんべんなくガスクラスターが照射されるように、駆動機構３により被処理基板Ｓを移動させる。
　上述したように、一つのガス噴射ノズルから生成されるガスクラスターの照射領域は数ｍｍφであるから、ガス噴射ノズルが一つの場合には、大きい被処理基板Ｓを処理するとスループットが低いものとなる。このため、本実施形態では、ガス噴射ノズル１７を複数設けている。しかし、ガス噴射ノズル１７の本数が多くなると、ガス流量が増加して真空度が低下し、ガスクラスターの破壊につながるおそれがあるため、ガス噴射ノズル１７の本数は、ガス噴射ノズル１７からガスが必要な流量で供給された際に到達する処理容器１内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となる本数に設定される。
　例えば、ガスクラスターを生成させるためのガス噴射ノズルが１本のとき、ガス流量が７００ｓｃｃｍで処理容器１内の真空度（圧力）が１Ｐａとなるとすると、処理容器内の真空度をガスクラスターを破壊しない範囲内である１５Ｐａで基板処理を行う場合には、上記ガス噴射ノズルを１５本配置する。
　しかし、処理容器１内の全体の平均的な真空度が適切でも、局部的に真空度の低い領域が形成されると、その領域でクラスターが破壊して処理性能が低下することが見出された。また、このような局部的な真空度の低下は、隣接するガス噴射ノズル１７が近接して配置されていることが原因であることが見出された。すなわち、図３に示すように、ガス噴射ノズル１７からガスが噴射されてガスクラスターＣが形成され、ガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスが破線で示す領域Ｒのように周囲に広がる。この残留ガスの広がる領域Ｒの範囲が隣接するガス噴射ノズル１７どうしで重なると、その部分で局部的に真空度が低下し（圧力が上昇し）、ガスクラスターが破壊されて処理性能が低下してしまうおそれがある。
　そこで、本実施形態では、複数のガス噴射ノズル１７のうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置する。
　実際にガス噴射ノズルからのガスの流れをシミュレーションし、どの範囲まで残留ガスが広がるかを確認した結果について説明する。ここでは、汎用熱流体解析ソフトであるＦＬＵＥＮＴ　Ｖｅｒ．３を使用し、ＣＯ２ガス流れのシミュレーションを行った。ガス噴出ノズルとしてコニカルノズルを用い、ガス噴射ノズルに対向してサンプル面が配置されている状態とし、計算条件は以下の表１に示すＡ～Ｃの３条件とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　上記シミュレーション結果を図４に示す。図４は、各条件において、ノズルからＣＯ２ガスを噴射した場合のガスの圧力分布を示すものである。また、図４の結果に基づいてサンプル面上の圧力分布を求めた結果を図５に示す。図５の横軸は、ノズル中心からの距離をとっている。
　これらの図に示すように、条件Ａ～Ｃのいずれにおいても、サンプル面においては、ノズル近傍部分に圧力が最も高い部分が存在し、ノズル中心から１０ｍｍ付近でほぼバルクの圧力となっていることがわかる。この結果から、圧力にかかわらず、ノズルから噴射されたＣＯ２ガスが半径１０ｍｍの範囲に広がっていると考えられる。以上のシミュレーション結果から、隣接するガス噴射ノズル１７は２０ｍｍ以上離隔していることが好ましい。
　例えば、上記例のように、１本で処理容器１内の真空度（圧力）が１Ｐａとなるガス噴射ノズルを１５本設けて、処理容器内の圧力を１５Ｐａにして基板処理を行う場合、基板として３００ｍｍウエハを用いると、上述のように２０ｍｍずつ離してガス噴射ノズルを配置すれば、３００ｍｍウエハの直径に対応させて１５本のガス噴射ノズルを１列に並べて配置することができる。
　＜第２の実施形態＞
　次に、第２の実施形態について説明する。
　図６は、本発明の第２の実施形態に係るガスクラスター照射機構を示す平面図である。
　図６に示すように、本実施形態のガスクラスター照射機構１０′は、基板載置台２（図６には図示せず）に対向して設けられた３つのノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、これらノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃにクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部１２′と、ガス供給部１２′からのガスをノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃへ導くガス供給配管とを有している。ガス供給配管は、ガス供給部１２′から延びる共通配管１３′と共通配管１３′から分岐してノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃに接続された分岐配管１３ａ、１３ｂ、１３ｃを有している。分岐配管１３ａ、１３ｂ、１３ｃには、それぞれ、開閉バルブ１４ａ、１４ｂ、１４ｃおよび流量制御器１５ａ、１５ｂ、１５ｃが設けられている。ノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、上記ノズルユニット１１と同様、ヘッダ１６とヘッダ１６に設けられた複数（図では４個）のガス噴射ノズル１７とを有している。そして、ガスクラスターを生成するためのガスは、ノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃのヘッダ１６を経て複数のガス噴射ノズル１７から噴出される。ノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃは一体的に設けられている。
　ノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、それぞれ第１の実施形態のノズルユニット１１と同様、ガス噴射ノズル１７の本数が、ガス噴射ノズル１７からガスが必要な流量で供給された際に到達する処理容器１内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となる本数に設定される。また、ノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃの複数のガス噴射ノズル１７の配置に関しても、ノズルユニット１１と同様、隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置する。
　そして、制御部２０′により、ノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃの開閉バルブ１４ａ、１４ｂ、１４ｃを順次開くように制御することにより、ノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃの順に時間をずらしてガスクラスターを照射することができ、処理容器１内の全体的および局所的な真空度低下による処理性能の低下を抑制しつつ、一層高いスループットを得ることができる。
　このとき、図６に示すように、ガス噴射ノズル１７を、隣接するノズルユニットでずらして配置することにより、駆動機構３（図６には図示せず）によるノズルユニット１１ａ、１１ｂ、１１ｃの横方向の移動を少なくすることができ、スループットをより高めることができる。特に、隣接するノズルユニットにおけるガス噴射ノズル１７のずらす距離を、一つのガス噴射ノズルからのクラスター照射範囲と同じかそれよりも小さくし、ノズルユニットの数を、被処理基板Ｓの直径方向において、ガス噴射ノズルからガスクラスターが照射されない部分が形成されない数とすることが好ましい。図６の例では、ノズルユニット１１ａのガス噴射ノズル１７と、ノズルユニット１１ｂのガス噴射ノズル１７と、ノズルユニット１１ｃのガス噴射ノズル１７とが、被処理基板Ｓの直径方向でガスクラスターが照射されない部分が形成されないように少しずつずれて配置されている。このようにすることにより、駆動機構３による被処理基板Ｓの移動方向を一方向のみとすることができ、極めて高いスループットを得ることができる。
　例えば、上記例のように、１本で処理容器１内の真空度（圧力）が１Ｐａとなるガス噴射ノズルを１５本設けて、処理容器内の圧力を１５Ｐａにして３００ｍｍウエハを処理する場合、一つのノズルユニットにガス噴射ノズルを２０ｍｍ間隔で１５本設ける場合、例えば一つのノズルからガスクラスターが照射される範囲を４ｍｍとすると、ガス噴射ノズルの位置を４ｍｍずつずらしたノズルユニットを５個設けることにより、３００ｍｍウエハの直径方向でガスクラスターが照射されない部分が形成されないようにすることができ、これらノズルユニットを一つずつ用いて順にガスを噴射することにより、ウエハの移動方向を一方向にして極めて高いスループットで処理を行うことができる。
　＜他の適用＞
　なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、ノズルユニットとしてガス噴射ノズルを一列に配置したものを示したが、これに限るものではない。
　また、上記実施形態では、基板の洗浄処理等を行う専用の装置に本発明のガスクラスター照射機構を用いた例を示したが、これに限るものではない。例えば、エッチング後またはアッシング後に基板の残渣処理を行う場合等は、例えばエッチングチャンバやアッシングチャンバ等の処理チャンバが接続された真空トランスファチャンバや、大気雰囲気に存在する基板を真空状態のエッチングチャンバやアッシングチャンバに搬送するためのロードロックチャンバに本発明のガスクラスター照射機構を設けて、エッチング処理やアッシング処理が終了した後、基板の搬送中にこれらチャンバでガスクラスターによる基板の残渣処理を行うことができる。この場合に、特別の基板載置台および駆動機構を設けることなく、システムに搭載された搬送アームに被処理基板を載せた状態で被処理基板を移動させながらガスクラスターを照射することが可能である。
１；処理容器、２；基板載置台、３；駆動機構、６；排気機構、１０、１０′；ガスクラスター照射機構、１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ；ノズルユニット、１２、１２′；ガス供給部、１４、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ；開閉バルブ、１６；ヘッダ、１７；ガス噴射ノズル、２０、２０′；制御部、１００；基板処理装置、Ｃ；ガスクラスター、Ｒ；残留ガスが広がる領域、Ｓ；被処理基板

Claims (17)

  1. 　真空に保持された処理容器内にガスを噴射して断熱膨張によりガスクラスターを生成し、前記処理容器内に配置された被処理基板にガスクラスターを照射するガスクラスター照射機構であって、
    　前記処理容器内にガスを噴射する複数のガス噴射ノズルを有するノズルユニットと、
    　前記ノズルユニットにガスクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部と
    を具備し、
    　前記ノズルユニットは、前記ガス噴射ノズルから前記ガスが必要な流量で供給された際に到達する前記処理容器内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となるように前記ガス噴射ノズルの本数が設定され、
    　前記ノズルユニットにおいて、前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置しているガスクラスター照射機構。
