WO2013137554A1 - 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2013137554A1
WO2013137554A1 PCT/KR2013/000207 KR2013000207W WO2013137554A1 WO 2013137554 A1 WO2013137554 A1 WO 2013137554A1 KR 2013000207 W KR2013000207 W KR 2013000207W WO 2013137554 A1 WO2013137554 A1 WO 2013137554A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
contact
region
transparent conductive
groove
Prior art date
Application number
PCT/KR2013/000207
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김태근
김수진
Original Assignee
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고려대학교 산학협력단 filed Critical 고려대학교 산학협력단
Priority to US14/384,520 priority Critical patent/US9178110B2/en
Publication of WO2013137554A1 publication Critical patent/WO2013137554A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting device capable of preventing an increase in forward voltage while improving light output characteristics and a manufacturing method thereof.
  • the light emitting device converts electrical energy into light energy and emits light to the outside.
  • An example of such a light emitting device is a light emitting diode (LED).
  • GaN gallium nitride-based (GaN) light-emitting diodes
  • MOCVD metal-organic chemical vapor deposition
  • GaN gallium nitride
  • gallium nitride-based light emitting diodes have been applied to displays, backlight units, indoor and outdoor lighting, and the like.
  • gallium nitride-based light emitting diodes are applied as a light source for illumination, interest in high output light emitting diodes is increasing.
  • Conventional horizontal structured light emitting diodes are formed on an insulating substrate such as sapphire and thus have low thermal conductivity.
  • the electrodes are formed in a horizontal direction, so that a portion of the active layer needs to be removed to form ohmic contact with the electrodes, thereby reducing the light emitting area and forward direction due to current crowding. There is a problem that the voltage increases.
  • a vertical structure light emitting diode is in the spotlight.
  • the vertical structure light emitting diode is a structure in which two electrodes and electrode pads are positioned above and below the light emitting diode by removing the sapphire substrate by using a laser lift-off (LLF) process.
  • LLF laser lift-off
  • a structure for forming a current blocking layer as an insulating region by depositing an insulating material or implanting ions into a p-type semiconductor layer portion of a vertical light emitting diode has been developed.
  • the current blocking layer induces a current flow in a vertical direction in the lower portion of the n-type electrode to induce a current flow in a horizontal direction, which is an effective light emitting region, thereby increasing light emission intensity in the effective light emitting region, thereby improving light emission efficiency and luminance.
  • the current blocking layer has an insulating property, there is a problem of increasing the forward voltage by reducing the ohmic contact area in the p-type semiconductor layer.
  • An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of preventing an increase in forward voltage while improving light output characteristics and a method of manufacturing the same.
  • a light emitting device for achieving the above object is a first conductivity type semiconductor layer; An active layer in contact with the first conductivity type semiconductor layer; A second conductivity type semiconductor layer in contact with the active layer and having a patterned groove formed on a surface opposite to the surface in contact with the active layer; A current blocking layer formed on the bottom of the groove; A transparent conductive layer formed along an opposite side of a surface of the second conductive semiconductor layer that contacts the active layer, a sidewall of the groove, and the current blocking layer; A reflective layer formed on an opposite surface of the transparent conductive layer in contact with the second conductive semiconductor layer; A support substrate formed on an opposite surface of the reflective layer in contact with the transparent conductive layer; And an electrode patterned on a surface opposite to a surface of the first conductive semiconductor layer that contacts the active layer.
  • the transparent conductive layer may have a form in which a horizontal portion and a vertical portion are alternately connected.
  • the reflective layer may include a flat portion contacting the horizontal portion and a protrusion protruding from the flat portion to fill a space formed by the horizontal portion and the vertical portion.
  • the transparent conductive layer may include a first region in contact with a surface opposite to a surface of the second conductive semiconductor layer that contacts the active layer; A second region in contact with the sidewall of the groove and connected to the first region; And a third region in contact with the current blocking layer and parallel to the first region and connected to the second region.
  • the transparent conductive layer may include a first region in contact with a surface opposite to a surface of the second conductive semiconductor layer that contacts the active layer; A second region in contact with the sidewall of the groove and connected to the first region; A third region in contact with the current blocking layer and parallel to the first region and connected to the second region; And a fourth region extending from the second region toward the second conductive semiconductor in a direction perpendicular to the first region and in contact with both sides of the current blocking layer.
  • the current blocking layer may have a square cross-sectional shape.
  • the light emitting device may further include an adhesive layer interposed between the reflective layer and the support substrate.
  • the current blocking layer and the electrode may have the same pattern.
  • the current blocking layer may be formed of an insulating material, or may be formed by plasma treatment of a bottom of the groove using a plasma treatment material.
  • the transparent conductive layer may be formed of a transparent conductive oxide formed by using indium (In), tin (Sn), or zinc (Zn) metal as a matrix.
  • the first conductivity type may be n-type, and the second conductivity type may be p-type.
  • the current blocking layer is a photoresist pattern on the opposite side of the second conductive semiconductor layer in contact with the active layer, depositing an insulating material on the bottom of the groove or the groove
  • the bottom of the substrate may be formed by plasma treatment using a plasma treatment material.
  • the current blocking layer is a photoresist pattern on the side of the groove and the opposite surface of the second conductive semiconductor layer in contact with the active layer, and the insulating material on the bottom of the groove
  • the bottom of the groove may be formed by plasma treatment using a plasma treatment material.
  • the reflective layer may be formed by depositing a reflective material to fill a space formed in the transparent conductive layer.
  • the electrode may be patterned to have the same pattern as the groove.
  • a light emitting device and a method of manufacturing the same include a current blocking layer and a transparent conductive layer having a form in which a horizontal portion and a vertical portion are alternately connected, whereby the semiconductor layer and the transparent conductive layer are formed when the current blocking layer is formed. It can increase the ohmic contact area of the layer and increase the current flow path.
  • the light emitting device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention can prevent the forward voltage from being increased by using the transparent conductive layer while improving the light output characteristics by using the current blocking layer.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating a specific configuration of the transparent conductive layer illustrated in FIG. 1A.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a specific configuration of the transparent conductive layer illustrated in FIG. 2A.
  • FIG. 3 is a flowchart for describing a method of manufacturing the light emitting device of FIG. 1.
  • 4A to 4G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting device of FIG. 3.
  • FIG. 5 and 6 are cross-sectional views illustrating a current blocking layer forming step of a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a transparent conductive layer forming step in a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a cross-sectional view showing a specific configuration of the transparent conductive layer shown in FIG. 1A.
  • a light emitting device 100 may include a first conductive semiconductor layer 110, an active layer 120, a second conductive semiconductor layer 130, and a current cutoff. Layer 140, transparent conductive layer 150, reflective layer 160, support substrate 170, and electrode 180.
  • the light emitting device 100 may implement a vertical structure light emitting diode.
