CN114374805A - 图像传感器及电子设备 - Google Patents

图像传感器及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN114374805A
CN114374805A CN202011093687.XA CN202011093687A CN114374805A CN 114374805 A CN114374805 A CN 114374805A CN 202011093687 A CN202011093687 A CN 202011093687A CN 114374805 A CN114374805 A CN 114374805A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
correlated double
double sampling
digital
analog
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011093687.XA
Other languages
English (en)
Inventor
蔡仁胜
蔡东吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Hongfei Precision Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Hongfei Precision Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Hongfei Precision Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Hongfei Precision Technology Co ltd
Priority to CN202011093687.XA priority Critical patent/CN114374805A/zh
Priority to TW109137733A priority patent/TWI766411B/zh
Priority to JP2020189764A priority patent/JP7164579B2/ja
Priority to US17/389,567 priority patent/US11523073B2/en
Publication of CN114374805A publication Critical patent/CN114374805A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array

Abstract

本申请提供一种图像传感器，所述图像传感器包括像素阵列、相关双采样单元以及模数转换器，像素阵列具有以行和列排列的多个像素，像素用于将光信号转换为电信号,模拟转换器将多个像素输出的电信号转换为数字信号，相关双采样单元用于将数字信号和/或所述电信号转换成对应的相关双采样信号，以降低所述图像传感器的噪声，其中，当所述相关双采样单元转换所述数字信号时，所述相关双采样信号为数字信号，当所述相关双采样单元转换电信号时，所述相关双采样信号为模拟信号。本申请还提供一种电子设备，通过设置一相关双采样电源对像素阵列输出的电信号和/或模数转换器转换后的数字信号进行转换，以降低所述图像传感器的噪声。

