TW201236192A - Nitride based light emitting device using wurtzite powder and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

201236192 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於製造氮化物基發光器件之技術。 【先前技術】 發光器件係為一種基於器件中的電子與電洞複合而出現的發 光現象之半導體器件。 例如’例如氮化鎵（GaN)發光器件的氮化物基發光器件被 廣泛應用。氮化物基發光器件由於其高帶隙能量，可以實現多種 顏色。此外’氮化物基發光器件展現出良好之熱穩定性。 可以根據其中η電極及p電極的佈置將氮化物基發光器件劃 分為橫向型及垂直型。橫向型結構通常具有η電極及ρ電極之頂_ 頂（top-top)佈置，而垂直型結構通常具有η電極及ρ電極的頂· 底（top-bottom)佈置。 在現有技術中，在製造氮化物基發光器件時，通常使用藍寶 石基板作為生長基板。 然而，藍寶石基板具有負的熱特性（negativethermai characteristics)。因此，當使用藍寶石基板作為生長基板時，會發 生其中基板在高溫下的氮化物生長期間彎曲之晶片彎曲。 此外，如果使用藍寶石基板作為生長基板，則由於其絕緣特 性，難以製造出垂直型發光器件。 另一方面，生長基板相比較於藍寶石基板便宜更多且具有優 201236192 良之熱及電特性。然而，在氮化物基發光器件的製造中，不經常 採用生長基板作為生長基板。這是因為，當在生長基板上生長氮 化物層時，由於生長基板與氮化物層之間大的晶格常數差，而在 生長氮化物中產生許多位錯。此種位錯對於氮化物基發光器件之 電特性具有不利之影響。 【發明内容】 因此，鑒於上述問題，本發明之一個技術方案在於提供一種 氮化物基發光n件及魏造方法，其可以_抑制在生長基板上 的氮化物層生長_德錯的發生，肋提高結晶度及亮度。 根據本發明之-健術方案，氮化物基發絲件包含有：一 生長基板’ $成於生長基板上的晶格緩衝層；以及—發光結構， 其形成於晶格緩衝層上且其中具有層疊的多層氮化物層。這裏， 晶格緩衝層係由具有纖鋅礦晶格結構的材料之粉末形成。 晶格緩衝層可以由氧化鋅（Zn〇)粉末形成。 根據本發_另-個技術方案，—種製造氮化物基發光器件 的方法包含：在生長紐上，姻具有_礦晶格結構的材料之 粉末形成-晶格緩衝層；以及透過在晶格緩衝層上依序生長多層 氮化物層用以形成一發光結構。 【實施方式】 _參考關來詳細描述本翻之示例性實施例 應該理解 當提及諸如層、膜、區或者基_ —個元件位於 201236192 元件之上時’其可以直接位於另—元件之上或者還可存在有 插入70件。相比較而言’ #提及—航件直接位於另―元件上時， 則不存在插入元件。 第1圖」係為根據本發明—示讎實施例之—氮化物基發 光器件之剖視圖。 請參閱「第1圖」，氮化物紐光器件包含有—生長基板11〇、 一晶格緩衝層12G以及-發光結構13〇。 在本實施攸巾’生長絲11G可為钱聽紐光器件之 製造中廣泛用作生長基板的藍寶石基板。另外，在本實施例之中， 生長基板110可叫例如單晶雜板、彡晶絲板等之珍基板。 通常，當在生長基板上生長氮化物層時，由於生長基板與氮 化物層之間的晶格失配而產生許多健。触錯導致氮化物基發 光器件之發光效率降低。 因此’根據本發明，首先將晶格緩衝層12〇生長於生長基板 上，然後在其上生長氮化物層，用以最小化此種晶格失配。 