WO2012011522A1 - 光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法 - Google Patents

光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a method for forming a light conversion layer having phosphor particles, a method for manufacturing a light conversion member, and a method for manufacturing a light emitting device.
  • a light emitting device that emits light by mixing light from a light emitting element and light from a light conversion member having phosphor particles that emit light by the light has been studied.
  • a method for forming the light conversion member for example, a method in which glass powder and phosphor particles are mixed and then sintered (Patent Document 1) or a mixture of phosphor particles in a resin is used as a light emitting element.
  • Patent Document 2 A method (Patent Document 2) in which the resin is cured after application or the like is known.
  • the amount of glass powder is increased compared to the phosphor particles so that the glass powders adhere to each other after sintering, and the glass powder and phosphor particles are mixed.
  • the amount of the resin is increased compared to the phosphor particles, and the phosphor powder and the resin are mixed. That is, in the conventional method, the amount of the phosphor particles is set to be smaller than that of the glass powder or resin as the binder, and it is difficult to uniformly distribute the phosphor particles in the film thickness direction and the plane direction. As a result, color unevenness may occur.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and includes a method for forming a light conversion layer capable of uniformly distributing phosphor particles, and a light conversion member capable of uniformly distributing phosphor particles.
  • An object is to provide a manufacturing method. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a light emitting device that can manufacture a light emitting device with little color unevenness.
  • the method for forming a light conversion layer according to the present invention includes a step of preparing phosphor particles, a step of forming a bonding layer made of a resin on a substrate, a step of containing the phosphor particles in the bonding layer, and the bonding And a step of curing the layer.
  • the method for producing a light conversion member according to the present invention includes forming the light conversion layer on one main surface of the substrate by the method for forming a light conversion layer according to the present invention, wherein the base is a substrate, A substrate and the light conversion layer are included.
  • the method for manufacturing a light emitting device includes: forming the light conversion layer on the light emitting surface of the light emitting element by the light conversion layer forming method according to the present invention, wherein the substrate is a light emitting element; And the light conversion layer.
  • the method for forming a light conversion layer and a light conversion member according to the present invention includes a step of preparing phosphor particles, a step of forming a bonding layer made of a resin on a substrate, and a step of incorporating the phosphor particles in the bonding layer. And the step of curing the bonding layer, the phosphor particles can be uniformly distributed in the bonding layer. Further, according to the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, a light emitting device with little color unevenness can be manufactured.
  • Drawing 1 is a mimetic diagram for explaining a manufacturing method of a light conversion member of one embodiment.
  • FIG. 2 is another schematic diagram for explaining the method of manufacturing the light conversion member according to the embodiment.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view in the vicinity of the bonding layer.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
  • Embodiment 1 which concerns on this invention concerns on the manufacturing method of a light conversion member.
  • the light conversion member 100 manufactured by the manufacturing method is formed by forming the bonding layer 6 containing the phosphor particles 4 on the substrate 5, and is used for a light emitting device, for example.
  • the substrate 5 is a substrate having translucency, for example, and is made of, for example, a sapphire substrate.
  • the manufacturing method of the optical conversion member concerning Embodiment 1 concerning the present invention is explained in order of a process. (Phosphor particle preparation process) As shown in FIG. 1, phosphor particles 4 are prepared.
  • the phosphor particles 4 may be any material that emits light by light from a light emitting element 13 (see FIG.
  • white light can be obtained as the whole light emitting device by using YAG phosphor particles, TAG phosphor particles, strontium silicate phosphor particles, and the like that emit yellow light. .
  • the phosphor particles 4 are arranged on the bottom surface of the housing 1.
  • the phosphor particles 4 having a relatively large particle size can be selectively bonded to the binding layer, whereby phosphor particles having a more uniform particle size can be contained in the binding layer.
  • the particle size of the phosphor particles 4 is constant to some extent so that phosphor particles having a more uniform particle size can be contained in the bonding layer.
  • the average particle diameter of the phosphor particles 4 is 0.5 to 50 ⁇ m, preferably 1 to 30 ⁇ m, more preferably 10 to 25 ⁇ m. Thereby, the phosphor particles 4 can be easily convected in the housing 1. Moreover, it can be set as the fluorescent substance particle with high luminous efficiency and light extraction efficiency when it finally becomes a light conversion member.
  • static electricity may be generated in the phosphor particles themselves, and the adjacent phosphor particles may be closely adhered and aggregated.
  • the static electricity generated in the phosphor particles may be removed with an existing static eliminator.
  • the phosphor particles 4 can be individually separated, and the phosphor particles can be convected with good reproducibility.
  • a kind of phosphor particles are prepared, but a mixture of two or more kinds of phosphor particles may be prepared.
  • the bonding layer 6 is prepared.
  • the bonding layer 6 is formed on the substrate 5.
  • the bonding layer 6 is made of a resin, and can incorporate the phosphor powder 4 into the phosphor particle bonding process (can contain the phosphor powder 4) and can be cured during the bonding layer curing process. Any material can be used, and the material is not limited.
  • a thermosetting resin such as a silicone resin or an epoxy resin can be used.
  • potting, spraying, spin coating, or the like can be used as a method of forming the bonding layer 6, potting, spraying, spin coating, or the like can be used.
  • the viscosity of the resin at the time of application is preferably set to 5000 cp or less, more preferably 1000 cp or less, and more preferably 100 cp or less in order to easily incorporate the phosphor powder 4 into the resin.
