WO2013140872A1 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
1.固体撮像装置の構成
2.中間電圧の最適値の設定手法
3.電子機器(応用例)の構成
本実施形態では、フォトダイオード(以下、PDと記す)に蓄積された信号電荷を転送トランジスタにより複数回に分割してフローティングディフュージョン部(以下、FD部と記す)に転送する方式の固体撮像装置の構成例を説明する。なお、以下では、このような方式を分割読み出し方式という。この分割読み出し方式では、例えば分割して読み出した複数の画素信号(出力データ)を最終的には加算して出力する。
まず、本実施形態に係る分割読み出し方式の固体撮像装置の具体的な構成を説明する前に、この方式の固体撮像装置において、転送トランジスタの性能バラツキにより発生し得る事象について簡単に説明する。
Qs-n×Qm=Qc≦Qfd …(1)
図2に、本開示の一実施形態に係る分割読み出し方式の固体撮像装置の概略構成を示す。なお、図2は、固体撮像装置全体の概略ブロック構成図である。
次に、図3を参照しながら、各画素20の構成を簡単に説明する。なお、図3は、画素20、及び、それに接続された単位回路30の概略構成図である。また、図3には、中間転送動作の回数が1回である場合の単位回路30の構成を示す。
次に、垂直信号線VSL毎に設けられる、カラム処理部13内の単位回路30の内部構成及び動作を、図3及び4を参照しながら説明する。
中間転送動作時の出力データ(DataA)のレベル及び完全転送動作時の出力データ(DataB)のレベルがともに、所定の上限閾値ThH及び下限閾値ThLの間の値である場合、デジタル加算/非加算回路37は、両方の出力データを加算する。そして、デジタル加算/非加算回路37は、加算したデータ(DataC=DataA+DataB)をデジタル処理回路14に出力する。
PD21に蓄積された電荷を2回の転送動作で分割してFD部26に転送する場合、PD21が飽和した状態において、中間転送動作でPD21の飽和電荷量Qsの約半分程度の電荷がFD部26に転送されるように、中間電圧Vmが設定される。それゆえ、例えば、中間転送動作時に転送された電荷量がPD21の飽和電荷量Qsの約半分程度に近い場合(DataAのレベルがある程度大きい場合)、完全転送動作直前にPD21に残っている電荷量もPD21の飽和電荷量Qsの約半分程度となる。すなわち、中間転送動作時の出力データ(DataA)のレベルが上限閾値ThHより大きい場合には、完全転送動作時にFD部26に転送される電荷量がPD21の飽和電荷量Qsの約半分程度になり、非常に大きくなる。この場合、完全転送動作時のカウント数はフルカウント値になる。それゆえ、この場合には、デジタル加算/非加算回路37は、中間転送動作時の出力データ(DataA)にフルカウント値を加算したデータ(DataC=DataA+フルカウント値)をデジタル処理回路14に出力する。また、この場合には、完全転送動作時の出力データ(DataB)を読み出さなくてもよい。
中間転送動作時の出力データ(DataA)のレベルが下限閾値ThLより小さい場合、中間転送動作時の出力データ(DataA)は、ノイズであると考えられる。それゆえ、この場合には、中間転送動作時の出力データ(DataA)を使用しない。すなわち、この場合、デジタル加算/非加算回路37は、中間転送動作時の出力データ(DataA)と完全転送動作時の出力データ(DataB)とを加算せずに、完全転送動作時の出力データ(DataB)のみを出力データ(DataC)として出力する。
完全転送動作時の出力データ(DataB)のレベルが下限閾値ThLより小さい場合、中間転送動作時の出力データ(DataA)は、偽データであると考えられる。それゆえ、この場合には、中間転送動作時の出力データ(DataA)を使用しない。すなわち、この場合、デジタル加算/非加算回路37は、中間転送動作時の出力データ(DataA)と完全転送動作時の出力データ(DataB)とを加算せずに、完全転送動作時の出力データ(DataB)のみを出力データ(DataC)として出力する。
次に、本実施形態における中間電圧の最適値(以下では、最適中間電圧Vmoという)の設定手法について説明する。なお、本実施形態において、最適中間電圧Vmoの測定及び設定は、固体撮像装置1の出荷前に行う。
図5に、固体撮像装置1の最適中間電圧Vmoの測定及び設定を行うための中間電圧設定システムの概略ブロック構成を示す。中間電圧設定システムは、図5に示すように、検査対象の固体撮像装置1と、その外部に設けられた検査機器50とで構成される。
次に、図6、7及び図8A~図8Dを参照しながら、本実施形態における固体撮像装置1の最適中間電圧Vmoの設定動作を、より具体的に説明する。なお、図6は、本実施形態における最適中間電圧Vmoの設定動作の手順を示すフローチャートである。図7は、最適中間電圧Vmoの設定時におけるリセット信号(RST)、転送信号(TRG)、垂直信号線VSLに出力される画素信号(SVSL)、参照信号(RAMP)、及び、アナログCDS処理後の信号(ΔV)のタイミングチャートである。なお、図7では、AD変換回路34での比較処理の様子を明確にするため、参照信号(RAMP)と、アナログCDS処理後の信号(ΔV)とを重ねて記載する。また、図8A~図8Dは、最適中間電圧Vmoの設定動作時におけるPD21からFD部26への電荷の転送の様子を示す図である。
本開示に係る固体撮像装置は、各種電子機器に適用可能である。例えば、上記実施形態で説明した固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラシステム、撮像機能を有する携帯電話、又は、撮像機能を備えた他の機器などの電子機器に適用することができる。ここでは、電子機器の一構成例として、デジタルビデオカメラを例に挙げ説明する。
(1)
光電変換部、電荷電圧変換部、及び、該光電変換部に蓄積された電荷を該電荷電圧変換部に転送する転送トランジスタを含む画素を複数有する画素部と、
前記光電変換部に蓄積された信号電荷を所定回数の中間転送動作及び完全転送動作により分割して読み出す際の中間転送動作時に前記転送トランジスタのゲートに印加する中間電圧の最適値の情報が格納されている記憶部と
を備える固体撮像装置。
(2)
前記中間電圧の最適値が、各画素の中間電圧の最適値の中の最大値である
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記画素毎の中間電圧の最適値の情報が、前記記憶部に格納されている
(1)又は(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記記憶部が、電気的にプログラム可能なヒューズを含む
(1)~(3)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(5)
