WO2012118251A1 - Wurtzite 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

Wurtzite 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2012118251A1
WO2012118251A1 PCT/KR2011/004061 KR2011004061W WO2012118251A1 WO 2012118251 A1 WO2012118251 A1 WO 2012118251A1 KR 2011004061 W KR2011004061 W KR 2011004061W WO 2012118251 A1 WO2012118251 A1 WO 2012118251A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
nitride
light emitting
layer
emitting device
buffer layer
Prior art date
Application number
PCT/KR2011/004061
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
진주
박건
Original Assignee
(주)세미머티리얼즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)세미머티리얼즈 filed Critical (주)세미머티리얼즈
Publication of WO2012118251A1 publication Critical patent/WO2012118251A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous

Definitions

  • the present invention relates to a nitride-based light emitting device manufacturing technology.
  • the light emitting device is a device in which a light emitting phenomenon generated when recombination of electrons and holes is applied.
  • a nitride light emitting device represented by GaN.
  • the nitride-based light emitting device has a large band gap energy and can implement various color lights.
  • the nitride-based light emitting device is excellent in thermal stability.
  • the nitride-based light emitting device is classified into a horizontal type structure and a vertical type structure according to the arrangement of n-electrodes and p-electrodes.
  • the n-electrode and the p-electrode are mainly arranged in a top-top shape
  • the n-electrode and the p-electrode are mainly arranged in a top-bottom shape.
  • a sapphire substrate was mainly used as a growth substrate for the production of nitride-based light emitting devices.
  • sapphire substrates do not have excellent thermal properties. Therefore, when the sapphire substrate is used as a growth substrate, there is a problem in that the substrate is bent during nitride growth at a high temperature, that is, a wafer bowing phenomenon occurs.
  • the silicon substrate is very cheap compared to the sapphire substrate, there is an advantage that the thermal and electrical properties are excellent.
  • the silicon substrate is not well used as a growth substrate. This is because silicon and nitride have a very large lattice constant difference, and when nitride is grown on a silicon substrate, a lot of dislocation occurs in the grown nitride. Many predecessors are a factor to inhibit the electrical properties of the nitride-based light emitting device.
  • An object of the present invention is to provide a nitride based light emitting device capable of improving crystallinity and brightness by suppressing occurrence of dislocations during nitride growth on a growth substrate and a method of manufacturing the same.
  • a nitride based light emitting device for achieving the above object is a growth substrate; A lattice buffer layer formed on the growth substrate; And a light emitting structure formed on the lattice buffer layer and having a plurality of nitride layers stacked thereon, wherein the lattice buffer layer is formed of a powder of a material having a Wurtzite structure.
  • the lattice buffer layer is preferably formed of ZnO powder.
  • a nitride-based light emitting device In the method of manufacturing a nitride-based light emitting device according to the present invention, after coating a powder of a material having a Wurtzite structure such as ZnO powder on a growth substrate, a nitride such as GaN is grown. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of predecessors due to the difference in lattice constant between the nitride and the growth substrate during nitride growth.
  • the nitride-based light emitting device manufacturing method according to the present invention may use an n-type silicon substrate.
  • the lift-off process of removing the n-type silicon substrate may be omitted even when manufacturing the vertical light emitting device.
  • FIG. 1 schematically shows a nitride-based light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 schematically shows a method of manufacturing a nitride-based light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a photograph showing an example in which ZnO is etched to form an air hole during nitride growth.
  • FIG. 1 schematically shows a nitride-based light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • the nitride-based light emitting device illustrated includes a growth substrate 110, a lattice buffer layer 120, and a light emitting structure 130.
  • the growth substrate 110 applied to the present invention a sapphire substrate which is widely used as a growth substrate in manufacturing a nitride-based light emitting device may be used.
  • the growth substrate 110 applied to the present invention may use a silicon substrate, such as a single crystal silicon substrate, a polycrystalline silicon substrate.
  • the predefect density of the growing nitride was high. This caused a decrease in the light efficiency of the nitride-based light emitting device.
  • nitride is grown after the lattice buffer layer 120 is first formed on the growth substrate 110.
  • the lattice buffer layer 120 is formed on the growth substrate 110.
  • the lattice buffer layer 120 mitigates lattice mismatching with nitrides to be grown, thereby reducing dislocations generated during nitride growth. As a result, the crystallinity of the growing nitride can be improved.
  • nitride when a silicon substrate is used as a growth substrate, a large number of predefects occur when nitride is grown on the silicon substrate due to a large lattice constant difference between silicon and nitride. This is a factor that lowers the light efficiency of the light emitting device.
  • crystal mismatching can be alleviated, thereby reducing predefects generated during nitride growth.
  • the lattice buffer layer 120 may be formed of a powder of a material having a Wurtzite structure.
  • the lattice buffer layer may be formed using ZnO powder.
  • ZnO like GaN, has a Wurtzite structure.
  • GaN grown on the ZnO powder it is possible to minimize predefects generated during GaN growth by lattice matching.
