WO2012018051A1

WO2012018051A1 - クリーニング方法、デバイス製造方法、クリーニング基板、液浸部材、液浸露光装置、及びダミー基板

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Publication number: WO2012018051A1
Application number: PCT/JP2011/067787
Authority: WO
Inventors: 昭一谷元; 池田　豊; 健一白石; 亮田中; 俊二渡辺
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2010-08-04
Filing date: 2011-08-03
Publication date: 2012-02-09
Anticipated expiration: 2013-02-04
Also published as: TW201222160A; US20120057139A1

Abstract

　クリーニング基板（ＣＰ）と、液浸部材（７）とを対向させ、液浸部材（７）をクリーニングする。クリーニング基板（ＣＰ）は、クリーニング用の第１洗浄液（ＬＣ１）に対して撥液性の第１撥液部（５１）と第１撥液部（５１）の周囲の少なくとも一部に配置されて第１撥液部（５１）よりも親液性の親液部（５２）とを有する。

Description

クリーニング方法、デバイス製造方法、クリーニング基板、液浸部材、液浸露光装置、及びダミー基板

　本発明は、クリーニング方法、デバイス製造方法、クリーニング基板、液浸部材、液浸露光装置、及びダミー基板に関する。
　本願は、２０１０年８月４日に出願された特願２０１０－１７５８１０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　半導体デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置の部材、部品が汚染されると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献に開示されているような、露光装置内の所定部材をクリーニングする技術が案出されている。

米国特許出願公開第２００８／０２７３１８１号米国特許出願公開第２００９／０１９５７６１号

　露光不良の発生を抑制するために、露光装置内の部材をクリーニングすることは有効である。

　本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるクリーニング方法、及びクリーニング基板を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる液浸部材、及び液浸露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるダミー基板を提供することを目的とする。

　本発明の第１の態様に従えば、液浸露光装置において、基板に照射される露光光が通過する開口を有するとともに露光光の光路の少なくとも一部が第１液体で満たされるように基板との間で第１液体を保持する液浸部材のクリーニング方法であって、クリーニング用の第２液体に対して撥液性の第１部分と第１部分の周囲の少なくとも一部に配置されて第１部分よりも親液性の第２部分とを有する物体と、液浸部材とを対向させることと、液浸部材と物体の第２部分との間に第２液体を供給することと、を含み、液浸部材と第２部分との間に供給された第２液体が開口を通過することを物体の第１部分で抑えつつ、第２液体で液浸部材をクリーニングするクリーニング方法が提供される。

　本発明の第２の態様に従えば、第１の態様のクリーニング方法で、液浸部材をクリーニングすることと、クリーニングされた液浸部材と基板との間で第１液体を保持することと、第１液体を介して露光光で基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。

　本発明の第３の態様に従えば、液浸露光装置において、基板に照射される露光光が通過する開口及び開口の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口を有するとともに露光光の光路の少なくとも一部が第１液体で満たされるように基板との間で第１液体を保持する液浸部材のクリーニングに用いられるクリーニング基板であって、クリーニング用の第２液体に対して撥液性の第１部分と、第１部分の周囲の少なくとも一部に設けられ、第２液体に対して第１部分よりも親液性の第２部分と、を備え、液浸部材を第２液体でクリーニングするために液浸部材と対向するように配置されたときに、液浸部材と第２部分との間に供給された第２液体が開口を通過することを第１部分が抑制するクリーニング基板が提供される。

　本発明の第４の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置で用いられ、露光光の光路の少なくとも一部が第１液体で満たされるように基板との間で第１液体を保持する液浸部材であって、露光光が通過する開口と、開口の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口と、開口に対して液体回収口の外側に配置され、クリーニング用の第２液体を供給する供給口と、を備える液浸部材が提供される。

　本発明の第５の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、第４の態様の液浸部材を備える液浸露光装置が提供される。

　本発明の第６の態様に従えば、第５の態様の液浸露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

　本発明の第７の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置の、基板を露光する露光動作とは異なる非露光動作に用いられるダミー基板であって、外縁部分に非露光動作と関連づけられた切欠を備えるダミー基板が提供される。

　本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。第１実施形態に係る液浸部材の一例を示す図である。第１実施形態に係る液体供給システムの一例を示す図である。第２実施形態に係るクリーニング基板の例を示す図である。第２実施形態に係るクリーニング基板の例を示す図である。第２実施形態に係るクリーニング基板の他の例を示す図である。第２実施形態に係るクリーニング基板の他の例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第４実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。第５実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す図である。デバイス製造方法の一例を示す図である。

　以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
　第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、露光液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態では、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が露光液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間は、液体で満たされた部分（空間、領域）である。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態では、露光液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

　また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

　図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの光路Ｋが露光液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８とを備えている。

　マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

　基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐには、デバイスパターンが形成可能である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

　照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態では、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

　マスクステージ１は、ベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部１Ｈを有する。マスクステージ１は、マスク保持部１ＨにマスクＭを保持した状態で、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。

　投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２が射出面１３を有する。投影領域ＰＲは、射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態では、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。本実施形態では、射出面１３から射出される露光光ＥＬは、－Ｚ方向に進行する。投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

　基板ステージ２及び計測ステージ３は、ベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部１１を有する。基板ステージ２は、基板保持部１１に基板Ｐを保持した状態で、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。

　計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する保持部３Ｈを有する。計測ステージ３は、保持部３Ｈに計測部材Ｃを保持した状態で、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。

　基板ステージ２は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号、及び米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号等に開示されているような、基板保持部１１の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する保持部ＴＨを有する。カバー部材Ｔは、基板保持部１１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。なお、リリース可能なカバー部材Ｔを使わずに、基板保持部１１に保持された基板Ｐの周囲において、＋Ｚ方向を向いている基板保持部１１の上面が露出していてもよい。この場合、基板保持部１１の上面の少なくとも一部に液浸空間ＬＳが形成されてもよい。

　計測ステージ３に搭載される計測部材Ｃは、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号等に開示されているような空間像計測システムの一部を構成する部材でもよいし、米国特許第４４６５３６８号等に開示されているような照度むら計測システムの一部を構成する部材でもよいし、米国特許第５４９３４０３号等に開示されているような基準部材でもよいし、米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号等に開示されているような照射量計測システムの一部を構成する部材でもよいし、欧州特許第１０７９２２３号等に開示されているような波面収差計測システムの一部を構成する部材でもよい。

　マスクステージ１は、駆動システム４の作動により移動可能である。駆動システム４は、マスクステージ１に配置された可動子４Ａと、ベース部材９に配置された固定子４Ｃとを有する平面モータを含む。マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

　基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム５の作動により移動可能である。駆動システム５は、基板ステージ２に配置された可動子５Ａと、計測ステージ３に配置された可動子５Ｂと、ベース部材１０に配置された固定子５Ｃとを有する平面モータを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム５の作動により、ガイド面１０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、平面モータの一例が、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されている。

　なお、駆動システム４が、例えばリニアモータを含んでもよい。なお、駆動システム５が、例えばリニアモータを含んでもよい。

　マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置は、干渉計システム６によって計測される。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム６の計測結果に基づいて駆動システム４、５を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３（計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

　本実施形態では、基板ステージ２の上面２Ｆ、及び計測ステージ３の上面３Ｆのそれぞれが、露光液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態の上面２Ｆは、カバー部材Ｔの上面を含む。上面２Ｆ、３Ｆは、＋Ｚ方向を向く面であり、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向可能である。本実施形態の上面２Ｆ、３Ｆは、フッ素を含む材料の膜で形成されている。

　液浸部材７は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが露光液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材７は、終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態の液浸部材７は、環状の部材である。本実施形態の液浸部材７の少なくとも一部は、終端光学素子１２の周囲に配置される。また、本実施形態の液浸部材７の少なくとも一部は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。

　なお、液浸部材７が、終端光学素子１２の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置されないようにしてもよい。また、液浸部材７が、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子１２の周囲に配置されないようにしてもよい。また、複数の液浸部材が、露光光ＥＬの光路の周囲に間隔をあけて配置されてもよい。

　液浸部材７は、終端光学素子１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体が対向可能な下面１４を有する。液浸部材７は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部が露光液体ＬＱで満たされるように、物体との間で露光光ＥＬを保持して液浸空間ＬＳを形成する。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の表面（上面）との間に露光液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路Ｋが露光液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

　本実施形態では、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）において移動可能な物体を含む。本実施形態では、その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、後述のクリーニング基板ＣＰ、後述のダミー基板、計測ステージ３、及び計測ステージ３に搭載された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。

　例えば、基板Ｐの露光時においては、基板Ｐの表面の少なくとも一部が、射出面１３及び下面１４と対向する。終端光学素子１２及び液浸部材７は、投影領域ＰＲに配置される物体との間で露光液体ＬＱを保持することができる。基板Ｐの露光において、液浸部材７は、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋの少なくとも一部が露光液体ＬＱで満たされるように、基板Ｐとの間で露光液体ＬＱを保持する。基板Ｐの露光において、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部は、露光液体ＬＱと接する。

　本実施形態では、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が露光液体ＬＱで覆われるように、液浸空間ＬＳが形成される。液浸部材７は、基板Ｐより小さい局所領域内に露光液体ＬＱを保持する。露光液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧｑの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

　図２Ａは、本実施形態の液浸部材７を上側（＋Ｚ側）から見た図であり、図２Ｂは、下側（－Ｚ側）から見た図である。図３は、本実施形態の液浸部材７を示すＹＺ平面と平行な断面図である。なお、図３には、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置に基板Ｐが配置される場合が示されているが、上述のように、例えば基板ステージ２及び計測ステージ３等、他の物体が配置されてもよい。

　液浸部材７は、プレート部１５及び本体部１６を有する。本実施形態では、液浸部材７（本体部１６）の外形は、矩形である。なお、本体部１６の外形は、矩形に限られない。本体部１６の外形の形状は、円形、楕円形、多角形、多角形のいくつかの角を丸めた形状、輪郭が自由曲線である形状、これら形状を組み合わせた形状のいずれかであってもよい。例えば、液浸部材７（本体部１６）の外形が、後述する第２供給口２２の外形と同じ円形であってもよい。

　プレート部１５は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの周囲に配置される。本体部１６は、その少なくとも一部が終端光学素子１２の周囲に配置される。プレート部１５は、基板Ｐの表面が対向可能な下面１５Ｂと、下面１５Ｂの反対方向を向く上面１５Ａとを有する。上面１５Ａの少なくとも一部は、射出面１３と対向する。本実施形態では、プレート部１５の下面１５Ｂの外形は、矩形である。なお、下面１５Ｂの外形は、矩形に限られない。下面１５Ｂの外形が、円形、楕円形、多角形、多角形のいくつかの角を丸めた形状、輪郭が自由曲線である形状、これら形状を組み合わせた形状のいずれかであってもよい。

　液浸部材７は、射出面１３から射出される露光光ＥＬが通過可能な開口（通路）７Ｋを有する。射出面１３から射出され、基板Ｐに照射される露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過する。開口７Ｋは、プレート部１５に形成されている。開口７Ｋは、上面１５Ａと下面１５Ｂとを結ぶように形成される。下面１５Ｂは、開口７Ｋの下端の周囲に配置される。上面１５Ａは、開口７Ｋの上端の周囲に配置される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。

　本実施形態では、射出面１３から射出される露光光ＥＬの進行方向は、終端光学素子１２の光軸１２Ａと平行である。本実施形態の光軸１２Ａは、Ｚ軸と平行である。

　本実施形態では、Ｙ軸方向に関する開口７Ｋの寸法は、Ｘ軸方向に関する開口７Ｋの寸法より小さい。本実施形態の開口７Ｋは、矩形である。なお、開口７Ｋの形状が、楕円形、円形、多角形、多角形のいくつかの角を丸めた形状、輪郭が自由曲線である形状、これら形状を組み合わせた形状のいずれかであってもよい。

　液浸部材７は、露光液体ＬＱを供給可能な第１供給口２１と、露光液体ＬＱを回収可能な液体回収口２０とを備えている。少なくとも基板Ｐの露光時において、第１供給口２１は、露光液体ＬＱを供給し、液体回収口２０は、第１供給口２１から供給された露光液体ＬＱの少なくとも一部を回収する。基板Ｐの露光において、液浸部材７に対向するように基板Ｐが配置される。露光液体ＬＱは、液浸部材７に基板Ｐが対向するように配置された状態で、第１供給口２１から供給される。

　また、本実施形態の液浸部材７は、第１供給口２１と異なる第２供給口２２を有する。第２供給口２２は、露光液体ＬＱとは異なる液体を供給可能である。本実施形態の第２供給口２２は、液浸部材７の少なくとも一部のクリーニングに用いる洗浄液ＬＣを供給可能である。クリーニング用に用いる洗浄液ＬＣは、１種類であってもよいし、２種類以上であってもよい。以下の説明においては、１種類又は２種類上の洗浄液を総称して洗浄液ＬＣという。本実施形態では、洗浄液ＬＣとして、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２を用いる。

　液浸部材７は、第１供給口２１に結ばれる第１内部流路２１Ｒと、第２供給口２２に結ばれる第２内部流路２２Ｒと、液体回収口２０に結ばれる第３内部流路２０Ｒとを有する。第１内部流路２１Ｒ、第２内部流路２２Ｒ、及び第３内部流路２０Ｒのそれぞれは、液浸部材７の内部に形成されている。第１供給口２１は、第１内部流路２１Ｒの一端に形成されている。第２供給口２２は、第２内部流路２２Ｒの一端に形成されている。液体回収口２０は、第３内部流路２０Ｒの一端に形成されている。

　本実施形態の第１供給口２１は、露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。本実施形態では、複数の第１供給口２１が配置されている。本実施形態の第１供給口２１は、光路Ｋに対して＋Ｘ側、－Ｘ側、＋Ｙ側、及び－Ｙ側のそれぞれに配置されている。本実施形態の第１供給口２１は、射出面１３と上面１５Ａとの間の空間ＳＰ１に露光液体ＬＱを供給する。第１供給口２１から供給された露光液体ＬＱは、空間ＳＰ１を流れた後、開口７Ｋを介して、下面１５Ｂ（下面１４）と基板Ｐの表面（物体の上面）との間の空間ＳＰ２へ流れる。なお、第１供給口２１の位置は、上述の位置に限られない。また、第１供給口２１の数も、４つに限られず、１つでもあってもよい。

　液体回収口２０は、基板Ｐ（物体）上の露光液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。液体回収口２０は、基板Ｐの表面が対向可能な液浸部材７の所定位置に配置されている。本実施形態での液体回収口２０は、開口７Ｋの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態では、開口７Ｋの周囲に下面１５Ｂが配置され、液体回収口２０は、下面１５Ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態の液体回収口２０は、ＸＹ平面内において環状であり、下面１５Ｂの周囲に配置されている。なお、液体回収口２０が、下面１５Ｂを囲むように所定間隔で複数配置されてもよい。

　本実施形態では、液体回収口２０に多孔部材１９が配置される。多孔部材１９は、複数の孔(openingsあるいはpores)を有する。本実施形態の多孔部材１９は、プレート状の部材である。本実施形態の多孔部材１９は、基板Ｐの表面が対向可能な下面１９Ｂと、下面１９Ｂの反対方向を向く上面１９Ａとを有する。多孔部材１９の孔１９Ｈは、上面１９Ａと下面１９Ｂとを結ぶように形成される。多孔部材１９は、孔１９Ｈを複数有する。

　なお、本実施形態では、下面１９ＢはＸＹ平面と平行であるが、下面１９Ｂの少なくとも一部がＸＹ平面に対して傾斜していても構わない。また、下面１９Ｂの少なくとも一部が曲面を含んでいても構わない。また、下面１９Ｂの一部に段差があっても構わない。例えば、下面１５Ｂ（開口７Ｋ）の周囲に配置される下面１９Ｂの第１領域がＺ軸方向に関して第１の位置に配置され、第１領域の周囲に配置される下面１９Ｂの第２領域が第１の位置より高い第２の位置に配置されていてもよい。なお、下面１９Ｂの第２領域が第１領域よりも低い位置に配置されてもよい。

　なお、本実施形態では、Ｚ軸方向に関して、下面１５Ｂと下面１９Ｂと同じ位置に配置されているが、異なる位置に配置されていても構わない。例えば、下面１９Ｂが下面１５Ｂよりも高い位置（＋Ｚ側の位置、基板Ｐから遠い位置）に配置されてもよい。なお、下面１９Ｂが下面１５Ｂよりも低い位置（－Ｚ側の位置、基板Ｐに近い位置）に配置されてもよい。

　本実施形態では、プレート部１５の下面１５Ｂの周囲に、多孔部材１９の下面１９Ｂが配置される。本実施形態では、基板Ｐの表面（物体の上面）が対向可能な液浸部材７の下面１４は、プレート部１５の下面１５Ｂ、及び多孔部材１９の下面１９Ｂを含む。本実施形態では、下面１５Ｂ及び下面１９Ｂを含む下面１４は、開口７Ｋの周囲に配置される。

　なお、液体回収口２０に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。また、液体回収口２０に多孔部材１９が配置されていなくてもよい。また、本実施形態では、下面１９Ｂの外周（外形）１９ＢＯは、円形であるが、円形に限られない。下面１９Ｂの形状は、矩形、楕円形、多角形、多角形のいくつかの角を丸めた形状、輪郭が自由曲線である形状、これら形状を組み合わせた形状のいずれかであってもよい。なお、液体回収口が、多孔部材１９の孔１９Ｈを含む概念でもよい。