Description

图像传感器及电子设备
技术领域
本申请涉及图像传感器技术领域，尤其涉及一种图像传感器及电子设备。
背景技术
随着现代计算机技术以及信息处理技术的发展，智能系统正在越来越多地帮助人类处理外界的各种复杂信息，这些信息包括自然界的声、光、温度、压力以及气味等等。视觉是人类获取外界信息的重要途径，据研究人类对外部世界感知的信息中，80％来自于人的视觉信息。基于视觉图像巨大的信息量，先进的图像获取技术也就成了现代智能系统的重要组成部分。
图像传感器是图像获取设备的核心，图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。图像传感器噪声可能存在与光学元件、传感器元件等，图像传感器的读出噪声影响到实际的分辨率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种图像传感器及电子设备，可以降低噪声。
本申请一实施方式提供一种图像传感器，所述图像传感器包括像素阵列、相关双采样单元以及模数转换器；
所述像素阵列具有以行和列排列的多个像素，所述像素用于将光信号转换为电信号，其中所述电信号为模拟信号；
所述模拟转换器将所述多个像素输出的电信号转换为数字信号；
所述相关双采样单元用于将所述数字信号和/或所述电信号转换成对应的相关双采样信号，以降低所述图像传感器的噪声，其中，当所述相关双采样单元转换所述数字信号时，所述相关双采样信号为数字信号，当所述相关双采样单元转换电信号时，所述相关双采样信号为模拟信号。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述相关双采样单元包括第一相关双采样电路；
所述第一相关双采样电路的一端电连接于所述像素阵列，用于将所述电信号转换成第一相关双采样信号；
所述第一相关双采样电路的另一端电连接于所述模数转换器，用于将所述第一相关双采样信号传输给所述模数转换器，以使得所述模数转换器将所述第一相关双采样信号转换为数字信号。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述相关双采样单元还包括第二相关双采样电路；
所述第二相关双采样电路电连接所述模数转换器，用于将所述模数转换器输出的所述数字信号转换成第二相关双采样信号。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述图像传感器还包括定时控制电路和行驱动器；
所述定时控制电路用于输出定时控制信号；
所述行驱动器用于根据所述定时控制信号选择所述像素阵列中要输出信号的像素。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述像素包括光敏二极管、传输晶体管、驱动晶体管、行选晶体管及复位晶体管；
所述复位晶体管的第一端电连接电源端，所述复位晶体管的第二端用于接收一复位控制信号，所述复位晶体管的第三端电连接一浮置扩散节点；
所述传输晶体管的第一端电连接所述浮置扩散节点，所述传输晶体管的第二端用于接收一传输控制信号，所述传输晶体管的第三端电连接所述光敏二极管的一端；
所述光敏二极管的另一端接地；
所述驱动晶体管的第一端电连接所述电源端，所述驱动晶体管的第二端用于接收一复位信号采样信号，所述驱动晶体管的第三端电连接所述行选晶体管的第一端；
所述行选晶体管的第二端用于接收光电子信号采样信号，所述行选晶体管的第三端电连接输出端。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述第一相关双采样电路包括采样电路和第一运算放大电路；
所述采样电路包括第一采样电容器和第二采样电容器；
所述第一采样电容器用于采样所述像素阵列根据施加的复位采样信号所输出的复位信号；
所述第二采样电容器用于采样所述像素阵列根据光电转换输出的图像信号；
所述第一运算放大电路用于将所述复位信号和所述图像信号作差，输出所述第一相关双采样信号。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述第二相关双采样电路包括第二运算放大电路；
所述第二运算放大电路的第一输入端接收所述模数转换器进行数字转换后输出的数字信号，所述第二运算放大电路的第二输入端接收所述模数转换器进行复位后输出的数字复位信号，所述第二运算放大电路将所述数字信号和所述数字复位信号作差。
