WO2013089217A1

WO2013089217A1 - 有機電界発光素子

Info

Publication number: WO2013089217A1
Application number: PCT/JP2012/082462
Authority: WO
Inventors: 安達　千波矢; 修造平田; 平田　修; 佑紀柴野
Original assignee: 国立大学法人九州大学; 日産化学工業株式会社
Priority date: 2011-12-15
Filing date: 2012-12-14
Publication date: 2013-06-20
Also published as: TW201341446A; JPWO2013089217A1

Abstract

　陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層とを備える有機電界発光素子又は陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層を含む２層以上の機能層を備える有機電界発光素子であって、前記発光層が、常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、又はキャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層であり、その他の機能層のうちの少なくとも１層が、常温で液体のキャリア輸送材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層、又は常温で液体のキャリア輸送材料を含み、全体として常温で液体のキャリア輸送組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層である有機電界発光素子を提供する。

Description

有機電界発光素子

　本発明は、有機電界発光素子に関し、更に詳述すると、ゲル発光層を備えた有機電界発光素子に関する。

　有機エレクトロルミネッセンス素子（有機発光素子）（以下、有機ＥＬ素子という）は、陰極と陽極との間に少なくとも１種の発光性有機化合物を含む薄膜の有機層（発光層）を挟んだ構成を有しており、この薄膜に電子及び正孔（ホール）を注入・輸送して再結合させて励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・りん光）を利用して発光させる素子である。
　この有機ＥＬ素子は、発光性有機化合物を発光層に用いた発光素子であるため、軽量かつフレキシブル、そして安価で大面積のフルカラー表示が可能なディスプレイとして応用が期待されている。

　この有機ＥＬ素子で用いられる発光層では、正孔及び電子両方のキャリア（電荷）の輸送、それらキャリアの再結合による励起子の形成、そして光放出の３つの過程によって駆動する。
　そのため、発光層にはこれら３つの機能を満たす材料が必要不可欠であり、通常、その材料としては、これら３つの機能を発揮するキャリア輸送性発光材料や、３つの機能を補うために複数種の有機物を混合させたキャリア輸送材料／発光材料が用いられている。

　前記キャリア輸送材料／発光材料を発光層に用いた場合、発光材料がキャリア輸送材料で希釈されることから、濃度消光が抑えられ、高い発光効率を有する有機ＥＬ素子が得られると期待されている。このため、発光材料とキャリア輸送材との多種多様な組み合わせについて精力的に研究がなされている。
　ところで、発光層用の発光材料には単純に目的の蛍光波長及び高い量子収率を持つものを用いればよいというわけではなく、特定の蛍光色素に適したキャリア輸送材料の選定を行う必要がある。この理由は、キャリア輸送材料中に輸送されたキャリアが再結合し、そこで生じる励起エネルギーがキャリア輸送材料中にドープされている蛍光色素の発光を誘起するためである。
　そのため、発光材料／キャリア輸送材料の各成分のＨＯＭＯ／ＬＵＭＯのエネルギー準位の相互関係、あるいは、それらの効率的なエネルギー移動の組み合せの選定が必要不可欠となってくる。

　また、前記キャリア輸送材料／発光材料の組み合わせの選定の以外に、有機ＥＬ素子の発光効率を高める手段としては、キャリアの注入、輸送、再結合を促す材料を複数の層に分離する手法が知られている。
　これは、１９８７年、Ｋｏｄａｋ社のＴａｎｇらによって報告された機能性分離薄膜積層型有機ＥＬ素子（以下、薄膜積層型有機ＥＬ素子）を起源とし、現在においては、陰極／電子注入層／電子輸送層／正孔ブロック層／発光層／電子ブロック層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極等の各機能を有する材料を幾層にも張り合わせた薄膜積層型有機ＥＬ素子の開発が精力的に進められてきている。
　この薄膜積層型有機ＥＬ素子では、各機能を有する材料を幾層にも積み上げる必要があるため、そのプロセスの利便性の観点から、素子の作製法としてウエットプロセスよりも蒸着プロセスが主流に研究されている。
　このように、現在の有機ＥＬ素子は、発光層の発光材料／キャリア輸送材料の選定とともに、発光層を含む機能性分離薄膜の選定も必要とされ、多種多様な材料の開発が果敢に進められている。

　現在、有機ＥＬ素子における重要な問題の１つに、焼付けと呼ばれる劣化がある。この現象は、有機ＥＬ素子に長時間電圧を印加することで不純物が有機ＥＬ素子を構成する材料を分解又は変性することに起因するものと考えられている。
　この劣化を防ぐためには、電極表面の水分、酸素や、構成する有機薄膜に含まれる僅かな不純物等の除去が必要となる。
　その具体的な手法としては、有機ＥＬ素子を構成する有機物の純度及び安定性の向上や、外部からの酸素及び水分の混入を防ぐために乾燥剤等を封止する方法が利用されている。

　しかしながら、実用的な面から有機ＥＬ素子の寿命は少なくとも１００ｃｄ／ｍ²で１０万時間は必要とされており、その間の有機物の分解や発生した不純物による素子の劣化は不可避といえる。
　上述した既存の有機ＥＬ素子は、これら各有機層の焼付けが素子の劣化の原因になっており、有機ＥＬ素子を構成する複数ある有機層のうち一層でも劣化すれば、素子全体の寿命に大きく影響する。
　仮に、この劣化した有機層を、例えばカートリッジ等により交換可能な構造とすれば、新たな有機層を供給し続けることができる結果、有機ＥＬ素子を半永久的に駆動できると考えられる。
　しかし、上述した既存の有機ＥＬ素子のほとんどは固体の有機薄膜が用いられており、劣化した有機層のみを交換することは非常に困難である。

　近年、前記問題点の解決につながるような技術が開発されつつあり、例えば、特許文献１や非特許文献１及び２では、発光層を液状化した有機ＥＬ素子が報告されている。発光層を液状化あるいは半固形状にすることにより、劣化した液状の発光層は固体薄膜層と比較して交換し易くなるといえ、少なくとも発光層については、交換可能な発光素子となり得ると考えられる。
　しかし、特許文献１や非特許文献１及び２に開示されている液体発光層を用いた有機ＥＬ素子は、既存の照明やディスプレイに置き換え可能なほどの高い特性を示す有機ＥＬ素子とは言い難く、その液体発光層やデバイス構造は最適化が必要であった。

　液体発光層を用いた有機ＥＬ素子が既存の固体有機ＥＬ素子に比べて低特性である理由の１つに、液体発光層に含まれるキャリア輸送材料が１種類のみである点が挙げられる。この場合、陽極から注入されるホールと陰極から注入される電子とのバランスが悪く、発光層内でホールと電子とが再結合する確率（キャリア再結合バランス）が低下する。これはすなわち、内部量子収率が悪いということを意味し、素子の発光効率の低下を招く。
　更に、一方のキャリアの注入効率を上げようとした場合、他方のキャリア注入効率が低下することとなり、両方のキャリアが注入され始める電圧が高くなってしまう。発光は両方のキャリアが注入されることによって引き起こされる現象であるため、このキャリア注入開始電圧の上昇は素子の駆動電圧の上昇という結果を招く。
　そのため、単一のキャリア輸送材料を含む液体発光層でキャリア再結合バランスを上げるには、キャリアブロック層やキャリア注入層を用いた緻密な電極界面の制御が必要であった。

　また、前記キャリア注入効率以外に素子特性に大きく寄与する因子として、電極間の距離の制御が挙げられる。
　液体発光層は陽極及び陰極間に液体発光材料を挟み込むことで作製し、それら両電極間の距離をスペーサーの厚みや液体発光材料の量で制御しているが、これらの手法では電極間距離を１μｍ以下の厚みに精密に制御することは困難であり、その結果、駆動電圧の上昇を来す。
　また、液体であるため、電極基板表面の凹凸に起因する電極間距離のムラの影響が顕著であり、同じ性能の素子を再現性よく作製することが困難であった。
　大面積化や歩留まりの向上が求められているＥＬ素子において、このような二つの電極で挟み込む素子作製プロセスは非効率的で、大面積の素子への適用は困難である。

国際公開第２０１１／０１０６５６号特開２００９－２２４７４７号公報

Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，９５，０５３３０４（２００９）Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２３，８８９（２０１１）Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，３，３７２９（２０１０）

　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電極間距離が広範囲に制御され、かつ、製造時の歩留まりが改善された、高輝度かつ低駆動電圧の有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。

　本発明者らは、常温で液体、かつ、駆動時及び非駆動時ともに液状を維持し得る発光層を見出し、この発光層を備えた有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）を既に報告している（特許文献１）が、この有機ＥＬ素子には、上述したとおり、輝度と駆動電圧という点ではさらなる改良の余地があった。
　そこで、本発明者らは、液体発光層を備えた有機ＥＬ素子の輝度の更なる向上、低駆動電圧化を図るとともに、製造時の歩留まりを改善すべく鋭意検討を重ねた結果、発光層をゲル発光層とすることで、塗布プロセスによる膜厚の制御、すなわち電極間距離の制御が容易になり、高輝度かつ低駆動電圧の有機電界発光素子が得られることを見出した。更に、本発明者らは、発光層をゲル発光層とし、更にその他の機能層の少なくとも１層をゲル機能層とすることで、塗布プロセスによる発光層膜厚の制御、すなわち電極間距離の制御が容易になるとともに、キャリア再結合バランスが良好な、高輝度かつ低駆動電圧の有機電界発光素子が得られることを見出し、本発明を完成した。
　なお、特許文献２や非特許文献３には、イオン液体を有するゲル状物質からの電界発光は観測されているが、常温で液体の発光材料やキャリア輸送材料を用いたゲル発光材料については開示されていない。また、これら各文献のゲル状物質には高濃度の電解質が含まれているため素子寿命が低いという欠点がある。

　すなわち、本発明は、
１．陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層とを備える有機電界発光素子であって、
前記発光層が、（Ａ１）常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、又は（Ａ２）キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層であることを特徴とする有機電界発光素子、
２．前記キャリア輸送材料が、ホール輸送材料、電子輸送材料及びホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料から選ばれる少なくとも１種である１の有機電界発光素子、
３．陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層を含む２層以上の機能層を備える有機電界発光素子であって、
　前記発光層が、（Ａ１）常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、又は（Ａ２）キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層であり、
　その他の機能層のうちの少なくとも１層が、（Ｂ１）常温で液体のキャリア輸送材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層、又は（Ｂ２）常温で液体のキャリア輸送材料を含み、全体として常温で液体のキャリア輸送組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層であることを特徴とする有機電界発光素子、
４．前記ゲル発光層に含まれるキャリア輸送材料が、ホール輸送材料、電子輸送材料及びホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料から選ばれる少なくとも１種である３の有機電界発光素子、
５．前記ゲル機能層に含まれるキャリア輸送材料が、ホール輸送材料、電子輸送材料、又はホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料である３又は４の有機電界発光素子、
６．前記ゲル機能層が、前記ゲル発光層と前記陽極との間に、前記ゲル発光層と接する態様で積層された電子ブロック層である３～５のいずれかの有機電界発光素子、
７．前記ゲル化剤が、高分子材料である１～６のいずれかの有機電界発光素子、
８．前記高分子材料が、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリアクリロニトリル類、ポリオレフィン類、ポリスチレン類、ポリアミド類、ポリエステル類、ポリイミド類、ポリアルコキシオキシド類、ポリシロキサン類、及び生体高分子類から選ばれる１種又は２種以上の非導電性高分子である７記載の有機電界発光素子、
９．前記高分子材料が、ポリビニルカルバゾール類、ポリチオフェン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリアニリン類、ポリピロール類、及びカーボン類から選ばれる１種又は２種以上の導電性高分子である７の有機電界発光素子、
１０．前記非導電性高分子が、式（１）及び（２）から選ばれる１種又は２種以上である８の有機電界発光素子、

（式中、Ｒ¹～Ｒ³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、若しくはフェニル基を表すか、又はＲ¹とＲ²若しくはＲ²とＲ³とが互いに結合して形成される炭素数４～１０のシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基を表し、Ｘ¹は、エーテル結合、アミド結合、又はエステル結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表し、Ａ¹はエーテル結合、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を表し、ｎ₁及びｎ₂は、繰り返し単位構造の数であって互いに独立して２～１００，０００の整数を表す。）
１１．前記非導電性高分子が、式（３）及び（４）から選ばれる１種又は２種以上である１０の有機電界発光素子、

（式中、ｎ₁及びｎ₂は、前記と同じ意味を表す。）
１２．前記導電性高分子が、式（５）及び（６）から選ばれる１種又は２種以上である９の有機電界発光素子、

（式中、Ｒ⁴～Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、若しくはフェニル基を表すか、又はＲ⁴とＲ⁵若しくはＲ⁴とＲ⁶とが互いに結合して形成される炭素数４～１０のシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基を表し、Ａｒ¹は、カルバゾール誘導体基、トリアリールアミン誘導体基、スターバーストアミン、チアントレン誘導体基、フェノチアジン誘導体基、アゼピン誘導体基、フェニレンジアミン誘導体基、トリフェニルメタン誘導体基、フルオレン誘導体基、スチルベン誘導体基、ポリアニリン誘導体基、シラン誘導体基、ピロール誘導体基、ポルフィリン誘導体基、炭素縮合環系化合物基、金属若しくは無金属のフタロシアニン誘導体基、ジフェニレンスルホン（ジベンゾチオフェン５，５－ジオキシド）誘導体基、オキサジアゾール誘導体基、トリアゾール誘導体基、トリアジン誘導体基、フェナントロリン誘導体基、イミダゾール誘導体基、オキサゾール誘導体基、フルオレノン誘導体基、シロール誘導体基、トリアリールホスフィンオキシド誘導体基、トリアリールボラン誘導体基、フラン誘導体基、及び電子輸送性金属錯体基から選ばれる１種又は２種以上の基を表し、Ｂ¹は、単結合、並びに２価の、ベンゼン誘導体基、ナフタレン誘導体基、アントラセン誘導体基、ピレン誘導体基、チオフェン誘導体基、フラン誘導体基、ピロール誘導体基、カルバゾール誘導体基、トリアリールアミン誘導体基、スターバーストアミン、チアントレン誘導体基、フェノチアジン誘導体基、アゼピン誘導体基、フェニレンジアミン誘導体基、トリフェニルメタン誘導体基、フルオレン誘導体基、スチルベン誘導体基、ポリアニリン誘導体基、シラン誘導体基、ポルフィリン誘導体基、金属若しくは無金属のフタロシアニン誘導体基、ジフェニレンスルホン（ジベンゾチオフェン５，５－ジオキシド）誘導体基、オキサジアゾール誘導体基、トリアゾール誘導体基、トリアジン誘導体基、フェナントロリン誘導体基、イミダゾール誘導体基、オキサゾール誘導体基、フルオレノン誘導体基、キナクリドン誘導体基、ピラゾロン誘導体基、シロール誘導体基、トリアリールホスフィンオキシド誘導体基、トリアリールボラン誘導体基、及び電子輸送性金属錯体基から選ばれる１種又は２種以上を表し、Ｃ¹は、炭素数１～２０の直鎖状、分岐状若しくは環状の２価共役系脂肪族炭化水素基、又は単結合を表し、ただし、Ｂ¹及びＣ¹が同時に単結合となることはない、ｎ₃及びｎ₄は、繰り返し単位構造の数であって互いに独立して２～１００，０００の整数を表す。）
１３．前記導電性高分子が、式（７）及び（８）から選ばれる１種又は２種以上である１２の有機電界発光素子、

