TWI519504B

TWI519504B - LED with ceramic encapsulation paste

Info

Publication number: TWI519504B
Application number: TW102125477A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Kamiga; Kenichi Harigae; Kazuya Takagi; Hirotaka Fukumoto
Original assignee: Kyoto Elex Co Ltd
Priority date: 2012-09-10
Filing date: 2013-07-17
Publication date: 2016-02-01
Also published as: JP5814204B2; TW201420545A; JP2014053547A

Description

LED用陶瓷封裝用膏

本發明係關於一種構裝發光二極體(LED)之用於LED發光裝置之陶瓷封裝使用的膏，尤其是關於一種含有Ag粉末之膏：其較佳地用於形成反射構裝於陶瓷封裝內之LED元件之光的光反射面。

由於LED就消耗電力少且長壽命等觀點而言，具有使環境負擔大幅減少之優點，故而近年來於照明等領域中受到關注。尤其是藉由開發出高亮度藍色LED而可獲得高亮度白色光，因此，例如可預期應用於汽車之頭燈等迄今為止未應用之廣泛的領域。

通常，LED係構裝於LED用封裝而使用，故而LED用封裝會對自LED元件射出之發光其光束之亮度、視野角等之最終特性造成大幅影響。為了控制光束之亮度或視野角等，而於LED用封裝設置光反射面。該光反射面之形成已知有各種各樣之方法，作為一例，可列舉使用以Ag為主要之材料之光反射膜的方法。

此處，作為LED用封裝之種類，代表性而言可列舉樹脂封裝型與陶瓷封裝型。其中，與樹脂封裝型相比，通常陶瓷封裝型之耐久性、耐熱性、散熱性等優異，故而可發揮較高之可靠性。

陶瓷封裝型之LED用封裝(以下，稱為LED用陶瓷封裝)係藉由燒成陶瓷生片(greensheet)(會成為陶瓷板)而形成，於多數情況，係成為將複數片陶瓷生片積層並進行燒成而成之陶瓷多層基板。陶瓷生片(以下，適當簡稱為「生片」)通常係混合玻璃料成分與陶瓷成分而成者，由於玻璃料成分之熔點相對較低，故而藉由利用其於低溫度進行燒成，可形成作為燒結體之陶瓷基板。

具備含有Ag之光反射膜之LED陶瓷封裝例如揭示於專利文獻1。具體而言，專利文獻1中揭示之LED用陶瓷封裝具備如下圓角(fillet)：其由Ag含有率為90質量%以上之金屬材料構成，且形成於金屬化層上，其中該金屬化層形成於作為LED元件構裝區域之腔。該圓角具有將來自LED元件之發光光束向特定之方向反射的光反射面，該光反射面可為純Ag製之圓角的表面，亦可為對平滑性高之圓角之表面實施有鍍Ag的表面。

[先前技術文獻]

專利文獻1：日本特開2006-41179號公報

關於專利文獻1中揭示之LED用陶瓷封裝，由於圓角本身含有90質量%以上之Ag，且於圓角之光反射面為鍍Ag之表面的情形時另外需要鍍敷步驟，故而無論於材料上還是於步驟上均有成本變高之傾向。

本發明係為解決此種課題而完成者，其目的在於提供一種可以更低之成本且簡單之步驟製造藉由燒成生片而製造之LED陶瓷封裝的技術。

為解決上述課題，本發明之LED用陶瓷封裝用膏係於製造LED用陶瓷封裝時，塗佈於陶瓷生片上並與該陶瓷生片同時進行燒成之膏，且具有含有(A)Ag粉末及(C)有機媒液之構成。

根據上述構成，若使用含有(A)Ag粉末及(C)有機媒液之膏，則光反射面等需要光學性質之部位、及通孔之填充或配線形成等需要導電性的部位，均可利用相同之膏形成。而且，該等部位可藉由在成為陶瓷基板之生片上塗佈膏後同時燒成而一起形成。因此，尤其是可以低成本且簡單之方法製造LED用陶瓷封裝，該LED用陶瓷封裝使用有由複數層陶瓷層構成之陶瓷多層基板。

於上述構成之LED用陶瓷封裝用膏中，亦可為上述(A)Ag粉末之平均粒徑為1~9μm之範圍內的構成。

又，於上述構成之LED用陶瓷封裝用膏中，亦可為上述(A)Ag粉末之含量為70~85重量%之範圍內的構成；或者亦可進而含有(B)Ag₂O粉末，上述(A)Ag粉末及上述(B)Ag₂O粉末之含量的合計為70~85重量%之範圍內，且上述(B)Ag₂O粉末之含量為35重量%以下的構成。

根據上述構成，藉由如上所述設定(A)Ag粉末及/或(B)Ag₂O粉末之含量，而即便將膏塗佈於成為陶瓷基板之生片上後同時進行燒成，亦可有效地抑制陶瓷基板之翹曲，例如於由膏製作光反射膜之情形時，可使其反射率亦良好。

又，於上述構成之LED用陶瓷封裝用膏中，亦可為進而於1~2重量%之範圍內含有(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物之構成。

又，於上述構成之LED用陶瓷封裝用膏中，亦可為上述(B)Ag₂O粉末之平均粒徑為10~25μm之範圍內的構成。

又，於上述構成之LED用陶瓷封裝用膏中，亦可為用在塗佈於上述陶瓷生片之成為光反射面部位的面而形成光反射膜的構成。

又，於上述構成之LED用陶瓷封裝用膏中，亦可為形成之上述光反射膜的反射率於波長400~800nm之範圍內之光中在90%以上的構成。

如此，本發明中能夠發揮可以更低之成本且簡單之步驟製造藉由燒成生片而製造之LED陶瓷封裝的效果。

10‧‧‧LED用陶瓷封裝(LED封裝)

