WO2013135696A1 - Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, beleuchtungsvorrichtung und anzeigevorrichtung - Google Patents

Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, beleuchtungsvorrichtung und anzeigevorrichtung Download PDF

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Luca HAIBERGER
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Definitions

  • a radiation-emitting semiconductor component is specified.
  • An object to be solved is a semiconductor device
  • Radiation-emitting semiconductor device includes the
  • Semiconductor chip is a volume emitter.
  • Main surface for example, a top surface and a
  • the volume-emitting semiconductor chip is formed, for example, with an epitaxially grown semiconductor body which is applied to a radiation-transmissive carrier.
  • the radiation-transmissive carrier may be
  • Semiconductor body act, in particular, it may be at the support to a sapphire growth substrate. For example, more than 20% or more than 40% of the total from the
  • the semiconductor chip includes a first major surface and a second major surface opposite the first major surface.
  • the first main area is a bottom area of the semiconductor chip and the second main area is a top area of the semiconductor chip.
  • the two main surfaces of the semiconductor chip are connected to each other via at least one side surface, which extends transversely to the main surfaces.
  • radiation-emitting semiconductor device includes the
  • the radiation does not have to be inevitably meet again on the first main surface of the semiconductor chip, but can, for example, on
  • the beam direction of the reflected radiation has a component facing away from a reflective element toward the first main surface.
  • the first reflective element may reflect diffusely or directionally.
  • radiation-emitting semiconductor device includes the
  • a second reflective element which is arranged on the second main surface of the semiconductor chip and by the second main surface in the operation of the
  • the reflective element reflects electromagnetic radiation emerging on a top surface of the semiconductor chip in the direction of the top surface. That is, the beam direction of the reflected radiation has a component pointing from the second reflective element toward the top surface. Also the second
  • reflective element can be directed or diffused
  • radiation-emitting semiconductor device includes the
  • Radiation-emitting semiconductor device at least one
  • Semiconductor device generated electromagnetic radiation from the semiconductor device occurs.
  • Radiation-emitting semiconductor device extends at least one of the radiation exit surfaces of the semiconductor device transversely to the first main surface and the second main surface of the semiconductor chip. It is also possible that
  • all the radiation exit surfaces of the semiconductor device extend transversely to the first main surface and the second main surface of the semiconductor chip.
  • Radiation exit surfaces extend at least locally perpendicular to the main surfaces of the semiconductor chip. While the semiconductor chip used in the radiation-emitting semiconductor device is therefore volume-emitting and
  • Radiation exit surfaces which extend transversely to the main surfaces.
  • the radiation-emitting semiconductor device is therefore not volume-emitting, for example, but radiates only to the side or in the direction of its sides. It
  • Radiation-emitting semiconductor component According to at least one embodiment of the
  • Radiation-emitting semiconductor device includes the
  • a volume-emitting semiconductor chip having a first major surface and one of the first major surface opposing second major surface, a first reflective element, which is arranged on the first main surface and reflects back through the first main surface during operation of the semiconductor chip emanating electromagnetic radiation to the first main surface, a second
  • the at least one radiation exit surface extends or runs all
  • the radiation-emitting semiconductor component is based inter alia on the knowledge that with the aid of a volume-emitting semiconductor chip, in which a
  • Reflective elements is deflected to the side, a very flat, laterally emitting semiconductor device can be generated.
  • light of such a semiconductor component can be very efficiently coupled into planar light guides.
  • the emission characteristic of the emitted by the semiconductor device during operation is deflected to the side, a very flat, laterally emitting semiconductor device can be generated.
  • Design of the reflective elements are influenced, so that can be dispensed with the formation of the radiation pattern on secondary optical elements. According to at least one embodiment of the
  • the second reflective element completely covers the second main surface of the volume-emitting semiconductor chip.
  • the second reflective element can be directly to the second
  • the second is congruent to the second main surface
  • electromagnetic radiation exiting at the second main surface can not penetrate the second reflective element or only to a small extent in directions perpendicular to the second main surface.
  • the electromagnetic radiation is from the second
  • the second reflective element may, for example, be attached to a side surface of the radiation-emitting semiconductor device.
  • the first reflective element can with its outer surface facing away from the semiconductor chip
  • the second reflective element is formed partially transparent to radiation. That is, a portion of the electromagnetic radiation generated in the semiconductor chip passes through the second reflective element, resulting in a leakage of radiation at the top of the carrier facing away from the
  • Semiconductor device leads For example, at least 5% and at most 15% of the radiation emitted by the semiconductor device during operation exits through the second reflective element.
  • Semiconductor component in the light guide is no longer or hardly recognizable as a dark spot. In this way, no dark spots or areas are generated by the semiconductor device in the emission surface of the light guide.
  • Radiation-emitting semiconductor device the second and / or the first reflective element formed as a reflective and electrically insulating layer, wherein the layer comprises a matrix material, are introduced into the scattering or reflective particles.
  • a layer then does not necessarily have a regular thickness, but the layer may be structured in its thickness.
  • the layer can be produced for example by a dispensing method or a molding method or a coating method such as spray coating.
  • the matrix material of the reflective layer can be transparent to radiation, for example, be transparent. The reflective effect then receives the reflective element through the in the
  • Matrix material of the layer introduced particles.
  • Particles at least one of the materials 1O2, BaSOzi, ZnO, Al x Oy, ZrC> 2 or contain one of the above
  • a mean diameter of the particles for example a median diameter d5 Q in QQ, is preferably between 0.3 ⁇ m and 5 ⁇ m.
  • a weight proportion of the particles on the material of the reflective layer is preferably between 0.3 ⁇ m and 5 ⁇ m.
  • the particles can be any suitable material including 1 0% and 3 0%.
  • the particles can be any suitable material including 1 0% and 3 0%.
  • the particles can be any suitable material including 1 0% and 3 0%.
  • the optical effect of the particles is based, for example, on their white color and / or on a
  • the matrix material is, for example, a silicone, an epoxide or a silicone-epoxy hybrid material. However, the use of others is also
  • radiation-emitting semiconductor device are the second and / or the first reflective element at least
  • a radiation-emitting semiconductor component can be realized which comprises only the semiconductor chip and the reflective elements applied to the semiconductor chip. It results in a very compact
  • Radiation-emitting semiconductor device is the
  • the carrier may be, for example, a printed circuit board, such as a printed circuit board. Furthermore, the carrier may be a metal leadframe, a so-called leadframe. Moreover, it is possible that the carrier is formed with an electrically insulating material, such as a ceramic material, are structured on the and / or in the electrical connection points and conductor tracks. That is, the carrier may in particular for electrical
  • the carrier may further form at least part of the first reflective element.
  • the semiconductor chip is with its first main surface as a mounting surface on the carrier
  • the wearer can, for example, for the im
  • the first reflective element on the forms the first main surface of the semiconductor chip. Additionally or alternatively, it is possible that between the carrier and the first main surface of an additional material, such as
  • an electrically insulating, reflective layer as described above, is arranged, which then forms the reflective element. It is possible that the first reflective element is formed exclusively by such a layer or that the carrier
  • Reflection takes place at the layer and the carrier.
  • the semiconductor chip is reflective coated. This can be done, for example, via a metal layer, which may be vapor-deposited on the first main surface of the semiconductor chip.
  • Radiation-emitting semiconductor device includes the
  • Semiconductor chip at least one side surface which extends transversely to the main surfaces of the semiconductor chip, wherein the
  • Semiconductor chip is surrounded at least on the side surface of a radiation-permeable enclosure.
  • the semiconductor chip may be surrounded by the enclosure by means of a dispensing method or a mold method.
  • the cladding it is possible for the cladding to cover all side surfaces and the second main surface of the semiconductor chip.
  • the second main surface is free of the radiation-transmissive sheath and only all side surfaces of the semiconductor chip of the
  • the radiation-permeable casing is formed with a radiation-permeable plastic material, as described above for the matrix material.
  • the semiconductor device include the one described above
  • the radiation-permeable enclosure can with
  • Particles of a luminescence conversion material is filled.
  • UV radiation and / or blue light can then be generated during operation.
  • Luminescence conversion material in the radiation-transmissive envelope then ensures complete or partial conversion, so that the semiconductor component emits colored light, mixed radiation and / or white light during operation.
  • Radiation-emitting semiconductor device limits the radiation-transmissive sheath at least in places a cavity which is filled with the second reflective material.
  • the radiation-transmissive sheaths are examples of the radiation-transmissive sheaths.
  • the radiation-permeable envelope limits at least in places a cavity.
  • the cavity may be filled with the second reflective element. That is, the second reflective element is at least partially disposed in the cavity. It is particularly possible that the
  • Outer surface of the radiation-transmissive envelope which is in direct contact with the second reflective element, is formed in a predeterminable manner.
  • the radiation-transmissive sheath may be concavely curved in this area.
