JP2015202981A - 立方晶窒化ホウ素複合焼結体およびその製造方法、ならびに切削工具、耐摩工具および研削工具 - Google Patents
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Abstract
Description
立方晶窒化ホウ素多結晶体と、セラミックス相とを含み、
該立方晶窒化ホウ素多結晶体を40体積%以上80体積%以下の範囲で含有し、
該立方晶窒化ホウ素多結晶体は、平均結晶粒径が500nm以下である立方晶窒化ホウ素単結晶と、ウルツ鉱型窒化ホウ素とを含み、
該立方晶窒化ホウ素多結晶体は、該ウルツ鉱型窒化ホウ素を0.01体積%以上含有する。
立方晶窒化ホウ素多結晶体を40体積%以上80体積%以下の範囲で含有する立方晶窒化ホウ素複合焼結体の製造方法であって、
常圧型窒化ホウ素と、セラミックスとを混合して混合体を得る第1工程と、
圧力が8GPa以上かつ温度が1500℃以上2300℃未満の条件下において、該混合体を焼結する第2工程と、を備え、
該第2工程において、該常圧型窒化ホウ素は立方晶窒化ホウ素へと直接変換される。
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
[2]立方晶窒化ホウ素多結晶体は、圧縮型六方晶窒化ホウ素を0.01体積%以上0.5体積%以下の範囲でさらに含有することが好ましい。
[5]すなわち立方晶窒化ホウ素複合焼結体の製造方法は、立方晶窒化ホウ素多結晶体を40体積%以上80体積%以下の範囲で含有する立方晶窒化ホウ素複合焼結体の製造方法であって、常圧型窒化ホウ素とセラミックスとを混合して混合体を得る第1工程と、圧力が8GPa以上かつ温度が1500℃以上2300℃未満の条件下において混合体を焼結する第2工程と、を備え、第2工程において、常圧型窒化ホウ素は立方晶窒化ホウ素へと直接変換される。
[6]本発明の一態様に係る切削工具は、上記[1]〜[4]のいずれか1つに記した立方晶窒化ホウ素複合焼結体を備える。
以下、本発明の実施形態(以下「本実施形態」とも記す)について詳細に説明するが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
本実施形態のcBN複合焼結体はcBN多結晶体とセラミックス相とを含む。図1は本実施形態のcBN複合焼結体における焼結体組織の一例を示す平面模式図である。こうした焼結体組織は、たとえば走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)によって確認できる。
cBN多結晶体10は、平均結晶粒径が500nm以下であるcBN単結晶1から構成される。このようにcBN単結晶1が微細であるため、cBN多結晶体10は強度、靭性に優れる。図2は参考例(従来)の焼結体組織の一例を示す平面模式図である。この焼結体組織では、セラミックス相12内に結晶粒径が大きいcBN単結晶11が分散している。こうした組織では切削時にcBN単結晶11が破壊されたり、へき開したりするため、強度および靭性が十分ではない。これに対して本実施形態のように微細なcBN単結晶1から構成されるcBN多結晶体10は、一部でcBN単結晶1の破壊等が起こっても、破壊の進展をcBN多結晶体10内で食い止めることができる。また微細なcBN単結晶1はそれ自体が破壊され難く高強度を有する。したがって本実施形態のcBN複合焼結体は、図2に示すcBN焼結体と比較して耐摩耗性および耐欠損性に優れる。
本実施形態においてcBN単結晶の平均結晶粒径は、500nm以下であることを要する。かかる平均結晶粒径は、好ましくは470nm未満であり、より好ましくは200nm以下であり、特に好ましくは100nm以下である。強度の観点から平均結晶粒径は小さいほど望ましく下限値は特に制限されないが、生産性を考慮するとその下限は20nm程度であることが好ましい。