  • GaN grown on powder-type ZnO initially grows in the vertical direction, and then grows in the horizontal direction. As a result, flat GaN growth is possible.
  • the ZnO powder may be attached or fixed on the growth substrate 110 by a spin coating method.
  • irregularities having protrusions and recesses may be formed on a surface of the growth substrate 110. Unevenness may be formed in a specific pattern, it may be formed in an amorphous form. The uneven surface of the growth substrate 110 may be formed by various methods such as etching.
  • the ZnO powder may be easily attached or fixed to the unevenness of the unevenness formed on the surface of the growth substrate 110.
  • ZnO powder or the like applied to the lattice buffer layer 120 is preferably used having an average particle diameter of 10nm ⁇ 1 ⁇ m.
  • the average particle diameter of the powder was more than 1 ⁇ m, the light efficiency of the nitride-based light emitting device produced was insufficient because the above inhibitory effect of the defects was insufficient.
  • the average particle diameter of the powder is less than 10nm, excessive manufacturing cost of the powder itself may be excessive, which may cause an increase in the manufacturing cost of the nitride-based light emitting device.
  • the light emitting structure 130 is formed on the grating buffer layer 120.
  • the light emitting structure 130 is formed by stacking a plurality of nitride layers.
  • the light emitting structure 130 includes a first conductive nitride layer 131, a light emitting active layer 132, and a second conductive nitride layer 133.
  • the first conductive nitride layer 131 is formed on the lattice buffer layer 120.
  • the first conductive nitride layer 131 may exhibit n-type or p-type characteristics depending on the doped impurities. For example, when the nitride is doped with an impurity such as silicon (Si), the first conductive nitride layer 131 exhibits n-type characteristics. In contrast, when the nitride is doped with impurities such as magnesium (Mg), the first conductive nitride layer 131 exhibits p-type characteristics.
  • the light emitting active layer 132 is formed on the first conductive nitride layer 131.
  • the light emitting active layer 132 may have a multiple quantum well (MQW) structure.
  • MQW multiple quantum well
  • a structure in which In x Ga 1-x N (0.1 ⁇ x ⁇ 0.3) and GaN are alternately stacked may be provided.
  • the light emitting active layer 132 In the light emitting active layer 132, light flowing through electrons flowing through the n-type nitride layer and holes flowing through the p-type nitride layer are recombined.
  • the second conductive nitride layer 133 is formed on the light emitting active layer 132 and exhibits electrical characteristics opposite to that of the first conductive nitride layer 131.
  • the second conductive nitride layer 133 may be formed of p-type GaN.
  • GaN may be doped with Si
  • GaN may be formed by doping Mg.
  • the growth substrate 110 is n-type.
  • Silicon substrates may be used. When using an n-type silicon substrate, each layer below the light emitting active layer 132 may be formed as an n-type. In addition, when using an n-type silicon substrate, the silicon substrate itself may be utilized as the n-electrode. Therefore, the lift-off process of removing the growth substrate may be omitted even when manufacturing the vertical light emitting device, and the n-electrode formation process may be omitted.
  • the n-type silicon substrate when used, not only the horizontal light emitting device, but also a vertical light emitting device that can easily implement high luminance due to a relatively large light emitting area can be easily manufactured.
  • n-type silicon substrate when used as the growth substrate, bowing of the substrate during the growth of nitride at a high temperature is insignificant, and homogeneous growth of the nitride is possible at a high temperature.
  • the light emitting structure 130 may further include a buffer layer 134 formed on the lattice buffer layer 120.
  • the first conductive nitride layer 131 is formed on the buffer layer 134.
  • the buffer layer 134 serves to relieve stress generated during nitride growth, which is a heterogeneous material, on the growth substrate.
  • the buffer layer 134 may be formed of nitride such as AlN, ZrN, GaN, or the like.
  • the buffer layer 134 may also be formed as an n-type. Most of the nitride forming the buffer layer 134 has high electrical resistance. However, when the buffer layer 134 is formed n-type, the electrical resistance of the buffer layer is lowered. Therefore, the driving efficiency of the nitride-based light emitting device to be manufactured can be improved.
  • ZnO has n-type electrical properties. Therefore, when the n-type silicon substrate is used as the growth substrate 110, and the buffer layer 134 and the first conductive nitride layer 131 are formed as the n-type, electrons injected into the silicon substrate may emit light. 132) can be easily moved without barriers. In this case, therefore, the light emitting element driving efficiency can be further increased.
  • an undoped nitride layer 135 may be further formed on the buffer layer 134 to facilitate lattice matching.
  • the first conductive nitride layer 131 is formed on the undoped nitride layer 135.
  • the undoped nitride layer 135 is preferably applied when using an undoped silicon substrate.
  • FIG. 2 schematically shows a method of manufacturing a nitride-based light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • the nitride-based light emitting device manufacturing method includes a lattice buffer layer forming step S210 and a light emitting structure forming step S220.
  • a lattice buffer layer is formed of a powder of a material having a Wurtzite lattice structure on a growth substrate such as a silicon substrate or a sapphire substrate.