本申请一实施方式提供一种电子设备，所述电子设备包括图像处理器以及如上任一项所述的图像传感器；
所述图像处理器处理所述图像传感器输出的信号。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述电子设备还包括光学系统；
所述光学系统用于将外部光线聚焦于所述像素阵列上。
本申请实施方式提供的图像传感器以及电子设备，通过设置一相关双采样电源对像素阵列输出的电信号和/或模数转换器转换后的数字信号进行转换，以降低所述图像传感器的噪声。
附图说明
图1为根据本申请示例性的电子设备示意图。
图2为图1中图像传感器一较佳实施方式的方框示意图。
图3为图1中转换单元的方框示意图。
图4为图2中像素阵列的像素的方框示意图。
图5为图3中第一相关双采样电路的方框示意图。
图6为图1中模数转换器的方框示意图。
主要元件符号说明
电子设备 1
光学系统 10
图像传感器 20
图像处理器 30
镜头 11
像素阵列 21
定时控制电路 22
行驱动器 23
转换模块 24
转换单元 241
相关双采样单元 2410
第一相关双采样电路 2411
第二相关双采样电路 2412
模数转换器 2413
光敏二极管 GX
传输晶体管 TX
驱动晶体管 DX
行选晶体管 SX
复位晶体管 RX
采样电路 242
第一运算放大电路 243
采样器 2421
存储单元 2422
第一存储电容器 2423
第二存储电容器 2424
第一采样电容器 2425
第二采样电容器 2426
比较电路 244
数字化电路 245
参考信号生成器 246
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。
基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都是属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为根据本申请示例性的电子设备1示意图。所述电子设备1包括光学系统10、图像传感器20及图像处理器30。所述电子设备1可以是便携式成像系统，诸如相机、移动电话、摄像机或捕获数字图像数据的其他成像设备。
所述光学系统10的主要部件是光学镜头11，它是由透镜系统组合而成，所述透镜系统包含着许多片凸凹不同的透镜，其中凸透镜的中央部分比边缘厚，因而经透镜边缘部分的光线比中央部分的光线会发生更多的折射。利用透镜的折射原理，将景物光线透过镜头11在聚焦平面上形成清晰的像。在其中一种可能实现方式中，还可能包括红滤光片，通过过滤掉进入镜头11的光线中的红外光，以使得图像更接近人眼所看到的效果。
所述图像传感器20用于将镜头11的光信号转换为电信号，经过处理后输出数字信号。具体的，当被摄对象经过光学系统10透镜的折射，在所述图像传感器20的摄像管或固体摄像器件的成像面上形成“焦点”，进而通过所述图像传感器20的光敏二极管GX将“焦点”外的光学图像转变成携带电荷的电信号，对该电信号进行处理后输出数字信号至所述图像处理器30。
所述图像处理器30用于对所述图像传感器20输出的数字信号进行加工处理，转换成RGB、YUV等格式输出。所述图像处理器30对数字信号的处理直接影响着画面品质，如：色彩饱和度、清晰度、流畅度等。
请参阅图2，图2为本申请图像传感器20一较佳实施方式的方框示意图。所述图像传感器20包括像素阵列21、定时控制电路22、行驱动器23及转换模块24，请一并参阅图3，所述转换模块24包括多个转换单元241，每个转换单元241包括相关双采样单元2410和模数转换器2413，相关双采样单元2410包括第一相关双采样电路2411和第二相关双采样电路2412。
在本申请实施例中，所述定时控制电路22被配置为用于控制所述像素阵列21的操作特性，用于生产定时控制信号。在操作中，定时控制电路22产生控制逻辑信号以控制像素阵列21的像素中所包含的晶体管，例如控制光敏二极管中累积的电荷的累积、传递和复位。此外，定时控制电路22可确定控制逻辑信号的逻辑电平以用于调整由行驱动器23在行线上供应的驱动电压的量值。
