WO2013150804A1 - ドライエッチング方法 - Google Patents

ドライエッチング方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013150804A1
WO2013150804A1 PCT/JP2013/002388 JP2013002388W WO2013150804A1 WO 2013150804 A1 WO2013150804 A1 WO 2013150804A1 JP 2013002388 W JP2013002388 W JP 2013002388W WO 2013150804 A1 WO2013150804 A1 WO 2013150804A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
etching
silicon substrate
dry etching
processing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/002388
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宗之 佐藤
竹井　日出夫
池田　智
洋介 坂尾
文人 大竹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2014509065A priority Critical patent/JP5901744B2/ja
Priority to CN201380016736.1A priority patent/CN104205308B/zh
Priority to KR1020147031268A priority patent/KR101615682B1/ko
Publication of WO2013150804A1 publication Critical patent/WO2013150804A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a dry etching method for forming a texture structure on a silicon substrate surface, and more specifically, a texture that exhibits a high light scattering containment effect on the surface of a silicon substrate in a manufacturing process of a crystalline solar cell. It relates to what is used to form the structure.
  • Patent Document 1 in order to remove a damaged layer on the surface of a silicon substrate generated at the time of slicing in a processing chamber of a dry etching apparatus, for example, oxygen gas and SF 6 gas for removing a damaged layer are predetermined. Introduced at a flow rate, the stage holding the silicon substrate is powered from a high frequency power source, and the silicon substrate surface is dry etched to remove the damaged layer. Subsequently, for example, oxygen gas, texture forming Cl 2 gas and NF 3 gas are introduced into the processing chamber, power is supplied from a high-frequency power source to the stage, and the silicon substrate surface is dry etched to remove the damaged layer. A texture structure is formed on the surface of the silicon substrate.
  • the texture structure when the texture structure is formed on the surface of the silicon substrate by dry etching, reaction products generated during the etching are deposited on the surface of the silicon substrate after the etching.
  • the silicon surface is repeatedly concave and convex, but has sharp edges with sharp peaks and valleys (that is, a saw blade shape when the cross-sectional shape is viewed).
  • an antireflection film is formed on the silicon substrate surface in a later step using, for example, a vacuum film forming apparatus, the film is not efficiently formed on the top or valley, resulting in poor coverage, etc. Problems arise.
  • the present invention effectively demonstrates the effect of confining the silicon substrate with a textured structure that effectively exhibits the light scattering containment effect and can be formed with good coverage even when a predetermined thin film is formed in a subsequent process.
  • An object of the present invention is to provide a low-cost dry etching method that can be manufactured well.
  • the present invention provides a dry etching method for forming a texture structure on a silicon substrate surface, wherein a fluorine-containing gas and a halogen-containing gas are placed in a film forming chamber under reduced pressure where the silicon substrate is disposed.
  • a texture structure is formed on the silicon substrate surface in the first step. That is, for example, a fluorine-containing gas such as CF 4 (flow rate ratio 20 to 60%) and a halogen-containing gas such as a halogen gas such as Cl 2 or a hydrogen halide gas such as HBr (flow rate ratio 25 to 70%) Then, a first etching gas containing oxygen gas (flow rate ratio: 10 to 40%) is introduced into the processing chamber, and, for example, high-frequency power is supplied to the substrate stage holding the silicon substrate in the processing chamber. As a result, plasma is formed in the processing chamber, and active species and ion species in the plasma enter the surface of the silicon substrate and etching proceeds. At this time, silicon oxide, hydrocarbon fluoride, or the like deposited on the substrate surface serves as a mask, so that the silicon surface is etched into an uneven shape and roughened to form a texture structure.
  • a fluorine-containing gas such as CF 4 (flow rate ratio 20 to 60%)
  • reaction products such as silicon oxide and hydrocarbon fluoride deposited on the silicon substrate surface during the etching in the first step are removed.
  • the cleaning process is performed in a vacuum atmosphere. That is, for example, a second etching gas made of a fluorine-containing gas such as CF 4 is introduced into the processing chamber, and high-frequency power is supplied to the substrate stage that holds the silicon substrate in the processing chamber. Thereby, the reaction product deposited on the silicon substrate surface by the active species and ion species in the plasma is removed.
  • the wall surface (including the deposition prevention plate) of the vacuum chamber that defines the processing chamber is also cleaned.
  • the etching gas may contain oxygen gas.
  • the texture structure can be efficiently manufactured on the silicon substrate by performing the formation of the texture structure and the cleaning of the silicon substrate surface after the first step by dry etching.
  • wet etching since wet etching is not used, high productivity can be achieved, and cost can be reduced.
  • the method further includes a third step of further etching the silicon substrate surface by introducing 3 etching gas and supplying electric power for discharge.
  • the round processing is continuously performed on the texture structure formed on the silicon substrate surface. That is, for example, a third etching gas containing a fluorine-containing gas such as CF 4 (flow rate ratio of 40 to 95%) and oxygen gas (flow rate ratio of 5 to 60%) is introduced into the processing chamber.
  • High frequency power is applied to the substrate stage that holds the silicon substrate.
  • active species and ion species in the plasma are incident on the silicon substrate surface and etching proceeds, and the top and valley portions in the texture structure of the silicon substrate surface formed in the first step are rounded.
  • the oxygen gas is added in order to obtain an optimum shape by controlling the etching rate by adjusting the flow rate of the oxygen gas.
  • the introduction of the halogen-containing gas and the oxygen gas in the first etching gas into the processing chamber is stopped without stopping the discharge power supply in the same processing chamber. It is preferable to perform the first step and the second step continuously by switching from the etching gas to the second etching gas. Also, in the same processing chamber, without stopping the supply of electric power for discharge, the introduction of oxygen gas is resumed, and the second etching gas is switched to the third etching gas to change the second and third steps. Is preferably carried out continuously. By performing batch dry etching in the same processing chamber, it is possible to further improve productivity and reduce costs.
  • a fluorine-containing gas or a halogen-containing gas is used as a main component, and oxygen gas is added thereto.