  • the lattice buffer layer may be formed of ZnO powder.
  • the ZnO powder may be prepared by depositing ZnO on a silicon or sapphire substrate, more preferably, a substrate made of the same material as the growth substrate, and pulverizing the ZnO-deposited substrate into powder. have.
  • a MOCVD method or a sputtering method may be used as the deposition.
  • the ZnO powder contains not only the pure ZnO component but also the substrate component, the adhesion of the ZnO powder to the growth substrate can be improved.
  • the lattice buffer layer using the ZnO powder could be formed by the following method.
  • a ZnO powder is placed on a growth substrate using a spin coater or the like. Thereafter, the growth substrate is heated to a temperature of approximately 500 to 800 ° C. in a nitrogen gas atmosphere in a device such as a CVD chamber, so that the ZnO powder is attached. If the heating temperature is too high, since the ZnO powder may be etched, it is preferable to perform the process at a temperature of 800 ° C or less. As the growth substrate is slightly etched, irregularities may be formed on the surface. Surface irregularities of the growth substrate facilitate the attachment or fixing of the powder as described above.
  • the lattice buffer layer using the ZnO powder may be formed by spin coating on a growth substrate using the ZnO powder-containing solution and then drying.
  • the ZnO powder-containing solution may use a variety of solvents such as acetone, methanol, ethylene glycol.
  • the lattice buffer layer forming methods using the ZnO powders described above may be selectively applied to any one of the two methods.
  • a solution containing ZnO powder may be used to spin coat the growth substrate and then dry, and then heat the growth substrate in the chamber.
  • a plurality of nitrides are sequentially grown on the lattice buffer layer to form the light emitting structure.
  • the light emitting structure is formed in such a manner that the first conductive nitride layer, the light emitting active layer, and the second conductive nitride layer are sequentially stacked.
  • a buffer layer or an undoped nitride layer may be further formed before the first conductive nitride layer is formed.
  • the first nitride layer (eg, buffer layer) formed on the lattice buffer layer among the plurality of nitride layers for forming the light emitting structure is preferably formed in an inert gas atmosphere such as helium (He) gas or argon (Ar) gas. Do.
  • an inert gas atmosphere such as helium (He) gas or argon (Ar) gas.
  • He helium
  • Ar argon
  • the remaining nitride layers are preferably carried out in a hydrogen gas atmosphere to improve crystal quality.
  • the first nitride layer is already formed by the hydrogen gas atmosphere, the formation of another nitride layer on the first nitride layer is not affected by the etching of the ZnO powder.
  • some or all of the ZnO powder is etched to form an air hole between the growth substrate and the first nitride layer. do.
  • the air hole serves as a diffuse reflection layer, contributing to the increase in luminance of the nitride-based light emitting device.
  • the nitride-based light emitting device manufacturing method according to the present invention by using a powder of a material having a Wurtzite lattice structure, such as ZnO powder, the nitride is grown in a state in which the lattice buffer layer is formed on the growth substrate. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of predefects caused by lattice mismatching during nitride growth such as GaN. Therefore, the crystallinity and luminance of the nitride-based light emitting device to be manufactured can be improved.
  • a powder of a material having a Wurtzite lattice structure such as ZnO powder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

ZnO 파우더와 같은 Wurtzite 격자 구조를 갖는 물질의 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물계 발광소자는 성장 기판; 상기 성장 기판 상에 형성되는 격자 완충층; 및 상기 격자 완충층 상에 형성되며, 복수의 질화물층이 적층되어 있는 발광 구조체;를 포함하고, 상기 격자 완충층은 Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더로 형성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 격자 완충층은 ZnO 파우더로 형성되어, 질화물 성장시 발생하는 선결함(dislocation)을 최소화할 수 있다.

Description

WURTZITE 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법
본 발명은 질화물계 발광소자 제조 기술에 관한 것이다.
발광소자는 전자와 정공의 재결합 시에 발생하는 발광 현상을 응용한 소자이다.
대표적인 발광소자로서, GaN으로 대표되는 질화물계 발광소자가 있다. 질화물계 발광소자는 밴드 갭 에너지가 커서 다양한 색광을 구현할 수 있다. 또한, 질화물계 발광소자는 열적 안정성이 우수하다.
질화물계 발광소자는 n-전극 및 p-전극의 배치 형태에 따라서 수평형(lateral type) 구조와 수직형(Vertical type) 구조로 구분된다. 수평형 구조는 n-전극 및 p-전극이 주로 top-top 형태로 배치되고, 수직형 구조는 n-전극 및 p-전극이 주로 top-bottom 형태로 배치된다.
종래에는 질화물계 발광소자 제조를 위하여, 주로 사파이어 기판을 성장 기판으로 이용하였다.
그러나, 사파이어 기판은 열적 특성이 우수하지 못하다. 따라서, 사파이어 기판을 성장 기판으로 이용할 경우, 고온에서의 질화물 성장시 기판이 휘어지는 현상, 즉 웨이퍼 휨(wafer bowing) 현상이 발생하는 문제점이 있다.