  • the radiation-transmissive sheath tapers from the side surface of the radiation-emitting semiconductor component towards the semiconductor chip with respect to its thickness.
  • the thickness is measured in a direction perpendicular to the two main surfaces of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip on its second major surface on recesses which are filled with the second reflective element.
  • the semiconductor chip may have a roughening on its second main surface, through which a multiplicity of recesses are created in the main surface. These roughenings can be random or regular.
  • the second main surface structured in this way can bring about a change in the outcoupling angle of the radiation emerging from the radiation-emitting semiconductor component. In addition, the probability of leakage of radiation from the semiconductor chip is increased. The by the
  • Structuring formed recesses can with the Be filled material of the reflective element, so that an efficient reflection of electromagnetic radiation generated in the semiconductor chip takes place. According to at least one embodiment of the
  • Radiation-emitting semiconductor device includes the
  • a reflective coating which covers a connection point on one of the main surfaces of the semiconductor chip at least in places.
  • the connection points and / or, where appropriate, current distribution paths on the outer surface of the semiconductor chip may be covered by the reflective coating, which may be radiation-absorbing
  • Coating may be formed with the same material as the second reflective element.
  • Semiconductor component can be used for the direct backlighting of an imaging element, for example an LCD panel.
  • the semiconductor device facing the outer surface of the board may form the first reflective element or at least partially form.
  • the lighting device can be here
  • the lighting device comprises according to a
  • the optical waveguide has a recess in which the radiation-emitting semiconductor component
  • the optical waveguide surrounds the semiconductor device at all of its lateral radiation exit surfaces, which run transversely to the main surfaces of the semiconductor chip. That is, the emerging from the radiation exit surfaces radiation of the semiconductor device is in the range of
  • the light guide can be formed with a radiation-transmissive, for example, transparent material.
  • a reflector on a bottom surface of the light guide is formed with a radiation-transmissive, for example, transparent material.
  • the radiation-emitting semiconductor component is preferably fastened in the recess of the light guide such that the first main surface of the semiconductor chip faces the reflector and the second main surface is directed away from the reflector. It is also possible that the reflector by the carrier of the radiation-emitting
  • Semiconductor component is formed.
  • the recess in the light guide is a breakthrough. That is, the recess extends through the entire light guide, the light guide has a hole in the region of the recess. In this case it is
  • Recess of the light guide can be arranged.
  • the light guide can then, for example, the reflector, so the Example, on the support of the lighting device to be attached.
  • the illumination device comprises at least two of the radiation-emitting semiconductor devices described herein, wherein each radiation-emitting semiconductor device is arranged in a recess of the light guide.
  • each radiation-emitting semiconductor device is arranged in a recess of the light guide.
  • Optical fiber having a plurality of recesses, wherein in each recess a described here
  • Radiation-emitting semiconductor device is introduced.
  • a large-area light guide can be illuminated particularly homogeneous. Due to the particularly flat formable radiation-emitting semiconductor components and the coupling of the electromagnetic radiation of these semiconductor devices over the entire surface of the light guide, a very flat light guide and thus a very flat lighting device can be realized.
  • radiation-emitting semiconductor components can be actuated separately from one another, so that, for example, dimming of the semiconductor components can be carried out locally. In this way, the luminosity of the out of the
  • Optical fibers emerging light are set locally.
  • the lighting device thus combines the advantages of a so-called “edge lights”, as it is very thin, with the advantages of direct lighting, due to the efficient use of the electromagnetic radiation of the
  • Lighting device is the the semiconductor chip
  • remote outer surface of the second reflective element protrudes from a radiation exit surface of the light guide or terminates flush with this. That is, the
  • Radiation exit surface of the light guide runs transversely, for example vertically, to the lateral
  • the optical waveguide has a thickness which essentially corresponds to the thickness of the semiconductor component.
  • Display device comprises at least one illumination device described here as a backlighting device.
  • the display device further comprises an imaging element which is itself
  • the illumination device backlit the imaging element, the radiation exit surface of the light guide facing the imaging element.
  • Recesses of the light guide and distributed over the entire surface of the light guide can be done a local dimming.
  • 7A, 7B, 7C are further embodiments of semiconductor devices described herein and
  • a method step for producing a radiation-emitting semiconductor component 100 described here is explained in greater detail in conjunction with the schematic sectional representation of FIG. 1A.
  • a plurality of volume-emitting semiconductor chips 1 are arranged on a carrier 4.
  • the volume-emitting Semiconductor chip 1 is for example so
  • sapphire chips in addition to an epitaxial
  • the grown semiconductor body comprise a radiation-transparent sapphire growth substrate.
  • the volume-emitting semiconductor chips 1 emit electromagnetic radiation through their first main surface 11, their second main surface 12 and the side surfaces 13.
  • the semiconductor chips 1 are arranged on a carrier 4.
  • the carrier 4 is, for example, a printed circuit board which may be reflective.
  • the semiconductor chips 1 are soldered here with their connection points 15 on the carrier 4 or glued electrically conductive.
  • a first reflective element 21 is arranged between the first main surface 11 and the carrier 4.
  • the first reflecting element 21 is characterized by an electrically insulating and reflecting as described above
  • the electrically insulating element 21 therefore comprises an electrically insulating
  • Matrix material for example silicone, in the
  • the first main surface 11 is reflective in another way, for example by coating with a reflective material.
  • the radiation-permeable sheath 5 is applied by a molding process. That is, the radiation-transmissive sheath 5 adjoins the side surfaces 13 and the second main surface 12 of the semiconductor chips 1 opposite the first main surface 11.
  • the semiconductor chips 1 may be configured to emit blue light during operation
  • the radiation-transmissive envelope 5 then comprises particles of luminescence conversion substances which absorb part of the blue light and re-emit light of higher wavelength, so that overall white mixed light can be emitted.
  • the radiation-transmissive envelope 5 then comprises particles of luminescence conversion substances which absorb part of the blue light and re-emit light of higher wavelength, so that overall white mixed light can be emitted.
  • a cavity 6 can by forming the Mold tool, that is, by appropriate design of the
  • radiation-permeable enclosure 5 are designed such that the lateral coupling to the
  • Radiation exit surfaces 3 is optimized. at
  • FIG. 1B a second molding process takes place in which the second reflective element 22 is applied.
  • Element 22 is thereby introduced into the cavity 6, which is bounded by the material of the radiation-permeable casing 5. Furthermore, spaces between the individual can
  • Enclosure 5 is not present to be filled with the material of the second reflective element 22.
  • the second reflective material 22 may be formed, for example, as an electrically insulating, reflective layer.
  • the second reflective material 22 is then with, for example a matrix material, in which, as described above, reflective or scattering particles are introduced.
  • the radiation-emitting semiconductor components 100 each have radiation exit surfaces 3, which are transversely, in the present case perpendicular, to the two main surfaces 11, 12 of the
  • volume-emitting semiconductor chip 1 is due to the
  • the radiation-permeable enclosure 5 has of the
  • Radiation exit surfaces 3 in the direction of the semiconductor chip 1 has a decreasing thickness.
  • Electromagnetic radiation to the side that is, out to the radiation exit surfaces 3 out of the semiconductor device addition.
  • Electromagnetic radiation to the side that is, out to the radiation exit surfaces 3 out of the semiconductor device addition.
  • the volume-emitting semiconductor chips 1 are arranged on a carrier 4, similar to the method step of FIG. 1A. Between the semiconductor chips 1 there are barriers 8, which delimit the semiconductor components to be produced. In addition, these barriers 8 serve to ensure that Process step of Figure 2B by means of, for example
  • the metering of the material of the radiation-permeable sheath 5 can take place in such a way that the radiation-permeable
  • Enclosure 5 on its side facing away from the barrier 8 flush with the upper side facing away from the carrier 4, that is, second main surface 12, of the semiconductor chip 1 terminates. This can cause a concave meniscus of the
  • the second reflective element 22 for example, again as a reflective layer to the top of the barrier 8 in the cavity 6, through the radiation-permeable enclosure 5 and the second
  • Main surface 12 of the semiconductor chip 1 is limited, filled.
  • a separation into individual radiation-emitting semiconductor components takes place, wherein the barrier 8 is removed, for example by means of sawing.
  • connection points 15 are formed, for example, with gold, which is partially absorbing for visible light.
  • connection locations and / or, if appropriate, current distribution paths on the outer surface of the semiconductor chip may be provided by a reflective coating 23, which may radiation-absorbing areas of the connection points and / or the
  • Coating 23 may be formed with the same material as the second reflective element 22.
  • the semiconductor chip 1 is adhesively bonded to the carrier 4 by means of a connecting means 9, for example an adhesive, which in the present case also forms the first reflecting element 21 on the first main face 11 of the semiconductor chip 1.
