WO2012029364A1 - インジウムターゲット及びその製造方法 - Google Patents

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indium
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target surface
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貴誠 前川
瑶輔 遠藤
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Jx日鉱日石金属株式会社
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target and a manufacturing method thereof, and more particularly to an indium target and a manufacturing method thereof.
  • Indium is used as a sputtering target for forming a light absorption layer of a Cu—In—Ga—Se (CIGS) thin film solar cell.
  • CGS Cu—In—Ga—Se
  • Patent Document 1 describes a method in which an indium thin film is formed on a backing plate, and then indium is poured onto the thin film and cast so as to be integrated with the backing plate.
  • Patent Document 2 describes a predetermined amount of indium raw material is charged and dissolved in a heated mold, indium oxide floating on the surface is removed, and cooled to obtain an ingot.
  • an object of the present invention is to provide an indium target capable of maintaining a high sputter rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge, and a method for manufacturing the indium target.
  • the present inventors diligently studied to solve the above problems, and when solidifying the indium target by the melt casting method, the outer peripheral portion of the target surface is compared with the central portion, and the surface is more compared with the inner portion. It was found that the particle size of the indium crystal grains constituting the target was significantly different depending on the observation location because it was cooled quickly. And it discovered that the problem of the difference in the sputtering rate in a sputtering surface and the time-dependent change of the sputtering rate had arisen because of this.
  • the average grain size is reduced to a certain level by rolling to reduce the difference in the crystal grain size in the center with respect to the outer periphery of the target and the difference in the crystal grain size in the interior relative to the surface.
  • the internal voids were crushed and reduced by rolling. It was found that the indium target obtained in this way can both suppress abnormal discharge and maintain a high sputtering rate.
  • the average crystal grain size of the target surface is 10 mm or less, and the crystal grain observed from the cross section parallel to the rolling direction is the average grain size parallel to the rolling direction.
  • the indium target has an average particle diameter ratio in the direction perpendicular to the rolling direction of 0.1 to less than 0.7 and a void having a pore diameter of 50 ⁇ m or more of 1 piece / cm 3 or less.
  • the indium target according to the present invention has a maximum crystal grain size of 20 mm or less on the target surface.
  • the ratio of the average grain size of the crystals existing in the center portion of the target surface to the average grain size of the crystals existing in the outer peripheral portion of the target surface is 1.0 to 1. 8.
  • the average grain size of crystals existing on a cutting plane parallel to the target surface and passing through the center point of the central axis of the target with respect to the average grain size of crystals existing on the target surface is 1.0 to 1.8.
  • the present invention is a method for producing an indium target including a step of cold rolling an indium raw material after melting and casting.
  • indium raw material is melt cast
  • cold rolling is performed until the average crystal grain size on the target surface is 10 mm or less.
  • an indium raw material is cooled at a cooling rate of 3 to 70 ° C./min during melt casting, and then cold-rolled at a total reduction of 50 to 80%.
  • an indium target capable of maintaining a high sputter rate while suppressing the occurrence of abnormal discharge can be obtained.
  • the indium target according to the present invention has an average crystal grain size of 10 mm or less on the target surface, and crystal grains observed from a cross section parallel to the rolling direction are perpendicular to the rolling direction with respect to the average grain size parallel to the rolling direction (
  • the ratio of the average particle diameter in the thickness direction (hereinafter also referred to as “cross-sectional aspect ratio”) is 0.1 to less than 0.7.
  • cross-sectional aspect ratio 0.1 to less than 0.7.
  • the average crystal grain size is about 10 mm or more. And get bigger. With such a large crystal grain size, the film formation rate of sputtering is reduced.
  • the indium ingot is cold-rolled to apply a physical force to the crystal structure and reduce the crystal grain size by the action of slip dislocation and the like. Further, the physical force applied to the crystal structure acts even inside the indium ingot, and the crystal grain size inside the indium ingot can be reduced. On the other hand, since the crystal grain size is crushed in the plate thickness direction by cold rolling, the cross-sectional aspect ratio becomes smaller than that before rolling.
  • the adjustment of the crystal grain size can be adjusted by the rolling reduction during cold rolling.
  • the higher the rolling reduction the smaller the crystal grain size and the cross-sectional aspect ratio.
  • the average crystal grain size on the surface of the indium target is preferably 1 to 6 mm, more preferably 1 to 3 mm.
  • the cross-sectional aspect ratio is preferably 0.1 to 0.6, and more preferably 0.1 to 0.5.
  • the cross-sectional aspect ratio is measured by the following method.
  • the target is cut in the plate thickness direction so that the cut surface passes through the central axis 15 of the target 10 and is parallel to the rolling direction.
  • the exposed cut surface 16 is lightly etched with a weak acid, or carbon powder is rubbed on the cut surface 16 to make the crystal grain boundaries easy to see, and then, with any 20 crystal grains as measurement objects, it is visually parallel to the rolling direction.
  • the average particle size (a) in the direction x and the average particle size (b) in the direction perpendicular to the rolling direction (sheet thickness direction) y are calculated to determine the cross-sectional aspect ratio (b / a).