在本申请实施例中，所述图像传感器20可以包括多个行驱动器23，基于所述定时控制信号，选择生成要处理的像素信号的所述像素阵列21的一行或一列。行驱动器23布置在若干行中以将驱动电压提供给包含于驱动晶体管的相应行的像素中的驱动晶体管。举例来说，行驱动器23为包含于所述第一行中的复位晶体管提供驱动电压RST，且行驱动器23为包含于所述第一行中的传输晶体管提供驱动电压TX1。
所述像素阵列21是一个二维的图像传感像素阵列21，例如构成一个m行n列的像素矩阵，m、n为正整数，m*n个像素可以是相同结构。每个像素包括光传感器诸如光敏二极管，所述光传感器接收入射光子(入射光)并把光子转变为电荷。
在本申请实施例中，所述像素阵列21包括的光敏二极管用于通过光电转换检测光强度，所述光敏二极管是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。所述光敏二极管的管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
在本申请实施例中，所述像素阵列21还可以包括光电转换器，如晶体管，示意性地，所述晶体管可作为行选的开关，所述晶体管用于根据所述光敏二极管GX的光电转换输出电图像信号A(S)和根据所施加的复位电压输出的复位信号A(R)，电图像信号A(S)和复位信号A(R)为模拟信号。
在其中一种可能实现方式中，所述像素阵列21可以包括多个像素，每个所述像素可以包括一个光敏二极管GX、一个传输晶体管TX、一个驱动晶体管DX、一个行选晶体管SX和一个复位晶体管RX。光敏二极管GX捕获入射光并将捕获的入射光转换为电荷，该电荷被选择性地从光敏二极管GX经由传输晶体管TX传输到浮置扩散区FD。传输晶体管TX由传输栅TG信号控制。浮置扩散区FD连接到驱动晶体管DX的栅极，该驱动晶体管DX作为缓冲输出电压的源极跟随器(放大器)。输出电压由行选晶体管SX选择性地作为输出电压OUT传输。行选晶体管SX由施加到行选晶体管SX的栅极的行选择信号SEL控制。最后，复位晶体管RX由复位信号RS控制以选择性地将在浮置扩散区FD中累积的电荷复位到参考电平。
具体地，参见图4，所述像素阵列21包括光敏二极管GX、一个传输晶体管TX、一个驱动晶体管DX、一个行选晶体管SX、一个复位晶体管RX、浮置扩散节点FD，输出端Vout及电源端Vdd，浮置扩散节点FD的电压大小与输出端Vout的电压大小成比例关系。RST为复位晶体管RX的复位控制信号，TX1为传输晶体管TX的传输控制信号，SHR为复位信号采样信号，SHS为光电子信号采样信号。
所述复位晶体管RX的第一端电连接电源端Vdd，所述复位晶体管RX的第二端用于接收一复位控制信号RST，所述复位晶体管RX的第三端电连接一浮置扩散节点FD。所述传输晶体管TX的第一端电连接所述浮置扩散节点FD，所述传输晶体管TX的第二端用于接收一传输控制信号TX1，所述传输晶体管TX的第三端电连接所述光敏二极管GX的一端。所述光敏二极管GX的另一端接地。所述驱动晶体管DX的第一端电连接所述电源端Vdd，所述驱动晶体管DX的第二端用于接收一复位信号采样信号SHR，所述驱动晶体管DX的第三端电连接所述行选晶体管SX的第一端。所述行选晶体管SX的第二端用于接收光电子信号采样信号SHS，所述行选晶体管SX的第三端电连接输出端Vout。
当RST为高电平时，复位晶体管RX导通，复位晶体管RX输出复位信号至浮置扩散节点FD和输出端Vout，当SHR为高电平时，采样浮置扩散节点FD或输出端Vout的复位信号A(R)以获取所述复位信号采样信号SHR的复位采样信号值VA(R)。当TX1为高电平时，传输晶体管TX导通，传输晶体管TX输出光敏二极管GX的光电子信号采样信号SHS至浮置扩散节点FD和输出端Vout，当SHS为高电平时，采样浮置扩散节点FD或输出端Vout的光电子信号采样信号SHS，即所述电图像信号A(S)，以获取电图像信号值VA(S)。
在本申请实施例中，每个转换单元241与所述像素阵列21中的各个像素列相连，示例性地，每个转换模块24与跨过各个像素列耦合的金属连接形成的预定节点耦合。
所述第一相关双采样电路2411用于根据所述像素阵列21输出的信号产生第一CDS信号，所述第一CDS信号为模拟信号，所述第一相关双采样电路2411将所述第一CDS信号传输给所述模数转换电路，以使得所述模数转换电路将所述第一CDS信号转换成数字信号。所述第二相关双采样电路2412接收所述模数转换电路输出的所述数字信号，并根据所述数字信号输出第二CDS信号，所述第二CDS信号为数字信号。
