WO2012023473A1 - ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法 - Google Patents

ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法 Download PDF

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佐藤　武
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Definitions

  • the present invention relates to a polycrystalline diamond and a method for producing the same, and in particular, a high-hardness and high-strength diamond polycrystalline used suitably for tools such as cutting tools, dressers, dies, drill bits, and the like, and a method for producing the same.
  • a high-hardness and high-strength diamond polycrystalline used suitably for tools such as cutting tools, dressers, dies, drill bits, and the like, and a method for producing the same.
  • tools such as cutting tools, dressers, dies, drill bits, and the like
  • Metals, carbonates such as CaCO 3 are used, and ceramics such as SiC are used as a binder for bonding raw materials.
  • the above-mentioned polycrystalline diamond has a high pressure and high temperature at which diamond is thermodynamically stable (generally, the pressure is about 5 to 8 GPa and the temperature is 1300 to 2200). It can be obtained by sintering under the condition of about ° C.
  • the used sintering aid is contained in the polycrystalline diamond.
  • Such a sintering aid has a considerable influence on mechanical properties such as hardness and strength and heat resistance of the polycrystalline diamond.
  • the material has insufficient mechanical properties.
  • non-diamond carbon materials such as graphite, glassy carbon, and amorphous carbon can be directly converted into diamond under a high pressure and high temperature without using a sintering aid.
  • a single-phase polycrystalline diamond can be obtained by direct conversion from non-diamond phase to diamond phase and sintering.
  • Non-Patent Document 1 M. Wakatsuki, K. Ichinose, T. Aoki, Japan. J. Appl. Phys., 11 (1972) pp578-590
  • Non-patent document 2 S. Naka, K. Horii, Y. Takeda, T. Hanawa, Nature 259 (1976) p38 (Non-patent document 3), 14 GPa using graphite as a raw material It is disclosed that a diamond polycrystal can be obtained by direct conversion under high pressure and high temperature of ⁇ 18 GPa and 3000 K or higher.
  • Non-Patent Document 5 Discloses a method for obtaining a dense and high-purity diamond polycrystal by direct conversion sintering by indirect heating at an ultrahigh pressure and high temperature of 12 GPa or more and 2200 ° C. or more using a high-purity and highly crystalline graphite as a starting material. Yes.
  • the diamond obtained by this method has a very high hardness, but has a problem that it is not stable due to insufficient practical properties such as wear resistance, fracture resistance, and crack propagation resistance.
  • Naturally produced diamond polycrystals are also known, and some are used as drill bits, but due to the large variation in materials and the small amount of output, they are not very used industrially. It has not been.
  • single crystal diamond is used.
  • it due to dimensional and price constraints, it is limited to ultra-precision tools and precision wear-resistant tools, and there are limitations on applications and usage conditions due to the cleavage of single crystal diamond and the anisotropy of mechanical properties.
  • the present invention has been made in order to solve the above-described problems of the prior art, and has a high hardness and a high strength that are suitably used as tools such as cutting tools, dressers, dies, and excavating bits.
  • An object is to provide a polycrystalline body and a method for producing the same.
  • the present invention provides a polycrystalline diamond containing cubic diamond and hexagonal diamond and having a ratio of hexagonal diamond to cubic diamond within a predetermined range, wherein the ratio of hexagonal diamond to cubic diamond is predetermined. It was completed by finding it to have a higher hardness and higher strength compared to a polycrystalline diamond outside the range.
  • the present invention includes cubic diamond and hexagonal diamond, and the ratio of the X-ray diffraction peak intensity of (100) plane of hexagonal diamond to the X-ray diffraction peak intensity of (111) plane of cubic diamond.
  • a non-diamond-like carbon material having a graphitization degree of a predetermined value or less is added with both a sintering aid and a binder under conditions of pressure and temperature at which diamond is thermodynamically stable. It was completed by finding that a diamond polycrystal having the h / c ratio in the above predetermined range is produced when directly sintered without any sintering.
  • the present invention comprises a step of preparing a non-diamond-like carbon material having a graphitization degree of 0.58 or less, and a non-diamond-like carbon material is sintered under conditions of pressure and temperature at which diamond is thermodynamically stable.
  • a method for producing a polycrystalline diamond comprising: a step of directly converting into cubic diamond and hexagonal diamond and sintering without adding any binder or binder.
  • a polycrystalline diamond having high hardness and high strength which is suitably used as a cutting tool, a tool such as a dresser and a die, and a drill bit, and a method for producing the same are provided.
  • the polycrystalline diamond according to an embodiment of the present invention includes cubic diamond (hereinafter referred to as c-diamond) and hexagonal diamond (hereinafter referred to as h-diamond), and includes (111) c-diamond.
  • the ratio of the X-ray diffraction peak intensity of the (100) plane of h-diamond to the X-ray diffraction peak intensity of the plane (hereinafter referred to as h / c ratio) is 0.01% or more.