  • the average grain size parallel to the rolling direction is the measurement target when the longest line segment parallel to the rolling direction that can be surrounded by each crystal grain is the grain size parallel to the rolling direction of each crystal grain. It is an average value about a crystal grain.
  • the average grain size perpendicular to the rolling direction is the measurement target when the longest line perpendicular to the rolling direction that can be surrounded by each crystal grain is the grain size perpendicular to the rolling direction of each crystal grain. It is an average value about a crystal grain.
  • the indium target according to the present invention has a maximum crystal grain size of 20 mm or less.
  • the maximum crystal grain size is preferably 15 mm or less, more preferably 10 mm or less, for example, 5 to 10 mm.
  • the maximum crystal grain size of the indium target is measured by the following method.
  • the ratio of the average grain size of the crystal existing in the center of the target surface to the average grain size of the crystal existing in the outer peripheral portion of the target surface is 1.0 to 1.8. is there.
  • the crystal grain size tends to be larger in the central part where the cooling rate is slower than in the outer peripheral part, but according to the present invention, the difference in crystal grain size between the outer peripheral part and the central part is reduced. Can do. This improves the in-plane uniformity of the sputtering rate. As a result, the in-plane uniformity of the film thickness is improved.
  • the ratio is preferably 1.0 to 1.6, more preferably 1.0 to 1.4.
  • the “center portion of the target surface” is a region in the surface of the target that includes the center point of the target surface and occupies half the total area of the target, It is defined as a region having a shape similar to the shape. Therefore, for example, in the case of a disk-shaped target having a radius R, the central portion means a region having a radius R / ⁇ 2. Therefore, in the present invention, the “peripheral portion of the target surface” is defined as a region in the surface of the target and a region other than the central portion.
  • FIG. 1 schematically shows a central portion of the target surface and an outer peripheral portion of the target surface.
  • the ratio of the average particle size of the crystals existing in the center of the target surface to the average particle size of the crystals existing in the outer peripheral portion of the target surface is measured by the following method.
  • the average particle diameter of crystals existing in the center of the target surface is measured by the following method. After lightly etching the surface of the target with a weak acid or rubbing carbon powder on the surface to make the grain boundary easy to see, an arbitrary 25 mm ⁇ 50 mm range in the center of the target surface is used as a measurement target region, and visually The number (N) of crystal grains in the region is counted. The number of crystal grains existing across the boundary of the region is treated as 0.5.
  • the number of crystal grains existing across the boundary of the region is treated as 0.5.
  • A 2 (s / ⁇ ) 1/2 From the average grain size of the crystals present in the center of the target surface obtained by the above method and the average grain size of the crystals present in the outer periphery of the target surface, the average grain size of the crystals present in the outer periphery of the target surface. The ratio of the average grain size of crystals existing in the center of the target surface to the average grain size of crystals existing in the center of the target surface / (average grain size of crystals existing in the outer periphery of the target surface), Ask for.
  • the indium target according to the present invention is a cut surface parallel to the target surface with respect to the average grain size of crystals existing on the target surface and passing through the center point of the central axis of the target (hereinafter also referred to as “target internal”).
  • the ratio of the average particle diameter of the crystals present in is 1.0 to 1.8.
  • the crystal grain size tends to be larger in the interior where the cooling rate is slower than the target surface, but according to the present invention, the difference in crystal grain size between the target surface and the interior can be reduced. . Thereby, it is possible to reduce the change with time of the sputtering rate.
  • the ratio is preferably 1.0 to 1.6, more preferably 1.0 to 1.4.
  • FIG. 2 schematically shows the target surface and the inside of the target.
  • the ratio of the average grain size of crystals existing on a cutting plane parallel to the target surface and passing through the center point of the central axis of the target to the average grain size of crystals existing on the target surface is measured by the following method.
  • the average crystal grain size on the surface of the indium target is measured by the method described above.
  • the average grain size of crystals existing on a cut surface parallel to the target surface and passing through the center point of the central axis of the target is obtained.
  • the average crystal particle size of the cut surface is measured by the same method as the method of measuring the average crystal particle size of the indium target surface.
  • the ratio of the average grain size of the crystals existing on the cutting plane parallel to the target surface and passing through the center point of the central axis of the target to the average grain size of the crystal to be calculated is (average grain size of crystals existing on the target surface) / (target The average grain size of crystals existing on a cutting plane parallel to the surface and passing through the center point of the central axis of the target.
  • the number of voids having a pore diameter of 50 ⁇ m or more is 1 / cm 3 or less. It is desirable to minimize the gaps present in the target, particularly large gaps having a pore diameter of 50 ⁇ m or more, because they cause abnormal discharge during sputtering. According to the present invention, since the voids existing inside during melt casting are crushed during cold rolling, the voids can be reduced.
  • the number of voids having a pore diameter of 50 ⁇ m or more is 1 / cm 3 or less.