  • the etching gas is further introduced, and a third step of further etching the silicon substrate surface by supplying electric power for discharge is further included, and the silicon substrate surface etched in the third step is further etched in the second step.
  • the texture structure can be efficiently manufactured on the silicon substrate by performing dry etching each of the formation of the texture structure, the round processing on the texture structure, and the cleaning of the surface of the silicon substrate after the third step.
  • wet etching since wet etching is not used, high productivity can be achieved, and cost can be reduced.
  • the introduction of either the fluorine-containing gas or the halogen-containing gas in the first etching gas into the processing chamber is stopped without stopping the discharge power supply in the same processing chamber. Then, it is preferable to perform the first step and the third step continuously by switching from the first etching gas to the third etching gas. In addition, it is preferable that the third process and the second process are continuously performed by switching from the third etching gas to the second etching gas without stopping the discharge power supply in the same processing chamber. . By performing batch dry etching in the same processing chamber, it is possible to further improve productivity and reduce costs.
  • the introduction of oxygen gas in the first step and the third step is performed by a single gas introduction system having a flow rate control means, the oxygen flow rate ratio in the first step is set in the range of 10 to 40%, and in the third step It is preferable to control the flow rate control means so that the oxygen flow rate ratio is in the range of 5 to 60%.
  • the oxygen flow rate ratio in the first step the flow rate ratio of the oxygen gas in the first etching gas in the total flow rate of the first etching gas introduced into the processing chamber
  • the oxygen flow rate ratio in the third step is outside the above range, the etching rate is too fast or too slow and the etching shape cannot be controlled.
  • the schematic diagram which shows the structure of the dry etching apparatus which enforces the dry etching method of embodiment of this invention.
  • (A) And (b) is the SEM photograph of the board
  • (A) to (c) are SEM photographs of the substrate obtained in Example 2 of the present invention.
  • the object to be processed is a single crystal or polycrystalline silicon substrate (hereinafter simply referred to as a substrate W) used for a crystalline solar cell, and a texture structure is formed on the surface thereof.
  • a substrate W a single crystal or polycrystalline silicon substrate
  • a form of dry etching method will be described.
  • the structure of a crystalline solar cell is well-known, detailed description is abbreviate
  • FIG. 1 shows a dry etching apparatus EM that can perform the dry etching method of the present embodiment.
  • a direction from a shower plate, which will be described later, to the substrate W will be described as a lower side, and a direction from the substrate W to the shower plate will be described as an upper side.
  • the dry etching apparatus EM includes a vacuum chamber 1 that can be held under reduced pressure to a predetermined degree of vacuum via a vacuum exhaust unit 11 including a rotary pump, a turbo molecular pump, and the like, and defines a film forming chamber 12.
  • a substrate stage 2 is provided in the lower space of the film forming chamber 12.
  • An output 31 from the high frequency power source 3 is connected to the substrate stage 2.
  • a shower plate 4 is provided above the film forming chamber 12 so as to face the substrate stage 2.
  • the shower plate 4 is held at the lower end of an annular support wall 13 protruding from the inner wall surface of the vacuum chamber 1, and a gas introduction for introducing an etching gas into a space 41 defined by the support wall 13 and the shower plate 4.
  • a system 5 is provided.
  • the gas introduction system 5 includes a merging gas pipe 51 communicating with the space 41.
  • the merging gas pipe 51 includes gas pipes 53a, 53b in which flow control means 52a, 52b, 52c having a closing function such as a mass flow controller are interposed. 53c are connected to each other and communicated with the first to third gas sources 54a, 54b, 54c, respectively.
  • the flow rate can be controlled for each gas type and introduced into the processing chamber 12.
  • the gas of the first gas source 54a contains fluorine such as CF 4 , NF 3 , SF 6 , and CxHyFz so that the first step, the second step, and the third step can be continuously performed.
  • the gas of the second gas source 54b is made of a halogen-containing gas such as a halogen gas such as Cl 2 or a hydrogen halide gas such as HBr, and the gas of the second gas source 54b is made of oxygen gas.
  • a halogen-containing gas such as a halogen gas such as Cl 2 or a hydrogen halide gas such as HBr
  • oxygen gas oxygen gas
  • the substrate W is transferred by a vacuum robot (not shown) and is held on the substrate stage 2.
  • the first etching gas is supplied from the first to third gas sources 54a, 54b, 54c through the flow rate control valves 52a to 52c of the gas introduction system 5 from the space 41 to the shower plate 4. And introduced into the processing chamber 12.
  • the first etching gas includes CF 4 as a fluorine-containing gas, Cl 2 as a halogen-containing gas, and oxygen gas, and the flow rate of the fluorine-containing gas with respect to the total flow rate of the gas introduced into the processing chamber 12
  • the ratio is in the range of 20-60%
  • the flow rate ratio of the halogen-containing gas is in the range of 25-70%
  • the flow ratio of the oxygen gas is in the range of 10-40% (in this case, the pressure in the processing chamber 12 under reduced pressure) 30 to 250 Pa).
  • the flow ratio of each gas can be appropriately set within the above range according to the size of the processing chamber 12 and other process conditions (the same applies to the third step).
  • discharge power is supplied to the substrate stage 2 via the high frequency power source 3.
  • the input power in this case is appropriately set so that the power density is 0.5 to 1.8 W / cm 2 .
  • a texture structure is formed on the surface of the substrate W in the first step. That is, plasma is formed in the processing chamber 12, and active species and ion species in the plasma are incident on the surface of the substrate W and etching proceeds. At this time, oxygen deposited on the surface of the substrate serves as a mask, so that the silicon surface is etched into a concavo-convex shape and roughened to form a texture structure.
  • a cleaning process is continuously performed as a second step. That is, without stopping the supply of electric power for discharge from the high frequency power source 3, the flow rate control means 52b is closed to stop the introduction of Cl 2 as a halogen-containing gas into the processing chamber 12, and the flow rate control means. The valve 52c is closed to stop the introduction of the oxygen gas into the processing chamber 12, thereby switching from the first etching gas to the second etching gas.
