WO2012165108A1 - 炭化珪素基板の製造方法 - Google Patents

炭化珪素基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012165108A1
WO2012165108A1 PCT/JP2012/061834 JP2012061834W WO2012165108A1 WO 2012165108 A1 WO2012165108 A1 WO 2012165108A1 JP 2012061834 W JP2012061834 W JP 2012061834W WO 2012165108 A1 WO2012165108 A1 WO 2012165108A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon carbide
cutting
substrate
crystal
carbide substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/061834
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
恭子 沖田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2012547398A priority Critical patent/JP6011339B2/ja
Priority to DE112012002299.8T priority patent/DE112012002299T5/de
Priority to CN201280021347.3A priority patent/CN103503119B/zh
Publication of WO2012165108A1 publication Critical patent/WO2012165108A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00—Cutting
    • Y10T83/04—Processes

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a silicon carbide substrate, and more particularly to a method for manufacturing a silicon carbide substrate capable of suppressing variations in plane orientation on the main surface.
  • silicon carbide has been increasingly adopted as a material constituting semiconductor devices in order to enable higher breakdown voltage, lower loss, and use in high-temperature environments.
  • Silicon carbide is a wide band gap semiconductor having a larger band gap than silicon that has been widely used as a material for forming semiconductor devices. Therefore, by adopting silicon carbide as a material constituting the semiconductor device, it is possible to achieve a high breakdown voltage and a low on-resistance of the semiconductor device.
  • a semiconductor device that employs silicon carbide as a material has an advantage that a decrease in characteristics when used in a high temperature environment is small as compared with a semiconductor device that employs silicon as a material.
  • a semiconductor device using silicon carbide as a material is manufactured, for example, by forming an epitaxial growth layer on a silicon carbide substrate, creating a region where a desired impurity is introduced into the epitaxial growth layer, and forming an electrode.
  • the silicon carbide substrate is generally manufactured by cutting (slicing) a silicon carbide crystal (ingot).
  • silicon carbide has an extremely high hardness, the cutting is not easy. For this reason, various studies have been made on a method for cutting a silicon carbide crystal, and various methods have been proposed (see, for example, JP-A-2009-61528 (Patent Document 1)).
  • the conventional method for cutting silicon carbide crystal has a problem that the obtained substrate warps greatly.
  • the warpage of the substrate can be reduced by polishing after cutting or the like.
  • the plane orientation of the silicon carbide single crystal on the main surface of the substrate varies depending on the part.
  • a silicon carbide single crystal has different characteristics depending on the plane orientation of the crystal. For this reason, it is preferable to reduce the warpage at the stage of cutting the substrate and suppress the variation in the plane orientation on the main surface of the substrate.
  • the present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a silicon carbide substrate capable of suppressing variations in plane orientation on the main surface.
  • the method for manufacturing a silicon carbide substrate according to the present invention includes a step of preparing a single crystal silicon carbide crystal and a step of obtaining the substrate by cutting the crystal. Then, in the step of obtaining the substrate, the angle formed by the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction of the crystal is in the direction of 15 ° ⁇ 5 ° in the orthogonal projection onto the ⁇ 0001 ⁇ plane. Proceed with cutting.
  • the present inventor has made a detailed study on a measure for reducing the warpage in the substrate cutting stage, and has obtained the following knowledge and arrived at the present invention.
  • silicon carbide crystals are extremely hard and difficult to cut. Further, the silicon carbide crystal has a cleavage plane, and there is anisotropy in the difficulty of cutting due to the influence of this cleavage plane. Therefore, cutting can be easily performed by advancing the cutting along the cleavage direction.
  • the hexagonal silicon carbide crystal has two cleavage directions, a ⁇ 1-100> direction and a ⁇ 11-20> direction.
  • the ⁇ 1-100> direction and the ⁇ 11-20> direction form 90 °.
  • the cleavage direction appears every 30 ° in the ⁇ 0001 ⁇ plane.
  • the ⁇ 1-100> direction and the ⁇ 11-20> direction differ in the degree of cleavage, that is, the ease of crack progress.
  • the front and back surfaces of the silicon carbide substrate that is, one surface and the other surface facing each other in the cutting region during the cutting process, the crack progress is easy in the ⁇ 1-100> direction and the ⁇ 11-20> direction. Reverse.
  • the angle formed by the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction of the crystal is 15 ° ⁇ 5 ° in the orthogonal projection onto the ⁇ 0001 ⁇ plane.
