WO2012063607A1 - 露光装置 - Google Patents

露光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012063607A1
WO2012063607A1 PCT/JP2011/073839 JP2011073839W WO2012063607A1 WO 2012063607 A1 WO2012063607 A1 WO 2012063607A1 JP 2011073839 W JP2011073839 W JP 2011073839W WO 2012063607 A1 WO2012063607 A1 WO 2012063607A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lens
exposed
pattern generator
optical
laser beams
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/073839
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
水村　通伸
畑中　誠
Original Assignee
株式会社ブイ・テクノロジー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ブイ・テクノロジー filed Critical 株式会社ブイ・テクノロジー
Publication of WO2012063607A1 publication Critical patent/WO2012063607A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus that scans and exposes a light beam in a direction intersecting the transport direction of the object to be exposed while transporting the object to be exposed in a certain direction, and in particular, scanning the light beam that scans on the object to be exposed.
  • the present invention relates to an exposure apparatus that attempts to shorten the tact of the exposure process by shortening the distance.
  • an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that addresses such problems and shortens the scanning distance of the light beam that scans the object to be exposed to shorten the tact time of the exposure process. .
  • an exposure apparatus comprises a conveying unit that conveys an object to be exposed at a constant speed in a line at a constant arrangement pitch in a direction that intersects the conveying direction of the object to be exposed.
  • a pattern generator that divides and emits laser light expanded in one direction into a plurality of laser beams arranged in a line at a constant arrangement pitch by a plurality of optical switches arranged;
  • Optical scanning means for simultaneously reciprocally scanning the region between the adjacent laser beams with the plurality of laser beams to be irradiated on the exposure body, and condensing the plurality of laser beams to be reciprocated on the object to be exposed and an f ⁇ lens, and a control means for controlling on / off driving of the plurality of optical switches of the pattern generator.
  • the object to be exposed is conveyed in a certain direction at a constant speed by the conveying means, it is arranged in a line at a constant arrangement pitch in the direction intersecting with the conveying direction of the object to be exposed under the control by the control means.
  • Multiple optical switches of the pattern generator are turned on / off, and the laser light expanded in one direction is divided into multiple laser beams arranged in a line at a fixed array pitch by the multiple optical switches and emitted from the pattern generator.
  • a plurality of laser beams to be irradiated onto the object to be exposed by the optical scanning means are simultaneously reciprocated in a region between adjacent laser beams, and a plurality of laser beams to be reciprocated by the f ⁇ lens are condensed on the exposed body.
  • each optical switch of the pattern generator is provided with electrodes on opposing surfaces parallel to the major axis of a prismatic switching element made of an electro-optic crystal material, and a pair of both ends on the major axis direction of the switching element.
  • the polarizing elements are arranged in crossed Nicols.
  • electrodes are provided on the opposing surfaces parallel to the major axis of the prismatic switching element made of an electro-optic crystal material, and a pair of polarizing elements are arranged in crossed Nicols on both end surfaces in the major axis direction of the switching element.
  • the emission of each laser beam is turned on / off by each optical switch of the pattern generator configured as described above.
  • the optical scanning means is an optical deflection mirror disposed between the f ⁇ lens and another f ⁇ lens disposed between the pattern generator and the f ⁇ lens so as to face the f ⁇ lens in a mirror-symmetric manner. is there.
  • a plurality of laser beams are simultaneously reciprocally scanned by an optical deflection mirror disposed between the f ⁇ lens and another f ⁇ lens disposed symmetrically opposite to the f ⁇ lens between the pattern generator and the f ⁇ lens.
  • the light deflection mirror is a galvanometer mirror. Thereby, a plurality of laser beams are simultaneously reciprocated by the galvanometer mirror.
  • the light deflection mirror is a polygon mirror. Thereby, a plurality of laser beams are simultaneously reciprocated by the polygon mirror.
  • the optical scanning means is an acousto-optic element disposed between the f ⁇ lens and the conveying means.
  • a plurality of laser beams are simultaneously reciprocally scanned with an acousto-optic element disposed between the f ⁇ lens and the conveying means.
  • the optical scanning unit is disposed between the f ⁇ lens and another f ⁇ lens disposed between the pattern generator and the f ⁇ lens so as to face the f ⁇ lens in a mirror-symmetric manner, and is in a rectangular block shape.
  • the electro-optic element is provided with a triangular electrode having a side inclined with respect to an axis parallel to the optical axis of the opposite surface on the opposite surface of the electro-optic crystal material.
  • the opposing surface of the electro-optic crystal material in the form of a square block is disposed between the f ⁇ lens and another f ⁇ lens disposed opposite to the f ⁇ lens in mirror symmetry between the pattern generator and the f ⁇ lens.
  • a plurality of laser beams are simultaneously reciprocated by an electro-optic element provided with a triangular electrode having a side inclined with respect to an axis parallel to the optical axis of the opposing surface.
  • the light beam is divided into a plurality of laser beams and simultaneously reciprocated to expose the entire width of the exposure area of the object to be exposed.
  • the scanning distance can be shortened, and the scanning frequency of the laser beam can be increased. Therefore, the conveyance speed of the object to be exposed can be increased, and the tact time of the exposure process can be shortened.
  • the optical switch of the pattern generator is formed of an electro-optic crystal material, a laser beam with high energy can be used. Therefore, the scanning speed of the laser beam can be increased to shorten the tact time of the exposure process.
  • the optical deflection mirror can be arranged at a position where a plurality of laser beams are focused on the optical axis side between the pair of f ⁇ lenses, and the mirror shape of the optical deflection mirror Can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the moment of inertia of the light deflection mirror and increase the drive frequency. Thereby, the conveyance speed of a to-be-exposed body can be made faster and the tact of an exposure process can be shortened further.
  • the manufacturing cost of the optical deflection mirror can be reduced.
  • the scanning time of the return path of the light beam that is reciprocally scanned can be shortened, and the scanning frequency of the laser beam can be further increased.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. It is a perspective view which shows the structure of the optical switch used for the exposure apparatus of this invention. It is a block diagram which shows schematic structure of the control means of the exposure apparatus of this invention. It is explanatory drawing which shows the reciprocating operation
  • FIG. 1 It is a schematic block diagram which shows 3rd Embodiment of the exposure apparatus by this invention. It is a figure which shows one structural example of the optical scanning means of the said 3rd Embodiment, (a) is a front view, (b) is a side view.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention.