또한 사파이어 기판을 성장 기판으로 이용할 경우, 사파이어의 절연 특성으로 인하여 수직형 발광소자를 제조하기 어려운 문제점이 있다.
한편, 실리콘 기판은 사파이어 기판에 비하여 매우 저렴하고, 열적 특성 및 전기적 특성이 우수한 장점이 있다. 그러나, 질화물계 발광소자 제조시, 실리콘 기판은 성장 기판으로 잘 사용되지 않는다. 그 이유는 실리콘과 질화물은 격자 상수(lattice parameter) 차이가 매우 커서, 실리콘 기판 상에 질화물을 성장시킬 경우, 성장되는 질화물에 선결함(dislocation)이 많이 발생하기 때문이다. 많은 선결함은 질화물계 발광소자의 전기적 특성을 저해하는 요인이 된다.
본 발명의 목적은 성장 기판 상에 질화물 성장시 선결함(dislocation) 발생을 억제함으로써 결정성 및 휘도를 향상시킬 수 있는 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 발광소자는 성장 기판; 상기 성장 기판 상에 형성되는 격자 완충층; 및 상기 격자 완충층 상에 형성되며, 복수의 질화물층이 적층되어 있는 발광 구조체;를 포함하고, 상기 격자 완충층은 Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더로 형성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 격자 완충층은 ZnO 파우더로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 발광소자 제조 방법은 (a) 성장 기판 상에, Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더를 이용하여 격자 완충층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 격자 완충층 상에, 복수의 질화물을 순차적으로 성장시켜 발광 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 질화물계 발광소자 제조 방법은 성장 기판 상에 ZnO 파우더 같은 Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더를 코팅한 후 GaN과 같은 질화물을 성장시킨다. 따라서, 질화물 성장시에 질화물과 성장기판의 격자 상수 차이로 인한 선결함 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 질화물계 발광소자 제조 방법은 n-타입 실리콘 기판을 이용할 수 있다. 이 경우, 수직형 발광소자 제조시에도 n-타입 실리콘 기판을 제거하는 Lift-Off 공정을 생략할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 발광소자 제조 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 질화물 성장과정에서 ZnO가 식각되어 에어 홀을 형성한 예를 나타내는 사진이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 Wurtzite 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 도시된 질화물계 발광소자는 성장 기판(110), 격자 완충층(120) 및 발광 구조체(130)를 포함한다.
본 발명에 적용되는 성장 기판(110)은 질화물계 발광소자 제조시 성장 기판으로 널리 이용되는 사파이어 기판이 이용될 수 있다. 또한 본 발명에 적용되는 성장기판(110)은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 등의 실리콘 기판을 이용할 수 있다.
종래에는, 성장 기판과 질화물의 격자 미스매칭(Lattice Mismatching)으로 인하여, 성장하는 질화물에 선결함 밀도가 높았다. 이는 질화물계 발광소자의 광 효율을 저하 요인이 되었다.
이에 본 발명에서는 이러한 격자 미스매칭을 감소시키기 위하여 성장 기판(110) 상에 격자 완충층(120)을 먼저 형성한 후에 질화물을 성장시킨다.
격자완충층(120)은 성장 기판(110) 상부에 형성된다. 격자완충층(120)은 성장 대상이 되는 질화물과 격자 미스매칭(lattice mismatching)을 완화하여 질화물 성장시 발생하는 선결함 (dislocation)을 감소시킨다. 그 결과, 성장하는 질화물의 결정성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 실리콘 기판을 성장 기판으로 이용하는 경우, 실리콘과 질화물의 큰 격자 상수 차이로 인하여 실리콘 기판 상에 질화물을 성장시 선결함이 많이 발생한다. 이는 발광소자의 광 효율을 저하시키는 요인이 된다. 그러나, 실리콘 기판 상에 격자완충층을 먼저 형성한 후에 질화물을 성장시키면 결정 미스매칭이 완화되어 질화물 성장시 발생하는 선결함을 감소시킬 수 있다.
이러한 격자완충층(120)은 Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더로 형성될 수 있다.
보다 바람직하게는, ZnO 파우더를 이용하여 격자완충층을 형성할 수 있다.
예를 들어, 질화물계 발광소자에서 널리 이용되는 GaN은 Wurtzite 구조를 가지며, a=3.189Å, c=5.185Å의 격자상수를 갖는다.
ZnO은 GaN과 마찬가지로 Wurtzite 구조를 가진다. 또한 ZnO는 격자상수가 a=3.249Å, c=5.207Å으로서, GaN과 매우 유사한 격자 구조를 갖는다.
따라서, ZnO 파우더 상에 GaN을 성장시킬 경우, 격자 매칭에 의하여 GaN 성장시 발생하는 선결함을 최소화할 수 있다. 또한, 파우더 형태의 ZnO 상에서 성장되는 GaN은 초기에는 수직방향으로 성장하고, 이후에는 수평방향으로 성장한다. 그 결과 평탄한 GaN 성장이 가능하다.