  • Cutting proceeds in the direction of the range. That is, cutting proceeds in a direction far away from the cleavage direction that appears every 30 ° in the ⁇ 0001 ⁇ plane. Therefore, the influence of the cleavage direction is reduced, and the occurrence of warpage is suppressed. As a result, even when the substrate obtained by cutting is flattened by polishing or the like, variations in plane orientation on the main surface can be suppressed.
  • the angle formed between the cutting progress direction and the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction is the angle formed between the cutting progress direction and the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction. Of these, the angle on the acute angle side.
  • the direction in which the cutting proceeds is most preferably 15 ° in the orthogonal projection of the crystal with the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction onto the ⁇ 0001 ⁇ plane.
  • the angle formed with the most preferable direction is within 5 °, a sufficient effect can be obtained.
  • the direction in which the cutting proceeds is 15 ° ⁇ 3 ° in an orthogonal projection of the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction of the crystal to the ⁇ 0001 ⁇ plane. It is preferable that
  • the angle formed by the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction of the crystal is 15 ° ⁇ 2 in the orthogonal projection onto the ⁇ 0001 ⁇ plane.
  • Cutting may be advanced in a direction that is in the range of °. Thereby, the curvature of the board
  • the crystal growth direction may be the ⁇ 0001> direction.
  • the diameter of the crystal may be 2 inches or more. As the crystal diameter increases, the effect of the warp increases. Therefore, the present invention capable of reducing the warpage is suitable for manufacturing a substrate from a crystal having a diameter of 2 inches or more.
  • the crystal in the step of obtaining the substrate, the crystal may be cut so that a ratio of a diameter to a thickness of the substrate is 100 or more.
  • the diameter D is large with respect to the thickness T of the substrate, the influence of the warp becomes large.
  • the D / T is 100 or more, the variation in the plane orientation in the main surface of the substrate due to the occurrence of the warp is likely to affect the manufacture of a semiconductor device using the substrate. Therefore, the present invention capable of reducing the warp is particularly suitable when the D / T is 100 or more.
  • the crystal in the step of obtaining the substrate, the crystal may be cut by wire cutting.
  • the present invention capable of reducing the warp is particularly suitable when the crystal is cut by wire cutting.
  • a method for manufacturing a silicon carbide substrate in one embodiment of the present invention will be described.
  • a step of preparing a crystal (ingot) of single crystal silicon carbide is performed.
  • an ingot of single crystal silicon carbide is produced, for example, by a sublimation method described below. That is, first, a seed crystal made of single crystal silicon carbide and a raw material powder made of silicon carbide are inserted into a container made of graphite. Next, the raw material powder is heated to sublimate silicon carbide and recrystallize on the seed crystal. At this time, recrystallization proceeds while a desired impurity such as nitrogen is introduced. As a result, the single crystal silicon carbide ingot 1 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the ingot 1 can be efficiently produced by setting the growth direction of the ingot 1 to the ⁇ 0001> direction as shown in FIG.
  • the produced ingot 1 is cut to produce a silicon carbide substrate.
  • the columnar (cylindrical) ingot 1 produced is set so that a part of the side surface is supported by the support base 2.
  • the wire 9 travels in a direction along the diameter direction of the ingot 1, the wire 9 approaches the ingot 1 along the cutting direction ⁇ that is a direction perpendicular to the travel direction, and the wire 9 and the ingot 1 come into contact with each other.
  • the ingot 1 is cut
  • the angle between the ⁇ 11-20> direction or the ⁇ 1-100> direction of the ingot 1 is set to the ⁇ 0001 ⁇ plane.
  • Cutting proceeds along the cutting direction ⁇ in the range of 15 ° ⁇ 5 ° in orthographic projection. More specifically, for example, as shown in FIG. 2, the angle ⁇ formed by the ⁇ 11-20> direction of the ingot 1 and the cutting direction ⁇ is 15 ° ⁇ 5 °.
  • the value of the angle ⁇ is more preferably 15 ° ⁇ 2 °.
  • the method for manufacturing silicon carbide substrate 3 in the present embodiment capable of reducing the warpage is particularly effective under such conditions.
  • the manufacturing method of the silicon carbide substrate 3 in the present embodiment capable of reducing the warp is performed by the ingot 1 being cut by wire cutting. This is particularly effective when cut.
  • Example 1 An experiment was conducted to compare the state of the main surface of the silicon carbide substrate in the method for manufacturing the silicon carbide substrate of the present invention with the state of the main surface of the conventional silicon carbide substrate.