  • the exposure apparatus performs exposure by scanning a light beam in a direction intersecting the transport direction of the object to be exposed while transporting the object to be exposed in a fixed direction.
  • the transport means 1 transports the object to be exposed 4 in a constant direction at a constant speed, and includes an air outlet and a suction port on the upper surface 5a of the stage 5, and adjusts the air jet output and suction force.
  • the exposed object 4 is conveyed while holding both end edges of the exposed object 4 by a conveying mechanism (not shown) in a state where the exposed object 4 is floated on the upper surface 5a of the stage 5 by a certain amount.
  • the conveying direction of the object to be exposed 4 is a direction (arrow A direction) from the near side to the back as opposed to the drawing.
  • An exposure optical system 2 is disposed above the conveying means 1.
  • the exposure optical system 2 scans the laser beam Lb in a direction (arrow B, C direction) intersecting the conveyance direction of the exposure object 4 and irradiates the surface of the exposure object 4 moving in the arrow A direction.
  • the photosensitive material applied on the surface of the exposure body 4 is exposed, and the pattern generator 6, the optical scanning means 7, and the first f ⁇ lens 8 are arranged in this order from the upstream to the downstream in the traveling direction of the laser beam Lb. It is prepared.
  • the pattern generator 6 is a laser beam widened in one direction by a plurality of optical switches 9 (see FIG. 2) arranged in a line at a constant arrangement pitch in a direction intersecting the conveyance direction of the object 4 to be exposed.
  • L is divided into a plurality of laser beams Lb arranged in a line at a constant arrangement pitch and emitted, and as shown in FIG. 2, each optical switch 9 includes a plurality of prismatic prisms made of an electro-optic crystal material.
  • the electrodes 11a and 11b are provided on opposing surfaces parallel to the major axis of the switching element 10, and a pair of polarizing elements are arranged in crossed Nicols on both end surfaces in the major axis direction of the plurality of switching elements 10. .
  • the plurality of switching elements 10 have the pair of electrodes 11 a and 11 b electrically connected to each wiring of the wiring board 12 on the transparent wiring board 12 with the long axis direction as a light path.
  • the switching element assembly 13 is formed by arranging them in a line in a connected state.
  • the pair of polarizing elements includes, as an example, a first polarizing beam splitter 14 disposed on the light incident end face 10a side of the electro-optic crystal material;
  • the second polarizing beam splitter 15 disposed on the light exit end face 10b side is shown as being provided in a relationship rotated by 90 ° about the optical axis, but the pair of polarizing elements is a pair of polarizing plates. There may be. Further, the first and second polarizing beam splitters 14 and 15 may be common throughout the switching element assembly 13.
  • a plurality of microlenses are arranged in a line at the same pitch as the arrangement pitch of the plurality of switching elements 10 between the first polarizing beam splitter 14 and the switching element assembly 13.
  • the provided lens array 16 is disposed, and the widened laser beam L is divided into a plurality of laser beams Lb by a plurality of microlenses and is condensed on each switching element 10. Thereby, the light utilization efficiency can be improved.
  • the laser light L incident on the pattern generator 6 is emitted from the laser light source 17 and guided to the plate-shaped rod lens 19 by the optical fiber 18. After the light intensity distribution is made uniform by the rod lens 19, The beam expander 20 widens the end surface of the rod lens 19 in the long axis direction. Accordingly, the pattern generator 6 is arranged so that the arrangement direction of the microlenses of the lens array 16 and the arrangement direction of the plurality of optical switches 9 coincide with the widening direction of the laser light L.
  • the light scanning means 7 simultaneously reciprocates a region between adjacent laser beams Lb with a plurality of laser beams Lb emitted from the pattern generator 6 and irradiating the object 4 to be exposed.
  • a light deflection mirror disposed between the f ⁇ lens 8 and the second f ⁇ lens 21 disposed between the pattern generator 6 and the first f ⁇ lens 8 so as to be symmetrically opposed to the first f ⁇ lens 8.
  • a galvanometer mirror or a polygon mirror a galvanometer mirror or a polygon mirror.
  • the case where the light deflection mirror is the galvanometer mirror 22 will be described. Since the second f ⁇ lens 21 is arranged as described above, it is opposite to the normal use state, and the object plane side in normal use is the light emission side.
  • the first f ⁇ lens 8 scans a plurality of laser beams Lb reciprocally scanned by the galvanometer mirror 22 on the exposure object 4 at a constant speed, and the focal position on the image plane side is set on the surface of the exposure object 4.
  • the focal position on the object plane side is substantially matched with the focal position on the object plane side of the second f ⁇ lens 21.
  • the control means 3 is provided in electrical connection with the transport means 1, the pattern generator 6, the galvanometer mirror 22, and the laser light source 17. This control means 3 controls the on / off drive of the plurality of optical switches 9 of the pattern generator 6, and as shown in FIG. 3, the transport means drive section 23, the pattern generator drive section 24, and the mirror drive.
  • a unit 25, a laser light source driving unit 26, a calculation unit 27, a memory 28, and a control unit 29 are provided.
  • the transport means driving unit 23 controls the drive of the transport means 1 and moves a transport mechanism (not shown) at a constant speed.
  • the pattern generator driving unit 24 controls on / off driving of each optical switch 9 of the pattern generator 6 based on CAD data stored in advance in a memory 28 described later. Control is performed so that each optical switch 9 is driven on and off in the forward path and is always driven off in the backward path.
  • the mirror driving unit 25 drives the galvanometer mirror 22 at a constant frequency Fm. For example, as shown in FIG. 4, the rising time corresponding to the forward scanning time of the laser beam Lb corresponds to T1 and the backward scanning time. It is driven by a sawtooth wave whose fall time is T2.
  • the laser light source drive unit 26 drives the laser light source 17 with a preset output. Further, the calculation unit 27 calculates, for example, the conveyance speed V of the object to be exposed 4, the switching frequency Fs of the optical switch 9, and the like based on preset initial setting values.