  • the minimum of the viscosity of resin should just be a viscosity larger than water, for example.
  • the substrate 5 only needs to be able to form the bonding layer 6 on its upper surface, and the material is not limited.
  • the substrate 5 for example, glass or sapphire can be used.
  • the film thickness of the bonding layer 6 before containing the phosphor particles can be 3 ⁇ m or more and less than 100 ⁇ m, preferably 5 ⁇ m or more and less than 70 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m or more and less than 50 ⁇ m.
  • the substrate 5 is disposed on the support base 3. As shown in FIG.1 and FIG.2, it is preferable that the support base 3 is provided with the through-hole penetrated to an up-down direction. Since the phosphor powder 4 sent above the bonding layer 6 in the phosphor powder bonding step described later is sent again downward through the through hole, the phosphor particles 4 can be used effectively. It is.
  • the phosphor particles 4 are bonded to the bonding layer 6 by convection over the bonding layer 6 (the phosphor particles 4 have wettability with the bonding layer 6 and the weight of the phosphor particles 4 itself. Is taken (filled) into the inside of the bonding layer 6.
  • “to make the phosphor particles convection” means that the phosphor particles 4 are caused to flow in opposite directions (up and down directions in FIG. 1) by the wind.
  • the method for convection of the phosphor particles 4 is not limited.
  • the phosphor particles 4 can be convected above the bonding layer 6 by blowing up the phosphor particles 4 from below the bonding layer 6. This will be described in detail below.
  • the blower unit 2 is provided in the housing 1 at a position below the support 3 and away from the side surface of the housing 1.
  • the air blowing unit 2 can send wind downward (in the direction of the bottom surface of the housing 1), and can form a wind flow as shown in FIG. That is, wind is sent downward from the blower 2 (step 1), and the wind is directed outward due to the presence of the bottom surface of the housing 1 (step 2), and is sent upward along the side surface of the housing 1 (step 1). 3) Due to the presence of the upper surface of the housing 1, it faces inward (step 4) and is sent again downward. Then, by repeating steps 1 to 4, the wind from the blower unit 2 circulates in the housing 1.
  • the phosphor particles 4 are arranged on the bottom surface of the housing 1, the phosphor particles 4 also circulate in the housing 1 by riding on the wind from the blower unit 2.
  • FIG. 2 a cross section of the housing is shown in a plan view. Actually, however, the wind sent from the blower 2 entrains the phosphor particles 4 on the bottom surface of the housing 1 and faces the side surface radially. It rises along the entire surface and is collected and circulated again by the upper surface of the housing 1 at the center of the housing.
  • the side surface of the casing 1 is preferably cylindrical, and the center of the wind blown out by the blower 2 is the casing 1.
  • blower 2 it is preferable to install the blower 2 in the housing 1 so as to coincide with the central axis of the cylindrical side surface.
  • the blower 2 is preferably driven to such an extent that the phosphor particles 4 that have fallen from above are not damaged even if they pass through the blower 2.
  • the phosphor particles 4 having a certain size have a smaller particle size (small particle size). Rather, it circulates in the housing 1 preferentially and is coupled to the coupling layer 6. The reason for this is not clear, but even if the phosphor particles having a small particle diameter are once sent on the wind, they are likely to stay in the corners of the casing 1 because they are small and lightweight, This is considered to be because it is difficult to reach the bonding layer 6. Furthermore, in general, the smaller the particle size of the phosphor particles, the larger the adhesive force (cohesive force) tends to increase. Therefore, it is difficult for the phosphor particles of small particle size to be sent upward in the wind.
  • the phosphor particles used for the light conversion member those having a large particle size are preferable to those having a small particle size.
  • those having a large particle size are preferable to those having a small particle size.
  • phosphor particles having a small particle size and a large particle size are deposited with a predetermined thickness.
  • the phosphor particles having a small particle size have more phosphor particles in the thickness direction than the phosphor particles having a large particle size, light on the surface (interface) of the phosphor particle is present. There is a problem that reflection increases and the light extraction efficiency in the thickness direction decreases.
  • phosphor particles with a large particle size have fewer phosphor particles in the thickness direction than phosphor particles with a small particle size, and therefore less light is reflected on the surface of the phosphor particles.
  • the light extraction efficiency in the thickness direction is improved.
  • the crystal of the surface of the phosphor particles is distorted, it is considered that the phosphor particles cannot emit light efficiently. Therefore, if the phosphor particle has a small particle size, the surface area per certain weight is increased, so that the light emission efficiency is lowered.
  • the phosphor particles have a large particle size the surface area per fixed weight is small (since the volume ratio inside the surface in which crystal distortion is suppressed is large), it is possible to emit light efficiently. For these reasons, it is important to suppress the mixing of phosphor particles having a small particle diameter and to form a light conversion member using a phosphor particle having a larger particle diameter preferentially.
  • the amount of phosphor particles finally contained in the bonding layer 6 can be controlled by the film thickness of the bonding layer 6. That is, the maximum amount of phosphor particles that can be contained in the bonding layer 6 (the maximum amount of phosphor that can be fixed to the substrate by the bonding layer 6) is smaller as the film thickness of the bonding layer 6 is smaller. The greater the film thickness, the greater. The phosphor particles deposited on the bonding layer 6 exceeding the maximum amount of the phosphor particles in the film thickness can be easily removed because they are not bound by the bonding layer 6. That is, if the bonding layer 6 is thin, the amount of phosphor particles 4 taken into the bonding layer 6 is inevitably reduced. If the bonding layer 6 is thick, the inside of the bonding layer 6 is reduced.