（式中、Ｒ⁷～Ｒ¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、又はフェニル基を表し、ｎ₃及びｎ₄は、前記と同じ意味を表す。）
１４．前記導電性高分子が、式（９）～（１１）から選ばれる１種又は２種以上である１３の有機電界発光素子、

（式中、ｎ₃及びｎ₄は、前記と同じ意味を表す。）
１５．常温で液体の半導体を含む液状組成物を、高分子ゲル化剤でゲル化させてなるゲル、
１６．弾性を有する１５のゲル、
１７．陽極と、陰極と、これら各極間に介在するゲル発光層とを備える有機電界発光素子の製造方法であって、
　（Ａ１）常温で液体の発光材料とゲル化剤とを含み、全体として常温で液体の組成物、又は（Ａ２）キャリア輸送材料、発光材料及びゲル化剤を含み、前記キャリア輸送材料及び発光材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の組成物から、塗布法によって前記ゲル発光層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、
１８．陽極と、陰極と、これら各極間に介在するゲル発光層を含む２層以上のゲル機能層を備える有機電界発光素子の製造方法であって、
　（Ａ１）常温で液体の発光材料とゲル化剤とを含み、全体として常温で液体の組成物、又は（Ａ２）キャリア輸送材料、発光材料及びゲル化剤を含み、前記キャリア輸送材料及び発光材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の組成物から、塗布法によって前記ゲル発光層を形成し、
　（Ｂ）常温で液体のキャリア輸送材料とゲル化剤とを含み、全体として常温で液体の組成物から、塗布法によって少なくとも１層の前記ゲル機能層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、
１９．前記ゲル発光層を冷却した状態で、当該ゲル発光層上に前記陰極を蒸着する１７又は１８の有機電界発光素子の製造方法
を提供する。

　本発明によれば、ゲル発光層、ゲル発光層を含む複数層のゲル機能層の採用により、製造時の歩留まりを改善でき、かつ、二つの電極間の距離を広範囲に制御できるとともに、キャリア再結合バランスが良好な高輝度で低駆動電圧の有機電界発光素子を提供できる。
　この有機電界発光素子のゲル発光層、ゲル機能層は液状の発光材料及び／又はキャリア輸送材料とゲル化剤とから構成されており、駆動時及び非駆動時とも半固形（ゲル）状を維持し得る。このゲル発光層を用いることにより、室温付近にて素子形状を維持し得、しかもフレキシビリティの高い有機電界発光素子を提供できる。また、液状の発光材料やキャリア輸送性材料が劣化した場合に、それらを交換する（例えば、カートリッジ、循環による抜き出し・再注入）ことも可能である。
　本発明の有機電界発光素子は、塗布プロセスを用いて素子を製造することができ、また、ゲル発光層を用いているため、大面積の照明素子においても電極間の距離を正確に制御可能であり、歩留まりも良好である。
　更に、本発明の有機電界発光素子に用いられるゲル発光層は、特許文献２や非特許文献３のゲル状物質のように電解質を用いる必要がないことから、素子の長寿命化も達成できる。
　また、伸縮性に優れたゲル発光層、ゲル機能層を用いるとともに、伸縮性電極を用いて有機ＥＬ素子を作製することで、延伸させながら発光させることが可能な光源や、過度の折り曲げに対しても破損しないようなフレキシブル光源の実現も可能である。

本発明に係る第１の有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。比較例１で作製した有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。合成例１で得られたＴＥＧＰｙの¹Ｈ－ＮＭＲスペクトルを示す図である。実施例１で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を示す図である。実施例１で作製したＥＬ素子のＥＬ外部量子効率－電流密度特性を示す図である。実施例２２で作製した透明ゲル状フィルムを示す写真（上：ＵＶ光非照射時，下：ＵＶ光照射時、目視観察）である。実施例２２で作製したゲル状フィルムの延伸－収縮挙動を示す写真である。実施例２２で作製したゲル状フィルムの繰り返し応力－歪曲線を示す図である。実施例２９で作製した白濁ゲル状フィルムを示す写真（上：ＵＶ光非照射時，下：ＵＶ光照射時、目視観察）である。実施例３９～４５で得られた透明ゲル状フィルムの熱分析結果を示す図である。実施例４６で得られた白濁ゲル状フィルムの熱分析結果を示す図である。本発明に係る第２の有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。比較例７～１３で作製した有機ＥＬ素子を示す概略断面図である。実施例４７で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を示す図である。実施例４７で作製したＥＬ素子のＥＬ外部量子効率－電流密度特性を示す図である。比較例７で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を示す図である。比較例７で作製したＥＬ素子のＥＬ外部量子効率－電流密度特性を示す図である。実施例５２で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を示す図である。実施例５２で作製したＥＬ素子のＥＬ外部量子効率－電流密度特性を示す図である。比較例８で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を示す図である。比較例８で作製したＥＬ素子のＥＬ外部量子効率－電流密度特性を示す図である。

　以下、本発明について更に詳しく説明する。
　本発明に係る第１の有機電界発光素子は、陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層とを備え、発光層が、（Ａ１）常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、又は（Ａ２）キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層であることを特徴とする。
　また、本発明に係る第２の有機電界発光素子は、陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層を含む２層以上の機能層を備え、発光層が、（Ａ１）常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、又は（Ａ２）キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層であり、その他の機能層のうちの少なくとも１層が、（Ｂ１）常温で液体のキャリア輸送材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層、又は（Ｂ２）常温で液体のキャリア輸送材料を含み、全体として常温で液体のキャリア輸送組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層であることを特徴とする。
　ここで、常温とは、ＪＩＳ　Ｚ　８７０３で規定されている、２０℃±１５℃（５～３５℃）の範囲を意味する。

　まず、ゲル化剤について説明する。
　本発明で用いられるゲル化剤としては、液体発光材料等をゲル化し得るものであれば特に制限はなく、従来ゲル化剤として用いられている材料の中から適宜選択して用いることができるが、高分子材料が好ましい。
　高分子材料としては、非導電性高分子でも導電性高分子でもよいが、得られる有機ＥＬ素子の特性を高めることを考慮すると、導電性高分子がより好ましい。

　非導電性高分子としては、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリアクリロニトリル類、ポリオレフィン類、ポリスチレン類、ポリアミド類、ポリエステル類、ポリイミド類、ポリアルコキシオキシド類、ポリシロキサン類、生体高分子類等が挙げられる。
　ポリ（メタ）アクリレート類としては、ポリメチルメタクリレート（式（３）で示される高分子）等が挙げられる。
　ポリアクリロニトリル類としては、ポリアクリロニトリル等が挙げられる。
　ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体等が挙げられる。
　ポリスチレン類としては、ポリスチレン、ポリスチレンスルホン酸、アクリロニトリル－スチレン共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体、メタクリル酸メチル－スチレン共重合体等が挙げられる。
　ポリアミド類としては、ナイロン－６、ナイロン６６等が挙げられる。
　ポリエステル類としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリ－３－ヒドロキシ酪酸、ポリカプロラクトン、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレンサクシネート／アジペート等が挙げられる。
　ポリアルコキシオキシド類としては、ポリエチレンオキシド（式（４）で示される高分子）、ポリプロピレンオキシド、ポリブチレンオキシド等が挙げられる。
　生体高分子類としては、ゼラチン、糖等が挙げられる。

　これらの中でも、式（１）及び式（２）で示される非導電性高分子が好ましい。

　ここで、Ｒ¹～Ｒ³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基若しくはフェニル基を表すか、又はＲ¹とＲ²若しくはＲ²とＲ³とが互いに結合して形成される炭素数４～１０のシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基を表し、Ｘ¹は、エーテル結合、アミド結合又はエステル結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表し、Ａ¹はエーテル結合、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を表し、ｎ₁及びｎ₂は、繰り返し単位構造の数であって互いに独立して２～１００，０００の整数を表す。
　なお、Ｘ¹におけるエーテル結合、アミド結合、エステル結合は、炭素原子とＸ¹との連結部に存在していてもよい。

　ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
　炭素数１～１０のアルキル基の具体例としては、メチル、エチル、ｎ－プロピル、ｉ－プロピル、ｃ－プロピル、ｎ－ブチル、ｉ－ブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、ｃ－ブチル、ｎ－ペンチル、１－メチル－ｎ－ブチル、２－メチル－ｎ－ブチル、３－メチル－ｎ－ブチル、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル、ｃ－ペンチル、２－メチル－ｃ－ブチル、ｎ－ヘキシル、１－メチル－ｎ－ペンチル、２－メチル－ｎ－ペンチル、１，１－ジメチル－ｎ－ブチル、１－エチル－ｎ－ブチル、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピル、ｃ－ヘキシル、１－メチル－ｃ－ペンチル、１－エチル－ｃ－ブチル、１，２－ジメチル－ｃ－ブチル、ｎ－ヘプチル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、ｎ－ノニル、ｎ－デシル基等が挙げられる。

　炭素数４～１０のシクロアルキル基の具体例としては、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル基が挙げられる。
　炭素数４～１０のシクロアルケニル基としては、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロヘプテニル、シクロオクテニル、シクロノネニル、シクロデセニル基が挙げられる。

　エーテル結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の具体例としては、前記炭素数１～１０のアルキル基に加え、ｎ－ウンデシル、ｎ－ドデシル、ｎ－トリデシル、ｎ－テトラデシル、ｎ－ペンタデシル、ｎ－ヘキサデシル、ｎ－ヘプタデシル、ｎ－オクタデシル、ｎ－ノナデシル、ｎ－エイコシル基等の炭素数１１～２０のアルキル基や、－ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂、－ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₀ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₁ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₀ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₁ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、
－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨ（ＣＨ₃）、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₀ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₁ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃基等が挙げられる。
　エステル結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の具体例としては、上述したエーテル基含有アルキル基の酸素原子（Ｏ）の少なくとも１つを、Ｃ（Ｏ）Ｏ又はＯＣ（Ｏ）に代えた基等が挙げられる。

　エーテル結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、例えば、メチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン基等の－（ＣＨ₂）_m－（ｍ＝１～２０）基、及びプロピレン基や、上述したエーテル基含有アルキル基の末端水素原子を１つ取り外してできる２価の基等が挙げられる。
　エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、上述したエーテル基含有アルキレン基の酸素原子（Ｏ）の少なくとも１つを、Ｃ（Ｏ）Ｏ又はＯＣ（Ｏ）に代えた基や、ＮＨＣ（Ｏ）又はＣ（Ｏ）ＮＨに代えた基等が挙げられる。

　これらの中でも、式（３）及び式（４）で示される非導電性高分子がより好ましい。

（式中、ｎ₁及びｎ₂は、前記と同じ意味を表す。）

　一方、導電性高分子としては、ポリビニルカルバゾール類、ポリチオフェン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリアニリン類、ポリピロール類、カーボン類等が挙げられる。
　ポリビニルカルバゾール類としては、式（７）又は式（９）で示される高分子が挙げられる。
　ポリチオフェン類としては、ポリチオフェン、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）、ｐ－トルエンスルホン酸／ポリ（エチレンジオキシチオフェン）等が挙げられる。
　ポリフェニレンビニレン類としては、式（８）で示される化合物、ポリ（２－メトキシ－５－（２－エチルヘキシルオキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＶ、式（１０）で示される高分子）、ポリ（２－メトキシ－５－（４－（２－エチルヘキシルオキシ）フェニル）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＰＶ、式（１１）で示される高分子）等が挙げられる。
　カーボン類としては、カーボンナノチューブ等が挙げられる。

　これらの中でも、式（５）及び式（６）で示される導電性高分子が好ましい。

　ここで、Ｒ⁴～Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基若しくはフェニル基を表すか、又はＲ⁴とＲ⁵若しくはＲ⁴とＲ⁶とが互いに結合して形成される炭素数４～１０のシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基を表し、Ａｒ¹は、カルバゾール誘導体基、トリアリールアミン誘導体基、スターバーストアミン、チアントレン誘導体基、フェノチアジン誘導体基、アゼピン誘導体基、フェニレンジアミン誘導体基、トリフェニルメタン誘導体基、フルオレン誘導体基、スチルベン誘導体基、ポリアニリン誘導体基、シラン誘導体基、ピロール誘導体基、ポルフィリン誘導体基、炭素縮合環系化合物基、金属若しくは無金属のフタロシアニン誘導体基、ジフェニレンスルホン（ジベンゾチオフェン５，５－ジオキシド）誘導体基、オキサジアゾール誘導体基、トリアゾール誘導体基、トリアジン誘導体基、フェナントロリン誘導体基、イミダゾール誘導体基、オキサゾール誘導体基、フルオレノン誘導体基、シロール誘導体基、トリアリールホスフィンオキシド誘導体基、トリアリールボラン誘導体基、フラン誘導体基、及び電子輸送性金属錯体基から選ばれる１種又は２種以上の基を表し、Ｂ¹は、単結合、並びに２価の、ベンゼン誘導体基、ナフタレン誘導体基、アントラセン誘導体基、ピレン誘導体基、チオフェン誘導体基、フラン誘導体基、ピロール誘導体基、カルバゾール誘導体基、トリアリールアミン誘導体基、スターバーストアミン、チアントレン誘導体基、フェノチアジン誘導体基、アゼピン誘導体基、フェニレンジアミン誘導体基、トリフェニルメタン誘導体基、フルオレン誘導体基、スチルベン誘導体基、ポリアニリン誘導体基、シラン誘導体基、ポルフィリン誘導体基、金属若しくは無金属のフタロシアニン誘導体基、ジフェニレンスルホン（ジベンゾチオフェン５，５－ジオキシド）誘導体基、オキサジアゾール誘導体基、トリアゾール誘導体基、トリアジン誘導体基、フェナントロリン誘導体基、イミダゾール誘導体基、オキサゾール誘導体基、フルオレノン誘導体基、キナクリドン誘導体基、ピラゾロン誘導体基、シロール誘導体基、トリアリールホスフィンオキシド誘導体基、トリアリールボラン誘導体基、及び電子輸送性金属錯体基から選ばれる１種又は２種以上を表し、Ｃ¹は、炭素数１～２０の直鎖状、分岐状若しくは環状の２価共役系脂肪族炭化水素基、又は単結合を表し（Ｂ¹及びＣ¹が同時に単結合となることはない）、ｎ₃及びｎ₄は、繰り返し単位構造の数であって互いに独立して２～１００，０００の整数を表す。

　前記ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数４～１０のシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基としては、上述と同様のものが挙げられる。
　炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状の２価共役系脂肪族炭化水素基としては、－（ＣＨ＝ＣＲ）_k－、－（Ｃ≡Ｃ）_l－、－（ＣＲ＝ＣＲ－Ｃ≡Ｃ）_m－（式中、ｋ、ｌは１～１０の整数を、ｍは１～５の整数を表す、）等が挙げられる。
　なお、Ｃ¹とＢ¹の結合態様としては、Ｂ¹の環状部位にＣ¹が直結している態様、又はポリアニリン誘導体では、ＮＨ基に結合している態様が挙げられる。

　特に、式（７）及び式（８）で示される導電性高分子が好ましく、式（９）～（１１）で示される導電性高分子がより好ましいが、特に、得られる有機ＥＬ素子の外部量子効率等を向上させることを考慮すると、側鎖に導電性部位を有する式（７）及び式（９）で示されるポリビニルカルバゾール類が好適である。
　なお、以上説明したゲル化剤は、それぞれ単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。