  • the semiconductor chip 1 may have, as a first reflective element, a reflective coating of the first main area 11, which may be formed, for example, as a Bragg reflector and / or through a reflector
  • the reflective element 22 may be formed, for example, completely reflective, so that it is not penetrated by radiation of the semiconductor chip 1.
  • the radiation-emitting semiconductor component is an ideal side emitter.
  • the second reflective element it is also possible for the second reflective element to be only partially reflective and for a small proportion of the electromagnetic radiation generated in the chip to pass through the second reflective element.
  • the carrier 4 facing away from the upper side of the radiation-emitting semiconductor device is homogeneously illuminated.
  • the second reflective element may be partially transparent to radiation. That is, a part of the electromagnetic generated in the semiconductor chip 1
  • Radiation passes through the second reflective element, which leads to an illumination of the upper side of the semiconductor device facing away from the carrier.
  • Fiber optics can do this particularly well
  • the semiconductor device in the light guide is no longer or hardly recognizable. In this way, no dark spots or spots are produced by the semiconductor device in the emission surface of the light guide.
  • the semiconductor chip 1 is electrically conductively connected to the carrier 4 by means of contact wires 16.
  • the contact wires 16 are arranged completely within the radiation-permeable enclosure 5 and can not be seen from the outside due to the second reflective element 22.
  • a majority of the electromagnetic radiation generated by the semiconductor chip 2 in operation is due to the lateral
  • FIG. 4 A further exemplary embodiment of a radiation-emitting semiconductor component described here is described in conjunction with FIG. 4 on the basis of a schematic sectional representation.
  • the radiation-emitting semiconductor component described here is described in conjunction with FIG. 4 on the basis of a schematic sectional representation.
  • Semiconductor chip 1 has a second main surface 12, which
  • Recesses 14 which are filled with the second reflective element 22.
  • Radiation-emitting semiconductor device is dispensed with the direct contact between the second reflective element 22 and the semiconductor chip 1.
  • the semiconductor component can be produced advantageously by means of a simple mold process (compare also FIGS. 1A to 1C).
  • FIGS. 1A to 1C In conjunction with the schematic sectional views of Figure 6, an embodiment of a lighting device described here is explained in more detail.
  • the lighting device comprises a light guide 7, in which a recess 71 is introduced.
  • the recess 71 is with a radiation-emitting described here
  • a reflector 72 is arranged.
  • the reflector 72 facing away from the top of the light guide 7 forms the radiation exit surface 74 of
  • Semiconductor device 100 is partially transparent to radiation, can be in the view of the
  • Lighting device as shown in Figure 6, give a homogeneous luminous surface.
  • Radiation entrance surfaces 73 of the light guide 7 may after the introduction of the semiconductor device with a
  • radiation-permeable material for example an index matching gel. This material can also be used for mechanical attachment of the semiconductor device 100 in
  • Light guide 7 serve.
  • the reflector 7 is formed by the carrier of the semiconductor device 4.
  • the first reflective material 21 may be formed by a back-side mirroring of the semiconductor chip 1, which is metallic and / or dielectric.
  • the layer may consist of aluminum or contain aluminum.
  • the second reflective element 22 may be formed, for example, as a reflective layer as described above, for example, a silicone as a matrix material
  • the second reflective element 22 may be applied to the second main surface 12 of the semiconductor chip 1, for example by means of spray coating as a layer of uniform thickness.
  • the second reflective element 22 can also be any other reflective element.
  • Terminals 15 remain free from the reflective element 22 or are exposed after the application of the reflective element 22.
  • the result is a radiation-emitting semiconductor component, in which the side surfaces 13 of the semiconductor chip 1 forms the lateral radiation exit surface 3 of the semiconductor component.
  • Such a semiconductor device is distinguished
  • the display device comprises a lighting device 101 described here with a multiplicity of radiation-emitting elements described here
  • Semiconductor components which at the radiation exit surface 74 of the lighting device 101 downstream of the imaging element 102, which is for example an LCD panel.

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Abstract

Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) angegeben, mit - einem volumenemittierenden Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist, - einem ersten reflektierenden Element (21), das an der ersten Hauptfläche (11) angeordnet ist und durch die erste Hauptfläche (11) im Betrieb des Halbleiterchips (1) austretende elektromagnetische Strahlung zur ersten Hauptfläche (11) zurück reflektiert, - einem zweiten reflektierenden Element (22), das an der zweiten Hauptfläche (12) angeordnet ist und durch die zweite Hauptfläche (12) im Betrieb des Halbleiterchips (1) austretende elektromagnetische Strahlung zur zweiten Hauptfläche (12) zurück reflektiert, und - zumindest einer Strahlungsaustrittsfläche (3), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils (100) erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Halbleiterbauteil (100) tritt, wobei -die zumindest eine Strahlungsaustrittsfläche (3) quer zu der ersten Hauptfläche (11) und der zweiten Hauptfläche (12) des Halbleiterchips (1) verläuft.

Description

Beschreibung
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil ,
Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus werden eine Beleuchtungsvorrichtung sowie eine Anzeigevorrichtung mit einem solchen
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Halbleiterbauteil
anzugeben, dessen emittierte elektromagnetische Strahlung besonders effizient genutzt werden kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das
Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen
volumenemittierenden Halbleiterchip. Das heißt, bei dem
Halbleiterchip handelt es sich um einen Volumenemitter.
Insbesondere verlässt bei einem Volumenemitter, ohne
zusätzliche Maßnahmen, wie beispielsweise eine reflektierende Beschichtung, an der Außenfläche ein im Betrieb des
Halbleiterchips erzeugter Strahlungsanteil, der
beispielsweise mehr als 20 % oder mehr als 40 ~6 einer
insgesamt aus dem Halbleiterchip ausgekoppelten Strahlung beträgt, den Halbleiterchip über Seitenflächen. Das heißt, bei einem Volumenemitter wird nicht ein Großteil der den Halbleiterchip verlassenden elektromagnetischen Strahlung über eine Hauptfläche ausgekoppelt, sondern ein nennenswerter Anteil von elektromagnetischer Strahlung tritt auch an
Seitenflächen des Halbleiterchips aus, die quer zu der
Hauptfläche, zum Beispiel einer Deckfläche und einer
Bodenfläche, des Halbleiterchips verlaufen. Der volumenemittierende Halbleiterchip ist beispielsweise mit einem epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörper gebildet, der auf einen strahlungsdurchlässigen Träger aufgebracht ist. Bei dem strahlungsdurchlässigen Träger kann es sich
beispielsweise um ein Aufwachssubstrat für den
Halbleiterkörper handeln, insbesondere kann es sich bei dem Träger um ein Saphir-Aufwachssubstrat handeln. Beispielsweise mehr als 20 % oder mehr als 40 % der insgesamt aus dem
Halbleiterchip ausgekoppelten Strahlung verlässt den
Halbleiterchip dann durch eine Außenfläche des
strahlungsdurchlässigen Trägers.
Der Halbleiterchip umfasst eine erste Hauptfläche und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche. Beispielsweise handelt es sich bei der ersten Hauptfläche um eine Bodenfläche des Halbleiterchips und bei der zweiten Hauptfläche um eine Deckfläche des Halbleiterchips. Die beiden Hauptflächen des Halbleiterchips sind über wenigstens eine Seitenfläche, die quer zu den Hauptflächen verläuft, miteinander verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das
Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil ein erstes
reflektierendes Element, das an der ersten Hauptfläche angeordnet ist und das durch die erste Hauptfläche im Betrieb des Halbleiterchips austretende elektromagnetische Strahlung zur ersten Hauptfläche zurückreflektiert. Das heißt,
beispielsweise an der Bodenfläche des Halbleiterchips
befindet sich das erste reflektierende Element, welches dafür sorgt, das elektromagnetische Strahlung, die an der
Bodenfläche austritt, in Richtung der Bodenfläche
zurückreflektiert wird. Die Strahlung muss dann nicht zwangsläufig wieder auf die erste Hauptfläche des Halbleiterchips treffen, sondern kann beispielsweise am
Halbleiterchip vorbei reflektiert werden. Die Strahlrichtung der reflektierten Strahlung weist jedoch eine Komponente auf, die von einem reflektierenden Element weg in Richtung der ersten Hauptfläche zeigt.