　また、液体回収口２０に多孔部材１９が配置されていなくてもよい。

　本実施形態では、空間ＳＰ２の露光液体ＬＱ（物体上の露光液体ＬＱ）が、多孔部材１９の孔１９Ｈを介して回収される。基板Ｐの露光において、基板Ｐ上の露光液体ＬＱを回収するときに、制御装置８は、下面１９Ｂが面する空間ＳＰ２の圧力と、上面１９Ａが面する空間（第３内部流路２０Ｒ）の圧力とが異なるように調整する（差圧を発生させる）。これにより、基板Ｐ上の露光液体ＬＱは、多孔部材１９の孔１９Ｈを介して回収される。

　本実施形態の制御装置８は、基板Ｐの露光において、第１供給口２１からの露光液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口２０（孔１９Ｈ）からの露光液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の基板Ｐ（物体）との間に露光液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。

　本実施形態の液浸部材７の少なくとも一部は、金属を含む材料で形成される。本実施形態では、液浸部材７の少なくとも一部が、チタンを含む材料で形成される。チタンを含む材料は、チタンとチタン合金の少なくとも一方を含む。本実施形態のプレート部１５及び本体部１６は、チタンを含む材料で形成される。本実施形態では、多孔部材１９もチタンを含む材料で形成される。

　なお、液浸部材７の少なくとも一部が、チタンと異なる材料、例えばステンレス、マグネシウム等を含む材料で形成されてもよい。液浸部材７の少なくとも一部が、セラミックスを含む材料で形成されても構わない。また、液浸部材７の表面の少なくとも一部が、アモルファスカーボンで形成されてもよい。アモルファスカーボンは、テトラヘドラルアモルファスカーボンを含む。例えば、プレート部１５の上面１５Ａ及び下面１５Ｂの少なくとも一部をアモルファスカーボンで形成する場合、チタンを含む材料で形成されたプレート部１５（基材）を形成し、その基材の表面の少なくとも一部がアモルファスカーボンの膜で覆われるようにアモルファスカーボンの膜を形成する。これにより、上面１５Ａ及び下面１５Ｂの少なくとも一部がアモルファスカーボンで形成される。また、多孔部材１９の上面１９Ａ、下面１９Ｂ、及び孔１９Ｈの内面の少なくとも一部がアモルファスカーボンで形成されてもよい。例えば、ＣＶＤ法又はＰＶＤ法を用いて、基材上にアモルファスカーボンの膜を形成することができる。

　また、液浸部材７の表面の少なくとも一部が、酸化膜で形成されてもよい。多孔部材１９の上面１９Ａ、下面１９Ｂ、及び孔１９Ｈの内面の少なくとも一部が酸化膜で形成されてもよい。上記の酸化膜は、例えば酸化チタン膜でも構わない。

　第２供給口２２は、開口７Ｋに対して液体回収口２０（孔１９Ｈ）の外側に配置されている。第２供給口２２は、光軸１２Ａ（光路Ｋ）に対して、液体回収口２０の外側に配置されている。

　本実施形態の第２供給口２２は、Ｚ軸方向に関して、液浸部材７の下面１５Ｂと同じ位置（高さ）に配置されている。なお、第２供給口２２と下面１５Ｂとが、Ｚ軸方向に関して、異なる位置に配置されていても構わない。例えば、第２供給口２２が下面１５Ｂよりも高い位置（＋Ｚ側の位置、基板Ｐから遠い位置）に配置されてもよい。なお、第２供給口２２が下面１５Ｂよりも低い位置（－Ｚ側の位置、基板Ｐに近い位置）に配置されてもよい。

　以下の説明においては、ＸＹ平面と平行な面内において、例えば物体Ｍと光軸１２Ａとの間に物体Ｎがある場合、光軸１２Ａに対して物体Ｍは、物体Ｎの外側に配置されているといい、光軸１２Ａに対して物体Ｎは、物体Ｍの内側に配置されているという。すなわち、光軸１２Ａに対する放射方向に関して、光軸１２Ａに近い位置に配置される物体Ｎは、光軸１２Ａから遠い位置に配置される物体Ｍの内側に配置されるといい、光軸１２Ａから遠い位置に配置される物体Ｍは、光軸１２Ａに近い位置に配置される物体Ｎの外側に配置されるという。

　すなわち、本実施形態の第２供給口２２は、終端光学素子１２の光軸１２Ａに対して液体回収口２０の外側に配置されている。本実施形態の第２供給口２２は、液体回収口２０を囲むように、ＸＹ平面内において環状に設けられている。

　なお、第２供給口２２は、液体回収口２０を囲む環状でなくてもよい。本実施形態では、第２供給口２２の数が一つであるが、複数の第２供給口を設けても構わない。複数の第２供給口を設けた場合、それら複数の第２供給口を下面１９Ｂの外周部分に沿って配列しても構わない。複数の第２供給口は、第２供給口ごとの液体供給量が互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。複数の第２供給口のそれぞれの開口面積は、同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。また、本実施形態では、液体回収口２０の外形の形状と下面１９Ｂの外周の形状とが同じであるが、液体回収口２０の外形の形状は、下面１９Ｂの外周の形状と異なっていても構わない。なお、液浸部材７は、第１供給口２１、第２供給口２２および液体回収口２０を備えているが、第１供給口２１、第２供給口２２および液体回収口２０の少なくとも一つを、液浸部材７とは異なる部材が備えていても構わない。その場合、第１供給口２１、第２供給口２２および液体回収口２０の少なくとも一つを備える部材と液浸部材７とは、接触してもよいし、接触しなくても構わない。例えば、第１供給口２１と液体回収口２０を液浸部材７に設け、第２供給口２２を液浸部材７と異なる部材に設けても構わない。

　本実施形態では、光軸１２Ａに対して第２供給口２２の外側に撥液部２４が配置されている。本実施形態では、開口７Ｋに対して第２供給口２２の外側に、撥液部２４が配置されている。撥液部２４は、少なくとも洗浄液ＬＣに対して撥液性である。本実施形態の撥液部２４は、第２供給口２２を環状に囲むように配置されている。本実施形態の撥液部２４は、光軸１２Ａ（開口７Ｋ）を囲む環状である。本実施形態の撥液部２４は、本体部１６の外縁１６Ａと第２供給口２２の外縁２２Ａとの間に設けられている。本実施形態では、本体部１６の外縁１６Ａと第２供給口２２の外縁２２Ａとの間の全ての部分に撥液部２４が設けられている。本実施形態の撥液部２４の外縁２４Ａは、本体部１６の外縁部分１６Ａと一致している。また、本実施形態の撥液部２４の内縁２４Ｂは、第２供給口２２の外縁部分２２Ａと一致している。

　なお、撥液部２４は設けなくてもかまわない。また、開口７Ｋもしくは光軸１２Ａに対して、第２供給口２２の内側に少なくとも洗浄液ＬＣに対して撥液性の撥液部が設けられていても構わない。この場合も、撥液部２４を設けてもよいし、撥液部２４がなくても構わない。

　なお、撥液部２４と液浸部材７の下面１５Ｂ、とは、実質的に面一でも構わない。また、Ｚ軸方向において、撥液部２４と液浸部材７の下面１５Ｂとが異なる位置に配置されていても構わない。

　本実施形態の第２供給口２２は、撥液部２４の内側に洗浄液ＬＣ（ＬＣ１、ＬＣ２）を供給可能である。撥液部２４は、第２供給口２２から供給される洗浄液等の液体に対して撥液性を有している。本実施形態では、撥液部２４に対する洗浄液ＬＣの接触角が、８０度以上、９０度以上、１００度以上、１１０度以上、あるいは１２０度以上である。

　なお、撥液部２４の外縁２４Ａは、本体部１６の外縁部分１６Ａと一致していなくても構わない。例えば、光軸１２Ａに対して、撥液部２４の外縁２４Ａが、本体部１６の外縁１６Ａの内側部分に形成されていても構わない。この場合、撥液部２４の外縁２４Ａが、環状でも構わない。本実施形態の撥液部２４の内縁２４Ｂは、第２供給口２２の外縁部分２２Ａと一致していなくても構わない。

　本実施形態では、第２供給口２２の外側に配置される撥液部２４は、液浸部材７の下面１４に塗布された撥液性の膜である。本体部１６とは異なる部材で、撥液部２４を形成しても構わない。本体部１６とは異なる部材で撥液部２４を形成する場合、その撥液部２４の外縁２４Ａと本体部１６の外形とが一致していなくても構わない。例えば、その撥液部２４の外縁２４Ａが、本体部１６よりも大きくても構わない。

　本実施形態の撥液部２４は、フッ素を含む材料で形成される。例えば、含フッ素樹脂（フッ素系樹脂）であり、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であってもよい。フッ素を含む材料とは異なる材料であっても構わない。フッ素を含む材料と異なる材料は、例えば、チタンを含む材料、シリコン炭窒化物を含む材料でも構わない。また、フッ素を含む材料と、それ以外を含む材料との組み合わせであっても構わない。

　図４は、本実施形態に係る液体システム１００の一例を示す図である。図４には、露光装置ＥＸの動作に応じて選択される基板ＰＸが、基板ステージ２に配置されている状態を例示している。基板ＰＸは、露光動作時に用いる基板Ｐ、クリーニング時等の非露光動作時に用いるクリーニング基板ＣＰ、計測等のクリーニング時以外の非露光動作時に用いるダミー基板のうちの１種類以上を含む複数種類の基板から適宜選択される。

　液体システム１００は、例えば露光装置ＥＸを含んだデバイス製造システムの一部であってもよい。デバイス製造システムが複数の露光装置ＥＸを含む場合に、液体システム１００は、複数の露光装置ＥＸのうちの２以上に液体を供給可能としても構わない。液体システム１００は、露光装置ＥＸに対する外部装置（露光装置ＥＸと異なる装置）であってもよい。また、液体システム１００の少なくとも一部が、露光装置ＥＸが設置されている工場の設備でも構わない。また、露光装置ＥＸが、液体システム１００の一部を有していてもよいし、全部を有してもよい。

　本実施形態では、第１供給口２１、第２供給口２２、及び液体回収口２０の少なくとも一つが、液体システム１００に接続される。本実施形態の液体システム１００は、液浸部材７の第１内部流路２１Ｒに露光液体ＬＱを供給可能である。第１内部流路２１Ｒに供給された露光液体ＬＱは、第１内部流路２１Ｒを介して第１供給口２１に送られ、第１供給口２１を介して空間ＳＰ１に供給される。

　本実施形態の液体システム１００は、液浸部材７の第２内部流路２２Ｒにも露光液体ＬＱを供給可能である。第２内部流路２２Ｒに供給された露光液体ＬＱは、第２内部流路２２Ｒを介して第２供給口２２に送られる。液体システム１００からの露光液体ＬＱは、第２供給口２２を介して、液体回収口２０の下側（－Ｚ側）の空間であって開口７Ｋと第２供給口２２の空間ＳＰ３の少なくとも一部に供給される。本実施形態の液体システム１００は、液浸部材７の第２内部流路２２Ｒに洗浄液ＬＣを供給可能である。第２内部流路２２Ｒに供給された洗浄液ＬＣは、露光液体ＬＱと同様に、第２内部流路２２Ｒ及び第２供給口２２を介して、空間ＳＰ３の少なくとも一部に供給される。

　本実施形態の液体システム１００は、液体回収口２０から回収された液体（露光液体ＬＱ及び洗浄液ＬＣの少なくとも一方）を回収可能である。液体回収口２０から回収された液体は、第３内部流路２０Ｒを介して液体システム１００に送られる。例えば、基板Ｐの露光において液体回収口２０から回収された露光液体ＬＱは、液体システム１００に送られる。なお、液体システム１００が、第２供給口２２から回収された液体（露光液体ＬＱ及び洗浄液ＬＣの少なくとも一方）を回収しても構わない。例えば、基板Ｐの露光において、液体システム１００は、第２供給口２２から露光液体ＬＱを回収可能であっても構わない。

　以下、液体システム１００の構成要素について説明する。本実施形態の液体システム１００は、供給源ＬＱＳ、流路部材２５～３４、バルブ３５～３７、希釈装置３８、第１洗浄液供給装置３９、第２洗浄液供給装置４０、吸引装置４１、検出装置４２、及び収容部材４３～４５を含んでいる。供給源ＬＱＳは、露光液体ＬＱを供給可能である。供給源ＬＱＳは、露光装置ＥＸの一部又は液体システム１００の一部であってもよいし、液体システム１００と異なるシステムの一部で露光装置ＥＸの外部装置であってもよい。

　流路部材２５～３４は、それぞれ、配管等の管部材を含む。バルブ３５～３７は、流量調整と流路切替の少なくとも一方が可能である。希釈装置３８は、２種類以上の液体を所望の混合比で混合可能である。希釈装置３８は、混合前の液体に含まれる各成分の、混合液に占める割合（濃度）を調整可能である。第１洗浄液供給装置３９は、洗浄液ＬＣの１つとして第１洗浄液ＬＣ１を供給可能である。第２洗浄液供給装置４０は、洗浄液ＬＣの１つとして第２洗浄液ＬＣ２を供給可能である。本実施形態の第２洗浄液ＬＣ２は、第１洗浄液ＬＣ１と異なる成分の洗浄液である。吸引装置４１は、例えばポンプ等であり、吸引装置４１に接続された領域の圧力を変化可能である。検出装置４２は、液体の特性を検出可能である。収容部材４３～４５は、例えばタンクであり、液体を収容可能である。

　本実施形態では、第１供給口２１に露光液体ＬＱを供給可能である第１の供給系は、流路部材２５、バルブ３５、流路部材２６、及び第１内部流路２１Ｒを含む。流路部材２５の一端は、供給源ＬＱＳに接続される。流路部材２５の他端は、バルブ３５の流入口に接続される。バルブ３５は、２つの流出口を含み、各流出口からの流量を調整可能である。バルブ３５は、例えば２つの流出口のうちで露光液体ＬＱを流す流出口を択一的に選択可能である。バルブ３５の第１の流出口は、流路部材２６の一端に接続される。流路部材２６の他端は、第１内部流路２１Ｒに接続される。

　本実施形態では、第２供給口２２に露光液体ＬＱを供給可能である第２の供給系は、流路部材２５、バルブ３５、流路部材２７、希釈装置３８、流路部材２９、バルブ３６、流路部材３０、及び第２内部流路２２Ｒを含む。本実施形態では、第２供給口２２に第１洗浄液ＬＣ１を供給可能である第３の供給系は、第１洗浄液供給装置３９、流路部材２８、希釈装置３８、流路部材２９、バルブ３６、流路部材３０、及び第２内部流路２２Ｒを含む。本実施形態では、第２供給口２２に第２洗浄液ＬＣ２を供給可能である第４の供給系は、第２洗浄液供給装置４０、バルブ３６、流路部材３０、及び第２内部流路２２Ｒを含む。

　上述したバルブ３５の流出口のうちで第２の流出口は、流路部材２７の一端に接続される。流路部材２７の他端は、希釈装置３８に接続される。希釈装置３８は、２つの流入口と１つの流出口を含む。希釈装置３８の第１の流入口は、流路部材２７の他端に接続される。希釈装置３８の第２の流入口は、流路部材２８を介して第１洗浄液供給装置３９に接続される。希釈装置３８の流出口は、流路部材２９の一端と接続される。

　第１洗浄液供給装置３９は、流路部材２８を介して第１洗浄液ＬＣ１を希釈装置３８に供給可能である。希釈装置３８は、露光液体ＬＱ、第１洗浄液ＬＣ１、露光液体ＬＱ及び第１洗浄液ＬＣ１の混合液のいずれかを選択して流路部材２９に流すことが可能である。
希釈装置３８は、露光液体ＬＱと第１洗浄液ＬＣ１との混合比を調整可能である。希釈装置３８は、流路部材２９に流す液体の流量を調整可能である。以下の説明で、露光液体ＬＱと第１洗浄液ＬＣ１との混合液を単に、第１洗浄液ＬＣ１ということがある。

　流路部材２９の他端は、バルブ３６に接続される。バルブ３６は、２つの流入口と１つの流出口を含む。バルブ３６の第１の流入口は、流路部材２９の他端に接続される。バルブ３６の第２の流入口は、第２洗浄液供給装置４０に接続される。バルブ３６の流出口は、流路部材３０の一端に接続される。

　第２洗浄液供給装置４０は、第２洗浄液ＬＣ２をバルブ３６の第２の流入口に供給可能である。バルブ３６は、流路部材２９から流入する露光液体ＬＱ又は第１洗浄液ＬＣ１、流路部材２９から流入する第２洗浄液ＬＣ２、露光液体ＬＱ及び第２洗浄液ＬＣ２の混合液、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２の混合液のいずれかを選択して流路部材３０に流すことが可能である。以下の説明で、露光液体ＬＱと第２洗浄液ＬＣ２との混合液を単に、第２洗浄液ＬＣ２ということがある。

　流路部材３０の他端は、第２内部流路２２Ｒに接続される。このように、第２供給口２２から空間ＳＰ３に、露光液体ＬＱ、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２の混合液を選択して供給可能である。