  • reaction products also referred to as “etching residues”
  • the inner wall surface (including the deposition prevention plate) of the vacuum chamber 1 that defines the processing chamber 12 is also cleaned.
  • the third step is continuously performed. That is, without stopping the supply of electric power for discharge from the high-frequency power source 3, the flow rate control means 52c is opened to restart the introduction of the oxygen gas into the processing chamber 12, and from the second etching gas to the third etching gas. Switch to etching gas.
  • the flow rate ratio of the fluorine-containing gas to the total flow rate of the gas introduced into the processing chamber 12 is in the range of 40 to 95%, and the flow rate ratio of the oxygen gas is in the range of 5 to 60% (in this case, under reduced pressure).
  • the pressure in the processing chamber 12 is 20 to 150 Pa).
  • this third step a round process is performed on the texture structure formed on the surface of the substrate W. That is, the top and valleys in the texture structure of the silicon substrate surface formed in the first step are rounded by the active species and ion species in the plasma incident on the surface of the substrate W.
  • the oxygen gas is added in order to obtain an optimum shape by controlling the etching rate by adjusting the flow rate of the oxygen gas.
  • the second step may be performed again.
  • the texture structure in the first step is controlled. Formation and the round process in a 3rd process can be performed efficiently. If the oxygen flow rate ratio in the first step (the flow rate ratio of oxygen gas in the total flow rate of the first etching gas introduced into the processing chamber) is outside the above range, there is a problem that a texture structure cannot be formed. When the oxygen flow rate ratio in the third step (the flow rate ratio of oxygen gas in the total flow rate of the third etching gas introduced into the processing chamber 12) is outside the above range, the etching rate is too fast or too slow, and etching is performed. There is a problem that the shape cannot be controlled.
  • the etching method of the second embodiment is the same as the etching method of the first embodiment except that the order of the second step and the third step is reversed.
  • the first process, the third process, and the second process are successively performed in this order in the same processing chamber by switching the etching gas without stopping the supply of the discharge power from the high-frequency power source 3. It is preferable. Since the conditions such as the gas flow rate in each step are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof is omitted here. According to this embodiment, since the cleaning is performed last, it is possible to reliably prevent the round textured structure from being covered with the reaction product.
  • reaction product formed on the substrate surface in the first step contains silicon, this reaction product is also etched during the round processing in the third step, so that a desired surface state is obtained in the third step.
  • the processing time may be longer than that of the first embodiment.
  • either one of the first embodiment and the second embodiment may be appropriately selected in consideration of processes before and after the dry etching in the solar cell production line, various conditions of the dry etching, and the like. Good.
  • the light scattering confinement effect is exhibited and a predetermined thin film is formed in the subsequent process. Even in this case, it is possible to efficiently manufacture a texture structure on the silicon substrate so that the film can be formed with good coverage.
  • wet etching is not used, high productivity can be achieved and cost can be reduced.
  • the step of removing the damaged layer of the substrate W that occurs during slicing can be performed in the same processing chamber 12 prior to the first step. In this case, since the dry etching conditions described above can be used, detailed description thereof is omitted here.
  • the first etching gas is CF 4 , Cl 2, and oxygen gas as the conditions of the first step, and its CF 4 : Cl 2 :
  • the flow rate of oxygen gas is 300: 1000: 200 sccm (the flow rate ratio at this time is 20: 67: 13%)
  • the pressure of the processing chamber 12 during etching is 60 Pa
  • the input power from the high-frequency power source 3 is 2 kW
  • the treatment was performed for 90 seconds.
  • the second etching gas is CF 4
  • the flow rate of CF 4 is 300 sccm
  • the pressure in the processing chamber 12 during etching is 60 Pa
  • the input power from the high-frequency power source 3 is 1.5 kW.
  • the cleaning process was performed for 10 seconds.
  • the third etching gas is CF 4 and oxygen gas
  • the flow rate of CF 4 : oxygen gas is 300: 50 sccm (the flow ratio at this time is 86: 14%).
  • the chamber pressure was 60 Pa
  • the input power from the high-frequency power source 3 was 1.0 kW
  • the treatment was performed for 10 seconds.
  • FIG. 2A shows an SEM photograph of the substrate immediately after the second step is performed
  • FIG. 2B shows an SEM photograph of the substrate immediately after the third step. According to this, it turns out that a texture structure can be efficiently manufactured in a silicon substrate by dry etching.
  • a polycrystalline silicon substrate obtained by a known method was used as the substrate, and the first step, the third step, and the second step were sequentially performed in this order.
  • the first etching gas is CF 4 , Cl 2, and oxygen gas
  • the flow rate ratio of CF 4 : Cl 2 : oxygen gas is 60: 30: 10%.
  • the pressure in the processing chamber 12 was in the range of 20 to 150 Pa, the input power from the high frequency power source 3 was 29.5 kW, and the processing time was 75 seconds.
  • the third etching gas is CF 4 and oxygen gas
  • the flow rate ratio of CF 4 : oxygen gas is 90: 10%
  • the pressure of the processing chamber during etching is in the range of 20 to 150 Pa.
  • the input power from the high frequency power source 3 was 15 kW
  • the processing time was 15 seconds.
  • the second etching gas is CF 4, and introducing the CF 4 in the third step the same flow rate, the pressure of the processing chamber 12 at the time of etching in the range of above 20 ⁇ 150 Pa,
  • the input power from the high-frequency power source 3 was 15 kW, and the processing time was 10 seconds.
  • 3A shows the substrate immediately after the first step
  • FIG. 3B shows the substrate immediately after the third step
  • 3C shows the substrate immediately after the second step. SEM photographs are shown respectively. According to this, the substrate surface is entirely covered with the reaction product after the first step, and the top and valleys of the texture structure are rounded after the second step, and the reaction product (lighted white in the photograph) is formed on the top. However, after the third step, the top reaction product was completely removed, and it was found that the texture structure can be efficiently produced on the silicon substrate by dry etching.