11‧‧‧LED元件

12a、12b‧‧‧端子

13‧‧‧陶瓷多層基板

14‧‧‧腔

14a‧‧‧光反射膜

15a、15b‧‧‧半貫通孔

16a‧‧‧孔內導體

16b‧‧‧內部配線層

20‧‧‧翹曲評價用基板試樣

21‧‧‧陶瓷層

22‧‧‧膏燒成層

圖1係表示本發明之LED用陶瓷封裝之構成之一例的模式剖面圖。

圖2係說明實施例及比較例中進行之陶瓷基板翹曲量測定的示意圖。

圖3(a)~(d)係對分別使用實施例1至4之LED用陶瓷封裝用膏形成之光反射膜，以電子顯微鏡照片表示因成分之不同而導致之表面之不同的圖。

本發明之LED用陶瓷封裝用膏係可用於在陶瓷生片(生片)上形成塗膜並同時進行燒成之膏，且含有(A)Ag粉末及(C)有機媒液，進而亦可含有(B)Ag₂O粉末。該等各成分中，若(A)Ag粉末之含量、或(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末之含量的合計為70~85重量%，且(B)Ag₂O粉末單獨之含量為0~35重量%，則可減少燒成後之陶瓷基板之翹曲，故而較佳。此外，為進一步抑制陶瓷基板之翹曲，亦可於1~2重量%之範圍內含有(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物。

以下，對本發明之尤佳之實施形態具體進行說明。再者，於以下說明中，如上所述將陶瓷生片簡稱為「生片」。又，關於LED用陶瓷封裝用膏，亦適當地簡稱為「LED封裝用膏」。

[(A)Ag粉末]

本發明之LED封裝用膏至少含有(A)Ag粉末。作為該(A)Ag粉末，可使用燒成用之各種膏使用的任何Ag粉末，但若以形成LED用陶瓷封裝之光反射膜為目的，則可尤佳地使用藉由化學還原法或霧化法製造之Ag粉末。藉由使用利用化學還原法或霧化法製造之Ag粉末，而如下所述，即便塗佈於生片上並同時進行燒成，亦可尤其有效地抑制燒成後之陶瓷基板的翹曲。換言之，若使用利用化學還原法或霧化法製造者作為Ag粉末，則可使LED封裝用膏之燒成時之收縮率接近生片的收縮率，故而可有效地抑制燒成後之陶瓷基板之翹曲。

作為化學還原法或霧化法，具體而言，並無特別限定，可較佳地使用公知之各種方法。例如，作為化學還原法，可列舉氧化物還原法、氯化物還原法等，作為霧化法，可較佳地使用水霧化法、氣體霧化法、真空霧化法等。關於霧化法，例如可於參考文獻1：日本特開平11-163487號公報或參考文獻2：日本特開2008-282612號公報(任一參考文獻均於本說明書中作為參考而被引用)中找到。

(A)Ag粉末之平均粒徑只要為1~9μm之範圍內即可，若為2~7μm之範圍內則更佳。又，(A)Ag粉末之最大粒徑若為40μm以下則較佳。若平均粒徑為該範圍內，則可充分提高光反射膜之反射率。又，若最大粒徑為40μm以下，則於藉由網版印刷法將LED封裝用膏塗佈於生片上之情形時，可充分通過網篩(mesh screen)。

再者，所謂本發明中之平均粒徑，係指以Microtrac公司(Microtrac Inc.)製造之雷射繞射式粒度分佈測定裝置測定銀粉末時之累積頻率為50體積%之粒徑。

如下所述，本發明之LED封裝用膏除(A)Ag粉末以外亦可含有(B)Ag₂O粉末。若將該等(A)、(B)之各粉末統一設為「Ag成分」，則LED封裝用膏中之Ag成分的含量較佳為70~85重量%之範圍內，更佳為80~85重量%之範圍內。若Ag成分僅為(A)Ag粉末，則LED封裝用膏中之(A)Ag粉末的含量為70~85重量%之範圍內即可。

若Ag成分之含量為該範圍內，則於燒成時Ag良好地收縮而適當地燒結燒成體(即光反射膜)之表面。其結果，於成為光反射面之光反射膜的表面，可以電子顯微鏡等級觀察到之孔隙的數量變少，因此可實現良好之反射率。而且，可使Ag之燒成時之收縮率及收縮行為接近生片的收縮率及收縮行為，故而不僅可充分提高光反射膜之反射率，而且亦可抑制陶瓷基板之翹曲。

然而，通常若將燒成膏塗佈於生片並同時進行燒成，則已知由於生片之燒結行為與燒成膏之燒結行為不同，各自之收縮率亦不同，故而會於獲得之陶瓷基板上產生翹曲。作為抑制此種翹曲之技術，例如已知如上述參考文獻1或參考文獻3：日本特開平3-284896號公報中揭示般，使用藉由化學還原法或霧化法製造者，作為燒成膏中含有之Ag粉末的方法。

然而，該等技術僅將重點放在陶瓷基板之翹曲的抑制，故而雖可有效地抑制通常之「陶瓷多層電路基板」之翹曲，但無法有效地用於如本發明中之LED用陶瓷封裝之光反射膜般需要特定之反射率的用途。實際上，例如於參考文獻1中，難以同時實現抑制翹曲與提高反射率。

具體而言，如下述實施例23所示，若如參考文獻1般，膏中之Ag粉末的含量為50重量%，則無法獲得90%以上之良好之反射率。相對於此，於本發明中，Ag成分之含量為70~85重量%之範圍內即可，因此，可同時實現抑制陶瓷基板之翹曲與提高光反射膜之反射率。