  • the memory 28 stores initial setting values of each element and CAD data of the exposure pattern. And the control part 29 integrates and controls the whole apparatus so that each element may drive appropriately.
  • the exposure pitch P1 in the transport direction (arrow A direction) of the exposure object 4 the exposure pitch P2 in the scanning direction of the laser beam Lb, the driving frequency of the galvano mirror 22 (corresponding to the scanning frequency of the laser beam Lb) Fm, laser beam Initial setting values such as the scanning width W of Lb, the power of the laser light source 17 and the CAD data of the exposure pattern are stored in the memory 28.
  • the object to be exposed 4 is placed on the conveying means 1.
  • the exposure start switch is turned on, an air layer is formed between the upper surface 5a of the stage 5 of the transport means 1 and the object to be exposed 4, and the object to be exposed 4 is floated by a certain amount and is not shown. Both end edges are held by the transport mechanism and transported at a speed V.
  • Laser light L is emitted from the laser light source 17 and guided to the pattern generator 6 side by the optical fiber 18. Then, after the light intensity distribution is made uniform by the rod lens 19, it is widened in a certain direction (a direction intersecting the transport direction of the exposure object 4) by the beam expander 20 and enters the pattern generator 6.
  • the incident laser light L is first separated by the first polarization beam splitter 14 into P-polarized light that is transmitted through the polarization plane 14a (see FIG. 2) and S-polarized light that is reflected by the polarization plane 14a.
  • P-polarized light is used for exposure
  • S-polarized light may be used.
  • the P-polarized laser beam L transmitted through the polarization plane 14a of the first polarization beam splitter 14 is divided into a plurality of laser beams Lb by a plurality of microlenses of the lens array 16, and each of the switching element assemblies 13 in the subsequent stage is divided.
  • the light enters the corresponding switching element 10.
  • Each switching element 10 is driven on / off at the switching frequency Fs by the pattern generator driving unit 24 based on the CAD data.
  • the laser beam Lb that has passed through each switching element 10 is limited in transmission by the second polarization beam splitter 15 through the polarization plane 15a (see FIG. 2).
  • the polarization plane of the P-polarized laser beam Lb incident on the switching element 10 passes through the switching element 10. It is rotated 90 ° to become S-polarized light.
  • the S-polarized light emitted from the switching element 10 is
  • the polarization plane 15 a of the second polarization beam splitter 15 has a P-polarization relationship, and can pass through the polarization plane 15 a and reach the object to be exposed 4.
  • the polarization plane of the P-polarized laser beam Lb incident on the switching element 10 is not rotated in the switching element 10. It remains P-polarized light. Accordingly, the P-polarized light has an S-polarized relationship with respect to the polarization plane 15a of the second polarization beam splitter 15, and is reflected by the polarization plane 15a and cannot reach the object 4 to be exposed.
  • the plurality of laser beams Lb emitted from the pattern generator 6 are focused on the optical axis side by the second f ⁇ lens 21 and then enter the mirror surface of the galvanometer mirror 22. Then, the light is reflected by the mirror surface of the galvanometer mirror 22 driven by the sawtooth wave having the driving frequency Fm, and the conveying direction of the exposed object 4 with the scanning width W on the exposed object 4 via the first f ⁇ lens 8 ( The scanning is performed at a constant speed in a direction (arrow B, C direction) intersecting with the arrow A direction.
  • the switching element 10 is driven on / off at the switching frequency Fs while the laser beam Lb is scanned in the arrow B direction on the exposure object 4 being conveyed in the arrow A direction.
  • the Therefore, one line of exposure is executed at the exposure pitch P2 in the direction crossing the conveying direction of the object 4 to be exposed.
  • the laser beam Lb is scanned in the direction of the arrow C, all the switching elements 10 are turned off, so that the exposure during this time is stopped.
  • the irradiation position of the laser beam Lb is the exposure pitch P1 from the previous irradiation position because the exposure object 4 is transported at the speed V in the arrow A direction.
  • the position is shifted backward.
  • the exposure for the next one line is executed following the exposure for the previous one line.
  • the laser beam Lb is reciprocally scanned in the same manner, it is possible to uniformly expose the exposed area on the object to be exposed 4 without generating an unexposed portion.
  • the optical switch 9 is appropriately driven based on the CAD data, a dense exposure pattern can be formed on the object to be exposed 4.
  • a broken line indicates exposure of an adjacent exposure region by the adjacent laser beam Lb.
  • the return scanning time T2 of the laser beam Lb shown in FIG. 4 can be shortened. Therefore, the scanning speed of the laser beam Lb can be increased to increase the conveyance speed of the object to be exposed 4. Thereby, the tact of an exposure process can be improved more.
  • FIG. 7 is a schematic block diagram that shows the second embodiment of the exposure apparatus of the present invention. Hereinafter, a different part from 1st Embodiment is demonstrated.
  • the control means 3 is not shown.
  • an acousto-optic element (AOD) 30 as an optical scanning unit is disposed between the first f ⁇ lens 8 and the transport unit 1.
  • reference numeral 31 denotes a total reflection mirror.
  • the object of the present invention can be achieved in which the scanning distance of the light beam that scans the object to be exposed 4 is shortened to shorten the tact time of the exposure process.
  • the optical scanning means 7 is not a mechanically operated optical deflection mirror as in the first embodiment but an electronically operated acousto-optic element 30, there is little change over time and the laser beam Lb is stabilized for a long time. Can be scanned. Therefore, the reliability of the exposure apparatus can be improved.
  • FIG. 8 is a schematic block diagram that shows the third embodiment of the exposure apparatus of the present invention. Hereinafter, a different part from 1st and 2nd embodiment is demonstrated. In FIG. 8, the control means 3 is not shown.
  • an electro-optical element 32 is disposed as the optical scanning unit 7 at the object-side focal position of the first f ⁇ lens 8. As shown in FIG. 9, the electro-optic element 32 has a pair of triangular electrodes each having a side 34 inclined with respect to an axis parallel to the optical axis of the opposing surface on the opposing surface of the square-block electro-optic crystal material 33. The configuration is provided with 35A and 35B.
  • FIG. 9 shows a case where a plurality of electrodes 35A and 35B are provided corresponding to a plurality of laser beams Lb.
