DE102010032302A1

DE102010032302A1 - Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Info

Publication number: DE102010032302A1
Application number: DE201010032302
Authority: DE
Inventors: Gerald Demleitner; Thomas Bemmerl; Dr. Streppel Ulrich; Dr. Binder Michael
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2010-07-26
Filing date: 2010-07-26
Publication date: 2012-01-26

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit – zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt; – zumindest einem in einer Strahlungsaustrittsrichtung (101) des Halbleiterbauteils (100) dem Halbleiterchip (1) nachgeordneten, reflektierenden Element (2), das von dem Halbleiterchip (1) emittierte, auf es auftreffende elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in Richtung des Halbleiterchips (1) zurückreflektiert, wobei – das reflektierende Element (2) in der Strahlungsaustrittsrichtung (101) des Halbleiterbauteils (100) beabstandet zu dem Halbleiterchip (1) angeordnet ist, und – das reflektierende Element (2) in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils mit einer Hauptfläche (11) des Halbleiterchips (1) zumindest stellenweise überlappt

Description

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, welches im ausgeschalteten Betriebszustand bei Betrachtung einer Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterbauteils für einen externen Betrachter gemäß einem vorgebbaren, homogenen Farbeindruck erscheint.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt. Beispielsweise handelt es sich bei dem Halbleiterchip um einen Leuchtdiodenchip, der Strahlung in einem Wellenlängenbereich innerhalb des ultravioletten bis infraroten Spektralbereichs der elektromagnetischen Strahlung emittiert. Vorzugsweise emittiert der Leuchtdiodenchip Licht im sichtbaren oder ultravioletten Bereich des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung. Beispielsweise ist der Halbleiterchip zur elektrischen Kontaktierung auf einem Träger aufgebracht. Bei dem Träger kann es sich um eine Leiterplatte oder einen metallischen Trägerrahmen (Leadframe) handeln.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest ein in einer Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils dem Halbleiterchip nachgeordnetes, reflektierendes Element, das von dem Halbleiterchip emittierte, auf es auftreffende elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in Richtung des Halbleiterchips zurückreflektiert. Beispielsweise handelt es sich bei der Strahlungsaustrittsrichtung um eine Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips. ”Reflektierend” heißt in diesem Zusammenhang insbesondere, dass das reflektierende Element für auftreffende elektromagnetische Strahlung wenigstens zu 50%, bevorzugt zu mehr als 60% reflektierend für die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung sein kann. Insbesondere kann es sich um ein diffus reflektierendes Element handeln, das für einen Teil der auf das reflektierende Element treffenden Strahlung auch durchlässig sein kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das reflektierende Element in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils beabstandet zu dem Halbleiterchip angeordnet. Das heißt, dass das reflektierende Element und der Halbleiterchip nicht in direktem Kontakt miteinander stehen. Ein Spalt zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip und dem reflektierenden Element kann mit Luft oder einem strahlungsdurchlässigen, insbesondere klarsichtigen, Material gefüllt sein. ”Strahlungsdurchlässig” heißt, dass ein derartiges Material wenigstens zu 80%, bevorzugt zu mehr als 90%, für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappt das reflektierende Element in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils mit einer Hauptfläche des Halbleiterchips zumindest stellenweise. Beispielsweise ist die Hauptfläche des Halbleiterchips eine dem reflektierenden Element zugewandte Außenfläche des Halbleiterchips. Beispielsweise wird primär innerhalb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise über die Hauptfläche des Halbleiterchips aus diesem ausgekoppelt werden. ”Überlappen” heißt in diesem Zusammenhang, dass mathematische Projektionen der Hauptfläche des Halbleiterchips und des reflektierenden Elements auf eine gedachte Ebene senkrecht zur Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils miteinander zumindest stellenweise deckgleich sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest ein in einer Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils dem Halbleiterchip nachgeordnetes, reflektierendes Element, das von dem Halbleiterchip emittierte, auf es auftreffende elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in Richtung des Halbleiterchips zurückreflektiert. Das reflektierende Element ist in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils beabstandet zu dem Halbleiterchip angeordnet und überlappt in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils mit einer Hauptfläche des Halbleiterchips zumindest stellenweise.
Das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil beruht dabei unter anderem auf der Erkenntnis, dass in einem ausgeschalteten Betriebszustand des Halbleiterbauteils ein beispielsweise innerhalb des Halbleiterbauteils angeordneter Halbleiterchip für einen externen Betrachter erkennbar sein kann. Beispielsweise erzeugen für einen externen Betrachter bei einer Draufsicht auf das Halbleiterbauteil, also in einer Richtung entgegen einer Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils, die Umrisse eines solchen Halbleiterchips ein inhomogenes Farbbild. Durch ein derartiges, inhomogenes Farbbild sind insbesondere Helligkeitsunterschiede bei Betrachtung des Halbleiterbauteils in der Draufsicht erkennbar. Ist dem Halbleiterchip beispielsweise ein Konversionselement, zur Konversion von vom Halbleiterchip primär emittierter elektromagnetischer Strahlung, in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils dem Halbleiterchip nachgeordnet, kann im ausgeschalteten Betriebszustand des Halbleiterbauteils für einen externen Betrachter zusätzlich das Konversionselement sichtbar sein und beispielsweise farbig erscheinen. Beispielsweise ist in der Draufsicht ein durch das Konversionselement hervorgerufener Farbpunkt innerhalb des Halbleiterbauteils wahrnehmbar.