在本申请实施例中，所述第一相关双采样电路2411用于将所述复位采样信号和所述电图像信号作差得到实际图像信号，即得到所述第一CDS信号。每个像素的输出波形只在一部分时间内是图像信号，其余时间内是复位电平和干扰，通过第一相关双采样电路2411取出图像信号并消除干扰，每个像素信号被取样后，由一电容把信号保持下来，直到取样下一个像素信号。具体地，将所述像素阵列21输出的所述复位采样信号值VA(R)和电图像信号值VA(S)作差得到实际图像信号A(R-S)的值ΔVA(R-S)。所述模数转换器2413对实际图像信号A(R-S)转换成数字信号，输出数字信号D(R-S)。
在本申请实施例中，请一并参阅图5，所述第一相关双采样电路2411包括采样电路242和第一运算放大电路243，所述采样电路242包括采样器2421和存储单元2422，示例性地，所述存储单元2422可包括第一存储电容器2423和第二存储电容器2424。所述采样器2421包括第一采样电容器2425和第二采样电容器2426。所述第一采样电容器2425根据预设CDS顺序地对所述像素阵列21输出的所述复位采样信号值VA(R)，所述第二采样电容器2426根据预设CDS顺序地对所述像素阵列21输出的电图像信号VA(S)进行采样，所述第一存储电容器2423存储所述复位采样信号值VA(R)，所述第二存储电容器2424存储所述电图像信号VA(S)。
在本申请实施例中，所述第一运算放大电路243可为第一运算放大器，所述第一运算放大器的两个输入端可分别连接所述第一存储电容器2423和第二存储电容器2424，以将所述复位采样信号值VA(R)与所述电图像信号VA(S)作差，得到差分模拟信号，即所述实际图像信号A(R-S)。
在本申请实施例中，所述模数转换器2413将所述实际图像信号A(R-S)转换成数字信号D(R-S)。模数转换器2413通常是指一个将模拟信号转变为数字信号的电子元件。通常的模数转换器2413是将一个输入电压信号转换为一个输出的数字信号。由于数字信号本身不具有实际意义，仅仅表示一个相对大小。故任何一个模数转换器2413都需要一个参考模拟量作为转换的标准，比较常见的参考标准为最大的可转换信号大小。而输出的数字量则表示输入信号相对于参考信号的大小。
在本申请实施例中，请一并参阅图6，所述模数转换器2413包括比较电路244、数字化电路245和一用于产生参考信号的参考信号生成器246，所述参考信号可为斜波信号或是直流参考信号。
具体地，所述比较电路244包括比较器，所述比较器的正端子接收所述第一运算放大器输出的所述实际图像信号A(R-S)，所述比较器的负段端子接收来自所述参考信号生成器246输出的参考信号，所述比较器将所述实际图像信号A(R-S)与所述参考信号进行比较，输出比较结果，所述数字化电路245将该比较结果进行数字化，输出数字信号D(R-S)。
在本申请实施例中，所述第二相关双采样电路2412用于消除所述模数转换器2413的干扰，以通过所述第二相关双采样电路2412消除所述模数转换器2413自身的噪声。
具体地，所述第二相关双采样电路2412包括第二运算放大电路。所述第二运算放大电路可以为第二运算放大器，所述第二运算放大器的两个输入端分别接收所述模数转换器2413输出的数字信号D(R-S)和所述模数转换器2413的数字复位信号DR，进而将所述数字信号D(R-S)和所述数字复位信号DR做差，得到再次降噪的所述实际图像信号。
在本申请其中一种可能实现方式中，所述相关双采样单元2410仅包括一相关双采样电路，在所述像素阵列21输出电信号至所述模数转换器2413后，由所述模数转换器2413直接对该输出的电信号进行转换成数字信号，及不在模数转换器2413进行模数转换之前进行通过相关双采样电路进行降噪，而在模数转换器2413进行模数转换之后连接相关双采样电路，由该相关双采样电路对数字信号降噪，同时去除像素阵列以及模数转换器2413中的噪声。
本技术领域的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本申请，而并非用作为对本申请的限定，只要在本申请的实质精神范围之内，对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本申请要求保护的范围之内。