  • the object of the present invention can be achieved in which the scanning distance of the light beam that scans the object to be exposed 4 is shortened to shorten the tact time of the exposure process. Further, since the laser beam Lb is scanned electronically rather than mechanically as in the first embodiment, the laser beam Lb is stabilized for a long time with little change in the optical scanning means 7 over time. Can be scanned. Therefore, the reliability of the exposure apparatus can be improved.
  • the electro-optic element 32 is disposed at the object side focal position of the first f ⁇ lens 8 in the third embodiment.
  • the electro-optic element 32 is disposed on the light emission side of the first f ⁇ lens 8. Also good.
  • the scanning angle of the laser beam Lb is smaller when the first f ⁇ lens 8 is disposed at the object side focal position.
  • the optical switch 9 uses an electro-optic crystal material.
  • the present invention is not limited to this, and the optical switch 9 is a micromirror that is driven on and off. May be. Therefore, the pattern generator 6 may be a micromirror array in which a plurality of micromirrors are arranged in a line at a constant arrangement pitch.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本発明は、被露光体４を一定方向に一定速度で搬送する搬送手段１と、被露光体４の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられた複数の光スイッチにより、一方向に拡幅されたレーザ光Ｌを一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームＬb に分割して射出するパターンジェネレータ６と、パターンジェネレータ６から射出し、被露光体４に照射する複数のレーザビームＬb を互いに隣接するレーザビームＬb の間の領域を同時に往復走査する光走査手段７と、往復走査される複数のレーザビームＬbを被露光体上に集光するｆθレンズ８と、パターンジェネレータ６の複数の光スイッチのオン・オフ駆動を制御する制御手段３と、を備えたものである。これにより、被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮する。

Description

露光装置
　本発明は、被露光体を一定方向に搬送しながら該被露光体の搬送方向と交差する方向に光ビームを走査して露光する露光装置に関し、特に被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮しようとする露光装置に係るものである。
　従来のこの種の露光装置は、被露光体を一定方向に搬送しながら、光スイッチによりオン・オフ変調されて射出する一本のレーザビームを、ポリゴンミラーにより被露光体の搬送方向と交差する方向に往復走査し、ｆθレンズにより被露光体上に集光して露光するものとなっていた（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５－３１７８００号公報
　しかし、このような従来の露光装置においては、一本の光ビームが被露光体上の露光領域の全幅を往復走査するものであるので、光ビームの走査距離が長くなっていた。したがって、被露光体の搬送方向において未露光部が生じないようにするためには、被露光体の搬送速度を遅くしなければならず、露光工程のタクトが長くなるという問題があった。
　そこで、本発明は、このような問題点に対処し、被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮しようとする露光装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明による露光装置は、被露光体を一定方向に一定速度で搬送する搬送手段と、前記被露光体の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられた複数の光スイッチにより、一方向に拡幅されたレーザ光を一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームに分割して射出するパターンジェネレータと、前記パターンジェネレータから射出し、前記被露光体に照射する前記複数のレーザビームを互いに隣接する前記レーザビームの間の領域を同時に往復走査する光走査手段と、前記往復走査される複数のレーザビームを前記被露光体上に集光するｆθレンズと、前記パターンジェネレータの前記複数の光スイッチのオン・オフ駆動を制御する制御手段と、を備えたものである。
　このような構成により、搬送手段で被露光体を一定方向に一定速度で搬送しながら、制御手段で制御して被露光体の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられたパターンジェネレータの複数の光スイッチをオン・オフ駆動し、複数の光スイッチにより、一方向に拡幅されたレーザ光を一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームに分割してパターンジェネレータから射出し、光走査手段で被露光体に照射する複数のレーザビームを互いに隣接するレーザビームの間の領域を同時に往復走査し、ｆθレンズで往復走査される複数のレーザビームを露光体上に集光する。
　また、前記パターンジェネレータの各光スイッチは、電気光学結晶材料からなる角柱状のスイッチング素子の長軸に平行な対向面に夫々電極を設けると共に、前記スイッチング素子の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成したものである。これにより、電気光学結晶材料からなる角柱状のスイッチング素子の長軸に平行な対向面に夫々電極を設けると共に、前記スイッチング素子の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成したパターンジェネレータの各光スイッチで各レーザビームの射出をオン・オフする。
