WO2012108075A1 - スパッタリングターゲット組立体 - Google Patents

スパッタリングターゲット組立体 Download PDF

Info

Publication number
WO2012108075A1
WO2012108075A1 PCT/JP2011/071418 JP2011071418W WO2012108075A1 WO 2012108075 A1 WO2012108075 A1 WO 2012108075A1 JP 2011071418 W JP2011071418 W JP 2011071418W WO 2012108075 A1 WO2012108075 A1 WO 2012108075A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
target
sputtering target
pieces
assembly
backing plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/071418
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
高橋　一成
鈴木　了
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority to KR1020127027042A priority Critical patent/KR101311664B1/ko
Priority to CN201180035219.XA priority patent/CN103380228B/zh
Priority to JP2012556750A priority patent/JP5583794B2/ja
Publication of WO2012108075A1 publication Critical patent/WO2012108075A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3423—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target assembly, particularly a sputtering target assembly for FPD, for reducing defects due to generation of particles caused by piece bonding portions.
  • Thin films such as ITO, ZnO-based, In 2 O 3 —ZnO-based, and MgO-based thin films for forming transparent conductive films are widely used as transparent electrodes in display devices such as liquid crystal displays, touch panels, and EL displays.
  • an oxide thin film for forming a transparent conductive film such as ITO is formed by sputtering.
  • an in-line type sputtering apparatus has been used for forming a transparent conductive film for a large FPD (flat panel display).
  • FPD flat panel display
  • target plates having a width of 150 to 300 mm and a length of 1500 mm or more are used.
  • Several sheets are arranged and a large glass substrate moves in front of the target to form a film.
  • a single target-backing plate assembly is obtained by laminating target pieces that are divided into several lengths on the backing plate. Generally, a plurality of these are arranged in the width direction to increase the size.
  • this target-backing plate assembly can be increased in size by arranging in the width direction, but the target piece divided into several in the length direction is between the target pieces of the adjacent target-backing plate assembly.
  • the dividing lines will be aligned. There is a gap between the target pieces in this dividing line, and the height of each target piece is slightly different, so there is a step at the dividing line, so nodules are generated during sputtering from this dividing line. It is easy to cause a portion where a large amount of dust called particles are attached on the film to form a streak, resulting in a decrease in yield.
  • target pieces of the same dimensions are manufactured and bonded together on a backing plate.
  • the target pieces are neatly aligned and look good at first glance, Since all the dividing lines between the two pieces are aligned, nodules are concentrated on the aligned target piece portions. As a result, the adhesion of dust called particles on the film is concentrated on a specific position, resulting in a decrease in yield. .
  • problems have been overlooked for a long time without becoming obvious because the focus was on improving the productivity of the target itself and the production volume of large FPDs was still small. As the production amount of FPD increases, such film formation defects frequently occur, and there have been cases where the productivity actually decreases.
  • a large rectangular target plate is composed of a target assembly composed of a large number of tiles, and each tile is configured to merge with a gap of three or less tiles, Preventing tile misalignment during thermal cycling is described.
  • it may be rectangular, square, hexagonal or fan-shaped.
  • This document 1 aims to arrange a large number of tiles closely so that they do not shift, and no measures are taken to prevent generation of nodules during sputtering and particles on the film. 6, FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9, and FIG. 10 showing specific examples of the target assembly of this document 1, at least every other tile, and the tile joints are aligned. .
  • Such a target assembly results in nodule generation during sputtering and an increase in particles on the film.
  • Patent Document 2 describes a disk-shaped divided target, which is composed of a circular divided piece at the center and four fan-shaped divided pieces (having a lack of the central portion) in the periphery. Proposals have been made in which a step is provided at the joint portion of each of the divided pieces for joining. Such a disk-shaped split target is not suitable for manufacturing a target assembly for a large FPD (flat panel display). In addition, every other split target of Document 2 has tile joints aligned. As a result, the target having such a structure has problems that cause nodules during sputtering and increase the number of particles on the film.