  • the polycrystalline diamond according to the present embodiment having an h / c ratio of 0.01% or more does not include h-diamond (ie, the h / c ratio is 0%), or the h / c ratio is h / c ratio.
  • the hardness and strength are higher, and specifically, strength, folding force, wear resistance and the like are higher.
  • c-diamond refers to diamond having a cubic crystal structure
  • h-diamond refers to diamond having a hexagonal crystal structure.
  • c-diamond and h-diamond are distinguished by the pattern of diffraction peaks obtained by X-ray diffraction. That is, in the X-ray diffraction of the polycrystalline diamond containing c-diamond and h-diamond, a mixed pattern of the c-diamond diffraction peak pattern and the h-diamond diffraction peak pattern is obtained.
  • the ratio of h-diamond to c-diamond is the ratio of the X-ray diffraction peak intensity of the (100) plane of h-diamond to the X-ray diffraction peak intensity of the (111) plane of c-diamond. Expressed by c ratio.
  • the method for producing a polycrystalline diamond according to another embodiment of the present invention comprises a step of preparing a non-diamond-like carbon material having a degree of graphitization of 0.58 or less, and the non-diamond-like carbon material is thermodynamically processed by diamond. And converting directly to cubic diamond and hexagonal diamond and sintering without adding any sintering aid or binder under conditions of stable pressure and temperature.
  • c-diamond (cubic diamond) and h-diamond (hexagonal diamond) are included, and the h / c ratio (related to the (111) plane of c-diamond).
  • Hardness and strength specifically, strength, bending strength, wear resistance
  • the method for producing a polycrystalline diamond according to the present embodiment first includes a step of preparing a non-diamond-like carbon material having a graphitization degree of 0.58 or less.
  • the non-diamond-like carbon material prepared in this preparation step is not particularly limited as long as it has a graphitization degree of 0.58 or less and is not a diamond, and is a graphite having a low graphitization degree such as finely pulverized graphite.
  • it may be an amorphous carbon material such as amorphous carbon or glassy carbon, or a mixture thereof.
  • the graphitization degree P of the non-diamond-like carbon material is obtained as follows.
  • the X-ray diffraction of the non-diamond carbon material, a surface spacing d 002 of (002) plane of the non-diamond carbon material graphite as measured by the following equation (1), d 002 3.440-0.086 ⁇ (1-p 2 ) (1)
  • the non-diamond-like carbon material preferably does not contain an iron group element metal as an impurity from the viewpoint of suppressing the growth of crystal grains. Further, from the viewpoint of suppressing the growth of crystal grains and promoting the conversion to diamond, those having a low content of impurities such as hydrogen (H) and oxygen (O) are preferable.
  • the non-diamond-like carbon material is then subjected to the sintering aid and the binder under conditions of pressure and temperature at which diamond is thermodynamically stable.
  • a step of directly converting to cubic diamond and hexagonal diamond and sintering is provided.
  • the non-diamond-like carbon material By placing the above non-diamond-like carbon material under conditions of pressure and temperature at which the diamond is thermodynamically stable without the addition of any sintering aid or binder, the non-diamond-like carbon material is directly Thus, it is converted into c-diamond and h-diamond and sintered to obtain a polycrystalline diamond with high hardness and high strength having an h / c ratio of 0.01% or more.
  • the sintering aid refers to a catalyst that promotes the sintering of the raw material, and examples thereof include iron group element metals such as Co, Ni, and Fe, and carbonates such as CaCO 3 .
  • a binder means the material which couple
  • the pressure and temperature conditions under which diamond is thermodynamically stable are the pressure and temperature conditions under which the diamond phase is a thermodynamically stable phase in a carbon-based material.
  • the conditions under which the sintering can be performed without addition of the pressure are conditions in which the pressure is 12 GPa or more and the temperature is 2000 ° C. to 2600 ° C., preferably the pressure is 16 GPa or more and the temperature is 2200 ° C. to 2300 ° C. Is the condition.
  • the high-pressure and high-temperature generator used in the method for producing a polycrystalline diamond according to the present embodiment is not particularly limited as long as the diamond phase is a thermodynamically stable pressure and temperature condition.
  • a belt type or a multi-anvil type is preferable.
  • the container for storing the non-diamond-like carbon material as a raw material is not particularly limited as long as it is a high-pressure and high-temperature resistant material, and for example, Ta is preferably used.
  • each of the plurality of non-diamond carbon materials is subjected to a pressure of 16 GPa and a temperature of 2200 ° C. without adding any sintering aid or binder using a high-pressure and high-temperature generator.
  • the diamond was subjected to high pressure and high temperature treatment under conditions of thermodynamically stable pressure and temperature.
  • the obtained plurality of diamond polycrystals were evaluated for hardness, bending strength, and wear resistance, respectively.
  • the hardness is a Knoop hardness measured using a Knoop hardness meter under a condition of applying a load of 4.9 N for 10 seconds.
  • the bending strength was measured with a three-point bending strength tester.
  • Abrasion resistance was measured by using a diamond grinder under the condition of a load of 3 kg / mm 2 , and indicated as a relative value when the value of Example 1 was 1.0.