Das erste reflektierende Element kann dabei diffus oder gerichtet reflektieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das
Halbleiterbauteil ein zweites reflektierendes Element, das an der zweiten Hauptfläche des Halbleiterchips angeordnet ist und das durch die zweite Hauptfläche im Betrieb des
Halbleiterchips austretende elektromagnetische Strahlung zur zweiten Hauptfläche zurück reflektiert. Vom zweiten
reflektierenden Element wird also beispielsweise an einer Deckfläche des Halbleiterchips austretende elektromagnetische Strahlung in Richtung der Deckfläche zurück reflektiert. Das heißt, die Strahlrichtung der reflektierten Strahlung weist eine Komponente auf, die vom zweiten reflektierenden Element in Richtung der Deckfläche zeigt. Auch das zweite
reflektierende Element kann gerichtet oder diffus
reflektieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das
Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil zumindest eine
Strahlungsaustrittsfläche, durch die im Betrieb des
Halbleiterbauteils erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Halbleiterbauteil tritt. Das Strahlungsemittierende
Halbleiterbauteil kann beispielsweise genau eine Strahlungsaustrittsfläche oder mehrere
Strahlungsaustrittsflächen aufweisen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils verläuft zumindest eine der Strahlungsaustrittsflächen des Halbleiterbauteils quer zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche des Halbleiterchips. Dabei ist es auch möglich, dass
sämtliche Strahlungsaustrittsflächen des Halbleiterbauteils quer zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche des Halbleiterchips verlaufen.
Es ist beispielsweise möglich, dass die
Strahlungsaustrittsflächen zumindest stellenweise senkrecht zu den Hauptflächen des Halbleiterchips verlaufen. Während der im Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil verwendete Halbleiterchip also volumenemittierend ist und
elektromagnetische Strahlung durch seine Seitenflächen und zumindest eine Hauptfläche auskoppelt, strahlt das
Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil die vom
Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung
zumindest überwiegend oder vollständig durch
Strahlungsaustrittsflächen ab, die quer zu den Hauptflächen verlaufen. Das Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil ist daher zum Beispiel nicht volumenemittierend, sondern strahlt nur zur Seite oder in Richtung seiner Seiten ab. Es
resultiert also ein seitlich emittierendes
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das
Halbleiterbauteil einen volumenemittierenden Halbleiterchip, der eine erste Hauptfläche und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche aufweist, ein erstes reflektierendes Element, das an der ersten Hauptfläche angeordnet ist und durch die erste Hauptfläche im Betrieb des Halbleiterchips austretende elektromagnetische Strahlung zur ersten Hauptfläche zurück reflektiert, ein zweites
reflektierendes Element, das an der zweiten Hauptfläche angeordnet ist und durch die zweite Hauptfläche im Betrieb des Halbleiterchips austretende elektromagnetische Strahlung zur zweiten Hauptfläche zurück reflektiert und zumindest eine Strahlungsaustrittsfläche, durch die im Betrieb des
Halbleiterbauteils erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Halbleiterbauteil tritt. Dabei verläuft die zumindest eine Strahlungsaustrittsfläche oder verlaufen sämtliche
Strahlungsaustrittsflächen des Halbleiterbauteils quer zu der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche des
Halbleiterchips .
Dem Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil liegt dabei unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass mit Hilfe eines volumenemittierenden Halbleiterchips, bei dem ein
Strahlungsaustritt durch die Hauptflächen mittels
reflektierender Elemente zur Seite hin abgelenkt wird, ein sehr flaches, seitlich emittierendes Halbleiterbauteil erzeugt werden kann. Licht eines solchen Halbleiterbauteils kann beispielsweise sehr effizient in flächige Lichtleiter eingekoppelt werden. Ferner kann die Abstrahlcharakteristik der vom Halbleiterbauteil im Betrieb abgestrahlten
elektromagnetischen Strahlung beispielsweise durch die
Gestaltung der reflektierenden Elemente beeinflusst werden, sodass zur Formung der Abstrahlcharakteristik auf sekundäre optische Elemente verzichtet werden kann. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils überdeckt das zweite reflektierende Element die zweite Hauptfläche des volumenemittierenden Halbleiterchips vollständig. Das zweite reflektierende Element kann dabei direkt an die zweite
Hauptfläche grenzen oder ist in einem Abstand zur zweiten Hauptfläche angeordnet. In einer Ebene parallel oder
deckungsgleich zur zweiten Hauptfläche ist das zweite
reflektierende Element lückenlos ausgebildet, sodass das zweite reflektierende Element die zweite Hauptfläche
vollständig abdeckt. An der zweiten Hauptfläche austretende elektromagnetische Strahlung kann das zweite reflektierende Element insbesondere nicht oder nur in geringem Umfang in Richtungen senkrecht zur zweiten Hauptfläche durchdringen. Die elektromagnetische Strahlung wird vom zweiten
reflektierenden Element zumindest überwiegend in Richtungen quer zur Oberflächennormalen auf der zweiten Hauptfläche gelenkt oder geführt, das heißt zu der oder den seitlichen Strahlungsaustrittsflächen des Halbleiterbauteils.
Es ist insbesondere auch möglich, dass das zweite
reflektierende Element mit seiner dem Halbleiterchip
abgewandten Seite eine Hauptfläche des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ausbildet. Das heißt, das zweite reflektierende Element kann zum Beispiel an eine Seitenfläche des strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteils grenzen und bildet mit seiner Außenfläche die Deckfläche des strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteils. Das erste reflektierende Element kann mit seiner dem Halbleiterchip abgewandten Außenfläche die
Bodenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils bilden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist das zweite reflektierende Element teilweise strahlungsdurchlässig ausgebildet. Das heißt, ein Teil der im Halbleiterchip erzeugten elektromagnetischen Strahlung tritt durch das zweite reflektierende Element, was zu einem Austritt von Strahlung an der dem Träger abgewandten Oberseite des
Halbleiterbauteils führt. Zum Beispiel treten wenigstens 5 % und höchstens 15 % der vom Halbleiterbauteil im Betrieb emittierten Strahlung durch das zweite reflektierende Element aus. Beim Einsatz des Strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteils in einem Lichtleiter kann sich dies als besonders vorteilhaft erweisen, da bei eingeschaltetem
Halbleiterbauteil und Strahlungsaustrittsfläche des
Lichtleiters an der dem Halbleiterchip abgewandten
Außenfläche des zweiten reflektierenden Elements das
Halbleiterbauteil im Lichtleiter nicht mehr oder nur kaum als dunkle Stelle zu erkennen ist. Auf diese Weise werden durch das Halbleiterbauteil in der Abstrahlfläche des Lichtleiters keine dunklen Punkte oder Flächen erzeugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils sind das zweite und/oder das erste reflektierende Element als reflektierende und elektrisch isolierende Schicht ausgebildet, wobei die Schicht ein Matrixmaterial umfasst, in das streuende oder reflektierende Partikel eingebracht sind. Eine solche Schicht weist dann nicht zwangsläufig eine regelmäßige Dicke auf, sondern die Schicht kann in ihrer Dicke strukturiert sein. Die Schicht kann beispielsweise durch ein Dispens-Verfahren oder ein Mold-Verfahren oder ein Beschichtungsverfahren wie beispielsweise Spray Coating erzeugt sein. Das Matrixmaterial der reflektierenden Schicht kann strahlungsdurchlässig, beispielsweise transparent, sein. Die reflektierende Wirkung erhält das reflektierende Element dann durch die in das
Matrixmaterial der Schicht eingebrachten Partikel. Die
Schicht selbst kann dann weiß oder metallisch erscheinen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils bestehen die
Partikel zumindest aus einem der Materialien 1O2, BaSOzi, ZnO, AlxOy, ZrC>2 oder enthalten eines der genannten
Materialien. Ferner ist die Verwendung von Metallfluoriden wie Kalziumfluorid oder Siliziumoxid zur Bildung der Partikel möglich .
Ein mittlerer Durchmesser der Partikel, beispielsweise ein Mediandurchmesser d5Q in Q Q, liegt bevorzugt zwischen 0 , 3 μιη und 5 μιη. Ein Gewichtsanteil der Partikel an dem Material der reflektierenden Schicht beträgt bevorzugt zwischen
einschließlich 5 % und 5 0 %, insbesondere zwischen
einschließlich 1 0 % und 3 0 %. Die Partikel können
reflektierend und/oder streuend wirken.
Die optische Wirkung der Partikel beruht beispielsweise auf ihrer weißen Farbe und/oder auf einem
Brechungsindexunterschied zum Matrixmaterial der Schicht.
Bei dem Matrixmaterial handelt es sich beispielsweise um ein Silikon, ein Epoxid oder ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial . Allerdings ist auch die Verwendung anderer
strahlungsdurchlässiger Kunststoffe zur Bildung des
Matrixmaterials möglich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils stehen das zweite und/oder das erste reflektierende Element zumindest
stellenweise in direktem Kontakt mit der zugeordneten zweiten oder ersten Hauptfläche des Halbleiterchips. Das heißt, in dieser Ausführungsform ist es möglich, dass beispielsweise beide reflektierenden Elemente die zugeordnete Hauptfläche berühren und in direktem Kontakt mit ihr stehen. Auf diese Weise kann ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil realisiert werden, das lediglich den Halbleiterchip und die auf den Halbleiterchip aufgebrachten reflektierenden Elemente umfasst. Es resultiert ein sehr kompaktes
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist der
Halbleiterchip mit seiner ersten Hauptfläche auf einem Träger befestigt. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um eine Leiterplatte, wie etwa eine bedruckte Leiterplatte, handeln. Ferner kann es sich bei dem Träger um einen metallischen Leiterrahmen, einen so genannten Leadframe, handeln. Darüber hinaus ist es möglich, dass der Träger mit einem elektrisch isolierenden Material, wie beispielsweise einem keramischen Material, gebildet ist, auf das und/oder in das elektrische Anschlussstellen und Leiterbahnen strukturiert sind. Das heißt, der Träger kann insbesondere zum elektrischen
Anschließen des Halbleiterchips dienen.