  • the experimental procedure is as follows.
  • a single crystal silicon carbide ingot is prepared, and while being supported by the support base 2, wire cutting is performed so that cutting proceeds in a direction along the cleavage direction, A silicon carbide substrate was obtained. Then, the main surface of the silicon carbide substrate was flattened by polishing (conventional example). On the other hand, in the same procedure, wire cutting was performed so that cutting progressed in a direction in which the angle formed with the cleavage direction was 15 °, to obtain a silicon carbide substrate. And the main surface of the said silicon carbide substrate was planarized by grinding
  • polishing Example
  • the warpage of the surface is large and the surface roughness is improved by the flattening, but the warpage is large even after the flattening.
  • the warpage of the surface was greatly improved at the time of cutting, and the surface roughness was improved by flattening. .
  • the occurrence of warpage is suppressed as compared with the case of employing a conventional cutting method, and even when the substrate is flattened by polishing or the like, the surface on the main surface It was confirmed that variation in orientation can be greatly suppressed.
  • Example 2 In the method for manufacturing a silicon carbide substrate of the present invention, an experiment was conducted to investigate the relationship between the value (D / T) of the diameter D with respect to the thickness T of the silicon carbide substrate and the warpage of the substrate. The experiment was conducted when the wire speed in wire cutting was changed, when the wire tension was changed, and when the cutting speed was changed. The test results are shown in FIGS. 8 to 10, the horizontal axis represents the D / T value, and the vertical axis represents the warp (SORI) value. In FIG. 8, when the wire speed is 100 m / min to 600 m / min, in FIG. 9, the wire tension is 15 N to 40 N, and in FIG. 10, the cutting speed is 1 mm / h to 6 mm / h. For cases, experimental results are shown.
  • the warpage is particularly large when the value of D / T is 100 or more under any of the conditions. Therefore, it can be said that the method for manufacturing a silicon carbide substrate of the present invention capable of reducing warpage is particularly suitable when the value of D / T is 100 or more.
  • the warpage is reduced as the wire speed increases.
  • the warpage is greatly reduced by increasing the linear speed from 100 m / min to 300 m / min.
  • the reduction range of the warp is from 100 m / min to 300 m / min. It is smaller than when it is raised to / min.
  • the wire speed is preferably 300 m / min or more and 700 m / min or less.
  • the warpage is reduced as the wire tension increases.
  • the warpage is greatly reduced by increasing the tension from 15N to 35N.
  • the reduction width of the warpage is smaller than that when the tension is increased from 15N to 35N.
  • the tension exceeds 50 N the wire may be broken. Therefore, it is considered that the tension of the wire is preferably 35N or more and 50N or less.
  • the warpage is reduced as the cutting speed decreases.
  • the warpage is greatly reduced by reducing the cutting speed from 6 mm / h to 3 mm / h.
  • the reduction width of the warp is 6 mm / h to 3 mm / h. It is smaller than the case where it is lowered to h.
  • the cutting speed is less than 1 mm / h, the wire entrained with the cutting fluid such as slurry travels on the ingot with little advance, and the cutting margin increases, so the yield decreases. Therefore, it is considered that the cutting speed is preferably 1 mm / h or more and 3 mm / h or less.
  • an ingot of single crystal silicon carbide is prepared as in the case of the above embodiment, and the angle formed with the ⁇ 1-100> direction which is the cleavage direction is ⁇ 0001 ⁇ plane while being supported by the support base 2
  • a silicon carbide substrate was obtained by slicing the ingot so that the angle was 0 ° to 30 ° in an orthogonal projection.
  • substrate was measured. The measurement results are shown in Table 1.
  • the shape of the main surface of the obtained substrate is shown in FIGS.
  • the SORI value of the substrate main surface becomes smaller. Yes. It is confirmed that the SORI value of the main surface of the substrate can be effectively reduced by setting the angle formed by the cutting progress direction and the ⁇ 1-100> direction to a range of 15 ° ⁇ 5 °. Further, it was found that the SORI value of the main surface of the substrate can be further reduced by setting the angle formed by the cutting progress direction and the ⁇ 1-100> direction to be in the range of 15 ° ⁇ 2 °.
  • the method for manufacturing a silicon carbide substrate of the present invention can be particularly advantageously applied to the manufacture of a silicon carbide substrate that is required to suppress variations in plane orientation on the main surface.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