  • Patent Document 3 describes a disk-shaped divided target, which is composed of a circular divided piece at the center and two fan-shaped divided pieces (having a lack of the central portion) at the periphery. Proposals have been made to cut the joints of the divided pieces and join them obliquely.
  • Such a disc-shaped split target is not suitable for manufacturing a target assembly for a large FPD (flat panel display), as in the case of the above-mentioned document 2.
  • every other split target of Document 3 has tile joints aligned.
  • the target having such a structure has problems that cause nodules during sputtering and increase the number of particles on the film.
  • JP 2006-22404 A Japanese Patent Laid-Open No. 5-263234 JP-A-5-17867
  • the sputtering target is composed of a plurality of rectangular pieces, which are attached to a backing plate, and the shape and arrangement of the plurality of pieces are determined.
  • a sputtering target assembly consisting of a sputtering target-backing plate assembly, particularly an FPD, can be produced by devising a device to produce a large sputtering target-backing plate assembly and reduce defects caused by particle generation caused by the piece bonding part.
  • the present inventors have obtained knowledge that a sputtering target assembly can be provided.
  • the present invention 1) As a rectangular target plate having a width of 100 mm or more and a length of 1000 mm or more, it is divided into three or more target pieces A so that the dividing line is in the width direction.
  • a sputtering target-backing plate assembly B is formed by pasting on a backing plate, and a sputtering target assembly in which three or more of the assemblies B are aligned in the width direction.
  • Sputtering target characterized in that when arranged as an assembly, the dividing line between the three target pieces existing in the joined body B is not located at the same position as the dividing line between the adjacent divided target pieces.
  • the present invention also provides: In one sputtering target-backing plate assembly B, there is provided the sputtering target assembly according to 1) above, wherein the difference in length of each divided target piece A is 50 mm or more.
  • the present invention also provides: In one sputtering target-backing plate assembly B, there is provided a sputtering target assembly as described in 1) above, wherein the difference in length of each divided target piece A is 100 mm or more.
  • the present invention also provides:
  • the dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel, and the parallel spacing between the adjacent dividing lines is The sputtering target assembly according to any one of 1) to 3) above, wherein the sputtering target assembly is 50 mm or more.
  • the present invention also provides: The dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel, and the parallel interval between the adjacent dividing lines is 100 mm.
  • the sputtering target assembly according to any one of 1) to 3) above is provided.
  • the present invention provides: Three or more rectangular target pieces A used for one sputtering target-backing plate assembly B have the same dimensions as three or more rectangular target pieces A of the other sputtering target-backing plate assembly B
  • the sputtering target assembly according to any one of 1) to 5) above, comprising the piece A.
  • the sputtering target of the present invention adjusted in this way is composed of a plurality of rectangular pieces, affixed to a backing plate, and devised the shape and arrangement of these pieces to provide a large sputtering target.
  • -Sputtering target capable of producing a backing plate assembly and reducing defects due to particle generation caused by piece bonding portions-To provide a sputtering target assembly comprising a backing plate assembly, particularly an FPD sputtering target assembly This has the great advantage of improving the yield of film formation and improving the quality of the product.
  • FIG. 3 is a diagram showing a state of generation of particles when a film is formed using a sputtering target assembly composed of a sputtering target-backing plate assembly of Example 1.
  • FIG. 4 is a diagram showing a state of generation of particles when a film is formed using a sputtering target assembly composed of a sputtering target-backing plate assembly of Comparative Example 1. It is a figure which shows the example which joined three target pieces with the same width
  • the sputtering target assembly of the present invention divides a rectangular target whose one target is 100 mm or more in width and 1000 mm or more in length into three or more target pieces A so that the dividing line is in the width direction, A sputtering target assembly in which the divided target pieces A are laminated on a backing plate in the length direction to form a sputtering target-backing plate assembly B, and three or more assemblies B are aligned in the width direction.
  • the dividing line between the three target pieces existing in the joined body B is not located at the same position as the dividing line between the adjacent divided target pieces.
