WO2013047087A1 - 発光素子実装用基板および発光装置 - Google Patents

発光素子実装用基板および発光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013047087A1
WO2013047087A1 PCT/JP2012/072197 JP2012072197W WO2013047087A1 WO 2013047087 A1 WO2013047087 A1 WO 2013047087A1 JP 2012072197 W JP2012072197 W JP 2012072197W WO 2013047087 A1 WO2013047087 A1 WO 2013047087A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting element
light
light emitting
mounting substrate
element mounting
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/072197
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
甫 戸田
実 中須賀
中元　徹郎
三垣　俊二
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to CN201280046457.5A priority Critical patent/CN103828077B/zh
Priority to US14/347,202 priority patent/US20140240995A1/en
Priority to EP12835862.9A priority patent/EP2763199A4/en
Priority to JP2013510435A priority patent/JP5372293B2/ja
Publication of WO2013047087A1 publication Critical patent/WO2013047087A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • F21V19/003—Fastening of light source holders, e.g. of circuit boards or substrates holding light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
    • C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/785—Submicron sized grains, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9646—Optical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element mounting substrate and a light emitting device in which the light emitting element is mounted on the light emitting element mounting substrate.
  • LEDs light emitting diodes
  • LEDs have attracted attention as light emitting elements with high brightness and low power consumption.
  • LEDs is also widely used as a backlight for light sources for electric display boards, mobile phones, personal computers, etc. from general illumination.
  • Patent Document 1 proposes a highly reflective white ceramic made of aluminum oxide and a vitreous component.
  • a substrate made of an alumina sintered body as in Patent Document 1 is required to have a high volume resistivity because a conductor is formed on the surface, but the volume resistivity is high.
  • the substrate was easily charged with static electricity due to contact with or friction with equipment or the like in the process of conductor formation or conveyance.
  • the light emitting element is mounted in a state where static electricity is charged on the substrate, there is a possibility that the light emitting element may be electrostatically broken due to discharge of the charged static electricity.
  • the present invention has been devised to solve the above problems, and has a low volume resistivity and a low risk of electrostatic breakdown, and a light emitting element mounted on the light emitting element mounting substrate.
  • An object of the present invention is to provide a light emitting device.
  • the substrate for mounting a light-emitting element of the present invention is composed of an alumina sintered body in which aluminum oxide accounts for 80% by mass or more when all constituent components are 100% by mass, and O and Al in aluminum oxide crystal particles
  • the O / Al ratio which is the ratio of the atomic weight, is less than 1.5.
  • the light-emitting device of the present invention is characterized in that the light-emitting element is mounted on the light-emitting element mounting substrate having the above-described configuration.
  • the O / Al ratio which is the atomic weight ratio of O to Al in the aluminum oxide crystal particles, is less than 1.5, the volume resistivity can be lowered, and the conductor In the process of forming and transporting, it is possible to reduce the possibility of static electricity being charged by contact or friction with equipment or the like.
  • the light emitting device of the present invention since the light emitting element is mounted on the light emitting element mounting substrate having a low volume resistivity and a low possibility of electrostatic breakdown, the light emitting device has high reliability. be able to.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of formation of a conductor in the light emitting element mounting substrate of the present embodiment.
  • electrodes 3a and 3b are formed on one surface 1a of the substrate 1, and a part of the electrodes 3a and 3b is formed.
  • An example in which electrode pads 3c and 3d are formed is shown, and a light emitting element (not shown) made of a semiconductor is placed on the electrode pad 3c or the electrode pad 3d.
  • FIG. 1 shows an example in which the electrodes 3a and 3b are formed in the through hole and on the other surface 1b.
  • the light emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment is made of an alumina sintered body in which aluminum oxide accounts for 80% by mass or more when the constituent component is 100% by mass.
  • the O / Al ratio which is the atomic weight ratio of O and Al, is less than 1.5.
  • the O / Al ratio which is the ratio of the atomic weight of O and Al in the aluminum oxide crystal particles, is described as the O / Al ratio in the aluminum oxide crystal particles, or simply the O / Al ratio.
  • the aluminum oxide sintered body contains, for example, at least one of silicon oxide, magnesium oxide and calcium oxide in addition to aluminum oxide occupying 80% by mass or more, and is fired using these as a sintering aid. It consists of
  • the aluminum oxide has a stoichiometric composition and the O / Al ratio is 1.5, as represented by the chemical formula Al 2 O 3 .
  • the volume resistivity of the substrate 1 can be lowered because the O / Al ratio is less than 1.5, contact with equipment or the like in the process of conductor formation or transportation, etc. The possibility that static electricity is charged on the substrate 1 due to friction can be reduced.
  • the volume resistivity can be lowered because the sintering aid component and content are the same, and the alumina sintered body having the balance made of aluminum oxide has a O / Al ratio of less than 1.5.
  • the volume resistivity of the body shows a value lower than the volume resistivity (for example, 10 14 ⁇ ⁇ cm) of the sintered body having an O / Al ratio of 1.5.
  • the reason why the volume resistivity can be lowered is considered to be the influence of O (oxygen) released from Al 2 O 3 and the influence of excess Al (aluminum), but the details are not clear. .
  • the O / Al ratio in the aluminum oxide crystal particles is preferably 0.7 or more and 1.3 or less.
  • the O / Al ratio is 0.7 or more and 1.3 or less, the light-emitting element mounting substrate 1 having high reflectance in addition to low volume resistivity can be obtained.
  • the O / Al ratio in the aluminum oxide crystal particles is calculated by the following method.
  • the cross section of the substrate 1 is mirror-finished and then processed using an ion milling device (MODEL691 manufactured by GATAN), and then transmitted using a transmission electron microscope (TEM, for example, JEM-2010F manufactured by JEOL Ltd.) 40,000. Observation is performed at a magnification of 2 to 60,000 times, and arbitrary 10 crystal grains of aluminum oxide are selected.
  • TEM transmission electron microscope
  • the spot diameter is 1 nm ⁇
  • the measurement time is 50 seconds
  • the measurement energy width is 0.14 to 20.48 keV
  • the semi-quantitative calculation method is the thin film approximation method.
  • the atomic weights of O and Al are measured, and the O / Al ratio in each aluminum oxide crystal particle is calculated from the obtained atomic weight, and the average value thereof is defined as the O / Al ratio in the aluminum oxide crystal particle.
  • the O / Al ratio in the aluminum oxide crystal particles of the light-emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment is 0.7 or more and 1.3 or less, the peak of the 104 plane of ⁇ -aluminum oxide in X-ray diffraction (CuK ⁇ ray) is obtained.
  • the O / Al ratio in the crystal particles is less than 1.5
  • the peak of the 104 plane moves to the wide-angle side (incident angle is large), so it can be confirmed by a numerical value of 2 ⁇ .
