WO2013118891A1 - 表面処理された金属粉、及びその製造方法 - Google Patents

表面処理された金属粉、及びその製造方法 Download PDF

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WO2013118891A1
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copper powder
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powder
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秀樹 古澤
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Jx日鉱日石金属株式会社
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    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
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    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14—Treatment of metallic powder
    • H—ELECTRICITY
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    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Definitions

  • the present invention relates to a surface-treated metal powder suitable for production of an electrode for a chip multilayer ceramic capacitor, and a production method thereof.
  • Chip monolithic ceramic capacitors are electronic components used in many electronic devices due to their small size and large capacity.
  • Chip monolithic ceramic capacitors have a structure in which ceramic dielectrics and internal electrodes are stacked and integrated in layers, and each laminated layer constitutes a capacitor element, and these elements are electrically connected in parallel by external electrodes. As a whole, it becomes one small and large-capacity capacitor.
  • a dielectric sheet is manufactured as follows. That is, first, an organic binder and a solvent as a dispersing agent and a molding aid are added to a dielectric raw material powder such as BaTiO 3 , and a slurry is obtained through pulverization, mixing, and defoaming steps. Thereafter, the slurry is thinly spread on a carrier film such as a PET film and applied by a coating method such as a die coater. It is dried to obtain a thin dielectric sheet (green sheet).
  • the metal powder that is a raw material of the internal electrode of the chip multilayer ceramic capacitor is mixed with an organic binder and a solvent as a dispersing agent or a molding aid and a defoaming step, as in the case of the dielectric raw material powder, It becomes.
  • the internal electrode is printed on a green sheet (dielectric sheet) mainly by screen printing, and after drying, the printed green sheet is peeled off from the carrier film, and a large number of such green sheets are laminated. .
  • the green sheets thus laminated are integrated by applying a pressing pressure of several tens to several hundreds of MPa, and then cut into individual chips. Thereafter, the internal electrode layer and the dielectric layer are sintered at a high temperature of about 1000 ° C. in a firing furnace. In this way, a chip multilayer ceramic capacitor is manufactured.
  • Pt was used for the internal electrode of such a chip multilayer ceramic capacitor.
  • Pd, Pd—Ag alloy, and currently Ni is mainly used from the viewpoint of cost.
  • Ni is replaced with Cu, in principle, low inductance can be realized for high frequency applications.
  • Cu has an advantage that the cost is lower than that of Ni.
  • the melting point of Cu is lower than that of Pt, Pd, and Ni in the first place. Furthermore, when Cu is employed as the internal electrode powder due to a decrease in melting point caused by an increase in surface area due to the reduction in particle diameter as described above, the melting of Cu powder at a lower temperature during firing is performed. Begins. This induces the generation of cracks in the electrode layer itself. Further, since the electrode layer contracts rapidly after the temperature is lowered, there is a possibility that the dielectric layer and the electrode layer are separated (delamination). In order to avoid such inconveniences, the metal powder for internal electrodes is required to have a heat shrinkage characteristic equivalent to that of a dielectric, and an index representing this is a sintering start temperature.
  • Patent Document 1 (Patent No. 4001438) disperses Cu powder in a liquid, adds an aqueous solution of a water-soluble salt of a metal element to this, adjusts the pH to fix the metal oxide to the surface of the Cu powder, This is a technology for strengthening the adhesion of the surface treatment layer by causing these surface treatment copper powders to collide with each other.
  • the process is composed of adsorption of metal oxide to copper powder and adhesion strengthening, there is a problem in terms of productivity.
  • the particle size of the copper powder is further smaller than 0.5 ⁇ m, the size of the metal oxide particles to be adsorbed becomes close, so that it is expected that the adsorption of the oxide itself to the copper powder becomes difficult.
  • Patent Document 2 Japanese Patent No. 4164209 is a technique for coating copper powder with silicone oil having a specific functional group.
  • oil and Cu powder are mixed, it is easy to aggregate and there is a problem in terms of workability.
  • separation of oil and Cu powder is difficult, and there exists a problem in the point of workability
  • Patent Document 3 is a technique for forming an SiO 2 gel coating film by subjecting alkoxysilane hydrolyzed on the surface of copper powder to condensation polymerization using an ammonia catalyst.
  • NH 3 as a catalyst when applied to copper powder having a particle size of 1 ⁇ m or less, NH 3 as a catalyst must be continuously added so as to prevent agglomeration, but reaction control depends on the skill of the specific operation skill of addition. It is very difficult, and there are problems in terms of workability and productivity.
  • an object of the present invention is to provide a surface-treated copper powder excellent in sintering retardancy, which can be suitably used for the production of an electrode for a chip multilayer ceramic capacitor, and a method for producing the same.
  • the present inventors have mixed copper powder and aminosilane aqueous solution and adsorbed aminosilane to the copper powder surface, so that there is no aggregation after the surface treatment, and the sintering delay is dramatically improved. As a result, the present invention has been reached. This operation is very simple, does not require advanced skills, is excellent in workability, and is excellent in productivity. Moreover, although the surface-treated copper powder obtained in this way was a copper powder with small particles, it showed a high sintering start temperature. Furthermore, it can be seen that surface-treated metal powder with excellent characteristics can be obtained both when the surface treatment is performed on a metal powder other than copper powder in the same manner and when the surface treatment is performed with a coupling agent other than aminosilane. It was.
  • the present invention includes the following items (1) to (27).
  • the copper powder according to any one of (1) to (2), which is detected by (4) The copper powder according to any one of (1) to (3), wherein the copper powder is a copper powder surface-treated with a silane coupling agent.
  • the copper powder according to any one of (1) to (8) which is obtained by mixing an aqueous solution of aminosilane and copper powder and stirring to dryness.
  • (20) A surface-treated copper powder obtained by further surface-treating the copper powder according to any one of (1) to (19) with an organic compound.
  • (21) (1) A conductive paste using the copper powder according to any one of (20).
  • (22) A chip ceramic multilayer capacitor produced using the paste of (21).
  • (23) The chip multilayer ceramic capacitor according to (22), wherein SiO 2 having a diameter of 10 nm or more is present in a cross section of the internal electrode.
  • (24) The chip multilayer ceramic capacitor according to (22) or (23), wherein SiO 2 having a maximum diameter of 0.5 ⁇ m or more is present at 0.5 pieces / cm 2 or less on a cross section of the internal electrode.
  • (25) (22) A multilayer substrate on which the chip multilayer ceramic capacitor according to any one of (24) is mounted on an outermost layer.
  • (26) (22) A multilayer substrate on which the chip multilayer ceramic capacitor according to any one of (24) is mounted on an inner layer.
  • (27) An electronic component on which the multilayer substrate according to (25) or (26) is mounted.
  • the present invention also includes the following (31) to (50).
  • (31) A step of mixing copper powder with an aminosilane aqueous solution to prepare a copper powder dispersion;
  • a method for producing a surface-treated copper powder comprising: (32) The method according to (31), comprising a step of stirring the copper powder dispersion. (33) The method according to (31) or (32), comprising a step of ultrasonicating the copper powder dispersion.
  • Aminosilane aqueous solution is represented by the formula I: H 2 N—R 1 —Si (OR 2 ) 2 (R 3 ) (Formula I) (However, in the above formula I, R1 is a linear or branched, saturated or unsaturated, substituted or unsubstituted, cyclic or acyclic, heterocyclic or non-heterocyclic, C1-C12 hydrocarbon. A divalent group, R2 is a C1-C5 alkyl group, R3 is a C1-C5 alkyl group or a C1-C5 alkoxy group.
  • R1 is a substituted or unsubstituted C1-C12 linear saturated hydrocarbon divalent group, a substituted or unsubstituted C1-C12 branched saturated hydrocarbon divalent group, substituted or unsubstituted C1-C12 linear unsaturated hydrocarbon divalent group, substituted or unsubstituted C1-C12 branched unsaturated hydrocarbon divalent group, substituted or unsubstituted C1-C12 ring A group consisting of a divalent group of formula hydrocarbon, a substituted or unsubstituted C1-C12 heterocyclic hydrocarbon divalent group, a substituted or unsubstituted C1-C12 aromatic hydrocarbon divalent group,
  • a step of further surface-treating the surface-treated copper powder with an organic compound comprising:
  • the present invention also includes the following (51) to (54).
  • (51) A surface-treated copper powder produced by the production method according to any one of (31) to (46).
  • (52) The electroconductive copper paste manufactured by the manufacturing method as described in (45).
  • (53) An electrode manufactured by the manufacturing method according to (46).
  • (54) An electrode for a chip multilayer ceramic capacitor manufactured by the manufacturing method according to (47).
  • the present invention also includes the following (61) to (63).
  • (61) A surface-treated copper powder produced by the production method according to any one of (31) to (46), In XPS survey measurement, the surface N is 1% or more, N photoelectrons are detected at 1000 cps (count per second), Si is 0.6% or more, and Si photoelectrons are detected at 1000 cps or more. Copper powder having a sintering start temperature of 400 ° C or higher.
  • the present invention also includes the following (71) to (71).
  • (71) In surface measurement of XPS, surface N was detected at 1% or more and any one of Ti, Al, Si, Zr, Ce, and Sn was detected at 0.6% or more.
  • Metal powder (72) The metal powder according to (71), wherein the metal powder is any one of Cu, Pt, Pd, Ag, and Ni. (73) (71) or (72) metal powder in which Ti, Al, Si, Zr, Ce, and Sn are adsorbed by a coupling agent treatment. (74) (73) The metal powder in which the coupling agent is any one of silane, titanate, and aluminate. (75) (74) A metal powder treated with a coupling agent having a terminal amino group.
  • (76) A metal powder having a surface temperature N of 1% or more and Ti, Al, Si, Zr, Ce, and Sn of 0.6% or more detected by XPS survey measurement, and a sintering start temperature of 400 ° C. or more.
  • (77) A conductive copper paste comprising the surface-treated metal powder according to any one of (71) to (76).
  • (78) (77) is an electrode formed by applying the conductive copper paste according to (77) and baking. An electrode in which SiO 2, TiO 2 , and Al 2 O 3 having a maximum diameter of 0.5 ⁇ m or more exist on the electrode cross section at 0.5 pieces / ⁇ m 2 or less.
  • the present invention also includes the following (101) to (101).
  • (101) Surface treatment in which XPS survey measurement detected N photoelectrons at 1000 cps (count per second) or higher and any photoelectron of Ti, Al, Si, Zr, Ce, or Sn detected at 1000 cps or higher Metal powder.
  • (102) In surface measurement of XPS, surface N was detected at 1% or more and any one of Ti, Al, Si, Zr, Ce, and Sn was detected at 0.6% or more.
  • Metal powder (103) The surface treatment according to any one of (101) to (102), in which surface N is detected at 1% or more and Si, Ti, or Al is detected at 0.6% or more in a survey measurement of XPS Metal powder.
  • N on the surface is detected at 1% or more, N photoelectrons are detected at 1000 cps (count per second) or more, and Si or Ti is detected at 0.6% or more, and Si, Ti or The metal powder according to any one of (101) to (103), wherein Al photoelectrons are detected at 1000 cps or more.
  • 106 The metal powder according to any one of (101) to (104), wherein the metal powder is a copper powder.
  • (116) Chip ceramic multilayer capacitor manufactured using 115 paste.
  • An aqueous coupling agent solution has the following formula I: H 2 N—R 1 —Si (OR 2 ) 2 (R 3 ) (Formula I) (However, in the above formula I, R1 is a linear or branched, saturated or unsaturated, substituted or unsubstituted, cyclic or acyclic, heterocyclic or non-heterocyclic, C1-C12 hydrocarbon. A divalent group, R2 is a C1-C5 alkyl group, R3 is a C1-C5 alkyl group or a C1-C5 alkoxy group.
  • R1 represents — (CH 2 ) n —, — (CH 2 ) n — (CH) m — (CH 2 ) j ⁇ 1 —, — (CH 2 ) n — (CC) — (CH 2 ) n ⁇ 1 -, - (CH 2) n -NH- (CH 2) m -, - (CH 2) n -NH- (CH 2) m -NH- (CH 2) j -, - (CH 2) n-1 -(CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -,-(CH 2 ) n-1- (CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -NH- (CH 2 ) j-
  • R1 represents — (CH 2 ) n —, — (CH 2 ) n — (CH) m — (CH 2 ) j ⁇ 1 —, — (CH 2 ) n — (CC) — (CH 2 ) n ⁇ 1 -, - (CH 2) n -NH- (CH 2) m -, - (CH 2) n -NH- (CH 2) m -NH- (CH 2) j -, - (CH 2) n-1 -(CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -,-(CH 2 ) n-1- (CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -NH- (CH 2 ) j- (Wherein n, m, and j are integers of 1 or more), the method according to (133).
  • (141) A surface-treated metal powder produced by the production method according to any one of (122) to (135), In the XPS survey measurement, surface N is 1% or more, N photoelectrons are detected at 1000 cps (count per second), Si, Ti or Al is 0.6% or more, and Si, Ti or Al photoelectrons are detected at 1000 cps or more. Metal powder having a sintering start temperature of 400 ° C or higher.
  • (143) An electrode obtained by applying the conductive metal powder paste according to (142) and baking it. An electrode wherein SiO 2 , TiO 2 or Al 2 O 3 having a maximum diameter of 0.5 ⁇ m or more is present at 0.5 pieces / ⁇ m 2 or less in the electrode cross section.
  • the surface-treated copper powder according to the present invention does not aggregate even after the surface treatment, has an excellent sintering delay property, and exhibits a high sintering start temperature even with a small particle copper powder. Therefore, if a conductive copper paste containing the surface-treated copper powder according to the present invention is used, manufacturing problems such as electrode peeling can be avoided, and the manufacture of an electrode for a chip multilayer ceramic capacitor can be advantageously performed. It can be carried out. Further, the surface-treated copper powder according to the present invention can be produced by performing a very simple treatment on the copper powder, and this production method does not require a high level of skill and is excellent in workability and productivity. It is a thing. Moreover, according to this invention, it has the same outstanding characteristic about metal powders other than copper powder.