  • the dry etching apparatus EM capable of performing the dry etching method of the present invention has been described by taking the case where power is supplied to the substrate stage 2 as an example, but is not limited thereto, and inductively coupled discharge is performed.
  • the dry etching method of the present invention such as the dry etching apparatus used, can be widely applied to other types of dry etching apparatuses.
  • the first step, the second step, and the third step are performed in a single dry etching processing apparatus EM.
  • this can be performed separately, and further, the halogen-containing gas is added in the second step.
  • the fluorine-containing gas may be stopped.
  • the fluorine-containing gas, the halogen-containing gas, and the oxygen gas are used as separate gas sources.
  • the mixed gas of the fluorine-containing gas and the oxygen gas, and the mixed gas of the halogen-containing gas and the oxygen gas are used. It is good also as a gas source.
  • the case where the oxygen gas is stopped in the second process has been described as an example.
  • the meteor control means 52c is controlled to reduce the introduction amount of the oxygen gas in the second process rather than the first process. Good.
  • the flow rate ratio of the halogen-containing gas incorporated in the total flow rate of the gas introduced into the processing chamber 12 is set in the range of 60 to 90%, and the flow rate ratio of the oxygen gas is set in the range of 10 to 40%.
  • the pressure in the lower processing chamber 12 is 40 to 150 Pa).
  • EM dry etching apparatus, 12 ... processing chamber, 2 ... substrate stage, 3 ... high frequency power supply, 4 ... shower plate, 5 ... gas introduction system, 52a to 52c ... mass flow controller (flow rate control means), 53a to 53c ... gas pipe 54a to 54c (respectively for fluorine-containing gas, halogen-containing gas and oxygen gas), gas source, W ... substrate (silicon substrate).

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

ドライエッチング方法
　本発明は、シリコン基板表面にテクスチャー構造を形成するためのドライエッチング方法に関し、より詳しくは、結晶系太陽電池の製造工程において、シリコン基板に対し、その表面に高い光散乱封じ込め効果を発揮するテクスチャー構造を形成するために用いられるものに関する。
　単結晶や多結晶のシリコン基板を用いた結晶系太陽電池において、シリコン基板表面にドライエッチングにより凹凸形状を形成して粗面化する（テクスチャー構造を付与する）ことで、シリコン基板表面に入射した光の反射を低減させて光電変換効率の向上を図ることが従来から進められている。また、シリコンのインゴットをスライスして結晶系太陽電池用のシリコン基板を得る際、スライス時に生じるシリコン基板のダメージ層を除去する工程からテクスチャー構造を形成する工程までをドライエッチングにより一括して処理することが例えば特許文献１で知られている。
　上記特許文献１のものでは、ドライエッチング装置の処理室内にて、先ず、スライス時に生じたシリコン基板表面のダメージ層を除去するため、例えば、酸素ガスとダメージ層除去用のＳＦ６ガスとを所定流量で導入し、シリコン基板を保持するステージに高周波電源から電力投入し、シリコン基板表面をドライエッチングしてダメージ層が除去される。引き続き、処理室内に、例えば、酸素ガスとテクスチャー形成用のＣｌ２ガス及びＮＦ３ガスとを導入し、ステージに高周波電源から電力投入し、シリコン基板表面をドライエッチングすることで、ダメージ層が除去されたシリコン基板面にテクスチャー構造が形成される。
　ところで、上記の如く、ドライエッチングにより、シリコン基板表面にテクスチャー構造を形成した場合、エッチング後のシリコン基板表面には、エッチング時に生じた反応生成物が堆積している。また、シリコン表面は凹凸を繰り返すものとなるが、その頂部や谷部が尖った鋭利なものとなっている（つまり、断面形状を視ると、ノコギリ刃状となる）。このような場合に、後工程でシリコン基板表面に、例えば真空成膜装置を用いて反射防止膜を成膜すると、その頂部や谷部とに効率よく成膜されず、カバレッジが悪くなる等の問題が生じる。
　このため、フッ酸と硝酸の混合液等のエッチング液を用いたウエットエッチングにより、反応生成物を除去すると共に、頂部や谷部に対し丸みを持たせるラウンド加工を行うことが提案される。然し、ラウンド加工のために別途ウエットエッチング用の設備が必要となり、生産性が悪いだけでなく、廃液の処理等も必要となってコスト高を招く。
特開２０１１－３５２６２号公報
　本発明は、以上の点に鑑み、光散乱封じ込め効果を有効に発揮すると共に、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でもカバレッジよく成膜できるようにしたテクスチャー構造を持つシリコン基板を効率よく製造できる低コストのドライエッチング方法を提供することをその課題とするものである。
　上記課題を解決するために、本発明は、シリコン基板表面にテクスチャー構造を形成するためのドライエッチング方法であって、シリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第１工程と、第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスを含む第２エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第２工程と、を含むことを特徴とする。