  • the voids having a pore diameter of 50 ⁇ m or more are preferably 0.5 pieces / cm 3 or less, more preferably 0.3 pieces / cm 3 or less, for example, 0 to 0.3 pieces / cm 3 .
  • the number of voids having a pore diameter of 50 ⁇ m or more is measured with an electronic scanning ultrasonic flaw detector.
  • Set the target in the flaw detector water tank of the above device, measure with frequency band 1.5 20MHz, pulse repetition frequency 5KHz, scan speed 60mm / min.
  • the ratio of the number of voids is obtained from the volume of the target to be measured.
  • the hole diameter is defined by the diameter of the smallest circle surrounding the hole of the image image.
  • indium which is a raw material is dissolved and poured into a mold.
  • the raw material indium to be used preferably has a high purity because the conversion efficiency of a solar cell produced from the raw material is reduced when impurities are contained.
  • the purity of the material indium is 99.99. More than mass% indium can be used. Then, it cools to room temperature and forms an indium ingot.
  • the cooling rate may be natural cooling with air (about 10 ° C./min), but if it is important to suppress the voids in the ingot at the stage of melt casting, it is as slow as possible, for example, 9 ° C./min or less, preferably It can be cooled at 8 ° C./min or less.
  • the effect of suppressing crystal coarsening due to ultrasonic vibration cannot be obtained sufficiently, and therefore it is preferably 3 ° C./min or more, more preferably 5 ° C./min or more.
  • cooling is performed as quickly as possible.
  • the gap can be considerably reduced by cold rolling, it is preferable to obtain fine crystal grains by high-speed cooling to obtain a high sputter rate in order to improve the overall characteristics of the target.
  • it can be set to 20 ° C./min or more, preferably 50 ° C./min.
  • the cooling rate can be adjusted by heating the mold with a heater or the like when reducing the cooling rate, and conversely when increasing the cooling rate, such as water cooling by supplying cooling water around the mold. Can be done by the method.
  • the cooling rate is calculated by (indium melting temperature ⁇ 25 ° C.) / (Time from the start of cooling until the indium temperature decreases from the melting temperature to 25 ° C.).
  • the obtained indium ingot is cold-rolled until the overall average crystal grain size becomes 10 mm or less, and is shaped and surface-polished as necessary to obtain an indium target.
  • the total rolling reduction is preferably 50 to 80%, more preferably 60 to 70%.
  • the thickness of the target is not particularly limited and may be appropriately set according to the apparatus used and the purpose of use, but is usually about 3 to 20 mm, and typically about 5 to 10 mm. What is necessary is just to adjust the thickness of the indium ingot before cold rolling and the rolling reduction of cold rolling according to the target thickness of the target.
  • the indium target thus obtained can be suitably used as a sputtering target for a light absorption layer for CIGS thin film solar cells.
  • An indium raw material (purity: 5N) dissolved at 160 ° C. was poured into a mold having an inner diameter of 250 mm and a depth of 50 mm, and then cooled to room temperature (25 ° C.) at the cooling rate shown in Table 1 to obtain disc-shaped indium. An ingot (diameter 250 mm x thickness 30 mm) was formed. Subsequently, each indium target of an invention example and a comparative example was obtained by cold-rolling this ingot on the conditions described in Table 1.
  • the obtained indium target was processed into a diameter of 204 mm and a thickness of 10 mm, and the following characteristic values A to F were measured by the method described above.
  • a to D after making the target surface easy to observe the grain boundary by surface grinding and etching with acid, visual observation and dimension measurement are performed, and E is measured by an electronic scanning type manufactured by Nippon Kraut Kramer Co., Ltd. An ultrasonic flaw detection system PA-101 was used. The results are shown in Table 1.
  • A Average crystal grain size of each part
  • B Maximum crystal grain size of target surface
  • C Center part of target surface with respect to average grain size of crystal existing in outer peripheral part of target surface (indicated by “surface outer periphery” in Table 1)
  • the ratio of the average particle diameter of crystals existing in the surface (indicated by “surface center” in Table 1)
  • D The target surface relative to the average particle diameter of crystals existing in the target surface (indicated by “entire surface” in Table 1) Ratio of average particle diameter of crystals (indicated as “internal” in Table 1) existing on the cut surface passing through the central point of the central axis of the target in parallel
  • E Number ratio of voids having a pore diameter of 50 ⁇ m or more
  • F Cross-sectional aspect ratio
  • the indium targets of these invention examples and comparative examples were processed by an ANELVA SPF-313H sputtering apparatus, the ultimate vacuum pressure in the chamber before the start of sputtering was 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, the sputtering pressure was 0.5 Pa, Table 2 shows the results when sputtering was performed at an argon sputtering gas flow rate of 5 SCCM and a sputtering power of 650 W for 30 minutes. Table 2 shows the initial sputtering rate, the sputtering rate after the elapse of 3.3 kWhr sputtering, and the number of abnormal discharges during sputtering. The sputtering rate was calculated from the film formation time and the result of film thickness measurement using a step gauge, and the number of abnormal discharges was measured by a visual method.