（式中、Ｒ⁷～Ｒ¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基又はフェニル基を表し、ｎ₃及びｎ₄は、前記と同じ意味を表す。）

（式中、ｎ₃及びｎ₄は、前記と同じ意味を表す。）

　上述したゲル化剤と共に用いられるゲル発光層を構成する成分は、ゲル化剤を添加しない状態で液体の性状を示すものであればよく、発光層の構成材料であるキャリア輸送材料及び発光材料の少なくとも一方が液体であるとともに、発光層を構成する組成物全体として液状のものを用いることができる。
　すなわち、常温で液体の発光材料のみを用い、これをゲル化剤で処理してゲル発光層としても、キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤で処理してゲル発光層としてもよい。
　なお、物質によってはキャリア輸送能及び発光能の両機能を明確に分離できず、例えば、カルバゾール、トリアリールアミン、炭素縮合環系色素等の中には両機能を併せ持つものも存在する。
　本発明では、このような両機能を併せ持つ物質を用いることができ、また、液状を示すものであれば、それ単独で用いることもできる。

　本発明において、液体の発光材料及び／又はキャリア輸送材料としては、式（１２）で示される化合物を好適に用いることができる。

　ここで、Ｘは、キャリア輸送及び／又は発光（色素）部であって、カルバゾール誘導体、チアントレン誘導体、フェノチアジン誘導体、アゼピン誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、アリールシクロアルケン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、シロール誘導体、トリアリールボラン誘導体、スチルベン誘導体、オキサゾール誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ピラゾロン誘導体、フルオレノン誘導体、ポリアニリン誘導体、シラン誘導体、ピロール誘導体、ポルフィリン誘導体、キナクリドン誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体、アントラセン誘導体，テトラセン誘導体，ピレン誘導体，ルブレン誘導体，デカシクレン誘導体，ペリレン誘導体等の炭素縮合環系色素、キサンテン系色素、シアニン系色素、クマリン系色素、キナクリドン系色素、スクアリウム系色素、スチリル系色素、フェノキサゾン系色素、金属又は無金属のフタロシアニン、ベンジジン、イリジウム錯体、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ又は希土類金属からなる中心金属及び配位子から構成される金属錯体を表す。

　これらの中でも、キャリア輸送能という点からカルバゾール誘導体が好ましく、発光能という点から炭素縮環系色素、特に、ルブレン誘導体、ピレン誘導体が好ましい。

　一方、Ｙは、前記Ｘに連結する少なくとも１つの置換基であって、炭素数１～３０のアルキル基又は配位性置換基を表す。
　この場合、アルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよいが、直鎖状のアルキル基を用いた場合、アルキル鎖同士のパッキング等の分子間相互作用により、結晶性の向上や粘度の増加が考えられるため、分岐状のアルキル基がより好ましい。
　このような炭素数１～３０のアルキル基の具体例としては、上述した炭素数１～２０のアルキル基で例示したものと同様のものが挙げられる。

　一方、配位性置換基としては、配位性の元素を含有する置換基であれば特に限定されるものではないが、非イオン性の置換基であることが好ましい。
　なお、配位性の元素とは、共有結合に関与していない電子対（孤立電子対）を有し、この電子対によってルイス酸性物質等に配位可能な元素をいう。

　本発明において、好適な配位性元素としては、酸素、硫黄、セレン、テルル、窒素、リン、ヒ素及びアンチモンから選ばれる１種又は２種以上が好ましく、これらの元素を含む配位性置換基を好適に用いることができる。
　中でも、酸素、硫黄、窒素及びリンから選ばれる１種又は２種以上の配位性元素を含む配位性置換基が好ましく、特に、酸素を含む配位性置換基が好ましい。
　具体的には、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、炭酸エステル結合又はアミド結合を有する炭素数１～３０のアルキル基や、ポリエーテル構造を含む配位性置換基等が挙げられる。
　なお、この場合もエーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、炭酸エステル結合、アミド結合は、ＸとＹとの連結部に存在していてもよい。

　ここで、エーテル結合、エステル結合を含んでいてもよい、炭素数１～３０のアルキル基の具体例としては、前記炭素数１～２０のアルキル基で例示したもののほか、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃基等や、下記式で示される基、更には、これらの基の酸素原子（Ｏ）を、Ｃ（Ｏ）Ｏ又はＯＣ（Ｏ）に代えた基等が挙げられる。

　また、チオエーテル結合を含んでいる前記アルキル基の具体例としては、上述したエーテル結合含有アルキル基の酸素原子（Ｏ）の少なくとも１つを、硫黄原子（Ｓ）に代えた基等が挙げられる。
　炭酸エステル結合を含んでいる前記アルキル基の具体例としては、上述したエーテル結合含有アルキル基の酸素原子（Ｏ）の少なくとも１つを、ＯＣ（Ｏ）Ｏに代えた基等が挙げられる。
　アミド結合を含んでいる前記アルキル基の具体例としては、上述したエーテル結合含有アルキル基の酸素原子（Ｏ）の少なくとも１つを、Ｃ（Ｏ）ＮＨ又はＮＨＣ（Ｏ）に代えた基等が挙げられる。

　これらの中でも、液体になりやすいという点から、炭素数６～３０の置換基が好ましく、具体的には、ｃ－ヘキシル、１－メチル－ｃ－ペンチル、１－エチル－ｃ－ブチル、１，２－ジメチル－ｃ－ブチル、ｎ－ヘプチル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、ｎ－ノニル、ｎ－デシル、ｎ－ウンデシル、ｎ－ドデシル、ｎ－トリデシル、ｎ－テトラデシル、ｎ－ペンタデシル、ｎ－ヘキサデシル、ｎ－ヘプタデシル、ｎ－オクタデシル、ｎ－ノナデシル、ｎ－エイコシル基、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₀ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₁ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₀ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₁ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、
－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₃ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₀ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₁ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₃ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₄ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₅ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₆ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₇ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₈ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ（ＣＨ₂）₁₉ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃基等、並びにこれらの基の酸素原子（Ｏ）を、硫黄原子（Ｓ）に代えた基、Ｃ（Ｏ）Ｏ又はＯＣ（Ｏ）に代えた基、ＯＣ（Ｏ）Ｏに代えた基、及びＣ（Ｏ）ＮＨ又はＮＨＣ（Ｏ）に代えた基等が好適である。

　より好ましくは、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃基等である。

　一方、（ポリ）エーテル構造を含む配位性置換基としては、例えば、－（ＡＯ）_n－（式中、Ａは２価の有機基を表し、ｎは１～１００の整数を表す。）で表される構造を含む基が挙げられる。
　ここで、２価の有機基としては、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、炭酸エステル結合若しくはアミド結合等を含んでいてもよい炭素数１～３０のアルキレン基、非置換若しくは置換基を含んでいてもよい２価の芳香環、又は非置換若しくは置換基を含んでいてもよい２価の複素環等が挙げられる。なお、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　非置換若しくは置換基を含んでいてもよい２価の芳香環としては、１，２－フェニレン、１，３－フェニレン、１，４－フェニレン、１，６－ナフチレン、１，７－ナフチレン、２，６－ナフチレン、２，７－ナフチレン基等が挙げられる。
　同じく２価の複素環としては、イミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、インドール環、キノリン環、フラン環、チオフェン環等が挙げられる。
　ハロゲン原子としては、前記と同様のものが挙げられる。

　また、炭素数１～３０のアルキレン基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、例えば、－（ＣＨ₂）_o－（ｏ＝１～３０）基や、プロピレン基等が挙げられる。
　エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、炭酸エステル結合又はアミド結合を含んでいる炭素数１～３０のアルキレン基とは、上述したようなアルキレン基の任意の位置にこれらの結合を有するものが挙げられ、具体的に下記のような置換基が挙げられる。

　エーテル結合を含んでいる前記アルキレン基としては、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂－基等が好ましい。

　チオエーテル結合を含んでいる前記アルキレン基の具体例としては、エーテル結合を含んでいるアルキレン基の酸素原子（Ｏ）を、硫黄原子（Ｓ）に代えた基等が挙げられる。
　エステル結合を含んでいるアルキレン基の具体例としては、エーテル結合を含んでいるアルキレン基の酸素原子（Ｏ）を、Ｃ（Ｏ）Ｏ又はＯＣ（Ｏ）に代えた基等が挙げられる。
　炭酸エステル結合を含んでいる前記アルキレン基の具体例としては、エーテル結合を含んでいるアルキレン基の酸素原子（Ｏ）を、ＯＣ（Ｏ）Ｏに代えた基等が挙げられる。
　アミド結合を含んでいる炭素数１～３０のアルキレン基の具体例としては、エーテル結合を含んでいるアルキレン基の酸素原子（Ｏ）を、Ｃ（Ｏ）ＮＨ又はＮＨＣ（Ｏ）に代えた基等が挙げられる。

　より具体的には、例えば下記のカルバゾール（１３）、Ｎ，Ｎ－二置換又はＮ，Ｎ，Ｎ－三置換のアリールアミン（１４）等が挙げられる。

　前記式中、Ｙ¹～Ｙ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、又はエーテル結合、チオエーテル、エステル結合、炭酸エステル結合若しくはアミド結合等を含んでもよい炭素数１～３０のアルキル基を表し（ただし、Ｙ¹～Ｙ³の少なくとも１つ、及びＹ⁴～Ｙ⁶の少なくとも１つは前記アルキル基である）、Ｅ¹及びＥ²は、単結合又は置換若しくは非置換の芳香族環を表す。
　芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等が挙げられる。

　本発明では、分子量の増加による粘度の増加を防ぐべく、Ｙ¹、Ｙ²、Ｙ⁴及びＹ⁵が水素原子、Ｙ³及びＹ⁶がアルキル基のものがより好ましく、更には、Ｅ¹，Ｅ²がベンゼン環又は単結合のものが好ましい。
　これらの点から、下記化合物（１５）が好ましく、化合物（１６）がより好ましく、化合物（１７）がより一層好ましいが、これらに限定されるものではない。

（式中、Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³は前記と同じ意味を表す。）

　また、式（１８）で示される、窒素原子上に配位性置換基である（ポリ）エーテル構造を有するカルバゾール誘導体も好適に用いることができる。

（式中、Ｂは１価の有機基を表し、Ａ及びｎは前記と同じ意味を表す。）

　前記式（１８）において、ｎは、１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
　また、１価の有機基としては、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、炭酸エステル結合若しくはアミド結合を含んでいてもよい炭素数１～３０のアルキル基、非置換若しくは置換基を含んでいてもよい芳香環、又は非置換若しくは置換基を含んでいてもよい複素環等が挙げられる。
　芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等が挙げられる。
　複素環としては、イミダゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、インドール環、キノリン環、フラン環、チオフェン環等が挙げられる。
　エーテル結合等を含んでいてもよい炭素数１～３０のアルキル基としては前記と同様のものが挙げられる。

　中でも、式（１９）～（２１）で示されるものが好適であるが、これらに限定されるものではない。
　なお、式（１９）においては、ｎが２～４の化合物が好ましく、式（２０）においては、ｎが１の化合物が好ましく、式（２１）においては、ｎが３の化合物が好ましい。

（式中、ｎは前記と同じ意味を表す。）

　また、下記で示される化合物も好適に用いることができる。

（式中、Ｙ⁴～Ｙ¹¹は、それぞれ独立に、水素原子、又はエーテル結合、チオエーテル、エステル結合、炭酸エステル結合若しくはアミド結合等を含んでもよい炭素数１～３０のアルキル基を表し（ただし、Ｙ⁴～Ｙ⁶の少なくとも１つ、Ｙ⁷及びＹ⁸の少なくとも１つ、Ｙ⁹～Ｙ¹¹の少なくとも１つは前記アルキル基であり、アルキル基の具体例としては、前記Ｙと同様のものが挙げられる。）

（式中、Ｒ¹⁹～Ｒ²²は互いに独立して、炭素数１～３０のアルキル基を示す。）

　また、本発明においては、液体発光材料として、発光特性に優れる炭素縮合環系色素である、下記ピレン誘導体（３１）を用いることもできる。

　前記式中、Ｗ¹～Ｗ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、又はエーテル結合、チオエーテル、エステル結合、炭酸エステル結合若しくはアミド結合等を含んでもよい炭素数１～３０のアルキル基を表し（ただし、Ｗ¹～Ｗ⁴の少なくとも１つは前記アルキル基である）、Ｆ¹～Ｆ⁴は、単結合又は置換若しくは非置換の芳香族環を表す。ここで、アルキル基の具体例としては前記Ｙと同様のものが挙げられ、芳香族環の具体例としては前記と同様のものが挙げられる。

　この場合も、分子量の増加に伴う粘度上昇を防止すべく、Ｆ¹～Ｆ⁴が単結合のもの、すなわち、Ｗ¹～Ｗ⁴が、炭素縮合環に直接結合した化合物（３２）が好ましく、更には、Ｗ¹～Ｗ⁴の少なくとも１つが水素原子のもの、特に、３つが水素原子のものがより好ましい。
　これらの点から、下記化合物（３３）が好ましいが、これに限定されるものではない。

　更に、式（３４）で示される、配位性置換基である（ポリ）エーテル構造を有するピレン系色素も液体発光材料として好適に用いることができる。

（式中、Ｚは２価の有機基を表し、Ａ、Ｂ及びｎは前記と同様の意味を表す。）

　２価の有機基Ｚとしては、前記Ａで説明したものと同様のものが挙げられるが、特に－Ｑ－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（式中、Ｑはアルキレン基を示す。）で示される２価の有機基が好適であり、したがって、式（３５）で示されるピレン系色素が好適である。

　ここで、アルキレン基Ｑとしては、炭素数１～３０のアルキレン基、好ましくは炭素数１～１０のアルキレン基、より好ましくは炭素数１～５のアルキレン基が挙げられ、これらアルキレン基の具体例としては、前記と同様のものが挙げられる。
　より好ましい液状化合物の具体例としては、式（３６）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　なお、式（３６）においては、ｎが３の化合物が好ましい。

（式中、ｎは前記と同じ意味を表す。）

　なお、発光組成物全体として液体となる限りにおいて、キャリア輸送材料又は発光材料として常温で固体のものを用いたり、それらを液体材料に更に配合したりすることもできる。
　このようなキャリア輸送材料としては、従来公知の材料から適宜選択すればよく、例えば、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、（α－ナフチルジフェニルアミン）ダイマー（α－ＮＰＤ）、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類；４，４’，４”－トリス［３－メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［１－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１－ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類；５，５”－ビス－｛４－［ビス（４－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－２，２’：５’，２”－ターチオフェン（ＢＭＡ－３Ｔ）等のオリゴチオフェン類等の正孔輸送材料；Ａｌｑ₃、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）（ｔ－ＢｕＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等の電子輸送材料が挙げられる。

　このような、発光材料としては、従来公知の材料から適宜選択すればよく、例えば、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ₃）、ビス（８－キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ₂）、ビス（２－メチル－８－キノリノラート）（ｐ－フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられる。