Der Träger kann ferner zumindest einen Teil des ersten reflektierenden Elements bilden. Der Halbleiterchip ist mit seiner ersten Hauptfläche als Montagefläche am Träger
befestigt. Der Träger kann beispielsweise für die im
Halbleiterchip im Betrieb erzeugte elektromagnetische
Strahlung reflektierend ausgebildet sein, sodass der
Halbleiterchip dann das erste reflektierende Element an der ersten Hauptfläche des Halbleiterchips bildet. Zusätzlich oder alternativ ist es möglich, dass zwischen dem Träger und der ersten Hauptfläche ein zusätzliches Material, wie
beispielsweise eine elektrisch isolierende, reflektierende Schicht, wie sie oben beschrieben ist, angeordnet ist, welche dann das reflektierende Element bildet. Dabei ist es möglich, dass das erste reflektierende Element ausschließlich durch eine solche Schicht gebildet ist oder dass der Träger
zusätzlich reflektierend ausgebildet ist, sodass eine
Reflexion an der Schicht und dem Träger stattfindet.
Schließlich ist es auch möglich, dass der Halbleiterchip an seiner ersten, dem Träger zugewandten Hauptfläche,
reflektierend beschichtet ist. Dies kann beispielsweise über eine Metallschicht erfolgen, die auf die erste Hauptfläche des Halbleiterchips aufgedampft sein kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst der
Halbleiterchip zumindest eine Seitenfläche, die quer zu den Hauptflächen des Halbleiterchips verläuft, wobei der
Halbleiterchip zumindest an der Seitenfläche von einer strahlungsdurchlässigen Umhüllung umgeben ist. Beispielsweise kann der Halbleiterchip durch ein Dispens-Verfahren oder ein Mold-Verfahren mit der Umhüllung umgeben sein. Dabei ist es möglich, dass die Umhüllung sämtliche Seitenflächen und die zweite Hauptfläche des Halbleiterchips bedeckt. Darüber hinaus ist es möglich, dass die zweite Hauptfläche frei von der strahlungsdurchlässigen Umhüllung ist und lediglich sämtliche Seitenflächen des Halbleiterchips von der
strahlungsdurchlässigen Umhüllung bedeckt sind.
Beispielsweise ist die strahlungsdurchlässige Umhüllung mit einem strahlungsdurchlässigen Kunststoffmaterial gebildet, wie es weiter oben für das Matrixmaterial beschrieben ist. Umfasst das Halbleiterbauteil die oben beschriebene
elektrisch isolierende, reflektierende Schicht, so ist es insbesondere möglich, dass das Matrixmaterial und die
strahlungsdurchlässige Umhüllung mit dem gleichen Material gebildet sind. In diesem Fall haftet die reflektierende
Schicht, also das erste und/oder das zweite reflektierende Element, besonders gut an der strahlungsdurchlässigen
Umhüllung . Die strahlungsdurchlässige Umhüllung kann mit
Strahlungsstreuenden und/oder Strahlungsabsorbierenden
Partikeln gefüllt sein. Dabei ist es insbesondere auch möglich, dass die strahlungsdurchlässige Umhüllung mit
Partikeln eines Lumineszenzkonversionsmaterials gefüllt ist. Im Halbleiterchip kann dann im Betrieb beispielsweise UV- Strahlung und/oder blaues Licht erzeugt werden. Das
Lumineszenzkonversionsmaterial in der strahlungsdurchlässigen Umhüllung sorgt dann für eine vollständige oder teilweise Konversion, sodass das Halbleiterbauteil im Betrieb farbiges Licht, Mischstrahlung und/oder weißes Licht emittiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils begrenzt die strahlungsdurchlässige Umhüllung zumindest stellenweise eine Kavität, die mit dem zweiten reflektierenden Material gefüllt ist. Beispielsweise umhüllt die strahlungsdurchlässige
Umhüllung den Halbleiterchip an sämtlichen Seitenflächen und der zweiten Hauptfläche. An der zweiten Hauptfläche kann dann in die strahlungsdurchlässige Umhüllung eine Ausnehmung eingebracht sein, die vom Material der
strahlungsdurchlässigen Umhüllung und/oder der zweiten
Hauptfläche des Halbleiterchips begrenzt ist. Auf diese Weise begrenzt die strahlungsdurchlässige Umhüllung zumindest stellenweise eine Kavität. Die Kavität kann mit dem zweiten reflektierenden Element befüllt sein. Das heißt, das zweite reflektierende Element ist zumindest teilweise in der Kavität angeordnet. Dabei ist es insbesondere möglich, dass die
Außenfläche der strahlungsdurchlässigen Umhüllung, die mit dem zweiten reflektierenden Element in direktem Kontakt steht, in vorgebbarer Weise geformt ist. Beispielsweise kann die strahlungsdurchlässige Umhüllung in diesem Bereich konkav gekrümmt sein. Mit Hilfe der Ausgestaltung der Außenfläche der strahlungsdurchlässigen Umhüllung ist dann eine
Strahlformung der austretenden Strahlung möglich.
Es ist ferner möglich, dass sich die strahlungsdurchlässige Umhüllung von der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils zum Halbleiterchip hin bezüglich ihrer Dicke verjüngt. Die Dicke wird dabei in einer Richtung senkrecht zu den beiden Hauptflächen des Halbleiterchips gemessen . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils weist der
Halbleiterchip an seiner zweiten Hauptfläche Ausnehmungen auf, die mit dem zweiten reflektierenden Element befüllt sind. Beispielsweise kann der Halbleiterchip an seiner zweiten Hauptfläche eine Aufrauung aufweisen, durch die eine Vielzahl von Ausnehmungen in der Hauptfläche geschaffen sind. Diese Aufrauungen können zufällig oder regelmäßig sein. Die derart strukturierte zweite Hauptfläche kann eine Änderung des Auskoppelwinkels der aus dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil austretenden Strahlung bewirken. Darüber hinaus ist die Wahrscheinlichkeit für einen Austritt von Strahlung aus dem Halbleiterchip erhöht. Die durch die
Strukturierung gebildeten Ausnehmungen können mit dem Material des reflektierenden Elements verfüllt sein, sodass eine effiziente Reflexion von im Halbleiterchip erzeugter elektromagnetischer Strahlung stattfindet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils umfasst das
Halbleiterbauteil eine reflektierende Beschichtung, die eine Anschlussstelle an einer der Hauptflächen des Halbleiterchips zumindest stellenweise bedeckt. Die Anschlussstellen und/oder gegebenenfalls Stromverteilungsbahnen an der Außenfläche des Halbleiterchips können von der reflektierenden Beschichtung bedeckt sein, welche eventuell Strahlungsabsorbierende
Bereiche der Anschlussstellen und/oder der
Stromverteilungsbahnen abdeckt. Die reflektierende
Beschichtung kann mit dem gleichen Material wie das zweite reflektierende Element gebildet sein.
Das hier beschriebene Strahlungsemittierende
Halbleiterbauteil kann zur direkten Hinterleuchtung eines Bild gebenden Elements, zum Beispiel eines LCD-Panels,
Verwendung finden. Dazu kann zum Beispiel eine Vielzahl der Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteile auf einem
gemeinsamen Träger, zum Beispiel einer Platine, angeordnet werden. Die den Halbleiterbauteilen zugewandte Außenfläche der Platine kann das erste reflektierende Element ausbilden oder zumindest zum Teil ausbilden.