  • Table 1 and Table 2 show the following. Since Comparative Example 1 was not rolled, the crystal grain size was large and the sputtering rate was slow. Further, since the variation of each crystal grain portion was large, the change in the sputtering rate with time was also large. Although Comparative Example 2 was rolled, the air gap could not be sufficiently suppressed because the cooling rate was too high. Therefore, the number of abnormal discharges was large. Although Comparative Example 3 was rolled, the crystal grain size was increased because the cooling rate was too low. In the inventive examples 1 to 3, it can be seen that the crystal grain size is reduced as the cooling rate is increased, the variation among the parts is reduced, and a high sputtering rate can be maintained. It can also be seen that although the amount of voids increases slightly as the cooling rate is increased, abnormal discharge is sufficiently suppressed.

Abstract

　異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。本発明によれば、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、圧延方向に平行な断面から観察した結晶粒について、圧延方向に平行方向の平均粒径に対する圧延方向に直角方向の平均粒径の比が０．１以上０．７未満であり、且つ、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ3以下であるインジウムターゲットを提供する。当該インジウムターゲットはインジウム原料を溶解鋳造後に冷間圧延することにより製造可能である。

Description

インジウムターゲット及びその製造方法
　本発明はスパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、より詳細にはインジウムターゲット及びその製造方法に関する。
　インジウムは、Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ系（ＣＩＧＳ系）薄膜太陽電池の光吸収層形成用のスパッタリングターゲットとして使用されている。
　従来、インジウムターゲットは溶解鋳造法によって主に製造されている。
　特公昭６３－４４８２０号公報（特許文献１）にはバッキングプレートにインジウムの薄膜を形成した後、該薄膜の上にインジウムを流し込み鋳造することでバッキングプレートと一体に形成する方法が記載されている。
　また、特開２０１０－２４４７４号公報（特許文献２）では、加熱された鋳型に所定量のインジウム原料を投入して溶解し、表面に浮遊する酸化インジウムを除去し、冷却してインゴットを得、得たインゴット表面を研削してインジウムターゲットを得るに際し、所定量のインジウム原料を一度に鋳型に投入せずに複数回に分けて投入し、都度生成した溶湯表面の酸化インジウムを除去し、その後、冷却して得られたインゴットを表面研削して得る方法が記載されている。
特公昭６３－４４８２０号公報 特開２０１０－２４４７４号公報
　しかしながら、この様な溶解鋳造法でインジウムターゲットを製造する場合、冷却速度が大きいとターゲット内部に空隙ができてしまうために、スパッタ中に異常放電が発生してしまうという問題があった。一方で、冷却速度を小さくすると、結晶粒径が大きくなって、スパッタレートが小さくなってしまうという問題があった。また、従来の溶解鋳造法で製造されたインジウムターゲットは、スパッタ面内でスパッタレートが相違したり、スパッタレートが経時変化したりするという問題もあった。
　そこで、本発明は、異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
　本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討したところ、溶解鋳造法でインジウムターゲットを凝固する際に、ターゲット表面の外周部は中央部と比較して、表面は内部と比較して、より速く冷却されるため、観察箇所によってターゲットを構成するインジウム結晶粒の粒径が有意に異なっていたことを見出した。そして、これが原因でスパッタ面内でのスパッタレートの相違や、スパッタレートの経時変化という問題が生じていたことを発見した。
　そこで、インジウムターゲットを溶解鋳造後、圧延して一定程度にまで平均粒径を小さくすることでターゲットの外周部に対する中央部の結晶粒径の相違や、表面に対する内部の結晶粒径の相違が減少すると共に、圧延によって内部の空隙が押しつぶされて縮小することが分かった。そして、このようにして得られたインジウムターゲットでは異常放電の抑制及び高いスパッタレートの維持が両立できることが分かった。
　以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、圧延方向に平行な断面から観察した結晶粒について、圧延方向に平行方向の平均粒径に対する圧延方向に直角方向の平均粒径の比が０．１以上０．７未満であり、且つ、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ3以下のインジウムターゲットである。
　本発明に係るインジウムターゲットは一実施形態において、ターゲット表面の最大結晶粒径が２０ｍｍ以下である。
　本発明に係るインジウムターゲットは別の一実施形態において、ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径の比が１．０～１．８である。