  • Sputtering target assembly to be installed can also be referred to as a target assembly characterized by a sequence structure of target (target piece).
  • target piece This is suitable as a sputtering target for FPD and satisfies the main requirements of a large-sized sputtering target assembly that can reduce the generation of particles and improve the yield.
  • FIG. 3 shows a representative example in which three target pieces A1, A2, and A3 having the same width and different lengths are mounted on a backing plate.
  • a dividing line exists between the target pieces A1, A2, and A3. This dividing line is a gap that can be created because the target pieces are produced separately.
  • the target-backing plate assembly in which the lengths of the target pieces are changed and the dividing lines between the target pieces when the targets are arranged are combined so that they are displaced, It is possible to improve the yield by dispersing particles resulting from the portion.
  • the length difference of each divided target piece A can be set to 50 mm or more, and further to 100 mm or more.
  • the sputtering target assembly of the present invention can achieve this. This is because the target pieces are combined so that the joining positions of the target pieces are shifted as much as possible.
  • the dividing line between the target pieces of one sputtering target-backing plate assembly B and the dividing line between the target pieces of the adjacent sputtering target-backing plate assembly B are parallel. It is desirable that the parallel interval between the adjacent joining positions be 50 mm or more, and more preferably 100 mm or more. This is also because the joining positions of the target pieces are combined as much as possible without being aligned.
  • the divided target used for three or more rectangular target pieces A can be composed of three or more types of divided targets having the same dimensions. From the viewpoint of target productivity, it can be said that the target piece A having the same shape is desirable. This is because the production of the irregularly shaped target piece causes the production cost to increase.
  • the present invention proposes that there are three or more types as described above, but these are all rectangular and have the advantage of not causing complexity and an increase in manufacturing cost as shown in the above-mentioned patent document. .
  • the target piece A having the same shape has an advantage that only three types are required. As shown in the examples to be described later, three types of rectangular target pieces A, rectangular target pieces A1, A2, and A3 having different dimensions are prepared, and these are arranged on a backing plate and joined together. As an example, an array of target pieces A1, A2, and A3, an array of combinations thereof, an array of target pieces A3, A1, and A2, and an array of combinations of the target pieces A2, A3, and A1 are possible.
  • the dividing lines between the target pieces do not align due to the positional relationship with the adjacent sputtering target-backing plate assembly.
  • the target piece A having the same shape requires at least three kinds, and the manufacturing cost can be reduced.
  • the target pieces are combined as one of the combinations.
  • Example 1 A 200 mm ⁇ 1500 mm target plate is bonded to a backing plate as shown in FIG. 1 by laminating pieces having a length of 300 mm, 500 mm, and 700 mm to produce three types of sputtering target-backing plate assemblies. As shown in the figure on the left side of FIG. 1, the combination of the sputtering target and backing plate assembly is set to X, Y, and Z so that the dividing line between the target pieces is shifted when three sets are arranged. Thus, a sputtering target assembly was obtained. This X, Y, Z set can be repeated as needed.
  • each target is produced by bonding pieces of the same size, so several of these targets are produced.
  • the dividing lines between the target pieces are arranged (aligned) at the same position, and when the film is formed, the particles are concentrated in the vicinity of the position and the product yield is lowered.
  • the present invention can solve this problem, and when the length of the target piece A is changed and the sputtering target-backing plate assembly is arranged as described above, the dividing line between the target pieces is shifted between the targets. In combination, particles resulting from the dividing line between the target pieces can be dispersed and the yield can be improved.
  • FIG. 2 shows the target-backing plate assembly in which target pieces of the same size are arranged on the backing plate and the state of generation of particles. As shown on the right side of FIG. 2, the number of particles in the region corresponding to the dividing line between the target pieces was as high as 28 and 29, and this region could not be used as a product.
  • a bonded body B formed by pasting a plurality of rectangular pieces A on each backing plate to form a joined body B.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