이러한 ZnO 파우더는 스핀 코팅 방식 등에 의하여 성장 기판(110) 상에 부착 혹은 고정될 수 있다.
상기의 파우더를 성장 기판(110) 상에 용이하게 부착 혹은 고정하기 위하여, 성장 기판(110)의 표면에는 돌부와 요부를 갖는 요철이 형성되어 있을 수 있다. 요철은 특정한 패턴으로 형성될 수 있으며, 비정형의 형태로 형성될 수도 있다. 성장 기판(110) 표면의 요철은 식각 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
성장 기판(110) 표면에 요철이 형성되어 있는 경우, ZnO 파우더 등은 성장 기판(110)의 표면에 형성된 요철의 요부에 쉽게 부착 혹은 고정될 수 있다.
한편, 격자완충층(120)에 적용되는 ZnO 파우더 등은 평균 입경이 10nm ~ 1㎛ 인 것을 이용하는 것이 바람직하다. 파우더의 평균 입경이 작을수록 질화물 성장시 발생하는 선결함의 억제 효과가 더 우수하였다. 파우더의 평균 입경이 1㎛를 초과하는 경우, 상기의 선결함의 억제 효과가 불충분하여 제조되는 질화물계 발광소자의 광효율이 낮았다. 다만, 파우더의 평균 입경이 10nm 미만일 경우, 파우더 자체의 제조 비용이 과다하게 소요되어 질화물계 발광소자의 제조 비용 상승의 원인이 될 수 있다.
다음으로, 발광 구조체(130)는 격자 완충층(120) 상에 형성된다.
발광 구조체(130)는 복수의 질화물층이 적층되어 형성된다.
보다 구체적으로, 발광 구조체(130)는 제1도전형 질화물층(131), 발광 활성층(132) 및 제2도전형 질화물층(133)을 포함한다.
제1도전형 질화물층(131)는 격자 완충층(120) 상부에 형성된다.
제1도전형 질화물층(131)은 도핑되는 불순물에 따라 n-타입 혹은 p-타입의 특성을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 질화물에 실리콘(Si) 등의 불순물이 도핑된 경우, 제1도전형 질화물층(131)은 n-타입 특성을 나타낸다. 반대로, 질화물에 마그네슘(Mg) 등의 불순물이 도핑된 경우, 제1도전형 질화물층(131)은 p-타입 특성을 나타낸다.
발광 활성층(132)은 제1도전형 질화물층(131) 상부에 형성된다. 발광 활성층(132)은 MQW(Multiple Quantum Well) 구조를 가질 수 있다. 그 예로 InxGa1-xN(0.1≤x≤0.3)과 GaN이 교대로 적층되어 있는 구조를 제시할 수 있다.
발광 활성층(132)에서는 n-타입 질화물층을 통하여 흐르는 전자와 p-타입 질화물층을 통하여 흐르는 정공이 재결합되면서, 광이 발생된다.
제2도전형 질화물층(133)은 발광 활성층(132) 상부에 형성되며, 제1도전형 질화물층(131)과 반대되는 전기적 특성을 나타낸다.
예를 들어, 제1도전형 질화물층(131)이 n-타입 GaN으로 형성되는 경우, 제2도전형 질화물층(133)은 p-타입 GaN으로 형성될 수 있다. n-타입 GaN의 경우 GaN에 Si가 도핑되어 형성될 수 있고, p-타입 GaN의 경우 GaN에 Mg가 도핑되어 형성될 수 있다.
상기와 같이, 제1도전형 질화물층(131)이 n-타입 GaN으로 형성되고, 제2도전형 질화물층(133)이 p-타입 GaN으로 형성되는 경우, 성장 기판(110)은 n-타입 실리콘 기판이 이용될 수 있다. n-타입 실리콘 기판을 이용할 경우, 발광 활성층(132) 하부의 각 층이 n-타입으로 형성될 수 있다. 또한 n-타입 실리콘 기판을 이용하는 경우, 실리콘 기판 자체를 n-전극으로 활용할 수 있다. 따라서, 수직형 발광소자 제조시에도 성장 기판을 제거하는 Lift-Off 공정을 생략할 수 있으며, 나아가 n-전극 형성 공정을 생략할 수 있다.
따라서, n-타입 실리콘 기판을 이용하는 경우 수평형 발광소자 뿐만 아니라, 발광면적이 상대적으로 넓어 고휘도를 쉽게 구현할 수 있는 수직형 발광소자까지 쉽게 제조할 수 있다.
또한, 성장 기판으로 n-타입 실리콘 기판을 이용하는 경우, 고온에서의 질화물 성장시 기판의 휨(bowing) 현상이 미미하여, 고온에서 질화물의 균질한 성장이 가능하였다.
한편, 발광 구조체(130)는 격자 완충층(120) 상부에 형성되는 버퍼층(134)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 제1도전형 질화물층(131)은 버퍼층(134) 상부에 형성된다.