　本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径の比が１．０～１．８である。
　本発明は別の一側面において、インジウム原料を溶解鋳造後に冷間圧延する工程を含むインジウムターゲットの製造方法である。
　本発明に係るインジウムターゲットの製造方法は一実施形態において、インジウム原料を溶解鋳造後、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下となるまで冷間圧延する。
　本発明に係るインジウムターゲットの製造方法は一実施形態において、インジウム原料を溶解鋳造時に３～７０℃／分の冷却速度で冷却し、次いで、合計５０～８０％の圧下率で冷間圧延する。
　本発明によれば、異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲットが得られる。
ターゲット表面の中央部とターゲット表面の外周部を表した模式図である。 ターゲット表面とターゲット内部を表した模式図である。 断面アスペクト比を測定する際の、圧延方向に平行方向ｘ及び圧延方向に直角方向ｙを示す模式図である。
　本発明に係るインジウムターゲットは、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、圧延方向に平行な断面から観察した結晶粒について、圧延方向に平行方向の平均粒径に対する圧延方向に直角方向（板厚方向）の平均粒径の比（以下、「断面アスペクト比」ともいう。）が０．１以上０．７未満という特徴を有する。一般に、インジウムインゴットを溶解鋳造法で作製する場合、インジウムインゴット内で空隙の発生を避けようとすると、ある程度ゆっくりした冷却速度で冷却する必要があり、この場合は平均結晶粒径は約１０ｍｍ以上程度と大きくなる。このような大きな結晶粒径ではスパッタの成膜速度が小さくなってしまう。本発明ではインジウムインゴットを冷間圧延することにより、結晶構造に物理的力を加えて、すべり転位等の作用により、結晶粒径を小さくしている。また、結晶構造に加えられる物理的力が、インジウムインゴット内部にまで作用して、インジウムインゴット内部の結晶粒径をも小さくすることができる。一方、冷間圧延により結晶粒径は板厚方向に押し潰されることから、断面アスペクト比は圧延前と比べて小さくなる。
　結晶粒径の調節は冷間圧延時の圧下率によって調節可能であり、圧下率を高くすればするほど結晶粒径はより小さくなり、断面アスペクト比は小さくなる。結晶粒径は小さくなればそれだけ成膜速度は大きくなるものの、ある一定以下の粒径であれば、更に粒径が小さくなっても、それによる成膜速度の増大効果は逓減してくるのに対して、粒径を小さくするための圧延回数に掛かる手間が増大してくる。そこで、インジウムターゲット表面の平均結晶粒径は好ましくは１～６ｍｍであり、より好ましくは１～３ｍｍである。また、断面アスペクト比は、好ましくは０．１～０．６であり、より好ましくは０．１～０．５である。
　本発明において、インジウムターゲット表面の平均結晶粒径は以下の方法で測定する。ターゲットの表面を弱酸で軽くエッチングする、または、表面にカーボン粉を擦り付けて結晶粒界を見易くした後、ターゲット表面の中央部の任意の２５ｍｍ×５０ｍｍの範囲及びターゲット表面の外周部の任意の２５ｍｍ×５０ｍｍの範囲を合わせた領域を測定対象領域として、目視により、その領域内の結晶粒の個数（Ｎ）を数える。領域の境界に跨って存在する結晶粒は０．５個として扱う。測定対象領域の面積（Ｓ＝１２５０ｍｍ2）を結晶粒の個数（Ｎ）で割ることによって、結晶粒の平均面積（ｓ）を算出する。結晶粒を球と仮定して、平均結晶粒径（Ａ）を以下の式で算出する。
　Ａ＝２（ｓ／π）1/2
　本発明において、断面アスペクト比は以下の方法で測定する。切断面がターゲット１０の中心軸１５を通り、且つ、圧延方向に平行になるようにターゲットを板厚方向に切断する。露出した切断面１６を弱酸で軽くエッチングする、または、切断面１６にカーボン粉を擦り付けて結晶粒界を見易くした後、任意の２０個の結晶粒を測定対象として、目視により、圧延方向に平行方向ｘの平均粒径（ａ）と、圧延方向に直角方向（板厚方向）ｙの平均粒径（ｂ）を算出して、断面アスペクト比（ｂ／ａ）を求める。
　圧延方向に平行方向の平均粒径は、各結晶粒が取り囲むことの出来る圧延方向に平行な最も長い線分を各結晶粒における圧延方向に平行方向の粒径としたときの、測定対象となる結晶粒についての平均値である。
　圧延方向に直角方向の平均粒径は、各結晶粒が取り囲むことの出来る圧延方向に直角な最も長い線分を各結晶粒における圧延方向に直角方向の粒径としたときの、測定対象となる結晶粒についての平均値である。
　本発明に係るインジウムターゲットは好ましい実施形態において、最大結晶粒径が２０ｍｍ以下である。ターゲット全体の平均結晶粒径に加えて最大結晶粒径を２０ｍｍ以下に制御することにより、結晶粒径の分布のばらつきが少なくなることで、スパッタの成膜速度の変化が少なくなると共に、特に成膜速度の遅い領域が排除される。最大結晶粒径は好ましくは１５ｍｍ以下であり、より好ましくは１０ｍｍ以下であり、例えば５～１０ｍｍである。
　本発明において、インジウムターゲットの最大結晶粒径は以下の方法で測定する。
　上記の平均粒径測定時の測定対象面積内の結晶粒の中で最大の結晶粒の面積（ｓｍａｘ）について、結晶粒を球と仮定して、最大粒径（Ｂ）を以下の式で算出する。
　Ｂ＝２（ｓｍａｘ／π）1/2
　本発明に係るインジウムターゲットは好ましい実施形態において、ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径の比が１．０～１．８である。一般的な溶解鋳造法では、外周部よりも冷却速度の遅い中央部の方が結晶粒径は大きくなりやすいが、本発明によれば外周部と中央部において結晶粒径の差を小さくすることができる。これにより、スパッタレートの面内均一性が向上する。その結果として、膜厚の面内均一性が向上する。当該比は好ましくは１．０～１．６であり、より好ましくは１．０～１．４である。
　本発明において、「ターゲット表面の中央部」とは、ターゲットの表面内の領域であって、ターゲット表面の中心点を含み、ターゲットの全面積の半分の面積を占める領域であって、ターゲットの表面形状と相似の形状を有する領域と定義する。従って、例えば、半径Ｒの円板状ターゲットの場合、中央部とは、半径Ｒ/√２の領域を意味する。従って、本発明で「ターゲット表面の外周部」とは、ターゲットの表面内の領域であって、中央部以外の領域のことと定義する。図１は、ターゲット表面の中央部とターゲット表面の外周部を模式的に示している。
　本発明において、ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径の比は以下の方法で測定する。