　本実施形態では、液体回収口２０から液体を回収可能である回収系は、第３内部流路２０Ｒ、流路部材３１、吸引装置４１、検出装置４２、バルブ３７、流路部材３２～３４、及び収容部材４３～４５を含む。流路部材３１の一端は、第３内部流路２０Ｒに接続される。流路部材３１の他端は、バルブ３７に接続される。本実施形態では、吸引装置４１及び検出装置４２が、流路部材３１内の流路に接続されている。

　吸引装置４１は、第３内部流路２０Ｒの液体を流路部材３１側に吸引する。本実施形態の吸引装置４１は、流路部材３１内の流路及び第３内部流路２０Ｒの圧力を空間ＳＰ３の圧力と異ならせることによって、空間ＳＰ３に存在する液体を液体回収口２０（多孔部材１９の孔１９Ｈ）から吸引可能である。液体回収口２０は、空間ＳＰ３に存在する液体とガスのうちの液体を選択的に回収するようになっていてもよいし、液体及びガスを回収するようになっていてもよい。

　検出装置４２は、第３内部流路２０Ｒから流路部材３１に流れる液体の特性を測定する。液体の特性は、物理的特性と成分の少なくとも一方を含む。物理的特性は、密度と導電率の少なくとも一方を含む。検出装置４２の検出結果は、例えば制御装置８に出力されてもよい。制御装置８は、検出装置４２の検出結果に基づいて、液体の特性を求めることができる。

　バルブ３７は、１つの流入口及び３つの流出口を含む。バルブ３７の流入口は、流路部材３１の他端に接続される。バルブ３７の第１の流出口は、流路部材３２を介して収容部材４３に接続される。バルブ３７の第２の流出口は、流路部材３３を介して収容部材４４に接続される。バルブ３７の第３の流出口は、流路部材３４を介して収容部材４５に接続される。バルブ３７は、第１～第３の流出口から流出する液体の流量を調整可能である。本実施形態のバルブ３７は、例えば検出装置４２の検出結果に基づき、流路部材３１からバルブ３７に流入する液体の特性に応じて、この液体を第１～第３の流出口のうちのいずれに流すかを選択可能である。本実施形態の収容部材４４～４６は、タンクである。本実施形態の液体システム１００は、第３内部流路２０Ｒ内の液体の特性に応じて、液体を収容部材４３～４５に分別回収可能である。

　なお、第１供給口２１に露光液体ＬＱを供給可能である第１の供給系と、第２供給口２２に露光液体ＬＱを供給可能である第２の供給系とが、共通の流路を有していない構成であってもよい。第２供給口２２に第１洗浄液ＬＣ１を供給可能である第３の供給系と、第２供給口２２に第２洗浄液ＬＣ２を供給可能である第４の供給系とが、共通の流路を有していない構成であってもよい。第１～第４の供給系が、いずれも共通の流路を有していない構成であってもよい。第１～第４の供給系のうちの２つ以上の供給系が、共通の流路を有してもよい。

　次に、図１～図４を参照しつつ、本実施形態に係る露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。

　制御装置８は、露光前の基板Ｐを基板ステージ２に搬入（ロード）するために、基板ステージ２を基板交換位置に移動する。基板交換位置は、液浸部材７（投影領域ＰＲ）から離れた位置であり、基板Ｐの交換処理が実行可能な位置である。基板Ｐの交換処理は、所定の搬送装置（不図示）を用いて、基板ステージ２（基板保持部１１）に保持された露光後の基板Ｐを基板ステージ２から搬出（アンロード）する処理、及び露光前の基板Ｐを基板ステージ２（基板保持部１１）に搬入（ロード）する処理の少なくとも一方を含む。制御装置８は、基板交換位置に基板ステージ２を移動して、基板Ｐの交換処理を実行する。

　基板ステージ２が液浸部材７から離れている期間の少なくとも一部において、制御装置８は、計測ステージ３を終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置に配置して、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３との間で露光液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。

　また、基板ステージ２が液浸部材７から離れている期間の少なくとも一部において、必要に応じて、計測ステージ３を用いる計測処理が実行されてもよい。計測ステージ３を用いる計測処理を実行するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３とを対向させ、終端光学素子１２と計測部材Ｃとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが露光液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、投影光学系ＰＬ及び露光液体ＬＱを介して、計測ステージ３に保持されている計測部材Ｃ（計測器）に露光光ＥＬを照射して、露光光ＥＬの計測処理を実行する。その計測処理の結果は、その後に実行される基板Ｐの露光処理に反映されてもよい。

　露光前の基板Ｐが基板ステージ２にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳを形成する。

　供給源ＬＱＳから供給された露光液体ＬＱは、流路部材２６内の流路及び第１内部流路２１Ｒを介して、第１供給口２１に供給される。第１供給口２１は、露光液体ＬＱを空間ＳＰ１（光路Ｋ）に供給する。空間ＳＰ１に供給された露光液体ＬＱは、開口７Ｋを介して、空間ＳＰ２に流入する。また、第１供給口２１からの露光液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口２０からの露光液体ＬＱの回収動作が実行される。これにより、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐ（基板ステージ２）との間に露光液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。

　液体回収口２０は、空間ＳＰ２の露光液体ＬＱを回収する。液体回収口２０から回収された露光液体ＬＱは、第３内部流路２０Ｒ及び流路部材３１内の流路を流れる。本実施形態では、液体回収口２０から回収された露光液体ＬＱが流路部材３２内の流路を流れるように、バルブ３７によって流路が調整される。流路部材３２から排出された露光液体ＬＱは、収容部材４３に流入する。

　終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を開始する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐとが対向するように配置され、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが露光液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

　照明系ＩＬは、露光光ＥＬでマスクＭを照明する。そのマスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び第１供給口２１から供給された露光液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐは、終端光学素子１２から射出される露光光ＥＬで露光される。マスクＭのパターンの像は、基板Ｐに投影される。

　本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態では、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

　基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を基板交換位置に移動する。計測ステージ３は、例えば終端光学素子１２及び液浸部材７に対向するように配置される。基板交換位置に移動した基板ステージ２から露光後の基板Ｐが搬出され、露光前の基板Ｐが基板ステージ２に搬入される。以下、制御装置８は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

　本実施形態では、基板Ｐの交換処理、計測ステージ３を用いる計測処理、及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスの少なくとも一部の期間において、終端光学素子１２及び液浸部材７とその終端光学素子１２及び液浸部材７に対向して配置される物体（基板Ｐ、基板ステージ２、及び計測ステージ３の少なくとも一つ）との間に第１供給口２１から露光液体ＬＱが供給されるとともに、第１供給口２１から供給された露光液体ＬＱの少なくとも一部が液体回収口２０から回収される。露光シーケンスにおいて液体回収口２０から回収された露光液体ＬＱは、収容部材４３内に回収される。

　本実施形態では、露光シーケンスの期間において、第１洗浄液供給装置３９及び第２洗浄液供給装置４０のいずれからも洗浄液が供給されない。すなわち、露光シーケンスの期間において、第２供給口２２からの液体供給は停止される。

　なお、露光シーケンスの期間において、第２供給口２２を真空系（真空ポンプなど）に接続して、第２供給口２２から露光液体ＬＱを回収してもよい。

　ところで、基板Ｐの露光中、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、異物（汚染物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱ中に混入する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が、液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱに混入する可能性もある。上述したように、基板Ｐの交換処理、計測ステージ３を用いる計測処理、及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスの少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱは、終端光学素子１２、液浸部材７、基板ステージ２、及び計測ステージ３の少なくとも一部と接触する。

　したがって、液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱ中に異物が混入すると、終端光学素子１２の射出面１３、液浸部材７の下面１４、液体回収口２０に配置されている多孔部材１９、基板ステージ２の上面２Ｆ、及び計測ステージ３の上面３Ｆの少なくとも一部に異物が付着する可能性がある。それら露光液体ＬＱと接触する露光装置ＥＸ内の接液部材の表面（液体接触面）に異物が付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、第１供給口２１から供給された露光液体ＬＱが汚染されたりする可能性がある。また、終端光学素子１２の射出面１３、液浸部材７の下面１４、基板ステージ２の上面２Ｆ、及び計測ステージ３の上面３Ｆの少なくとも一つが汚染されると、例えば液浸空間ＬＳを良好に形成できなくなる可能性もある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。

　本実施形態では、液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱと接触する露光装置ＥＸ内の部材に対して、所定のタイミングでクリーニング処理が実行される。本実施形態では、洗浄液ＬＣを用いてクリーニング処理が実行される。以下、露光装置ＥＸ内の部材のうち、液浸部材７のクリーニング処理を含むクリーニングシーケンスの一例について説明する。

　クリーニングシーケンスにおいて、液浸部材７の下面１４と対向する位置に物体が配置される。物体は、例えば基板ステージ２（上面２Ｆ）でもよいし、計測ステージ３（上面３Ｆ）でもよいし、基板ステージ２の基板保持部１１に保持された基板ＰＸでもよい。なお、上述のように、基板ＰＸは、露光動作時に用いる基板Ｐ、クリーニング時等の非露光動作時に用いるクリーニング基板ＣＰ、計測等のクリーニング時以外の非露光動作時に用いるダミー基板の少なくとも一つを含む。

　制御装置８は、液浸部材７の下面１４と物体とを対向させた状態で、第２供給口２２から洗浄液ＬＣを供給する。また、制御装置８は、第２供給口２２からの洗浄液ＬＣの供給と並行して、第２供給口２２から供給された洗浄液ＬＣの少なくとも一部を液体回収口２０から回収する動作を実行する。

　第２供給口２２からの洗浄液ＬＣは、液浸部材７と物体との間に供給される。また、第２供給口２２からの洗浄液ＬＣの少なくとも一部は、液浸部材７と物体との間に保持される。第２供給口２２からの洗浄液ＬＣは、多孔部材１９の下面１９Ｂを含む液浸部材７の下面１４の少なくとも一部と接触する。これにより、下面１４の少なくとも一部が洗浄液ＬＣで洗浄される。また、第２供給口２２からの洗浄液ＬＣは、液浸部材７と対向する位置に配置された物体の表面の少なくとも一部と接触する。これにより、物体の表面の少なくとも一部も、洗浄液ＬＣで洗浄される。

　液浸部材７と物体との間の洗浄液ＬＣは、液体回収口２０（孔１９Ｈ）から回収される。洗浄液ＬＣは、孔１９Ｈの内面、及び多孔部材１９の上面１９Ａの少なくとも一部と接触する。これにより、孔１９Ｈの内面、及び上面１９Ａの少なくとも一部が洗浄液ＬＣで洗浄される。また、洗浄液ＬＣは、第３内部流路２０Ｒの内面の少なくとも一部と接触する。これにより、第３内部流路２０Ｒの内面の少なくとも一部が洗浄液ＬＣで洗浄される。

　本実施形態では、液浸部材７の第２供給口２２が、開口７Ｋ（光軸１２Ａ）に対して液体回収口２０の外側に配置されているので、洗浄液ＬＣ下面１５Ｂと物体との間の空間へ流入することが抑制される。したがって、洗浄液ＬＣが、開口７Ｋを通過することが抑制される。すなわち、開口７Ｋを介して、下面１５Ｂ側の空間から上面１５Ａ側の空間へ洗浄液ＬＣが流入するのが抑制される。

　上述のように、本実施形態の洗浄液ＬＣは、第１洗浄液ＬＣ１と第２洗浄液ＬＣ２とを含む。本実施形態では、クリーニングシーケンスにおいて、まず、第２供給口２２から、第１洗浄液ＬＣ１が供給される。第２供給口２２から供給され、液体回収口２０から回収された第１洗浄液ＬＣ１は、第３内部流路２０Ｒ、及び流路部材３１内の流路を流れる。本実施形態では、液体回収口２０から回収された第１洗浄液ＬＣ１が収容部材４４に排出されるように、バルブ３７によって流路が調整される。すなわち、液体回収口２０から回収された第１洗浄液ＬＣ１は、収容部材４４に供給される。

　第２供給口２２から第１洗浄液ＬＣ１を所定時間供給した後、制御装置８は、第２供給口２２からの第１洗浄液ＬＣ１の供給を停止する。

　第１洗浄液ＬＣ１を用いるクリーニング処理が終了した後、第２供給口２２から露光液体ＬＱが供給される。露光液体ＬＱは、液浸部材７等に残留した第１洗浄液ＬＣ１を除去する機能を有する。以下の説明において、液浸部材７等に残留した洗浄液ＬＣ（ＬＣ１、ＬＣ２）を除去するための液体を適宜、リンス液体、と称する。本実施形態では、リンス液体として、露光液体ＬＱ（水）を用いる。

　第２供給口２２から供給されたリンス液体ＬＱは、液体回収口２０から回収される。第２供給口２２から供給され、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＱは、第３内部流路２０Ｒ、及び流路部材３１内の流路を流れる。本実施形態では、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＱが収容部材４４に排出されるように、バルブ３７によって流路が調整される。すなわち、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＱは、収容部材４４に供給される。

　第２供給口２２からリンス液体ＬＱを所定時間供給した後、制御装置８は、第２供給口２２からのリンス液体ＬＱの供給を停止する。

　リンス液体ＬＱを用いて液浸部材７等に残留する洗浄液ＬＣ（第１洗浄液ＬＣ１）を除去するリンス処理が終了した後、第２供給口２２から第２洗浄液ＬＣ２が供給される。

　第２供給口２２から供給された第２洗浄液ＬＣ２は、液体回収口２０から回収される。第２供給口２２から供給され、液体回収口２０から回収された第２洗浄液ＬＣ２は、第３内部流路２０Ｒ、及び流路部材３１内の流路を流れる。本実施形態では、液体回収口２０から回収された第２洗浄液ＬＣ２が収容部材４５に排出されるように、バルブ３７によって流路が調整される。すなわち、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＱは、収容部材４５に供給される。

　第２洗浄液ＬＣ２を用いるクリーニング処理が終了した後、第２供給口２２からリンス液体ＬＱが供給される。これにより、液浸部材７等に残留した第２洗浄液ＬＣ２がリンス液体ＬＱによって除去される。

　第２供給口２２から供給されたリンス液体ＬＱは、液体回収口２０から回収される。第２供給口２２から供給され、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＱは、第３内部流路２０Ｒ、及び流路部材３１内の流路を流れる。本実施形態では、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＱが収容部材４５に排出されるように、バルブ３７によって流路が調整される。すなわち、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＱは、収容部材４５に供給される。

　以上により、クリーニングシーケンスが終了する。本実施形態によれば、液浸部材７、及び物体（基板ステージ２、及び計測ステージ３等）の少なくとも一方を、洗浄液ＬＣを用いてクリーニングすることができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

　なお、本実施形態のクリーニングシーケンスにおいて、第２供給口２２からの液体（洗浄液ＬＣ、リンス液体ＬＱ等）の供給と並行して、液体回収口２０（孔１９Ｈ）からの液体の回収を実行することとしたが、第２供給口２２から液浸部材７と物体との間に所定量の液体を供給して液浸部材７と物体との間に液体を保持した後、第２供給口２２からの液体の供給を停止し、その後、液浸部材７と物体との間に保持されている液体の少なくとも一部を、液体回収口２０から回収する動作を開始するようにしてもよい。すなわち、第２供給口２２からの液体供給の開始のタイミング、第２供給口２２からの液体供給の停止のタイミング、液体回収口２０からの液体回収の開始タイミングなどは、適宜決めることができる。

　なお、本実施形態では、洗浄液ＬＣとして、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２を用いることとしたが、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２のいずれか一方のみを用いて液浸部材７等のクリーニングを実行してもよい。また、洗浄液ＬＣとして、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２のみならず、これら第１、第２洗浄液ＬＣ１、ＬＣ２とは異なる第３洗浄液を用いて液浸部材７等のクリーニングを実行してもよい。すなわち、液浸部材７等のクリーニングにおいて、１種類の洗浄液を用いてもよいし、２種類の洗浄液を用いてもよいし、３種類の洗浄液を用いてもよいし、４種類以上の洗浄液を用いてもよい。また、本実施形態のクリーニングシーケンスにおいて、リンス液体ＬＱを用いて液浸部材７等に残留する洗浄液ＬＣ（第１、第２洗浄液ＬＣ１、ＬＣ２）を除去するリンス処理を実行することとしたが、リンス液体ＬＱを供給しなくてもよい。すなわち、リンス処理を省略してもよい。また、洗浄液ＬＣを用いないで、露光液体ＬＱのみで液浸部材７等をクリーニングしてもよい。すなわち、洗浄液ＬＣを用いないで、露光液体ＬＱを第２供給口２２から供給し、液体回収口２２から回収するだけでもよい。