  • the first conductivity-type semiconductor layer 110 may be implemented as, for example, an n-type semiconductor layer.
  • the n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1), for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN, etc. may be selected, and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, and the like may be doped.
  • the active layer 120 is in contact with the first conductivity type semiconductor layer 110.
  • the active layer 120 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1). It may be formed of any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW: Multi Quantum Well), a quantum dot structure or a quantum line structure.
  • the active layer 120 may generate light by energy generated during recombination of electrons and holes of the first conductive semiconductor layer 110 and the second conductive semiconductor layer 130.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 130 is in contact with the active layer 120, for example, may be implemented as a p-type semiconductor layer.
  • the p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1), for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN and the like may be selected, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped.
  • a patterned groove 131 is formed on a surface of the second conductive semiconductor layer 130 that contacts the active layer 120.
  • the groove 131 provides a space for allowing a portion of the current blocking layer 140 and the transparent conductive layer 150 to be filled in the second conductive semiconductor layer 130.
  • sidewalls of the grooves 131 contact both sides of the current blocking layer 140.
  • the first conductive semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 as described above form a light emitting structure for generating and emitting light.
  • the current blocking layer 140 is formed at the bottom of the groove 131.
  • the current blocking layer 140 may have a square cross-sectional shape.
  • the current blocking layer 140 may include an insulating material, for example, at least one of Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , ZnO, SiO 2 , Al 2 O 3, and Si 3 N 4 .
  • the current blocking layer 140 is a plasma treatment material, for example, CH 4 , CH 4 / H 2 , SF 6 , SF 6 / Ar, Ar, SF 6 / O 2 , CHF 3 , CF 4 and CF 4
  • the bottom of the groove 131 may be formed by plasma treatment using at least one of O / O 2 .
  • the current blocking layer 140 induces a current injection in a horizontal direction, which is a direction of the effective light emitting area EA, to the current flowing in the vertical direction in the lower portion of the electrode 180.
  • the transparent conductive layer 150 is formed along the side opposite to the surface of the second conductive semiconductor layer 130 contacting the active layer 120, the sidewall of the groove 131, and the current blocking layer 140.
  • the transparent conductive layer 150 has a form in which the horizontal portion HP and the vertical portion VP are alternately connected.
  • the transparent conductive layer 150 has a first region 151 and a groove 131 in contact with an opposite surface of the second conductive semiconductor layer 130, which is in contact with the active layer 120.
  • the second region 152 in contact with the side wall of the () and connected to the first region 151, the third region in contact with the current blocking layer 140 and parallel to the first region 151 and connected to the second region 152.
  • the transparent conductive layer 150 forms a current flow path CP through the third region 153 as well as a current flow path CP through the first region 151 in the effective emission region EA.
  • the transparent conductive layer 150 may be formed of a transparent conducting oxide (TCO) formed of indium (In), tin (Sn), or zinc (Zn) metal as a matrix.
  • TCO transparent conducting oxide
  • the reflective layer 160 is formed on a surface opposite to the surface of the transparent conductive layer 150 that contacts the second conductive semiconductor layer 130. Specifically, the reflective layer 160 is formed by a flat portion 161 contacting the horizontal portion HP of the transparent conductive layer 150, and a horizontal portion HP and a vertical portion VP of the transparent conductive layer 150. It includes a protrusion 162 protruding from the flat portion 161 to fill the space formed.
  • the reflective layer 160 is a reflective material, for example, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru to emit light from the active layer 120 to the outside of the first conductivity-type semiconductor layer 110 , Mg, Zn, Pt, Au, and the like may be included.
  • the support substrate 170 is formed on an opposite surface of the reflective layer 160 to be in contact with the transparent conductive layer 150.
  • the support substrate 170 supports the light emitting structure and applies a voltage to the light emitting structure together with the electrode 180.
  • the support substrate 180 may be formed of a conductive material such as Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W, and a carrier wafer (eg, Si, Ge GaAs) such that current flows through the second conductive semiconductor layer 130. , ZnO, Sic, etc.).
  • an adhesive layer including at least one of a barrier metal and a bonding metal may be interposed between the reflective layer 160 and the support substrate 170.
  • the adhesive layer may be formed when the support substrate 170 is attached to the reflective layer 160 by bonding, and may be omitted when the support substrate 170 is attached to the reflective layer 160 by plating or deposition.
  • the adhesive layer may include, for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, or Ta.
  • the electrode 180 is patterned on an opposite side of the surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 that contacts the active layer 120.
  • the electrode 180 may be formed in the same pattern as the current blocking layer 140.
  • the electrode 180 may be formed of a single layer or a plurality of layers of a conductive material for supplying current to the first conductive layer semiconducting layer 110, for example, a material selected from the group consisting of Ti, Cr, Al, Cu, and Au. Can be formed.
  • the light emitting device 100 has a transparent conductive layer 150 having a form in which the horizontal portion HP and the vertical portion VP are alternately connected, thereby providing a second conductivity type.
  • the ohmic contact region of the semiconductor layer 130 and the transparent conductive layer 150 may be increased, and may be formed through the first region 151 and the third region 153, which are at least two or more regions in the effective emission region EA.
  • a current flow path CP can be formed.
  • the light emitting device 100 has a transparent conductive layer consisting of only a horizontal portion in the past, and compared to the light emitting device which forms a current flow path through one area in each of the effective light emitting areas,
  • the ohmic contact area between the second conductive semiconductor layer 130 and the transparent conductive layer 150 may be further increased to reduce contact resistance and to further increase the current flow path.
  • the forward voltage Vf is increased by using the transparent conductive layer 150 while improving the light output characteristic by using the current blocking layer 140. Can be prevented.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view of a light emitting device according to another exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 2B is a cross-sectional view showing a specific configuration of the transparent conductive layer shown in FIG. 2A.
  • the light emitting device 200 has a second conductivity-type semiconductor layer 230, a current blocking layer 240, and transparent conduction compared to another light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention. Only the configuration of the layer 250 is different but has the same configuration. Accordingly, in the light emitting device 200 according to another embodiment of the present invention, only the second conductive semiconductor layer 230, the current blocking layer 240, and the transparent conductive layer 250 will be described.
  • a light emitting device 200 may include a first conductive semiconductor layer 110, an active layer 120, a second conductive semiconductor layer 230, and a current cutoff.
  • the second conductivity type semiconductor layer 230 is similar to the second conductivity type semiconductor layer 130 of FIG. 1A. However, the second conductive semiconductor layer 230 has a groove 231 having a different size from the groove 131 of the second conductive semiconductor layer 130. That is, the groove 231 has a size such that sidewalls can be spaced apart from both sides of the current blocking layer 240.