　炭化珪素基板の製造方法は、単結晶炭化珪素のインゴット（１）を準備する工程と、インゴット（１）を切断することにより基板を得る工程とを備えている。そして、基板を得る工程では、インゴット（１）の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角βが｛０００１｝面への正射影において１５°±５°の範囲となる方向αに切断を進行させる。

Description

炭化珪素基板の製造方法
　本発明は炭化珪素基板の製造方法に関し、より特定的には、主面における面方位のばらつきを抑制することが可能な炭化珪素基板の製造方法に関するものである。
　近年、半導体装置の高耐圧化、低損失化、高温環境下での使用などを可能とするため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素の採用が進められつつある。炭化珪素は、従来から半導体装置を構成する材料として広く使用されている珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体である。そのため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素を採用することにより、半導体装置の高耐圧化、オン抵抗の低減などを達成することができる。また、炭化珪素を材料として採用した半導体装置は、珪素を材料として採用した半導体装置に比べて、高温環境下で使用された場合の特性の低下が小さいという利点も有している。
　炭化珪素を材料として用いた半導体装置は、たとえば炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層を形成し、当該エピタキシャル成長層に所望の不純物を導入した領域を作成するとともに、電極を形成することにより製造される。そして、炭化珪素基板は、炭化珪素の結晶（インゴット）を切断（スライス）することにより製造されるのが一般的である。しかし、炭化珪素は極めて高い硬度を有するため、その切断は容易ではない。そのため、炭化珪素結晶の切断方法については様々な検討がなされ、種々の方法が提案されている（たとえば、特開２００９－６１５２８号公報（特許文献１）参照）。
特開２００９－６１５２８号公報
　しかしながら、従来の炭化珪素結晶の切断方法では、得られた基板の反りが大きいという問題がある。基板の反りは、切断後の研磨等によって低減することができる。しかし、反りの大きい基板を研磨等によって平坦化すると、基板の主面における炭化珪素単結晶の面方位が部位によってばらつく。炭化珪素単結晶は、結晶の面方位によって異なる特性を有する。そのため、基板の切断の段階で反りを低減し、基板の主面における上記面方位のばらつきを抑制することが好ましい。
　本発明はこのような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、主面における面方位のばらつきを抑制することが可能な炭化珪素基板の製造方法を提供することである。
　本発明に従った炭化珪素基板の製造方法は、単結晶炭化珪素の結晶を準備する工程と、当該結晶を切断することにより基板を得る工程とを備えている。そして、上記基板を得る工程では、上記結晶の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°±５°の範囲となる方向に切断を進行させる。
　本発明者は、基板の切断段階における反りを低減するための方策について詳細な検討を行ない、以下のような知見を得て本発明に想到した。
　すなわち、上述のように炭化珪素の結晶は極めて硬度が高く、切断が困難である。また、炭化珪素の結晶は劈開面を有し、この劈開面の影響により切断の困難性に異方性が存在する。そのため、劈開方向に沿って切断を進行させることにより切断を容易に実施することができる。
　しかしながら、このような切断方法が上記基板の反りの原因となっていることが本発明者の検討の結果明らかとなった。より具体的には、六方晶炭化珪素の結晶には＜１－１００＞方向および＜１１－２０＞方向の２つの劈開方向が存在する。＜１－１００＞方向と＜１１－２０＞方向とは９０°をなす。そして、結晶の対称性に基づく等価な方向を考慮すると、上記劈開方向は｛０００１｝面内において３０°ごとに現れる。また、＜１－１００＞方向と＜１１－２０＞方向とでは、劈開の程度、つまり亀裂進行の容易性は異なっている。さらに、炭化珪素基板の表面と裏面、すなわち切断進行中に切断領域において向かい合う一方の面と他方の面とでは、＜１－１００＞方向と＜１１－２０＞方向とで亀裂進行の容易性が逆転する。
　そのため、たとえばワイヤー切断により結晶を切断する場合、上記劈開方向の一方に沿って切断が進行するように切断を実施すると、切断進行中に切断領域において向かい合う一方の面と他方の面とで亀裂進行の容易性が異なるため、＜０００１＞方向にワイヤーが徐々に移動する。その結果、切断されて得られた炭化珪素基板には反りが形成される。
　これに対し、本発明の炭化珪素基板の製造方法では、結晶の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°±５°の範囲となる方向に切断が進行する。すなわち、｛０００１｝面内において３０°ごとに現れる劈開方向から大きく離れた方向に切断が進行する。そのため、上記劈開方向の影響が低減され、反りの発生が抑制される。その結果、切断により得られた基板を研磨等により平坦化した場合でも、主面における面方位のばらつきを抑制することができる。なお、切断の進行方向と＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角とは、切断の進行方向と＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角のうち、鋭角側の角度をいう。
　ここで、切断が進行する方向は、結晶の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°であることが最も好ましい。しかし、この最も好ましい方向とのなす角が５°以内であれば、十分な効果が得られる。より高い効果を得るためには、切断が進行する方向は、結晶の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°±３°であることが好ましい。