　本発明の第１及び第２の有機電界発光素子における（Ａ１）常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、（Ａ２）キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層のいずれの場合も、ゲル化剤及び液体材料の配合比を、ゲル化剤：液体材料（総量）＝１：９９～９９：１（質量比、以下同様）程度とすることができる。
　特に、得られる有機ＥＬ素子の特性をより高めることを考慮すると、１０：９０～９０：１０が好ましく、２０：８０～８０：２０がより好ましく、３０：７０～７０：３０がより一層好ましく、４０：６０～６５：３５が最適である。
　また、ゲル発光層の伸縮特性や柔軟性等の物理的物性をより高めるための液体材料とゲル化剤の配合比率に関しては、液体材料やゲル化剤の分子量や粘度等の物性に強く影響するため特に限定されるものではないが、ゲル化剤：液体材料（総量）＝１：９９～９０：１０がより好ましく、１：９９～６０：４０がより好ましく、２０：８０～５０：５０が最適である。
　これらの観点から、ゲル発光層のゲル化剤と液体材料の配合比率は、ＥＬ素子の素子特性と物理的物性の両特性から、ゲル化剤と液体材料の配合比率の選定が必要となる。

　前記（Ａ２）のゲル発光層において、キャリア輸送材料及び発光材料の配合比率は、組成物全体が液体となる範囲であれば特に限定されるものではなく、質量比で、キャリア輸送材料：発光材料＝９９．９９：０．０１～０．０１：９９．９９程度とすることができるが、９９：１～１：９９が好ましい。
　前記キャリア輸送材料は、ホール輸送材料、電子輸送材料及びホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料から適宜選択して用いればよいが、本発明においては、電子輸送材料とホール輸送材料とを併用するか、ホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料を用いることが好ましいが、発光材料がホール輸送能を備えている場合には電子輸送材料のみを用いる態様も好適である。
　この場合、得られる有機電界発光素子の外部量子効率を高めることを考慮すると、電子輸送材料又はホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料を、組成物（ゲル発光層）中に、第１の有機電界発光素子においては２～３０質量％で用いることが好ましく、第２の有機電界発光素子においては２～５０質量％で用いることが好ましい。また、いずれの有機電界発光素子においても５～２０質量％で用いることがより好ましい。

　前記（Ａ１）及び（Ａ２）のいずれのゲル発光層においても、発光層用のゲルは、各成分を任意の順序で混合して調製することができる。
　この際、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；クロロホルム、塩化メチレン、二塩化エチレン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド系溶媒等の有機溶媒を用いて一旦溶液や分散液を調製し、その後有機溶媒を蒸発させてゲルを作製してもよい。

　ただし、本発明の第２の有機電界発光素子において、ゲル機能層の上にスピンコート等の塗布法でゲル発光層を積層する場合は、ゲル機能層を浸食しづらい溶媒を用いる必要があり、例えば、ゲル化剤としてＰＶＫを用いたゲル機能層の場合には、アセトン、エタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエン等が好適であり、ゲル化剤として、ＰＭＭＡを用いたゲル機能層の場合には、イソプロパノール、エタノール、メタノール、トルエン等が好適である。

　溶液（分散液）調製時の固形分濃度は、特に限定されるものではないが、成膜性や乾燥性等を考慮すると、０．００１～５０質量％が好ましく、０．３～１０質量％がより好ましい。
　本発明の有機電界発光素子において、ゲル発光層の厚みは、特に限定されるものではなく、１～５００ｎｍ程度とすることができ、１０～２５０ｎｍ程度が好ましく、２０～１５０ｎｍ程度がより好ましい。

　一方、本発明の第２の有機電界発光素子のゲル機能層においては、（Ｂ１）常温で液体のキャリア輸送材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層、（Ｂ２）常温で液体のキャリア輸送材料を含み、全体として常温で液体のキャリア輸送組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層のいずれの場合も、ゲル化剤及び液体材料の配合比を、ゲル化剤：液体材料（総量）＝１：９９～９９：１（質量比、以下同様）程度とすることができる。
　特に、得られる有機ＥＬ素子の特性をより高めることを考慮すると、１０：９０～９０：１０が好ましく、２０：８０～８０：２０がより好ましく、３０：７０～７０：３０がより一層好ましい。
　また、この場合もゲル機能層の伸縮特性や柔軟性等の物理的物性をより高めるための液体材料とゲル化剤の配合比率に関しては、液体材料やゲル化剤の分子量や粘度等の物性に強く影響するため、特に限定されるものではないが、ゲル化剤：液体材料（総量）＝１：９９～９０：１０がより好ましく、１：９９～６０：４０がより好ましく、２０：８０～５０：５０が最適である。

　前記（Ｂ２）のゲル機能層では、キャリア輸送組成物全体として液体である限り、先に例示したような常温で固体のキャリア輸送材料を用いてもよい。
　ゲル機能層中で用いるキャリア輸送材料としては、電子輸送材料、ホール輸送材料、電子輸送材料及びホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料から、目的とする機能に応じて適宜選択して用いればよい。
　本発明の第２の有機電界発光素子において、ゲル機能層は、素子の陽極及び陰極間の任意の位置に設けることができるが、ゲル発光層と接する態様で設けることが好ましい。
　特に、得られる有機ＥＬ素子の外部量子効率を高めることを考慮すると、電子ブロック機能を有するゲル機能層をゲル発光層と陽極との間に設けることが好ましい。

　前記（Ｂ１）及び（Ｂ２）のいずれにおいても、機能層用のゲルは、各成分を任意の順序で混合して調製することができる。
　この場合も、先に例示したような有機溶媒を用いて一旦溶液や分散液を調製し、その後有機溶媒を蒸発させてゲルを作製してもよいが、前記と同様、ゲル発光層や他のゲル機能層の上にスピンコート等の塗布法でゲル発光層を積層する場合は、ゲル発光層を浸食しづらい溶媒を用いる必要がある。
　溶液（分散液）調製時の固形分濃度は、特に限定されるものではないが、成膜性や乾燥性等を考慮すると、０．００１～５０質量％が好ましく、０．３～１０質量％がより好ましい。

　本発明の第２の有機電界発光素子において、ゲル機能層の厚みは特に限定されるものではないが、得られる有機電界発光素子の外部量子効率を高めることを考慮すると、１～１００ｎｍ程度が好ましく、５～７０ｎｍ程度がより好ましく、１０～５０ｎｍ程度がより一層好ましい。

　本発明の有機電界発光素子では、上述のゲル発光層やゲル機能層に特徴があるため、その他の素子の構成部材には特に制限はなく、従来公知のものを適宜採用することができる。
　例えば、陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体等を用いることができる。
　陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム－銀合金、アルミニウム－リチウム合金、銀、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、セシウム、セシウム添加ＩＴＯ等を用いることができる。

　また、本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極及びゲル発光層やゲル機能層のほかに、有機電界発光素子に一般的に用いられる各種固体機能層を備えていてもよい。
　このような固体機能層としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層等が挙げられる。

　正孔輸送層は、陽極と発光層との間に設けられ、陽極から注入された正孔を発光層へ輸送する機能を有する層であり、その材料としては、前記常温で固体のキャリア輸送材料で例示した正孔輸送材料と同様のものが挙げられる。
　また、正孔注入層は、正孔輸送層と陽極との間に設けられ、陽極からの正孔注入効率を高める機能を有する層である。
　正孔注入層を形成する材料としては、銅フタロシアニン、４，４’，４”－トリス［３－メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

　電子輸送層は、陰極と発光層との間に設けられ、陰極から注入された電子を発光層へ輸送する機能を有する層であり、その材料としては、前記常温で固体のキャリア輸送材料で例示した電子輸送材料と同様のものが挙げられる。
　電子注入層は、電子輸送層と陰極との間に設けられ、陰極からの電子注入効率を高める機能を有する層である。
　このような電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ₂）、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。

　キャリアブロック層は、発光領域をコントロールするための層であり、上述した任意の層間に形成し得る層である。
　このようなキャリアブロック層を形成する材料としては、ｔ－ＢｕＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。

　次に、本発明の電界発光素子を図面を参照しつつ説明する。
　図１には、本発明に係る第１の有機電界発光素子である有機ＥＬ素子１が示されている。
　この有機ＥＬ素子１は、陽極１０と、陰極２０と、これら各極１０，２０間に介在する、ゲル発光層３０と、ホール注入層５０とを備えている。

　本実施形態において、陽極１０は、ガラス基板１１と、この上に成膜されたＩＴＯ基板１２とから構成されている。
　一方、陰極２０は、Ｃａ層１４と、この上に形成されたＡｇ層１３とから構成されている。
　ゲル発光層３０は、液体発光材料及びゲル化剤から構成されている。
　ホール注入層５０は、ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳから構成されている。

　以上のように構成される有機ＥＬ素子１の作製方法としては特に制限はないが、例えば、下記のような手法を用いることができる。
　まず、ＩＴＯ１２付きガラス基板１０に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをスピンコートして成膜した後、加熱し、ホール注入層５０を作製する。
　続いて、液体発光材料とゲル化剤とをシクロヘキサノンに溶かした溶液を、ホール注入層５０の上にスピンコートして成膜した後、加熱してゲル発光層３０を作製する。
　このゲル発光層３０の上に、Ｃａ、Ａｇを順次蒸着し、有機ＥＬ素子１を得る。
　金属蒸着時の条件は、ゲル発光層を構成する材料に応じて適宜設定すればよいが、蒸着時の温度を液体材料の融点よりも低い温度とすることが好ましい。その温度は液体材料の種類によって異なるため一概には規定できないが、例えば、２００Ｋ以下で行うことが好ましく、１５０Ｋ以下で行うことがより好ましく、１００Ｋ以下で行うことがより一層好ましい。

　図１２には、本発明に係る第２の有機電界発光素子である有機ＥＬ素子３が示されている。
　この有機ＥＬ素子３は、陰極１００と、陽極２００と、これら各極１００，２００間に介在する、ゲル発光層３００と、ゲル発光層３００と陽極２００との間にゲル発光層３００と接する態様で設けられたゲル機能層となるゲル電子ブロック層４００と、ホール注入層１０３とを備えている。

　本実施形態において、陽極２００は、ガラス基板１０５と、この上に成膜されたＩＴＯ基板１０４とから構成されている。
　一方、陰極１００は、Ｃａ層１０２と、この上に形成されたＡｇ層１０１とから構成されている。
　ゲル発光層３００は、液体のホール輸送材料、電子輸送材料、液体発光材料及びゲル化剤から構成されている。
　ゲル機能層４００は、液体のホール輸送材料及びゲル化剤から構成されている。
　ホール注入層１０３は、ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳから構成されている。

　以上のように構成される有機ＥＬ素子３の作製方法としては特に制限はないが、例えば、下記のような手法を用いることができる。
　まず、ＩＴＯ１０４付きガラス基板１０５に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをスピンコートして成膜した後、加熱し、ホール注入層１０３を作製する。
　一方、液体のホール輸送材料とゲル化剤とをシクロヘキサノンに溶かした溶液を、ホール注入層１０３の上にスピンコートして成膜した後、必要に応じて加熱してゲル電子ブロック層４００を作製する。
　続いて、液体ホール輸送材料、電子輸送材料、液体発光材料及びゲル化剤をトルエンに溶かした溶液を、ゲル電子ブロック層４００の上にスピンコートして成膜した後、必要に応じて加熱してゲル発光層３００を作製する。
　このゲル発光層３００の上に、Ｃａ層１０２、Ａｇ層１０１を順次蒸着して陰極１００を形成し、有機ＥＬ素子３を得る。
　金属蒸着時の条件は、有機ＥＬ素子１の製造で説明したとおりである。

　なお、前記２つの実施形態において、各層を構成する材料は、前記実施形態で用いた材料に限定されるものではなく、各層の機能を発揮する限り、先に例示した各種材料等から適宜選択して用いることができる。
　また、各層の成膜方法も前記実施形態の手法に限定されるものではなく、用いる材料に応じて、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、スパッタリング法等の公知の手法を適宜採用することができる。
　更に、必要に応じて、その他のゲル機能層を設けてもよく、また、固体のホールブロック層や正孔注入層等を形成してもよい。

　以下、合成例、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
　なお、実施例で用いた測定装置は以下のとおりである。
（１）電流－電圧－輝度特性
　フォトディテクター付き半導体パラメーターアナライザー（アジレント社製、Ｂ１５００Ａ）と光パワーメーター（ニューポート社製、１９３０Ｃ）によって計測した。
（２）ＥＬ発光スペクトル
　マルチチャンネル分光器（ＰＭＡ－１１，浜松ホトニクス（株）製）によって計測した。
（３）¹Ｈ－ＮＭＲ
装置：ＡＶＡＮＣＥ　５００、Ｂｒｕｋｅｒ社製
（４）吸収スペクトル
装置：赤外紫外可視吸収スペクトル装置（Ｌａｍｂｄａ　９５０－ＰＫＡ，ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製）
（５）ＤＳＣ
装置：Ｐｈｏｅｎｉｘ　ＤＳＣ２０４　Ｆ１、ＮＥＴＺＳＣＨ社製
（６）マイクロメーター
装置：ＭＤＨ－２５Ｍ、（株）ミツトヨ製
（７）引張試験機
装置：小型卓上引張試験機、ＥＺ－Ｌ、（株）島津製作所製

［合成例１］ＴＥＧＰｙの合成

　４－（１－ピレニル）酪酸（３．５ｇ，１１．８ｍｍｏｌ）、［２－［２－（２－メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ］ｐ－トルエンスルホネート（ＴＥＧ－Ｔｓ、４．６ｇ，１４．７ｍｍｏｌ、アルドリッチ社製）及び水素化ナトリウム（５０％油性，０．７０ｇ、１４．６ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（４０ｍＬ）に加え、８０℃で６時間撹拌した。溶媒を減圧留去した後、クロロホルム（１００ｍＬ）を加え、不溶物を濾別した。溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／酢酸エチル＝１００／０～９５／５（ｖ／ｖ））にて精製し、黄色の液体としてＴＥＧＰｙ（４．２ｇ，８３％）を得た。同定は¹Ｈ－ＮＭＲスペクトル（５００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＤＭＳＯ－ｄ₆，ｒ．ｔ．）にて行った。¹Ｈ－ＮＭＲスペクトルを図３に示す。

［１］第１の有機ＥＬ素子の作製
［実施例１］
　洗浄したサンプル瓶中に、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、分子量３５万、アルドリッチ社製）を４質量部、合成例１で得られたＴＥＧＰｙを６質量部、シクロヘキサノンを１６０質量部入れ、７０℃でＰＭＭＡとＴＥＧＰｙがシクロヘキサノン中に完全に溶解するまで撹拌し、ゲル発光層用組成物（インク）を調製した。
　一方、界面活性剤、純水、イソプロパノールの順で超音波洗浄し、ＵＶ／オゾン処理（フィルゲン社製、ＵＶ２５３Ｓ）を１２分間施したＩＴＯ層１２付ガラス基板１１を用意した。
　このＩＴＯ付ガラス基板１１上のＩＴＯ層１２側にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルフォネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の水溶液（ＣＬＥＶＩＯＳ^TM　Ｐ　ＶＰ　ＡＩ４０８３、Ｈ．Ｃ．スタルク社製、ミュンヘン、ドイツ）を滴下し、３０００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートしてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層を成膜し、２００℃で１０分加熱することで厚み３０ｎｍのホール注入層５０を得た。この基板を室温に戻した後、前記で作製したインクをホール注入層５０上に滴下し、２０００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートし、ゲル発光層３０を作製した。