  • the current blocking layer 240 is similar to the current blocking layer 140 of FIG. 1A. However, both sides of the current blocking layer 240 are formed to be spaced apart from the sidewall of the groove 231 of the second conductivity-type semiconductor layer 230.
  • the transparent conductive layer 250 is similar to the transparent conductive layer 150 of FIG. 1A. However, the transparent conductive layer 250 is specifically, as shown in FIG. 2B, the first region 151 and the groove in contact with the opposite surface of the second conductive semiconductor layer 230, which is in contact with the active layer 120. A second region 152 contacting the sidewalls of 231 and connected to the first region 151, and a second region 152 contacting the current blocking layer 240 and parallel to the first region 151 and connected to the second region 152. A third region 153 and an agent extending from the second region 152 to the second conductivity-type semiconductor layer 230 in a direction perpendicular to the first region 151 and in contact with both sides of the current blocking layer 240. Four regions 254 are included. The transparent conductive layer 250 has a current flow path through the fourth region 254 as well as a current flow path CP through the first region 151 and the third region 153 in the effective emission region EA. By forming (CP), the current flow path can be further increased.
  • the light emitting device 200 has a transparent conductive layer 250 having a form in which the horizontal portion HP and the vertical portion VP are alternately connected, thereby providing a second conductivity type.
  • the ohmic contact area between the semiconductor layer 130 and the transparent conductive layer 250 may be increased, and the first region 151, the third region 153, and the first region 151, which are at least two or more regions, respectively, in the effective emission region EA.
  • the current flow path CP may be formed through the four regions 254.
  • the light emitting device 200 has a transparent conductive layer consisting of only a horizontal portion in the past, compared to the light emitting device that forms a current flow path through one region in each of the effective light emitting regions,
  • the ohmic contact area between the second conductive semiconductor layer 230 and the transparent conductive layer 250 may be further increased to reduce contact resistance and to further increase the current flow path.
  • the forward voltage (Vf) is increased by using the transparent conductive layer 250 while improving the light output characteristics by using the current blocking layer 240. Can be prevented.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the light emitting device of FIG. 1, and FIGS. 4A to 4G are cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the light emitting device of FIG. 3.
  • the method of manufacturing the light emitting device 100 may include preparing a substrate (S10), forming a current blocking layer (S20), forming a transparent conductive layer (S30), and forming a reflective layer. Step S40 and forming a support substrate and removing a substrate S50.
  • the first conductive semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 may include physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), It is sequentially deposited on the substrate 10 by a deposition method such as plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or the like. do. Since the first conductive semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductive semiconductor layer 130 have been described in detail above, redundant descriptions thereof will be omitted.
  • PVD physical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • PLD plasma laser deposition
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the substrate 10 may be selected from a group consisting of sapphire substrate (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , a conductive substrate and GaAs.
  • an undoped semiconductor layer 20 for example, an undoped GaN layer may be formed between the substrate 10 and the first conductivity-type semiconductor layer 110.
  • the undoped semiconductor layer 20 improves thin film characteristics by reducing a difference in lattice constant from the substrate 10.
  • the patterned groove 131 is formed on the exposed surface of the second conductivity-type semiconductor layer 130, and the current is blocked at the bottom of the groove 131.
  • Forming layer 140 is a step.
  • the groove 131 is an exposed surface of the second conductivity-type semiconductor layer 130 using an etching method, for example, an inductive coupled plasma (ICP) etching method. Can be formed by selectively etching.
  • the current blocking layer 140 may be formed by depositing an insulating material on the bottom of the groove 131 using the photoresist pattern 30 as a mask.
  • the photoresist pattern 30 is disposed on an opposite side of the surface of the second conductivity type semiconductor layer 130 that contacts the active layer 120.
  • the insulating material may be at least one of Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , ZnO, SiO 2 , Al 2 O 3, and Si 3 N 4 .
  • the current blocking layer 140 is a plasma treatment material, for example CH 4 , CH 4 / H 2 , SF 6 , SF 6 / Ar, Ar, SF 6 / O 2 , CHF 3 , CF 4 and CF 4 O /
  • the bottom of the groove 131 may be formed by plasma treatment using at least one of O 2 .
  • the transparent conductive layer forming step S30 may include an opposite side of a surface of the second conductive semiconductor layer 130 contacting the active layer 120, a sidewall of the groove 131, and a current blocking layer 140. Accordingly, the transparent conductive layer 150 is formed.
  • the transparent conductive layer 150 is formed of a transparent conductive oxide formed of indium (In), tin (Sn), or zinc (Zn) metal as a matrix by a deposition method after the photoresist pattern 30 is removed.
  • transparent conducting oxide (TCO) transparent conducting oxide
  • the transparent conductive layer 150 may have a shape in which the horizontal portion HP and the vertical portion VP are alternately connected.
  • the reflective layer forming step S40 is a step of forming the reflective layer 150 on a surface opposite to the surface of the transparent conductive layer 150 that contacts the second conductive semiconductor layer 130.
  • the reflective layer 150 is formed by depositing a reflective material to fill a space formed in the transparent conductive layer 150 by a deposition method.
  • the supporting substrate 170 is formed on the opposite side of the reflective layer 160, which is in contact with the transparent conductive layer 150, and the substrate 10 is removed. It's a step.
  • the support substrate 170 is formed on the reflective layer 160 by plating or deposition, or is bonded to the bonding method through an adhesive layer (not shown) interposed between the transparent conductive layer 150 and the support substrate 170.
  • an adhesive layer not shown
  • the substrate 10 may be removed by a laser lift-off (LLO) method.
  • LLO laser lift-off
  • the undoped semiconductor layer 20 is exposed, and the undoped semiconductor layer 20 is removed by an etching method.
  • the electrode forming step (S60) is a step of forming a patterned electrode 180 on a surface opposite to a surface of the first conductive semiconductor layer 110 that contacts the active layer 120.
  • the electrode 180 is formed by patterning a conductive material to have the same pattern as the current blocking layer 140 by a photography process or the like.
  • the manufacturing method of the light emitting device 200 according to another embodiment of the present invention differs only from the current blocking layer forming step and the transparent conductive layer forming step as compared with the manufacturing method of the light emitting device 100 according to another embodiment of the present invention. same. Accordingly, only the current blocking layer forming step and the transparent conductive layer forming step will be described in the method of manufacturing the light emitting device 200 according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 and 6 are cross-sectional views illustrating a current blocking layer forming step in a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 7 is a transparent view of the manufacturing method of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. It is sectional drawing for demonstrating the conductive layer formation step.
  • the patterned groove 231 is formed on the exposed surface of the second conductive semiconductor layer 230, and the current blocking layer 240 is formed on the bottom of the groove 231.
  • the groove 231 selectively exposes the exposed surface of the second conductivity-type semiconductor layer 230 by using an etching method, for example, an inductive coupled plasma (ICP) etching method. It may be formed by etching.