  • the O / Al ratio is 0.7 or more and 1.3 or less
  • the value of 2 ⁇ appears in the range of 35.20 ° or more and 35.35 ° or less.
  • the volume resistivity is preferably 10 9 to 10 12 ⁇ ⁇ cm.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing a scattering state of diffuse reflected light in the light emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment.
  • This conceptual diagram shows a cross section perpendicular to the surface 1a.
  • crystal grains of aluminum oxide are obtained.
  • 5 and 6 and a grain boundary phase 7 mainly composed of a sintering aid component.
  • the grain boundary phase 7 is at least one of silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide, the grain boundary phase 7 exists as an amorphous glass phase.
  • the incident light 11 irradiated from the surface 1a side of the light emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment is a regular reflection light 13a reflected from the surface 1a in a specific direction and a diffusion reflected from the surface 1a in an unspecified direction.
  • the reflected light 13b becomes the remaining light, and the remaining light becomes the light 11a traveling (transmitting) inside the substrate 1.
  • the light 11a traveling inside the substrate 1 becomes regular reflection light 13c and diffuse reflection light 13d at the interface 5a of the aluminum oxide crystal particles 5 which is the boundary with the grain boundary phase 7, and the rest is further from the substrate 1.
  • the light 11a travels inside.
  • the light 11a traveling inside the substrate 1 becomes regular reflection light 13e and diffuse reflection light 13f at the interface 6a of the crystal particle 6 of aluminum oxide, which is the boundary with the grain boundary phase 7, and the rest further is the substrate 1 It becomes the light 11a which travels inside.
  • the specularly reflected light 13a, 13c, 13e and the diffusely reflected light 13b, 13d, 13f go out of the substrate 1 as long as there are no colliding crystal particles, and if there are colliding crystal particles, they are regularly reflected at the interface. It comes out of the substrate 1 by repeating diffuse reflection or transmitting crystal particles.
  • the average crystal grain size of aluminum oxide crystal grains is 0.7 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less.
  • the average crystal grain size of the aluminum oxide crystal grains is 0.7 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less, the light-emitting element mounting substrate 1 having a low volume specific resistivity and a high reflectance can be obtained. This is because the number of grain boundary phases 7 made of an amorphous glass phase having a high volume resistivity can be increased without increasing the number of interfaces that reflect light.
  • the cross section of the substrate 1 is mirror-finished and fire etched at a temperature lower by 50 to 100 ° C. than the maximum temperature in the firing process of the substrate 1. Then, using a scanning electron microscope (SEM, for example, JSM-7001F manufactured by JEOL Ltd.), the image was captured at a magnification of 1000 to 3000 times, and an image captured using an image analysis apparatus (for example, Win ROOF manufactured by Mitani Corporation) By analyzing, the area of each crystal particle of aluminum oxide is obtained, and the diameter (equivalent circle diameter) when a circle having an area equal to this area is calculated to calculate the average equivalent circle diameter.
  • SEM scanning electron microscope
  • JSM-7001F manufactured by JEOL Ltd.
  • an image analysis apparatus for example, Win ROOF manufactured by Mitani Corporation
  • the light reflectance of the light emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment is measured using a spectrophotometer (eg, Shimadzu Corporation: UV-315 and accessory integrating sphere unit: ISR-3100).
  • a spectrophotometer eg, Shimadzu Corporation: UV-315 and accessory integrating sphere unit: ISR-3100.
  • a 50W halogen lamp and deuterium lamp are used as the light source, the wavelength range is 200 to 1000 nm, the measurement range is 7 ⁇ 9 mm, the slit width is 20 nm, and measurement is performed without using a mask.
  • the reflectance here is a relative value when the reflectance of the barium sulfate powder used as a reference is 100%.
  • the light emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment does not contain a transition metal in the grain boundary phase.
  • the grain boundary phase does not contain a transition metal, it is possible to suppress a decrease in reflectance due to darkening of the substrate 1, and thus it can be suitably used for mounting a light emitting element.
  • whether the grain boundary phase contains a transition metal can be determined by changing the applied spot from the crystal grain to the grain boundary phase in the same measurement method as that for obtaining the O / Al ratio described above. That's fine.
  • the light-emitting element mounting substrate 1 of this embodiment has 100% of all constituent components when the component other than inevitable impurities is at least one kind of sintering aid component of silicon oxide, calcium oxide and magnesium oxide. It is preferable that aluminum oxide occupies 94 mass% or more when it is set as the mass%. Thus, when the aluminum oxide occupies 94% by mass or more, the glass phase by the sintering aid constituting the grain boundary phase 7 increases so that the incident light 11 is transmitted to the back surface of the substrate 1. Since the decrease in reflectance can be suppressed, the reflectance of incident light 11 can be kept high.
  • the remainder excluding this barium oxide, the sintering aid component and inevitable impurities may be aluminum oxide.
  • the aluminum oxide may be obtained by subtracting the content of oxides of other components from 100% by mass, and the aluminum oxide in this embodiment occupies 80% by mass or more in this calculation method. is there.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a light emitting device in which a light emitting element is mounted on the light emitting element mounting substrate of the present embodiment.
  • the light emitting device 21 of the present embodiment is obtained by mounting the light emitting element 2 on the light emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment.
  • electrodes 3a and 3b and electrode pads 3c and 3d are formed on the surface 1a of the substrate 1, and the light emitting element 2 made of a semiconductor is mounted on the electrode pad 3a. And the electrode pad 3 d are electrically connected by a bonding wire 4.
  • the light-emitting element 2 may be mounted by bonding using a conductive adhesive, bonding by the bonding wire 4, or bonding by solder bumps as long as it can be electrically bonded.
  • the light emitting element 2, the electrodes 3a and 3b, the electrode pads 3c and 3d, and the bonding wire 4 are covered with a sealing member 31 made of resin or the like.
  • the electrodes 3a and 3b and the pad electrodes 3c and 3d are protected by a transparent overcoat glass, and the sealing member 31 has both the protection of the light emitting element 2 and the function of a lens.
  • the light emitting device 21 of the present embodiment requires a configuration in which the light emitting element 2 is mounted on the substrate 1 of the present embodiment, and is not limited to the configuration of FIG.
  • the light emitting element 2 is turned on by connecting the electrodes 3a, 3b (back electrodes) on the other surface of the substrate 1 to an external DC power source (not shown) or an AC-DC switching power source (not shown). Emits light.
  • the sealing member 31 has a function as a lens that protects the light emitting element 2 and diffuses and emits light, but the sealing member 31 has a function of selectively converting the wavelength of light. Some of them have
  • the light emitting element mounting substrate 1 of the present embodiment on which the light emitting element 2 is mounted has a low volume resistivity, and in the process of conductor formation, transportation, etc. Since there is little risk of static electricity being charged by contact or friction, there is little risk of electrostatic breakdown of the light emitting element 2 during mounting, and thus the light emitting device 21 with high reliability can be obtained.