[(B)Ag₂O粉末]

本發明之LED封裝用膏只要含有上述(A)Ag粉末作為Ag成分即可，較佳為進而含有(B)Ag₂O粉末。此處，Ag成分之含量係如上所述為70~85重量%之範圍內即可，因此若含有(B)Ag₂O粉末作為Ag成分，則(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末之含量的合計為70~85重量%之範圍內即可。其中，(B)Ag₂O粉末較佳為35重量%以下。

若LED封裝用膏含有(B)Ag₂O粉末作為Ag成分，則可藉由Ag₂O之還原反應而進一步適當地燒結光反射膜之表面。具體而言，於約300℃ Ag₂O產生還原反應，藉由該還原反應而產生氧氣(2Ag₂O→4Ag+O₂)。產生之O₂與LED封裝用膏中之樹脂成分((C)有機媒液)反應而促進其分解(脫黏合劑處理)，並且由於燒成中排出O₂，故而Ag之收縮量相對變大，光反射膜之表面得以良好地燒結。其結果，可形成表面之孔隙進一步減少，Ag緻密之光反射面。

又，如下所述，LED封裝用膏可添加鉬化合物或矽氧烷化合物，以作為用以進一步有效地抑制陶瓷基板之翹曲的添加劑，但即便該等添加劑於燒成時露出表面，亦會藉由O₂之排出而導入至內部。藉此，可藉由添加劑而有效地抑制陶瓷基板之翹曲，並且由於可減少添加劑之露出面積，故而可提高光反射膜之反射率。

再者，若(B)Ag₂O粉末之含量於膏中超過35重量%，則由還原反應產生之O₂之排出量會變得過多。因此，有由Ag之燒結引起的收縮過大之虞，其結果，於光反射膜之表面形成由燒縮產生之孔隙，具有該表面(光反射面)之反射率降低的傾向。

此處，於本發明中，由於至少含有(A)Ag粉末作為Ag成分即可，故而LED封裝用膏亦可不含(B)Ag₂O粉末。因此，(B)Ag₂O粉末之含量為0~35重量%之範圍內即可。即，(B)Ag₂O粉末之上限為35重量%以下即可。再者，(B)Ag₂O粉末之下限並無特別限定，若為1重量%以上則較佳。若(B)Ag₂O粉末未達1重量%，則雖亦取決於LED封裝用膏之組成或燒成條件等，但由於(B)Ag₂O粉末過少，故而有可能無法充分期待由Ag₂O之還原反應產生之作用。

又，(B)Ag₂O粉末之平均粒徑亦並無特別限定，若為10~25μm之範圍內則較佳。平均粒徑之測定方法係與上述(A)Ag粉末相同。若(B)Ag₂O粉末之平均粒徑為該範圍內，則可將(A)Ag粉末與(B)Ag₂O粉末良好地混合，故而可使(B)Ag₂O粉末良好地分散於(A)Ag粉末中。其結果，可使由Ag₂O之還原反應產生之作用均勻地產生於光反射膜之表面整體，可良好地提高反射率。

[(C)有機媒液]

本發明之LED封裝用膏除上述Ag成分((A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末)以外，含有(C)有機媒液。該(C)有機媒液由黏合劑成分與有機溶劑構成，但本發明並不限定於此，除黏合劑成分及有機溶劑以外，亦可含有公知之各種成分作為「有機媒液」。

黏合劑成分之種類並無特別限定，可使用燒結用膏之領域中公知之各種樹脂，具體而言，例如可較佳地使用乙基纖維素等。

又，有機溶劑之種類亦並無特別限定，可使用燒結用膏之領域中公知之各種樹脂，具體而言，例如可較佳地使用松脂醇、乙基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯等。

LED封裝用膏中之(C)有機媒液之含量並無特別限定，只要為15~30重量%之範圍內即可。若為該範圍內，則可實現能夠使用網版印刷等塗佈方法較佳地塗佈於生片之物性，並且可充分地進行脫黏合劑處理，又，可使光反射膜之表面之Ag的燒結良好。

[其他成分]

本發明之LED封裝用膏除上述Ag成分((A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末)、以及(C)有機媒液以外，亦可含有作為降低陶瓷基板翹曲之「翹曲抑制劑」的各種化合物，亦可含有燒成膏之領域中公知之其他添加劑。

本發明中之「翹曲抑制劑」只要為可調整伴隨LED封裝用膏之燒成而產生的Ag之收縮，接近生片之收縮行為而抑制陶瓷基板之翹曲者即可，並無特別限定，具體而言，例如可列舉：(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物。

作為(D-1)鉬化合物，具體而言，例如可列舉鉬(化學式：Mo)、氧化鉬(IV)(化學式：MoO₂，二氧化鉬)、氧化鉬(VI)(化學式：MoO₃，三氧化鉬)等，其中，可較佳地使用氧化鉬(VI)或鉬。

作為(D-2)矽氧烷化合物，可列舉矽氧烷化合物(低分子)、矽氧烷聚合物(高分子)等，其中，可較佳地使用甲基矽氧烷聚合物。

該等(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物可於燒成LED封裝用膏時，延遲基於Ag之燒結的收縮時序。因此，可使LED封裝用膏的收縮行為接近生片之燒結時的收縮行為，故而可降低獲得之陶瓷基板的翹曲。

具體而言，(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物(為了便於說明，統稱為(D)翹曲抑制劑)之作用係於膏中抑制Ag之燒結。因此，若將該等(D)翹曲抑制劑添加至LED封裝用膏，則藉由Ag之燒結抑制作用而使Ag之燒結向高溫側偏移。藉此，LED封裝用膏之燒成時的收縮行為接近生片的收縮行為。