  • the higher the relative value the higher the wear resistance.
  • the polycrystalline diamond having an h / c ratio of 0.01% or more is a polycrystalline diamond having an h / c ratio of less than 0.01% (Comparative Example 1). It was found that all of hardness, bending strength, and wear resistance were higher than those of (2), and the strength characteristics and wear resistance were excellent.
  • the polycrystalline diamond (Examples 1, 3 and 6) having an h / c ratio of 0.01% or more has high bending strength and hardness even at high temperatures, and the rate of decrease with each temperature increase is The h / c ratio is smaller than that of the polycrystalline diamond (Comparative Examples 1 and 2) having a ratio of less than 0.01%.
  • the bending strength in the temperature range of 800 ° C. or more and 1200 ° C. or less of the former (Examples 1, 3, 6) does not decrease by 10% or more from the value of room temperature (25 ° C.), and the hardness at 800 ° C. is Compared to the room temperature (25 ° C.) value, it does not decrease by 20% or more.
  • the bending strength in 1200 degreeC of Example 1, 3, 6 is higher than the bending force in room temperature (25 degreeC).
  • Example 7 The diamond polycrystals obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 were brazed to a metal shank, and scribe tools with 4 points at the tip (tetragonal planar shape) were produced. .
  • scribe tools with 4 points at the tip (tetragonal planar shape) were produced.
  • 200 scribe grooves having a length of 50 mm were formed on a sapphire substrate with a load of 20 g. Thereafter, the amount of wear of the polycrystalline diamond at the tip portion of each scribe tool was observed with an electron microscope, and as a result, compared with the scribe tool made of the polycrystalline diamond of Comparative Examples 1 and 2, Examples 1 to 6
  • the scribing tools made of polycrystalline diamond were all reduced to 0.80 times or less.
  • Example 8 Each diamond polycrystal obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 was embedded in a metal shank, and a single-point (conical) dresser was produced. Each of the prepared dressers was abraded using a WA (white alumina) grindstone under the conditions of a wet grindstone peripheral speed of 30 m / sec and a cutting depth of 0.05 mm. Thereafter, the amount of wear of each dresser was measured with a height gauge, and the dresser made of the polycrystalline diamond of Examples 1 to 6 was compared with the dresser made of the polycrystalline diamond of Comparative Examples 1 and 2. , Both were less than 0.85 times.
  • WA white alumina
  • Example 9 The diamond polycrystalline bodies obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 were embedded in a round metal frame to produce dies having a hole diameter of ⁇ 20 ⁇ m. Using each of the produced dies, Cu wire was drawn at a linear speed of 500 m / min. At this time, the drawing time until the die diameter was worn down to ⁇ 20.2 ⁇ m was larger than that of the polycrystalline diamond of Comparative Examples 1 and 2, compared with the diamond polycrystalline die of Examples 1 to 6. , Both were 1.12 times longer.
  • Example 10 The diamond polycrystals obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 were embedded in a round metal frame, the orifice hole diameter was 200 ⁇ m, the orifice height was 5 mm, and the arithmetic average roughness of the orifice hole surface was An orifice having a Ra of 290 nm was produced. Using each of the produced orifices, a water jet nozzle having a water discharge pressure of 200 MPa was formed, and the cutting performance of a 10 mm thick stainless steel plate was evaluated. The time until the diameter of the orifice was expanded to 300 ⁇ m was 1 for the diamond polycrystalline orifices of Examples 1 to 6, compared to the diamond polycrystalline orifices of Comparative Examples 1 and 2. It was 15 times longer.
  • Example 11 Each diamond polycrystalline body obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 is brazed to a carbide base metal, and the cutting tool has a tip angle of 90 ° and a tip radius (R) of 100 nm.
  • R tip radius
  • a grooved plate having a depth of 5 ⁇ m and a pitch of 5 ⁇ m was applied to a metal plate having a thickness of 20 ⁇ m on a copper plate having a thickness of 30 mm.
  • the time taken for the tip of the cutting tool to wear by 1 ⁇ m is longer than that of the polycrystalline diamond cutting tool of Comparative Examples 1 and 2, compared with the cutting tool made of the polycrystalline diamond of Examples 1 to 6. In all cases, the length was 1.30 times longer.
  • Example 12 Each diamond polycrystal obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 was brazed to a carbide shank to produce a drill having a diameter of 1 mm and a blade length of 3 mm. Using each of the produced drills, a hole was made in a cemented carbide (WC-Co) plate having a thickness of 1.0 mm under conditions of a drill rotation speed of 4000 rotations / minute and a feed of 2 ⁇ m / time. The number of holes that could be drilled before the drill was worn or broken was higher in the diamond polycrystalline drills of Examples 1 to 6 than in the diamond polycrystalline drills of Comparative Examples 1 and 2. In both cases, the number increased to 1.20 times or more.