  • aluminum oxide (Al 2 O 3 ) powder having an average particle size of about 0.5 to 1.8 ⁇ m, and at least one powder of silicon oxide, calcium oxide (CaO) and magnesium oxide (MgO) as a sintering aid; Prepare. Then, when the total amount of aluminum oxide and sintering aid is 100% by mass, the sintering aid is weighed so that the total amount is 6% by mass or less and the balance is aluminum oxide, and used as a starting material.
  • the weighed starting materials are put into a mill or the like containing high-purity alumina balls, and pulverized and mixed with a solvent such as water.
  • a molding binder composed of at least one of paraffin wax, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, butyral resin, acrylic resin, etc. (these molding binders contain carbon) is added to 100 parts by mass of the starting material. Add about 4 to 8 parts by mass, and further rotate and mix to obtain a slurry.
  • a sheet is formed by using this slurry by a doctor blade method, or a sheet is formed by a known powder press molding method or roll compaction method by using granules obtained by spray granulation of this slurry by a spray dryer.
  • the sheet is processed by a mold or a laser for forming a product shape to obtain a molded body.
  • the molded body is preferably a multi-piece molded body in consideration of mass productivity of the substrate 1.
  • the obtained compact is degreased in an air (oxidation) atmosphere, and an inert gas atmosphere (inert gas is argon, etc.) or an oxygen concentration atmosphere can be adjusted to 5 to 20% by volume (for example, tungsten) It is fired at a maximum temperature in the range of 1420 to 1650 ° C using a batch-type atmosphere-controlled electric furnace using a heater.
  • an inert gas atmosphere inert gas is argon, etc.
  • an oxygen concentration atmosphere can be adjusted to 5 to 20% by volume (for example, tungsten) It is fired at a maximum temperature in the range of 1420 to 1650 ° C using a batch-type atmosphere-controlled electric furnace using a heater.
  • the O / Al ratio can be adjusted by the firing atmosphere, and the average crystal grain size of the aluminum oxide crystal particles can be adjusted by the size of the starting material and the firing conditions.
  • Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) powder having an average particle size of 1.8 ⁇ m and silicon oxide (SiO 2 ), calcium oxide (CaO) and magnesium oxide (MgO) powders as a sintering aid were prepared. Then, 94% by mass of aluminum oxide, 3.5% by mass of silicon oxide, 1.5% by mass of calcium oxide and 1.0% by mass of magnesium oxide were weighed and used as starting materials. To this, a solvent and a molding binder made of an acrylic resin were added and mixed to obtain a slurry. Here, the addition amount of the molding binder was 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the starting material.
  • a sheet was formed by a known doctor blade method, and two molded bodies were obtained by punching this sheet with a mold.
  • one molded body was placed in an electric furnace and baked at a maximum temperature of 1500 ° C. while adjusting the oxygen concentration atmosphere to 16% by volume.
  • 1 light emitting element mounting substrate was obtained.
  • the other molded body was fired with the firing atmosphere at the time of firing as an air atmosphere.
  • a light emitting element mounting substrate 2 was obtained.
  • the O / Al ratio was measured by TEM-EDS by the following method.
  • the cross section was mirror-finished and then processed using an ion milling apparatus, and observed using a TEM at a magnification of 50,000 times, and arbitrary 10 aluminum oxide crystal particles were selected. Then, with the attached EDS, the spot diameter is 1 nm ⁇ , the measurement time is 50 seconds, the measurement energy width is 0.14 to 20.48 keV, the semiquantitative calculation method is the thin film approximation method, and the atomic weights of O and Al are measured. The O / Al ratio in each aluminum oxide crystal particle was calculated, and the average value was calculated.
  • volume resistivity was measured with reference to the volume resistivity measurement described in JIS C 2141-1992.
  • sample no. No. 1 has an O / Al ratio of 0.92 and a volume resistivity of 5 ⁇ 10 11 ⁇ ⁇ cm. 2 had an O / Al ratio of 1.5 and a volume resistivity of 1 ⁇ 10 14 ⁇ ⁇ cm. From this result, it was found that the volume resistivity can be lowered when the O / Al ratio is less than 1.5.
  • a molded body was produced by the same process as in Example 1. Next, using an electric furnace, the oxygen concentration atmosphere was adjusted in the range of 5 to 20% by volume in accordance with the sample, and the respective compacts were fired. The maximum temperature during firing is 1500 ° C. 3 to 9 light emitting element mounting substrates were obtained.
  • the calculation of the O / Al ratio and the measurement of the volume resistivity were performed in the same manner as in Example 1.
  • a spectrophotometer is used, a 50 W halogen lamp and deuterium lamp are used as the light source, the wavelength range is 500 nm, the measurement range is 7 ⁇ 9 mm, the slit width is 20 nm, and no mask is used. It was measured.
  • barium sulfate powder was used as a reference.
  • Sample No. Nos. 4 to 7 have an O / Al ratio of 0.7 or more and 1.3 or less, so that the reflectance is 91% or more, the volume resistivity is less than 1 ⁇ 10 13 ⁇ ⁇ cm, and the low volume resistivity is high. It turned out that it is a light emitting element mounting board
  • a molded body was produced by the same process as in Example 1. Next, using an electric furnace, the oxygen concentration atmosphere was set to 12% by volume, and the maximum temperature in the baking was adjusted to 1450 ° C. to 1550 ° C. according to the sample. As a result, sample no. 10 to 16 light emitting element mounting substrates were obtained.
  • the volume resistivity was measured by the same method as in Example 1, and the reflectance was measured by the same method as in Example 2. Next, the average crystal grain size was measured by the following method.
  • each sample was mirror-finished, and fire etching was performed at a temperature 80 ° C. lower than the maximum temperature in the firing process of each sample. Then, the area of each crystal particle of aluminum oxide is obtained by analyzing the image taken with an image analysis apparatus using an SEM, and at a magnification of 2500 times. The diameter (equivalent circle diameter) was calculated, and the average of the equivalent circle diameters was calculated as the average crystal grain size. The obtained results are shown in Table 2.
  • sample No. Nos. 12 to 15 have a high reflectivity of 92% or more, and the average crystal grain size of aluminum oxide crystal particles is 0.7 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less, so that the volume resistivity is low.
  • the volume resistivity is low.
  • Powder A and powder B were prepared as two types of aluminum oxide powder. And sample No. 2 of Example 2 except having used these powders A and B. A sintered body was obtained by the same process as step 6. And the sintered compact produced using the powder A was made into sample No.2. 17, a sintered body produced using the powder B was sample No. 18.
  • Example 2 the qualitative analysis of the grain boundary phase was performed by changing the spot to be applied from the crystal grain to the grain boundary phase when measuring the O / Al ratio by TEM-EDS performed in Example 1. Further, the reflectance was measured by the same method as in Example 2.