　さらに、前記光走査手段は、前記ｆθレンズと、前記パターンジェネレータと前記ｆθレンズとの間に該ｆθレンズとミラー対称に対向配置された別のｆθレンズとの間に配置された光偏向ミラーである。これにより、ｆθレンズと、パターンジェネレータとｆθレンズとの間に該ｆθレンズとミラー対称に対向配置された別のｆθレンズとの間に配置された光偏向ミラーで複数のレーザビームを同時に往復走査する。
　また、前記光偏向ミラーは、ガルバノミラーである。これにより、ガルバノミラーで複数のレーザビームを同時に往復走査する。
　さらに、前記光偏向ミラーは、ポリゴンミラーである。これにより、ポリゴンミラーで複数のレーザビームを同時に往復走査する。
　さらにまた、前記光走査手段は、前記ｆθレンズと前記搬送手段との間に配置された音響光学素子である。これにより、ｆθレンズと搬送手段との間に配置された音響光学素子で複数のレーザビームを同時に往復走査する。
　そして、前記光走査手段は、前記ｆθレンズと、前記パターンジェネレータと前記ｆθレンズとの間に該ｆθレンズとミラー対称に対向配置された別のｆθレンズとの間に配置され、角型ブロック状の電気光学結晶材料の対向面に、該対向面の光軸に平行な軸に対して傾斜した辺を有する三角形の電極を設けた電気光学素子である。これにより、ｆθレンズと、パターンジェネレータとｆθレンズとの間に該ｆθレンズとミラー対称に対向配置された別のｆθレンズとの間に配置され、角型ブロック状の電気光学結晶材料の対向面に、該対向面の光軸に平行な軸に対して傾斜した辺を有する三角形の電極を設けた電気光学素子で複数のレーザビームを同時に往復走査する。
　請求項１に係る発明によれば、光ビームを複数のレーザビームに分割して同時に往復走査し、被露光体の露光領域の全幅を露光するようにしているので、１本当たりのレーザビームの走査距離を短くすることができ、レーザビームの走査周波数をあげることができる。したがって、被露光体の搬送速度を速くすることができ、露光工程のタクトを短縮することができる。
　また、請求項２に係る発明によれば、パターンジェネレータの光スイッチを電気光学結晶材料で形成しているので、エネルギーの高いレーザ光を使用することができる。したがって、レーザビームの走査速度をより速くして露光工程のタクトをより短縮することができる。
　さらに、請求項３に係る発明によれば、一対のｆθレンズの間にて複数のレーザビームが光軸側に絞られた位置に光偏向ミラーを配置することができ、光偏向ミラーのミラー形状を小さくすることができる。したがって、光偏向ミラーの慣性モーメントを小さくして駆動周波数をより高くことができる。これにより、被露光体の搬送速度をより速くして露光工程のタクトを一層短縮することができる。
　また、請求項４に係る発明によれば、光偏向ミラーの製造コストを安価にすることができる。
　さらに、請求項５に係る発明によれば、往復走査する光ビームの復路の走査時間を短縮することができ、レーザビームの走査周波数をなお一層高くすることができる。
　そして、請求項６又は７に係る発明によれば、光走査手段の経時的変化が少なくレーザビームを長時間安定して走査することができる。したがって、露光装置の信頼性を向上することができる。
本発明による露光装置の第１の実施形態を示す概要図である。 本発明の露光装置に使用する光スイッチの構成を示す斜視図である。 本発明の露光装置の制御手段の概略構成を示すブロック図である。 本発明の露光装置に使用するガルバノミラーの往復動作を示す説明図である。 上記光スイッチのオン・オフ駆動を説明する図であり、（ａ）はオン状態を示し、（ｂ）はオフ状態を示す。 本発明の露光装置における１つのレーザビームの往復動作による露光を示す説明図である。 本発明による露光装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。 本発明による露光装置の第３の実施形態を示す概略構成図である。 上記第３の実施形態の光走査手段の一構成例を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
　以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による露光装置の第１の実施形態を示す概要図である。この露光装置は、被露光体を一定方向に搬送しながら該被露光体の搬送方向と交差する方向に光ビームを走査して露光するもので、搬送手段１と、露光光学系２と、制御手段３と、を備えてなる。
　上記搬送手段１は、被露光体４を一定方向に一定速度で搬送するものであり、ステージ５の上面５ａにエアの噴出口及び吸引口を備え、エアの噴出力及び吸引力を調整して被露光体４をステージ５の上面５ａに一定量だけ浮上させた状態で図示省略の搬送機構により被露光体４の両端縁部を保持して搬送するようになっている。なお、図１において被露光体４の搬送方向は、同図に正対して手前から奥に向かう方向（矢印Ａ方向）である。
　上記搬送手段１の上方には、露光光学系２が配設されている。この露光光学系２は、レーザビームＬbを被露光体４の搬送方向と交差する方向（矢印Ｂ，Ｃ方向）に走査して矢印Ａ方向に移動中の被露光体４表面に照射し、被露光体４面に塗布された感光材を露光するもので、レーザビームＬbの進行方向上流から下流に向かってパターンジェネレータ６と、光走査手段７と、第１のｆθレンズ８とをこの順に配置して備えたものである。
　ここで、パターンジェネレータ６は、被露光体４の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられた複数の光スイッチ９（図２参照）により、一方向に拡幅されたレーザ光Ｌを一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームＬbに分割して射出するものであり、図２に示すように、各光スイッチ９は、電気光学結晶材料からなる角柱状の複数のスイッチング素子１０の長軸に平行な対向面に夫々電極１１ａ，１１ｂを設けると共に、複数のスイッチング素子１０の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成されている。そして、上記複数のスイッチング素子１０は、図１に示すように、それらの長軸方向を光の通路として透明な配線基板１２上に上記一対の電極１１ａ，１１ｂが配線基板１２の各配線に電気的に接続された状態で一列に並べて形成され、スイッチング素子組立体１３を構成している。
　なお、本第１の実施形態においては、上記一対の偏光素子は、図２に示すように、一例として電気光学結晶材料の光入射端面１０ａ側に配置された第１の偏光ビームスプリッタ１４と、光射出端面１０ｂ側に配置された第２の偏光ビームスプリッタ１５とを、互いに光軸を中心に９０°回転した関係に設けたもので示しているが、一対の偏光素子は一対の偏光板であってもよい。また、第１及び第２の偏光ビームスプリッタ１４，１５は、スイッチング素子組立体１３の全体に亘って共通したものであってもよい。さらに、本第１の実施形態においては、第１の偏光ビームスプリッタ１４とスイッチング素子組立体１３との間に、複数のマイクロレンズを上記複数のスイッチング素子１０の配列ピッチと同じピッチで一列に並べて設けたレンズアレイ１６を配置し、拡幅されたレーザ光Ｌを複数のマイクロレンズにより複数のレーザビームＬbに分割し、上記各スイッチング素子１０上に集光させている。これにより、光利用効率を向上させることができる。
　また、上記パターンジェネレータ６に入射するレーザ光Ｌは、レーザ光源１７から放射され、光ファイバ１８によって板状のロッドレンズ１９まで導かれ、このロッドレンズ１９により光強度分布が均一化された後、ビームエキスパンダ２０によりロッドレンズ１９の端面の長軸方向に拡幅されるようになっている。したがって、上記レンズアレイ１６の各マイクロレンズの配列方向及び複数の光スイッチ９の配列方向がレーザ光Ｌの拡幅方向に一致するようにパターンジェネレータ６は、配置されることになる。
