WO2012157435A1

WO2012157435A1 - チップ抵抗器、チップ抵抗器の製造方法、およびチップ抵抗器の実装構造

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Publication number: WO2012157435A1
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Abstract

【課題】効率よくチップ抵抗器を製造できるチップ抵抗器の製造方法を提供すること。【解決手段】導電材料よりなる少なくとも３つの導電性長板７１１と、抵抗材料よりなる抵抗体部材７０２と、を用意する工程と、少なくとも３つの導電性長板７１１のいずれか１つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に沿って、少なくとも３つの導電性長板７１１を互いに離間した状態に配列する工程と、少なくとも３つの導電性長板７１１に抵抗体部材７０２を接合することにより、抵抗器集合体７０３を形成する工程と、抵抗器集合体７０３を、打ち抜きにより、２つの電極と上記２つの電極に接合された抵抗部とを各々が含む複数のチップ抵抗器に、一括して分割する工程と、を備える。

Description

チップ抵抗器、チップ抵抗器の製造方法、およびチップ抵抗器の実装構造

　本発明は、チップ抵抗器、チップ抵抗器の製造方法、およびチップ抵抗器の実装構造に関する。

　従来から知られているチップ抵抗器（表面取付けレジスター）は、２つのリードと、中央抵抗部と、を備えている（たとえば、特許文献１参照）。中央抵抗部は、２つのリードに挟まれており、且つ、各リードに接合されている。このようなチップ抵抗器を製造するには、複数のリールを用いる。具体的には、複数のリールの１つには、抵抗材料よりなるストリップが巻かれている。複数のリールの他の２つにはそれぞれ、導電材料よりなるストリップが巻かれている。そして各リールを回転させつつ各ストリップを引き出し、抵抗材料よりなるストリップを、導電材料よりなる２つのストリップが挟むようにストリップどうしを接合する。ストリップどうしが接合したのちに、互いに接合されたストリップを順次切断する。

特許第３３２１７２４号公報

　本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、効率よくチップ抵抗器を製造できるチップ抵抗器の製造方法を提供することをその主たる課題とする。

　本発明の第１の側面によると、導電材料よりなる少なくとも３つの導電性長板と、抵抗材料よりなる抵抗体部材と、を用意する工程と、上記少なくとも３つの導電性長板のいずれか１つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に沿って、上記少なくとも３つの導電性長板を互いに離間した状態に配列する工程と、上記少なくとも３つの導電性長板に上記抵抗体部材を接合することにより、抵抗器集合体を形成する工程と、上記抵抗器集合体を、打ち抜きにより、２つの電極と上記２つの電極に接合された抵抗部とを各々が含む複数のチップ抵抗器に、一括して分割する工程と、を備える、チップ抵抗器の製造方法が提供される。

　好ましくは、上記抵抗器集合体を形成する工程においては、溶接を用いる。

　好ましくは、上記抵抗器集合体を形成する工程においては、高エネルギービーム溶接を用いる。

　好ましくは、上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記高エネルギービーム溶接として、電子ビーム溶接もしくはレーザビーム溶接を用いる。

　好ましくは、上記少なくとも３つの導電性長板のいずれか１つを折り曲げる工程を更に備える。

　好ましくは、上記折り曲げる工程は、上記一括して分割する工程と同時に行う。

　好ましくは、上記少なくとも３つの導電性長板のいずれか１つの厚さは、上記抵抗体部材の厚さよりも薄い。

　好ましくは、上記抵抗体部材は、複数の抵抗体長板を有し、上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記複数の抵抗体長板をそれぞれ、上記少なくとも３つの導電性長板のうちの２つに接合する。

　好ましくは、上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記少なくとも３つの導電性長板のうち互いに隣接するいずれか２つに挟まれた位置に、上記複数の抵抗体長板をそれぞれ配置する。

　好ましくは、上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記少なくとも３つの導電性長板のうち互いに隣接するいずれか２つと、上記長手方向および上記短手方向のいずれにも直交する厚さ方向視において重なる位置に、上記複数の抵抗体長板をそれぞれ配置する。

　本発明の第２の側面によると、第１電極と、上記第１電極に対し第１方向に離間している第２電極と、上記第１電極および上記第２電極に接合された抵抗部と、を備え、上記抵抗部は、上記第１方向、および、上記第１方向に交差する第２方向に広がる面に沿う形状であり、上記第１電極は、上記第１方向を向く第１側面と、上記第２方向を向く第２側面と、上記第１側面および上記第２側面につながる曲面と、を有する、チップ抵抗器が提供される。

　好ましくは、上記第１電極および上記抵抗部につながる第１中間層と、上記第２電極および上記抵抗部につながる第２中間層と、を更に備え、上記第１中間層および上記第２中間層は、互いに同一の材料よりなる。

　好ましくは、上記抵抗部は、上記第１電極と上記第２電極とに挟まれている。

　好ましくは、上記第１中間層は、幅広部および幅狭部を含み、上記幅広部は、上記第１方向および上記第２方向のいずれにも交差する第３方向に露出し、上記幅狭部の上記第１方向における寸法は、上記幅広部の上記第１方向における寸法よりも小さい。

　好ましくは、上記第１電極および上記第２電極は、上記抵抗部の同じ側に位置している。

　好ましくは、上記第１側面は、線状痕が形成された線状痕形成面と、上記線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された破断痕形成面とを有する。

　好ましくは、上記第１電極は、上記第１方向および上記第２方向に沿う形状の板状部と、上記板状部に対し傾斜し且つ上記板状部よりも上記抵抗部に近接する斜行部と、を含む。

　好ましくは、上記抵抗部の厚さは、上記第１電極の厚さよりも薄い。

　本発明の第３の側面によると、導電材料よりなる２つの導電性長板と、抵抗材料よりなる抵抗体長板と、を用意する工程と、上記抵抗体長板を上記２つの導電性長板の間に配置する工程と、上記２つの導電性長板の各々を上記抵抗体長板に接合する工程と、上記２つの導電性長板のいずれか１つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に沿って、上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を、せん断によって切断する工程と、を備える、チップ抵抗器の製造方法が提供される。

　好ましくは、上記各導電性長板を折り曲げる工程を更に備える。

　好ましくは、上記折り曲げる工程は、上記切断する工程と同時に行う。

　好ましくは、上記接合する工程においては、溶接を用いる。

　好ましくは、上記接合する工程においては、高エネルギービーム溶接を用いる。

　好ましくは、上記接合する工程においては、上記高エネルギービーム溶接として、電子ビーム溶接もしくはレーザビーム溶接を用いる。

　好ましくは、上記接合する工程の前に、上記２つの導電性長板の各々を上記抵抗体長板に対し固定する工程を更に備え、上記接合する工程においては、上記２つの導電性長板の各々を上記抵抗体長板に対し固定した状態で、溶接を行う。

　好ましくは、上記固定する工程は、第１挟持器具および第２挟持器具によって、上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を挟む工程を含み、上記挟む工程においては、上記第１挟持器具によって、上記２つの導電性長板の一方を上記抵抗体長板に対し押し付け、且つ、上記第２挟持器具によって、上記２つの導電性長板の他方を上記抵抗体長板に対し押し付ける。

　好ましくは、上記配置する工程は、上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を、基台に載せる工程を含み、上記固定する工程は、上記基台に載せられた上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を、押え付け器具によって上記基台に押え付ける工程を含み、上記押え付け器具には、一方向に沿って延びる２つの長穴が形成されており、上記基台に押え付ける工程においては、上記２つの導電性長板の一方と上記抵抗体長板とが接触している部分に、上記２つの長穴の一方を重ね、且つ、上記２つの導電性長板の他方と上記抵抗体長板とが接触している部分に、上記２つの長穴の他方を重ね、上記接合する工程においては、高エネルギービームが上記各長穴を通過するように、上記高エネルギービームを照射する。