　まず、ターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径は、以下の方法で測定する。
　ターゲットの表面を弱酸で軽くエッチングする、または、表面にカーボン粉を擦り付けて結晶粒界を見易くした後、ターゲット表面の中央部の任意の２５ｍｍ×５０ｍｍの範囲を測定対象領域として、目視により、その領域内の結晶粒の個数（Ｎ）を数える。領域の境界に跨って存在する結晶粒は０．５個として扱う。測定対象領域の面積（Ｓ＝１２５０ｍｍ2）を結晶粒の個数（Ｎ）で割ることによって、結晶粒の平均面積（ｓ）を算出する。結晶粒を球と仮定して、平均結晶粒径（Ａ）を以下の式で算出する。
　Ａ＝２（ｓ／π）1/2
　一方、ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径は、以下の方法で測定する。
　ターゲットの表面を弱酸で軽くエッチングする、または、表面にカーボン粉を擦り付けて結晶粒界を見易くした後、ターゲット表面の外周部の任意の２５ｍｍ×５０ｍｍの範囲を測定対象領域として、目視により、その領域内の結晶粒の個数（Ｎ）を数える。領域の境界に跨って存在する結晶粒は０．５個として扱う。測定対象領域の面積（Ｓ＝１２５０ｍｍ2）を結晶粒の個数（Ｎ）で割ることによって、結晶粒の平均面積（ｓ）を算出する。結晶粒を球と仮定して、平均結晶粒径（Ａ）を以下の式で算出する。
　Ａ＝２（ｓ／π）1/2
　上記の方法で得られたターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径と、ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径から、ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径の比は、（ターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径）／（ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径）、で求める。
　本発明に係るインジウムターゲットは好ましい実施形態において、ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面（以下、「ターゲット内部」ともいう。）に存在する結晶の平均粒径の比が１．０～１．８である。一般的な溶解鋳造法では、ターゲット表面よりも冷却速度の遅い内部の方が結晶粒径は大きくなりやすいが、本発明によればターゲット表面と内部において結晶粒径の差を小さくすることができる。これにより、スパッタレートの経時変化を軽減することが可能となる。当該比は好ましくは１．０～１．６であり、より好ましくは１．０～１．４である。図２は、ターゲット表面とターゲット内部を模式的に示している。
　本発明において、ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径の比は以下の方法で測定する。
　まず、インジウムターゲット表面の平均結晶粒径を先述した方法で測定する。
　次に、ターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径を求める。これは、当該切断面をスライサーで切り出した後、インジウムターゲット表面の平均結晶粒径を測定する方法と同様の方法で、当該切断面の平均結晶粒径を測定する。
　上記の方法で得られた、ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径と、ターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径から、ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径の比は、（ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径）／（ターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径）、で求める。
　本発明に係るインジウムターゲットは好ましい実施形態において、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ3以下である。ターゲット内部に存在する空隙、とりわけ孔径５０μｍ以上の大きな空隙はスパッタ中に異常放電を発生させる原因となるために極力少なくすることが望ましい。本発明によれば、溶解鋳造時に内部に存在していた空隙を冷間圧延時に押し潰すことから、空隙を小さくすることが可能となる。孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ3以下である。孔径５０μｍ以上の空隙は好ましくは０．５個／ｃｍ3以下であり、より好ましくは０．３個／ｃｍ3以下であり、例えば０～０．３個／ｃｍ3である。
　本発明において、孔径５０μｍ以上の空隙の数は電子走査式超音波探傷器で測定する。ターゲットを上記装置の探傷器水槽内にセットして、周波数帯域１．５＝２０ＭＨｚ、パルス繰返し周波数５ＫＨｚ、スキャンスピード６０ｍｍ／ｍｉｎで測定、得られる像イメージから、孔径５０μｍ以上の空隙をカウントして、測定対象ターゲットの体積から空隙の個数割合を求める。ここで、孔径とは像イメージの孔を取り囲む最小円の直径で定義される。
　次に、本発明に係るインジウムターゲットの製造方法の好適な例を順を追って説明する。まず、原料であるインジウムを溶解し、鋳型に流し込む。使用する原料インジウムは、不純物が含まれていると、その原料によって作製される太陽電池の変換効率が低下してしまうという理由により高い純度を有していることが望ましく、例えば、純度９９．９９質量％以上のインジウムを使用することができる。その後、室温まで冷却して、インジウムインゴットを形成する。
　この段階で空隙が生じたり、結晶粒径が大きくても、後の冷間圧延で制御できるため大きな問題はないが、圧下率を大きくするための圧延に要する手間がかかるため溶解鋳造の段階で、空隙をある程度少なく、結晶粒径をある程度小さくしておくことが望ましい。
　冷却速度は空気による自然放冷（約１０℃／分）でよいが、溶解鋳造の段階でインゴット内の空隙を抑えておくことを重視する場合はできるだけゆっくり、例えば９℃／分以下、好ましくは８℃／分以下で冷却することができる。ただし、あまり遅すぎると今度は超音波振動による結晶粗大化抑制効果が十分に得られなくなることから、３℃／分以上とすることが好ましく、５℃／分以上とすることがより好ましい。一方、結晶粒径の成長を防止することを重視する場合はできるだけ速く冷却する。特に、空隙は冷間圧延でかなり縮小させることができるので、高速冷却によって微細な結晶粒を得て、高スパッタレートを得ることがターゲットの全体的な特性向上には好ましい。例えば２０℃／分以上とすることができ、好ましくは５０℃／分とすることができる。ただし、あまり速すぎると今度は空隙を潰すために必要な圧延加工が面倒になるので、最大でも７０℃／分で冷却するのが好ましい。