　なお、本実施形態のクリーニングシーケンスにおいて、第２供給口２２から液体（洗浄液ＬＣ、リンス液体ＬＱ等）を供給し、その第２供給口２２から供給された液体の少なくとも一部を液体回収口２０（孔１９Ｈ）から回収することとしたが、このシーケンスの代わりに、あるいはこのシーケンスの前または後または前後の両方で、例えば、液体回収口２０（孔１９Ｈ）から液体（洗浄液ＬＣ、リンス液体ＬＱ等）を液浸部材７とその液浸部材７に対向する物体（基板ステージ２、計測ステージ３、及び基板ＰＸ等）との間に供給し、その液体回収口２０の外側に配置されている第２供給口２２から、液浸部材７と物体との間の液体の少なくとも一部を回収してもよい。すなわち、クリーニングシーケンスにおいて、液体回収口２０が液体供給口として機能し、第２供給口２２が液体回収口として機能してもよい。この場合、液体回収口２０からの液体の供給と並行して、第２供給口２２から液体を回収してもよいし、液体回収口２０から液浸部材７と物体との間に所定量の液体を供給して液浸部材７と物体との間に液体を保持した後、液体回収口２０からの液体の供給を停止し、その後、液浸部材７と物体との間に保持されている液体の少なくとも一部を第２供給口２２から回収する動作を開始してもよい。すなわち、液体回収口２０からの液体供給の開始のタイミング、液体回収口２０からの液体供給の停止のタイミング、第２液体供給口２２からの液体回収の開始タイミングなどは、適宜決めることができる。

　また、クリーニングシーケンスにおいて、第２供給口２２から供給された洗浄液ＬＣを液体回収口２０から回収し、液体回収口２０から供給されたリンス液体ＬＱを第２液体供給口２２から回収してもよいし、液体回収口２０から供給された洗浄液ＬＣを第２液体供給口２２から回収し、第２供給口２２から供給されたリンス液体ＬＱを液体回収口２０から回収してもよい。

　なお、本実施形態のクリーニングシーケンスの代わりに、あるいはこのクリーニングシーケンスの前または後または前後の両方で、液体回収口２０から液浸部材７と物体との間に所定量の液体（洗浄液ＬＣ、リンス液体ＬＱ等）を供給して液浸部材７と物体との間に液体を保持した後、液体回収口２０からの液体の供給を停止し、その後、液浸部材７と物体との間に保持されている液体の少なくとも一部を、液体回収口２０から回収する動作を開始してもよい。すなわち、クリーニングシーケンスにおいて、液体回収口２０（孔１９Ｈ）が、液体供給口及び液体回収口として機能してもよい。この場合、第２液体供給口２２を設けなくてもよい。

　なお、本実施形態において、第１洗浄液ＬＣ１として、アルカリ性液体を用いてもよい。すなわち、第１洗浄液ＬＣ１として、所定物質を含むアルカリ性溶液を用いてもよい。例えば、第１洗浄液ＬＣ１が、所定物質として水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）を含んでもよい。また、第１洗浄液ＬＣ１として、アルカリ性水溶液を用いてもよい。

　また、本実施形態において、第２洗浄液ＬＣ２として、酸性液体を用いてもよい。すなわち、第２洗浄液ＬＣ２として、所定物質を含む酸性溶液を用いてもよい。例えば、第２洗浄液ＬＣ２が、所定物質として過酸化水素を含んでもよい。また、第２洗浄液ＬＣ２として、酸性水溶液を用いてもよい。

　また、本実施形態において、リンス液体として、水溶液を用いてもよい。すなわち、リンス液体として、所定物質を含む水溶液を用いてもよい。所定物質として、アルコールを含んでもよい。また、リンス液体として、アルコールを用いても構わない。また、第１洗浄液ＬＣ１とリンス液体とが、同じ種類の液体を含んでもよい。また、第２洗浄液ＬＣ２とリンス液体とが、同じ種類の液体を含んでもよい。

　本実施形態では、第１洗浄液ＬＣ１として、アルカリ性水溶液を用いる。第２洗浄液ＬＣ２として、過酸化水素水溶液を用いる。リンス液体として、露光液体ＬＱを用いる。すなわち、本実施形態のリンス液体ＬＨは、水（純水）である。本実施形態の第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨのそれぞれは、同じ種類の液体として、水を含む。

　本実施形態では、第１洗浄液ＬＣ１として、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いる。なお、第１洗浄液ＬＣ１として、アンモニア水、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等の無機アルカリの溶液、水酸化トリメチル（２－ヒドロキシエチル）アンモニウム等の有機アルカリの溶液を用いてもよい。

　本実施形態では、第２洗浄液ＬＣ２として、過酸化水素水溶液（過酸化水素水）を用いる。なお、第２洗浄液ＬＣ２が、バッファードフッ酸溶液を含んでもよい。また、第２洗浄液ＬＣ２が、バッファードフッ酸及び過酸化水素を含む溶液でもよい。バッファードフッ酸（緩衝フッ酸）は、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物である。その混合比率は、４０ｗｔ％フッ化アンモニウム溶液／５０ｗｔ％フッ酸の体積比に換算して、５～２０００でもよい。また、バッファードフッ酸と過酸化水素との混合比率は、過酸化水素／フッ酸の重量比に換算して、０．８～５５でもよい。第２洗浄液ＬＣ２として、オゾンを含むオゾン液体、過酸化水素とオゾンを含む溶液との混合液を用いても構わない。

　なお、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２の少なくとも一方が、アルコールを含んでもよい。例えば、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２の少なくとも一方が、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つを含んでもよい。

＜第２実施形態＞
　次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。また、第１実施形態に記載した各種変形例も、本実施形態に適用してもよい。

　本実施形態では、クリーニング基板ＣＰを用いてクリーニングシーケンスが実行される。クリーニング基板ＣＰは、液浸部材のクリーニングに用いられる基板である。液浸部材は、第１実施形態で説明した液浸部材７であってもよいし、他の液浸部材であってもよい。以下、露光液体ＬＱと接触する露光装置ＥＸ内の部材のうち、主に液浸部材７をクリーニングする場合を例にして説明する。本実施形態のクリーニング基板ＣＰは、本実施形態に係るダミー基板の一態様でもある。なお、露光装置ＥＸの部材のうち、露光液体ＬＱと接触しない部材のクリーニング処理を実行してもよい。

　図５Ａは、本実施形態のクリーニング基板の一例を示す平面図、図５Ｂはクリーニング基板の一例を示す断面図である。図５Ｂは、図５ＡのＡ－Ａ’線断面図に相当する。本実施形態では、液浸部材７のクリーニングシーケンスの少なくとも一部において、液浸部材７と対向する位置にクリーニング基板ＣＰが配置される。以下の説明では、Ｚ軸方向からの平面視を単に平面視ということがある。また、平面視したクリーニング基板ＣＰの第１撥液部５１の外縁の内側に液浸部材７の開口７Ｋが収まるように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置が調整された状態を、位置合わせ状態ということがある。図５Ａ及び図５Ｂには、位置合わせ状態でのクリーニング基板ＣＰが図示されている。本実施形態では、位置合わせ状態で、平面視したクリーニング基板ＣＰの第１撥液部５１の外縁は、プレート部１５の下面１５Ｂと対向している。

　本実施形態のクリーニング基板ＣＰは、基板本体５０、第１撥液部５１、親液部５２、第２撥液部５３、及び、外縁部分５４に設けられたノッチ５５ａ～５５ｃを含む。本実施形態のクリーニング基板ＣＰの親液部と撥液部は、露光装置ＥＸのクリーニング動作（非露光動作）を実行できるような分布、及び／または接触角などで規定される所定液体との親和性を有している。なお、本実施形態のクリーニング基板ＣＰの親液部及び撥液部の分布、所定の液体に対する親液部の接触角、及び所定の液体に対する撥液部の接触角の少なくとも一つが、露光装置ＥＸのクリーニング動作（非露光動作）に関連づけて決定されていても構わない。本実施形態では、所定の液体が、非露光動作の１つであるクリーニング動作に用いられる液体（洗浄液ＬＣを含む）である。

　本実施形態のクリーニング基板ＣＰの外形及び大きさは、基板Ｐの外形及び大きさとほぼ同じである。基板本体５０は、クリーニング基板ＣＰの基材である。基板本体５０は、例えば、金属基板やシリコン基板、ガラス基板、石英基板等の板部材又は２以上の板部材を接合した複合部材を含む。なお、クリーニング基板ＣＰの外形及び大きさの少なくとも一方が、基板Ｐと異なっていてもよい。例えば、クリーニング基板ＣＰが基板Ｐよりも大面積であってもよいし、小面積であってもよい。

　第１撥液部５１の表面は、第１洗浄液ＬＣ１に対して撥液性を有している。第１撥液部５１に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角は、８０度以上、９０度以上、１００度以上、１１０度以上、あるいは１２０度以上であってもよい。本実施形態では、第１撥液部５１に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角が、９５度以上の範囲に設定されている。第１撥液部５１の表面は、平坦でも構わないし、凹凸があっても構わないし、斜面があっても構わないし、曲面があっても構わない。

　本実施形態の第１撥液部５１の表面は、第２洗浄液ＬＣ２に対して撥液性を有している。第１撥液部５１に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角は、８０度以上、９０度以上、１００度以上、１１０度以上、あるいは１２０度以上であってもよい。本実施形態では、第１撥液部５１に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角が９５度以上の範囲に設定されている。

　本実施形態の第１撥液部５１の表面は、リンス液体ＬＨに対して撥液性を有している。第１撥液部５１に対するリンス液体ＬＨの接触角は、８０度以上、９０度以上、１００度以上、１１０度以上、あるいは１２０度以上であってもよい。本実施形態では、第１撥液部５１に対するリンス液体ＬＨの接触角が９５度以上の範囲に設定されている。

　なお、第１撥液部５１に対する第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨ２の接触角がそれぞれ異なっていても構わない。例えば、第１撥液部５１に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角が１００度以上に設定されている場合、第１撥液部５１に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角が８０度以上に設定されていても構わない。また、第１撥液部５１は、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨの少なくとも一つにのみ撥液性を有していても構わない。

　第１撥液部５１は、基板本体５０上に設けられた撥液部材（撥液膜を含む）を含んでいてもよい。撥液部材は、第１洗浄液ＬＣ１と第２洗浄液ＬＣ２に対して撥液性を有する撥液材料で形成される。上記の撥液材料が、例えばチタンを含む材料、フッ素を含む材料、シリコン炭窒化物を含む材料のいずれかであってもよいし、これら材料の２以上の組み合わせであってもよい。フッ素を含む材料は、例えば含フッ素樹脂（フッ素系樹脂）であり、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であってもよい。撥液部材は、チタンを含む材料で形成された部材と、この部材の上にフッ素を含む材料で形成された膜とを含んでいてもよい。

　基板本体５０が第１洗浄液ＬＣ１と第２洗浄液ＬＣ２に対する撥液性を有している場合に、第１撥液部５１は、基板本体５０の一部を含んでいてもよい。基板本体５０に撥液性を持たせる付与する撥液処理は、例えばアルキル基を被処理面に付与するカップリング材を用いた表面処理でもよい。例えば、基板本体５０がシリコン基板であるときに、シリコン基板の表面にシランカップリング材を作用させることによって、シリコン基板の表面に撥液性を付与することができる。第１撥液部５１は、上記の撥液部材に撥液処理を施した部分を含んでいてもよい。

　親液部５２は、第１洗浄液ＬＣ１に対する表面の撥液性が、第１洗浄液ＬＣ１に対する第１撥液部５１の表面の撥液性よりも低い。本実施形態の親液部５２は、第１洗浄液ＬＣ１に対して親液性を有している。本実施形態の親液部５２は、第２洗浄液ＬＣ２に対しても第１洗浄液ＬＣ１と同等の親液性を有している。親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１および第２洗浄液ＬＣ２の各接触角は、第１撥液部５１に対する第１洗浄液ＬＣ１および第２洗浄液ＣＬ２の各接触角よりも小さい。親液部５２は、基板本体５０上に設けられた親液部材（親液膜を含む）を含んでいてもよい。親液部材は、洗浄液ＬＣに対して親液性を有する材料で形成されていてもよい。なお、親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角が親液部５２に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角より大きくてもよいし、小さくてもよい。

　また、本実施形態では、親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角は、４０度以下、３０度以下、２０度以下、あるいは１０度以下であってもよい。本実施形態では、親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角は３０度以下の範囲に設定されている。また、本実施形態では、親液部５２に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角は、４０度以下、３０度以下、２０度以下、あるいは１０度以下であってもよい。本実施形態では、親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角は３０度以下の範囲に設定されている。

　また、本実施形態では、親液部５２に対するリンス液体ＬＨの接触角は、４０度以下、３０度以下、２０度以下、あるいは１０度以下であってもよい。本実施形態では、親液部５２に対するリンス液体ＬＨの接触角は３０度以下の範囲に設定されている。

　　なお、親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨの接触角がそれぞれ異なっていても構わない。親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角が、親液部５２に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角より大きくてもよいし、小さくてもよい。例えば、親液部５２に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角が３０度以下に設定されている場合、親液部５２に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角が４０度以下に設定されていても構わない。また、親液部５２は、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２およびリンス液体ＬＨの少なくとも一つにのみ親液性を有していても構わない。

　基板本体５０が第１洗浄液ＬＣ１および第２洗浄液ＬＣ２に対して親液性を有している場合に、基板本体５０の一部を親液部５２としても構わない。親液部５２が、基板本体５０の一部を含み、基板本体５０とは別部材を含んでいなくても構わない。親液部５２は、基板本体５０に例えばエッチングや切削加工等によって形成された凹部を含んでいてもよい。基板本体５０に親液性を付与する親液処理は、例えば酸素プラズマに被処理面を曝す表面処理であってもよいし、被処理面にヒドロキシル基（―ＯＨ）を付与する表面処理であってもよい。

　第１洗浄液ＬＣ１に対する第２撥液部５３の表面の撥液性は、第１洗浄液ＬＣ１に対する親液部５２の表面の撥液性よりも高い。また、本実施形態では、第２洗浄液ＬＣ２に対する第２撥液部５３の表面の撥液性は、第２洗浄液ＬＣ２に対する親液部５２の表面の撥液性よりも高い。第２撥液部５３は、第１洗浄液ＬＣ１に対する撥液性を有していてもよいし、第１洗浄液ＬＣ１に対する親液性を有していてもよい。また、第２撥液部５３は、第２洗浄液ＬＣ１に対する撥液性を有していてもよいし、第２洗浄液ＬＣ２に対する親液性を有していてもよい。第１撥液部５１に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角は、第２撥液部５３に対する第１洗浄液ＬＣ１の接触角と同じでもよいし、異なっていてもよい。第１撥液部５１に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角は、第２撥液部５３に対する第２洗浄液ＬＣ２の接触角と同じでもよいし、異なっていてもよい。本実施形態では、第２撥液部５３に対する第１洗浄液ＬＣ１および第２洗浄液ＬＣ２の各接触角が、第１撥液部５１に対する第１洗浄液ＬＣおよび第２洗浄液ＬＣ２の各接触角とほぼ同じである。第２撥液部５３は、第１撥液部５１と同様に、撥液部材を含んでいてもよいし、撥液処理が施された基板本体５０の一部を含んでいてもよい。第１撥液部５１と第２撥液部５３とで、撥液部材の材質が同じであってもよいし、異なっていてもよい。本実施形態の第２撥液部５３は、第１洗浄液ＬＣ１に対する撥液性が液浸部材７の撥液部２４と実質的に同じである。実施形態の第２撥液部５３は、液浸部材７の撥液部２４と材質が同じである。

　本実施形態の第１撥液部５１は、その外縁の内側に液浸部材７の開口７Ｋが収まるように、形状及び寸法が設定されている。例えば、液浸部材７と第１撥液部５１との相対位置を必要に応じて調整することによって、液浸部材７の板厚方向（Ｚ軸方向）から平面視（以下、単に平面視という）したときに第１撥液部５１の外縁の内側に開口７Ｋを収めることが可能なように、第１撥液部５１の形状及び寸法が設定される。本実施形態の第１撥液部５１は、その外縁に囲まれる領域である。本実施形態では、第１撥液部５１の外縁に囲まれる領域は、液浸部材７の開口７Ｋよりも大きい。本実施形態では、第１撥液部５１の外縁に囲まれる領域は、液浸部材７の下面１４において液体回収口２０が囲む領域よりも小さい。なお、第１撥液部５１の外縁に囲まれる領域は、液浸部材７の下面１４において液体回収口２０が囲む領域よりも大きくても構わない。第１撥液部５１の外縁に囲まれる領域は、液浸部材７の下面１４において液体回収口２０が囲む領域と同じ大きさでもよい。

　なお、第１撥液部５１の外縁は、プレート部１５の下面１５Ｂの外形と同じでも構わない。また、第１撥液部５１が囲む領域は、プレート部１５の下面１５Ｂの外形が囲む領域と同じでも構わない。また、第１撥液部５１の外縁は、プレート部１５の下面１５Ｂの外形よりも大きくても、小さくても構わない。また、第１撥液部５１が囲む領域は、プレート部１５の下面１５Ｂの外形が囲む領域よりも、広くても、狭くても構わない。

　クリーニング基板ＣＰにおける液浸部材７の開口７Ｋと対向する領域は、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置に応じて、変わる。すなわち、液浸部材７の開口７Ｋと対向する領域は、開口７Ｋの位置に応じて決まる。例えば、図５Ａ及び図５Ｂの位置合わせ状態においては、クリーニング基板ＣＰにおける液浸部材７の開口７Ｋと対向する領域は、第１撥液部５１の内５１ａである。図５Ａ及び図５Ｂの位置合わせ状態においては、液浸部材７の開口７Ｋと対向する領域を、第１撥液部５１の外縁で囲むことができる。また、図５Ａ及び図５Ｂの位置合わせ状態において、クリーニング基板ＣＰの第１撥液部５１の外縁は、下面１５Ｂと対向する。