  • the current blocking layer 240 may be formed by depositing an insulating material on the bottom of the groove 131 using the photoresist pattern 40 as a mask. The photoresist pattern 40 is disposed on both sidewalls of the groove 231 as well as on the opposite side of the surface of the second conductive semiconductor layer 230 that contacts the active layer 120.
  • the insulating material may be at least one of Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , ZnO, SiO 2 , Al 2 O 3, and Si 3 N 4 .
  • the current blocking layer 240 may include at least one of CH 4 , CH 4 / H 2 , SF 6 , SF 6 / Ar, Ar, SF 6 / O 2 , CHF 3 , CF 4, and CF 4 O / O 2 .
  • the bottom of the groove 231 may be formed by plasma treatment.
  • the forming of the transparent conductive layer is transparent along the side opposite to the surface of the second conductive semiconductor layer 230 contacting the active layer 120, the sidewall of the groove 231, and the current blocking layer 240. Forming the conductive layer 250 is performed.
  • the transparent conductive layer 250 is formed of a transparent conductive oxide formed of indium (In), tin (Sn), or zinc (Zn) metal as a matrix by the deposition method after the photoresist pattern 40 is removed ( transparent conducting oxide (TCO).
  • TCO transparent conducting oxide
  • the transparent conductive layer 250 may have a shape in which the horizontal portion HP and the vertical portion VP are alternately connected.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 광 출력 특성을 향상시키면서 순방향 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로, 제 1 도전형 반도체층; 상기 제 1 도전형 반도체층에 접하는 활성층; 상기 활성층에 접하며, 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 홈이 형성된 제 2 도전형 반도체층; 상기 홈의 바닥에 형성된 전류 차단층; 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽과 상기 전류 차단층을 따라 형성된 투명 전도층; 상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 반사층; 상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 지지 기판; 및 상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 개시된다.

Description

발광 소자 및 그 제조 방법
본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 광 출력 특성을 향상시키면서 순방향 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 소자는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하여 빛을 외부로 방출하는 소자이다. 이러한 발광 소자의 예로 발광 다이오드(light emitting diode; LED)가 있다.
최근, 질화갈륨계(GaN) 발광 다이오드(light-emitting diodes; LEDs)는 질화갈륨(GaN)의 금속유기화학기상 증착법(metal-organic chemical vapor deposion; MOCVD) 및 분자선 성장법(molecular-beam epitaxial growth; MBE) 등의 성장법 및 새로운 공정 기술의 발달을 바탕으로 고휘도 및 백색광 구현이 가능한 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 발광 다이오드로 구현되고 있다.
이와 같은 질화갈륨계 발광 다이오드는 디스플레이, 백라이트 유닛, 실ㆍ내외 조명 등으로 응용되고 있다. 특히, 질화갈륨계 발광 다이오드가 조명용 광원으로 응용되면서, 고출력 발광 다이오드에 대한 관심이 높아지고 있다.
종래의 수평 구조 발광 다이오드는 사파이어와 같은 절연성 기판에 형성되므로 낮은 열 전도도를 가진다. 그리고, 종래의 수평 구조 발광 다이오드에서는 전극이 수평 방향으로 형성되어, 전극과의 오믹 접촉 형성을 위해 활성층의 일부 영역이 제거됨이 요구됨에 따라 발광 면적이 감소하고 전류 밀집(current crowding) 현상 등에 의한 순방향 전압이 증가하는 문제가 있다.
위와 같은 문제를 해결하기 위해 수직 구조 발광 다이오드가 각광받고 있다.
수직 구조 발광 다이오드는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLF) 공정을 이용하여 사파이어 기판을 제거하여 두 전극 및 전극 패드가 발광 다이오드의 상ㆍ하부에 위치하는 구조로, 전류의 흐름이 한쪽 방향으로 향하게 되어 발광 효율 및 휘도를 향상시킬 수 있다.
그런데, 수직 구조 발광 다이오드에서 전류가 n형 반도체층 상에 형성되는 n형 전극 아래의 중심 부분에 집중하게 되면, 활성층에서 전자와 정공의 재결합에 의해 생성되는 광(photon)이 n형 전극 아래의 중심 부분에 집중되어 n형 전극에 상대적으로 많이 흡수된다. 이 경우, n형 전극 이외의 영역인 유효 발광 영역(effective light emission region)이 감소해 수직 구조 발광 다이오드의 전체 적인 발광 효율이 낮아져 휘도가 저하되는 문제가 있다.
위와 같은 문제를 해결하기 위해 수직 구조 발광 다이오드의 p형 반도체층 부분에 절연 물질을 증착하거나 또는 이온을 주입하여 절연 영역인 전류 차단층을 형성하는 구조가 개발되었다.
이러한 전류 차단층은 n형 전극 아래 부분에 수직 방향으로 집중되는 전류의 흐름을 유효 발광 영역 방향인 수평 방향으로 전류 흐름을 유도함으로써 유효 발광 영역에서의 발광 강도를 증가시켜 발광 효율 및 휘도를 향상시킨다. 그런데, 전류 차단층은 절연 특성을 가지기 때문에 p형 반도체층에서 오믹 접촉 면적을 감소시켜 순방향 전압을 증가시키는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 광 출력 특성을 향상시키면서 순방향 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 제 1 도전형 반도체층; 상기 제 1 도전형 반도체층에 접하는 활성층; 상기 활성층에 접하며, 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 홈이 형성된 제 2 도전형 반도체층; 상기 홈의 바닥에 형성된 전류 차단층; 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽과 상기 전류 차단층을 따라 형성된 투명 전도층; 상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 반사층; 상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 지지 기판; 및 상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 투명 전도층은 수평부와 수직부가 교대로 연결된 형태를 가질 수 있다.
상기 반사층은 상기 수평부에 접하는 평평부와, 상기 수평부와 수직부에 의해 형성하는 공간을 채우도록 상기 평평부로부터 돌출되는 돌출부를 포함할 수 있다.
상기 투명 전도층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대면에 접하는 제 1 영역; 상기 홈의 측벽에 접하며, 상기 제 1 영역과 연결되는 제 2 영역; 및 상기 전류 차단층과 접하며, 상기 제 1 영역과 평행하고 상기 제 2 영역과 연결되는 제 3 영역을 포함할 수 있다.
상기 투명 전도층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대면에 접하는 제 1 영역; 상기 홈의 측벽에 접하며, 상기 제 1 영역과 연결되는 제 2 영역; 상기 전류 차단층과 접하며, 상기 제 1 영역과 평행하고 상기 제 2 영역과 연결되는 제 3 영역; 및 상기 제 1 영역에 수직인 방향으로 상기 제 2 영역에서 상기 제 2 도전형 반도체 방향으로 연장되며 상기 전류 차단층의 양 측면과 접하는 제 4 영역을 포함할 수 있다.