  • WC-Co cemented carbide
  • Example 13 Each diamond polycrystal obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 was brazed to a cemented carbide shank to produce a disk-type grinding tool having a diameter of 3 mm and a cutting edge angle of 60 ° C. Cutting edge wear when V-grooves were formed on the surface of cemented carbide (WC-Co) for 2 hours under the conditions of 4000 rpm / min and 2 ⁇ m depth of cut using each of the prepared grinding tools. The amount was investigated. Compared with the grinding tool made of the polycrystalline diamond of Comparative Examples 1 and 2, the abrasion amount of the cutting edge of the grinding tool made of the polycrystalline diamond of Examples 1 to 6 was 0.7 times or less.
  • Example 14 Each of the polycrystalline diamonds obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 was attached to a metal frame to produce an electric discharge machining electrode guide. An electrode wire having a wire diameter of 70 ⁇ m was fed at a speed of 10 m / min, and the wear amount of the guide hole after 100 hours was investigated. Compared with the diamond polycrystalline drills of Comparative Examples 1 and 2, the diamond polycrystalline drills of Examples 1 to 6 all had a wear amount of 0.8 times or less.
  • Example 15 A scribe wheel having a diameter of 3.5 and a thickness of 0.6 mm was produced from each of the polycrystalline diamonds obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2. A scribing test was conducted using a ceramic substrate at a feed rate of 100 mm / second and a pressing load of 2.5 kg using each of the produced scribe wheels, and the amount of wear for 50 hours was investigated. Compared with the diamond polycrystal scribe wheels of Comparative Examples 1 and 2, the diamond polycrystal scribe wheels of Examples 1 to 6 all had less wear and less than 0.75 times.
  • the polycrystalline diamond according to the present invention (Examples 1 to 6) has much higher hardness than the conventional polycrystalline diamond (Comparative Examples 1 and 2). Because of its strength and wear resistance, it is very useful as a material for scribe tools, dressers, dies, orifices, cutting tools, drilling and end mills, cutting tools, grinding tools, electrode guides, scribe wheels, etc. I found out.

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Abstract

　ダイヤモンド多結晶体は、立方晶ダイヤモンドと、六方晶ダイヤモンドとを含み、立方晶ダイヤモンドの（１１１）面に関するＸ線回折ピーク強度に対する六方晶ダイヤモンドの（１００）面のＸ線回折ピーク強度の比率が０．０１％以上である。また、本ダイヤモンド多結晶体の製造方法は、グラファイト化度が０．５８以下の非ダイヤモンド状炭素材料を準備する工程と、非ダイヤモンド状炭素材料を、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件下で、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく、直接的に立方晶ダイヤモンドおよび六方晶ダイヤモンドに変換させるとともに焼結させる工程とを備える。

Description

ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法
　本発明は、ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法に関し、特に、切削バイト、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットなどに好適に用いられる高硬度でかつ高強度のダイヤモンド多結晶体およびその製造方法に関する。