　親液部５２は、第１撥液部５１を囲むように設けられている。本実施形態の親液部５２は、第１撥液部５１を環状に囲んでいる。本実施形態では、位置合わせ状態で平面視した液浸部材の液体回収口２０の少なくとも一部が、親液部５２と重なるように、親液部５２の形状及び寸法が設定されている。図５Ａおよび図５Ｂにおいて、クリーニング基板ＣＰの直径方向（例えば、Ａ－Ａ’において、親液部５２は、液浸部材７の液体回収口２０よりも大きい。本実施形態では、位置合わせ状態で、第２供給口２２の全体が親液部５２に対向するように、親液部５２の形状及び寸法が設定されている。本実施形態でのクリーニングシーケンスにおいては、図５Ａ及び５Ｂの位置合わせ状態で、親液部５２から第１撥液部５１へ液体（ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＨ）が流れることが抑制される。本実施形態では、光路Ｋを囲むように第１撥液部５１を配置して液浸部材７と親液部５２との間に液体（ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＨ）を供給したときに、その液体（ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＨ）が開口７Ｋを通過することが抑制される。すなわち、本実施形態では、液浸部材７と親液部５２との間に供給した液体（ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＨ）が、に、液浸部材７と第１撥液部５１との間の空間へ流入するのが抑制されるため、その液体（ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＨ）が開口７Ｋの下側の空間（下面１５Ｂ側の空間）から開口７Ｋの上側の空間（上面１５Ａ側の空間）へ流入することが抑制される。

　第２撥液部５３は、親液部５２を囲むように設けられている。本実施形態の第２撥液部５３は、親液部５２を環状に囲んでいる。本実施形態では、位置合わせ状態で平面視した第２撥液部５３が第２供給口２２と対向しないように、第２撥液部５３の形状及び寸法が設定されている。本実施形態では、位置合わせ状態で平面視した第２撥液部５３の少なくとも一部が液浸部材７の撥液部２４と対向するように、第２撥液部５３の形状及び寸法が設定されている。

　本実施形態のノッチ５５ａ～５５ｃは、露光装置ＥＸの非露光動作と関連付けられて設けられている。本実施形態では、ノッチ５５ａ～５５ｃの数と、ノッチ５５ａ～５５ｃの各形状と、クリーニング基板ＣＰの外縁部分５４でのノッチ５５ａ～５５ｃの各位置の少なくとも１つが露光装置ＥＸの非露光動作に応じて設定されている。ノッチ５５ａ～５５ｃのそれぞれの形状は、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。クリーニング基板ＣＰは、クリーニング基板ＣＰでの位置を示す位置検出用のノッチを含んでいてもよい。位置検出用のノッチは、例えば基板の結晶方向と関連付けられた方位又は位置に設けられていてもよい。ノッチ５５ａ～５５ｃは、上記の位置検出用のノッチと別に設けられていてもよいし、位置検出用のノッチを含んでいてもよい。

　なお、本実施形態では、クリーニング基板ＣＰの外縁部分に、露光装置ＥＸの非露光動作に応じてノッチが設定されているが、設定されるクリーニング基板ＣＰは本実施形態の基板に限られない。例えば、非露光動作に用いる基板として、一種類の撥液部のみを有するものでも構わない。これにより、後述するノッチ検出結果と非露光動作とを照合することが可能である。また、本実施形態のクリーニング基板ＣＰは、位置検出用のノッチのみを含んでいてもよいし、ノッチを含んでいなくても構わない。また、クリーニング基板ＣＰは、露光装置ＥＸの非露光動作と関連付けられた識別子を含んでいてもよく、この識別子はノッチ以外であってもよい。この識別子は、バーコードであってもよい。また、本実施形態のダミー基板は、クリーニング以外の非露光動作に用いられるダミー基板にも適用可能である。すなわち、ダミー基板は、クリーニング以外の非露光動作と関連付けられた切欠が外縁部分に設けられていてもよい。これにより、後述するノッチ検出結果と非露光動作とを照合することが可能である。

　本実施形態の基板本体５０は、シリコン基板を基材としている。本実施形態の第１撥液部５１は、ポリテトラフルオロエチレンの板部材（撥液部材）を含む。液浸部材７の下面１４とクリーニング基板ＣＰとを対向させたときの下面１４とクリーニング基板ＣＰとのギャップに応じて、第１撥液部５１の板部材の厚みを設定してもよい。本実施形態の第２撥液部５３は、ポリテトラフルオロエチレンの板部材（撥液部材）を含む。本実施形態の親液部５２は、第１撥液部５１と第２撥液部５３との間の基板本体５０を含む。

　本実施形態では、第１撥液部５１の表面と親液部５２の表面とが、撥液部材と親液部材の厚みに応じた段差を有している。親液部５２が、基板本体５０に設けられた凹部を含む場合には、上記の段差は撥液部材の厚みと凹部の深さに応じた段差になる。本実施形態の第１撥液部５１は、基板本体５０の板厚方向（法線方向）にて親液部５２よりも突出している。本実施形態の第１撥液部５１は、基板本体５０の外部に向かって、親液部５２に対して凸部になっている。本実施形態では、図５ＢのＺ軸方向において、第１撥液部５１と下面１５Ｂとの間隔は、親液部５２と下面１５Ｂとの間隔よりも短い。

　本実施形態では、第２撥液部５３の表面と親液部５２の表面とが、撥液部材と親液部材の厚みに応じた段差を有している。親液部５２が、基板本体５０に設けられた凹部を含む場合には、上記の段差は撥液部材の厚みと凹部の深さに応じた段差になる。本実施形態の第２撥液部５３は、基板本体５０の板厚方向にて親液部５２よりも突出している。本実施形態の第２撥液部５３は、基板本体５０の外部に向かって、親液部５２に対して凸部になっている。本実施形態では、第１撥液部５１と親液部５２との段差、及び親液部５２と第２撥液部５３との段差が、０．０３ｍｍ以上０．３ｍｍ以下の範囲内で設定されている。

　なお、第１撥液部５１の表面と親液部５２との表面との段差と、第２撥液部５１の表面と親液部５２との表面との段差は異なっていても構わない。

　なお、第１撥液部５１の外縁の内側の領域に、第１撥液部５１と撥液性が異なる部分が配置されていてもよい。例えば、第１撥液部５１が環状に設けられており、第１撥液部に囲まれる部分に撥液性又は非撥液性の部分が含まれていてもよい。非撥液性は、親液性を含む。クリーニング基板ＣＰは、第１撥液部５１に囲まれる部分に、第１洗浄液ＣＬ１に対して第１撥液部５１よりも親液性の親液部を含んでいてもよい。クリーニング基板ＣＰが、第２撥液部５３を含んでいなくても構わない。また、第１撥液部５１の外縁の形状は、矩形に限られない。第１撥液部５１の外縁の形状は、円形、楕円形、多角形、多角形のいくつかの角を丸めた形状、輪郭が自由曲線である形状、これら形状を組み合わせた形状のいずれかであってもよい。また、第１撥液部５１と親液部５２とに段差がなくても構わない。また、親液部５２と第２撥液部５３とに段差がなくても構わない。

　また、位置合わせ状態で平面視した液体回収口２０の一部が親液部５２と対向し、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰの相対位置を変化させること等によって、液体回収口２０を部分ごとに順次、親液部５２に対向させることが可能であってもよい。例えば、位置合わせ状態でクリーニング基板ＣＰをＺ軸方向の周りで回転させることによって、位置合わせ状態を維持しつつ、液体回収口２０の全体を時間順次で親液部５２に対向させることが可能であってもよい。

　また、第１撥液部５１と第２撥液部５３との間に撥液部があってもよい。例えば、第１撥液部５１と第２撥液部との間に、クリーニング基板ＣＰの中心から放射方向に延びる撥液部を、第１撥液部５１の周囲に配置してもよい。この場合、第１撥液部５１と第２撥液部との間で放射方向に延びる撥液部は、第１撥液部５１と第２撥液部の少なくとも一方と接続していてもよいし、接続していなくてもよい。

　また、クリーニング基板ＣＰの第２撥液部５３を形成しなくてもよい。この場合、例えば、クリーニング基板ＣＰの上面から流出した液体（第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、リンス液体ＬＨの少なくとも一つを含む）を、カバー部材Ｔとクリーニング基板ＣＰとのギャップから、その下方の空間に流入させてもよい。この場合、そのギャップから流入した液体（第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、リンス液体ＬＨの少なくとも一つを含む）により、例えば、カバー部材Ｔと基板保持部材１１の少なくとも一方の少なくとも一部を洗浄することができる。

　なお、第１撥液部５１の周囲に複数の親液部５２が配置されていてもよく、複数の親液部５２が光軸１２Ａの周りの周方向に並んで第１撥液部５１を囲んでいてもよい。また、複数の親液部のそれぞれの水に対する接触角が異なっていても構わない。

　また、位置合わせ状態で平面視した第２供給口２２の一部が第２撥液部５３と対向し、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰの相対位置を変化させること等によって、第２供給口２２を第２撥液部５３と対向させなくすることが可能であってもよい。例えば、位置合わせ状態でクリーニング基板ＣＰをＺ軸方向の周りで回転させることによって、位置合わせ状態を維持しつつ、第２供給口２２と第２撥液部５３とが対向する状態と、第２供給口２２と第２撥液部５３とが対向しない状態とを切替えることが可能であってもよい。

　また、第２撥液部５３と親液部５２とが不連続であり、第２撥液部５３と親液部５２との間で、洗浄液ＬＣに対するクリーニング基板ＣＰの撥液性が段階的又は連続的に変化していてもよい。

　なお、ダミー基板は、洗浄液ＬＣ以外の液体を用いる非露光動作に用いられる基板であってもよい。この液体は、露光液体ＬＱであってもよい。ダミー基板は、クリーニング動作以外の非露光動作に用いられる基板であってもよい。例えば、ダミー基板は、露光装置ＥＸの計測動作に用いられる基板であってもよい。ダミー基板は、露光装置ＥＸに含まれる各種センサーを検定する検定動作に用いられる基板であってもよい。

　図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、第２実施形態に係るクリーニング基板の他の例を示す概略構成図である。

　図６Ａに示すクリーニング基板ＣＰ２は、基板本体５０、第１撥液部５１、親液部５２、及び第２撥液部５３を含む。本実施形態のクリーニング基板ＣＰ２は、第１撥液部５１の表面と親液部５２の表面とが実質的に面一である。本実施形態のクリーニング基板ＣＰ２は、第１撥液部５１の表面と親液部５２の表面とが実質的に面一である。本実施形態のクリーニング基板ＣＰ２は、例えば図６Ａに示すフローに従って製造される。本実施形態のクリーニング基板ＣＰ２の製造方法は、表面に撥液膜５６が設けられた基板本体５０を準備すること、及び、撥液膜５６に選択的に光を照射し、光が照射された領域の撥液性を低下（親液性を向上）されることを含む。本実施形態では、基板本体５０の表面に上述した撥液材料で撥液膜５６を形成することにより、表面に撥液膜５６が設けられた基板本体５０を準備する。本実施形態では、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＦＡ）を含有の撥液材料で撥液膜５６を形成する。本実施形態では、フォトマスク５７を介して紫外光ＵＶを撥液膜５６に照射し、紫外光ＵＶが照射された部分の撥液膜５６を親液部５２とする。本実施形態のフォトマスク５７は、環状の透光部と、透光部の内側及び外側に配置された遮光部とを含む。本実施形態では、フォトマスク５７の透光部の内側に対応して紫外光ＵＶが照射されない部分の撥液膜５６を第１撥液部５１とする。本実施形態では、フォトマスク５７の透光部の外側に対応して紫外光ＵＶが照射されない部分の撥液膜５６を第１撥液部５３とする。

　図６Ｂに示すクリーニング基板ＣＰ３は、基板本体５０、第１撥液部５１、親液部５２、及び第２撥液部５３を含む。本実施形態の基板本体５０は、その表面の撥液性が第１撥液部５１の表面の撥液性よりも低い。本実施形態の基板本体５０は、チタン基板である。基板本体５０は、シリコン基板でも構わない。基本実施形態の親液部５２は、基板本体５０の表面を含む。クリーニング基板ＣＰ３において、クリーニングを行うときに液浸部材７と対向して配置される面に対して、クリーニングを行う前に紫外光を照射してもよい。この紫外光は、露光光ＥＬと同じ光源から射出された光でもよい。この紫外光は、露光光ＥＬとは異なる光源から射出された光でもよい。基板本体５０は、紫外光を照射したときの撥液性の低下量が第１撥液部５１よりも大きい材質の表面を含んでいてもよい。

＜第３実施形態＞
　第３実施形態について説明する。本実施形態では、露光装置ＥＸの制御装置８が液体システム１００を制御することによって、クリーニングに用いる各種液体の供給及び回収が行われる。本実施形態では、制御装置８が、液体システム１００のバルブ３５～３７、希釈装置３８、第１洗浄液供給装置３９、第２洗浄液供給装置４０、吸引装置４１、及び検出装置４２のうちの一部又は全部を制御可能である。

　本実施形態では、露光装置ＥＸの制御装置８が液体システム１００を制御することによって、クリーニングに用いる各種液体の供給及び回収が行われる。本実施形態では、制御装置８が、液体システム１００のバルブ３５～３７、希釈装置３８、第１洗浄液供給装置３９、第２洗浄液供給装置４０、吸引装置４１、及び検出装置４２のうちの一部又は全部を制御可能である。

　図７は、本実施形態のクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態のクリーニング方法では、ステップＳＡ１で基板ステージ２にクリーニング基板ＣＰを搬入する。ステップＳＡ２で、クリーニング用の第１洗浄液ＬＣ１を液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間に供給し、液浸部材７をクリーニングする。ステップＳＡ３で、リンス用のリンス液体ＬＨを液浸部材７に供給する。ステップＳＡ４で、クリーニング用の第２洗浄液ＬＣ２を液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間に供給し、液浸部材７をクリーニングする。ステップＳＡ５で、リンス液体ＬＨを液浸部材７に供給する。ステップＳＡ５で供給したリンス液体ＬＨの少なくとも一部を回収した後に、ステップＳＡ６でリンス液体ＬＨを液浸部材７に供給する。ステップＳＡ７で、クリーニング基板ＣＰ基板ステージ２から搬出する。

　以下の説明において、第１洗浄液ＬＣ１を用いるクリーニング処理（ＳＡ２）を適宜、第１クリーニング処理、と称し、第２洗浄液ＬＣ２を用いるクリーニング処理（ＳＡ４）を適宜、第２クリーニング処理、と称する。洗浄液ＬＣ（ＬＣ１、ＬＣ２）を用いてクリーニングされた液浸部材７等の部材にリンス液体ＬＨを供給する処理を、適宜、リンス処理と称する。リンス処理は、リンス液体ＬＨを部材に供給してその部材を濯いで、その部材に残留する洗浄液ＬＣ（ＬＣ１、ＬＣ２）を除去する処理を含む。第１クリーニング処理後に実行されるリンス処理（ＳＡ３）を適宜、第１リンス処理と称し、第２クリーニング処理後に実行されるリンス処理（ＳＡ５）を適宜、第２リンス処理と称し、第２リンス処理後に実行されるリンス処理（ＳＡ６）を適宜、第３リンス処理と称する。

　第１洗浄液ＬＣ１として、アルカリ性液体を用いてもよい。すなわち、第１洗浄液ＬＣ１として、所定物質を含むアルカリ性溶液を用いてもよい。例えば、第１洗浄液ＬＣ１が、所定物質として水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）を含んでもよい。また、第１洗浄液ＬＣ１として、アルカリ性水溶液を用いてもよい。

　第２洗浄液ＬＣ２として、酸性液体を用いてもよい。すなわち、第２洗浄液ＬＣ２として、所定物質を含む酸性溶液を用いてもよい。例えば、第２洗浄液ＬＣ２が、所定物質として過酸化水素を含んでもよい。また、第２洗浄液ＬＣ２として、酸性水溶液を用いてもよい。

　リンス液体ＬＨとして、水溶液を用いてもよい。すなわち、リンス液体ＬＨとして、所定物質を含む水溶液を用いてもよい。もちろん、所定物質を含まなくても構わない。所定物質として、アルコールを含んでもよい。また、リンス液体として、アルコールを用いても構わない。また、第１洗浄液ＬＣ１とリンス液体ＬＨとが、同じ種類の液体を含んでもよい。また、第２洗浄液ＬＣ２とリンス液体ＬＨとが、同じ種類の液体を含んでもよい。

　本実施形態では、第１洗浄液ＬＣ１として、アルカリ性水溶液を用いる。第２洗浄液ＬＣ２として、過酸化水素水溶液を用いる。リンス液体ＬＨとして、露光液体ＬＱを用いる。すなわち、本実施形態のリンス液体ＬＨは、水（純水）である。本実施形態の第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨのそれぞれは、同じ種類の液体として、水を含む。