Es wird weiter eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Die Beleuchtungsvorrichtung kann insbesondere ein hier
beschriebenes Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil als Lichtquelle umfassen. Das heißt, sämtliche für das
Halbleiterbauteil beschriebenen Merkmale sind auch für die Beleuchtungsvorrichtung offenbart . Die Beleuchtungsvorrichtung umfasst gemäß einer
Ausführungsform einen Lichtleiter und ein
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, wie es hier beschrieben ist. Der Lichtleiter weist eine Ausnehmung auf, in der das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil
angeordnet ist. Der Lichtleiter umgibt das Halbleiterbauteil an sämtlichen seiner seitlichen Strahlungsaustrittsflächen, die quer zu den Hauptflächen des Halbleiterchips verlaufen. Das heißt, die aus den Strahlungsaustrittsflächen austretende Strahlung des Halbleiterbauteils wird im Bereich der
Ausnehmung im Lichtleiter in diesen eingekoppelt. Der
Lichtleiter kann dazu mit einem strahlungsdurchlässigen, zum Beispiel transparenten Material gebildet. Beispielsweise ist ein Reflektor an einer Bodenfläche des Lichtleiters
angeordnet. Das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil ist vorzugsweise derart in der Ausnehmung des Lichtleiters befestigt, dass die erste Hauptfläche des Halbleiterchips zum Reflektor zeigt und die zweite Hauptfläche vom Reflektor weg gerichtet ist. Dabei ist es auch möglich, dass der Reflektor durch den Träger des strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteils gebildet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Beleuchtungsvorrichtung ist die Ausnehmung im Lichtleiter ein Durchbruch. Das heißt, die Ausnehmung erstreckt sich durch den gesamten Lichtleiter, der Lichtleiter weist im Bereich der Ausnehmung ein Loch auf. In diesem Fall ist es
beispielsweise möglich, dass der Lichtleiter mit der
Ausnehmung auf die Beleuchtungsvorrichtung aufgesetzt wird und die Beleuchtungsvorrichtung in dieser Weise in der
Ausnehmung des Lichtleiters angeordnet werden kann. Der Lichtleiter kann dann beispielsweise am Reflektor, also zum Beispiel am Träger der Beleuchtungsvorrichtung, befestigt werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Beleuchtungsvorrichtung umfasst die Beleuchtungsvorrichtung zumindest zwei der hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterbauelemente, wobei jedes Strahlungsemittierende Halbleiterbauteil in einer Ausnehmung des Lichtleiters angeordnet ist. Insbesondere ist es möglich, dass der
Lichtleiter eine Vielzahl von Ausnehmungen aufweist, wobei in jede Ausnehmung ein hier beschriebenes
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil eingebracht ist. Auf diese Weise kann ein großflächiger Lichtleiter besonders homogen ausgeleuchtet werden. Durch die besonders flach ausbildbaren strahlungsemittierenden Halbleiterbauteile und die Einkopplung der elektromagnetischen Strahlung dieser Halbleiterbauteile über die gesamte Fläche des Lichtleiters kann ein sehr flacher Lichtleiter und damit eine sehr flache Beleuchtungsvorrichtung realisiert werden. Die
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteile können dabei getrennt voneinander ansteuerbar sein, sodass beispielsweise ein Dimmen der Halbleiterbauteile lokal durchgeführt werden kann. Auf diese Weise kann die Leuchtstärke des aus dem
Lichtleiter austretenden Lichts lokal eingestellt werden. Die Beleuchtungsvorrichtung kombiniert damit die Vorteile eines so genannten "edge lights", da sie sehr dünn ist, mit den Vorteilen einer Direktbeleuchtung, aufgrund der effizienten Nutzung der elektromagnetischen Strahlung der
strahlungsemittierenden Halbleiterbauteile .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der
Beleuchtungsvorrichtung wird die dem Halbleiterchip
abgewandte Außenfläche des zweiten reflektierenden Elements von einer Strahlungsaustrittsfläche des Lichtleiters überragt oder schließt bündig mit dieser ab. Das heißt, die
Strahlungsaustrittsfläche des Lichtleiters verläuft quer, beispielsweise senkrecht, zu den seitlichen
Strahlungsaustrittsflächen der Strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteile. Der Lichtleiter weist eine Dicke auf, die im Wesentlichen der Dicke des Halbleiterbauteils entspricht.
Es wird weiter eine Anzeigevorrichtung angegeben. Die
Anzeigevorrichtung umfasst wenigstens eine hier beschriebene Beleuchtungsvorrichtung als Hinterleuchtungsvorrichtung .
Sämtliche für das hier beschriebene Halbleiterbauteil sowie sämtliche für die hier beschriebene Beleuchtungsvorrichtung offenbarten Merkmale sind daher auch für die
Anzeigevorrichtung offenbart. Die Anzeigevorrichtung umfasst weiter ein bildgebendes Element, bei dem es sich
beispielsweise um ein Flüssigkristall-Display handeln kann. Die Beleuchtungsvorrichtung hinterleuchtet das bildgebende Element, wobei die Strahlungsaustrittsfläche des Lichtleiters dem bildgebenden Element zugewandt ist. Mit der hier
beschriebenen Beleuchtungsvorrichtung ist aufgrund ihrer geringen Dicke eine besonders dünne Anzeigevorrichtung realisierbar, bei der aufgrund der Anordnung der seitlich emittierenden Halbleiterbauteile in Aussparungen oder
Ausnehmungen des Lichtleiters und verteilt über die gesamte Fläche des Lichtleiters ein lokales Dimmen erfolgen kann.
Im Folgenden werden die hier beschriebenen
Halbleiterbauteile, die Beleuchtungsvorrichtung sowie die Anzeigevorrichtung anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 1A bis IC ist ein erstes Herstellungsverfahren zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Halbleiterbauteils näher erläutert.
Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 2A bis 2C ist ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Halbleiterbauteils näher erläutert.
Anhand der schematischen Darstellung der Figuren 3, 4, 5, 6,
7A, 7B, 7C sind weitere Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Halbleiterbauteilen und
Beleuchtungsvorrichtungen näher erläutert.
In Verbindung mit Figur 8 ist anhand einer schematischen
Schnittdarstellung eine hier beschriebene Anzeigevorrichtung näher erläutert. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 1A ist ein Verfahrensschritt zur Herstellung eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils 100 näher erläutert. Im ersten Verfahrensschritt werden eine Vielzahl von volumenemittierenden Halbleiterchips 1 auf einem Träger 4 angeordnet. Bei dem volumenemittierenden Halbleiterchip 1 handelt es sich beispielsweise um so
genannte Saphir-Chips, die neben einem epitaktisch
gewachsenen Halbleiterkörper ein strahlungsdurchlässiges Saphir-Aufwachssubstrat umfassen. Die volumenemittierenden Halbleiterchips 1 emittieren elektromagnetische Strahlung durch ihre erste Hauptfläche 11, ihre zweite Hauptfläche 12 sowie die Seitenflächen 13.
Die Halbleiterchips 1 sind auf einem Träger 4 angeordnet. Bei dem Träger 4 handelt es sich beispielsweise um eine bedruckte Leiterplatte, die reflektierend ausgebildet sein kann. Die Halbleiterchips 1 sind vorliegend mit ihren Anschlussstellen 15 am Träger 4 aufgelötet oder elektrisch leitend aufgeklebt. Zwischen der ersten Hauptfläche 11 und dem Träger 4 ist ein erstes reflektierendes Element 21 angeordnet. Vorliegend ist das erste reflektierende Element 21 durch eine wie oben beschrieben elektrisch isolierende und reflektierend
ausgebildete Schicht gebildet. Das elektrisch isolierende Element 21 umfasst daher ein elektrisch isolierendes
Matrixmaterial, zum Beispiel Silikon, in das
Strahlungsstreuende und/oder Strahlungsreflektierende
Partikel eingebracht sind. Alternativ ist es möglich, dass die erste Hauptfläche 11 auf andere Weise reflektierend ausgebildet ist, beispielsweise durch Beschichtung mit einem reflektierenden Material.
An sämtlichen freiliegenden Außenflächen der Halbleiterchips 1 wird die strahlungsdurchlässige Umhüllung 5 durch ein Mold- Verfahren aufgebracht. Das heißt, die strahlungsdurchlässige Umhüllung 5 grenzt an die Seitenflächen 13 und die der ersten Hauptfläche 11 gegenüberliegende zweite Hauptfläche 12 der Halbleiterchips 1. Beispielsweise können die Halbleiterchips 1 dazu eingerichtet sein, im Betrieb blaues Licht zu erzeugen, die strahlungsdurchlässige Umhüllung 5 umfasst dann Partikel von Lumineszenzkonversionsstoffen, die einen Teil des blauen Lichts absorbieren und Licht höherer Wellenlänge re-emittieren, sodass insgesamt weißes Mischlicht abgestrahlt werden kann. Alternativ ist es möglich, dass die
Halbleiterchips 1 farbiges Licht erzeugen, welches die strahlungsdurchlässige Umhüllung 5 ohne konvertiert zu werden durchdringt . Eine Kavität 6 kann durch Formung des Mold-Werkzeugs , das heißt durch entsprechende Ausgestaltung der
strahlungsdurchlässigen Umhüllung 5, derart gestaltet werden, dass die seitliche Auskopplung zu den
Strahlungsaustrittsflächen 3 hin optimiert wird. Bei
Verwendung von Folienverfahren kann die zweite Hauptfläche 12 des Halbleiterchips auch frei vom Material der
strahlungsdurchlässigen Umhüllung 5 bleiben. Auf diese Weise kann ein besonders dünnes Halbleiterbauteil realisiert werden .