  • FIG. 1 is a TEM image of a cross section of a sintered body obtained from surface-treated copper powder.
  • FIG. 2 is a graph showing the results of XPS survey measurement of the surface of the surface-treated copper powder (Example).
  • FIG. 3 is a graph showing the results of XPS survey measurement on the surface of the surface-treated copper powder (comparative example).
  • the copper powder is mixed with an aminosilane aqueous solution to prepare a copper powder dispersion, and the surface-treated copper powder can be obtained from the copper powder dispersion.
  • the copper powder used for the surface treatment a copper powder produced by a known method can be used.
  • a copper powder manufactured by a dry method or a copper powder manufactured by a wet method can be used as the copper powder.
  • the copper powder produced by the wet method is suitable in that it is a wet process consistently with the surface treatment according to the present invention.
  • the aminosilane aqueous solution is an aminosilane aqueous solution that can be used as a silane coupling agent.
  • the amount of aminosilane used is 0.025 g or more, preferably 0.050 g or more, and more preferably 0 with respect to 1 g of copper powder when the copper powder dispersion is used. 0.075 g or more, more preferably 0.10 g or more, or, for example, in amounts ranging from 0.025 to 0.500 g, 0.025 to 0.250 g, 0.025 to 0.100 g. Can be included.
  • the amount of aminosilane used is such that the volume of aminosilane at 25 ° C.
  • a silane containing one or more amino groups and / or imino groups can be used as the aminosilane.
  • the number of amino groups and imino groups contained in aminosilane can be, for example, 1 to 4, preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2, respectively. In a preferred embodiment, the number of amino groups and imino groups contained in aminosilane can be one each.
  • An aminosilane in which the total number of amino groups and imino groups contained in the aminosilane is 1, particularly monoaminosilane, 2 aminosilanes in particular, diaminosilane, and 3 aminosilanes in particular can be called triaminosilane. .
  • Monoaminosilane and diaminosilane can be preferably used in the present invention.
  • monoaminosilane containing one amino group can be used as aminosilane.
  • the aminosilane may comprise at least one, for example one amino group, at the end of the molecule, preferably at the end of a linear or branched chain molecule.
  • aminosilane examples include N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 1- Aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 1,2-diaminopropyltrimethoxysilane, 3-amino-1-propenyltrimethoxysilane, 3-amino-1-propynyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (vinylbenzyl) -2-aminoethyl- 3-a
  • aminosilanes represented by the following formula I can be used.
  • R1 is a linear or branched, saturated or unsaturated, substituted or unsubstituted, cyclic or acyclic, heterocyclic or non-heterocyclic, C1-C12 hydrocarbon.
  • a divalent group R2 is a C1-C5 alkyl group, R3 is a C1-C5 alkyl group or a C1-C5 alkoxy group.
  • R1 of formula I above is straight-chain or branched, saturated or unsaturated, substituted or unsubstituted, cyclic or acyclic, heterocyclic, or heterocyclic.
  • a C1-C12 hydrocarbon divalent group more preferably R1 is a substituted or unsubstituted C1-C12 linear saturated hydrocarbon divalent group, substituted or unsubstituted, C1-C12 branched saturated hydrocarbon divalent, substituted or unsubstituted, C1-C12 straight chain unsaturated hydrocarbon divalent, substituted or unsubstituted, C1-C12 branched Unsaturated hydrocarbon divalent group, substituted or unsubstituted C1-C12 cyclic hydrocarbon divalent group, substituted or unsubstituted C1-C12 heterocyclic hydrocarbon divalent group, substituted or A group selected from the group consisting of unsubstituted C1-C12 aromatic hydrocarbon divalent groups; Rukoto can.
  • R1 in the above formula I is a C1-C12 saturated or unsaturated chain hydrocarbon divalent group, and more preferably, the atoms at both ends of the chain structure are free valence atoms.
  • the carbon number of the divalent group can be, for example, C1 to C12, preferably C1 to C8, preferably C1 to C6, preferably C1 to C3.
  • R 1 in the above formula I is — (CH 2 ) n —, — (CH 2 ) n — (CH) m — (CH 2 ) j ⁇ 1 —, — (CH 2 ) n — ( CC)-(CH 2 ) n-1 -,-(CH 2 ) n -NH- (CH 2 ) m -,-(CH 2 ) n -NH- (CH 2 ) m -NH- (CH 2 ) j -,-(CH 2 ) n-1- (CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -,-(CH 2 ) n-1- (CH) NH 2- (CH 2 ) m-1 -NH It can be a group selected from the group consisting of — (CH 2 ) j ⁇ (where n, m and j are integers of 1 or more).
  • R1 is — (CH 2 ) n — or — (CH 2 ) n —NH— (CH 2 ). m- .
  • the hydrogen of R1 as the above divalent group may be substituted with an amino group, for example, 1 to Three hydrogens, for example 1 to 2 hydrogens, for example 1 hydrogen, may be replaced by amino groups.
  • n, m, and j in the above formula I are each independently an integer of 1 to 12, preferably an integer of 1 to 6, more preferably an integer of 1 to 4.
  • it can be an integer selected from 1, 2, 3, 4 and can be, for example, 1, 2 or 3.
  • R2 in formula I above can be a C1-C5 alkyl group, preferably a C1-C3 alkyl group, more preferably a C1-C2 alkyl group, such as a methyl group, an ethyl group, Group, isopropyl group or propyl group, preferably methyl group or ethyl group.
  • R3 in formula I above can be a C1-C5 alkyl group, preferably a C1-C3 alkyl group, more preferably a C1-C2 alkyl group as an alkyl group, for example, It can be a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, or a propyl group, preferably a methyl group or an ethyl group.
  • R3 in the above formula I can be a C1-C5 alkoxy group, preferably a C1-C3 alkoxy group, more preferably a C1-C2 alkoxy group as an alkoxy group. Group, isopropoxy group or propoxy group, preferably methoxy group or ethoxy group.
  • the aminosilane aqueous solution can be mixed with copper powder by a known method.
  • stirring can be appropriately performed by a known method.
  • the mixing can be performed at room temperature, for example, at a temperature in the range of 5 to 80 ° C., 10 to 40 ° C., or 20 to 30 ° C.
  • the copper powder dispersion can be mixed and sonicated.
  • the treatment time of the ultrasonic treatment is selected according to the state of the copper powder dispersion, but is preferably 1 to 180 minutes, more preferably 3 to 150 minutes, further preferably 10 to 120 minutes, more preferably 20 to 80. Can be minutes.
  • the ultrasonic treatment can be performed at an output of preferably 50 to 600 W, more preferably 100 to 600 W per 100 ml.
  • the sonication can be performed at a frequency of preferably 10-1 MHz, more preferably 20-1 MHz, more preferably 50-1 MHz.
  • the copper powder in the copper powder dispersion can be recovered as a surface-treated copper powder after being subjected to a surface treatment with aminosilane and then separated from the dispersion.
  • known means can be used, for example, filtration, centrifugation, decantation, etc. can be used.
  • drying can be performed as desired.
  • a known means can be used for drying, for example, drying by heating can be performed.
  • the heat drying can be performed, for example, at a temperature of 50 to 90 ° C. or 60 to 80 ° C., for example, by a heat treatment for 30 to 120 minutes or 45 to 90 minutes.
  • the copper powder may be further pulverized as desired.
  • the recovered surface-treated copper powder is adsorbed on the surface of the copper powder that has been further surface-treated for the purpose of preventing rust or improving dispersibility in the paste. You may let them.
  • the copper powder used for the surface treatment can be a copper powder obtained by a wet method.
  • a step of preparing a slurry by adding cuprous oxide in an aqueous solvent containing an additive of gum arabic, and dilute sulfuric acid in the slurry within 5 seconds The copper powder manufactured by the method including the process of adding at once and performing a disproportionation reaction can be used.
  • the slurry can be maintained at room temperature (20 to 25 ° C.) or lower, and dilute sulfuric acid held at room temperature or lower can be added to perform the disproportionation reaction.
  • the slurry can be maintained at 7 ° C. or lower, and dilute sulfuric acid maintained at 7 ° C. or lower can be added to perform a disproportionation reaction.
  • dilute sulfuric acid can be added so that the pH is 2.5 or less, preferably pH 2.0 or less, and more preferably pH 1.5 or less.
  • the addition of dilute sulfuric acid to the slurry is within 5 minutes, preferably within 1 minute, more preferably within 30 seconds, more preferably within 10 seconds, more preferably within 5 seconds.
  • the disproportionation reaction can be completed in 10 minutes.
  • the concentration of gum arabic in the slurry can be 0.229 to 1.143 g / L.
  • cuprous oxide it is possible to use cuprous oxide used in a known method, preferably cuprous oxide particles, and the particle size of the cuprous oxide particles is a copper powder produced by a disproportionation reaction. Since it is not directly related to the particle size of the particles, coarse cuprous oxide particles can be used.
  • the principle of this disproportionation reaction is as follows: Cu 2 O + H 2 SO 4 ⁇ Cu ⁇ + CuSO 4 + H 2 O
  • the copper powder obtained by this disproportionation can be washed, rust-proof, filtered, dried, crushed, classified, and then mixed with aminosilane, if desired. Thus, after washing, rust prevention and filtration, it can be directly mixed with the aminosilane aqueous solution without drying.
  • the copper powder obtained by the disproportionation reaction has an average particle size of 0.25 ⁇ m or less as measured by a laser diffraction particle size distribution analyzer.
  • the copper powder obtained by the disproportionation reaction has a D10, D90, and Dmax measured by a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus of [Dmax ⁇ D50 ⁇ 3, D90 ⁇ D50 ⁇ 2, D10. ⁇ D50 ⁇ 0.5], and the particle size distribution has a single peak.
  • the copper powder obtained by the disproportionation reaction has a single particle size distribution (having a single peak) as measured by a laser diffraction particle size distribution analyzer.
  • the value measured by a laser diffraction particle size distribution analyzer is [D50 ⁇ 1.5 ⁇ m], preferably [D50 ⁇ 1.0 ⁇ m], and more preferably [D50 ⁇ 0. 5 ⁇ m, Dmax ⁇ 1.0 ⁇ m].
  • a laser diffraction particle size distribution analyzer for example, SALD-2100 manufactured by Shimadzu Corporation can be used.
  • the surface-treated copper powder obtained by the present invention has an excellent sintering delay.
  • a sintering start temperature As an index of the sintering delay property, there is a sintering start temperature. This is the temperature at which a certain volume change (shrinkage) occurs when the green compact made of metal powder is heated in a reducing atmosphere. In the present invention, the temperature at which 1% volume shrinkage occurs is the sintering start temperature. Specifically, it was measured as described in the examples. A high sintering start temperature means that the sintering delay property is excellent.
  • the sintering start temperature of the surface-treated copper powder according to the present invention is 450 ° C. or higher, preferably 500 ° C. or higher, more preferably 600 ° C. or higher, more preferably 700 ° C. or higher, more preferably. Is 780 ° C. or higher, more preferably 800 ° C. or higher, more preferably 810 ° C. or higher, more preferably 840 ° C. or higher, more preferably 900 ° C. or higher, more preferably 920 ° C. or higher, more preferably 950 ° C. or higher. it can.
  • the sintering start temperature of Ni ultrafine powder (average particle size 0.2 to 0.4 ⁇ m), which has been conventionally used when a high sintering start temperature is required, is in the range of 500 to 600 ° C.
  • the surface-treated copper powder according to the present invention uses Cu, which is cheaper and easier to obtain than Ni, and has fine sintering properties, which are equal to or better than that of fine particles. .
  • the surface-treated copper powder according to the present invention can form a sintered body by heating the green compact in a reducing atmosphere.
  • the obtained sintered body is formed as an excellent electrode.
  • This sintering process can be suitably used particularly for the production of the internal electrode of a chip multilayer ceramic capacitor.
  • This sintered body can be suitably used particularly as an internal electrode of a chip multilayer ceramic capacitor.
  • the sintered body may have SiO 2 having a diameter of preferably 10 nm or more in its cross section.
  • the sintered body may have SiO 2 having a maximum diameter of 0.5 ⁇ m or more in a cross section of 0.5 pieces / ⁇ m 2 or less, or, for example, The range of SiO 2 having a maximum diameter of 0.5 ⁇ m or more is 0.0 to 0.5 / ⁇ m 2 , for example, the range of SiO 2 having a maximum diameter of 0.5 ⁇ m or more is 0.1 to 0.5 / ⁇ m 2 . It can be assumed that it exists.
  • This maximum diameter means the diameter of the minimum circumscribed circle of the SiO 2 particles.
  • the deposition of SiO 2 particles is controlled in this way, allowing the formation of an ultrathin electrode and at the same time not reducing the reliability (quality) of the electrode.
  • the surface-treated copper powder has a Si adhesion amount of generally 500 to 16000 ⁇ g, preferably 500 to 3000 ⁇ g, per 1 g of copper powder.
  • This Si adhesion amount can be determined by ICP (inductively coupled plasma atomic emission spectrometry).
  • it may further contain 0.05 wt% or more of N with respect to the weight of the copper powder.
  • the mechanism by which the silane coupling agent is adsorbed on the copper powder is unknown, but the present inventor believes that it is adsorbed by an interaction between the nitrogen of the amino group at the end of the silane coupling agent and copper. .
  • the surface-treated copper powder has a Si-containing layer thickness (Si thickness) formed by the surface treatment of generally 0.6 to 25 nm, preferably 1.0 to 25 nm, more preferably Can be from 1.5 to 20 nm.
  • the thickness of the Si-containing layer refers to the presence of Si atoms with respect to all atoms as measured by EDS (energy dispersive X-ray analysis) in the cross section of the surface of the surface-treated copper powder. It can be defined that the Si atom abundance is 10% or more when the abundance of Si atoms at the depth at which the ratio is maximum is 100%.
  • the cross section of the surface of the surface-treated copper powder is selected from among at least 100 or more copper powder particles observed in the sample section, and the clearest boundary of each is selected and the surface-treated copper powder is cross-sectioned. Measurement and tabulation can be performed by treating the cross section as being perpendicular to the surface.
  • the surface-treated copper powder has a weight percentage of N with respect to the copper powder of, for example, 0.05% by weight or more, preferably 0.06% by weight or more, and more preferably 0.07% by weight or more.
  • N with respect to the copper powder
  • it can be 0.05 to 0.50% by weight, preferably 0.06 to 0.45% by weight, and more preferably 0.08 to 0.40% by weight.
  • the weight% of N with respect to the copper powder can be calculated from the generated NO 2 by melting the copper powder at a high temperature.