  • the substrate used for mounting the light emitting element does not contain a transition metal in the grain boundary phase.
  • sample no. The light emitting device was manufactured by forming the electrode 3a, the electrode pad 3c, and the like using 1 and 2 and mounting the light emitting element 2.
  • the presence / absence of light emission from the element was regarded as the influence of electrostatic breakdown, and 200 pieces were confirmed.
  • sample No. 1 than the light emitting device in which the light emitting element is mounted.
  • the number of elements that did not emit light was clearly smaller in the light emitting device in which the light emitting elements were mounted on 2.
  • the volume resistivity of the light emitting element mounting substrate 1 is low, it is possible to reduce the possibility of static electricity being charged by contact with or friction with equipment or the like in the process of forming or transporting the conductor. It was found that by using such a light emitting element mounting substrate 1, the risk of electrostatic breakdown of the light emitting element 2 at the time of mounting can be reduced, so that a highly reliable light emitting device can be obtained.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

　【課題】　体積固有抵抗率が低く、静電破壊のおそれの少ない発光素子実装用基板およびこの発光素子実装用基板に発光素子を実装してなる発光装置を提供する。　【解決手段】　構成する全成分を100質量％としたとき、酸化アルミニウムが80質量％以上を占めるアルミナ質焼結体からなり、酸化アルミニウムの結晶粒子中のＯとＡｌとの原子量の比であるＯ／Ａｌ比が1.5未満であることから、体積固有抵抗率が低く、静電破壊のおそれの少ない発光素子実装用基板となる。

Description

発光素子実装用基板および発光装置
　本発明は、発光素子実装用基板およびこの発光素子実装用基板に発光素子を実装してなる発光装置に関する。
　近年、高輝度で消費電力の少ない発光素子としてＬＥＤ（発光ダイオード）が注目されている。そして、一般照明から電光表示板の光源，携帯電話機およびパソコン等のバックライトとしても広く利用されつつある。
　そして、この発光素子は、基板に形成された金属からなる導体上に実装されるものであり、基板としては、体積固有抵抗率が高いとともに機械的特性に優れているセラミックスが用いられており、比較的安価に作製することが可能である点で、アルミナ質焼結体が多く用いられている。このようなアルミナ質焼結体として、例えば、特許文献１に、酸化アルミニウムと、ガラス質成分とから成る高反射白色セラミックスが提案されている。
特開2007－284333号公報
　しかしながら、特許文献１のようにアルミナ質焼結体からなる基板は、表面に導体が形成されるものであることから体積固有抵抗率が高いことが求められるものであるが、体積固有抵抗率が高過ぎるときには、導体の形成や搬送等の過程において、設備等との接触または摩擦によって基板に静電気が帯電しやすかった。そして、基板に静電気が帯電した状態で発光素子を実装したときには、帯電された静電気の放出によって発光素子が静電破壊するおそれがあった。
　本発明は、上記課題を解決するために案出されたものであり、体積固有抵抗率が低く、静電破壊のおそれの少ない発光素子実装用基板およびこの発光素子実装用基板に発光素子を実装してなる発光装置を提供することを目的とするものである。
　本発明の発光素子実装用基板は、構成する全成分を100質量％としたとき、酸化アルミニウムが80質量％以上を占めるアルミナ質焼結体からなり、酸化アルミニウムの結晶粒子中のＯとＡｌとの原子量の比であるＯ／Ａｌ比が1.5未満であることを特徴とするものである。
　また、本発明の発光装置は、上記の構成の発光素子実装用基板に発光素子を載置したことを特徴とする。
　本発明の発光素子実装用基板によれば、酸化アルミニウムの結晶粒子中のＯとＡｌとの原子量の比であるＯ／Ａｌ比が1.5未満であることから、体積固有抵抗率を低くでき、導体の形成や搬送等の過程において、設備等との接触または摩擦によって静電気が帯電するおそれを少なくすることができる。
　また、本発明の発光装置によれば、体積固有抵抗率が低く、静電破壊のおそれの小さい発光素子実装用基板上に発光素子を実装してなることから、信頼性の高い発光装置とすることができる。
本実施形態の発光素子実装用基板における導体の形成例を示す部分断面図である。 本実施形態の発光素子実装用基板における拡散反射光の散乱状態を示す概念図である。 本実施形態の発光素子実装用基板に発光素子を実装してなる発光装置の構成の一例を示す断面図である。
　以下、本実施形態の発光素子実装用基板およびこの発光素子実装用基板に発光素子を載置した発光装置について図を用いて説明する。図１は、本実施形態の発光素子実装用基板における導体の形成例を示す部分断面図である。
　図１に示す発光素子実装用基板１（以下、基板１ともいう。）には、基板１の一方の表面１ａに電極３ａ，３ｂが形成され、電極３ａ，３ｂが形成された一部に、電極パッド３ｃ，３ｄが形成された例を示しており、半導体からなる発光素子（図示せず）は、電極パッド３ｃまたは電極パッド３ｄの上に載置されるものである。なお、図１においては、貫通孔内や他方の表面１ｂにも電極３ａ，３ｂが形成された例を示している。
　そして、本実施形態の発光素子実装用基板１は、構成する成分を100質量％としたとき、酸化アルミニウムが80質量％以上を占めるアルミナ質焼結体からなり、この酸化アルミニウムの結晶粒子中のＯとＡｌとの原子量の比であるＯ／Ａｌ比が1.5未満であることを特徴とする。なお、以下の記載において、酸化アルミニウムの結晶粒子中のＯとＡｌとの原子量の比であるＯ／Ａｌ比を、酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比と記載したり、単にＯ／Ａl比と記載したりすることもある。ここで、酸化アルミニウム質焼結体は、80質量％以上を占める酸化アルミニウムの他に、例えば、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウムの少なくとも１種を含み、これらを焼結助剤として用いて焼成して成るものである。
　次に、酸化アルミニウムは化学式Ａｌ２Ｏ３で表されるように、定比組成において、Ｏ／Ａｌ比は1.5である。これに対し、本実施形態においては、Ｏ／Ａｌ比が1.5未満であることにより、基板１の体積固有抵抗率を低くできることから、導体の形成や搬送等の過程において、設備等との接触または摩擦によって基板１に静電気が帯電するおそれを小さくすることができる。
　ここで、体積固有抵抗率を低くできるというのは、焼結助剤成分および含有量が同じで、残部が酸化アルミニウムからなるアルミナ質焼結体において、Ｏ／Ａｌ比が1.5未満である焼結体の体積固有抵抗率が、Ｏ／Ａｌ比が1.5である焼結体の体積固有抵抗率（例えば10１４Ω・ｃｍ）よりも低い値を示すということであり、体積固有抵抗率の測定は、JIS Ｃ 2141－1992に準拠して測定することができる。なお、体積固有抵抗率を低くすることができる理由については、Ａｌ２Ｏ３から抜けたＯ（酸素）による影響や、過剰となったＡｌ（アルミニウム）による影響が考えられるが詳細は明らかではない。