　冷却速度の調整は、冷却速度を小さくする場合は、鋳型をヒーター等で加熱保温することで、逆に、冷却速度を大きくする場合は、鋳型の周辺に冷却水を供給することによる水冷等の方法で行うことができる。ここでの冷却速度は、（インジウムの溶解温度－２５℃）／（冷却開始後、インジウムの温度が溶解温度から２５℃に低下するまでの時間）で計算される。
　その後、得られたインジウムインゴットを全体の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下となるまで冷間圧延し、必要に応じて形状加工や表面研磨してインジウムターゲットとする。冷間圧延時の合計の圧下率が大きければ大きいほど、結晶粒径は微細化され、結晶粒径のばらつきは低減され、空隙は縮小し、断面アスペクト比は小さくなる。本発明に係るインジウムターゲットを製造する上では合計の圧下率は５０～８０％が好ましく、６０～７０％がより好ましい。
　ターゲットの厚みは特に制限はなく、使用装置や使用目的に応じて適宜設定すればよいが、通常３～２０ｍｍ程度であり、典型的には５～１０ｍｍ程度である。目標とするターゲットの厚みに応じて冷間圧延前のインジウムインゴットの厚みや冷間圧延の圧下率を調節すればよい。
　このようにして得られたインジウムターゲットは、ＣＩＧＳ系薄膜太陽電池用光吸収層用のスパッタリングターゲットとして好適に使用することができる。
　以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
　内径２５０ｍｍ、深さ５０ｍｍの鋳型の内部に１６０℃で溶解させたインジウム原料（純度５Ｎ）を流し込んだ後、室温（２５℃）まで表１に記載の冷却速度で冷却して、円盤状のインジウムインゴット（直径２５０ｍｍ×厚み３０ｍｍ）を形成した。次いで、このインゴットを表１に記載の条件で冷間圧延することで、発明例及び比較例の各インジウムターゲットを得た。
　得られたインジウムターゲットを直径２０４ｍｍ×厚み１０ｍｍに加工して、次のＡ～Ｆの特性値を先述した方法により測定した。Ａ～Ｄの測定は、ターゲット表面を表面研削と酸によるエッチングによって粒界を観察し易くした後に、目視による観察、寸法測定を行い、Ｅの測定には日本クラウトクレーマー株式会社製の電子走査式超音波探傷システムＰＡ－１０１を使用した。結果を表１に示す。
　Ａ：部位毎の平均結晶粒径
　Ｂ：ターゲット表面最大結晶粒径
　Ｃ：ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径（表１中、「表面外周」で表記）に対するターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径（表１中、「表面中央」で表記）の比
　Ｄ：ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径（表１中、「表面全体」で表記）に対するターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径（表１中、「内部」で表記）の比
　Ｅ：孔径５０μｍ以上の空隙の個数割合
　Ｆ：断面アスペクト比
　また、これら発明例及び比較例のインジウムターゲットを、ＡＮＥＬＶＡ製ＳＰＦ－３１３Ｈスパッタ装置で、スパッタ開始前のチャンバー内の到達真空度圧力を１×１０-4Ｐａ、スパッタ時の圧力を０．５Ｐａ、アルゴンスパッタガス流量を５ＳＣＣＭ、スパッタパワーを６５０Ｗで３０分間スパッタしたときの結果を表２に示す。表２には、初期のスパッタレート及び３．３ＫＷｈｒスパッタ経過後のスパッタレート、スパッタ中の異常放電の回数を示した。
　スパッタレートは、成膜時間と段差計による膜厚測定の結果から算出し、異常放電の回数は目視の方法により測定した。
　表１及び表２より以下のことが分かる。
　比較例１は圧延しなかったことから結晶粒径が大きく、スパッタレートが遅かった。また、結晶粒の部位毎のばらつきも大きかったため、スパッタレートの経時変化も大きかった。
　比較例２は圧延したものの、冷却速度が大きすぎたために十分に空隙を抑制することができなかった。そのため、異常放電の回数が多かった。
　比較例３は圧延したものの、冷却速度が小さすぎたために結晶粒径が大きくなった。
　発明例１～３では、冷却速度の上昇に伴って結晶粒径は小さくなり、部位毎のばらつきも小さくなり、高いスパッタレートが維持できていることが分かる。また、冷却速度を上昇させるに従って空隙の量は若干増加するものの、異常放電は十分に抑制されていることが分かる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
１０　　　　インジウムターゲット
１１　　　　ターゲット表面の中央部
１２　　　　ターゲット表面の外周部
１３　　　　ターゲット表面
１４　　　　ターゲット内部

Claims (7)

  1. 　ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、圧延方向に平行な断面から観察した結晶粒について、圧延方向に平行方向の平均粒径に対する圧延方向に直角方向の平均粒径の比が０．１以上０．７未満であり、且つ、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ3以下であるインジウムターゲット。
  2. 　ターゲット表面の最大結晶粒径が２０ｍｍ以下である請求項１に記載のインジウムターゲット。
  3. 　ターゲット表面の外周部に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面の中央部に存在する結晶の平均粒径の比が１．０～１．８である請求項１又は２に記載のインジウムターゲット。
  4. 　ターゲット表面に存在する結晶の平均粒径に対するターゲット表面と平行でターゲットの中心軸の中央点を通る切断面に存在する結晶の平均粒径の比が１．０～１．８である請求項１～３の何れか一項に記載のインジウムターゲット。
  5. 　インジウム原料を溶解鋳造後に冷間圧延する工程を含むインジウムターゲットの製造方法。
  6. 　インジウム原料を溶解鋳造後、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下となるまで冷間圧延するインジウムターゲットの製造方法。