  • the surface-treated copper powder has a surface N of, for example, 1.0% or more, preferably 1.4% or more, more preferably, as measured by a survey measurement by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis. Is 1.5% or more, more preferably 1.6% or more, or, for example, 1.0 to 6.0%, preferably 1.4 to 6.0%, more preferably 1.5 to 6.0%. More preferably, it is in the range of 1.6 to 6.0%, and the N photoelectrons are, for example, 1000 cps (count per second) or more, preferably 1200 cps or more, or, for example, 1000 to 9000 cps, preferably 1200 to 8000 cps. It can be assumed that
  • the surface-treated copper powder has a surface Si of, for example, 0.6% or more, preferably 0.8% or more, more preferably, as measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) survey.
  • Si X-ray photoelectron spectroscopy
  • the surface-treated copper powder may be further subjected to a surface treatment after being subjected to a surface treatment with aminosilane.
  • a surface treatment for example, a rust prevention treatment with an organic rust inhibitor such as benzotriazole or imidazole can be given, and even with such a normal treatment, the surface treatment with aminosilane is not eliminated. . Therefore, a person skilled in the art can perform such a known surface treatment as desired within a limit not losing the excellent sintering retardance. That is, the copper powder obtained by further subjecting the surface of the surface-treated copper powder according to the present invention to surface treatment within the limit that does not lose the excellent sintering delay property is also within the scope of the present invention. .
  • the present invention even when a metal powder other than the copper powder is used, excellent characteristics can be obtained by the surface treatment described above for the copper powder. Even when a metal powder other than copper powder is used, the present invention can be carried out according to the preferred embodiment described for the copper powder.
  • the metal powder for example, any metal powder of Pt, Pd, Ag, Ni, Cu can be used. Examples of preferable metal powder including copper powder include Ag, Ni, and Cu.
  • the present invention can be suitably implemented as described above by the adhesion of Si, but can also be suitably implemented by the deposition of elements other than Si. Even when an element other than Si adheres, the present invention can be implemented by the preferred embodiment described for Si.
  • an element other than Si one or more of Ti, Al, Zr, Ce, and Sn can be used.
  • Preferable elements including Si include one or more of Si, Ti, Al, Zr, Ce, and Sn, and more preferably any one or more of Si, Ti, and Al.
  • the present invention can be suitably implemented by performing a surface treatment with a silane coupling agent, but also by performing a surface treatment with a coupling agent other than the silane coupling agent, It can implement suitably.
  • Examples of coupling agents other than silane coupling agents include titanate and aluminate.
  • Si when a silane coupling agent is used as the coupling agent, Si, when titanate is used, Ti, and when aluminate is used, Al can be suitably attached.
  • the mode of use of these coupling agents can be as described above for silane coupling agents. Similar to the structure of the silane coupling agent, in the structure of titanate and aluminate, a structure in which a substituent containing an amino group at the terminal is coordinated to Ti and Al as the central atoms is preferable.
  • the suitable adhesion amount of Si, Ti or Al by such a coupling agent is as described above for the copper powder, and for example, 200 g per 1 g of the metal powder.
  • the thickness (Si thickness) of the Si-containing layer formed by the surface treatment of the metal powder can be as described above for the copper powder, and the thickness of the Ti-containing layer (Ti thickness).
  • the thickness of the Al-containing layer (Al thickness) can also be set as described above for the thickness of the Si-containing layer (Si thickness).
  • the surface-treated metal powder can have the surface Si as described above for the copper powder in the survey measurement of the XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis method.
  • Ti and Al can be set to a numerical range similar to the numerical range defined for Si by the same measurement method as Si.
  • the surface-treated metal powder may have the surface N as described above for the copper powder in the survey measurement of the XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis method.
  • R1 of the above formula II the groups exemplified as R1 of the above formula I can be preferably used.
  • R2 of the above formula II the groups exemplified as R2 of the above formula I can be preferably used.
  • a C3 alkyl group can be exemplified, and particularly preferably, a propyl group and an isopropyl group can be exemplified.
  • plain act KR44 manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.
  • the metal powder according to the present invention has a high sintering start temperature, and by blending this, an excellent conductive metal powder paste can be produced, An excellent electrode can be manufactured by sintering this conductive metal powder paste.
  • the sintering start temperature with the metal powder of the present invention is as described above for the copper powder.
  • the electrode obtained according to the invention can be as described above for the electrode cross section SiO 2 and likewise the electrode cross section TiO 2 and / or the electrode cross section Al 2 O 3.
  • the SiO 2 in the electrode cross section the size, number and density as described above can be used.
  • the SiO 2 in the electrode cross section corresponds to the case where a silane coupling agent is used as the coupling agent for the surface treatment, and the titanate as the coupling agent in the surface treatment for the SiO 2 in the electrode cross section.
  • Al 2 O 3 in the electrode cross section corresponds to the case where aluminate is used as a surface treatment coupling agent.
  • the present invention will be described in more detail with reference to examples.
  • the present invention is not limited to the following examples.
  • the surface-treated copper powder was manufactured as follows. [Milling by wet method] 20 g of copper powder subjected to the surface treatment was produced by a wet method. The obtained copper powder had the following characteristics. For the measurement, a laser diffraction particle size distribution measuring device (SALD-2100 manufactured by Shimadzu Corporation) was used. D50 0.12 ⁇ m Distribution
  • aqueous silane solution 50 ml of an aqueous silane solution using the following various silanes was prepared.
  • the concentration was adjusted in the range of 0.5 to 15 vol%.
  • pH was adjusted to 4 with dilute sulfuric acid except amino silane.
  • the temperature was continuously increased to a rate of 5 ° C./minute and a measurement range: 50 to 1000 ° C., and the height change (expansion / shrinkage change) of the compact was automatically recorded.
  • the temperature at which the height change (shrinkage) of the molded body started and the shrinkage rate reached 1% was defined as “sintering start temperature”.
  • the measurement results of the sintering start temperature of the surface-treated copper powder for each example and comparative example are summarized in Table 3.
  • Example 9 Method of rust prevention treatment After obtaining the copper powder of Example 4, for rust prevention treatment, it was dispersed in 100 mL of an aqueous benzotriazole solution (0.1 g / L), stirred for 10 minutes at 500 rpm with a rotating blade, filtered and dried (nitrogen atmosphere) (70 ° C. ⁇ 1 h), and a rust-proof copper powder was obtained (Example 9).
  • a comparative experiment was conducted using tetraethoxysilane (TEOS) as a silane coupling agent and surface treatment of copper powder using ammonia as a catalyst.
  • TEOS tetraethoxysilane
  • the surface-treated copper powder obtained was agglomerated, and it was considered that a uniform surface treatment and particle size were not obtained by visual observation.
  • the particle size distribution was one peak before the surface treatment, and two peaks.
  • a TEM image (40,000 times) of a cross section of a sintered body obtained from the surface-treated copper powder of Example 5 is shown in FIG.
  • the white part is sintered copper and the black part is SiO 2 particles. It was confirmed by conducting an EDS analysis separately that it was SiO 2 particles. Further, for finishing the cross section, the surface was subjected to precision focused ion beam (FIB) processing to obtain a scanning electron microscope (SIM) photograph, and thereby the number of SiO 2 particles was counted.
  • FIB precision focused ion beam
  • FIG. 2 the result of XPS survey measurement of the surface of the copper powder treated in Example 5 is shown in FIG. 2, and the result of XPS survey measurement of the surface of the copper powder treated in Comparative Example 2 is shown in FIG. Respectively.
  • FIG. 2 a peak indicating the presence of N on the surface is observed near the horizontal axis 400 eV.
  • FIG. 3 a peak indicating the presence of N on the surface is not observed near the corresponding horizontal axis 400 eV.
  • a peak indicating the abundance of N was not observed.
  • the surface-treated copper powder produced by mixing the aminosilane aqueous solution according to the present invention is a copper powder having a very small size even though the production method is extremely simple. In other words, it was found that the sintering start temperature was higher than or equal to that of the fine powder of the nickel alloy.
  • a sintered body can be produced by sintering similar to the production process of the electrode of the chip multilayer ceramic capacitor, and the sintered body thus produced (formed) is In spite of the use of the above surface-treated copper powder, the number of SiO 2 particles (number / ⁇ m 2 ) having a large diameter (diameter of the minimum circumscribed circle of the particles) is small in the cross section of the sintered body. I found out that
  • the silane coupling agent needs to be an aminosilane having an amino group.
  • an aminosilane it turned out that the aminosilane which has an amino group at the terminal is preferable.
  • Comparative Example 4 although it seems that a sufficient amount of Si is attached to the copper powder, a sufficient sintering delay is not realized. The reason for this is unclear, but in the Comparative Example 4, the present inventor does not have an aminosilane having a structure having an amino group at the terminal, and in addition, the benzene ring is present at the terminal rather than the amino group. Furthermore, it is not because a state like steric hindrance has occurred, and aminosilane or Si once attached to the copper powder is detached from the copper powder at an early stage during the temperature rise for sintering. I guess.
  • the surface-treated copper powder according to the present invention has excellent properties even if it is subjected to surface treatment such as rust prevention treatment after being subjected to surface treatment with aminosilane. I found out that it was maintained. That is, the copper powder obtained by subjecting the surface of the surface-treated copper powder according to the present invention to a surface treatment with an organic substance and the like within the range where the surface treatment with aminosilane is not eliminated is also within the scope of the present invention. Is within.
  • aminosilane treatment an aminosilane aqueous solution (50 mL) was added and stirred for 60 minutes. At this time, rotating blades (300 rpm) + ultrasonic waves (manufactured by Techjam Co., Ltd., ultrasonic cleaner 3 frequency type / W-113) (output) 100 W, frequency 100 kHz) was performed. Separately from this, the processing of only the rotary blade (300 rpm) and the processing of only the ultrasonic wave were separately performed. Diaminosilane A-1120 (manufactured by MOMENTIVE) and aminosilane A-1110 (manufactured by MOMENTIVE) were used as aminosilanes, respectively. (6) Next, filtration was performed to separate the precipitate. (7) Next, the separated precipitate was dried. Drying (70 ° C. ⁇ 2 h) was performed in an air atmosphere and in nitrogen.
  • the surface-treated fine copper powder was obtained by integrated production.
  • the surface-treated copper powder obtained in this way has excellent sintering retardancy and is present in the cross-section of the sintered body as well as the surface-treated copper powder of Examples 1 to 9 above.
  • the number of large SiO2 particles to be produced was small.
  • this integrated production can be performed without drying until a final product is obtained, which is simple and excellent in workability.
  • Examples 15 to 17 and Comparative Example 9 20 g of copper powder subjected to the surface treatment was produced by the wet method described above. That is, (1) 50 g of cuprous oxide was added to 0.4 g of gum arabic + 350 mL of pure water. (2) Next, 50 mL of dilute sulfuric acid (25 wt%) was added at a time. (3) This was stirred with a rotary blade (300 rpm ⁇ 10 minutes) and allowed to stand for 60 minutes. (4) Next, the precipitate was washed.
  • Example 10 According to Japanese Patent No. 4164209, copper powder was obtained by a chemical reduction method. That is, 2 g of gum arabic was added to 2900 mL of pure water, and then 125 mL of copper sulfate was added and 360 mL of 80% hydrazine monohydrate was added while stirring. After the addition of hydrazine monohydrate, the temperature was raised from room temperature to 60 ° C. over 3 hours, and copper oxide was further reacted over 3 hours. After completion of the reaction, the resulting slurry was filtered with Nutsche, then washed with pure water and methanol, and further dried to obtain copper powder. This copper powder and a diaminosilane coupling agent aqueous solution were mixed in the procedure of Example 1 to obtain a surface-treated silver powder. This characteristic was evaluated by the procedure of Example 1.
  • Nickel powder As the nickel powder, NF32 (D50 0.3 ⁇ m) manufactured by Toho Titanium was used.
  • the silver powder thus obtained was filtered with Nutsche, washed with pure water and alcohol in this order, and dried in an air atmosphere at 70 ° C. for 12 hours. This silver powder was dry-classified to finally obtain a silver powder having a D50 of 0.1 ⁇ m and a Dmax of 0.5 ⁇ m.
  • Diaminosilane A-1120 H 2 N—C 2 H 4 —NH—C 3 H 6 —Si (OCH 3 ) 3 Methyltrimethoxysilane
  • KBM-13 H 3 C—Si (OCH 3 ) 3
  • Amino group-containing plain act KR44 Side chain organic functional group of hydrophobic group (CH 3 ) 2 CH—O— Side chain organic functional group of hydrophilic group —O— (C 2 H 4 ) —NH— (C 2 H 4 ) —NH 2 Amino group-free pre-act KR TTS Side chain organic functional group of hydrophobic group (CH 3 ) 2 CH—O— Side chain organic functional group of hydrophilic group —O—CO— (C 17 H 35 )
  • the present invention provides a surface-treated copper powder that does not aggregate even after the surface treatment, has an excellent sintering delay property, and exhibits a high sintering start temperature even with a small-sized copper powder.
  • the surface-treated copper powder according to the present invention can be produced by performing a very simple treatment on the copper powder, and this production method does not require a high level of skill and is excellent in workability and productivity. It is.
  • the present invention is an industrially useful invention.