　本発明の第４の側面によると、第１電極と、上記第１電極に対し第１方向に離間している第２電極と、上記第１電極および上記第２電極に接合された抵抗部と、を備え、上記第１電極は、互いに反対側を向く表面および裏面を有し、上記抵抗部は、上記第１方向、および、上記第１方向に交差する第２方向に広がる面に沿う形状であり、上記第１電極は、上記第２方向における一方を向く第１電極側面と、上記第２方向の他方を向く第２電極側面と、を有し、上記第１電極側面は、線状痕が形成された第１電極線状痕形成面と、上記第１電極線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された第１電極破断痕形成面と、を有し、上記第１電極線状痕形成面は、上記第１電極破断痕形成面よりも、上記表面側に位置している、チップ抵抗器が提供される。

　好ましくは、上記第２電極側面は、線状痕が形成された第２電極線状痕形成面と、上記第２電極線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された第２電極破断痕形成面と、を有し、上記第２電極線状痕形成面は、上記第２電極破断痕形成面よりも、上記裏面側に位置している。

　好ましくは、上記抵抗部は、互いに反対側を向く抵抗部表面および抵抗部裏面と、上記第２方向における一方を向く第１抵抗部側面と、上記第２方向の他方を向く第２抵抗部側面と、を有し、上記抵抗部表面は、上記表面の向く方向と同一方向を向き、上記第１抵抗部線状痕形成面は、上記第１抵抗部破断痕形成面よりも、上記抵抗部表面側に位置している。

　好ましくは、上記第２抵抗部側面は、線状痕が形成された第２抵抗部線状痕形成面と、上記第２抵抗部線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された第２抵抗部破断痕形成面と、を有し、上記第２抵抗部線状痕形成面は、上記第２抵抗部破断痕形成面よりも、上記抵抗部裏面側に位置している。

　好ましくは、上記第１抵抗部破断痕形成面の幅は、上記第１電極破断痕形成面の幅よりも、大きい。

　好ましくは、上記第１電極線状痕形成面の幅は、上記抵抗部から離れるほど大きくなる。

　好ましくは、上記第１電極および上記抵抗部につながる第１中間層と、上記第２電極および上記抵抗部につながる第２中間層と、を更に備え、
上記第１中間層および上記第２中間層は、互いに同一の材料よりなる。

　好ましくは、上記第１中間層は、幅広部および幅狭部を含み、
上記幅広部は、上記第１方向および上記第２方向のいずれにも交差する第３方向に露出し、上記幅狭部の上記第１方向における寸法は、上記幅広部の上記第１方向における寸法よりも小さい。

　本発明の第５の側面によると、本発明の第２または第４の側面によって提供されるチップ抵抗器と、実装基板と、上記実装基板および上記チップ抵抗器との間に介在しているハンダ層と、を備える、チップ抵抗器の実装構造が提供される。

本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図１に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図１の∨－∨線に沿う図（一部省略）である。図１に示したチップ抵抗器の正面図である。図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う部分断面図である。本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う部分断面図である。本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う部分断面図である。図１２に示す工程に続く一工程を示す平面図である。図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う部分断面図である。図１５に続く一工程を示す部分断面図である。本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法の変形例における一工程を示す平面図である。図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図１９に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図１９のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う図（一部省略）である。本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図２４に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う図（一部省略）である。本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。図２７のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う部分断面図である。本発明の第４実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。図２９のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。図２９に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図２９のＸＸＸＩＩＩ－ＸＸＸＩＩＩ線に沿う図（一部省略）である。図２９に示したチップ抵抗器の正面図である。図２９に示したチップ抵抗器の背面図である。本発明の第４実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す斜視図である。図３６の平面図である。図３７のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図３６に続く一工程を示す斜視図である。図３９に続く一工程を示す平面図である。図４０のＸＬＩ－ＸＬＩ線に沿う断面図である。図４０、図４１に続く一工程を示す断面図である。図４２に続く一工程を示す断面図である。図４３のＸＬＩＶ－ＸＬＩＶ線に沿う断面図である。図４４に続く一工程を示す断面図である。本発明の第５実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。本発明の第５実施形態にかかるチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す斜視図である。図４７に続く一工程を示す平面図である。図４８のＸＬＩＸ－ＸＬＩＸ線に沿う断面図である。

　図１～図１８を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

　図１は、本実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図１に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図５は、図１の∨－∨線に沿う図（一部省略）である。

　これらの図に示すチップ抵抗器の実装構造８００は、チップ抵抗器１０１と、実装基板８０１と、ハンダ層８０２とを備える。

　実装基板８０１は、たとえばプリント配線基板である。実装基板８０１は、たとえば、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成されたパターン電極（図示略）とを含む。チップ抵抗器１０１は実装基板８０１に実装されている。チップ抵抗器１０１と、実装基板８０１との間には、ハンダ層８０２が介在している。ハンダ層８０２は、チップ抵抗器１０１と実装基板８０１とを接合している。

　図６は、図１に示したチップ抵抗器の正面図である。

　チップ抵抗器１０１は、第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１中間層４と、第２中間層５と、を備える。

　第１電極１は導電材料よりなる。このような導電材料としては、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅが挙げられる。チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装された状態において、第１電極１はハンダ層８０２に接合している。第１電極１は、ハンダ層８０２を介して、実装基板８０１におけるパターン電極（図示略）に導通している。本実施形態において、第１電極１は、板状部１８１と、斜行部１８２とを含む。

　板状部１８１はＸＹ平面に沿って広がる板状である。板状部１８１は、第１電極１の大部分を占めている。斜行部１８２はＸＹ平面に対し傾斜している形状である。具体的には、斜行部１８２は、板状部１８１から離れるほど方向Ｚ１に向かって傾斜している。斜行部１８２は、方向Ｙに沿って延びる帯状である。斜行部１８２は板状部１８１につながっている。

　第１電極１は、表面１１と、裏面１２と、２つの側面１３（第１側面）と、側面１４（第２側面）と、２つの曲面１５とを有する。

　表面１１は方向Ｚ１を向き、裏面１２は方向Ｚ２を向く。側面１３，１４および曲面１５は、方向Ｚに直交するいずれかの方向を向く。具体的には、各側面１３は方向Ｙを向き、側面１４は方向Ｘを向く。そして曲面１５は側面１３および側面１４につながる。

　図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。

　側面１３は、線状痕形成面１３１と、破断痕形成面１３２とを有する。線状痕形成面１３１には線状痕が形成されている。線状痕は、方向Ｚに延びる線状の複数の細い溝よりなる。破断痕形成面１３２は、線状痕形成面１３１につながっている。破断痕形成面１３２には破断痕が形成されている。破断痕は、金属が引きちぎられる際に形成される凹凸形状である。図６に示すように、本実施形態において、線状痕形成面１３１は破断痕形成面１３２よりも裏面１２側に位置している。チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装された状態において、線状痕形成面１３１はハンダ層８０２に覆われている。このような構成によると、線状痕形成面１３１を構成する細い溝をハンダがつたうことにより、側面１３のより多くの領域をハンダ層８０２によって覆うことができる。なお、本実施形態と異なり、破断痕形成面１３２が線状痕形成面１３１よりも裏面１２側に位置していてもよい。

　図６に示すように、側面１３と同様に、側面１４は、線状痕形成面１４１と、破断痕形成面１４２とを有する。側面１４における線状痕形成面１４１および破断痕形成面１４２は、側面１３における線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２と同様であるから、説明を省略する。

　第２電極２は、第１電極１と同様の構成を有する。具体的には次のとおりである。

　第２電極２は導電材料よりなる。このような導電材料としては、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅが挙げられる。チップ抵抗器１０１が実装基板８０１に実装された状態において、第２電極２はハンダ層８０２に接合している。第２電極２は、ハンダ層８０２を介して、実装基板８０１におけるパターン電極（図示略）に導通している。本実施形態において、第２電極２は、板状部２８１と、斜行部２８２とを含む。

　板状部２８１はＸＹ平面に沿って広がる板状である。板状部２８１は、第２電極２の大部分を占めている。斜行部２８２はＸＹ平面に対し傾斜している形状である。具体的には、斜行部２８２は、板状部２８１から離れるほど方向Ｚ１に向かって傾斜している。斜行部２８２は、方向Ｙに沿って延びる帯状である。斜行部２８２は板状部２８１につながっている。