　上記炭化珪素基板の製造方法においては、上記基板を得る工程では、結晶の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°±２°の範囲となる方向に切断を進行させてもよい。これにより、切断によって得られる基板の反りが一層抑制される。その結果、切断により得られた基板を研磨等により平坦化した場合でも、主面における面方位のばらつきを一層抑制することができる。
　上記炭化珪素基板の製造方法においては、結晶の成長方向は＜０００１＞方向であってもよい。これにより、単結晶炭化珪素の結晶を効率よく作製することができる。
　上記炭化珪素基板の製造方法においては、結晶の直径は２インチ以上であってもよい。結晶の直径が大きくなるに従って、上記反りの影響は大きくなる。そのため、上記反りを低減可能な本発明は、直径が２インチ以上の結晶から基板を作製する場合に好適である。
　上記炭化珪素基板の製造方法においては、上記基板を得る工程では、基板の厚みに対する直径の比が１００以上となるように上記結晶が切断されてもよい。基板の厚みＴに対して直径Ｄが大きい場合、上記反りの影響は大きくなる。特に、上記Ｄ／Ｔが１００以上の場合、上記反りの発生に起因した基板の主面内での面方位のばらつきは、当該基板を用いた半導体装置の製造に影響を与えるおそれが大きくなる。そのため、上記反りを低減可能な本発明は、上記Ｄ／Ｔが１００以上の場合に、特に好適である。
　上記炭化珪素基板の製造方法においては、基板を得る工程では、上記結晶はワイヤー切断により切断されてもよい。
　ワイヤー切断によって結晶が切断される場合、特に上記反りが発生し易くなる。そのため、上記反りを低減可能な本発明は、ワイヤー切断によって結晶が切断される場合に、特に好適である。
　以上の説明から明らかなように、本発明の炭化珪素基板の製造方法によれば、主面における面方位のばらつきを抑制することが可能な炭化珪素基板の製造方法を提供することができる。
単結晶炭化珪素のインゴットを示す概略斜視図である。 インゴットの切断方法を示す概略平面図である。 炭化珪素基板を示す概略斜視図である。 劈開方向に沿った方向に切断が進行するようにワイヤー切断して得られた基板の主面の形状を示す図である。 劈開方向に沿った方向に切断が進行するようにワイヤー切断し、その後表面を研磨して得られた基板の主面の形状を示す図である。 劈開方向とのなす角が１５°となる方向に切断が進行するようにワイヤー切断して得られた基板の主面の形状を示す図である。 劈開方向とのなす角が１５°となる方向に切断が進行するようにワイヤー切断し、その後表面を研磨して得られた基板の主面の形状を示す図である。 ワイヤー切断における線速を変更した場合のＤ／Ｔと反りとの関係を示す図である。 ワイヤー切断におけるワイヤーの張力を変更した場合のＤ／Ｔと反りとの関係を示す図である。 ワイヤー切断における切断速度を変更した場合のＤ／Ｔと反りとの関係を示す図である。 ＜１－１００＞方向とのなす角が０°となる方向に切断が進行するようにワイヤー切断して得られた基板の主面の形状を示す図である。 ＜１－１００＞方向とのなす角が１５°となる方向に切断が進行するようにワイヤー切断して得られた基板の主面の形状を示す図である。 ＜１－１００＞方向とのなす角が２０°となる方向に切断が進行するようにワイヤー切断して得られた基板の主面の形状を示す図である。 ＜１－１００＞方向とのなす角が３０°となる方向に切断が進行するようにワイヤー切断して得られた基板の主面の形状を示す図である。
　以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。また、本明細書中においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示す。また、負の指数については、結晶学上、”－”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
　まず、本発明の一実施の形態における炭化珪素基板の製造方法について説明する。図１を参照して、本実施の形態における炭化珪素基板の製造方法では、まず、単結晶炭化珪素の結晶（インゴット）を準備する工程が実施される。具体的には、たとえば以下に説明する昇華法により、単結晶炭化珪素のインゴットが作製される。すなわち、まずグラファイトからなる容器内に単結晶炭化珪素からなる種結晶と、炭化珪素からなる原料粉末とが挿入される。次に、原料粉末が加熱されることにより炭化珪素が昇華し、種結晶上に再結晶する。このとき、所望の不純物、たとえば窒素などが導入されつつ再結晶が進行する。これにより、図１に示す単結晶炭化珪素のインゴット１が得られる。ここで、インゴット１の成長方向を図１に示すように＜０００１＞方向とすることにより、効率よくインゴット１を作製することができる。
　次に、作製されたインゴット１が切断されることにより、炭化珪素基板が作製される。具体的には、図２を参照して、まず作製された柱状（円柱状）のインゴット１が、その側面の一部が支持台２により支持されるようにセットされる。次に、ワイヤー９が、インゴット１の直径方向に沿った方向に走行しつつ、走行方向に垂直な方向である切断方向αに沿ってインゴット１に近づき、ワイヤー９とインゴット１とが接触する。そして、ワイヤー９が切断方向αに沿って進行し続けることによりインゴット１が切断される。より詳細に説明すると、たとえば鉄およびニッケルを含む合金からなるワイヤー９がインゴット１に接触しつつ走行し、かつワイヤー９とインゴット１とが接触する領域には、遊離砥粒としての単結晶ダイヤモンドと切削油とを混合したスラリーなどの切削液が供給されることにより、インゴット１が切断される。これにより、図３に示す炭化珪素基板３が得られる。その後、炭化珪素基板３の主面が、たとえば研磨により平坦化されることにより、本実施の形態における炭化珪素基板３が完成する。
　ここで、図２を参照して、ワイヤー９によるインゴット１の切断（スライス）に際しては、インゴット１の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°±５°の範囲となる切断方向αに沿って切断が進行する。より具体的には、たとえば図２に示すように、インゴット１の＜１１－２０＞方向と切断方向αとのなす角βが１５°±５°とされる。これにより、劈開方向がワイヤー９に与える影響が低減され、炭化珪素基板３の反りの発生が抑制される。その結果、切断により得られた炭化珪素基板３の主面を研磨等により平坦化した場合でも、主面における面方位のばらつきが抑制される。また、上記角βの値は、１５°±２°とすることが、より好ましい。