버퍼층(134)는 성장 기판 상에 이종의 물질인 질화물 성장시 발생하는 응력(stress)을 완화시키는 역할을 한다. 이러한 버퍼층(134)은 AlN, ZrN, GaN 등의 질화물로 형성될 수 있다.
제1도전형 질화물층(131)이 n-타입일 경우, 버퍼층(134)도 n-타입으로 형성할 수 있다. 버퍼층(134)을 형성하는 질화물은 대부분 전기저항이 크다. 그러나, 버퍼층(134)을 n-타입으로 형성하는 경우 버퍼층의 전기저항이 낮아진다. 따라서, 제조되는 질화물계 발광소자의 구동 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, ZnO는 n-타입의 전기적 특성을 갖는다. 따라서, 성장 기판(110)으로 n-타입 실리콘 기판을 이용하고, 버퍼층(134) 및 제1도전형 질화물층(131)을 n-타입으로 형성할 경우, 실리콘 기판으로 주입되는 전자가 발광 활성층(132)까지 장벽없이 쉽게 이동할 수 있다. 따라서, 이 경우, 발광소자 구동 효율을 더욱 높일 수 있다.
또한, 버퍼층(134) 상부에는 격자 매칭을 보다 용이하게 하기 위하여 비도핑 질화물층(135)이 더 형성될 수 있다. 이 경우, 제1도전형 질화물층(131)은 비도핑 질화물층(135) 상부에 형성된다. 비도핑 질화물층(135)은 비도핑 실리콘 기판을 이용할 경우에 적용하는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 발광소자 제조 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 도시된 질화물계 발광소자 제조 방법은 격자 완충층 형성 단계(S210) 및 발광 구조체 형성 단계(S220)를 포함한다.
격자 완충층 형성 단계(S210)에서는 실리콘 기판, 사파이어 기판 등의 성장 기판 상에, Wurtzite 격자 구조를 갖는 물질의 파우더로 격자완충층을 형성한다.
이때, 상기 격자완충층은 ZnO 파우더로 형성될 수 있다.
이때, ZnO 파우더는 실리콘 또는 사파이어 기판, 보다 바람직하게는 성장 기판과 동일한 재질의 기판 상에 ZnO를 증착하는 단계와, 상기 ZnO가 증착된 기판을 분쇄하여 파우더화하는 단계를 통하여 제조된 것을 이용할 수 있다. 증착은 MOCVD 방법 혹은 스퍼터 방법 등이 이용될 수 있다. 이 경우, ZnO 파우더에는 순수한 ZnO 성분 뿐만 아니라 기판 성분도 포함되므로, 성장 기판에 대한 ZnO 파우더의 부착력을 향상시킬 수 있다.
ZnO 파우더를 이용한 격자완충층은 다음과 같은 방법으로 형성될 수 있었다.
우선, 스핀코터 등을 이용하여 성장 기판 위에 ZnO 파우더를 올려놓는다. 이후, CVD 챔버와 같은 장치 내부에서 성장 기판을 질소 가스 분위기에서 대략 500~800℃의 온도로 가열하여, ZnO 파우더가 부착되도록 한다. 가열온도가 너무 높을 경우, ZnO 파우더가 식각될 수 있으므로, 800℃ 이하의 온도에서 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 성장 기판은 약간의 식각이 이루어지면서 표면에 요철이 형성될 수 있다. 성장 기판의 표면 요철은 전술한 바와 같이 파우더의 부착 혹은 고정을 용이하게 한다.
또한, ZnO 파우더를 이용한 격자완충층은, 상기 ZnO 파우더 함유 용액을 이용하여 성장 기판 상에 스핀코팅한 후 건조하는 방법으로 형성될 수 있다. 이때, ZnO 파우더 함유 용액은 아세톤, 메탄올, 에틸렌 글리콜 등 다양한 종류의 용매를 이용할 수 있다.
상기 제시된 ZnO 파우더를 이용한 격자완충층 형성 방법들은 어느 하나의 방법이 선택적으로 적용될 수 있으며, 2가지 방법 모두 적용될 수 있다. 예를 들어, ZnO 파우더를 함유하는 용액을 이용하여 성장 기판 위에 스핀코팅한 후 건조하고, 이후 챔버 내에서 성장 기판을 가열할 수 있다.
다음으로, 발광 구조체 형성 단계에서는 격자 완충층 상에 복수의 질화물을 순차적으로 성장시켜 발광 구조체를 형성한다.
발광 구조체는 제1도전형 질화물층, 발광활성층 및 제2도전형 질화물층이 순차적으로 적층되는 형태로 형성된다. 경우에 따라서는 제1도전형 질화물층 형성 전에 버퍼층이나 비도핑 질화물층이 더 형성될 수 있다.
이때, 발광 구조체 형성을 위한 복수의 질화물층 중 격자 완충층 상에 형성되는 첫번째 질화물층(예를 들어, 버퍼층)은 헬륨(He) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 불활성 가스 분위기에서 형성되는 것이 바람직하다. 상기 층을 수소 가스 분위기에서 형성하면, 수소 가스에 의하여 ZnO 파우더가 식각되어, 버퍼층이 제대로 형성되지 못하기 때문이다.