　上記光走査手段７は、パターンジェネレータ６から射出し、被露光体４に照射する複数のレーザビームＬbを互いに隣接するレーザビームＬbの間の領域を同時に往復走査するもので、後述の第１のｆθレンズ８と、パターンジェネレータ６と第１のｆθレンズ８との間に第１のｆθレンズ８とミラー対称に対向配置された第２のｆθレンズ２１との間に配置された光偏向ミラーであり、ガルバノミラー又はポリゴンミラーである。以下の説明においては、光偏向ミラーがガルバノミラー２２である場合について述べる。なお、第２のｆθレンズ２１は上述のように配置されているので、通常の使用状態と反対となり、通常使用における物体面側が光射出側となる。
　上記第１のｆθレンズ８は、上記ガルバノミラー２２で往復走査される複数のレーザビームＬbを被露光体４上で等速スキャンさせるものであり、像面側の焦点位置を被露光体４表面に略合致させ、物体面側の焦点位置を第２のｆθレンズ２１の物体面側焦点位置に略合致させて配置されている。
　上記搬送手段１と、パターンジェネレータ６と、ガルバノミラー２２と、レーザ光源１７と、に電気的に接続して制御手段３が設けられている。この制御手段３は、パターンジェネレータ６の複数の光スイッチ９のオン・オフ駆動を制御するものであり、図３に示すように、搬送手段駆動部２３と、パターンジェネレータ駆動部２４と、ミラー駆動部２５と、レーザ光源駆動部２６と、演算部２７と、メモリ２８と、制御部２９と、を備えている。
　ここで、上記搬送手段駆動部２３は、搬送手段１の駆動を制御して図示省略の搬送機構を一定速度で移動させるものである。また、パターンジェネレータ駆動部２４は、後述のメモリ２８に予め記憶されたＣＡＤデータに基づいてパターンジェネレータ６の各光スイッチ９のオン・オフ駆動を制御するものであり、往復走査するレーザビームＬbの往路において各光スイッチ９をオン・オフ駆動し、復路においては常にオフ駆動するように制御する。さらに、ミラー駆動部２５は、ガルバノミラー２２を一定周波数Ｆmで駆動するものであり、例えば図４に示すようにレーザビームＬbの往路走査時間に相当する立上がり時間がＴ1及び復路走査時間に相当する立下り時間がＴ2である鋸歯状波で駆動される。また、レーザ光源駆動部２６は、レーザ光源１７を予め設定された出力で駆動させるものである。さらに、演算部２７は、予め設定された初期設定値に基づいて例えば被露光体４の搬送速度Ｖや、光スイッチ９の切換周波数Ｆs等を演算するものである。また、メモリ２８は、各要素の初期設定値を記憶すると共に露光パターンのＣＡＤデータを記憶するものである。そして、制御部２９は、各要素が適切に駆動するように装置全体を統合して制御するものである。
　次に、このように構成された露光装置の動作について説明する。
　先ず、被露光体４の搬送方向（矢印Ａ方向）の露光ピッチＰ1、レーザビームＬbの走査方向の露光ピッチＰ2、ガルバノミラー２２の駆動周波数（レーザビームＬbの走査周波数に相当）Ｆm、レーザビームＬbの走査幅Ｗ、レーザ光源１７のパワー等の初期設定値、及び露光パターンのＣＡＤデータをメモリ２８に記憶する。
　この場合、被露光体４の搬送速度Ｖは、被露光体４の搬送方向の露光ピッチＰ1とガルバノミラー２２の駆動周波数Ｆmとに基づいて演算部２７においてＶ＝Ｐ1・Ｆmの関係式を演算することにより算出することができる。また、光スイッチ９の切換周波数Ｆsは、レーザビームＬbの走査方向の露光ピッチＰ2、レーザビームＬbの走査幅Ｗ、レーザビームＬbの往路走査時間Ｔ1（図４参照）に基づいて演算部２７においてＦs＝Ｗ／（Ｐ2・Ｔ1）の関係式を演算することによって算出される。なお、被露光体４の搬送速度Ｖ及び光スイッチ９の切換周波数Ｆsを初期設定値として直接入力してもよい。
　次に、搬送手段１上に被露光体４が載置される。そして、露光開始スイッチが投入されると、搬送手段１のステージ５の上面５ａと被露光体４との間に空気層が形成され、被露光体４が一定量だけ浮上された状態で図示省略の搬送機構によって両端縁部が保持されて速度Ｖで搬送される。
　また、レーザ光源１７からはレーザ光Ｌが放射され、光ファイバ１８によってパターンジェネレータ６側に導かれる。そして、ロッドレンズ１９によって光強度分布が均一化された後、ビームエキスパンダ２０によって一定方向（被露光体４の搬送方向と交差する方向）に拡幅されてパターンジェネレータ６に入射する。
　パターンジェネレータ６においては、入射したレーザ光Ｌは、先ず第１の偏光ビームスプリッタ１４によって偏光面１４ａ（図２参照）を透過するＰ偏光と偏光面１４ａで反射されるＳ偏光に分離される。なお、以下の説明においては、Ｐ偏光を露光に使用する場合について述べるが、Ｓ偏光を使用してもよい。
　第１の偏光ビームスプリッタ１４の偏光面１４ａを透過したＰ偏光のレーザ光Ｌは、レンズアレイ１６の複数のマイクロレンズによって複数のレーザビームＬbに分割されて、それぞれ後段のスイッチング素子組立体１３の対応するスイッチング素子１０に入射する。
　各スイッチング素子１０は、パターンジェネレータ駆動部２４によりＣＡＤデータに基づいて切換周波数Ｆsでオン・オフ駆動される。そして、各スイッチング素子１０を通過したレーザビームＬbは、第２の偏光ビームスプリッタ１５によって偏光面１５ａ（図２参照）の透過が制限される。例えば、図５（ａ）に示すように、スイッチング素子１０がオン駆動されている場合には、スイッチング素子１０に入射したＰ偏光のレーザビームＬbは、スイッチング素子１０内を通過中に偏波面が９０°回転されてＳ偏光となる。このとき、第１の偏光ビームスプリッタ１４と第２の偏光ビームスプリッタ１５とは、光軸を中心に互いに９０°回転した状態に配置されているため、スイッチング素子１０を射出したＳ偏光は、第２の偏光ビームスプリッタ１５の偏光面１５ａに対してはＰ偏光の関係となり、この偏光面１５ａを透過して被露光体４上に到達することができる。
　一方、図５（ｂ）に示すように、スイッチング素子１０がオフ駆動されている場合には、スイッチング素子１０に入射したＰ偏光のレーザビームＬbは、スイッチング素子１０内で偏波面が回転されずＰ偏光のままである。したがって、このＰ偏光は、第２の偏光ビームスプリッタ１５の偏光面１５ａに対してはＳ偏光の関係となり、この偏光面１５ａで反射されて被露光体４上に到達することができない。
　パターンジェネレータ６を射出した複数のレーザビームＬbは、第２のｆθレンズ２１により光軸側に絞られた後、ガルバノミラー２２のミラー面に入射する。そして、駆動周波数Ｆmの鋸歯状波によって駆動されるガルバノミラー２２のミラー面によって反射され、第１のｆθレンズ８を介して被露光体４上を走査幅Ｗで被露光体４の搬送方向（矢印Ａ方向）と交差する方向（矢印Ｂ，Ｃ方向）に等速走査される。
　これにより、図６に示すように、矢印Ａ方向に搬送中の被露光体４上をレーザビームＬbが矢印Ｂ方向に走査されている間にスイッチング素子１０が切換周波数Ｆsでオン・オフ駆動される。したがって、被露光体４の搬送方向と交差する方向に露光ピッチＰ2で１ライン分の露光が実行される。また、レーザビームＬbが矢印Ｃ方向へ走査されている間は、スイッチング素子１０は全てオフ駆動されるため、この間の露光は停止される。そして、レーザビームＬbの１回目の往復走査が終了すると、レーザビームＬbの照射位置は、被露光体４が矢印Ａ方向に速度Ｖで搬送されているため、先の照射位置から露光ピッチＰ1だけ後方にずれた位置となる。これにより、レーザビームＬbの２回目の往復走査中に上記先の１ライン分の露光に続いて、次の１ライン分の露光が実行される。以下、同様にしてレーザビームＬbを往復走査しながら、未露光部を生じさせることなく、被露光体４上の露光領域内を均一に露光することができる。この場合、光スイッチ９をＣＡＤデータに基づいて適切に駆動すると、被露光体４上に緻密な露光パターンを形成することができる。なお、同図において、破線は、隣接するレーザビームＬbによる隣接する露光領域の露光を示している。