　ここで、インゴット１の直径（炭化珪素基板３の直径）が２インチ以上である場合や炭化珪素基板３のＤ／Ｔが１００以上の場合、上記反りは大きくなる傾向にある。そのため、上記反りを低減可能な本実施の形態における炭化珪素基板３の製造方法は、このような条件下において特に有効である。
　また、切断中に撓みの発生し易いワイヤー９による切断では、上記反りが発生し易いため、上記反りを低減可能な本実施の形態における炭化珪素基板３の製造方法は、インゴット１がワイヤー切断により切断される場合に、特に有効である。
　（実施例１）
　本発明の炭化珪素基板の製造方法における炭化珪素基板の主面の状態を、従来の炭化珪素基板の主面の状態と比較する実験を行なった。実験の手順は以下の通りである。
　まず、上記実施の形態の場合と同様に単結晶炭化珪素のインゴットを準備し、支持台２により支持された状態で、劈開方向に沿った方向に切断が進行するようにワイヤー切断を実施し、炭化珪素基板を得た。そして、当該炭化珪素基板の主面を研磨により平坦化した（従来例）。一方、同様の手順において、劈開方向とのなす角が１５°となる方向に切断が進行するようにワイヤー切断を実施し、炭化珪素基板を得た。そして、当該炭化珪素基板の主面を研磨により平坦化した（実施例）。このようにして得られる炭化珪素基板の切断後平坦化前の状態、および平坦化後の状態における炭化珪素基板の主面の形状を調査した。実験結果を図４～図７に示す。なお、図４～図７において数値は基準面からの高さを示している。
　図４および図５を参照して、従来例の切断方法の場合、表面の反りが大きく、平坦化によって表面粗さは改善するものの、平坦化後においても反りが大きくなっていた。これに対し、図６および図７を参照して、本発明の実施例の切断方法の場合、切断時点において表面の反りは大幅に改善しており、平坦化により表面粗さが向上していた。このことから、本発明の炭化珪素基板の製造方法によれば、従来の切断方法を採用した場合に比べて反りの発生が抑制され、基板を研磨等により平坦化した場合でも、主面における面方位のばらつきを大幅に抑制することができることが確認された。
　（実施例２）
　本発明の炭化珪素基板の製造方法における炭化珪素基板の厚みＴに対する直径Ｄの値（Ｄ／Ｔ）と基板の反りとの関係を調査する実験を行なった。実験は、ワイヤー切断における線速を変更した場合、ワイヤーの張力を変更した場合および切断速度を変更した場合について実施した。試験結果を図８～図１０に示す。なお、図８～図１０において横軸はＤ／Ｔの値、縦軸は反り（ＳＯＲＩ）の値である。また、図８においてはワイヤーの線速が１００ｍ／ｍｉｎ～６００ｍ／ｍｉｎの場合、図９においてはワイヤーの張力が１５Ｎ～４０Ｎの場合、図１０においては切断速度が１ｍｍ／ｈ～６ｍｍ／ｈの場合について、実験結果が示されている。
　図８～図１０を参照して、いずれの条件においてもＤ／Ｔの値が１００以上の場合、特に反りが大きくなっている。そのため、反りを低減することが可能な本発明の炭化珪素基板の製造方法は、特にＤ／Ｔの値が１００以上の場合に好適であるといえる。
　また、図８を参照して、ワイヤーの線速が大きくなるに従って反りは低減されている。そして、当該線速が１００ｍ／ｍｉｎから３００ｍ／ｍｉｎに上昇することにより反りは大幅に低減される一方、３００ｍ／ｍｉｎから６００ｍ／ｍｉｎに上昇させても、反りの低減幅は１００ｍ／ｍｉｎから３００ｍ／ｍｉｎに上昇させた場合に比べて小さくなっている。さらに、上記線速が７００ｍ／ｍｉｎを超えるとワイヤーがインゴットに対して滑る傾向が強くなり、スライスが進行しにくくなる。そのため、ワイヤーの線速は３００ｍ／ｍｉｎ以上７００ｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましいと考えられる。
　さらに、図９を参照して、ワイヤーの張力が大きくなるに従って反りは低減されている。そして、張力が１５Ｎから３５Ｎに上昇することにより反りは大幅に低減される一方、３５Ｎから４０Ｎに上昇させても、反りの低減幅は１５Ｎから３５Ｎに上昇させた場合に比べて小さくなっている。一方、張力が５０Ｎを超えるとワイヤーが断線するおそれがある。そのため、ワイヤーの張力は３５Ｎ以上５０Ｎ以下とすることが好ましいと考えられる。
　また、図１０を参照して、切断速度が小さくなるに従って反りは低減されている。そして、切断速度が６ｍｍ／ｈから３ｍｍ／ｈに低下させることにより反りは大幅に低減される一方、３ｍｍ／ｈから１ｍｍ／ｈに低下させても、反りの低減幅は６ｍｍ／ｈから３ｍｍ／ｈに低下させた場合に比べて小さくなっている。さらに、切断速度が１ｍｍ／ｈ未満になると、スラリーなどの切削液を巻き込んだワイヤーがほとんど前進することなくインゴット上を走行することとなって切り代が大きくなるため収率が低下する。そのため、切断速度は１ｍｍ／ｈ以上３ｍｍ／ｈ以下とすることが好ましいと考えられる。
　（実施例３）
　単結晶炭化珪素のインゴットを切断して基板を得る場合に、｛０００１｝面への正射影における切断の進行方向と劈開方向とのなす角が、得られる基板の反り（ＳＯＲＩ）に及ぼす影響を調査する実験を行なった。
　まず、上記実施の形態の場合と同様に単結晶炭化珪素のインゴットを準備し、支持台２により支持された状態で、劈開方向である＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において０°～３０°となるように当該インゴットをスライスすることにより、炭化珪素基板を得た。そして、得られた基板の主面のＳＯＲＩを測定した。測定結果を表１に示す。また、得られた基板の主面の形状を図１１～図１４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１および図１１～図１４を参照して、切断の進行方向と劈開方向である＜１－１００＞方向とのなす角が１５°に近いほど、基板主面のＳＯＲＩの値は小さくなっている。そして、切断の進行方向と＜１－１００＞方向とのなす角を１５°±５°の範囲とすることにより、基板主面のＳＯＲＩの値が有効に低減できることが確認される。さらに、切断の進行方向と＜１－１００＞方向とのなす角を１５°±２°の範囲とすることにより、基板主面のＳＯＲＩの値を一層低減できることが分かった。
　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本発明の炭化珪素基板の製造方法は、主面における面方位のばらつきを抑制することが求められる炭化珪素基板の製造に、特に有利に適用され得る。
　１　インゴット、２　支持台、３　炭化珪素基板、９　ワイヤー。