상기 전류 차단층은 사각 단면 형상을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 상기 반사층과 상기 지지 기판 사이에 개재되는 접착층을 더 포함할 수 있다.
상기 전류 차단층과 상기 전극은 동일한 패턴을 가질 수 있다.
상기 전류 차단층은 절연성 물질로 형성되거나, 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성될 수 있다.
상기 투명 전도층은 투명전도성 박막층인 인듐(In), 주석(Sn), 또는 아연(Zn) 금속을 모체로 하여 형성되는 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있다.
상기 제 1 도전형은 n형이고, 상기 제 2 도전형은 p형일 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법은 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 형성된 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 제 2 반도체층의 노출된 면에 패터닝된 홈을 형성하고 상기 홈의 바닥에 전류 차단층을 형성하는 전류 차단층 형성 단계; 및 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 내벽과 상기 전류 차단층을 따라 투명 전도층을 형성하는 투명 전도층 형성 단계; 상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 반사층을 형성되는 반사층 형성 단계; 상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 지지 기판을 형성하고 상기 기판을 제거하는 지지 기판 형성 및 기판 제거 단계; 및 상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전류 차단층 형성 단계에서, 상기 전류 차단층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 포토 레지스트 패턴을 배치시고, 상기 홈의 바닥에 절연 물질을 증착시키거나 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성될 수 있다.
상기 전류 차단층 형성 단계에서, 상기 전류 차단층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽에 포토 레지스트 패턴을 배치시키고, 상기 홈의 바닥에 절연 물질을 증착시키거나 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성될 수 있다.
상기 반사층 형성 단계에서, 상기 반사층은 반사 물질을 상기 투명 전도층에 형성되는 공간을 채우도록 증착시켜 형성될 수 있다.
상기 전극 형성 단계에서, 상기 전극은 상기 홈과 동일한 패턴을 가지도록 패터닝되어 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법은 전류 차단층과, 수평부와 수직부가 교대로 연결되는 형태를 가지는 투명 전도층을 구비함으로써, 전류 차단층이 형성된 경우에서 반도체층과 투명 전도층의 오믹 접촉 면적을 증가시키고 전류 흐름 패스를 증가시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조 방법은 전류 차단층을 이용하여 광 출력 특성을 향상시키면서 투명 전도층을 이용하여 순방향 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 투명 전도층의 구체적인 구성을 보여주는 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 투명 전도층의 구체적인 구성을 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4a 내지 도 4g는 도 3의 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법 중 전류 차단층 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법 중 투명 전도층 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 통해 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이고, 도 1b는 도 1a에 도시된 투명 전도층의 구체적인 구성을 보여주는 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(100)는 제 1 도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제 2 도전형 반도체층(130), 전류 차단층(140), 투명 전도층(150), 반사층(160), 지지 기판(170) 및 전극(180)을 포함한다. 이러한 발광 소자(100)는 수직 구조 발광 다이오드를 구현할 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층(110)은 예를 들어 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(120)은 제 1 도전형 반도체층(110)에 접한다. 상기 활성층(120)은 예를 들어 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 물질을 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이러한 활성층(120)은 제 1 도전형 반도체층(110) 및 제 2 도전형 반도체층(130)의 전자 및 정공의 재결합(recombination) 과정에서 발생되는 에너지에 의해 빛을 생성할 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층(130)은 활성층(120)에 접하며, 예를 들어 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN,AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 여기서, 상기 제 2 도전형 반도체층(130) 중 활성층(120)과 접하는 면에는 패터닝된 홈(131)이 형성된다. 상기 홈(131)은 전류 차단층(140)과 투명 전도층(150)의 일부가 제 2 도전형 반도체층(130)의 내부에 매립되게 하는 공간을 제공한다. 여기서, 상기 홈(131)의 측벽이 전류 차단층(140)의 양 측면과 접촉한다.
위와 같은 제 1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제 2 도전형 반도체층(130)은 빛을 발생시켜 방출시키는 발광 구조물을 형성한다.
상기 전류 차단층(140)은 홈(131)의 바닥에 형성된다. 상기 전류 차단층(140)은 사각 단면 형상을 가질 수 있다. 상기 전류 차단층(140)은 절연성 물질, 예를 들어 Ga2O3, In2O3, ZnO, SiO2, Al2O3 및 Si3N4 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 전류 차단층(140)은 플라즈마 처리 물질, 예를 들어 CH4, CH4/H2, SF6, SF6/Ar, Ar, SF6/O2, CHF3, CF4 및 CF4O/O2 중 적어도 어느 하나를 이용하여 홈(131)의 바닥을 플라즈마 처리하여 형성될 수 있다. 이러한 전류 차단층(140)은 전극(180)의 아래 부분에 수직 방향으로 집중되는 전류의 흐름을 유효 발광 영역(EA) 방향인 수평 방향으로 전류 주입을 유도하는 역할을 한다.
상기 투명 전도층(150)은 제 2 도전형 반도체층(130) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면과 홈(131)의 측벽과 전류 차단층(140)을 따라 형성된다. 상기 투명 전도층(150)은 수평부(HP)와 수직부(VP)가 교대로 연결된 형태를 가진다.
구체적으로, 상기 투명 전도층(150)은 도 1b와 도시된 바와 같이 제 2 도전형 반도체층(130) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대면에 접하는 제 1 영역(151), 홈(131)의 측벽에 접하며 제 1 영역(151)과 연결되는 제 2 영역(152), 전류 차단층(140)과 접하며 제 1 영역(151)과 평행하고 제 2 영역(152)과 연결되는 제 3 영역(153)을 포함한다. 이러한 투명 전도층(150)은 유효 발광 영역(EA)에서 제 1 영역(151)을 통한 전류 흐름 패스(CP)뿐 아니라 제 3 영역(153)을 통한 전류 흐름 패스(CP)를 형성시킨다. 상기 투명 전도층(150)은 투명 전도성 박막층인 인듐(In), 주석(Sn), 또는 아연(Zn) 금속을 모체로 하여 형성되는 투명전도성 산화물(transparent conducting oxide : TCO)로 형성될 수 있다.
상기 반사층(160)은 투명 전도층(150) 중 제 2 도전형 반도체층(130)과 접하는 면의 반대 면에 형성된다. 구체적으로, 상기 반사층(160)은 투명 전도층(150)의 수평부(HP)제 접하는 평평부(161)와, 투명 전도층(150)의 수평부(HP)와 수직부(VP)에 의해 형성되는 공간을 채우도록 평평부(161)로부터 돌출되는 돌출부(162)를 포함한다. 이러한 반사층(160)은 활성층(120)으로부터 발생하는 빛을 제 1 도전형 반도체층(110)의 외부로 방출할 수 있도록 반사 물질, 예를 들어 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있다.