　このゲル発光層３０は非常に柔らかく、その膜厚を直芯型の膜厚測定機（デクタックＩＩ）で測定できないため、膜厚は以下の手法で相対的に評価した。まず、ＰＭＭＡ９９質量部と下記式で示されるクマリン６　１質量部とからなる膜厚１００ｎｍの薄膜を作製し、クマリン６の吸収に相当する４４０ｎｍの吸光度を測定した。次に、ＰＭＭＡ４質量部、ＴＥＧＰｙ６質量部、クマリン６　１質量部、シクロヘキサノン１６０質量部からなるインクを２０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートし、ゲル発光層３０の中に１質量％クマリン６がドープされた薄膜を得た。この場合、クマリン６の濃度はＰＭＭＡやＴＥＧＰｙの濃度と比較して著しく小さいため、クマリン６のドープ、非ドープによらず膜厚は同じ値を示すと仮定した。この膜の４４０ｎｍの吸光度を測定し、ＰＭＭＡにクマリン６が１質量％ドープされた１００ｎｍの膜厚のサンプルの吸光度を比較することで、ゲル発光層３０の膜厚は１００ｎｍであることを確認した。

　この基板を真空蒸着チャンバー内にセットし、室温で１×１０^-4Ｐａ以下になるまで真空引きを行った。
　その後、真空チャンバー内に設置されたクライオスタットにより、基板の温度を２０Ｋまで冷却した。冷却後の基板のゲル発光層３０上にＣａを０．３０ｎｍ／ｓの速度で蒸着法により５０ｎｍの厚みで成膜し、このＣａ層上にＡｇを０．１０ｎｍ／ｓの速度で蒸着法により１００ｎｍの厚みで成膜して陰極層２０を作製した。
　この素子を、不活性雰囲気を崩さない状態でグローブボックス中に移動し、封止をしてＥＬ素子１を得た。素子面積は２ｍｍ×２ｍｍであった。

　作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を図４に、ＥＬ外部量子効率－電流密度特性を図５に示す。
　図４に示されるように、８．０Ｖ以上で発光が観測され、電圧２４Ｖの際に、１２６ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、８８６ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、図５に示されるように、１８．４Ｖ、１０ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．１２％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例２］
　ＰＭＭＡを８質量部、ＴＥＧＰｙを２質量部、シクロヘキサノンを３２０質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例３］
　ＰＭＭＡを７質量部、ＴＥＧＰｙを３質量部、シクロヘキサノンを２８０質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例４］
　ＰＭＭＡを６質量部、ＴＥＧＰｙを４質量部、シクロヘキサノンを２４０質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例５］
　ＰＭＭＡを５質量部、ＴＥＧＰｙを５質量部、シクロヘキサノンを２００質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例６］
　ＰＭＭＡを３質量部、ＴＥＧＰｙを７質量部、シクロヘキサノンを１２０質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例７］
　ＰＭＭＡを２質量部、ＴＥＧＰｙを８質量部、シクロヘキサノンを８０質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例８］
　ＰＭＭＡを１質量部、ＴＥＧＰｙを９質量部、シクロヘキサノンを４０質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［比較例１］
　界面活性剤、純水、イソプロパノールの順で超音波洗浄し、ＵＶ／オゾン処理（フィルゲン社製、ＵＶ２５３Ｓ）を１２分間施したＩＴＯ１２付きガラス基板１１（陽極１０）及びＩＴＯ１６付きガラス基板１５（陰極６０）を用意した。
　グローブボックス中で、ＴＥＧＰｙを陰極６０上（ＩＴＯ１６上）に少量滴下し、陽極１０で挟み込んで得られた積層体の外側からクリップ（図示省略）で挟んで固定し、図２に示されるような、ガラス基板／ＩＴＯ（陽極）／液体発光体層／ＩＴＯ（陰極）／ガラス基板からなるＥＬ素子２を作製した。素子面積は２ｍｍ×２ｍｍであった。

　前記実施例１～８及び比較例１で作製した素子の評価を表１に示す。また、得られた測定データから下記式に従って算出したキャリア再結合バランスγを併せて表１に示す。
　下記式中、ＥＱＥは測定によって求めた外部発光量子収率、Φ_PLは測定によって求めた液状発光層の蛍光又はりん光量子収率、η_extは光取り出し効率であり理論値の０．２を用い、η_rは励起子の生成効率であり、蛍光材料を用いた素子では理論値の０．２５、りん光材料を用いた素子では理論値の最大値である１を用いた。

　ＴＥＧＰｙの濃度が４０～８０質量％において、最大外部量子収率及びキャリア再結合バランスのいずれも、良好な値を示していることがわかる。
　更に詳しくは、ＴＥＧＰｙの濃度が２０質量％から７０質量％の領域に関しては、最大外部量子収率とキャリア再結合バランス共に上昇している。ＴＥＧＰｙの濃度が７０質量％超の領域に関しては、最大外部量子収率とキャリア再結合バランスが低下していく。
　この理由としては、ＰＭＭＡが絶縁体であるのに対し、ＴＥＧＰｙはＰＭＭＡと比較して良好なキャリア注入特性、輸送特性及び発光特性を示すために、その含有量が２０質量％から７０質量％の領域では、外部量子効率とキャリア再結合バランスが向上すると考えられる。
　一方で、ＴＥＧＰｙの濃度が７０質量％超の領域に関しては、陰極にマイクロメーターサイズの無数のひび割れが確認され、またＣａが白濁した状態になっていることが観測された。このことからＣａが酸化していると考えられる。素子を作製後、大気下に出すことなくグローブボックス内で封止を行ったが、グローブボックス内に存在する微量の酸素により、Ｃａ電極が酸化されたものと考えられる。このため、電子の注入が効率よく行われず、最大外部量子収率とキャリア再結合バランスが崩れたと考えられる。

　また、実施例１，３～８と比較例１との結果から、実施例では絶縁性であるＰＭＭＡをＴＥＧＰｙに加えているのもかかわらず、ＴＥＧＰｙだけを発光層に用いた比較例１より、低電圧発光及び大きな外部量子効率とキャリア再結合バランスが達成されていることがわかる。
　これは、実施例１，３～８の発光層の膜厚が比較例１のそれよりも薄いこと、及び実施例１，３～８では陰極にＣａを用いているのに対し、比較例ではＩＴＯを用いていることに強く依存している。
　すなわち、膜厚が薄い実施例の場合は低電圧でキャリアが注入され易い。また、陰極に低仕事関数のＣａ（２．９ｅＶ）を用いており、ＴＥＧＰｙのＬＵＭＯ準位（２．６ｅＶ）とのエネルギー障壁が小さいため電子が注入され易い。そのため低電圧で高効率の外部量子効率とキャリア再結合バランスが達成される。
　一方、比較例１の素子は、膜厚が１５７０ｎｍと実施例に比して厚いため、キャリア注入に高電圧を必要とする。更に、陰極に高仕事関数であるＩＴＯ（４．７ｅＶ）を用いているために、電子注入が生じにくく、外部量子効率とキャリア再結合バランスが共に低い値にとどまる。

　前記実施例１～８では、非導電性高分子であるＰＭＭＡを用いたゲル構造を有する有機ＥＬ素子を評価した。続いて、導電性高分子を用いた単層ゲルを用いたＥＬ素子の評価を行った。
　用いた導電性高分子としては、ペンダント型導電性高分子であるポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ、東京化成工業（株）製）、π共役型導電性高分子である前記式（１１）で示されるポリ（２－メトキシ－５－（４－（２－エチルヘキシルオキシ）フェニル）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＶ、分子量１０万以上、アメリカンダイソース社製）、及び前記式（１０）で示されるポリ（２－メトキシ－５－（２－エチルヘキシルオキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＰＶ，分子量１０万以上、アメリカンダイソース社製）を用いた。

［実施例９］
　ＰＭＭＡの代わりにＰＶＫを５質量部、ＴＥＧＰｙを５質量部、シクロヘキサノンを３００質量部とし、３０００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートしてゲル発光層を成膜した以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　このゲル発光層の膜厚も以下の手法で相対的に評価した。まず、ＰＶＫ９９質量部とクマリン６　１質量部とからなる膜厚１００ｎｍの薄膜を作製し、クマリン６の吸収に相当する４４０ｎｍの吸光度を測定した。次に、ＰＶＫ５質量部、ＴＥＧＰｙ５質量部、クマリン６　１質量部、シクロヘキサノン３００質量部からなるインクを、１０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートし、ゲル発光層の中に１質量％クマリン６がドープされた薄膜を得た。この場合、クマリン６の濃度はＰＶＫやＴＥＧＰｙの濃度と比較して著しく小さいため、クマリン６のドープ、非ドープによらず膜厚は同じ値を示すと仮定した。この膜の４４０ｎｍの吸光度を測定し、ＰＶＫにクマリン６が１質量％ドープされた１００ｎｍの膜厚のサンプルの吸光度を比較することで、ゲル発光層の膜厚は１００ｎｍであることを確認した。

［実施例１０］
　ＰＶＫを４質量部、ＴＥＧＰｙを６質量部、シクロヘキサノンを２４０質量部とする以外は、実施例９と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例１１］
　ＰＶＫを３質量部、ＴＥＧＰｙを７質量部、シクロヘキサノンを１８０質量部とする以外は、実施例９と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例１２］
　ＰＭＭＡの代わりにＭＥＨＰＰＰＶを６質量部、ＴＥＧＰｙの代わりにＥＨＰｙを４質量部、シクロヘキサノンの代わりにクロロホルムを１７４０質量部とし、３０００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートしてゲル発光層を成膜した以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　このゲル発光層の膜厚も以下の手法で相対的に評価した。まず、膜厚１００ｎｍのＭＥＨＰＰＰＶ薄膜を作製し、ＭＥＨＰＰＰＶの吸収に相当する４５０ｎｍの吸光度を測定した。次に、ＭＥＨＰＰＰＶを６質量部、ＥＨＰｙを４質量部、クロロホルムを１７４０質量部のインクを３０００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートしてゲル発光層の４５０ｎｍの吸光度を測定し、１００ｎｍの膜厚のＭＥＨＰＰＰＶ薄膜のサンプルの吸光度と比較することで、ゲル発光層の膜厚は１００ｎｍであることを確認した。

［実施例１３］
　ＭＥＨＰＰＰＶを３質量部、ＥＨＰｙを７質量部、クロロホルムを１１２５質量部とする以外は、実施例１２と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例１４］
　ＰＭＭＡの代わりにＭＥＨＰＰＶを６質量部、ＴＥＧＰｙの代わりにＥＨＰｙを４質量部、シクロヘキサノンの代わりにクロロホルムを２５２０質量部とし、３０００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートしてゲル発光層を成膜した以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　このゲル発光層の膜厚も以下の手法で相対的に評価した。まず、膜厚１００ｎｍのＭＥＨＰＰＶ薄膜を作製し、ＭＥＨＰＰＶの吸収に相当する５００ｎｍの吸光度を測定した。次に、ＭＥＨＰＰＶを６質量部、ＥＨＰｙを４質量部、クロロホルムを２５２０質量部のインクを３０００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートしてゲル発光層の４５０ｎｍの吸光度を測定し、１００ｎｍの膜厚のＭＥＨＰＰＶ薄膜のサンプルの吸光度と比較することで、ゲル発光層の膜厚は１００ｎｍであることを確認した。

［実施例１５］
　ＭＥＨＰＰＶを３質量部、ＥＨＰｙを７質量部、クロロホルムを１４０６質量部とし、３５００ｒｐｍの条件で６０秒スピンコートしてゲル発光層を成膜した以外は、実施例１４と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

　なお、ＥＨＰｙは国際公開第２０１１／０１０６５６号記載の方法に従って合成した。

　実施例９～１５で作製した素子の評価を表２に示す。また、得られた測定データから、前記式に従って算出したキャリア再結合バランスγを併せて表２に示す。

　実施例９～１５で作製したＥＬ素子でも、比較例１に比して、低電圧駆動及び高効率の外部量子効率とキャリアバランスが実現できることがわかった。
　実施例９～１５の結果から、非導電性高分子と同様に導電性高分子も良好なゲル化剤となることが示された。

　実施例１～１５では、液状の蛍光発光性ホスト材料を用いて素子作製を行った。続いて、外部発光効率のさらなる向上を目的として、液状のホスト材料に、りん光発光性材料をゲスト材料として混合したホスト－ゲストの組み合わせからなる素子を作製し、素子評価を行った。
　用いた材料は、下記式で示される液体のホール輸送性ホスト材料（ｐ－型半導体）であるＤＥＧＣｚ、ゲル化剤であるＰＭＭＡ又はＰＶＫ、電子輸送材料（ｎ－型半導体）であるｔ－ＢｕＰＢＤ（東京化成工業（株）製）、及びりん光発光性材料であるＩｒ（ｅｈｐｐｙ）₃を用いた。
　ＤＥＧＣｚ、ｔ－ＢｕＰＢＤ及びＩｒ（ｅｈｐｐｙ）₃の構造を下記に示す。なお、ＤＥＧＣｚは、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，８９（３），１７１（１９９７）に記載の方法を参考に合成し、Ｉｒ（ｅｈｐｐｙ）₃は国際公開第２０１１／０１０６５６号記載の方法に従って合成した。

［実施例１６］
　ＰＭＭＡを２．６質量部、ＴＥＧＰｙの代わりに液状ホスト材料であるＤＥＧＣｚを６質量部、シクロヘキサノンを１０４質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例１７］
　ＰＭＭＡを２．６質量部、ＴＥＧＰｙの代わりに液状ホスト材料であるＤＥＧＣｚを６質量部、更にｎ－型ホスト材料であるｔ－ＢｕＰＢＤを１．４質量部加え、シクロヘキサノンを１０４質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例１８］
　ＰＭＭＡを２．４質量部、ＴＥＧＰｙの代わりに液状ホスト材料であるＤＥＧＣｚを５．８質量部、更にｎ－型ホスト材料であるｔ－ＢｕＰＢＤを１．３質量部及びりん光材料であるＩｒ（ｅｈｐｐｙ）₃を０．５質量部加え、シクロヘキサノンを１１２質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例１９］
　ＰＭＭＡの代わりにＰＶＫを２．６質量部、ＴＥＧＰｙの代わりに液状ホスト材料であるＤＥＧＣｚを６質量部、シクロヘキサノンを１０４質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例２０］
　ＰＭＭＡの代わりにＰＶＫを２．６質量部、ＴＥＧＰｙの代わりに液状ホスト材料であるＤＥＧＣｚを６質量部、更にｎ－型ホスト材料であるｔ－ＢｕＰＢＤを１．４質量部加え、シクロヘキサノンを１０４質量部とした以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

［実施例２１］
　ＰＭＭＡの代わりにＰＶＫを２．４質量部、ＴＥＧＰｙの代わりに液状ホスト材料であるＤＥＧＣｚを５．８質量部、更にｎ－型ホスト材料であるｔ－ＢｕＰＢＤを１．３質量部及びりん光材料であるＩｒ（ｅｈｐｐｙ）₃を０．５質量部加え、シクロヘキサノンを１１２質量部とする以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。

　前記実施例１６～２１で作製した素子の評価を表３に示す。また、得られた測定データから、前記式に従って算出したキャリア再結合バランスγを併せて表３に示す。

　実施例１６と実施例１７との比較、及び実施例１９と実施例２０との比較から、ｔ－ＢｕＰＢＤを添加した素子の方が、発光開始電圧の低下、最大外部量子収率の改善、キャリア再結合バランスの改善が観測されることがわかる。これは、電子輸送材料であるｔ－ＢｕＰＢＤを添加した結果、電子注入及び輸送特性が改善されるためと考えられる。