　また、本実施形態の発光素子実装用基板１は、酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比が0.7以上1.3以下であることが好ましい。このＯ／Ａｌ比が0.7以上1.3以下であることにより、体積固有抵抗率が低いことに加えて、高い反射率を有する発光素子実装用基板１とすることができる。
　ここで、酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比とは、次の方法で算出したものである。まず、前処理として、基板１の断面を鏡面加工した後にイオンミリング装置（GATAN製MODEL691）を用いて加工を行い、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ、例えば日本電子製のJEM-2010F）を用いて40,000倍～60,000倍の倍率で観察し、任意の10個の酸化アルミニウムの結晶粒子を選択する。そして、付設のエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＳ、例えばサーモエレクトロン製ＮＳＳ）によって、スポット径を１ｎｍφ、測定時間を50秒、測定エネルギー幅を0.14～20.48keV、半定量計算方法を薄膜近似法としてＯおよびＡｌの原子量を測定し、得られた原子量からそれぞれの酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比を算出し、これらの平均値を酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比とする。
　また、本実施形態の発光素子実装用基板１の酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比が0.7以上1.3以下であるときには、Ｘ線回折（ＣｕＫα線）におけるα－酸化アルミニウムの104面のピークの生じる入射角（２θ）にて評価する方法がある。これは、α－酸化アルミニウムのＪＣＰＤＳカード（＃46-1212）によれば、104面のピークは２θ＝35.152°に現れるものであるが、本実施形態の発光素子実装用基板１の酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比が1.5未満であるときには、104面のピークが広角側（入射角が大きい）に移動することから、２θの数値で確認することができる。具体的に、Ｏ／Ａｌ比が0.7以上1.3以下であるときには、２θの数値で35.20°以上35.35°以下の範囲に現れる。
　また、発光素子の静電破壊のおそれを少なくするとともに、落雷の影響や配線遮断機などの不具合によって基板１に異常電圧が生じた場合の電極間または配線間における短絡を抑制するためには、体積固有抵抗率が10９～10１２Ω・ｃｍであることが好ましい。
　図２は、本実施形態の発光素子実装用基板１における拡散反射光の散乱状態を示す概念図である。なお、この概念図は、表面１ａに垂直な断面を示すものであり、図２に示すように、本実施形態の発光素子実装用基板１を結晶サイズレベルで見たとき、酸化アルミニウムの結晶粒子５，６と、主に焼結助剤成分からなる粒界相７とを有している。なお、粒界相７が、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウムの少なくとも１種であるとき、粒界相７は非晶質のガラス相として存在する。
　そして、本実施形態の発光素子実装用基板１の表面１ａ側から照射された入射光11は、表面１ａから特定方向へ反射する正反射光13ａと、表面１ａから不特定な方向へ反射する拡散反射光13ｂとなり、残りの光は基板１の内部を進行（透過）する光11ａとなる。そして、この基板１の内部を進行する光11ａは、粒界相７との境界である酸化アルミニウムの結晶粒子５の界面５ａにおいて正反射光13ｃと拡散反射光13ｄとなり、残りはさらに基板１の内部を進行する光11ａとなる。
　そして、さらに基体１の内部を進行した光11ａは、粒界相７との境界である酸化アルミニウムの結晶粒子６の界面６ａにおいて、正反射光13ｅと拡散反射光13ｆとなり、残りはさらに基板１の内部を進行する光11ａとなる。そして、正反射光13ａ，13ｃ，13ｅ、拡散反射光13ｂ，13ｄ，13ｆは、衝突する結晶粒子が無ければそのまま基体１外に出ることとなり、衝突する結晶粒子が有れば界面において正反射や拡散反射を繰り返したり、結晶粒子を透過したりすることによって基体１外に出るようになっている。
　また、本実施形態の発光素子実装用基板１は、酸化アルミニウムの結晶粒子の平均結晶粒径が0.7μｍ以上2.0μｍ以下であることが好ましい。酸化アルミニウムの結晶粒子の平均結晶粒径が0.7μｍ以上2.0μｍ以下であるときには、低い体積固有抵抗率を有しつつ、反射率の高い発光素子実装用基板１とすることができる。これは、体積固有抵抗率の高い非晶質のガラス相からなる粒界相７が多過ぎることなく、光を反射する界面を増加させることができるからである。
　ここで、酸化アルミニウムの結晶粒子の平均結晶粒径を求める方法は、まず、基板１の断面を鏡面加工し、基板１の焼成工程における最高温度よりも50～100℃低い温度でファイヤーエッチングする。そして、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ，例えば日本電子製のJSM-7001F）を用いて1000～3000倍の倍率で撮影し、画像解析装置（例えば三谷商事製のWin ROOF）を用いて撮影した画像を解析することにより、酸化アルミニウムの各結晶粒子の面積を求め、この面積と等しい面積の円であるときの直径（円相当径）を算出して、円相当径の平均を算出すればよい。
　また、本実施形態の発光素子実装用基板１の光の反射率の測定は、分光光度計（例えば株式会社島津製作所製：UV－315および付属品の積分球ユニット：ISR－3100）を用い、光源に50Ｗハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200～1000ｎｍとし、測定範囲を７×９ｍｍ、スリット幅を20ｎｍとして、マスクを使用せずに測定する。なお、ここでいう反射率とは、基準に用いる硫酸バリウム粉体の反射率を100％としたときの相対値である。
　また、本実施形態の発光素子実装用基板１は、粒界相に遷移金属を含んでいないことが好ましい。このように、粒界相に遷移金属を含んでいないときには、基板１が暗色化されることによる反射率の低下を抑制できるため、発光素子の実装用に好適に用いることができる。なお、本実施形態において、粒界相に遷移金属を含んでいるか否かについては、上述したＯ／Ａｌ比を求めたときと同様の測定方法において、当てるスポットを結晶粒子から粒界相に変えればよい。
　そして、本実施形態の発光素子実装用基板１は、不可避不純物以外の含有成分が、酸化珪素、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも１種の焼結助剤成分であるときには、構成する全成分を100質量％としたとき、酸化アルミニウムが94質量％以上を占めていることが好ましい。このように、酸化アルミニウムが94質量％以上を占めているときには、粒界相７を構成する焼結助剤によるガラス相が増え過ぎることで、入射光11が基板１の裏面に透過することによる反射率の低下を抑制できるため、入射光11の反射率を高く保つことができる。
　また、光の反射率を高めるべく、酸化バリウムを含有させるときには、この酸化バリウムと、焼結助剤成分および不可避不純物とを除く残部を酸化アルミニウムとすればよい。
　なお、本実施形態の発光素子実装用基板１の各成分の含有量については、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置または蛍光Ｘ線分析装置を用いて、金属元素量を求めた後、それぞれ酸化物に換算して求めればよい。また、酸化アルミニウムについては、100質量％から他の含有成分の酸化物での含有量を差し引いて求めればよく、本実施形態における酸化アルミニウムは、この算出方法において、80質量％以上を占めるものである。
　図３は、本実施形態の発光素子実装用基板に発光素子を実装してなる発光装置の構成の一例を示す断面図である。このように、本実施形態の発光装置21は、本実施形態の発光素子実装用基板１に発光素子２を実装してなるものである。
　図３に示す発光装置21は、基板１の表面１ａ上に、電極３ａ，３ｂ、さらに電極パッド３ｃ、３ｄが形成され、電極パッド３ａ上に半導体からなる発光素子２が実装され、発光素子２と電極パッド３ｄとが、ボンディングワイヤ４により電気的に接続されている。なお、発光素子２の実装は、電気的に接合できるものであれば、導電性接着剤を用いた接合、ボンディングワイヤ４による接合または半田バンプによる接合であっても何ら構わない。