Um nun ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, bei dem im ausgeschalteten Betriebszustand des Halbleiterbauteils bei Betrachtung des Halbleiterbauteils in der Draufsicht Helligkeits- und/oder Farbunterschiede vermieden sind, macht das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil unter anderem von der Idee Gebrauch, dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils ein reflektierendes Element nachzuordnen, das von dem Halbleiterchip emittierte, auf es auftreffende elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in Richtung des Halbleiterchips zurückreflektiert. In der Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteil verdeckt das reflektierende Element die Umrisse des Halbleiterchips und/oder das dem Halbleiterchip in Strahlungsaustrittsrichtung nachgeordnete Konversionselement zumindest teilweise. Dadurch weist für einen externen Betrachter das Halbleiterbauteil in der Draufsicht möglichst wenig Helligkeits- und/oder Farbunterschiede auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das reflektierende Element nicht klarsichtig. ”Nicht klarsichtig” heißt, dass das reflektierende Element insbesondere nicht transparent für auftreffende elektromagnetische Strahlung ist. Vorzugsweise ist das reflektierende Element für elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Bereich zumindest teilweise strahlungsundurchlässig.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform streut das reflektierende Element die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise diffus.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest ein Konversionselement, das in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip nachgeordnet ist. Das Konversionselement konvertiert zumindest teilweise von vom Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung zumindest einer anderen Wellenlänge. Vorzugsweise ist das Konversionselement in der Strahlungsaustrittsrichtung zwischen dem Halbleiterchip und dem reflektierenden Element angeordnet. Beispielsweise ist das Konversionselement, zum Beispiel direkt, auf die Hauptfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips aufgebracht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip in einer Draufsicht auf eine Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauteils zumindest stellenweise verdeckt. Mit anderen Worten ist für einen externen Betrachter der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauteils der Halbleiterchip und/oder ein dem Halbleiterchip in der Strahlungsaustrittsrichtung nachgeordnetes Konversionselement für einen externen Betrachter zumindest stellenweise nicht erkennbar. Vorteilhaft sind damit die Umrisse des Halbleiterchips und/oder des Konversionselements und/oder elektrischer Anschlussstellen und Anschlussleitungen des Halbleiterchips für einen externen Betrachter zumindest teilweise nicht sichtbar. ”Strahlungsaustrittsfläche” bedeutet in diesem Zusammenhang die Außenfläche des Halbleiterbauteils, über die zumindest teilweise von dem Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Halbleiterbauteil ausgekoppelt wird. Die Strahlungsaustrittsfläche ist in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils dem Halbleiterchip nachgeordnet. Dabei können die Hauptfläche des Halbleiterchips und die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauteils in der Strahlungsaustrittsrichtung miteinander überlappen. Zum Beispiel ist die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauteils zumindest stellenweise durch eine dem Halbleiterchip abgewandte Außenfläche des reflektierenden Elements gebildet. Das reflektierende Element kann von außen einsehbar und zugänglich sein. Vorzugsweise ist die dem Halbleiterchip abgewandte Außenfläche des reflektierenden Elements zusammenhängend ausgebildet. Das kann heißen, dass das reflektierende Element selbst einstückig und zusammenhängend ausgebildet ist. Insbesondere ist das reflektierende Element nicht durch voneinander getrennte Teilstücke oder durch ein Netz oder Gitter mit Freiräumen gebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip in einer Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauteils vollständig verdeckt. Das heißt, dass in der Draufsicht die Umrisse des Halbleiterchips und/oder des Konversionselements und/oder weiterer Komponenten des Halbleiterbauteils für einen externen Betrachter vollständig verdeckt sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt die Strahlungsaustrittsfläche in vertikaler Richtung bündig mit dem reflektierenden Element ab. Das heißt, dass sich zwischen der Strahlungsaustrittsfläche und dem reflektierenden Element in einer lateralen Richtung weder ein Spalt noch eine Unterbrechung ausbildet. ”Vertikale Richtung” heißt in diesem Zusammenhang eine Richtung parallel zur Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils. ”Laterale Richtung” heißt in diesem Zusammenhang eine Richtung senkrecht zur vertikalen Richtung. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil einen Reflektor, der den Halbleiterchip zumindest stellenweise in lateraler Richtung umrandet und auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung, die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip emittiert wird, in Richtung weg vom Halbleiterchip reflektiert. Beispielsweise erhöht der Reflektor eine Strahlungsauskoppeleffizienz des optoelektronischen Halbleiterbauteils. ”Strahlungsauskoppeleffizienz” heißt in diesem Zusammenhang das Verhältnis von aus dem Halbleiterbauteil ausgekoppelter Leuchtenergie zu primär innerhalb des Halbleiterchips erzeugter Leuchtenergie. Dabei ist der Reflektor in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils zwischen reflektierenden Element und dem Halbleiterchip angeordnet.