幅１００ｍｍ以上、長さ１０００ｍｍ以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように３個以上のターゲットピースＡに分割すると共に、この分割ターゲットピースＡを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂを構成し、さらにこの接合体Ｂを幅方向に３個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の組立体Ｂをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Ｂに存在する３個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体。ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲットアッセンブリ、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲット組立体を提供することを課題とする。

Description

スパッタリングターゲット組立体
　本発明は、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減するためのスパッタリングターゲット組立体、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲット組立体に関する。
　透明導電膜形成用ＩＴＯ、ＺｎＯ系、Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系、ＭｇＯ系等の薄膜は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、ＥＬディスプレイ等を中心とする表示デバイスの透明電極として広く用いられている。多くの場合ＩＴＯ等の透明導電膜形成用酸化物薄膜はスパッタリングによって形成される。
　近年、大型ＦＰＤ（フラットパネルディスプレー）用の透明導電膜形成にはインライン方式のスパッタリング装置が使用されており、第８世代以降では幅１５０～３００ｍｍ、長さ１５００ｍｍ以上のターゲット板を数枚から十数枚並べて、そのターゲットの前を大型のガラス基板が移動して成膜される。
　この様な大きなターゲットを一枚物のターゲット板として作製することは困難であるため、通常、長さ方向に数分割したターゲットピースをバッキングプレート上で張り合わせて単一のターゲット－バッキングプレート接合体とし、これをさらに複数個、幅方向に整列させて大型化するのが一般的である。
　しかし、このターゲット－バッキングプレート接合体を幅方向に配列することにより大型化することができるが、前記長さ方向に数分割したターゲットピースは、隣接するターゲット－バッキングプレート接合体のターゲットピース間の分割線が整列することになる。この分割線にはターゲットピース同士の隙間があり、各ターゲットピースの高さは、わずかながらも違いがある故に分割線を境とした段差も生じるので、この分割線からスパッタリング中にノジュールが発生し易く、膜上にパーティクルと呼ばれるゴミの多く付着した部分が筋状に発生する原因となり歩留まりが低下する。
　通常、製造のし易さから、同一寸法のターゲットピースを製造し、これをバッキングプレート上で張り合わせるのであるが、この場合、ターゲットピースはきれいに整列していて、一見すると見栄えは良いものの、ピースとピースの間の分割線が全て整列するために、整列したターゲットピース部分にノジュールが集中し、結果として膜上にパーティクルと呼ばれるゴミの付着が特定位置に集中し、歩留まりが低下する問題がある。
　従来は、ターゲット自体の生産性向上に注力していたことと、大型ＦＰＤの生産量が未だ少なかったために、このような問題は、顕在化することなく長い間見落とされていたが、近年、大型ＦＰＤの生産量が増大するにつれ、このような成膜不良が多く生じるようになり、実際に生産性の低下につながる事例が発生するようになっていた。
　従来技術を見ると、下記特許文献１には、長方形の大きなターゲット板を多数のタイルから構成されるターゲット組立体からなり、各タイルは３つ以下のタイルの間隙で合流するように構成され、熱サイクル中のタイルの不整列を防止することが記載されている。この場合、長方形、正方形、六角形、扇形でも良いとされている。
　この文献１では、多数のタイルを密に配置し、それらが位置ずれしないようにすることが目的であり、スパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを防止するための対策は採られていない。この文献１のターゲット組立体の具体例を示す図６、図７、図８、図９、図１０のいずれを見ても、タイルは少なくとも一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このようなターゲット組立体は、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる。
　下記特許文献２には、円盤型の分割ターゲットが記載され、中心は円形の分割片で、周辺に４個の扇形（中心部が欠如した）の分割片から構成されている。このそれぞれの分割片の接合部に段差を設けて接合する提案がなされている。このような円盤型の分割ターゲットは、大型ＦＰＤ（フラットパネルディスプレー）用のターゲット組立体を製造するには不向きである。
　また、文献２の分割ターゲットは一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このような構造を持つターゲットは、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる問題を有している。
　下記特許文献３には、円盤型の分割ターゲットが記載され、中心は円形の分割片で、周辺に２個の扇形（中心部が欠如した）の分割片から構成されている。このそれぞれの分割片の接合部に切り込みを入れて斜めに接合する提案がなされている。このような円盤型の分割ターゲットは、前記文献２と同様に、大型ＦＰＤ（フラットパネルディスプレー）用のターゲット組立体を製造するには不向きである。
　また、文献３の分割ターゲットは一つ置きに、タイルの接合部が整列している。このような構造を持つターゲットは、結果としてスパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因となる問題を有している。
　上記いずれの文献も、一枚のバッキングプレートに配列したもので、分割ターゲットであることは共通しているが、ターゲット－バッキングプレート接合体を幅方向に配列することにより大型化した場合の問題解決には至っておらず、スパッタリング中のノジュール発生や膜上のパーティクルを増加させる原因を減少させる対策は採られていないという問題を有している。
特開２００６－２２４０４号公報 特開平５－２６３２３４号公報 特開平５－１７８６７号公報