　そして、発光素子２、電極３ａ，３ｂ、電極パッド３ｃ，３ｄおよびボンディングワイヤ４は、樹脂等からなる封止部材31によって覆われている。なお、電極３ａ，３ｂおよびパッド電極３ｃ，３ｄは、透明のオーバーコートガラスで保護されているものであり、封止部材31は、発光素子２の保護とレンズの機能を併せ持つものである。また、本実施形態の発光装置21は、本実施形態の基板１に発光素子２が実装されている構成を必須とするものであり、図３の構成に限られるものではない。
　そして、基板１の他方の表面の電極３ａ，３ｂ（裏電極）に外部の直流電源（図示せず）またはAC－DCスイッチング電源（図示せず）に接続して電源を入れることで発光素子２が発光する。このとき、封止部材31は、発光素子２を保護し、光を拡散および放射するレンズとしての機能を持つものであるが、封止部材31としては、光の波長を選択的に変換する機能を持たせたものもある。
　そして、本実施形態の発光装置21は、発光素子２を実装する本実施形態の発光素子実装用基板１が、体積固有抵抗率が低く、導体の形成や搬送等の過程において、設備等との接触または摩擦によって静電気が帯電するおそれが小さいことから、実装時における発光素子２の静電破壊のおそれが少ないため、信頼性の高い発光装置21とすることができる。
　次に、本実施形態の発光素子実装用基板１の製造方法の一例を説明する。まず、平均粒径が0.5～1.8μｍ程度の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粉末と、焼結助剤として酸化珪素、酸化カルシウム（ＣａＯ）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の少なくとも１種の粉末とを用意する。そして、酸化アルミニウムと焼結助剤の合計が100質量％としたとき、焼結助剤が合計６質量％以下、残部が酸化アルミニウムとなるように秤量し、出発原料とする。
　次に、秤量した出発原料を高純度のアルミナボールの入ったミル等に投入し、水等の溶媒とともに粉砕および混合する。次に、パラフィンワックス、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ブチラール樹脂およびアクリル樹脂等の少なくとも１種からなる成形用バインダ（これらの成形用バインダには炭素が含まれる。）を、出発原料100質量部に対して４～８質量部程度添加し、さらにミルを回転させて混合してスラリーを得る。
　次に、このスラリーを用いて、ドクターブレード法でシートを形成するか、このスラリーをスプレードライヤによって噴霧造粒した顆粒を用いて、公知の粉末プレス成形法またはロールコンパクション法によってシートを形成する。次に、製品形状とするための金型もしくはレーザによってシートを加工し成形体を得る。このとき成形体は、基板１の量産性を考慮すれば多数個取りの成形体とすることが好ましい。
　そして、得られた成形体を、大気（酸化）雰囲気で脱脂を行ない、不活性ガス雰囲気（不活性ガスはアルゴンなど）もしくは酸素濃度雰囲気を５～20体積％に調整できる焼成炉（例えば、タングステンヒータを用いたバッチ式雰囲気調整電気炉）を用いて、1420～1650℃の範囲の最高温度で焼成する。
　なお、Ｏ／Ａｌ比は、焼成雰囲気によって調整することができ、酸化アルミニウムの結晶粒子の平均結晶粒径は、出発原料の大きさや焼成条件によって調整することができる。
　以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明では以下の実施例に限定されるものではない。
　まず、Ｏ／Ａｌ比の違いによる体積固有抵抗率の変化について評価した。
　平均粒径が1.8μｍの酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粉末と、焼結助剤として酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化カルシウム（ＣａＯ）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の粉末とを準備した。そして、酸化アルミニウムを94質量％、酸化珪素を3.5質量％、酸化カルシウムを1.5質量％、酸化マグネシウムを1.0質量％秤量し、これを出発原料として用いた。これに、溶媒と、アクリル樹脂からなる成形用バインダとを添加し、混合してスラリーを得た。ここで、成形用バインダの添加量は出発原料100質量部に対して６質量部とした。
　次に、このスラリーを用いて、公知のドクターブレード法でシートを形成し、このシートを金型で打ち抜くことによって２個の成形体を得た。そして、まず一方の成形体については、電気炉に入れて、酸素濃度雰囲気を16体積％に調整しながら、1500℃の最高温度で焼成を行ない、厚みが0.6ｍｍの試料Ｎｏ．１の発光素子実装用基板を得た。また、他方の成形体については、焼成の際の焼成雰囲気を、大気雰囲気として焼成を行ない、試料Ｎｏ．２の発光素子実装用基板を得た。
　次に、この得られた発光素子実装用基板について、ＴＥＭ－ＥＤＳによるＯ／Ａｌ比の測定を以下の方法で行なった。
　各試料について、断面を鏡面加工した後にイオンミリング装置を用いて加工を行い、ＴＥＭを用いて50,000倍の倍率で観察し、任意の10個の酸化アルミニウムの結晶粒子を選択した。そして、付設のＥＤＳによって、スポット径を１ｎｍφ、測定時間を50秒、測定エネルギー幅を0.14～20.48keV、半定量計算方法を薄膜近似法としてＯおよびＡｌの原子量を測定し、得られた原子量からそれぞれの酸化アルミニウムの結晶粒子におけるＯ／Ａｌ比を算出し、さらに平均値を算出した。
　次に、体積固有抵抗率は、JIS　Ｃ　2141－1992に記載の体積固有抵抗率測定を参考として測定した。
　その結果、試料Ｎｏ．１は、Ｏ／Ａｌ比が0.92であり、体積固有抵抗率が５×10１１Ω・ｃｍであり、試料Ｎｏ．２は、Ｏ／Ａｌ比が1.5であり、体積固有抵抗率が１×10１４Ω・ｃｍであった。この結果より、Ｏ／Ａｌ比が1.5未満であることにより、体積固有抵抗率を低くできることが分かった。
　次に、Ｏ／Ａｌ比による体積固有抵抗率および反射率との変化について評価した。
　まず、実施例１と同じ工程により成形体を作製した。次に、電気炉を用いて、試料に応じて酸素濃度雰囲気を５～20体積％の範囲で調整し、それぞれの成形体の焼成を行なった。なお、焼成における最高温度は1500℃で行ない、試料Ｎｏ．３～９の発光素子実装用基板を得た。
　そして、この得られた発光素子実装用基板について、実施例１と同様の方法でＯ／Ａｌ比の算出および体積固有抵抗率の測定を行なった。反射率については、分光光度計を用い、光源に50Ｗハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を500ｎｍとし、測定範囲を７×９ｍｍ、スリット幅を20ｎｍとして、マスクを使用せずに測定した。なお、基準に硫酸バリウム粉体を用いた。
　また、各試料の総合評価は、波長500ｎｍの反射率が91％以上であって、かつ、体積固有抵抗率が１×101３Ω・ｃｍ未満のものは『優』でＡとして表示し、反射率が91％以上または体積固有抵抗率が１×101３Ω・ｃｍ未満のいずれかを満たさない場合は『良』でＢとして表示した。得られた結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示す結果から分かるように、試料Ｎｏ．４～７は、Ｏ／Ａｌ比が0.7以上1.3以下であることから、反射率が91％以上であり、体積固有抵抗率が１×10１３Ω・ｃｍ未満であり、低い体積固有抵抗率とともに高い反射率を有する発光素子実装用基板であることが分かった。
　次に、酸化アルミニウムの結晶粒子の平均結晶粒径の違いによる体積固有抵抗率および反射率の変化について評価した。
　まず、実施例１と同じ工程により成形体を作製した。次に、電気炉を用いて、酸素濃度雰囲気を12体積％とし、試料に応じて焼成における最高温度を1450℃～1550℃に調整して焼成を行なった。これにより、試料Ｎｏ．10～16の発光素子実装用基板を得た。
　そして、体積固有抵抗率については実施例１と同様の方法で、反射率については実施例２と同様の方法で測定した。次に、平均結晶粒径については、次の方法で行なった。