  7. 　インジウム原料を溶解鋳造時に３～７０℃／分の冷却速度で冷却し、次いで、合計５０～８０％の圧下率で冷間圧延する請求項１～４何れか一項に記載のインジウムターゲットの製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012052190A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp インジウムターゲット及びその製造方法
US9023487B2 (en) 2011-09-21 2015-05-05 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Laminated structure and method for producing the same
US9139900B2 (en) 2011-03-01 2015-09-22 JX Nippon Mining Metals Corporation Indium target and manufacturing method thereof
JP2015221937A (ja) * 2014-04-28 2015-12-10 株式会社アライドマテリアル スパッタリングターゲット用材料
EP2818575A4 (en) * 2012-08-22 2016-01-20 Jx Nippon Mining & Metals Corp INDIUM CYLINDRICAL CATHODIC SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
US9490108B2 (en) 2010-09-01 2016-11-08 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Indium target and method for manufacturing same
US9758860B2 (en) 2012-01-05 2017-09-12 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Indium sputtering target and method for manufacturing same
US9922807B2 (en) 2013-07-08 2018-03-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target and method for production thereof

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5291754B2 (ja) * 2011-04-15 2013-09-18 三井金属鉱業株式会社 太陽電池用スパッタリングターゲット
JP2013227632A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Ulvac Japan Ltd インジウムターゲット及びその製造方法
JP6021596B2 (ja) * 2012-11-14 2016-11-09 Ｊｘ金属株式会社 インジウムスパッタリングターゲット及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6344820B2 (ja) * 1981-05-07 1988-09-07 Mitsui Mining & Smelting Co
JP2010024474A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Sumitomo Metal Mining Co Ltd インジウムターゲットの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6344820B2 (ja) * 1981-05-07 1988-09-07 Mitsui Mining & Smelting Co
JP2010024474A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Sumitomo Metal Mining Co Ltd インジウムターゲットの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012052190A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp インジウムターゲット及びその製造方法
US9490108B2 (en) 2010-09-01 2016-11-08 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Indium target and method for manufacturing same
US9139900B2 (en) 2011-03-01 2015-09-22 JX Nippon Mining Metals Corporation Indium target and manufacturing method thereof
US9023487B2 (en) 2011-09-21 2015-05-05 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Laminated structure and method for producing the same
US9758860B2 (en) 2012-01-05 2017-09-12 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Indium sputtering target and method for manufacturing same
EP2818575A4 (en) * 2012-08-22 2016-01-20 Jx Nippon Mining & Metals Corp INDIUM CYLINDRICAL CATHODIC SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
US9761421B2 (en) 2012-08-22 2017-09-12 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof
US9922807B2 (en) 2013-07-08 2018-03-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target and method for production thereof
JP2015221937A (ja) * 2014-04-28 2015-12-10 株式会社アライドマテリアル スパッタリングターゲット用材料

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