Vorteilhaft ersetzt das reflektierende Element beispielsweise zusammen mit dem Reflektor zur Formung einer Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauteils dem Halbleiterbauteil in Strahlungsaustrittsrichtung nachgeschaltete Optiken. Mit anderen Worten kann mittels des hier beschriebenen reflektierenden Elements eine Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauteils individuell und gezielt angepasst und/oder eingestellt werden. Durch die individuelle Anpassung der geometrischen Abmessungen des reflektierenden Elements kann je nach Bedarf und gezielt elektromagnetische Strahlung auf den Reflektor zurückreflektiert werden. Die aus dem Halbleiterbauteil ausgekoppelte Strahlung weist die gewünschte, vorgebbare Abstrahlcharakteristik auf. Vorteilhaft führt der Verzicht auf nachgeschaltete Optiken zu einem Halbleiterbauteil mit einer geringen lateralen Ausdehnung. Das hier beschriebene Halbleiterbauteil ist daher kompakt im Aufbau. Ferner entfällt ein aufwendiges Anpassungsverfahren von nachgeschalteten Optiken mit dem optoelektronischen Halbleiterbauteil, wodurch das hier beschriebene Halbleiterbauteil kostengünstig und einfach in der Herstellung ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umrandet der Reflektor zumindest stellenweise die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauteils in lateraler Richtung. Beispielsweise umrandet der Reflektor die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauteils in lateraler Richtung vollständig. Denkbar ist, dass der Reflektor in vertikaler Richtung mit der Strahlungsaustrittsfläche und/oder dem reflektierenden Element bündig abschließt. Beispielsweise ist in einer Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsfläche der Reflektor kreisförmig, oval oder ellipsoid ausgeformt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt ein strahlungsdurchlässiger Verguss den Halbleiterchip zumindest stellenweise formschlüssig, wobei eine dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgewandte Außenfläche des Vergusses zumindest stellenweise die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterbauelements bildet. Beispielsweise bedeckt der strahlungsdurchlässige Verguss die Außenflächen des Halbleiterchips, eine dem Halbleiterchip zugewandte Fläche des Reflektors und eine dem Halbleiterchip zugewandte Außenfläche des reflektierenden Elements vollständig. Mit anderen Worten füllt der strahlungsdurchlässige Verguss den Raum zwischen dem Halbleiterchip, dem Reflektor und dem reflektierenden Element zumindest teilweise aus. Zum Beispiel ist die Strahlungsaustrittsfläche durch die dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgewandten Außenflächen des Vergusses und des reflektierenden Elements gebildet. Dabei kann das reflektierende Element einen Zentralbereich der Strahlungsaustrittsfläche bilden, wobei ein Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche frei von dem reflektierenden Element ist. Der Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche kann teilweise oder vollständig durch die Außenfläche des strahlungsdurchlässigen Vergusses gebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das reflektierende Element zumindest stellenweise durch zumindest ein strahlungsreflektierendes Material gebildet, welches zumindest stellenweise auf der dem Halbleiterchip abgewandten Außenfläche des Vergusses in einer im Verguss ausgebildeten Senkung angeordnet ist. Beispielsweise erscheint für einen externen Betrachter das reflektierende Element weiß. Beispielsweise füllt das strahlungsreflektierende Material die Senkung vollständig aus. Dazu wird das reflektierende Material beispielsweise in noch zähflüssiger Form in die Senkung eingefüllt und kann anschließend zu dem reflektierenden Element aushärten. Zum Beispiel ist die Außenfläche des strahlungsdurchlässigen Vergusses außerhalb der Senkung frei von dem reflektierenden Material. ”Frei” heißt, dass diese Stellen der Außenfläche nicht von dem strahlungsreflektierenden Material bedeckt sind. Es ist höchstens möglich, dass herstellungsbedingt sich noch Materialreste des strahlungsreflektierenden Materials auf den Bereichen außerhalb der Senkung der Strahlungsaustrittsfläche befinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das reflektierende Element zumindest stellenweise durch zumindest ein strahlungsreflektierendes Material gebildet, welches zumindest stellenweise auf der dem Halbleiterchip abgewandten Außenfläche des Vergusses im Bereich einer im Verguss ausgebildeten Erhebung angeordnet ist. „Im Bereich” heißt, dass das reflektierende Element vorzugsweise zumindest auf dem Teil der Außenfläche des Vergusses angeordnet ist, der die Erhebung ausbildet. Insbesondere ist die Erhebung durch Material des strahlungsdurchlässigen Vergusses gebildet. Vorzugsweise sind die Erhebung und der Verguss einstückig ausgebildet und beispielsweise durch Vergießen in einem einzigen Vergussvorgang ausgebildet. Beispielsweise ist das strahlungsreflektierende Material in Form einer Schicht zumindest stellenweise auf die Außenfläche des Vergusses beispielsweise mittels Jetten, Molding oder Vergießen aufgebracht. Eine Dicke der Schicht, das heißt die vertikale Ausdehnung des reflektierenden Elements, kann sich in lateraler Richtung entlang der Erhebung verringern und außerhalb der Erhebung ein Maximum aufweisen. Mit anderen Worten variiert die Dicke des reflektierenden Elements in lateraler Richtung. Beispielsweise bedeckt das reflektierende Element die Außenfläche des Vergusses außerhalb der Erhebung nur teilweise, sodass innerhalb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung über den von dem reflektierenden Element freien Teil der Außenfläche des Vergusses aus dem Halbleiterbauteil austreten kann, ohne auf das reflektierende Element zu treffen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsreflektierende Material strahlungsreflektierende Partikel, die beispielsweise mit zumindest einem der Materialien TiO₂, BaSO₄, ZnO, Al_xO_y gebildet sind oder zumindest eines der Materialien enthalten. Beispielsweise sind die strahlungsreflektierenden Partikel in ein Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel in ein