晶格緩衝層120形成於生長基板110上。晶格緩衝層12〇可 由緩解與將要在其上生長的氮化物層的晶格失配之材料形成，由 此抑制在氮化物層生長期間的位錯發生。結果，能夠提高在生長 基板上生長的氮化物層之結晶度。 例如’當使用矽基板作為生長基板時，由於矽基板與氮化物 層之間大的晶格常數差，在氮化物層於矽基板之上的生長期間， 201236192 位元錯密度增尚至很大程度，由此導致發光效率之降低。然而， 當在矽層上形成晶格緩衝層，然後在晶格緩衝層上形成氮化物層 夺會緩解氣化物層與基板之間的晶格失配，由此降低由於氮化 物層生長期間的晶格失配導致之位錯密度。 晶袼緩衝層120可以由具有纖鋅礦晶格結構之材料的粉末形 成。 更佳地，晶格緩衝層可用氧化鋅（Zn〇)粉末形成。 例如，廣泛用於製造氮化物基發光器件的氮化鎵（GaN)具 有纖鋅礦晶格結構以及a=3.189A及C=5.185A之晶格常數。 氧化鋅（ZnQ)也具有像氣化鎵（(jaN)—樣的纖鋅礦晶格結 構。此外，氧化鋅（Zn0)具有a=3 249A及㈣2〇7A的晶格常數， 以使得氧化鋅（ZnO)具有與氮化鎵（GaN)非常她之晶格結構。 因此，當在氧化鋅（Zn0)粉末上生長氮化嫁（GaN)時，在 其間會發生晶格匹配，由此最小化位錯之發生。此外，當在氧化 鋅（ZnO)粉末上生長氮化鎵（_)時，氣化錄首先在 垂直方向上生長’然後在水準方向上生長，由此能夠獲得平坦的 氮化鎵（GaN)層之生長。 可以透過旋塗或類似方法，用以將氧化辞（Zn〇)粉末貼附或 固定於生長基板110。 為了使得氧化鋅（Zn0)粉末可以容易地貼附或固定於生長基 板110，生長基板110可以具有形成有突歧_的不平坦表面。 6 201236192 可將表面柯托贿戦為狀或 刻等f方法以形成生長基板训的表面之不平坦部Γ (Zn=f板nG料砸，瓣祕將氧化鋅 ()或固定至生長基板1H)上的凹陷。 用於晶格緩_ 12G之氧鱗（Zn〇)聽可叫有1〇奈米 (啦）〜丨微米（μη〇之平均顆粒尺寸。粉末的平均齡尺寸越 小’抑制氮化物生長期間之位錯生成的效果越好。如果氧化鋅 (〇)泰末之平均顆粒尺寸超出i微米，則抑制位錯生成 之效果不_分，導致所製造的氮化物基發絲件之低發光效 率。如果氧化鋅（Zn〇)粉末的平均顆粒尺寸小於1G奈米（nm)， 則會過度地增加氧化鋅（ZnQ)粉末的製造成本，由此導致氮化物 基發光器件之製造成本提高。 接著，在晶格緩衝層120上形成發光結構130。 透過一層接一層地疊置多層氮化物層以形成發光結構13〇。 更具體地，發光結構130包含有一第一導電型氮化物層131、 一發光活性層132以及一第二導電型氮化物層133。 第一導電型氮化物層131形成於晶格緩衝層120之上。 第一導電型氮化物層131可以根據其中摻雜的雜質，展現出n 型或Ρ型半導體之特性。例如，如果透過在氮化物層摻雜例如石夕 (Si)的η型雜質以形成第一導電型氮化物層131，則第一導電型 氮化物層131展現出η型半導體之特性。另一方面，如果透過在 201236192 氮化物層摻雜諸如鎂（Mg)的p型雜質以形成第一導電型氮化物 層131，則第—導電型氮化物層131展現出p型半導體之特性。 將發光活性層132形成於第一導電型氮化物層131之上。發 光活性層132可具有乡量子拼（MQW)結構。例如，發光活性層 132 了以具有包含有相互交替疊層的InxGal-xN (〇.1<χ<〇.3)及氮 化鎵（GaN)之結構。 