Claims (9)

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括像素阵列、相关双采样单元以及模数转换器；
所述像素阵列具有以行和列排列的多个像素，所述像素用于将光信号转换为电信号，其中所述电信号为模拟信号；
所述模拟转换器将所述多个像素输出的电信号转换为数字信号；
所述相关双采样单元用于将所述数字信号和/或所述电信号转换成对应的相关双采样信号，以降低所述图像传感器的噪声，其中，当所述相关双采样单元转换所述数字信号时，所述相关双采样信号为数字信号，当所述相关双采样单元转换电信号时，所述相关双采样信号为模拟信号。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述相关双采样单元包括第一相关双采样电路；
所述第一相关双采样电路的一端电连接于所述像素阵列，用于将所述电信号转换成第一相关双采样信号；
所述第一相关双采样电路的另一端电连接于所述模数转换器，用于将所述第一相关双采样信号传输给所述模数转换器，以使得所述模数转换器将所述第一相关双采样信号转换为数字信号。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述相关双采样单元还包括第二相关双采样电路；
所述第二相关双采样电路电连接所述模数转换器，用于将所述模数转换器输出的所述数字信号转换成第二相关双采样信号。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括定时控制电路和行驱动器；
所述定时控制电路用于输出定时控制信号；
所述行驱动器用于根据所述定时控制信号选择所述像素阵列中要输出信号的像素。
5.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述像素包括光敏二极管、传输晶体管、驱动晶体管、行选晶体管及复位晶体管；
所述复位晶体管的第一端电连接电源端，所述复位晶体管的第二端用于接收一复位控制信号，所述复位晶体管的第三端电连接一浮置扩散节点；
所述传输晶体管的第一端电连接所述浮置扩散节点，所述传输晶体管的第二端用于接收一传输控制信号，所述传输晶体管的第三端电连接所述光敏二极管的一端；
所述光敏二极管的另一端接地；
所述驱动晶体管的第一端电连接所述电源端，所述驱动晶体管的第二端用于接收一复位信号采样信号，所述驱动晶体管的第三端电连接所述行选晶体管的第一端；
所述行选晶体管的第二端用于接收光电子信号采样信号，所述行选晶体管的第三端电连接输出端。
6.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述第一相关双采样电路包括采样电路和第一运算放大电路；
所述采样电路包括第一采样电容器和第二采样电容器；
所述第一采样电容器用于采样所述像素阵列根据施加的复位采样信号所输出的复位信号；
所述第二采样电容器用于采样所述像素阵列根据光电转换输出的图像信号；
所述第一运算放大电路用于将所述复位信号和所述图像信号作差，输出所述第一相关双采样信号。
7.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二相关双采样电路包括第二运算放大电路；
所述第二运算放大电路的第一输入端接收所述模数转换器进行数字转换后输出的数字信号，所述第二运算放大电路的第二输入端接收所述模数转换器进行复位后输出的数字复位信号，所述第二运算放大电路将所述数字信号和所述数字复位信号作差。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括图像处理器以及如权利要求1-7任意一项所述的图像传感器；
所述图像处理器处理所述图像传感器输出的信号。
9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括光学系统；
所述光学系统用于将外部光线聚焦于所述像素阵列上。
CN202011093687.XA 2020-10-14 2020-10-14 图像传感器及电子设备 Pending CN114374805A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011093687.XA CN114374805A (zh) 2020-10-14 2020-10-14 图像传感器及电子设备
TW109137733A TWI766411B (zh) 2020-10-14 2020-10-29 圖像感測器及電子設備
JP2020189764A JP7164579B2 (ja) 2020-10-14 2020-11-13 画像センサー及び電子デバイス
US17/389,567 US11523073B2 (en) 2020-10-14 2021-07-30 Image sensor with noise cancellation feature and electronic device with same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011093687.XA CN114374805A (zh) 2020-10-14 2020-10-14 图像传感器及电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114374805A true CN114374805A (zh) 2022-04-19