前記完全転送動作時に前記光電変換部から前記電荷電圧変換部に転送される電荷量をQcとし、前記中間転送動作毎に前記光電変換部から前記電荷電圧変換部に転送される電荷量をQmとし、前記光電変換部の飽和電荷量をQsとし、前記電荷電圧変換部に蓄積可能な最大電荷量をQfdとし、前記中間転送動作の回数をnとした場合に、全ての前記画素において、前記中間電圧の最適値が、
Qs-n×Qm=Qc≦Qfd
の関係式を満たすような値に設定されている
(1)~(4)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(6)
前記信号電荷の読み出し時に行う信号処理の方式が、デュアルノイズキャンセリング方式である
(1)~(5)のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
(7)
光電変換部、電荷電圧変換部、及び、該光電変換部に蓄積された電荷を該電荷電圧変換部に転送する転送トランジスタを含む画素を複数有する画素部と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を所定回数の中間転送動作及び完全転送動作により分割して読み出す際の中間転送動作時に前記転送トランジスタのゲートに印加する中間電圧の最適値の情報が格納されている記憶部とを有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路と
を備える電子機器。
Claims (7)
- 光電変換部、電荷電圧変換部、及び、該光電変換部に蓄積された電荷を該電荷電圧変換部に転送する転送トランジスタを含む画素を複数有する画素部と、
前記光電変換部に蓄積された信号電荷を所定回数の中間転送動作及び完全転送動作により分割して読み出す際の中間転送動作時に前記転送トランジスタのゲートに印加する中間電圧の最適値の情報が格納されている記憶部と
を備える固体撮像装置。 - 前記中間電圧の最適値が、各画素の中間電圧の最適値の中の最大値である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記画素毎の中間電圧の最適値の情報が、前記記憶部に格納されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記記憶部が、電気的にプログラム可能なヒューズを含む
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記完全転送動作時に前記光電変換部から前記電荷電圧変換部に転送される電荷量をQcとし、前記中間転送動作毎に前記光電変換部から前記電荷電圧変換部に転送される電荷量をQmとし、前記光電変換部の飽和電荷量をQsとし、前記電荷電圧変換部に蓄積可能な最大電荷量をQfdとし、前記中間転送動作の回数をnとした場合に、全ての前記画素において、前記中間電圧の最適値が、
Qs-n×Qm=Qc≦Qfd
の関係式を満たすような値に設定されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記信号電荷の読み出し時に行う信号処理の方式が、デュアルノイズキャンセリング方式である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 光電変換部、電荷電圧変換部、及び、該光電変換部に蓄積された電荷を該電荷電圧変換部に転送する転送トランジスタを含む画素を複数有する画素部と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を所定回数の中間転送動作及び完全転送動作により分割して読み出す際の中間転送動作時に前記転送トランジスタのゲートに印加する中間電圧の最適値の情報が格納されている記憶部とを有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号に対して所定の処理を施す信号処理回路と
を備える電子機器。
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US10897586B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-01-19 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
US10931884B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-02-23 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having adaptive exposure time |
US11956413B2 (en) | 2018-08-27 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes and shared comparator |
US11595602B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-02-28 | Meta Platforms Technologies, Llc | Image sensor post processing |
US11102430B2 (en) | 2018-12-10 | 2021-08-24 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes |
US11888002B2 (en) | 2018-12-17 | 2024-01-30 | Meta Platforms Technologies, Llc | Dynamically programmable image sensor |
US11962928B2 (en) | 2018-12-17 | 2024-04-16 | Meta Platforms Technologies, Llc | Programmable pixel array |
US11218660B1 (en) | 2019-03-26 | 2022-01-04 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having shared readout structure |
CN112118368B (zh) * | 2019-06-04 | 2021-08-24 | 宁波飞芯电子科技有限公司 | 栅压调节电路、栅压调节方法及应用其的传感器 |
US11943561B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-03-26 | Meta Platforms Technologies, Llc | Non-linear quantization at pixel sensor |