　本発明は、ターゲットピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができる大型化したスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲット組立体を提供することを課題とする。
　上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースから構成し、これをバッキングプレートに貼り付け、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、大型のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体を作製し、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲット組立体を提供することができるとの知見を得た。
　このような知見に基づき、本発明は、
　１）幅１００ｍｍ以上、長さ１０００ｍｍ以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように３個以上のターゲットピースＡに分割されており、この分割ターゲットピースＡを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂを構成し、さらにこの接合体Ｂを幅方向に３個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の接合体Ｂをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Ｂに存在する３個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
　２）また、本発明は、
　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂにおいて、各分割ターゲットピースＡの長さの相違が５０ｍｍ以上であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
　３）また、本発明は、
　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂにおいて、各分割ターゲットピースＡの長さの相違が１００ｍｍ以上であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
　４）また、本発明は、
　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する分割線の平行間隔が５０ｍｍ以上であることを特徴とする上記１）～３）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
　５）また、本発明は、
　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線が平行であり、隣接する分割線の平行間隔が１００ｍｍ以上であることを特徴とする上記１）～３）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
　６）さらに、本発明は、
　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂに使用される３個以上の矩形のターゲットピースＡが、他のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂの３個以上の矩形のターゲットピースＡと同一寸法のターゲットピースＡからなることを特徴とする上記１）～５）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体、を提供する。
　このように調整した本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースから構成し、これをバッキングプレートに貼り付け、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、大型のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体を作製し、ピース張り合わせ部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲット組立体を提供することができ、成膜の歩留まりを向上させ、製品の品質を高めることができるという大きな利点を有する。
実施例１のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体を使用して成膜した場合のパーティクルの発生状況を示す図である。 比較例１のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体からなるスパッタリングターゲット組立体を使用した成膜した場合のパーティクルの発生状況を示す図である。 幅が同一であり、長さが相違する３個ターゲットピースをバッキングプレートに接合した例を示す図である。
　本発明のスパッタリングターゲット組立体は、一枚のターゲットが幅１００ｍｍ以上、長さ１０００ｍｍ以上である矩形のターゲットを、分割線が幅方向になるように３個以上のターゲットピースＡに分割すると共に、この分割ターゲットピースＡを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂを構成し、さらにこの組立体Ｂを幅方向に３個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であり、各個の接合体Ｂをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Ｂに存在する３個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように（整列しないように）設置するスパッタリングターゲット組立体であり、ターゲット（ターゲットピース）の配列構造に特徴を有するターゲットアッセンブリと言うこともできる。
　これはＦＰＤ用スパッタリングターゲットとして好適であり、パーティクルの発生が少なく、歩留まりを向上させることができる大型のスパッタリングターゲットアッセンブリの主たる要件を満たすものである。
　図３に、幅が同一であり、長さが相違する３個ターゲットピースＡ１，Ａ２，Ａ３を、バッキングプレート上に取り付けた代表例を示す。それぞれのターゲットピースＡ１，Ａ２，Ａ３の間には分割線が存在する。この分割線は、ターゲットピースが、それぞれ別個に作製されるためにできる隙間である。
　このように、本発明ではターゲットピースの長さを変え、ターゲットを並べた時のターゲットピース間の分割線がずれるように組み合わせたターゲット－バッキングプレート接合体で、ずれるように組み合わせることで、分割線の部分に起因するパーティクルを分散させ歩留まりを向上することが可能となる。