　第２電極２は、表面２１と、裏面２２と、２つの側面２３と、側面２４と、２つの曲面２５とを有する。

　表面２１は方向Ｚ１を向き、裏面２２は方向Ｚ２を向く。側面２３，２４および曲面２５は、方向Ｚに直交するいずれかの方向を向く。具体的には、各側面２３は方向Ｙを向き、側面２４は方向Ｘを向く。そして曲面２５は側面２３および側面２４につながる。

　図６に示すように、側面２３は、線状痕形成面２３１と、破断痕形成面２３２とを有する。側面２３における線状痕形成面２３１および破断痕形成面２３２は、側面１３における線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　図６に示すように、側面２３と同様に、側面２４は、線状痕形成面２４１と、破断痕形成面２４２とを有する。側面２４における線状痕形成面２４１および破断痕形成面２４２は、側面２３における線状痕形成面２３１および破断痕形成面２３２と同様であるから、説明を省略する。

　抵抗部３は抵抗材料よりなる。このような抵抗材料としては、たとえば、ＣｕとＭｎとの合金、ＮｉとＣｒとの合金、ＮｉとＣｕとの合金、ないしＦｅとＣｒとの合金が挙げられる。ＣｕとＭｎとの合金は、比較的軟らかい。一方、ＮｉとＣｒとの合金、ＮｉとＣｕとの合金、および、ＦｅとＣｒとの合金は比較的硬い。抵抗部３を構成する材料である抵抗材料の抵抗率は、第１電極１ないし第２電極２を構成する材料である導電材料の抵抗率よりも、大きい。抵抗部３は、第１電極１および第２電極２に接合している。本実施形態において抵抗部３は、第１電極１および第２電極２に挟まれた位置に配置されている。

　なお、本実施形態においては、板状部１８１よりも抵抗部３に近接する位置に斜行部１８２が位置している。同様に、板状部２８１よりも抵抗部３に近接する位置に斜行部２８２が位置している。

　抵抗部３は、抵抗部表面３１と、抵抗部裏面３２と、２つの抵抗部側面３３とを有する。

　抵抗部表面３１は、表面１１や表面２１が向く方向と同一方向（すなわち方向Ｚ１）を向く。抵抗部裏面３２は、抵抗部表面３１とは反対方向を向く。抵抗部裏面３２は、裏面１２や裏面２２が向く方向と同一方向（すなわち方向Ｚ２）を向く。抵抗部裏面３２よりも、抵抗部裏面３２が向く方向（すなわち方向Ｚ２）側に、裏面１２の少なくとも一部、および、裏面２２の少なくとも一部が位置している。

　図４、図６等に示す各抵抗部側面３３は、第１電極１および第２電極２が離間する方向と交差する方向（方向Ｙ）を向く。図６に示すように、各抵抗部側面３３は、線状痕形成面３３１と、破断痕形成面３３２とを有する。線状痕形成面３３１および破断痕形成面３３２は、上述の線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　図１に示すように、第１中間層４は、第１電極１と抵抗部３との間に介在している。第１中間層４は、第１電極１および抵抗部３につながっている。本実施形態において第１中間層４は、第１電極１および抵抗部３を接合するべく第１電極１もしくは抵抗部３に高エネルギービームを照射する際に、形成されたものである。そのため、第１中間層４は、第１電極１を構成する材料と、抵抗部３を構成する材料と、が混合した材料よりなる。

　第１中間層４は、幅広部４３および幅狭部４４を含む。幅広部４３は方向Ｚ２に露出している。幅狭部４４は幅広部４３よりも方向Ｚ１側に位置する。幅狭部４４の方向Ｘにおける寸法は、幅広部４３の方向Ｘにおける寸法よりも小さい。幅広部４３の方向Ｘにおける寸法はたとえば１～１．５ｍｍであり、幅狭部４４の方向Ｘにおける寸法はたとえば０．５～１ｍｍである。なお、幅広部４３の表面にはバリ（図示略）が形成されている場合がある。

　第１中間層４と同様に、第２中間層５は、第２電極２と抵抗部３との間に介在している。第２中間層５は、第２電極２および抵抗部３につながっている。本実施形態において第２中間層５は、第２電極２および抵抗部３を接合するべく第２電極２もしくは抵抗部３に高エネルギービームを照射する際に、形成されたものである。そのため、第２中間層５は、第２電極２を構成する材料と、抵抗部３を構成する材料と、が混合した材料よりなる。よって、第２中間層５および第１中間層４は、互いに同一の材料よりなる。

　第２中間層５は、幅広部５３および幅狭部５４を含む。幅広部５３は方向Ｚ２に露出している。幅狭部５４は幅広部５３よりも方向Ｚ１側に位置する。幅狭部５４の方向Ｘにおける寸法は、幅広部５３の方向Ｘにおける寸法よりも小さい。幅広部５３の方向Ｘにおける寸法はたとえば１～１．５ｍｍであり、幅狭部５４の方向Ｘにおける寸法はたとえば０．５～１ｍｍである。なお、幅広部５３の表面にはバリ（図示略）が形成されている場合がある。

　次に、チップ抵抗器１０１の製造方法について説明する。

　まず、図８、図９に示すように、導電性部材７０１を用意する。本実施形態において導電性部材７０１はリードフレームであり、少なくとも３つの導電性長板７１１を有する。本実施形態において導電性部材７０１は６つの導電性長板７１１を有する。複数の導電性長板７１１はそれぞれ、一方向に沿って延びている。導電性部材７０１において、複数の導電性長板７１１は、複数の導電性長板７１１のいずれか一つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に互いに離間した状態に、配列されている。図９に示すように、各導電性長板７１１は断面形状が長矩形状である。なお、本実施形態においては導電性部材７０１を形成することにより、少なくとも３つの導電性長板７１１が、互いに離間した状態に配列される。

　同様に、図１０、図１１に示すように、抵抗体部材７０２を用意する。本実施形態において抵抗体部材７０２は抵抗体フレームであり、複数の抵抗体長板７２１を有する。本実施形態において抵抗体部材７０２は５個の抵抗体長板７２１を有する。複数の抵抗体長板７２１はそれぞれ、一方向に沿って延びている。抵抗体部材７０２において、複数の抵抗体長板７２１は、複数の抵抗体長板７２１の延びる長手方向に交差する短手方向に互いに離間した状態に、配列されている。図１１に示すように、各抵抗体長板７２１は断面形状が長矩形状である。なお、図１０においては、理解の便宜上、抵抗体部材７０２にハッチングを付している。図１０以降の平面図においても同様である。本実施形態と異なり、抵抗体部材７０２は、複数の導電性長板７１１の平面視のサイズに相当する大きな平板であってもよい。

　次に、図１２、図１３に示すように、抵抗器集合体７０３を形成する。抵抗器集合体７０３を形成するには、導電性部材７０１における少なくとも３つの導電性長板７１１に、抵抗体部材７０２を接合する。本実施形態においては、複数の抵抗体長板７２１をそれぞれ、少なくとも３つの導電性長板７１１のうちの互いに隣接するいずれか２つに接合する。このとき、少なくとも３つの導電性長板７１１のうち互いに隣接するいずれか２つに挟まれた位置に、複数の抵抗体長板７２１はそれぞれ配置される。

　導電性長板７１１に抵抗体部材７０２を接合するには、たとえば、溶接を用いることができる。好ましくは、溶接として高エネルギービーム溶接を用いることができる。高エネルギービーム溶接としては、電子ビーム溶接もしくはレーザビーム溶接が挙げられる。高エネルギービーム溶接を行う場合、図１３に示すように、高エネルギービーム８８１（電子ビームやレーザビーム）を、たとえば、方向Ｚ１に沿って、導電性長板７１１もしくは抵抗体長板７２１に照射する。高エネルギービーム８８１のエネルギーを受けて導電性長板７１１もしくは抵抗体長板７２１が溶融したのち、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１が接合される。なお本実施形態と異なり、導電性長板７１１および抵抗体部材７０２を接合するには、ハンダや銀ペーストなどを使用するろう接を用いてもよい。もしくは、導電性長板７１１および抵抗体部材７０２を接合するには、超音波接合を用いてもよい。