　従来の切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットなどに用いられるダイヤモンド多結晶体には、原料の焼結を促進する焼結助剤として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの鉄族元素金属、ＣａＣＯ3などの炭酸塩などが用いられ、原料を結合させる結合剤としてＳｉＣなどのセラミックスなどが用いられる。
　上記のダイヤモンド多結晶体は、原料であるダイヤモンドの粉末を、焼結助剤ともに、ダイヤモンドが熱力学的に安定な高圧高温（一般的には、圧力が５～８ＧＰａ程度および温度が１３００～２２００℃程度）の条件で、焼結することにより得られる。
　こうして得られるダイヤモンド多結晶体には、用いられた焼結助剤がダイヤモンド多結晶中に含まれる。かかる焼結助剤は、ダイヤモンド多結晶体の硬度や強度などの機械的特性や耐熱性に少なからず影響を与える。
　また、上記の焼結助剤を酸処理により除去したものや、結合剤として耐熱性のＳｉＣを用いた耐熱性に優れたダイヤモンド焼結体も知られているが、硬度や強度が低く、工具材料としては機械的特性は不十分である。
　一方、グラファイトやグラッシーカーボン、アモルファスカーボンなどの非ダイヤモンド炭素材料を超高圧高温下で、焼結助剤などを用いることなく、直接的にダイヤモンドに変換させることが可能である。非ダイヤモンド相からダイヤモンド相へ直接変換すると同時に焼結させることでダイヤモンド単相の多結晶体が得られる。
　また、F.　P.　Bundy,　J.　Chem.　Phys.,　38　(1963)　pp631-643（非特許文献１）、M.　Wakatsuki,　K.　Ichinose,　T.　Aoki,　Japan.　J.　Appl.　Phys.,　11　(1972)　pp578-590（非特許文献２）、S.　Naka,　K.　Horii,　Y.　Takeda,　T.　Hanawa,　Nature　259　(1976)　p38（非特許文献３）には、グラファイトを原料として１４ＧＰａ～１８ＧＰａ、３０００Ｋ以上の超高圧高温下の直接変換によりダイヤモンド多結晶体が得られることが開示されている。
　しかし、上記のダイヤモンド多結晶体は、いずれもグラファイトなどの導電性のある非ダイヤモンド炭素材料に直接電流を流すことで加熱する直接通電加熱法によっているため、未変換グラファイトが残留することは避けられない。また、ダイヤモンドの粒子径が不均一であり、また、部分的に焼結が不十分となりやすい。このため、硬度や強度などの機械的特性が十分に高くはなくしかも欠片状の多結晶体しか得られないことから、実用化にはいたっていない。
　また、T.　Irifune,　H.　Sumiya,　“New　Diamond　and　Frontier　Carbon　Technology”,　14　(2004)　p313（非特許文献４）および角谷,　入舩,　ＳＥＩテクニカルレビュー　165　(2004)　p68（非特許文献５）には、高純度高結晶性グラファイトを出発物質として、１２ＧＰａ以上、２２００℃以上の超高圧高温下で間接加熱による直接変換焼結により緻密で高純度なダイヤモンド多結晶体を得る方法が開示されている。この方法で得られるダイヤモンドは非常に高い硬度を有するが、耐摩耗性や耐欠損性、耐亀裂伝搬性など実用特性が不十分で安定しないという問題があった。
　また、天然に産出するダイヤモンド多結晶体（カーボナード、バラスなど）も知られ、一部掘削ビットとして使用されているが、材質のバラツキが大きく、また産出量も少ないため、工業的にはあまり使用されていない。
　また、一部の用途によっては単結晶のダイヤモンドが用いられる。しかし、寸法的、価格的制約から、超精密工具や精密耐摩工具に限られており、単結晶ダイヤモンドの劈開性や機械特性の異方性により、用途や使用条件に制限があった。
F.　P.　Bundy,　J.　Chem.　Phys.,　38　(1963)　pp631-643 M.　Wakatsuki,　K.　Ichinose,　T.　Aoki,　Japan.　J.　Appl.　Phys.,　11　(1972)　pp578-590 S.　Naka,　K.　Horii,　Y.　Takeda,　T.　Hanawa,　Nature　259　(1976)　p38 T.　Irifune,　H.　Sumiya,　"New　Diamond　and　Frontier　Carbon　Technology",　14　(2004)　p313 角谷,　入舩,　ＳＥＩテクニカルレビュー　165　(2004)　p68
　本発明は、以上の従来の技術の問題点を解決するためになされたものであり、切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットとして好適に用いられる高い硬度および高い強度を有するダイヤモンド多結晶体およびその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、立方晶ダイヤモンドと六方晶ダイヤモンドとを含み、立方晶ダイヤモンドに対する六方晶ダイヤモンドの比率が所定の範囲内にあるダイヤモンド多結晶体が、上記の立方晶ダイヤモンドに対する六方晶ダイヤモンドの比率が所定の範囲外にあるダイヤモンド多結晶体に比べて、より高い硬度およびより高い強度を有することを見出すことにより、完成された。
　すなわち、本発明は、立方晶ダイヤモンドと、六方晶ダイヤモンドとを、含み、立方晶ダイヤモンドの（１１１）面に関するＸ線回折ピーク強度に対する六方晶ダイヤモンドの（１００）面のＸ線回折ピーク強度の比率（ｈ／ｃ比率）が０．０１％以上であるダイヤモンド多結晶体である。
　また、本発明は、グラファイト化度が所定値以下の非ダイヤモンド状炭素材料を、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件下で、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく直接焼結させると、上記ｈ／ｃ比率が上記の所定の範囲内にあるダイヤモンド多結晶体が製造されることを見出すことにより、完成された。