  • the amount of the phosphor particles 4 taken in is inevitably increased and the phosphor particles deposited on the bonding layer 6 exceeding the maximum amount of the phosphor particles in the film thickness can be easily removed.
  • the amount of the phosphor particles 4 taken into the bonding layer 6 can be easily controlled.
  • the phosphor particles 4 are excessively supplied to the bonding layer 6 to such an extent that excess phosphor particles 4 that are no longer filled in the bonding layer 6 are deposited on the bonding layer 6.
  • the phosphor particles 4 are supplied in an amount larger than the amount that can be originally contained in the bonding layer 6 having a predetermined thickness under a certain condition.
  • the bonding layer 4 formed to have a relatively uniform thickness is filled with the phosphor particles 4 as much as possible throughout the entire region, so that the film thickness direction and the planar direction are compared with the conventional method.
  • the distribution of the phosphor particles 4 can be made more uniform.
  • color unevenness can be further suppressed when used in a light emitting device.
  • the phosphor particles 4 can be simply bonded to the bonding layer 6 without convection of the phosphor particles.
  • the phosphor particles 4 can be contained in the bonding layer 6 by simply spreading the phosphor particles from above the bonding layer 6.
  • the phosphor particles 4 having a small particle diameter cannot be positively excluded, but it is needless to say that the effect of suppressing color unevenness can be obtained similarly.
  • the bonding layer 6 is cured.
  • a binder resin and phosphor particles are mixed and then applied to another member such as a light emitting element and cured. Since the phosphor particle bond is bonded to 6 and then cured without being mixed, the light conversion member can be formed by a simpler process.
  • the method of curing is not limited, but when the bonding layer 6 is a thermosetting resin, the bonding layer 6 is integrally heated together with the phosphor particles 4 contained therein by heating the bonding layer 6, A light conversion layer 10 composed of the substrate 5, the bonding layer 6 and the phosphor particles 4 is used.
  • Excess phosphor particles that have not been taken into the bonding layer 6 and have accumulated on the bonding layer 6 can be removed, for example, by washing away after the bonding layer curing step.
  • FIG. 3 shows an enlarged schematic view of the vicinity of the bonding layer obtained by this step.
  • the cured bonding layer 6 containing phosphor particles is referred to as a light conversion layer 10.
  • the phosphor particles 4 are partially exposed from the surface of the coupling layer 6. This is presumably because the phosphor particles 4 deposited earlier were already taken into the bonding layer 6, and the phosphor particles 4 deposited later were not completely taken into the bonding layer 6.
  • the coupling layer 6 is configured to be the uppermost layer.
  • a light-transmitting layer that does not include phosphor particles may be formed on the coupling layer 6. Good.
  • a light conversion member having a relatively large area for example, a wafer
  • the distribution of the phosphor particles tends to be biased as the area becomes larger in the conventional method, but the distribution of the phosphor particles is biased even in the case of the large area in the method according to the present embodiment. Can be suppressed relatively easily. This is because the distribution of the phosphor particles can be controlled only by making the thickness of the coupling layer 6 uniform.
  • the recovery efficiency of the phosphor particles 4 is higher than that of the conventional method. This is because the phosphor particles 4 that have not been taken into the bonding layer 6 can be reused, and thus the phosphor particles 4 that are wasted in principle are not generated.
  • the light emitting device is configured using the light conversion member and the light emitting element obtained in the first embodiment. As shown in FIG. 4, the light conversion member 100 obtained in the first embodiment and the light emitting element 13 are combined to emit light that can mix the light from the light emitting element 13 and the light from the light converting member. It can be set as a device (light emitting device formation step).
  • the light emitting device has a package 12 including a base 12a and a side wall 12b, a pair of lead frames 11 provided along the outer periphery of the package 12, and a bottom surface of a recess formed by the side wall 12b.
  • a light emitting element 13 provided on one of the exposed lead frames, a wire 14 that electrically connects each electrode (not shown) of the light emitting element 13 and the corresponding lead frame, and a recess formed by the side wall 12b.
  • a light conversion member 100 including a substrate 5 and a coupling layer 6 (including phosphor particles 4) provided above.
  • the substrate 5 is on the outside and the coupling layer 6 is on the inside so that the substrate 5 is on the observation surface side.
  • the light conversion member 100 can be coupled to the package sidewall 12b via an adhesive made of silicone resin or the like.
  • the light emitting element 13 can be a known, for example, blue light emission and green light emission can be GaN-based semiconductor (In X Al Y Ga 1- X-Y N, 0 ⁇ X, 0 ⁇ Y, X + Y ⁇ 1 ).
  • the substrate 5 is included as it is as the light conversion member 100, but the substrate 5 may be thinned or removed as necessary.
  • the substrate 5 may be thinned or removed as necessary.
  • the bonding layer 6 is formed on the substrate 5 by spin coating, the substrate 5 needs to have a certain thickness in the bonding layer forming step.
  • the thickness of the substrate 5 may interfere with the work, and in such a case, it is preferable to make the substrate 5 thinner or removed.
  • the light emitting device of Embodiment 3 according to the present invention is characterized in that the light conversion layer is formed integrally with the light emitting element by directly forming the coupling layer 6 on the light emitting element 13.