　本発明によれば、第１工程においてシリコン基板表面にテクスチャー構造が形成される。つまり、例えば、ＣＦ４等のフッ素含有ガス（流量比２０～６０％）と、Ｃｌ２等のハロゲンガスやＨＢｒ等のハロゲン化水素ガスのようなハロゲン含有ガス（流量比２５～７０％）と、酸素ガス（流量比１０～４０％）とを含む第１のエッチングガスを処理室に導入し、例えば当該処理室内でシリコン基板を保持する基板ステージに高周波電力を投入する。これにより、処理室内にプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオン種がシリコン基板表面に入射してエッチングが進行する。このとき、基板表面に堆積したシリコン酸化物やハイドロカーボン系のフッ化物等がマスクの役割を果たすことで、シリコン表面が凹凸形状にエッチングされて粗面化され、テクスチャー構造となる。
　次に、第２工程においてシリコン基板表面に形成されたテクスチャー構造に対して、第１工程のエッチング時にシリコン基板表面に堆積した、シリコン酸化物やハイドロカーボン系のフッ化物等の反応生成物を除去するクリーニング処理が真空雰囲気中で施される。つまり、例えば、ＣＦ４等のフッ素含有ガスからなる第２のエッチングガスを処理室に導入し、当該処理室内でシリコン基板を保持する基板ステージに高周波電力を投入する。これにより、プラズマ中の活性種やイオン種にてシリコン基板表面に堆積した反応生成物が除去される。この場合、処理室を画成する真空チャンバの壁面（防着板を含む）もクリーニングされる。この場合、エッチングガスが酸素ガスを含んでいてもよい。
　このように本発明においては、テクスチャー構造の形成と、第１工程後のシリコン基板表面のクリーニングとをドライエッチングにより夫々行うことで、テクスチャー構造をシリコン基板に効率よく製造できる。その上、ウエットエッチングを用いないため、高い生産性を達成でき、しかも、コストダウンを図ることができる。
　本発明においては、第２工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第３エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第３工程を更に含むことが好ましい。これによれば、シリコン基板表面に形成されたテクスチャー構造に対してラウンド加工が引き続き施される。つまり、例えば、ＣＦ４等のフッ素含有ガス（流量比４０～９５％）と、酸素ガス（流量比５～６０％）とを含む第３のエッチングガスを処理室に導入し、当該処理室内でシリコン基板を保持する基板ステージに高周波電力を投入する。これにより、プラズマ中の活性種やイオン種がシリコン基板表面に入射してエッチングが進行し、第１工程で形成されたシリコン基板表面のテクスチャー構造における頂部や谷部がラウンド加工される。この場合、酸素ガスを添加するのは、酸素ガスの流量を調整することで、エッチングレートを制御して最適な形状を得るためである。結果として、当該テクスチャー構造に対するラウンド加工までがドライエッチングで行うことが可能となり、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でも、カバレッジよく成膜できるようになる。
　本発明において、同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、第１のエッチングガス中のハロゲン含有ガスと酸素ガスとの当該処理室内への導入を停止して第１のエッチングガスから第２のエッチングガスに切り換えて第１工程と第２工程とを連続して行うことが好ましい。また、同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、酸素ガスの導入を再開して第２のエッチングガスから第３のエッチングガスに切り換えて第２工程と第３工程とを連続して行うことが好ましい。このような同一処理室内での一括したドライエッチングを行うことで、更なる生産性の向上と低コスト化を図ることができる。
　本発明において、第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第３のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第３工程を更に含み、第２工程にて第３工程でエッチング済みのシリコン基板表面を更にエッチングするようにしてもよい。この場合も、テクスチャー構造の形成と、当該テクスチャー構造に対するラウンド加工と、第３工程後のシリコン基板表面のクリーニングとをドライエッチングにより夫々行うことで、テクスチャー構造をシリコン基板に効率よく製造できる。その上、ウエットエッチングを用いないため、高い生産性を達成でき、しかも、コストダウンを図ることができる。
　本発明において、同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、第１のエッチングガス中のフッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方の当該処理室内への導入を停止して第１のエッチングガスから第３のエッチングガスに切り換えて第１工程と第３工程とを連続して行うことが好ましい。また、同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、第３のエッチングガスから第２のエッチングガスに切り換えて第３工程と第２工程とを連続して行うことが好ましい。このような同一処理室内での一括したドライエッチングを行うことで、更なる生産性の向上と低コスト化を図ることができる。
　なお、第１工程及び第３工程における酸素ガスの導入を、流量制御手段を有する単一のガス導入系により行い、第１工程における酸素流量比を１０～４０％の範囲とし、第３工程における酸素流量比を５～６０％の範囲となるように流量制御手段を制御することが好ましい。ここで、第１工程における酸素流量比（処理室に導入する第１のエッチングガスの総流量における第１のエッチングガス中の酸素ガスの流量比）が上記範囲以外であると、テクスチャー構造を形成できないという問題があり、他方で、第３工程における酸素流量比が上記範囲以外であると、エッチングレートが速すぎるか又は遅すぎて、エッチング形状を制御できないという問題がある。
本発明の実施形態のドライエッチング方法を実施するドライエッチング装置の構成を示す模式図。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施例１で得られた基板のＳＥＭ写真。 （ａ）～（ｃ）は、本発明の実施例２で得られた基板のＳＥＭ写真。
　以下、図面を参照して、処理対象物を、結晶系太陽電池に用いられる単結晶や多結晶のシリコン基板（以下、単に基板Ｗという）とし、その表面にテクスチャー構造を形成する本発明の実施形態のドライエッチング方法を説明する。なお、結晶系太陽電池の構造は公知であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
　図１には、本実施形態のドライエッチング方法を実施し得るドライエッチング装置ＥＭが示されている。以下では、後述するシャワープレートから基板Ｗに向かう方向を下方、基板Ｗからシャワープレートに向かう方向を上方として説明する。
　ドライエッチング装置ＥＭは、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどを備えた真空排気手段１１を介して所定の真空度に減圧保持できる真空チャンバ１を備え、成膜室１２を画成する。成膜室１２の下部空間には基板ステージ２が設けられている。基板ステージ２には、高周波電源３からの出力３１が接続されている。基板ステージ２に対向させるように成膜室１２の上部にはシャワープレート４が設けられている。シャワープレート４は、真空チャンバ１の内壁面に突設した環状の支持壁１３の下端で保持され、支持壁１３とシャワープレート４とで画成された空間４１にはエッチングガスを導入するガス導入系５が設けられている。