Family

ID=81078420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011093687.XA Pending CN114374805A (zh) 2020-10-14 2020-10-14 图像传感器及电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11523073B2 (zh)
JP (1) JP7164579B2 (zh)
CN (1) CN114374805A (zh)
TW (1) TWI766411B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140117204A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Man Lyun HA Image Sensor
CN104205810A (zh) * 2012-03-19 2014-12-10 索尼公司 固态成像器件和电子设备
US20150229859A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Rambus Inc. Feedthrough-compensated image sensor
US20170223291A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-03 Sony Corporation Image sensor and electronic device with active reset circuit, and method of operating the same
US20180376090A1 (en) * 2017-06-26 2018-12-27 Facebook, Inc. Digital pixel image sensor

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2619564B1 (en) * 2010-09-24 2016-03-16 Life Technologies Corporation Matched pair transistor circuits
US9653509B2 (en) * 2012-02-27 2017-05-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Image sensor and electronic device
KR102075093B1 (ko) 2013-08-14 2020-03-03 삼성전자주식회사 이미지 센서, 아날로그-디지털 컨버터 및 아날로그-디지털 변환 방법
JP2015056806A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 株式会社東芝 固体撮像装置
CN113382188A (zh) 2016-04-15 2021-09-10 索尼公司 光检测装置
JP7280681B2 (ja) * 2017-11-30 2023-05-24 ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器
KR102436350B1 (ko) * 2018-01-23 2022-08-24 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP2019140635A (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
JP7455525B2 (ja) * 2018-07-17 2024-03-26 ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
TW202015396A (zh) * 2018-08-30 2020-04-16 日商索尼半導體解決方案公司 固態攝像裝置
KR20200105187A (ko) * 2019-02-28 2020-09-07 에스케이하이닉스 주식회사 저 밴딩 노이즈를 위한 비교 장치 및 그에 따른 씨모스 이미지 센서
JP7344045B2 (ja) * 2019-08-16 2023-09-13 日本放送協会 撮像素子
JP7204694B2 (ja) * 2020-02-26 2023-01-16 キヤノン株式会社 比較器、ａｄ変換器、光電変換装置及び撮像システム
US11563434B2 (en) * 2020-09-11 2023-01-24 Raytheon Company Digital driver using an analog operational amplifier

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104205810A (zh) * 2012-03-19 2014-12-10 索尼公司 固态成像器件和电子设备
US20140117204A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Man Lyun HA Image Sensor
US20150229859A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Rambus Inc. Feedthrough-compensated image sensor
US20170223291A1 (en) * 2016-02-03 2017-08-03 Sony Corporation Image sensor and electronic device with active reset circuit, and method of operating the same
US20180376090A1 (en) * 2017-06-26 2018-12-27 Facebook, Inc. Digital pixel image sensor

Also Published As

Publication number Publication date
TWI766411B (zh) 2022-06-01
US11523073B2 (en) 2022-12-06
TW202215676A (zh) 2022-04-16
JP2022064801A (ja) 2022-04-26
JP7164579B2 (ja) 2022-11-01
US20220116558A1 (en) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10531027B2 (en) Backside illuminated global shutter pixel with active reset
US8184190B2 (en) Simultaneous global shutter and correlated double sampling read out in multiple photosensor pixels
US7282685B2 (en) Multi-point correlated sampling for image sensors
JP5247007B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
US9191596B2 (en) Solid-state imaging device, control method and electronic apparatus to obtain frame difference output values
WO2019036237A1 (en) DETECTION CIRCUIT FOR PHOTO-SENSOR WITH STACKED SUBSTRATES
US20140063300A1 (en) High dynamic range imaging systems having clear filter pixel arrays
US20190313046A1 (en) Method for shift register digital in pixel unit cell
US10051216B2 (en) Imaging apparatus and imaging method thereof using correlated double sampling
JP2022505571A (ja) 超高ダイナミックレンジｃｍｏｓセンサ
JP5627728B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
CN114374805A (zh) 图像传感器及电子设备
CN113301262B (zh) 像素处理电路、方法、装置及电子设备
CN112887571B (zh) 图像传感器、摄像模组和电子设备
WO2021138838A1 (zh) 一种图像读取电路、图像传感器以及终端设备
JP2020123762A (ja) 撮像素子および撮像装置
Wu et al. A Single-Slope PWM Imaging Method for Multi-Mode Dynamic Vision Sensor
CN111953914B (zh) Cmos图像传感器、像素单元及其控制方法
US11863893B2 (en) Image sensor including auto-focus pixels that receive the same transmission control signal
CN117956307A (zh) 图像传感器、图像传感方法、电子设备
KR100771117B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제어 방법
KR100741734B1 (ko) Ｃｍｏｓ형 이미지 센서의 리셋 전압 클램프 회로

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination