WO2012029449A1 - マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材 - Google Patents

マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材 Download PDF

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水村　通伸
敏成 新井
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株式会社ブイ・テクノロジー
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Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus and an optical member using a microlens array.
  • an exposure apparatus using a microlens array modifies an amorphous silicon film into a polysilicon film by irradiating the amorphous silicon film with laser light and melting and solidifying the amorphous silicon film by the heat of the laser light.
  • a laser annealing apparatus it is used as an exposure apparatus for photolithography in which a mask image is projected and exposed onto a resist film, and a resist pattern is formed by subsequent development processing.
  • An exposure apparatus using this microlens array is disclosed in Patent Document 1.
  • an object to be exposed 101 is placed on a stage 100, and a photomask 102 and a microlens array 106 are disposed above the object to be exposed 101. Is arranged. Then, the exposure light from the light source 111 is condensed by the collimation lens 110 and irradiated to the photomask 102.
  • the photomask 102 has a light shielding film 104 having an opening 105 formed on the upper surface of a transparent substrate 103, and a number of two-dimensionally arranged microlenses 107 are formed on the lower surface of the transparent substrate 103.
  • a lens array 106 is configured.
  • the exposure light that has passed through the opening 105 of the light shielding film 104 passes through the microlens 107 of the microlens array 106 and is converged to form an image on the exposure object 101.
  • the photomask 102 and the microlens array 106 are supported by a mask stage 108.
  • FIG. 5 is a sectional view showing a projection exposure type exposure apparatus using another conventional microlens array.
  • a resist film 2 for photolithography is formed on the transparent substrate 1, and the substrate 1 is conveyed below the microlens exposure apparatus.
  • a microlens array 3 formed by two-dimensionally arranging a large number of microlenses 3 a is provided, and a mask 4 is disposed above the microlens array 3.
  • the microlens array 3 is formed of a transparent quartz substrate, and the microlens 3 a is processed on the transparent quartz substrate of the microlens array 3.
  • the mask 4 is configured by bonding a Cr film 5 to the lower surface of a transparent substrate made of the same material as the microlens array 3, and the Cr film 5 has a hole 5 a for allowing laser light to pass therethrough. Yes.
  • the portions other than the holes 5a in the mask 4 are covered with the Cr film 5 and serve as light shielding portions that block the passage of laser light.
  • Both end portions of the microlens array 3 are bent so as to extend toward the mask 4, and end surfaces of the respective end portions are joined to the mask 4 thereabove. Thereby, the microlens array 3 and the mask 4 are fixed.
  • the exposure laser beam when the exposure laser beam is irradiated onto the mask 4, the laser beam that has passed through the hole 5 a of the mask 4 is applied to each microlens 3 a of the microlens array 3. Incident light is converged on the resist film 2 on the substrate 1 by each microlens 3a. Note that a pattern to be projected is formed in the hole 5a, and the pattern is projected onto the resist film 2 when laser light passes through the hole 5a and is irradiated onto the resist film 2.
  • the alignment of the substrate 1 with the mask 4 and the microlens array 3 is performed using the adjustment substrate 1a shown in FIG.
  • Alignment marks 11 are formed on both ends of the lower surface of the mask 4 where the microlens array 3 is not disposed.
  • a camera is provided below the alignment mark 11 and below the transparent adjustment substrate 1a.
  • a transparent base 30 is provided on the adjustment substrate 1 a at a position facing the alignment mark 11, and a mark 31 is formed on the transparent base 30.
  • the camera 10 positions the mask 4 and the microlens array 3 with respect to the adjustment substrate 1a so that the alignment mark 11 on the lower surface of the mask 4 and the mark 31 on the table 30 coincide within the same field of view.
  • the position adjustment between the production substrate 1 and the mask 4 is performed by aligning the mask 4 and the substrate 1a.
  • the microlens array 3 is bonded to the mask 4, so that the microlens surface of the microlens array 3 is closest to the surface of the substrate 1. For this reason, when a gap management abnormality occurs, the microlens surface first comes into contact with the substrate surface, and therefore the possibility of scratching the microlens is extremely high.
  • the distance between the microlens array 3 and the substrate 1 is about 200 ⁇ m. As described above, since the distance between the microlens array 3 and the substrate 1 is short, when the foreign matter enters the substrate 1 when the substrate 1 is exposed by the microlens array 3, the microlens is caused by the foreign matter.
  • the microlens array 3 is an extremely expensive part in the microlens array exposure apparatus. If the microlens array 3 is wrinkled, there is only a method for dealing with it. Therefore, there is an urgent need to take measures to prevent foreign matter from entering between the substrate 1 and the microlens array 3. However, in the conventional exposure apparatus, it is not possible to prevent foreign matter from entering between the substrate 1 and the microlens array 3. Further, conventionally, the alignment of the mask 4 and the adjustment substrate 1a is performed by using the adjustment substrate 1a, so that the alignment with the production substrate 1 is performed indirectly, which is complicated. there were.
  • the present invention has been made in view of such problems, and can prevent foreign matter from entering between the microlens array and the substrate.
  • the microlens is damaged due to abnormal approach of the substrate and the foreign matter.
  • An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an optical member using a microlens array that can prevent this.
  • An exposure apparatus using a microlens array includes a substrate stage that supports a transparent substrate to be exposed, a microlens array that is disposed above the substrate stage and has a plurality of microlenses, and the microlens array.
  • a light shielding mask disposed above the lens array and fixed to the microlens array; an exposure light source; and exposure light transmitted from the exposure light guide to the light shielding mask through the light shielding mask.
  • An optical system that forms an image on a substrate on the substrate stage by an array, an alignment mark base disposed on a surface of the mask facing the substrate, and an alignment formed on the surface of the alignment mark base facing the substrate Mark and light that is disposed below the transparent substrate and passes through the transparent substrate.
  • Mark detection means for detecting the substrate mark provided on the transparent substrate and the alignment mark within the same field of view, and the distance between the alignment mark base and the substrate is the microlens. And the distance between the substrate and the substrate.
  • the alignment mark base may be configured such that a recess or a step is formed on the surface facing the substrate, and the alignment mark is formed at a position where the recess or the step is low. .
  • the microlens array and the transparent substrate are relatively movable, and the alignment marks are formed in pairs at both ends of the mask in the direction orthogonal to the moving direction.
  • An optical member includes a microlens array that forms an exposure light image on a substrate to be exposed and exposes the substrate, a light-shielding mask fixed to the microlens array in parallel with the microlens array, An alignment mark base disposed outside the microlens array on the surface of the mask on which the microlens array is disposed, and an alignment mark formed on a front end surface of the alignment mark base, and the alignment The distance between the tip surface of the mark base and the mask is greater than the distance between the tip surface of the microlens array and the mask.
  • a concave portion or a step is formed on the tip surface of the alignment mark base, and the alignment mark can be formed at a position where the concave portion or the step is low.
  • the alignment mark base is closest to the substrate, even if a gap management abnormality occurs or a foreign object enters the substrate, the substrate or the foreign object comes into contact with the microlens array. Not an alignment mark base. For this reason, the microlens array is prevented from being damaged by contact with the substrate or the foreign matter. Further, in the present invention, it is not necessary to use an adjustment substrate for alignment between the mask and the substrate, and alignment with respect to the production substrate can be performed during the exposure process.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an exposure apparatus using a microlens array according to a first embodiment of the present invention.
  • the transparent substrate 1 is transported onto an appropriate substrate stage (not shown) and supported by this substrate stage.
  • a resist film 2 for photolithography is formed, and this resist film 2 is irradiated with exposure light from the microlens exposure apparatus of the present embodiment.
  • Above the substrate stage (substrate 1) there is provided a microlens array 3 formed by two-dimensionally arranging a large number of microlenses 3a.
  • a mask 4 is disposed above the microlens array 3. ing.
  • the microlens array 3 is formed of, for example, a transparent quartz substrate, and the microlens 3 a is processed on the transparent quartz substrate of the microlens array 3.
  • the light shielding mask 4 is configured by bonding a Cr (chromium) film 5 to the lower surface of a transparent substrate made of the same material as the microlens array 3, and the Cr film 5 has a hole 5a through which laser light passes. Is formed.
  • the Cr film 5 having the holes 5 a is disposed at the center in the width direction of the mask 4.
  • Both end portions of the microlens array 3 are bent upward toward the mask 4, and the end surfaces 6 of the respective end portions are joined to the mask 4 above the end portions 6. Thereby, the microlens array 3 and the mask 4 are fixed.
  • the exposure light incident on the mask 4 from an appropriate light source passes through the hole 5a of the Cr film 5 of the mask 4 and enters the microlens array 3, and the microlens array 3 causes the resist film on the substrate 1 to be exposed. 2 is projected.
  • the microlens array 3 forms the pattern of the holes 5a of the mask 4 on the resist film 2 on the substrate 1 in the same magnification image.
  • Alignment mark bases 12 are bonded to both ends of the lower surface of the mask 4 where the microlens array 3 is not disposed.