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Abstract

　チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造に好適に使用可能な、焼結遅延性に優れた、表面処理された金属分を、 ＸＰＳのsurvey測定で表面のＮが１％以上でＮの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれかの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、表面処理された金属粉によって提供する。

Description

表面処理された金属粉、及びその製造方法
　本発明は、チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造に適した、表面処理された金属粉、及びその製造方法に関する。
　チップ積層セラミックコンデンサーは、小型大容量という特徴のために、多くの電子機器で使用されている電子部品である。チップ積層セラミックコンデンサーは、セラミック誘電体と内部電極を層状に積み重ねて一体化した構造となっており、積層された各層がそれぞれコンデンサ素子を構成し、外部電極によってこれらの素子を電気的に並列となるように接続して、全体としてひとつの小型で大容量のコンデンサーとなっている。
　チップ積層セラミックコンデンサーの製造においては、誘電体のシートが、次のように製造される。すなわち、まず、ＢａＴｉＯ3等の誘電体原料粉末に分散剤や成型助剤としての有機バインダ及び溶剤を加え、粉砕、混合、脱泡工程を経て、スラリーを得る。その後、ダイコータ等の塗布工法をにより、スラリーをＰＥＴフィルム等のキャリアフィルム上に薄く延ばして塗布する。それを乾燥して薄い誘電体シート（グリーンシート）を得る。
　一方、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極の原料である金属粉末が、誘電体原料粉末の場合と同様に、分散剤や成型助剤としての有機バインダ及び溶剤との混合、脱泡工程を経て、スラリーとなる。これを主にスクリーン印刷法によりグリーンシート（誘電体シート）上に内部電極を印刷し、乾燥した後に、印刷済のグリーンシートをキャリアフィルムから剥離して、このようなグリーンシートを、多数積層させる。
　このようにして積層させたグリーンシートに数１０～数１００ＭＰａのプレス圧力を加えて一体化させた後、個々のチップに切断する。その後、焼成炉で内部電極層、誘電体層を１０００℃前後の高温で焼結させる。このようにして、チップ積層セラミックコンデンサーが製造される。
　このようなチップ積層セラミックコンデンサーの内部電極には、この技術が開発された当時はＰｔが使用されていたが、コストの観点からＰｄ、Ｐｄ－Ａｇ合金、現在はＮｉが主に使用されている。しかし、近年は環境規制の観点からＮｉをＣｕに置き換えることが求められるようになってきた。また、ＮｉをＣｕに置き換えれば、原理的には、高周波用途で低インダクタンスが実現可能となる。また、Ｃｕは、Ｎｉよりもさらにコストが安いという利点もある。
　一方、コンデンサーの小型化に伴い、内部電極は薄層化する傾向にあり、次世代タイプでは１μｍ前後になると言われている。このため、内部電極用粉末の粒子サイズはさらに小さいものが望まれるようになっている。
　ところが、そもそもＣｕの融点は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉに比べて低い。さらに、上記のように望まれている粒子の小径化による表面積の増加が引き起こす融点の低下により、内部電極粉末としてＣｕが採用された場合には、焼成時には、より低い温度でＣｕ粉の溶融が始まる。これは電極層自体にクラックの発生を誘発する。また、降温後に電極層が急激に収縮するので、誘電体層と電極層の剥離（デラミネーション）が起こる可能性がある。このような不具合を避けるために、内部電極用金属粉には誘電体と同等の熱収縮特性が求められており、これを表す指標として焼結開始温度がある。
　このような要望に対して、これまで、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極に適したＣｕ粉を得るために、Ｃｕ粉に表面処理を行う方法が提案されてきた。
　特許文献１（特許第４００１４３８号）はＣｕ粉を液中に分散させ、これに金属元素の水溶性塩の水溶液を添加し、ｐＨを調整して金属酸化物をＣｕ粉表面に固着させ、さらにこれらの表面処理銅粉を相互に衝突させて表面処理層の固着を強化させる技術である。しかし、工程が銅粉への金属酸化物の吸着、及び固着強化から構成されるので、生産性の点で問題がある。また、銅粉の粒径が０．５μｍよりもさらに小さくなると、吸着させる金属酸化物粒子とサイズが近くなるので、銅粉への酸化物の吸着自体が困難になると予想される。
　特許文献２（特許第４１６４００９号）は、特定の官能基を有するシリコーンオイルで銅粉を被覆させる技術である。しかし、オイルとＣｕ粉を混合するので、凝集しやすく、作業性の点で問題がある。また、オイルとＣｕ粉の分離の際のろ過が、困難であり、作業性の点で問題がある。
　特許文献３（特許第３６４６２５９号）は、銅粉表面で加水分解したアルコキシシランをアンモニア触媒で縮合重合させて、ＳｉＯ2ゲルコーティング膜を形成させる技術である。しかし、粒径１μｍ以下の銅粉に適用した際に、触媒であるＮＨ3を凝集を防ぐように連続添加しなければならないが、反応制御が添加の具体的な操作技能の巧拙に依存していて非常に難しく、作業性及び生産性の点で、問題がある。
特許第４００１４３８号公報 特許第４１６４００９号公報 特許第３６４６２５９号公報
　このように、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極の製造に好適に使用可能な、焼結遅延性、作業性、及び生産性に優れた、銅粉が求められている。
　そこで、本発明の目的は、チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造に好適に使用可能な、焼結遅延性に優れた、表面処理された銅粉、及びその製造方法を、提供することにある。
　本発明者は鋭意検討の結果、銅粉とアミノシラン水溶液を混合して、アミノシランを銅粉表面に吸着させることで、表面処理後の凝集がなく、焼結遅延性が劇的に向上することを見出して、本発明に到達した。この操作は、非常に簡単であり、高度な技能を必要とせず、作業性に優れ、生産性に優れている。また、このようにして得られた表面処理された銅粉は、粒子の小さい銅粉であるにもかかわらず、高い焼結開始温度を示すものとなっていた。さらに、銅粉以外の金属粉を同様に表面処理した場合にも、アミノシラン以外のカップリング剤によって表面処理した場合にも、同様に優れた特性の表面処理された金属粉を得られることがわかった。
　したがって、本発明は、次の（１）～（２７）にある。
（１）
　ＸＰＳのsurvey測定で、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＳｉの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、表面処理された銅粉。
（２）
　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＳｉが０．６％以上で検出される、表面処理された銅粉。
（３）
　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＳｉが０．６％以上で検出され、Ｓｉの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、（１）～（２）のいずれかに記載の銅粉。
（４）
　銅粉が、シランカップリング剤で表面処理された銅粉である、（１）～（３）のいずれかに記載の銅粉。
（５）
　シランカップリング剤がアミノシランである、（４）に記載の銅粉。
（６）
　焼結開始温度が400℃以上である、（１）～（５）のいずれかに記載の銅粉。
（７）
　（１）～（６）の何れかに記載の銅粉を熱処理してＮを除去した銅粉。
（８）
　酸素雰囲気または不活性雰囲気下で（１）～（７）のいずれかに記載の銅粉を熱処理して得られる銅粉。
（９）
　アミノシランの水溶液と銅粉を混合、攪拌後に乾固して得られる（１）～（８）のいずれかに記載の銅粉。
（１０）
　銅粉1 gに対して、表面処理に供するアミノシランの量が0.01 mL以上である（１）～（９）のいずれかに記載の銅粉。
（１１）
　アミノシランの量が0.05 mL以上で、銅粉との混合、攪拌時間が30分以下である（１０）に記載の銅粉
（１２）
　アミノシランが、モノアミノシラン又はジアミノシランである（５）～（１１）のいずれかに記載の銅粉。
（１３）
　原料銅粉が湿式法で得られた（１）～（１２）のいずれかに記載の銅粉。
（１４）
　D50≦1．５μｍである（１）～（１３）のいずれかに記載の銅粉。
（１５）
　D50≦１．０μｍである（１）～（１３）のいずれかに記載の銅粉。
（１６）
　D50≦０．５μｍ、Ｄｍａｘ≦１．０μｍである（１）～（１３）のいずれかに記載の銅粉。
（１７）
　粒度分布が一山である（１）～（１６）のいずれかに記載の銅粉。
（１８）
　（１）～（１７）のいずれかに記載の特徴を備えた内部電極用銅粉。
（１９）
　（１）～（１７）のいずれかに記載の特徴を備えた外部電極用銅粉。
（２０）
　（１）～（１９）のいずれかに記載の銅粉が、さらに有機化合物で表面処理されてなる、表面処理された銅粉。
（２１）
　（１）～（２０）のいずれかに記載の銅粉を使用した導電性ペースト。
（２２）
　（２１）のペーストを使用して製造されたチップセラミック積層コンデンサー。
（２３）
　内部電極断面に直径が１０ｎｍ以上のＳｉＯ2が存在している、（２２）に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
（２４）
　内部電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2が０．５個/cm2以下で存在している、（２２）又は（２３）に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
（２５）
　（２２）～（２４）のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを最外層に実装した多層基板。
（２６）
　（２２）～（２４）のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを内層に実装した多層基板。
（２７）
　（２５）又は（２６）に記載の多層基板を搭載した電子部品。
　また、本発明は、次の（３１）～（５０）にもある。
（３１）
　銅粉を、アミノシラン水溶液と混合して、銅粉分散液を調製する工程、
を含む、表面処理された銅粉を製造する方法。
（３２）
　銅粉分散液を撹拌する工程を含む、（３１）に記載の方法。
（３３）
　銅粉分散液を超音波処理する工程を含む、（３１）又は（３２）に記載の方法。
（３４）
　超音波処理する工程が、１～１８０分間の超音波処理を行う工程である、（３３）に記載の方法。
（３５）
　銅粉分散液をろ過して銅粉を回収する工程、
　ろ過して回収された銅粉を乾燥して、表面処理された銅粉を得る工程、
を含む、（３１）～（３４）のいずれかに記載の方法。
（３６）
　乾燥が、５０～９０℃で３０～１２０分間の加熱処理によって行われる、（３５）に記載の方法。
（３７）
　乾燥が、酸素雰囲気又は不活性雰囲気下で行われる、（３５）又は（３６）に記載の方法。
（３８）
　銅分散液が、銅粉１ｇに対してアミノシラン０．０２５ｇ以上を含んでいる、（３１）～（３７）のいずれかに記載の方法。
（３９）
　アミノシラン水溶液が、次の式Ｉ：
　　　Ｈ2Ｎ－Ｒ1－Ｓｉ（ＯＲ2）2（Ｒ3）　　　　（式Ｉ）
（ただし、上記式Ｉにおいて、
　Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
　Ｒ２は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基であり、
　Ｒ３は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基、又はＣ１～Ｃ５のアルコキシ基である。）
で表されるアミノシランの水溶液である、（３１）～（３８）のいずれかに記載の方法。
（４０）
　Ｒ１が、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の分枝状飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状不飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の分枝状不飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の環式炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の複素環式炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の芳香族炭化水素の二価基、からなる群から選択された基である、（３９）に記載の方法。
（４１）
　Ｒ１が、　－（ＣＨ2）n－、－（ＣＨ2）n－（ＣＨ）m－（ＣＨ2）j-1－、－（ＣＨ2）n－（ＣＣ）－（ＣＨ2）n-1－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－ＮＨ－（ＣＨ2）j－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－ＮＨ－（ＣＨ2）j－　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）、（３９）に記載の方法。
（４２）
　Ｒ１が、－（ＣＨ2）n－、又は－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－である、（３９）に記載の方法。
（４３）
　ｎ、ｍ、ｊが、それぞれ独立に、１、２又は３である、（４１）～（４２）のいずれかに記載の方法。
（４４）
　Ｒ２が、メチル基又はエチル基である、（３９）～（４３）のいずれかに記載の方法。
（４５）
　Ｒ３が、メチル基、エチル基、メトキシ基又はエトキシ基である、（３９）～（４４）のいずれかに記載の方法。
（４６）
　銅粉が、湿式法によって製造された銅粉である、（３１）～（４５）のいずれかに記載の方法。
（４７）
　（３１）～（４６）のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された銅粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性銅ペーストを製造する方法。
（４８）
　（３１）～（４６）のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された銅粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性銅ペーストを得る工程、
　導電性銅ペーストを基材に塗布する工程、
　基材に塗布された導電性銅ペーストを加熱焼成する工程、
を含む、電極を製造する方法。
（４９）
　電極が、チップ積層セラミックコンデンサー用電極である、（４８）に記載の方法。
（５０）
　表面処理された銅粉を、さらに有機化合物で表面処理する工程、
を含む、（３１）～（４９）のいずれかに記載の方法。
　また、本発明は、次の（５１）～（５４）にもある。
（５１）
　（３１）～（４６）のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された銅粉。
（５２）
　（４５）に記載の製造方法によって製造された、導電性銅ペースト。
（５３）
　（４６）に記載の製造方法によって製造された、電極。
（５４）
　（４７）に記載の製造方法によって製造された、チップ積層セラミックコンデンサー用電極。
　また、本発明は、次の（６１）～（６３）にもある。
（６１）
　（３１）～（４６）のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された銅粉であって、
　ＸＰＳのsurvey測定で表面のＮが１％以上でＮの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）かつＳｉが０．６％以上でＳｉの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出され、
　焼結開始温度が400℃以上である、銅粉。
（６２）
　（６１）に記載の表面処理された銅粉が、配合されてなる、導電性銅ペースト。
（６３）
　（６２）に記載の導電性銅ペーストが塗布されて加熱焼成されてなる、電極であって、
　電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2が０．５個/cm2以下で存在している、電極。
　さらに、本発明は、次の（７１）～にもある。
（７１）
ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴi、Al、Ｓi、Ｚr、Ｃe、Ｓnのいずれか１種以上が０．６％以上で検出される、表面処理された金属粉。
（７２）
　金属粉がＣu、Pt、Pd、Ag、Ｎiのいずれかである（７１）の金属粉。
（７３）
　Ｔi、Al、Ｓi、Ｚr、Ｃe、Ｓnをカップリング剤処理で吸着させた（７１）または（７２）の金属粉。
（７４）
　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかである（７３）の金属粉。
（７５）
　末端がアミノ基であるカップリング剤で処理された（７４）の金属粉。
（７６）
ＸＰＳのsurvey測定で表面のＮが１％以上でかつＴi、Al、Ｓi、Ｚr、Ｃe、Ｓnが０．６％以上でで検出され、焼結開始温度が400℃以上である、金属粉。
（７７）
　（７１）～（７６）に記載の表面処理された金属粉が、配合されてなる、導電性銅ペースト。
（７８）
　（７７）に記載の導電性銅ペーストが塗布されて加熱焼成されてなる、電極であって、
　電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Al2Ｏ3が０．５個/μm2以下で存在している、電極。
　さらに、本発明は、次の（１０１）～にもある。
（１０１）
　ＸＰＳのsurvey測定で、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれかの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、表面処理された金属粉。
（１０２）
　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴi、Al、Ｓi、Ｚr、Ｃe、Ｓnのいずれか１種以上が０．６％以上で検出される、表面処理された金属粉。
（１０３）
　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＳｉ、Ｔｉ又はＡｌが０．６％以上で検出される、（１０１）～（１０２）のいずれかに記載の表面処理された金属粉。
（１０４）