cBN単結晶の平均結晶粒径は切断法によって測定するものとする。測定の手順は次の通りである。まず焼結体組織をSEMで撮像してSEM画像を得る。次にSEM画像において円を描き、さらに円の中心から8本の直線を放射状に円の外周まで引く(このとき隣り合う2つの直線のなす角は45°である。)。次に円の中で各直線が結晶粒界(すなわちcBN単結晶同士の境界)を横切る回数を計数する。そして直線の長さを横切る回数で除することにより平均切片長さを求め、さらに平均切片長さに1.128を乗ずることにより平均結晶粒径を算出できる。
本実施形態のcBN複合焼結体は、wBNを0.01体積%以上含有する。wBNを含有することにより、亀裂の進展が抑制され靭性が向上する。wBNの含有量は多いほど好ましく上限値は特に制限されないが、組織の均一性を考慮すると、その上限は60体積%程度とすることが好ましい。wBNの含有量は、より好ましくは0.1体積%以上であり、特に好ましくは1.0体積%以上であり、最も好ましくは2.0体積%以上である。
cBN多結晶体は、圧縮型hBNを0.01体積%以上0.5体積%以下の範囲で含有できる。圧縮型hBNとは、周囲の物質(たとえばcBN等)から応力が加わり圧縮されているhBNである。たとえば、圧縮型hBNの(002)面の面間隔は通常のhBN(常圧型hBN)の面間隔(0.333nm)よりも短い。
セラミックス相は、1種以上のセラミックスから構成される。セラミックス相は、Ti、Hf、ZrおよびWの炭化物、窒化物、炭窒化物ならびにホウ化物の1種以上を含むことが好ましい。これらの化合物を含むことにより、耐摩耗性が向上するからである。こうした化合物の具体例としては、たとえば、TiC、TiN、TiCN、TiB2、HfC、HfN、HfCN、HfB2、ZrC、ZrN、ZrCN、ZrB2、WC、W2C、WB2等を例示できる。cBN複合焼結体におけるセラミックス相の体積含有率の範囲は、たとえば20体積%以上60体積%以下程度であり、好ましくは40体積%以上60体積%以下であり、より好ましくは40体積%以上50体積%以下である。
上記したcBN複合焼結体は以下に説明する方法によって製造できる。図3は本実施形態の製造方法の概略を示すフローチャートである。図3を参照して当該製造方法は、第1工程(S101)および第2工程(S102)を備える。以下、各工程について説明する。
第1工程(S101)では、常圧型BNとセラミックスとを混合して混合体を得る。第1工程では、まず常圧型BN粉末(たとえばhBN粉末)とセラミックス粉末とを準備する。
第2工程(S102)では、圧力が8GPa以上かつ温度が1500℃以上2300℃未満の条件下において混合体を焼結する。このとき常圧型BNはcBNへと直接変換される。すなわちhBNの変換と同時に混合体を焼結する。焼結時の圧力(以下「合成圧力」とも記す)は8GPa以上である限り、cBNが熱力学的に安定な範囲で自由に設定できる。ただし工程上の負担を考慮すると、合成圧力の上限は、たとえば20GPa程度であり、好ましくは16GPa程度である。
本実施形態のcBN複合焼結体は、前述のように優れた耐摩耗性および耐欠損性を有するため、切削工具、耐摩工具および研削工具に利用できる。
以下のようにしてNo.1〜No.9、No.11、No.12ならびにNo.16〜No.18に係るcBN複合焼結体を製造した。またNo.13〜No.15に係るcBN焼結体を調達した。ここでNo.1〜No.9が実施例に相当し、その他が比較例に相当する。
(第1工程)
まず出発物質(原料)として、平均粒子径10μmのhBN粉末と、表1に示す各種セラミックスとを準備した。表1に示す質量比でセラミックスを配合し、さらにボールミルを使用してhBNとセラミックスとを5時間に亘って混合した。これにより混合体を得た。そして混合体を窒素雰囲気下2050℃の温度で熱処理して不純物を除去した(高温精製処理)。
高温精製処理を経た混合体を高融点金属からなるカプセルに入れ、超高圧高温発生装置を使用して表1に示す圧力および温度条件下で20分間保持して、出発物質であるhBNをcBNへと直接変換させた。なお混合段階においてhBN粉末およびセラミックス粉末の配合量は、hBNをcBNに変換した際に複合焼結体におけるcBN多結晶体の体積含有率が表1に示す値となるように調整した。