  2. 　前記処理容器内の圧力は、前記ノズルユニットに供給するガスの供給圧力が１ＭＰａ以下では０．３ｋＰａ以下、前記供給圧力が１ＭＰａを超え５ＭＰａ以下では３ｋＰａ以下である請求項１に記載のガスクラスター照射機構。
  3. 　前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしの距離が２０ｍｍ以上である請求項１に記載のガスクラスター照射機構。
  4. 　前記ノズルユニットと前記被処理基板とは相対的に移動可能に設けられ、これらを相対移動させながら前記被処理基板全面にガスクラスターを照射する請求項１に記載のガスクラスター照射機構。
  5. 　前記ノズルユニットを複数有し、前記複数のノズルユニットのうち一つからガスを噴射するとともに、順次ノズルユニットを変えてガスを噴射する請求項１に記載のガスクラスター照射機構。
  6. 　前記複数のノズルユニットのうち互いに隣接するノズルユニットにおける前記ガス噴射ノズルの位置がずれている請求項５に記載のガスクラスター照射機構。
  7. 　前記互いに隣接するノズルユニットにおける前記ガス噴射ノズルのずらす距離を、一つのガス噴射ノズルからのガスクラスター照射範囲と同じかそれよりも小さくし、
    　前記ノズルユニットの数を、前記被処理基板の直径方向において、前記ガス噴射ノズルからガスクラスターが照射されない部分が形成されない数とする請求項６に記載のガスクラスター照射機構。
  8. 　前記ガスクラスター照射機構は、前記処理容器に前記被処理基板を搬送するための真空トランスファチャンバまたはロードロックチャンバに設けられ、前記被処理基板を搬送する搬送アームに前記被処理基板を載せた状態でガスクラスターの照射を行う請求項１に記載のガスクラスター照射機構。
  9. 　真空に保持される処理容器と、
    　前記処理容器内で被処理基板を支持する基板支持部と、
    　前記処理容器内にガスを噴射して断熱膨張によりガスクラスターを生成し、前記被処理基板にガスクラスターを照射するガスクラスター照射機構と
    を具備し、ガスクラスターにより前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
    　前記ガスクラスター照射機構は、
    　前記処理容器内にガスを噴射する複数のガス噴射ノズルを有するノズルユニットと、
    　前記ノズルユニットにガスクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部と
    を有し、
    　前記ノズルユニットは、前記ガス噴射ノズルから前記ガスが必要な流量で供給された際に到達する前記処理容器内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となるように前記ガス噴射ノズルの本数が設定され、
    　前記ノズルユニットにおいて、前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置する基板処理装置。
  10. 　前記処理容器内の圧力は、前記ノズルユニットに供給するガスの供給圧力が１ＭＰａ以下では０．３ｋＰａ以下、前記供給圧力が１ＭＰａを超え５ＭＰａ以下では３ｋＰａ以下である請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 　前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしの距離が２０ｍｍ以上である請求項９に記載の基板処理装置。
  12. 　前記ノズルユニットと前記被処理基板とを相対的に移動させる駆動機構をさらに具備し、前記ガスクラスター照射機構は、これらを相対移動させながら前記被処理基板全面にガスクラスターを照射する請求項９に記載の基板処理装置。
  13. 　前記ガスクラスター照射機構は、前記ノズルユニットを複数有し、前記複数のノズルユニットのうち一つからガスを噴射して処理を行うとともに、順次ノズルユニットを変えてガスを噴射する請求項９に記載の基板処理装置。
  14. 　前記複数のノズルユニットのうち互いに隣接するノズルユニットにおける前記ガス噴射ノズルの位置がずれている請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 　前記互いに隣接するノズルユニットにおける前記ガス噴射ノズルのずらす距離を、一つのガス噴射ノズルからのガスクラスター照射範囲と同じかそれよりも小さくし、
    　前記ノズルユニットの数を、前記被処理基板の直径方向において、前記ガス噴射ノズルからガスクラスターが照射されない部分が形成されない数とする請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 　前記処理容器は、前記処理容器に前記被処理基板を搬送するための真空トランスファチャンバまたはロードロックチャンバであり、前記被処理基板を搬送する搬送アームに前記被処理基板を載せた状態で前記ガスクラスター照射機構からガスクラスターの照射を行う請求項９に記載の基板処理装置。
  17. 　真空に保持された処理容器内にガスを噴射して断熱膨張によりガスクラスターを生成し、前記処理容器内に配置された被処理基板にガスクラスターを照射するガスクラスター照射方法であって、
    　前記処理容器内に複数のガス噴射ノズルからガスを噴射する際に、前記ガス噴射ノズルから前記ガスが必要な流量で供給された際に到達する前記処理容器内の圧力が、ガスクラスターを破壊しない程度の圧力となるように前記ガス噴射ノズルの本数を設定し、
    　前記複数のガス噴射ノズルのうち隣接するものどうしを、これらから噴射されたガスのうちガスクラスターの形成に寄与しなかった残留ガスの広がる範囲が互いに重ならないように配置するガスクラスター照射方法。
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