　すなわち、本発明は、グラファイト化度が０．５８以下の非ダイヤモンド状炭素材料を準備する工程と、非ダイヤモンド状炭素材料を、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件下で、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく、直接的に立方晶ダイヤモンドおよび六方晶ダイヤモンドに変換させるとともに焼結させる工程と、を備えるダイヤモンド多結晶体の製造方法である。
　上記のように、本発明によれば、切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットとして好適に用いられる高い硬度および高い強度を有するダイヤモンド多結晶体およびその製造方法が提供される。
　（実施形態１）
　本発明の一実施形態であるダイヤモンド多結晶体は、立方晶ダイヤモンド（以下、ｃ－ダイヤモンドという）と、六方晶ダイヤモンド（以下、ｈ－ダイヤモンドという）とを、含み、ｃ－ダイヤモンドの（１１１）面に関するＸ線回折ピーク強度に対するｈ－ダイヤモンドの（１００）面のＸ線回折ピーク強度の比率（以下、ｈ／ｃ比率という）が０．０１％以上である。
　ｈ／ｃ比率が０．０１％以上である本実施形態のダイヤモンド多結晶体は、ｈ－ダイヤモンドが含まれない（すなわちｈ／ｃ比率が０％の）ダイヤモンド多結晶体またはｈ／ｃ比率が０．０１％より低いダイヤモンド多結晶体に比べて、硬度および強度がより高く、具体的には、強度、坑折力、耐摩耗などがより高くなる。
　ここで、ｃ－ダイヤモンドとは結晶構造が立方晶であるダイヤモンドをいい、ｈ－ダイヤモンドとは結晶構造が六方晶であるダイヤモンドをいう。ｃ－ダイヤモンドおよびｈ－ダイヤモンドは、Ｘ線回折により得られる回折ピークのパターンにより識別される。すなわち、ｃ－ダイヤモンドおよびｈ－ダイヤモンドを含むダイヤモンド多結晶体のＸ線回折においては、ｃ－ダイヤモンドの回折ピークのパターンとｈ－ダイヤモンドの回折ピークのパターンとが混合したパターンが得られる。ｃ－ダイヤモンドに対するｈ－ダイヤモンドの比率は、本願においては、ｃ－ダイヤモンドの（１１１）面に関するＸ線回折ピーク強度に対するｈ－ダイヤモンドの（１００）面のＸ線回折ピーク強度の比率であるｈ／ｃ比率により表す。
　（実施形態２）
　本発明の他の実施形態であるダイヤモンド多結晶体の製造方法は、グラファイト化度が０．５８以下の非ダイヤモンド状炭素材料を準備する工程と、この非ダイヤモンド状炭素材料を、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件下で、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく、直接的に立方晶ダイヤモンドおよび六方晶ダイヤモンドに変換させるとともに焼結させる工程と、を備える。
　本実施形態のダイヤモンド多結晶体の製造方法によれば、ｃ－ダイヤモンド（立方晶ダイヤモンド）とｈ－ダイヤモンド（六方晶ダイヤモンド）とを含み、ｈ／ｃ比率（ｃ－ダイヤモンドの（１１１）面に関するＸ線回折ピーク強度に対するｈ－ダイヤモンドの（１００）面のＸ線回折ピーク強度の比率）が０．０１％以上である、硬度および強度（具体的には、強度、抗折強度、耐摩耗性など）が高いダイヤモンド多結晶体が得られる。
　（非ダイヤモンド状炭素材料の準備工程）
　本実施形態のダイヤモンド多結晶体の製造方法は、まず、グラファイト化度が０．５８以下の非ダイヤモンド状炭素材料を準備する工程を備える。本準備工程において準備される非ダイヤモンド状炭素材料は、グラファイト化度が０．５８以下でありダイヤモンドでない炭素材料であれば特に制限はなく、微粉砕したグラファイトなどのグラファイト化度の低いグラファイトであっても、アモルファスカーボン、グラッシーカーボンなどの非結晶質炭素材料であっても、それらの混合物であってもよい。
　ここで、非ダイヤモンド状炭素材料のグラファイト化度Ｐは、以下のようにして求められる。非ダイヤモンド状炭素材料のＸ線回折により、非ダイヤモンド状炭素材料のグラファイトの（００２）面の面間隔ｄ002を測定して、以下の（１）式により、
　　ｄ002＝３．４４０－０．０８６×（１－ｐ2）　　　・・・（１）
非ダイヤモンド状炭素材料の乱層構造部の比率ｐが算出される。こうして得られた乱層構造部の比率ｐから、以下の（２）式により、
　　Ｐ＝１－ｐ　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（２）
グラファイト化度Ｐが算出される。
　また、非ダイヤモンド状炭素材料は、結晶粒の成長を抑制する観点から、不純物である鉄族元素金属を含まないものが好ましい。また、結晶粒の成長を抑制しまたダイヤモンドへの変換を促進する観点から、不純物である水素（Ｈ）、酸素（Ｏ）などの含有量が低いものが好ましい。
　（非ダイヤモンド状炭素原料から、ｃ－ダイヤモンドおよびｈ－ダイヤモンドへの変換および焼結工程）
　本実施形態のダイヤモンド多結晶体の製造方法は、次いで、上記の非ダイヤモンド状炭素材料を、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件下で、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく、直接的に立方晶ダイヤモンドおよび六方晶ダイヤモンドに変換させるとともに焼結させる工程を備える。
　上記の非ダイヤモンド状炭素材料を、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件下に置くことにより、非ダイヤモンド状炭素材料が直接的にｃ－ダイヤモンドおよびｈ－ダイヤモンドに変換するとともに焼結され、ｈ／ｃ比率が０．０１％以上である、高硬度かつ高強度のダイヤモンド多結晶体が得られる。
　ここで、焼結助剤とは、原料となる材料の焼結を促進する触媒をいい、たとえば、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅなどの鉄族元素金属、ＣａＣＯ3などの炭酸塩などが挙げられる。また、結合剤とは、原料となる材料を結合させる材料をいい、たとえばＳｉＣなどのセラミックスなどが挙げられる。
　ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件とは、カーボン系材料において、ダイヤモンド相が熱力学的に安定な相である圧力および温度の条件をいい、焼結助剤および結合剤のいずれも添加せずに焼結可能な条件としては、具体的には、圧力が１２ＧＰａ以上、温度が２０００℃～２６００℃の条件であり、好ましくは、圧力が１６ＧＰａ以上、温度が２２００℃～２３００℃の条件である。