Materixmaterial, eingebracht. Bei dem Matrixmaterial kann es sich um ein Silikon, ein Epoxid oder eine Mischung aus Silikon und Epoxid handeln. Das Matrixmaterial und die strahlungsreflektierenden Partikel können dann zusammen das strahlungsreflektierende Material bilden. Beispielsweise kann das Reflexionsvermögen des reflektierenden Elements in Abhängigkeit der Konzentration der strahlungsreflektierenden Partikel individuell und gezielt eingestellt werden. Beispielsweise sind die strahlungsreflektierenden Partikel innerhalb des reflektierenden Elements gleichmäßig verteilt. Für einen externen Betrachter erscheint das reflektierende Element aufgrund der Reflexionseigenschaften des reflektierenden Elements beispielsweise weiß, da von dem reflektierenden Element vorzugsweise das gesamte auftreffende Farbspektrum des Umgebungslichts reflektiert wird. Um die jeweiligen Designanforderungen an das Halbleiterbauteil zu treffen, kann das reflektierende Element für einen externen Betrachter auch andersfarbig erscheinen. Beispielsweise ist das reflektierende Element und/oder die für einen externen Betrachter sichtbare Außenfläche des reflektierenden Elements durch Zusatz geeigneter Materialien eingefärbt sein. Die Konzentration der strahlungsreflektierenden Partikel im Matrixmaterial beträgt wenigstens 0,1 Gew-% und höchstens 25 Gew-%. Die strahlungsreflektierenden Partikel weisen einen Durchmesser, zum Beispiel einen d₅₀-Wert, in Q₀ gemessen, von zum Beispiel wenigstens 200 nm und höchstens 600 nm, beispielsweise von 400 nm, auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil eine Abdeckung, die in vertikaler Richtung über dem Halbleiterchip angeordnet ist und das reflektierende Element umfasst, wobei die Abdeckung im Bereich außerhalb des reflektierenden Elements strahlungsdurchlässig ist und an einer dem Halbleiterchip zugewandten Seite des Reflektors angeordnet ist. Beispielsweise ist dazu auf die dem Halbleiterchip abgewandte Außenfläche des Vergusses die Abdeckung mittels Vergießens oder Druckens (auch Jetten) aufgebracht. Ebenso ist denkbar, dass die Abdeckung mit einer Glasplatte gebildet ist, in die das reflektierende Element beispielsweise mittels eines Ätzprozesses, eingebracht ist. Die Abdeckung kann dann auf die Außenfläche des Vergusses aufgesetzt, beispielsweise auf die Außenfläche aufgeklebt, sein. Beispielsweise steht die Abdeckung beidseits des reflektierenden Elements in direktem Kontakt mit dem Reflektor. Denkbar ist, dass dazu die Abdeckung in dem Bereich, in dem die Abdeckung den Reflektor berührt, in Aufnahmestellen des Reflektors mündet und über diese mit dem Reflektor befestigt ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine dem Halbleiterchip zugewandte Außenfläche des reflektierenden Elements zumindest stellenweise Mikrostrukturen auf oder ist zumindest stellenweise mit diesen gebildet, wobei die Mikrostrukturen zumindest stellenweise mit einem metallischen Material beschichtet sind. Vorteilhaft kann eine durch derartige Mikrostrukturen gebildete Außenfläche für auftreffende elektromagnetische Strahlung hochreflektiv und gleichzeitig diffus streuend sein. Eine derartige Außenfläche des reflektierenden Elements hat mit anderen Worten keine Vorzugsrichtung in der Reflexion. Zum Beispiel sind die Mikrostrukturen in Form von sphärischen Mikrolinsen ausgebildet und/oder weisen eine Prismenstruktur auf oder bilden eine solche auf der Außenfläche des reflektierenden Elements aus. Das metallische Material ist für vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung wenigstens zu 80%, bevorzugt zu mehr als 90% reflektierend. Zum Beispiel ist das metallische Material mit Al oder Cr oder einer Mischung der genannten Materialien gebildet.
Ebenso ist es möglich, dass die dem Halbleiterchip zugewandte Außenfläche des reflektierenden Elements optisch glatt und beispielsweise poliert ist. ”Optisch glatt” bedeutet hierbei, dass die Oberflächenrauheit der Außenfläche deutlich kleiner ist als die Wellenlängen des Wellenlängenspektrums der von dem Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung. Eine derartige Außenfläche kann für auf sie auftreffende Strahlung hochreflektiv sein und keine Streuung der auftreffenden elektromagnetischen Strahlung verursachen.
Weiter ist denkbar, dass das reflektierende Element und damit die Außenfläche des reflektierenden Elements für einen externen Betrachter weiß erscheint und auftreffende elektromagnetische Strahlung diffus streut. Denkbar ist, dass die dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip zugewandte Außenfläche des reflektierenden Elements zu Lambert'schen oder Gauß'schen Streucharakteristiken des reflektierenden Elements in Bezug auf auftreffende elektromagnetische Strahlung führt.
Im Folgenden wird das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Die 1A, 1B und 1F zeigen Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.
Die 1C bis 1E zeigen einzelne Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen reflektierenden Elements.
Die 2A bis 2F zeigen in schematischen Seitenansichten verschiedene Strahlungsaustrittswege innerhalb des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.
Die 3A bis 3C und 4A bis 4C zeigen grafische Auftragungen zur Erläuterung von Ausführungsbeispielen eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.
Die 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.
In den Ausführungsbeispielen und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
In der 1A ist einer schematischen Schnittdarstellung ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil 100 mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 dargestellt, der über eine Hauptfläche 11 elektromagnetische Strahlung emittiert. Dem Halbleiterchip 1 ist in einer Strahlungsaustrittsrichtung 101 des Halbleiterbauteils 100 ein nicht klarsichtiges, reflektierendes Element 2 nachgeordnet. Das reflektierende Element 2 reflektiert teilweise vom Halbleiterchip 1 emittierte auf es auftreffende elektromagnetische Strahlung in Richtung des Halbleiterchips 1 zurück. Das reflektierende Element 2 ist in der Strahlungsaustrittsrichtung 101 des Halbleiterbauteils 100 beabstandet zu dem Halbleiterchip 1 angeordnet.