  • the surface of the alignment mark base 12 facing the substrate 1 is, for example, a + -shaped alignment.
  • a mark 11 is formed.
  • a camera 10 is disposed below the alignment mark 11 and below the transparent substrate 1.
  • An alignment mark window is formed on the substrate 1, and the alignment mark 11 is observed from the camera 10 through the alignment mark window and imaged. Thereby, in the image image
  • the mask 4 and the microlens array 3 are positioned with respect to the substrate 1 so as to match.
  • the height of the alignment mark base 12 is determined so that the alignment mark 11 is closer to the substrate 1 than the microlens array 3. That is, the distance between the alignment mark 11 or the alignment mark base 12 and the substrate 1 is smaller than the distance between the microlens array 3 and the substrate 1.
  • two pairs of alignment marks 11 are provided on each side of each microlens array 3.
  • a plurality of microlens arrays 3 are arranged in a direction perpendicular to the scanning direction of the substrate 1, and in the direction perpendicular to the scanning direction of the substrate 1, the exposure region of the substrate 1 is exposed at the same time.
  • exposure is continuously performed in the course of scanning, or scanning is temporarily stopped and intermittent exposure is performed.
  • the mark 20 is a mark used during mask manufacturing.
  • the exposure holes that have passed through the holes 5 a of the mask 4 become the microlenses of the microlens array 3.
  • the light is incident on 3a and converges on the resist film 2 on the substrate 1 by each microlens 3a.
  • a pattern to be projected is formed in the hole 5a, and when the laser beam passes through the hole 5a and is irradiated onto the resist film 2, the pattern is formed on the resist film 2 as an erect life-size image. Projected.
  • the gap between the microlens array 3 and the substrate 1 is controlled to be a predetermined value (for example, 200 ⁇ m). Further, the positions of the microlens array 3 and the mask 4 with respect to the substrate 1 are imaged through the alignment window of the substrate 1 by the camera 10 disposed below the substrate 1, and the alignment window 11 of the substrate 1 is imaged. The provided substrate mark and the alignment mark 11 on the alignment mark base 12 are determined to coincide with each other in the same field of view.
  • the microlens array 3 may abnormally approach the substrate 1.
  • the alignment mark base 12 first contacts the substrate 1.
  • the microlens array 3 does not come into contact with the substrate 1 and the microlens array 3 is not damaged.
  • the substrate 1 and the exposure light source are scanned and the substrate 1 and the exposure light source move with respect to the microlens array 3 and the mask 4, there is a possibility that foreign matter may enter the substrate 1. If foreign matter enters during this exposure, the foreign matter is shielded by the alignment mark base 12 and does not enter between the microlens array 3 and the substrate 1. For this reason, even if a foreign substance enters the substrate 1 during exposure, the microlens array 3 is not damaged.
  • the microlens array 3 is prevented from being damaged.
  • the alignment mark 11 may be damaged when a gap abnormality or foreign matter intrusion occurs.
  • the alignment process between the substrate using the alignment mark 11 and the microlens array 3 and the mask 4 is performed before the exposure, even if the abnormality occurs during the exposure and the alignment mark 11 is damaged, there is no problem. Absent.
  • the microlens array 3 is peeled off from the transparent substrate of the mask 4 at the end face 6, and the microlens array 3 is bonded to another mask 4, The microlens array 3 can be reused. Therefore, it is possible to reduce the running cost of exposure by effectively using the expensive microlens array 3.
  • the alignment mark 11 is provided on the substrate facing surface of the alignment mark base 12, the alignment mark 11 is close to the substrate 1, and the distance between the alignment mark 11 and the substrate 1 is the camera. 10 the alignment mark on the substrate 1 and the alignment mark 11 are imaged within the same field of view by the camera 10 provided below the substrate 1, and the substrate 1, the microlens array 3, and the mask 4 are captured. Can be aligned. Further, in the present embodiment, the alignment of the mask 4 and the microlens array 3 and the substrate 1 can be performed on the production substrate during the exposure process, and it is necessary to align using the adjustment substrate. There is no.
  • a recess 14 is formed on the lower surface of the alignment mark base 13 provided on the lower surface of the mask 4, that is, on the surface facing the substrate 1, and on the surface facing the substrate 1 in the recess 14.
  • An alignment mark 11 is formed.
  • the alignment mark base 13 is formed so that the distance between the surface around the recess 14 and the substrate 1 is smaller than the distance between the microlens array 3 and the substrate 1.
  • the alignment mark 11 is not limited to the case where a concave portion is provided on the front end surface of the alignment mark base 13 and is formed in the concave portion.