US11936998B1 (en) | 2019-10-17 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having extended dynamic range |
US11935291B2 (en) | 2019-10-30 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Distributed sensor system |
US11948089B2 (en) | 2019-11-07 | 2024-04-02 | Meta Platforms Technologies, Llc | Sparse image sensing and processing |
US11902685B1 (en) | 2020-04-28 | 2024-02-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having hierarchical memory |
US11825228B2 (en) | 2020-05-20 | 2023-11-21 | Meta Platforms Technologies, Llc | Programmable pixel array having multiple power domains |
TWI788818B (zh) * | 2020-05-28 | 2023-01-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像裝置及攝像方法 |
US11910114B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Multi-mode image sensor |
US11956560B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having reduced quantization operation |
CN114374805A (zh) * | 2020-10-14 | 2022-04-19 | 深圳市鸿飞精密科技有限公司 | 图像传感器及电子设备 |
US11935575B1 (en) | 2020-12-23 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Heterogeneous memory system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61105182A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子の駆動回路 |
JPH0955473A (ja) * | 1995-06-08 | 1997-02-25 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置とその検査方法 |
JP2005150801A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Sony Corp | 固体撮像装置に対する電源電圧設定方法、固体撮像装置、およびカメラ装置 |
JP2008263395A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
JP2010109677A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置、画素駆動電圧適正化装置、画素駆動電圧適正化方法 |
JP2011082852A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7324144B1 (en) * | 1999-10-05 | 2008-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid image pickup device, image pickup system and method of driving solid image pickup device |
JP5066996B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2012-11-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
JP2010226679A (ja) | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
2013
- 2013-01-31 TW TW102103775A patent/TW201340708A/zh unknown
- 2013-02-05 CN CN201380013943.1A patent/CN104205810A/zh active Pending
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- 2013-02-05 US US14/380,412 patent/US9363454B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-14 US US15/069,603 patent/US9900537B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61105182A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子の駆動回路 |
JPH0955473A (ja) * | 1995-06-08 | 1997-02-25 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置とその検査方法 |
JP2005150801A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Sony Corp | 固体撮像装置に対する電源電圧設定方法、固体撮像装置、およびカメラ装置 |
JP2008263395A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
JP2010109677A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置、画素駆動電圧適正化装置、画素駆動電圧適正化方法 |
JP2011082852A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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