然而，該等(D)翹曲抑制劑通常有露出LED封裝用膏之燒成物(光反射膜)之表面(光反射面)的可能性。若(D)翹曲抑制劑露出表面，則會吸收一部分來自LED元件之發光，故而有光反射面之反射率大幅降低之可能性。

然而，於本發明中，由於以上述掺合量含有上述平均粒徑之(A)Ag粉末作為Ag成分，故而可有效地降低(D)翹曲抑制劑於光反射面露出之可能性。尤其是若於較佳之範圍含有(B)Ag₂O粉末，則可藉由Ag₂O之還原反應而抑制(D)翹曲抑制劑之露出，故而可同時實現抑制陶瓷基板之翹曲及提高光反射膜之反射率。

此處，(D)翹曲抑制劑之含量並無特別限定，(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物較佳均為1~2重量%之範圍內。若未達1重量%，則有即便添加有(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物亦無法充分地抑制翹曲之情形，若超過2重量%，則有無法獲得與添加量相稱之翹曲的抑制，又，(D)翹曲抑制劑之添加量過多而於光反射面露出之量增加，其結果，有可能降低光反射膜之反射率。

再者，(D)翹曲抑制劑可藉由與(B)Ag₂O粉末併用，而充分地同時實現抑制陶瓷基板之翹曲及提高光反射膜之反射率，但於不含(B)Ag₂O粉末而僅含有(D)翹曲抑制劑之情形時，有即便可有效地抑制陶瓷基板之翹曲，亦無法充分提高光反射膜之反射率的情形。

[膏之用途及使用]

如上所述，本發明之LED封裝用膏含有(A)Ag粉末及(C)有機媒液、或(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末、以及(C)有機媒液，較佳為進而含有(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物，其製備方法(製造方法)並無特別限定，可較佳地使用燒成膏之領域中公知之方法。

於本實施形態中，可藉由將(A)~(C)、以及(D-1)或(D-2)之各成分以成為較佳之含量的方式掺合，並使用公知之三輥磨機等混練裝置進行混練及分散而製備。又，亦可視需要於混練後適量添加構成(C)有機媒液之有機溶劑而調節黏度等。

以此種方式獲得之LED封裝用膏可較佳地用於LED用陶瓷封裝(LED封裝)之製造，尤其是可較佳地用於與燒成後成為陶瓷基板之生片同時進行燒成之用途。

具體而言，例如可列舉：(1)用以形成將來自LED元件之發光向特定方向反射之光反射膜的膏；(2)用於填充成為陶瓷基板之生片之通孔的導電性膏；(3)於陶瓷基板為多層基板之情形時，形成於各陶瓷層之間之內部配線層之形成使用的導電性膏；(4)形成於陶瓷基板之表面之配線層之形成使用的導電性膏等。

LED用陶瓷封裝之具體之構成並無特別限定，例如可列舉如圖1所示具備LED元件11、光反射膜兼端子12a、12b、由複數層陶瓷層構成之陶瓷多層基板13、光反射膜14a、形成於陶瓷多層基板13之縱孔的半貫通孔15a、15b以及貫通孔15c、孔內導體16a、16c及內部配線層16b之構成的LED封裝10。

於圖1所示之構成中，陶瓷多層基板13係自LED封裝10之背面起，依序形成第一陶瓷層131、第二陶瓷層132、第三陶瓷層133之3層構成，於LED封裝10之表面由第三陶瓷層133形成作為構裝LED元件11之空間的腔14。腔14之底面為第二陶瓷層132之表面且不存在第三陶瓷層133，該底面成為用以構裝LED元件11之構裝面14b。又，於第三陶瓷層133之構裝面14b的周圍形成有傾斜面，於該傾斜面形成有光反射膜14a。

於構裝面14b設置有由金屬墊等構成之光反射膜兼端子12a、12b，經由該光反射膜兼端子12a、12b構裝有LED元件11。又，光反射膜兼端子12a、12b係經由填充形成於陶瓷多層基板13之半貫通孔15a、15b之孔內導體16a，與形成於各陶瓷層之間(於圖1中，第一陶瓷層131與第二陶瓷層132之間)的內部配線層16b而可導通地連接。因此，可對LED元件11經由孔內導體16a及內部配線層16b、以及光反射膜兼端子12a、12b而通電。再者，貫通孔15c為了將來自LED元件11之發熱散熱，而填充有孔內導體16c。

上述構成之LED封裝10之製造方法並無特別限定，通常(1)藉由衝孔或雷射加工等而於複數片生片(於圖1中，成為第一~第三陶瓷層131~133之各生片)形成通孔(半貫通孔15a、15b)用於層間連接，(2)藉由塞孔印刷法等將導電性膏填充於各生片之通孔，(3)使用導電性膏並藉由網版印刷法等於各生片上形成特定圖案之膏層，(4)藉由網版印刷等將LED封裝用膏塗佈於成為第三陶瓷層133之生片的成為光反射面之部位之面，(5)將該等複數片生片積層並壓接，將該積層體與導電性膏及LED封裝用膏一起同時進行燒成。

於本發明中，藉由上述(4)之步驟，利用LED封裝用膏而形成光反射膜兼端子12a、12b以及光反射膜14a。進一步於上述(2)或(3)之步驟，可使用公知之導電性膏形成孔內導體16a、16c及內部配線層16b，亦可使用本發明之LED封裝用膏形成孔內導體16a、16c及內部配線層16b。

再者，圖1所示之LED封裝10具備3層構成之陶瓷多層基板13，但LED封裝之具體構成並不限定於此，可具備1層(單層)構成之陶瓷基板，亦可為4層以上之多層構成。即，LED封裝具備之「陶瓷基板」可為陶瓷單層基板，亦可為複數層之陶瓷多層基板。