　また、本発明のスパッタリング装置は、一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂにおいて、各分割ターゲットピースＡの長さの相違を５０ｍｍ以上に、さらには１００ｍｍ以上とすることができる。本発明のスパッタリングターゲット組立体は、これを達成することができる。これは、できるだけターゲットピースの接合位置がずれるように組み合わせるためである。
　また、本発明のスパッタリングターゲット組立体は、一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する接合位置の平行間隔を５０ｍｍ以上に、さらには１００ｍｍ以上とすることが望ましい。これもできるだけターゲットピースの接合位置が整列せずに、ずれるように組み合わせるためである。
　さらに、本発明は、３枚以上の矩形のターゲットピースＡに使用される分割ターゲットが、同一寸法の３種以上の分割ターゲットから構成することができる。
　ターゲットの生産性から見ると、同形状のターゲットピースＡであることが望ましいと言える。異形状のターゲットピースの製造は、製造コストを増加させる原因となるからである。本願発明は、上記の通り３種類以上とすることを提案するが、これらは、いずれも矩形であり、上記特許文献に示すような、煩雑さと製造コストの増加を招くことがないという利点を有する。
　また、本発明の場合、同形状のターゲットピースＡは３種類で済む利点を有する。後述する実施例に示すように、矩形のターゲットピースＡを、異なる寸法の矩形のターゲットピースＡ１、Ａ２、Ａ３の３種類を作製し、これらをバッキングプレートに配列して接合した場合、その組み合わせの一として、ターゲットピースＡ１、Ａ２、Ａ３という配列、その組み合わせの二として、ターゲットピースＡ３、Ａ１、Ａ２という配列、その組み合わせの三として、ターゲットピースＡ２、Ａ３、Ａ１という配列が可能である。
　これらの組み合わせは、隣接するスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体との位置関係上、各ターゲットピース間の分割線が整列することがない。これは、本発明の場合、同形状のターゲットピースＡは、最低で３種類で済むということを意味し、製造コストを低減できるものである。
　また、矩形のターゲットピースＡを、異なる寸法の矩形のターゲットピースＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４の４種類を作製し、これらをバッキングプレートに配列して接合した場合、その組み合わせの一として、ターゲットピースＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４という配列、その組み合わせの二として、ターゲットピースＡ２、Ａ３、Ａ４、Ａ１という配列、その組み合わせの三として、ターゲットピースＡ３、Ａ４、Ａ１、Ａ２という配列、その組み合わせの四として、ターゲットピースＡ４、Ａ１、Ａ２、Ａ３という配列が可能である。
　この場合、同形状のターゲットピースＡは４種類であり、４種類のターゲット接合体の全ての組み合わせにおいて、それらの位置関係上、各ターゲットピース間の分割線が整列することがない。さらに、この４種類のターゲットピースを使用して、３種類までのターゲットにおいて各ターゲットピース間の分割線が整列することがないように配列する場合には、ターゲットの配列の組み合わせを飛躍的に増加させることができる。
　以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
　２００ｍｍ×１５００ｍｍのターゲット板を長さ３００ｍｍ、５００ｍｍ、７００ｍｍの長さのピースの張り合わせにより、図１に示すようにバッキングプレート上に接合して、３種のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体を作製し、そしてスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体の組み合わせにより、図１の左側の図に示すように、これらを３セット並べた時、ターゲットピース間の分割線がずれるようにＸ、Ｙ、Ｚにセットしてスパッタリングターゲット組立体とした。必要に応じて、このＸ、Ｙ、Ｚセットを繰り返すことができる。
　このスパッタリングターゲット組立体を用いて、１３００ｍｍ×１５００ｍｍのガラス基板に成膜を行い、パーティクル数を測定した。ガラス基板を均等な５つの領域に分けてパーティクル数を測定した。その結果、図１の右側に示すように、１１～１９ヶの範囲に収まり、製品として十分に使用可能であった。
　インラインスパッタ装置では、長尺のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体を数本並べて１セットとして成膜を行うが、通常各ターゲットを同じ寸法のピースを張り合わせることにより作製されるため、これらを数本並べた場合、同じ位置にターゲットピース間の分割線が並んで（整列して）しまい、成膜するとパーティクルがその位置付近に集中し、製品歩留まりが低下する。
　本発明は、この問題を解決することができ、前記の通りターゲットピースＡの長さを変え、スパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体を並べた時の、ターゲットピース間の分割線が各ターゲットでずれるように組み合わせることで、ターゲットピース間の分割線に起因するパーティクルを分散させ、歩留まりを向上することができる。
（比較例１）
　２００ｍｍ×１５００ｍｍのスパッタリングターゲット板を、同一長さ５００ｍｍのピースＡ４３個で、各バッキングプレート上に接合して作製し、これを３枚／セットとしてスパッタリングターゲット組立体とし、これをスパッタリング装置に装着した。そして、このターゲットを用いて１３００ｍｍ×１５００ｍｍのガラス基板に成膜した。そして実施例と同様のパーティクル比較を行った。
　図２に、バッキングプレートに、同寸法のターゲットピースを配列したターゲット－バッキングプレート接合体とパーティクルの発生状況を示す。図２の右側に示すように、ターゲットピース間の分割線に相当する領域におけるパーティクル数が２８ヶ、２９ヶと高く、この領域は製品として使用できなかった。
　上記の実施例、比較例から明らかなように、矩形のスパッタリングターゲットを構成する各ピースの長さを変え、各バッキングプレート上にターゲットを並べた時のターゲットピース間の分割線を、各ターゲットでずれるように組み合わせることで、張り合わせ部分に起因するパーティクルを分散させることは、極めて重要であり、製品の歩留まりを向上させることができる大きなメリットを有する。
　本発明の大型のスパッタリングターゲット－バッキングプレートからなるスパッタリングターゲット組立体は、各バッキングプレート上に、スパッタリングターゲットを矩形の複数のピースＡを張り付けて接合体Ｂを構成し、この複数のピースの形状と配列を工夫することにより、ターゲットピース間の分割線に起因するパーティクル発生による不良率を低減することができるという優れた効果を有するので、特に大型ＦＰＤを製造する為のインライン方式スパッタリング装置用スパッタリングターゲットアッセンブリとして有用である。