  • the method of incorporating the phosphor particles 4 in the bonding layer 6 is the same as in the first embodiment. That is, the bonding layer 6 is directly formed on the light emitting element 13 instead of the substrate 5 (bonding layer forming step), and the phosphor particles 4 are bonded to the bonding layer 6 to form a light emitting device.
  • a pair of electrodes 13 c and 13 d are provided on one main surface side of a light emitting element 13 having a pair of opposing main surfaces, the side opposite to one main surface of the light emitting element 13.
  • a light conversion layer composed of a bonding layer 6 containing phosphor particles can be provided on the other main surface of the first layer.
  • the light emitting device shown in FIG. 5 can be mounted on a conductive member such as a lead frame with one main surface side facing down (face-down mounting), for example.
  • the light emitting element 13 is configured to include the growth substrate 13a, the semiconductor portion 13b, the n electrode 13c, and the p electrode 13d, it goes without saying that the structure of the light emitting element 13 is not limited to this.
  • the structure of the light emitting element 13 is not limited to this.
  • a light conversion layer can also be provided in this area.
  • the light emitting element is preferably in the form of a wafer from the viewpoint of work efficiency. In such a case, it is possible to obtain individual light emitting elements by dividing the wafer after the bonding layer curing step.
  • a light conversion member having a plurality of bonding layers can be formed by performing the following process after the bonding layer curing process (not shown).
  • second phosphor particles different from the phosphor particles 4 are prepared (second phosphor particle preparation step).
  • a second bonding layer is formed on the upper surface of the cured bonding layer 6 (first bonding layer) of Embodiment 1 (second bonding layer forming step).
  • the second phosphor particles are bound to the second binding layer by causing convection of the second phosphor particles above the second binding layer (second phosphor particle binding step).
  • the second bonding layer is cured (second bonding layer curing step).
  • the first bonding layer containing the first phosphor particles and the second phosphor particles It can be set as the light conversion member by which the containing 2nd coupling layer was laminated
  • the first phosphor particles can be contained up to the upper surface of the first bonding layer, the first phosphor particles and the second phosphor particles are included in the first bonding layer and the second bonding layer. It can be provided substantially continuously. Thereby, since there is substantially no gap between the first phosphor particles and the second phosphor particles, the light extraction efficiency can be improved.
  • a bonding layer (first bonding layer) containing phosphor particles (first phosphor particles) that emit long wavelength light in order from the light emitting element side, a short wavelength