　なお、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２の少なくとも一方が、アルコールを含んでもよい。例えば、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２の少なくとも一方が、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つを含んでもよい。また、第１洗浄液ＬＣ１及び第２洗浄液ＬＣ２のそれぞれに含まれる同じ種類の液体が、例えばアルコールでもよい。また、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨの少なくとも一つが、液浸部材７に対向して基板ステージ２の上面２Ｆ及び計測ステージ３の上面３Ｆの少なくとも一方が配置された状態で供給されてもよいし、クリーニング基板ＣＰ、ダミー基板、基板ステージ２、及び計測ステージ３とは別の物体が配置された状態で供給されてもよい。

　また、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨを供給して、終端光学素子１２及び液浸部材７をクリーニングする場合に、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨのそれぞれで、液浸部材７と対向する物体（クリーニング基板ＣＰ、基板ステージ２、計測ステージ３、及びダミー基板等）を変えても構わない。また、クリーニング基板ＣＰ等を使用して液浸部材７をクリーニングする場合において、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨのそれぞれにおいて、クリーニング基板ＣＰ等の種類を変えてクリーニングをしても構わない。

　また、第１洗浄液ＬＣ１、第２洗浄液ＬＣ２、及びリンス液体ＬＨのそれぞれにおいて、同じ種類のクリーニング基板ＣＰ等に変えても構わない。例えば、第１洗浄液ＬＣ１でのクリーニングの終了後、もしくは途中で、新たに同じ種類のクリーニング基板ＣＰ等に変えてクリーニングをしても構わない。

　本実施形態のステップＳＡ１では、制御装置８が、クリーニング基板ＣＰを基板ステージ２に搬入（ロード）する処理を実行する。制御装置８は、クリーニング基板ＣＰを基板ステージ２（基板保持部１１）に搬入するために、その基板ステージ２を、基板交換位置に移動する。

　なお、基板保持部１１に基板Ｐが保持されている場合、その基板Ｐを基板ステージ２から搬出する処理が実行された後、クリーニング基板ＣＰを基板保持部１１に搬入する処理が実行される。本実施形態では、クリーニング基板ＣＰの搬入のために基板交換位置に基板ステージ２が配置されている状態において、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置に計測ステージ３が配置される。制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３との間に形成されている液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱを全て回収するために、第１供給口２１からの露光液体ＬＱの供給を停止した状態で、液体回収口２０（多孔部材１９の孔１９Ｈ）からの露光液体ＬＱの回収を所定時間実行する。

　なお、液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱを全て回収する場合、終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置に計測ステージ３とは異なる物体が配置されてもよい。例えば、終端光学素子１２及び液浸部材７と、基板ステージ２に搬入されたクリーニング基板ＣＰ（又は基板ステージ２）との間に露光液体ＬＱが保持された状態で、第１供給口２１からの露光液体ＬＱの供給を停止するとともに、液体回収口２０からの露光液体ＬＱの回収を所定時間実行してもよい。また、露光液体ＬＱの供給停止後、第１クリーニング処理を実行するに際し、第１内部流路２１Ｒに残留する露光液体ＬＱを取り除いてもよい。

　本実施形態のステップＳＡ１では、クリーニング基板ＣＰのノッチ５５ａ～５５ｃを検出する。ノッチ５５ａ～５５ｃを光学的に検出してもよいし、ノッチ５５ａ～５５ｃをプローブ等の接触によって検出してもよい。ノッチ５５ａ～５５ｃを光学的に検出するには、ノッチ５５ａ～５５ｃを撮像する撮像装置を用いてもよいし、ノッチ５５ａ～５５ｃを通過した光を検出する検出系を用いてもよい。ノッチを検出するノッチ検出装置やノッチ検出方法については、例えば特開昭６３－２６６８５０号公報に記載されている装置や方法を適用することができる。

　本実施形態では、露光装置ＥＸを含んだデバイス製造システムが、ノッチ５５ａ～５５ｃを検出するノッチ検出装置を有している。露光装置ＥＸが、このノッチ検出装置の一部又は全部を有していてもよい。ノッチ検出装置の検出結果は、露光装置ＥＸの予定動作と照合される。本実施形態では、露光装置ＥＸの制御装置８が、検出装置の検出結果と露光装置ＥＸの予定動作とを照合する。本実施形態では、ノッチの情報と、露光装置ＥＸの各種動作との対応関係を示す対応情報が記憶部に格納されている。この記憶部は、制御装置８の一部であってもよいし、制御装置８の外部装置であってもよい。制御装置８は、上記の照合を行うときに、上記の対応情報を取得してノッチ検出装置の検出結果と比較する。
なお、上記のデバイス製造システムの一部であって露光装置ＥＸの外部装置が、上記の照合を行ってもよい。

　なお、クリーニング基板ＣＰの非露光動作に関する情報を検出する方法は、ノッチに限られない。例えば、クリーニング基板ＣＰに、撥液部の分布に関する情報を印字しても構わない。この場合、クリーニング基板ＣＰに印字された情報を、取り出す検出装置を設けることが望ましい。これにより、クリーニング基板ＣＰの撥液部の分布に関する情報を、ノッチのみならず印字部分からも情報を照合することができる。印字部分としては、例えば縞模様状の線の太さによって識別するバーコードを用いる。

　本実施形態では、基板ステージ２に保持される前の基板又は基板ステージ２に保持された後の基板が、露光装置ＥＸに予定されている非露光動作に対応した基板であるか否かの判定を、制御装置８が行う。非露光動作は、例えば基板の計測動作、露光装置ＥＸのクリーニング動作、露光装置ＥＸのその他のメンテナンス動作のうちの１以上を含む。

　なお、検出装置の検出結果が表示パネル等に表示されるようになっており、ユーザーが上記の判定を行ってもよい。また、上記のデバイス製造システムの一部であって露光装置ＥＸの外部装置が、上記の判定を行う構成でもよい。制御装置８が、判定結果をユーザーに通知するようになっていてもよい。基板ステージ２に保持される前の基板又は基板ステージ２に保持された後の基板が、露光装置ＥＸの予定されている非露光動作に対応していない基板である場合に、制御装置８が予定動作を中止させるようになっていてもよい。

　本実施形態のステップＳＡ１では、基板ステージ２に保持された基板がクリーニング基板ＣＰであると判定されたときに、制御装置８はクリーニング動作を継続する。本実施形態のステップＳＡ１では、Ｚ軸方向から平面視したときに、クリーニング基板ＣＰの第１撥液部５１の外縁の内側に液浸部材７の開口７Ｋが収まるように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する（図５Ａ及び図５Ｂ参照）。この場合、クリーニング基板ＣＰの第１撥液部５１の外縁の少なくとも一部が、液浸部材７の下面１５Ｂと対向する。

　本実施形態では、制御装置８が、基板ステージ２の位置を制御することによって、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する。本実施形態では、位置合わせ状態で平面視したときに、液浸部材７の液体回収口２０の全体と第２供給口２２の全体とが親液部５２に対向する。本実施形態では、位置合わせ状態で平面視したときに、液浸部材７の撥液部２４の少なくとも一部が第２撥液部５３に対向している。この状態で、撥液部２４と第２撥液部５３とに挟まれる空間は、液体回収口２０と親液部５２とに挟まれる空間を光軸１２Ａの周りで環状に囲んでいる。

　図８Ａ、図８Ｂ、及び図８Ｃは、第１クリーニング処理が実行されている状態の一例を示す図である。本実施形態のステップＳＡ２では、終端光学素子１２及び液浸部材７と物体（基板ステージ２、計測ステージ３、及びダミー基板等）との間の液浸空間ＬＳの露光液体ＬＱが全て回収された後、第１クリーニング処理を開始する。本実施形態では、空間ＳＰ３に第１洗浄液ＬＣ１が供給される期間の少なくとも一部の期間に、第３内部流路２０Ｒから第１洗浄液ＬＣ１とガスの少なくとも一方を回収する。

　図８Ａに示すように、本実施形態では、第３内部流路２０Ｒからの回収と並行して、空間ＳＰ３に第１洗浄液ＬＣ１を供給する。本実施形態では、空間ＳＰ３の周囲の液浸部材７の少なくとも一部が第１洗浄液ＬＣ１に接触している状態で、第１洗浄液ＬＣ１の供給及び第３内部流路２０Ｒからの回収を停止する。本実施形態では、第１洗浄液ＬＣ１の供給と回収を並行して行うときよりも空間ＳＰ３での第１洗浄液ＬＣ１の流動が減少した状態で、空間ＳＰ３の周囲の液浸部材７の少なくとも一部を、第１洗浄液ＬＣ１に所定の時間だけ浸漬する（以下、静的浸漬処理という）。本実施形態では、第１洗浄液ＬＣ１は、アルカリを含み、液浸部材７の表面（下面１４等）に存在する有機物を含む異物を除去可能である。本実施形態では、上記の所定の時間が経過した後に、第１洗浄液ＬＣ１の供給を再開し、また第３内部流路２０Ｒから第１洗浄液ＬＣ１の回収を開始又は再開する。

　本実施形態では、所定のタイミングで第１洗浄液ＬＣ１の供給を停止し、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第１洗浄液ＬＣ１を回収した後に、第１クリーニング処理を終了する。液浸部材７の表面から除去された異物は、第１洗浄液ＬＣ１とともに液体回収口２０から回収される。本実施形態では、液体回収口２０から回収された第１洗浄液ＬＣ１が、収容部材４４に流入する。

　上記の第１洗浄液ＬＣ１の供給を停止する所定のタイミングは、第１洗浄液ＬＣ１の供給量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０からの回収量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、クリーニングの対象となる部材が第１洗浄液ＬＣ１に接触した時間が所定時間に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０から回収した液体の成分の検出結果に基づいて決定されてもよい。上記の所定のタイミングは、回収した第１洗浄液ＬＣ１に含まれる、クリーニングによる除去物質の量が所定値以下になったときであってもよい。上記の検出結果は、液体システム１００の検出装置４２の検出結果であってもよい。

　本実施形態では、第１クリーニング処理において、開口７Ｋと対向する領域の外側に第１撥液部５１が配置されており、第１撥液部５１の外側に親液部５２が配置されているので、開口７Ｋよりも外側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第１洗浄液ＬＣ１によって液浸空間ＬＴ１が形成される。本実施形態では、第１撥液部５１が、空間ＳＰ３から開口７Ｋ側への第１洗浄液ＬＣ１の流出が抑制されることが期待できる。また、第１撥液部５１が親液部５２よりも突出しているので、空間ＳＰ３から開口７Ｋ側への第１洗浄液ＬＣ１の流出が抑制されることが期待できる。すなわち、第１洗浄液ＬＣ１が液浸部材７の表面（例えば、プレート部１５）を伝って、開口７Ｋへの流出をすることが抑制できる。また、第１洗浄液ＬＣ１による液浸空間ＬＴ１の界面が開口７Ｋに形成されることを抑制できる。また、第１洗浄液ＬＣ１が開口７Ｋを介して、終端光学素子１２と接触するのを抑制することができる。したがって、本実施形態では、液浸部材７の表面にのみ第１洗浄液ＬＣ１を供給することができる。

　なお、空間ＳＰ３から開口７Ｋ側への第１洗浄液ＬＣ１の流出が抑制できれば、開口７Ｋと対向する領域の外側に第１撥液部５１が配置されなくても構わない。すなわち、図８Ａにおいて、開口７Ｋと対向する領域と同じ、若しくは開口７Ｋと対向する領域の内側であっても構わない。例えば、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第１洗浄液ＬＣ１の供給量と、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間からの第１洗浄液ＬＣ１の回収量とを調整することで、第１洗浄液ＬＣ１による液浸空間ＬＴ１の液浸部材７側の界面と、クリーニング基板ＣＰ側の界面との位置を異ならすことができる。例えば、液浸部材７側の界面を液浸部材７の表面上に維持した状態で、クリーニング基板ＣＰ側の界面の位置を、開口７Ｋと対向する領域に形成することができ、第１洗浄液ＬＣ１が開口７Ｋに流出することが抑制できる。第１撥液部５１の外縁が囲む領域は、液浸部材７の開口７Ｋと同等もしくは小さくても構わない。

　本実施形態では、第１撥液部５１の外側に親液部５２が配置されており、親液部５２の外側に第２撥液部５３が配置されているので、第２撥液部５３よりも内側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第１洗浄液ＬＣ１によって液浸空間ＬＴ１が形成される。本実施形態では、第２撥液部５３が親液部５２よりも突出しているので、空間ＳＰ３から外側への第１洗浄液ＬＣ１の流出を抑制することが期待できる。本実施形態では、液体回収口２０の外側に撥液部２４が配置されているので、撥液部２４の外側への第１洗浄液ＬＣ１の流出が抑制されることが期待できる。

　本実施形態では、第１クリーニング処理中に液浸部材７に対向して配置されるクリーニング基板ＣＰのノッチ５５ａ～５５ｃを検出している。したがって、クリーニング動作に対応しない基板が液浸部材７に対向して誤配置された状態で、この基板と液浸部材７との間に第１洗浄液ＬＣ１等が供給されることが抑制されることが期待できる。

　なお、ステップＳＡ２では、静的浸漬処理を行わなくてもよいし、２回以上の静的浸漬処理を行ってもよい。静的浸漬処理の前後で、供給する第１洗浄液ＬＣ１の濃度を変化させてもよい。また、露光液体ＬＱを含んだ第１洗浄液ＬＣ１を第２供給口２２から供給し、第１洗浄液ＬＣ１に占める露光液体ＬＱの割合を変化させながら、第１洗浄液ＬＣ１を供給してもよい。例えば、第１クリーニング処理中の進行とともに、第１洗浄液ＬＣ１に占める露光液体ＬＱの割合を段階的又は連続的に高くしてもよいし、低くしてもよい。

　また、第１洗浄液ＬＣ１を供給しているときと、第１洗浄液ＬＣ１の供給を停止しているときの少なくとも一方で、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第１洗浄液ＬＣ１に振動を与えてもよい。第１洗浄液ＬＣ１に振動を与えることによって、第１洗浄液ＬＣ１が親液部５２に広げることや、第１洗浄液ＬＣ１の洗浄を高めることが期待できる。

　なお、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第１洗浄液ＬＣ１に振動を与えることとしたが、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰと間に、振動が与えられた第１洗浄液ＬＣ１を供給しても構わない。液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させても構わない。

　また、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させるときに、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとを投影光学系ＰＬの光軸と平行な方向（Ｚ軸方向）で相対位置を変化させてもよい。この場合、液浸部材７（下面１５Ｂ）とクリーニング基板ＣＰとの間隔は、露光時の液浸部材７（下面１５Ｂ）と基板Ｐとの間隔よりも広くてもよいし、狭くても構わない。また、液浸部材７（下面１５Ｂ）とクリーニング基板ＣＰとの間隔と、露光時の液浸部材７（下面１５Ｂ）と基板Ｐとの間隔と、が同じであっても構わない。なお、本実施形態では、クリーニング基板ＣＰは、撥液部５１を含み、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間隔とは、液浸部材７の下面１５Ｂとクリーニング基板ＣＰの撥液部５１の上面との間隔を含む。

　また、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させるときに、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとを投影光学系ＰＬの光軸と交差する方向（例えば、ＸＹ平面）で相対位置を変化させてもよい。また、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させるときに、Ｚ軸方向に相対位置を変化させながら、投影光学系ＰＬの光軸と交差する方向（例えば、Ｘ方向）に相対位置を変化させても構わない。

　また、クリーニング時に液浸部材７に対してクリーニング基板ＣＰ相対位置を変化させるときに、相対位置が変化する方向は、露光時に液浸部材７に対して基板Ｐの相対位置を変化させる方向（Ｙ軸方向）と同じであってもよい。クリーニング時に液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させるときには、液浸部材７の下面１５Ｂとクリーニング基板ＣＰの第１撥液部５１の外縁とが対向している状態を維持することが望ましい。液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置をＸＹ面に平行な方向で変化させるときに、平面視した開口７Ｋが第１撥液部５１よりも外側まで移動しないように、相対位置の変化量を設定してもよい。また、平面視した開口７Ｋが第１撥液部５１の外縁まで移動したときに、親液部５２が液浸部材の撥液部２４の外側まで移動しないように、例えば撥液部２４の寸法に応じて相対位置の変化量を設定してもよい。例えば、ＸＹ面内での任意の方向での撥液部２４の寸法が、この方向での第１撥液部５１の寸法の０．５倍以上、あるいは１倍以上であってもよい。上記の任意の方向は、第１クリーニング処理中に液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させる方向であってもよい。

　また、本実施形態では、液浸部材７に撥液部２４を設けていたが、液浸部材７に撥液部２４を設けなくても構わない。

　なお、図８Ｃに示すように、圧力波（音波、超音波）を発生する圧力波発生装置６０を用いて、発生した圧力波を第１洗浄液ＬＣ１に直接的又は間接的に伝達する構成を採用してもよい。圧力波発生装置６０の一部又は全部が、露光装置ＥＸの一部又はクリーニング基板ＣＰの一部であってもよい。圧力波発生装置６０は、露光装置ＥＸの外部装置であってもよい。圧力波発生装置６０は、液浸部材７よりも外側に配置されていてもよいし、クリーニング基板ＣＰを支持可能なステージ６１にも受けられていてもよい。ステージ６１は、基板ステージ２又は計測ステージ３であってもよい。