　ガス導入系５は、空間４１に通じる合流ガス管５１を備える、合流ガス管５１には、マスフローコントローラ等の閉止機能を有する流量制御手段５２ａ、５２ｂ、５２ｃが介設されたガス管５３ａ、５３ｂ、５３ｃが夫々接続され、第１～第３のガス源５４ａ、５４ｂ、５４ｃに夫々連通している。これにより、ガス種毎に流量制御して処理室１２に導入できるようになっている。本実施形態では、第１工程と第２工程と第３工程とを連続して実施できるように、第１のガス源５４ａのガスは、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣｘＨｙＦｚ等のフッ素含有ガスからなり、第２のガス源５４ｂのガスはＣｌ２等のハロゲンガスやＨＢｒ等のハロゲン化水素ガスのようなハロゲン含有ガスからなり、第２のガス源５４ｂのガスは酸素ガスからなる。以下、上記ドライエッチング装置ＥＭを用いた第１実施形態のエッチング方法について具体的に説明する。
　先ず、処理室１２が所定真空度（例えば、１０－５Ｐａ）に達した状態で、図外の真空ロボットにより基板Ｗを搬送し、基板ステージ２に保持させる。次に、第１工程として、ガス導入系５の各流量制御弁５２ａ～５２ｃを介して、第１～第３のガス源５４ａ、５４ｂ、５４ｃから第１のエッチングガスを空間４１からシャワープレート４を介して処理室１２内に導入する。第１のエッチングガスとして、フッ素含有ガスとしてのＣＦ４と、ハロゲン含有ガスとしてのＣｌ２と、酸素ガスとからなり、そして、処理室１２内に導入するガスの総流量に対するフッ素含有ガスの流量比を２０～６０％の範囲、ハロゲン含有ガスの流量比を２５～７０％の範囲、酸素ガスの流量比を１０～４０％の範囲とする（この場合、減圧下の処理室１２内の圧力は３０～２５０Ｐａとする）。各ガスの流量比は、処理室１２のサイズや他のプロセス条件に応じて、上記範囲内で適宜設定できる（第３工程においても同様）。これに併せて、高周波電源３を介して基板ステージ２に放電用電力を投入する。この場合の投入電力は、電力密度が０．５～１．８Ｗ／ｃｍ２となるように適宜設定する。これにより、第１工程において基板Ｗ表面にテクスチャー構造が形成される。つまり、処理室１２内にプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオン種が基板Ｗ表面に入射してエッチングが進行する。このとき、基板表面に堆積した酸素がマスクの役割を果たすことで、シリコン表面が凹凸形状にエッチングされて粗面化され、テクスチャー構造となる。
　上記第１工程におけるエッチングを所定時間行った後、連続して第２工程としてクリーニング処理を実施する。即ち、高周波電源３からの放電用電力の投入を停止せずに、流量制御手段５２ｂを閉弁してハロゲン含有ガスとしてのＣｌ２の処理室１２内への導入を停止すると共に、流量制御手段５２ｃを閉弁して酸素ガスの処理室１２内への導入を停止させることで第１のエッチングガスから第２のエッチングガスに切り換える。この第２工程により、上記第１工程のエッチング時に基板表面に堆積したシリコン酸化物やハイドロカーボン系のフッ化物等の反応生成物（「エッチング残渣」ともいう）が除去される。これと共に、処理室１２を画成する真空チャンバ１の内壁面（防着板を含む）もクリーニングされる。
　上記第２工程におけるエッチングを所定時間行った後、連続して第３工程を実施する。即ち、高周波電源３からの放電用電力の投入を停止せずに、流量制御手段５２ｃを開弁して酸素ガスの処理室１２内への導入を再開させて第２のエッチングガスから第３のエッチングガスに切り換える。このとき、処理室１２内に導入するガスの総流量に対するフッ素含有ガスの流量比を４０～９５％の範囲、酸素ガスの流量比を５～６０％の範囲とする（この場合、減圧下の処理室１２内の圧力は２０～１５０Ｐａとする）。
　この第３工程により、基板Ｗ表面に形成されたテクスチャー構造に対してラウンド加工が施される。つまり、基板Ｗ表面に入射するプラズマ中の活性種やイオン種により、第１工程で形成されたシリコン基板表面のテクスチャー構造における頂部や谷部がラウンド加工される。この場合、酸素ガスを添加するのは、酸素ガスの流量を調整することで、エッチングレートを制御して最適な形状を得るためである。尚、第３工程によりテクスチャー構造が反応生成物で覆われた場合には、上記第２工程を再度行うようにしてもよい。
　第１工程における酸素流量比を１０～４０％の範囲とし、第３工程における酸素流量比を５～６０％の範囲となるように流量制御手段を制御することで、第１工程におけるテクスチャー構造の形成と、第３工程におけるラウンド加工とを効率よく行うことができる。なお、第１工程における酸素流量比（処理室に導入する第１のエッチングガスの総流量における酸素ガスの流量比）が上記範囲以外であると、テクスチャー構造を形成できないという問題があり、他方で、第３工程における酸素流量比（処理室１２に導入する第３のエッチングガスの総流量における酸素ガスの流量比）が上記範囲以外であると、エッチングレートが速すぎるか又は遅すぎて、エッチング形状を制御できないという問題がある。
　次に、上記ドライエッチング装置ＥＭを用いた第２実施形態のエッチング方法について説明する。第２実施形態のエッチング方法は、第２工程と第３工程の順番を逆にしたことを除いて、上記第１実施形態のエッチング方法と同じである。ここで、高周波電源３からの放電用電力の投入を停止せずにエッチングガスを切り替えることにより、同一処理室にて、第１工程、第３工程、第２工程をこの順番で連続して行うことが好ましい。各工程のガス流量等の条件については、上記第１実施形態と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。本実施形態によれば、最後にクリーニングを行うため、ラウンド加工されたテクスチャー構造が反応生成物で覆われることを確実に防止できる。一方、第１工程で基板表面に形成される反応生成物はシリコンを含むため、第３工程のラウンド加工時にこの反応生成物もエッチングされるため、第３工程にて所望の表面状態を得るまでの処理時間が上記第１実施形態よりも長くなる場合がある。尚、太陽電池の製造ラインにおけるドライエッチングの前後の工程や、ドライエッチングの諸条件等を考慮して、第１実施形態と第２実施形態のうちのいずれか一方を適宜選択するようにしてもよい。
　以上によれば、単一のドライエッチング装置ＥＭにより、テクスチャー構造の形成と当該テクスチャー構造に対するラウンド加工とを行うことで、光散乱封じ込め効果を発揮すると共に、後工程で所定の薄膜を形成するような場合でも、カバレッジよく成膜できるようにしたテクスチャー構造をシリコン基板に効率よく製造できる。その上、ウエットエッチングを用いないため、高い生産性を達成でき、しかも、コストダウンを図ることができる。なお、シリコンのインゴットをスライスして基板Ｗを得る際、スライス時に生じる基板Ｗのダメージ層を除去する工程を上記第１工程に先立って同一の処理室１２内で行うことができる。この場合、ドライエッチングの条件は、上記従来例のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。
　次に、図１に示すドライエッチング装置ＥＭを用いて行った実施例について説明する。第１実施例では、基板として公知の方法で得た多結晶シリコン基板を用い、第１工程の条件として、第１のエッチングガスをＣＦ４とＣｌ２と酸素ガスとし、そのＣＦ４：Ｃｌ２：酸素ガスの流量を３００：１０００：２００ｓｃｃｍ（このときの流量比は２０：６７：１３％）とし、エッチング時の処理室１２の圧力を６０Ｐａとし、高周波電源３からの投入電力を２ｋＷとし、９０秒間、前記処理を行った。第２工程の条件として、第２のエッチングガスをＣＦ４とし、そのＣＦ４の流量を３００ｓｃｃｍとし、エッチング時の処理室１２の圧力を６０Ｐａとし、高周波電源３からの投入電力を１．５ｋＷとし、１０秒間、前記クリーニング処理を行った。第３工程の条件として、第３のエッチングガスをＣＦ４と酸素ガスとし、そのＣＦ４：酸素ガスの流量を３００：５０ｓｃｃｍ（このときの流量比は８６：１４％）とし、エッチング時の処理室の圧力を６０Ｐａとし、高周波電源３からの投入電力を１．０ｋＷとし、１０秒間、前記処理を行った。図２（ａ）には、第２工程を実施した直後、図２（ｂ）には、第３工程を実施した直後の基板のＳＥＭ写真を夫々示す。これによれば、ドライエッチングによりテクスチャー構造をシリコン基板に効率よく製造できることが判る。