　なお、ガルバノミラー２２に替えてポリゴンミラーを使用すれば図４に示すレーザビームＬbの復路走査時間Ｔ2を短縮することができる。したがって、レーザビームＬbの走査周波数を上げて被露光体４の搬送速度をより速くすることができる。これにより、露光工程のタクトをより向上することができる。
　図７は、本発明の露光装置による第２の実施形態を示す概略構成図である。以下、第１の実施形態と異なる部分について説明する。なお、図７においては、制御手段３は図示省略されている。
　この第２の実施形態は、第１のｆθレンズ８と搬送手段１との間に光走査手段としての音響光学素子（ＡＯＤ）３０を配置したものである。なお、図７において符号３１は全反射ミラーである。
　このような第２の実施形態によっても、被露光体４上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮するという本発明の目的を達成することができる。また、光走査手段７が第１の実施形態におけるような機械的動作の光偏向ミラーではなく、電子的動作の音響光学素子３０であるため、経時的変化が少なくレーザビームＬbを長時間安定して走査することができる。したがって、露光装置の信頼性を向上することができる。
　図８は、本発明の露光装置による第３の実施形態を示す概略構成図である。以下、第１及び第２の実施形態と異なる部分について説明する。なお、図８においては、制御手段３は図示省略されている。
　この第３の実施形態は、第１のｆθレンズ８の物体側焦点位置に光走査手段７として電気光学素子３２を配置したものである。この電気光学素子３２は、図９に示すように角型ブロック状の電気光学結晶材料３３の対向面に該対向面の光軸に平行な軸対して傾斜した辺３４を有する三角形の一対の電極３５Ａ，３５Ｂを設けた構成を成している。
　この場合、上記一対の電極３５Ａ，３５Ｂ間に印加する電圧を変化させると、該一対の電極３５Ａ，３５Ｂに挟まれた電気光学結晶材料３３の屈折率が変化する。したがって、電気光学素子３２に入射したレーザビームＬbは、電極３５Ａ，３５Ｂの傾斜した辺３４に対応する境界面において屈折することになる。それ故、レーザビームＬbは、上記印加電圧の変化に応じて、図９に示す矢印Ｂ，Ｃ方向に走査される。なお、図９においては、複数のレーザビームＬbに対応して複数の電極３５Ａ，３５Ｂを設けた場合について示している。
　このような第３の実施形態によっても、被露光体４上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮するという本発明の目的を達成することができる。また、レーザビームＬbが第１の実施形態におけるような機械的に走査されるのではなく、電子的に走査されるため、光走査手段７の経時的変化が少なくレーザビームＬbを長時間安定して走査することができる。したがって、露光装置の信頼性を向上することができる。
　なお、上記第３の実施形態においては、電気光学素子３２を第１のｆθレンズ８の物体側焦点位置に配置した場合について説明したが、第１のｆθレンズ８の光射出側に配置してもよい。だだ、第１のｆθレンズ８の物体側焦点位置に配置した方が、レーザビームＬbの走査角度が小さくてすむ。
　また、以上の説明においては、光スイッチ９が電気光学結晶材料を用いたものである場合について述べたが、本発明はこれに限られず、光スイッチ９は、オン・オフ駆動するマイクロミラーであってもよい。したがって、パターンジェネレータ６は、複数のマイクロミラーを一定の配列ピッチで一列に並べたマイクロミラーアレイであってもよい。
　１…搬送手段
　３…制御手段
　６…パターンジェネレータ
　７…光走査手段
　８…第１のｆθレンズ（ｆθレンズ）
　９…光スイッチ
　１０…スイッチング素子
　１１ａ，１１ｂ…電極
　１４…第１の偏光ビームスプリッタ（偏光素子）
　１５…第２の偏光ビームスプリッタ（偏光素子）
　２１…第２のｆθレンズ（別のｆθレンズ）
　２２…ガルバノミラー
　３０…音響光学素子（光走査手段）
　３２…電気光学素子（光走査手段）
　３３…電気光学結晶材料
　３５Ａ，３５Ｂ…電極

Claims (7)

  1. 　被露光体を一定方向に一定速度で搬送する搬送手段と、
    　前記被露光体の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられた複数の光スイッチにより、一方向に拡幅されたレーザ光を一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームに分割して射出するパターンジェネレータと、
    　前記パターンジェネレータから射出し、前記被露光体に照射する前記複数のレーザビームを互いに隣接する前記レーザビームの間の領域を同時に往復走査する光走査手段と、
    　前記往復走査される複数のレーザビームを前記被露光体上に集光するｆθレンズと、
    　前記パターンジェネレータの前記複数の光スイッチのオン・オフ駆動を制御する制御手段と、
    を備えたことを特徴とする露光装置。
  2. 　前記パターンジェネレータの各光スイッチは、電気光学結晶材料からなる角柱状のスイッチング素子の長軸に平行な対向面に夫々電極を設けると共に、前記スイッチング素子の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成したものであることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
  3. 　前記光走査手段は、前記ｆθレンズと、前記パターンジェネレータと前記ｆθレンズとの間に該ｆθレンズとミラー対称に対向配置された別のｆθレンズとの間に配置された光偏向ミラーであることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
  4. 　前記光偏向ミラーは、ガルバノミラーであることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
  5. 　前記光偏向ミラーは、ポリゴンミラーであることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
  6. 　前記光走査手段は、前記ｆθレンズと前記搬送手段との間に配置された音響光学素子であることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
  7. 　前記光走査手段は、前記ｆθレンズと、前記パターンジェネレータと前記ｆθレンズとの間に該ｆθレンズとミラー対称に対向配置された別のｆθレンズとの間に配置され、角型ブロック状の電気光学結晶材料の対向面に、該対向面の光軸に平行な軸に対して傾斜した辺を有する三角形の電極を設けた電気光学素子であることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
     
PCT/JP2011/073839 2010-11-11 2011-10-17 露光装置 WO2012063607A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-252505 2010-11-11
JP2010252505A JP5604745B2 (ja) 2010-11-11 2010-11-11 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012063607A1 true WO2012063607A1 (ja) 2012-05-18

Family

ID=46050760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/073839 WO2012063607A1 (ja) 2010-11-11 2011-10-17 露光装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5604745B2 (ja)