　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＳｉ又はＴｉが０．６％以上で検出され、Ｓｉ、Ｔｉ又はＡｌの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、（１０１）～（１０３）のいずれかに記載の金属粉。
（１０５）
　金属粉がＣu、Pt、Pd、Ag、Ｎiのいずれかの金属粉である、（１０１）～（１０４）のいずれかに記載の金属粉。
（１０６）
　金属粉が銅粉である、（１０１）～（１０４）のいずれかに記載の金属粉。
（１０７）
　Ｔi、Al、Ｓi、Ｚr、Ｃe、Ｓnをカップリング剤処理で吸着させた、（１０１）～（１０６）のいずれかに記載の金属粉。
（１０８）
　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかである、（１０７）の金属粉。
（１０９）
　末端がアミノ基であるカップリング剤で処理された（１０８）の金属粉。
（１１０）
　金属粉が、シランカップリング剤で表面処理された金属粉である、（１０１）～（１０９）のいずれかに記載の金属粉。
（１１１）
　シランカップリング剤がアミノシランである、（１１０）に記載の金属粉。
（１１２）
　焼結開始温度が400℃以上である、（１０１）～（１１１）のいずれかに記載の金属粉。
（１１３）
　アミノシランが、モノアミノシラン又はジアミノシランである、（１１１）～（１１２）のいずれかに記載の金属粉。
（１１４）
　（１０１）～（１１３）のいずれかに記載の金属粉が、さらに有機化合物で表面処理されてなる、表面処理された金属粉。
（１１５）
　（１０１）～（１１４）のいずれかに記載の金属粉を使用した導電性金属粉ペースト。
（１１６）
　（１１５のペーストを使用して製造されたチップセラミック積層コンデンサー。
（１１７）
　内部電極断面に直径が１０ｎｍ以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が存在している、（１１６）に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
（１１８）
　内部電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が０．５個/μm2以下で存在している、（１１６）又は（１１７）に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
（１１９）
　（１１６）～（１１８）のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを最外層に実装した多層基板。
（１２０）
　（１１６）～（１１８）のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを内層に実装した多層基板。
（１２１）
　（１１９）又は（１２０）に記載の多層基板を搭載した電子部品。
（１２２）
　金属粉を、カップリング剤水溶液と混合して、金属粉分散液を調製する工程、
を含む、表面処理された金属粉を製造する方法。
（１２３）
　金属粉がＣu、Pt、Pd、Ag、Ｎiのいずれかの金属粉である、（１２２）に記載の方法。
（１２４）
　金属粉が銅粉である、（１２２）に記載の方法。
（１２５）
　金属粉分散液を撹拌する工程を含む、（１２２）～（１２４）のいずれかに記載の方法。
（１２６）
　金属粉分散液を超音波処理する工程を含む、（１２２）～（１２５）のいずれかに記載の方法。
（１２７）
　超音波処理する工程が、１～１８０分間の超音波処理を行う工程である、（１２６）に記載の方法。
（１２８）
　金属粉分散液をろ過して金属粉を回収する工程、
　ろ過して回収された金属粉を乾燥して、表面処理された金属粉を得る工程、
を含む、（１２２）～（１２７）のいずれかに記載の方法。
（１２９）
　乾燥が、酸素雰囲気又は不活性雰囲気下で行われる、（１２８）に記載の方法。
（１３０）
　金属粉分散液が、銅粉１ｇに対してカップリング剤０．０２５ｇ以上を含んでいる、（１２２）～（１２９）のいずれかに記載の方法。
（１３１）
　カップリング剤水溶液が、次の式Ｉ：
　　　Ｈ2Ｎ－Ｒ1－Ｓｉ（ＯＲ2）2（Ｒ3）　　　　（式Ｉ）
（ただし、上記式Ｉにおいて、
Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
　Ｒ２は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基であり、
　Ｒ３は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基、又はＣ１～Ｃ５のアルコキシ基である。）
で表されるアミノシランの水溶液である、（１２２）～（１３０）のいずれかに記載の方法。
（１３２）
　Ｒ１が、　－（ＣＨ2）n－、－（ＣＨ2）n－（ＣＨ）m－（ＣＨ2）j-1－、－（ＣＨ2）n－（ＣＣ）－（ＣＨ2）n-1－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－ＮＨ－（ＣＨ2）j－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－ＮＨ－（ＣＨ2）j－　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）、（１３１）に記載の方法。
（１３３）
　カップリング剤水溶液が、次の式ＩＩ：
　　　（Ｈ2Ｎ－Ｒ1－Ｏ）pＴｉ（ＯＲ2）q　　　　（式ＩＩ）
（ただし、上記式ＩＩにおいて、
Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
　Ｒ２は、直鎖状又は分枝を有する、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基であり、
　ｐ及びｑは、１～３の整数であり、ｐ＋ｑ＝４である。）
で表されるアミノ基含有チタネートの水溶液である、（１２２）～（１３０）のいずれかに記載の方法。
（１３４）
　Ｒ１が、　－（ＣＨ2）n－、－（ＣＨ2）n－（ＣＨ）m－（ＣＨ2）j-1－、－（ＣＨ2）n－（ＣＣ）－（ＣＨ2）n-1－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－ＮＨ－（ＣＨ2）j－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－ＮＨ－（ＣＨ2）j－　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）、（１３３）に記載の方法。
（１３５）
　金属粉が、湿式法によって製造された銅粉である、（１２２）～（１３４）のいずれかに記載の方法。
（１３６）
　（１２２）～（１３５）のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された金属粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを製造する方法。
（１３７）
　（１２２）～（１３５）のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された金属粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを得る工程、
　導電性金属粉ペーストを基材に塗布する工程、
　基材に塗布された導電性金属粉ペーストを加熱焼成する工程、
を含む、電極を製造する方法。
（１３８）
　（１２２）～（１３５）のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉。
（１３９）
　（１３６）に記載の製造方法によって製造された、導電性金属粉ペースト。
（１４０）
　（１３７）に記載の製造方法によって製造された、電極。
（１４１）
　（１２２）～（１３５）のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉であって、
　ＸＰＳのsurvey測定で表面のＮが１％以上でＮの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）かつＳｉ、Ｔｉ又はＡｌが０．６％以上でＳｉ、Ｔｉ又はＡｌの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出され、
　焼結開始温度が400℃以上である、金属粉。
（１４２）
　（１４１）に記載の表面処理された金属粉が、配合されてなる、導電性金属粉ペースト。
（１４３）
　（１４２）に記載の導電性金属粉ペーストが塗布されて加熱焼成されてなる、電極であって、
　電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が０．５個/μm2以下で存在している、電極。
　本発明による表面処理された銅粉は、表面処理後にも凝集することなく、焼結遅延性に優れ、粒子の小さい銅粉であっても高い焼結開始温度を示す。そこで、本発明による表面処理された銅粉が配合されてなる導電性銅ペーストを使用すれば、電極剥離などの製造上の問題を回避して、チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造を、有利に行うことができる。また、本発明による表面処理された銅粉は、銅粉に対して非常に簡単な処理を行うことで製造でき、この製造方法は、高度な技能を必要とせず、作業性及び生産性に優れたものである。また、本発明によれば、銅粉以外の金属粉についても、同様に優れた特性を有するものとなっている。
図１は表面処理された銅粉から得られた焼結体の断面のＴＥＭ像である。 図２は表面処理された銅粉（実施例）の表面のＸＰＳ　ｓｕｒｖｅｙ測定の結果を示すグラフである。 図３は表面処理された銅粉（比較例）の表面のＸＰＳ　ｓｕｒｖｅｙ測定の結果を示すグラフである。
　以下に本発明を実施の態様をあげて詳細に説明する。本発明は以下にあげる具体的な実施の態様に限定されるものではない。
　本発明においては、銅粉を、アミノシラン水溶液と混合して、銅粉分散液を調製する工程、を行って、この銅粉分散液から、表面処理された銅粉を得ることができる。
　表面処理に供される銅粉としては、公知の方法によって製造された銅粉を使用することができる。例えば、銅粉は、乾式法によって製造された銅粉、湿式法によって製造された銅粉のいずれも使用することができる。湿式法によって製造された銅粉は、本発明による表面の処理まであわせて一貫して湿式プロセスになる点で好適である。
　アミノシラン水溶液は、シランカップリング剤として使用可能なアミノシランの水溶液である。好ましい実施の態様において、アミノシランの使用量は、銅粉分散液としたときの銅粉の質量１ｇに対して、アミノシランの質量が、０．０２５ｇ以上、好ましくは０．０５０ｇ以上、さらに好ましくは０．０７５ｇ以上、さらに好ましくは０．１０ｇ以上を含むものとすることができ、あるいは、例えば、０．０２５～０．５００ｇ、０．０２５～０．２５０ｇ、０．０２５～０．１００ｇの範囲の量を含むものとすることができる。好ましい実施の態様において、アミノシランの使用量は、銅粉分散液としたときの銅粉の質量１ｇに対して、２５℃におけるアミノシランの体積が、０．０１ｍＬ以上、０．０２５ｍＬ以上、好ましくは０．０５０ｍＬ以上、さらに好ましくは０．０７５ｍＬ以上、さらに好ましくは０．１０ｍＬ以上を含むものとすることができ、あるいは、例えば、０．０２５～０．５００ｍＬ、０．０２５～０．２５０ｍＬ、０．０２５～０．１００ｍＬの範囲の量を含むものとすることができる。
　好ましい実施の態様において、アミノシランとして、１以上のアミノ基及び／又はイミノ基を含むシランを使用することができる。アミノシランに含まれるアミノ基及びイミノ基の数は、例えばそれぞれ１～４個、好ましくはそれぞれ１～３個、さらに好ましくは１～２個とすることができる。好適な実施の態様において、アミノシランに含まれるアミノ基及びイミノ基の数は、それぞれ１個とすることができる。アミノシランに含まれるアミノ基及びイミノ基の数の合計が、１個であるアミノシランは特にモノアミノシラン、２個であるアミノシランは特にジアミノシラン、３個であるアミノシランは特にトリアミノシランと、呼ぶことができる。モノアミノシラン、ジアミノシランは、本発明において好適に使用することができる。好適な実施の態様において、アミノシランとして、アミノ基１個を含むモノアミノシランを使用することができる。好適な実施の態様において、アミノシランは、少なくとも１個、例えば１個のアミノ基を、分子の末端に、好ましくは直鎖状又は分枝状の鎖状分子の末端に、含むものとすることができる。
　アミノシランとしては、例えば、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、１-アミノプロピルトリメトキシシラン、２-アミノプロピルトリメトキシシラン、１、２-ジアミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノ‐１‐プロぺニルトリメトキシシラン、3-アミノ‐１‐プロピニルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-（1,3-ジメチル-ブチリデン）プロピルアミン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-（ビニルベンジル）-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3- アミノプロピルトリエトキシシラン、3- アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2- アミノエチル)-3- アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2- アミノエチル)-3- アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3-(N- フェニル) アミノプロピルトリメトキシシランをあげることできる。
　好ましい実施の態様において、次式Ｉで表されるアミノシランを使用することができる。
　　　Ｈ2Ｎ－Ｒ1－Ｓｉ（ＯＲ2）2（Ｒ3）　　　　（式Ｉ）
　上記式Ｉにおいて、
　Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
　Ｒ２は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基であり、
　Ｒ３は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基、又はＣ１～Ｃ５のアルコキシ基である。
　好ましい実施の態様において、上記式ＩのＲ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、さらに好ましくは、Ｒ１は、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の分枝状飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の直鎖状不飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の分枝状不飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の環式炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の複素環式炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１～Ｃ１２の芳香族炭化水素の二価基、からなる群から選択された基とすることができる。好ましい実施の態様において、上記式ＩのＲ１は、Ｃ１～Ｃ１２の、飽和又は不飽和の鎖状炭化水素の二価基であり、さらに好ましくは、鎖状構造の両末端の原子が遊離原子価を有する二価基である。好ましい実施の態様において、二価基の炭素数は、例えばＣ１～Ｃ１２、好ましくはＣ１～Ｃ８、好ましくはＣ１～Ｃ６、好ましくはＣ１～Ｃ３とすることができる。
　好ましい実施の態様において、上記式ＩのＲ１は、　－（ＣＨ2）n－、－（ＣＨ2）n－（ＣＨ）m－（ＣＨ2）j-1－、－（ＣＨ2）n－（ＣＣ）－（ＣＨ2）n-1－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－ＮＨ－（ＣＨ2）j－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－ＮＨ－（ＣＨ2）j－　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）とすることができる。（ただし、上記（ＣＣ）は、ＣとＣの三重結合を表す。）好ましい実施の態様において、Ｒ１は、－（ＣＨ2）n－、又は－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－とすることができる。（ただし、上記（ＣＣ）は、ＣとＣの三重結合を表す。）好ましい実施の態様において、上記の二価基であるＲ１の水素は、アミノ基で置換されていてもよく、例えば１～３個の水素、例えば１～２個の水素、例えば１個の水素が、アミノ基によって置換されていてもよい。
　好ましい実施の態様において、上記式Ｉのｎ、ｍ、ｊは、それぞれ独立に、１以上１２以下の整数、好ましくは１以上６以下の整数、さらに好ましくは１以上４以下の整数とすることができ、例えば、１、２、３、４から選択された整数とすることができ、例えば、１、２又は３とすることができる。
　好ましい実施の態様において、上記式ＩのＲ２は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基、好ましくはＣ１～Ｃ３のアルキル基、さらに好ましくはＣ１～Ｃ２のアルキル基とすることができ、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、又はプロピル基とすることでき、好ましくは、メチル基又はエチル基とすることができる。
　好ましい実施の態様において、上記式ＩのＲ３は、アルキル基として、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基、好ましくはＣ１～Ｃ３のアルキル基、さらに好ましくはＣ１～Ｃ２のアルキル基とすることができ、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、又はプロピル基とすることでき、好ましくは、メチル基又はエチル基とすることができる。また、上記式ＩのＲ３は、アルコキシ基として、Ｃ１～Ｃ５のアルコキシ基、好ましくはＣ１～Ｃ３のアルコキシ基、さらに好ましくはＣ１～Ｃ２のアルコキシ基とすることができ、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、又はプロポキシ基とすることでき、好ましくは、メトキシ基又はエトキシ基とすることができる。
　アミノシラン水溶液は、公知の方法によって、銅粉と混合することができる。混合にあたっては、適宜、公知の方法によって撹拌を行うことができる。好適な実施の態様において、混合は、例えば、常温で行うことができ、例えば、５～８０℃、１０～４０℃、２０～３０℃の範囲の温度で行うことができる。
　好ましい実施の態様において、銅粉分散液は、混合して、超音波処理を行うことができる。超音波処理の処理時間は、銅粉分散液の状態に応じて選択するが、好ましくは１～１８０分間、さらに好ましくは３～１５０分間、さらに好ましくは１０～１２０分間、さらに好ましくは２０～８０分間とすることができる。