　まず、各試料の断面を鏡面加工し、各試料の焼成工程における最高温度よりも80℃低い温度でファイヤーエッチングをした。そして、ＳＥＭを用いて2500倍の倍率で撮影し、画像解析装置を用いて撮影した画像を解析することにより、酸化アルミニウムの各結晶粒子の面積を求め、この面積と等しい面積の円であるときの直径（円相当径）を算出して、円相当径の平均を算出して平均結晶粒径とした。得られた結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、試料Ｎｏ．12～15は、反射率が92％以上と高い結果が得られており、酸化アルミニウムの結晶粒子の平均結晶粒径が0.7μｍ以上2.0μｍ以下であることにより、体積固有抵抗率が低いことに加えて高い反射率を有する発光素子実装用基板とできることが分かった。
　次に、粒界相への遷移金属の存在の有無が反射率に及ぼす影響について評価した。
　２種類の酸化アルミニウム粉末として、粉末Ａ、粉末Ｂを用意した。そして、これらの粉末Ａ，Ｂを用いたこと以外は、実施例２の試料Ｎｏ．６と同じ工程により、焼結体を得た。そして、粉末Ａを用いて作製した焼結体を試料Ｎｏ．17、粉末Ｂを用いて作製した焼結体を試料Ｎｏ．18とした。
　次に、実施例１で行なったＴＥＭ－ＥＤＳによるＯ／Ａｌ比の測定のときと当てるスポットを結晶粒子から粒界相に変えて粒界相の定性分析を行なった。また、実施例２と同様の方法で反射率を測定した。
　その結果、試料Ｎｏ．17，18ともに、粒界相には、Ｏ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｍｇが検出され、試料Ｎｏ．17にのみＦｅが検出された。また、試料Ｎｏ．17の反射率は90.8％であり、試料Ｎｏ．18の反射率は91.8％であった。この結果、発光素子の実装に用いる基板としては、粒界相に遷移金属を含まないことが好ましいことが分かった。
　次に、発光素子実装用基板１に発光素子２を実装する際における、静電破壊の影響について評価した。
　まず、実施例１で作製した試料Ｎｏ．１，２を用いて、電極３ａや電極パッド３ｃ等を形成し、発光素子２を実装することにより発光装置を作製した。そして、本実施例においては、素子の発光の有無を静電破壊の影響とみなし、それぞれ、200個の確認を行なった。結果、試料Ｎｏ．１に発光素子を実装してなる発光装置よりも試料Ｎｏ．２に発光素子を実装してなる発光装置の方が発光しない素子の数が明らかに少なかった。これにより、発光素子実装用基板１の体積固有抵抗率が低いことから、導体の形成や搬送等の過程において、設備等との接触または摩擦によって静電気が帯電するおそれを少なくすることができ、このような発光素子実装用基板１を用いることにより、実装時における発光素子２の静電破壊のおそれを少なくできるため、信頼性の高い発光装置とできることが分かった。
１：発光素子実装用基板（基板）
１ａ：表面
１ｂ：他方の表面
２：発光素子
３：導体
３ａ，３ｂ：電極
３ｃ，３ｄ：電極パッド
４：ボンディングワイヤ
５，６：酸化アルミニウムの結晶粒子
５ａ，６ａ：界面
７：粒界相（ガラス層）
11：入射光
11ａ：内部を進行する光
13：反射光
13ａ，13ｃ，13ｅ：正反射光
13ｂ，13ｄ，13ｆ：拡散反射光
21：発光装置
31：封止部材

Claims (5)

  1. 　構成する全成分を１００質量％としたとき、酸化アルミニウムが８０質量％以上を占めるアルミナ質焼結体からなり、前記酸化アルミニウムの結晶粒子中のＯとＡｌとの原子量の比であるＯ／Ａｌ比が１．５未満であることを特徴とする発光素子実装用基板。
  2. 　前記Ｏ／Ａｌ比が０．７以上１．３以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用基板。
  3. 　前記酸化アルミニウムの結晶粒子の平均結晶粒径が０．７μｍ以上２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子実装用基板。
  4. 　粒界相に遷移金属を含んでいないことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光素子実装用基板。
  5. 　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発光素子実装用基板に発光素子を実装してなることを特徴とする発光装置。
PCT/JP2012/072197 2011-09-29 2012-08-31 発光素子実装用基板および発光装置 WO2013047087A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280046457.5A CN103828077B (zh) 2011-09-29 2012-08-31 发光元件安装用基板及发光装置
US14/347,202 US20140240995A1 (en) 2011-09-29 2012-08-31 Light-emitting element mounting substrate and light emitting device
EP12835862.9A EP2763199A4 (en) 2011-09-29 2012-08-31 SUBSTRATE FOR ASSEMBLING A LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE
JP2013510435A JP5372293B2 (ja) 2011-09-29 2012-08-31 発光素子実装用基板および発光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-214808 2011-09-29
JP2011214808 2011-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013047087A1 true WO2013047087A1 (ja) 2013-04-04

Family

ID=47995134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/072197 WO2013047087A1 (ja) 2011-09-29 2012-08-31 発光素子実装用基板および発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140240995A1 (ja)
EP (1) EP2763199A4 (ja)
JP (1) JP5372293B2 (ja)
CN (1) CN103828077B (ja)
WO (1) WO2013047087A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019065726A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 京セラ株式会社 発光素子実装用基板およびこれを備える発光素子実装用回路基板ならびに発光素子モジュール

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07101771A (ja) * 1993-10-01 1995-04-18 Nippon Cement Co Ltd アルミナセラミックス及びその製造方法
JPH07149560A (ja) * 1993-11-24 1995-06-13 Nippon Cement Co Ltd アルミナ−酸化チタン複合セラミックス及びその製造方法
JPH10139480A (ja) * 1996-10-31 1998-05-26 Toshiba Ceramics Co Ltd アルミナ被覆石英ガラス及びその製造方法並びに半導体製造装置用部品
JP2006165107A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Nippon Steel Corp 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法
JP2007284333A (ja) 2006-03-20 2007-11-01 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 高反射白色セラミックス及びリフレクター及び半導体発光素子搭載用基板及び半導体発光素子収納用パッケージ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6010761A (en) * 1991-03-12 2000-01-04 Sony Corporation Optical disc
JPH09215755A (ja) * 1996-02-09 1997-08-19 Poritoronikusu:Kk 皮接治療具
JP2003347600A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