　第２実施例では、基板として公知の方法で得た多結晶シリコン基板を用い、第１工程、第３工程、第２工程をこの順で連続して行った。このとき、第１工程の条件として、第１のエッチングガスをＣＦ４とＣｌ２と酸素ガスとし、そのＣＦ４：Ｃｌ２：酸素ガスの流量比を６０：３０：１０％とし、エッチング時の処理室１２の圧力を２０～１５０Ｐａの範囲内とし、高周波電源３からの投入電力を２９．５ｋＷとし、処理時間を７５秒間とした。第３工程の条件として、第３のエッチングガスをＣＦ４と酸素ガスとし、そのＣＦ４：酸素ガスの流量比を９０：１０％とし、エッチング時の処理室の圧力を上記２０～１５０Ｐａの範囲内とし、高周波電源３からの投入電力を１５ｋＷとし、処理時間を１５秒間とした。第２工程の条件として、第２のエッチングガスをＣＦ４とし、そのＣＦ４を第３工程と同等の流量で導入し、エッチング時の処理室１２の圧力を上記２０～１５０Ｐａの範囲内とし、高周波電源３からの投入電力を１５ｋＷとし、処理時間を１０秒間とした。図３（ａ）には、第１工程を実施した直後、図３（ｂ）には、第３工程を実施した直後、図３（ｃ）には、第２工程を実施した直後の基板のＳＥＭ写真を夫々示す。これによれば、第１工程後は基板表面が全体的に反応生成物で覆われ、第２工程後にはテクスチャー構造の頂部及び谷部がラウンドされ、頂部に反応生成物（写真中、白く光っている部分）が残っているが、第３工程後には頂部の反応生成物が完全に除去されており、ドライエッチングによりテクスチャー構造をシリコン基板に効率よく製造できることが判った。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、本発明のドライエッチング方法を実施し得るドライエッチング装置ＥＭとして、基板ステージ２に電力投入するものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、誘導結合型放電を用いるドライエッチング装置等、本発明のドライエッチング方法は他の形式のドライエッチング装置にも広く適用可能である。
　上記実施形態では、単一のドライエッチング処理装置ＥＭにて第１工程、第２工程及び第３工程を実施したが、これを別個に行うこともでき、更に、第２工程でハロゲン含有ガスを停止するものを例に説明したが、フッ素含有ガスを停止するようにしてもよい。また、上記実施形態では、フッ素含有ガス、ハロゲン含有ガス及び酸素ガスを夫々別のガス源としているが、フッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガス、ハロゲン含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを夫々ガス源としてもよい。
　上記実施形態では、第２工程で酸素ガスを停止するものを例に説明したが、流星制御手段５２ｃを制御して、第１工程よりも第２工程の酸素ガスの導入量を低下させてもよい。このとき、処理室１２内に導入するガスの総流量に体するハロゲン含有ガスの流量比を６０～９０％の範囲、酸素ガスの流量比を１０～４０％の範囲とする（この場合、減圧下の処理室１２内の圧力は４０～１５０Ｐａとする）。
　ＥＭ…ドライエッチング装置、１２…処理室、２…基板ステージ、３…高周波電源、４…シャワープレート、５…ガス導入系、５２ａ～５２ｃ…マスフローコントローラ（流量制御手段）、５３ａ～５３ｃ…ガス管、５４ａ～５４ｃ…（フッ素含有ガス、ハロゲン含有ガス及び酸素ガス用の各）ガス源、Ｗ…基板（シリコン基板）。

Claims (8)

  1. 　シリコン基板表面にテクスチャー構造を形成するためのドライエッチング方法であって、
    　シリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面をエッチングする第１工程と、
    　第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスを含む第２エッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第２工程と、を含むことを特徴とするドライエッチング方法。
  2. 　第２工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第３のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第３工程を更に含むことを特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。
  3. 　同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、第１のエッチングガス中のハロゲン含有ガスと酸素ガスとの当該処理室内への導入を停止して第１のエッチングガスから第２のエッチングガスに切り換えて第１工程と第２工程とを連続して行うことを特徴とする請求項１または２記載のドライエッチング方法。
  4. 　同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、酸素ガスの導入を再開して第２のエッチングガスから第３のエッチングガスに切り換えて第２工程と第３工程とを連続して行うことを特徴とする請求項２記載のドライエッチング方法。
  5. 　第１工程でエッチング済みのシリコン基板を配置した減圧下の成膜室内に、フッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方を主成分とし、これに酸素ガスを添加した第３のエッチングガスを導入し、放電用電力を投入してシリコン基板表面を更にエッチングする第３工程を更に含み、
    　第２工程にて第３工程でエッチング済みのシリコン基板表面を更にエッチングすることを特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。
  6. 　同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、第１のエッチングガス中のフッ素含有ガスとハロゲン含有ガスとのいずれか一方の当該処理室内への導入を停止して第１のエッチングガスから第３のエッチングガスに切り換えて第１工程と第３工程とを連続して行うことを特徴とする請求項５記載のドライエッチング方法。
  7. 　同一の処理室内にて、放電用電力の投入を停止せずに、第３のエッチングガスから第２のエッチングガスに切り換えて第３工程と第２工程とを連続して行うことを特徴とする請求項５または６記載のドライエッチング方法。
  8. 　第１工程及び第３工程における酸素ガスの導入を、流量制御手段を有する単一のガス導入系により行い、第１工程における酸素流量比を１０～４０％の範囲とし、第３工程における酸素流量比を５～６０％の範囲となるように流量制御手段を制御することを特徴とする請求項２または５記載のドライエッチング方法。
PCT/JP2013/002388 2012-04-06 2013-04-08 ドライエッチング方法 Ceased WO2013150804A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014509065A JP5901744B2 (ja) 2012-04-06 2013-04-08 ドライエッチング方法
CN201380016736.1A CN104205308B (zh) 2012-04-06 2013-04-08 干蚀刻方法
KR1020147031268A KR101615682B1 (ko) 2012-04-06 2013-04-08 건식 에칭 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012087027 2012-04-06
JP2012-087027 2012-04-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013150804A1 true WO2013150804A1 (ja) 2013-10-10