　次に、図１４～図１６に示すように、抵抗器集合体７０３を、打ち抜きにより、複数のチップ抵抗器１０１に一括して分割する。図１４においては、抵抗器集合体７０３におけるチップ抵抗器１０１となるべき領域を、それぞれ、２点鎖線で示している。一つの抵抗器集合体７０３から、たとえば４０個程度のチップ抵抗器１０１を得ることができる。抵抗器集合体７０３を複数のチップ抵抗器１０１に分割するには、平面視のサイズが複数のチップ抵抗器１０１に相当する２つの打ち抜き金型８３１，８３２（図１５参照）を用いる。打ち抜き金型８３１と打ち抜き金型８３２とで抵抗器集合体７０３を挟みこむことにより、抵抗器集合体７０３を打ち抜く。抵抗器集合体７０３を打ち抜くことにより、上述の第１電極１における曲面１５や、上述の第２電極２における曲面２５が形成されることがある。

　図１６に示すように、抵抗器集合体７０３を打ち抜く工程と同時に、複数の導電性長板７１１のいずれか１つを折り曲げる工程を行う。本実施形態では、第１電極１や第２電極２における抵抗部３に近接する部位が、第１電極１や第２電極２における抵抗部３から遠い部位よりも、上述の高エネルギービーム８８１が進行する方向Ｚ１側に位置するように、各導電性長板７１１を折り曲げる。以上のようにしてチップ抵抗器１０１を複数製造することができる。

　次に、本実施形態の作用効果について説明する。

　本実施形態においては、少なくとも３つの導電性長板７１１に抵抗体部材７０２を接合することにより、抵抗器集合体７０３を形成する。このような構成によると、図１４に示した方向Ｙにおける単位長さ当たりにおいて得ることのできるチップ抵抗器１０１の数を多くすることができる。また、本実施形態においては、抵抗器集合体７０３を、打ち抜きにより、複数のチップ抵抗器１０１に一括して分割する。このような構成によると、チップ抵抗器１０１を順次切断する必要がない。そのため、チップ抵抗器１０１の製造の効率化を図ることができる。以上より、本実施形態にかかる方法は、チップ抵抗器１０１を効率よく製造するのに適する。

　また、打ち抜きによりチップ抵抗器１０１を製造するため、チップ抵抗器１０１の平面視の寸法精度は、打ち抜き金型８３１，８３２の形状の寸法精度により規定される。そのため、チップ抵抗器１０１の抵抗部３の方向Ｙにおける寸法精度も、打ち抜き金型８３１，８３２の寸法精度により規定される。本実施形態にかかる方法によると、抵抗器集合体７０３を打ち抜く前に、所望の寸法精度となっている打ち抜き金型８３１，８３２を選択することができる。よって、従来のようにストリップを順次切断する場合に比べ、抵抗部３の方向Ｙにおける寸法誤差をより小さくすることが可能となる。抵抗部３の方向Ｙにおける寸法誤差を小さくすることができると、抵抗部３の抵抗値すなわちチップ抵抗器１０１の抵抗値が所望の値となっているものを、より多く得ることができる。チップ抵抗器１０１の抵抗値が所望の値となっている場合、チップ抵抗器１０１の抵抗値を微調整するトリミングを行う手間を省ける。よって、トリミングを行うべきチップ抵抗器１０１の数を削減できる。これは、チップ抵抗器１０１の製造の効率化に適する。

　本実施形態においては、導電性部材７０１としてリードフレームを用い、抵抗体部材７０２として抵抗体フレームを用いる。そのため、複数の導電性長板７１１や複数の抵抗体長板７２１を別々に保持する必要がなく、ハンドリングしやすい。

　本実施形態においては、従来のチップ抵抗器の製造方法にて用いていたリールを使用しない。そのため、リールに抵抗材料や導電材料よりなるストリップを巻きつける必要もない。よって、リールにストリップを巻きつけるための大型の装置を用いる必要がない。また、リールからストリップを引き出すことも必要ない。よって、リールからストリップを引き出すための大型の装置を用いる必要もない。

　リールを用いてチップ抵抗器を製造する場合には、ストリップのある箇所でトラブルが生じると、製造ライン全体が停止する不具合が生じる。しかしながら、本実施形態においてはリールを用いないため、このような不具合が生じない。

　高エネルギービーム８８１として電子ビームを用いて、導電性長板７１１と抵抗体長板７２１とを接合する場合、真空チャンバー内に導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を収容する必要がある。本実施形態においては、各導電性長板７１１や抵抗体長板７２１の方向Ｙにおける寸法は、１００ｍｍ程度であるから、真空チャンバー内に収容するために導電性長板７１１や抵抗体長板７２１を切断する、などといった作業を行う必要がない。したがって、本実施形態にかかる方法は、チップ抵抗器１０１の製造効率化を図るのに適する。

　本実施形態においては、高エネルギービーム８８１を、方向Ｚ１に沿って照射する。このような構成によると、導電性長板７１１および導電性長板７２１のうち方向Ｚ２側の部位が、高エネルギービームのエネルギーを吸収しやすいため、溶融しやすい。よって、チップ抵抗器１０１における第１中間層４には、方向Ｚ２に露出する幅広部４３が形成される。幅広部４３の表面にはバリ（図示略）が形成される場合がある。また、本実施形態においては、第１電極１や第２電極２における抵抗部３に近接する部位が、第１電極１や第２電極２における抵抗部３から遠い部位よりも、高エネルギービーム８８１が進行する方向Ｚ１側に位置するように、各導電性長板７１１を折り曲げる。このような方法によると、幅広部４３の表面にバリが形成されたとしても、当該バリは、チップ抵抗器１０１の凹んだ部分に形成されるのみであり、チップ抵抗器１０１の方向Ｚ１側に形成されるわけではない。そのため、チップ抵抗器１０１を移動させる際に用いる保持部材（図示略）がチップ抵抗器１０１を掴む時に当該バリに接触するおそれを、回避できる。これは、チップ抵抗器１０１を安定して移動させるのに適する。

　なお、本実施形態と異なり、リードフレームを用いなくてもよい。図１７、図１８に示すように、導電性部材７０１として、互いに分離された状態の複数の導電性長板７１１を、パレット８８２に配置してもよい。同様に、抵抗体部材７０２として抵抗体フレームを用いなくてもよい。図１７、図１８に示すように、パレット８８２に配置された導電性長板７１１どうしの隙間に、抵抗体長板７２１を配置するとよい。そして導電性長板７１１および抵抗体長板７２１をパレット８８２に配置した後に、導電性長板７１１と抵抗体長板７２１とを接合するとよい。

　以下に、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの実施形態において参照する図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

　次に、本発明の第２実施形態について説明する。

　図１９は、本実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図１９に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図２３は、図１９のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う図（一部省略）である。

　これらの図に示すチップ抵抗器１０２は、第１電極１および第２電極２の厚さ（方向Ｚにおける寸法）が、抵抗部３の厚さ（方向Ｚにおける寸法）よりも大きい点において、チップ抵抗器１０１と主に異なる。また、チップ抵抗器１０２における第１電極１および第２電極２はＸＹ平面に沿う板状であり、第１電極１および第２電極２はいずれも斜行部を含まない。

　チップ抵抗器１０２の製造方法は、導電性部材７０１における導電性長板７１１（図９参照）の厚さが、抵抗体部材７０２における抵抗体長板７２１（図１１参照）の厚さよりも、大きい点を除き、チップ抵抗器１０１の製造方法とほぼ同様であるから、説明を省略する。なお、チップ抵抗器１０２を製造する際には導電性長板７１１を折り曲げる工程を行わない。

　本実施形態にかかるチップ抵抗器１０２は、第１実施形態で述べたのと同様の理由により、効率よく製造するのに適する。

　本実施形態にかかるチップ抵抗器１０２を製造する際において、導電性部材７０１としてリードフレームを用い、抵抗体部材７０２として抵抗体フレームを用いる。そのため、複数の導電性長板７１１や複数の抵抗体長板７２１を別々に保持する必要がなく、ハンドリングしやすい。

　本実施形態にかかるチップ抵抗器１０２を製造する際において、真空チャンバー内に収容するために導電性長板７１１や抵抗体長板７２１を切断する、などといった作業を行う必要がない。したがって、本実施形態にかかる方法は、チップ抵抗器１０２の製造効率化を図るのに適する。