그리고, 나머지 질화물층들은 결정 품질의 향상을 위하여 수소 가스 분위기에서 실시되는 것이 바람직하다. 이 경우, 수소 가스 분위기에 의하여도 이미 첫번째 질화물층이 형성되어 있으므로, 첫번째 질화물층 상에 다른 질화물층의 형성시 ZnO 파우더의 식각의 영향을 받지 않는다.
또한, 첫번째 질화물층을 제외하고는 수소 분위기에서 질화물들을 형성하는 경우, 도 3에 나타낸 예와 같이, ZnO 파우더가 일부 또는 전부 식각되어 성장 기판과 첫번째 질화물층 사이에는 에어 홀(air hole)이 형성된다. 이러한 에어 홀은 난반사층의 역할을 하여, 질화물계 발광소자의 휘도 상승에 기여한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 질화물계 발광소자 제조 방법은 ZnO 파우더와 같이 Wurtzite 격자 구조를 갖는 물질의 파우더를 이용하여, 성장 기판 상에 격자 완충층을 형성한 상태에서 질화물을 성장시킨다. 따라서, GaN과 같은 질화물 성장시에 격자 미스매칭으로 발생하는 선결함 발생을 감소시킬 수 있다. 따라서, 제조되는 질화물계 발광소자의 결정성 및 휘도를 향상시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 성장 기판;
    상기 성장 기판 상에 형성되는 격자 완충층; 및
    상기 격자 완충층 상에 형성되며, 복수의 질화물층이 적층되어 있는 발광 구조체;를 포함하고,
    상기 격자 완충층은 Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 격자 완충층은
    ZnO 파우더로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 ZnO 파우더는
    평균 입경이 10nm ~ 1㎛ 인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 성장 기판은
    실리콘 기판 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 성장 기판은
    표면에 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광 구조체는
    상기 격자 완충층 상에 형성되는 n-타입 질화물층;
    상기 n-타입 질화물층 상에 형성되는 발광 활성층; 및
    상기 발광 활성층 상에 형성되는 p-타입 질화물층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 성장 기판은
    n-타입 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  8. 제6항에 있어서
    상기 발광 소자는
    상기 격자 완충층과 상기 n-타입 질화물층 사이에, 질화물로 형성되는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  9. 제8항에 있어서
    상기 버퍼층은
    AlN, ZrN 및 GaN 중에서 선택되는 1종 이상의 질화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  10. 제8항에 있어서
    상기 버퍼층은
    n-타입 질화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  11. 제8항에 있어서
    상기 발광 구조체는
    상기 버퍼층과 상기 n-타입 질화물층 사이에 형성되는 비도핑 질화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  12. (a) 성장 기판 상에, Wurtzite 구조를 갖는 물질의 파우더를 이용하여 격자 완충층을 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 격자 완충층 상에, 복수의 질화물을 순차적으로 성장시켜 발광 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 격자 완충층은
    ZnO 파우더로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 ZnO 파우더는
    실리콘 또는 사파이어 기판 상에 ZnO를 증착하는 단계와, 상기 ZnO가 증착된 기판을 분쇄하여 파우더화하는 단계를 통하여 제조된 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 (b) 단계는
    (b1) 불활성 가스 분위기에서, 상기 ZnO 파우더로 형성된 격자 완충층 상에 첫번째 질화물층을 형성하는 단계; 및
    (b2) 수소 가스 분위기에서, 상기 첫번째 질화물층 상에 나머지 질화물층들을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 (b2) 단계에서, 상기 ZnO 파우더의 일부 또는 전부가 식각되어 상기 성장 기판과 첫번째 질화물층 사이에 에어 홀(air hole)을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제조 방법.
  16. 실리콘 또는 사파이어 재질의 성장 기판 상에, ZnO 파우더를 이용하여 격자 완충층을 형성하고, 불활성 가스 분위기에서 상기 격자 완충층 상에 발광구조체에 포함되는 첫번째 질화물층을 형성한 후, 수소 가스 분위기에서 상기 첫번째 질화물층 상에 발광구조체에 포함되는 나머지 질화물층들을 형성하여 제조되며,
    상기 나머지 질화물층들이 형성되면서 상기 ZnO 파우더의 일부 또는 전부가 식각되어 상기 성장 기판과 상기 첫번째 질화물층 사이에 에어 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 ZnO 파우더는
    실리콘 또는 사파이어 기판 상에 ZnO를 증착한 후, 상기 ZnO가 증착된 기판을 분쇄하여 파우더화하여 제조된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 첫번째 질화물층은 불활성 가스 분위기에서 형성되고,
    상기 나머지 질화물층들은 수소 가스 분위기에서 형성되어,
    상기 나머지 질화물층 형성시에, 상기 ZnO 파우더의 일부 또는 전부가 수소 가스에 의하여 식각되어 상기 성장 기판과 첫번째 질화물층 사이에 에어 홀(air hole)을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 성장 기판은
    표면에 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 첫번째 질화물층은 버퍼층이고,
    상기 나머지 질화물층은 n-타입 질화물층, 발광 활성층 및 p-타입 질화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자.