Ferner verdeckt das reflektierende Element 2 in einer Draufsicht auf eine Strahlungsaustrittsfläche 102 des Halbleiterbauteils 100 den Halbleiterchip 1 vollständig. Mit anderen Worten sind für einen externen Betrachter, beispielsweise im ausgeschalteten Betriebzustand des Halbleiterbauteils 100, die Umrisse und/oder von dem Halbleiterchip 1 zurückreflektiertes farbiges Umgebungslicht nicht sichtbar. Die Strahlungsaustrittsfläche 102 erscheint daher für einen externen Betrachter des Halbleiterbauteils 100 in einem homogenen und gleichmäßigen Farbeindruck.
In lateraler Richtung L umrandet ein Reflektor 3 sowohl den strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 als auch das reflektierende Element 2 vollständig. Der Reflektor 3 reflektiert auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung in Richtung weg von dem Halbleiterchip 1 in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche 102. Dabei umrandet der Reflektor 3 in lateraler Richtung L die Strahlungsaustrittsfläche 102 des Halbleiterbauteils 100 vollständig.
Ein strahlungsdurchlässiger Verguss 4 bedeckt sowohl die Hauptfläche 11 des Halbleiterchips 1 als auch weitere, freiliegende Außenflächen des Halbleiterchips 1, eine dem strahlungsdurchlässigen Halbleiterchip 1 zugewandte Fläche des Reflektors 3 und eine dem Halbleiterchip 1 zugewandte Außenfläche 66 des reflektierenden Elements 2 vollständig und formschlüssig. Die Strahlungsaustrittsfläche 102 ist durch Teile einer dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 abgewandten Außenfläche 44 des strahlungsdurchlässigen Vergusses 4 und eine dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 abgewandte Außenfläche 21 des reflektierenden Elements 2 gebildet. Insbesondere ist in der 1A erkennbar, dass das reflektierende Element 2 durch ein strahlungsreflektierendes Material 22 gebildet ist, welches auf der Außenfläche 44 des strahlungsdurchlässigen Vergusses 4 in einer im strahlungsdurchlässigen Verguss 4 ausgebildeten Senkung 45 eingebracht ist. Das strahlungsreflektierende Material 22 füllt die Senkung 45 vollständig aus. Das Einbringen kann mittels Vergießen, Jetten oder Dispensen des strahlungsreflektierenden Materials 22 in die Senkung 45 geschehen. Dazu wird beispielsweise das reflektierende Material 22 in noch zähflüssiger Form in die Senkung 45 eingebracht und anschließend zu dem reflektierenden Element 2 ausgehärtet. Das strahlungsreflektierende Material 22 ist mit einem Matrixmaterial, beispielsweise einem Silikon oder einem Epoxid, gebildet, in das strahlungsreflektierende Partikel 222 einer vorgebbaren Konzentration eingebracht sind. Insbesondere können die strahlungsreflektierenden Partikel 222 mit TiO₂ gebildet sein.
Das reflektierende Element 2 und der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 stehen über den strahlungsdurchlässigen Verguss 4 lediglich in mittelbarem Kontakt. Dabei schließen in vertikaler Richtung V sowohl das reflektierende Element 2, als auch der strahlungsdurchlässige Verguss 4 und der Reflektor 3 bündig miteinander ab.
In der 1B ist das in der 1A dargestellte optoelektronische Halbleiterbauteil 100 ohne das reflektierende Element 2 dargestellt.
In der 1C ist das in der 1A dargestellte reflektierende Element 2 näher beschrieben. Das reflektierende Element 2 weist die dem Halbleiterchip 1 zugewandte Außenfläche 66 auf. Dabei ist die Außenfläche 66 in Bezug auf den Halbleiterchip 1 konvex ausgebildet. Vorteilhaft kann durch eine derart konvex ausgebildete Außenfläche 66 des reflektierenden Elements 2 eine divergente Rückreflexion erzeugt werden, durch die ein Großteil der reflektierten Strahlung direkt den Reflektor 3 treffen und und von diesem reflektiert werden kann. Mit anderen Worten kann durch eine konvex ausgebildete Außenfläche 66 des reflektierenden Elements 2 möglichst wenig auftreffende elektromagnetische Strahlung zurück in Richtung des Halbleiterchips 1 reflektiert werden.
In der 1D ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen reflektierenden Elements 2 gezeigt, bei dem das strahlungsreflektierende Material 22 auf der Außenfläche 44 des strahlungsdurchlässigen Vergusses 4 im Bereich einer im strahlungsdurchlässigen Verguss 4 ausgebildeten Erhebung 46 angeordnet ist. Vorliegend ist eine dem Halbleiterchip 1 abgewandte Außenfläche 466 der Erhebung 46 in Bezug auf den Halbleiterchip 1 konkav ausgebildet. Das heißt, dass durch die konkave Ausbildung der Außenfläche 466 der Erhebung 46 auch die Außenfläche 66 des reflektierenden Elements 2 konkav ausgebildet ist und dadurch auf das reflektierende Element 2 auftreffende elektromagnetische Strahlung von dem reflektierenden Element 2 konvergent zurückgestreut werden kann. Das kann heißen, dass möglichst viel Strahlung wieder zurück in Richtung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 reflektiert wird. Vorliegend ist das reflektierende Element 2 durch eine Schicht 222 ausgebildet. Dazu ist das reflektierende Material 22 beispielsweise mittels Vergießen oder eines Druckprozesses auf die Außenfläche 44 des strahlungsdurchlässigen Vergusses 4 aufgebracht. In lateraler Richtung L verringert sich eine Schichtdicke D des reflektierenden Elements 2 im Bereich der Erhebung 46.