상기 지지 기판(170)은 반사층(160) 중 투명 전도층(150)과 접하는 면의 반대 면에 형성된다. 상기 지지 기판(170)은 발광 구조물을 지지하며, 전극(180)과 함께 발광 구조물에 전압을 인가한다. 상기 지지 기판(180)은 제 2 도전형 반도체층(130)에 전류가 흐르도록 도전성 물질, 예를 들어 Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W 및 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge GaAs, ZnO, Sic 등) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 한편, 도시하진 않았지만, 반사층(160)과 지지 기판(170) 사이에는 배리어 금속 및 본딩 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 접착층이 개재될 수 있다. 상기 접착층은 지지 기판(170)을 본딩 방식으로 반사층(160)에 부착시키는 경우 형성될 수 있으며, 지지 기판(170)을 도금 또는 증착 방식에 의해 반사층(160)에 부착시키는 경우 생략될 수 있다. 상기 접착층은 예를 들어 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전극(180)은 제 1 도전형 반도체층(110) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면에 패터닝되어 형성된다. 상기 전극(180)은 전류 차단층(140)과 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 이러한 전극(180)은 제 1 도전층 반도층(110)에 전류를 공급하기 위한 전도성 물질, 예를 들어 Ti, Cr, Al, Cu 및 Au로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(100)는 수평부(HP)와 수직부(VP)가 교대로 연결되는 형태를 가지는 투명 전도층(150)을 구비함으로써, 제 2 도전형 반도체층(130)과 투명 전도층(150)의 오믹 접촉 영역을 증가시킬 수 있으며 유효 발광 영역(EA) 각각에서 적어도 두 개의 이상의 영역인 제 1 영역(151)과 제 3 영역(153)을 통해 전류 흐름 패스(CP)를 형성시킬 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(100)는 기존에 수평부로만 이루어지는 투명 전도층을 구비하며 유효 발광 영역 각각에서 하나의 영역을 통해 전류 흐름 패스를 형성시키는 발광 소자에 비해, 제 2 도전형 반도체층(130)과 투명 전도층(150)의 오믹 접촉 영역을 더 증가시켜 접촉 저항을 줄일 수 있으며 전류 흐름 패스를 더 증가시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전류 차단층(140)을 이용하여 광 출력 특성을 향상시키면서 투명 전도층(150)을 이용하여 순방향 전압(forward voltage; Vf)이 증가되는 것을 방지할 수 있다.
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명하기로 한다.
도 2a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 투명 전도층의 구체적인 구성을 보여주는 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)는 본 발명의 일 실시예에 다른 발광 소자(100)와 비교하여 제 2 도전형 반도체층(230)과, 전류 차단층(240) 및 투명 전도층(250)의 구성만 다를 뿐 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)에서는 제 2 도전형 반도체층(230)과, 전류 차단층(240) 및 투명 전도층(250)에 대해서만 설명하기로 한다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)는 제 1 도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제 2 도전형 반도체층(230), 전류 차단층(240), 투명 전도층(250), 반사층(160), 지지 기판(170) 및 전극(180)을 포함한다.
상기 제 2 도전형 반도체층(230)은 도 1a의 제 2 도전형 반도체층(130)과 유사하다. 다만, 상기 제 2 도전형 반도체층(230)은 제 2 도전형 반도체층(130)의 홈(131)과 다른 크기를 가지는 홈(231)을 가진다. 즉, 상기 홈(231)은 측벽이 전류 차단층(240)의 양 측면과 이격될 수 있는 정도의 크기를 가진다.
상기 전류 차단층(240)은 도 1a의 전류 차단층(140)과 유사하다. 다만, 상기 전류 차단층(240)은 양 측면이 제 2 도전형 반도체층(230)의 홈(231)의 측벽과 이격되게 형성된다.
상기 투명 전도층(250)은 도 1a의 투명 전도층(150)과 유사하다. 다만, 상기 투명 전도층(250)은 구체적으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 제 2 도전형 반도체층(230) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면에 접하는 제 1 영역(151), 홈(231)의 측벽에 접하며 제 1 영역(151)과 연결되는 제 2 영역(152), 전류 차단층(240)과 접하며 제 1 영역(151)과 평행하고 제 2 영역(152)과 연결되는 제 3 영역(153), 및 제 1 영역(151)에 수직인 방향으로 제 2 영역(152)에서 제 2 도전형 반도체층(230) 방향으로 연장되고 전류 차단층(240)의 양 측면과 접하는 제 4 영역(254)을 포함한다. 이러한 투명 전도층(250)은 유효 발광 영역(EA)에서 제 1 영역(151)과 제 3 영역(153)을 통한 전류 흐름 패스(CP)뿐 만 아니라 제 4 영역(254)을 통한 전류 흐름 패스(CP)를 형성시킴으로써, 전류 흐름 패스를 더욱 증가시킬 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)는 수평부(HP)와 수직부(VP)가 교대로 연결되는 형태를 가지는 투명 전도층(250)을 구비함으로써, 제 2 도전형 반도체층(130)과 투명 전도층(250)의 오믹 접촉 영역을 증가시킬 수 있으며 유효 발광 영역(EA) 각각에서 적어도 두 개의 이상의 영역인 제 1 영역(151)과 제 3 영역(153)과 제 4 영역(254)을 통해 전류 흐름 패스(CP)를 형성시킬 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)는 기존에 수평부로만 이루어지는 투명 전도층을 구비하며 유효 발광 영역 각각에서 하나의 영역을 통해 전류 흐름 패스를 형성시키는 발광 소자에 비해, 제 2 도전형 반도체층(230)과 투명 전도층(250)의 오믹 접촉 영역을 더 증가시켜 접촉 저항을 줄일 수 있으며 전류 흐름 패스를 더 증가시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)는 전류 차단층(240)을 이용하여 광 출력 특성을 향상시키면서 투명 전도층(250)을 이용하여 순방향 전압(forward voltage; Vf)이 증가되는 것을 방지할 수 있다.
다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다고, 도 4a 내지 도 4g는 도 3의 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조 방법은 기판 준비 단계(S10), 전류 차단층 형성 단계(S20), 투명 전도층 형성 단계(S30), 반사층 형성 단계(S40) 및 지지 기판 형성 및 기판 제거 단계(S50)를 포함한다.
도 4a를 참조하면, 상기 기판 준비 단계(S10)는 제 1 도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제 2 도전형 반도체층(130)이 순차적으로 형성된 기판(10)을 준비하는 단계이다.
상기 기판 준비 단계(S10)에서, 상기 제 1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제 제 2 도전형 반도체층(130)은 PVD(Physical vapor depostion), CVD(Chemical Vapor Deposition), PLD(Plasma Laser Deposition), 이중형의 열증착기(Dual-type thermal evaporatior), 스퍼터링(Sputtering), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Depostin) 등의 증착 방법에 의해 기판(10) 상에 순차적으로 증착된다. 된다. 상기 제 1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제 2 도전형 반도체층(130)에 대해서는 앞에서 자세히 설명되었으므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.