　好ましい実施の態様において、超音波処理は、１００ｍｌあたり、好ましくは５０～６００Ｗ、さらに好ましくは１００～６００Ｗの出力で行うことができる。好ましい実施の態様において、超音波処理は、好ましくは１０～１MＨｚ、さらに好ましくは２０～１MＨｚ、さらに好ましくは５０～１MＨｚの周波数で行うことができる。
　銅粉分散液のなかの銅粉は、上述のようにして、アミノシランによる表面処理を受けた後に、分散液から分離して、表面処理された銅粉として、回収することができる。この分離と回収には、公知の手段を使用することができ、例えば、ろ過、遠心分離、デカンテーション（ｄｅｃａｎｔａｔｉｏｎ）などを使用することができる。分離回収に続けて、所望により、乾燥を行うことができる。乾燥には、公知の手段を使用することができ、例えば、加熱による乾燥を行うことができる。加熱乾燥は、例えば、５０～９０℃、６０～８０℃の温度で、例えば、３０～１２０分間、４５～９０分間の加熱処理によって、行うことができる。加熱乾燥に続けて、銅粉に対して、所望により、さらに粉砕処理を行ってもよい。また、回収された表面処理された銅粉に対しては、防錆、あるいは、ペースト中での分散性を向上させること等を目的として、有機物等をさらに表面処理された銅粉の表面に吸着させてもよい。
　上述のように、好ましい実施の態様において、表面処理に供される銅粉は、湿式法による銅粉を使用することができる。好適な実施の態様において、湿式法による銅粉の製造方法として、アラビアゴムの添加剤を含む水性溶媒中に亜酸化銅を添加してスラリーを作製する工程、スラリーに希硫酸を５秒以内に一度に添加して不均化反応を行う工程、を含む方法によって製造される銅粉を使用することができる。好適な実施の態様において、上記スラリーは、室温（２０～２５℃）以下に保持するとともに、同様に室温以下に保持した希硫酸を添加して、不均化反応を行うことができる。好適な実施の態様において、上記スラリーは、７℃以下に保持するとともに、同様に７℃以下に保持した希硫酸を添加して、不均化反応を行うことができる。好適な実施の態様において、希硫酸の添加は、ｐＨ２．５以下、好ましくはｐＨ２．０以下、さらに好ましくはｐＨ１．５以下となるように、添加することができる。好適な実施の態様において、スラリーへの希硫酸の添加は、５分以内、好ましくは１分以内、さらに好ましくは３０秒以内、さらに好ましくは１０秒以内、さらに好ましくは５秒以内となるように、添加することができる。好適な実施の態様において、上記不均化反応は１０分間で終了するものとすることができる。好適な実施の態様において、上記スラリー中のアラビアゴムの濃度は、０．２２９～１．１４３ｇ／Ｌとすることができる。上記亜酸化銅としては、公知の方法で使用された亜酸化銅、好ましくは亜酸化銅粒子を使用することができ、この亜酸化銅粒子の粒径等は不均化反応によって生成する銅粉の粒子の粒径等とは直接に関係がないので、粗粒の亜酸化銅粒子を使用することができる。この不均化反応の原理は次のようなものである：
　Ｃｕ2Ｏ＋Ｈ2ＳＯ4　→　Ｃｕ↓＋ＣｕＳＯ4＋Ｈ2Ｏ　
この不均化によって得られた銅粉は、所望により、洗浄、防錆、ろ過、乾燥、解砕、分級を行って、その後にアミノシランと混合することもできるが、好ましい実施の態様において、所望により、洗浄、防錆、ろ過を行った後に、乾燥を行うことなく、そのままアミノシラン水溶液と混合することができる。
　好適な実施の態様において、上記不均化反応によって得られる銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した平均粒径が０．２５μｍ以下である。好適な実施の態様において、上記不均化反応によって得られる銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定したＤ１０、Ｄ９０、Ｄｍａｘが、［Ｄｍａｘ≦Ｄ５０×３、Ｄ９０≦Ｄ５０×２、Ｄ１０≧Ｄ５０×０．５］の関係式を満たし、かつ粒径の分布が単一のピークを有する。好適な実施の態様において、上記不均化反応によって得られる銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置による測定で、粒度分布が一山である（単一のピークを有する）。好適な実施の態様において、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した値が、［Ｄ５０≦１．５μｍ］であり、好ましくは［Ｄ５０≦１．０μｍ］であり、さらに好ましくは［Ｄ５０≦０．５μｍ、Ｄｍａｘ≦１．０μｍ］である。レーザー回折式粒度分布測定装置として、例えば、島津製作所製ＳＡＬＤ－２１００を使用することができる。
　本発明によって得られる表面処理された銅粉は、優れた焼結遅延性を有する。焼結遅延性の指標として、焼結開始温度がある。これは金属粉から成る圧粉体を還元性雰囲気中で昇温し、ある一定の体積変化（収縮）が起こったときの温度のことである。本発明では１％の体積収縮が起こるときの温度を焼結開始温度とする。具体的には、実施例の記載の通りに測定した。焼結開始温度が高いことは、焼結遅延性に優れていることを意味する。
　好適な実施の態様において、本発明に係る表面処理された銅粉の焼結開始温度は、４５０℃以上、好ましくは５００℃以上、さらに好ましくは６００℃以上、さらに好ましくは７００℃以上、さらに好ましくは７８０℃以上、さらに好ましくは８００℃以上、さらに好ましくは８１０℃以上、さらに好ましくは８４０℃以上、さらに好ましくは９００℃以上、さらに好ましくは９２０℃以上、さらに好ましくは９５０℃以上とすることができる。従来、高い焼結開始温度が求められる場合に使用されてきたＮｉ超微粉（平均粒径０．２～０．４μｍ）の焼結開始温度が、５００～６００℃の範囲にあることと比較すると、本発明に係る表面処理された銅粉は、Ｎｉよりも安価で入手容易なＣｕを使用して、微細な粒子でありながら、同等以上の優れた焼結遅延性を有するものとなっている。
　好適な実施の態様において、本発明に係る表面処理された銅粉は、圧粉体を還元性雰囲気中で昇温して焼結体を形成することができる。得られた焼結体は、優れた電極として形成される。この焼結のプロセスは、特に、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極の製造に好適に使用可能である。この焼結体は、特に、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極として、好適に使用可能である。好適な実施の態様において、この焼結体は、その断面に、好ましくは直径が１０ｎｍ以上のＳｉＯ2が存在しているものとすることができる。好適な実施の態様において、この焼結体は、その断面に、最大径０．５μm以上のＳｉＯ2が０．５個/μm2以下で存在しているものとすることができる、あるいは例えば、最大径０．５μm以上のＳｉＯ2が０．０～０．５個/μm2の範囲で、例えば、最大径０．５μm以上のＳｉＯ2が０．１～０．５個/μm2の範囲で、存在しているものとすることができる。この最大径とは、ＳｉＯ2粒子の最小外接円の直径をいう。本発明の好適な実施の態様において、ＳｉＯ2粒子の析出はこのように制御されており、極薄電極の形成を可能にすると同時に、電極の信頼性（品質）を低下させることがない。
　好適な実施の態様において、表面処理された銅粉は、銅粉１ｇに対して、Ｓｉの付着量が、一般に５００～１６０００μｇ、好ましくは５００～３０００μｇとすることができる。このＳｉ付着量は、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ原子発光分析法）によって求めることができる。好適な実施の態様において、さらに、銅粉重量に対して０．０５ｗｔ％以上のNを含むものとすることができる。シランカップリング剤が銅粉に吸着するメカニズムは不明であるが、本発明者は、シランカップリング剤末端のアミノ基の窒素と銅との間で働く相互作用で吸着していると考えている。
　好適な実施の態様において、表面処理された銅粉は、表面処理によって形成された、Ｓｉ含有層の厚み（Ｓｉ厚み）が、一般に０．６～２５ｎｍ、好ましくは１．０～２５ｎｍ、さらに好ましくは１．５～２０ｎｍとすることができる。本発明におけるこのＳｉ含有層の厚み（Ｓｉ厚み）とは、表面処理された銅粉の表面の断面において、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析）による測定を行って、全原子に対するＳｉ原子の存在比が最大となる深さでのＳｉ原子の存在量を１００％としたときに、Ｓｉ原子の存在量が１０％以上である範囲であると、規定することができる。表面処理された銅粉の表面の断面は、試料切片において観察した少なくとも１００個以上の銅粉粒子のなかから、５個選択して、それぞれその最も明瞭な境界を、表面処理された銅粉の表面に垂直な断面であると扱って、測定及び集計を行うことができる。
　好適な実施の態様において、表面処理された銅粉は、銅粉に対するＮの重量％が、例えば０．０５重量％以上、好ましくは０．０６重量％以上、さらに好ましくは０．０７重量％以上とすることができ、例えば０．０５～０．５０重量％、好ましくは０．０６～０．４５重量％、さらに好ましくは０．０８～０．４０重量％の範囲とすることができる。銅粉に対するＮの重量％は、銅粉を高温で溶融させ、発生したＮＯ2から付着Ｎ量を算出することができる。
　好適な実施の態様において、表面処理された銅粉は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析法のsurvey測定で表面のＮが、例えば１．０％以上、好ましくは１．４％以上、さらに好ましくは１．５％以上、さらに好ましくは１．６％以上で、あるいは例えば１．０～６．０％、好ましくは１．４～６．０％、さらに好ましくは１．５～６．０％、さらに好ましくは１．６～６．０％の範囲にあって、Ｎの光電子が、例えば１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上、好ましくは１２００ｃｐｓ以上、あるいは例えば１０００～９０００ｃｐｓ、好ましくは１２００～８０００ｃｐｓの範囲であるものとすることができる。
　好適な実施の態様において、表面処理された銅粉は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析法のsurvey測定で表面のＳｉが、例えば０．６％以上、好ましくは０．８％以上、さらに好ましくは１．０％以上、さらに好ましくは１．１％以上、さらに好ましくは１．２％以上、さらに好ましくは１．３％以上で、さらに好ましくは１．４％以上、あるいは例えば０．６～４．０％、好ましくは０．８～４．０％、さらに好ましくは１．０～４．０％、さらに好ましくは１．１～４．０％、さらに好ましくは１．２～４．０％、さらに好ましくは１．３～４．０％、さらに好ましくは１．４～４．０％の範囲にあって、Ｓｉの光電子が、例えば、直径８００μｍの円への照射（照射面積502655μｍ2）によって、１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上、好ましくは１２００ｃｐｓ以上、あるいは例えば１０００～１２０００ｃｐｓ、好ましくは１２００～１２０００ｃｐｓの範囲であるものとすることができる。
　好適な実施の態様において、表面処理された銅粉は、アミノシランによる表面処理を受けた後に、さらに表面処理を行ってもよい。このような表面処理として、例えば、ベンゾトリアゾール、イミダゾール等の有機防錆剤による防錆処理をあげることができ、このような通常の処理によっても、アミノシランによる表面処理が脱離等することはない。したがって、優れた焼結遅延性を失わない限度内で、当業者はそのような公知の表面処理を、所望により行うことができる。すなわち、本発明に係る表面処理された銅粉の表面に、優れた焼結遅延性を失わない限度内で、さらに表面処理を行って得られた銅粉もまた、本発明の範囲内である。
　本発明は、銅粉以外の金属粉を使用した場合にも、銅粉について上述した表面処理によって、優れた特性を得ることができる。銅粉以外の金属粉を使用した場合においても、上記銅粉について記載した好適な実施の態様によって、本発明を実施することができる。金属粉としては、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕのいずれかの金属粉を使用することができる。銅粉を含めて、好ましい金属粉としては、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕのいずれかの金属粉を挙げることができる。
　本発明は、Ｓｉの付着によって上述した通りに好適に実施することができるが、Ｓｉ以外の元素の付着によっても、好適に実施することができる。Ｓｉ以外の元素の付着した場合においても、上記Ｓｉについて記載した好適な実施の態様によって、本発明を実施することができる。Ｓｉ以外の元素としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚr、Ｃe、Ｓnのうちいずれか１種以上を挙げることができる。Ｓｉを含めて、好ましい元素としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚr、Ｃe、Ｓnのうちいずれか１種以上、さらに好ましくはＳｉ、Ｔｉ、Ａｌのうちいずれか１種以上を挙げることができる。
　本発明は、銅粉について上述した通り、シランカップリング剤で表面処理を行うことによって、好適に実施することができるが、シランカップリング剤以外のカップリング剤で表面処理を行うことによっても、好適に実施することができる。シランカップリング剤以外のカップリング剤としては、チタネート、アルミネートを挙げることができる。カップリング剤として、シランカップリング剤を使用した場合にはＳｉ、チタネートを使用した場合には、Ｔｉ、アルミネートを使用した場合には、Ａｌを、それぞれ好適に付着させることができる。これらのカップリング剤の使用の態様は、シランカップリング剤において上述した通りのものとすることができる。シランカップリング剤の構造と同様に、チタネート及びアルミネートの構造においても、末端にアミノ基が含有された置換基が中心原子であるＴｉ及びＡｌに配位された構造が好ましい。
　好適な実施の態様において、このようなカップリング剤による、Ｓｉ、Ｔｉ又はＡｌの好適な付着量としては、銅粉についての上述した通りであり、さらに、金属粉１ｇに対して、例えば、２００～１６０００μg、３００～１６０００μg、５００～１６０００μgの範囲、例えば、２００～３０００μg、３００～３０００μg、５００～３０００μgの範囲、例えば、２００～１５００μg、３００～１５００μg、５００～１５００μgの範囲、を挙げることができる。
　好適な実施の態様において、金属粉の表面処理によって形成されたＳｉ含有層の厚み（Ｓｉ厚み）は、銅粉において上述した通りとすることができ、さらに、Ｔｉ含有層の厚み（Ｔｉ厚み）、Ａｌ含有層の厚み（Ａｌ厚み）についても、Ｓｉ含有層の厚み（Ｓｉ厚み）について上述した通りのものとすることができる。
　好適な実施の態様において、表面処理された金属粉は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析法のsurvey測定で表面のＳｉを、銅粉について上述した通りのものとすることができる。さらに、表面処理によって付着したＳｉ以外に、Ｔｉ及びＡｌについても、Ｓｉと同様の測定方法によって、Ｓｉについて規定した数値範囲と同様の数値範囲とすることができる。
　好適な実施の態様において、表面処理された金属粉は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析法のsurvey測定で表面のＮを、銅粉について上述した通りのものとすることができる。
　本発明において好適に使用可能なチタネートとしては、次の式ＩＩ：
　　　（Ｈ2Ｎ－Ｒ1－Ｏ）pＴｉ（ＯＲ2）q　　　　（式ＩＩ）
（ただし、上記式ＩＩにおいて、
Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
　Ｒ２は、直鎖状又は分枝を有する、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基であり、
　ｐ及びｑは、１～３の整数であり、ｐ＋ｑ＝４である。）
で表されるアミノ基含有チタネートを挙げることができる。
　上記式ＩＩのＲ１としては、上記式ＩのＲ１として挙げた基を好適に使用することができる。上記式ＩＩのＲ１として、例えば、　－（ＣＨ2）n－、－（ＣＨ2）n－（ＣＨ）m－（ＣＨ2）j-1－、－（ＣＨ2）n－（ＣＣ）－（ＣＨ2）n-1－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－ＮＨ－（ＣＨ2）j－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－ＮＨ－（ＣＨ2）j－　からなる群から選択された基（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）とすることができる。特に好適なＲ１として、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－を挙げることができ（ただし、ｎ＋ｍ＝４、特に好ましくはｎ＝ｍ＝２）を挙げることができる。
　上記式ＩＩのＲ２としては、上記式ＩのＲ２として挙げた基を好適に使用することができる。好適な実施の態様において、Ｃ３のアルキル基を挙げることができ、特に好ましくは、プロピル基、及びイソプロピル基を挙げることができる。
　上記式ＩＩのｐ及びｑは、１～３の整数であり、ｐ＋ｑ＝４であり、好ましくはｐ＝ｑ＝２の組み合わせ、ｐ＝３、ｑ＝１の組み合わせを挙げることができる。このように官能基が配置されたアミノ基含有チタネートとして、　プレインアクト　ＫＲ４４（味の素ファインテクノ社製）を挙げることができる。
　本発明による金属粉は、本発明による銅粉として上述したように、高い焼結開始温度を有しており、これを配合することによって、優れた導電性金属粉ペーストを製造することができ、この導電性金属粉ペーストを焼結することによって優れた電極を製造することができる。本発明の金属粉による焼結開始温度は、銅粉について上述した通りである。好適な実施の態様において、本発明によって得られる電極は、電極断面のＳｉＯ2について上述した通りのものとすることができ、同様に、電極断面のＴｉＯ2、及び又は電極断面のAl2Ｏ3についても、電極断面のＳｉＯ2について上述した通りの大きさ、個数、密度のものとすることができる。好適な実施の態様において、電極断面のＳｉＯ2については、表面処理のカップリング剤としてシランカップリング剤を使用した場合に該当し、電極断面のＳｉＯ2については、表面処理のカップリング剤としてチタネートを使用した場合に該当し、電極断面のAl2Ｏ3については、表面処理のカップリング剤としてアルミネートを使用した場合に該当する。
　以下に実施例をあげて、本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
［表面処理銅粉の製造］
　以下のように表面処理された銅粉を製造した。
［湿式法による製粉］
　表面処理に供される銅粉２０ｇを、湿式法によって製造した。得られた銅粉は、次のような特性であった。測定は、レーザー回折式粒度分布測定装置（島津製作所製ＳＡＬＤ－２１００）を使用した。
　Ｄ５０　０．１２μｍ
　分布一山
［シラン水溶液の調製］
　次の各種のシランを使用したシラン水溶液をそれぞれ５０ｍｌ調製した。