In der 1E ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen reflektierenden Elements 2 dargestellt. Dazu ist die Senkung 45 kegelstumpfartig in dem strahlungsdurchlässigen Verguss 4 ausgebildet. Vorteilhaft kann auch eine derartige kegelstumpfartige Ausbildung des reflektierenden Elements 2 zu einer divergenten Rückreflexion führen.
In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, dass die Ausformung der Senkung 45 und/oder Erhebung 46 und die damit einhergehende Ausformung des reflektierenden Elements 2 durch die hier beschriebenen Ausführungsformen nicht beschränkt ist. Vielmehr kann die konkrete Ausgestaltung des reflektierenden Elements 2 beispielsweise durch den strahlungsdurchlässigen Verguss 4 beliebig an die erforderlichen Beleuchtungsbedürfnisse des optoelektronischen Halbleiterbauteils 100 angepasst werden.
In der 1F ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils 100 gezeigt. Im Unterschied zu dem in der 1A gezeigten optoelektronischen Halbleiterbauteil 100 schließt in vertikaler Richtung V das reflektierende Element 2 mit dem strahlungsdurchlässigen Verguss 4 nicht bündig ab. Mit anderen Worten ist das reflektierende Element 2 über den strahlungsdurchlässigen Verguss 4 erhaben. Weiter sind in der 1F Abmessungen D1 bis D4 des optoelektronischen Halbleiterbauteils 100 und deren Elemente gezeigt, wobei die gezeigten Abmessungen grundsätzlich für jede Ausführungsform des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils 100 gelten können. Dabei bezeichnet die Abmessung D1 einen minimalen Abstand zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 und dem reflektierenden Element 2 in vertikaler Richtung V. Die Bezugszeichen D2, D3 und D4 bezeichnen jeweils Abmessungen des reflektierenden Elements 2, der Strahlungsaustrittsfläche 102 und des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 in lateraler Richtung L. In Bezug auf D2, D3 und D4 bedeutet „Abmessung”, falls das jeweilige Element in einer Draufsicht kreisförmig oder eliptisch ist, seinen größten Durchmesser. Falls das jeweilige Element in einer Draufsicht eine rechteckige oder quadratische Struktur Form aufweist, ist die Abmessung die größte Seitenlänge des jeweiligen Elements.
Vorzugsweise weißt das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 folgende Abmessungsverhältnisse auf:
Das Abmessungsverhältnis D2/D1 beträgt wenigstens 0,5 und höchstens 1,5. Weiter beträgt das Abmessungsverhältnis D3/D2 wenigstens 1,5 und höchstens 3,0. Ferner beträgt das Abmessungsverhältnis D2/D4 wenigstens 0,5 und höchstens 10.
Die 2A bis 2E zeigen in schematischen Schnittdarstellungen einige Strahlungsaustrittswege innerhalb des in den 1A und 1B beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils 100.
In der 2A ist gezeigt, dass die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung S ausschließlich auf das reflektierende Element 2 trifft. Dabei wird die elektromagnetische Strahlung S teilweise von dem reflektierenden Element 2 absorbiert. Der vom reflektierenden Element 2 nicht absorbierte Strahlungsanteil S1 kann über die Außenfläche 21 des reflektierenden Elements 2 aus dem optoelektronischen Halbleiterbauteil 100 ausgekoppelt werden. Dabei ist in der 2A erkennbar, dass mehr elektromagnetische Strahlung von dem reflektierenden Element 2 absorbiert wird, je größer an diesen Stellen die jeweilige vertikale Ausdehnung des reflektierenden Elements 2 ist.
In der 2B ist dargestellt, dass die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung S wiederum lediglich auf das reflektierende Element 2 trifft, von diesem diffus gestreut wird und anschließend aus diesem wieder austritt.
In der 2C ist erkennbar, dass die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung S von dem reflektierenden Element 2 zurück in Richtung des Halbleiterchips 1 reflektiert wird. Diese von dem reflektierenden Element 2 zurückreflektierte Strahlung wird vorliegend von dem Halbleiterchip 1 wiederum reflektiert und kann dann, beispielsweise über zusätzliche Reflexionen, aus dem Halbleiterbauteil 100 auskoppeln.
Die 2D zeigt einen weiteren Strahlungsaustrittsweg innerhalb des Halbleiterbauteils 100, bei dem die elektromagnetische Strahlung S zunächst auf das reflektierende Element 2 trifft, von dem reflektierenden Element 2 in Richtung des Reflektors 3 reflektiert wird und dann von dem Reflektor, nach zweimaliger Reflexion an dem Reflektor, über die Strahlungsaustrittsfläche 102 aus dem Halbleiterbauteil 100 ausgekoppelt wird.
Bei dem in der 2E dargestellten Strahlungsaustrittsweg wird die elektromagnetische Strahlung S, ohne vorher auf den Reflektor 3 und das reflektierende Element 2 zu treffen, direkt über die Strahlungsaustrittsfläche 102 aus dem Halbleiterbauteil 100 ausgekoppelt.
Weiter ist in der 2F ein weiteres Ausführungsbeispiel eines beispielhaften Strahlungsaustrittsweges dargestellt, bei dem die elektromagnetische Strahlung S sich in zwei Strahlungsbündel S2 und S3 aufteilt, welche jeweils den Reflektor 3 treffen. Dabei wird das Strahlungsbündel S2 von dem Reflektor 3 in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche 102 reflektiert, um dann über diese beispielsweise unter zusätzlicher Streuung an der Strahlungsaustrittsfläche 102 aus dem Halbleiterbauteil 100 auszukoppeln. Das Strahlungsbündel S2 wird vom Reflektor 3 zum reflektierenden Element 2 hin reflektiert. Zumindest ein Teil des von dem Reflektor 3 auf das reflektierende Element 2 gelenkten Strahlungsbündels S3 kann dann nach den in den 2A bis 2E dargestellten Strahlungsaustrittswegen weiter reflektiert und/oder absorbiert werden.