상기 기판(10)은 사파이어 기판(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga2O3, 도전성 기판 및 GaAs 로 이루어진 그룹에서 선택되어 형성될 수 있다. 여기서, 상기 기판(10)과 제 1 도전형 반도체층(110) 사이에는 언도프드(Un-dopoed) 반도체층(20), 예를 들어 언도프드 GaN층이 형성될 수 있다. 상기 언도프드 반도체층(20)은 기판(10)과의 격자 상수의 차이를 줄여 박막 특성을 향상시킨다.
도 4b 및 도 4c를 참조하면, 상기 전류 차단층 형성 단계(S20)는 제 2 도전형 반도체층(130)의 노출면에 패터닝된 홈(131)을 형성하고 홈(131)의 바닥에 전류 차단층(140)을 형성하는 단계이다.
상기 전류 차단층 형성 단계(S20)에서, 상기 홈(131)은 식각 방법, 예를 들어 유도 결합 플라즈마(Inductive Coupled Plasme; ICP) 식각 방법을 이용하여 제 2 도전형 반도체층(130)의 노출면을 선택적으로 식각함으로써 형성될 수 있다. 그리고, 상기 전류 차단층(140)은 포토레지스트 패턴(30)을 마스크로 이용하여 홈(131)의 바닥에 절연 물질을 증착하여 형성될 수 있다. 여기서, 포토레지스트 패턴(30)은 제 2 도전형 반도체층(130) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면에 배치된다. 그리고, 절연 물질은 Ga2O3, In2O3, ZnO, SiO2, Al2O3 및 Si3N4 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 전류 차단층(140)은 플라즈마 처리 물질, 예를 들어 CH4, CH4/H2, SF6, SF6/Ar, Ar, SF6/O2, CHF3, CF4 및 CF4O/O2 중 적어도 어느 하나를 이용하여 홈(131)의 바닥을 플라즈마 처리하여 형성될 수도 있다.
도 4d를 참조하면, 상기 투명 전도층 형성 단계(S30)는 제 2 도전형 반도체층(130) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면과 홈(131)의 측벽과 전류 차단층(140)을 따라 투명 전도층(150)을 형성하는 단계이다.
구체적으로, 상기 투명 전도층(150)은 포토레지스트 패턴(30)의 제거 후 증착 방법에 의해 인듐(In), 주석(Sn), 또는 아연(Zn) 금속을 모체로 하여 형성되는 투명전도성 산화물(transparent conducting oxide : TCO)로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투명 전도층(150)은 수평부(HP)와 수직부(VP)가 교대로 연결되는 형상일 수 있다.
도 4e를 참조하면, 상기 반사층 형성 단계(S40)는 투명 전도층(150) 중 제 2 도전형 반도체층(130)과 접하는 면의 반대 면에 반사층(150)을 형성하는 단계이다.
구체적으로, 상기 반사층(150)은 증착 방법에 의해 반사 물질을 투명 전도층(150)에 형성되는 공간을 채우도록 증착시켜 형성된다.
도 4f를 참조하면, 상기 지지 기판 형성 및 기판 제거 단계(S50)는 반사층(160) 중 투명 전도층(150)과 접하는 면의 반대 면에 지지 기판(170)을 형성하고 기판(10)을 제거하는 단계이다.
구체적으로, 상기 지지 기판(170)은 도금 또는 증착 방식에 의해 반사층(160)에 형성되거나, 투명 전도층(150)과 지지 기판(170) 사이에 개재되는 접착층(미도시)을 통해 본딩 방식에 의해 반사층(160)에 형성될 수 있다.
상기 기판(10)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO) 방식에 의해 제거될 수 있다. 상기 기판(10)이 제거되면 언도프 반도체층(20)이 노출되며, 언도프 반도체층(20)은 식각 방법에 의해 제거된다.
도 4g를 참조하면, 상기 전극 형성 단계(S60)는 제 1 도전형 반도체층(110) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극(180)을 형성하는 단계이다.
구체적으로, 상기 전극(180)은 포토그래피 공정 등에 의해 전류 차단층(140)과 동일한 패턴을 가지도록 전도성 물질을 패터닝하여 형성된다.
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)의 제조 방법은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조 방법과 비교하여 전류 차단층 형성 단계와 투명 전도층 형성 단계만 다를 뿐 동일하다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자(200)의 제조 방법에는 전류 차단층 형성 단계와 투명 전도층 형성 단계에 대해서만 설명하기로 한다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법 중 전류 차단층 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법 중 투명 전도층 형성 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 전류 차단층 형성 단계는 제 2 도전형 반도체층(230)의 노출면에 패터닝된 홈(231)을 형성하고 홈(231)의 바닥에 전류 차단층(240)을 형성하는 단계이다.
상기 전류 차단층 형성 단계에서, 상기 홈(231)은 식각 방법, 예를 들어 유도 결합 플라즈마(Inductive Coupled Plasme; ICP) 식각 방법을 이용하여 제 2 도전형 반도체층(230)의 노출면을 선택적으로 식각함으로써 형성될 수 있다. 그리고, 상기 전류 차단층(240)은 포토레지스트 패턴(40)을 마스크로 이용하여 홈(131)의 바닥에 절연 물질을 증착하여 형성될 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴(40)은 제 2 도전형 반도체층(230) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면 뿐만 아니라 홈(231)의 양 측벽에도 배치된다. 그리고, 절연 물질은 Ga2O3, In2O3, ZnO, SiO2, Al2O3 및 Si3N4 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 전류 차단층(240)은 CH4, CH4/H2, SF6, SF6/Ar, Ar, SF6/O2, CHF3, CF4 및 CF4O/O2 중 적어도 어느 하나를 이용하여 홈(231)의 바닥을 플라즈마 처리하여 형성될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 상기 투명 전도층 형성 단계는 제 2 도전형 반도체층(230) 중 활성층(120)과 접하는 면의 반대 면과 홈(231)의 측벽과 전류 차단층(240)을 따라 투명 전도층(250)을 형성하는 단계이다.