  • the alignment mark 11 may be formed on a surface closer to the substrate 1 than the most protruding surface on the front end surface.
  • the present invention can prevent the microlens array from being damaged by foreign matter and can easily align the substrate and the mask in the exposure apparatus using the microlens array.

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Abstract

　マイクロレンズアレイと基板との間に異物が入り込むことを防止することができ、基板の異常接近及び前記異物によりマイクロレンズに傷がつくことを防止できる露光装置及び光学部材を提供する。　透明基板１の上方に複数個のマイクロレンズ３ａが形成されたマイクロレンズアレイ３が配置され、このマイクロレンズアレイ３はその端面６でマスク４に接合されている。マスク４には、マイクロレンズアレイ３の両側にアライメントマーク台１２が接合されており、このアライメントマーク台１２の基板１との対向面にアライメントマーク１１が形成されている。アライメントマーク台１２と基板１との間の間隔は、マイクロレンズアレイ３と基板１との間隔よりも小さい。

Description

マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材
　本発明は、マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材に関する。
　従来、マイクロレンズアレイを使用した露光装置は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射して、レーザ光の熱によりアモルファスシリコン膜を溶融・凝固させることによって、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に改質するレーザアニーリング装置として使用されていると共に、マスク画像をレジスト膜に投影露光して、その後の現像処理によりレジストパターンを形成するフォトリソグラフィのための露光装置として使用されている。このマイクロレンズアレイを使用した露光装置として、特許文献１に開示されたものがある。
　この特許文献１に開示された露光装置においては、図４に示すように、ステージ１００上に被露光体１０１が載置され、この被露光体１０１の上方に、フォトマスク１０２及びマイクロレンズアレイ１０６が配置されている。そして、光源１１１からの露光光は、コリメーションレンズ１１０により集光されて、フォトマスク１０２に照射される。フォトマスク１０２は透明基板１０３の上面に、開口１０５を有する遮光膜１０４が形成されたものであり、透明基板１０３の下面に多数の２次元的に配置されたマイクロレンズ１０７が形成されて、マイクロレンズアレイ１０６が構成されている。この遮光膜１０４の開口１０５を透過した露光光が、マイクロレンズアレイ１０６のマイクロレンズ１０７を透過して収束され、被露光体１０１上に結像する。フォトマスク１０２及びマイクロレンズアレイ１０６はマスクステージ１０８により支持されている。
　図５は従来の他のマイクロレンズアレイを使用した投影露光型の露光装置を示す断面図である。透明基板１の上に、例えば、フォトリソグラフィ用のレジスト膜２が形成されており、この基板１がマイクロレンズ露光装置の下方に搬送されてくる。従来のマイクロレンズ露光装置においては、多数のマイクロレンズ３ａが２次元的に配置されて形成されたマイクロレンズアレイ３が設けられており、このマイクロレンズアレイ３の上方にマスク４が配置されている。マイクロレンズアレイ３は透明石英基板により形成されており、このマイクロレンズアレイ３の透明石英基板にマイクロレンズ３ａが加工されている。マスク４は、マイクロレンズアレイ３と同様の材質の透明基板の下面にＣｒ膜５が接合されて構成されており、このＣｒ膜５には、レーザ光を通過させるための孔５ａが形成されている。このマスク４における孔５ａ以外の部分は、Ｃｒ膜５により覆われていて、レーザ光の通過を阻止する遮光部分となっている。マイクロレンズアレイ３の両端部は、マスク４に向けて延びるように折れ曲がっており、この各端部の端面がその上方のマスク４に接合されている。これにより、マイクロレンズアレイ３とマスク４とが固定されている。
　このように構成された従来のマイクロレンズ露光装置においては、露光用のレーザ光をマスク４上に照射すると、マスク４の孔５ａを通過したレーザ光が、マイクロレンズアレイ３の各マイクロレンズ３ａに入射し、各マイクロレンズ３ａにより基板１上のレジスト膜２に収束する。なお、この孔５ａには、投影すべきパターンが形成されており、レーザ光が孔５ａを透過してレジスト膜２に照射されたときに、前記パターンがレジスト膜２に投影される。
　従来のマイクロレンズアレイを使用した投影露光型の露光装置においては、基板１とマスク４及びマイクロレンズアレイ３との位置合わせは、図６に示す調整用基板１ａを使用して行っていた。マスク４の下面におけるマイクロレンズアレイ３が配置されていない両端部に、アライメントマーク１１が形成されており、このアライメントマーク１１の下方であって、更に透明な調整用基板１ａの下方には、カメラ１０が配置されている。そして、調整用基板１ａ上には、そのアライメントマーク１１に対向する位置に、透明な台３０が設けられており、この透明台３０上にマーク３１が形成されている。そして、カメラ１０により、マスク４の下面のアライメントマーク１１と台３０上のマーク３１とが同一視野内で一致するように、マスク４及びマイクロレンズアレイ３の調整用基板１ａに対する位置決めがなされる。このように、調整用基板１ａにおいて、マスク４と基板１ａとの位置合わせをすることにより、生産基板１とマスク４との間の位置調整がなされている。