  • a bonding layer (second bonding layer) containing phosphor particles (second phosphor particles) that emit light of the above.
  • the light conversion member is formed in the same manner except that the bonding layer is formed in a desired region of the substrate. By selectively forming the bonding layer on the substrate, the light conversion member can be easily patterned.
  • a light emitting device is formed in the same manner except that a bonding layer is selectively formed on the surface of the light emitting element. Thereby, a light conversion layer can be selectively formed on the surface of the light emitting surface of the light emitting element.
  • the light conversion member or the light emitting device manufacturing method according to the present invention is applied to various light sources such as an illumination light source, various indicator light sources, an in-vehicle light source, a display light source, a liquid crystal backlight light source, a sensor light source, and a traffic light. Can be used.

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Abstract

　蛍光体粒子を均一に分布させることが可能な光変換層の形成方法、蛍光体粒子を均一に分布させることが可能な光変換部材の製造方法及び色ムラの抑制可能な発光装置の製造方法を提供する。　その光変換層の形成方法は、蛍光体粒子を準備する工程と、基体に樹脂よりなる結合層を形成する工程と、前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程と、前記結合層を硬化させる工程と、を有する。

Description

光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法
　本発明は、蛍光体粒子を有する光変換層の形成方法、光変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法に関するものである。
　従来、発光素子からの光と、その光により発光する蛍光体粒子を有する光変換部材からの光と、を混合させて発光させる発光装置が検討されてきた。光変換部材の形成方法としては、例えば、ガラス粉体と蛍光体粒子とを混ぜた後に焼結させて形成する方法（特許文献１）や、樹脂に蛍光体粒子を混ぜたものを発光素子に塗布等した後に当該樹脂を硬化させる方法（特許文献２）が知られている。
特開２００３－２５８３０８ 特開２００４－１２８３９３
　しかしながら、ガラス粉体を用いる方法においては、焼結した後にガラス粉体同士が接着するように蛍光体粒子に比較してガラス粉体の量を多くして、ガラス粉体と蛍光体粒子を混合していた。樹脂を用いる方法においても、適当な流動性を保つために蛍光体粒子に比較して樹脂の量を多くして、蛍光体粉体と樹脂を混合していた。つまり、従来の方法ではバインダーとなるガラス粉体又は樹脂に比較して蛍光体粒子の量が少なく設定されていたため、膜厚方向及び平面方向において蛍光体粒子を均一に分布させることが困難であり、結果として色ムラが生じる恐れがあった。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、蛍光体粒子を均一に分布させることが可能な光変換層の形成方法、蛍光体粒子を均一に分布させることが可能な光変換部材の製造方法を提供することを目的とする。
　また、本発明は、色ムラの少ない発光装置を製造することができる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明に係る光変換層の形成方法は、蛍光体粒子を準備する工程と、基体に樹脂よりなる結合層を形成する工程と、前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程と、前記結合層を硬化させる工程と、を有することを特徴とする。
　本発明に係る光変換部材の製造方法は、前記基体は基板であり、本発明に係る光変換層の形成方法により、前記基板の一方の主面に光変換層を形成することを含み、前記基板と前記光変換層とを含むことを特徴とする。
　本発明に係る発光装置の製造方法は、前記基体は発光素子であり、本発明に係る光変換層の形成方法により、前記発光素子の発光面に光変換層を形成することを含み、前記基板と前記光変換層とを含むことを特徴とする。
　本発明に係る光変換層及び光変換部材の形成方法は、蛍光体粒子を準備する工程と、基体に樹脂よりなる結合層を形成する工程と、前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程と、前記結合層を硬化させる工程とを含んでいるので、結合層に蛍光体粒子を均一に分布させることが可能になる。
　また、本発明に係る発光装置の製造方法によれば、色ムラの少ない発光装置を製造することができる。
図１は、一実施形態の光変換部材の製造方法を説明するための一模式図である。 図２は、一実施形態の光変換部材の製造方法を説明するための他の模式図である。 図３は、結合層近傍の拡大断面図である。 図４は、一実施形態の発光装置の断面模式図である。 図５は、他の実施形態の発光装置の断面模式図である。
　本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置及び光変換部材の製造方法を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