在發光活性層132中，穿越η型氮化物層之電子與穿越卩型 氮化物層之電洞複合以產生光線。 第二導電型氮化物層133形成於發光活性層132上，並且展 現出與第一導電型氮化物層131相反之電特性。 例如，如果第一導電型氮化物層131為η型氮化鎵（GaN) 層，則第二導電型氮化物層133為p型氮化鎵（GaN)層。n型氮 化鎵（GaN)層可透過將矽（si)摻雜至氮化鎵（GaN)層中以形 成’而P型氮化鎵（GaN )層可透過將鎂（Mg )摻雜至氮化鎵（GaN ) 層中以形成。 运樣，如果第一導電型氮化物層131為11型氮化鎵（GaN) 層，而第二導電型氮化物層133為p型氮化鎵（GaN)層，則可 以採用η型矽基板作為生長基板110。當採用n型矽基板時，可以 將η型半導體層形成於發光活性層132下方之各層。此外，當採 用η型矽基板時，生長基板可以用作η電極。因此，即使在製造 垂直型發綠件時，也能夠省去用以去除生長基板之剝離過程以 201236192 及形成η電極之過程。 因此’當採用η型矽基板時，不僅能夠容易地製造橫向性發 光器件’還能夠容易地製造具有相對較寬的發光面積以容易實現 高亮度發光之垂直型發光器件。 此外，當使用η型矽基板作為生長基板時，生長基板在高溫 下的氮化物生長期間經受輕微之彎曲，由此能夠實現氮化物層之 均勻生長。 發光結構130還可以包含有晶格緩衝層120上的一緩衝層 134。此種情況下，第一導電型氮化物層ι31形成於緩衝層ι34之 上。 緩衝層134用於緩解在氮化物層生長期間生長基板上產生之 應力’緩衝層134係為異質材料（hetero-material)。緩衝層134可 以由例如氮化鋁（A1N)、氮化錘（ZrN)、氮化鎵（GaN)等的氮 化物材料形成。 如果第一導電型氮化物層131係為η型氮化物層，則缓衝層 134也可為η型緩衝層。用於緩衝層134之氮化物通常具有高的電 阻。然而，如果緩衝層134係為η型緩衝層，則緩衝層具有低的 電阻因此’能夠提高氣化物基發光器件之工作效率。 同時’氧化鋅（ΖηΟ)展現出η型層之電特性。當使用η型石夕 基板作為生長基板11〇 ’並且緩衝層134及第一導電型氮化物層 131係為η型層時，注入至矽基板中之電子可以容易地到達發光活 201236192 性層132，而不受勢壘之影響。因此，能夠進一步提高發光器件之 工作效率。 此外，可以在緩衝層丨34上形成未摻雜的氮化物層135以進 步促進晶格匹配。此種情況下，在未摻雜的氮化物層135上形 成第一導電型氮化物層13p未摻雜的氮化物層135較佳地使用未 摻雜之基板。 「第2圖」係為根據本發明之一個示例性實施例之氮化物基 發光器件之製造方法之流程圖。 請參閱「第2®」，氮化物基發絲件之製造方法包含在作業 S2l〇中形成晶格緩衝層以及在作業S22〇中形成發光結構。 在作業S210中，利用具有纖鋅礦晶格結構的材料之粉末，在 例如石夕基板或藍寶;5基板的生長基板上形成晶格緩衝層。 這裏，晶格緩衝層可以由氧化鋅（Zn〇)粉末形成。 上 這裏，透過將氧化鋅（Zn〇)沉積於例如石夕基板或藍寶石基板 ，更佳地’沉積於由與生長基板相同的材料製成之基板上並 將沉積氧化鋅（Zn〇)的基板粉碎成粉末，崎備氧化鋅（Zn〇) 粉末。氧化鋅（ZnO)之沉積可以透過有機金屬化學氣相沉積 ⑽CVD)或者_以執行。此種情況下，由於氧化鋅’⑽） 不僅含有純氧辑（ΖηΟ)組分，還含有基_时，所以可以改 善氧化鋅（ZnO)粉末與生長基板之_性。 201236192 首先，利用錄器等將氧化鋅（Zn〇)粉末塗敷至生長基板上。 