　次に、本発明の第３実施形態について説明する。

　図２４は、本実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図２５は、図２４に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う図（一部省略）である。

　これらの図に示すチップ抵抗器１０３は、第１電極１および第２電極２のいずれもが、抵抗部３の同じ側に位置している点において、第２実施形態にかかるチップ抵抗器１０２と主に異なるが、その他の点については同様であるから説明を省略する。

　次に、チップ抵抗器１０３の製造方法について簡単に説明する。

　まず、図８～図１１を参照して説明したのと同様に、導電性部材７０１および抵抗体部材７０２を用意する。

　次に、図２７、図２８に示すように、抵抗器集合体７０３を形成する。抵抗器集合体７０３を形成するには、導電性部材７０１における少なくとも３つの導電性長板７１１に、抵抗体部材７０２を接合する。本実施形態においては、複数の抵抗体長板７２１をそれぞれ、少なくとも３つの導電性長板７１１のうちの互いに隣接するいずれか２つに接合する。このとき、方向Ｚ視において、少なくとも３つの導電性長板７１１のうち互いに隣接する２つのいずれにも重なる位置に、複数の抵抗体長板７２１はそれぞれ配置される。

　抵抗器集合体７０３を形成したのちは、抵抗器集合体７０３を打ち抜く上述した工程を経ることにより、チップ抵抗器１０３が製造される。なお、チップ抵抗器１０３を製造する際にも、導電性長板７１１を折り曲げる工程は行わない。

　本実施形態にかかるチップ抵抗器１０３は、第１実施形態で述べたのと同様の理由により、効率よく製造するのに適する。

　本実施形態にかかるチップ抵抗器１０３を製造する際において、導電性部材７０１としてリードフレームを用い、抵抗体部材７０２として抵抗体フレームを用いる。そのため、複数の導電性長板７１１や複数の抵抗体長板７２１を別々に保持する必要がなく、ハンドリングしやすい。

　本実施形態にかかるチップ抵抗器１０３を製造する際において、真空チャンバー内に収容するために導電性長板７１１や抵抗体長板７２１を切断する、などといった作業を行う必要がない。したがって、本実施形態にかかる方法は、チップ抵抗器１０３の製造効率化を図るのに適する。

　チップ抵抗器１０３に電流が流れる際、抵抗部３のうち抵抗として機能する部位は、平面視（方向Ｚ視）において第１電極１および第２電極２に挟まれた隙間に重なる部位である。そのため、チップ抵抗器１０３における抵抗値は、第１電極１および第２電極２の離間距離により規定されるといえる。よって、第１電極１および第２電極２の離間距離を、抵抗器集合体７０３の段階から調整することにより、チップ抵抗器１０３の抵抗値を微調整することができる。チップ抵抗器１０３の抵抗値を微調整することができると、トリミングをすべきチップ抵抗器１０３の個数の削減を図ることが可能となる。これは、チップ抵抗器１０３の製造効率化を図るのに適する。

　次に、本発明の第４実施形態について説明する。

　図２９は、本発明の第４実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。図３１は、図２９のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。図３２は、図２９に示したチップ抵抗器の実装構造の平面図である。図３３は、図２９のＸＸＸＩＩＩ－ＸＸＸＩＩＩ線に沿う図（一部省略）である。

　これらの図に示すチップ抵抗器の実装構造８０５は、チップ抵抗器２０１と、実装基板８０１と、ハンダ層８０２とを備える。

　実装基板８０１は、たとえばプリント配線基板である。実装基板８０１は、たとえば、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成されたパターン電極（図示略）とを含む。チップ抵抗器２０１は実装基板８０１に実装されている。チップ抵抗器２０１と、実装基板８０１との間には、ハンダ層８０２が介在している。ハンダ層８０２は、チップ抵抗器２０１と実装基板８０１とを接合している。

　チップ抵抗器２０１は、第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１中間層４と、第２中間層５と、を備える。

　図３２、図３３に示すように、第１電極１は、表面１１と、裏面１２と、側面１３ａ（第１電極側面）と、側面１３ｂ（第２電極側面）と、側面１４と、を有する。

　表面１１および裏面１２は互いに反対側を向く。具体的には、表面１１は方向Ｚ１を向き、裏面１２は方向Ｚ２を向く。側面１３ａは方向Ｙにおける一方を向き、側面１３ｂは方向Ｙにおける他方を向く。側面１４は方向Ｘを向く。本実施形態においては、チップ抵抗器１０１とは異なり、第１電極１には曲面１５が形成されていない。そのため、側面１４は、側面１３ａおよび側面１３ｂに直接つながっている。

　図３４は、図２９に示したチップ抵抗器の正面図である。図３５は、図２９に示したチップ抵抗器の背面図である。

　図３４に示すように、側面１３ａは、線状痕形成面１３１ａ（第１電極線状痕形成面）と、破断痕形成面１３２ａ（第１電極破断痕形成面）と、を有する。破断痕形成面１３２ａは、線状痕形成面１３１ａにつながっている。線状痕形成面１３１ａおよび破断痕形成面１３２ａの具体的形状は、チップ抵抗器１０１における、線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　本実施形態においては、線状痕形成面１３１ａは、破断痕形成面１３２ａよりも、表面１１側に位置している。本実施形態では、線状痕形成面１３１ａの幅（方向Ｚにおける寸法）は、抵抗部３から離れるほど大きくなっている。線状痕形成面１３１ａは表面１１につながっている。一方、破断痕形成面１３２ａは裏面１２につながっている。

　図３５に示すように、側面１３ｂは、線状痕形成面１３１ｂ（第２電極線状痕形成面）と、破断痕形成面１３２ｂ（第２電極破断痕形成面）と、を有する。破断痕形成面１３２ｂは、線状痕形成面１３１ｂにつながっている。線状痕形成面１３１ｂと、破断痕形成面１３２ｂと、の具体的形状は、チップ抵抗器１０１における、線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　本実施形態においては、線状痕形成面１３１ｂは、破断痕形成面１３２ｂよりも、裏面１２側に位置している。すなわち、破断痕形成面および線状痕形成面の位置関係は、側面１３ａおよび側面１３ｂで上下逆になっている。線状痕形成面１３１ｂは裏面１２につながっている。一方、破断痕形成面１３２ｂは表面１１につながっている。本実施形態では、線状痕形成面１３１ｂの幅（方向Ｚにおける寸法）は、抵抗部３から離れるほど大きくなっている。

　側面１４は、チップ抵抗器１０１のように線状痕形成面１４１および破断痕形成面１４２を有していてもよいし、平坦な面であってもよい。側面１４の面の具体的構成は、後述の導電性長板７１１の製造方法によって決定される。

　ここで述べた点を除き、第１電極１は、チップ抵抗器１０１における第１電極１と同様であるから、同様の点についての説明は省略する。

　図３２、図３３に示すように、第２電極２は、表面２１と、裏面２２と、側面２３ａ，２３ｂ，２４と、を有する。

　表面２１および裏面２２は互いに反対側を向く。具体的には、表面２１は方向Ｚ１を向き、裏面２２は方向Ｚ２を向く。側面２３ａは方向Ｙにおける一方を向き、側面２３ｂは方向Ｙにおける他方を向く。側面２４は方向Ｘを向く。本実施形態においては、チップ抵抗器１０１とは異なり、第２電極２には曲面２５が形成されていない。そのため、側面２４は、側面２３ａおよび側面２３ｂに直接つながっている。

　図３４に示すように、側面２３ａは、線状痕形成面２３１ａと、破断痕形成面２３２ａと、を有する。破断痕形成面２３２ａは、線状痕形成面２３１ａにつながっている。線状痕形成面２３１ａと、破断痕形成面２３２ａと、の具体的形状は、チップ抵抗器１０１における、線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　本実施形態においては、線状痕形成面２３１ａは、破断痕形成面２３２ａよりも、表面２１側に位置している。本実施形態では、線状痕形成面２３１ａの幅（方向Ｚにおける寸法）は、抵抗部３から離れるほど大きくなっている。線状痕形成面２３１ａは表面２１につながっている。一方、破断痕形成面２３２ａは裏面２２につながっている。