　シラン：ジアミノシランＡ－１１２０（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製）
　　　　　アミノシランＡ－１１１０（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製）
　　　　　エポキシシランＺ－６０４０（東レダウコーニング社製）
　　　　　メチルトリメトキシシランＫＢＭ－１３（信越シリコーン社製）
　　　　　3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製）

　濃度は０．５～１５ｖｏｌ%の範囲で調製した。また、アミノ系シラン以外は希硫酸でｐＨを４に調整した。
　各種のシランの構造式は、以下である。
　ジアミノシランＡ－１１２０：
　　　　Ｈ2Ｎ－Ｃ2Ｈ4－ＮＨ－Ｃ3Ｈ6－Ｓｉ（ＯＣＨ3）3

　アミノシランＡ－１１１０：
　　　　Ｈ2Ｎ－Ｃ3Ｈ6－Ｓｉ（ＯＣＨ3）3

　エポキシシランＺ－６０４０：　
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001

　メチルトリメトキシシランＫＢＭ－１３：　
　　　　Ｈ3Ｃ－Ｓｉ（ＯＣＨ3）3

　3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン：
　　　　Ｃ6Ｈ5－ＮＨ－Ｃ3Ｈ6－Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
［シラン水溶液との混合による表面処理］
　銅粉２０ｇと各シラン水溶液５０ｍｌを混合撹拌して、銅粉分散液を調製し、直ちに６０分間（又は１２０分間）の超音波処理を行った（株式会社テックジャム製、超音波洗浄器　３周波タイプ　／　W－１１３）（出力１００Ｗ、周波数１００ｋＨｚ）。この６０分間の所要時間を表１では、混合撹拌時間と記載した。操作は室温で行った。
　また、表１の記載のように、いくつかの実施例では回転羽による攪拌混合（３００ｒｐｍ）を上記超音波攪拌と併用するか、回転羽による攪拌のみでシランカップリング剤を銅粉に吸着させた。
　銅粉分散液をろ過して、表面処理された銅粉を回収し、７０℃１時間で加熱乾燥して、表面処理された銅粉を得た。
　各実施例及び比較例についての表面処理された銅粉で行った処理を、表１にまとめた。
［表面処理された銅粉の評価］
　上述の操作によって得られた、表面処理された銅粉に対して、以下の方法によって評価を行った。
［銅粉サイズ測定］
　銅粉の大きさについて、次の手段で測定を行った。その結果は、表２にまとめた。
　レーザー回折式粒度分布測定（島津製作所ＳＬＡＤ－２１００）
［ＴＭＡによる測定］
　表面処理された銅粉によって、サンプルを作製して、ＴＭＡ（Thermomechanical Analyzer）を使用して、焼結開始温度を、次の条件で測定した。
　　サンプル作製条件
　　　　圧粉体サイズ：７ｍｍφ×５ｍｍ高さ
　　　　成型圧力：１Ｔｏｎ／ｃｍ2（１０００ｋｇ重／ｃｍ2）
　　　（潤滑剤として０．５ｗｔ％のステアリン酸亜鉛を添加）
　　測定条件
　　　　装置：島津製作所ＴＭＡ－５０
　　　　昇温：５℃／分
　　　　雰囲気：２ｖｏｌ％Ｈ2－Ｎ2（３００ｃｃ／分）
　　　　荷重：９８．０ｍＮ
　このように、測定対象の銅粉に０．５ｗｔ％のステアリン酸亜鉛を添加して混合し、この混合物を直径７ｍｍの筒体に装填し，上部からポンチを押し込んで１Ｔｏｎ／ｃｍ2で３秒保持する加圧を付与し，高さ約５ｍｍ相当の円柱状に成形した。この成形体を，軸を鉛直方向にして且つ軸方向に９８．０ｍＮの荷重を付与した条件で，昇温炉に装填し，２ｖｏｌ％Ｈ2－Ｎ2（３００ｃｃ／分）流量中で昇温速度５℃／分，測定範囲：５０～１０００℃に連続的に昇温してゆき，成形体の高さ変化（膨張・収縮の変化）を自動記録した。成形体の高さ変化（収縮）が始まり，その収縮率が１％に達したところの温度を「焼結開始温度」とした。各実施例及び比較例についての表面処理された銅粉での焼結開始温度の測定結果は、表３にまとめた。
　このＴＭＡによる昇温によって形成された各焼結体について、その断面をＴＥＭによって観察して、最大径０．５μｍ以上のＳｉＯ2の個数を計数した。得られた結果は、表３にまとめた。
　　装置：ＳＴＥＭ
　　断面ＴＥＭ像倍率：２０００００倍（２０万倍）
［分析］
　表面処理された銅粉の表面に付着したＳｉ、Ｎを次の条件で分析した。この結果は、表３にまとめた。

　　表面Ｎ及び表面Ｓｉ：　直径０．５ｍｍの円筒状の容器に銅粉０．５ｇを充填して、底面が隙間なく覆われるように敷きつめた。円筒容器に敷きつめられた銅粉の上面をＸＰＳ　ｓｕｒｖｅｙ測定。（銅粉球体の上半分の表面に付着したＮ及びＳｉの半定量分析）

　　装置：アルバックファイ社製５６００ＭＣ
　　到達真空度：５．７×１０-9Ｔｏｒｒ
　　励起源：単色化　ＡｌＫα
　　出力：２１０Ｗ
　　検出面積：８００μｍφ
　　入射角、取出角：４５°
　　中和銃使用
［表面処理された銅粉への防錆処理］
　上記実施例４で得た表面処理された銅粉に対して、さらに防錆処理を行っても、本発明の焼結遅延性が維持されることを確認するために、以下の実験を行った（実施例９）。
　　［防錆処理の方法］
　実施例４の銅粉を得た後、防錆処理を行うため、ベンゾトリアゾール水溶液（0.1g / L）100 mL中に分散させ、回転羽で500rpmで10分間攪拌し、ろ過、乾燥（窒素雰囲気下で70℃×1h）させ、さらに、防錆処理された銅粉を得た（実施例９）。
　　［防錆処理された銅粉の評価］
　上記防錆処理された銅粉に対して、上述した実施例４と同様に評価を行って、その結果を、表１～３にまとめた。なお、表２における処理後の銅粉のサイズは、実施例９については、防錆処理後の銅粉のサイズであり、表３の各評価も、防錆処理した銅粉についての結果である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記の比較例１～４の他に、シランカップリング剤としてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用い、アンモニアを触媒として用いて銅粉に表面処理をして、比較実験を行ったが、テトラエトキシシランを用いた場合には、得られた表面処理銅粉が凝集してしまい、肉眼による観察によって、均一な表面処理と粒径が得られていないと思われる状態となっていた。この場合、表面処理前にＤ５０＝０．１３μｍ、Ｄｍａｘ＝０．４４μｍであったが、表面処理後にはＤ５０＝０．８７μｍ、Ｄｍａｘ＝３．１μｍといずれも７倍程度大きくなっていた。また、粒度分布は表面処理前に１山であったものが２山となっていた。
　代表的な例として、実施例５の表面処理された銅粉から得られた焼結体の断面のＴＥＭ像（４万倍）を図１に示す。白い部分は、焼結した銅であり、黒い部分は、ＳｉＯ2粒子である。ＳｉＯ2粒子であることは、別途、ＥＤＳ分析を行って確認した。また、断面の仕上げのために、表面に精密集束イオンビーム(ＦＩＢ）加工を行って、走査型電子顕微鏡（ＳＩＭ）写真を得て、これによってＳｉＯ2粒子数を計数した。
　代表的な例として、実施例５の表面処理された銅粉の表面のＸＰＳ　ｓｕｒｖｅｙ測定の結果を図２に、比較例２の表面処理された銅粉の表面のＸＰＳ　ｓｕｒｖｅｙ測定の結果を図３に、それぞれ示す。図２では、横軸４００ｅＶ付近に、表面のＮの存在を表すピークが観察されるが、図３では、対応する横軸４００ｅＶ付近には、表面のＮの存在を表すピークが観察されない。このように、実施例５の表面処理された銅粉の表面には、表面のＮの存在量を示すピークが観察され一方、比較例２の表面処理された銅粉の表面には、表面のＮの存在量を示すピークが観察されなかった。
　これらの結果、本発明に係る、アミノシラン水溶液を混合して製造した表面処理された銅粉は、その製造方法が極めて簡易であるにもかかわらず、微少な大きさの銅粉であるにもかかわらず、ニッケル合金による微粉と同等以上に、高い焼結開始温度を有していることがわかった。また、この表面処理された銅粉からは、チップ積層セラミックコンデンサーの電極の製造工程と同様の焼結によって焼結体を製造することができること、このように製造（形成）された焼結体は、上記表面処理された銅粉を使用したにもかかわらず、焼結体の断面において、大きな直径（粒子の最小外接円の直径）のＳｉＯ2粒子の個数（個数／μｍ2）が少ないものとなっていることが、わかった。
　また、上記の結果から、十分な焼結遅延性を実現するためには、シランカップリング剤としては、アミノ基を有するアミノシランであることが必要であることがわかった。また、アミノシランとしては、末端にアミノ基を有するアミノシランが好ましいことがわかった。比較例４においては、銅粉に対して十分な量のＳｉが付着しているように見えるにもかかわらず、十分な焼結遅延性が実現されていない。この理由は不明であるが、本発明者は、比較例４においては、アミノシランが、末端にアミノ基を有する構造となっておらず、加えて、ベンゼン環がアミノ基よりも末端に存在するために、あたかも立体障害のような状態が生じていて、焼結のための昇温の途中で、いったんは銅粉に付着したアミノシランあるいはＳｉが、早い時期に銅粉から脱離してしまうためではないかと、推測している。
　また、上記の実施例９の結果から、本発明に係る表面処理された銅粉は、アミノシランによる表面処理を受けた後に、さらに防錆処理等の表面処理を行っても、その優れた性質を維持していることがわかった。すなわち、本発明に係る表面処理された銅粉の表面に、アミノシランによる表面処理が脱離等しない範囲内で、さらに有機物等で表面処理を行って得られた銅粉もまた、本発明の範囲内である。
［製造例］
　以下のように、微細な銅粉を製造し、さらに製造した銅粉をアミノシランによって表面処理して、本発明に係る、表面処理された銅粉を、湿式法による一貫製造を行った。
　（１）　アラビアゴム 0.2 g + 純水 350 mL　に、亜酸化銅 50 g を添加した。
　（２）　次に、希硫酸（25wt%）50 mLを一時に添加した。
　（３）　これを、回転羽で攪拌後（300rpm×10分）、60分放置した。
　（４）　次に、沈殿に対して、洗浄を行った。
　　　　洗浄は、最初に、上澄み液を除去し、純水350 mLを加えて攪拌（ 300rpm×10分）後、60分放置し、上澄み液を除去し、純水350 mLを加えて攪拌（ 300rpm×10分）後、60分放置し、上澄み液を除去することによって行った。
　（５）　次に、アミノシラン処理を行った。
　　　　アミノシラン処理は、アミノシラン水溶液（50mL）を加えて60分攪拌し、この際に、回転羽（300rpm）＋超音波（株式会社テックジャム製、超音波洗浄器　３周波タイプ　／　W－１１３）（出力１００Ｗ、周波数１００ｋＨｚ）の処理を、行った。これとは別に、回転羽のみ（300rpm）の処理、超音波のみの処理を別途行った。アミノシランとして、ジアミノシランＡ－１１２０（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製）、アミノシランＡ－１１１０（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製）を、それぞれ使用した。
　（６）　次に、ろ過を行って、沈殿を分離した。
　（７）　次に、分離した沈殿を、乾燥した。乾燥（70℃×2h）は、大気雰囲気での乾燥、及び窒素中で乾燥を、それぞれ行った。
　このようにして、表面処理された、微細な銅粉を、一貫製造によって得た。このようにして得られた表面処理された銅粉は、上記実施例１～９の表面処理された銅粉と同様に、優れた焼結遅延性を有すると同時に、その焼結体断面に存在するＳｉＯ２の大粒子の数は小さなものであった。また、この一貫製造は、最終的な製品を得るまで乾燥することなく行うことができ、簡便で作業性に優れていた。
［実施例］
　すでに上述した実施例に加えて、以下の実施例をあげて、本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
［金属粉］
　金属粉として、銅微粉、ニッケル粉、銀粉を以下の手順で用意した。
（銅微粉）
　　・実施例１５～１７、比較例９
　　表面処理に供される銅粉２０ｇを、上述した湿式法によって製造した。すなわち、
　　（１）　アラビアゴム 0.4 g + 純水 350 mL　に、亜酸化銅 50 g を添加した。
　（２）　次に、希硫酸（25wt%）50 mLを一時に添加した。
　（３）　これを、回転羽で攪拌後（300rpm×10分）、60分放置した。
　（４）　次に、沈殿に対して、洗浄を行った。
　洗浄は、最初に、上澄み液を除去し、純水350 mLを加えて攪拌（ 300rpm×10分）後、60分放置し、上澄み液を除去し、純水350 mLを加えて攪拌（ 300rpm×10分）後、60分放置し、銅微粉を沈降させた。この状態で粒度測定をレーザー回折式粒度分布測定（島津製作所ＳＬＡＤ－２１００）で行い、表面処理前の粒度測定とした。
　　得られた銅粉の粒子サイズ（Ｄ５０、Ｄｍａｘ）を表３に示す。測定は、レーザー回折式粒度分布測定装置（島津製作所製ＳＡＬＤ－２１００）を使用した。
　　・実施例１０
　　特許第４１６４００９号公報に従い、化学還元法によって銅粉を得た。すなわち、アラビアゴム２ｇを２９００ｍＬの純水に添加した後、硫酸銅１２５ｇを添加し撹拌しながら、８０％ヒドラジン一水和物を３６０ｍＬ添加した。ヒドラジン一水和物の添加後～３時間かけて室温から６０℃に昇温し、更に３時間かけて酸化銅を反応させた。反応終了後、得られたスラリーをヌッチェでろ過し、次いで純水及びメタノールで洗浄し、更に乾燥させて銅粉を得た。この銅粉と実施例１の手順でジアミノシランカップリング剤水溶液とを混合し、表面処理銀粉を得た。この特性を実施例１の手順で評価した。
（ニッケル粉）
　ニッケル粉は東邦チタニウム製のＮＦ３２（Ｄ５０　０．３μｍ）を用いた。
（銀粉）
　特開２００７－２９１５１３に従って製粉した。すなわち、０．８Ｌの純水に硝酸銀１２．６ｇを溶解させ、２５％アンモニア水を２４ｍＬ，さらに硝酸アンモニウムを４０ｇ添加し、銀アンミン錯塩水溶液を調整した。これに１ｇ／Ｌの割合でゼラチンを添加し、これを電解液とし、陽極、陰極ともにＤＳＥ極板を使用し、電流密度２００Ａ／ｍ２、溶液温度２０℃で電解し、電析した銀粒子を局番から掻き落としながら１時間電解した。こうして得られた銀粉をヌッチェでろ過し、純水、アルコールの順に洗浄を行い、７０℃で１２時間大気雰囲気下で乾燥させた。この銀粉を乾式分級し、最終的にＤ５０　０．１μｍ、Ｄｍａｘ　０．５μｍの銀粉を得た。
（カップリング剤水溶液の調製）
　次の各種のシランを使用したシラン水溶液をそれぞれ５０ｍｌ調製した。