구체적으로, 상기 투명 전도층(250)은 포토레지스트 패턴(40)의 제거 후 증착 방법에 의해 인듐(In), 주석(Sn), 또는 아연(Zn) 금속을 모체로 하여 형성되는 투명전도성 산화물(transparent conducting oxide : TCO)로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투명 전도층(250)은 수평부(HP)와 수직부(VP)가 교대로 연결되는 형상일 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 제 1 도전형 반도체층;
    상기 제 1 도전형 반도체층에 접하는 활성층;
    상기 활성층에 접하며, 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 홈이 형성된 제 2 도전형 반도체층;
    상기 홈의 바닥에 형성된 전류 차단층;
    상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽과 상기 전류 차단층을 따라 형성된 투명 전도층;
    상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 반사층;
    상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 형성되는 지지 기판; 및
    상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 전도층은 수평부와 수직부가 교대로 연결된 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 수평부에 접하는 평평부와, 상기 수평부와 수직부에 의해 형성되는 공간을 채우도록 상기 평평부로부터 돌출되는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 전도층은
    상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대면에 접하는 제 1 영역;
    상기 홈의 측벽에 접하며, 상기 제 1 영역과 연결되는 제 2 영역; 및
    상기 전류 차단층과 접하며, 상기 제 1 영역과 평행하고 상기 제 2 영역과 연결되는 제 3 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 전도층은
    상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대면에 접하는 제 1 영역;
    상기 홈의 측벽에 접하며, 상기 제 1 영역과 연결되는 제 2 영역;
    상기 전류 차단층과 접하며, 상기 제 1 영역과 평행하고 상기 제 2 영역과 연결되는 제 3 영역; 및
    상기 제 1 영역에 수직인 방향으로 상기 제 2 영역에서 상기 제 2 도전형 반도체 방향으로 연장되며 상기 전류 차단층의 양 측면과 접하는 제 4 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 차단층은 사각 단면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사층과 상기 지지 기판 사이에 개재되는 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 차단층과 상기 전극은 동일한 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 차단층은 절연성 물질로 형성되거나, 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 전도층은 투명전도성 박막층인 인듐(In), 주석(Sn), 또는 아연(Zn) 금속을 모체로 하여 형성되는 투명 전도성 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형은 n형이고, 상기 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  12. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 형성된 기판을 준비하는 기판 준비 단계;
    상기 제 2 반도체층의 노출된 면에 패터닝된 홈을 형성하고 상기 홈의 바닥에 전류 차단층을 형성하는 전류 차단층 형성 단계; 및
    상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 내벽과 상기 전류 차단층을 따라 투명 전도층을 형성하는 투명 전도층 형성 단계;
    상기 투명 전도층 중 상기 제 2 도전형 반도체층과 접하는 면의 반대 면에 반사층을 형성되는 반사층 형성 단계;
    상기 반사층 중 상기 투명 전도층과 접하는 면의 반대 면에 지지 기판을 형성하고 상기 기판을 제거하는 지지 기판 형성 및 기판 제거 단계; 및
    상기 제 1 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 패터닝된 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 전류 차단층 형성 단계에서,
    상기 전류 차단층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면에 포토 레지스트 패턴을 배치시고, 상기 홈의 바닥에 절연 물질을 증착시키거나 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 전류 차단층 형성 단계에서,
    상기 전류 차단층은 상기 제 2 도전형 반도체층 중 상기 활성층과 접하는 면의 반대 면과 상기 홈의 측벽에 포토 레지스트 패턴을 배치시키고, 상기 홈의 바닥에 절연 물질을 증착시키거나 상기 홈의 바닥을 플라즈마 처리 물질을 이용하여 플라즈마 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 반사층 형성 단계에서, 상기 반사층은 반사 물질을 상기 투명 전도층에 형성되는 공간을 채우도록 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 전극 형성 단계에서, 상기 전극은 상기 홈과 동일한 패턴을 가지도록 패터닝되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법.
PCT/KR2013/000207 2012-03-12 2013-01-10 발광 소자 및 그 제조 방법 WO2013137554A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/384,520 US9178110B2 (en) 2012-03-12 2013-01-10 Light-emitting device and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120024912A KR101286210B1 (ko) 2012-03-12 2012-03-12 발광 소자 및 그 제조 방법
KR10-2012-0024912 2012-03-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013137554A1 true WO2013137554A1 (ko) 2013-09-19

Family

ID=48997396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/000207 WO2013137554A1 (ko) 2012-03-12 2013-01-10 발광 소자 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9178110B2 (ko)
KR (1) KR101286210B1 (ko)
WO (1) WO2013137554A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9847372B2 (en) * 2011-12-01 2017-12-19 Micron Technology, Inc. Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods
KR102187471B1 (ko) * 2014-01-06 2020-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
KR20160027610A (ko) * 2014-09-01 2016-03-10 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
US20160284957A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Toshiba Corporation REFLECTIVE CONTACT FOR GaN-BASED LEDS
KR102618972B1 (ko) * 2021-08-25 2023-12-29 인하대학교 산학협력단 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090116840A (ko) * 2008-05-08 2009-11-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
JP2010040761A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR101007140B1 (ko) * 2009-07-28 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2011228696A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Lg Innotek Co Ltd 発光素子、発光素子パッケージ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970009670B1 (en) * 1994-03-30 1997-06-17 Samsung Electronics Co Ltd Method of manufacture for semiconductor laserdiode
US6963086B2 (en) * 2001-10-10 2005-11-08 Sony Corporation Semiconductor light-emitting device image display illuminator and its manufacturing method
KR101007139B1 (ko) 2009-09-10 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8772805B2 (en) * 2010-03-31 2014-07-08 Seoul Viosys Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same
KR101011063B1 (ko) 2010-11-03 2011-01-25 (주)더리즈 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090116840A (ko) * 2008-05-08 2009-11-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
JP2010040761A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR101007140B1 (ko) * 2009-07-28 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2011228696A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Lg Innotek Co Ltd 発光素子、発光素子パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
US9178110B2 (en) 2015-11-03
US20150028375A1 (en) 2015-01-29
KR101286210B1 (ko) 2013-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010095781A1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
WO2009134029A2 (ko) 반도체 발광소자
WO2009131319A2 (ko) 반도체 발광소자
WO2010011057A2 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2014081251A1 (ko) 전류 분산 효과가 우수한 발광소자 및 그 제조 방법
WO2017014512A1 (ko) 발광 소자
WO2015190722A1 (ko) 발광 소자 및 조명 장치
WO2009131335A2 (ko) 반도체 발광소자
WO2013015472A1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2013137554A1 (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2013165127A1 (ko) 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법
WO2017052344A1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광장치
WO2016018010A1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
WO2013141421A1 (ko) 수평형 파워 led 소자 및 그 제조방법
WO2016104958A1 (ko) 적색 발광소자 및 조명장치
WO2016052929A1 (en) Light emitting diode comprising porous transparent electrode
WO2019045435A1 (en) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO2015190735A1 (ko) 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
WO2015072746A1 (ko) 반도체 발광소자
WO2017116094A1 (ko) 발광 소자
KR20120005298A (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
WO2010047459A1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
WO2014088256A1 (ko) 세퍼레이션 영역을 포함하여 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 반도체 발광소자
WO2017018767A1 (ko) 자외선 발광소자 및 발광소자 패키지
WO2016159694A1 (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13761788

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14384520

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13761788

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1