　また、本実施形態のダイヤモンド多結晶体の製造方法において用いられる高圧高温発生装置は、ダイヤモンド相が熱力学的に安定な相である圧力および温度の条件が得られる装置であれば特に制限はないが、生産性および作業性を高める観点から、ベルト型またはマルチアンビル型が好ましい。また、原料である非ダイヤモンド状炭素材料を収納する容器は、耐高圧高温性の材料であれば特に制限はなく、たとえば、Ｔａなどが好適に用いられる。
　（実施例１～６、比較例１～２）
　非ダイヤモンド状炭素材料として、表１に示すように、グラファイト化度および粒径が異なる複数のグラファイト粉末を準備した。
　次に、複数の上記非ダイヤモンド状炭素材料のそれぞれを、高圧高温発生装置を用いて、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく、圧力が１６ＧＰａおよび温度が２２００℃（これは、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度）の条件下で高圧高温処理した。
　得られた複数のダイヤモンド多結晶体について、それぞれ、硬度、抗折強度および耐摩耗性を評価した。硬度は、ヌープ硬度計を用いて、４．９Ｎの荷重を１０秒間負荷する条件で測定したヌープ硬度である。抗折強度は、三点曲げ強度試験機により測定した。耐磨耗性は、ダイヤモンド研磨機を用いて荷重が３ｋｇ／ｍｍ2の条件で測定して、実施例１の値を１．０としたときの相対値で示した。ここで相対値が高いほど、耐磨耗性が高いことを示す。結果を表１にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１を参照して、ｈ／ｃ比率が０．０１％以上のダイヤモンド多結晶体（実施例１～６）は、ｈ／ｃ比率が０．０１％未満のダイヤモンド多結晶体（比較例１～２）に比べて、硬度、抗折強度および耐磨耗性のいずれもが高くなり、強度特性および耐磨耗性に優れることがわかった。
　また、実施例１，３，６の試料と比較例１，２の試料の高温における抗折力と硬度を評価した。いずれの測定もアルゴン気流中で行った。結果を表２にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　この結果から、ｈ／ｃ比率が０．０１％以上のダイヤモンド多結晶体（実施例１、３、６）は、高温下でも抗折力、硬度は高く、それぞれの温度上昇に伴う低下率は、ｈ／ｃ比率が０．０１％未満のダイヤモンド多結晶体（比較例１、２）に比べて小さい。前者（実施例１，３，６）の、８００℃以上１２００℃以下の温度域における抗折力は、室温（２５℃）の値より１０％以上低下せず、また、８００℃における硬度は、室温（２５℃）の値と比べて２０％以上低下しない。また、実施例１，３，６の１２００℃における抗折力は、室温（２５℃）における抗折力より高くなっている。
　（実施例７）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を金属製のシャンクにロウ付けして、先端が４ポイント（４角形平面状）のスクライブツールをそれぞれ製作した。作製されたそれぞれのスクライブツールを用いて、サファイヤ基板に負荷２０ｇで長さ５０ｍｍのスクライブ溝を２００本形成した。その後、それぞれのスクライブツールの先端部分のダイヤモンド多結晶体の摩耗量は、電子顕微鏡により観察したところ、比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製のスクライブツールに比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製のスクライブツールは、いずれも０．８０倍以下に少なくなった。
　（実施例８）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を金属製のシャンクに埋め込み、先端がシングルポイント（円錐状）のドレッサーを製作した。作製されたそれぞれのドレッサーを、ＷＡ（ホワイトアルミナ）砥石を用いて、湿式で、砥石周速が３０ｍ／ｓｅｃ、切り込み量が０．０５ｍｍの条件で、磨耗させた。その後、それぞれのドレッサーの磨耗量は、高さゲージ計により測定したところ、比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製のドレッサーに比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製のドレッサーは、いずれも０．８５倍以下に少なくなった。
　（実施例９）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を丸型金属製枠に埋め込み、孔径がφ２０μｍのダイスを作製した。作製されたそれぞれのダイスを用いて、線速５００ｍ／分でＣｕ線の線引を行なった。このとき、ダイス径がφ２０．２μｍまで摩耗するまでの線引時間は、比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製のダイスに比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製のダイスは、いずれも１．１２倍以上に長くなった。
　（実施例１０）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を丸型の金属製枠に埋め込み、オリフィス孔径がφ２００μｍ、オリフィス高さが５ｍｍ、オリフィス孔面の算術平均粗さＲａが２９０ｎｍのオリフィスを作製した。作製されたそれぞれのオリフィスを用いて、水の吐出圧力が２００ＭＰａのウオータージェットノズルを形成して、厚さ１０ｍｍのステンレス板の切断性能を評価した。オリフィス径がφ３００μｍに拡がるまでの切断できた時間は、比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製のオリフィスに比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製のオリフィスは、いずれも１．１５倍以上に長くなった。
　（実施例１１）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を超硬の台金にロウ付けして、先端角度が９０°で先端アール（Ｒ）が１００ｎｍの切削工具を製作した。作製されたそれぞれの切削工具を用いて、厚さ３０ｍｍの銅板に厚さ２０μｍのニッケルメッキした金属板を、深さ５μｍで５μｍピッチの溝加工を施した。このとき、切削工具の先端が１μｍ摩耗するまでの時間は、比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製の切削工具に比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製の切削工具は、いずれも１．３０倍以上に長くなった。