　シラン：ジアミノシランＡ－１１２０（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製）
　　　　　メチルトリメトキシシランＫＢＭ－１３（信越シリコーン社製）
　チタネート：アミノ基含有　プレインアクト　ＫＲ４４（味の素ファインテクノ社製）
　　　　　　　アミノ基非含有　プレインアクト　ＫＲ　ＴＴＳ　（味の素ファインテクノ社製）

　濃度は1～１０ｖｏｌ%の範囲で調製した。また、アミノ系カップリング剤以外は希硫酸でｐＨを４に調整した。
　各種のシランの構造式は、以下である。

　ジアミノシランＡ－１１２０：　
　　　　Ｈ2Ｎ－Ｃ2Ｈ4－ＮＨ－Ｃ3Ｈ6－Ｓｉ（ＯＣＨ3）3

　メチルトリメトキシシランＫＢＭ－１３：　
　　　　Ｈ3Ｃ－Ｓｉ（ＯＣＨ3）3

　アミノ基含有　プレインアクト　KR４４　
　　　　疎水基の側鎖有機官能基　　　　　
　　　　　（ＣＨ3）2ＣＨ－Ｏ－　
　　　　親水基の側鎖有機官能基
　　　　　－Ｏ－（Ｃ2Ｈ4）－ＮＨ－（Ｃ2Ｈ4）－ＮＨ2　

　アミノ基非含有　プレインアクト　KR　TTS　
　　　　疎水基の側鎖有機官能基　　　　　
　　　　　（ＣＨ3）2ＣＨ－Ｏ－　
　　　　親水基の側鎖有機官能基
　　　　　－Ｏ－ＣＯ－（Ｃ17Ｈ35）　
　（表面処理）
　上記（銅微粉）の手順で得られた銅微粉スラリーから上澄み液を除去し、銅微粉を乾燥させることなく、上記（カップリング剤水溶液の調製）で調整したカップリング剤と60分間、以下のいずれかの方法で混合させた（実施例１５～１７、比較例９）。
（１）回転羽（３００ｒｐｍ）＋超音波（株式会社テックジャム製、超音波洗浄器　３周波タイプ　／　W－１１３）（出力１００Ｗ、周波数１００ｋＨｚ）
（２）回転羽（３００ｒｐｍ）のみ
（３）超音波のみ
次にこれらのカップリング剤水溶液をそれぞれアスピレーターで吸引ろ過したのち、銅微粉の上に純水３５０ｍＬを加え、さらにろ過した。これを窒素雰囲気下で７０℃で１時間乾燥し、乳鉢で粉砕した。この状態で再度粒度測定を行った。
　実施例１０については、上記（銅微粉）に記載の通りとして、上述の（１）の手順で表面処理を行った。
　上記（ニッケル粉）で得られたニッケル粉、上記（銀粉）の手順で得られた銀粉については、上記（カップリング剤水溶液の調製）で調整したカップリング剤と60分間、上述の（１）の手順で混合させて、表面処理を行った（実施例１１～１４及び１８～２３、比較例６、８，１０、１１）。
　得られた結果を、次の表４～６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　以上のように、本発明によれば、銅粉以外の金属粉を使用した場合においても、また、シランカップリング剤以外のカップリング剤を使用した場合においても、優れた特性の表面処理された金属粉が得られることがわかった。
　本発明は、表面処理後にも凝集することなく、焼結遅延性に優れ、粒子の小さい銅粉であっても高い焼結開始温度を示す、表面処理された銅粉を提供する。本発明による表面処理された銅粉は、銅粉に対して非常に簡単な処理を行うことで製造でき、この製造方法は、高度な技能を必要とせず、作業性及び生産性に優れたものである。本発明は、産業上有用な発明である。

Claims (43)

  1. 　ＸＰＳのsurvey測定で、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれかの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、表面処理された金属粉。
  2. 　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎのいずれか１種以上が０．６％以上で検出される、表面処理された金属粉。
  3. 　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、かつＳｉ、Ｔｉ又はＡｌが０．６％以上で検出される、請求項１～２のいずれかに記載の表面処理された金属粉。
  4. 　ＸＰＳのsurvey測定で、表面のＮが１％以上で検出され、Ｎの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）以上で検出され、かつＳｉ又はＴｉが０．６％以上で検出され、Ｓｉ、Ｔｉ又はＡｌの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出される、請求項１～３のいずれかに記載の金属粉。
  5. 　金属粉がＣｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉのいずれかの金属粉である、請求項１～４のいずれかに記載の金属粉。
  6. 　金属粉が銅粉である、請求項１～４のいずれかに記載の金属粉。
  7. 　Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｓｎをカップリング剤処理で吸着させた、請求項１～６のいずれかに記載の金属粉。
  8. 　カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかである、請求項７に記載の金属粉。
  9. 　末端がアミノ基であるカップリング剤で処理された請求項８に記載の金属粉。
  10. 　金属粉が、シランカップリング剤で表面処理された金属粉である、請求項１～９のいずれかに記載の金属粉。
  11. 　シランカップリング剤がアミノシランである、請求項１０に記載の金属粉。
  12. 　焼結開始温度が400℃以上である、請求項１～１１のいずれかに記載の金属粉。
  13. 　アミノシランが、モノアミノシラン又はジアミノシランである、請求項１１～１２のいずれかに記載の金属粉。
  14. 　請求項１～１３のいずれかに記載の金属粉が、さらに有機化合物で表面処理されてなる、表面処理された金属粉。
  15. 　請求項１～１４のいずれかに記載の金属粉を使用した導電性金属粉ペースト。
  16. 　請求項１５に記載のペーストを使用して製造されたチップセラミック積層コンデンサー。
  17. 　内部電極断面に直径が１０ｎｍ以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が存在している、請求項１６に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
  18. 　内部電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が０．５個/μm2以下で存在している、請求項１６又は請求項１７に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
  19. 　請求項１６～１８のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを最外層に実装した多層基板。
  20. 　請求項１６～１８のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを内層に実装した多層基板。
  21. 　請求項１９又は請求項２０に記載の多層基板を搭載した電子部品。
  22. 　金属粉を、カップリング剤水溶液と混合して、金属粉分散液を調製する工程、
    を含む、表面処理された金属粉を製造する方法。
  23. 　金属粉がＣｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉのいずれかの金属粉である、請求項２２に記載の方法。
  24. 　金属粉が銅粉である、請求項２２に記載の方法。
  25. 　金属粉分散液を撹拌する工程を含む、請求項２２～２４のいずれかに記載の方法。
  26. 　金属粉分散液を超音波処理する工程を含む、請求項２２～２５のいずれかに記載の方法。
  27. 　超音波処理する工程が、１～１８０分間の超音波処理を行う工程である、請求項２６に記載の方法。
  28. 　金属粉分散液をろ過して金属粉を回収する工程、
    　ろ過して回収された金属粉を乾燥して、表面処理された金属粉を得る工程、
    を含む、請求項２２～２７のいずれかに記載の方法。
  29. 　乾燥が、酸素雰囲気又は不活性雰囲気下で行われる、請求項２８に記載の方法。
  30. 　金属粉分散液が、銅粉１ｇに対してカップリング剤０．０２５ｇ以上を含んでいる、請求項２２～２９のいずれかに記載の方法。
  31. 　カップリング剤水溶液が、次の式Ｉ：
    　　　Ｈ2Ｎ－Ｒ1－Ｓｉ（ＯＲ2）2（Ｒ3）　　　　（式Ｉ）
    （ただし、上記式Ｉにおいて、
    Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
    　Ｒ２は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基であり、
    　Ｒ３は、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基、又はＣ１～Ｃ５のアルコキシ基である。）
    で表されるアミノシランの水溶液である、請求項２２～３０のいずれかに記載の方法。
  32. 　Ｒ１が、　－（ＣＨ2）n－、－（ＣＨ2）n－（ＣＨ）m－（ＣＨ2）j-1－、－（ＣＨ2）n－（ＣＣ）－（ＣＨ2）n-1－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－ＮＨ－（ＣＨ2）j－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－ＮＨ－（ＣＨ2）j－　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）、請求項３１に記載の方法。
  33. 　カップリング剤水溶液が、次の式ＩＩ：
    　　　（Ｈ2Ｎ－Ｒ1－Ｏ）pＴｉ（ＯＲ2）q　　　　（式ＩＩ）
    （ただし、上記式ＩＩにおいて、
    Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１～Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
    　Ｒ２は、直鎖状又は分枝を有する、Ｃ１～Ｃ５のアルキル基であり、
    　ｐ及びｑは、１～３の整数であり、ｐ＋ｑ＝４である。）
    で表されるアミノ基含有チタネートの水溶液である、請求項２２～３０のいずれかに記載の方法。
  34. 　Ｒ１が、　－（ＣＨ2）n－、－（ＣＨ2）n－（ＣＨ）m－（ＣＨ2）j-1－、－（ＣＨ2）n－（ＣＣ）－（ＣＨ2）n-1－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－、－（ＣＨ2）n－ＮＨ－（ＣＨ2）m－ＮＨ－（ＣＨ2）j－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－、－（ＣＨ2）n-1－（ＣＨ）ＮＨ2－（ＣＨ2）m-1－ＮＨ－（ＣＨ2）j－　からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）、請求項３３に記載の方法。
  35. 　金属粉が、湿式法によって製造された銅粉である、請求項２２～３４のいずれかに記載の方法。
  36. 　請求項２２～３５のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された金属粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを製造する方法。
  37. 　請求項２２～３５のいずれかに記載の製造方法によって製造された表面処理された金属粉を、溶媒及び／又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを得る工程、
    　導電性金属粉ペーストを基材に塗布する工程、
    　基材に塗布された導電性金属粉ペーストを加熱焼成する工程、
    を含む、電極を製造する方法。
  38. 　請求項２２～３５のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉。
  39. 　請求項３６に記載の製造方法によって製造された、導電性金属粉ペースト。
  40. 　請求項３７に記載の製造方法によって製造された、電極。
  41. 　請求項２２～３５のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉であって、
    　ＸＰＳのsurvey測定で表面のＮが１％以上でＮの光電子が１０００ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ　ｐｅｒ　ｓｅｃｏｎｄ）かつＳｉ、Ｔｉ又はＡｌが０．６％以上でＳｉ、Ｔｉ又はＡｌの光電子が１０００ｃｐｓ以上で検出され、
    　焼結開始温度が400℃以上である、金属粉。
  42. 　請求項４１に記載の表面処理された金属粉が、配合されてなる、導電性金属粉ペースト。
  43. 　請求項４２に記載の導電性金属粉ペーストが塗布されて加熱焼成されてなる、電極であって、
    　電極断面に最大径０．５μm以上のＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3が０．５個/μm2以下で存在している、電極。
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