　また、電界又は磁界の変化によって動作する攪拌子を液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間に配置して、攪拌子の動作によって第１洗浄液ＬＣ１に振動を与えてもよい。攪拌子、及び攪拌子を駆動する駆動装置の一部又は全部が、露光装置ＥＸ又はクリーニング基板ＣＰの一部であってもよい。攪拌子及び駆動装置が、露光装置ＥＸの外部装置であってもよい。

　本実施形態では、第１クリーニング処理が終了した後、第１リンス処理が開始される（ステップＳＡ３）。本実施形態では、液浸空間ＬＴ１の第１洗浄液ＬＣ１が全て回収された後、第１リンス処理が開始される。制御装置８は、第２供給口２２からの第１洗浄液ＬＣ１の供給を停止した状態で、液体回収口２０（多孔部材１９の孔１９Ｈ）からの第１洗浄液ＬＣ１の回収を所定時間実行する。これにより、終端光学素子１２及び液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第１洗浄液ＬＣ１がほぼ全て回収される。

　なお、第１洗浄液ＬＣ１を全て回収するために、液体回収口２０からの回収動作のみならず、第２供給口２２から第１洗浄液ＬＣ１を回収してもよい。また、第１洗浄液ＬＣ１の供給停止後、第１リンス処理を実行するに際し、第２内部流路２２Ｒに残留する第１洗浄液ＬＣ１を除去してもよい。また、第２内部流路２２Ｒに露光液体ＬＱを供給して、第２内部流路２２Ｒに残留する第１洗浄液ＬＣ１を除去してもよい。

　図９Ａ、図９Ｂ、及び図９Ｃは、第１リンス処理が実行されている状態の一例を示す図である。第１リンス処理においても、液浸部材７に対向してクリーニング基板ＣＰが配置される。制御装置８は、リンス液体ＬＨで液浸部材７をリンスするために、リンス液体ＬＨの供給を開始する。なお、第１洗浄液ＬＣ１の液浸空間ＬＴ１が形成されている状態で、リンス液体ＬＨの供給が開始されてもよい。

　図９Ａに示すように、本実施形態では、親液部５２と液浸部材７との間への第１洗浄液ＬＣ１の供給中と比較して、開口７Ｋと第１撥液部５１との相対位置が異なる状態で、液浸部材７と親液部５２との間にリンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、第１クリーニング処理が終了した後に、制御装置８が、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する。本実施形態では、平面視したときに開口７Ｋの少なくとも一部が第１撥液部５１の外側に配置されるように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する。本実施形態では、開口７Ｋの少なくとも一部が親液部５２と対向するように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する。本実施形態では、制御装置８は、第２供給口２２からの第１洗浄液ＬＣ１の供給を停止した状態で、第１供給口２１から空間ＳＰ１に対してリンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、リンス液体ＬＨとして、露光液体ＬＱを用いる。

　第１リンス処理において、第１供給口２１からのリンス液体ＬＨ（露光液体ＬＱ）の供給と並行して、液体回収口２０からの液体（第１洗浄液ＬＣ１及びリンス液体ＬＨの少なくとも一方を含む）の回収が実行される。これにより、終端光学素子１２及び液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間にリンス液体ＬＨで液浸空間ＬＴ２が形成される。液浸部材７の表面は、リンス液体ＬＨによってリンスされる。リンス液体ＬＨは、液浸部材７の表面に残留する第１洗浄液ＬＣ１を除去可能である。リンス液体ＬＨは、液浸部材７に付着している異物を除去することが可能である。液体回収口２０は、第１供給口２１から液浸部材７の表面の少なくとも一部に供給されたリンス液体ＬＨを回収する。液浸部材７の表面から除去された第１洗浄液ＬＣ１は、リンス液体ＬＨとともに液体回収口２０から回収される。

　図９Ｂに示すように、本実施形態では、リンス液体ＬＨの供給開始時と比較して、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置が変化した状態でもリンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を、露光光ＥＬの照射方向と交差する方向に変化させる。本実施形態では、ＸＹ面に平行な方向にて液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させる。本実施形態では、リンス液体ＬＨの供給開始時に第１撥液部５１と対向していた部分６２（図９Ｂ参照）の液浸部材７が親液部５２と対向するように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させる。本実施形態では、部分６２が親液部５２と対向した状態でリンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置の変化前にリンス液体ＬＨの供給を停止し、変化後にリンス液体ＬＨの供給を再開する。

　なお、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させながら、リンス液体ＬＨを供給してもよい。親液部５２と液浸部材７との間への第１洗浄液ＬＣ１の供給中と比較して、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰのＺ軸方向の相対位置が異なる状態で、リンス液体ＬＨを供給してもよい。親液部５２と液浸部材７との間への第１洗浄液ＬＣ１の供給中と比較して、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰの間隔が広い状態でリンス液体ＬＨを供給してもよい。また、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間のリンス液体ＬＨに振動を与えてもよい。第１洗浄液ＬＣ１に振動を与えるときと同様の装置や方法を用いて、リンス液体ＬＨに振動を与えてもよい。図９Ｃに示すように、第２供給口２２からリンス液体ＬＨを供給してもよい。第２供給口２２からリンス液体ＬＨを供給する場合と、第２供給口２２から洗浄液ＬＣを供給する場合とで、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変えても構わない。例えば、第２供給口２２からリンス液体ＬＨを供給する場合と、第２供給口２２から洗浄液ＬＣを供給する場合とで、Ｚ軸方向の相対位置を異ならせても構わない。また、第１供給口２１及び第２供給口２２からリンス液体ＬＨを供給してもよい。

　本実施形態では、所定のタイミングでリンス液体ＬＨの供給を停止し、第１リンス処理を終了する。リンス液体ＬＨの供給を停止する所定のタイミングは、リンス液体ＬＨの供給量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０からの回収量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、クリーニングの対象となる部材がリンス液体ＬＨに接触した時間が所定時間に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０から回収した液体の成分の検出結果に基づいて決定されてもよい。上記の所定のタイミングは、回収した液体に含まれる第１洗浄液ＬＣ１の量（濃度）が所定値以下になった後であってもよい。上記の検出結果は、液体システム１００の検出装置４２の検出結果であってもよい。本実施形態では、液体回収口２０から回収されるリンス液体ＬＨに含まれるアルカリ（水酸化テトラメチルアンモニウム）の濃度が１％以下になるまで、第１リンス処理が継続される。

　本実施形態では、第１リンス処理が終了した後、制御装置８は、第２クリーニング処理を開始する（ステップＳＡ４）。制御装置８は、第２洗浄液ＬＣ２で液浸部材７をクリーニングするために、第２洗浄液ＬＣ２の供給を開始する。

　本実施形態では、液浸部材７に対する第２洗浄液ＬＣ２の供給が開始されるまで、第１供給口２１からのリンス液体ＬＨの供給と液体回収口２０からのリンス液体ＬＨの回収との並行動作が実行される。すなわち、リンス液体ＬＨの液浸空間ＬＴ２が形成されている状態で、第２洗浄液ＬＣ２の供給が開始される。なお、終端光学素子１２及び液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間のリンス液体ＬＨが全て回収された後、第２洗浄液ＬＣ２の供給が開始されてもよい。リンス液体ＬＨの供給停止後、第２クリーニング処理を実行するに際し、第１内部流路２１Ｒに残留するリンス液体ＬＨを取り除いてもよい。

　本実施形態では、第１供給口２１からのリンス液体ＬＨの供給を停止した状態で、第２供給口２２から空間ＳＰ３に対して第２洗浄液ＬＣ２を供給する。第２洗浄液ＬＣ２は、液浸部材７に対向してクリーニング基板ＣＰが配置された状態で供給される。本実施形態では、平面視したときに、クリーニング基板ＣＰの第１撥液部５１の外縁の内側に液浸部材７の開口７Ｋが収まるように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置が調整された状態（図５Ａ及び図５Ｂ参照）で、第２洗浄液ＬＣ２の供給を開始する。本実施形態では、制御装置８が、基板ステージ２の位置を制御することによって液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整した後に、第２洗浄液ＬＣ２の供給を開始する。

　図１０Ａは、第２クリーニング処理が実行されている状態の一例を示す図である。第２クリーニング処理において、第２供給口２２からの第２洗浄液ＬＣ２の供給と並行して、液体回収口２０からの第２洗浄液ＬＣ２の回収が実行される。本実施形態では、液浸空間ＬＴ１と同様に、開口７Ｋよりも外側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第２洗浄液ＬＣ２によって液浸空間ＬＴ３が形成される。本実施形態では、第２撥液部５３よりも内側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第２洗浄液ＬＣ２によって液浸空間ＬＴ３が形成される。第２洗浄液ＬＣ２は、下面１４を含む液浸部材７の表面の少なくとも一部に接触する。液浸部材７の表面は、第２洗浄液ＬＣ２によってクリーニングされる。

　本実施形態では、図４に示した液体システム１００の希釈装置３８が、第２洗浄液供給装置４０からの第２洗浄液ＬＣ２を露光液体ＬＱで希釈する。本実施形態では、第２洗浄液供給装置４０から送出される第２洗浄液ＬＣ２は、過酸化水素の濃度が３０％である水溶液である。希釈装置３８は、第２洗浄液ＬＣ２を露光液体（水）ＬＱで希釈して、過酸化水素の濃度が５％である水溶液を生成する。本実施形態では、過酸化水素の濃度が５％である水溶液が第２洗浄液ＬＣ２として、第２供給口２２に供給される。

　なお、第２洗浄液ＬＣ２に含まれる過酸化水素の濃度は、上記の数値例に限定されず、クリーニングに適した所定濃度に調整される。第２洗浄液ＬＣ２に含まれる過酸化水素の濃度は５％でなくてもよく、例えば、１０％以上、１５％以上、あるいは２０％以上であってもよい。第２洗浄液ＬＣ２に含まれる過酸化水素の濃度は、第２洗浄液ＬＣ２が接触しうる部分の耐性に応じて設定されもよい。第２洗浄液ＬＣ２が接触しうる部分は、液体システム１００又は露光装置ＥＸに含まれる部材のうちの１以上であってもよい。第２洗浄液ＬＣ２が接触しうる部分は、クリーニング基板ＣＰの少なくとも一部であってもよい。第２洗浄液ＬＣ２の希釈に用いられる液体として、供給源ＬＱＳとは異なる供給装置から供給された液体（純水）を用いてもよい。また、第２洗浄液ＬＣ２の希釈に用いられる液体として、水以外の液体を用いてもよい。第２洗浄液供給装置４０から送出される第２洗浄液ＬＣ２を希釈しなくてもよい。また、希釈装置３８が省略されてもよい。

　また、第２クリーニング処理において、第１クリーニング処理で説明した静的浸漬処理を、第１洗浄液ＬＣ１に代えて第２洗浄液ＬＣ２を用いて行ってもよい。また、第２クリーニング処理において、第１洗浄液ＬＣ１に振動を与えるときと同様の装置や方法を用いて、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第２洗浄液ＬＣ２に振動を与えてもよい。また、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰと間に、振動が与えられた第２洗浄液ＬＣ２を供給しても構わない。

　第２洗浄液ＬＣ２は、過酸化水素を含み、第１クリーニング処理によって液浸部材７の表面などから除去しきれなかった異物を除去可能である。また、第２洗浄液ＬＣ２は、液浸部材７の表面などに残留する第１洗浄液ＬＣ１を除去可能である。例えば、第２洗浄液ＬＣ２は、第１リンス処理で液浸部材７の表面から除去しきれなかった第１洗浄液ＬＣ１を除去可能である。したがって、第２洗浄液ＬＣ２を液浸部材７に接触するように供給することによって、液浸部材７に付着している異物及び第１洗浄液ＬＣ１が除去される。

　なお、第２洗浄液ＬＣ２は、第１リンス処理によって液浸部材７の表面などから除去しきれなかった異物を除去可能である。本実施形態では、第２供給口２２から液浸部材７の表面の少なくとも一部に供給された第２洗浄液ＬＣ２が、液体回収口２０から回収される。液浸部材７の表面から除去された異物等は、第２洗浄液ＬＣ２とともに液体回収口２０から回収される。

　本実施形態では、所定のタイミングで第２洗浄液ＬＣ２の供給を停止し、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第２洗浄液ＬＣ２を回収した後に、第１クリーニング処理を終了する。液浸部材７の表面から除去された異物は、第１洗浄液ＬＣ１とともに液体回収口２０から回収される。本実施形態では、液体回収口２０から回収された第２洗浄液ＬＣ２が、収容部材４５に流入する。

　第２洗浄液ＬＣ２の供給を停止する所定のタイミングは、第２洗浄液ＬＣ２の供給量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０からの回収量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、クリーニングの対象となる部材が第２洗浄液ＬＣ２に接触した時間が所定時間に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０から回収した液体の成分の検出結果に基づいて決定されてもよい。上記の所定のタイミングは、回収した第２洗浄液ＬＣ２に含まれる、クリーニングによる除去物質の量が所定値以下になったときであってもよい。上記の検出結果は、液体システム１００の検出装置４２の検出結果であってもよい。

　本実施形態では、第２供給口２２からの第２洗浄液ＬＣ２の供給が停止され、第２クリーニング処理が終了した後、第２リンス処理が開始される（ステップＳＡ５）。本実施形態では、液浸空間ＬＴ２の第２洗浄液ＬＣ２が全て回収された後、第２リンス処理が開始される。制御装置８は、第２供給口２２からの第２洗浄液ＬＣ２の供給を停止した状態で、液体回収口２０（多孔部材１９の孔１９Ｈ）からの第２洗浄液ＬＣ２の回収を所定時間実行する。これにより、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間の第２洗浄液ＬＣ２が全て回収される。制御装置８は、リンス液体ＬＨで液浸部材７をリンスするために、リンス液体ＬＨの供給を開始する。

　なお、第２洗浄液ＬＣ２の液浸空間ＬＴ２が形成されている状態で、リンス液体ＬＨの供給が開始されてもよい。第２洗浄液ＬＣ２をほぼ全て回収するために、液体回収口２０からの回収動作のみならず、第２供給口２２から第２洗浄液ＬＣ２を回収してもよい。また、液体回収口２０からの回収動作に代えて、第２供給口２２からの回収動作を実行してもよい。また、第１供給口２１から第２洗浄液ＬＣ２を回収してもよい。第２洗浄液ＬＣ２の供給停止後、第２リンス処理を実行するに際し、第２内部流路２２Ｒに残留する第２洗浄液ＬＣ２を取り除いてもよい。

　図１０Ｂ、図１０Ｃは、第２リンス処理が実行されている状態の一例を示す図である。第２リンス処理においても、液浸部材７に対向してクリーニング基板ＣＰが配置される。本実施形態では、親液部５２と液浸部材７との間への第２洗浄液ＬＣ２の供給中と比較して、開口７Ｋと第１撥液部５１との相対位置が異なる状態で、液浸部材７と親液部５２との間にリンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、第２クリーニング処理が終了した後に、制御装置８が、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する。本実施形態では、平面視したときに開口７Ｋの少なくとも一部が第１撥液部５１の外側に配置されるように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する。本実施形態では、開口７Ｋの少なくとも一部が親液部５２と対向するように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を調整する。本実施形態では、制御装置８は、第２供給口２２からの洗浄液ＬＣの供給を停止した状態で、第１供給口２１から空間ＳＰ１に対してリンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、リンス液体ＬＨとして、露光液体ＬＱを用いる。

　第２リンス処理において、第１供給口２１からのリンス液体ＬＨ（露光液体ＬＱ）の供給と並行して、液体回収口２０からの液体（第１洗浄液ＬＣ１及びリンス液体ＬＨの少なくとも一方を含む）の回収が実行される。これにより、終端光学素子１２及び液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間にリンス液体ＬＨで液浸空間ＬＴ４が形成される。液浸部材７の表面は、リンス液体ＬＨによってリンスされる。リンス液体ＬＨは、液浸部材７の表面に残留する第２洗浄液ＬＣ２を除去可能である。リンス液体ＬＨは、液浸部材７に付着している異物を除去することが可能である。液体回収口２０は、第１供給口２１から液浸部材７の表面の少なくとも一部に供給されたリンス液体ＬＨを回収する。液浸部材７の表面から除去された第２洗浄液ＬＣ２は、リンス液体ＬＨとともに液体回収口２０から回収される。本実施形態では、回収されたリンス液体ＬＨが収容部材４５に流入する。

　図１０Ｃに示すように、本実施形態では、第２リンス処理において第１リンス処理と同様に、リンス液体ＬＨの供給開始時と比較して、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置が変化した状態でもリンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を、ＸＹ面に平行な方向に変化させる。本実施形態では、リンス液体ＬＨの供給開始時に第１撥液部５１と対向していた部分６３（図１０Ｂ参照）の液浸部材７が親液部５２と対向するように、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させる。本実施形態では、部分６３が親液部５２と対向した状態で、リンス液体ＬＨを供給する。本実施形態では、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置の変化前にリンス液体ＬＨの供給を停止し、変化後にリンス液体ＬＨの供給を再開する。