特開２００９－２７７９００号公報
　上述の従来の露光装置においては、いずれもマスク４にマイクロレンズアレイ３を接合しているため、マイクロレンズアレイ３のマイクロレンズ面が基板１の表面に最も接近する。このため、ギャップ管理の異常が発生した場合、まず、マイクロレンズ面が基板表面に接触するので、マイクロレンズに傷がつく可能性が極めて高い。また、マイクロレンズアレイ３と基板１（実際はレジスト膜２）との間の距離は、約２００μｍである。このように、マイクロレンズアレイ３と基板１との間の間隔が短いため、基板１をマイクロレンズアレイ３により露光しているときに、異物が基板１上に進入してきた場合、異物によりマイクロレンズアレイ３に疵をつけてしまう虞がある。このマイクロレンズアレイ３は、マイクロレンズアレイ露光装置において、極めて高価な部品であり、また、マイクロレンズアレイ３に疵がつくと、これを新品に交換するしか対処の方法がない。よって、基板１とマイクロレンズアレイ３との間に異物が進入することを防止するための対策が急務であった。しかしながら、従来の露光装置においては、この基板１とマイクロレンズアレイ３との間への異物の混入を防止することはできない。また、従来は、調整用基板１ａを使用して、マスク４と調整用基板１ａとの位置合わせをすることにより、生産基板１との位置合わせを間接的に行っており、その作業が煩雑であった。
　本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、マイクロレンズアレイと基板との間に異物が入り込むことを防止することができ、基板の異常接近及び前記異物によりマイクロレンズに傷がつくことを防止できるマイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材を提供することを目的とする。
　本発明に係るマイクロレンズアレイを使用した露光装置は、露光対象の透明基板を支持する基板ステージと、この基板ステージの上方に配置され複数個のマイクロレンズが形成されたマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され前記マイクロレンズアレイに固定された遮光マスクと、露光光源と、この露光光源から出射された露光光を前記遮光マスクに導き前記遮光マスクを透過した露光光を前記マイクロレンズアレイにより前記基板ステージ上の基板に結像させる光学系と、前記マスクの前記基板との対向面に配置されたアライメントマーク台と、このアライメントマーク台における前記基板との対向面に形成されたアライメントマークと、前記透明基板の下方に配置され前記透明基板を透過した光を前記アライメントマークに照射して前記透明基板に設けた基板マークと前記アライメントマークとを同一視野内で検知するマーク検知手段と、を有し、前記アライメントマーク台と前記基板との間隔は、前記マイクロレンズと前記基板との間隔よりも小さいことを特徴とする。
　この露光装置において、前記アライメントマーク台は、前記基板との対向面に凹部又は段差が形成されており、前記アライメントマークは前記凹部又は段差の低い位置に形成されているように構成することができる。
　更に、例えば、前記マイクロレンズアレイと前記透明基板とは相対的に移動可能であり、前記アライメントマークは前記マスクにおける前記移動方向に直交する方向の両端部に、対となって形成されている。
　本発明に係る光学部材は、露光対象の基板に露光光を結像させて前記基板を露光するマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイと平行に前記マイクロレンズアレイに固定された遮光マスクと、このマスクの前記マイクロレンズアレイが配置された側の面における前記マイクロレンズアレイより外側に配置されたアライメントマーク台と、このアライメントマーク台の先端面に形成されたアライメントマークと、を有し、前記アライメントマーク台の先端面と前記マスクとの間の距離は、前記マイクロレンズアレイの先端面と前記マスクとの間の距離より大きいことを特徴とする。
　この光学部材において、前記アライメントマーク台の先端面には、凹部又は段差が形成されており、前記アライメントマークは前記凹部又は段差の低い位置に形成されているように構成することができる。
　本発明によれば、アライメントマーク台が最も基板に近いので、ギャップ管理の異常が発生したり、異物が基板上を侵入してきたりしても、基板又は異物が接触するのは、マイクロレンズアレイではなく、アライメントマーク台である。このため、マイクロレンズアレイは、基板又は異物との接触により傷がつくことが防止される。また、本発明においては、マスクと基板との位置合わせに、調整用基板を使用する必要がなく、生産基板に対して、露光処理中に位置合わせをすることができる。
本発明の実施形態に係る露光装置を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係る露光装置を示す断面図である。 マスクの下面を示す図である。 従来の露光装置を示す図である。 従来の他の露光装置を示す断面図である。 従来の位置合わせ方法を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の第１実施形態に係るマイクロレンズアレイを使用した露光装置を示す縦断面図である。透明基板１は適宜の基板ステージ（図示せず）上に搬送されてきて、この基板ステージに支持される。透明基板１の上には、例えば、フォトリソグラフィ用のレジスト膜２が形成されており、このレジスト膜２に本実施形態のマイクロレンズ露光装置から露光光が照射される。基板ステージ（基板１）の上方には、多数のマイクロレンズ３ａが２次元的に配置されて形成されたマイクロレンズアレイ３が設けられており、このマイクロレンズアレイ３の上方にマスク４が配置されている。マイクロレンズアレイ３は例えば透明石英基板により形成されており、このマイクロレンズアレイ３の透明石英基板にマイクロレンズ３ａが加工されている。遮光マスク４は、マイクロレンズアレイ３と同様の材質の透明基板の下面にＣｒ（クロム）膜５が接合されて構成されており、このＣｒ膜５には、レーザ光を通過させるための孔５ａが形成されている。孔５ａを有するＣｒ膜５は、マスク４の幅方向中央部に配置されている。