In einem nachfolgenden Verfahrensschritt, Figur 1B, erfolgt ein zweites Mold-Verfahren, bei dem das zweite reflektierende Element 22 aufgebracht wird. Das zweite reflektierende
Element 22 wird dabei in die Kavität 6 eingebracht, die durch Material der strahlungsdurchlässigen Umhüllung 5 begrenzt ist. Ferner können Zwischenräume zwischen den einzelnen
Halbleiterchips 1, in denen die strahlungsdurchlässige
Umhüllung 5 nicht vorhanden ist, mit dem Material des zweiten reflektierenden Elements 22 gefüllt werden. Das zweite reflektierende Material 22 kann beispielsweise als elektrisch isolierende, reflektierende Schicht ausgebildet sein. Das zweite reflektierende Material 22 ist dann zum Beispiel mit einem Matrixmaterial gebildet, in das, wie oben beschrieben, reflektierende oder streuende Partikel eingebracht sind.
In einem nachfolgenden Verfahrensschritt erfolgt ein Zersägen oder Lasertrennen der derart hergestellten Anordnung,
vergleiche Figur IC. Es resultieren einzelne, hier
beschriebene Strahlungsemittierende Halbleiterbauteile 100. Die Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteile weisen jeweils Strahlungsaustrittsflächen 3 auf, die quer, vorliegend senkrecht, zu den beiden Hauptflächen 11, 12 des
Halbleiterchips 1 verlaufen. Das heißt, aus dem
volumenemittierenden Halbleiterchip 1 wird aufgrund der
Anordnung der reflektierenden Elemente 21, 22 ein
seitenemittierendes Halbleiterbauteil, das sich insbesondere durch seine geringe Dicke auszeichnet, die im Wesentlichen durch die Dicke des Halbleiterchips 1 bestimmt ist. Die strahlungsdurchlässige Umhüllung 5 weist von den
Strahlungsaustrittsflächen 3 in Richtung des Halbleiterchips 1 eine abnehmende Dicke auf. Durch diese Ausgestaltung und die angrenzenden reflektierenden Elemente wird die
elektromagnetische Strahlung zur Seite hin, das heißt zu den Strahlungsaustrittsflächen 3 hin, aus dem Halbleiterbauteil hinaus geführt. In Verbindung mit der Figur 2A ist ein erster
Verfahrensschritt eines weiteren Verfahrens zur Herstellung eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteils näher erläutert. Bei diesem Verfahren werden die volumenemittierenden Halbleiterchips 1 ähnlich zum Verfahrensschritt der Figur 1A auf einem Träger 4 angeordnet. Zwischen den Halbleiterchips 1 befinden sich Barrieren 8, welche die herzustellenden Halbleiterbauteile voneinander abgrenzen. Zusätzlich dienen diese Barrieren 8 dazu, dass im Verfahrensschritt der Figur 2B mittels beispielsweise
Dispensen eingebrachtes Material der strahlungsdurchlässigen Umhüllung 5 durch Adhäsionskräfte an die obere, dem Träger 4 abgewandte Kante der Barrieren 8 gezogen wird. Die Dosierung des Materials der strahlungsdurchlässigen Umhüllung 5 kann dabei derart erfolgen, dass die strahlungsdurchlässige
Umhüllung 5 an ihrer der Barriere 8 abgewandten Seite bündig mit der dem Träger 4 abgewandten Oberseite, das heißt zweiten Hauptfläche 12, des Halbleiterchips 1 abschließt. Dadurch kann sich ein konkav gewölbter Meniskus der
strahlungsdurchlässigen Umhüllung 5 zwischen Halbleiterchip 1 und Barriere 8 ausbilden.
Nachfolgend, Figur 2C, wird das zweite reflektierende Element 22 beispielsweise wieder als reflektierende Schicht bis zur Oberkante der Barriere 8 in die Kavität 6, die durch die strahlungsdurchlässige Umhüllung 5 sowie die zweite
Hauptfläche 12 des Halbleiterchips 1 begrenzt ist, gefüllt. In einem letzten Verfahrensschritt erfolgt ein Trennen in einzelne Strahlungsemittierende Halbleiterbauteile, wobei die Barriere 8 beispielsweise mittels Sägen entfernt wird.
In Verbindung mit Figur 3 ist ein weiteres
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils anhand einer schematischen Schnittdarstellung näher erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Anschlussstellen 15 des
Halbleiterchips 1 an der dem Träger 4 abgewandten Seite des Halbleiterchips 1 angeordnet. Die Anschlussstellen 15 sind beispielsweise mit Gold gebildet, was für sichtbares Licht teilweise absorbierend ist. Die Anschlussstellen und/oder gegebenenfalls Stromverteilungsbahnen an der Außenfläche des Halbleiterchips können von einer reflektierenden Beschichtung 23 bedeckt sein, welche eventuell Strahlungsabsorbierende Bereiche der Anschlussstellen und/oder der
Stromverteilungsbahnen abdeckt. Die reflektierende
Beschichtung 23 kann mit dem gleichen Material wie das zweite reflektierende Element 22 gebildet sein.
Der Halbleiterchip 1 ist mittels eines Verbindungsmittels 9, zum Beispiel eines Klebstoffs, auf den Träger 4 geklebt, der vorliegend auch das erste reflektierende Element 21 an der ersten Hauptfläche 11 des Halbleiterchips 1 ausbildet.
Alternativ oder zusätzlich kann der Halbleiterchip 1 als erstes reflektierendes Element eine Verspiegelung der ersten Hauptfläche 11 aufweisen, die beispielsweise als Bragg- Reflektor ausgebildet sein kann und/oder durch eine
metallische Beschichtung gegeben ist. Das zweite
reflektierende Element 22 kann beispielsweise komplett reflektierend ausgebildet sein, sodass es nicht von Strahlung des Halbleiterchips 1 durchdrungen wird. In diesem Fall stellt das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil einen idealen Seiten-Emitter dar. Es ist jedoch auch möglich, dass das zweite reflektierende Element nur teilweise reflektierend ausgebildet ist und ein, wenn auch geringer Anteil der im Chip erzeugten elektromagnetischen Strahlung durch das zweite reflektierende Element tritt. In diesem Fall wird die dem Träger 4 abgewandte Oberseite des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils homogen ausgeleuchtet.
Das heißt, das zweite reflektierende Element kann teilweise strahlungsdurchlässig ausgebildet sein. Das heißt, ein Teil der im Halbleiterchip 1 erzeugten elektromagnetischen
Strahlung tritt durch das zweite reflektierende Element, was zu einer Ausleuchtung der dem Träger abgewandten Oberseite des Halbleiterbauteils führt. Beim Einsatz des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils in einem
Lichtleiter kann sich dies als besonders vorteilhaft
erweisen, da bei eingeschaltetem Halbleiterbauteil und
Strahlungsaustrittsfläche des Lichtleiters an der dem
Halbleiterchip abgewandten Außenfläche des zweiten
reflektierenden Elements das Halbleiterbauteil im Lichtleiter nicht mehr oder nur kaum zu erkennen ist. Auf diese Weise werden durch das Halbleiterbauteil in der Abstrahlfläche des Lichtleiters keine dunklen Punkte oder Flecken erzeugt.
Der Halbleiterchip 1 ist mittels Kontaktdrähten 16 elektrisch leitend am Träger 4 angeschlossen. Die Kontaktdrähte 16 sind vollständig innerhalb der strahlungsdurchlässigen Umhüllung 5 angeordnet und aufgrund des zweiten reflektierenden Elements 22 von außen nicht zu erkennen.
Ein Großteil der vom Halbleiterchip 2 im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung wird durch die seitlichen
Strahlungsaustrittsflächen 3 ausgekoppelt.
In Verbindung mit Figur 4 ist anhand einer schematischen Schnittdarstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils beschrieben. In diesem Ausführungsbeispiel weist der
Halbleiterchip 1 eine zweite Hauptfläche 12 auf, welche
Ausnehmungen 14 aufweist, die mit dem zweiten reflektierenden Element 22 befüllt sind. Die strukturierte Oberseite des Halbleiterchips 1, die beispielsweise als Aufrauung
ausgeführt sein kann, führt zur Änderung des Auskoppelwinkels der vom Halbleiterbauteil im Betrieb emittierten
elektromagnetischen Strahlung. Auf diese Weise kann ein besonders flacher Aufbau des strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteils erfolgen. Beim in Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 5 gezeigten Ausführungsbeispiel des
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils ist auf den direkten Kontakt zwischen dem zweiten reflektierenden Element 22 und dem Halbleiterchip 1 verzichtet. Das Halbleiterbauteil ist aber vorteilhaft mittels eines einfachen Mold-Verfahrens herstellbar (vergleiche dazu auch die Figuren 1A bis IC) . In Verbindung mit den schematischen Schnittdarstellungen der Figur 6 ist ein Ausführungsbeispiel einer hier beschriebenen Beleuchtungsvorrichtung näher erläutert.