TW (1) TW201234129A (ja)
WO (1) WO2012063607A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI695187B (zh) * 2014-04-28 2020-06-01 日商尼康股份有限公司 圖案曝光裝置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105116693A (zh) * 2015-09-25 2015-12-02 武汉先河激光技术有限公司 一种大幅面无掩膜曝光装置及方法
JP6587026B2 (ja) * 2018-10-30 2019-10-09 株式会社ニコン パターン露光装置
US12064830B2 (en) 2020-03-12 2024-08-20 Rohr, Inc. Substrate perforation system and method using beamlets

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333793A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Fujitsu Ltd 露光装置
JPH07202307A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザ発生装置
JPH08507410A (ja) * 1992-11-02 1996-08-06 イーテック・システムズ・インコーポレーテッド 改良形レーザパターン発生装置
JP2000507003A (ja) * 1996-12-18 2000-06-06 イーテック システムズ，インコーポレーテッド 短波長パルスレーザ走査装置
JP2002351086A (ja) * 2001-03-22 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2004054101A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Pentax Corp 自動分解能設定機能を有するレーザ直描装置
JP2005300804A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Pentax Corp 描画装置
JP2008518278A (ja) * 2004-10-26 2008-05-29 松下電器産業株式会社 レーザライタを用いた反復性の高いマイクロパターン作製方法および装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4240461B2 (ja) * 2003-03-20 2009-03-18 株式会社リコー 画像形成方法および装置
JP2010251541A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Panasonic Corp パターン形成方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08507410A (ja) * 1992-11-02 1996-08-06 イーテック・システムズ・インコーポレーテッド 改良形レーザパターン発生装置
JPH06333793A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Fujitsu Ltd 露光装置
JPH07202307A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザ発生装置
JP2000507003A (ja) * 1996-12-18 2000-06-06 イーテック システムズ，インコーポレーテッド 短波長パルスレーザ走査装置
JP2002351086A (ja) * 2001-03-22 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2004054101A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Pentax Corp 自動分解能設定機能を有するレーザ直描装置
JP2005300804A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Pentax Corp 描画装置
JP2008518278A (ja) * 2004-10-26 2008-05-29 松下電器産業株式会社 レーザライタを用いた反復性の高いマイクロパターン作製方法および装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI695187B (zh) * 2014-04-28 2020-06-01 日商尼康股份有限公司 圖案曝光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012104679A (ja) 2012-05-31
JP5604745B2 (ja) 2014-10-15
TW201234129A (en) 2012-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102665999B (zh) 激光加工方法
KR101062192B1 (ko) 합파레이저광 조심방법, 레이저광 합파광원 및 노광장치
TWI616709B (zh) 雷射裝置、具備該雷射裝置之曝光裝置及檢查裝置
JP5254205B2 (ja) 光走査装置及びそれを用いた二次元画像表示装置
JP2006208432A (ja) 露光方法および装置
JP5604745B2 (ja) 露光装置
JP5704315B2 (ja) 露光装置
JP2008272830A (ja) レーザ加工装置
JP4490410B2 (ja) レーザ照射装置及びレーザ加工方法
TWI536043B (zh) 雷射照明裝置
JP2005032909A (ja) 照明光学系およびそれを用いた露光装置
KR20130113154A (ko) 레이저 가공 장치
TW200928439A (en) A multibeam laser device for fabricating a microretarder by heating process
JP6757509B2 (ja) 光加工方法
WO2018211691A1 (ja) レーザ加工装置
JP2008209797A (ja) レーザ照射装置、及び、露光方法
KR101688127B1 (ko) 노광 장치
TWI323682B (ja)
KR20230130046A (ko) 리슬리 프리즘 빔 조정을 이용한 적층 제조 시스템및 관련 방법
KR100629209B1 (ko) 레이저장치, 노광헤드, 노광장치 및 광섬유의 접속방법
JP2001356488A (ja) レーザ描画装置
US20130242281A1 (en) Exposure apparatus
JP5282979B2 (ja) 露光装置
JP2005010288A (ja) 均一化光学装置及びレーザ照射装置
CN116569093A (zh) 图案曝光装置以及图案曝光方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11840496

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11840496

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1