PCT/KR2011/004061 2011-02-28 2011-06-03 Wurtzite 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법 WO2012118251A1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0018229 2011-02-28
KR1020110018229A KR101042562B1 (ko) 2011-02-28 2011-02-28 Ｗｕｒｔｚｉｔｅ 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012118251A1 true WO2012118251A1 (ko) 2012-09-07

Family

ID=44405767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2011/004061 WO2012118251A1 (ko) 2011-02-28 2011-06-03 Wurtzite 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120217538A1 (ko)
EP (1) EP2492974A2 (ko)
JP (1) JP2012182422A (ko)
KR (1) KR101042562B1 (ko)
CN (1) CN102651436A (ko)
TW (1) TW201236192A (ko)
WO (1) WO2012118251A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9396933B2 (en) * 2012-04-26 2016-07-19 Applied Materials, Inc. PVD buffer layers for LED fabrication
US9412902B2 (en) * 2014-02-22 2016-08-09 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure
US10199535B2 (en) 2014-02-22 2019-02-05 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure
TWI617047B (zh) * 2017-06-30 2018-03-01 膠囊化基板、製造方法及具該基板的高能隙元件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060108059A (ko) * 2005-04-12 2006-10-17 서울옵토디바이스주식회사 질화물 반도체 발광소자용 버퍼층을 형성하는 방법 및그것에 의해 형성된 버퍼층
KR100715011B1 (ko) * 2005-12-15 2007-05-09 서울옵토디바이스주식회사 버퍼층이 형성된 발광소자와 그의 제조방법
KR20070083147A (ko) * 2006-02-20 2007-08-23 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20080110340A (ko) * 2007-06-15 2008-12-18 삼성전기주식회사 반도체 발광소자 및 그의 제조방법
KR20080114049A (ko) * 2007-06-26 2008-12-31 우리엘에스티 주식회사 반도체 소자의 제조 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100472718C (zh) * 2005-03-22 2009-03-25 住友化学株式会社 自支撑衬底、其制造方法及半导体发光元件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060108059A (ko) * 2005-04-12 2006-10-17 서울옵토디바이스주식회사 질화물 반도체 발광소자용 버퍼층을 형성하는 방법 및그것에 의해 형성된 버퍼층
KR100715011B1 (ko) * 2005-12-15 2007-05-09 서울옵토디바이스주식회사 버퍼층이 형성된 발광소자와 그의 제조방법
KR20070083147A (ko) * 2006-02-20 2007-08-23 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20080110340A (ko) * 2007-06-15 2008-12-18 삼성전기주식회사 반도체 발광소자 및 그의 제조방법
KR20080114049A (ko) * 2007-06-26 2008-12-31 우리엘에스티 주식회사 반도체 소자의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201236192A (en) 2012-09-01
CN102651436A (zh) 2012-08-29
JP2012182422A (ja) 2012-09-20
KR101042562B1 (ko) 2011-06-20
EP2492974A2 (en) 2012-08-29
US20120217538A1 (en) 2012-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012118250A1 (ko) 패턴화된 격자 완충층을 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법
WO2013018937A1 (ko) 반도체 발광소자
WO2011025266A2 (ko) 고전위 밀도의 중간층을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
WO2011025291A2 (ko) 요철 패턴 기판 상의 고품질 비극성／반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2010085042A2 (en) Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same
WO2013165127A1 (ko) 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법
WO2012118251A1 (ko) Wurtzite 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법
WO2012118249A1 (ko) 결정성 및 휘도가 우수한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법
WO2012118246A1 (ko) 실리콘 기판을 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법
WO2012118247A1 (ko) 질화갈륨 파우더 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 질화갈륨 파우더를 이용한 질화물계 발광소자
WO2012118248A1 (ko) 결정성 및 휘도가 우수한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법
WO2015016507A1 (ko) 발광 소자 제조용 템플릿 및 자외선 발광 소자 제조 방법
WO2015102344A1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
WO2014042461A1 (ko) 고휘도 질화물 발광소자 및 그 제조 방법
WO2013147453A1 (ko) 질화갈륨계 발광 다이오드
WO2013022129A1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
WO2021157992A1 (ko) 인-시투 식각층을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그것을 제조하는 방법
WO2023003446A1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광 소자를 제조하는 방법
WO2020022684A1 (ko) 아연 산화물층을 구비하는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
WO2019216684A1 (ko) 반도체 기판의 제조 방법
WO2015178532A1 (ko) 낮은 휨값을 갖는 3d led 및 그 제조 방법
WO2010044527A1 (ko) 금속실리사이드 시드층에 의한 단결정 박막 및 그 제조방법
WO2011152670A2 (en) Method of fabricating light emitting diode
WO2016105098A1 (en) Light emitting device and method of fabricating the same
WO2013066057A1 (en) Light emitting diode and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11859765

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11859765

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1