Zusammengefasst sind folgende Strahlungsaustrittswege oder beliebige Kombinationen der folgenden Strahlungsaustrittswege innerhalb des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils 100 beispielhaft denkbar:

a) Halbleiterchip 1 -> reflektierendes Element 2 -> Halbleiterchip 1 -> Auskopplung.
b) Halbleiterchip 1 -> reflektierendes Element 2 -> Reflektor 3 -> Auskopplung.
c) Halbleiterchip 1 -> Reflektor 3 -> Auskopplung.
d) Halbleiterchip 1 -> Reflektor 3 -> reflektierendes Element 2 -> Auskopplung.
e) Halbleiterchip 1 -> Auskopplung.

In den 3A bis 3C sind verschiedene Emissionsbilder E dargestellt, welche anhand einer Farbcodierung eine räumliche Beleuchtungsstärke zeigen. Dazu sind die jeweiligen Emissionsbilder E beispielsweise auf Projektionsschirme projiziert, in das ein Koordinatensystem integriert ist. Die Beleuchtungsstärken sind jeweils in diesen Koordinatensystemen aufgetragen, wobei eine X- und eine Y-Achse das Koordinatensystem ausbilden. Dabei bilden die X- und die Y-Achsen eine Ebene aus, die parallel zur Strahlungsaustrittsfläche 102 des Halbleiterbauteils 100 verläuft. Links neben einem jeweiligen Emissionsbild E ist eine Farbindikatortafel FB gezeigt, bei dem die jeweils in den Emissionsbildern E gezeigten Farben zu den jeweiligen Beleuchtungsstärken korrespondieren. Ferner weisen die 3A bis 3C Diagramme A und B auf, bei denen die jeweilige Beleuchtungsstärke gegen die X- beziehungsweise die Y-Achse aufgetragen ist. Dabei weist das reflektierende Element 2 in einer Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteil 100 eine Fläche von 1 mm² auf.
Erkennbar ist in den jeweiligen Emissionsbildern E, dass ein Beleuchtungsstärkenmuster am Ursprung der Koordinatensysteme, also in vertikaler Richtung V genau über dem reflektierenden Element 2, jeweils ein Maximum aufweist. Jeweils in Richtung weg von der X- beziehungsweise der Y-Achse schwächt sich die Beleuchtungsstärke ab. Vorliegend sind die Beleuchtungsstärkenmuster sowohl in X-Richtung als auch in Y-Richtung gaußförmig ausgebildet. Dabei ist erkennbar, dass in dem Emissionsbild E der 3A am Ursprung eine maximale Beleuchtungsstärke von 105 Lux gemessen werden konnte. In den Emissionsbildern E der 3B und 3C weist die maximale Beleuchtungsstärke am Ursprung jeweils 104 Lux sowie 103 Lux auf. Weiter weist das reflektierende Element 2 in der 3A eine Konzentration der strahlungsreflektierenden Partikel 222 innerhalb des strahlungsreflektierenden Materials 22 von 1,0 × 10⁸ Partikel/mm³ auf. Ferner weisen die reflektierenden Elemente 2 der 3B und 3C jeweils eine Konzentration von 2,0 × 10⁸ Partikel/mm³ und 3,0 × 10⁸ Partikel/mm³ auf.
Die 4A bis 4C zeigen weitere Emissionsbilder E eines weiteren Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils 100. Im Unterschied zu den Emissionsbildern E des in den 3A bis 3C gezeigten optoelektronischen Halbleiterbauteils 100 weist das reflektierende Element 2 einen Flächeninhalt von 1,25 mm² auf. Weiter ist erkennbar, dass eine maximale Beleuchtungsstärke am Ursprung des Emissionsbilds E der 4A 98 Lux beträgt. Ferner weisen Emissionsbilder E der 4B und 4C maximale Beleuchtungsstärken am Ursprung von 98 Lux sowie 97 Lux auf.
Die Emissionsbilder E zeigen jeweils keine Umrisse des reflektierenden Elements 2. Mit anderen Worten sind in der Mitte der jeweiligen Emissionsbilder E keine Schattenbilder des reflektierenden Elements 2 erkennbar und vorzugsweise auch nicht messbar.
Weiter ist in den 3A bis 4C erkennbar, dass mit zunehmender Konzentration der strahlungsreflektierenden Partikel 222 im reflektierenden Element 2 die Beleuchtungsstärken jeweils abnehmen können. Insbesondere nimmt jedoch die Beleuchtungsstärke nicht in dem Maße ab wie die Konzentration der strahlungsreflektierenden Partikel 222 im reflektierenden Element 2 zunimmt. Mit anderen Worten kann trotz zunehmender Konzentration der strahlungsreflektierenden Partikel 222 im reflektierenden Element 2 noch eine hohe Beleuchtungsstärke erreicht werden.