Claims (6)

  1. 　幅１００ｍｍ以上、長さ１０００ｍｍ以上である矩形のターゲット板として、分割線が幅方向になるように３個以上のターゲットピースＡに分割されており、この分割ターゲットピースＡを、長さ方向にバッキングプレート上に張り合わせてスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂを構成し、さらにこの接合体Ｂを幅方向に３個以上整列させたスパッタリングターゲット組立体であって、各個の接合体Ｂをスパッタリングターゲット組立体として配列する際に、接合体Ｂに存在する３個のターゲットピース間の分割線が、隣接する分割ターゲットピース間の分割線と同位置にならないように設置することを特徴とするスパッタリングターゲット組立体。
  2. 　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂにおいて、各分割ターゲットピースＡの長さの相違が５０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット組立体。
  3. 　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂにおいて、各分割ターゲットピースＡの長さの相違が１００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット組立体。
  4. 　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線が平行であり、該隣接する分割線の平行間隔が５０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。
  5. 　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線と、隣接するスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂのターゲットピース間の分割線が平行であり、隣接する分割線の平行間隔が１００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。
  6. 　一つのスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂに使用される３個以上の矩形のターゲットピースＡが、他のスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体Ｂの３個以上の矩形のターゲットピースＡと同一寸法のターゲットピースＡからなることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット組立体。
PCT/JP2011/071418 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体 Ceased WO2012108075A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127027042A KR101311664B1 (ko) 2011-02-08 2011-09-21 스퍼터링 타깃 조립체
CN201180035219.XA CN103380228B (zh) 2011-02-08 2011-09-21 溅射靶组装体
JP2012556750A JP5583794B2 (ja) 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011024546 2011-02-08
JP2011-024546 2011-02-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012108075A1 true WO2012108075A1 (ja) 2012-08-16

Family

ID=46638309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/071418 Ceased WO2012108075A1 (ja) 2011-02-08 2011-09-21 スパッタリングターゲット組立体

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5583794B2 (ja)
KR (1) KR101311664B1 (ja)
CN (1) CN103380228B (ja)
TW (1) TWI544100B (ja)
WO (1) WO2012108075A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2947175A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-25 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG CuSn, CuZn and Cu2ZnSn sputter targets
US9224584B2 (en) 2012-01-31 2015-12-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target assembly