如上所述，本發明之LED封裝用膏可用於(1)光反射膜之形成；(2)通孔之填充用；(3)多層陶瓷基板之內部配線層之形成用；(4)陶瓷基板表面之配線層形成用等，於該等之中，尤其是可較佳地用作形成光反射膜之膏。

對該方面具體進行說明，使用本發明之LED封裝用膏的LED用陶瓷封裝之製造方法係以下製造方法：首先，(1)對成為陶瓷單層之生片中之具有光反射面的片材，於成為光反射面之部位印刷含Ag膏；(2)為了形成陶瓷單層之間的電性連接而形成各生片之通孔(對穿孔等)；(3)將配線形成用之導電性膏填充於該通孔中；(4)於積層該等陶瓷生片後；(5)一起進行燒成。

此處，利用上述製造方法所得之LED用陶瓷封裝之陶瓷多層基板，會發生於燒成後產生翹曲之問題。由於生片之燒成時之收縮率與含Ag膏之燒成時之收縮率互不相同，故而因燒成而產生上述翹曲，其結果，於LED用陶瓷封裝產生變形。該變形由於會成為使自LED元件照射之發光之光束不均勻的原因，故而於使用該LED用陶瓷封裝之LED照明裝置，光之指向性會受損。

為了降低上述翹曲，具有藉由向含Ag膏中添加添加劑而改變其收縮之時序的方法。作為一例，可列舉碳酸銣等Ia族或IIa族金屬之無機鹽等。藉由改變含Ag膏之收縮的時序，可緩和陶瓷多層基板之翹曲。然而，除了來自LED元件之發光被添加劑吸收外，於由含Ag膏形成之光反射膜中，其反射面之燒結狀態變得稀疏，故而光反射膜之反射率降低。

即，於使用含Ag膏形成LED用陶瓷封裝之光反射膜的情形時，產生以下需求：不僅有效地抑制同時燒成時之陶瓷多層基板的翹曲，而且亦使光反射膜之反射率為某一定水準以上，但先前未知此種含Ag膏。

因此，本發明不僅以可以更低之成本且簡單之步驟製造LED陶瓷封裝為目的，而且亦可以提供如下技術為目的：一種可用於形成LED用陶瓷封裝之光反射面且含有Ag之LED用陶瓷封裝用膏，其即便與生片同時進行燒成，亦可形成翹曲少之陶瓷多層基板，且亦可抑制光反射面之反射率的降低。

本發明之LED封裝用膏係含有(A)Ag粉末及(C)有機媒液之構成，若為該構成，則藉由將該膏印刷於生片之表面並同時進行燒成，而不僅可形成需要光學性質之部位(光反射面等)，而且亦可形成需要導電性之部位(通孔填充、配線形成等)。而且，藉由如上所述將(A)Ag粉末及/或(B)Ag₂O粉末之含量設定於特定之範圍內，而即便與生片同時進行燒成亦可形成翹曲少之陶瓷多層基板，且亦可抑制光反射面之反射率的降低。

此處，藉由本發明之LED封裝用膏形成之光反射膜兼端子12a、12b以及光反射膜14a針對波長400~800nm之範圍內的光，可實現至少80%以上之反射率。並且，若可實現90%以上之反射率，則可判斷已實現高水準之反射率。再者，該情形時之反射率係指波長400~800nm之範圍內之光之反射率中的最低值(最低反射率)與平均值(平均反射率)兩者，至少一種反射率可達成80%以上，若兩種反射率為90%以上，則可判斷可實現高水準之反射率。

又，於本發明之LED封裝用膏中，同時進行燒成時之陶瓷基板之翹曲越小越佳，作為一指標，於下述實施例製作之翹曲評價用基板試樣中，若翹曲量未達1.0mm則視作翹曲較小而較佳並評價為「○」，若為1.0~1.2mm之範圍內則視作較適合並評價為「△」，若超過1.2mm則視作不適合並評價為「×」。於翹曲量較大而不適合之情形時，獲得之LED封裝之變形變大，成為使自LED元件照射之發光之光束不均勻的原因，有光之指向性受損之虞。

如此，本發明之LED封裝用膏適當含有上述(A)~(C)以及(D-1)及(D-2)等各成分，可較佳地用在塗佈於生片之成為光反射面之部位的面而形成光反射膜。

此處，於LED封裝之製造方法中，為了形成光反射膜，包含以下步驟即可：將LED封裝用膏塗佈於生片之成為光反射面之部位之面的步驟；積層複數片生片而形成陶瓷積層體之步驟；及對上述陶瓷積層體與塗佈之LED用陶瓷封裝用膏同時進行燒成之步驟；作為塗佈LED封裝用膏之方法，可較佳地使用網版印刷，但亦可較佳地使用公知之其他塗佈方法。

根據本發明，由於利用含有Ag粉末及有機媒液之LED用陶瓷封裝用膏形成LED封裝的光反射面，故而可於塗佈於生片之成為光反射面之部位的面、或填充於通孔中、或塗佈於形成配線之部位後，與該生片同時進行燒成。

其結果，需要光學性質之部位、需要導電性之部位均可一起形成。而且，當形成光反射面時，無需如圓角等般使用較多之銀，進而，無需為了形成光反射面而實施鍍銀等步驟，故而可以更低成本且簡單之方法製造LED封裝。

又，根據本發明，由於利用含有特定量之(A)Ag粉末之膏、或者含有特定量之(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末之膏形成LED封裝之光反射膜，故而即便於在成為陶瓷基板之生片上塗佈光反射膜後同時進行燒成，亦可有效地抑制陶瓷基板之翹曲，並且可使例如光反射膜之反射率亦良好。因此，尤其是可以低成本且簡單之方法製造使用由複數層陶瓷層構成之陶瓷多層基板的LED用陶瓷封裝。