　＜実施の形態１＞
　本発明に係る実施形態１は光変換部材の製造方法に係るものである。当該製造方法により作製される光変換部材１００は、基板５の上に蛍光体粒子４を含有させた結合層６が形成されてなり、例えば、発光装置に用いられる。基板５は、例えば、透光性を有する基板であり、例えば、サファイア基板からなる。
　以下、本発明に係る実施形態１に係る光変換部材の製造方法について工程順に説明する。
　（蛍光体粒子準備工程）
　図１に示すように、蛍光体粒子４を準備する。蛍光体粒子４は後に準備される発光素子１３（図４参照）からの光により発光するものであればよく、その材料は限定されない。例えば、発光素子が青色発光する場合は、黄色に発光するＹＡＧ系蛍光体粒子、ＴＡＧ系蛍光体粒子、ストロンチウムシリケート系蛍光体粒子等とすることで、発光装置全体として白色光を得ることができる。
　本実施形態では、筐体１の底面に蛍光体粒子４を配置する。本発明では、比較的粒径の大きい蛍光体粒子４を選択的に結合層に結合させることができ、これにより、粒径がより揃った蛍光体粒子を結合層に含有させることができるが、よりいっそう粒径が揃った蛍光体粒子を結合層に含有させることができるように、蛍光体粒子４は、その粒径がある程度一定であることが好ましい。蛍光体粒子４の平均粒径は０．５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上２５μｍ以下とする。これにより、筐体１内で蛍光体粒子４を容易に対流させることができる。また、最終的に光変換部材としたときに発光効率及び光取り出し効率のよい蛍光体粒子とすることができる。
　なお、蛍光体粒子自体に静電気が生じ、隣接する蛍光体粒子が密着して凝集している場合がある。このような場合は、既存の静電気除去器により、蛍光体粒子に生じた静電気を除去すればよい。これにより、蛍光体粒子４を個々に分離することができ、再現性よく蛍光体粒子を対流させることができる。
　ここでは一種の蛍光体粒子を準備しているが、二種以上の蛍光体粒子が混ざったものを準備してもよい。
　（結合層形成工程）
　次に、結合層６を準備する。ここでは、基板５上に結合層６を形成している。
　結合層６は樹脂よりなり、蛍光体粒子結合工程の際に蛍光体粉体４を内部に取り込むことができ（蛍光体粉体４を含有することができ）且つ結合層硬化工程の際に硬化できるものであればよく、その材料は限定されない。結合層６の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。結合層６の形成方法としては、ポッティング、スプレー、スピンコート等を利用することができる。塗布する際の樹脂の粘度は、蛍光体粉体４を容易に樹脂内部に取り込むために、好ましくは、５０００ｃｐ以下、より好ましくは１０００ｃｐ以下、より好ましくは１００ｃｐ以下に設定する。また、樹脂の粘度の下限は、例えば、水より大きい粘度であればよい。
　基板５は、その上面に結合層６を形成することができればよく、その材料は限定されない。基板５としては、例えば、ガラス、サファイアを使用することができる。
　蛍光体粒子を含有させる前の結合層６の膜厚は、３μｍ以上１００μｍ未満、好ましくは５μｍ以上７０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ未満とすることができる。
　本実施の形態では、基板５は支持台３上に配置される。図１及び図２に示すように、支持台３には上下方向に貫通する貫通口が設けられていることが好ましい。後に説明する蛍光体粉末結合工程で結合層６の上方に送られた蛍光体粉体４が貫通口を通って再び下方に送られるので、蛍光体粒子４を効果的に利用することができるからである。
　（蛍光体粒子結合工程）
　次に、蛍光体粒子４を結合層６の上方で対流させることにより、蛍光体粒子４を結合層６に結合させる（蛍光体粒子４は、結合層６との濡れ性やそれ自体の重さにより結合層６の内部に取り込まれる（充填される）。）。本明細書において、「蛍光体粒子を・・・対流させる」とは、蛍光体粒子４を風により相反する方向（図１における上下方向）に流動させることをいう。
　蛍光体粒子４を対流させる手法は限定されないが、例えば、蛍光体粒子４を結合層６の下方から吹き上げることにより蛍光体粒子４を結合層６の上方で対流させることができる。以下、詳細に説明する。
　本実施の形態では、筐体１内において、支持台３の下方であり筐体１の側面から離れた位置に送風部２が設けられている。送風部２は、下方（筐体１の底面方向）に風を送ることができ、図２に示すような風の流れを形成することができる。つまり、送風部２から下方に風が送られ（ステップ１）、その風が筐体１の底面の存在により外側に向かい（ステップ２）、筐体１の側面に沿って上方に送られ（ステップ３）、筐体１の上面の存在により内側に向かい（ステップ４）、再び下方に送られる。そしてステップ１～４が繰り返されることにより、送風部２からの風は筐体１内を循環することになる。そして、筐体１の底面には蛍光体粒子４が配置されているので、蛍光体粒子４も送風部２からの風に乗って筐体１内を循環する。図２には、筐体の一断面において平面的に示しているが、実際には、送風部２から送られた風は筐体１の底面において蛍光体粒子４を巻き込んで放射状に側面に向かい側面全体に沿って上昇して、筐体１の上面によって再び筐体の中央部に集められて循環する。このような風の流れを考慮すると、筐体一内における安定した風の流れを得るために、筐体１の側面は円筒形であることが好ましく、送風機２が吹き出す風の中心が筐体１の円筒側面の中心軸に一致するように送風機２を筐体１内に設置することが好ましい。また、送風機２は、上方から落ちてきた蛍光体粒子４が送風機２内を通っても損傷を受けない程度に駆動することが好ましい。
　ここで、種々の粒径を含んだ蛍光体粒子４のうち、ある程度粒径の大きい（大粒径）蛍光体粒子４は、それよりも粒径の小さい（小粒径）の蛍光体粒子４よりも、優先的に筐体１内を循環し、結合層６に結合される。その理由は明らかでないが、小粒径の蛍光体粒子が風に乗って一旦上方に送られたとしても、小粒径であり軽量であるが故に筐体１の隅部等で滞留しやすく、結合層６まで到達しにくいためであると考えられる。さらに、一般に、蛍光体粒子は小粒径になればなるほど粘着力（凝集力）が大きくなる傾向にあるので、小粒径の蛍光体粒子は風に乗って上方に送られにくいためであると考えられる（小粒径の蛍光体粒子は、一定重量あたりの表面積が大きくなるので、その表面に水分が吸着されやすいためと考えられる）。したがって、大粒径の蛍光体粒子４を優先的に結合層６に取り込み得る本実施形態の光変換層では発光効率の向上が期待できる。