In der 5 ist in einer schematischen Schnittansicht ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt. Im Unterschied zu dem in den 1A und 1B gezeigten optoelektronischen Halbleiterbauteil 100 ist vorliegend auf den strahlungsdurchlässigen Verguss 4 verzichtet. Eine Abdeckung ist in vertikaler Richtung V über dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 angeordnet. Die Abdeckung 6 umfasst das reflektierende Element 2. Im Bereich außerhalb des reflektierenden Elements 2 ist die Abdeckung 6 für vom Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung strahlungsdurchlässig. In der 5 ist die Strahlungsaustrittsfläche 102 über eine dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 abgewandte Außenfläche der Abdeckung 6 außerhalb des reflektierenden Elements 2 gebildet. Die Abdeckung 6 ist mit dem Reflektor 3 in direktem Kontakt und an Anschlussstellen A1 und A2 an dem Reflektor 3 befestigt. Die dem Halbleiterchip 1 zugewandte Außenfläche 66 des reflektierenden Elements 2 weist Mikrostrukturen 7 auf, die vorliegend vollständig mit einem metallischen Material beschichtet sind. In der 5 trifft die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung S direkt, das heißt ohne vorherige Zwischenreflexion beispielsweise an dem Reflektor, auf das reflektierende Element 2 auf und wird von diesem vollständig zurück in Richtung des Halbleiterchips 1 reflektiert. Mit anderen Worten dient das reflektierende Element 2 als ein Spiegel innerhalb des optoelektronischen Halbleiterbauteils 100. Auf den Halbleiterchip 1 auftreffende Strahlung kann von diesem wiederum in Richtung des strahlungsdurchlässigen Bereichs der Abdeckung 6 reflektiert werden.
An dieser Stelle sei angemerkt, dass von dem hier beschriebenen Strahlungsaustrittsweg abgewichen werden kann. In Zusammenhang mit dem in der 5 gezeigten Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterbauteils 100 sind ebenso die in Zusammenhang mit den 2A bis 2F dargestellten Strahlungsaustrittswege denkbar.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr erfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100), mit – zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt; – zumindest einem in einer Strahlungsaustrittsrichtung (101) des Halbleiterbauteils (100) dem Halbleiterchip (1) nachgeordneten, reflektierenden Element (2), das von dem Halbleiterchip (1) emittierte, auf es auftreffende elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in Richtung des Halbleiterchips (1) zurückreflektiert, wobei – das reflektierende Element (2) in der Strahlungsaustrittsrichtung (101) des Halbleiterbauteils (100) beabstandet zu dem Halbleiterchip (1) angeordnet ist, und – das reflektierende Element (2) in der Strahlungsaustrittsrichtung des Halbleiterbauteils mit einer Hauptfläche (11) des Halbleiterchips (1) zumindest stellenweise überlappt.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach Anspruch 1, bei dem das reflektierende Element (2) nicht klarsichtig ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem das reflektierende Element (2) die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise diffus streut.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) in einer Draufsicht auf eine Strahlungsaustrittsfläche (102) des Halbleiterbauteils (100) zumindest stellenweise verdeckt ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Halbleiterchip (1) in einer Draufsicht auf eine Strahlungsaustrittsfläche (102) des Halbleiterbauteils (100) vollständig verdeckt ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach einem der Ansprüche 4 bis 5, bei dem die Strahlungsaustrittsfläche (102) in vertikaler Richtung (V) bündig mit dem reflektierenden Element (2) abschließt.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einem Reflektor (3), der den Halbleiterchip (1) zumindest stellenweise in lateraler Richtung (L) umrandet und auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung, die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) emittiert wird, in Richtung weg vom Halbleiterchip (1) reflektiert.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Reflektor (3) zumindest stellenweise die Strahlungsaustrittsfläche (102) des Halbleiterbauteils (100) in lateraler Richtung (L) umrandet.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach einem der Ansprüche 4 bis 8, bei dem ein strahlungsdurchlässiger Verguss (4) den Halbleiterchip (1) zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt, wobei eine dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgewandte Außenfläche (44) des Vergusses (4) zumindest stellenweise die Strahlungsaustrittsfläche (102) des Halbleiterbauelements (100) bildet.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach Anspruch 9, bei dem das reflektierende Element (2) zumindest stellenweise durch zumindest ein strahlungsreflektierendes Material (22) gebildet ist, welches zumindest stellenweise auf der dem Halbleiterchip (1) abgewandeten Außenfläche (44) des Vergusses (4) in einer im Verguss (4) ausgebildeten Senkung (45) angeordnet ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach Anspruch 9, bei dem das reflektierende Element (2) zumindest stellenweise durch zumindest ein strahlungsreflektierendes Material (22) gebildet ist, welches zumindest stellenweise auf der dem Halbleiterchip (1) abgewandten Außenfläche (44) des Vergusses (4) im Bereich einer im Verguss (4) ausgebildeten Erhebung (46) angeordnet ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach einem der Ansprüche 10 bis 11, bei dem das strahlungsreflektierende Material (22) strahlungsreflektierende Partikel (222) umfasst, die mit zumindest einem der folgenden Materialien gebildet sind oder zumindest eines der folgenden Materialien enthalten: TiO₂, BaSO₄, ZnO, Al_xO_y.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, mit eine Abdeckung (6), die in vertikaler Richtung (V) über dem Halbleiterchip (1) angeordnet ist und das reflektierende Element (2) umfasst, wobei die Abdeckung (6) im Bereich außerhalb des reflektierenden Elements (2) strahlungsdurchlässig ist und an einer dem Halbleiterchip (1) zugewandten Seite des Reflektors (3) angeordnet ist.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) nach Anspruch 13, bei dem eine dem Halbleiterchip (1) zugewandte Außenfläche (66) des reflektierenden Elements (2) zumindest stellenweise Mikrostrukturen (7) aufweist oder zumindest stellenweise mit diesen gebildet ist, wobei die Mikrostrukturen (7) zumindest stellenweise mit einem metallischen Material beschichtet sind.