　実施例１７と実施例１８との比較、及び実施例２０と実施例２１との比較から、Ｉｒ（ｅｈｐｐｙ）₃を添加した素子の方が、更に最大外部量子収率とキャリア再結合バランスの改善が観測されることがわかる。最大外部量子収率改善については、実施例１８及び実施例２１がりん光発光性のゲストを用いているために、発光に寄与する励起子が蛍光発光性の材料を用いた場合よりも多くなっていることに由来していると考えられる。キャリア再結合バランス改善については、りん光発光性ゲストがホールや電子の有効的なトラップとして作用することに由来していると考えられる。

　以上、ゲル発光層のＥＬ特性について評価した。続いてゲル発光層の伸縮特性を検討した。なお、引張試験は小型卓上引張試験機を用いて測定し、フィルムの厚みはマイクロメーターを用いて測定した。
［２］非導電性高分子ゲル化剤を用いたゲル状フィルムの伸縮特性
［実施例２２］
　ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、分子量３５万、アルドリッチ社製）４質量部、合成例１で得られたＴＥＧＰｙ６質量部を塩化メチレン８０質量部に加え、室温でＰＭＭＡとＴＥＧＰｙが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、ゲル発光層用組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、ＰＭＭＡとＴＥＧＰｙが相溶した透明ゲル状フィルム（厚み１９１μｍ）を得た。次に、このフィルムを１ｃｍ×５ｃｍに切り出し、引張試験を行った。

［実施例２３］
　ＰＭＭＡを３質量部、ＴＥＧＰｙを７質量部とした以外は、実施例２２と同様に透明ゲル状フィルム（厚み３６１μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例２４］
　ＰＭＭＡを５質量部、ＴＥＧＰｙを５質量部とした以外は、実施例２２と同様に透明ゲル状フィルム（厚み２５５μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例２５］
　ＰＭＭＡを６質量部、ＴＥＧＰｙを４質量部とした以外は、実施例２２と同様に透明ゲル状フィルム（厚み１０２μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例２６］
　ＰＭＭＡを７質量部、ＴＥＧＰｙを３質量部とした以外は、実施例２２と同様に透明ゲル状フィルム（厚み１０６μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例２７］
　ＰＭＭＡを８質量部、ＴＥＧＰｙを２質量部とした以外は、実施例２２と同様に透明ゲル状フィルム（厚み７２μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例２８］
　ＰＭＭＡを９質量部、ＴＥＧＰｙを１質量部とした以外は、実施例２２と同様に透明ゲル状フィルム（厚み１２０μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［比較例２］
　ポリメチルメタクリレート４質量部（ＰＭＭＡ、分子量３５万、アルドリッチ社製）を塩化メチレン８０質量部に加え、室温でＰＭＭＡが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、ＰＭＭＡの透明フィルム（厚み１１１μｍ）を得た。

［３］非導電性高分子と相溶しない液状物を用いたゲル状フィルムの伸縮特性
［実施例２９］
　ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、分子量３５万、アルドリッチ社製）５質量部、ＥＨＰｙ５質量部を、塩化メチレン１００質量部に加え、室温でＰＭＭＡとＥＨＰｙが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、発光層用組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、白濁ゲル状フィルム（厚み２２０μｍ）を得た。

　前記実施例２２～２９及び比較例２で作製したフィルムの引張試験結果を併せて表４に示す。
　なお、表４において、実施例２２～２５は０％から１００％の歪み領域における応力－歪み曲線から、実施例２６～２９と比較例２では０％から破断歪み領域における応力－歪み曲線から、各フィルムの弾性率を算出した。可逆伸縮性は、１００％の引張歪みをかけた後に元の長さに戻るものを可逆、戻らないものを非可逆とした。

　表４に示されるように、比較例２で作製した通常のガラス転移温度が室温以上のＰＭＭＡからなるフィルムは、高い弾性率を示し、破断歪みも数％程度と小さいため、伸縮特性を示さないことがわかる。
　一方、実施例２２～２５で作製したゲル状フィルムは、比較例２と比べ、弾性率が低く、破断歪みも大きいことがわかる。例えば、実施例２２で作製したゲル状フィルムは、比較例２で作製したフィルムに比べて１／３００以下の弾性率を示し、破断歪みは７５倍と大きい。
　この点、実施例２２で得られたフィルムは、図６に示されるように透明であることから、ゲル化剤であるＰＭＭＡと液体半導体とが相溶し、ＰＭＭＡがゲル化に寄与していることがわかる。
　このようなゲル状フィルムは、低弾性率と大きな破断歪みを有するのみならず、図７に示されるような伸縮特性を有している。また、図８に示されるように、この伸縮特性は可逆的であり、何度も伸縮を繰り返すことが可能である。
　このような可逆伸縮特性は、通常のＰＭＭＡにはない力学特性である。更に、この実施例２２のゲル状フィルムは、図４及び図５に示されるように、それを有機ＥＬ素子の発光層として用いた場合に、ＰＭＭＡにはない導電性と電界発光特性を示す。
　なお、表４に示される実施例２２～２８の比較から、上述したゲル状フィルムの伸縮特性は、前記実施例２２～２８の配合割合の範囲では、液体半導体であるＴＥＧＰｙの濃度の増加とともに向上することがわかる。

　一方、実施例２２～２８と同じように、ＰＭＭＡと液状物であるＥＨＰｙを混合した場合でも、実施例２９で得られたゲル状フィルムは、高弾性率で破断歪みも小さく、伸縮特性を示さない。
　この点、実施例２９で得られたフィルムは、図９に示されるように白濁していることから、ＰＭＭＡと液状物であるＥＨＰｙとが相溶していないことがわかる。

［４］導電性高分子ゲル化剤を用いたゲル状フィルムの伸縮特性
［実施例３０］
　ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ、分子量１１０万、アルドリッチ社製）４質量部、ＴＥＧＣｚ６質量部を、塩化メチレン１２０質量部に加え、室温でＰＶＫと下記構造で示されるＴＥＧＣｚが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、ゲル発光層用組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、ＰＶＫとＴＥＧＣｚが相溶した透明ゲル状フィルム（厚み２３１μｍ）を得た。次に、このフィルムを１ｃｍ×５ｃｍに切り出し、引張試験を行った。
　なお、ＴＥＧＣｚは、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，８９（３），１７１（１９９７）に記載の方法を参考に合成した。

［実施例３１］
　ＰＶＫを２質量部、ＴＥＧＣｚを８質量部とした以外は、実施例３０と同様に透明ゲル状フィルム（厚み３８２μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例３２］
　ＰＶＫを３質量部、ＴＥＧＣｚを７質量部とした以外は、実施例３０と同様に透明ゲル状フィルム（厚み２８０μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例３３］
　ＰＶＫを５質量部、ＴＥＧＣｚを５質量部とした以外は、実施例３０と同様に透明ゲル状フィルム（厚み１９９μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例３４］
　ＰＶＫを６質量部、ＴＥＧＣｚを４質量部とした以外は、実施例３０と同様に透明ゲル状フィルム（厚み１０１μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例３５］
　ＰＶＫを７質量部、ＴＥＧＣｚを３質量部とした以外は、実施例３０と同様に透明ゲル状フィルム（厚み９０μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例３６］
　ＰＶＫを８質量部、ＴＥＧＣｚを２質量部とした以外は、実施例３０と同様に透明ゲル状フィルム（厚み８４μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［実施例３７］
　ＰＶＫを９質量部、ＴＥＧＣｚを１質量部とする以外は、実施例３０と同様に透明ゲル状フィルム（厚み１３７μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［５］導電性高分子の伸縮特性
［比較例３］
　ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ、分子量１１０万、アルドリッチ社製）４質量部を塩化メチレン１２０質量部に加え、室温でＰＶＫが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、ＰＶＫの透明フィルム（厚み９２μｍ）を得た。次に、このフィルムを１ｃｍ×５ｃｍに切り出し、引張試験を行った。

［比較例４］
　ポリ（２－メトキシ－５－（２－エチルヘキシルオキシ）－１，４－フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＰＶ，分子量１０万以上、アメリカンダイソース社製）１質量部を塩化メチレン１００質量部に加え、室温でＭＥＨＰＰＰＶが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、ＭＥＨＰＰＰＶの赤色透明フィルム（厚み３５μｍ）を得た。次に、このフィルムを１ｃｍ×５ｃｍに切り出し、引張試験を行った。

［６］導電性高分子と相溶しない液状物を用いた白濁ゲル状フィルムの伸縮特性
［比較例５］
　ＴＥＧＣｚの代わりにｎ－ドデカン５質量部を用いた以外は、実施例３３と同様に白濁状フィルム（厚み３８８μｍ）を作製し、引張試験を行った。

［比較例６］
　ＴＥＧＣｚの代わりにトリエチレングリコールジメチルエーテル５質量部を用いた以外は、実施例３３と同様に白濁状フィルム（厚み２７８μｍ）を作製し、引張試験を行った。

　表５に示されるように、比較例３で作製したＰＶＫからなるフィルム及び比較例４で作製したＭＥＨＰＰＰＶからなるフィルムは、いずれも高い弾性率を示し、破断歪みも数％程度と小さいため、伸縮特性を示さないことがわかる。
　一方、実施例３０～３７で作製したゲル状フィルムは、比較例３，４と比べ、弾性率が低く、破断歪みも大きく、ＰＶＫやＭＥＨＰＰＰＶにはない力学特性を示すことがわかる。例えば、実施例３３で作製したゲル状フィルムは、比較例３，４で作製したフィルムに比べて１／１０００以下の弾性率を示し、破断歪みも２００倍以上大きい。
　また、実施例３０～３７の比較から、上述したゲル状フィルムの伸縮特性は、前記実施例３０～３７の配合割合の範囲では、液体半導体であるＴＥＧＣｚの濃度の増加とともに向上することがわかる。
　なお、実施例３０～３３で得られたゲル状フィルムも、実施例２２と同様、可逆的な伸縮特性を示す。
　一方、比較例５，６のように、実施例３３と同じようにＰＶＫと液状物を混合した場合でも、相溶しない場合は高弾性率で破断歪みも小さく、伸縮特性を示さない。

［７］りん光材料及び電子輸送材料を備えたゲル状フィルムの伸縮特性
［実施例３８］
　ＰＶＫ（分子量１１０万、アルドリッチ社製）２８質量部、ＴＥＧＣｚ５８質量部、ｔ－ＢｕＰＢＤ１２質量部、下記構造で示される（ビス（２－（９，９－ジブチルフルオレニル）－１－ピリジン）アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（ＤＢＰＡＩ，アメリカンダイソース社製）２質量部を、塩化メチレン８４０質量部に加え、室温でＰＶＫ、ＴＥＧＣｚ、ｔ－ＢｕＰＢＤ及びＤＢＰＡＩが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、ゲル発光層用組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、各材料が相溶した透明ゲル状フィルム（厚み１８９μｍ）を得た。次に、このフィルムを１ｃｍ×５ｃｍに切り出し、引張試験を行った。結果を表６に示す。

　表６に示されるように、実施例３８のようなりん光発光性の導電性材料を含むゲル状フィルムも、低い弾性率と大きな破断歪みを示し、可逆伸縮特性を有する。このゲル状フィルムは、可逆伸縮機能を有するだけでなく、実施例１９～２１と同様の半導体特性とりん光発光性を有している。

［８］ゲル状フィルムの熱分析
［実施例３９］
　ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、分子量３５万、アルドリッチ社製）４質量部、合成例１で得られたＴＥＧＰｙ６質量部を塩化メチレン１５０質量部に加え、室温でＰＭＭＡとＴＥＧＰｙが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌し、ゲル発光層用組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、ＰＭＭＡとＴＥＧＰｙが相溶した透明ゲル状フィルムを作製した。

［実施例４０］
　ＰＭＭＡを２質量部、ＴＥＧＰｙを８質量部とした以外は、実施例３９と同様に透明ゲル状フィルムを作製した。

［実施例４１］
　ＰＭＭＡを３質量部、ＴＥＧＰｙを７質量部とした以外は、実施例３９と同様に透明ゲル状フィルムを作製した。

［実施例４２］
　ＰＭＭＡを５質量部、ＴＥＧＰｙを５質量部とした以外は、実施例３９と同様に透明ゲル状フィルムを作製し材料の熱分析を行った。

［実施例４３］
　ＰＭＭＡを６質量部、ＴＥＧＰｙを４質量部とした以外は、実施例３９と同様に透明ゲル状フィルムを作製した。

［実施例４４］
　ＰＭＭＡを７質量部、ＴＥＧＰｙを３質量部とした以外は、実施例３９と同様に透明ゲル状フィルムを作製した。

［実施例４５］
　ＰＭＭＡを８質量部、ＴＥＧＰｙを２質量部とした以外は、実施例３９と同様に透明ゲル状フィルムを作製した。

［実施例４６］
　ポリエチレングリコール（ＰＥＯ、分子量１０万、アルドリッチ社製）５質量部、ＥＨＰｙ５質量部を塩化メチレン１５０質量部に加え、室温でＰＥＯとＥＨＰｙが塩化メチレンに完全に溶解するまで撹拌しゲル発光層用組成物（インク）を調製した。このインクを時計皿上に塗布し、２４時間室温大気中で乾燥して塩化メチレンを揮発させ、白濁ゲル状フィルムを作製した。

　前記実施例３９～４６で作製したフィルム１０ｍｇを切り出し、アルミサンプルパンに入れ、ＤＳＣにて材料の熱分析を行った。
　実施例３９～４５で得られたフィルムの熱分析結果を図１０に、実施例４６で得られたフィルムの熱分析結果を図１１に示す。なお、図１０には、ＰＭＭＡ単独及びＴＥＧＰｙ単独の熱分析結果を併せて示し、図１１には、ＥＨＰｙ単独及びＰＥＯ単独の熱分析結果を併せて示した。

　実施例３９～４５で得られたフィルムは、実施例２２と同様（図６参照）に透明ゲル状フィルムであるため、少なくとも可視域レベル以下のサイズでＴＥＧＰｙとＰＭＭＡとが相溶していることが伺える。
　この点、図１０に示されるように、ＴＥＧＰｙをＰＭＭＡにドープすることで、ＰＭＭＡの１１０℃付近のＴｇのピークが消失していることがわかる。更に、ＴＥＧＰｙの濃度が増加すると、相溶フィルムの融点はＴＥＧＰｙ自身の融点のピークへと近づいていくことが観測される。このことより、ＴＥＧＰｙはどの濃度でもＰＭＭＡと相溶状態を取っていることがわかる。
　一方で、実施例４６で得られたフィルムは、実施例２９と同様（図９参照）に白濁ゲル状フィルムであるが、この点、図１１に示されるように、６０℃付近のＰＥＯのピークがＥＨＰｙの導入によっても消失しておらず、ＥＨＰｙはＰＥＯと相分離していることがわかる。

［９］第２の有機ＥＬ素子の作製
［実施例４７］
（１）ゲル電子ブロック層用組成物の調製
　洗浄したサンプル瓶中に、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ、アルドリッチ社製、分子量１１０万）を３質量部、下記式で示されるＴＥＧＣｚを７質量部、シクロヘキサノンを３００質量部入れ、７０℃でＰＶＫとＴＥＧＣｚがシクロヘキサノン中に完全に溶解するまで撹拌し、ゲル電子ブロック層用組成物（インク１）を調製した。
（２）ゲル発光層用組成物の調製
　洗浄したサンプル瓶中に、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、アルドリッチ社製、分子量３５万）を４質量部、合成例１で得られたＴＥＧＰｙを６質量部、トルエンを４００質量部入れ、７０℃でＰＭＭＡとＴＥＧＰｙがトルエンに完全に溶解するまで撹拌し、ゲル発光層用組成物（インク２）を調製した。