　一般に、光変換部材に用いられる蛍光体粒子としては、小粒径のものよりも大粒径のものの方が好ましいとされている。例えば、小粒径及び大粒径の蛍光体粒子をそれぞれ所定の厚さで堆積させる場合を想定する。この場合、小粒径の蛍光体粒子では、大粒径の蛍光体粒子に比べて、厚さ方向に蛍光体粒子が多く存在することになるので、蛍光体粒子の表面（界面）での光反射が多くなり、厚さ方向への光の取り出し効率が低下するという問題がある。一方、大粒径の蛍光体粒子では、小粒径の蛍光体粒子に比べて、厚さ方向に蛍光体粒子がより少なく存在することになるので、蛍光体粒子の表面での光反射が少なくなり、厚さ方向への光の取り出し効率は向上する。さらに、蛍光体粒子の表面は結晶が歪んでいることから、蛍光体粒子の表面では効率よく発光することができないと考えられる。よって、小粒径の蛍光体粒子だと、一定重量あたりの表面積が大きくなるので、発光効率が低くなる。一方、大粒径の蛍光体粒子だと、一定重量あたりの表面積が小さくなるので（結晶の歪が抑制された表面内側の体積割合が大きくなるので）、効率よく発光させることができる。このような理由により、小粒径の蛍光体粒子の混入を抑制し、より大粒径の蛍光体粒子を優先的に用いて、光変換部材を形成することが重要である。
　最終的に結合層６に含有される蛍光体粒子の量は、結合層６の膜厚により制御することができる。すなわち、結合層６に含有させることができる蛍光体粒子の最大量（結合層６によって基板に固定され得る蛍光体の最大量）は、結合層６の膜厚が薄いほど少なく、結合層６の膜厚が厚いほど多くなる。その膜厚における蛍光体粒子の最大量を超えて結合層６の上に堆積された蛍光体粒子は、結合層６によって結着されないので簡単に除去できる。つまり、結合層６の膜厚が薄ければ、結合層６の内部に取り込まれる蛍光体粒子４の量も必然的に少なくなり、結合層６の膜厚が厚ければ、結合層６の内部に取り込まれる蛍光体粒子４の量も必然的に多くなること、その膜厚における蛍光体粒子の最大量を超えて結合層６の上に堆積された蛍光体粒子は簡単に除去できることを利用すると、結合層６に取り込まれる蛍光体粒子４の量を容易に制御することができる。
　本蛍光体粒子結合工程においては、結合層６に充填されなくなった余分な蛍光体粒子４が結合層６に堆積する程度に、蛍光体粒子４を結合層６に過剰に供給することになる。換言すると、本実施形態では、一定条件の下所定の膜厚の結合層６が本来含有できる量以上の蛍光体粒子４を供給している。その結果、比較的均一の厚さに形成された結合層４はその全域で可能な限り蛍光体粒子４が充填された状態となるので、従来の手法と比較して、膜厚方向及び平面方向において蛍光体粒子４の分布がより均一にできる。その結果、発光装置に用いられた際、色ムラをより抑制することができる。
　ここでは、蛍光体粒子を対流させることにより結合層６に蛍光体粒子４を結合させる場合について説明したが、蛍光体粒子を対流させず単に結合層６に蛍光体粒子４を結合させることもできる。例えば、単純に結合層６の上方から蛍光体粒子を散布することにより、蛍光体粒子４を結合層６に含有させることもできる。この場合、小粒径の蛍光体粒子４を積極的に排除することはできないが、色ムラ抑制の効果は同様に得られることは言うまでもない。
　（結合層硬化工程）
　次に、結合層６を硬化させる。例えば、従来の樹脂を用いる方法であれば、バインダーとなる樹脂と蛍光体粒子を混合してから、それを発光素子等の他の部材に塗布等して硬化するが、本実施形態では結合層６に蛍光体粒子結合を結合させてから両者を混合せずにそのまま硬化するので、よりシンプルな工程で光変換部材を形成することができる。硬化の手法は限定されないが、結合層６が熱硬化性樹脂の場合は、結合層６を過熱することにより、結合層６をその内部に含有された蛍光体粒子４と共に一体的に硬化させ、基板５、結合層６及び蛍光体粒子４からなる光変換層１０とする。
　結合層６に取り込まれず結合層６の上に積もった過剰な蛍光体粒子は、例えば結合層硬化工程の後で洗い流す等して除去することができる。
　図３に、本工程により得られる結合層近傍の拡大模式図を示す。尚、本明細書において、蛍光体粒子を含有する硬化後の結合層６を光変換層１０と表示する。図３に示すように、光変換層１０において、結合層６の表面からは、蛍光体粒子４が部分的に露出している。これは、先に堆積した蛍光体粒子４が結合層６に既に取り込まれているため、後から堆積した蛍光体粒子４が結合層６に完全に取り込まれなかったためであると考えられる。ここでは、結合層６が最上層となるように構成したが、例えば結合層６の表面を平滑にするために、結合層６上にさらに蛍光体粒子を含まない透光層を形成してもよい。
　作業効率の点から比較的大面積(例えばウエハ)の光変換部材を形成することが好ましい。さらに、従来の方法であれば大面積になるほど蛍光体粒子の分布に偏りが生じる傾向があるが、本実施形態に係る方法であれば大面積の場合であっても蛍光体粒子の分布の偏りを比較的容易に抑制することができる。結合層６の膜厚を均一にするだけで、蛍光体粒子の分布を制御することができるからである。
　さらに、本実施形態によれば従来の方法に比較して蛍光体粒子４の回収効率が高い。結合層６に取り込まれなかった蛍光体粒子４を再利用することができるので原則として無駄になる蛍光体粒子４が生じないからである。
　＜実施の形態２＞
　本発明に係る実施形態２の発光装置は、実施の形態１で得られた光変換部材と発光素子とを用いて構成したものである。
　図４に示すように、実施形態１で得られた光変換部材１００と発光素子１３とを組み合わせて、発光素子１３からの光と、光変換部材からの光と、を混色させることができる発光装置とすることができる（発光装置形成工程）。
　具体的には、本実施形態の発光装置は、基部１２ａ及び側壁１２ｂからなるパッケージ１２と、パッケージ１２の外周に添って設けられた一対のリードフレーム１１と、側壁１２ｂにより形成される凹部底面に露出した一方のリードフレームに設けられた発光素子１３と、発光素子１３の各電極（図示せず）とそれぞれに対応するリードフレームとを電気的に接続するワイヤー１４と、側壁１２ｂによりなる凹部の上方に設けられた基板５及び結合層６（蛍光体粒子４を含む）からなる光変換部材１００と、を有する。ここでは、基板５が観測面側となるように、基板５を外側に結合層６を内側にしている。光変換部材１００は、シリコーン樹脂等からなる接着剤を介してパッケージ側壁１２ｂと結合することができる。
　発光素子１３としては公知のものを用いることができ、例えば青色発光や緑色発光が可能なＧａＮ系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）からなるＬＥＤとすることができる。
　本実施形態２では、光変換部材１００として基板５をそのまま含む構成としたが、基板５は必要に応じて薄くしたり除去したりしてもよい。例えば、スピンコートにより基板５上に結合層６を形成する場合、結合層形成工程においては、基板５はある程度の厚みを有する必要がある。しかし、発光装置形成工程においては、基板５の厚みが作業の妨げになることもあるので、このような場合には基板５を薄くしたり除去したりすることが好ましい。
　＜実施の形態３＞