　マイクロレンズアレイ３の両端部は、マスク４に向けて上方に折れ曲がっており、この各端部の端面６がその上方のマスク４に接合されている。これにより、マイクロレンズアレイ３とマスク４とが固定されている。
　適宜の光源（図示せず）からマスク４に入射した露光光は、マスク４のＣｒ膜５の孔５ａを透過してマイクロレンズアレイ３に入射し、マイクロレンズアレイ３により基板１上のレジスト膜２に投影される。マイクロレンズアレイ３はマスク４の孔５ａのパターンを等倍成立像で基板１上のレジスト膜２に結像させる。
　マスク４の下面におけるマイクロレンズアレイ３が配置されていない両端部に、アライメントマーク台１２が接合されており、このアライメントマーク台１２における基板１に対向する面には、例えば、＋字状のアライメントマーク１１が形成されている。そして、このアライメントマーク１１の下方であって、更に透明基板１の下方には、カメラ１０が配置されている。そして、基板１には、アライメントマーク窓が形成されており、カメラ１０からアライメントマーク窓を介してアライメントマーク１１を観察し、これを撮像する。これにより、カメラ１０により撮影された画像において、透明基板１の表面のアライメントマーク窓内に形成された基板マークと、アライメントマーク台１２の下面に形成されたアライメントマーク１１とが、同一視野内で一致するように、マスク４及びマイクロレンズアレイ３の基板１に対する位置決めがなされる。
　そして、アライメントマーク台１２は、そのアライメントマーク１１が、マイクロレンズアレイ３よりも基板１に近い位置になるように、その高さが決められる。即ち、アライメントマーク１１又はアライメントマーク台１２と基板１との間の間隔は、マイクロレンズアレイ３と基板１との間の間隔よりも小さい。
　なお、図３に示すように、各マイクロレンズアレイ３に対して、その両側に２対のアライメントマーク１１が設けられている。そして、基板１の走査方向に垂直の方向に複数個のマイクロレンズアレイ３が配置され、基板１の走査方向に垂直の方向については、同時に基板１の露光領域を露光し、基板１の走査方向については、走査の過程で連続的に露光するか、又は走査を一旦停止して間欠的に露光する。なお、マーク２０は、マスク製造時に使用されるマークである。
　このように構成された本実施形態のマイクロレンズ露光装置においては、露光用のレーザ光をマスク４上に照射すると、マスク４の孔５ａを通過した露光孔が、マイクロレンズアレイ３の各マイクロレンズ３ａに入射し、各マイクロレンズ３ａにより基板１上のレジスト膜２に収束する。なお、この孔５ａには、投影すべきパターンが形成されており、レーザ光が孔５ａを透過してレジスト膜２に照射されたときに、前記パターンがレジスト膜２に正立等倍像として投影される。この場合に、露光光がレジスト膜２上に結像するようにするために、マイクロレンズアレイ３と基板１との間のギャップは所定値（例えば、２００μｍ）になるように制御されている。また、基板１に対するマイクロレンズアレイ３及びマスク４の位置は、基板１の下方に配置されたカメラ１０にて、基板１のアライメント窓を介してアライメントマーク１１を撮像し、基板１のアライメント窓に設けられた基板マークと、アライメントマーク台１２上のアライメントマーク１１とが同一視野内で一致するように決められる。
　而して、マイクロレンズアレイ３と基板１との間のギャップの管理が異常になった場合、マイクロレンズアレイ３が基板１に異常に接近する可能性がある。このようにギャップが異常に短くなった場合、本実施形態においては、まず、アライメントマーク台１２が基板１に接触する。このため、マイクロレンズアレイ３が基板１に接触して、マイクロレンズアレイ３に傷がつくことはない。また、露光に際し、基板１及び露光光源が走査され、マイクロレンズアレイ３及びマスク４に対して基板１及び露光光源が移動した場合、基板１上に異物が侵入する可能性がある。この露光中に異物の侵入が生じた場合は、異物はアライメントマーク台１２により遮蔽されて、マイクロレンズアレイ３と基板１との間には入り込まない。このため、露光中に異物が基板１上に侵入しても、マイクロレンズアレイ３に傷がつくことはない。
　このようにして、マイクロレンズアレイ３に傷がつくことが防止される。なお、ギャップ異常又は異物侵入が生じた場合に、アライメントマーク１１に傷がつく可能性はある。しかし、このアライメントマーク１１を使用した基板とマイクロレンズアレイ３及びマスク４とのアライメント処理は、露光の前に行われるので、露光中に上記異常が生じてアライメントマーク１１に傷がついても支障はない。また、このようにアライメントマーク１１に傷がついた場合には、端面６にてマイクロレンズアレイ３をマスク４の透明基板から剥離させ、マイクロレンズアレイ３を他のマスク４に接合することにより、マイクロレンズアレイ３を再利用することができる。よって、高価なマイクロレンズアレイ３を有効利用して露光のランニングコストを低減することができる。