No.13〜No.15として、市販のcBN焼結体からなる切削加工用チップを調達した。これらの試料は、平均粒子径が1000〜2000nmであるcBN単結晶(粉末)とセラミックス粉末とを原料として製造されたものである。これらの試料におけるセラミックス相の組成、cBN単結晶の含有率およびcBN単結晶の平均結晶粒径を表2に示す。表2中の平均結晶粒径およびセラミックス相の組成は、前述の方法で測定、同定したものである。
No.16〜No.18は次のようにして製造した。まず出発物質として平均粒子径が2〜4μmであるcBN多結晶粉末と各種セラミックス粉末とを準備した。このcBN多結晶粉末は、平均結晶粒径が500nm以下である微細なcBN単結晶が凝集した多結晶体(二次粒子)からなる粉末である。使用したセラミックス粉末の組成は表3に示す通りである。これらの原料を、ボールミルを使用して5時間に亘って混合して混合体を得た。得られた混合体は真空中1000℃の温度で熱処理して、粉末表面に付着した水分等の吸着ガスを除去した(高精製処理)。
No.1〜No.12ならびにNo.16〜No.18に係るcBN複合焼結体を切削加工用チップに加工した。これらの切削加工用チップ、ならびにNo.13〜No.15に係る切削加工用チップ(cBN焼結体)を使用して、次の切削条件Aで切削試験を行なって耐摩耗性を評価した。結果を表4に示す。
切削方式:乾式切削
被削材:焼入鋼SCM415H(硬さ:HRC58〜62)の丸棒
切削速度:100mm/min
切り込み量:0.2mm
送り:0.1mm/rev.
評価方法:5km切削した際の逃げ面摩耗量(単位:mm)。
切削方式:乾式切削
被削材:焼入鋼SCM415Hの丸棒(V字型の溝を8個有するもの)
切削速度:100mm/min
切り込み量:0.2mm
送り:0.1mm/rev.
評価方法:刃先が欠損するまでの切削時間(単位:分)。
表1〜表4より、wBNを含まないcBN複合焼結体(No.11およびNo.12)、あるいはcBN単結晶を出発物質(原料)として焼結されたcBN焼結体(No.13〜No.15)は、十分な耐摩耗性および耐欠損性を有していないことが分かる。
10 cBN多結晶体
2,12 セラミックス相
Claims (8)
- 立方晶窒化ホウ素多結晶体と、セラミックス相とを含み、
前記立方晶窒化ホウ素多結晶体を40体積%以上80体積%以下の範囲で含有し、
前記立方晶窒化ホウ素多結晶体は、平均結晶粒径が500nm以下である立方晶窒化ホウ素単結晶と、ウルツ鉱型窒化ホウ素とを含み、
前記立方晶窒化ホウ素多結晶体は、前記ウルツ鉱型窒化ホウ素を0.01体積%以上含有する、立方晶窒化ホウ素複合焼結体。 - 前記立方晶窒化ホウ素多結晶体は、圧縮型六方晶窒化ホウ素を0.01体積%以上0.5体積%以下の範囲でさらに含有する、請求項1に記載の立方晶窒化ホウ素複合焼結体。
- 前記セラミックス相は、Ti、Hf、ZrおよびWの炭化物、窒化物、炭窒化物ならびにホウ化物の1種以上を含む、請求項1または請求項2に記載の立方晶窒化ホウ素複合焼結体。
- 前記セラミックス相は、Alをさらに含む、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の立方晶窒化ホウ素複合焼結体。
- 立方晶窒化ホウ素多結晶体を40体積%以上80体積%以下の範囲で含有する立方晶窒化ホウ素複合焼結体の製造方法であって、
常圧型窒化ホウ素とセラミックスとを混合して混合体を得る第1工程と、
圧力が8GPa以上かつ温度が1500℃以上2300℃未満の条件下において前記混合体を焼結する第2工程と、を備え、
前記第2工程において、前記常圧型窒化ホウ素は立方晶窒化ホウ素へと直接変換される、立方晶窒化ホウ素複合焼結体の製造方法。 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の立方晶窒化ホウ素複合焼結体を備える、切削工具。
- 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の立方晶窒化ホウ素複合焼結体を備える、耐摩工具。
- 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の立方晶窒化ホウ素複合焼結体を備える、研削工具。
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