　図３５に示すように、側面２３ｂは、線状痕形成面２３１ｂと、破断痕形成面２３２ｂと、を有する。破断痕形成面２３２ｂは、線状痕形成面２３１ｂにつながっている。線状痕形成面２３１ｂおよび破断痕形成面２３２ｂの具体的形状は、チップ抵抗器１０１における、線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　本実施形態においては、線状痕形成面２３１ｂは、破断痕形成面２３２ｂよりも、裏面２２側に位置している。すなわち、破断痕形成面および線状痕形成面の位置関係は、側面２３ａおよび側面２３ｂで上下逆になっている。そして、線状痕形成面２３１ｂは裏面２２につながっている。一方、破断痕形成面２３２ｂは表面２１につながっている。本実施形態では、線状痕形成面２３１ｂの幅（方向Ｚにおける寸法）は、抵抗部３から離れるほど大きくなっている。

　側面２４は、チップ抵抗器１０１のように線状痕形成面２４１および破断痕形成面２４２を有していてもよいし、平坦な面であってもよい。側面２４の面の具体的構成は、導電性長板７１１の製造方法によって決定される。

　ここで述べた点を除き、第２電極２は、チップ抵抗器１０１における第２電極２と同様であるから、同様の点についての説明は省略する。

　図３２、図３３に示すように、抵抗部３は、抵抗部表面３１と、抵抗部裏面３２と、抵抗部側面３３ａ（第１抵抗部側面）と、抵抗部側面３３ｂ（第２抵抗部側面）と、を有する。

　図３２等に示す抵抗部側面３３ａは、方向Ｙにおける一方を向いている。図３４に示すように、抵抗部側面３３ａは、線状痕形成面３３１ａ（第１抵抗部線状痕形成面）と、破断痕形成面３３２ａ（第１抵抗部破断痕形成面）と、を有する。破断痕形成面３３２ａは線状痕形成面３３１ａにつながっている。線状痕形成面３３１ａおよび破断痕形成面３３２ａの具体的形状は、チップ抵抗器１０１における、線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　図３４に示すように、本実施形態においては、線状痕形成面３３１ａは、破断痕形成面３３２ａよりも、抵抗部表面３１側に位置している。線状痕形成面３３１ａは抵抗部表面３１につながっている。一方、破断痕形成面３３２ａは抵抗部裏面３２につながっている。なお、抵抗部３を構成する材料よりも、第１電極１や第２電極２を構成する材料の方が硬い場合には、図３４に示すように、破断痕形成面３３２ａの幅が、破断痕形成面１３２ａの幅および破断痕形成面２３２ａの幅よりも大きくなることがある。

　図３２等に示す抵抗部側面３３ｂは、方向Ｙにおける他方を向いている。抵抗部側面３３ｂは、第１電極１における側面１３ｂと、第２電極２における側面２３ｂとにつながっている。図３５に示すように、抵抗部側面３３ｂは、線状痕形成面３３１ｂ（第２抵抗部線状痕形成面）と、破断痕形成面３３２ｂ（第２抵抗部破断痕形成面）と、を有する。破断痕形成面３３２ｂは線状痕形成面３３１ｂにつながっている。線状痕形成面３３１ｂおよび破断痕形成面３３２ｂの具体的形状は、チップ抵抗器１０１における、線状痕形成面１３１および破断痕形成面１３２とそれぞれ同様であるから、説明を省略する。

　本実施形態においては、線状痕形成面３３１ｂは、破断痕形成面３３２ｂよりも、抵抗部裏面３２側に位置している。すなわち、破断痕形成面および線状痕形成面の位置関係は、抵抗部側面３３ａおよび抵抗部側面３３ｂで上下逆になっている。線状痕形成面３３１ｂは抵抗部裏面３２につながっている。一方、破断痕形成面３３２ｂは抵抗部表面３１につながっている。

　ここで述べた点を除き、抵抗部３は、チップ抵抗器１０１における抵抗部３と同様であるから、同様の点についての説明は省略する。

　次に、チップ抵抗器２０１の製造方法について説明する。

　まず、図３６～図３８に示す２つの導電性長板７１１と、抵抗体長板７２１とを用意する。各導電性長板７１１は導電材料よりなる。抵抗体長板７２１は抵抗材料よりなる。本実施形態において、２つの導電性長板７１１の幅（短手方向の寸法）は同一である。

　次に、抵抗体長板７２１を２つの導電性長板７１１の間に配置する。本実施形態では、抵抗体長板７２１と２つの導電性長板７１１とを基台８７０（図３８参照）に載せた状態で、抵抗体長板７２１を２つの導電性長板７１１の間に配置する。

　次に、２つの導電性長板７１１の各々を抵抗体長板７２１に対し固定する。本実施形態において２つの導電性長板７１１の各々を抵抗体長板７２１に対し固定するには、第１挟持器具８７１および第２挟持器具８７２を用いる。具体的には、第１挟持器具８７１および第２挟持器具８７２によって、２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を挟む。第１挟持器具８７１は、２つの導電性長板７１１の一方を抵抗体長板７２１に押し付ける。第２挟持器具８７２は、２つの導電性長板７１１の他方を抵抗体長板７２１に押し付ける。

　図３９～図４１に示すように、本実施形態では更に、基台８７０に載せられた２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を、押え付け器具８７５によって基台８７０に押え付ける。これは、２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１が基台８７０から浮き上がることを防止するためである。図４０では、理解の便宜上、押え付け器具８７５にハッチングを示している。押え付け器具８７５には、２つの長穴８７５ａ，８７５ｂが形成されている。各長穴８７５ａ，８７５ｂは一方向に沿って延びている。本実施形態においては、各長穴８７５ａ，８７５ｂは、平面視において矩形状である。図４０に示すように、基台８７０に載せられた２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を、押え付け器具８７５によって基台８７０に押え付ける際、２つの導電性長板７１１の一方と抵抗体長板７２１とが接触している部分８９１に、長穴８７５ａを重ねる。同様に、基台８７０に載せられた２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を、押え付け器具８７５によって基台８７０に押え付ける際、２つの導電性長板７１１の他方と抵抗体長板７２１とが接触している部分８９２に、長穴８７５ｂを重ねる。

　次に、図４０、図４１に示すように、抵抗器集合体７０３を形成する。抵抗器集合体７０３を形成するには、２つの導電性長板７１１の各々を抵抗体長板７２１に接合する。導電性長板７１１を抵抗体長板７２１に接合するには、たとえば、溶接を用いることができる。好ましくは、溶接として高エネルギービーム溶接を用いることができる。高エネルギービーム溶接としては、電子ビーム溶接もしくはレーザビーム溶接が挙げられる。高エネルギービーム溶接を行う場合、図４１に示すように、高エネルギービーム８８１（電子ビームやレーザビーム）を、たとえば、方向Ｚ１に沿って、導電性長板７１１もしくは抵抗体長板７２１に照射する。本実施形態においては、高エネルギービーム８８１が各長穴８７５ａ，８７５ｂを通過するように、高エネルギービーム８８１を照射する。高エネルギービーム８８１のエネルギーを受けて導電性長板７１１もしくは抵抗体長板７２１が溶融したのち、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１が接合される。

　なお本実施形態と異なり、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を接合するには、ハンダや銀ペーストなどを使用するろう接を用いてもよい。もしくは、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を接合するには、超音波接合を用いてもよい。

　次に、図４２、図４３に示すように、抵抗器集合体７０３をせん断によって切断する。図４０においては、抵抗器集合体７０３における切断線を２点鎖線で示している。具体的には、２つの導電性長板７１１のいずれか１つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に沿って、２つの導電性長板７１１と抵抗体長板７２１とを、せん断によって切断する。本実施形態では、抵抗器集合体７０３を、端から順次切断してゆく。