　また、本実施形態においては、アライメントマーク１１がアライメントマーク台１２における基板対向面に設けられているので、アライメントマーク１１が基板１に近く、アライメントマーク１１と基板１との間の距離が、カメラ１０の焦点深度内に収まるため、基板１の下方に設けたカメラ１０により基板１上のアライメントマークと、アライメントマーク１１とを同一視野内で撮像して、基板１とマイクロレンズアレイ３及びマスク４との位置合わせを行うことができる。また、本実施形態においては、マスク４及びマイクロレンズアレイ３と基板１との位置合わせを、露光処理中の生産基板に対して行うことができ、調整用基板を使用して位置合わせをする必要がない。
　次に、本発明の他の実施形態について、図２を参照して説明する。この実施形態においては、マスク４の下面に設けたアライメントマーク台１３の下面、即ち、基板１に対向する面に、凹部１４が形成されており、この凹部１４内の基板１に対向する面にアライメントマーク１１が形成されている。アライメントマーク台１３はその凹部１４の周囲の面と、基板１との間隔が、マイクロレンズアレイ３と基板１との間隔よりも小さくなるように、形成されている。
　このように構成された露光装置においては、マイクロレンズアレイ３と基板１との間のギャップ異常が生じた場合には、アライメントマーク台１３の先端面が基板１と接触し、また、異物が基板１上を侵入してきたりした場合には、アライメントマーク台１３の先端面が異物と接触する。従って、アライメントマーク１１自体は、基板１又は異物と接触することはないので、アライメントマーク１１に傷がつくことはない。よって、本実施形態においては、マイクロレンズアレイ３だけでなく、アライメントマーク１１も継続的に使用することができるため、更にランニングコストを低減できる。なお、アライメントマーク１１は、アライメントマーク台１３の先端面に凹部を設けて、この凹部に形成する場合に限らず、アライメントマーク台１３の先端面に段差を設けて、この段差の低い位置、即ち、先端面における最も突出した面よりも基板１寄りの面にアライメントマーク１１を形成してもよい。
　本発明は、マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、マイクロレンズアレイの異物による損傷を防止すると共に、基板とマスクとの位置合わせを容易にすることができる。
１：基板（生産基板）
１ａ：調整用基板
２：レジスト膜
３：マイクロレンズアレイ
３ａ：マイクロレンズ
４：マスク
５：Ｃｒ膜
５ａ：孔
１０：カメラ
１１：アライメントマーク
１２，１３：アライメントマーク台
３０：台
３１：マーク

Claims (5)

  1. 露光対象の透明基板を支持する基板ステージと、この基板ステージの上方に配置され複数個のマイクロレンズが形成されたマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され前記マイクロレンズアレイに固定された遮光マスクと、露光光源と、この露光光源から出射された露光光を前記遮光マスクに導き前記遮光マスクを透過した露光光を前記マイクロレンズアレイにより前記基板ステージ上の基板に結像させる光学系と、前記マスクの前記基板との対向面に配置されたアライメントマーク台と、このアライメントマーク台における前記基板との対向面に形成されたアライメントマークと、前記透明基板の下方に配置され前記透明基板を透過した光を前記アライメントマークに照射して前記透明基板に設けた基板マークと前記アライメントマークとを同一視野内で検知するマーク検知手段と、を有し、前記アライメントマーク台と前記基板との間隔は、前記マイクロレンズと前記基板との間隔よりも小さいことを特徴とするマイクロレンズアレイを使用した露光装置。
  2. 前記アライメントマーク台は、前記基板との対向面に凹部又は段差が形成されており、前記アライメントマークは前記凹部又は段差の低い位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズアレイを使用した露光装置。
  3. 前記マイクロレンズアレイと前記透明基板とは相対的に移動可能であり、前記アライメントマークは前記マスクにおける前記移動方向に直交する方向の両端部に、対となって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロレンズアレイを使用した露光装置。
  4. 露光対象の基板に露光光を結像させて前記基板を露光するマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイと平行に前記マイクロレンズアレイに固定された遮光マスクと、このマスクの前記マイクロレンズアレイが配置された側の面における前記マイクロレンズアレイより外側に配置されたアライメントマーク台と、このアライメントマーク台の先端面に形成されたアライメントマークと、を有し、前記アライメントマーク台の先端面と前記マスクとの間の距離は、前記マイクロレンズアレイの先端面と前記マスクとの間の距離より大きいことを特徴とする光学部材。
  5. 前記アライメントマーク台の先端面には、凹部又は段差が形成されており、前記アライメントマークは前記凹部又は段差の低い位置に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光学部材。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101660918B1 (ko) * 2009-10-29 2016-09-28 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 노광 장치 및 포토 마스크
US9001425B2 (en) * 2011-07-29 2015-04-07 V Technology Co., Ltd. Microlens array and scanning exposure device using same
US10891460B2 (en) * 2017-07-18 2021-01-12 Will Semiconductor (Shanghai) Co. Ltd. Systems and methods for optical sensing with angled filters