[實施例]

基於實施例、比較例及參考例對本發明更具體地進行說明，但本發明並不限定於此。業者可不脫離本發明之範圍而進行各種變更、修正、及改變。再者，以下實施例等中之粉末之平均粒徑、陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率的測定及評價係以如下所示之方式進行。

(測定及評價方法)

[粉末之平均粒徑]

如上所述，利用島津製作所股份有限公司製造之雷射繞射式粒度分佈測定裝置測定粉末之長徑及短徑的算術平均值，將累積頻率為50體積%之粒徑設為本說明書(及本實施例)中之平均粒徑。再者，平均粒徑係設為捨去未達1μm者。

[同時燒成之陶瓷基板之翹曲]

同時燒成之陶瓷基板之翹曲係如圖2所示，將翹曲評價用基板試樣20載置於水平台23之水平面上，使用針盤量規測定該翹曲評價用基板試樣20之整體的翹曲量H，算出自該整體之翹曲量H減去翹曲評價用基板試樣20之厚度所得者，作為實際之翹曲量h。若翹曲量未達1.0mm則視作翹曲小而較佳並評價為「○」，若為1.0~1.2mm之範圍內則視作較適合並評價為「△」，若超過1.2mm則視作不適合並評價為「×」。

再者，翹曲評價用基板試樣20係作為燒成生片而成之層的陶瓷層21與燒成LED用陶瓷封裝用膏而成之膏燒成層22(即光反射膜)的2層構造，且以成為翹曲之凸側的膏燒成層22為上側載置於水平台23上。

[光反射膜之反射率]

光反射膜之反射率係使用島津製作所股份有限公司製造之分光光度計UV-2550測定反射率評價用基板試樣的反射率。此時之測定條件係以測定波長400~800nm藉由使用積分球之漫反射方法，以1nm為單位測定反射率。並且，獲取所得之測定值中的最低值(最低反射率)與測定值的平均值(平均反射率)，評價反射率。

再者，上述表1所示之實施例1~16於本發明中為特佳之實施例。

(實施例1)

如表1所示，使用平均粒徑3.9μm者作為(A)Ag粉末，並且使用使乙基纖維素溶解於松脂醇而成者作為(C)有機媒液，將該等以表1所示之掺合比進行掺合，並利用三輥磨機進行混練及分散，藉此，獲得實施例1之LED用陶瓷封裝用膏。再者，亦包括本實施例在內之表1中的掺合比係設為捨去未達1重量%者。

用以評價翹曲量之生片係使用混合40重量份之低熔點玻璃粉末與60重量份之氧化鋁粉末，並以成為長×寬×厚為1英吋×1英吋×150μm之尺寸的方式成形為正方形狀者。又，用以評價反射率之陶瓷基板係使用具有長×寬×厚為1英吋×1英吋×1mm之尺寸的96重量%Al₂O₃(為了便於說明，稱為「96%氧化鋁基板」)。

藉由將獲得之實施例1之LED用陶瓷封裝用膏網版印刷在上述生片與上述96%氧化鋁基板之各自的表面並進行燒成，而製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣。再者，燒成條件係於大氣氛圍條件下，將常溫至150℃之升溫設為1小時，將150℃至500℃之升溫設為4小時，將500℃至900℃之升溫設為1小時，將900℃之保持設為1小時，將900℃至40℃之降溫設為4小時。

如上所述，測定所得之翹曲評價用基板試樣及反射率評價用基板試樣的陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。又，將利用電子顯微鏡照片觀察反射率評價用基板試樣中之光反射膜的結果示於圖3(a)。

(實施例2)

如表1所示，進而掺合(B)Ag₂O粉末，並且根據該(B)Ag₂O粉末之掺合量改變(A)Ag粉末之掺合比，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得實施例2之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。又，將利用電子顯微鏡照片觀察反射率評價用基板試樣中之光反射膜的結果示於圖3(b)。

(實施例3)

如表1所示，進而添加作為(D-1)鉬化合物之MoO₃作為添加劑，並根據該MoO₃之添加量改變(C)有機媒液之掺合量，除此以外，以與上述實施例2相同之方式獲得實施例3之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。又，將利用電子顯微鏡照片觀察反射率評價用基板試樣中之光反射膜的結果示於圖3(c)。

(實施例4)

如表1所示，進而添加作為(D-1)鉬化合物之Mo作為添加劑，並且根據該Mo之添加量改變(C)有機媒液之掺合量，除此以外，以與上述實施例2相同之方式獲得實施例4之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例5)

如表1所示，進而添加作為(D-2)矽氧烷化合物之甲基矽氧烷聚合物作為添加劑，並且根據該甲基矽氧烷聚合物之添加量改變(A)~(C)之各成分之掺合量，除此以外，以與上述實施例2相同之方式獲得實施例5之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例6~9)

如表1所示，以逐漸置換(A)Ag粉末之含量與Ag₂O粉末之含量的形式改變(A)~(C)之各成分之掺合比，除此以外，以與上述實施例2相同之方式分別獲得實施例6、7、8或9之LED用陶瓷封裝用膏。並且，使用各LED用陶瓷封裝用膏，以與上述實施例1相同之方式分別製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，分別測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例10)

如表1所示，以較實施例9之LED用陶瓷封裝用膏減少(A)Ag粉末之含量的形式改變(A)及(C)之各成分之掺合比，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得實施例10之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例11)

如表1所示，以較實施例10之LED用陶瓷封裝用膏減少(A)Ag粉末之含量的形式改變(A)~(C)之各成分之掺合比，除此以外，以與上述實施例2相同之方式獲得實施例11之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例12)