Die Beleuchtungsvorrichtung umfasst einen Lichtleiter 7, in den eine Ausnehmung 71 eingebracht ist. Die Ausnehmung 71 ist mit einem hier beschriebenen strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteil gefüllt. An der Unterseite des Lichtleiters 7 ist ein Reflektor 72 angeordnet. Die dem Reflektor 72 abgewandte Oberseite des Lichtleiters 7 bildet die Strahlungsaustrittsfläche 74 der
Beleuchtungsvorrichtung. Für den Fall, dass auch das zweite reflektierende Element 22 des strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteils 100 teilweise strahlungsdurchlässig ausgebildet ist, kann sich im Blick auf die
Beleuchtungsvorrichtung, wie in Figur 6 dargestellt, eine homogene Leuchtfläche ergeben.
Der Graben 30 zwischen Halbleiterbauteil 100 und den
Strahlungseintrittsflächen 73 des Lichtleiters 7 kann nach dem Einbringen des Halbleiterbauteils mit einem
strahlungsdurchlässigen Material, zum Beispiel einem Index- Matching-Gel , befüllt werden. Dieses Material kann auch zur mechanischen Befestigung des Halbleiterbauteils 100 im
Lichtleiter 7 dienen.
Alternativ zum in der Figur 6 dargestellten
Ausführungsbeispiel ist es auch möglich, dass der Reflektor 7 durch den Träger des Halbleiterbauteils 4 gebildet ist. In diesem Fall kann der Lichtleiter mit als Durchbrüchen
ausgebildeten Ausnehmungen 71 auf das Halbleiterbauteil 1 gestülpt werden.
In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der Figuren 7A, 7B und 7C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils näher erläutert. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterchip 1 an seiner ersten Hauptfläche 11 und seiner zweiten Hauptfläche 12 mit dem Material des ersten
reflektierenden Elements 21 und des zweiten reflektierenden Elements 22 beschichtet. Beispielsweise kann das erste reflektierende Material 21 durch eine Rückseitenverspiegelung des Halbleiterchips 1 gebildet sein, die metallisch und/oder dielektrisch ausgebildet ist. Zum Beispiel kann die Schicht aus Aluminium bestehen oder Aluminium enthalten.
Das zweite reflektierende Element 22 kann beispielsweise als eine wie oben beschriebene reflektierende Schicht ausgebildet sein, die zum Beispiel ein Silikon als Matrixmaterial
enthält, in das Partikel aus Titandioxid eingebracht sind. Das zweite reflektierende Element 22 kann dabei zum Beispiel mittels Spray Coating als Schicht gleichmäßiger Dicke auf die zweite Hauptfläche 12 des Halbleiterchips 1 aufgebracht sein.
Das zweite reflektierende Element 22 kann dabei auch
Stromverteilungsbahnen des Halbleiterchips 1 abdecken. Anschlussstellen 15 bleiben vom reflektierenden Element 22 frei oder werden nach dem Aufbringen des reflektierenden Elements 22 freigelegt. Es resultiert ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, bei dem die Seitenflächen 13 des Halbleiterchips 1 die seitliche Strahlungsaustrittsfläche 3 des Halbleiterbauteils bildet. Ein solches Halbleiterbauteil zeichnet sich
insbesondere durch seine sehr kompakte Bauweise aus.
In Verbindung mit Figur 8 ist anhand einer schematischen Schnittdarstellung eine hier beschriebene Anzeigevorrichtung näher erläutert. Die Anzeigevorrichtung umfasst eine hier beschriebene Beleuchtungsvorrichtung 101 mit einer Vielzahl hier beschriebener strahlungsemittierender
Halbleiterbauteile, denen an der Strahlungsaustrittsfläche 74 der Beleuchtungsvorrichtung 101 das bildgebende Element 102 nachgeordnet ist, bei dem es sich beispielsweise um ein LCD- Panel handelt.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102012102114.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) mit
- einem volumenemittierenden Halbleiterchip (1), der eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist,
- einem ersten reflektierenden Element (21), das an der ersten Hauptfläche (11) angeordnet ist und durch die erste Hauptfläche (11) im Betrieb des Halbleiterchips (1)
austretende elektromagnetische Strahlung zur ersten
Hauptfläche (11) zurück reflektiert,
- einem zweiten reflektierenden Element (22), das an der zweiten Hauptfläche (12) angeordnet ist und durch die zweite Hauptfläche (12) im Betrieb des Halbleiterchips (1)
austretende elektromagnetische Strahlung zur zweiten
Hauptfläche (12) zurück reflektiert, und
- zumindest einer Strahlungsaustrittsfläche (3) , durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils (100) erzeugte
elektromagnetische Strahlung aus dem Halbleiterbauteil (100) tritt, wobei
- die zumindest eine Strahlungsaustrittsfläche (3) quer zu der ersten Hauptfläche (11) und der zweiten Hauptfläche (12) des Halbleiterchips (1) verläuft.
2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem das zweite reflektierende Element (22) die zweite Hauptfläche (12) vollständig überdeckt.
3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem das zweite reflektierende Element (22) teilweise strahlungsdurchlässig ausgebildet ist und die dem Halbleiterchip (1) abgewandte Seite des zweiten
reflektierenden Elements (22) eine Strahlungsaustrittsfläche (3) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils bildet
4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem das zweite (22) und/oder das erste reflektierende Element (21) als reflektierende und elektrisch isolierende Schicht ausgebildet sind, wobei die Schicht ein
Matrixmaterial umfasst, in das streuende oder reflektierende Partikel eingebracht sind.
5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem die Partikel zumindest aus einem der Materialien T1O2, BaSC>4, ZnO, AlxOy, ZrC>2, Metallfluorid, Siliziumoxid bestehen oder eines der genannten Materialien enthalten.
6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem das zweite (22) und/oder das erste reflektierende Element (21) zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der zugeordneten Hauptfläche (12, 11) des Halbleiterchips (1) stehen .
7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der Halbleiterchip (1) mit seiner ersten Hauptfläche (11) auf einem Träger (4) befestigt ist, wobei der Träger (4) zumindest einen Teil des ersten reflektierenden Elements (21) bildet und/oder das erste reflektierende Element (21)
zumindest zum Teil zwischen dem Träger (4) und der ersten Hauptfläche (11) angeordnet ist.
8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der Halbleiterchip (1) zumindest eine Seitenfläche (13) umfasst, die quer zu den Hauptflächen (11, 12) verläuft, wobei der Halbleiterchip (1) zumindest an der Seitenfläche (13) von einer strahlungsdurchlässigen Umhüllung (5) umgeben ist .
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem die strahlungsdurchlässige Umhüllung (5) zumindest stellenweise eine Kavität (6) begrenzt, die mit dem zweiten reflektierenden Element (22) befüllt ist.
10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der Halbleiterchip (1) an seiner zweiten Hauptfläche (12) Ausnehmungen (14) aufweist, die die mit dem zweiten reflektierenden Element (22) befüllt sind.
11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche mit
- einer reflektierenden Beschichtung (23) , die eine
Anschlussstelle (15) an einer der Hauptflächen (11, 12) des Halbleiterchips zumindest stellenweise bedeckt.
12. Beleuchtungsvorrichtung (101) mit
- einem Lichtleiter (7), und
- einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei
- der Lichtleiter (7) eine Ausnehmung (71) aufweist, - das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (100) in der Ausnehmung (71) angeordnet ist, und
- der Lichtleiter (7) das Halbleiterbauteil (100) an
zumindest einer der Strahlungsaustrittsflächen (3) umgibt.
13. Beleuchtungsvorrichtung (101) nach dem vorherigen
Anspruch,
bei der die Ausnehmung (71) ein Durchbruch ist.
14. Beleuchtungsvorrichtung (101) nach einem der beiden vorherigen Ansprüche,
mit zumindest zwei Strahlungsemittierenden
Halbleiterbauteilen (100), wobei jedes strahlungsemittierende Halbleiterbauteil in einer Ausnehmung (71) des Lichtleiters (7) angeordnet ist.
15. Beleuchtungsvorrichtung (101) nach einem der drei
vorherigen Ansprüche,
bei der die dem Halbleiterchip (1) abgewandte Außenfläche (221) des zweiten reflektierenden Elements (22) vom einer Strahlungsaustrittsfläche (74) des Lichtleiters (7) überragt wird oder bündig mit der Strahlungsaustrittsfläche (74) des Lichtleiters (7) abschließt.
16. Anzeigevorrichtung mit
- einer Beleuchtungsvorrichtung (101) nach einem der vier vorherigen Ansprüche, und
- einem bildgebenden Element (102), wobei
- die Beleuchtungsvorrichtung (101) das bildgebende Element (102) hinterleuchtet, und
- die Strahlungsaustrittsfläche (74) des Lichtleiters (7) dem bildgebenden Element (102) zugewandt ist.
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