　（実施例１２）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を超硬のシャンクにロウ付けして、直径φ１ｍｍ、刃長３ｍｍのドリルを作製した。作製されたそれぞれのドリルを用いて、ドリル回転数４０００回転／分、送り２μｍ／回の条件で、厚さ１．０ｍｍの超硬合金（ＷＣ－Ｃｏ）製板に孔をあけた。ドリルが磨耗または破損するまでにあけることができた孔の数は、比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製のドリルに比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製のドリルは、いずれも１．２０倍以上に多くなった。
　（実施例１３）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を超硬のシャンクにロウ付けして、直径φ3ｍｍ、刃先角度６０℃の円板型研削工具を作製した。作製したそれぞれの研削工具を用いて、回転数４０００回転数／分、切り込み２μｍの条件で、加工時間２時間、超硬合金（ＷＣ－Ｃｏ）の表面にＶ溝を形成した時の、刃先摩耗量を調査した。比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製の研削工具に比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製の研削工具の刃先摩耗量は、いずれも０．７倍以下と少なかった。
　（実施例１４）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体を金属製の枠に取り付け、放電加工用電極ガイドを作製した。線径７０μｍの電極ワイヤーを１０ｍ／分の速度でワイヤーを送り、１００時間後のガイド孔部の摩耗量を調査した。比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製のドリルに比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製のドリルは、いずれも０．８倍以下と摩耗量は少なかった。
　（実施例１５）
　上記実施例１～６および比較例１～２で得られたそれぞれのダイヤモンド多結晶体で直径φ３．５、厚さ０．６ｍｍのスクライブホイールを作製した。作製したそれぞれのスクライブホイールを用いて、送り速度１００ｍｍ／秒、押し付け荷重２．５ｋｇで、セラミックス基板を用いてスクライブテストを実施し、５０時間の摩耗量を調査した。比較例１～２のダイヤモンド多結晶体製のスクライブホイールに比べて、実施例１～６のダイヤモンド多結晶体製のスクライブホイールは、いずれも０．７５倍以下と摩耗量は少なかった。
　上記実施例７～１５を参照して、本発明にかかるダイヤモンド多結晶体（実施例１～６）は、従来のダイヤモンド多結晶体（比較例１～２）に比べて、はるかに優れた硬度、強度および耐摩耗性を有しているため、スクライブツール、ドレッサー、ダイス、オリフィス、切削工具、ドリル・エンドミルなどの回転切削工具、研削工具、電極ガイド、スクライブホイールなどの材料として非常に有用であることがわかった。
　今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。

Claims (14)

  1. 　立方晶ダイヤモンドと、六方晶ダイヤモンドとを、含み、
    　前記立方晶ダイヤモンドの（１１１）面に関するＸ線回折ピーク強度に対する前記六方晶ダイヤモンドの（１００）面のＸ線回折ピーク強度の比率が０．０１％以上であるダイヤモンド多結晶体。
  2. 　８００℃以上１２００℃以下の温度域における抗折力が、室温での抗折力の９０％以上であることを特徴とする、請求項１に記載のダイヤモンド多結晶体。
  3. 　１０００℃以上１２００℃以下の温度域における抗折力が、室温での抗折力より高いことを特徴とする請求項２記載のダイヤモンド多結晶体。
  4. 　８００℃における硬度が、室温での硬度の８０％以上であることを特徴とする、請求項１記載のダイヤモンド多結晶体。
  5. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成される先端部を備え、前記先端部が３あるいは４ポイントで構成されるスクライブツール。
  6. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成されるホイールを備えた、スクライブホイール。
  7. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成される先端部を備えたドレッサー。
  8. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体を備えた線引ダイス。
  9. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成されるオリフィスを備えたノズル。
  10. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成される刃先を備えた研削工具。
  11. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成される切刃を備えた切削工具。
  12. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成される切刃を備えた回転切削工具。
  13. 　請求項１～４のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体で構成されるワイヤーガイド。
  14. 　グラファイト化度が０．５８以下の非ダイヤモンド状炭素材料を準備する工程と、
    　前記非ダイヤモンド状炭素材料を、ダイヤモンドが熱力学的に安定な圧力および温度の条件下で、焼結助剤および結合剤のいずれも添加することなく、直接的に立方晶ダイヤモンドおよび六方晶ダイヤモンドに変換させるとともに焼結させる工程と、を備えるダイヤモンド多結晶体の製造方法。
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