如表1所示，使用平均粒徑1μm者作為(A)Ag粉末，並使(A)及(C)各成分之掺合分別增減0.3重量%，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得實施例12之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例13)

如表1所示，使用平均粒徑5.1μm者作為(A)Ag粉末，除此以外，以與上述實施例12相同之方式獲得實施例13之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例14)

如表1所示，使用平均粒徑9.2μm者作為(A)Ag粉末，除此以外，以與上述實施例12相同之方式獲得實施例14之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例15、16)

如表1所示，使用平均粒徑9.8μm及26.2μm者作為(B)Ag₂O粉末，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得實施例15或16之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例17)

如表2所示，添加作為(D-1)鉬化合物之MoO₃作為添加劑，並且根據該MoO₃之添加量改變(C)有機媒液之掺合量，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得實施例17之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。又，將利用電子顯微鏡照片觀察反射率評價用基板試樣中之光反射膜的結果示於圖3(d)。

(實施例18)

如表2所示，增加添加劑MoO₃之添加量，並且根據該添加量改變(C)有機媒液之掺合量，除此以外，以與上述實施例3相同之方式獲得實施例18之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例19)

如表2所示，添加作為(D-2)矽氧烷化合物之甲基矽氧烷聚合物作為添加劑，並且根據該甲基矽氧烷聚合物之添加量實質上僅改變(C)有機媒液之掺合量((A)Ag粉末之掺合量僅減少了0.1重量%)，除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得實施例19之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例20)

如表2所示，增加添加劑甲基矽氧烷聚合物之添加量，並且根據該添加量改變(C)有機媒液之掺合量，除此以外，以與上述實施例5相同之方式獲得實施例20之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例21~24)

如表2所示，將(A)Ag粉末之含量、或(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末之含量設為多於85重量%(實施例21或22)、或者未達70重量%(實施例23或24)，除此以外，以與上述實施例1或2相同之方式分別獲得實施例21、22、23或24之LED用陶瓷封裝用膏。並且，使用各LED用陶瓷封裝用膏，以與上述實施例1相同之方式分別製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，分別測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例25)

如表2所示，以2重量%之掺合比添加CuO作為添加劑，除此以外，以實質上與上述實施例2相同之方式((B)Ag₂O粉末及(C)有機媒液之掺合量分別僅增減0.1重量%)獲得實施例25之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例26)

如表2所示，以1重量%之掺合比添加TiO₂作為添加劑，並且根據該TiO₂之添加量實質上改變(C)有機媒液之掺合比((A)Ag粉末之掺合量僅減少了0.3重量%)，除此以外，以與上述實施例2相同之方式獲得實施例26之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(實施例27)

如表2所示，將(B)Ag₂O粉末之掺合比增量為超過35重量%，並根據該添加量減量(A)Ag粉末之掺合比，除此以外，以實質上與上述實施例2相同之方式((C)有機媒液之掺合量僅增加了0.3重量%)獲得實施例27之LED用陶瓷封裝用膏。並且，以與上述實施例1相同之方式製作翹曲評價用基板試樣與反射率評價用基板試樣，測定陶瓷基板之翹曲及光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(比較例1)

以公知之方法製作藉由鍍銀而形成光反射膜之反射率評價用基板試樣，測定光反射膜之反射率並進行評價。將其結果示於表3。

(參考例1)

對實施例1~27中使用之反射率評價用基板試樣之作為陶瓷基板之96%氧化鋁基板，於未形成光反射膜之狀態以如上所述之方式測定反射率並進行評價。將其結果示於表3。

根據表1或表2之掺合比(組成)、以及表3及圖3(a)~(d)所示之結果，可知以下各點。

(1)根據實施例1及2之結果可知，本發明之LED用陶瓷封裝用膏若至少含有(A)Ag粉末及(C)有機媒液，則可有效地抑制陶瓷基板之翹曲，且可形成能實現良好之反射率的光反射膜，並且可知藉由進而掺合(B)Ag₂O，可不損害光反射膜之反射率而降低陶瓷基板之翹曲。

(2)根據實施例2與實施例3、4及5之結果可知，藉由掺合(D-1)鉬化合物(MoO₃或Mo)或(D-2)矽氧烷化合物(甲基矽氧烷聚合物)作為(D)添加劑，可進一步降低陶瓷基板之翹曲。

(3)根據實施例3及實施例17之結果、以及實施例5及實施例19之結果可知，任一實施例中均可形成良好之光反射膜，但於未掺合(B)Ag₂O粉末之情形時，即便掺合(D)添加劑，獲得之光反射膜之反射率亦降低，至少最低反射率變為90%以下。

(4)根據實施例3及實施例18之結果、以及實施例5及實施例20之結果可知，任一實施例中均可形成良好之光反射膜，但於掺合有(B)Ag₂O粉末之情形時，若為5重量%以上，則獲得之光反射膜之最低反射率及平均反射率均降低至90%以下。

(5)若對比實施例2、3、4及5之結果與實施例25及26之結果，則任一實施例中均可形成良好之光反射膜，但即便掺合(B)Ag₂O粉末，若添加劑並非(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物，則翹曲量或反射率之至少一者亦會降低。

(6)根據實施例1、6、7、8及9、以及實施例27之結果，任一實施例中均可形成良好之光反射膜，但若(B)Ag₂O粉末之掺合量為35重量%以下，則可不導致光反射膜之反射率的降低而抑制陶瓷基板之翹曲，但若為40重量%以上，則至少最低反射率成為90%以下。

(7)根據實施例1、10及11、以及實施例23及24之結果可知，若(C)有機媒液過多，則即便可抑制陶瓷基板之翹曲，光反射膜之反射率亦變低。因此，可知於由LED用陶瓷封裝用膏形成光反射膜之情形時，(A)Ag粉末之含量、或(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末之含量的合計較佳為70~85重量%之範圍內。