（３）ＥＬ素子の作製
　界面活性剤、純水、イソプロパノールの順で超音波洗浄し、ＵＶ／オゾン処理（フィルゲン社製、ＵＶ２５３Ｓ）を１２分間施したＩＴＯ層１０４付ガラス基板１０５を用意した。このＩＴＯ付ガラス基板１０５上のＩＴＯ層１０４側に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（スチレンスルフォネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の水溶液（ＣＬＥＶＩＯＳ^TM　Ｐ　ＶＰ　ＡＩ４０８３、Ｈ．Ｃ．スタルク社製、ミュンヘン、ドイツ）を滴下し、３０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートしてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層を成膜し、２００℃で１０分間加熱することで厚み３０ｎｍのホール注入層１０３を得た。
　この基板を室温に戻した後、前記で作製したインク１をホール注入層１０３上に滴下し、１０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートして、ホール注入層１０３上にゲル電子ブロック層４００を形成した。
　このゲル電子ブロック層４００は非常に柔らかく、その膜厚を直芯型の膜厚測定機（デクタックＩＩ）で測定できないため、膜厚は以下の手法で相対的に評価した。
　まず、ＰＶＫ９９質量部と下記式で示されるクマリン６　１質量部とからなる、膜厚１００ｎｍの薄膜を作製し、クマリン６の吸収に相当する４４０ｎｍの吸光度を測定した。
　次に、ＰＶＫ３０質量部、ＴＥＧＣｚ７０質量部、クマリン６　１質量部、シクロヘキサノン３０００質量部からなるインクを１０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートし、ゲル電子ブロック層４００の中に１質量％クマリン６がドープされた薄膜を得た。この場合、クマリン６の濃度はＰＶＫやＴＥＧＣｚの濃度と比較して著しく小さいため、クマリン６のドープ、非ドープによらず膜厚は同じ値を示すと仮定した。この膜の４４０ｎｍの吸光度を測定し、ＰＶＫにクマリン６が１質量％ドープされた１００ｎｍの膜厚のサンプルの吸光度を比較することで、ゲル電子ブロック層４００の膜厚を計算した。
　このようにして算出されたゲル電子ブロック層４００の膜厚は１２２ｎｍであった。

　次に、このゲル電子ブロック層４００の上に前記で作製したインク２を滴下し、４０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートし、ゲル電子ブロック層４００の上にゲル発光層３００を形成した。
　このゲル発光層３００の膜厚も非常に柔らかいため、ゲル電子ブロック層４００と同様、膜厚は以下の手法で相対的に評価した。
　まず、ＰＭＭＡ９９質量部と下記式で示されるＤＣＭ１質量部からなる、膜厚１００ｎｍの薄膜を作製し、ＤＣＭの吸収に相当する５００ｎｍの吸光度を測定した。
　次に、ＰＭＭＡ４０質量部、ＴＥＧＰｙ６０質量部、ＤＣＭ１質量部、トルエン４０００質量部からなるインクを、４０００ｒｐｍの条件で３０秒間スピンコートし、ゲル発光層３００の中に１質量％ＤＣＭがドープされた薄膜を得た。この場合、ＤＣＭの濃度はＰＶＫやＴＥＧＣｚの濃度と比較して著しく小さいため、ＤＣＭのドープ、非ドープによらず膜厚は同じ値を示すと仮定した。この膜の５００ｎｍの吸収は、ゲル電子ブロック層４００の材料やクマリン６の吸収と重ならないため、５００ｎｍの吸光度を測定し、ＰＶＫにＤＣＭが１質量％ドープされた１００ｎｍの膜厚のサンプルの吸光度を比較することで、ゲル発光層３００の膜厚を計算可能である。
　このようにして算出されたゲル発光層３００の膜厚は６０ｎｍであった。
　更に、ゲル発光層３００を成膜した後に、クマリン６の吸光度を測定し、再度ゲル電子ブロック層４００の膜厚を算出したところ、４４ｎｍであった。このように、ゲル電子ブロック層４００の膜厚は、ゲル発光層の成膜時に用いたトルエンにより、１２２ｎｍから４４ｎｍに減少した。

　次に、ホール注入層１０３、ゲル電子ブロック層４００及びゲル発光層３００が成膜された基板２００を真空蒸着チャンバー内にセットし、室温で１×１０^-4Ｐａ以下になるまで真空引きを行った。
　その後、真空チャンバー内に設置されたクライオスタットにより、基板２００の温度を２０Ｋまで冷却した。冷却後の基板２００のゲル発光層３００上にＣａを０．３０ｎｍ／ｓの速度で蒸着法により５０ｎｍの厚みで成膜し、このＣａ層上にＡｇを０．１０ｎｍ／ｓの速度で蒸着法により１００ｎｍの厚みで成膜して陰極層１００を形成した。
　この素子を、不活性雰囲気を崩さない状態でグローブボックス中に移動し、封止をしてＥＬ素子３を得た。素子面積は２ｍｍ×２ｍｍであった。

　前記実施例で用いたＴＥＧＣｚ、クマリン６（シグマアルドリッチ社製）、ＤＣＭ（シグマアルドリッチ社製）の構造を下記に示す。なお、ＴＥＧＣｚはＳｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ，８９（３），１７１（１９９７）に記載の方法を参考に合成した。

　実施例４７で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を図１４に、ＥＬ外部量子効率－電流密度特性を図１５に示す。
　図１４に示されるように、４．６Ｖ以上で発光が観測され、１０Ｖの際に、０．９５ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、３５ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、図１５に示されるように、７．７Ｖ，０．２２ｍＡ／ｃｍ²の際に、１．４％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［比較例７］
　ゲル電子ブロック層４００を成膜せずに、インク２を用いて直接ホール注入層１０３上ゲル発光層３００を形成した以外は、実施例４７と同様にして、図１３に示されるような、ＥＬ素子４を作製した。
　比較例７で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を図１６に、ＥＬ外部量子効率－電流密度特性を図１７に示す。
　図１６に示されるように、４．８Ｖ以上で発光が観測され、２０．６Ｖの際に、３８．９ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、１５５ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。
　また、図１７に示されるように、１９．８Ｖ，２８．０ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．１１％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

　実施例４７及び比較例７で作製したＥＬ素子のいずれにおいても、発光はゲル発光層からのみ放射される。
　比較例７で作製した素子の場合、ゲル発光層に注入されたホールと電子が再結合せずに陽極や陰極にリークする割合が大きい結果、外部量子効率が低い値にとどまっていると考えられる。
　一方、実施例４７で作製した素子の場合、ＴＥＧＰｙのＬＵＭＯ準位（２．６ｅＶ）が、ゲル電子ブロック層のＰＶＫやＴＥＧＣｚのＬＵＭＯ準位（２．３ｅＶ）よりも大きいため、ＴＥＧＰｙを電導した電子がゲル電子ブロック層で効率よくブロックされる。この際、ゲル電子ブロック層とゲル発光層の界面におけるゲル発光層側に電子が蓄積され、そこにゲル電子ブロック層を電導したホールが注入される結果、効率よくホールと電子が再結合するので、外部量子効率の改善が観測されたと考えられる。

［実施例４８］
　電子ブロック層成膜時のインク１のスピンコートの回転数を２０００ｒｐｍとした以外は、実施例４７と同様に素子を作製し、その特性を評価した。
　なお、ゲル発光層成膜前のゲル電子ブロック層の膜厚は９６ｎｍであった。一方、ゲル発光層をゲル電子ブロック層の上に６０ｎｍの厚みで成膜した後、ゲル電子ブロック層とゲル発光層の総膜厚は８２ｎｍであった。したがって、ゲル発光層の成膜前後で、ゲル電子ブロック層の膜厚は９６ｎｍから２２ｎｍに減少した。
　実施例４８で作製したＥＬ素子では３．６Ｖ以上で発光が観測され、８．８Ｖの際に、１．５８ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、５２ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、７．４Ｖ，０．７４ｍＡ／ｃｍ²の際に、１．２９％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例４９］
　電子ブロック層成膜時のインク１のスピンコートの回転数を３０００ｒｐｍとした以外は、実施例４７と同様に素子を作製し、その特性を評価した。
　なお、ゲル発光層成膜前のゲル電子ブロック層の膜厚は７１ｎｍであった。一方、ゲル発光層をゲル電子ブロック層の上に６０ｎｍの厚みで成膜した後、ゲル電子ブロック層とゲル発光層の総膜厚は８０ｎｍであった。したがって、ゲル発光層の成膜前後で、ゲル電子ブロック層の膜厚は７１ｎｍから２０ｎｍに減少した。
　実施例４９で作製したＥＬ素子では３．０Ｖ以上で発光が観測され、９．２Ｖの際に、２．０ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、６２ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、７．０Ｖ，０．６０ｍＡ／ｃｍ²の際に、１．１６％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例５０］
　電子ブロック層成膜時のインク１のスピンコートの回転数を４０００ｒｐｍとした以外は、実施例４７と同様に素子を作製し、その特性を評価した。
　なお、ゲル発光層成膜前のゲル電子ブロック層の膜厚は６０ｎｍであった。一方、ゲル発光層をゲル電子ブロック層の上に６０ｎｍの厚みで成膜した後、ゲル電子ブロック層とゲル発光層の総膜厚は７５ｎｍであった。したがって、ゲル発光層の成膜前後で、ゲル電子ブロック層の膜厚は６０ｎｍから１５ｎｍに減少している。
　実施例５０で作製したＥＬ素子では３．４Ｖ以上で発光が観測され、１０．６Ｖの際に、５．３７ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、７４ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、６．６Ｖ，０．８９ｍＡ／ｃｍ²の際に、１．０２％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例５１］
　電子ブロック層成膜時のインク１のスピンコートの回転数を８０００ｒｐｍとした以外は、実施例４７と同様に素子を作製し、その特性を評価した。
　なお、ゲル発光層成膜前のゲル電子ブロック層の膜厚は３９ｎｍであった。一方、ゲル発光層をゲル電子ブロック層の上に６０ｎｍの厚みで成膜した後、ゲル電子ブロック層とゲル発光層の総膜厚は６９ｎｍであった。したがって、ゲル発光層の成膜前後で、ゲル電子ブロック層の膜厚は３９ｎｍから９ｎｍに減少している。
　実施例５１で作製したＥＬ素子では４．４Ｖ以上で発光が観測され、１０．２Ｖの際に、５．３７ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、７４ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、６．６Ｖ，０．８９ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．６１％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

　前記実施例４７～５１及び比較例７で作製した素子の評価を表７に示す。また、得られた測定データから下記式に従って算出したキャリア再結合バランスγを併せて表７に示す。
　下記式中、ＥＱＥは測定によって求めた外部発光量子収率、Φ_PLは測定によって求めた液状発光層の蛍光又はりん光量子収率、η_extは光取り出し効率であり理論値の０．２を用い、η_rは励起子の生成効率であり、蛍光材料を用いた素子では理論値の０．２５、りん光材料を用いた素子では理論値の最大値である１を用いた。

　表７に示されるように、実施例４７～５１と比較例７とを比べると、ゲル電子ブロック層を導入することでキャリア再結合バランスが大幅に改善することがわかる。
　また、実施例４７～５１の結果から、ゲル電子ブロック層の膜厚の増加とともに電子の陽極側へのリークが抑制され、結果的に、キャリア再結合バランスが大きくなっている。このことから、ゲル電子ブロック層が実際に電子ブロック機能を発揮していることがわかる。

［実施例５２］
（１）ゲル発光層用組成物の調製
　洗浄したサンプル瓶中に、ＰＶＫ（東京化成工業（株）製、分子量４０万）を２７質量部、ＴＥＧＣｚを５９質量部、電子輸送材料（ｎ－型半導体）であるｔ－ＢｕＰＢＤ（東京化成工業（株）製）を１２質量部、りん光発光材料である（ビス（２－（９，９－ジブチルフルオレニル）－１－ピリジン）アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（アメリカンダイソース社製）を２質量部、トルエンを２７００質量部入れ、７０℃でＰＶＫとＴＥＧＣｚがトルエン中に完全に溶解するまで撹拌し、ゲル発光層用組成物（インク３）を調製した。

（２）ＥＬ素子の作製
　実施例４７と同様にしてＩＴＯ層１０４付ガラス基板１０５上に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳからなるホール注入層１０３を形成した。
　この基板を室温に戻した後、実施例４７で作製したインク１をホール注入層１０３上に滴下し、４０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートし、ホール注入層１０３上にゲル電子ブロック層４００を６０ｎｍの厚みで形成した。
　次に、このゲル電子ブロック層４００上に前記で調製したインク３を滴下し、３０００ｒｐｍの条件で６０秒間スピンコートし、ゲル電子ブロック層４００の上にゲル発光層３００を形成した。
　このゲル発光層３００の膜厚についても、以下の手法で相対的に評価した。
　ＰＶＫ９８質量部と（ビス（２－（９，９－ジブチルフルオレニル）－１－ピリジン）アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）２質量部からなる、膜厚１００ｎｍの薄膜を作製し、（ビス（２－（９，９－ジヘキシルフルレニル）－１－ピリジン）アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）の吸収に相当する４３０ｎｍの吸光度を測定した。この４３０ｎｍの吸光度とゲル発光層３００の４３０ｎｍの吸光度を比較することで、ゲル発光層３００の膜厚を算出したところ、７０ｎｍであった。
　更に、ゲル発光層３００を成膜した後に、再度ゲル電子ブロック層４００の膜厚を算出したところ、１５ｎｍであった。このように、電子ブロック層４００の膜厚は、ゲル発光層の成膜時に用いたトルエンにより、６０ｎｍから１５ｎｍに減少した。
　続いて、前記で得られたゲル電子ブロック層４００とゲル発光層３００が成膜された基板２０を用いた以外は、実施例１と同様にして、ＥＬ素子３を作製した。素子面積は２ｍｍ×２ｍｍであった。

　前記実施例５２で用いたビス（２－（９，９－ジブチルフルオレニル）－１－ピリジン）アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ　ｃｏｍｐｌｅｘ）及びｔ－ＢｕＰＢＤの構造を下記に示す。

　実施例５２で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を図１８に、ＥＬ外部量子効率－電流密度特性を図１９に示す。
　図１８に示されるように、２．８Ｖ以上で発光が観測され、２１．０Ｖの際に、１４９ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、１５９００ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。
　また、図１９に示されるように、１３．４Ｖ，４．８４ｍＡ／ｃｍ²の際に、５．７２％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［比較例８］
　ゲル電子ブロック層４００を成膜せずに、インク３を用いて直接ホール注入層１０３上にゲル発光層３００を形成した以外は、実施例５２と同様にして、図１３に示されるようなＥＬ素子４を作製した。
　比較例８で作製したＥＬ素子の電流密度－電圧－輝度特性を図２０に、ＥＬ外部量子効率－電流密度特性を図２１に示す。
　図２０に示されるように、２．８Ｖ以上で発光が観測され、１８．６Ｖの際に、２１５ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、１２６００ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。
　また、図２１に示されるように、１２．８Ｖ，１４．４ｍＡ／ｃｍ²の際に、２．１２％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