JP7066559B2 (ja) * 2018-07-13 2022-05-13 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合方法
JP7082927B2 (ja) * 2018-08-27 2022-06-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置
CN109062001B (zh) * 2018-08-27 2022-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版
CN109801837A (zh) * 2019-02-02 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板的激光退火工艺及掩膜版

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277900A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd 露光装置及びフォトマスク
WO2010047362A1 (ja) * 2008-10-24 2010-04-29 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及びフォトマスク

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3374875B2 (ja) 1994-06-21 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体写真製版装置及びそれを用いて形成された微細パターン
JPH1062736A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Sony Corp 液晶表示素子の製造方法および重ね合わせ装置
TW520457B (en) * 1997-09-30 2003-02-11 Toshiba Corp Display panel and position adjusting method for the display panel
US6016185A (en) * 1997-10-23 2000-01-18 Hugle Lithography Lens array photolithography
JP3301387B2 (ja) 1998-07-09 2002-07-15 ウシオ電機株式会社 プロキシミティ露光におけるマスクとワークのギャップ制御方法およびプロキシミティ露光装置
US6107011A (en) * 1999-01-06 2000-08-22 Creo Srl Method of high resolution optical scanning utilizing primary and secondary masks
JP4023043B2 (ja) * 1999-08-31 2007-12-19 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズアレイ基板の製造方法
US6440613B1 (en) 1999-09-02 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Method of fabricating attenuated phase shift mask
JP3826720B2 (ja) * 2000-04-25 2006-09-27 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ基板の製造方法およびマイクロレンズ基板
JP2003248156A (ja) * 2002-02-27 2003-09-05 Ricoh Co Ltd 基板の重ね合わせ方法および光学素子
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007003829A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp 画像露光装置
WO2010070988A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 株式会社ブイ・テクノロジー 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク
KR101660918B1 (ko) * 2009-10-29 2016-09-28 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 노광 장치 및 포토 마스크
CN102597881B (zh) * 2009-11-12 2015-07-08 株式会社V技术 曝光装置及其使用的光掩模
JP5424267B2 (ja) * 2010-08-06 2014-02-26 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズ露光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277900A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd 露光装置及びフォトマスク
WO2010047362A1 (ja) * 2008-10-24 2010-04-29 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及びフォトマスク

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