Claims (6)

  1. 　単結晶炭化珪素の結晶（１）を準備する工程と、
    　前記結晶（１）を切断することにより基板（３）を得る工程とを備え、
    　前記基板（３）を得る工程では、前記結晶（１）の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°±５°の範囲となる方向に切断を進行させる、炭化珪素基板の製造方法。
  2. 　前記基板（３）を得る工程では、前記結晶（１）の＜１１－２０＞方向または＜１－１００＞方向とのなす角が｛０００１｝面への正射影において１５°±２°の範囲となる方向に切断を進行させる、請求項１に記載の炭化珪素基板の製造方法。
  3. 　前記結晶（１）の成長方向は＜０００１＞方向である、請求項１または２に記載の炭化珪素基板の製造方法。
  4. 　前記結晶（１）の直径は２インチ以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
  5. 　前記基板（３）を得る工程では、前記基板（３）の厚みに対する直径の比が１００以上となるように前記結晶（１）が切断される、請求項１～４のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
  6. 　前記基板（３）を得る工程では、前記結晶（１）はワイヤー切断により切断される、請求項１～５のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
PCT/JP2012/061834 2011-06-02 2012-05-09 炭化珪素基板の製造方法 Ceased WO2012165108A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012547398A JP6011339B2 (ja) 2011-06-02 2012-05-09 炭化珪素基板の製造方法
DE112012002299.8T DE112012002299T5 (de) 2011-06-02 2012-05-09 Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbidsubstrates
CN201280021347.3A CN103503119B (zh) 2011-06-02 2012-05-09 碳化硅基板的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011123928 2011-06-02
JP2011-123928 2011-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012165108A1 true WO2012165108A1 (ja) 2012-12-06