EP1553210B1 (en) * 2002-08-08 2014-05-28 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho PROCESS FOR PRODUCING ALUMINA COATING COMPOSED MAINLY OF a-TYPE CRYSTAL STRUCTURE
TWI245436B (en) * 2003-10-30 2005-12-11 Kyocera Corp Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
CN100562506C (zh) * 2004-11-29 2009-11-25 京瓷株式会社 氧化铝氮化钛类烧结体及其制造方法、磁头用基板、超声波马达、动压力轴承
JP2007273603A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp 発光素子用配線基板および発光装置
JP5326865B2 (ja) * 2009-06-29 2013-10-30 日立化成株式会社 サファイア単結晶の製造方法
EP2460783A4 (en) * 2009-07-31 2013-02-20 Kyocera Corp CERAMIC SUBSTRATE FOR FIXING A LIGHT ELEMENT
JP5295059B2 (ja) * 2009-09-25 2013-09-18 三菱電機株式会社 光電変換装置とその製造方法
JP5454045B2 (ja) * 2009-09-25 2014-03-26 日本電気株式会社 情報処理装置、無線通信システム、無線通信方法及びプログラム
JP5307688B2 (ja) * 2009-10-27 2013-10-02 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07101771A (ja) * 1993-10-01 1995-04-18 Nippon Cement Co Ltd アルミナセラミックス及びその製造方法
JPH07149560A (ja) * 1993-11-24 1995-06-13 Nippon Cement Co Ltd アルミナ−酸化チタン複合セラミックス及びその製造方法
JPH10139480A (ja) * 1996-10-31 1998-05-26 Toshiba Ceramics Co Ltd アルミナ被覆石英ガラス及びその製造方法並びに半導体製造装置用部品
JP2006165107A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Nippon Steel Corp 静電チャック用誘電体セラミックス及びその製造方法
JP2007284333A (ja) 2006-03-20 2007-11-01 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 高反射白色セラミックス及びリフレクター及び半導体発光素子搭載用基板及び半導体発光素子収納用パッケージ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2763199A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019065726A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 京セラ株式会社 発光素子実装用基板およびこれを備える発光素子実装用回路基板ならびに発光素子モジュール
JPWO2019065726A1 (ja) * 2017-09-28 2020-02-06 京セラ株式会社 発光素子実装用基板およびこれを備える発光素子実装用回路基板ならびに発光素子モジュール
CN111164059A (zh) * 2017-09-28 2020-05-15 京瓷株式会社 发光元件安装用基板及具备其的发光元件安装用电路基板、以及发光元件模块
US11769864B2 (en) 2017-09-28 2023-09-26 Kyocera Corporation Substrate for mounting a light-emitting element and circuit board for mounting a light-emitting element that includes it, and light-emitting element module

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013047087A1 (ja) 2015-03-26
US20140240995A1 (en) 2014-08-28
CN103828077A (zh) 2014-05-28
JP5372293B2 (ja) 2013-12-18
EP2763199A1 (en) 2014-08-06
CN103828077B (zh) 2016-10-12
EP2763199A4 (en) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5111686B2 (ja) 発光素子搭載用セラミックス基体および発光装置
JP5106676B2 (ja) 発光素子搭載用セラミックス基体
JP5429038B2 (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
KR20110111243A (ko) 발광 소자 탑재 기판 및 이 기판을 사용한 발광 장치
JP5518168B2 (ja) 発光素子実装用基体および発光装置
WO2011096126A1 (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2015120621A (ja) ガラスセラミックス組成物、発光素子用基板、および発光装置
JP5372293B2 (ja) 発光素子実装用基板および発光装置
JP2013230949A (ja) セラミック基板およびこれを用いた発光装置
JP5381800B2 (ja) 発光素子搭載用基板およびこの基板を用いた発光装置
JP2017079328A (ja) 発光素子実装用基板、発光素子実装用回路基板、発光素子モジュールおよび発光素子実装用基板の製造方法
CN108352433B (zh) 发光元件搭载用基板和发光装置
JP2015050312A (ja) 発光素子実装用基板およびこれを用いた発光素子モジュール
TWI648242B (zh) Manufacturing method of optical wavelength conversion member, optical wavelength conversion member, optical wavelength conversion component, and light-emitting device
JP2011258866A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP5381799B2 (ja) 発光素子搭載用基板およびこの基板を用いた発光装置
JP2011176083A (ja) 発光装置
CN111164059B (zh) 发光元件安装用基板及具备其的发光元件安装用电路基板、以及发光元件模块
JP2013239546A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2011192980A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP5829582B2 (ja) 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール
TWI519504B (zh) LED with ceramic encapsulation paste
JP2013228603A (ja) 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール
JP2011192981A (ja) 発光素子搭載基板およびこの基板を用いた発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013510435

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12835862

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14347202

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012835862

Country of ref document: EP