　実施例５２及び比較例８で作製したＥＬ素子のいずれにおいても、発光はゲル発光層からのみ放射される。
　比較例８で作製した素子の場合、ゲル発光層に注入されたホールと電子が再結合せずに陽極や陰極にリークする割合が大きい結果、外部量子効率が低い値にとどまっていると考えられる。
　一方、実施例５２で作製した素子の場合、ｔ－ＢｕＰＢＤのＬＵＭＯ準位（２．９ｅＶ）が、ゲル電子ブロック層４００のＰＶＫやＴＥＧＣｚのＬＵＭＯ準位（２．３ｅＶ）よりも大きいため、ｔ－ＢｕＰＢＤを電導した電子がゲル電子ブロック層４００で効率よくブロックされる。この際、ゲル電子ブロック層とゲル発光層の界面におけるゲル発光層側に電子が蓄積され、そこにゲル電子ブロック層を電導したホールが注入される結果、効率よくホールと電子が再結合するので、外部量子効率の改善が観測されたと考えられる。

［実施例５３］
　インク３の組成を、ＰＶＫ３９質量部、ｔ－ＢｕＰＢＤ０質量部、トルエン３９００質量部とした以外は、実施例５２と同様に素子を作製し、その特性を評価した。ゲル発光層の膜厚は７７ｎｍ、ゲル発光層成膜後のゲル電子ブロック層の膜厚は１７ｎｍであった。
　実施例５３で作製したＥＬ素子では５．４Ｖ以上で発光が観測され、２２．０Ｖの際に、２３２ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、３８１０ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、１３．４Ｖ，２．２５ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．８９％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［比較例９］
　ゲル電子ブロック層４００を成膜せずに、インク３を用いて直接ホール注入層１０３上にゲル発光層３００を形成した以外は、実施例５３と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　比較例９で作製したＥＬ素子では２．７Ｖ以上で発光が観測され、１４．５Ｖの際に、１６８ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、３６８０ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、１１．７Ｖ，３０．５ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．６１％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例５４］
　インク３の組成を、ＰＶＫ３３質量部、ｔ－ＢｕＰＢＤ６質量部、トルエン３３００質量部とした以外は、実施例５２と同様に素子を作製し、その特性を評価した。ゲル発光層の膜厚は７９ｎｍ、ゲル発光層成膜後のゲル電子ブロック層の膜厚は１６ｎｍであった。
　実施例５４で作製したＥＬ素子では３．８Ｖ以上で発光が観測され、２１．８Ｖの際に、１３３ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、７９００ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、１２．６Ｖ，１．８６ｍＡ／ｃｍ²の際に、４．７３％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［比較例１０］
　ゲル電子ブロック層４００を成膜せずに、インク３を用いて直接ホール注入層１０３上にゲル発光層３００を形成した以外は、実施例５４と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　比較例１０で作製したＥＬ素子では２．４Ｖ以上で発光が観測され、１８．６Ｖの際に、１９０ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、１１６００ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、１３．８Ｖ，２６．４ｍＡ／ｃｍ²の際に、２．４０％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例５５］
　インク３の組成を、ＰＶＫ２１質量部、ｔ－ＢｕＰＢＤ１８質量部、トルエン２１００質量部とした以外は、実施例５２と同様に素子を作製し、その特性を評価した。ゲル発光層の膜厚は８７ｎｍ、ゲル発光層成膜後のゲル電子ブロック層の膜厚は１５ｎｍであった。
　実施例５５で作製したＥＬ素子では３．４Ｖ以上で発光が観測され、２３．８Ｖの際に、１２８ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、１７７００ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、１５．２Ｖ，３．５２ｍＡ／ｃｍ²の際に、５．６８％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［比較例１１］
　ゲル電子ブロック層４００を成膜せずに、インク３を用いて直接ホール注入層１０３上にゲル発光層３００を形成した以外は、実施例５５と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　比較例１１で作製したＥＬ素子では３．０Ｖ以上で発光が観測され、２４．８Ｖの際に、３７．７ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、１３４０ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、２１．６Ｖ，１５．１ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．８３％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例５６］
　インク３の組成を、ＰＶＫ１５質量部、ｔ－ＢｕＰＢＤ２４質量部、トルエン１５００質量部とした以外は、実施例５２と同様に素子を作製し、その特性を評価した。ゲル発光層の膜厚は８７ｎｍ、ゲル発光層成膜後のゲル電子ブロック層の膜厚は１５ｎｍであった。
　実施例５６で作製したＥＬ素子では３．６Ｖ以上で発光が観測され、３１．６Ｖの際に、８７．１ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、９０９０ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、６．６Ｖ，０．８９ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．６１％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［比較例１２］
　ゲル電子ブロック層４００を成膜せずに、インク３を用いて直接ホール注入層１０３上にゲル発光層３００を形成した以外は、実施例５６と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　比較例１２で作製したＥＬ素子では４．２Ｖ以上で発光が観測され、２８．４Ｖの際に、１０５ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、２３８ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、１６．０Ｖ，２．９１ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．０４３％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［実施例５７］
　インク３の組成を、ＰＶＫ９質量部、ｔ－ＢｕＰＢＤ３０質量部、トルエン９００質量部とした以外は、実施例５２と同様に素子を作製し、その特性を評価した。ゲル発光層の膜厚は１０５ｎｍ、ゲル発光層成膜後のゲル電子ブロック層の膜厚は１６ｎｍであった。
　実施例５７で作製したＥＬ素子では２．４Ｖ以上で発光が観測され、４６．８Ｖの際に、２０．４ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、３１８０ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、３８．２Ｖ，２．３７ｍＡ／ｃｍ²の際に、４．８０％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

［比較例１３］
　ゲル電子ブロック層４００を成膜せずに、インク３を用いて直接ホール注入層１０３上にゲル発光層３００を形成した以外は、実施例５７と同様にＥＬ素子を作製し、その特性を評価した。
　比較例１３で作製したＥＬ素子では１１．０Ｖ以上で発光が観測され、３８．８Ｖの際に、７．５０ｍＡ／ｃｍ²の電流密度、４．３６ｃｄ／ｍ²の最大輝度が得られた。また、３８．８Ｖ，７．５０ｍＡ／ｃｍ²の際に、０．０１２％の最大ＥＬ外部量子効率が得られた。

　前記実施例５２～５７及び比較例８～１３で作製したＥＬ素子の発光開始電圧、最大外部量子収率、蛍光量子収率、キャリア再結合バランスを表８にまとめて示す。

　表８に示されるように、実施例５２～５７と比較例８～１３とを比べると、ゲル電子ブロック層を導入することでキャリア再結合バランスが大幅に改善することがわかる。
　また、比較例８～１３の結果から、単層のゲル構造を有するＥＬ素子では、ホール輸送材料であるＰＶＫやＴＥＧＣｚの濃度に対する、電子輸送材料であるｔ－ＢｕＰＢＤの濃度を調節した場合においても、キャリア再結合バランスの向上が困難であることがわかる。
　これに対し、実施例５２～５７の結果から、ゲル電子ブロック層を用いた場合は、電子輸送材料であるｔ－ＢｕＰＢＤの濃度の増加とともにキャリア再結合バランスが改善されていくことがわかる。これは、ｔ－ＢｕＰＢＤのＬＵＭＯ準位（２．９ｅＶ）が、ゲル電子ブロック層のＰＶＫやＴＥＧＣｚのＬＵＭＯ準位（２．３ｅＶ）よりも大きいため、ｔ－ＢｕＰＢＤを電導した電子がゲル電子ブロック層で効率よくブロックされ、ゲル電子ブロック層とゲル発光層の界面におけるゲル発光層の側に電子が蓄積され、そこにゲル電子ブロック層を電導したホールが注入され、効率よくホールと電子が再結合するためと考えられる。

１、３　有機ＥＬ素子（電界発光素子）
１０　陽極
２０　陰極
３０　ゲル発光層
５０　ホール注入層
１００　陰極
２００　陽極
３００　ゲル発光層
４００　ゲル電子ブロック層（ゲル機能層）

Claims

　陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層とを備える有機電界発光素子であって、
前記発光層が、（Ａ１）常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、又は（Ａ２）キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層であることを特徴とする有機電界発光素子。
　前記キャリア輸送材料が、ホール輸送材料、電子輸送材料及びホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載の有機電界発光素子。
　陽極と、陰極と、これら各極間に介在する発光層を含む２層以上の機能層を備える有機電界発光素子であって、
　前記発光層が、（Ａ１）常温で液体の発光材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層、又は（Ａ２）キャリア輸送材料及び発光材料を含み、これら各材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の発光組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル発光層であり、
　その他の機能層のうちの少なくとも１層が、（Ｂ１）常温で液体のキャリア輸送材料をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層、又は（Ｂ２）常温で液体のキャリア輸送材料を含み、全体として常温で液体のキャリア輸送組成物をゲル化剤でゲル化させてなるゲル機能層であることを特徴とする有機電界発光素子。
　前記ゲル発光層に含まれるキャリア輸送材料が、ホール輸送材料、電子輸送材料及びホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料から選ばれる少なくとも１種である請求項３記載の有機電界発光素子。
　前記ゲル機能層に含まれるキャリア輸送材料が、ホール輸送材料、電子輸送材料、又はホール輸送能と電子輸送能とを併せ持つ材料である請求項３又は４記載の有機電界発光素子。
　前記ゲル機能層が、前記ゲル発光層と前記陽極との間に、前記ゲル発光層と接する態様で積層された電子ブロック層である請求項３～５のいずれか１項記載の有機電界発光素子。
　前記ゲル化剤が、高分子材料である請求項１～６のいずれか１項記載の有機電界発光素子。
　前記高分子材料が、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリアクリロニトリル類、ポリオレフィン類、ポリスチレン類、ポリアミド類、ポリエステル類、ポリイミド類、ポリアルコキシオキシド類、ポリシロキサン類、及び生体高分子類から選ばれる１種又は２種以上の非導電性高分子である請求項７記載の有機電界発光素子。
　前記高分子材料が、ポリビニルカルバゾール類、ポリチオフェン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリアニリン類、ポリピロール類、及びカーボン類から選ばれる１種又は２種以上の導電性高分子である請求項７記載の有機電界発光素子。
　前記非導電性高分子が、式（１）及び（２）から選ばれる１種又は２種以上である請求項８記載の有機電界発光素子。

（式中、Ｒ¹～Ｒ³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、若しくはフェニル基を表すか、又はＲ¹とＲ²若しくはＲ²とＲ³とが互いに結合して形成される炭素数４～１０のシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基を表し、
　Ｘ¹は、エーテル結合、アミド結合、又はエステル結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表し、
　Ａ¹はエーテル結合、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を表し、
　ｎ₁及びｎ₂は、繰り返し単位構造の数であって互いに独立して２～１００，０００の整数を表す。）
　前記非導電性高分子が、式（３）及び（４）から選ばれる１種又は２種以上である請求項１０記載の有機電界発光素子。

（式中、ｎ₁及びｎ₂は、前記と同じ意味を表す。）
　前記導電性高分子が、式（５）及び（６）から選ばれる１種又は２種以上である請求項９記載の有機電界発光素子。

（式中、Ｒ⁴～Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、若しくはフェニル基を表すか、又はＲ⁴とＲ⁵若しくはＲ⁴とＲ⁶とが互いに結合して形成される炭素数４～１０のシクロアルキル基若しくはシクロアルケニル基を表し、
　Ａｒ¹は、カルバゾール誘導体基、トリアリールアミン誘導体基、スターバーストアミン、チアントレン誘導体基、フェノチアジン誘導体基、アゼピン誘導体基、フェニレンジアミン誘導体基、トリフェニルメタン誘導体基、フルオレン誘導体基、スチルベン誘導体基、ポリアニリン誘導体基、シラン誘導体基、ピロール誘導体基、ポルフィリン誘導体基、炭素縮合環系化合物基、金属若しくは無金属のフタロシアニン誘導体基、ジフェニレンスルホン（ジベンゾチオフェン５，５－ジオキシド）誘導体基、オキサジアゾール誘導体基、トリアゾール誘導体基、トリアジン誘導体基、フェナントロリン誘導体基、イミダゾール誘導体基、オキサゾール誘導体基、フルオレノン誘導体基、シロール誘導体基、トリアリールホスフィンオキシド誘導体基、トリアリールボラン誘導体基、フラン誘導体基、及び電子輸送性金属錯体基から選ばれる１種又は２種以上の基を表し、
　Ｂ¹は、単結合、並びに２価の、ベンゼン誘導体基、ナフタレン誘導体基、アントラセン誘導体基、ピレン誘導体基、チオフェン誘導体基、フラン誘導体基、ピロール誘導体基、カルバゾール誘導体基、トリアリールアミン誘導体基、スターバーストアミン、チアントレン誘導体基、フェノチアジン誘導体基、アゼピン誘導体基、フェニレンジアミン誘導体基、トリフェニルメタン誘導体基、フルオレン誘導体基、スチルベン誘導体基、ポリアニリン誘導体基、シラン誘導体基、ポルフィリン誘導体基、金属若しくは無金属のフタロシアニン誘導体基、ジフェニレンスルホン（ジベンゾチオフェン５，５－ジオキシド）誘導体基、オキサジアゾール誘導体基、トリアゾール誘導体基、トリアジン誘導体基、フェナントロリン誘導体基、イミダゾール誘導体基、オキサゾール誘導体基、フルオレノン誘導体基、キナクリドン誘導体基、ピラゾロン誘導体基、シロール誘導体基、トリアリールホスフィンオキシド誘導体基、トリアリールボラン誘導体基、及び電子輸送性金属錯体基から選ばれる１種又は２種以上を表し、
　Ｃ¹は、炭素数１～２０の直鎖状、分岐状若しくは環状の２価共役系脂肪族炭化水素基、又は単結合を表し、ただし、Ｂ¹及びＣ¹が同時に単結合となることはない、
　ｎ₃及びｎ₄は、繰り返し単位構造の数であって互いに独立して２～１００，０００の整数を表す。）
　前記導電性高分子が、式（７）及び（８）から選ばれる１種又は２種以上である請求項１２記載の有機電界発光素子。

（式中、Ｒ⁷～Ｒ¹⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、又はフェニル基を表し、ｎ₃及びｎ₄は、前記と同じ意味を表す。）
　前記導電性高分子が、式（９）～（１１）から選ばれる１種又は２種以上である請求項１３記載の有機電界発光素子。

（式中、ｎ₃及びｎ₄は、前記と同じ意味を表す。）
　常温で液体の半導体を含む液状組成物を、高分子ゲル化剤でゲル化させてなるゲル。
　弾性を有する請求項１５記載のゲル。
　陽極と、陰極と、これら各極間に介在するゲル発光層とを備える有機電界発光素子の製造方法であって、
　（Ａ１）常温で液体の発光材料とゲル化剤とを含み、全体として常温で液体の組成物、又は（Ａ２）キャリア輸送材料、発光材料及びゲル化剤を含み、前記キャリア輸送材料及び発光材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の組成物から、塗布法によって前記ゲル発光層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
　陽極と、陰極と、これら各極間に介在するゲル発光層を含む２層以上のゲル機能層を備える有機電界発光素子の製造方法であって、
　（Ａ１）常温で液体の発光材料とゲル化剤とを含み、全体として常温で液体の組成物、又は（Ａ２）キャリア輸送材料、発光材料及びゲル化剤を含み、前記キャリア輸送材料及び発光材料のうち少なくとも１つが常温で液体であるとともに、全体として常温で液体の組成物から、塗布法によって前記ゲル発光層を形成し、
　（Ｂ）常温で液体のキャリア輸送材料とゲル化剤とを含み、全体として常温で液体の組成物から、塗布法によって少なくとも１層の前記ゲル機能層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
　前記ゲル発光層を冷却した状態で、当該ゲル発光層上に前記陰極を蒸着する請求項１７又は１８記載の有機電界発光素子の製造方法。