　抵抗器集合体７０３を切断するには、金型８４１および金型８４３を用いる。図４２に示すように、金型８４１を降下させると、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１に、金型８４１および金型８４３が食い込む（図４２では、抵抗体長板７２１について示しているが、導電性長板７１１についても同様である）。このとき、金型８４１および金型８４３によって、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１には線状痕が形成される。金型８４３によって導電性長板７１１に線状痕が形成されることにより、上述の線状痕形成面１３１ａ，２３１ａが形成される。金型８４３によって抵抗体長板７２１に線状痕が形成されることにより、上述の線状痕形成面３３１ａが形成される。金型８４１によって導電性長板７１１に線状痕が形成されることにより、上述の線状痕形成面１３１ｂ，２３１ｂが形成される。金型８４１によって抵抗体長板７２１に線状痕が形成されることにより、上述の線状痕形成面３３１ｂが形成される。

　次に、図４３に示すように、金型８４１を更に降下させると、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１へのせん断荷重が増加する。そして、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１に破断が生じ、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１が切断される。このとき、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１に破断痕が形成される。導電性長板７１１や抵抗体長板７２１に破断痕が形成されることにより、上述の破断痕形成面が形成される。

　本実施形態では、抵抗器集合体７０３を切断する工程（導電性長板７１１および抵抗体長板７２１をせん断によって切断する工程）と同時に、各導電性長板７１１を折り曲げる工程を行う。すなわち、図４２～図４５に示すように、金型８４１および金型８４３によってせん断を行う際に、金型８４１および金型８４２によって、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を挟み込む。図４４に示すように、金型８４１には凸部８４１ａが形成されている。一方、金型８４２には凹部８４２ａが形成されている。金型８４１および金型８４２によって、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を挟み込むと、チップ抵抗器２０１が図４４の下側に向かって凸形状となるように、導電性長板７１１が折り曲げられる。凸部８４１ａは、抵抗体長板７２１に押し付けられるので、抵抗体長板７２１は、導電性長板７１１よりも先にせん断される可能性がある。このようにして、図２９に示したチップ抵抗器２０１を一つ得ることができる。

　次に、図４２～図４５を参照して説明した工程と同様の工程を複数回繰り返すことにより、抵抗器集合体７０３から、チップ抵抗器２０１を複数個得ることができる。

　なお、本実施形態とは異なり、抵抗器集合体７０３を切断する工程（導電性長板７１１および抵抗体長板７２１をせん断によって切断する工程）と同時に、各導電性長板７１１を折り曲げる工程を行う必要は必ずしもない。たとえば、抵抗器集合体７０３を切断する工程（導電性長板７１１および抵抗体長板７２１をせん断によって切断する工程）の前に、各導電性長板７１１を折り曲げてもよい。

　次に、本実施形態の作用効果について説明する。

　本実施形態においては、２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を、せん断によって切断する。このような構成によると、たとえば導電性長板７１１および抵抗体長板７２１をダイシングにより切断する場合に比べ、削り粉が生じない。そのため、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１のより多くの部分を、チップ抵抗器２０１として用いることができる。したがって、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１のうち、チップ抵抗器２０１にならずに無駄となる部分をより少なくすることができる。導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を、チップ抵抗器２０１を製造するために、より有効に活用することができる。

　本実施形態においては、各導電性長板７１１を折り曲げる工程は、２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を切断する工程と同時に行う。このような構成によると、チップ抵抗器２０１の製造時間の短縮を図ることができる。

　本実施形態においては、２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を接合する工程の前に、２つの導電性長板７１１の各々を抵抗体長板７２１に対し固定する。２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を接合する工程においては、２つの導電性長板７１１の各々を抵抗体長板７２１に対し固定した状態で、溶接を行う。このような構成によれば、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を接合する際に、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１が位置ずれすることを防止できる。これにより、より確実に、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を接合することができる。

　本実施形態においては、２つの導電性長板７１１の一方と抵抗体長板７２１とが接触している部分８９１に長穴８７５ａを重ね、且つ、２つの導電性長板７１１の他方と抵抗体長板７２１とが接触している部分８９２に、長穴８７５ｂを重ねる。高エネルギービーム８８１が各長穴８７５ａ，８７５ｂを通過するように、高エネルギービーム８８１を照射する。このような構成によれば、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１が基台８７０から浮き上がることを防止しつつ、部分８９１および部分８９２に高エネルギービーム８８１を照射することが可能となる。これにより、所望の箇所に高エネルギービーム８８１を照射することができる。

　次に、本発明の第５実施形態について説明する。

　図４６は、本発明の第５実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。

　同図に示すチップ抵抗器２０２は、抵抗部３の厚さが、第１電極１や第２電極２の厚さと異なる点において、チップ抵抗器２０１と異なる。本実施形態においては、抵抗部３の厚さは、第１電極１や第２電極２の厚さよりも厚い。抵抗部３の厚さは、第１電極１や第２電極２の厚さよりも薄くてもよい。

　チップ抵抗器２０２の製造方法は、２つの導電性長板７１１および抵抗体長板７２１を基台８７０に押え付ける際に用いる押え付け器具８７５の構成が異なり、その他の点は、チップ抵抗器２０１の製造方法と同様である。但し、抵抗体長板７２１の厚さは、導電性長板７１１の厚さよりも厚い。

　図４７～図４９に示すように、押え付け器具８７５は、抵抗用押え付け部材８７６と、導体用押え付け部材８７７，８７８とを含む。図４８では、理解の便宜上、押え付け器具８７５にハッチングを示している。抵抗用押え付け部材８７６および導体用押え付け部材８７７，８７８は、互いに別体である。抵抗用押え付け部材８７６は抵抗体長板７２１を基台８７０に押え付けるものである。導体用押え付け部材８７７は、２つの導電性長板７１１の一方を基台８７０に押え付けるものである。導体用押え付け部材８７８は、２つの導電性長板７１１の他方を基台８７０に押え付けるものである。本実施形態においては、導体用押え付け部材８７７と抵抗用押え付け部材８７６との間に、長穴８７５ａが形成されている。また、導体用押え付け部材８７８と抵抗用押え付け部材８７６との間に、長穴８７５ｂが形成されている。本実施形態においても、高エネルギービーム８８１が各長穴８７５ａ，８７５ｂを通過するように、高エネルギービーム８８１を照射する。

　このように、互いに別体の抵抗用押え付け部材８７６および導体用押え付け部材８７７，８７８を用いると、抵抗体長板７２１および導電性長板７１１の厚さが異なっていても、抵抗用押え付け部材８７６および導体用押え付け部材８７７，８７８によって、抵抗体長板７２１および２つの導電性長板７１１のいずれもを、基台８７０に確実に押え付けることができる。これにより、導電性長板７１１および抵抗体長板７２１が基台８７０から浮き上がることを防止しつつ、部分８９１および部分８９２に高エネルギービーム８８１を照射することが可能となる。これにより、所望の箇所に高エネルギービーム８８１を照射することができる。