Family

ID=49300305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/002388 Ceased WO2013150804A1 (ja) 2012-04-06 2013-04-08 ドライエッチング方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5901744B2 (ja)
KR (1) KR101615682B1 (ja)
CN (1) CN104205308B (ja)
WO (1) WO2013150804A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114464699A (zh) * 2021-12-31 2022-05-10 隆基绿能科技股份有限公司 一种硅片处理方法和装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7349861B2 (ja) * 2019-09-24 2023-09-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、ダメージ層の除去方法、および記憶媒体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076404A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Kyocera Corp シリコン基板の粗面化法
JP2010034156A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Ulvac Japan Ltd テクスチャー形成方法及び真空処理装置
JP2010034155A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Ulvac Japan Ltd テクスチャー形成方法及び真空処理装置
WO2010105703A1 (en) * 2009-03-17 2010-09-23 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) Method for plasma texturing

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800264B (zh) * 2010-02-20 2012-01-18 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺
JP5773777B2 (ja) * 2011-06-24 2015-09-02 株式会社アルバック ドライエッチング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076404A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Kyocera Corp シリコン基板の粗面化法
JP2010034156A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Ulvac Japan Ltd テクスチャー形成方法及び真空処理装置
JP2010034155A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Ulvac Japan Ltd テクスチャー形成方法及び真空処理装置
WO2010105703A1 (en) * 2009-03-17 2010-09-23 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) Method for plasma texturing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114464699A (zh) * 2021-12-31 2022-05-10 隆基绿能科技股份有限公司 一种硅片处理方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104205308B (zh) 2016-08-17
JP5901744B2 (ja) 2016-04-13
JPWO2013150804A1 (ja) 2015-12-17
KR101615682B1 (ko) 2016-04-26
CN104205308A (zh) 2014-12-10
KR20150000501A (ko) 2015-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI770310B (zh) 用於間隔件界定圖案化之垂直間隔件的形成方法
US8877539B2 (en) Method for producing a photovoltaic cell including the preparation of the surface of a crystalline silicon substrate
KR102161180B1 (ko) 실리콘 질화물 유전체 필름을 패터닝하는 방법
CN1728340A (zh) 用于制造场效应晶体管门极结构的工艺整合的组合工具和方法
US9177816B2 (en) Deposit removal method
JP5901744B2 (ja) ドライエッチング方法
JP2010034156A (ja) テクスチャー形成方法及び真空処理装置
CN107516693B (zh) 一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法
TWI768564B (zh) 用於蝕刻硬體之基於氫電漿清洗處理
JP5466837B2 (ja) テクスチャーの形成方法
JP5773777B2 (ja) ドライエッチング方法
JP2011035262A (ja) 結晶系太陽電池の製造における処理方法及び処理装置
US20230326735A1 (en) Method of preparing a silicon carbide wafer
JP4553597B2 (ja) シリコン基板の製造方法および太陽電池セルの製造方法
JP2010034155A (ja) テクスチャー形成方法及び真空処理装置
EP2819150B1 (en) Deposit removing method
JP2013008753A (ja) 球状光電変換素子の製造方法。
JP2013168505A (ja) テクスチャー構造形成方法
JP4652282B2 (ja) シリコン基板の表面処理方法および太陽電池セルの製造方法
KR101462563B1 (ko) 실리콘불화물 막을 이용한 결정질 실리콘 웨이퍼 식각방법 및 식각장치, 이를 이용한 태양전지 제조방법 및 제조장치
CN104795392B (zh) 一种阵列基板及其制备方法
JPH03155621A (ja) ドライエッチング方法
JP2013247157A (ja) ドライエッチング装置
Kim et al. Dry etching of germanium using inductively coupled Ar/CCl2F2/Cl2 plasma
JP2013247167A (ja) ドライエッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13772428

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014509065

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147031268

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13772428

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1