(8)根據實施例6及7之結果，於LED用陶瓷封裝用膏含有(B)Ag₂O粉末之情形時，若(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末之含量的合計超過85重量%，則光反射膜之反射率變得非常良好，但陶瓷基板之翹曲有相對增大之傾向。

(9)根據實施例1、12、13及14之結果可知，若(A)Ag粉末之粒徑為1.0至9.0μm之範圍內，則陶瓷基板之翹曲少，且可使獲得之光反射膜之反射率良好。

(10)根據實施例1、15及16之結果可知，若(B)Ag₂O粉末之粒徑為10至25μm之範圍內，則陶瓷基板之翹曲少，且可使獲得之光反射膜之反射率良好。

(11)根據實施例1~27以及比較例1之結果，若由LED用陶瓷封裝用膏形成光反射膜，則即便與先前之鍍Ag之光反射面相比，其反射率亦不遜色(實施例17~27之結果)，或者可實現較先前優異之反射率(實施例1~16)。再者，若看參考例1之結果，則先前之鍍Ag之光反射面的最低反射率與未實施鍍敷之96%氧化鋁基板為相同程度，但尤其是若看實施例1~16之結果，則可知由LED用陶瓷封裝用膏形成之光反射膜具有優異的光學性質，且亦可減輕陶瓷基板之翹曲。

(12)根據圖3(a)、(b)及(d)之結果(實施例1、2及實施例17之結果)可知，與僅由(A)Ag粉末及(C)有機媒液構成之LED用陶瓷封裝用膏相比，於掺合(B)Ag₂O粉末之情形時，於獲得之光反射膜之表面產生的孔隙有所減少。又，根據圖3(c)之結果(實施例3之結果)可知，若添加例如MoO₃作為(D)添加劑，則該MoO₃露出於光反射膜之表面，但若燒成含有(B)Ag₂O粉末與MoO₃之LED用陶瓷封裝用膏，則藉由Ag₂O及MoO₃進行燒結而減少MoO₃於表面之露出。因此，可知LED用陶瓷封裝用膏之添加劑並無特別限定，但可藉由以MoO₃為代表之(D-1)鉬化合物的添加而抑制陶瓷基板之翹曲，並且可藉由Ag₂O與MoO₃進行燒結而抑制MoO₃之表面露出，可抑制光反射膜之反射率的降低。於添加(D-2)矽氧烷化合物之情形時，亦可獲得與(D-1)鉬化合物相同之作用效果。

再者，本實施例係使用以氧化矽、氧化鋁及氧化硼作為主成分者作為生片，但本發明並不限定於此，通常可廣泛地應用於在800~1000℃之溫度範圍內進行燒成之使用低溫燒成基板用玻璃的生片。

再者，本發明並不限定於上述實施形態之記載，可於申請專利範圍所示之範圍內進行各種變更，關於將不同之實施形態或複數個變形例中分別揭示之技術手段適當組合而獲得之實施形態，亦包含於本發明之技術性範圍中。

[產業上之可利用性]

本發明可廣泛較佳地用於LED用陶瓷封裝之領域。

10‧‧‧LED用陶瓷封裝(LED封裝)

11‧‧‧LED元件

12a、12b‧‧‧端子

13‧‧‧陶瓷多層基板

14‧‧‧腔

14a‧‧‧光反射膜

14b‧‧‧構裝面

15a、15b‧‧‧半貫通孔

15c‧‧‧貫通孔

16a、16c‧‧‧孔內導體

16b‧‧‧內部配線層

131‧‧‧第一陶瓷層

132‧‧‧第二陶瓷層

133‧‧‧第三陶瓷層

Claims

一種LED用陶瓷封裝用膏，其係於製造LED用陶瓷封裝時，塗佈於陶瓷生片並與該陶瓷生片在800~1000℃之溫度範圍內同時進行燒成之膏；該LED用陶瓷封裝用膏含有(A)Ag粉末作為Ag成分，並且含有(C)有機媒液，該(A)Ag粉末之平均粒徑在1~7μm之範圍內，該(A)Ag粉末之含量在80~85重量%之範圍內。
一種LED用陶瓷封裝用膏，其係於製造LED用陶瓷封裝時，塗佈於陶瓷生片並與該陶瓷生片在800~1000℃之溫度範圍內同時進行燒成之膏；該LED用陶瓷封裝用膏含有(A)Ag粉末及(B)Ag₂O粉末作為Ag成分，並且含有(C)有機媒液，該(A)Ag粉末之平均粒徑在1~7μm之範圍內，該(A)Ag粉末及該(B)Ag₂O粉末之含量合計在80~85重量%之範圍內，且該(B)Ag₂O粉末之含量在1~35重量%之範圍內。
如申請專利範圍第2項之LED用陶瓷封裝用膏，其中，該(B)Ag₂O粉末之平均粒徑在10~25μm之範圍內。
如申請專利範圍第2項之LED用陶瓷封裝用膏，其進而於1~2重量%之範圍內含有(D-1)鉬化合物或(D-2)矽氧烷化合物作為(D)翹曲抑制劑。
如申請專利範圍第1或2項之LED用陶瓷封裝用膏，其中，該(C)有機媒液之含量在15~30重量%之範圍內。
如申請專利範圍第1至4項中任一項之LED用陶瓷封裝用膏，其被塗佈於該陶瓷生片之成為光反射面之部位的面，用於形成光反射膜。
如申請專利範圍第6項之LED陶瓷封裝用膏，其中，形成之該光反射膜的反射率於波長400~800nm之範圍內之光中，在90%以上。