　また、本実施形態によっても、第４実施形態で述べたのと同様の作用効果を奏する。

　本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Claims

　導電材料よりなる少なくとも３つの導電性長板と、抵抗材料よりなる抵抗体部材と、を用意する工程と、
　上記少なくとも３つの導電性長板のいずれか１つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に沿って、上記少なくとも３つの導電性長板を互いに離間した状態に配列する工程と、
　上記少なくとも３つの導電性長板に上記抵抗体部材を接合することにより、抵抗器集合体を形成する工程と、
　上記抵抗器集合体を、打ち抜きにより、２つの電極と上記２つの電極に接合された抵抗部とを各々が含む複数のチップ抵抗器に、一括して分割する工程と、を備える、チップ抵抗器の製造方法。
　上記抵抗器集合体を形成する工程においては、溶接を用いる、請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記抵抗器集合体を形成する工程においては、高エネルギービーム溶接を用いる、請求項２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記高エネルギービーム溶接として、電子ビーム溶接もしくはレーザビーム溶接を用いる、請求項３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記少なくとも３つの導電性長板のいずれか１つを折り曲げる工程を更に備える、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記折り曲げる工程は、上記一括して分割する工程と同時に行う、請求項５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記少なくとも３つの導電性長板のいずれか１つの厚さは、上記抵抗体部材の厚さよりも薄い、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記抵抗体部材は、複数の抵抗体長板を有し、
　上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記複数の抵抗体長板をそれぞれ、上記少なくとも３つの導電性長板のうちの２つに接合する、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記少なくとも３つの導電性長板のうち互いに隣接するいずれか２つに挟まれた位置に、上記複数の抵抗体長板をそれぞれ配置する、請求項８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記抵抗器集合体を形成する工程においては、上記少なくとも３つの導電性長板のうち互いに隣接するいずれか２つと、上記長手方向および上記短手方向のいずれにも直交する厚さ方向視において重なる位置に、上記複数の抵抗体長板をそれぞれ配置する、請求項８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　第１電極と、
　上記第１電極に対し第１方向に離間している第２電極と、
　上記第１電極および上記第２電極に接合された抵抗部と、を備え、
　上記抵抗部は、上記第１方向、および、上記第１方向に交差する第２方向に広がる面に沿う形状であり、上記第１電極は、上記第１方向を向く第１側面と、上記第２方向を向く第２側面と、上記第１側面および上記第２側面につながる曲面と、を有する、チップ抵抗器。
　上記第１電極および上記抵抗部につながる第１中間層と、上記第２電極および上記抵抗部につながる第２中間層と、を更に備え、
　上記第１中間層および上記第２中間層は、互いに同一の材料よりなる、請求項１１に記載のチップ抵抗器。
　上記抵抗部は、上記第１電極と上記第２電極とに挟まれている、請求項１２に記載のチップ抵抗器。
　上記第１中間層は、幅広部および幅狭部を含み、
　上記幅広部は、上記第１方向および上記第２方向のいずれにも交差する第３方向に露出し、上記幅狭部の上記第１方向における寸法は、上記幅広部の上記第１方向における寸法よりも小さい、請求項１２または請求項１３に記載のチップ抵抗器。
　上記第１電極および上記第２電極は、上記抵抗部の同じ側に位置している、請求項１１ないし請求項１４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
　上記第１側面は、線状痕が形成された線状痕形成面と、上記線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された破断痕形成面とを有する、請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
　上記第１電極は、上記第１方向および上記第２方向に沿う形状の板状部と、上記板状部に対し傾斜し且つ上記板状部よりも上記抵抗部に近接する斜行部と、を含む、請求項１１ないし請求項１６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
　上記抵抗部の厚さは、上記第１電極の厚さよりも薄い、請求項１１ないし請求項１７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
　導電材料よりなる２つの導電性長板と、抵抗材料よりなる抵抗体長板と、を用意する工程と、
　上記抵抗体長板を上記２つの導電性長板の間に配置する工程と、
　上記２つの導電性長板の各々を上記抵抗体長板に接合する工程と、
　上記２つの導電性長板のいずれか１つの延びる方向である長手方向に交差する短手方向に沿って、上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を、せん断によって切断する工程と、を備える、チップ抵抗器の製造方法。
　上記各導電性長板を折り曲げる工程を更に備える、請求項１９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記折り曲げる工程は、上記切断する工程と同時に行う、請求項２０に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記接合する工程においては、溶接を用いる、請求項１９ないし請求項２１のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記接合する工程においては、高エネルギービーム溶接を用いる、請求項２２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記接合する工程においては、上記高エネルギービーム溶接として、電子ビーム溶接もしくはレーザビーム溶接を用いる、請求項２３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記接合する工程の前に、上記２つの導電性長板の各々を上記抵抗体長板に対し固定する工程を更に備え、
　上記接合する工程においては、上記２つの導電性長板の各々を上記抵抗体長板に対し固定した状態で、溶接を行う、請求項２３または請求項２４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記固定する工程は、第１挟持器具および第２挟持器具によって、上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を挟む工程を含み、
　上記挟む工程においては、上記第１挟持器具によって、上記２つの導電性長板の一方を上記抵抗体長板に対し押し付け、且つ、上記第２挟持器具によって、上記２つの導電性長板の他方を上記抵抗体長板に対し押し付ける、請求項２５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　上記配置する工程は、上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を、基台に載せる工程を含み、
　上記固定する工程は、上記基台に載せられた上記２つの導電性長板および上記抵抗体長板を、押え付け器具によって上記基台に押え付ける工程を含み、
　上記押え付け器具には、一方向に沿って延びる２つの長穴が形成されており、
　上記基台に押え付ける工程においては、上記２つの導電性長板の一方と上記抵抗体長板とが接触している部分に、上記２つの長穴の一方を重ね、且つ、上記２つの導電性長板の他方と上記抵抗体長板とが接触している部分に、上記２つの長穴の他方を重ね、
　上記接合する工程においては、高エネルギービームが上記各長穴を通過するように、上記高エネルギービームを照射する、請求項２６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
　第１電極と、
　上記第１電極に対し第１方向に離間している第２電極と、
　上記第１電極および上記第２電極に接合された抵抗部と、を備え、
　上記第１電極は、互いに反対側を向く表面および裏面を有し、
　上記抵抗部は、上記第１方向、および、上記第１方向に交差する第２方向に広がる面に沿う形状であり、
　上記第１電極は、上記第２方向における一方を向く第１電極側面と、上記第２方向の他方を向く第２電極側面と、を有し、
　上記第１電極側面は、線状痕が形成された第１電極線状痕形成面と、上記第１電極線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された第１電極破断痕形成面と、を有し、
　上記第１電極線状痕形成面は、上記第１電極破断痕形成面よりも、上記表面側に位置している、チップ抵抗器。
　上記第２電極側面は、線状痕が形成された第２電極線状痕形成面と、上記第２電極線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された第２電極破断痕形成面と、を有し、
　上記第２電極線状痕形成面は、上記第２電極破断痕形成面よりも、上記裏面側に位置している、請求項２８に記載のチップ抵抗器。
　上記抵抗部は、互いに反対側を向く抵抗部表面および抵抗部裏面と、上記第２方向における一方を向く第１抵抗部側面と、上記第２方向の他方を向く第２抵抗部側面と、を有し、
　上記抵抗部表面は、上記表面の向く方向と同一方向を向き、
　上記第１抵抗部側面は、線状痕が形成された第１抵抗部線状痕形成面と、上記第１抵抗部線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された第１抵抗部破断痕形成面と、を有し、
　上記第１抵抗部線状痕形成面は、上記第１抵抗部破断痕形成面よりも、上記抵抗部表面側に位置している、請求項２９に記載のチップ抵抗器。
　　上記第２抵抗部側面は、線状痕が形成された第２抵抗部線状痕形成面と、上記第２抵抗部線状痕形成面につながり且つ破断痕が形成された第２抵抗部破断痕形成面と、を有し、
　上記第２抵抗部線状痕形成面は、上記第２抵抗部破断痕形成面よりも、上記抵抗部裏面側に位置している、請求項３０に記載のチップ抵抗器。
　上記第１抵抗部破断痕形成面の幅は、上記第１電極破断痕形成面の幅よりも、大きい、請求項３０または請求項３１に記載のチップ抵抗器。
　上記第１電極線状痕形成面の幅は、上記抵抗部から離れるほど大きくなる、請求項２８ないし請求項３２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
　上記第１電極および上記抵抗部につながる第１中間層と、上記第２電極および上記抵抗部につながる第２中間層と、を更に備え、
　上記第１中間層および上記第２中間層は、互いに同一の材料よりなる、請求項２８ないし請求項３３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
　上記抵抗部は、上記第１電極と上記第２電極とに挟まれている、請求項３４に記載のチップ抵抗器。
　上記第１中間層は、幅広部および幅狭部を含み、
　上記幅広部は、上記第１方向および上記第２方向のいずれにも交差する第３方向に露出し、上記幅狭部の上記第１方向における寸法は、上記幅広部の上記第１方向における寸法よりも小さい、請求項３４または請求項３５に記載のチップ抵抗器。
　上記第１電極は、上記第１方向および上記第２方向に沿う形状の板状部と、上記板状部に対し傾斜し且つ上記板状部よりも上記抵抗部に近接する斜行部と、を含む、請求項２８ないし請求項３６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
　請求項１１ないし請求項１８、および、請求項２８ないし３７のいずれかに記載のチップ抵抗器と、
　実装基板と、
　上記実装基板および上記チップ抵抗器との間に介在しているハンダ層と、を備える、チップ抵抗器の実装構造。