然後’在例如化學氣相沉積（CVD)腔室的腔室中，將生長基板 在氮氣環境下加熱至大約·__GC，以便將氧化鋅（Zn〇)粉末 貼附至生長基板。由於氧化鋅（ZnO)粉末在過高的加熱溫度下會 被钱刻，所以有利地’在_〇c或更低的溫度下執行該過程。此 種情況下，可靖生長基練微働_彡成不平坦表面。如上所 述，生長基板的表面不平坦促進粉末貼附或固定於其上。 或者，利用包含有氧化鋅（Zn0)粉末的溶液，透過將溶液旋 塗至生長基板上，並且乾燥生長基板以形成晶格緩衝層。這裏， 可以利用例如丙酮、曱醇、乙二醇等各種溶劑以製備包含有氧化 鋅（ZnO)粉末之溶液。 了以選擇性地一起使用上述方法之任意一種或兩種以形成晶 格緩衝層。例如，透過在生長基板上旋塗包含有氧化鋅（Zn〇)粉 末之溶液並乾燥生長基板，隨後在腔室中加熱生長基板以形成晶 格緩衝層。 接著，在形成發光結構之作業中，透過在晶格緩衝層上依序 生長多層氮化物層以形成發光結構。 透過一層接一層地依序層疊第一導電型氮化物層、發光活性 層以及第二導電型氮化物層用以形成發光結構。在一些實施例之 中，還可在形成第一導電型氮化物層之前形成緩衝層或未摻雜之 氮化物層。 201236192 這裏，在用於發光結構的多層氮化物層之中，晶格緩衝層上 的第-氮化物層（例如’緩衝層）可以在例如氦㈤氣、氯^ 乳等惰性氣氛下碱。當第—氮化物層在氫氣氛下形成時，氧化 鋅（ZnO)粉末倾氫氣_，以至魏触分地形成緩衝層。 此外’額外化物層可叫氫氣環境下職以具有改善的 結晶品質。此種情況下，由於第—氮化物層已經形成，則即使在 氫氣環境下在第-氮化物層上形成額外的氮化物層，額外的氣化 物層也不受氧化鋅（ZnO)粉末姓刻之影響。 此外，除了第一氮化物層之外，當氮化物層在氫氣環境下形 成時，氧化鋅（ZnO)粉末之一部份或全部被蝕刻，以在生長基板 與第一氮化物層之間形成氣孔，如「第3圖」中表示之實例那樣。 此種氣孔用作不規則之反射層，由此提高氮化物基發光器件之亮 度。 如上所述，在根據本發明之實施例的氮化物基發光器件之製 造方法中，利用由例如氧化鋅（ZnO)粉末的具有纖鋅礦晶格結構 的材料之粉末，在生長基板上形成晶格緩衝層，然後在其上生長 例如氮化鎵（GaN)的氮化物層。結果，能夠抑制在氮化物層生 長期間’由於氮化物層與生長基板之間的晶格失配所導致的位錯 發生。因此，根據本發明之實施例之方法可以提高由此製造的氮 化物基發光器件之結晶度及亮度。 這樣，在根據本發明實施例之氮化物基發光器件之製造方法 12 201236192 中，將，例如氧化鋅（Zn0)粉末的具有纖鋅礦晶格結構的材料之 粉末塗敷於生長基板上，然後在其上生長例如氮化鎵（GaN)的 氮化物層。結果能騎制在氮錄層生長觸，纟於氮化物層與 生長基板之間的晶格常數差所導致之位錯發生。 此外，根據本發明實施例之氮化物基發光器件之製造方法可 以採用η型矽基板作為生長基板。此種情況下，能夠省去在垂直 型發光器件之製造中的用於去除生長基板之剝離過程。 雖然本文中已經描述了一些實施例，但是，本領域技術人員 應該理解，這些實施例僅是以示例的方式給出，在不脫離本發明 的精神和範圍的情況下，可以進行各種改進、變型和修改。因此， 本發明的範圍應當僅由所附專利申請範圍及其等同物來限定。 【圖式簡單說明】 第1圖係為根據本發明一示例性實施例之一氮化物基發光器 件之剖視圖； 第2圖係為根據本發明之一個示例性實施例之氮化物基發光 器件之製造方法之流程圖；以及 第3圖係為在氮化物層生長期間透過蝕刻氧化鋅（Ζη〇)層 形成的氣孔之掃描電子顯微鏡（SEM)圖像。 【主要元件符號說明】 110 生長基板 120 晶格緩衝層 13 201236192 130 發光結構 131 第一導電型氮化物層 132 發光活性層 133 第二導電型氮化物層 134 緩衝層 135 未摻雜的氮化物層 】4