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106337167A (zh) * 2016-08-30 2017-01-18 芜湖映日科技有限公司 多片拼接靶材绑定方法
TWI707054B (zh) * 2018-03-20 2020-10-11 友威科技股份有限公司 非連續型磁性濺鍍靶材裝置
CN119663184B (zh) * 2024-12-25 2025-09-16 吉林大学 一种Ti3Al基复合材料紧固件的高熵硅碳化物抗氧化涂层及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01290767A (ja) * 1988-05-17 1989-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多成分薄膜製造装置
US5190630A (en) * 1989-03-01 1993-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target
JP2000328241A (ja) * 1999-05-21 2000-11-28 Tosoh Corp 多分割スパッタリングターゲット
JP2004143548A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多分割スパッタリングターゲット組立体
JP2006022404A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Applied Materials Inc 食い違いアレイのターゲットタイル
JP2008025031A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Applied Materials Inc マルチカソード設計用冷却暗部シールド

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7550066B2 (en) * 2004-07-09 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Staggered target tiles
US20080017501A1 (en) * 2006-07-21 2008-01-24 Makoto Inagawa Cooled dark space shield for multi-cathode design

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01290767A (ja) * 1988-05-17 1989-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多成分薄膜製造装置
US5190630A (en) * 1989-03-01 1993-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target
JP2000328241A (ja) * 1999-05-21 2000-11-28 Tosoh Corp 多分割スパッタリングターゲット
JP2004143548A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多分割スパッタリングターゲット組立体
JP2006022404A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Applied Materials Inc 食い違いアレイのターゲットタイル
JP2008025031A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Applied Materials Inc マルチカソード設計用冷却暗部シールド

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9224584B2 (en) 2012-01-31 2015-12-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target assembly
EP2947175A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-25 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG CuSn, CuZn and Cu2ZnSn sputter targets
WO2015176938A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-26 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG CuSn, CuZn AND CU2ZnSn SPUTTER TARGETS
JP2017524802A (ja) * 2014-05-21 2017-08-31 マテリオン アドバンスト マテリアルズ ジャーマニー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭａｔｅｒｉｏｎ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ ＣｕＳｎ、ＣｕＺｎ、およびＣｕ２ＺｎＳｎスパッタターゲット

Also Published As

Publication number Publication date
TWI544100B (zh) 2016-08-01
TW201233834A (en) 2012-08-16
CN103380228B (zh) 2016-02-03
CN103380228A (zh) 2013-10-30
JP5583794B2 (ja) 2014-09-03
JPWO2012108075A1 (ja) 2014-07-03
KR101311664B1 (ko) 2013-09-25
KR20130063489A (ko) 2013-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5583794B2 (ja) スパッタリングターゲット組立体
KR102512945B1 (ko) 타일링된 디스플레이들 및 그 제조 방법들
CN103472629B (zh) 显示基板、显示面板
CN103454821B (zh) 一种阵列基板、柔性显示器件及电子设备
CN111799315B (zh) Oled显示面板和具有其的显示装置
CN101498853B (zh) 液晶面板母板及其切割方法
WO2014114178A1 (zh) 用于oled显示屏的像素结构及其金属掩膜板
CN102819987B (zh) 一种oled无缝拼接显示屏及拼接方法
JP5913382B2 (ja) スパッタリングターゲット組立体
CN103558717A (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103456743B (zh) 阵列基板及其制作方法、柔性显示器件及电子设备
CN216595827U (zh) 显示基板及显示装置
KR20120032822A (ko) 기판 이송 장치
CN104570458B (zh) 液晶显示面板及液晶显示装置
TWI576452B (zh) 用於濺鍍之分離式標靶裝置及使用其之濺鍍方法
CN107024789A (zh) 液晶面板及其制造方法
CN103827347B (zh) 溅射装置与方法
US20130114025A1 (en) Liquid crystal display panel
US11971630B1 (en) Liquid crystal display panels and methods of manufacturing the same
CN202736925U (zh) 一种用于oled无缝拼接显示屏的预制安装板
CN102998855B (zh) 像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器
CN103941408B (zh) 立体显示器
CN102290416A (zh) 平面显示面板的数组基板
JP2013105032A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180035219.X

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012556750

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11858257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127027042

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11858257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1