　本発明に係る実施形態３の発光装置は、結合層６を発光素子１３に直接形成することにより光変換層を発光素子と一体で構成したことを特徴としている。結合層６に蛍光体粒子４を含有させる方法は実施形態１と同様である。つまり、基板５ではなく発光素子１３に結合層６を直接形成し（結合層形成工程）、結合層６に蛍光体粒子４を結合させて発光装置としている。
　例えば、図５に示すように、対向する一対の主面を有する発光素子１３の一方の主面側に一対の電極１３ｃ及び１３ｄが設けられている場合、発光素子１３の一主面と反対側の他方の主面に蛍光体粒子を含有する結合層６からなる光変換層を設けることができる。図５に示す発光装置は、例えば、一方の主面側を下側にしてリードフレーム等の導電性部材に実装することができる（フェイスダウン実装）。
　ここでは、発光素子１３は、成長基板１３ａ、半導体部１３ｂ、ｎ電極１３ｃ及びｐ電極１３ｄから構成される構成としているが、発光素子１３の構造はこれに限定されないことは言うまでもない。例えば、互いに対向する一対の主面を有する発光素子の一方の主面にｎ電極が設けられ他方の主面にｐ電極が設けられている場合であっても、いずれかの主面において電極以外の領域に光変換層を設けることもできる。
　発光素子上に結合層６を形成する際は、作業効率の点から、発光素子がウエハ状であることが好ましい。係る場合、結合層硬化工程の後でウエハを分断することで、個々の発光素子とすることができる。
　＜実施の形態４＞
　実施の形態１から３において結合層硬化工程の後に、さらに次の工程を実施することにより、複数層の結合層を有する光変換部材を形成することができる（図示せず）。
　まず、蛍光体粒子４（第１蛍光体粒子）と異なる第２蛍光体粒子を準備する（第２蛍光体粒子準備工程）。次に、実施の形態１の硬化した結合層６（第１結合層）の上面に第２結合層を形成する（第２結合層形成工程）。次に、第２蛍光体粒子を第２結合層の上方で対流させることにより、第２蛍光体粒子を第２結合層に結合させる（第２蛍光体粒子結合工程）。次に、第２結合層を硬化させる（第２結合層硬化工程）。
　つまり、蛍光体粒子準備工程、結合層形成工程、蛍光体粒子結合工程及び結合層硬化工程を複数回繰り返すことにより、第１蛍光体粒子を含有した第１結合層と、第２蛍光体粒子を含有した第２結合層と、が積層された光変換部材とすることができる。特に、本実施の形態では、第１結合層の上面まで第１蛍光体粒子を含有させることができるので、第１結合層及び第２結合層において第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子が実質的に連続して設けることができる。これにより、第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子との間に実質的に隙間がなくなるので、光取り出し効率を向上させることができる。
　光変換部材に複数層の結合層を設ける場合、発光素子側から順に、長波長の光を発光する蛍光体粒子（第１蛍光体粒子）を含有する結合層（第１結合層）、短波長の光を発光する蛍光体粒子（第２蛍光体粒子）を含有する結合層（第２結合層）とすることが好ましい。これにより、多段励起が抑制されるので、発光効率を向上させることができる。例えば、第１蛍光体粒子を赤色発光とし第２蛍光体粒子を黄色発光とすることにより、第１蛍光体粒子からの発光による第２蛍光体粒子の発光を抑制することができる。
　筐体、送風機及び支持台は、実施の形態１と同様のものを使用できる。また、原理も実施の形態１と同様であるので、その説明は省略する。
　＜実施の形態５＞
　実施の形態１の結合層形成工程において、基板の所望の領域に結合層を形成する以外は同様にして、光変換部材を形成する。基板上に結合層を選択的に形成することにより、光変換部材を容易にパターニングすることができる。
　＜実施の形態６＞
　実施の形態３の結合層形成工程において、発光素子の表面に選択的に結合層を形成する以外は同様にして発光装置を形成する。これにより、発光素子の発光面の表面に選択的に光変換層を形成することができる。
　本発明に係る光変換部材又は発光装置の製造方法は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種々の光源に利用することができる。
１・・・筐体
２・・・送風部
３・・・支持台
４・・・蛍光体粒子
５・・・基板
６・・・結合層
１０・・・光変換層
１１・・・リードフレーム
１２・・・パッケージ
１３・・・発光素子
１４・・・ワイヤー
１００・・・光変換部材

Claims (8)

  1. 　蛍光体粒子を準備する工程と、
    　基体に樹脂よりなる結合層を形成する工程と、
    　前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程と、
    　前記結合層を硬化させる工程と、を有することを特徴とする光変換層の形成方法。
  2. 　前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程において、前記結合層が含有し得る最大量の蛍光体粒子を含有させる請求項１記載の光変換層の形成方法。
  3. 　前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程の後に、該結合層に含有されることなく前記結合層上に付着した過剰の蛍光体粒子を除去する工程を含む請求項２記載の光変換層の形成方法。
  4. 　前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる工程において、前記準備された蛍光体粒子を対流させることにより前記蛍光体粒子を前記結合層に含有させる請求項１～３のうちのいずれか１つに記載の光変換層の形成方法。
  5. 　前記基体は基板であり、
    　請求項１～４のうちのいずれか１つに記載の光変換層の形成方法により、前記基板の一方の主面に光変換層を形成することを含み、
    　前記基板と前記光変換層とを含む光変換部材を製造する光変換部材の製造方法。
  6. 　前記光変換層を形成した後に、前記基板を除去することを含み、
    　前記光変換層を含んでなる光変換部材を製造する請求項５記載の光変換部材の製造方法。
  7. 　請求項５又は６に記載の光変換部材の製造方法により、光変換部材を作製することと、
    　発光素子を準備することと、
    　前記発光素子と前記光変換部材とを組み合わせて発光装置とすることとを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  8. 　前記基体は発光素子であり、
    　請求項１～４のうちのいずれか１つに記載の光変換層の形成方法により、前記発光素子の発光面に光変換層を形成することを含み、
    　前記基板と前記光変換層とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
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