Claims (1)

1. 201236192 七、申請專利範圍： 1. 一種氮化物基發光器件，係包含有： 一生長基板； 一晶格緩衝層，係形成於該生長基板之上；以及 發光結構’係形成於該晶格緩衝層之上，並且該發光結 構中具有層疊之多層氮化物層， 其中該晶格緩衝層係由具有纖鋅礦晶格結構的材料之粉 末形成。 2. 如請求項第1項所述之氮化物基發光器件，其中該晶格緩衝層 係由氧化鋅（ZnO)粉末形成。 3. 如請求項第2項所述之氮化物基發光器件，其中該氧化辞 (Zn〇)粉末具有1〇奈米（nm)至！微米（μιη)之平均顆粒 尺寸。 4·如請求項第1摘述之氮化物基發光ϋ件，其巾該生長基板係 為石夕基板或藍寶石基板。 5. 如請求項第1項所述之氮化物基發光器件，其中，該生長基板 具有不平坦表面。 6. 如請求項第1項所述之氮化物基發光器件，其中該發光結構包 含有： 形成於該晶格緩衝層上的η型氮化物層； 一形成於該η型氮化物層上的發光活性層；以及 15 201236192 一形成於該發光活性層上的P型氮化物層。 7_如請求項第6項所述之氮化物基發光器件，其中該生長基板係 為η型矽基板。 8. 如請求項第6項所述之氮化物基發光器件，其中該發光器件更 包含有一緩衝層，該緩衝層在該晶格緩衝層與該η型氮化物層 之間由氮化物形成。 9. 如請求項第8項所述之氮化物基發光器件，其中該緩衝層係由 選自氮化鋁（Α1Ν)、氮化锆（ZrN)以及氮化鎵（GaN)中的 至少一種氮化物形成。 10·如請求項第8項所述之氮化物基發光器件，其中該緩衝層係由 η型氮化物形成。 11.如請求項第8項所述之氮化物基發光器件，其中該發光結構更 包含有一位於該緩衝層與該η型氮化物層之間的未摻雜的氮化 物層。 12· —種氮化物基發光器件之製造方法，係包含： 利用具有纖辞礦晶格結構的材料之粉末，在生長基板上形 成一晶格緩衝層；以及 透過在該晶格緩衝層上依序形成多層氮化物層，用以形成 一發光結構。 13.如請求項第12摘述之氮化物基發絲件之製造方法，其中 該晶格緩衝層係由氧化鋅（Ζη〇)粉末形成。 201236192 14. 如請求項第13項所述之氮化物基發光器件之製造方法，其中 透過在石夕基板或藍寶石基板上沉積氧化鋅（ZnO)，並且將沉積 有氧化鋅（Zn〇)的基板粉碎成粉末用以製備該氧化鋅（zn〇) 粉末。 15. 如請求項第13項所述之氮化物基發光器件之製造方法，其中 形成該發光結構包含： 在惰性氣環境下，在由該氧化辞（Zn〇)粉末形成的該晶 格緩衝層上形成第一氮化物層；以及 在氫氣環境下，在該第一氮化物層上形成額外的多層氮化 物層， 在形成該額外的多層氮化物層時，該氧化辞（Zn〇)粉末 之。卩知或全部被钱刻，以在該生長基板與該第一氮化物層之 間形成氣孔。 M·-種氮化物基發光餅，係透過下述方法製成：利用氧化辞 (Zn〇)粉末在藍寶石或矽的生長基板上形成一晶格緩衝層； 在h丨生氣環境下，在該晶格緩衝層上形成一第一氮化物層；以 及在氫氣環境下，在該第一氮化物層上形成額外的多層氮化物 層，該第一氮化物層於該額外的多層氮化物層構成一發光結 構，在形成該額外的多層氮化物層時，該氧化鋅（Zn0)粉末 的σ卩份或全部被蝕刻，用以在生長基板與該第一氮化物層之 間形成氣孔。 17