　なお、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの相対位置を変化させながら、リンス液体ＬＨを供給してもよい。クリーニング基板ＣＰの親液部５２と液浸部材７との間に第１洗浄液ＬＣ１を供給したときと比較して、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰのＺ軸方向の相対位置が異なる状態で、リンス液体ＬＨを供給してもよい。親液部５２と液浸部材７との間への第２洗浄液ＬＣ２の供給中と比較して、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰの間隔が広い状態で、リンス液体ＬＨを供給してもよい。また、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間のリンス液体ＬＨに、振動を与えてもよい。第１洗浄液ＬＣ１に振動を与えるときと同様の装置や方法を用いて、第２リンス処理においてリンス液体ＬＨに振動を与えてもよい。第２リンス処理において、第２供給口２２からリンス液体ＬＨを供給してもよい。第１供給口２１及び第２供給口２２からリンス液体ＬＨを供給してもよい。　なお、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰとの間のリンス液体ＬＨに振動を与えることとしたが、液浸部材７とクリーニング基板ＣＰと間に、振動が与えられたリンス液体ＬＨを供給しても構わない。

　本実施形態では、所定のタイミングでリンス液体ＬＨの供給を停止し、第２リンス処理を終了する。リンス液体ＬＨの供給を停止する所定のタイミングは、リンス液体ＬＨの供給量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０からの回収量が所定量に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、クリーニングの対象となる部材がリンス液体ＬＨに接触した時間が所定時間に達した後であってもよい。上記の所定のタイミングは、液体回収口２０から回収した液体の成分の検出結果に基づいて決定されてもよい。上記の所定のタイミングは、回収した液体に含まれる第２洗浄液ＬＣ２の量（濃度）が所定値以下になった後であってもよい。液体回収口２０から回収されるリンス液体ＬＨに含まれる過酸化水素の濃度が１％以下になるまで、第２リンス処理が継続されてもよい。上記の検出結果は、液体システム１００の検出装置４２の検出結果であってもよい。

　本実施形態では、第２リンス処理の後、第３リンス処理が実行される（ステップＳＡ６）。本実施形態では、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＨは、そのリンス液体ＬＨに含まれる第２洗浄液ＬＣ２の濃度が所定濃度以下になるまで、収容部材４５に収容される。本実施形態では、回収されるリンス液体ＬＨに含まれる第２洗浄液ＬＣ２の濃度が所定濃度以下になった後、制御装置８は、第１供給口２１からのリンス液体ＬＨの供給と液体回収口２０からのリンス液体ＬＨの回収との並行動作を実行しつつ、液体回収口２０から回収されたリンス液体ＬＨが収容部材４３に流入するように液体システム１００を制御する。

　第３リンス処理が終了した後、制御装置８は、クリーニング基板ＣＰを基板ステージ２から搬出（アンロード）する処理を実行する（ステップＳＡ７）。制御装置８は、クリーニング基板ＣＰを基板ステージ２（基板保持部１１）から搬出するために、その基板ステージ２を、基板交換位置に移動する。基板ステージ２からクリーニング基板ＣＰを搬出した後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスを実行してもよい。

　なお、クリーニング基板ＣＰを用いる代わりに、クリーニング基板ＣＰと同様に撥液部及び親液部を含んだステージ、例えば基板ステージ、計測ステージ、その他のメンテナンス用のステージを用いても構わない。

　なお、クリーニング方法において、第１クリーニング処理、第２クリーニング処理の少なくとも一方を省略することができる。また、第１、第２、第３リンス処理を省略することができる。例えば、第１クリーニング処理の後の、第１リンス処理を省略することができる。

　なお、クリーニング方法において、洗浄液ＬＣを供給するのは、第２供給口２２からの供給に限られない。例えば、液体回収口２０から供給しても、第１供給口２１から供給しても構わない。例えば、液体回収口２０（孔１９Ｈ）から液体（洗浄液ＬＣ、リンス液体ＬＱ等）を供給し、液体回収口２０から供給された液体を、液体回収口２０の外側に配置されている第２供給口２２から回収してもよい。また、第２供給口２２から供給された洗浄液ＬＣを液体回収口２０から回収し、液体回収口２０から供給されたリンス液体ＬＱを第２液体供給口２２から回収してもよいし、液体回収口２０から供給された洗浄液ＬＣを第２液体供給口２２から回収し、第２供給口２２から供給されたリンス液体ＬＱを液体回収口２０から回収してもよい。

＜第４実施形態＞
　第４実施形態について説明する。本実施形態では、上記の各実施形態と同様の構成要素は、同じ符号を付して説明を省略することがある。

　図１１は、本実施形態のクリーニング方法の一例を示す図である。本実施形態では、クリーニング基板の一態様であるクリーニング基板ＣＰＢを用いる。本実施形態では、クリーニング基板ＣＰＢの親液部５２Ｂは、基板本体５０に設けられた凹部の底部を含む。本実施形態のクリーニング方法では、液浸部材として、露光光が通過する開口７Ｋと、開口７Ｋの周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口２０とを備えている。

　本実施形態のクリーニング方法では、クリーニング用の液体を供給する液体システム１００Ｂを用いる。液体システム１００Ｂは、第１洗浄液ＬＣ１を供給可能な供給口６４を有している。本実施形態では、供給口６４は、液浸部材７Ｂと異なる部材である。供給口６４を有する部材は、不図示の液浸部材７Ｂと異なる部材に支持されている。本実施形態では、供給口６４から、クリーニング基板ＣＰＢと液浸部材７ｂとの間に第１洗浄液ＬＣ１が供給される。本実施形態の液体システム１００Ｂは、露光液体ＬＱ、第１洗浄液ＬＣ１（希釈液を含む）、第２洗浄液ＬＣ２（希釈液を含む）、及び第１洗浄液ＬＣ１と第２洗浄液ＬＣ２の混合液から選択される液体を供給口６４から供給可能である。

　本実施形態のクリーニング方法は、第３実施形態と同様のステップＳＡ１～ＳＡ６を含む。本実施形態では、不図示の駆動装置を駆動させることで、供給口６４は駆動し、位置を変えることができる。本実施形態では、供給口６４が、液浸部材７Ｂとクリーニング基板ＣＰＢとの間に挿入される。そして、親液部５２Ｂと液浸部材７Ｂとの間に、供給口６４からクリーニングに用いる各液体が供給される。本実施形態でも、第３実施形態と同様に、開口７Ｋよりも外側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第１洗浄液ＬＣ１によって液浸空間ＬＴ１が形成され、第２撥液部５３よりも内側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第１洗浄液ＬＣ１によって液浸空間ＬＴ１が形成される。また、本実施形態でも、第３実施形態と同様に、開口７Ｋよりも外側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第２洗浄液ＬＣ２によって液浸空間ＬＴ３が形成され、第２撥液部５３よりも内側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、第２洗浄液ＬＣ２によって液浸空間ＬＴ３が形成される。
　なお、本実施形態では、供給口６４が駆動したが、駆動しなくても構わない。
　なお、供給口６４と親液部５２Ｂとが対向した状態で、供給口６４からクリーニングに用いる各液体を供給しても構わない。また、供給口６４と第２撥液部５３とが対向した状態で、供給口６４からクリーニングに用いる各液体を供給しても構わない。

＜第５実施形態＞
　第５実施形態について説明する。本実施形態では、上記の各実施形態と同様の構成要素は、同じ符号を付して説明を省略することがある。

　図１２は、本実施形態のクリーニング方法の一例を示す図である。本実施形態のクリーニング方法では、本実施形態に係るクリーニング基板の一態様であるクリーニング基板ＣＰＢを用いる。本実施形態のクリーニング方法では、上記の液浸部材として、露光光が通過する開口７Ｋと、開口７Ｋの周囲の少なくとも一部に配置され、クリーニング用の液体を供給可能な供給口２２Ｃと、開口７Ｋに対して供給口２２Ｃの外側に配置された液体回収口２０とを備えた液浸部材７Ｃを用いる。

　本実施形態のクリーニング方法は、第３実施形態と同様のステップＳＡ１～ＳＡ６を含む。本実施形態でも、第３実施形態と同様に、開口７Ｋよりも外側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、洗浄液ＬＣによって液浸空間ＬＴが形成され、第２撥液部５３よりも内側の空間ＳＰ３の少なくとも一部に、洗浄液ＬＣによって液浸空間ＬＴが形成される。

＜第６実施形態＞
　図１３は、デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。基板処理ステップは、上述の実施形態に従って、液浸部材７等をクリーニングする処理を含み、そのクリーニングされた液浸部材７等を用いて基板Ｐが露光光ＥＬで露光される。

　なお、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も露光液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

　上述の各実施形態においては、露光液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。露光液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、第１液体（露光液体ＬＱ）として、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、第１液体として、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

　上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

　露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

　また、例えば米国特許第６６１１３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

　なお、露光装置ＥＸが、計測ステージ３を備えていない露光装置でもよい。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、計測ステージを備えておらず、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。その場合、複数の基板ステージのうち、任意の基板ステージを液浸部材７に対向させてクリーニングシーケンスを実行してもよい。

　露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

　上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。

　上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

　上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号に開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

　上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

　なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２・・・基板ステージ、３・・・計測ステージ、７、７Ｂ、７Ｃ・・・液浸部材、
７Ｋ・・・開口、８・・・制御装置、２０・・・液体回収口、２１・・・第１供給口、
２２・・・第２供給口、２４・・・撥液部、５０・・・基板本体、
５１・・・第１撥液部、５２、５２Ｂ・・・親液部、
５３・・・第２撥液部、５４・・・外縁部分、
５５ａ～５５ｃ・・・ノッチ、１００、１００Ｂ・・・液体システム、
ＣＰ・・・クリーニング基板、ＥＬ・・・露光光、Ｋ・・・光路、
ＬＱ・・・露光液体、ＬＣ１・・・第１洗浄液、
ＬＨ・・・リンス液体、ＬＣ２・・・第２洗浄液、Ｐ・・・基板

Claims

　液浸露光装置において、基板に照射される露光光が通過する開口を有するとともに前記露光光の光路の少なくとも一部が第１液体で満たされるように前記基板との間で前記第１液体を保持する液浸部材のクリーニング方法であって、
　クリーニング用の第２液体に対して撥液性の第１部分と前記第１部分の周囲の少なくとも一部に配置されて前記第１部分よりも親液性の第２部分とを有する物体と、前記液浸部材とを対向させることと、
　前記液浸部材と前記物体の前記第２部分との間に前記第２液体を供給することと、を含み、
　前記液浸部材と前記第２部分との間に供給された前記第２液体が前記開口を通過することを前記物体の前記第１部分で抑えつつ、前記第２液体で前記液浸部材をクリーニングするクリーニング方法。
　前記第２部分は、前記第１部分を囲むように配置され、
　前記物体は、前記第２部分を囲むように、前記第２液体に対して前記第２部分よりも撥液性の第３部分を備える請求項１記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材は、前記第２液体にして撥液性の撥液部分を備え、
　前記物体の第３部分が前記液浸部材の前記撥液部分と対向するように、前記液浸部材と前記物体とを対向させる請求項２記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材は、前記開口の周囲に前記物体が対向する表面を有し、
　前記物体の前記第１部分の少なくとも一部が前記表面と対向するように、前記物体と前記液浸部材とを対向させる請求項１～３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記第１部分の環状の外縁が前記開口の周囲の前記表面と対向するように、前記物体と前記液浸部材とを対向させる請求項４記載のクリーニング方法。
　前記第１部分の環状の外縁が前記開口の周囲の前記表面と対向している状態を維持しつつ、前記液浸部材と前記物体とを相対的に移動することをさらに含む請求項５記載のクリーニング方法。
　前記第１部分の環状の外縁で囲まれた領域は、前記開口よりも大きい請求項５又は６記載のクリーニング方法。
　前記物体上において前記第１部分は環状である請求項７記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材は、前記表面の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口を備える請求項４～８のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材と前記第２部分との間に供給された前記第２液体を回収することを含む請求項１～９のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材は、前記開口の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口を備え、
　前記液浸部材と前記第２部分の間に供給された前記第２液体を前記液体回収口から回収することを含む請求項１０記載のクリーニング方法。
　前記第２液体の供給と並行して前記第２液体が回収される請求項１１記載のクリーニング方法。
　前記第２液体は、前記開口に対して前記液体回収口の外側に配置された供給口から供給される請求項１１又は１２記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材と前記第２部分との間から前記第２液体を回収した後に、前記液浸部材と前記第２部分との間に前記第２液体と異なる第３液体を前記供給口から供給することを含む請求項１３記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材と前記第２部分との間に前記第２液体と異なる第３液体を供給することを含む請求項１～１２のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記第３液体は、前記液浸部材と前記物体との間から前記液体を除去した後に供給される請求項１５記載のクリーニング方法。
　前記第３液体は、前記開口を介して前記液浸部材と前記第２部分との間に供給される請求項１４～１６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記第３液体を前記液浸部材と前記第２部分との間に供給するときと、前記第２液体を前記液浸部材と前記第２部分との間に供給するときとで、前記開口と前記第１部分との相対位置が異なる請求項１５～１７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記液浸露光装置は、前記露光光を射出する投影光学系を備え、
　前記投影光学系の光軸と交差する方向に、前記開口と前記第１部分との相対位置を異ならせる請求項１８記載のクリーニング方法。
　前記液浸露光装置は、前記露光光を射出する投影光学系を備え、
　前記投影光学系の光軸と平行な方向に、前記開口と前記第１部分との相対位置を異ならせる請求項１８又は１９記載のクリーニング方法。
　前記第３液体として前記第１液体を用いる請求項１４～２０のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記第３液体に振動を与えることを含む請求項１４～２１のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記物体は、前記液浸部材のクリーニングに用いられるクリーニング基板である請求項１～２２のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記第２液体に振動を与えることをさらに含む請求項１～２３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記物体は、接触せずに前記液浸部材と対向する請求項１～２４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記液浸部材と前記物体とを対向させたときに、前記液浸部材と前記第１部分との間隔は、前記液浸部材と前記第２部分との間隔よりも小さい請求項１～２５のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　前記第１部分の少なくとも一部が前記開口と対向するように、前記液浸部材と前記物体を対向させる請求項１～２６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
　請求項１～２７のいずれか一項記載のクリーニング方法で、前記液浸部材をクリーニングすることと、
　前記クリーニングされた液浸部材と基板との間で前記第１液体を保持することと、
　前記第１液体を介して露光光で基板を露光することと、
　前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　液浸露光装置において、基板に照射される露光光が通過する開口及び前記開口の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口を有するとともに前記露光光の光路の少なくとも一部が第１液体で満たされるように前記基板との間で前記第１液体を保持する液浸部材のクリーニングに用いられるクリーニング基板であって、
　クリーニング用の第２液体に対して撥液性の第１部分と、
　前記第１部分の周囲の少なくとも一部に設けられ、前記第２液体に対して前記第１部分よりも親液性の第２部分と、を備え、
　前記液浸部材を前記第２液体でクリーニングするために前記液浸部材と対向するように配置されたときに、前記液浸部材と前記第２部分との間に供給された前記第２液体が前記開口を通過することを前記第１部分が抑制するクリーニング基板。
　前記第１部分の環状の外縁の内側の領域は、前記開口よりも大きい請求項２９記載のクリーニング基板。
　前記第２部分は、前記第１部分を囲むように配置され、
　前記物体は、前記第２部分を囲むように、前記第２液体に対して前記第２部分よりも撥液性の第３部分を備える請求項２９又は３０記載のクリーニング基板。
　前記第３部分は、前記第２部分よりも突出している請求項３１記載のクリーニング基板。
　前記第１部分は、環状である請求項３０記載のクリーニング基板。
　前記第１部分に囲まれ、前記第２液体に対して前記第１部分よりも親液性の第４部分をさらに備える請求項３３記載のクリーニング基板。
　前記第１部分は、前記第２部分よりも突出している請求項２９～３４のいずれか一項記載のクリーニング基板。
　前記第２液体で前記液浸部材をクリーニングする動作と関連づけられた切欠を備える請求項２９～３５のいずれか一項記載のクリーニング基板。
　第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置で用いられ、前記露光光の光路の少なくとも一部が前記第１液体で満たされるように前記基板との間で前記第１液体を保持する液浸部材であって、
　前記露光光が通過する開口と、
　前記開口の周囲の少なくとも一部に配置された液体回収口と、
　前記開口に対して前記液体回収口の外側に配置され、クリーニング用の第２液体を供給する供給口と、を備える液浸部材。
　前記開口に対して前記供給口の外側に配置され、前記第２液体に対して撥液性の撥液部を備える請求項３７記載の液浸部材。
　前記撥液部は、前記供給口を環状に囲んでいる請求項３８記載の液浸部材。
　前記供給口は、前記撥液部の内側に前記第２液体を供給する請求項３８又は３９記載の液浸部材。
　第１液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置であって、
　請求項３７～４０のいずれか一項記載の液浸部材を備える液浸露光装置。
　請求項４１記載の液浸露光装置を用いて基板を露光することと、
　前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
　液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置の、前記基板を露光する露光動作とは異なる非露光動作に用いられるダミー基板であって、
　外縁部分に前記非露光動作と関連づけられた切欠を備えるダミー基板。
　前記切欠の数、前記切欠の形状、及び前記外縁部分における前記切欠の位置の少なくとも一つが、前記非露光動作に関連づけて決定される請求項４３記載のダミー基板。
　所定の液体に対する親液部と撥液部とを含み、
　前記親液部及び前記撥液部の分布、前記液体に対する前記親液部の接触角、及び前記液体に対する前記撥液部の接触角の少なくとも一つが、前記非露光動作と関連づけられて設定される請求項４３又は４４記載のダミー基板。