Family

ID=47258972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/061834 Ceased WO2012165108A1 (ja) 2011-06-02 2012-05-09 炭化珪素基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9346187B2 (ja)
JP (1) JP6011339B2 (ja)
CN (2) CN107059135B (ja)
DE (1) DE112012002299T5 (ja)
WO (1) WO2012165108A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014195025A (ja) * 2013-03-29 2014-10-09 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JP2020075839A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 株式会社新興製作所 窒化ガリウム系化合物半導体成長用ＳｉＣ基板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113334592A (zh) * 2021-06-10 2021-09-03 河北同光晶体有限公司 碳化硅晶体的切割方法
CN113752403A (zh) * 2021-09-17 2021-12-07 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种碳化硅靶材组件及其制备方法
CN114643654A (zh) * 2022-04-21 2022-06-21 青岛高测科技股份有限公司 十字线切割硅棒的方法、切割设备及切割系统
CN114701085A (zh) * 2022-04-21 2022-07-05 青岛高测科技股份有限公司 双线中垂切割硅棒的方法、切割设备及切割系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190909A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP2009152622A (ja) * 2009-02-04 2009-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物基板及びその製造方法
JP2011077325A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1119811A (en) * 1980-01-25 1982-03-16 Cominco Ltd. Cutting apparatus for semi-conductor materials
JPH08143397A (ja) * 1994-11-22 1996-06-04 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶ウエハの製造方法および装置
JP2842307B2 (ja) * 1995-06-30 1999-01-06 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の切断方法
JPH0929734A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソーのワーク接着ブロック
TW355151B (en) * 1995-07-07 1999-04-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd A method for cutting single chip material by the steel saw
JP3397968B2 (ja) * 1996-03-29 2003-04-21 信越半導体株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
CH692331A5 (de) * 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.
JP3137600B2 (ja) * 1997-09-12 2001-02-26 株式会社日平トヤマ ワークの結晶方位調整方法
JP3314921B2 (ja) * 1999-06-08 2002-08-19 三菱住友シリコン株式会社 半導体材料の切断・加工方法
US6329088B1 (en) * 1999-06-24 2001-12-11 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon carbide epitaxial layers grown on substrates offcut towards <1{overscore (1)}00>
DE60033574T2 (de) * 2000-05-31 2007-11-15 Memc Electronic Materials S.P.A. Drahtsäge und verfahren zum gleichzeitigen schneiden von halbleiterbarren
DE10052154A1 (de) * 2000-10-20 2002-05-08 Freiberger Compound Mat Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Einkristallen, Justiervorrichtung und Testverfahren zum Ermitteln einer Orientierung eines Einkristalls für ein derartiges Verfahren
JP2002283340A (ja) * 2001-03-26 2002-10-03 Memc Japan Ltd インゴットの切断方法
DE10128630A1 (de) * 2001-06-13 2003-01-02 Freiberger Compound Mat Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine
JP3881562B2 (ja) * 2002-02-22 2007-02-14 三井造船株式会社 ＳｉＣモニタウェハ製造方法
US6802928B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-12 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Method for cutting hard and brittle material
ATE418806T1 (de) * 2004-04-02 2009-01-15 Nichia Corp Nitrid-halbleiterlaservorrichtung
DE102005017814B4 (de) * 2004-04-19 2016-08-11 Denso Corporation Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4951914B2 (ja) * 2005-09-28 2012-06-13 信越半導体株式会社 （１１０）シリコンウエーハの製造方法
JP2007237627A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Allied Material Corp 単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置
JP2007237628A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Allied Material Corp 単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置
US7993453B2 (en) * 2006-05-18 2011-08-09 Showa Denko K.K. Method for producing silicon carbide single crystal
US8222057B2 (en) * 2006-08-29 2012-07-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Crack free multilayered devices, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
EP2075106B1 (en) 2006-10-20 2013-05-01 Mitsubishi Electric Corporation Slurry for silicon ingot cutting and method of cutting silicon ingot therewith
JP2009061528A (ja) 2007-09-05 2009-03-26 Denso Corp ワイヤーによる炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板製造用ワイヤーソー装置
US8291895B2 (en) * 2007-09-05 2012-10-23 University Of South Carolina Methods, wires, and apparatus for slicing hard materials
WO2009149299A1 (en) * 2008-06-04 2009-12-10 Sixpoint Materials Methods for producing improved crystallinty group iii-nitride crystals from initial group iii-nitride seed by ammonothermal growth
JP5475772B2 (ja) * 2008-07-11 2014-04-16 サンーゴバン アブレイシブズ，インコーポレイティド ワイヤスライシングシステム
DE102008051673B4 (de) * 2008-10-15 2014-04-03 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Auftrennen eines Verbundstabs aus Silicium in eine Vielzahl von Scheiben
CN101979230B (zh) * 2010-05-21 2013-10-23 北京天科合达蓝光半导体有限公司 多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法
JP2013008769A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190909A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP2009152622A (ja) * 2009-02-04 2009-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物基板及びその製造方法
JP2011077325A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014195025A (ja) * 2013-03-29 2014-10-09 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JP2020075839A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 株式会社新興製作所 窒化ガリウム系化合物半導体成長用ＳｉＣ基板

Also Published As

Publication number Publication date
US9346187B2 (en) 2016-05-24
JPWO2012165108A1 (ja) 2015-02-23
CN103503119A (zh) 2014-01-08
CN107059135A (zh) 2017-08-18
US9844893B2 (en) 2017-12-19
CN103503119B (zh) 2016-10-19
US20160229086A1 (en) 2016-08-11
JP6011339B2 (ja) 2016-10-19
US20120304839A1 (en) 2012-12-06
CN107059135B (zh) 2019-08-13
DE112012002299T5 (de) 2014-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9896781B2 (en) Silicon carbide single-crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing them
US10269554B2 (en) Method for manufacturing SiC epitaxial wafer and SiC epitaxial wafer
JP6011339B2 (ja) 炭化珪素基板の製造方法
JP6102927B2 (ja) 高硬度材料のマルチワイヤーソーによる切断方法
US20160122899A1 (en) METHOD FOR CULTIVATING BETA-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL, AND BETA-Ga2O3-SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
TWI851250B (zh) 碳化矽單結晶基板
US20130099252A1 (en) Method of manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide substrate
WO2012176755A1 (ja) 炭化珪素基板の製造方法
WO2015076037A1 (ja) 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法
JP6722578B2 (ja) ＳｉＣウェハの製造方法
JP6583989B2 (ja) ＳｉＣ単結晶シード、ＳｉＣインゴット、ＳｉＣ単結晶シードの製造方法及びＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法
JP6260603B2 (ja) 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法
JP2015135902A (ja) ウェハの製造方法およびウェハの製造装置
WO2023074174A1 (ja) 炭化珪素基板および炭化珪素基板の製造方法
JP2016007690A (ja) サファイア基板の製造方法
JP2015127068A (ja) 炭化珪素基板の製造方法
JP2018039730A (ja) 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012547398

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12792703

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120120022998

Country of ref document: DE

Ref document number: 112012002299

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12792703

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1